JP6451897B1 - 表示装置及び表示装置基板 - Google Patents
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Abstract
Description
あるいは、LEDチップとしてカッティングされた赤色発光LEDチップ、緑色発光LEDチップ、及び青色発光LEDチップの各々を、静電転写、磁気を利用した転写、マウンタを利用した転写、伸縮可能なフィルムを利用した拡張転写、レーザーアブレーション技術、さらにはフリップチップなどの方法を用いて基板に実装することにより、LEDマトリクス表示装置を製造する技術も知られている。
有機エレクトロルミネセンス表示装置やLEDマトリクス表示装置の場合、画素(発光素子)の各々に、色調整用のカラーフィルタあるいは量子ドットなど波長変換素子を積層してもよい。LEDとして、高い発光効率を有する青色発光ダイオードが知られており、青色LEDチップ上に、波長変換素子として緑色蛍光体及び赤色蛍光体が配置された白色LEDが用いられることもある。
以下の説明において、同一又は実質的に同一の機能及び構成要素には、同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化し、或いは、必要な場合のみ説明を行う。各図においては、各構成要素を図面上で認識し得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。また、必要に応じて、図示が難しい要素、例えば、半導体のチャネル層を形成する複数層の構成、また、導電層を形成する複数層の構成等の図示や一部の図示が省略されている。
以下の記載において、タッチセンシングに関わる配線、電極、及び信号を、単に、タッチ駆動配線、タッチ検出配線、タッチ配線、タッチ電極、及びタッチ信号と称することがある。また、第1タッチセンシング配線及び第2タッチセンシング配線を単にタッチセンシング配線と称することがある。タッチセンシング駆動を行うためにタッチセンシング配線に印加される電圧をタッチ駆動電圧と呼ぶ。
第1黒色層及び第2黒色層を単に黒色層と称することがあり、また、第1導電層及び第2導電層を単に導電層と称することがある。
表示機能層として発光素子(LED)を駆動するために上部電極(以下、n側電極とも呼称することがある)と下部電極(以下、画素電極、反射電極、あるいはp側電極と称することがある)との間に印加される電圧を画素駆動電圧と称する。発光層の駆動を単に画素駆動と言うことがある。
(表示装置DSP1の機能構成)
以下、本発明の第1実施形態に係る表示装置DSP1を、図1から図13を参照しながら説明する。
図2は、本発明の第1実施形態に係る表示装置DSP1を部分的に示す図であって、図3に示すA−A’線に沿う断面図である。
また、観察者Pが表示装置DSP1を観察する方向、即ち、後述する透明基板40の観察面Sから第1面Fに向けた方向を、観察方向OB(図2に示すZ方向とは反対方向)と称している。
図2に示すように、対向基板100は、第1面Fと第1面Fとは反対側の観察面Sとを有する透明基板40を備える。第1面Fは、アレイ基板200の第2面Nに対向する面である。観察面Sは、観察者Pに対向する面である。
透明基板40の第1面Fには、第1透明樹脂層108が形成されている。第1透明樹脂層108は、後述する封止層109と接続されている。これによって、対向基板100の第1面Fとアレイ基板200の第2面Nとの間に、発光素子(表示機能層)が位置するように対向基板100とアレイ基板200とが接合されている。発光素子は、アレイ基板200の第2面N上に設けられており、対向基板100対向している。
図4は、本発明の第1実施形態に係る対向基板100に設けられた第2タッチセンシング配線を構成する第2配線(第2導電層)のパターンを示す平面図である。
図5は、本発明の第1実施形態に係る対向基板100に設けられた第1タッチセンシング配線を構成する第1配線1(第1導電層)のパターンを示す平面図である。
図3及び図5に示すように、表示装置DSP1は、表示部110に形成された有効表示領域70と、有効表示領域70を囲う額縁部72とを備える。有効表示領域70は、複数の第1配線1と複数の第2配線2で区画される、複数の画素PXがマトリクス状に配列されている表示領域である。額縁部72は、表示部110の外側に位置し、遮光層が形成されている領域である。
複数の第2配線2は、Z方向において観察面S上に設けられかつ複数の第1配線1とアレイ基板200との間に位置し、Y方向に並んでおり、互いに平行にX方向に延在している。X方向における第2配線2の端部には、第2端子TM2が設けられている。複数の第2配線2は、第2配線パターンを形成している。
図6は、本発明の第1実施形態に係る対向基板100に設けられた第1配線1、絶縁層I、及び第2配線2を示す図であって、図2における符号W1で示された部分を示す拡大断面図である。
第1導電層15及び第2導電層25の少なくとも一部を構成する金属層20を、導電性金属酸化物層21、22で挟持することができる。換言すれば、第1導電層15や第2導電層25の構造として、第1導電性金属酸化物層21、金属層20、及び第2導電性金属酸化物層22で構成された3層構造を採用することができる。第1導電性金属酸化物層21と金属層20との界面、又は、第2導電性金属酸化物層22と金属層20との界面に、ニッケル、亜鉛、インジウム、チタン、モリブデン、タングステン等、銅と異なる金属やこれら金属の合金層を更に挿入してもよい。
第1導電層15及び第2導電層25は、金属層20等の導電材料で形成できる。金属層20としては、例えば、銅層や銅合金層、銀層や銀合金層、或いは、アルミニウムを含有するアルミニウム合金層(アルミニウム含有層)、更には、金、チタン、モリブデン、或いはこれらの合金を採用できる。銅層や銅合金層、あるいは銀層や銀合金は、透明樹脂層やガラス基板(透明基板)に対する密着性が低い。このため、銅層や銅合金層、あるいは銀層や銀合金銅層をこのまま表示装置基板に適用した場合、実用的な表示装置基板を実現することは難しい。しかしながら、上述した複合酸化物は、カラーフィルタ(複数色の着色パターン)やブラックマトリクスBM(黒色層)、及びガラス基板(透明基板)等に対する密着性を十分に有しており、かつ、銅層や銅合金層に対する密着性も十分である。このため、複合酸化物を用いて銅合金層或いは銀合金層を表示装置基板に適用した場合、実用的な表示装置基板を実現することが可能となる。導電率と経済的コストの観点から、銅層あるいは銅合金層が好ましい。透明基板40や透明樹脂層に対する導電層の密着性を得るために、銅に、マグネシウム、カルシウム、チタン、モリブデン、インジウム、錫、亜鉛、ネオジウム、ニッケル、アルミニウム、アンチモン、ビスマスから構成される群より選択される1以上の金属元素が添加された合金を採用することが好ましい。
以下、銅合金層について具体的に説明する。
金属層20である銅合金層は、銅に固溶する第1元素と、銅及び第1元素より電気陰性度が小さい第2元素とを含有してもよい。第1元素及び前記第2元素として、銅に添加する場合の比抵抗上昇率が1μΩcm/at%以下の元素を選択することができる。銅合金層の比抵抗(電気抵抗率)は、1.9μΩcmから6μΩcmの範囲内にすることができる。なお、本発明の第1実施形態に係る銅と固溶する元素とは、例えば、車載向け含む電子機器の使用範囲である−(マイナス)40℃から+(プラス)80℃の温度領域で、安定して銅との置換型固溶をとる元素であると言い換えることができる。
第1黒色層16及び第2黒色層26は、表示装置DSP1のブラックマトリクスとして機能する。黒色層は、例えば、黒色の色材を分散させた着色樹脂で構成されている。銅の酸化物や銅合金の酸化物は、十分な黒色や低い反射率を得にくい。例えば、黒色層を金属酸化物で形成する場合、おおよそ10%から30%の可視域の光反射率であり、かつ、可視域においてフラットな反射率を得にくく着色して見える。本実施形態に係る黒色層とガラス等の基板や、透明樹脂層との間の界面における可視光の反射率は略3%以下に抑えられ、高い視認性が得られる。前記透明樹脂は、表示装置への保護ガラス貼り付けのための接着層を含む。
次に、図7〜図13を参照し、表示装置DSP1を構成するアレイ基板200の構造について説明する。
図7は、本発明の第1実施形態に係る表示装置DSP1が備えるアレイ基板200を部分的に示す拡大図であって、第2薄膜トランジスタを部分的に示す断面図である。
図8は、本発明の第1実施形態に係る表示装置DSP1に搭載される発光素子(LED)を示す断面図であって、図7の符号Dの領域を部分的に示す拡大図である。
図9は、図8に示す発光素子の近傍に位置する構造を示す部分拡大図であって、透明導電膜と上部電極との接続状態を示す図である。
図10は、本発明の第1実施形態に係る表示装置DSP1を示す拡大断面図であって、図7に示す薄膜トランジスタのチャネル層上に積層されたソース電極とドレイン電極の積層構造を説明する図である。
図11は、薄膜トランジスタ(スイッチング素子及び駆動素子)を用いた、LED発光素子を駆動する代表的な回路図である。
図12は、本発明の第1実施形態に係る表示装置DSP1を構成する下部電極(画素電極)を部分的に示す図であって、図8における符号W2で示された部分を示す拡大断面図である。
図13は、本発明の第1実施形態に係る表示装置DSP1を構成するゲート電極(ゲート配線)を部分的に示す拡大図である。
第1平坦化層96及び第2平坦化層95の材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド樹脂等を用いてもよい。低誘電率材料(low−k材料)を用いることもできる。
なお、視認性向上のため、第1平坦化層96、第2平坦化層95、封止層109、あるいは、基板45のいずれかが、光散乱の機能を有してもよい。あるいは、基板45の上方に光散乱層を形成してもよい。
上部電極87の表層(表面の層)は、導電性金属酸化物で形成されている。透明導電膜76及び第6配線6は、銅あるいは銅合金が導電性金属酸化物で挟持された構造を有する導電層であり、同じレイヤ、同じ工程で形成されている。図7において、第6配線6は、例えば、紙面の前後方向、即ち、Y方向に延在している。第6配線6は、X方向に延在する第2電源線52(図11参照)と連絡している。平面視における第1電源線51及び第2電源線52の配置については、図11を参照して後述する。
本実施形態において、発光素子CHIPは、表示機能層として機能する垂直型発光ダイオードであり、アレイ基板200の第2面N上に位置する複数の画素PXの各々に設けられている。
発光素子CHIPの上面78(表層)が、第2平坦化層95から突出して第2平坦化層95と重ならない状態となると、即ち、重なり部74が形成されていない状態では、透明導電膜76が断線し易くなり、発光素子CHIPの点灯不良が生じる懸念がある。
上記のような凹部形状を有する第2平坦化層95を形成する方法や、発光素子CHIPに重なる重なり部74を形成する方法としては、周知のフォトリソグラフィが採用される。さらに、周知のフォトリソグラフィの手法に加え、ドライエッチング技術を適用してもよい。
図7及び図10は、画素電極89に接続されているアクティブ素子168として用いられるトップゲート構造を有する薄膜トランジスタ(TFT)の構造の一例を示している。なお、図7においては、対向基板100と封止層109(接着層)を省略している。
なお、アクティブ素子168の構造は、後述する第1薄膜トランジスタ67及び第2薄膜トランジスタ68に適用される。
次に、図10に示す、半導体装置として機能するアクティブ素子168を構成するチャネル層58について説明する。ここで、電極界面とは、ドレイン電極56(第4配線)又はソース電極54(第3配線)を構成する第2導電性金属酸化物層22とチャネル層58との界面を意味する。電極とは、ソース電極54とドレイン電極56のいずれかを意味する。
換言すれば、ソース電極54は、第3配線から延出する延出線で構成され、第3配線の延出線の第2導電性金属酸化物層22は、チャネル層58の端部(右端)と重畳し、電極界面となる重畳部31が形成されている。ドレイン電極56は、第4配線から延出する延出線で構成され、第4配線の延出線の第2導電性金属酸化物層は、チャネル層58の端部(左端)と重畳し、電極界面となる重畳部32が形成されている。
酸化物半導体は、主材として酸化インジウム及び酸化アンチモンを含有する複合酸化物である。酸化インジウム及び酸化アンチモンのみの組成で酸化物半導体が形成されてもよいが、このような組成を有する酸化物半導体では酸素欠損が生じやすい。酸化物半導体の酸素欠損を減らすため、酸化状態の安定剤として、さらに、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化スカンジウム、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ガリウム、酸化チタン、酸化マグネシウムを酸化物半導体に添加することが好ましい。後述する理由により、特に、酸化セリウムが好ましい。
本発明の第1実施形態に係る酸化物半導体は、主材として酸化インジウムと酸化アンチモンとを含有し、酸化安定剤として酸化セリウムを含有する。酸化物半導体において酸素をカウントしない元素の合計を100at%とすると、例えば、インジウム及びアンチモンの各々の含有量は45at%以上49.9at%以下の範囲内にあり、セリウムの含有量は10at%以下0.2at%以上の範囲内にある。上述したように、セリウムの含有量を0.2at%以上とすることでチャネル層の耐酸性を向上でき、エッチングストッパ層を省くことが可能となる。
CeO2 <=> CeO2−x + “Ox”
と表現できる。“Ox”は、酸化力の強いスーパーオキシドと呼称してもよい。
また、複合酸化物中での挙動として、CeO2は過剰な電子(キャリア)を取り込むことができると想定される。従って、酸化物半導体膜の、酸素欠損にもとづく過剰な電子濃度を抑制しやすい。後述する実施形態では、9×1017cm−3以下の電子濃度のn型半導体が得られている。なお、酸化物半導体層、あるいは、ゲート絶縁膜中の酸化セリウムはその酸化力を利用するために、CeO2であることが望ましい。
上述した導電性金属酸化物層あるいは酸化物半導体の膜を、所望パターンを有するようにパターニングすることで、抵抗素子を形成することができる。また、例えば、アレイ基板200上に半導体装置(薄膜トランジスタ)を形成する場合(例えば、後述する第2実施形態の場合等)、チャネル層としてポリシリコン半導体を用いる複数の薄膜トランジスタ(アクティブ素子)をマトリクス状に形成した後、絶縁層に形成されたスルーホールを介して、チャネル層として酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ(アクティブ素子)のマトリクスを積層することができる。
しかし、表示機能層がLEDや有機ELのような発光ダイオードの場合、キャリア濃度が1×1012cm−3未満となると、画素である発光ダイオードの発光に十分な電流供給ができなくなる恐れがある。チャネル層としての酸化物半導体のキャリア濃度は、1×1012cm−3以上であることが望ましい。また、キャリア濃度やキャリア移動度については、上記複合酸化物の成膜条件(導入ガスに用いられる酸素ガス、基板温度、成膜レート等)、成膜後のアニール条件、及び複合酸化物の組成等を調整することで、所望のキャリア濃度やキャリア移動度を得ることができる。例えば、酸化インジウムの組成比を高くすることは、キャリア移動度を向上し易い。例えば、180℃から340℃の温度条件、あるいは340℃を超える条件で熱処理を行うアニーリング工程によって、上記複合酸化物の結晶化を進め、複合酸化物のキャリア移動度を向上させることができる。
図12に示すように、第1平坦化層96上に形成される反射電極89(画素電極)は、銀あるいは銀合金層99が導電性金属酸化物層97、98で挟持された3層構造を有する。導電性金属酸化物層97、98の材料としては、上述した導電性金属酸化物層21、22を構成する導電性金属酸化物を用いることができる。この構成により、銀のマイグレーションを抑制することが可能となる。
銀合金層を光反射性の画素電極に適用する場合、銀合金層の膜厚は、例えば、100nmから500nmの範囲から選択できる。必要に応じて、膜厚は500nmより厚く形成してもよい。
図13に示す構造において、ゲート電極55(第5配線)を構成する金属層20(第4導電層)は、銅層或いは銅合金層、または、銀或いは銀合金で形成されている。ゲート電極55においては、金属層20は、導電性金属酸化物層97、98で挟持されている。導電性金属酸化物層97、98の材料としては、上述した導電性金属酸化物層21、22を構成する導電性金属酸化物を用いることができる。
画素PXは、図3に示すように第1配線1と第2配線2とで区画されており、有効表示領域70において複数の画素PXはマトリクス状に配置されている。
図11においては、複数の画素PXが模式的に示されており、各画素PXは、映像の信号線である第3配線3(83)と、走査線である第5配線5(85)とで区画されている。第1配線1と第3配線3は平行にY方向に延在している。第2配線2と第5配線5は平行にX方向に延在している。平面視、第1配線1は第3配線3に平行であり、第2配線2は第5配線5と重畳している。第2薄膜トランジスタ68は、ソース電極54を介して第1電源線51と接続されている。第1電源線51は、発光素子86に電力を供給する給電線である。第2電源線52は、透明導電膜76及び第6配線6を介して、発光素子86を構成する上部電極87と接続されている。第2電源線52は、定電位に維持されており、例えば、グランド(筐体等)に接地してもよい。
第1薄膜トランジスタ67は、第3配線3(83)と第5配線5(85)とに電気的に連携されている。
第2薄膜トランジスタ68は、第1薄膜トランジスタ67及び第4配線4(84、第1電源線51)と電気的に連携され、かつ、第1薄膜トランジスタ67からの信号を受けて垂直型発光ダイオードである発光素子86を駆動する。
なお、本発明は、上述した第1配線1、第2配線2、第3配線3、第4配線4、及び第5配線5の位置関係を限定しない。
例えば、第4配線4及び第3配線3は、第2配線2と平行であってもよいし、この場合、第5配線5は、第1配線1と平行となる。
上記実施形態では、発光素子CHIPとして赤色発光LED、緑色発光LED、青色発光LEDをマトリクス状に複数配置する構造を説明した。本発明は、上述した第1実施形態の構造に限定されない。例えば、後述する変形例を採用することもできる。
発光素子CHIPとして青色発光ダイオードあるいは青紫色発光ダイオードをアレイ基板200(基板45)に配設する。青色発光ダイオードあるいは青紫色発光ダイオードを配設した後、緑色画素に緑色蛍光体を積層し、赤色発光の画素に赤色蛍光体を積層する。これにより、アレイ基板200に無機LEDを簡便に形成することができる。このような蛍光体を用いる場合、青紫色発光ダイオードから生じる光による励起によって、緑色蛍光体及び赤色蛍光体の各々から緑色発光及び赤色発光を得ることができる。
発光素子CHIPとして紫外発光ダイオードをアレイ基板200(基板45)に配設してもよい。さらに、青色画素に青色蛍光体を積層し、緑色画素に緑色蛍光体を積層し、赤色画素に赤色蛍光体を積層する。このような蛍光体を用いる場合、例えば、印刷法等の簡便な手法で、緑色画素、赤色画素、あるいは青色画素を形成することができる。これらの画素は、各々の色の発光効率や色バランスの観点から、画素の大きさあるいは、一画素に配置する発光素子CHIPの個数や面積を調整することは望ましい。
以下、図面を参照しながら本発明の第2実施形態について説明する。
第2実施形態においては、第1実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図14は、本発明の第2実施形態に係る表示装置DSP2を部分的に示す断面図である。
第2実施形態においても、上述した第1実施形態と同じ効果が得られる。
以下、図面を参照しながら本発明の第3実施形態について説明する。
第3実施形態においては、第1実施形態及び第2実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図15は、本発明の第3実施形態に係る表示装置DSP3を部分的に示す断面図である。以下に詳述する第3実施形態では、例えば、第1配線が延在(延線)する方向をX方向(第1方向)と規定し、第1配線と直交する第2配線が延在(延線)する方向をY方向(第2方向)と規定し、更に、透明基板の厚さ方向をZ方向と規定し、表示装置を説明する。
第3実施形態においても、上述した第1実施形態と同じ効果が得られる。
以下、図面を参照しながら本発明の第4実施形態について説明する。
第4実施形態においては、第1実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図17は、本発明の第4実施形態に係る表示装置DSP4を部分的に示す断面図である。
第4実施形態においても、上述した第1実施形態と同じ効果が得られる。
上述した第1実施形態及び第4実施形態では、図6に示す例では、第1配線1が第1黒色層16と第1導電層15とが順に積層された構成を有しており、第2配線2が第2黒色層26と第2導電層25とが順に積層された構成を有している。つまり、第1配線1の配線構造において、観察者Pに近い位置に第1黒色層16が配置されていた。同様に、第2配線2の配線構造において、観察者Pに近い位置に第2黒色層26が配置されていた。本発明は、このような実施形態の構造に限定されない。
同様に、第2配線2においては、第2黒色層26が配置される第2導電層25の面とは反対側の面に、第2下部黒色層27が設けられている。換言すると、第2配線2は、第2黒色層26である第2上部黒色層(上部黒色層)と第2下部黒色層27(下部黒色層)とによって第2導電層25が挟持された構造を有する。第2下部黒色層27は、第2導電性金属酸化物層22の下部に接触している。
なお、このような上部黒色層及び下部黒色層を備える構造は、第2実施形態及び第3実施形態にも適用可能である。
1A センス配線
1B 引き出し配線
2 第2配線
3、83 第3配線
4 第4配線
5、85 第5配線
6 第6配線
12 第2絶縁層
13 第3絶縁層
14 第4絶縁層
15 第1導電層
16 第1黒色層
20 金属層
21、97 第1導電性金属酸化物層
22、98 第2導電性金属酸化物層
23 第1下部黒色層(下部黒色層)
25、75 第2導電層
26、73 第2黒色層
27 第2下部黒色層(下部黒色層)
31、32 重畳部
40、42、44 透明基板
45 基板
51 第1電源線
52 第2電源線
54 ソース電極
55 ゲート電極
56 ドレイン電極
58 チャネル層
67 第1薄膜トランジスタ(薄膜トランジスタ)
68 第2薄膜トランジスタ(薄膜トランジスタ)
70 有効表示領域
71 角部
72 額縁部
74 重なり部
76 透明導電膜
77 接合層
78 上面
79 容量素子
81 映像信号回路(映像信号制御部)
82 走査駆動回路(映像信号制御部)
86、CHIP、LED、 発光素子
87 上部電極
88 下部電極
89 反射電極(画素電極)
90 n型半導体層
91 p型半導体層
92 発光層
93 コンタクトホール
94 バンク
95 第2平坦化層
96 第1平坦化層
99 銀合金層
100、300、500、700 対向基板
105 第2透明樹脂層
108 第1透明樹脂層
109 封止層
110 表示部
120 制御部
121 映像信号制御部
122 タッチセンシング制御部
123 システム制御部
168 アクティブ素子(薄膜トランジスタ)
200、600 アレイ基板
B 青着色層
BM ブラックマトリクス
C1、C2、C3 静電容量
CF カラーフィルタ
DSP1、DSP2、DSP3、DSP4 表示装置
F 第1面
G 緑着色層
I 絶縁層
L チャネル長
N 第2面
P 観察者
PX 画素
R 赤着色層
S 観察面
TM1 第1端子
TM2 第2端子
TFT 薄膜トランジスタ
Claims (11)
- 表示装置であって、
第1面を有する第1基板と、
前記第1面に対向する第2面を有する第2基板と、
前記第2基板の前記第2面上に設けられ、前記第1基板と対向する表示機能層と、
複数の画素を備える有効表示領域と、
前記有効表示領域を囲う額縁部と、
前記表示機能層を制御する制御部と、
を具備し、
前記第1基板は、
第1黒色層及び第1導電層で構成され、前記第1面上に形成された第1配線と、
前記有効表示領域において前記第1配線を覆う第1絶縁層と、
第2黒色層及び第2導電層で構成され、前記第1配線と直交し、前記第1絶縁層上に形成された第2配線と、を具備し、
平面視において、複数の前記第1配線と複数の前記第2配線とによって複数の前記画素が区画されており、
前記第2基板は、
第3導電層で構成され、前記第2面上に形成された第3配線と、
第3導電層で構成され、前記第3配線と平行であり、前記第2面上に形成された第4配線と、
第4導電層で構成され、前記第3配線及び前記第4配線に直交し、前記第2面上に形成された第5配線と、
前記第2面上の複数の前記画素の各々に設けられ、前記表示機能層として機能する垂直型発光ダイオードと、を具備し、
前記第2面上の複数の前記画素の各々は、
前記第3配線と前記第5配線とに電気的に連携される第1薄膜トランジスタと、
前記第1薄膜トランジスタ及び前記第4配線と電気的に連携され、かつ、前記第1薄膜トランジスタからの信号を受けて前記垂直型発光ダイオードを駆動する第2薄膜トランジスタとを具備し、
前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタの各々は、酸化物半導体で構成されるチャネル層を備え、
前記第1導電層、前記第2導電層、前記第3導電層、及び前記第4導電層は、銅層あるいは銅合金層が第1導電性金属酸化物層と第2導電性金属酸化物層とによって挟持された構成を有し、
前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタは、少なくとも、前記チャネル層上に、ソース電極とドレイン電極とが積層された構成を有し、
前記ソース電極は、前記第3配線から延出する延出線で構成され、前記第3配線の前記延出線の前記第2導電性金属酸化物層は、前記チャネル層の端部と重畳し、
前記ドレイン電極は、前記第4配線から延出する延出線で構成され、前記第4配線の前記延出線の前記第2導電性金属酸化物層は、前記チャネル層の端部と重畳し、
前記制御部は、複数の前記第1配線と複数の前記第2配線との間の静電容量の変化を検知してタッチセンシングを行う表示装置。 - 前記垂直型発光ダイオードは、上部電極、n型半導体層、発光層、P型半導体層、及び下部電極がこの順で積層された構成を有する発光ダイオードであり、
前記上部電極の表層は、少なくとも導電性金属酸化物で構成されており、かつ、前記表層が、導電性金属酸化物で構成された導電層と電気的に接続されている、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記垂直型発光ダイオードは、上部電極、n型半導体層、発光層、P型半導体層、及び下部電極がこの順で積層された構成を有する発光ダイオードであり、
前記上部電極の表層は、少なくとも導電性金属酸化物で構成されており、
前記表層は、銅層あるいは銅合金層が導電性金属酸化物層によって挟持された構成を有する第6配線と電気的に接続されている、
請求項1に記載の表示装置。 - 平面視において、前記第6配線は、前記第1配線又は前記第2配線と重畳する、
請求項3に記載の表示装置。 - 前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタの各々の前記チャネル層は、前記酸化物半導体中に酸化セリウムを含み、
前記酸化物半導体において、酸素をカウントしない元素の合計を100at%とすると、
前記酸化セリウムの量は、0.2at%以上10at%以下の範囲内にある、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記酸化物半導体は、酸化インジウムと、酸化アンチモンと、前記酸化インジウム及び前記酸化アンチモンの各々の量より少ない量を有する酸化セリウムとを含む複合酸化物であり、
前記酸化物半導体において、酸素をカウントしない元素の合計を100at%とすると、インジウム及びアンチモンの各々の量は40at%以上である、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタの各々は、前記チャネル層上にゲート絶縁膜を積層するトップゲート構造の薄膜トランジスタであり、前記ゲート絶縁膜は少なくとも酸化セリウムを含む、
請求項1、請求項5、請求項6のいずれか一項に記載の表示装置。 - 前記第1導電層、前記第2導電層、前記第3導電層、及び前記第4導電層は、銅合金層が第1導電性金属酸化物層と第2導電性金属酸化物層とによって挟持された構成を有し、
前記銅合金層は、銅に固溶する第1元素と、銅及び前記第1元素より電気陰性度が小さい第2元素を含み、
前記銅合金層の比抵抗は、1.9μΩcmから6μΩcmの範囲内にある、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1配線は、第1導電層が第1上部黒色層及び第1下部黒色層で挟持された構成を有し、
前記第2配線は、第2導電層が第2上部黒色層及び第2下部黒色層で挟持された構成を有する、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第2配線及び前記第5配線は、第1方向に延在し、
前記第1配線、前記第3配線、及び前記第4配線は、前記第1方向に直交する第2方向に延在する、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1配線及び前記第5配線は、第1方向に延在し、
前記第2配線、前記第3配線、及び前記第4配線は、前記第1方向に直交する第2方向に延在する、
請求項1に記載の表示装置。
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