WO2018173113A1

WO2018173113A1 - 表示装置及び表示装置基板

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Publication number: WO2018173113A1
Application number: PCT/JP2017/011177
Authority: WO
Inventors: 総平門田; 福吉　健蔵
Original assignee: 凸版印刷株式会社
Priority date: 2017-03-21
Filing date: 2017-03-21
Publication date: 2018-09-27
Also published as: JP6330975B1; JPWO2018173113A1; KR20190126007A; US20200019264A1; CN110462557A; CN110462557B; US10838563B2; KR102260137B1

Abstract

本発明の表示装置は、第１面を有する第１基板と、前記第１面に対向する第２面を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する表示機能層とを備える。前記第１基板の前記第１面上には、少なくとも、有効表示領域と前記有効表示領域を囲む額縁領域とを具備するブラックマトリクスと、第１導電配線と、第２導電配線と、複数の第１アクティブ素子と、第１アンテナユニットと、第２アンテナユニットと、第１タッチセンシング配線ユニットと、第２タッチセンシング配線ユニットとが設けられている。前記第２基板の前記第２面上には、少なくとも、第３導電配線と、第４導電配線と、前記表示機能層を駆動する複数の第２アクティブ素子と、前記第２アクティブ素子に電気的に接続されるゲート配線及びソース配線と、第３アンテナユニットと、第４アンテナユニットとが設けられている。前記第１アンテナユニットと前記第３アンテナユニットとが重なる第１重畳部は、タッチセンシング信号の送受信機能を有する。前記第２アンテナユニットと前記第４アンテナユニットとの重なる第２重畳部は、電力信号の受給機能を有する。前記第１基板から前記第２基板に向かう方向から見た平面視において、前記第１重畳部及び前記第２重畳部は、前記額縁領域内に配置されている。

Description

表示装置及び表示装置基板

　本発明は、表示装置及び表示装置基板に係る。

　静電容量方式によるタッチセンシング機能を備えたスマートフォンやタブレット端末等、指やポインタで、直接、表示画面に入力できる表示装置が一般的になりつつある。タッチセンシング機能として、液晶や有機ＥＬ（有機エレクトロルミネセンス）等のディスプレイ表面にタッチパネルを貼り付けたオンセル方式や、液晶や有機ＥＬの表示装置の内側にタッチセンシング機能を持たせたインセル方式が知られている。近年では、オンセル方式からインセル方式に移行しつつある。

　インセル方式の代表的な技術として、特許文献１に開示された技術が挙げられる。特許文献１の請求項１に示されるように、特定領域（第３領域）を横切る導電性経路が形成され、導電性経路は前記領域における回路素子を電気的にバイパスするように形成され、タッチスクリーンに用いられる第１の線セグメント及び第２の線セグメントが電気的に接続されている。このように、特許文献１では、極めて複雑な構成が採用されている。

　このような複雑な構成を採用せざるを得ない理由は、タッチスクリーンが形成される基板の同一面に、マトリクス状に配置されるトランジスタ、及び、これらトランジスタを駆動する複数のゲート線や複数のソース線が設けられているためである。ゆえに、タッチスクリーンに用いられる配線の一部は、バイパス等の配線構造により、ゲート線やソース線に対して電気的な接触を避ける必要がある。

　また、液晶等を駆動する薄膜トランジスタの形成面に一部のタッチ配線を形成する従来のインセル技術においては、タッチ配線の周囲に想定しにくい寄生容量が生じ、タッチセンシングのＳ／Ｎ比が低下してしまうことが懸念される。換言すれば、トランジスタ形成面に存在するＸ方向及びＹ方向に延線されるゲート配線やソース配線と、Ｘ方向及びＹ方向に略平行に延線されるタッチ配線との間に寄生容量が発生しやすい。

　寄生容量の発生は、上述したようにＳ／Ｎ比の低下を招き、十分なタッチセンシング解像度を得ることが難しくなる。例えば、タッチセンシング面積が大きい“指”と、タッチセンシング面積が小さいペンとを識別し難くなる。加えて、従来のインセル技術は十分な解像度が得られないため、指紋認証等の個人認証技術にタッチスクリーンを適用し難いという問題がある。したがって、指紋認証専門のデバイスを表示画面とは異なる場所に設ける必要がある。

　タッチ配線と、トランジスタを駆動するゲート線及びソース線との間に生じる寄生容量を少なくするためには、第１タッチセンシングユニット及び第２タッチセンシングユニットが形成される面と、ゲート線及びソース線が形成される面との間の空間的な距離を確保することが好ましい。このような空間的な距離が確保された構成が、特許文献２に開示されている。特許文献２の図１２や図１３に示されるように、タッチセンシング機能を備える表示基板２２と、薄膜トランジスタを備えるアレイ基板２３とは、液晶層２４で空間的に隔てられている。特許文献２には、銅を主材とする合金層を用いてタッチ配線である金属層パターンを形成する技術が開示されている。

　特許文献２が開示する構成では、表示基板２２に設けられた複数の金属層パターン（第１のタッチセンシング配線に相当）の端子部６１と、表示基板２２に設けられた複数の透明電極パターン（第２のタッチセンシング配線に相当）の端子部とが、アレイ基板の液晶シール部に位置する接続端子に導通されている。しかしながら、有効表示領域の拡大のためにアレイ基板の液晶シール部は狭額縁化されており、金属層パターン及び透明電極パターンの端子部を液晶シール部に導通することは極めて難しい。

　金属球や金ビーズ等の導電粒子を用いて上記端子部をアレイ基板の液晶シール部の接続端子に導通させる場合、数百あるいは数千を超える本数の微細な端子部を、厚み方向に均一に、液晶シール部の接続端子に導通させることは困難である。表示装置の端子部が存在する辺のみ、基板を延長させてＦＰＣ等のフレキシブルな回路基板を使って導通を得ることは可能であるが、このような導通構造では狭額縁は得られない。近年、表示装置の有効表示領域の周囲に設けられた遮光性の額縁領域の幅としては、５ｍｍ以下の狭い幅であることが要求されている。

　指によるタッチ入力の他、ペンによるタッチ入力、或いは、指紋認証を実現可能とするには、例えば、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれに延線される複数のタッチ配線の配線密度を高めた構造が必要となる。この場合、高精細の液晶表示装置と同程度、例えば、２１００画素×３８００画素といった画素数が必要になってくる。また、上記したようにペンによるタッチ入力が可能なタッチスクリーンを実現するためには、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれに延線される複数のタッチ配線の配線密度を高めた構造が必要となる。さらに、上述した狭額縁構造に適用できる構造も必要となる。

　特許文献３においては、可撓性基板である第１の基板は第１のアンテナを有し、可撓性基板である第３の基板は第２のアンテナを有し、第１のアンテナと第２のアンテナとが第３の基板を介して重なる構成が開示されている。第１の基板及び第２の基板は、画素部と対向電極との間に液晶を挟む構成を有する。特許文献３においては、第１の基板側にタッチセンシング機能を備えることは、開示されていない。タッチセンシング配線に対してソース配線やゲート配線を近接させた場合における寄生容量の発生やタッチセンシングに係るＳ／Ｎ比低下等の悪影響は開示されていない。

　特許文献４においては、パネルの外周部に配置され、パネルに近づく物体の座標位置を検出するループコイルと、物体の座標位置を検出するセンサマトリクスとが開示されている。特許文献３及び特許文献４には、額縁領域の幅に収まるアンテナユニットで、タッチセンシングに関わる信号や、タッチセンシング機能部に対して電力を供給する技術は開示されていない。銅合金層を導電性金属酸化物層で挟持する３層構成の導電配線の技術も開示されていない。特許文献３及び特許文献４には、第１タッチセンシング配線ユニットと第２タッチセンシング配線ユニットを表示装置全面の第１基板（対向基板）の一方の面にのみ、配設する構成も開示されていない。

　特許文献５には、基板２１０の一方の面に、タッチパネル駆動回路２５０を酸化物半導体のＴＦＴ回路で形成する技術が開示されている。また、特許文献５の［００７０］、［００７１］段落には、タッチパネルを構成する電極群とタッチパネル駆動回路２５０とが形成されたカラーフィルタ基板と、さらに対向電極２６０が積層されたインセル構造のタッチパネルが、実施例３として開示されている。

　しかしながら、タッチパネルやタッチパネル駆動回路に対してタッチ駆動電圧もしくは電力をどのような手段で供給するのかについては明記されていない。タッチ位置検出の信号がどの経路を通り、実際のタッチ位置の検出がどこで処理されるか明記されていない。特許文献５の［００７４］段落から［００７７］段落には、実施例４として、ＴＦＴガラス基板３１０にタッチパネル駆動回路２５０を形成する例が開示されている。特許文献５の実施例５では［００７７］段落に、シール材に金ビーズ等を混入することで、ＣＦガラス基板２１５とＴＦＴガラス基板３１０との電気的な接続（導通の転移）が実現できるとされている。

　しかしながら、上述したようなペンによるタッチ入力を実現する高密度タッチ配線構造において、シール材に金ビーズ等を混入することにより、多数本のタッチ配線の導通の転移を安定して行うことができるか否かは明記されていない。特許文献５には、額縁領域の幅に収まるアンテナユニットで、タッチセンシングに関わる信号や、タッチセンシング機能部に対して電力を供給する技術は開示されていない。特許文献５には、銅合金層を導電性金属酸化物層で挟持する３層構成の導電配線の技術も開示されていない。

日本国特許第６０１６２８６号日本国特許第６０２０５７１号日本国特許第５９１７７４８号日本国特許第４９１５２３２号国際公開２０１４／０４２２４８号パンフレット

　本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、指によるタッチ入力及びペンによるタッチ入力も可能な高い解像度を実現する表示装置及び表示装置基板を提供する。さらに、本発明は、タッチセンシング配線ユニットを備える基板と、液晶層や有機ＥＬ層等の表示機能層を駆動するアクティブ素子が配設された基板との間で、信号の送受信及び電力供給を容易かつ非接触で実現できる表示装置及び表示装置基板を提供する。

　本発明の第１態様に係る表示装置であって、第１面を有する第１基板と、前記第１面に対向する第２面を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する表示機能層とを備え、前記第１基板の前記第１面上には、少なくとも、矩形状の有効表示領域と前記有効表示領域を囲む額縁領域とを具備するブラックマトリクスと、第１導電配線と、第２導電配線と、複数の第１アクティブ素子と、第１アンテナユニットと、第２アンテナユニットと、第１タッチセンシング配線ユニットと、第２タッチセンシング配線ユニットとが設けられ、前記第２基板の前記第２面上には、少なくとも、第３導電配線と、第４導電配線と、前記表示機能層を駆動する複数の第２アクティブ素子と、前記第２アクティブ素子に電気的に接続されるゲート配線及びソース配線と、第３アンテナユニットと、第４アンテナユニットとが設けられ、前記有効表示領域内において、前記第１タッチセンシング配線ユニットは、第１方向に延在する互いに平行な複数の第５導電配線を含み、前記第２タッチセンシング配線ユニットは、前記第１方向と直交する第２方向に延在する互いに平行な複数の第６導電配線を含み、前記第５導電配線は、前記第１導電配線と同一のレイヤに位置し、前記第１導電配線と同じ層構成を有し、前記第６導電配線は、前記第２導電配線と同一のレイヤに位置し、前記第２導電配線と同じ層構成を有し、前記第１導電配線と、前記第１アンテナユニットと、前記第２アンテナユニットと、第１タッチセンシング配線ユニットとは、前記第１基板の厚み方向において、第１導電性金属酸化物層と第２導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された３層構成の導電層で構成され、同一のレイヤに位置し、前記第２導電配線は、第１基板側絶縁層を介して、前記３層構成の前記導電層を覆うように積層され、第３導電性金属酸化物層と第４導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された３層構成の導電層で構成され、前記第１アンテナユニット及び前記第２アンテナユニットの各々は、１以上のループアンテナを有し、前記ループアンテナの内側には、第１接続用パッドが設けられ、前記第１接続用パッドは、前記第１基板側絶縁層に設けられたスルーホールを介して前記第２導電配線の一部に接続され、前記第３導電配線と、前記第３アンテナユニットと、前記第４アンテナユニットとは、前記第２基板の厚み方向において、第５導電性金属酸化物層と第６導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された３層構成の導電層で構成され、同一のレイヤに位置し、前記第４導電配線は、第２基板側絶縁層を介して、前記３層構成の前記導電層を覆うように積層され、第７導電性金属酸化物層と第８導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された３層構成の導電層で構成され、前記第３アンテナユニット及び前記第４アンテナユニットの各々は、１以上のループアンテナを有し、前記ループアンテナの内側には、第２接続用パッドが設けられ、前記第２接続用パッドは、前記第２基板側絶縁層に設けられたスルーホールを介して前記第４導電配線の一部に接続され、前記第１基板から前記第２基板に向かう方向から見た平面視において、前記第１アンテナユニットと前記第３アンテナユニットとは、前記ループアンテナが形成されている部分において、±３μｍ以内の位置精度で重なり、前記第２アンテナユニットと前記第４アンテナユニットとは、前記ループアンテナが形成されている部分において、±３μｍ以内の位置精度で重なり、前記第１アンテナユニットと前記第３アンテナユニットとが重なる第１重畳部は、タッチセンシング信号の送受信機能を有し、前記第２アンテナユニットと前記第４アンテナユニットとの重なる第２重畳部は、電力信号の受給機能を有し、前記第１基板から前記第２基板に向かう方向から見た平面視において、前記第１重畳部及び前記第２重畳部は、前記額縁領域内に配置されており、前記第１導電配線の一部と、前記第２導電配線の一部と、前記複数の第１アクティブ素子は、タッチセンシングを制御する回路を構成する。

　ここで、「タッチセンシングを制御する回路」とは、第１タッチセンシング配線ユニット及び第２タッチセンシング配線ユニットのうちいずれか一方の配線ユニットにタッチ駆動電圧を印加し、他方の配線ユニットからタッチ検知に関わる信号を抽出する回路であって、第１基板の第１面に形成された回路を意味する。

　本発明の第１態様に係る表示装置においては、前記第１アンテナユニット及び前記第２アンテナユニットの前記ループアンテナの各々は、巻き方向が互いに逆であり、かつ、巻き数が２以上のループアンテナ対を含んでもよく、前記第３アンテナユニット及び前記第４アンテナユニットの前記ループアンテナの各々は、巻き方向が互いに逆であり、かつ、巻き数が２以上のループアンテナ対を含んでもよい。

　本発明の第１態様に係る表示装置は、前記第１アンテナユニット及び前記第２アンテナユニットの周囲を部分的に囲い、かつ、前記第１導電性金属酸化物層と前記第２導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された導体パターンを有してもよい。

　本発明の第１態様に係る表示装置は、前記第３アンテナユニットと前記第４アンテナユニットの周囲を部分的に囲い、かつ、前記第３導電性金属酸化物層と前記第４導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された導体パターンを有してもよい。

　本発明の第１態様に係る表示装置においては、前記第１アクティブ素子は酸化物半導体で構成されたチャネル層を有してもよい。

　本発明の第１態様に係る表示装置においては、前記酸化物半導体は、酸化インジウム、酸化ガリウムを含有し、さらに、酸化アンチモン、酸化ビスマス、酸化亜鉛から構成される群より選択される１種以上を含有してもよい。

　本発明の第１態様に係る表示装置においては、前記銅合金層は、銅に固溶する第１元素と、銅及び前記第１元素より電気陰性度が小さい第２元素とを含み、前記第１元素及び前記第２元素は、銅に添加する場合の比抵抗上昇率が１μΩｃｍ／ａｔ％以下の元素であり、前記銅合金層の比抵抗は、１．９μΩｃｍから６μΩｃｍの範囲内にあってもよい。

　本発明の第２態様に係る表示装置基板であって、少なくとも、矩形状の有効表示領域と前記有効表示領域を囲む額縁領域とを具備するブラックマトリクスと、第１導電配線と、第２導電配線と、複数の第１アクティブ素子と、第１アンテナユニットと、第２アンテナユニットと、第１タッチセンシング配線ユニットと、第２タッチセンシング配線ユニットとを、第１面上に備え、前記有効表示領域内において、前記第１タッチセンシング配線ユニットは第１方向に延在する互いに平行な複数の第５導電配線を含み、前記第２タッチセンシング配線ユニットは、前記第１方向と直交する第２方向に延在する互いに平行な複数の第６導電配線を含み、前記第５導電配線は、前記第１導電配線と同一のレイヤに位置し、前記第１導電配線と同じ層構成を有し、前記第６導電配線は、前記第２導電配線と同一のレイヤに位置し、前記第２導電配線と同じ層構成を有し、前記第１導電配線と、前記第１アンテナユニットと、前記第２アンテナユニットと、第１タッチセンシング配線ユニットとは、前記表示装置基板の厚み方向において、第１導電性金属酸化物層と第２導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された３層構成の導電層で構成され、同一のレイヤに位置し、前記第２導電配線は、絶縁層を介して、前記３層構成の前記導電層を覆うように積層され、第３導電性金属酸化物層と第４導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された３層構成の導電層で構成され、前記第１アンテナユニット及び前記第２アンテナユニットの各々は、１以上のループアンテナを有し、前記ループアンテナの内側には、第１接続用パッドが設けられ、前記第１接続用パッドは、前記絶縁層に設けられたスルーホールを介して前記第２導電配線の一部に接続され、前記第１アンテナユニットと前記第２アンテナユニットとは、前記額縁領域内に配置され、前記第１導電配線、前記第１アンテナユニット、前記第２導電配線、及び前記第２アンテナユニットが形成された前記第１面において、前記有効表示領域が、透明樹脂層で覆われている。

　本発明の第２態様に係る表示装置基板は、前記第１アンテナユニットと前記第２アンテナユニットの周囲を部分的に囲い、かつ、前記第１導電性金属酸化物層と前記第２導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された導体パターンを有してもよい。

　本発明の第２態様に係る表示装置基板においては、前記第１アンテナユニット及び前記第２アンテナユニットの前記ループアンテナの各々は、巻き方向が互いに逆であり、かつ、巻き数が２以上のループアンテナ対を含んでもよい。

　本発明の第２態様に係る表示装置基板においては、第１タッチセンシング配線ユニットは、前記第１方向に延在する複数の第１タッチセンシング配線を含み、第２タッチセンシング配線ユニットは、前記第２方向に延在する複数の第２タッチセンシング配線を含んでもよい。

　本発明の態様によれば、多数本の導電配線（タッチセンシング配線）を備えたタッチセンシング配線ユニットが設けられた第１基板から、第２基板に対し、アンテナユニットを介して非接触で信号（タッチセンシング信号・電力信号）の送受信を行うことができる。また、第１基板に形成された多数本の導電配線と第２基板との電気的接続に関し、例えば、金ビーズ等の導電性粒子を用いて接続するといった高難度の技術を用いる必要がない。

本発明の第１実施形態に係る表示装置を構成する制御部（映像信号制御部、システム制御部、及びタッチセンシング制御部）及び表示部を示すブロック図である。本発明の第１実施形態に係る表示装置を部分的に示す断面図である。本発明の第１実施形態に係る表示装置を構成する表示装置基板に形成された、第１導電配線、第２導電配線、第１アンテナユニット、第２アンテナユニット、制御部等の回路を示す平面図である。本発明の第１実施形態に係る表示装置を構成するアレイ基板に形成された、第３アンテナユニット、第４アンテナユニット、ソース信号スイッチング回路、ゲート信号スイッチング回路等の回路を示す平面図である。本発明の第１実施形態に係る表示装置を構成する表示装置基板の第１面に形成された第１導電配線の断面図である。本発明の第１実施形態に係る表示装置を構成する表示装置基板に形成された第１アンテナユニットを拡大して示す部分平面図である。本発明の第１実施形態に係る表示装置を構成する表示装置基板に形成された第１アンテナユニットを示す図であって、図６のＡ－Ａ’線に沿う断面図である。本発明の第１実施形態に係る表示装置を構成する表示装置基板に形成された第１アンテナユニットと、アレイ基板に形成された第３アンテナユニットの重なりを示す斜視図である。ループアンテナの周囲を導体で囲った場合において渦電流の発生を説明するための説明図である。本発明の第１実施形態に係る表示装置を構成する表示装置基板に形成されたアクティブ素子を部分的に示す断面図である。本発明の第１実施形態に係る表示装置を構成するアレイ基板に形成されたアクティブ素子を部分的に示す断面図である。本発明の第２実施形態に係る表示装置の断面図である。本発明の第２実施形態に係る表示装置を構成するアレイ基板を部分的に示す断面図であり、アレイ基板に形成されたアクティブ素子及び有機ＥＬの発光層の説明図である。本発明の第２実施形態に係る表示装置を構成する表示装置基板に形成された第１アンテナユニットと、アレイ基板に形成された第３アンテナユニットの重なりを示す斜視図である。

　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
　以下の説明において、同一又は実質的に同一の機能及び構成要素には、同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化し、或いは、必要な場合のみ説明を行う。各図においては、各構成要素を図面上で認識し得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。また、必要に応じて、図示が難しい要素、例えば、表示装置を構成する絶縁層、バッファ層、半導体のチャネル層を形成する複数層の構成、また、導電層を形成する複数層の構成、液晶層に初期配向を付与する配向膜、偏光フィルム、位相差フィルム等の光学フィルム、保護用のカバーガラス、バックライト等の図示が省略されている。

　本発明の実施形態に係る第１基板や第２基板等に用いることの可能な基板としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、シリコン、炭化シリコン、シリコンゲルマニウム等の半導体基板、あるいはプラスチック基板等が適用できる。
　例えば、第１基板としてガラス基板等の可視域透明な基板を用い、第２基板としてシリコン基板等を用いて反射型の表示装置を構成することができる。

　第１基板や第２基板に用いられる「第１」及び～「第２」の序数詞、第１導電配線～第６導電配線に用いられる「第１」～「第６」等の序数詞、第１導電性金属酸化物層～第８導電性金属酸化物層等に用いられる「第１」～「第８」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付しており、数量を限定しない。第１導電配線～第６導電配線は、以下の記載で、単に導電配線と称することがある。第１導電性金属酸化物層～第８導電性金属酸化物層は、以下の記載で、単に導電性金属酸化物層と称することがある。

　本発明の実施形態に係る表示装置は、静電容量方式によるタッチセンシング機能を有することができる。後述するように、第１導電配線や第２導電配線等の導電配線は、タッチセンシング検出配線やタッチセンシング駆動配線として用いることができる。以下の記載において、タッチセンシングに関わる導電配線、電極、及び信号を、単に、タッチ配線、タッチ駆動配線、タッチ検出配線、タッチ電極、及びタッチ駆動信号と呼称することがある。タッチセンシング配線にタッチセンシングの駆動のために印加される電圧をタッチ駆動電圧と呼び、表示機能層である液晶層の駆動のために共通電極と画素電極間に印加される電圧を液晶駆動電圧と呼称する。有機ＥＬ層を駆動する電圧を有機ＥＬ駆動電圧と呼称する。共通電極に接続される導電配線はコモン配線と呼称することがある。本発明の実施形態に係る表示機能層には、マイクロＬＥＤと呼称される発光素子を採用できる。

（第１実施形態）
（表示装置ＤＳＰ１の機能構成）
　以下、本発明の第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰ１を、図１から図１１を参照しながら説明する。
　以下に述べる各実施形態においては、特徴的な部分について説明し、例えば、通常の液晶表示装置に用いられている構成要素と本実施形態に係る表示装置との差異がない部分については説明を省略する。
　本発明の実施形態に係る表示装置ＤＳＰ１において、表示機能層は液晶層であり、第２アクティブ素子は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であり、液晶層を駆動する。

　また、本発明の実施形態に係る表示装置は、インセル方式を用いている。ここで、「インセル方式」とは、タッチセンシング機能が液晶表示装置に内蔵された表示装置、或いは、タッチセンシング機能を表示装置と一体化した表示装置を意味する。通常、液晶層を介して表示装置基板とアレイ基板（ＴＦＴ基板）を貼り合わせた液晶表示装置においては、表示装置基板及びアレイ基板の各々の外側の面に偏光フィルムが貼付されている。換言すれば、本発明の実施形態に係るインセル方式の液晶表示装置とは、互いに対向する２つの偏光フィルムの間に位置するとともに厚み方向において液晶表示装置を構成するいずれかの部位に、タッチセンシング機能を具備する液晶表示装置である。なお、本発明に用いる技術用語として、形容詞としての「タッチセンシング」を単に「タッチ」と略称することがある。

　図１は、本発明の第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰ１を示すブロック図である。図１に示すように、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰ１は、表示部１１０と、表示部１１０及びタッチセンシング機能を制御するための制御部１２０とを備えている。
　制御部１２０は、公知の構成を有し、映像信号制御部１２１（第一制御部）と、タッチセンシング制御部１２２（第二制御部）と、システム制御部１２３（第三制御部）とを備えている。タッチセンシング制御部１２２とシステム制御部１２３との間には、アンテナユニット１１～１４が設けられている。

　映像信号制御部１２１は、アレイ基板２００に設けられた共通電極を定電位とするとともに、アレイ基板２００に設けられたゲート配線３３（後述、走査線）及びソース配線３１（後述、信号線）に信号を送る。映像信号制御部１２１が共通電極と画素電極４９（後述）との間に表示用の液晶駆動電圧を印加することで、アレイ基板２００上で電界が発生し、電界に沿って液晶分子が回転し、液晶層４が駆動される。これにより、アレイ基板２００上に画像が表示される。複数の画素電極４９の各々には、ソース配線（信号線）を介して、例えば、矩形波の映像信号が個別に印加される。また、矩形波としては、正又は負の直流矩形波或いは交流矩形波でもよい。映像信号制御部１２１は、このような映像信号をソース配線に送る。

　タッチセンシング制御部１２２は、タッチセンシング駆動配線にタッチセンシング駆動電圧を印加し、タッチセンシング駆動配線とタッチセンシング検出配線との間に生じる静電容量の変化を検出し、タッチセンシングを行う。タッチセンシング制御部１２２は、後述する電力受電部１５、電源制御部１６、タッチ駆動制御部１７、タッチ駆動スイッチング回路１８、タッチ検知スイッチング回路１９、タッチ信号送受信制御部２０、及び検波・ＡＤ変換部３０を含む。

　システム制御部１２３は、映像信号制御部１２１及びタッチセンシング制御部１２２を制御し、液晶駆動と静電容量の変化の検出とを交互に、即ち、時分割で行うことが可能である。また、システム制御部１２３は、液晶駆動周波数とタッチセンシング駆動周波数とを異なる周波数で、或いは、異なる電圧で、液晶を駆動する機能を有してもよい。
　このような機能を有するシステム制御部１２３においては、例えば、表示装置ＤＳＰ１が拾ってしまう外部環境からのノイズの周波数を検知し、ノイズ周波数とは異なるタッチセンシング駆動周波数を選択してもよい。これによって、ノイズの影響を軽減することができる。また、このようなシステム制御部１２３においては、指やペン等のポインタの走査速度に合わせたタッチセンシング駆動周波数を選定することもできる。

　図１に示す構成を有する表示装置ＤＳＰ１において、制御部１２０は、画素電極４９に表示用の液晶駆動電圧を印加して液晶を駆動する機能と、タッチセンシング駆動配線とタッチセンシング検出配線との間に生じる静電容量の変化を検出するタッチセンシング機能とを併せ持つ。本発明の実施形態に係るタッチセンシング配線は、導電率の良い金属層で形成することができるため、タッチセンシング配線の抵抗値を下げてタッチ感度を向上させることができる（後述）。

　制御部１２０は、映像表示の安定期間、及び、映像表示後の黒表示安定期間の少なくとも一方の安定期間で、タッチセンシング駆動を行う機能を有することが好ましい。

（表示装置ＤＳＰ１の構造）
　本実施形態に係る液晶表示装置は、後述する実施形態に係る表示装置基板を具備することができる。また、以下に記載する「平面視」とは、第１基板から前記第２基板に向かう方向から見た平面視を意味し、すなわち、観察者が液晶表示装置の表示面（表示装置基板の平面）を観察する方向から見た平面を意味する。本発明の実施形態に係る液晶表示装置の表示部の形状、又は画素を規定する画素開口部の形状、液晶表示装置を構成する画素数は限定されない。ただし、以下に詳述する実施形態では、平面視、画素開口部の短辺の方向をＸ方向と規定し、長辺の方向（長手方向）をＹ方向と規定し、更に、透明基板の厚さ方向をＺ方向と規定し、液晶表示装置を説明する。以下の実施形態において、上記のように規定されたＸ方向とＹ方向を入れ替えて、液晶表示装置を構成してもよい。

　図２は、本発明の第１実施形態に係る表示装置を部分的に示す断面図である。
　表示装置ＤＳＰ１は、第１面１０１を有する第１透明基板１を備える表示装置基板１００（第１基板）と、第１面１０１に対向する第２面２０１を有する第２透明基板２を備えるアレイ基板２００（第２基板）と、第１透明基板１と第２透明基板２との間に位置する液晶層４（表示機能層）を備える。換言すると、表示装置ＤＳＰ１は、第１透明基板１と第２透明基板２とが向かい合うように、液晶層４を介して表示装置基板１００とアレイ基板２００とを貼り合わせた構造を有する。

　表示装置基板１００において、第１透明基板１の第１面１０１上には、少なくとも、ブラックマトリクス３、下部絶縁層４１、第１導電配線２１、第１基板側絶縁層４２（ゲート絶縁層）、第２導電配線２２、上部絶縁層４３（透明樹脂層）等が積層されている。第１透明基板１の外周部には、後述するタッチ駆動スイッチング回路１８が設けられている。表示装置基板１００においては、第１タッチセンシング配線ユニットを構成する複数の第５導電配線５５と、第２タッチセンシング配線ユニットを構成する複数の第６導電配線５６とが設けられている。第１導電配線２１、第１アンテナユニット１１、第２導電配線２２、及び第２アンテナユニット１２が形成された第１面１０１において、有効表示領域７１が、上部絶縁層４３で覆われている。

　第１透明基板１に形成された第５導電配線５５は、第１導電配線２１の一部をタッチセンシング配線として適用した配線である。第１透明基板１に形成された第６導電配線５６は、第２導電配線２２の一部をタッチセンシング配線として適用した配線である。平行な複数の第５導電配線５５を、第１タッチセンシング配線ユニットと呼称し、平行な複数の第６導電配線５６を、第２タッチセンシング配線ユニットと呼称している。

　本発明における「第１タッチセンシング配線ユニット」とは、第１方向に平行に延線された複数本数の導電配線を意味する。本発明における「第２タッチセンシング配線ユニット」とは、第１方向と直交する第２方向に平行に延線された複数本数の導電配線を意味する。第１タッチセンシング配線ユニット及び第２タッチセンシング配線ユニットは、静電容量変化による指等のポインタの位置を検出するタッチセンシングに用いられる。

　有効表示領域７１内において、複数の第５導電配線５５（第１タッチセンシング配線）は、互いに平行であり、Ｘ方向（第１方向）に延在しており、複数の第６導電配線５６（第２タッチセンシング配線）は、互いに平行であり、Ｘ方向と直交するＹ方向（第２方向）に延在している。タッチセンシングに係る静電容量Ｃ１は、第５導電配線５５と第６導電配線５６との間に生じる。静電容量Ｃ１の変化でタッチの有無及びタッチ位置を検出する。タッチ配線は、タッチ検出の後、あるいは一定周期のタッチ駆動の後、表示装置の筐体に接地させ、タッチに係る静電容量をリセットすることが望ましい。

　アレイ基板２００において、第２透明基板２の第２面２０１上には、ゲート配線３３（ゲート電極、第３導電配線２３）、第２基板側絶縁層４４（ゲート絶縁層）、ソース配線３１（第４導電配線２４）、絶縁層４５、４６等が積層されている（図１１参照）。第２透明基板２の外周部には、後述するゲート信号スイッチング回路２７が設けられている。アレイ基板２００の外端には、ＦＰＣが設けられている。ＦＰＣには、タッチセンシングを含む表示装置全体を制御するＣＰＵ（制御部１２０、図１参照、図２において不図示）、電源を供給するバッテリー等が接続されている。表示装置基板１００とアレイ基板２００とは、液晶層４及び配向膜（不図示）を介して貼り合わされている。

（表示装置基板１００）
　図３は、本発明の第１実施形態に係る表示装置を構成する表示装置基板１００を示す平面図である。なお、図３は、観察者から表示装置基板１００を見た平面図であるが、遮光性を有するブラックマトリクス３を透視するように表示装置基板１００の構成要素が示されている。
　図３に示すように、表示装置基板１００における第１透明基板１の第１面１０１上には、ブラックマトリクス３、第１導電配線２１、第２導電配線２２、第１アンテナユニット１１、第２アンテナユニット１２、電力受電部１５、電源制御部１６、タッチ駆動制御部１７、タッチ駆動スイッチング回路１８、タッチ検知スイッチング回路１９、タッチ信号送受信制御部２０、及び検波・ＡＤ変換部３０が設けられている。第１アンテナユニット１１、第２アンテナユニット１２、タッチ駆動スイッチング回路１８、タッチ検知スイッチング回路１９等の回路を電気的に接続する引き回し配線は、第１導電配線２１の一部及び第２導電配線２２の一部が用いられている。ブラックマトリクス３は、矩形状の有効表示領域７１と、有効表示領域７１を囲む額縁領域７２とを具備する。図３に示される電力受電部１５、電源制御部１６、タッチ駆動制御部１７、タッチ駆動スイッチング回路１８、タッチ検知スイッチング回路１９、タッチ信号送受信制御部２０、検波・ＡＤ変換部３０等は、本発明の「タッチセンシングを制御する回路」を意味する。また、第１導電配線２１の一部と、第２導電配線２２の一部と、第１アクティブ素子は、タッチセンシングを制御する回路を構成する。電力受電部１５は、受信電圧を平滑化、定電圧化し、タッチ駆動電圧として電源制御部１６に出力する。

　なお、第１導電配線２１、第２導電配線２２、第１アンテナユニット１１、第２アンテナユニット１２、タッチ信号送受信制御部２０、タッチ駆動スイッチング回路１８、タッチ検知スイッチング回路１９等は、必ずしもブラックマトリクス３上に配設されなくてもよい。この場合、例えば、第１導電配線２１及び第２導電配線２２を、タッチセンシング配線として有効表示領域内のブラックマトリクス３上に形成し、額縁の外側のブラックマトリクス３が形成されていないガラス面（第１基板の第１面１０１）上にタッチ信号送受信制御部２０、タッチ駆動スイッチング回路１８、タッチ検知スイッチング回路１９等を形成することができる。なお、第１導電配線２１と第２導電配線２２の一部は、下部絶縁層４１を介して、第１アンテナユニット１１や第２アンテナユニット１２の、２層の導電配線構造に適用することができる。第１アンテナユニット１１及び第２アンテナユニット１２は、巻き方向が互いに逆であり、かつ、巻き数が２以上のループアンテナ対を含む。

　ブラックマトリクス３は、例えば、黒色の色材を分散させた着色樹脂で形成することができる。あるいは、低反射率の金属酸化物や金属酸窒化物を用いてブラックマトリクス３を形成してもよい。黒色の色材としては、カーボン、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、或いは、複数の有機顔料の混合物が適用可能である。例えば、色材全体の量に対して５１質量％以上の割合で、即ち、主な色材として、カーボンを用いる。反射色を調整するため、青もしくは赤等の有機顔料を黒色の色材に添加して用いることができる。例えば、出発材料である感光性黒色塗布液に含まれるカーボンの濃度を調整する（カーボン濃度を下げる）ことにより、ニュートラルな黒色及び低反射率を得ることができる。このような工夫を施すことにより、ブラックマトリクス３とガラス等の第１透明基板１との間の界面における可視光の反射率は略３％以下に抑えられ、高い視認性を得ることができる。

（アレイ基板２００）
　図４は、本発明の第１実施形態に係る表示装置を構成するアレイ基板２００を示す平面図である。
　図４に示すように、アレイ基板２００における第２透明基板２の第２面２０１上には、第３アンテナユニット１３、第４アンテナユニット１４、ソース信号スイッチング回路２６、ゲート信号スイッチング回路２７、電力送電部２８、信号送受信部２９等の回路、及びＦＰＣが設けられている。アレイ基板２００において画素開口部１０に相当する位置には薄膜トランジスタが設けられている。第３アンテナユニット１３及び第４アンテナユニット１４は、巻き方向が互いに逆であり、かつ、巻き数が２以上であるループアンテナ対を含む。

　表示装置基板１００とアレイ基板２００とを貼り合わせる際には、第１アンテナユニット１１と第３アンテナユニット１３は、平面視において、重なるように配置される（第１重畳部５１）。また、第２アンテナユニット１２と第４アンテナユニット１４は、平面視において、重なるように配置される（第２重畳部５２）。第１重畳部５１は、タッチセンシング信号の送受信機能を有し、第２重畳部５２は、電力信号の受給機能を有する。第１重畳部５１を形成する第１アンテナユニット１１と第３アンテナユニット１３、及び、第２重畳部５２を形成する第２アンテナユニット１２と第４アンテナユニット１４は、額縁領域７２内に配置されている。

（導電配線）
　次に、上述した第１導電配線２１、第２導電配線２２、第５導電配線５５、及び第６導電配線５６、及び、後述する第３導電配線２３及び第４導電配線２４の構造について説明する。これらの導電配線のうち、代表として、第１導電配線２１を参照して導電配線の構造について説明する。第１導電配線２１の構造及び構成材料は、第２導電配線２２、第３導電配線２３、第４導電配線２４、第５導電配線５５、及び第６導電配線５６に適用することができる。

　図５に示すように、第１透明基板１上にブラックマトリクス３が形成され、ブラックマトリクス３上に下部絶縁層４１が形成され、下部絶縁層４１上に第１導電配線２１が形成されている。第１導電配線２１は、第１導電性金属酸化物層７と第２導電性金属酸化物層９とによって銅合金層８（あるいは銅層）が挟持された構成を有する。第１導電性金属酸化物層７及び第２導電性金属酸化物層９の各々の膜厚は、例えば、１０ｎｍから１００ｎｍの範囲から選択できる。銅合金層８の膜厚は、例えば、５０ｎｍから５００ｎｍの範囲から選択できる。これら導電性金属酸化物層７、９や銅合金層８の成膜方法としては、スパッタリング等の真空成膜法を用いることが好ましい。銅合金層８の形成にメッキ法を併用する場合、上記膜厚より厚く形成してもよい。

　このような配線構造は、第１透明基板１に形成されている第１導電配線２１だけでなく、第２透明基板２上に形成された各種配線にも適用することができる。また、第３導電配線２３に対応するゲート配線３３（図２、図１１参照）、第４導電配線２４に対応するソース配線３１（図２、図１１参照）、あるいはコモン配線（不図示）等においても、上述した配線構造と同じ配線構造を採用することができる。例えば、第１導電性金属酸化物層７及び第２導電性金属酸化物層９と同じ材料で形成された金属酸化物層によって、上述した銅合金層８と同じ組成を有する銅合金層が挟持された配線構造を適用することができる。

　次に、銅合金層８について具体的に説明する。
　銅合金層８は、銅に固溶する第１元素と、銅及び第１元素より電気陰性度が小さい第２元素とを含む。第１元素及び前記第２元素は、銅に添加する場合の比抵抗上昇率が１μΩｃｍ／ａｔ％以下の元素である。銅合金層の比抵抗は、１．９μΩｃｍから６μΩｃｍの範囲内にある。本実施形態において、銅と固溶する元素とは、例えば、車載向けを含む電子機器の使用範囲である－（マイナス）４０℃から＋（プラス）８０℃の温度領域で、銅に対して安定した置換型固溶が得られる元素であると言い換えることができる。また、元素（複数種でもよい）の銅への添加量は、その銅合金の電気抵抗率（比抵抗と同義）が６μΩｃｍを超えない範囲であればよい。マトリクス母材を銅とする場合に、銅に対し、広い固溶域を持つ金属は、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、パラジウム（Ｐｄ）、マンガン（Ｍｎ）が例示できる。アルミニウム（Ａｌ）は広くはないが、銅への固溶域を持つ。

　電気抵抗率の小さい元素（銅の合金元素）は、パラジウム（Ｐｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、カドミウム（Ｃｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）が挙げられる。これら元素は、純銅に対し１ａｔ％添加したときに電気抵抗率の増加が、ほぼ１μΩｃｍ以下となる。カルシウム（Ｃａ）、カドミウム（Ｃｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）はその電気抵抗率の増加が、０．３μΩｃｍ／ａｔ％以下であるので、合金元素として好ましい。経済性及び環境負荷を考慮すると、亜鉛及びカルシウムを合金元素として用いることが好ましい。亜鉛及びカルシウムは、各々、５ａｔ％まで、銅への合金元素として添加できる。

　上記添加量の範囲に基づき、カルシウムの添加量を増やしたり、亜鉛の添加量を減らしたり、亜鉛及びカルシウムの添加量を増減してもよい。銅に対する亜鉛及びカルシウムの添加に起因する効果に関し、各々、０．２ａｔ％以上の添加量において、顕著な効果が得られる。
　純粋な銅に対して亜鉛及びカルシウムを合計０．４ａｔ％添加された銅合金の電気抵抗率は、約１．９μΩｃｍとなる。従って、本発明の実施形態に係る銅合金層８の電気抵抗率の下限は、１．９μΩｃｍとなる。なお、カルシウム（Ｃａ）、カドミウム（Ｃｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）を合金元素として用いた場合において、銅に対する添加量が５ａｔ％を超えてくると、銅合金の電気抵抗率が顕著に増加するので、少なくとも５ａｔ％以下の添加量であることが好ましい。

　亜鉛は、１００℃以下の温度で、銅に対し少なくとも３０ａｔ％の固溶領域を有する。亜鉛は、銅と置換固溶し、銅のグレイン（結晶粒）の中で銅の動きを抑制し、銅の拡散を抑制する効果を有する。

　電気陰性度は、原子（元素）が電子を引き寄せる強さの相対尺度である。この値の小さい元素ほど、陽イオンになりやすい。銅の電気陰性度は、１．９である。酸素の電気陰性度は、３．５である。電気陰性度の小さい元素には、アルカリ土類元素、チタン族元素、クロム族元素等が挙げられる。アルカリ元素の電気陰性度も小さいが、銅の近くにアルカリ元素や水分が存在すると、銅の拡散が増長される。このため、ナトリウムやカリウム等のアルカリ元素は、銅の合金元素としては使えない。

　カルシウムの電気陰性度は、１．０と小さい。カルシウムを銅の合金元素として用いた場合、熱処理時などにおいてカルシウムが銅よりも先に酸化され、酸化カルシウムとなり、銅の拡散を抑えることが可能となる。本発明の実施形態に係る導電配線では、導電性金属酸化物層で覆われない銅合金層の露出面や、銅合金層と導電性金属酸化物層との界面に、選択的にカルシウム酸化物を形成させることが可能である。特に、導電性金属酸化物層で覆われない銅合金層の露出面にカルシウム酸化物を形成することが、銅の拡散の抑制、及び信頼性の向上に寄与する。本発明の実施形態に係る導電配線や銅合金層の導電率は、熱処理等アニーリングによって向上する。上述した電気陰性度は、ポーリングの電気陰性度の値で示した。本発明の実施形態に係る導電配線においては、導電配線の熱処理工程等によって、第２元素は、銅及び第１元素よりも先に酸化されて酸化物を形成することが好ましい。また、銅や銅合金に対する水素・酸素の混入を防ぐことが好ましい。

　なお、本発明の実施形態において、「第１元素」は、銅より電気陰性度が小さくてもよい。「第２元素」は、銅に固溶域を持っていてもよい。銅よりも電気陰性度が小さく、かつ、銅に固溶域を持っているという２つの性質を持つ２種以上の元素を用いる場合、２種以上の元素のうち電気陰性度の小さい元素を「第２元素」とする。

　例えば、第１元素は亜鉛であり、第２元素はカルシウムが挙げられる。銅合金層８の具体的な組成に関し、銅合金層８は、カルシウム２ａｔ％、亜鉛０．５ａｔ％、残部が銅である銅合金を用いる。銅合金層８の電気抵抗率は、２．６μΩｃｍである。

　銅合金層８の電気抵抗率は、銅合金層８の成膜方法やアニール条件によって、±３０％前後の変化があり得る。例えば、ガラス基板等に銅合金層が直接形成された構成では、成膜時の熱処理で、さらには、成膜後の熱処理で、銅合金層が酸化され（ＣｕＯ、酸化銅を形成する）、抵抗値が悪化する。また、銅合金層を構成する合金元素が低い濃度で添加されている銅合金、即ち、希薄合金においては、酸化銅の形成と共に、銅合金のグレインが大きくなり過ぎてしまう。このため、隙間を有する粗大なグレインバウンダリー（結晶粒界）が形成されてしまい、併せ銅合金層の表面が粗くなり、抵抗値を悪化させることがある。

　本発明の実施形態においては、銅合金層８が第１導電性金属酸化物層７と第２導電性金属酸化物層９によって挟持された構成を採用している。この構成では、熱処理（アニール）により電気抵抗率が改善されることが多い。換言すれば、本発明の実施形態において、銅合金層８が導電性金属酸化物で覆われることにより、銅合金層８の表面酸化が抑制される。また、銅合金層８の表面及び裏面に形成された導電性金属酸化物層による規制（アンカリング）によって、銅合金層８のグレインが極端に粗大化することがなく、銅合金層８の表面が粗くならない。銅合金層８を構成する合金元素が低い濃度（例えば、０．２ａｔ％前後）で添加されている銅合金層８であっても、結晶粒（グレイン）が大きくなりにくく、粗大化したグレインバウンダリーによるキャリア散乱（電気抵抗率の悪化）を抑制することができる。

　電気抵抗率の悪化を抑制する効果に関し、特に、銅に添加される合金元素の比抵抗上昇率が１μΩｃｍ／ａｔ％以下の元素の場合であって、かつ、銅合金層８が第１導電性金属酸化物層７と第２導電性金属酸化物層９によって挟持された構成の場合に、顕著な効果が得られやすい。本実施形態は、銅合金層が大気雰囲気、窒素雰囲気、酸素雰囲気、水素雰囲気等に曝される場合とは全く異なり、銅合金層の表面及び裏面に形成された導電性金属酸化物層による規制（アンカリング）によって、銅合金層における緻密なグレインによる再結晶化が進み、銅合金層は低抵抗化しやすい。

　本発明の実施形態に係るタッチセンシング配線において、銅合金層８と第１導電性金属酸化物層７との界面に、及び、銅合金層８と第２導電性金属酸化物層９との界面に、また、銅合金層８の側面に、カルシウム酸化物が形成されることがある。カルシウム酸化物は、後述する低温アニーリングや熱処理にて形成されることが多い。銅合金層８の表面や導電性金属酸化物層との界面にカルシウム酸化物が形成されることにより、銅の拡散が抑制され、信頼性の向上に寄与する。

　また、本発明の実施形態に係る銅合金層においては、意図的に酸素（Ｏ）を含ませる必要はない。酸素を多く含む銅合金層は、例えば、水やアルカリの存在で、銅合金層にボイドを発生させ、銅合金層の信頼性を低下する懸念がある。
　そこで、第１導電性金属酸化物層と銅合金層と第２導電性金属酸化物層の３層を、例えば、室温（２５℃）から２００℃未満の基板温度で連続成膜を行う。更に、チャネル層のパターンを形成した後における後工程で、例えば、２００℃～３００℃の低温アニーリングを施す。あるいは、３００℃を超え、６００℃までの高温アニーリングを施してもよい。これにより、電気抵抗率を含む電気特性改善が可能である。

　本発明の実施形態に係る銅合金層は、Ｃｕ－Ｃａ合金系の合金である。Ｃｕ－Ｃａ合金系において、カルシウムは、銅に固溶しにくい。例えば、銅合金層の出発材料であるスパッタリングターゲットでは、Ｃｕ_５Ｃａ等の析出物としてスパッタリングターゲット中に分散しやすい。Ｃｕ－Ｃａ－Ｚｎ合金においても、同様に、カルシウムは銅に固溶しにくい。
　Ｃｕ_５Ｃａや、熱処理時において銅合金の表面又は導電性金属酸化物と銅合金との界面に形成されるＣａＯ等は、銅の拡散を抑制し、銅配線の信頼性の向上に寄与する。

　亜鉛を銅合金に添加することによって、銅に亜鉛が固溶し、銅のグレインにおける格子位置に亜鉛を置換させて銅の動きが抑えられ、主として、銅のマイグレーションを防止することができる。
　カルシウムを銅合金に添加することによって、主として、ＣａＯやＣｕ_５Ｃａ等の析出物が形成されることによる銅の拡散を防止することができる。

　本発明の実施形態において、銅合金層を挟持する導電性金属酸化物層は、銅合金薄膜に対する密着性の向上、電気的実装におけるオーミックコンタクトの改善、耐擦傷性の向上、銅マイグレーションの防止、銅合金層及び導電性金属酸化物層の積層構造による信頼性の向上等、の機能を有する。

（導電性金属酸化物層）
　次に、上述した第１導電性金属酸化物層７及び第２導電性金属酸化物層９、及び後述する第３導電性金属酸化物層、第４導電性金属酸化物層、第５導電性金属酸化物層、及び第６導電性金属酸化物層の構造について説明する。以下、第１～第６導電性金属酸化物層を単に導電性金属酸化物層と呼称する。
　導電性金属酸化物層の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化アンチモン、酸化ガリウム、酸化錫から選択される２種以上の金属酸化物を含む複合酸化物を採用することができる。

　導電性金属酸化物層に含まれるインジウム（Ｉｎ）の量は、８０ａｔ％より多く含有させる必要がある。インジウム（Ｉｎ）の量は、８０ａｔ％より多いことが好ましい。インジウム（Ｉｎ）の量は、９０ａｔ％より多いことがさらに好ましい。インジウム（Ｉｎ）の量が８０ａｔ％より少ない場合、形成される導電性金属酸化物層の比抵抗が大きくなり、好ましくない。亜鉛（Ｚｎ）の量が２０ａｔ％を超えると、導電性金属酸化物（混合酸化物）の耐アルカリ性が低下するので好ましくない。上記の導電性金属酸化物層においては、いずれも、混合酸化物中の金属元素でのアトミックパーセント（酸素元素をカウントしない金属元素のみのカウント）である。酸化アンチモンは、金属アンチモンが銅との固溶域を形成しにくく、積層構成での銅の拡散を抑制するため、上記導電性金属酸化物層に加えることができる。混合酸化物中には、チタン、ジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム、ゲルマニウム等の他の元素を少量、添加することもできる。

　銅層或いは銅合金層は、透明樹脂やガラス基板（第１透明基板、第２透明基板に適用）に対する密着性が低い。このため、銅層或いは銅合金層をこのまま表示装置基板に適用した場合、実用的な表示装置基板を実現することは難しい。しかし、上述した複合酸化物は、ブラックマトリクス、透明樹脂及びガラス基板等に対する密着性を十分に有しており、かつ、銅層や銅合金層に対する密着性も十分である。このため、上記複合酸化物を用いた銅層或いは銅合金層を表示装置基板に適用した場合、実用的な表示装置基板を実現することが可能となる。

　銅、銅合金、銀、銀合金、或いはこれらの酸化物、窒化物は、ガラス等の透明基板やブラックマトリクスＢＭ等に対する十分な密着性を一般的に有していない。そのため、導電性金属酸化物層を設けない場合、導電配線とガラス等の透明基板との界面、或いは、導電配線とブラックマトリクスあるいはＳｉＯ_２等で形成される絶縁層との界面で剥がれが生じる可能性がある。細い配線パターンを有する導電配線として銅或いは銅合金を用いる場合、導電配線の下地層として導電性金属酸化物層が形成されていない表示装置基板においては、剥がれによる不良以外にも、表示装置基板の製造工程の途中で導電配線に静電破壊による不良が生じる場合があり、実用的ではない。このような静電破壊は、カラーフィルタを基板上に積層するといった後工程や、表示装置基板とアレイ基板とを貼り合わせる工程や、洗浄工程等によって配線パターンに静電気が蓄積され、静電破壊によりパターン欠け、断線等を生じる現象である。

　加えて、銅層や銅合金層の表面には、導電性を有しない銅酸化物が経時的に形成され、電気的なコンタクトが困難となることがある。その一方、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化アンチモン、酸化ガリウム、酸化錫等の複合酸化物層は、安定したオーミックコンタクトを実現することができ、このような複合酸化物を用いる場合では、導通転移（トランスファ）やコンタクトホールを介しての電気的実装を容易に行うことができる。

（アンテナユニット）
　次に、図６～図１０を参照し、図３に示す第１アンテナユニット１１の具体的な構造について説明する。
　図６は、本発明の第１実施形態に係る表示装置基板１００に形成された第１アンテナユニットを拡大して示す部分平面図である。図７は、図６のＡ－Ａ’線に沿う断面図である。図８は、表示装置基板１００に形成された第１アンテナユニット１１と、アレイ基板２００に形成された第３アンテナユニット１３の重なりを示す斜視図である。図９は、ループアンテナの周囲を導体で囲った場合において渦電流の発生を説明するための説明図である。図１０は、表示装置基板１００に形成されたアクティブ素子を部分的に示す断面図である。
　以下の説明では、第１アンテナユニット１１、第２アンテナユニット１２、第３アンテナユニット１３、及び第４アンテナユニット１４のうち、代表として、第１アンテナユニット１１の構造について説明するが、他のアンテナユニットにおいても、同様の構造を採用することができる。また、以下の説明では、単に「アンテナユニット」と称する場合がある。

　本発明における「アンテナユニット」とは、タッチセンシング信号の送受信や電力の受電及び給電等の目的で、１以上のアンテナが基板上に配置された構成を意味する。アンテナユニットの構成として、アンテナがループ（同一平面に形成されたコイル、螺旋状のパターン）形状のアンテナである場合、互いに逆向き方向に巻かれた２つのアンテナを隣接させた構成が、通信の安定性確保の観点で好ましい。逆向き方向に巻かれたアンテナを交互に２以上隣接させて、そのうち１組のアンテナを選択して用いることも可能である。

　図８に示すように、表示装置基板１００の第１アンテナユニット１１とアレイ基板２００の第３アンテナユニット１３は、平面視、同じループアンテナ形状であり、位置が整合され、重なっている（第１重畳部５１）。同様に、表示装置基板１００の第２アンテナユニット１２とアレイ基板２００の第４アンテナユニット１４は、平面視、同じループアンテナ形状であり、位置が整合され、重なっている（第２重畳部５２）。

　第１重畳部５１及び第２重畳部５２において、アンテナを形成する導電配線の線幅が例えば１μｍから２０μｍといった細い線幅であること、及び、狭い額縁領域７２内にアンテナユニットを収める必要があることから、アンテナの位置精度は、±３μｍ以内の精度が好ましい。位置整合の精度が高くなると、信号の送信や受信を効率の良く行うことが可能となる。２以上のループアンテナを並列に接続することで、アンテナの小型化と、非接触データ転送の高速化が可能となる。なお、図６～図８においては、第１アンテナユニット１１と第２アンテナユニット１２の各々と、第３アンテナユニット１３と第４アンテナユニット１４の各々のとの共振回路を形成するためのコンデンサや他の部品の図示は省略されている。

　アンテナを形成する導電配線の構造としては、上述した銅合金層を導電性金属酸化物層で挟持する３層構成の導電配線を用いることができる。例えば、第１アンテナユニット１１と第２アンテナユニット１２は、第１導電配線２１と同じレイヤで同じ工程で形成することができる。第３アンテナユニット１３と第４アンテナユニット１４は、第３導電配線２３（あるいは第４導電配線２４）と同じレイヤで同じ工程で形成することができる。

　第１アンテナユニット１１、第２アンテナユニット１２、第３アンテナユニット１３、及び第４アンテナユニット１４の各々は、逆巻きのループアンテナの対で構成されている。逆巻きのループアンテナの磁界の発生方向が逆方向となることで、ノイズ発生の少ない、安定した送受信が可能となる。換言すれば、逆巻きのループアンテナには、それぞれ方向の異なる磁界形成により外部磁界の遮蔽効果が得られ、外部ノイズの影響を低減できる。

　ループアンテナの巻き数は、２以上、あるいは３以上が好ましい。アンテナの外形が５ｍｍ以下と小さいサイズの場合、巻き線数を３以上２０以下とすることができる。第１実施形態での巻き数は、３巻とした。ここで、巻き数が２以上のループアンテナの平面視形状は、同一平面上で旋回するに従い中心に近づく曲線となる。線間がほぼ等間隔となるアルキメデスの螺旋を典型的に例示できる。

　一般に、ＲＦＩＤに代表されるループアンテナは、長い通信距離を得るため、次の３つ点が必要である。
（ａ）巻き数を増やすこと
（ｂ）例えば、１３．５６ＭＨｚ等の周波数を前提にカードサイズ等の大きなアンテナ径を確保すること
（ｃ）導電配線の導電率を確保すること等
　なお、アンテナ径とは、アンテナの平面視、長軸と短軸との平均値を目安としている。その一方、本発明の実施形態に係るループアンテナの通信距離は、有機ＥＬ層に用いる封止層の厚みや液晶層の厚みであり、例えば、０．５μｍ～５μｍ程度の短い距離でよいため、上述した制限は、殆どなくなる。換言すれば、本発明の実施形態に係るループアンテナの通信距離は、一般的なＲＦＩＤと異なり、０．５μｍから５μｍ程度の短い距離でよいため、液晶層等の駆動回路へのノイズ影響を極めて小さくできる。本発明の実施形態に係るループアンテナの遠方放射強度は小さく、通常のアンテナの共振周波数の法的制限を殆ど受けない。

　本発明の実施形態に係るループアンテナの共振周波数は、例えば、タッチセンシング駆動周波数のｎ倍（ｎは１以上の整数）としてタッチセンシングに都合のよい周波数を選択できる。
　逆に、液晶層等の駆動回路、バックライトユニット駆動、１００Ｖ等の外部電源等から受けるノイズの影響を減らすため、本実施形態では図６や図８に示す略Ｕ字形状の導体パターン２５Ａ、２５Ｂでアンテナユニット１１、１２、１３、１４を平面的に囲った。
　なお、導体パターンの形状として、例えば、図９に示すような電気的に閉じた形状Ｗ（電気的につながった形状）を採用する場合、ループアンテナを流れる電流とは逆向きに流れる電流が導体パターンに流れてしまい、ループアンテナの効率を低下させてしまう。このため、導体パターン２５Ａ、２５Ｂの形状としては、環状の導電パターンでアンテナユニットを囲うのではなく、略Ｕ字形状の導電パターンによりアンテナユニット（ループアンテナ）の周囲を部分的に囲うことが好ましい。導体パターン２５Ａ、２５Ｂは、表示装置の筐体等に接地することが好ましい。
　導体パターン２５Ａ、２５Ｂの構造としては、上述したように、第１導電性金属酸化物層と第２導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された構成が好ましい。

　例えば、アンテナユニット１１、１２、１３、１４の各々は、平面視、逆巻き方向のアンテナの対とすることができる。逆巻きとは、図６に示される上下の配置（あるいは左右の配置）のループアンテナ１６４、１６５が、中心１６６にて平面視、線対称となる巻き方向と定義できる。

　第１アンテナユニット１１と第３アンテナユニット１３との重なり部（第１重畳部５１）では、例えば、ＣＰＵからのタッチ駆動信号の受信、あるいは、タッチ検知スイッチング回路１９からタッチ信号送受信制御部２０を経て出力されるタッチ検出信号の送信が行われる。タッチ駆動信号は、タッチ駆動制御部１７を経てタッチ駆動スイッチング回路１８を駆動する。換言すれば、第１アンテナユニット１１と第３アンテナユニット１３との第１重畳部５１は、タッチセンシング信号の送受信機能を有する。
　第２アンテナユニット１２と第４アンテナユニット１４との重なり部（第２重畳部５２）では、例えば、第４アンテナユニット１４から共振周波数の電磁波の発生により生じた電力を第２アンテナユニット１２が受電する。換言すれば、第２アンテナユニット１２と第４アンテナユニット１４との第２重畳部５２は、電力信号の受給機能を有する。
　なお、第１アンテナユニット１１と第３アンテナユニット１３との重なり部の役割と、第２アンテナユニット１２と第４アンテナユニット１４との重なり部の役割は、入れ替えることができる。

　図７に示すように、第１透明基板１上にブラックマトリクス３が形成され、ブラックマトリクス３上に下部絶縁層４１が形成され、下部絶縁層４１上に第１アンテナユニット１１及び第２アンテナユニット１２が形成されている。図３、図５、及び図７を比較すると明らかなように、下部絶縁層４１上に、第１導電配線２１、第５導電配線５５、第１アンテナユニット１１、及び第２アンテナユニット１２が形成されている。即ち、第１導電配線２１、第５導電配線５５、第１アンテナユニット１１、及び第２アンテナユニット１２は、同一のレイヤに位置する。

　より具体的に説明すると、下部絶縁層４１上に、第１導電性金属酸化物層７、銅合金層８（あるいは銅層）、及び第２導電性金属酸化物層９（３層構成の導電層）が成膜された後、周知のフォトリソグラフィの手法で、３層構成の導電層をパターニングすることで、第１導電配線２１、第５導電配線５５、第１アンテナユニット１１、及び第２アンテナユニット１２の各々のパターンが形成される。即ち、本発明における「同一のレイヤに位置する」とは、３層構成の導電層を基板上に形成した後に、パターニングによって、各々の配線層（導電配線、アンテナユニット）を同一層として配設することを意味しており、配線やアンテナ等が、同じ層構成、同じ材料で、同一のレイヤに設けられていることを意味する。

　同じ層構成の導電配線（第１導電配線２１）で形成された第１アンテナユニット１１、第２アンテナユニット１２の各々は、第１接続用パッド６０、６１を介して、異なる導電配線（第２導電配線２２）に電気的に接続されている。また、例えば、第１アクティブ素子３８を構成するゲート電極５４（ゲート配線、図１０参照）は、同じ層構成の導電配線（第１導電配線）と同一のレイヤにあり、第１アクティブ素子３８を構成するソース配線５３とソース電極５８は第２導電配線２２と同一のレイヤに位置する。また、第１タッチセンシング配線ユニットは第１導電配線と同一のレイヤに位置する第５導電配線５５で形成されており、第２タッチセンシング配線ユニットは第６導電配線５６で形成されている。上述したように、本発明の実施形態では、第１導電配線２１と第２導電配線２２の２層配線を、アンテナやアクティブ素子に活用している。
　後述するタッチ駆動スイッチング回路１８やゲート信号スイッチング回路２７等には、アクティブ素子（薄膜トランジスタ）や第１導電配線と第２導電配線との２層配線を含んでいるが、図２及び図１２ではその詳細を省略している。

（第１アクティブ素子３８）
　表示装置基板１００に形成されている電力受電部１５、電源制御部１６、タッチ駆動制御部１７、タッチ駆動スイッチング回路１８、タッチ検知スイッチング回路１９、タッチ信号送受信制御部２０、及び検波・ＡＤ変換部３０は、スイッチング素子として、第１アクティブ素子３８を備えている。
　図１０に示すように、第１アクティブ素子３８は、ボトムゲート構造を有しており、第１透明基板１の額縁領域７２に形成されている。第１アクティブ素子３８は、ブラックマトリクス３と下部絶縁層４１を介して第１透明基板１の第１面１０１に形成される。なお、第１アクティブ素子３８を形成する部位は、下地のブラックマトリクス３を省き、下部絶縁層４１上に形成してもよい。

　第１アクティブ素子３８において、ゲート電極５４は、第１導電配線２１と同じ構成の導電配線で形成され、第１導電配線２１と同じ工程で形成される。ゲート電極５４上には、ゲート絶縁層４２（第１基板側絶縁層）、チャネル層５９及びドレイン電極５７、ソース電極５８が積層されている。ゲート電極５４は、ゲート電極５４に接続されているゲート配線と電気的につながり、ソース電極５８はソース配線５３と電気的につながっている。

　複数の第１アクティブ素子３８と、導電性金属酸化物層あるいは酸化物半導体の膜のパターニングによって形成された抵抗素子とで、図３に示したタッチ駆動スイッチング回路１８、タッチ検知スイッチング回路１９、タッチ信号送受信制御部２０、検波・ＡＤ変換部３０、電力受電部１５、電源制御部１６、タッチ駆動制御部１７等の回路が構成されている。第１アンテナユニット１１や第２アンテナユニット１２等に必要なコンデンサは、第１導電配線２１及び第２導電配線２２を形成する際に形成することができる。具体的に、第１導電配線２１及び第２導電配線２２と同じ構成を有すると共に同じレイヤに位置する導電層を、第１基板側絶縁層４２の上下に所望の大きさを有するように、パターニングによって、コンデンサを形成することができる。第１アクティブ素子３８を構成するチャネル層３５は、酸化物半導体で構成されている。

（酸化物半導体）
　酸化物半導体は、例えば、酸化インジウム、酸化ガリウムを少なくとも含有する。さらに、酸化物半導体は、酸化アンチモン、酸化ビスマス、酸化亜鉛のうちいずれか１種以上を含む。このような酸化物半導体は、上記と同様の２００℃～３５０℃の低温アニーリングにより、結晶化を進め、半導体特性を安定化できる。このような低温プロセスは、有機樹脂や有機顔料をベースとするカラーフィルタや、ポリイミド樹脂やアラミド樹脂等の樹脂基板への適合性を向上させる。例えば、基板上に、樹脂にカーボンが分散されたブラックマトリクスを形成し、更に、チャネル層として酸化物半導体を用いたアクティブ素子を形成する場合がある。この場合であっても、前記ブラックマトリクスが耐熱性を持つ２００℃～３００℃の範囲の低温アニーリングを実施でき、酸化物半導体の信頼性を向上できるメリットがある。

　酸化物半導体は、非晶質から結晶質に変化させることで、キャリア移動度の改善や信頼性の向上を実現することができる。酸化インジウムや酸化ガリウムの酸化物としての融点は高い。酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_３）や酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）の融点はいずれも１０００℃以下で、酸化物の融点が低い。例えば、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）と酸化アンチモンの３元系複合酸化物を採用した場合、融点の低い酸化アンチモンの効果で、この複合酸化物の結晶化温度を低くすることができる。換言すれば、非晶質状態から、微結晶状態などに結晶化させ易い酸化物半導体を提供できる。酸化物半導体は、その結晶性を高めることで、キャリア移動度を向上させることができる。微結晶の酸化物半導体膜とは、ＴＥＭなどの観察方法により、少なくとも１ｎｍから３ｎｍ前後、或いは、３ｎｍより大きい結晶粒を観察することができる酸化物半導体膜である。

　酸化物半導体は、後工程のウエットエッチングにおいて易溶性が求められることから、酸化亜鉛、酸化ガリウムあるいは酸化アンチモンリッチな複合酸化物を用いることができる。例えば、スパッタリングに用いる金属酸化物ターゲットの金属元素の原子比（酸素をカウントしない原子比）としては、Ｉｎ：Ｇａ：Ｓｂ＝１：２：２、Ｉｎ：Ｇａ：Ｓｂ＝１：３：３、Ｉｎ：Ｇａ：Ｓｂ＝２：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｓｂ＝１：１：１、或いはＩｎ：Ｇａ：Ｓｂ＝１：０．２５：１を例示することができる。ここでＳｂは、例えば、Ｚｎ（亜鉛）やＢｉ（ビスマス）に置き換えることができる。
　また、Ｉｎ：Ｓｂ＝１：１の原子比で、酸化インジウム及び酸化アンチモンの２元系複合酸化物としてもよい。例えば、Ｉｎ：Ｂｉ＝１：１の原子比で、酸化インジウム及び酸化ビスマスの２元系複合酸化物としてもよい。また、上記原子比においては、Ｉｎの含有量を更に増やしてもよい。
　例えば、上記の複合酸化物にさらにＳｎを添加してもよい。この場合、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、及びＳｎＯ_２を含む４元系の組成を含む複合酸化物が得られ、あるいは、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、及びＳｎＯ_２を含む３元系の組成を含む複合酸化物が得られ、キャリア濃度を調整することが可能となる。Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｂｉ_２Ｏ_３と価数の異なるＳｎＯ_２は、キャリアドーパントの役割を果たす。

　チャネル層として酸化物半導体を用いたアクティブ素子（薄膜トランジスタ）は、電気的な耐圧が極めて高い。第３アンテナユニットと第４アンテナユニットとの間のノイズに起因する電圧変動、さらには、タッチ配線が外部から拾うノイズに伴う電圧変動に耐えることができ、チャネル層として酸化物半導体を用いたアクティブ素子（薄膜トランジスタ）でのタッチセンシングに係る回路形成は、極めて好ましい。

　これら酸化物半導体をチャネル層として用い、本発明の実施形態に係る導電配線を適用したソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極を用いることで、ｎ型の薄膜トランジスタ（アクティブ素子）を提供できる。チャネル層をｐ型とすることでｐ型の薄膜トランジスタを提供できる。

（第２アクティブ素子４８）
　次に、アレイ基板２００の有効表示領域７１に形成された第２アクティブ素子４８について説明する。図１１は、アレイ基板２００に形成された第２アクティブ素子４８を部分的に示す断面図である。
　第２アクティブ素子４８は、ボトムゲート構造を有しており、ゲート電極３３（ゲート配線）、ソース配線３１、ソース電極３２、チャネル層３５、ドレイン電極３７を備える。ゲート配線及びソース配線は、第２アクティブ素子４８に電気的に接続されている。第２アクティブ素子４８のドレイン電極３７は、コンタクトホール９０を介して画素電極４９に電気的に接続され、液晶層４の駆動を行う。アレイ基板２００では、第２アクティブ素子４８と同じ構成を有するアクティブ素子が、アレイ基板２００の額縁領域にも形成されている。アレイ基板２００の額縁領域において、複数の第２アクティブ素子４８と、導電性金属酸化物層あるいは酸化物半導体の膜のパターニングにより形成された抵抗素子とによって、図４に示したソース信号スイッチング回路２６、ゲート信号スイッチング回路２７、及び電力送電部２８、信号送受信部２９が構成されている。電力送電部２８は、第４アンテナユニット１４を駆動し、第２アンテナユニット１２に対する送電を行う。信号送受信部２９は、第３アンテナユニット１３を駆動し、第１アンテナユニット１１と第３アンテナユニット１３との間で、タッチ信号の送受信を行う。

　視認性向上のため、有効表示領域の外側に、遮光性のブラックマトリクスによって額縁を形成することが好ましい。しかし、額縁領域の全てに額縁を形成する必要はなく、タッチ駆動スイッチング回路等の第１アクティブ素子を形成する領域では、遮光性のブラックマトリクスによる額縁の形成を省いてもよい。また、観察面である第１透明基板１の表面に保護ガラスとして積層されるカバーガラスの裏面等に、額縁状の遮光パターンを形成してもよい。
　なお、アレイ基板２００の額縁領域に形成された、ソース信号スイッチング回路２６、ゲート信号スイッチング回路２７、電力送電部２８、信号送受信部２９の電源は、ＦＰＣを経由して、図示されていないバッテリー、あるいはアダプターを介して１００Ｖ等の外部電源と接続される。

　また、第１透明基板１の画素開口部１０、もしくは、第２透明基板２の画素開口部１０に、例えば、赤フィルタ、緑フィルタ、青フィルタ等のカラーフィルタを配設してもよい。
　なお、第１実施形態において、チャネル層３５に用いる酸化物半導体は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｓｂ＝１：０．２５：１の元素比の複合酸化物を用い、２８０℃の低温アニールを行い、微結晶の酸化物半導体とした。第１実施形態での銅合金層には、Ｉｎ：Ｃａ：Ｚｎ＝９７．５：２：０．５の元素比の銅合金を用いた。

（タッチセンシング）
　第１タッチセンシング配線ユニットや第２タッチセンシング配線ユニットに含まれるタッチセンシング配線の全てをタッチセンシングに用いなくてもよい。間引き駆動を行ってもよい。タッチセンシング配線を間引き駆動させる場合について説明する。まず、全てのタッチセンシング配線を複数のグループに区分する。グループの数は、全てのタッチセンシング配線の数より少ない。一つのグループを構成する配線数が、例えば、６本であるとする。ここで、全ての配線（配線数は６本）のうち、例えば、２本の配線を選択する（全ての配線の本数よりも少ない本数、２本＜６本）。一つのグループにおいては、選択された２本の配線を用いてタッチセンシングが行われ、残りの４本の配線における電位がフローティング電位に設定される。タッチセンシングの機能が定義されているグループ毎にタッチセンシングを行うことができる。

　タッチに用いられるポインタが、指である場合とペンである場合とは、接触あるいは近接するポインタの面積や容量が異なる。こうしたポインタの大ききによって、間引く配線の本数を調整できる。ペンや針先などの先端が細いポインタでは、配線の間引き本数を減らして高密度のタッチセンシング配線のマトリクスを用いることができる。指紋認証時には高密度のタッチセンシング配線としてタッチセンシングを行うことができる。間引き駆動により、タッチセンシングに関わる消費電力を減らすことができる。

　タッチセンシング駆動と液晶駆動を時分割で行うこともできる。要求されるタッチ入力の速さに合わせてタッチ駆動の周波数を調整してもよい。タッチ駆動周波数は、液晶駆動周波数より高い周波数を採用することができる。指等のポインタが表示装置の観察者側の表面に接触或いは近接するタイミングは不定期であり、かつ、短時間であることから、タッチ駆動周波数は高いことが望ましい。タッチ駆動周波数と液晶駆動周波数とを異ならせる方法は、いくつか挙げられる。例えば、ノーマリオフの液晶駆動にて、黒表示（オフ）のときにバックライトもオフとし、この黒表示の期間（液晶表示に影響のない期間）にタッチセンシングを行ってもよい。この場合、タッチ駆動の周波数を種々、選択できる。

（アクティブ素子による回路形成）
　上述した実施形態においては、導電性金属酸化物層あるいは酸化物半導体の膜を所望のパターンに形成することで抵抗素子を形成することができる。また、アレイ基板２００上にポリシリコン半導体をチャネル層とする薄膜トランジスタ（アクティブ素子）のマトリクスを形成した後、絶縁層にスルーホールを形成し、スルーホールを介して、前記チャネル層として酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ（アクティブ素子）のマトリクスを積層することができる。

　抵抗素子やｎ型の薄膜トランジスタを用いた周知の技術で、インバーター回路やＳＲＡＭを構成することができる。同様、ＲＯＭ回路、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路、フリップフロップ、シフトレジスタ等の論理回路を構成することができる。酸化物半導体は、漏れ電流が極めて少ないため、低消費電力の回路を形成することができる。また、シリコン半導体にはないメモリー性（電圧保持性）を有するため、良好なメモリー素子を提供できる。あるいは、アレイ基板２００において、ポリシリコン半導体をチャネル層とするアクティブ素子のマトリクスを１層目に形成し、チャネル層として酸化物半導体を用いたアクティブ素子のマトリクスを２層目に形成する積層構成にて、上記メモリーや論理回路を形成することもできる。必要に応じて、チャネル層をポリシリコン半導体やアモルファスシリコン半導体で形成することもできる。

（第２実施形態）
　以下、本発明の第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰ２を、図１２から図１４を参照しながら説明する。
　第２実施形態においては、第１実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
　図１２は、本発明の第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰ２を部分的に示す断面図である。図１３は、本発明の第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰ２を構成するアレイ基板を部分的に示す断面図であり、アレイ基板に形成されたアクティブ素子及び有機ＥＬの発光層の説明図である。図１４は、本発明の第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰ２を構成する表示装置基板に形成された第１アンテナユニットと、アレイ基板に形成された第３アンテナユニットの重なりを示す斜視図である。

　図１２に示すように、表示装置ＤＳＰ２は、接着層である透明樹脂層９７を介して第１透明基板１と第２透明基板２とを貼り合わせた有機エレクトロルミネセンス（以下、有機ＥＬ）表示装置である。
　本発明の実施形態に係る表示装置ＤＳＰ２において、表示機能層は発光層９２（有機ＥＬ層）及びホール注入層９１であり、第２アクティブ素子は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であり、発光層９２を駆動する。
　平面視における表示装置ＤＳＰ２の構造は、第１実施形態と同様であるので、図示を省略している。第１実施形態と同様に、画素開口部１０に赤フィルタ、緑フィルタ、青フィルタ等のカラーフィルタを配設してもよい。

　表示装置基板１００における第１透明基板１の額縁領域には、ブラックマトリクス３は形成されておらず、アクティブ素子（不図示）等を用い、下部絶縁層４１上にタッチ駆動スイッチング回路１８等の回路が形成されている。このような回路形成は、第１実施形態と同様であるので説明を省く。

　第１透明基板１の第１面１０１には、Ｘ方向（第１方向）に第５導電配線５５からなる第１タッチセンシング配線ユニットと、Ｙ方向（第２方向）に第６導電配線５６からなる第２タッチセンシング配線ユニットとが具備されている。これらタッチセンシング配線ユニットは、第１実施形態と同様、タッチセンシングを制御する回路の構成要素として、第１アクティブ素子３８と第１導電配線２１と第２導電配線２２とを含む。なお、第１導電配線２１と第５導電配線５５とは、同じ導電配線の構造であり同一のレイヤとして形成される。第２導電配線２２と第６導電配線５６とは、同じ導電配線の構造であり同一のレイヤとして形成される。

　図１２においてタッチ駆動スイッチング回路の紙面奥には、図示されていない第１アンテナユニット１１と第２アンテナユニット１２が、第１透明基板１の第１面１０１に配設されている。図１２において図示されていない有機ＥＬ駆動スイッチング回路、第３アンテナユニット１３、及び第４アンテナユニット１４は、第１透明基板１と向かい合う基板２の面に配設されている。

　図１４に示すように、第１アンテナユニット１１、第２アンテナユニット１２、第３アンテナユニット１３、及び第４アンテナユニット１４を構成するループアンテナの巻き数は、いずれも５巻とした。外部からのノイズ影響を緩和するため、各アンテナユニットの３方に、略Ｕ字形状の導体パターン２５Ａ、２５Ｂを形成した。表示装置基板１００の第１アンテナユニット１１とアレイ基板２００の第３アンテナユニット１３は、平面視、同じループアンテナ形状であり、位置が整合され、重なっている（第１重畳部５１）。同様に、表示装置基板１００の第２アンテナユニット１２とアレイ基板２００の第４アンテナユニット１４は、平面視、同じループアンテナ形状であり、位置が整合され、重なっている（第２重畳部５２）。
　アンテナを形成する導電配線の線幅は、６μｍであり、位置精度（アライメント精度）は、±２μｍ以内とした。これら導電配線の構造は、第１実施形態と同様、銅合金層を導電性金属酸化物層で挟持する３層構成である。

　第１実施形態と同様に、第１アンテナユニット１１と第３アンテナユニット１３との重なり部（第１重畳部５１）では、例えば、ＣＰＵからのタッチ駆動信号の受信、あるいは、タッチ検知スイッチング回路１９からタッチ信号送受信制御部２０を経て出力されるタッチ検出信号の送信が行われる。タッチ駆動信号は、タッチ駆動制御部１７を経てタッチ駆動スイッチング回路１８を駆動する。
　第２アンテナユニット１２と第４アンテナユニット１４との重なり部（第２重畳部５２）では、例えば、第４アンテナユニット１４から共振周波数の電磁波の発生により生じた電力を第２アンテナユニット１２が受電する。電力受電部１５は、受信電圧を平滑化、定電圧化し、タッチ駆動電圧として電源制御部１６に出力する。

　第１アンテナユニット１１と第２アンテナユニット１２は、第１導電配線２１と同じ構成を有するとともに同じレイヤに位置する。第１アンテナユニット１１と第２アンテナユニット１２の各々の内側には第１接続用パッド６０、６１が設けられている。第１アンテナユニット１１と第２アンテナユニット１２の各々の内側には、第１接続用パッド６０、６１が形成されている。第１接続用パッド６０、６１上の絶縁層４２（第１基板側絶縁層）に設けられたスルーホールを介して、第１アンテナユニット１１と第２アンテナユニット１２の各々は、第２導電配線２２の一部に接続されている。第１導電配線２１及び第２導電配線２２は、絶縁層４２（第１基板側絶縁層）を介した２層の導電配線構造を構成している。

　第３アンテナユニット１３と第４アンテナユニット１４は、第３導電配線２３と同じ構成を有するとともに同じレイヤに位置する。第３アンテナユニット１３と第４アンテナユニット１４の各々の内側には第２接続用パッド６２、６３が設けられている。第３アンテナユニット１３と第４アンテナユニット１４の各々の内側には、第２接続用パッド６２、６３が形成されている。第２接続用パッド６２、６３上の絶縁層１１３（第２基板側絶縁層）に設けられたスルーホールを介して、第３アンテナユニット１３と第４アンテナユニット１４の各々は、第４導電配線２４の一部に接続されている。第３導電配線２３及び第４導電配線２４は、絶縁層を介した２層配線構造を形成している。

　次に、第２実施形態の表示装置を構成する第２透明基板２の構造について、図１２及び図１３を用いて説明する。
　アレイ基板３００の基板としては、透明基板に限定する必要はなく、例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板、あるいはシリコン、炭化シリコンやシリコンゲルマニウム等の半導体基板、さらにはプラスチック基板等を適用できる。例えば、表示装置基板１００の基板としてガラス基板等の透明基板を用い、アレイ基板３００の基板としてシリコン基板を用い、反射型の表示装置を構成することができる。

　アレイ基板３００において、下部絶縁層１１４、下部絶縁層１１４上に形成されたアクティブ素子６８（第２アクティブ素子）、下部絶縁層１１４及びアクティブ素子６８を覆うように形成された絶縁層（第２基板側絶縁層）１１３、アクティブ素子６８のチャネル層６５に対向するように絶縁層１１３上に形成されたゲート電極９５、絶縁層１１３及びゲート電極９５を覆うように形成された上部絶縁層１１２、及び上部絶縁層１１２上に形成された平坦化層９６が、基板２上に、順に積層されている。チャネル層６５は、酸化物半導体で形成されている。

　平坦化層９６には、アクティブ素子６８のドレイン電極６６に対応する位置にコンタクトホール９３が形成されている。また、平坦化層９６上には、チャネル層６５に対応する位置にバンク９４が形成されている。断面視において互いに隣り合うバンク９４の間の領域においては、即ち、平面視においてバンク９４に囲まれた領域においては、平坦化層９６の上面、コンタクトホール９３の内部、及びドレイン電極６６を覆うように下部電極８８（画素電極）が形成されている。

　なお、下部電極８８は、バンク９４の上面には形成されていなくてもよい。
　更に、下部電極８８、バンク９４、及び平坦化層９６を覆うようにホール注入層９１が形成されている。ホール注入層９１上には、順に、発光層９２、上部電極８７、及び封止層１０９が積層されている。
　下部電極８８は、後述するように、銀あるいは銀合金層が導電性金属酸化物層によって挟持された構成を有する。

　上部電極８７は、例えば、膜厚１１ｎｍの銀合金層が膜厚４０ｎｍの複合酸化物で挟持された透明導電膜である。下部電極８８は、膜厚２５０ｎｍの銀合金層が膜厚３０ｎｍの複合酸化物で挟持された構成を有する。なお、上記複合酸化物層を導電性金属酸化物層に適用し、銀合金層の膜厚を、例えば、９ｎｍから１５ｎｍの範囲に設定し、導電性金属酸化物層によって銀合金層が挟持された３層積層構造を用いることが好ましい。この場合、高い透過率の透明導電膜を実現することができる。
　また、上記複合酸化物層を導電性金属酸化物層に適用し、銀合金層の膜厚を、例えば、１００ｎｍから２５０ｎｍの範囲内、あるいは、３００ｎｍ以上の膜厚に設定し、導電性金属酸化物層によって銀合金層が挟持された３層積層構造を採用してもよい。この場合、可視光に対して高い反射率を有する反射電極を実現することができる。

　バンク９４の材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラックフェノール樹脂等の有機樹脂を用いることができる。バンク９４には、更に、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機材料を積層してもよい。
　平坦化層９６の材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド樹脂等を用いてもよい。低誘電率材料（ｌｏｗ－ｋ材料）を用いることもできる。
　なお、視認性向上のため、平坦化層９６や封止層１０９、あるいは、基板のいずれかが、光散乱の機能を有してもよい。あるいは、基板の上方に光散乱層を形成してもよい。

　図１３は、本発明の第２実施形態に係る表示装置を部分的に示す拡大図である。また、図１３は、画素電極に接続されているアクティブ素子６８として用いられるトップゲート構造を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の構造の一例を示している。なお、図１３においては、第１透明基板１と封止層１０９を省略している。
　アクティブ素子６８は、チャネル層６５と、チャネル層６５の一端（第一端、図１３におけるチャネル層６５の左端）に接続されたドレイン電極６６と、チャネル層６５の他端（第２端、図１３におけるチャネル層６５の右端）に接続されたソース電極６４と、絶縁層１１３を介してチャネル層６５に対向配置されたゲート電極９５とを備える。後述するように、チャネル層６５は、酸化物半導体で構成され、ゲート絶縁層と接触している。アクティブ素子６８は、発光層を駆動する。

　図１３は、アクティブ素子６８を構成するチャネル層６５、ドレイン電極６６、及びソース電極６４が下部絶縁層１１４上に形成されている構造を示しているが、本発明はこのような構造を限定しない。下部絶縁層１１４を設けずに、基板上にアクティブ素子６８を直接形成してもよい。また、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタを適用してもよい。

　第２実施形態では、第３導電配線２３の一部を用いて、ソース配線６７、ソース電極６４、及びドレイン電極６６が形成されている。ソース配線６７、ソース電極６４、ドレイン電極６６、及び第３導電配線２３は、同一のレイヤに位置する。
　また、第４導電配線２４を用いて、ゲート配線６９及びゲート電極９５が形成されている。ゲート配線６９、ゲート電極９５、及び第４導電配線２４は、同一のレイヤに位置する。
　上述したように、第３導電配線２３及び第４導電配線２４は、いずれも、銅層あるいは銅合金層を導電性金属酸化物層で挟持する３層構成を有する。

　ゲート電極９５の下部に位置する絶縁層１１３（第２基板側絶縁層）は、ゲート電極９５と同じ幅を有する絶縁層であってもよい。この場合、例えば、ゲート電極９５をマスクとして用いたドライエッチングを行い、ゲート電極９５の周囲の絶縁層１１３を除去する。これによって、ゲート電極９５と同じ幅を有する絶縁層を形成することができる。ゲート電極９５をマスクとして用いて絶縁層をドライエッチングにて加工する技術は、一般に自己整合と称される。

　なお、第２実施形態において、チャネル層６５に用いる酸化物半導体は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｓｂ＝１：１：１の元素比の複合酸化物を用い、２８０℃の低温アニールを行い、微結晶の酸化物半導体とした。第１実施形態での銅合金層には、Ｉｎ：Ｃａ：Ｚｎ＝９７：２．５：０．５の元素比の銅合金を用いた。

　例えば、上述の実施形態に係る表示装置は、種々の応用が可能である。上述の実施形態に係る表示装置が適用可能な電子機器としては、携帯電話、携帯型ゲーム機器、携帯情報端末、パーソナルコンピュータ、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤ等）、複写機、ファクシミリ、プリンター、プリンター複合機、自動販売機、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、個人認証機器、光通信機器等が挙げられる。上記の各実施形態は、自由に組み合わせて用いることができる。

　本発明の好ましい実施形態を説明し、上記で説明してきたが、これらは本発明の例示的なものであり、限定するものとして考慮されるべきではないことを理解すべきである。追加、省略、置換、およびその他の変更は、本発明の範囲から逸脱することなく行うことができる。従って、本発明は、前述の説明によって限定されていると見なされるべきではなく、請求の範囲によって制限されている。

１　第１透明基板
２　第２透明基板（基板）
３　ブラックマトリクス
４　液晶層
７　第１導電性金属酸化物層
８　銅合金層
９　第２導電性金属酸化物層
１０　画素開口部
１１　第１アンテナユニット
１２　第２アンテナユニット
１３　第３アンテナユニット
１４　第４アンテナユニット
１５　電力受電部
１６　電源制御部
１７　タッチ駆動制御部
１８　タッチ駆動スイッチング回路
１９　タッチ検知スイッチング回路
２０　タッチ信号送受信制御部
２１　第１導電配線
２２　第２導電配線
２３　第３導電配線
２４　第４導電配線
２５Ａ，２５Ｂ　導体パターン
２６　ソース信号スイッチング回路
２７　ゲート信号スイッチング回路
２８　電力送電部
２９　信号送受信部
３０　検波・ＡＤ変換部
３１，５３，６７　ソース配線
３２，５８，６４　ソース電極
３３　ゲート配線（ゲート電極）
３４，９５，５４　ゲート電極
３５，５９，６５　チャネル層
３７，５７，６６　ドレイン電極
３８　第１アクティブ素子
４１，１１４　下部絶縁層
４２　第１基板側絶縁層（ゲート絶縁層）
４３，１１２　上部絶縁層
４４　第２基板側絶縁層（ゲート絶縁層）
４５、４６　絶縁層
４８　第２アクティブ素子
４９　画素電極
５１　第１重畳部
５２　第２重畳部
５５　第５導電配線
５６　第６導電配線
６０，６１　第１接続用パッド
６２，６３　第２接続用パッド
６８　アクティブ素子（第２アクティブ素子）
６９　ゲート配線
７１　有効表示領域
７２　額縁領域
８７　上部電極
８８　下部電極
９０，９３　コンタクトホール
９１　ホール注入層
９２　発光層
９４　バンク
９６　平坦化層
９７　透明樹脂層
１００　表示装置基板
１０１　第１面
１０９　封止層
１１０　表示部
１１３　絶縁層（第２基板側絶縁層）
１２０　制御部
１２１　映像信号制御部
１２２　タッチセンシング制御部
１２３　システム制御部
１６４，１６５　ループアンテナ
１６６　中心
２００，３００　アレイ基板
２０１　第２面
ＤＳＰ１，ＤＳＰ２　表示装置

Claims

　表示装置であって、
　第１面を有する第１基板と、
　前記第１面に対向する第２面を有する第２基板と、
　前記第１基板と前記第２基板との間に位置する表示機能層と
　を備え、
　前記第１基板の前記第１面上には、少なくとも、矩形状の有効表示領域と前記有効表示領域を囲む額縁領域とを具備するブラックマトリクスと、第１導電配線と、第２導電配線と、複数の第１アクティブ素子と、第１アンテナユニットと、第２アンテナユニットと、第１タッチセンシング配線ユニットと、第２タッチセンシング配線ユニットとが設けられ、
　前記第２基板の前記第２面上には、少なくとも、第３導電配線と、第４導電配線と、前記表示機能層を駆動する複数の第２アクティブ素子と、前記第２アクティブ素子に電気的に接続されるゲート配線及びソース配線と、第３アンテナユニットと、第４アンテナユニットとが設けられ、
　前記有効表示領域内において、前記第１タッチセンシング配線ユニットは、第１方向に延在する互いに平行な複数の第５導電配線を含み、前記第２タッチセンシング配線ユニットは、前記第１方向と直交する第２方向に延在する互いに平行な複数の第６導電配線を含み、
　前記第５導電配線は、前記第１導電配線と同一のレイヤに位置し、前記第１導電配線と同じ層構成を有し、
　前記第６導電配線は、前記第２導電配線と同一のレイヤに位置し、前記第２導電配線と同じ層構成を有し、
　前記第１導電配線と、前記第１アンテナユニットと、前記第２アンテナユニットと、第１タッチセンシング配線ユニットとは、前記第１基板の厚み方向において、第１導電性金属酸化物層と第２導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された３層構成の導電層で構成され、同一のレイヤに位置し、
　前記第２導電配線は、第１基板側絶縁層を介して、前記３層構成の前記導電層を覆うように積層され、第３導電性金属酸化物層と第４導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された３層構成の導電層で構成され、
　前記第１アンテナユニット及び前記第２アンテナユニットの各々は、１以上のループアンテナを有し、前記ループアンテナの内側には、第１接続用パッドが設けられ、
　前記第１接続用パッドは、前記第１基板側絶縁層に設けられたスルーホールを介して前記第２導電配線の一部に接続され、
　前記第３導電配線と、前記第３アンテナユニットと、前記第４アンテナユニットとは、前記第２基板の厚み方向において、第５導電性金属酸化物層と第６導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された３層構成の導電層で構成され、同一のレイヤに位置し、
　前記第４導電配線は、第２基板側絶縁層を介して、前記３層構成の前記導電層を覆うように積層され、第７導電性金属酸化物層と第８導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された３層構成の導電層で構成され、
　前記第３アンテナユニット及び前記第４アンテナユニットの各々は、１以上のループアンテナを有し、前記ループアンテナの内側には、第２接続用パッドが設けられ、
　前記第２接続用パッドは、前記第２基板側絶縁層に設けられたスルーホールを介して前記第４導電配線の一部に接続され、
　前記第１基板から前記第２基板に向かう方向から見た平面視において、
　前記第１アンテナユニットと前記第３アンテナユニットとは、前記ループアンテナが形成されている部分において、±３μｍ以内の位置精度で重なり、
　前記第２アンテナユニットと前記第４アンテナユニットとは、前記ループアンテナが形成されている部分において、±３μｍ以内の位置精度で重なり、
　前記第１アンテナユニットと前記第３アンテナユニットとが重なる第１重畳部は、タッチセンシング信号の送受信機能を有し、
　前記第２アンテナユニットと前記第４アンテナユニットとの重なる第２重畳部は、電力信号の受給機能を有し、
　前記第１基板から前記第２基板に向かう方向から見た平面視において、
　前記第１重畳部及び前記第２重畳部は、前記額縁領域内に配置されており、
　前記第１導電配線の一部と、前記第２導電配線の一部と、前記複数の第１アクティブ素子は、タッチセンシングを制御する回路を構成する
　表示装置。
　前記第１アンテナユニット及び前記第２アンテナユニットの前記ループアンテナの各々は、巻き方向が互いに逆であり、かつ、巻き数が２以上のループアンテナ対を含み、
　前記第３アンテナユニット及び前記第４アンテナユニットの前記ループアンテナの各々は、巻き方向が互いに逆であり、かつ、巻き数が２以上のループアンテナ対を含む
　請求項１に記載の表示装置。
　前記第１アンテナユニット及び前記第２アンテナユニットの周囲を部分的に囲い、かつ、前記第１導電性金属酸化物層と前記第２導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された導体パターンを有する
　請求項１に記載の表示装置。
　前記第３アンテナユニットと前記第４アンテナユニットの周囲を部分的に囲い、かつ、前記第３導電性金属酸化物層と前記第４導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された導体パターンを有する
　請求項１に記載の表示装置。
　前記第１アクティブ素子は酸化物半導体で構成されたチャネル層を有する
　請求項１に記載の表示装置。
　前記酸化物半導体は、酸化インジウム、酸化ガリウムを含有し、さらに、酸化アンチモン、酸化ビスマス、酸化亜鉛から構成される群より選択される１種以上を含有する
　請求項５に記載の表示装置。
　前記銅合金層は、銅に固溶する第１元素と、銅及び前記第１元素より電気陰性度が小さい第２元素とを含み、
　前記第１元素及び前記第２元素は、銅に添加する場合の比抵抗上昇率が１μΩｃｍ／ａｔ％以下の元素であり、
　前記銅合金層の比抵抗は、１．９μΩｃｍから６μΩｃｍの範囲内にある
　請求項１に記載の表示装置。
　表示装置基板であって、
　少なくとも、矩形状の有効表示領域と前記有効表示領域を囲む額縁領域とを具備するブラックマトリクスと、第１導電配線と、第２導電配線と、複数の第１アクティブ素子と、第１アンテナユニットと、第２アンテナユニットと、第１タッチセンシング配線ユニットと、第２タッチセンシング配線ユニットとを、第１面上に備え、
　前記有効表示領域内において、前記第１タッチセンシング配線ユニットは第１方向に延在する互いに平行な複数の第５導電配線を含み、前記第２タッチセンシング配線ユニットは、前記第１方向と直交する第２方向に延在する互いに平行な複数の第６導電配線を含み、
　前記第５導電配線は、前記第１導電配線と同一のレイヤに位置し、前記第１導電配線と同じ層構成を有し、
　前記第６導電配線は、前記第２導電配線と同一のレイヤに位置し、前記第２導電配線と同じ層構成を有し、
　前記第１導電配線と、前記第１アンテナユニットと、前記第２アンテナユニットと、第１タッチセンシング配線ユニットとは、前記表示装置基板の厚み方向において、第１導電性金属酸化物層と第２導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された３層構成の導電層で構成され、同一のレイヤに位置し、
　前記第２導電配線は、絶縁層を介して、前記３層構成の前記導電層を覆うように積層され、第３導電性金属酸化物層と第４導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された３層構成の導電層で構成され、
　前記第１アンテナユニット及び前記第２アンテナユニットの各々は、１以上のループアンテナを有し、前記ループアンテナの内側には、第１接続用パッドが設けられ、
　前記第１接続用パッドは、前記絶縁層に設けられたスルーホールを介して前記第２導電配線の一部に接続され、
　前記第１アンテナユニットと前記第２アンテナユニットとは、前記額縁領域内に配置され、
　前記第１導電配線、前記第１アンテナユニット、前記第２導電配線、及び前記第２アンテナユニットが形成された前記第１面において、前記有効表示領域が、透明樹脂層で覆われている
　表示装置基板。
　前記第１アンテナユニットと前記第２アンテナユニットの周囲を部分的に囲い、かつ、前記第１導電性金属酸化物層と前記第２導電性金属酸化物層とによって銅層あるいは銅合金層が挟持された導体パターンを有する
　請求項８に記載の表示装置基板。
　前記第１アンテナユニット及び前記第２アンテナユニットの前記ループアンテナの各々は、巻き方向が互いに逆であり、かつ、巻き数が２以上のループアンテナ対を含む
　請求項８に記載の表示装置基板。
　第１タッチセンシング配線ユニットは、前記第１方向に延在する複数の第１タッチセンシング配線を含み、
　第２タッチセンシング配線ユニットは、前記第２方向に延在する複数の第２タッチセンシング配線を含む
　請求項８に記載の表示装置基板。