JP6330975B1 - 表示装置及び表示装置基板 - Google Patents
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Abstract
Description
以下の説明において、同一又は実質的に同一の機能及び構成要素には、同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化し、或いは、必要な場合のみ説明を行う。各図においては、各構成要素を図面上で認識し得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。また、必要に応じて、図示が難しい要素、例えば、表示装置を構成する絶縁層、バッファ層、半導体のチャネル層を形成する複数層の構成、また、導電層を形成する複数層の構成、液晶層に初期配向を付与する配向膜、偏光フィルム、位相差フィルム等の光学フィルム、保護用のカバーガラス、バックライト等の図示が省略されている。
例えば、第1基板としてガラス基板等の可視域透明な基板を用い、第2基板としてシリコン基板等を用いて反射型の表示装置を構成することができる。
(表示装置DSP1の機能構成)
以下、本発明の第1実施形態に係る表示装置DSP1を、図1から図11を参照しながら説明する。
以下に述べる各実施形態においては、特徴的な部分について説明し、例えば、通常の液晶表示装置に用いられている構成要素と本実施形態に係る表示装置との差異がない部分については説明を省略する。
本発明の実施形態に係る表示装置DSP1において、表示機能層は液晶層であり、第2アクティブ素子は薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)であり、液晶層を駆動する。
制御部120は、公知の構成を有し、映像信号制御部121(第一制御部)と、タッチセンシング制御部122(第二制御部)と、システム制御部123(第三制御部)とを備えている。タッチセンシング制御部122とシステム制御部123との間には、アンテナユニット11〜14が設けられている。
このような機能を有するシステム制御部123においては、例えば、表示装置DSP1が拾ってしまう外部環境からのノイズの周波数を検知し、ノイズ周波数とは異なるタッチセンシング駆動周波数を選択してもよい。これによって、ノイズの影響を軽減することができる。また、このようなシステム制御部123においては、指やペン等のポインタの走査速度に合わせたタッチセンシング駆動周波数を選定することもできる。
本実施形態に係る液晶表示装置は、後述する実施形態に係る表示装置基板を具備することができる。また、以下に記載する「平面視」とは、第1基板から前記第2基板に向かう方向から見た平面視を意味し、すなわち、観察者が液晶表示装置の表示面(表示装置基板の平面)を観察する方向から見た平面を意味する。本発明の実施形態に係る液晶表示装置の表示部の形状、又は画素を規定する画素開口部の形状、液晶表示装置を構成する画素数は限定されない。ただし、以下に詳述する実施形態では、平面視、画素開口部の短辺の方向をX方向と規定し、長辺の方向(長手方向)をY方向と規定し、更に、透明基板の厚さ方向をZ方向と規定し、液晶表示装置を説明する。以下の実施形態において、上記のように規定されたX方向とY方向を入れ替えて、液晶表示装置を構成してもよい。
表示装置DSP1は、第1面101を有する第1透明基板1を備える表示装置基板100(第1基板)と、第1面101に対向する第2面201を有する第2透明基板2を備えるアレイ基板200(第2基板)と、第1透明基板1と第2透明基板2との間に位置する液晶層4(表示機能層)を備える。換言すると、表示装置DSP1は、第1透明基板1と第2透明基板2とが向かい合うように、液晶層4を介して表示装置基板100とアレイ基板200とを貼り合わせた構造を有する。
図3は、本発明の第1実施形態に係る表示装置を構成する表示装置基板100を示す平面図である。なお、図3は、観察者から表示装置基板100を見た平面図であるが、遮光性を有するブラックマトリクス3を透視するように表示装置基板100の構成要素が示されている。
図3に示すように、表示装置基板100における第1透明基板1の第1面101上には、ブラックマトリクス3、第1導電配線21、第2導電配線22、第1アンテナユニット11、第2アンテナユニット12、電力受電部15、電源制御部16、タッチ駆動制御部17、タッチ駆動スイッチング回路18、タッチ検知スイッチング回路19、タッチ信号送受信制御部20、及び検波・AD変換部30が設けられている。第1アンテナユニット11、第2アンテナユニット12、タッチ駆動スイッチング回路18、タッチ検知スイッチング回路19等の回路を電気的に接続する引き回し配線は、第1導電配線21の一部及び第2導電配線22の一部が用いられている。ブラックマトリクス3は、矩形状の有効表示領域71と、有効表示領域71を囲む額縁領域72とを具備する。図3に示される電力受電部15、電源制御部16、タッチ駆動制御部17、タッチ駆動スイッチング回路18、タッチ検知スイッチング回路19、タッチ信号送受信制御部20、検波・AD変換部30等は、本発明の「タッチセンシングを制御する回路」を意味する。また、第1導電配線21の一部と、第2導電配線22の一部と、第1アクティブ素子は、タッチセンシングを制御する回路を構成する。電力受電部15は、受信電圧を平滑化、定電圧化し、タッチ駆動電圧として電源制御部16に出力する。
図4は、本発明の第1実施形態に係る表示装置を構成するアレイ基板200を示す平面図である。
図4に示すように、アレイ基板200における第2透明基板2の第2面201上には、第3アンテナユニット13、第4アンテナユニット14、ソース信号スイッチング回路26、ゲート信号スイッチング回路27、電力送電部28、信号送受信部29等の回路、及びFPCが設けられている。アレイ基板200において画素開口部10に相当する位置には薄膜トランジスタが設けられている。第3アンテナユニット13及び第4アンテナユニット14は、巻き方向が互いに逆であり、かつ、巻き数が2以上であるループアンテナ対を含む。
次に、上述した第1導電配線21、第2導電配線22、第5導電配線55、及び第6導電配線56、及び、後述する第3導電配線23及び第4導電配線24の構造について説明する。これらの導電配線のうち、代表として、第1導電配線21を参照して導電配線の構造について説明する。第1導電配線21の構造及び構成材料は、第2導電配線22、第3導電配線23、第4導電配線24、第5導電配線55、及び第6導電配線56に適用することができる。
銅合金層8は、銅に固溶する第1元素と、銅及び第1元素より電気陰性度が小さい第2元素とを含む。第1元素及び前記第2元素は、銅に添加する場合の比抵抗上昇率が1μΩcm/at%以下の元素である。銅合金層の比抵抗は、1.9μΩcmから6μΩcmの範囲内にある。本実施形態において、銅と固溶する元素とは、例えば、車載向けを含む電子機器の使用範囲である−(マイナス)40℃から+(プラス)80℃の温度領域で、銅に対して安定した置換型固溶が得られる元素であると言い換えることができる。また、元素(複数種でもよい)の銅への添加量は、その銅合金の電気抵抗率(比抵抗と同義)が6μΩcmを超えない範囲であればよい。マトリクス母材を銅とする場合に、銅に対し、広い固溶域を持つ金属は、金(Au)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、パラジウム(Pd)、マンガン(Mn)が例示できる。アルミニウム(Al)は広くはないが、銅への固溶域を持つ。
純粋な銅に対して亜鉛及びカルシウムを合計0.4at%添加された銅合金の電気抵抗率は、約1.9μΩcmとなる。従って、本発明の実施形態に係る銅合金層8の電気抵抗率の下限は、1.9μΩcmとなる。なお、カルシウム(Ca)、カドミウム(Cd)、亜鉛(Zn)、銀(Ag)を合金元素として用いた場合において、銅に対する添加量が5at%を超えてくると、銅合金の電気抵抗率が顕著に増加するので、少なくとも5at%以下の添加量であることが好ましい。
そこで、第1導電性金属酸化物層と銅合金層と第2導電性金属酸化物層の3層を、例えば、室温(25℃)から200℃未満の基板温度で連続成膜を行う。更に、チャネル層のパターンを形成した後における後工程で、例えば、200℃〜300℃の低温アニーリングを施す。あるいは、300℃を超え、600℃までの高温アニーリングを施してもよい。これにより、電気抵抗率を含む電気特性改善が可能である。
Cu5Caや、熱処理時において銅合金の表面又は導電性金属酸化物と銅合金との界面に形成されるCaO等は、銅の拡散を抑制し、銅配線の信頼性の向上に寄与する。
カルシウムを銅合金に添加することによって、主として、CaOやCu5Ca等の析出物が形成されることによる銅の拡散を防止することができる。
次に、上述した第1導電性金属酸化物層7及び第2導電性金属酸化物層9、及び後述する第3導電性金属酸化物層、第4導電性金属酸化物層、第5導電性金属酸化物層、及び第6導電性金属酸化物層の構造について説明する。以下、第1〜第6導電性金属酸化物層を単に導電性金属酸化物層と呼称する。
導電性金属酸化物層の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化アンチモン、酸化ガリウム、酸化錫から選択される2種以上の金属酸化物を含む複合酸化物を採用することができる。
次に、図6〜図10を参照し、図3に示す第1アンテナユニット11の具体的な構造について説明する。
図6は、本発明の第1実施形態に係る表示装置基板100に形成された第1アンテナユニットを拡大して示す部分平面図である。図7は、図6のA−A’線に沿う断面図である。図8は、表示装置基板100に形成された第1アンテナユニット11と、アレイ基板200に形成された第3アンテナユニット13の重なりを示す斜視図である。図9は、ループアンテナの周囲を導体で囲った場合において渦電流の発生を説明するための説明図である。図10は、表示装置基板100に形成されたアクティブ素子を部分的に示す断面図である。
以下の説明では、第1アンテナユニット11、第2アンテナユニット12、第3アンテナユニット13、及び第4アンテナユニット14のうち、代表として、第1アンテナユニット11の構造について説明するが、他のアンテナユニットにおいても、同様の構造を採用することができる。また、以下の説明では、単に「アンテナユニット」と称する場合がある。
(a)巻き数を増やすこと
(b)例えば、13.56MHz等の周波数を前提にカードサイズ等の大きなアンテナ径を確保すること
(c)導電配線の導電率を確保すること等
なお、アンテナ径とは、アンテナの平面視、長軸と短軸との平均値を目安としている。その一方、本発明の実施形態に係るループアンテナの通信距離は、有機EL層に用いる封止層の厚みや液晶層の厚みであり、例えば、0.5μm〜5μm程度の短い距離でよいため、上述した制限は、殆どなくなる。換言すれば、本発明の実施形態に係るループアンテナの通信距離は、一般的なRFIDと異なり、0.5μmから5μm程度の短い距離でよいため、液晶層等の駆動回路へのノイズ影響を極めて小さくできる。本発明の実施形態に係るループアンテナの遠方放射強度は小さく、通常のアンテナの共振周波数の法的制限を殆ど受けない。
逆に、液晶層等の駆動回路、バックライトユニット駆動、100V等の外部電源等から受けるノイズの影響を減らすため、本実施形態では図6や図8に示す略U字形状の導体パターン25A、25Bでアンテナユニット11、12、13、14を平面的に囲った。
なお、導体パターンの形状として、例えば、図9に示すような電気的に閉じた形状W(電気的につながった形状)を採用する場合、ループアンテナを流れる電流とは逆向きに流れる電流が導体パターンに流れてしまい、ループアンテナの効率を低下させてしまう。このため、導体パターン25A、25Bの形状としては、環状の導電パターンでアンテナユニットを囲うのではなく、略U字形状の導電パターンによりアンテナユニット(ループアンテナ)の周囲を部分的に囲うことが好ましい。導体パターン25A、25Bは、表示装置の筐体等に接地することが好ましい。
導体パターン25A、25Bの構造としては、上述したように、第1導電性金属酸化物層と第2導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された構成が好ましい。
第2アンテナユニット12と第4アンテナユニット14との重なり部(第2重畳部52)では、例えば、第4アンテナユニット14から共振周波数の電磁波の発生により生じた電力を第2アンテナユニット12が受電する。換言すれば、第2アンテナユニット12と第4アンテナユニット14との第2重畳部52は、電力信号の受給機能を有する。
なお、第1アンテナユニット11と第3アンテナユニット13との重なり部の役割と、第2アンテナユニット12と第4アンテナユニット14との重なり部の役割は、入れ替えることができる。
後述するタッチ駆動スイッチング回路18やゲート信号スイッチング回路27等には、アクティブ素子(薄膜トランジスタ)や第1導電配線と第2導電配線との2層配線を含んでいるが、図2及び図12ではその詳細を省略している。
表示装置基板100に形成されている電力受電部15、電源制御部16、タッチ駆動制御部17、タッチ駆動スイッチング回路18、タッチ検知スイッチング回路19、タッチ信号送受信制御部20、及び検波・AD変換部30は、スイッチング素子として、第1アクティブ素子38を備えている。
図10に示すように、第1アクティブ素子38は、ボトムゲート構造を有しており、第1透明基板1の額縁領域72に形成されている。第1アクティブ素子38は、ブラックマトリクス3と下部絶縁層41を介して第1透明基板1の第1面101に形成される。なお、第1アクティブ素子38を形成する部位は、下地のブラックマトリクス3を省き、下部絶縁層41上に形成してもよい。
酸化物半導体は、例えば、酸化インジウム、酸化ガリウムを少なくとも含有する。さらに、酸化物半導体は、酸化アンチモン、酸化ビスマス、酸化亜鉛のうちいずれか1種以上を含む。このような酸化物半導体は、上記と同様の200℃〜350℃の低温アニーリングにより、結晶化を進め、半導体特性を安定化できる。このような低温プロセスは、有機樹脂や有機顔料をベースとするカラーフィルタや、ポリイミド樹脂やアラミド樹脂等の樹脂基板への適合性を向上させる。例えば、基板上に、樹脂にカーボンが分散されたブラックマトリクスを形成し、更に、チャネル層として酸化物半導体を用いたアクティブ素子を形成する場合がある。この場合であっても、前記ブラックマトリクスが耐熱性を持つ200℃〜300℃の範囲の低温アニーリングを実施でき、酸化物半導体の信頼性を向上できるメリットがある。
また、In:Sb=1:1の原子比で、酸化インジウム及び酸化アンチモンの2元系複合酸化物としてもよい。例えば、In:Bi=1:1の原子比で、酸化インジウム及び酸化ビスマスの2元系複合酸化物としてもよい。また、上記原子比においては、Inの含有量を更に増やしてもよい。
例えば、上記の複合酸化物にさらにSnを添加してもよい。この場合、In2O3、Ga2O3、Sb2O3、及びSnO2を含む4元系の組成を含む複合酸化物が得られ、あるいは、In2O3、Sb2O3、及びSnO2を含む3元系の組成を含む複合酸化物が得られ、キャリア濃度を調整することが可能となる。In2O3、Ga2O3、Sb2O3、Bi2O3と価数の異なるSnO2は、キャリアドーパントの役割を果たす。
次に、アレイ基板200の有効表示領域71に形成された第2アクティブ素子48について説明する。図11は、アレイ基板200に形成された第2アクティブ素子48を部分的に示す断面図である。
第2アクティブ素子48は、ボトムゲート構造を有しており、ゲート電極33(ゲート配線)、ソース配線31、ソース電極32、チャネル層35、ドレイン電極37を備える。ゲート配線及びソース配線は、第2アクティブ素子48に電気的に接続されている。第2アクティブ素子48のドレイン電極37は、コンタクトホール90を介して画素電極49に電気的に接続され、液晶層4の駆動を行う。アレイ基板200では、第2アクティブ素子48と同じ構成を有するアクティブ素子が、アレイ基板200の額縁領域にも形成されている。アレイ基板200の額縁領域において、複数の第2アクティブ素子48と、導電性金属酸化物層あるいは酸化物半導体の膜のパターニングにより形成された抵抗素子とによって、図4に示したソース信号スイッチング回路26、ゲート信号スイッチング回路27、及び電力送電部28、信号送受信部29が構成されている。電力送電部28は、第4アンテナユニット14を駆動し、第2アンテナユニット12に対する送電を行う。信号送受信部29は、第3アンテナユニット13を駆動し、第1アンテナユニット11と第3アンテナユニット13との間で、タッチ信号の送受信を行う。
なお、アレイ基板200の額縁領域に形成された、ソース信号スイッチング回路26、ゲート信号スイッチング回路27、電力送電部28、信号送受信部29の電源は、FPCを経由して、図示されていないバッテリー、あるいはアダプターを介して100V等の外部電源と接続される。
なお、第1実施形態において、チャネル層35に用いる酸化物半導体は、In:Ga:Sb=1:0.25:1の元素比の複合酸化物を用い、280℃の低温アニールを行い、微結晶の酸化物半導体とした。第1実施形態での銅合金層には、Cu:Ca:Zn=97.5:2:0.5の元素比の銅合金を用いた。
第1タッチセンシング配線ユニットや第2タッチセンシング配線ユニットに含まれるタッチセンシング配線の全てをタッチセンシングに用いなくてもよい。間引き駆動を行ってもよい。タッチセンシング配線を間引き駆動させる場合について説明する。まず、全てのタッチセンシング配線を複数のグループに区分する。グループの数は、全てのタッチセンシング配線の数より少ない。一つのグループを構成する配線数が、例えば、6本であるとする。ここで、全ての配線(配線数は6本)のうち、例えば、2本の配線を選択する(全ての配線の本数よりも少ない本数、2本<6本)。一つのグループにおいては、選択された2本の配線を用いてタッチセンシングが行われ、残りの4本の配線における電位がフローティング電位に設定される。タッチセンシングの機能が定義されているグループ毎にタッチセンシングを行うことができる。
上述した実施形態においては、導電性金属酸化物層あるいは酸化物半導体の膜を所望のパターンに形成することで抵抗素子を形成することができる。また、アレイ基板200上にポリシリコン半導体をチャネル層とする薄膜トランジスタ(アクティブ素子)のマトリクスを形成した後、絶縁層にスルーホールを形成し、スルーホールを介して、前記チャネル層として酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ(アクティブ素子)のマトリクスを積層することができる。
以下、本発明の第2実施形態に係る表示装置DSP2を、図12から図14を参照しながら説明する。
第2実施形態においては、第1実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図12は、本発明の第2実施形態に係る表示装置DSP2を部分的に示す断面図である。図13は、本発明の第2実施形態に係る表示装置DSP2を構成するアレイ基板を部分的に示す断面図であり、アレイ基板に形成されたアクティブ素子及び有機ELの発光層の説明図である。図14は、本発明の第2実施形態に係る表示装置DSP2を構成する表示装置基板に形成された第1アンテナユニットと、アレイ基板に形成された第3アンテナユニットの重なりを示す斜視図である。
本発明の実施形態に係る表示装置DSP2において、表示機能層は発光層92(有機EL層)及びホール注入層91であり、第2アクティブ素子は薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)であり、発光層92を駆動する。
平面視における表示装置DSP2の構造は、第1実施形態と同様であるので、図示を省略している。第1実施形態と同様に、画素開口部10に赤フィルタ、緑フィルタ、青フィルタ等のカラーフィルタを配設してもよい。
アンテナを形成する導電配線の線幅は、6μmであり、位置精度(アライメント精度)は、±2μm以内とした。これら導電配線の構造は、第1実施形態と同様、銅合金層を導電性金属酸化物層で挟持する3層構成である。
第2アンテナユニット12と第4アンテナユニット14との重なり部(第2重畳部52)では、例えば、第4アンテナユニット14から共振周波数の電磁波の発生により生じた電力を第2アンテナユニット12が受電する。電力受電部15は、受信電圧を平滑化、定電圧化し、タッチ駆動電圧として電源制御部16に出力する。
アレイ基板300の基板としては、透明基板に限定する必要はなく、例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板、あるいはシリコン、炭化シリコンやシリコンゲルマニウム等の半導体基板、さらにはプラスチック基板等を適用できる。例えば、表示装置基板100の基板としてガラス基板等の透明基板を用い、アレイ基板300の基板としてシリコン基板を用い、反射型の表示装置を構成することができる。
更に、下部電極88、バンク94、及び平坦化層96を覆うようにホール注入層91が形成されている。ホール注入層91上には、順に、発光層92、上部電極87、及び封止層109が積層されている。
下部電極88は、後述するように、銀あるいは銀合金層が導電性金属酸化物層によって挟持された構成を有する。
また、上記複合酸化物層を導電性金属酸化物層に適用し、銀合金層の膜厚を、例えば、100nmから250nmの範囲内、あるいは、300nm以上の膜厚に設定し、導電性金属酸化物層によって銀合金層が挟持された3層積層構造を採用してもよい。この場合、可視光に対して高い反射率を有する反射電極を実現することができる。
平坦化層96の材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド樹脂等を用いてもよい。低誘電率材料(low−k材料)を用いることもできる。
なお、視認性向上のため、平坦化層96や封止層109、あるいは、基板のいずれかが、光散乱の機能を有してもよい。あるいは、基板の上方に光散乱層を形成してもよい。
アクティブ素子68は、チャネル層65と、チャネル層65の一端(第一端、図13におけるチャネル層65の左端)に接続されたドレイン電極66と、チャネル層65の他端(第2端、図13におけるチャネル層65の右端)に接続されたソース電極64と、絶縁層113を介してチャネル層65に対向配置されたゲート電極95とを備える。後述するように、チャネル層65は、酸化物半導体で構成され、ゲート絶縁層と接触している。アクティブ素子68は、発光層を駆動する。
また、第4導電配線24を用いて、ゲート配線69及びゲート電極95が形成されている。ゲート配線69、ゲート電極95、及び第4導電配線24は、同一のレイヤに位置する。
上述したように、第3導電配線23及び第4導電配線24は、いずれも、銅層あるいは銅合金層を導電性金属酸化物層で挟持する3層構成を有する。
2 第2透明基板(基板)
3 ブラックマトリクス
4 液晶層
7 第1導電性金属酸化物層
8 銅合金層
9 第2導電性金属酸化物層
10 画素開口部
11 第1アンテナユニット
12 第2アンテナユニット
13 第3アンテナユニット
14 第4アンテナユニット
15 電力受電部
16 電源制御部
17 タッチ駆動制御部
18 タッチ駆動スイッチング回路
19 タッチ検知スイッチング回路
20 タッチ信号送受信制御部
21 第1導電配線
22 第2導電配線
23 第3導電配線
24 第4導電配線
25A,25B 導体パターン
26 ソース信号スイッチング回路
27 ゲート信号スイッチング回路
28 電力送電部
29 信号送受信部
30 検波・AD変換部
31,53,67 ソース配線
32,58,64 ソース電極
33 ゲート配線(ゲート電極)
34,95,54 ゲート電極
35,59,65 チャネル層
37,57,66 ドレイン電極
38 第1アクティブ素子
41,114 下部絶縁層
42 第1基板側絶縁層(ゲート絶縁層)
43,112 上部絶縁層
44 第2基板側絶縁層(ゲート絶縁層)
45、46 絶縁層
48 第2アクティブ素子
49 画素電極
51 第1重畳部
52 第2重畳部
55 第5導電配線
56 第6導電配線
60,61 第1接続用パッド
62,63 第2接続用パッド
68 アクティブ素子(第2アクティブ素子)
69 ゲート配線
71 有効表示領域
72 額縁領域
87 上部電極
88 下部電極
90,93 コンタクトホール
91 ホール注入層
92 発光層
94 バンク
96 平坦化層
97 透明樹脂層
100 表示装置基板
101 第1面
109 封止層
110 表示部
113 絶縁層(第2基板側絶縁層)
120 制御部
121 映像信号制御部
122 タッチセンシング制御部
123 システム制御部
164,165 ループアンテナ
166 中心
200,300 アレイ基板
201 第2面
DSP1,DSP2 表示装置
Claims (11)
- 表示装置であって、
第1面を有する第1基板と、
前記第1面に対向する第2面を有する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に位置する表示機能層と
を備え、
前記第1基板の前記第1面上には、少なくとも、矩形状の有効表示領域と前記有効表示領域を囲む額縁領域とを具備するブラックマトリクスと、第1導電配線と、第2導電配線と、複数の第1アクティブ素子と、第1アンテナユニットと、第2アンテナユニットと、第1タッチセンシング配線ユニットと、第2タッチセンシング配線ユニットとが設けられ、
前記第2基板の前記第2面上には、少なくとも、第3導電配線と、第4導電配線と、前記表示機能層を駆動する複数の第2アクティブ素子と、前記第2アクティブ素子に電気的に接続されるゲート配線及びソース配線と、第3アンテナユニットと、第4アンテナユニットとが設けられ、
前記有効表示領域内において、前記第1タッチセンシング配線ユニットは、第1方向に延在する互いに平行な複数の第5導電配線を含み、前記第2タッチセンシング配線ユニットは、前記第1方向と直交する第2方向に延在する互いに平行な複数の第6導電配線を含み、
前記第5導電配線は、前記第1導電配線と同一のレイヤに位置し、前記第1導電配線と同じ層構成を有し、
前記第6導電配線は、前記第2導電配線と同一のレイヤに位置し、前記第2導電配線と同じ層構成を有し、
前記第1導電配線と、前記第1アンテナユニットと、前記第2アンテナユニットと、第1タッチセンシング配線ユニットとは、前記第1基板の厚み方向において、第1導電性金属酸化物層と第2導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された3層構成の導電層で構成され、同一のレイヤに位置し、
前記第2導電配線は、第1基板側絶縁層を介して、前記3層構成の前記導電層を覆うように積層され、第3導電性金属酸化物層と第4導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された3層構成の導電層で構成され、
前記第1アンテナユニット及び前記第2アンテナユニットの各々は、1以上のループアンテナを有し、前記ループアンテナの内側には、第1接続用パッドが設けられ、
前記第1接続用パッドは、前記第1基板側絶縁層に設けられたスルーホールを介して前記第2導電配線の一部に接続され、
前記第3導電配線と、前記第3アンテナユニットと、前記第4アンテナユニットとは、前記第2基板の厚み方向において、第5導電性金属酸化物層と第6導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された3層構成の導電層で構成され、同一のレイヤに位置し、
前記第4導電配線は、第2基板側絶縁層を介して、前記3層構成の前記導電層を覆うように積層され、第7導電性金属酸化物層と第8導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された3層構成の導電層で構成され、
前記第3アンテナユニット及び前記第4アンテナユニットの各々は、1以上のループアンテナを有し、前記ループアンテナの内側には、第2接続用パッドが設けられ、
前記第2接続用パッドは、前記第2基板側絶縁層に設けられたスルーホールを介して前記第4導電配線の一部に接続され、
前記第1基板から前記第2基板に向かう方向から見た平面視において、
前記第1アンテナユニットと前記第3アンテナユニットとは、前記ループアンテナが形成されている部分において、±3μm以内の位置精度で重なり、
前記第2アンテナユニットと前記第4アンテナユニットとは、前記ループアンテナが形成されている部分において、±3μm以内の位置精度で重なり、
前記第1アンテナユニットと前記第3アンテナユニットとが重なる第1重畳部は、タッチセンシング信号の送受信機能を有し、
前記第2アンテナユニットと前記第4アンテナユニットとの重なる第2重畳部は、電力信号の受給機能を有し、
前記第1基板から前記第2基板に向かう方向から見た平面視において、
前記第1重畳部及び前記第2重畳部は、前記額縁領域内に配置されており、
前記第1導電配線の一部と、前記第2導電配線の一部と、前記複数の第1アクティブ素子は、タッチセンシングを制御する回路を構成する
表示装置。 - 前記第1アンテナユニット及び前記第2アンテナユニットの前記ループアンテナの各々は、巻き方向が互いに逆であり、かつ、巻き数が2以上のループアンテナ対を含み、
前記第3アンテナユニット及び前記第4アンテナユニットの前記ループアンテナの各々は、巻き方向が互いに逆であり、かつ、巻き数が2以上のループアンテナ対を含む
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1アンテナユニット及び前記第2アンテナユニットの周囲を部分的に囲い、かつ、前記第1導電性金属酸化物層と前記第2導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された導体パターンを有する
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第3アンテナユニットと前記第4アンテナユニットの周囲を部分的に囲い、かつ、前記第3導電性金属酸化物層と前記第4導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された導体パターンを有する
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1アクティブ素子は酸化物半導体で構成されたチャネル層を有する
請求項1に記載の表示装置。 - 前記酸化物半導体は、酸化インジウム、酸化ガリウムを含有し、さらに、酸化アンチモン、酸化ビスマス、酸化亜鉛から構成される群より選択される1種以上を含有する
請求項5に記載の表示装置。 - 前記銅合金層は、銅に固溶する第1元素と、銅及び前記第1元素より電気陰性度が小さい第2元素とを含み、
前記第1元素及び前記第2元素は、銅に添加する場合の比抵抗上昇率が1μΩcm/at%以下の元素であり、
前記銅合金層の比抵抗は、1.9μΩcmから6μΩcmの範囲内にある
請求項1に記載の表示装置。 - 表示装置基板であって、
少なくとも、矩形状の有効表示領域と前記有効表示領域を囲む額縁領域とを具備するブラックマトリクスと、第1導電配線と、第2導電配線と、複数の第1アクティブ素子と、第1アンテナユニットと、第2アンテナユニットと、第1タッチセンシング配線ユニットと、第2タッチセンシング配線ユニットとを、第1面上に備え、
前記有効表示領域内において、前記第1タッチセンシング配線ユニットは第1方向に延在する互いに平行な複数の第5導電配線を含み、前記第2タッチセンシング配線ユニットは、前記第1方向と直交する第2方向に延在する互いに平行な複数の第6導電配線を含み、
前記第5導電配線は、前記第1導電配線と同一のレイヤに位置し、前記第1導電配線と同じ層構成を有し、
前記第6導電配線は、前記第2導電配線と同一のレイヤに位置し、前記第2導電配線と同じ層構成を有し、
前記第1導電配線と、前記第1アンテナユニットと、前記第2アンテナユニットと、第1タッチセンシング配線ユニットとは、前記表示装置基板の厚み方向において、第1導電性金属酸化物層と第2導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された3層構成の導電層で構成され、同一のレイヤに位置し、
前記第2導電配線は、絶縁層を介して、前記3層構成の前記導電層を覆うように積層され、第3導電性金属酸化物層と第4導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された3層構成の導電層で構成され、
前記第1アンテナユニット及び前記第2アンテナユニットの各々は、1以上のループアンテナを有し、前記ループアンテナの内側には、第1接続用パッドが設けられ、
前記第1接続用パッドは、前記絶縁層に設けられたスルーホールを介して前記第2導電配線の一部に接続され、
前記第1アンテナユニットと前記第2アンテナユニットとは、前記額縁領域内に配置され、
前記第1導電配線、前記第1アンテナユニット、前記第2導電配線、及び前記第2アンテナユニットが形成された前記第1面において、前記有効表示領域が、透明樹脂層で覆われている
表示装置基板。 - 前記第1アンテナユニットと前記第2アンテナユニットの周囲を部分的に囲い、かつ、前記第1導電性金属酸化物層と前記第2導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された導体パターンを有する
請求項8に記載の表示装置基板。 - 前記第1アンテナユニット及び前記第2アンテナユニットの前記ループアンテナの各々は、巻き方向が互いに逆であり、かつ、巻き数が2以上のループアンテナ対を含む
請求項8に記載の表示装置基板。 - 第1タッチセンシング配線ユニットは、前記第1方向に延在する複数の第1タッチセンシング配線を含み、
第2タッチセンシング配線ユニットは、前記第2方向に延在する複数の第2タッチセンシング配線を含む
請求項8に記載の表示装置基板。
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