CN109478110B - 显示装置及显示装置基板 - Google Patents

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Abstract

本发明的显示装置包含阵列基板、显示装置基板及控制部，所述阵列基板具备：电极，具有银或银合金层被导电性金属氧化物层夹持的构成；发光层，通过从所述电极施加的驱动电压而发光；和有源元件，具有与栅极绝缘层接触且由氧化物半导体构成的沟道层，并且驱动所述发光层，所述显示装置基板具备：透明基板，与所述阵列基板对置；多个第1触摸传感布线及多个第2触摸传感布线，具有在观察方向上黑色层与导电层依次层叠的构成，而且，俯视时正交；和像素，俯视时由多个第1触摸传感布线和多个第2触摸传感布线划分而成，所述控制部进行触摸传感。

Description

显示装置及显示装置基板
技术领域
本发明涉及具备包含有机电致发光材料或LED的发光层的显示装置及 显示装置基板，特别涉及具备触摸传感功能的显示装置及用于该显示装置 的显示装置基板。
背景技术
近年来，液晶显示装置或以矩阵状排列发光元件的显示装置(有机电 致发光显示装置或LED矩阵显示装置)的分辨率提高，并不断薄型化。此 外，市售有具备具有5英寸或8英寸等画面尺寸且可实现高画质的显示装 置的移动设备，例如智能手机、平板等。特别是，有机电致发光显示装置 (以下称作有机EL)能够对这样的移动设备的薄型化有贡献。
在有机EL显示装置中，有时使用具备白色有机EL的有机EL基板、 以及具备用于实现彩色显示的滤色片且与有机EL基板对置配置的对置基 板。为了获得更高的画质，不断地在进行下述LED矩阵显示装置的开发， 该LED矩阵显示装置为，例如将红色发光LED芯片、绿色发光LED芯片 及蓝色发光LED芯片载置于小的发光单元，多个发光单元呈矩阵状排列在阵列基板上。作为LED，已知有发光效率高的蓝色发光二极管，有时使用 在蓝色LED芯片上配置了绿色荧光体及红色荧光体的白色LED。
在具备包含有机EL(Organic Electroluminescence)或LED(Light EmittingDiode)的发光层的显示装置中，为了提高从观察者侧观察显示装 置时的明亮度，由铝或银形成的下部电极(光反射性的像素电极)是不可 或缺的。另外，下部电极是指从观察者侧观察显示装置时位于较远位置的 电极，上部电极是指位于相对于下部电极而言距观察者较近的位置的电极。
在专利文献1中记载有一种触摸感测显示器，在该触摸感测显示器中， 在有机发光二极管、电容型触摸传感器电极及用于传输触摸传感器信号的 控制线之间具备薄膜化胶囊化层。在专利文献1的权利要求2中公开了被 黑矩阵覆盖的导电性栅格。控制线如专利文献1的权利要求9所示那样形 成于共用基板上。在专利文献1中，如图10、图39、段落[0031]及[0032] 所示，用于传输触摸传感器信号的控制线设置于形成有像素阵列的基板上。 如专利文献1的段落[0064]至[0066]记载的那样，线640中被传输有 显示器控制信号，也被传输有传感器驱动信号。为了进行像素(pixel)驱 动，提出了时分复用。时分复用的详细内容虽未在专利文献1中公开，但 不仅时分驱动技术复杂，而且由线640兼任显示器控制及传感器驱动器双 方的作用的布线构造也较为复杂，此外，使用该布线构造的控制较为复杂。 在专利文献1的段落[0066]中记载了在电容型触摸传感器的电容动作中 防止对于像素驱动的干扰的必要性。
另外，推测线640为上述控制线，但在专利文献1中没有明确记载。 此外，关于专利文献1中的权利要求9所记载的“共用基板”，在说明书内 并未明确记载确定为“共用基板”的内容。此外，在专利文献1的段落[0036] 中记载了触摸传感器线由铜、金等金属形成。然而，铜、银、金等这样的 铜族元素相对于玻璃基板、塑料薄膜不具有实用的紧贴性，在专利文献1 中未提出改善铜、银、金等这样的金属相对于基板的紧贴性的实用性技术。
专利文献3涉及触摸传感器与显示装置为一体的液晶显示装置。专利 文献2公开了使用旁通通道等在阵列基板制作触摸屏的技术。
在专利文献3中，不仅需要将与多晶硅晶体管连接的信号线(栅极线 及源极线)、像素电极，还需要将与触摸传感相关的感测区域、驱动-感测接 地区域及旁通通道等配设在同一阵列基板上。因此，在专利文献3中，阵 列构造极其复杂，容易导致寄生电容的增加，并且阵列基板的制造工序中 的负荷较大。在专利文献3中公开了形成有机EL装置等显示装置所使用的 电极的技术。在专利文献3的段落[0008]中记载了纯Ag膜、Ag合金膜 的紧贴性不充分，欠缺实用性。
在专利文献4中公开了使用含铝金属层作为有机EL元件的下部电极。
在专利文献5中公开了在黑色层上具备具有含铜层被含铟层夹持的构 成的触摸传感布线的黑色基板及黑色基板的制造方法。然而，在专利文献5 中，未考虑具备有机EL或LED等的发光层的显示装置，未公开应用了具 备发光层的阵列基板的显示装置中的技术课题。此外，也未公开在该黑色 基板中由2组黑色布线进行触摸传感的构成。
在专利文献6中，作为布线构造公开了黑色层与金属层层叠而成的触 摸面板。然而，未公开具备发光层及由氧化物半导体构成的有源元件的显 示装置。进而，也未公开铜合金、银合金被导电性金属氧化物夹持的构成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5864741号公报
专利文献2:日本专利第5746736号公报
专利文献3:日本特开2014-120487号公报
专利文献4:日本特开2016-76418号公报
专利文献5:日本专利第5807726号公报
专利文献6:日本特开2013-129183号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在具备包含有机EL或LED等的发光层的显示装置中，作为反射电极 (以下有时称作下部电极)的材料较多使用铝、铝合金。此外，同样，作 为构成对发光二极管等的发光层进行驱动的薄膜晶体管的电极及布线的材 料、触摸传感布线的材料，通常使用铝、铝合金。然而，铝、铝合金与银、 银合金及铜、铜合金相比，导电率较差。
此外，作为像素电极(以下有时称作反射电极)的材料，在光反射性 这点上，银、合金更优。
此外，如上所述，银、银合金、以及铜、铜合金相对于基板等的紧贴 性较差。并且，银存在由于迁移、扩散而对位于由银构成的部件的周边的 构成材料在电气特性上产生负面影响的缺点。
本发明鉴于上述的课题而做成，提供将银、银合金及铜、铜合金活用 于用于构成使用有机EL、发光二极管的显示装置的电极、布线中，实现更 良好的触摸传感功能及高画质的显示装置及显示装置基板。
用于解决课题的手段
本发明的第1方式的显示装置包含阵列基板、显示装置基板及控制部， 所述阵列基板具备：电极，具有银或银合金层被导电性金属氧化物层夹持 的构成；发光层，通过从所述电极施加的驱动电压而发光；和有源元件， 具有与栅极绝缘层接触且由氧化物半导体构成的沟道层，并且驱动所述发 光层，所述显示装置基板具备：透明基板，具有与所述阵列基板对置的第1 面及与所述第1面相反的一侧的第2面；多个第1触摸传感布线，具有在 从所述第2面朝向所述第1面的观察方向上第1黑色层与第1导电层依次 层叠的构成，而且，在所述第2面上以沿着第1方向排列的方式相互平行 地延伸；多个第2触摸传感布线，具有在所述观察方向上第2黑色层与第2 导电层依次层叠的构成，而且位于所述多个第1触摸传感布线与所述阵列 基板之间，并且，以沿着俯视时与所述第1方向正交的第2方向排列的方 式相互平行地延伸；和多个像素，俯视时由所述多个第1触摸传感布线和 所述多个第2触摸传感布线划分而成，所述控制部感测第1触摸传感布线 与第2触摸传感布线之间的静电电容的变化来进行触摸传感。
在本发明的第1方式的显示装置中也可以是，所述第1触摸传感布线 及所述第2触摸传感布线形成于所述第2面之上，在所述第1触摸传感布 线与所述第2触摸传感布线之间设置有绝缘层，所述第1触摸传感布线与 所述第2触摸传感布线相互电气绝缘。
在本发明的第1方式的显示装置中也可以是，所述第1触摸传感布线 形成于所述第2面之上，所述第2触摸传感布线形成于所述第1面之上。
在本发明的第1方式的显示装置中也可以是，在所述第1面之上，在 所述观察方向上，依次形成有所述第1触摸传感布线及所述第2触摸传感 布线，在所述第1触摸传感布线与所述第2触摸传感布线之间设置有绝缘 层，所述第1触摸传感布线与所述第2触摸传感布线相互电气绝缘。
在本发明的第1方式的显示装置中也可以是，所述氧化物半导体包含： 含有从由镓、铟、锌、锡、铝、锗及铈构成的群中选择的1种以上的金属 氧化物；以及至少含有锑及铋中的任一方的金属氧化物。
在本发明的第1方式的显示装置中也可以是，所述栅极绝缘层由包含 氧化铈的复合氧化物形成。
在本发明的第1方式的显示装置中也可以是，与所述有源元件电气联 动的多个布线中的至少栅极布线具有从由银层、银合金层、铜层及铜合金 层构成的群中选择的层被导电性金属氧化物层夹持的3层构造。
在本发明的第1方式的显示装置中也可以是，所述发光层包含发光二 极管层。
在本发明的第1方式的显示装置中也可以是，所述发光层包含有机电 致发光材料层。
本发明的第2方式的显示装置基板用于本发明的第1方式的显示装置， 其中，所述第1导电层及所述第2导电层具有从由银层、银合金层、铜层 及铜合金层构成的群中选择的层被导电性金属氧化物层夹持的3层构造。
在本发明的第2方式的显示装置基板中也可以是，所述导电性金属氧 化物层由下述复合氧化物形成，该复合氧化物包含从由氧化铟、氧化锌、 氧化锑、氧化锡、氧化镓及氧化铋构成的群中选择的2种以上金属氧化物。
在本发明的第2方式的显示装置基板中也可以是，所述导电性金属氧 化物层由包含氧化铟、氧化锌及氧化锡的复合氧化物形成，在所述复合氧 化物中包含的铟(In)、锌(Zn)、锡(Sn)为，由In/(In+Zn+Sn)示出 的原子比大于0.8，Zn/Sn的原子比大于1。
在本发明的第2方式的显示装置基板中也可以是，所述多个像素具备 滤色片。
发明效果
根据本发明的方式的显示装置及显示装置基板，能够将具有高导电率 的银、银合金、以及铜、铜合金活用于用于构成使用有机EL、发光二极管 的显示装置的电极、布线中，能够实现更良好的触摸传感功能及高画质。
附图说明
图1为表示构成本发明的第1实施方式的显示装置的控制部(影像信 号控制部、系统控制部及触摸传感控制部)及显示部的框图。
图2为局部示出本发明的第1实施方式的显示装置的图，是沿着图3 的A-A’线的剖视图。
图3为表示本发明的第1实施方式的显示装置具备的对置基板的图， 是从观察者侧观察显示装置的俯视图。
图4为表示构成在本发明的第1实施方式的对置基板中设置的第1触 摸传感布线的第1导电层的图案的俯视图。
图5为表示构成在本发明的第1实施方式的对置基板中设置的第2触 摸传感布线的第2导电层的图案的俯视图。
图6为表示在本发明的第1实施方式的对置基板中设置的第1触摸传 感布线、绝缘层及第2触摸传感布线的图，是表示图2中的附图标记W1 示出的部分的放大剖视图。
图7为局部示出本发明的第1实施方式的显示装置的放大图，是沿着 图3的B-B’线的剖视图。
图8为局部示出构成本发明的第1实施方式的显示装置的下部电极(像 素电极)的图，是表示图7中的附图标记W2示出的部分的放大剖视图。
图9为局部示出构成本发明的第1实施方式的显示装置的栅电极的放 大图。
图10为局部示出本发明的第2实施方式的显示装置的剖视图。
图11为局部示出本发明的第3实施方式的显示装置的剖视图。
图12为表示构成本发明的第3实施方式的显示装置的第2触摸传感布 线的图，是表示图11中的附图标记W3示出的部分的放大剖视图。
图13为局部示出本发明的第4实施方式的显示装置的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
在以下的说明中，对于相同或实际上相同的功能及构成要素赋予相同 的附图标记，省略或简化其说明，或者仅在必要的情况下进行说明。在各 图中，将各构成要素设为在图中能够识别的程度的大小，因此使各构成要 素的尺寸及比率适当地不同于实际情况。此外，根据需要，省略了难以图 示的要素，例如省略了形成半导体的沟道层的多个层的构成、以及形成导 电层的多个层的构成等的图示或一部分图示。
在以下所述的各实施方式中，对特征性的部分进行说明，例如，对于 在通常的显示装置中使用的构成要素与本实施方式的显示装置无差异的部 分，省略说明。
在以下的记载中，有时将与触摸传感相关的布线、电极及信号仅称作 触摸驱动布线、触摸检测布线、触摸布线、触摸电极及触摸信号。此外， 有时将第1触摸传感布线及第2触摸传感布线仅称作触摸传感布线。将为 了进行触摸传感驱动而对触摸传感布线施加的电压称作触摸驱动电压。
有时将第1黑色层及第2黑色层仅称作黑色层，此外，有时将第1导 电层及第2导电层仅称作导电层。
将为了驱动发光层(有机EL或LED)而对上部电极与下部电极(以 下有时将下部电极称作像素电极或反射电极)间施加的电压称作像素驱动 电压。有时将发光层的驱动仅称作像素驱动。
(第1实施方式)
(显示装置DSP1的功能构成)
以下，参照图1至图9对本发明的第1实施方式的显示装置DSP1进行 说明。
图1为表示构成本发明的第1实施方式的显示装置DSP1的控制部及显 示部的框图。
控制部120具有周知的构成，具备影像信号控制部121(第一控制部)、 触摸传感控制部122(第二控制部)及系统控制部123(第三控制部)。
影像信号控制部121控制显示部110中的图像显示。具体而言，影像 信号控制部121通过控制对设置于阵列基板200的上部电极与下部电极之 间供给的电压(像素驱动电压)，来控制被上部电极及下部电极夹持的发光 层92的发光(像素驱动)。这样的像素驱动在呈阵列状设置在阵列基板200 上的多个发光层92的每个中进行，在显示部110显示图像。
触摸传感控制部122例如对第2触摸传感布线2施加触摸传感驱动电 压，检测在后述的第1触摸传感布线1与第2触摸传感布线2之间产生的 静电电容的变化，进行触摸传感。
系统控制部123控制影像信号控制部121及触摸传感控制部122，交替 地进行像素驱动和由触摸驱动引起的静电电容的变化的检测。即，系统控 制部123利用时分驱动能够进行显示部110中的图像显示(像素驱动)、以 及触摸传感驱动。系统控制部123既可以具有使像素驱动及触摸传感驱动 的频率相互不同地进行上述驱动的功能，也可以使像素驱动及触摸传感驱 动的驱动电压相互不同地进行上述驱动的功能。在具有这样的功能的系统控制部123中，例如，感测显示装置DSP1所拾取的来自外部环境的噪声的 频率，选择与噪声频率不同的触摸传感驱动频率。由此，能够减轻噪声的 影响。此外，在这样的系统控制部123中，也能够选定与手指、笔等指示 器的扫描速度相符的触摸传感驱动频率。
上述的具备控制部120的显示装置DSP1是兼备触摸传感功能与图像显 示功能的触摸传感功能一体型的显示装置。显示装置DSP1利用了使用隔着 绝缘层配置的2个布线组、即多个第1触摸传感布线1与多个第2触摸传 感布线2的静电电容方式的触摸传感技术。例如，在手指等指示器接触或 接近对置基板(后述)时，感测在第1触摸传感布线1与第2触摸传感布 线2的交点产生的静电电容的变化，从而感测手指等指示器的位置。
(显示装置DSP1的构造)
图2为局部示出本发明的第1实施方式的显示装置DSP1的图，是沿着 图3的A-A’线的剖视图。
本实施方式的显示装置DSP1具备后述的实施方式的显示装置基板。此 外，以下记载的“俯视”意指从观察者对显示装置DSP1的显示面(显示装 置基板的平面)进行观察的方向观看到的平面。本发明的实施方式的显示 装置的显示部的形状、或者规定像素的像素开口部的形状、构成显示装置 的像素数不被限定。
在以下详述实施方式中，将沿着显示部的短边的方向规定为X方向(第 1方向)，将沿着显示部的长边的方向规定为Y方向(第2方向)，并且， 将透明基板的厚度方向规定为Z方向，以此对显示装置进行说明。
另外，在以下的实施方式中，也可以切换如上述那样规定的X方向与 Y方向，即也可以将X方向定义为第2方向且将Y方向定义为第1方向来 构成显示装置。
如图2所示，显示装置DSP1具备对置基板100(显示装置基板)、以 及以面对的方式贴合于对置基板100的阵列基板200。另外，在图2所示的 显示装置DSP1中，省略了具备各种光学功能的光学膜、保护对置基板100 的玻璃罩等。
(对置基板100的构造)
如图2所示，对置基板100具备透明基板40，该透明基板40具有第1 面F、与第1面F相反的一侧的第2面S。第1面F是与阵列基板200对置 的面。第2面S是与观察者对置的面。
透明基板40可使用的基板只要是在可视域中透明的基板即可，能够使 用玻璃基板、陶瓷基板、石英基板、蓝宝石基板、塑料基板等。
在透明基板40的第2面S的上方设置有多个第1触摸传感布线1、以 及多个第2触摸传感布线2。在多个第1触摸传感布线1与多个第2触摸传 感布线2之间，设置有绝缘层I(触摸布线绝缘层)，第1触摸传感布线1 与第2触摸传感布线2通过绝缘层I相互电气绝缘。
图3为表示本发明的第1实施方式的显示装置DSP1具备的对置基板 100的图，是从观察者侧P观察显示装置DSP1的俯视图。
图4为表示构成在本发明的第1实施方式的对置基板100中设置的第1 触摸传感布线1的第1导电层的图案的俯视图。
图5为表示构成在本发明的第1实施方式的对置基板100中设置的第2 触摸传感布线2的第2导电层的图案的俯视图。
(触摸传感布线)
多个第1触摸传感布线1位于第2面S的上方，在X方向上排列，并 相互平行地在Y方向上延伸。在Y方向上的第1触摸传感布线1的端部设 置有第1端子TM1。多个第1触摸传感布线1形成第1布线图案。
多个第2触摸传感布线2(第2布线图案)位于多个第1触摸传感布线 1与阵列基板200之间，在本实施方式中位于第2面S的上方。第2触摸传 感布线2具有感测布线2A、以及引出布线2B。感测布线2A在Y方向上排 列，并相互平行地在X方向上延伸。感测布线2A在显示部110的外侧， 与引出布线2B连接。引出布线2B在X方向上排列，并相互平行地在Y方 向上延伸。在Y方向中的引出布线2B的端部设置有第2端子TM2。多个 第2触摸传感布线2形成第2布线图案。
多个第1触摸传感布线1分别与多个第2触摸传感布线2电气独立。 第1触摸传感布线1与感测布线2A在从观察者侧P观察的俯视中正交。由 多个第1触摸传感布线1和多个感测布线2A划分的区域为像素PX。多个 像素PX在显示部110中以矩阵状配置。像素PX中的开口部的形状可以是 正方形图案、长方形图案、平行四边形图案等。并且，像素PX中的开口部的排列也可以是实施了干涉条纹对策的排列、锯齿状的排列。
多个第1端子TM1及多个第2端子TM2与触摸传感控制部122连接。 由此，触摸传感控制部122经由第1端子TM1及第2端子TM2而与第1 触摸传感布线1及第2触摸传感布线2电气连接。
例如，能够将第1触摸传感布线1用作触摸检测电极，将第2触摸传 感布线2用作触摸驱动电极。触摸传感控制部122检测在第1触摸传感布 线1与第2触摸传感布线2之间产生的静电电容C1的变化作为触摸信号。
此外，也可以互换第1触摸传感布线1的作用与第2触摸传感布线2 的作用。具体而言，也可以将第1触摸传感布线1用作触摸驱动电极，将 第2触摸传感布线2用作触摸检测电极。
另外，也可以不将第1触摸传感布线1与第2触摸传感布线2的全部 都用于触摸传感。也可以是，多个第1触摸传感布线1及多个第2触摸传 感布线2之中，留下用于触摸传感的布线，将不用于触摸传感的布线剔除。 即，也可以进行剔除驱动。
接下来，说明对第1触摸传感布线1进行剔除驱动的情况。首先，将 全部的第1触摸传感布线1区分为多个组。组的数量少于全部的第1触摸 传感布线1的数量。构成一个组的布线数例如设为6条。这里，选择全部 的布线(布线数为6条)中的例如2条布线(比全部的布线的条数少的条 数，2条＜6条)。在一个组中，使用所选择的2条布线进行触摸传感，剩 余的4条布线中的电位设定为浮置电位。显示装置DSP1具有多个组，因而 能够在如上述那样定义了布线的功能的每个组中进行触摸传感。同样，在 第2触摸传感布线2中也可以进行剔除驱动。
用于触摸的指示器在手指的情况下与笔的情况下，接触或者接近的指 示器的面积、容量是不同的。能够根据这样的指示器的大小来调整剔除布 线的条数。在笔、针尖等前端较细的指示器的情况下，能够减少布线的剔 除条数而使用高密度的触摸传感布线的矩阵。在指纹认证时也能够使用高 密度的触摸传感布线的矩阵。
通过这样按每组进行触摸传感驱动，使得扫描或检测所使用的布线数 减少，因此能够提高触摸传感速度。并且，在上述的例子中，构成一个组 的布线数为6条，例如也可以是由10以上的布线数形成一个组，使用在一 个组中选择的2条布线来进行触摸传感。即，增加被剔除的布线的数量(成 为浮置电位的布线的数量)，由此降低触摸传感所使用的选择布线的密度 (选择布线相对于总布线数的密度)，利用选择布线进行扫描或检测，从而 有助于消耗电力的减少、触摸检测精度的提高。相反，减少被剔除的布线 的数量，提高触摸传感所使用的选择布线的密度，利用选择布线进行扫描 或检测，从而例如活用于指纹认证、由触摸笔进行的输入。
被剔除的布线(不用于触摸传感的布线)成为例如电气悬浮的状态， 即，电位成为浮置状态。为了获得显示装置DSP1的表面(面对观察者的面) 与手指等指示器的接近距离，也能够将第1触摸传感布线1或者第2触摸 传感布线2的电位设为浮置状态。也可以是，在检测到手指等指示器的位 置后，为了提高下一检测信号的精度，而使第1触摸传感布线1及第2触 摸传感布线2中的任一方接地，复位(将电位设为0V)。此外，为了提高 检测信号的精度，也可以采用使触摸驱动电压的相位交替反转那样的电压。 这样的提高触摸检测信号的精度的方法，在指示器为有源指示器(例如， 从笔形状的指示器产生检测的指示信号的指示器)的情况下同样有效。
关于上述的剔除驱动中的浮置图案，也可以在第1触摸传感布线1及 第2触摸传感布线2中，利用开关元件的驱动来切换检测电极与驱动电极， 进行高精细的触摸传感。
此外，上述的剔除驱动中的浮置图案，也能够切换为与地线(接地于 壳体)电气连接。为了改善触摸传感的S/N比，也可以在检测到触摸传感 的信号时将TFT(薄膜晶体管)等有源元件的信号布线暂时接地于地线(壳 体等)。
此外，有时使用在触摸传感控制中检测到的静电电容复位所需时间较 长的触摸布线、即触摸传感中的时间常数(电容与电阻值之积)较大的触 摸布线。在该情况下，例如也可以是，在触摸布线的排列中，将奇数行的 布线与偶数行的布线交替地利用于触摸传感，来进行调整了时间常数的大 小的驱动。
此外，也可以是，将多条触摸布线分组进行驱动、检测。在多条触摸 布线的分组的驱动中，也可以不采用线序驱动，而是以组为单位采用被称 作自检测方式的一并检测的驱动方法。此外，也可以按照组单位进行并列 驱动。此外，为了消除寄生电容等的噪声，也可以采用取相互接近或者邻 接的触摸布线的检测信号之差的差分检测方式。位于距边框部较近的区域 (显示部110的外侧的区域、不进行图像显示的区域)的触摸传感布线与 位于显示部110的中央的触摸传感布线相比，存在触摸传感的灵敏度较低 的倾向。因此，也可以调整触摸传感布线的宽度、形状来减少灵敏度差。
在触摸传感控制部122及影像信号控制部121中，还能够利用时分驱 动来控制触摸驱动与像素驱动。也可以与要求的触摸输入的速度相符地调 整触摸驱动的频率。触摸驱动频率能够设为高于像素驱动频率的频率。由 于手指等指示器进行的触摸定时不定期且为短时间，因此希望触摸驱动频 率较高。
已知有几种使触摸驱动与像素驱动的各自的频率不同的方法。例如， 在显示画面中，在显示影像的连续的多个白显示(有影像信号的输出时) 之间插入黑显示，在该黑显示的期间进行触摸传感，从而能够进行不受与 影像有关的噪声的影响的触摸传感。在黑显示的期间中，能够任意选择多 种触摸驱动的频率。
(触摸传感布线的层叠构造)
图6为表示在本发明的第1实施方式的对置基板100中设置的第1触 摸传感布线1、绝缘层I、以及第2触摸传感布线2的图，是表示由图2中 的附图标记W1示出的部分的放大剖视图。
在本实施方式中，将观察者P观察显示装置DSP1的方向、即从透明基 板40的第2面S朝向第1面F的方向称作观察方向OB(与图2所示的Z 方向相反的方向)。
多个第1触摸传感布线1具有在观察方向OB上第1黑色层16与第1 导电层15依次层叠的构成。多个第2触摸传感布线2具有在观察方向OB 上第2黑色层26与第2导电层25依次层叠的构成。第2黑色层26具有与 第1黑色层16相同的构成。第2导电层25具有与第1导电层15相同的构 成。即，第1触摸传感布线1及第2触摸传感布线2具有相同的层构造。
绝缘层I设置于第2面S的上方，配置于第1触摸传感布线1与第2 触摸传感布线2之间。
由于第1触摸传感布线1及第2触摸传感布线2分别具备黑色层，因 此呈栅格状正交的第1触摸传感布线1与第2触摸传感布线2作为黑矩阵 发挥功能，提高了显示对比度。
在图6中，第1触摸传感布线1及第2触摸传感布线2分别具有由黑 色层和导电层构成的双层层叠构造，但本发明不限于该构造。第1触摸传 感布线1及第2触摸传感布线2也可以分别由具有多于双层的层数的层叠 构造形成。此外，也可以采用通过2个黑色层夹持导电层的3层层叠构造。
第1导电层15例如能够具有作为金属层20的铜合金层被第1导电性 金属氧化物层21及第2导电性金属氧化物层22夹持的3层构造。
在剖面视中，能够将分别构成第1触摸传感布线1与第2触摸传感布 线2的黑色层及导电层的线宽设为大致相同。具体而言，在使用周知的光 刻的手法形成导电层后，进行将图案化后的导电层用作掩模的干式蚀刻， 从而能够以黑色层与导电层在剖面视下的线宽大致相同的方式形成触摸传 感布线。例如，能够适用日本特开2015-004710号公报中记载的技术。
(导电性金属氧化物层)
能够通过导电性金属氧化物层21、22夹持构成第1导电层15及第2 导电层25的至少一部分的金属层20。换言之，作为第1导电层15、第2 导电层25的构造，能够采用由第1导电性金属氧化物层21、金属层20、 以及第2导电性金属氧化物层22构成的3层构造。也可以向第1导电性金 属氧化物层21与金属层20的界面、或者第2导电性金属氧化物层22与金 属层20的界面进一步插入镍、锌、铟、钛、钼、钨等与铜不同的金属或这 些金属的合金层。
具体而言，作为第1导电性金属氧化物层21及第2导电性金属氧化物 层22的材料，例如能够采用包含从由氧化铟、氧化锌、氧化锑、氧化锡、 氧化镓及氧化铋构成的群中选择的2种以上金属氧化物的复合氧化物。通 过调整这些金属氧化物的组成，能够调整功函数的值，能够采用有机EL作 为发光层的情况下的载流子排放性。
第1导电性金属氧化物层21及第2导电性金属氧化物层22中包含的 铟(In)的量需要含有多于80at％。
即，导电性金属氧化物层由包含氧化铟、氧化锌及氧化锡的复合氧化 物形成，复合氧化物中包含的铟(In)、锌(Zn)、锡(Sn)的由In/(In+ Zn+Sn)示出的原子比大于0.8，并且Zn/Sn的原子比大于1。
铟(In)的量优选多于80at％。铟(In)的量更优选多于90at％。在铟 (In)的量少于80at％的情况下，形成的导电性金属氧化物层的电阻率变大， 不优选。若锌(Zn)的量超过20at％，则导电性金属氧化物(混合氧化物) 的耐碱性降低，故不优选。在上述的第1导电性金属氧化物层21及第2导 电性金属氧化物层22中，均为混合氧化物中的金属元素的原子数百分比(不 对氧元素进行计数的仅金属元素的计数)。氧化锑、氧化铋由于金属锑、金 属铋难以形成与铜的固溶区，抑制层叠构造中的铜的扩散，因此能够添加 于上述导电性金属氧化物层。
在第1导电性金属氧化物层21及第2导电性金属氧化物层22包含氧 化锡和氧化锌的情况下，锌(Zn)的量需要多于锡(Sn)的量。若锡的含 量超过锌含量，则在后工序的湿式蚀刻中出现障碍。换言之，铜或铜合金 的金属层变得比导电性金属氧化物层更易被蚀刻，第1导电性金属氧化物 层21与金属层2、第2导电性金属氧化物层22与金属层20在宽度上容易 产生差异。
在第1导电性金属氧化物层21及第2导电性金属氧化物层22包含氧 化锡和氧化锌的情况下，优选第1导电性金属氧化物层21及第2导电性金 属氧化物层22中包含的锡(Sn)的量为0.5at％以上且6at％以下的范围内。 在针对铟元素的比较中，通过将0.5at％以上且6at％以下的锡添加于导电性 金属氧化物层，能够减小上述铟、锌及锡的三元系混合氧化物膜(导电性 的复合氧化物层)的电阻率。若锡的量超过6at％，则也伴随着锌向导电性金属氧化物层的添加，因此三元系混合氧化物膜(导电性的复合氧化物层) 的电阻率变得过大。通过在上述的范围(0.5at％以上且6at％以下)内调整 锌及锡的量，从而能够使电阻率大致作为混合氧化物膜的单层膜的电阻率 而限制在3×10－4Ωcm以上且5×10－4Ωcm以下的小范围内。在上述混合 氧化物中还能够少量添加钛、锆、镁、铝、锗等其他元素。但是，在本实 施方式中，混合氧化物的电阻率不限于上述的范围。
(导电层)
第1导电层15及第2导电层25能够由金属层20等导电材料形成。作 为金属层20能够采用例如铜层或铜合金层、银层或银合金层、或者含有铝 的铝合金层(含铝层)，还能够采用金、钛、钼或其合金。镍为强磁性体， 因此虽然成膜速率降低但能够通过溅射等真空成膜来形成。铬虽然具有环 境污染的问题、电阻值大的缺点，但能够用作本实施方式的金属层的材料。 为了获得导电层相对于透明基板40、透明树脂层的紧贴性，优选采用向铜、 银或铝中添加了从由镁、钙、钛、钼、铟、锡、锌、钕、镍、铝、锑构成 的群选择的1个以上金属元素而得的合金。
作为分别构成第1触摸传感布线1及第2触摸传感布线2的第1导电 层15及第2导电层25所使用的金属层，能够适用向银中添加了1.5at％的 钙的银合金。在第1导电层15及第2导电层25中的任一个中，均能够使 用由包含氧化铟、氧化锌、氧化锡的复合氧化物层夹持上述银合金层的3 层构造。
在由导电性金属氧化物层夹持而成的3层的层叠构造中，例如向铜、 银中添加的镁、钙在热处理时选择性地被氧化，容易在导电性金属氧化物 与金属层的界面析出。或者，由于氧化而容易在铜合金、银合金的表面或 截面析出氧化镁、氧化钙。这样选择性的氧化、析出能够抑制铜、银的迁 移，结果能够提高上述3层层叠构造的可靠性。向金属层20中添加金属元 素的量只要是4at％以下，则不会大幅提高铜合金、银合金的电阻值，故优 选。作为铜合金、银合金的成膜方法，例如能够使用溅射等真空成膜法。
作为金属层20采用铜合金薄膜、银合金薄膜或铝合金的薄膜时，若将 膜厚设为100nm以上或150nm以上，则可见光几乎不会透射。因此，本实 施方式的金属层20只要具有例如100nm～300nm的膜厚，就能够获得充分 的遮光性。金属层20的膜厚也可以超过300nm。另外，如后述那样，上述 导电层的材料也能够适用于在后述的阵列基板设置的布线、电极。此外， 在本实施方式中，作为与有源元件电气联动的布线的构造，例如作为栅电 极、栅极布线的构造，能够采用由导电性金属氧化物层夹持金属层的层叠 构造。
在金属层20为铜层、铜合金层或银层、银合金的情况下，优选上述的 导电性金属氧化物层为包含从氧化铟、氧化锌、氧化锑、氧化镓、氧化铋 及氧化锡中选择的2种以上金属氧化物的复合氧化物。铜层、铜合金层或 银层、银合金相对于构成滤色片的透明树脂层、玻璃基板(透明基板)的 紧贴性较低。因此，在直接将铜层、铜合金层或银层、银合金铜层适用于 显示装置基板的情况下，难以实现实用的显示装置基板。然而，上述的复 合氧化物相对于滤色片(多色的着色图案)、黑矩阵BM(黑色层)及玻璃 基板(透明基板)等具有充分的紧贴性，并且相对于铜层、铜合金层的紧 贴性也充分。因此，在使用复合氧化物而将铜合金层或银合金层适用于显 示装置基板的情况下，能够实现实用的显示装置基板。
此外，作为构成薄膜晶体管的栅电极及栅极布线所使用的金属层20， 能够使用向银中添加了1.5at％的钙的银合金。能够使用由包含氧化铟、氧 化锌、氧化锡的复合氧化物层夹持上述银合金层的3层构造。
铜、铜合金、银、银合金或其氧化物、氮化物通常相对于玻璃等透明 基板、黑矩阵等不具有充分的紧贴性。因此，在不设置导电性金属氧化物 层的情况下，有可能在触摸传感布线与玻璃等透明基板的界面、或触摸传 感布线与黑色层的界面产生剥离。在作为具有细布线图案的第1触摸传感 布线1及第2触摸传感布线2而使用铜或铜合金的情况下未作为金属层(铜 或铜合金)的基底层形成导电性金属氧化物层的显示装置基板(对置基板) 中，除了剥离引起的不良以外，有时在显示装置基板的制造工序的中途在 触摸传感布线中产生静电破坏引起的不良，不实用。这样的第1触摸传感 布线1及第2触摸传感布线2中的静电破坏是由于在透明基板上层叠滤色 片、黑矩阵等这样的后工序、将显示装置基板与阵列基板贴合的工序、或 者清洗工序等而在布线图案中积蓄了静电，因静电破坏而产生图案缺失、 断线等的现象。
铜、铜合金或者银、银合金的导电率高，优选作为布线材料。然而， 在铜合金的表面历时形成不具有导电性的铜氧化物，有时难以进行电气接 触。银、银合金容易形成硫化物、氧化物。另一方面，通过由氧化铟、氧 化锌、氧化锑、氧化锡等的复合氧化物层覆盖铜合金层、银合金层，能够 实现稳定的欧姆接触，在使用这样的复合氧化物层的情况下，能够容易进 行后述的第3实施方式中的传送器等的电气安装。
作为能够适用于本发明的实施方式的由第1导电性金属氧化物层21、 金属层20及第2导电性金属氧化物层22构成的层构造，能够举出以下那 样的变形例。例如可举出：在作为中心基材含有氧化铟的ITO(Indium Tin Oxide)、IZTO(Indium Zinc Tin Oxide，Z为氧化锌)中氧不足的状态下， 例如，通过在铜合金层等金属层上成膜出导电性金属氧化物层而得到的层 构造、或者通过将氧化钼、氧化钨、氧化镍与氧化铜的混合氧化物、氧化 钛等的金属氧化物层叠在铝合金、铜合金等金属层上而得到的层构造等。 由导电性金属氧化物层夹持金属层的3层构造具有能够利用溅射装置等真 空成膜装置连续地成膜出的优点。
例如，出于将银合金层与导电性金属氧化物层一并蚀刻的观点，能够 在夹持银合金的导电性金属氧化物层中使用包含氧化锌、氧化镓的复合氧 化物。这样的银合金层与导电性金属氧化物层的层叠构造能够利用周知的 光刻的手法，使用1种液体的蚀刻剂、通过1次蚀刻进行图案形成。例如， 作为后述的有机EL的光反射性的像素电极，能够将氧化铟与氧化镓与氧化 锑的复合氧化物用作导电性金属氧化物层。氧化铟与氧化镓与氧化锑的复合氧化物的功函数高。作为有机EL显示装置的阳极，氧化铟与氧化镓与氧 化锑的复合氧化物与银合金层的层叠构造适用于像素电极。
第1导电性金属氧化物层21及第2导电性金属氧化物层22相对于铜、 银具有阻隔性。在由导电性金属氧化物夹持铜布线、银布线的构造中，能 够抑制铜、银的迁移等引起的有源元件的恶化，优选用作有源元件适用的 高导电性布线。
(黑色层)
第1黑色层16及第2黑色层26作为显示装置DSP1的黑矩阵发挥功能。 黑色层例如由分散有黑色的色材的着色树脂构成。铜的氧化物、铜合金的 氧化物难以获得充分的黑色及低反射率。例如，在由金属氧化物形成黑色 层的情况下，黑色层具有大约为10％至30％的可视域的光反射率，并且难 以在可视域中得到平缓的反射率，黑色层看起来像是被着色。本实施方式 的黑色层与玻璃等基板或透明树脂层之间的界面处的可见光的反射率被抑 制为大致3％以下，能够获得高视觉辨认性。所述透明树脂包括用于向显示 装置贴附保护玻璃的粘合层。
作为黑色的色材，能够应用碳、碳纳米管、碳纳米角状物、碳纳米刷、 或多个有机颜料的混合物。例如，相对于黑色的色材整体的量按照51质量％ 以上的比例来使用碳，即将碳作为主要的色材。为了调整反射色，能够向 黑色的色材中添加蓝或红等的有机颜料来使用。例如，通过调整作为起始 材料的感光性黑色涂覆液中含有的碳的浓度(降低碳浓度)，能够提高光刻 工序中的黑色层的再现性。
即使在使用作为显示装置DSP1的制造装置的、大型曝光装置的情况 下，也能够形成具有例如具有1～9μm的宽度(细线)的图案的黑色层(图 案化)。另外，本实施方式中的碳浓度的范围相对于包含树脂、固化剂、颜 料在内的整体的固含量被设定在4以上且50以下的质量％的范围内。这里， 作为碳量，碳浓度虽然也可以超过50质量％，但若碳浓度相对于整体的固 含量超过50质量％则有涂膜适应性降低的趋势。此外，在将碳浓度设定为 小于4质量％的情况下，有时无法获得充分的黑色，在位于黑色层下的基 底的金属层产生的反射光被较大地视觉辨认，使视觉辨认性降低。
在后工序的光刻中进行曝光处理的情况下，进行曝光对象的基板与掩 模的对位(对准)。此时，优先对准，例如能够将通过透射测定得到的黑色 层的光学浓度设为2以下。除了碳以外，还可以使用多个有机颜料的混合 物作为黑色的颜色调整来形成黑色层。考虑到玻璃、透明树脂等基材的折 射率(约1.5)，以黑色层与这些基材之间的界面处的反射率为3％以下的方 式设定黑色层的反射率。在该情况下，优选调整黑色色材的含量、种类、 色材中使用的树脂、膜厚。通过将这些条件最佳化，能够使折射率大约为 1.5的玻璃等基材与黑色层之间的界面处的反射率在可见光的波长区域内为 3％以下，能够实现低反射率。能够防止因从发光层射出的光引起的反射光 入射到例如有源元件而导致误动作。在阵列基板具备的有源元件在可见光 区中具有灵敏度的情况下，有时来自导电层的背面的反射光入射到有源元 件而导致有源元件的误动作。通过将黑色层也配设于距显示功能层较近的相反侧(导电层的背面)，从而能够防止因反射光的入射导致有源元件的误 动作。
此外，顾及到观察者的视觉辨认性的提高，黑色层的反射率优选设为 3％以下。另外，通常在滤色片中使用的丙烯酸树脂及液晶材料的折射率为 大约1.5以上且1.7以下的范围。另外，也可以在对置基板上配设具备红色、 绿色、蓝色各自的多个着色像素的滤色片。
(阵列基板200的构造)
接下来，对构成显示装置DSP1的阵列基板200的构造进行说明。
作为阵列基板200的基板45，无需使用透明基板，例如作为能够适用 于阵列基板200的基板，可举出玻璃基板、陶瓷基板、石英基板、蓝宝石 基板、硅、碳化硅或硅锗等半导体基板、或者塑料基板等。
在阵列基板200中，在基板45上依次层叠：第4绝缘层14、在第4绝 缘层14上形成的有源元件68、以覆盖第4绝缘层14及有源元件68的方式 形成的第3绝缘层13、以与有源元件68的沟道层58对置的方式在第3绝 缘层13上形成的栅电极95、以覆盖第3绝缘层13及栅电极95的方式形成 的第2绝缘层12、以及在第2绝缘层12上形成的平坦化层96。
在平坦化层96，在与有源元件68的漏电极56对应的位置形成有接触 孔93。此外，在平坦化层96上，在与沟道层58对应的位置形成有隆起部 94。在剖面视下相互相邻的隆起部94之间的区域，即在俯视时被隆起部94 包围的区域，以覆盖平坦化层96的上表面、接触孔93的内部及漏电极56 的方式形成有下部电极88(像素电极)。另外，下部电极88在隆起部94的 上表面也可以不形成。
并且，以覆盖下部电极88、隆起部94及平坦化层96的方式形成有空 穴注入层91。在空穴注入层91上，依次层叠有发光层92、上部电极87及 封固层109。
如后述那样，下部电极88具有由导电性金属氧化物层夹持银或银合金 层的构成。
另外，在图2中，附图标记29表示由下部电极88、空穴注入层91、 发光层92及上部电极87构成的发光区域。
上部电极87例如是膜厚11nm的银合金层被膜厚40nm的复合氧化物 夹持的透明导电膜。下部电极88具有膜厚250nm的银合金层被膜厚30nm 的复合氧化物夹持的构成。另外，优选使用如下的3层层叠构造，该3层 层叠构造中，将上述复合氧化物层适用于导电性金属氧化物层，将银合金 层的膜厚例如设定为9nm至15nm的范围，由导电性金属氧化物层夹持银 合金层。在该情况下，能够实现高透射率的透明导电膜。
此外，也可以采用如下的3层层叠构造，该3层层叠构造中，将上述 复合氧化物层适用于导电性金属氧化物层，将银合金层的膜厚例如设定为 100nm至250nm的范围内或者300nm以上的膜厚，由导电性金属氧化物层 夹持银合金层。在该情况下，能够实现相对于可见光具有高反射率的反射 电极。
作为隆起部94的材料，能够使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛清 漆酚醛树脂等有机树脂。也可以在隆起部94中进一步层叠氧化硅、氮氧化 硅等无机材料。
作为平坦化层96的材料，也可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、苯 并环丁烯树脂、聚酰胺树脂等。还能够使用低介电常数材料(low-k材料)。
另外，为了提高视觉辨认性，也可以使平坦化层96、封固层109、或 者基板45中的任一个具有光散射的功能。或者，也可以在基板45的上方 形成光散射层。
(有源元件68)
图7为局部示出本发明的第1实施方式的显示装置DSP1的放大图，是 沿着图3的B-B’线的剖视图。此外，图7示出用作与像素电极连接的有 源元件68的具有顶栅构造的薄膜晶体管(TFT)的构造的一例。另外，在 图7中，省略了对置基板100及封固层109。
有源元件68具备沟道层58、与沟道层58的一端(第一端，图7中的 沟道层58的左端)连接的漏电极56、与沟道层58的另一端(第二端，图 7中的沟道层58的右端)连接的源电极54、以及隔着第3绝缘层13而与 沟道层58对置配置的栅电极95。如后述那样，沟道层58与栅极绝缘层接 触，由氧化物半导体构成。有源元件68对发光层进行驱动。
图7示出了构成有源元件68的沟道层58、漏电极56、以及源电极54 被形成在第4绝缘层14上的构造，本发明不限于这样的构造。也可以不设 置第4绝缘层14而是在基板45上直接形成有源元件68。此外，也可以适 用底栅构造的薄膜晶体管。
图7所示的源电极54及漏电极56在同一工序中同时形成。此外，源 电极54及漏电极56具备相同构成的导电层。在第1实施方式中，作为源 电极54及漏电极56的构造，能够采用钛/铝合金/钛、钼/铝合金/钼等的3 层构造。这里，铝合金是铝-钕的合金。
位于栅电极95下部的第3绝缘层13也可以是具有与栅电极95相同的 宽度的绝缘层。在该情况下，例如，进行将栅电极95用作掩模的干式蚀刻， 除去栅电极95周围的第3绝缘层13。由此，能够形成具有与栅电极95相 同的宽度的绝缘层。将栅电极95用作掩模对绝缘层进行干式蚀刻加工的技 术通常被称为自动调准(Self-alignment)。
关于薄膜晶体管对有机EL或LED的驱动，通过具备由氧化物半导体 形成的沟道层的薄膜晶体管进行驱动比通过具备由多晶硅半导体形成的沟 道层的薄膜晶体管进行驱动更优选。
例如，被称作IGZO的氧化物半导体在溅射等的真空成膜中一并形成。 在氧化物半导体被成膜后，TFT等的图案形成后的热处理也一并进行。因 此，与沟道层相关的电气特性(例如，Vth)的不均极其小。有机EL或LED 的驱动为了抑制其亮度的不均，需要将所述薄膜晶体管的Vth的不均抑制 为较小的范围。
另一方面，在具备由多晶硅半导体形成的沟道层的薄膜晶体管中，需 要对薄膜晶体管的前体即非晶硅按各个晶体管实施激光退火，各个激光退 火导致薄膜晶体管的Vth的不均。出于该观点，具备有机EL或LED的显 示装置所使用的薄膜晶体管优选为具备由氧化物半导体形成的沟道层的薄 膜晶体管。
此外，具备由氧化物半导体形成的沟道层的薄膜晶体管由于泄漏电流 极其少，因此扫描信号、影像信号的输入后的稳定性较高。具备由多晶硅 半导体形成的沟道层的薄膜晶体管与氧化物半导体的晶体管相比，泄漏电 流大2位以上。该泄漏电流较少的结果能获得高精度的触摸传感，故优选。
作为沟道层58的材料，例如能够使用被称作IGZO的氧化物半导体。 作为构成沟道层58的氧化物半导体的材料，能够使用包含下述两种金属氧 化物的材料，即含有从由镓、铟、锌、锡、铝、锗及铈构成的群中选择的1 种以上的金属氧化物、以及至少含有锑及铋中的任一个的金属氧化物。
在本实施方式中，使用包含氧化铟、氧化镓及氧化锌的氧化物半导体。 由氧化物半导体形成的沟道层58的材料可以是单晶、多晶、微晶、微晶与 非晶的混合体、或非晶中的任一个。作为氧化物半导体的膜厚，能够设为 2nm～50nm的范围内的膜厚。沟道层58也可以由多晶硅半导体形成。
并且，也可以采用层叠有2个薄膜晶体管的构造。在该情况下，作为 位于下层的薄膜晶体管，使用具备由多晶硅半导体形成的沟道层的薄膜晶 体管。作为位于上层的薄膜晶体管，使用具备由氧化物半导体形成的沟道 层的薄膜晶体管。在层叠有这样的2个薄膜晶体管的构造中，在俯视时薄 膜晶体管呈矩阵状配置。在该构造中，利用多晶硅半导体能够获得高迁移 率，利用氧化物半导体能够实现低泄漏电流。即，能够使多晶硅半导体的 优点与氧化物半导体的优点共同发挥作用。
将氧化物半导体或多晶硅半导体，例如能够用于具有p/n结的互补型晶 体管的构成，或者用于仅具有n型结的单沟道型晶体管的构成。作为氧化 物半导体的层叠构造，例如也可以采用n型氧化物半导体与电气特性不同 于该n型氧化物半导体的n型氧化物半导体层叠而成的层叠构造。层叠的n 型氧化物半导体也可以由多个层构成。在层叠的n型氧化物半导体中，能 够使基底的n型半导体的带隙与位于上层的n型半导体的带隙不同。
沟道层的上表面也可以采用例如由不同的氧化物半导体覆盖的构成。
或者，也可以采用例如在结晶性的n型氧化物半导体上层叠了微晶(近 似非晶质)的氧化物半导体的层叠构造。这里，微晶是指例如在180℃以上 且450℃以下的范围对利用溅射装置成膜出的非晶质的氧化物半导体进行 热处理后的微晶状的氧化物半导体膜。或者，是指在将成膜时的基板温度 设定为200℃左右的状态下成膜出的微晶状的氧化物半导体膜。微晶状的氧 化物半导体膜是通过TEM等观察方法能够观察到至少1nm至3nm前后、 或大于3nm的晶粒的氧化物半导体膜。
氧化物半导体通过由非晶质向晶质变化，能够实现载流子迁移率的改 善、可靠性的提高。作为氧化铟、氧化镓的氧化物的熔点较高。氧化锑、 氧化铋的熔点均为1000℃以下，氧化物的熔点低。例如，在采用氧化铟与 氧化镓与氧化锑的三元系复合氧化物的情况下，利用熔点低的氧化锑的效 果能够降低该复合氧化物的结晶化温度。换言之，能够提供容易从非晶质 状态向微晶状态等结晶化的氧化物半导体。氧化物半导体能够通过提高其结晶性来提高载流子迁移率及可靠性。
作为氧化物半导体，在后工序的湿式蚀刻中被要求易溶性，因此能够 使用富含氧化锌、氧化镓或氧化锑的复合氧化物。例如，作为溅射中使用 的靶的金属元素的原子比，能够例示出In：Ga：Zn＝1：2：2、In：Ga： Zn＝1：3：3、In：Ga：Zn＝2：1：1、或In：Ga：Zn＝1：1：1。这里Zn 例如能够置换为Sb(锑)、Bi(铋)。
例如，也可以按照In：Sb＝1：1的原子比、设为氧化铟及氧化锑的二 元系复合氧化物。例如，也可以以In：Bi＝1：1的原子比、设为氧化铟及 氧化铋的二元系复合氧化物。
此外，在上述原子比中也可以进一步增加In的含量。
另外，复合氧化物的组成不限于上述组成。
例如，也可以向上述的复合氧化物中进一步添加Sn。在该情况下，可 获得具有含有In2O3、Ga2O3、Sb2O3及SnO2的四元系组成的复合氧化物， 或者可获得具有含有In2O3、Sb2O3及SnO2的三元系组成的复合氧化物，能 够调整载流子浓度。价数与In2O3、Ga2O3、Sb2O3、Bi2O3不同的SnO2发挥 载流子掺杂剂的作用。
例如，使用向包含氧化铟、氧化镓及氧化锑的三元系金属氧化物中加 入氧化锡而得到的靶进行溅射成膜。由此，能够成膜出提高了载流子浓度 的复合氧化物。同样，例如通过使用向氧化铟、氧化镓、氧化铋的三元系 金属氧化物中加入氧化锡而得到的靶进行溅射成膜，能够成膜出提高了载 流子浓度的复合氧化物。
但是，若载流子浓度过高，则具有由复合氧化物形成的沟道层的晶体 管的阈值Vth容易成为负值(容易成为常开)。因此，希望调整氧化锡添加 量以使载流子浓度小于1×1018cm－3。此外，对于载流子浓度、载流子迁移 率，通过调整上述复合氧化物的成膜条件(导入气体所使用的氧气、基板 温度、成膜速率等)、成膜后的退火条件、以及复合氧化物的组成等，能够 获得所希望的载流子浓度、载流子迁移率。例如，提高氧化铟的组成比则 容易提高载流子迁移率。例如，利用在250℃至700℃的温度条件下进行热 处理的退火工序，能够促进上述复合氧化物的结晶化，能够提高复合氧化 物的载流子迁移率。
进而，还可以是，在相同像素中将具有由n型氧化物半导体形成的沟 道层的薄膜晶体管(有源元件)和具有由n型硅半导体形成的沟道层的薄 膜晶体管(有源元件)配设各一个，以发挥薄膜晶体管各自的沟道层的特 性方式驱动LED或有机EL(OLED)这样的发光层。在作为发光层使用 LED或有机EL(OLED)的情况下，作为对发光层施加电压(电流)的驱动晶体管，能够采用n型的多晶硅薄膜晶体管，作为向该多晶硅薄膜晶体 管发送信号的开关晶体管，能够采用n型氧化物半导体的薄膜晶体管。
漏电极56及源电极54能够采用相同的构造。例如，能够将多层的导 电层用于漏电极56及源电极54。例如，能够采用由钼、钛、钽、钨、导电 性金属氧化物层等夹持铝、铜或其合金层的电极构造。也可以在第4绝缘 层14上先形成漏电极56及源电极54，再以在这2各电极上层叠的方式形 成沟道层58。晶体管的构造可以是双栅构造等多栅构造。
半导体层或者沟道层也可以沿其厚度方向调整迁移率、电子浓度。半 导体层或者沟道层也可以是不同的氧化物半导体层叠而成的层叠构造。由 源电极与漏电极的最小间隔决定的晶体管的沟道长能够设为10nm以上且 10μm以下，例如设为20nm至0.5μm。
第3绝缘层13作为栅极绝缘层发挥功能。作为这样的绝缘层材料，采 用硅酸铪(HfSiOx)、氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅、氮氧化铝、氧 化锆、氧化镓、氧化锌、氧化铪、氧化铈、氧化镧、或者混合这些材料得 到的绝缘层等。氧化铈的介电常数高，且铈与氧原子的结合牢固。因此， 优选将栅极绝缘层制成含有氧化铈的复合氧化物。在作为构成复合氧化物 的氧化物之一而采用了氧化铈的情况下，即使是非晶质状态也容易保持高 介电常数。氧化铈具备氧化力。氧化铈能够进行氧的储藏与释放。因此， 在氧化物半导体与氧化铈接触的构造中，从氧化铈向氧化物半导体供给氧， 能够避免氧化物半导体的氧缺乏，能够实现稳定的氧化物半导体(沟道层)。 在将氮化物用于栅极绝缘层的构成中，未表现出上述那样的作用。此外， 栅极绝缘层的材料也可以包含以硅酸铈(CeSiOx)为代表的镧系金属硅酸 盐。或者，可以包含镧铈复合氧化物，也可以包含硅酸镧铈。
作为第3绝缘层13的构造，也可以是单层膜、混合膜或多层膜。在混 合膜、多层膜的情况下，能够利用从上述绝缘层材料中选择的材料来形成 混合膜、多层膜。第3绝缘层13的膜厚例如为能够从2nm以上且300nm 以下的范围内选择的膜厚。在由氧化物半导体形成沟道层58的情况下，在 含氧较多的状态(成膜气氛)下，能够形成与沟道层58接触的第3绝缘层 13的界面。
在薄膜晶体管的制造工序中，在具有顶栅构造的薄膜晶体管中，在形 成氧化物半导体后，在含氧的导入气体中，能够形成含有氧化铈的栅极绝 缘层。此时，能够使位于栅极绝缘层之下的氧化物半导体的表面氧化，并 且能够调整其表面的氧化程度。在具有底栅构造的薄膜晶体管中，栅极绝 缘层的形成工序先于氧化物半导体的工序进行，因此难以调整氧化物半导 体的表面的氧化程度。在具有顶栅构造的薄膜晶体管中，与底栅构造的情 况相比能够促进氧化物半导体的表面的氧化，从而不易产生氧化物半导体 的氧缺乏。
包含平坦化层96、第2绝缘层12、第3绝缘层13及氧化物半导体的 基底的绝缘层(第4绝缘层14)在内的多个绝缘层能够使用无机绝缘材料 或者有机绝缘材料形成。作为绝缘层的材料，能够使用氧化硅、氮氧化硅、 氧化铝，作为绝缘层的构造，能够使用含有上述材料的单层或多层。也可 以是由不同绝缘材料形成的多个层层叠而成的构成。为了获得使绝缘层的 上表面平坦化的效果，也可以将丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、苯并环丁烯 树脂、聚酰胺树脂等用于一部分绝缘层。也可以使用低介电常数材料(low-k 材料)。
在沟道层58上隔着第3绝缘层13配设有栅电极95。此外，栅电极95 也可以使用与上述的漏电极56及源电极54相同的材料、形成为具有相同 的层构造。作为栅电极95的构造，能够采用铜层或铜合金层被导电性金属 氧化物夹持的构成，或者银或银合金被导电性金属氧化物夹持的构成。
图9为局部示出构成本发明的第1实施方式的显示装置DSP1的栅电极 95的一例的放大图。
在图9所示的构造中，构成栅电极95的金属层20由铜层或铜合金层、 或者银或银合金形成。在栅电极95中，金属层20被导电性金属氧化物层 97、98夹持。作为导电性金属氧化物层97、98的材料，能够使用第1实施 方式中说明的构成导电性金属氧化物层21、22的导电性金属氧化物。
也可以将在栅电极95的端部露出的金属层20的表面通过含有铟的复 合氧化物进行覆盖。或者，也可以是，通过氮化硅、氮化钼等氮化物以将 栅电极95的端部(剖面)包含在内的方式对栅电极95整体进行覆盖。或 者，也可以按照比50nm厚的膜厚来层叠具有与上述的栅极绝缘层相同的组 成的绝缘膜。
作为栅电极95的形成方法，还可以是，在栅电极95的形成之前，仅 对位于有源元件68的沟道层58正上方的第3绝缘层13实施干式蚀刻等， 减薄第3绝缘层13的厚度。
也可以向与第3绝缘层13接触的栅电极95的界面进一步插入电气性 质不同的氧化物半导体。或者，也可以由含有氧化铈、氧化镓的绝缘性金 属氧化物层形成第3绝缘层13。
在栅电极95的构成的一部分采用铜合金的情况下，能够对铜添加 0.1at％以上且4at％以下的范围内的金属元素或半金属元素。通过像这样对 铜添加元素，可获得能够抑制铜的迁移的效果。特别优选的是，将在铜层 的结晶(晶粒)内通过与铜原子的一部分置换而能够配置于铜的晶格位置 的元素、以及在铜层的晶界析出而抑制铜的晶粒附近的铜原子的移动的元 素一起添加到铜中。或者，为了抑制铜原子的移动，优选向铜中添加比铜 原子重(原子量大)的元素。并且，优选的是，相对于铜，以0.1at％至4at％ 的范围内的添加量，选择铜的导电率不易降低的添加元素。进而，若考虑 到溅射等真空成膜，则优选溅射等的成膜速率与铜相近的元素。如上所述 那样向铜中添加元素的技术即使在将铜置换为银、铝的情况下也能够适用。 换言之，也可以替代铜合金而使用银合金、铝合金。
将在铜层的结晶(晶粒)内能够与铜原子的一部分置换而配置于铜的 晶格位置的元素向铜中添加，换言之是指将在常温附近与铜形成固溶体的 金属或半金属向铜中添加。容易与铜形成固溶体的金属可列举锰、镍、锌、 钯、镓、金(Au)等。将在铜层的晶界析出而抑制铜的晶粒附近的铜原子 的移动的元素向铜中添加，换言之是指添加在常温附近不与铜形成固溶体 的金属或半金属。不与铜形成固溶体或不易与铜形成固溶体的金属或半金 属能够列举各种材料。例如，能够列举钛、锆、钼、钨等高熔点金属、硅、 锗、锑、铋等被称作半金属的元素等。上述合金元素能够用作向银合金中 添加的添加元素。
铜、银出于迁移的观点在可靠性方面存在问题。通过向铜中添加上述 的金属或半金属能够弥补可靠性方面。相对于铜、银，添加0.1at％以上的 上述金属或半金属，从而能够获得抑制迁移的效果。然而，在相对于铜或 银按照超过4at％的含量添加了上述金属或半金属的情况下，铜、银的导电 率的恶化变得显著，无法获得选定铜合金或银合金的优点。
(发光层92)
如图7所示，阵列基板200包含作为显示功能层的发光层92(有机EL 层)。发光层92是在向一对电极间施加了电场时通过从阳极(例如，上部 电极)注入的空穴与从阴极(例如，下部电极、像素电极)注入的电子复 合而被激励、发光的显示功能层。
发光层92至少含有具有发光性质的材料(发光材料)，并且优选的是 含有具有电子输送性的材料。发光层92是形成于阳极与阴极之间的层，在 下部电极88(阳极)之上形成有空穴注入层91的情况下，在空穴注入层 91与上部电极87(阴极)之间形成发光层92。此外，在阳极之上形成有空 穴输送层的情况下，在空穴输送层与阴极之间形成发光层92。上部电极87 与下部电极88的作用也能够调换。
发光层92的膜厚只要不明显影响本发明的效果则可以是任意的，在膜 不易产生缺陷这一点优选膜厚较大。另一方面，在膜厚较小的情况下，驱 动电压降低，故优选。因此，发光层92的膜厚优选为3nm以上，更优选的 是5nm以上，此外，另一方面，通常优选为200nm以下，更优选的是100nm 以下。
发光层92的材料只要以所希望的发光波长发光且不影响本发明的效果 则不特别限制，能够适用周知的发光材料。发光材料既可以是荧光发光材 料，也可以是磷光发光材料，优选发光效率良好的材料，从内量子效率的 观点出发优选磷光发光材料。
作为提供蓝色发光的发光材料，例如能够列举萘、苝、芘、蒽、香豆 素、
Figure RE-BDA0001941100810000271
对-双(2-苯基乙烯基)苯及其衍生物等萘、苝、芘、蒽、香豆素、、 对双(2-苯乙烯基)苯及它们的衍生物。作为提供绿色发光的发光材料，例 如能够列举喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、Al(C9H6NO)3等铝复合物 等。
作为提供红色发光的发光材料，例如可举出DCM(4- (dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran，4- (二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃)系化合 物、苯并吡喃衍生物、若丹明衍生物、苯并噻吨衍生物、偶氮苯并噻吨等。
构成上述的发光层92的有机EL层的构成、发光材料等不限于上述材 料。
如图7所示，发光层92形成于空穴注入层91上，通过对上部电极87 与下部电极88之间施加的驱动电压而被驱动。
下部电极88具有反射层89与导电性金属氧化物层97、98层叠而成的 构造。另外，在上部电极87与下部电极88之间，除了发光层92以外还可 以插入电子注入层、电子输送层、空穴输送层等。
能够对空穴注入层91使用氧化钨、氧化钼等高熔点金属氧化物。能够 对反射层89适用光的反射率高的银合金、铝合金等。另外，ITO等导电性 金属氧化物与铝的紧贴性较差。电极、接触孔等的界面例如在ITO与铝合 金的情况下容易产生电气连接不良。银、银合金与ITO等导电性金属氧化 物的紧贴性良好，并且ITO等导电性金属氧化物容易获得欧姆接触。
图8为局部示出构成本发明的第1实施方式的显示装置DSP1的下部电 极88(像素电极)的图，是表示图7中的附图标记W2示出的部分的放大 剖视图。
如图8所示，在本实施方式中，为了抑制银的迁移，下部电极88具有 银或者银合金层(反射层89)被导电性金属氧化物层97、98夹持的3层构 造。作为导电性金属氧化物层97、98的材料，能够使用在第1实施方式中 说明的构成导电性金属氧化物层21、22的导电性金属氧化物。
在将银合金层适用于光反射性的像素电极(下部电极)的情况下，银 合金层的膜厚例如能够从100nm至500nm的范围中选择。根据需要，膜厚 也可以形成得比500nm厚。此外，若将银合金层的膜厚设为例如9nm至 15nm，则能够对透光性的上部电极或者对置电极使用银合金层。
此外，关于显示功能层，在替代发光层92(有机EL层)使用液晶层 的情况下，通过将银合金层的膜厚设为100nm至500nm膜厚，能够将银合 金层用于像素电极(下部电极)，能够实现反射型的液晶显示装置。
在本实施方式中，作为导电性金属氧化物使用了氧化铟、氧化镓、氧 化锑的复合氧化物。作为银合金层的材料，能够适用作为导电层发挥功能 的银合金。作为向银中添加的添加元素，能够使用从由镁、钙、钛、钼、 铟、锡、锌酞菁绿色颜料、钕、镍、锑、铋、铜等构成的群中选择的1个 以上金属元素。本实施方式的银合金层使用了对银添加了1.5at％钙的银合 金。关于钙，在由上述导电性金属氧化物夹持银合金的构成中，在后工序 中的热处理等中被选择性地氧化。通过这样的氧化物的形成，能够提高由 导电性金属氧化物层夹持银合金层的构造的可靠性。进而，通过由氮化硅、 氮化钼等氮化物覆盖由导电性金属氧化物层夹持银合金层的构造，能够进 一步提高可靠性。
如图2所示，上述的对置基板100及阵列基板200隔着第1透明树脂 层108而被贴合。
另外，在对置基板100与阵列基板200贴合的密封部(未图示)中， 从对置基板100向阵列基板200的导通的转移(传送器)也能够在密封部 的厚度方向上进行。通过将从各向异性导电膜、微小的金属球或由金属膜 覆盖的树脂球等中选择的导体配置于密封部中，能够将对置基板100与阵 列基板200导通。
(第1实施方式的变形例)
另外，在上述实施方式中，说明了作为发光层92采用了有机电致发光 材料层(有机EL)的构造。发光层92也可以是无机的发光二极管层。此 外，发光层92也可以具有无机的LED芯片以矩阵状排列的构造。在该情 况下，也可以在阵列基板200上安装红色发光、绿色发光、蓝色发光的各 个微小的LED芯片。作为将LED芯片向阵列基板200安装的方法，也可以进行面朝下方式的安装。
在发光层92由无机LED构成的情况下，将蓝色发光二极管或者蓝紫 色发光二极管作为发光层92配设于阵列基板200(基板45)。在形成氮化 物半导体层及上部电极后，在绿色像素上层叠绿色荧光体，在红色发光的 像素上层叠红色荧光体。由此，能够在阵列基板200简便地形成无机LED。 在使用这样的荧光体的情况下，通过从蓝紫色发光二极管产生的蓝色光的 激励，能够分别从绿色荧光体及红色荧光体获得绿色发光及红色发光。
或者，也可以将紫外发光二极管作为发光层92配设于阵列基板200(基 板45)。在该情况下，在形成氮化物半导体层及上部电极后，在蓝色像素上 层叠蓝色荧光体，在绿色像素上层叠绿色荧光体，在红色像素上层叠红色 荧光体。由此，能够在阵列基板200简便地形成无机LED。在使用这样的 荧光体的情况下，例如能够通过印刷法等简便的手法形成绿色像素、红色 像素或者蓝色像素。这些像素出于各个颜色的发光效率、颜色平衡的观点，优选调整像素的大小。
在上述的实施方式中，第1触摸传感布线1及第2触摸传感布线2配 置于第2面S的上方。本发明不限于该构造。例如，也可以是第1触摸传 感布线1及第2触摸传感布线2中的一方的布线配置于第2面S上，另一 方的布线配置于第1面F上。此外，也可以是第1触摸传感布线1及第2 触摸传感布线2配置于第1面F上。以下，对这样的构造进行说明。
(第2实施方式)
以下，参照附图对本发明的第2实施方式进行说明。
第2实施方式中，对于与第1实施方式相同的部件赋予相同附图标记， 并省略或简化其说明。
图10为局部示出本发明的第2实施方式的显示装置DSP2的剖视图。 在显示装置DSP2中，将有机EL用作显示功能层(发光层)。
构成第2实施方式的显示装置DSP2的对置基板300具备透明基板42， 该透明基板42具有第1面F、以及与第1面F相反的一侧的第2面S。在 第2面S设置有多个第1触摸传感布线1。在第1面F设置有多个第2触摸 传感布线2。即，第2触摸传感布线2位于第1触摸传感布线1与阵列基板 400之间。多个第2触摸传感布线2及第1面F由第2透明树脂层105覆盖。 在图10所示的构造中，第1透明树脂层108与第2透明树脂层105贴合。
在触摸传感驱动中，对第1触摸传感布线1与第2触摸传感布线2正 交的交点处的静电电容C2的变化进行感测。多个第1触摸传感布线1及多 个第2触摸传感布线2分别电气独立。第1触摸传感布线1与第2触摸传 感布线2在俯视时正交。例如，能够将第1触摸传感布线1用作触摸检测 电极，将第2触摸传感布线2用作触摸驱动电极。触摸传感控制部122检测在第1触摸传感布线1与第2触摸传感布线2之间产生的静电电容C2的 变化，作为触摸信号。
此外，也可以调换第1触摸传感布线1的作用与第2触摸传感布线2 的作用。具体而言，也可以将第1触摸传感布线1用作触摸驱动电极，将 第2触摸传感布线2用作触摸检测电极。
作为第1触摸传感布线1及第2触摸传感布线2各自的构造，能够采 用与在第1实施方式中说明的图6所示的截面构造相同的构造。第1触摸 传感布线1具有第1黑色层16与第1导电层15依次层叠而成的构成。作 为第1导电层15的构造，例如能够设为作为金属层20的铜合金层或银合 金层被第1导电性金属氧化物层21及第2导电性金属氧化物层22夹持的3层构造。以栅格状正交的第1触摸传感布线1与第2触摸传感布线2兼备 提高显示对比度的黑矩阵的作用。
在第2实施方式中，有源元件68具有与第1实施方式相同的顶栅构造。 第2实施方式的沟道层也与第1实施方式相同，由氧化物半导体形成。进 而，出于晶体管的电子迁移率的观点，优选采用由具备由多晶硅半导体形 成的沟道层的有源矩阵构成的第1层、以及由具备由氧化物半导体形成的 沟道层的有源矩阵构成的第2层层叠而成的构造。在第1层与第2层像这 样层叠而成的构造中，例如，具备由多晶硅半导体形成的沟道层的有源元 件(第1层)被用作用来向作为发光层92的有机EL层注入载流子(电子 或者空穴)的驱动元件。此外，具备由氧化物半导体形成的沟道层的有源 元件(第2层)被用作用于对具备由多晶硅半导体形成的沟道层的有源元 件进行选择的开关元件。对于用于使与该驱动元件电气联动的有机EL层发 光的电源线，能够使用由导电性金属氧化物层夹持的银合金层或者铜合金 层。这样的构造，例如使用图9所示的布线构造。对于与电源线等有源元 件联动的布线，优选适用导电率良好的银合金、铜合金。
在第2实施方式中，将作为铜合金的金属层20用于栅电极95。如图9 所示，构成栅电极95的金属层20被第1导电性金属氧化物层97与第2导 电性金属氧化物层98夹持。作为第3绝缘层13的栅极绝缘层所使用的材 料与第1实施方式相同。
(第3实施方式)
以下，参照附图对本发明的第3实施方式进行说明。
在第3实施方式中，对于与第1实施方式及第2实施方式相同的部件 赋予相同的附图标记，并省略或简化其说明。
图11为局部示出本发明的第3实施方式的显示装置DSP3的剖视图。
构成第3实施方式的显示装置DSP3的对置基板500具备透明基板44， 该透明基板44具有第1面F、以及与第1面F相反的一侧的第2面S。在 第2面S未设置触摸传感布线。在第1面F，在观察方向OB(参照图6， 与Z方向相反的方向)上，依次形成有多个第1触摸传感布线1及多个第2 触摸传感布线2。即，第2触摸传感布线2位于第1触摸传感布线1与阵列 基板600之间。多个第2触摸传感布线2及第1面F由第2透明树脂层105 覆盖。
在多个第1触摸传感布线1与多个第2触摸传感布线2之间设置有绝 缘层I(触摸布线绝缘层)，第1触摸传感布线1与第2触摸传感布线2利 用绝缘层I而相互电气绝缘。
在图11所示的构造中，第1透明树脂层108与第2透明树脂层105贴 合。
图12为表示构成本发明的第3实施方式的显示装置DSP3的第2触摸 传感布线2的图，是表示图11中的附图标记W3示出的部分的放大剖视图。
如图12所示，第2触摸传感布线2具有在观察方向OB上第2黑色层 76与第2导电层75依次层叠的构成。第2黑色层76具有与第1实施方式 的第2黑色层26相同的构成。第2导电层75具有与第1实施方式的第2 导电层25相同的构成。
在触摸传感驱动中，对第1触摸传感布线1与第2触摸传感布线2正 交的交点处的静电电容C3的变化进行感测。多个第1触摸传感布线1及多 个第2触摸传感布线2分别电气独立。第1触摸传感布线1与第2触摸传 感布线2在俯视时正交。例如，能够将第1触摸传感布线1用作触摸检测 电极，将第2触摸传感布线2用作触摸驱动电极。触摸传感控制部122检测在第1触摸传感布线1与第2触摸传感布线2之间产生的静电电容C3的 变化，作为触摸信号。
此外，也可以调换第1触摸传感布线1的作用与第2触摸传感布线2 的作用。具体而言，也可以将第1触摸传感布线1用作触摸驱动电极，将 第2触摸传感布线2用作触摸检测电极。
第3实施方式的有源元件68与第1实施方式及第2实施方式同样，具 备氧化物半导体的沟道层，有源元件68的栅极绝缘层由包含氧化铈的复合 氧化物形成。
(第4实施方式)
以下，参照附图对本发明的第4实施方式进行说明。
在第4实施方式中，对于与第1实施方式相同的部件赋予相同的附图 标记，省略或简化其说明。
图13为局部示出本发明的第4实施方式的显示装置DSP4的剖视图。
如图13所示，在透明基板40的第1面F上设置有滤色片CF。构成滤 色片CF的红着色层R、绿着色层G及蓝着色层B与发光层92对置。因此， 多个像素PX分别具备滤色片。红着色层R与绿着色层G的边界部、绿着 色层G与蓝着色层B的边界部、蓝着色层B与红着色层R的边界部在俯视 时与第1触摸传感布线1及第2触摸传感布线2重叠。构成第1触摸传感 布线1及第2触摸传感布线2的第1黑色层16及第2黑色层26作为黑矩 阵发挥功能，故上述边界部与黑矩阵重叠。因此，防止由观察者进行观察 时产生红着色层R、绿着色层G及蓝着色层B的混色。
第1透明树脂层108以覆盖滤色片CF的方式配置。隔着第1透明树脂 层108，对置基板700与阵列基板200被贴合。
根据第4实施方式，伴随发光层92的发光，能够实现全彩显示。
例如，上述实施方式的显示装置能够进行各种应用。作为能够应用上 述实施方式的显示装置的电子设备，可以举出手机、便携式游戏机、便携 式信息终端、个人计算机、电子书籍、摄像机、数码相机、头戴式显示器、 导航系统、音响再现装置(汽车音响、数字音频播放器等)、复印机、传真 机、打印机、打印机复合机、自动售货机、现金自动存取款机(ATM)、个 人认证设备、光通信设备等。上述各实施方式能够自由组合使用。
对本发明的优选的实施方式进行了说明，但这些是本发明的例示性的， 应该理解为不应该作为限定。追加、省略、置换及其他变更能够在不脱离 本发明的范围的情况下进行。因此，本发明不应该被视为限定于上述的说 明，而受权利要求书的限制。
附图标记的说明
1···第1触摸传感布线
2···第2触摸传感布线
2A···感测布线(第2触摸传感布线2)
2B···引出布线(第2触摸传感布线2)
15···第1导电层
16···第1黑色层
12···第2绝缘层
13···第3绝缘层
14···第4绝缘层
20···金属层
21、97···第1导电性金属氧化物层
22、98···第2导电性金属氧化物层
25、75···第2导电层
26、76···第2黑色层
40···透明基板
42···透明基板
44···透明基板
45···基板
54···源电极
56···漏电极
58···沟道层
68···有源元件
87···上部电极
88···下部电极(像素电极)
89···反射层
91···空穴注入层
92···发光层
93···接触孔
94···隆起部
95···栅电极
96···平坦化层
100、300、500、700···对置基板(显示装置基板)
105···第2透明树脂层
108···第1透明树脂层
109···封固层
110···显示部
120···控制部
121···影像信号控制部
122···触摸传感控制部
123···系统控制部
200、400、600···阵列基板
F···第1面
S···第2面
I···绝缘层
P···观察者
R···红着色层(滤色片)
G···绿着色层(滤色片)
B···蓝着色层(滤色片)
OB···观察方向
BM···黑矩阵
PX···像素
TFT···薄膜晶体管
TM1···第1端子
TM2···第2端子
C1、C2、C3···静电电容
CF···滤色片
DSP1、DSP2、DSP3、DSP4···显示装置。

Claims (11)

1.一种显示装置，其中，
包含阵列基板、显示装置基板及控制部，
所述阵列基板具备：
光反射性的像素电极，具有向银添加钙而成的银合金层被导电性金属氧化物层夹持的构成；
发光层，通过从所述像素电极施加的驱动电压而发光；和
有源元件，具有与栅极绝缘层接触且由氧化物半导体构成的沟道层，并且驱动所述发光层，
所述显示装置基板具备：
透明基板，具有与所述阵列基板对置的第1面及与所述第1面相反的一侧的第2面；
多个第1触摸传感布线，具有在从所述第2面朝向所述第1面的观察方向上第1黑色层与第1导电层依次层叠的构成，而且，在所述第2面上以沿着第1方向排列的方式相互平行地延伸；
多个第2触摸传感布线，具有在所述观察方向上第2黑色层与第2导电层依次层叠的构成，而且位于所述多个第1触摸传感布线与所述阵列基板之间，并且，以沿着俯视时与所述第1方向正交的第2方向排列的方式相互平行地延伸；和
多个像素，俯视时由所述多个第1触摸传感布线和所述多个第2触摸传感布线划分而成，
所述控制部感测第1触摸传感布线与第2触摸传感布线之间的静电电容的变化来进行触摸传感，
所述氧化物半导体不包含含有锌的金属氧化物，而包含：含有从由镓、铟、锡、铝、锗及铈构成的群中选择的1种以上的金属氧化物；以及至少含有锑及铋中的任一方的金属氧化物，
所述栅极绝缘层由包含氧化铈的复合氧化物形成，
所述有源元件是具有顶栅构造的薄膜晶体管。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第1触摸传感布线及所述第2触摸传感布线形成于所述第2面之上，
在所述第1触摸传感布线与所述第2触摸传感布线之间设置有绝缘层，
所述第1触摸传感布线与所述第2触摸传感布线相互电气绝缘。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第1触摸传感布线形成于所述第2面之上，
所述第2触摸传感布线形成于所述第1面之上。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，
在所述第1面之上，在所述观察方向上，依次形成有所述第1触摸传感布线及所述第2触摸传感布线，
在所述第1触摸传感布线与所述第2触摸传感布线之间设置有绝缘层，
所述第1触摸传感布线与所述第2触摸传感布线相互电气绝缘。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，
与所述有源元件电气联动的多个布线中的至少栅极布线具有从由银层、银合金层、铜层及铜合金层构成的群中选择的层被导电性金属氧化物层夹持的3层构造。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述发光层包含发光二极管层。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述发光层包含有机电致发光材料层。
8.一种显示装置基板，用于权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第1导电层及所述第2导电层具有从由银层、银合金层、铜层及铜合金层构成的群中选择的层被导电性金属氧化物层夹持的3层构造。
9.如权利要求8所述的显示装置基板，其中，
所述导电性金属氧化物层由下述复合氧化物形成，
该复合氧化物包含从由氧化铟、氧化锌、氧化锑、氧化锡、氧化镓及氧化铋构成的群中选择的2种以上金属氧化物。
10.如权利要求8所述的显示装置基板，其中，
所述导电性金属氧化物层由包含氧化铟、氧化锌及氧化锡的复合氧化物形成，
在所述复合氧化物中包含的铟(In)、锌(Zn)、锡(Sn)为，由In/(In+Zn+Sn)示出的原子比大于0.8，而且，Zn/Sn的原子比大于1。
11.如权利要求8所述的显示装置基板，其中，
所述多个像素具备滤色片。
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