JP5864875B2 - 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5864875B2 JP5864875B2 JP2011062603A JP2011062603A JP5864875B2 JP 5864875 B2 JP5864875 B2 JP 5864875B2 JP 2011062603 A JP2011062603 A JP 2011062603A JP 2011062603 A JP2011062603 A JP 2011062603A JP 5864875 B2 JP5864875 B2 JP 5864875B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal oxide
- thin film
- semiconductor
- film transistor
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 68
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 62
- 239000012702 metal oxide precursor Substances 0.000 claims description 62
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 59
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 37
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- -1 cerium metal oxide Chemical class 0.000 claims description 11
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 10
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 7
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Natural products CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- SKWCWFYBFZIXHE-UHFFFAOYSA-K indium acetylacetonate Chemical compound CC(=O)C=C(C)O[In](OC(C)=CC(C)=O)OC(C)=CC(C)=O SKWCWFYBFZIXHE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QJQIVOJMLZMMNP-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Zn++].[In+3].[Ce+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Zn++].[In+3].[Ce+3] QJQIVOJMLZMMNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZFEADGRFDTTYIM-UHFFFAOYSA-N [Zn+2].[O-2].[In+3].[Si+4] Chemical compound [Zn+2].[O-2].[In+3].[Si+4] ZFEADGRFDTTYIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N anhydrous diethylene glycol Natural products OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYKVRFMTWIPDPJ-UHFFFAOYSA-N cerium(3+) ethanolate Chemical compound [Ce+3].CC[O-].CC[O-].CC[O-] WYKVRFMTWIPDPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J hafnium tetrachloride Chemical compound Cl[Hf](Cl)(Cl)Cl PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 2
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 2
- YSRUGFMGLKANGO-UHFFFAOYSA-N zinc hafnium(4+) indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[In+3].[Hf+4] YSRUGFMGLKANGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGQHDGJJZODGHE-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethanol;methyl acetate Chemical compound COC(C)=O.OCCOCCO SGQHDGJJZODGHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)CO CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PASUDGKNNPSRBK-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-2-methylbutanoic acid Chemical compound CCOC(C)(CC)C(O)=O PASUDGKNNPSRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTTXRLXWUGSITL-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)O.C(C)C(COCCO)O Chemical compound C(C)(=O)O.C(C)C(COCCO)O WTTXRLXWUGSITL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K diacetyloxyindiganyl acetate Chemical compound [In+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K indium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[In+3] IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CVNKFOIOZXAFBO-UHFFFAOYSA-J tin(4+);tetrahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Sn+4] CVNKFOIOZXAFBO-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- OVZUSPADPSOQQN-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)indigane Chemical compound [In+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] OVZUSPADPSOQQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJGJRYWNNHUESM-UHFFFAOYSA-J triacetyloxystannyl acetate Chemical compound [Sn+4].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O YJGJRYWNNHUESM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- YQMWDQQWGKVOSQ-UHFFFAOYSA-N trinitrooxystannyl nitrate Chemical compound [Sn+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YQMWDQQWGKVOSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
- UGZADUVQMDAIAO-UHFFFAOYSA-L zinc hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Zn+2] UGZADUVQMDAIAO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940007718 zinc hydroxide Drugs 0.000 description 1
- 229910021511 zinc hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N zinc;pentane-2,4-dione Chemical compound [Zn+2].CC(=O)[CH-]C(C)=O.CC(=O)[CH-]C(C)=O NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
前記第1金属酸化物に含まれる前記金属の含有量は、前記第2金属酸化物に含まれる前記金属の含有量より少ないことが好ましい。
前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との間に無機物質を含む補助層をさらに有することが好ましい。
前記第1金属酸化物前駆体に含まれる前記金属の含有量は、前記第2金属酸化物前駆体に含まれる前記金属の含有量より少ないことが好ましい。
前記半導体を形成する段階は、前記第1金属酸化物前駆体を塗布(apply)する段階と、前記第1金属酸化物前駆体を熱処理する段階とを含み、前記ゲート絶縁膜を形成する段階は、前記第2金属酸化物前駆体を塗布(apply)する段階と、前記第2金属酸化物前駆体を熱処理する段階とを含むことが好ましい。
図1は、本発明の第1の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
半導体154は、第1金属酸化物で形成され、ゲート絶縁膜140は第2金属酸化物で形成されている。
この時、半導体及びゲート絶縁膜に共通して含まれる金属の含有量は互いに異なることができる。例えば、半導体及びゲート絶縁膜に共通して含まれる金属の含有量は、半導体に含まれる金属の含有量がゲート絶縁膜に含まれる金属の含有量より少ないことができる。
最初に、基板110の上に導電体を積層してフォトエッチングし、ゲート電極124を含むゲート線(図示せず)を形成する。次に、ゲート電極124の上にゲート絶縁膜140及び半導体154を順次に形成し、その上に導電体を積層してフォトエッチングし、ソース電極173及びドレイン電極175を形成する。
この時、半導体形成用金属酸化物前駆体(以下、‘金属酸化物前駆体’という)及びゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体(以下、‘金属酸化物前駆体’という)は、一つ以上の金属を共通して含むことができる。
インジウム含有化合物は、インジウム塩、水酸化インジウム、インジウムアルコキシド、及びこれらの水和物よりよりなる群の中から選択される少なくとも一つとすることができるが、これに限定されることではない。
上述した金属含有化合物は、金属酸化物前駆体の総含有量に対してそれぞれ約0.01〜30重量%で含まれることができる。各成分が上記範囲で含まれる場合、溶解度を確保できる。
溶媒は、金属前駆体の総含有量に対して、上述した成分を除いた残量で含まれることができる。
半導体を形成する段階は、上述した第1金属酸化物前駆体をゲート絶縁膜上に適用(形成)した後、これを熱処理して、金属酸化物を含む半導体に形成することができる。
この時、第1金属酸化物前駆体及び第2金属酸化物前駆体を適用(形成)する段階は、上述した金属酸化物前駆体をスピンコーティング、スリットコーティング、インクジェット印刷、噴霧(spray)、または浸漬(dipping)などの方法により基板上に適用(形成)することができる。
図2は、本発明の第2の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
図2を参照すると、本実施形態による薄膜トランジスタは、基板110の上にゲート電極124が形成され、ゲート電極124の上に補助層130が形成されている。補助層130の上にはゲート絶縁膜140、半導体154、ソース電極173、及びドレイン電極175が順次に形成されている。
補助層130は、ゲート電極124による段差を減らして、ゲート絶縁膜140及び半導体154を溶液工程により形成する際に、均一に形成できるようにする。
ゲート絶縁膜140及び半導体154は、上述した実施形態と同様に、一つ以上の金属を共通して含む第1金属酸化物及び第2金属酸化物で形成でき、具体的な内容は上述した実施形態と同一である。
図3及び図4は、それぞれ本発明の第3及び第4の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
ゲート絶縁膜140及び半導体154は、上述した実施形態と同様に、一つ以上の金属を共通して含む第1金属酸化物及び第2金属酸化物で形成でき、具体的な内容は上述した実施形態と同一である。
ゲート絶縁膜140及び半導体154は、上述した実施形態と同様に、一つ以上の金属を共通して含む第1金属酸化物及び第2金属酸化物で形成することができ、具体的な内容は上述した実施形態と同一である。
図5は、本発明の第5の実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
図5を参照すると、本実施形態は、トップゲート(top gate)構造の薄膜トランジスタで、基板110の上に互いに対向するソース電極173及びドレイン電極175が形成されており、その上にソース電極173及びドレイン電極175と一部重畳する半導体154が形成されている。半導体154の上にゲート絶縁膜140が形成されており、ゲート絶縁膜140の上に半導体154と重畳する位置にゲート電極124が形成されている。
ゲート絶縁膜140及び半導体154は、上述した実施形態と同様に、一つ以上の金属を共通して含む第1金属酸化物及び第2金属酸化物で形成することができ、具体的な内容は上述した実施形態と同一である。
以下、実施例を通じて、本発明についてより詳細に説明する。但し、下記の実施例は単に説明を目的とするものであり、本発明の範囲を制限することではない。
硝酸インジウム及び酢酸亜鉛を、インジウム(In):亜鉛(Zn)=3:1のモル比となるように2−メトキシエタノールで溶解して約0.2Mの溶液を製造した後、ここに酢酸亜鉛と同一の当量の酢酸及びエタノールアミンを添加して、半導体用金属酸化物前駆体を製造する。
硝酸インジウム、酢酸亜鉛、及びセリウムエトキシド(Ce ethoxide)を、インジウム(In):亜鉛(Zn):セリウム(Ce)=3:1:0.5のモル比となるように、2−メトキシエタノールで溶解して約0.2Mの溶液を製造した後、ここに酢酸亜鉛と同一の当量の酢酸及びエタノールアミンを添加して、ゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体1を製造する。
硝酸インジウム、酢酸亜鉛、及びセリウムエトキシド(Ce ethoxide)を、インジウム(In):亜鉛(Zn):セリウム(Ce)=3:1:2のモル比となるように、2−メトキシエタノールで溶解して約0.2Mの溶液を製造した後、ここに酢酸亜鉛と同一の当量の酢酸及びエタノールアミンを添加して、ゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体2を製造する。
ガラス基板上にスパッタリング方法によりモリブデン2000Åを形成した後、フォトエッチングして、ゲート電極を形成する。次に、化学気相蒸着(PECVD)方法により窒化ケイ素を4000Å蒸着した後、その上に上記で製造されたゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体2を500〜3000RPMの速度でスピンコーティングする。次に、300℃で30分間1次熱処理して、溶媒を所定程度除去した後に、450℃で3時間2次熱処理して、ゲート絶縁膜を形成する。
次に、半導体膜をパターニングした後、その上に化学気相蒸着方法により酸化ケイ素(SiO2)を2000Å蒸着し、パターニングして、エッチング防止膜を形成する。次に、スパッタリング方法によりモリブデン2000Åを形成した後、フォトエッチングして、ソース電極及びドレイン電極を形成する。
上記で製造したゲート絶縁膜用金属酸化物前駆体の絶縁特性を確認するために、シリコンウエハの上に金属酸化物前駆体1及び2をそれぞれ500rpm速度でスピンコーティングして薄膜を形成する。
これについて、図6及び図7を参照して説明する。
図6及び図7を参照すると、絶縁破壊電界(breakdown field)は1e−6Aを基準として4.5MV/cmであり、一定の電界下で低い電流密度を維持し、キャパシタンス特性も良好で、絶縁特性を示すことが分かる。
上記で製作された薄膜トランジスタの電流特性を測定する。
図8は、本発明の実施例による薄膜トランジスタの電流特性を示すグラフである。
図8を参照すると、実施例による薄膜トランジスタは、ターンオン電圧が0.2Vであり、サブスレッショルドスロープ(subthreshold slop)が0.5V/decを示し、Ion/offが1×107以上の高い電流特性を示すことが分かる。これから、実施例による薄膜トランジスタは優れた特性を有することを確認した。
124 ゲート電極
130 補助層
140 ゲート絶縁膜
154 半導体
160 エッチング防止膜
173 ソース電極
175 ドレイン電極
A チャネル
Claims (9)
- ゲート電極と、
前記ゲート電極と重畳し、第1金属酸化物を含む半導体と、
前記ゲート電極と前記半導体との間に位置して、第2金属酸化物を含むゲート絶縁膜と、
前記半導体と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極とを有し、
前記第2金属酸化物は、前記第1金属酸化物と異なり、
前記第1金属酸化物及び前記第2金属酸化物は、In、Zn、及びSnから選択された少なくとも一つを共通して含み、
前記In、Zn、及びSnから選択された少なくとも一つは、前記第1金属酸化物及び前記第2金属酸化物で異なる含有量で含まれ、
第1金属酸化物は、Inからなる酸化物、Znからなる酸化物、In及びSnからなる酸化物、In及びZnからなる酸化物、またはZn及びSnからなる酸化物であり、
第2金属酸化物は、Ce、In及びZnからなる酸化物であるか、またはHf、In及びZnからなる酸化物であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記第2金属酸化物の前記選択される酸化物のそれぞれのセリウム(Ce)、及びハフニウム(Hf)は、亜鉛100原子部に対してそれぞれ、50原子部以上、及び80原子部以上、の含有量で含まれることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1金属酸化物に含まれる前記金属の含有量は、前記第2金属酸化物に含まれる前記金属の含有量より少ないことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との間に無機物質を含む補助層をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- ゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極と重畳する位置に半導体を形成する段階と、
前記ゲート電極を形成する段階と前記半導体を形成する段階との間にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記半導体と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成する段階とを有し、
前記半導体を形成する段階と前記ゲート絶縁膜を形成する段階のそれぞれは、
第1金属酸化物前駆体及び第2金属酸化物前駆体を溶液工程により形成する段階を含み、
前記第2金属酸化物前駆体は、前記第1金属酸化物前駆体と異なり、
前記第1金属酸化物前駆体及び前記第2金属酸化物前駆体は、In、Zn、及びSnから選択された少なくとも一つを共通して含み、
前記In、Zn、及びSnから選択された少なくとも一つは、前記第1金属酸化物前駆体及び前記第2金属酸化物前駆体で異なる含有量で含まれ、
第1金属酸化物は、Inからなる酸化物、Znからなる酸化物、In及びSnからなる酸化物、In及びZnからなる酸化物、またはZn及びSnからなる酸化物であり、
第2金属酸化物は、Ce、In及びZnからなる酸化物であるか、またはHf、In及びZnからなる酸化物であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記第2金属酸化物の前記セリウム(Ce)、又はハフニウム(Hf)は、前記亜鉛(Zn)含有化合物の亜鉛100原子部に対してそれぞれ50原子部以上、又は80原子部以上、の含有量で含まれることを特徴とする請求項5に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記第1金属酸化物前駆体に含まれる前記金属の含有量は、前記第2金属酸化物前駆体に含まれる前記金属の含有量より少ないことを特徴とする請求項5に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体を形成する段階は、前記第1金属酸化物前駆体を塗布(apply)する段階と、
前記第1金属酸化物前駆体を熱処理する段階とを含み、
前記ゲート絶縁膜を形成する段階は、前記第2金属酸化物前駆体を塗布(apply)する段階と、
前記第2金属酸化物前駆体を熱処理する段階とを含むことを特徴とする請求項5に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタを含むことを特徴とする表示装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2010-0025162 | 2010-03-22 | ||
KR20100025162 | 2010-03-22 | ||
KR10-2010-0106851 | 2010-10-29 | ||
KR1020100106851A KR20110106225A (ko) | 2010-03-22 | 2010-10-29 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 표시장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011199291A JP2011199291A (ja) | 2011-10-06 |
JP5864875B2 true JP5864875B2 (ja) | 2016-02-17 |
Family
ID=44060893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011062603A Active JP5864875B2 (ja) | 2010-03-22 | 2011-03-22 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9564531B2 (ja) |
EP (1) | EP2369627B1 (ja) |
JP (1) | JP5864875B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101301215B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2013-08-29 | 연세대학교 산학협력단 | 산화물 박막용 조성물, 산화물 박막용 조성물 제조 방법, 산화물 박막용 조성물을 이용한 산화물 박막 및 전자소자 |
US8703365B2 (en) | 2012-03-06 | 2014-04-22 | Apple Inc. | UV mask with anti-reflection coating and UV absorption material |
KR102179912B1 (ko) | 2012-03-23 | 2020-11-17 | 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코 | 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
KR20130111874A (ko) * | 2012-04-02 | 2013-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치, 그리고 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
US9553201B2 (en) | 2012-04-02 | 2017-01-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor |
KR101961426B1 (ko) * | 2012-05-30 | 2019-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 형성 방법 |
KR20130137851A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 반도체의 전구체 조성물, 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판, 그리고 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
US8823003B2 (en) | 2012-08-10 | 2014-09-02 | Apple Inc. | Gate insulator loss free etch-stop oxide thin film transistor |
US9601557B2 (en) | 2012-11-16 | 2017-03-21 | Apple Inc. | Flexible display |
JP6117124B2 (ja) | 2013-03-19 | 2017-04-19 | 富士フイルム株式会社 | 酸化物半導体膜及びその製造方法 |
KR102166272B1 (ko) * | 2013-05-23 | 2020-10-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 기판 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
US9600112B2 (en) | 2014-10-10 | 2017-03-21 | Apple Inc. | Signal trace patterns for flexible substrates |
JP2017050537A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN109478110B (zh) * | 2016-09-16 | 2022-04-15 | 凸版印刷株式会社 | 显示装置及显示装置基板 |
KR102708773B1 (ko) | 2016-12-26 | 2024-09-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
KR102093415B1 (ko) * | 2017-06-21 | 2020-04-23 | 울산과학기술원 | 금속산화물 박막을 포함하는 트랜지스터 제조 방법 |
JP6795543B2 (ja) * | 2018-04-27 | 2020-12-02 | 株式会社Joled | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8921473B1 (en) * | 2004-04-30 | 2014-12-30 | Sydney Hyman | Image making medium |
JP4089858B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP4338956B2 (ja) | 2002-11-08 | 2009-10-07 | 出光興産株式会社 | 酸化物焼結体、n型熱電変換材料及びそれを用いた熱電変換素子 |
KR101019337B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-03-07 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터 |
US20060003485A1 (en) | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Hoffman Randy L | Devices and methods of making the same |
US7378286B2 (en) * | 2004-08-20 | 2008-05-27 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Semiconductive metal oxide thin film ferroelectric memory transistor |
JP2006134789A (ja) | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 非晶質透明導電膜及び非晶質透明導電膜積層体並びにこれらの製造方法 |
US20060102931A1 (en) * | 2004-11-17 | 2006-05-18 | Thomas Edward Kopley | Field effect transistor having a carrier exclusion layer |
JP4767616B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-09-07 | 富士フイルム株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
JP4981283B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2012-07-18 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ |
EP1995787A3 (en) * | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP5177954B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2013-04-10 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
JP4762062B2 (ja) | 2006-06-22 | 2011-08-31 | 出光興産株式会社 | 焼結体、膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5305630B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法 |
JP5196870B2 (ja) | 2007-05-23 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体を用いた電子素子及びその製造方法 |
JP2008235871A (ja) | 2007-02-20 | 2008-10-02 | Canon Inc | 薄膜トランジスタの形成方法及び表示装置 |
US8436349B2 (en) * | 2007-02-20 | 2013-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin-film transistor fabrication process and display device |
JP5320746B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2013-10-23 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ |
JP2010530634A (ja) | 2007-06-19 | 2010-09-09 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 酸化物半導体及びそれを含む薄膜トランジスタ |
US7935964B2 (en) * | 2007-06-19 | 2011-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same |
KR20090037109A (ko) * | 2007-10-11 | 2009-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
JP5423396B2 (ja) * | 2007-12-20 | 2014-02-19 | コニカミノルタ株式会社 | 電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法 |
US8461583B2 (en) | 2007-12-25 | 2013-06-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same |
KR101510212B1 (ko) * | 2008-06-05 | 2015-04-10 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법 |
JP5123768B2 (ja) * | 2008-07-10 | 2013-01-23 | 富士フイルム株式会社 | 金属酸化物膜とその製造方法、及び半導体装置 |
KR101468594B1 (ko) * | 2008-07-31 | 2014-12-04 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
KR101499239B1 (ko) | 2008-08-26 | 2015-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR101558534B1 (ko) * | 2008-09-24 | 2015-10-08 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR101201891B1 (ko) * | 2009-03-26 | 2012-11-16 | 한국전자통신연구원 | 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
US8927981B2 (en) * | 2009-03-30 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI380455B (en) * | 2009-09-09 | 2012-12-21 | Univ Nat Taiwan | Thin film transistor |
-
2011
- 2011-03-22 EP EP11159215.0A patent/EP2369627B1/en active Active
- 2011-03-22 US US13/064,366 patent/US9564531B2/en active Active
- 2011-03-22 JP JP2011062603A patent/JP5864875B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011199291A (ja) | 2011-10-06 |
US20110227064A1 (en) | 2011-09-22 |
EP2369627B1 (en) | 2017-01-25 |
US9564531B2 (en) | 2017-02-07 |
EP2369627A1 (en) | 2011-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5864875B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置 | |
KR101669953B1 (ko) | 산화물 박막, 산화물 박막의 형성 방법 및 산화물 박막을 포함하는 전자 소자 | |
US8529802B2 (en) | Solution composition and method of forming thin film and method of manufacturing thin film transistor using the solution composition | |
KR102100290B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 | |
KR101447638B1 (ko) | 산화물 박막용 조성물, 산화물 박막용 조성물 제조 방법, 산화물 박막용 조성물을 이용한 산화물 박막 및 전자소자 | |
US20120168747A1 (en) | Composition for oxide thin film, preparation method of the composition, methods for forming the oxide thin film using the composition, and electronic device using the composition | |
KR101733152B1 (ko) | 산화물 박막 형성용 용액 조성물 및 상기 산화물 박막을 포함하는 전자 소자 | |
US8659094B2 (en) | Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
US8658546B2 (en) | Solution composition for forming oxide thin film and electronic device including the oxide thin film | |
KR20110106225A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 표시장치 | |
KR101406838B1 (ko) | 산화물 반도체 장치 및 그 형성 방법 | |
KR101375846B1 (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
US9312391B2 (en) | Solution composition for forming oxide semiconductor, and oxide semiconductor and electronic device including the same | |
KR101582942B1 (ko) | 산화물 반도체 제조용 용액 | |
CN109888023B (zh) | 一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法 | |
KR20110027488A (ko) | 용액 조성물, 이를 이용한 금속 산화물 반도체 제조 방법, 상기 제조 방법에 의해 형성된 금속 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 | |
KR20100092878A (ko) | 용액 조성물, 상기 용액 조성물을 사용한 박막 형성 방법 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150318 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151106 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20151113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5864875 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |