JP2010258423A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネルが形成される領域を含む半導体層と、前記半導体層と電気的に接続されるソース電極となる第１電極層及びドレイン電極となる第２電極層とが重なるように設けられ、
   前記ゲート電極の外側領域において、前記第１電極層に第１の配線層が電気的に接続され、前記第２電極層に第２の配線層が電気的に接続されており、
   前記第１電極層及び前記第２電極層の導電率は前記半導体層の導電率以上であって、前記第１配線層及び前記第２配線層の導電率以下であることを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上に設けられ前記ゲート電極と重なる領域を有する半導体層と、
   前記半導体層と電気的に接続される第１電極層及び第２電極層と、
   前記ゲート電極の外側領域において、前記第１電極層と電気的に接続される第１の配線層と、前記第２電極層と電気的に接続される第２の配線層と、
   を有し、
   前記第１電極層及び前記第２電極層の導電率は前記半導体層の導電率以上であって、前記第１配線層及び前記第２配線層の導電率以下であることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記半導体層は、インジウム、ガリウム、亜鉛の少なくとも一種を含む酸化物半導体層であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１電極層及び前記第２電極層の導電率が、１×１０^−４Ｓ／ｃｍ以上、１×１０^２Ｓ／ｃｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記ゲート電極層に前記第１電極層が重畳する長さ及び、前記ゲート電極層に前記第２電極層が重畳する長さが０．２μｍ以上、５μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。