JP2012256063A5 - 表示装置 - Google Patents
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- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (2)
- 第１の半導体層と、第２の半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第５の導電層と、を有し、
前記第１の半導体層と、前記第２の半導体層とは、同一の膜をエッチング加工する工程を経て形成されたものであり、
前記第１の半導体層と、前記第２の半導体層とは、化合物半導体を有し、
前記第１の半導体層と、前記第２の半導体層とは、結晶構造を有し、
前記第２の導電層と、前記第３の導電層とは、第１の層間絶縁層上に設けられた、同一の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成されたものであり、
前記第４の導電層と、前記第５の導電層とは、第２の層間絶縁層上に設けられた、同一の透明導電膜をエッチング加工する工程を経て形成されたものであり、
前記第１の導電層は、絶縁層を介して前記第１の半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の導電層は、トランジスタのゲート電極となる機能を有し、
前記第１の半導体層の一部は、前記トランジスタのチャネル形成領域となる機能を有し、
前記第２の導電層は、前記トランジスタのソースまたはドレインと、前記第４の導電層とを、電気的に接続する機能を有し、
前記第２の半導体層は、絶縁層を介して前記第５の導電層と重なる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の半導体層と前記第５の導電層の間に設けられ、
前記第４の導電層は、発光素子の一対の電極のうちの一方となる機能を有し、
前記第１の層間絶縁層は開口部を有し、前記第４の導電層は前記開口部と重なる領域を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項１において、
前記第４の導電層と、前記第５の導電層とは、インジウムスズ酸化物、またはインジウム亜鉛酸化物を含むことを特徴とする表示装置。
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