JPWO2018051487A1 - 表示装置及び表示装置基板 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献3においては、ポリシリコントランジスタに接続される信号線(ゲート線とソース線)や画素電極だけでなく、タッチセンシングに関わるセンス領域とドライブ−センス接地領域及びバイパストンネル等を同一のアレイ基板上に配設することが必要である。このため、特許文献3においては、アレイ構造が極めて複雑であり、寄生容量の増加を招き易く、かつ、アレイ基板の製造工程における負荷が大きい。特許文献3には、有機EL装置等の表示装置に用いられる電極を形成する技術が開示されている。特許文献3の段落[0008]には、純Ag膜やAg合金膜の密着性が不十分であり、実用性に欠けることが記載されている。
特許文献5においては、黒色層上に、銅含有層がインジウム含有層で挟持された構成を有するタッチセンシング配線を備えた黒色基板と、黒色基板の製造方法が開示されている。しかしながら、特許文献5においては、有機ELやLED等の発光層を備える表示装置は考慮されておらず、発光層を具備するアレイ基板が適用された表示装置における技術課題は開示されていない。また、その黒色基板において、2組の黒色配線でタッチセンシングを行う構成も開示されていない。
また、画素電極(以下、反射電極と称することがある)の材料としては、光反射性の点で、銀や合金が優れている。
また、上述したように、銀や銀合金、また、銅や銅合金は、基板等に対する密着性が劣る。更に、銀は、マイグレーションや拡散によって、銀で構成される部材の周辺に位置する構成材料に対して電気特性に悪影響を与える欠点がある。
以下の説明において、同一又は実質的に同一の機能及び構成要素には、同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化し、或いは、必要な場合のみ説明を行う。各図においては、各構成要素を図面上で認識し得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。また、必要に応じて、図示が難しい要素、例えば、半導体のチャネル層を形成する複数層の構成、また、導電層を形成する複数層の構成等の図示や一部の図示が省略されている。
以下の記載において、タッチセンシングに関わる配線、電極、及び信号を、単に、タッチ駆動配線、タッチ検出配線、タッチ配線、タッチ電極、及びタッチ信号と称することがある。また、第1タッチセンシング配線及び第2タッチセンシング配線を単にタッチセンシング配線と称することがある。タッチセンシング駆動を行うためにタッチセンシング配線に印加される電圧をタッチ駆動電圧と呼ぶ。
第1黒色層及び第2黒色層を単に黒色層と称することがあり、また、第1導電層及び第2導電層を単に導電層と称することがある。
発光層(有機ELやLED)を駆動するために上部電極と下部電極(以下、下部電極を画素電極あるいは反射電極と称することがある)間に印加される電圧を画素駆動電圧と称する。発光層の駆動を単に画素駆動と言うことがある。
(表示装置DSP1の機能構成)
以下、本発明の第1実施形態に係る表示装置DSP1を、図1から図9を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る表示装置DSP1を構成する制御部及び表示部を示すブロック図である。
制御部120は、公知の構成を有し、映像信号制御部121(第一制御部)と、タッチセンシング制御部122(第二制御部)と、システム制御部123(第三制御部)とを備えている。
図2は、本発明の第1実施形態に係る表示装置DSP1を部分的に示す図であって、図3のA−A’線に沿う断面図である。
本実施形態に係る表示装置DSP1は、後述する実施形態に係る表示装置基板を具備する。また、以下に記載する「平面視」とは、観察者が表示装置DSP1の表示面(表示装置基板の平面)を観察する方向から見た平面を意味する。本発明の実施形態に係る表示装置の表示部の形状、又は画素を規定する画素開口部の形状、表示装置を構成する画素数は限定されない。
なお、以下の実施形態において、上記のように規定されたX方向とY方向を切り換えて、即ち、X方向を第2方向と定義しかつY方向を第1方向と定義し、表示装置を構成してもよい。
図2に示すように、対向基板100は、第1面Fと、第1面Fとは反対側の第2面Sとを有する透明基板40を備える。第1面Fは、アレイ基板200に対向する面である。第2面Sは、観察者に対向する面である。
透明基板40に用いることの可能な基板は、可視域において透明な基板であればよく、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板、プラスチック基板等を用いることができる。
透明基板40の第2面Sの上方には、複数の第1タッチセンシング配線1と、複数の第2タッチセンシング配線2とが設けられている。複数の第1タッチセンシング配線1と複数の第2タッチセンシング配線2との間には、絶縁層I(タッチ配線絶縁層)が設けられており、第1タッチセンシング配線1と第2タッチセンシング配線2とは、絶縁層Iによって互いに電気的に絶縁されている。
図4は、本発明の第1実施形態に係る対向基板100に設けられた第1タッチセンシング配線1を構成する第1導電層のパターンを示す平面図である。
図5は、本発明の第1実施形態に係る対向基板100に設けられた第2タッチセンシング配線2を構成する第2導電層のパターンを示す平面図である。
複数の第1タッチセンシング配線1は、第2面Sの上方に位置し、X方向に並んでおり、互いに平行にY方向に延在している。Y方向における第1タッチセンシング配線1の端部には、第1端子TM1が設けられている。複数の第1タッチセンシング配線1は、第1配線パターンを形成している。
複数の第2タッチセンシング配線2(第2配線パターン)は、複数の第1タッチセンシング配線1とアレイ基板200との間に位置しており、本実施形態では第2面Sの上方に位置している。第2タッチセンシング配線2は、センス配線2Aと、引き出し配線2Bとを有している。センス配線2Aは、Y方向に並んでおり、互いに平行にX方向に延在している。センス配線2Aは、表示部110の外側において、引き出し配線2Bと接続されている。引き出し配線2Bは、X方向に並んでおり、互いに平行にY方向に延在している。Y方向における引き出し配線2Bの端部には、第2端子TM2が設けられている。複数の第2タッチセンシング配線2は、第2配線パターンを形成している。
複数の第1タッチセンシング配線1の各々と、複数の第2タッチセンシング配線2の各々は、電気的に独立している。第1タッチセンシング配線1とセンス配線2Aは、観察者側Pから見た平面視において直交している。複数の第1タッチセンシング配線1と複数のセンス配線2Aとによって区画されている領域は、画素PXである。複数の画素PXは、表示部110においてマトリクス状に配置されている。画素PXにおける開口部の形状は、正方形パターン、長方形パターン、平行四辺形パターン等であってもよい。更に、画素PXにおける開口部の配列が、モアレ対策を施した配列、ジグザク状の配列であってもよい。
例えば、第1タッチセンシング配線1をタッチ検出電極として用い、第2タッチセンシング配線2をタッチ駆動電極として用いることができる。タッチセンシング制御部122は、タッチ信号として、第1タッチセンシング配線1と第2タッチセンシング配線2との間に生じる静電容量C1の変化を検出する。
また、第1タッチセンシング配線1の役割と第2タッチセンシング配線2の役割とを入れ替えてもよい。具体的に、第1タッチセンシング配線1をタッチ駆動電極として用い、第2タッチセンシング配線2をタッチ検出電極として用いてもよい。
また、上述した間引き駆動におけるフローティングパターンは、グランド(筐体に接地)と電気的に接続するように切り替えることもできる。タッチセンシングのS/N比を改善させるため、タッチセンシングの信号が検出された際に、TFT(薄膜トランジスタ)等アクティブ素子の信号配線を、一時、グランド(筐体等)に接地してもよい。
図6は、本発明の第1実施形態に係る対向基板100に設けられた第1タッチセンシング配線1、絶縁層I、及び第2タッチセンシング配線2を示す図であって、図2における符号W1で示された部分を示す拡大断面図である。
本実施形態では、観察者Pが表示装置DSP1を観察する方向、即ち、透明基板40の第2面Sから第1面Fに向けた方向を、観察方向OB(図2に示すZ方向とは反対方向)と称している。
複数の第1タッチセンシング配線1は、観察方向OBにおいて第1黒色層16と第1導電層15とが順に積層された構成を有している。複数の第2タッチセンシング配線2は、観察方向OBにおいて第2黒色層26と第2導電層25とが順に積層された構成を有している。第2黒色層26は、第1黒色層16と同じ構成を有する。第2導電層25は、第1導電層15と同じ構成を有する。即ち、第1タッチセンシング配線1及び第2タッチセンシング配線2は同じ層構造を有する。
絶縁層Iは、第2面Sの上方に設けられており、第1タッチセンシング配線1と第2タッチセンシング配線2との間に配置されている。
図6においては、第1タッチセンシング配線1及び第2タッチセンシング配線2の各々が黒色層と導電層とで構成された2層積層構造を有しているが、本発明は、この構造を限定しない。第1タッチセンシング配線1及び第2タッチセンシング配線2の各々が2層よりも多い層数を有する積層構造で形成されてもよい。また、2つの黒色層によって導電層が挟持された3層積層構造が採用されてもよい。
断面視において、第1タッチセンシング配線1と第2タッチセンシング配線2の各々を構成する黒色層及び導電層の線幅を略同じにすることができる。具体的に、公知のフォトリソグラフィの手法を用いて、導電層を形成した後、パターニングされた導電層をマスクとして用いたドライエッチングを行うことで、黒色層と導電層との断面視における線幅が略同じとなるように、タッチセンシング配線を形成することができる。例えば、特開2015−004710号公報に記載の技術を適用できる。
第1導電層15及び第2導電層25の少なくとも一部を構成する金属層20を、導電性金属酸化物層21、22で挟持することができる。換言すれば、第1導電層15や第2導電層25の構造として、第1導電性金属酸化物層21、金属層20、及び第2導電性金属酸化物層22で構成された3層構造を採用することができる。第1導電性金属酸化物層21と金属層20との界面、又は、第2導電性金属酸化物層22と金属層20との界面に、ニッケル、亜鉛、インジウム、チタン、モリブデン、タングステン等、銅と異なる金属やこれら金属の合金層を更に挿入してもよい。
具体的に、第1導電性金属酸化物層21及び第2導電性金属酸化物層22の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化アンチモン、酸化錫、酸化ガリウム、及び酸化ビスマスから構成される群より選択される2種以上の金属酸化物を含む複合酸化物を採用することができる。これら金属酸化物の組成を調整することで、仕事関数の値を調整することができ、発光層として有機ELを採用した場合のキャリア放出性を調整することができる。
即ち、導電性金属酸化物層は、酸化インジウム、酸化亜鉛、及び酸化錫を含む複合酸化物で形成され、複合酸化物に含まれるインジウム(In)と亜鉛(Zn)と錫(Sn)のIn/(In+Zn+Sn)で示される原子比は、0.8より大きく、かつ、Zn/Snの原子比が1より大きい。
インジウム(In)の量は、80at%より多いことが好ましい。インジウム(In)の量は、90at%より多いことが更に好ましい。インジウム(In)の量が80at%より少ない場合、形成される導電性金属酸化物層の比抵抗が大きくなり、好ましくない。亜鉛(Zn)の量が20at%を超えると、導電性金属酸化物(混合酸化物)の耐アルカリ性が低下するので好ましくない。上記の第1導電性金属酸化物層21及び第2導電性金属酸化物層22においては、いずれも、混合酸化物中の金属元素でのアトミックパーセント(酸素元素をカウントしない金属元素のみのカウント)である。酸化アンチモンや酸化ビスマスは、金属アンチモンや金属ビスマスが銅との固溶域を形成しにくく、積層構造での銅の拡散を抑制するため、上記導電性金属酸化物層に加えることができる。
第1導電層15及び第2導電層25は、金属層20等の導電材料で形成できる。金属層20としては、例えば、銅層や銅合金層、銀層や銀合金層、或いは、アルミニウムを含有するアルミニウム合金層(アルミニウム含有層)、更には、金、チタン、モリブデン、或いはこれらの合金を採用することができる。ニッケルは強磁性体であるため、成膜レートが落ちるものの、スパッタリング等の真空成膜で形成することができる。クロムは、環境汚染の問題や抵抗値が大きいというデメリットを有するが、本実施形態に係る金属層の材料として用いることができる。透明基板40や透明樹脂層に対する導電層の密着性を得るために、銅や銀、あるいはアルミニウムに、マグネシウム、カルシウム、チタン、モリブデン、インジウム、錫、亜鉛、ネオジウム、ニッケル、アルミニウム、アンチモンから構成される群より選択される1以上の金属元素が添加された合金を採用することが好ましい。
第1黒色層16及び第2黒色層26は、表示装置DSP1のブラックマトリクスとして機能する。黒色層は、例えば、黒色の色材を分散させた着色樹脂で構成されている。銅の酸化物や銅合金の酸化物は、十分な黒色や低い反射率を得にくい。例えば、黒色層を金属酸化物で形成する場合、おおよそ10%から30%の可視域の光反射率であり、かつ、可視域においてフラットな反射率を得にくく着色して見える。本実施形態に係る黒色層とガラス等の基板や、透明樹脂層との間の界面における可視光の反射率は略3%以下に抑えられ、高い視認性が得られる。前記透明樹脂は、表示装置への保護ガラス貼り付けのための接着層を含む。
また、観察者の視認性の向上を配慮して、黒色層の反射率は、3%以下とすることが望ましい。なお、通常、カラーフィルタに用いられるアクリル樹脂、また、液晶材料の屈折率は、おおよそ1.5以上1.7以下の範囲である。なお、赤色、緑色、青色の各々複数着色画素を具備するカラーフィルタを、対向基板上に配設してもよい。
次に、表示装置DSP1を構成するアレイ基板200の構造について説明する。
アレイ基板200の基板45としては、透明基板を用いる必要はなく、例えば、アレイ基板200に適用可能な基板として、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板、シリコン、炭化シリコンやシリコンゲルマニウムなどの半導体基板、あるいはプラスチック基板等が挙げられる。
アレイ基板200においては、第4絶縁層14、第4絶縁層14上に形成されたアクティブ素子68、第4絶縁層14及びアクティブ素子68を覆うように形成された第3絶縁層13、アクティブ素子68のチャネル層58に対向するように第3絶縁層13上に形成されたゲート電極95、第3絶縁層13及びゲート電極95を覆うように形成された第2絶縁層12、及び第2絶縁層12上に形成された平坦化層96が、基板45上に、順に積層されている。
更に、下部電極88、バンク94、及び平坦化層96を覆うようにホール注入層91が形成されている。ホール注入層91上には、順に、発光層92、上部電極87、及び封止層109が積層されている。
下部電極88は、後述するように、銀あるいは銀合金層が導電性金属酸化物層によって挟持された構成を有する。
なお、図2において、符号29は、下部電極88、ホール注入層91、発光層92、及び上部電極87で構成された発光領域を示している。
また、上記複合酸化物層を導電性金属酸化物層に適用し、銀合金層の膜厚を、例えば、100nmから250nmの範囲内、あるいは、300nm以上の膜厚に設定し、導電性金属酸化物層によって銀合金層が挟持された3層積層構造を採用してもよい。この場合、可視光に対して高い反射率を有する反射電極を実現することができる。
平坦化層96の材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド樹脂等を用いてもよい。低誘電率材料(low−k材料)を用いることもできる。
なお、視認性向上のため、平坦化層96や封止層109、あるいは、基板45のいずれかが、光散乱の機能を有してもよい。あるいは、基板45の上方に光散乱層を形成してもよい。
図7は、本発明の第1実施形態に係る表示装置DSP1を部分的に示す拡大図であり、図3のB−B’線に沿う断面図である。また、図7は、画素電極に接続されているアクティブ素子68として用いられるトップゲート構造を有する薄膜トランジスタ(TFT)の構造の一例を示している。なお、図7においては、対向基板100と封止層109を省略している。
例えば、IGZOと称される酸化物半導体は、スパッタリングなどの真空成膜で一括して形成される。酸化物半導体が成膜された後においては、TFT等のパターン形成後の熱処理も一括して行われる。このため、チャネル層に関わる電気的特性(例えば、Vth)のばらつきが極めて少ない。有機ELやLEDの駆動はその輝度のばらつきを抑えるため、前記薄膜トランジスタのVthのばらつきを小さい範囲に抑える必要がある。
チャネル層の上面が、例えば、異なる酸化物半導体で覆われた構成を採用してもよい。
あるいは、例えば、結晶性のn型酸化物半導体上に、微結晶の(非晶質に近い)酸化物半導体が積層された積層構造を採用してもよい。ここで微結晶とは、例えば、スパッタリング装置にて成膜された非晶質の酸化物半導体を、180℃以上450℃以下の範囲で熱処理した微結晶状の酸化物半導体膜を言う。あるいは、成膜時の基板温度を200℃前後に設定した状態で成膜された微結晶状の酸化物半導体膜を言う。微結晶状の酸化物半導体膜は、TEMなどの観察方法により、少なくとも1nmから3nm前後、或いは、3nmより大きい結晶粒を観察することができる酸化物半導体膜である。
酸化物半導体は、非晶質から結晶質に変化させることで、キャリア移動度の改善や信頼性の向上を実現することができる。酸化インジウムや酸化ガリウムの酸化物としての融点は高い。酸化アンチモンや酸化ビスマスの融点はいずれも1000℃以下で、酸化物の融点が低い。例えば、酸化インジウムと酸化ガリウムと酸化アンチモンの3元系複合酸化物を採用した場合、融点の低い酸化アンチモンの効果で、この複合酸化物の結晶化温度を低くすることができる。換言すれば、非晶質状態から、微結晶状態などに結晶化させ易い酸化物半導体を提供できる。酸化物半導体は、その結晶性を高めることで、キャリア移動度や信頼性を向上させ得る。
例えば、In:Sb=1:1の原子比で、酸化インジウム及び酸化アンチモンの2元系複合酸化物としてもよい。例えば、In:Bi=1:1の原子比で、酸化インジウム及び酸化ビスマスの2元系複合酸化物としてもよい。
また、上記原子比においては、Inの含有量を更に増やしてもよい。
なお、複合酸化物の組成は、上記組成に限定されない。
例えば、酸化インジウム、酸化ガリウム、及び酸化アンチモンを含む3元系金属酸化物に酸化錫を加えて得られたターゲットを用いてスパッタリング成膜を行う。これにより、キャリア濃度が向上した複合酸化物を成膜することができる。同様に、例えば、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化ビスマスの3元系金属酸化物に酸化錫を加えて得られたターゲットを用いてスパッタリング成膜を行うことで、キャリア濃度が向上した複合酸化物を成膜することができる。
図9に示す構造において、ゲート電極95を構成する金属層20は、銅層或いは銅合金層、または、銀或いは銀合金で形成されている。ゲート電極95においては、金属層20は、導電性金属酸化物層97、98で挟持されている。導電性金属酸化物層97、98の材料としては、第1実施形態で説明した導電性金属酸化物層21、22を構成する導電性金属酸化物を用いることができる。
第3絶縁層13と接触するゲート電極95の界面に、電気的性質の異なる酸化物半導体を更に挿入してもよい。あるいは、第3絶縁層13を酸化セリウムや酸化ガリウムを含む絶縁性の金属酸化物層で形成してもよい。
銅層の結晶(グレイン)内で銅原子の一部と置き換わって銅の格子位置に配置できる元素を銅に添加することは、言い換えると、常温付近で銅と固溶体を形成する金属や半金属を銅に添加することである。銅と固溶体を形成し易い金属は、マンガン、ニッケル、亜鉛、パラジウム、ガリウム、金(Au)等が挙げられる。銅層の結晶粒界に析出して銅のグレイン近傍の銅原子の動きを抑制する元素を銅に添加することは、言い換えると、常温付近で銅と固溶体を形成しない金属や半金属を添加することである。銅と固溶体を形成しない或いは銅と固溶体を形成しにくい金属や半金属には種々の材料が挙げられる。例えば、チタン、ジルコニウム、モリブデン、タングステン等の高融点金属、シリコン、ゲルマニウム、アンチモン、ビスマス等の半金属と称される元素等を挙げることができる。上記合金元素は、銀合金に添加される添加元素として用いることができる。
図7に示すように、アレイ基板200は、表示機能層である発光層92(有機EL層)を含む。発光層92は、一対の電極間に電界が与えられた時に、陽極(例えば、上部電極)から注入されるホールと、陰極(例えば、下部電極、画素電極)から注入される電子が再結合することにより励起され、発光する表示機能層である。
発光層92は、少なくとも、発光の性質を有する材料(発光材料)を含有するとともに、好ましくは、電子輸送性を有する材料とを含有する。発光層92は、陽極と陰極の間に形成される層であり、下部電極88(陽極)の上にホール注入層91が形成されている場合は、ホール注入層91と上部電極87(陰極)との間に発光層92が形成される。また、陽極の上にホール輸送層が形成されている場合は、ホール輸送層と陰極との間に発光層92が形成される。上部電極87と下部電極88の役割は入れ替えることができる。
青色発光を与える発光材料としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、クリセン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。緑色発光を与える発光材料としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Al(C9H6NO)3等のアルミニウム錯体等が挙げられる。
赤色発光を与える発光材料としては、例えば、DCM(4−(dicyanomethylene)−2−methyl−6−(p−dimethylaminostyryl)−4H−pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
上記の発光層92を構成する有機EL層の構成や発光材料等は、上記材料に限られない。
下部電極88は、反射層89と導電性金属酸化物層97、98とが積層された構造を有する。なお、上部電極87と下部電極88の間に、発光層92のほかに電子注入層、電子輸送層、ホール輸送層などを挿入してもよい。
ホール注入層91には、酸化タングステンや酸化モリブデン等の高融点金属酸化物を用いることができる。反射層89には、光の反射率が高い銀合金、アルミニウム合金等が適用できる。なお、ITO等の導電性金属酸化物は、アルミニウムとの密着性が良くない。電極やコンタクトホール等の界面が、例えば、ITOとアルミニウム合金の場合は電気的接続不良を生じ易い。銀や銀合金は、ITO等の導電性金属酸化物との密着性が良好で、かつ、ITO等の導電性金属酸化物はオーミックコンタクトを得易い。
図8に示すように、本実施形態では、銀のマイグレーションを抑制するため、下部電極88は、銀あるいは銀合金層(反射層89)が導電性金属酸化物層97、98で挟持された3層構造を有する。導電性金属酸化物層97、98の材料としては、第1実施形態で説明した導電性金属酸化物層21、22を構成する導電性金属酸化物を用いることができる。
また、表示機能層に関し、発光層92(有機EL層)に代えて液晶層を用いる場合、銀合金層の膜厚を100nmから500nm膜厚にすることで、銀合金層を画素電極(下部電極)に用いることができ、反射型の液晶表示装置を実現することができる。
なお、対向基板100とアレイ基板200とが貼り合わされるシール部(不図示)において、対向基板100からアレイ基板200への導通の転移(トランスファ)を、シール部の厚み方向に行うことも可能である。異方性導電膜、微小な金属球、或いは金属膜で覆った樹脂球等から選ばれる導体をシール部に配置することで、対向基板100とアレイ基板200とを導通することができる。
なお、上記実施形態では、発光層92として有機エレクトロルミネセンス層(有機EL)を採用した構造を説明した。発光層92は、無機の発光ダイオード層であってもよい。また、発光層92は、無機のLEDチップがマトリクス状に配列された構造を有してもよい。この場合、赤色発光、緑色発光、青色発光の各々微小なLEDチップをアレイ基板200上にマウントしてもよい。LEDチップをアレイ基板200に実装する方法としては、フェースダウンによる実装を行ってもよい。
以下、図面を参照しながら本発明の第2実施形態について説明する。
第2実施形態においては、第1実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図10は、本発明の第2実施形態に係る表示装置DSP2を部分的に示す断面図である。表示装置DSP2においては、有機ELを表示機能層(発光層)として用いている。
また、第1タッチセンシング配線1の役割と第2タッチセンシング配線2の役割とを入れ替えてもよい。具体的に、第1タッチセンシング配線1をタッチ駆動電極として用い、第2タッチセンシング配線2をタッチ検出電極として用いてもよい。
以下、図面を参照しながら本発明の第3実施形態について説明する。
第3実施形態においては、第1実施形態及び第2実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図11は、本発明の第3実施形態に係る表示装置DSP3を部分的に示す断面図である。
複数の第1タッチセンシング配線1と複数の第2タッチセンシング配線2との間には、絶縁層I(タッチ配線絶縁層)が設けられており、第1タッチセンシング配線1と第2タッチセンシング配線2とは、絶縁層Iによって互いに電気的に絶縁されている。
図11に示す構造では、第1透明樹脂層108と第2透明樹脂層105とが貼り合わされている。
図12に示すように、第2タッチセンシング配線2は、観察方向OBにおいて第2黒色層76と第2導電層75とが順に積層された構成を有している。第2黒色層76は、第1実施形態の第2黒色層26と同じ構成を有する。第2導電層75は、第1実施形態の第2導電層25と同じ構成を有する。
また、第1タッチセンシング配線1の役割と第2タッチセンシング配線2の役割とを入れ替えてもよい。具体的に、第1タッチセンシング配線1をタッチ駆動電極として用い、第2タッチセンシング配線2をタッチ検出電極として用いてもよい。
以下、図面を参照しながら本発明の第4実施形態について説明する。
第4実施形態においては、第1実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図13は、本発明の第4実施形態に係る表示装置DSP4を部分的に示す断面図である。
第4実施形態によれば、発光層92の発光に伴って、フルカラー表示を実現することができる。
2・・・第2タッチセンシング配線
2A・・・センス配線(第2タッチセンシング配線2)
2B・・・引き出し配線(第2タッチセンシング配線2)
15・・・第1導電層
16・・・第1黒色層
12・・・第2絶縁層
13・・・第3絶縁層
14・・・第4絶縁層
20・・・金属層
21、97・・・第1導電性金属酸化物層
22、98・・・第2導電性金属酸化物層
25、75・・・第2導電層
26、76・・・第2黒色層
40・・・透明基板
42・・・透明基板
44・・・透明基板
45・・・基板
54・・・ソース電極
56・・・ドレイン電極
58・・・チャネル層
68・・・アクティブ素子
87・・・上部電極
88・・・下部電極(画素電極)
89・・・反射層
91・・・ホール注入層
92・・・発光層
93・・・コンタクトホール
94・・・バンク
95・・・ゲート電極
96・・・平坦化層
100、300、500、700・・・対向基板(表示装置基板)
105・・・第2透明樹脂層
108・・・第1透明樹脂層
109・・・封止層
110・・・表示部
120・・・制御部
121・・・映像信号制御部
122・・・タッチセンシング制御部
123・・・システム制御部
200、400、600・・・アレイ基板
F・・・第1面
S・・・第2面
I・・・絶縁層
P・・・観察者
R・・・赤着色層(カラーフィルタ)
G・・・緑着色層(カラーフィルタ)
B・・・青着色層(カラーフィルタ)
OB・・・観察方向
BM・・・ブラックマトリクス
PX・・・画素
TFT・・・薄膜トランジスタ
TM1・・・第1端子
TM2・・・第2端子
C1、C2、C3・・・静電容量
CF・・・カラーフィルタ
DSP1、DSP2、DSP3、DSP4・・・表示装置
Claims (13)
- 表示装置であって、
銀あるいは銀合金層が導電性金属酸化物層によって挟持された構成を有する電極と、前記電極から印加される駆動電圧で発光する発光層と、ゲート絶縁層と接触しかつ酸化物半導体で構成されたチャネル層を有するとともに前記発光層を駆動するアクティブ素子と、を備えるアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向する第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有する透明基板と、前記第2面から前記第1面に向けた観察方向において第1黒色層と第1導電層とが順に積層された構成を有しかつ前記第2面上にて第1方向に並ぶように互いに平行に延在する複数の第1タッチセンシング配線と、前記観察方向において第2黒色層と第2導電層とが順に積層された構成を有しかつ前記複数の第1タッチセンシング配線と前記アレイ基板との間に位置するとともに平面視にて前記第1方向と直交する第2方向に並ぶように互いに平行に延在する複数の第2タッチセンシング配線と、平面視において前記複数の第1タッチセンシング配線と前記複数の第2タッチセンシング配線とによって区画される複数の画素と、を備える表示装置基板と、
第1タッチセンシング配線と第2タッチセンシング配線との間の静電容量の変化を検知してタッチセンシングを行う制御部と、
を含む表示装置。 - 前記第1タッチセンシング配線及び前記第2タッチセンシング配線は、前記第2面の上に形成され、
前記第1タッチセンシング配線と前記第2タッチセンシング配線との間には絶縁層が設けられ、
前記第1タッチセンシング配線及び前記第2タッチセンシング配線は、互いに電気的に絶縁されている請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1タッチセンシング配線は、前記第2面の上に形成され、
前記第2タッチセンシング配線は、前記第1面の上に形成されている請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1面の上に、前記観察方向において、順に、前記第1タッチセンシング配線及び前記第2タッチセンシング配線が形成され、
前記第1タッチセンシング配線と前記第2タッチセンシング配線との間には絶縁層が設けられ、
前記第1タッチセンシング配線及び前記第2タッチセンシング配線は、互いに電気的に絶縁されている請求項1に記載の表示装置。 - 前記酸化物半導体は、
ガリウム、インジウム、亜鉛、錫、アルミニウム、ゲルマニウム、及びセリウムから構成される群より選択される1種以上を含有する金属酸化物と、
少なくとも、アンチモン、ビスマスのうちいずれかを含有する金属酸化物と、
を含む請求項1に記載の表示装置。 - 前記ゲート絶縁層は、酸化セリウムを含む複合酸化物で形成されている請求項1に記載の表示装置。
- 前記アクティブ素子に電気的に連携された複数の配線のうち、少なくともゲート配線は、銀層、銀合金層、銅層、及び銅合金層から構成される群より選択される層が導電性金属酸化物層によって挟持された3層構造を有する請求項1に記載の表示装置。
- 前記発光層が、発光ダイオード層を含む請求項1に記載の表示装置。
- 前記発光層が、有機エレクトロルミネセンス層を含む請求項1に記載の表示装置。
- 請求項1に記載の表示装置に用いられる表示装置基板であって、
前記第1導電層及び前記第2導電層は、銀層、銀合金層、銅層、及び銅合金層から構成される群より選択される層が導電性金属酸化物層によって挟持された3層構造を有する表示装置基板。 - 前記導電性金属酸化物層は、
酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化アンチモン、酸化錫、酸化ガリウム、及び酸化ビスマスから構成される群より選択される2種以上の金属酸化物を含む複合酸化物で形成されている請求項10に記載の表示装置基板。 - 前記導電性金属酸化物層は、酸化インジウム、酸化亜鉛、及び酸化錫を含む複合酸化物で形成され、
前記複合酸化物に含まれるインジウム(In)と亜鉛(Zn)と錫(Sn)のIn/(In+Zn+Sn)で示される原子比は、0.8より大きく、かつ、Zn/Snの原子比が1より大きい請求項10に記載の表示装置基板。 - 前記複数の画素は、カラーフィルタを備える請求項10に記載の表示装置基板。
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Citations (10)
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---|---|---|---|---|
JP2003168647A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-06-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2006114928A (ja) * | 2005-12-09 | 2006-04-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | n型無機半導体、n型無機半導体薄膜及びその製造方法 |
JP2006128108A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光素子 |
JP2012198740A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Panasonic Corp | タッチパネルおよびタッチパネルを備えた表示装置 |
JP2015144240A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-08-06 | 株式会社リコー | p型酸化物半導体、p型酸化物半導体製造用組成物、p型酸化物半導体の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
JP2015187701A (ja) * | 2013-12-02 | 2015-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置およびその作製方法 |
JP5807726B1 (ja) * | 2014-07-10 | 2015-11-10 | 凸版印刷株式会社 | 黒色電極基板、黒色電極基板の製造方法、及び表示装置 |
JP2016024943A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、及び、電子デバイス |
WO2016088488A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 凸版印刷株式会社 | 表示装置基板、表示装置基板の製造方法、及び、これを用いた表示装置 |
JP2016155377A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 日東電工株式会社 | 光透過性フィルム |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS587726B2 (ja) | 1975-01-08 | 1983-02-12 | 東レ株式会社 | 帯電防止性の優れたポリエステル混繊糸およびその製造方法 |
JPS54119558A (en) | 1978-03-10 | 1979-09-17 | Teraoka Giken Kk | Parison control apparatus |
JP2006245031A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタパネル |
KR100864631B1 (ko) * | 2007-02-23 | 2008-10-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR20100024710A (ko) * | 2008-08-26 | 2010-03-08 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101097337B1 (ko) * | 2010-03-05 | 2011-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP5864875B2 (ja) * | 2010-03-22 | 2016-02-17 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置 |
KR101760792B1 (ko) * | 2010-10-29 | 2017-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서 내장형 평판표시장치 |
US9400576B2 (en) | 2011-07-19 | 2016-07-26 | Apple Inc. | Touch sensor arrangements for organic light-emitting diode displays |
JP6099875B2 (ja) | 2011-11-22 | 2017-03-22 | 東レ株式会社 | 積層体の製造方法 |
WO2013118214A1 (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-15 | パナソニック株式会社 | 情報表示装置 |
KR101971147B1 (ko) * | 2012-04-09 | 2019-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서를 포함하는 표시 장치 |
JP2014120487A (ja) | 2012-12-12 | 2014-06-30 | Kobelco Kaken:Kk | 表示装置または入力装置に用いられる電極、および電極形成用スパッタリングターゲット |
KR20140143631A (ko) * | 2013-06-07 | 2014-12-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP5673782B1 (ja) * | 2013-11-11 | 2015-02-18 | 凸版印刷株式会社 | 液晶表示装置 |
KR102163730B1 (ko) * | 2014-03-25 | 2020-10-08 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
CN105320333B (zh) * | 2014-07-29 | 2018-10-23 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 | 有机电激发光抗扰触控面板 |
JP2016076418A (ja) | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 株式会社Joled | 有機el素子 |
CN105355661A (zh) * | 2015-10-10 | 2016-02-24 | 无锡盈芯半导体科技有限公司 | 一种薄膜晶体管及其半导体沟道层的制备方法 |
-
2016
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003168647A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-06-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2006128108A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光素子 |
JP2006114928A (ja) * | 2005-12-09 | 2006-04-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | n型無機半導体、n型無機半導体薄膜及びその製造方法 |
JP2012198740A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Panasonic Corp | タッチパネルおよびタッチパネルを備えた表示装置 |
JP2015187701A (ja) * | 2013-12-02 | 2015-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置およびその作製方法 |
JP2015144240A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-08-06 | 株式会社リコー | p型酸化物半導体、p型酸化物半導体製造用組成物、p型酸化物半導体の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
JP5807726B1 (ja) * | 2014-07-10 | 2015-11-10 | 凸版印刷株式会社 | 黒色電極基板、黒色電極基板の製造方法、及び表示装置 |
JP2016024943A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、及び、電子デバイス |
WO2016088488A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 凸版印刷株式会社 | 表示装置基板、表示装置基板の製造方法、及び、これを用いた表示装置 |
JP2016155377A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 日東電工株式会社 | 光透過性フィルム |
Also Published As
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---|---|
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