TWI687306B - 適於作為跡線電極的合金與使用該合金的觸控面板 - Google Patents

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Abstract

本發明以一第一夾層、一銅金屬層與一第二夾層組成一新穎合金。特別地，使用本發明之合金作為奈米銀觸控面板的複數第一外延電極與複數第二外延電極(亦即，跡線電極(trace circuit))之後，便能夠有效地降低或阻止羽毛狀微結構於跡線電極與/或(觸控)感測電極單元的蝕刻過程之中生成。另一方面，由於本發明之合金可完全抵擋製程中用以形成圖案化奈米銀線電極的蝕刻液之攻擊，因此，利用蝕刻製程完成圖案化奈米銀線電極的製作後，不會有第一夾層、銅金屬層與第二夾層被蝕刻液攻擊的現象。顯然地，在使用此新穎合金作為其跡線電極的奈米銀線觸控面板的情況下，觸控面板的製程良率與可靠度係隨著蝕刻製程的操作範圍的擴增而顯著提升。

Description

適於作為跡線電極的合金與使用該合金的觸控面板
本發明係關於觸控面板的技術領域，尤指一種適於作為跡線電極的合金與使用該合金的一種觸控面板。
目前，由透明導電基板搭配控制與感測電路所製成的觸控面板已被大量地應用於智慧型手機、平板電腦等螢幕尺寸較小的電子裝置之上。然而，隨著All-in-one PC、大尺寸筆記型電腦、與大型觸控螢幕之市場需求的逐漸增加，大尺寸透明導電基板的製造價格以及氧化銦錫電極層(Indium tin oxide,ITO)的電阻值便逐漸成為大尺寸觸控面板的主要問題來源。如長期涉及透明導電基板製造的工程師所熟知的，氧化銦錫電極層之製造成本約佔整個透明導電基板的40%左右，同時氧化銦錫電極層之片電阻值約為100-150ohm/sq。
ITO觸控面板可分為單面ITO(Single-sided ITO)與雙面ITO(Double-sided ITO)型式。圖1顯示習知的一種雙面ITO式觸控面板的上視圖。並且，圖2顯示習知的雙面ITO式觸控面板的剖視圖。如圖所示，現有的雙面ITO式觸控面板1’(下文簡稱“觸控面板1’)係 於結構上包括：一透明基板10’、形成於該透明基板10’表面的複數第一感測金屬單元11’、形成於該透明基板10’底面的複數第二感測金屬單元12’、複數第一外延電極13’、以及複數第二外延電極14’。如繪示於圖1之中的虛線方框所示，該複數第一感測金屬單元11’與該複數第二感測金屬單元12’通常位於觸控面板1’的一可視區VR’內。另一方面，圖1之中的實線方框與虛線方框被定義為不可視區IVR’，用以將該複數第一外延電極13’與該複數第二外延電極14’規劃設置於其中。
第一外延電極13’與第二外延電極14’被稱為跡線(Trace circuit)，通常以銀或銅為其製程材料。然而，考慮到觸控面板1’的整體成本與售價之間的平衡，製造商通常選用銅做為跡層線路的製程材料。值得特別說明的是，銦資源的逐年減少導致銦材料的取得成本逐年提高。因此，為了降低原料成本，透明導電基板或觸控面板的製造商於是選用具優越的導電性的奈米銀線(Silver nanowire,AgNW)取代ITO作為該複數第一感測金屬單元11’與該複數第二感測金屬單元12’的製程材料。同時，由奈米銀線製成的第一感測金屬單元11’與第二感測金屬單元12’，其片電阻值約為30-50ohm/sq。
圖3A與圖3B係顯示以奈米銀線作為複數第一感測金屬單元與複數第一外延電極的製造流程示意圖。如圖3所示，製造流程首先執行步驟S1’：於一透明基板10’上依序形成一奈米銀線層SNW’與一銅金屬層CL’。進一步地，於步驟S2’與步驟S3’之中，圖案化的一第一光阻層PR1’係形成於該銅金屬層CL’之上，且一第一蝕刻處理被 用以蝕刻去除未覆有第一光阻層PR1’的奈米銀線層SNW’與銅金屬層CL’。值得注意的是，完成第一蝕刻處理之後，複數第一感測金屬單元11’即形成於該透明基板10’的表面之上。進一步地，於步驟S4’與步驟S5’之中，圖案化的一第二光阻層PR2’覆於已經完成第一蝕刻處理的該銅金屬層CL’與該複數第一感測金屬單元11’之上，第二光阻層PR2’包覆外延電極與其下方奈米銀線層SNW’且一第二蝕刻處理被用以蝕刻去除未覆有第二光阻層PR2’的該銅金屬層CL’。值得注意的是，完成第二蝕刻處理之後，複數第一外延電極13’即形成於該透明基板10’的表面之上，並對應連接該複數第一感測金屬單元11’。可想而知，複數第二感測金屬單元12’與複數第二外延電極14’可以依照步驟S1’至步驟S5’的製造流程被形成於該透明基板10’的底面之上。
完成步驟S5’之後，係最終獲得MOS形式的觸控面板結構；其中，MOS為Metal-On-Silver nanowires的縮寫。值得特別說明的是，進行第一蝕刻處理(步驟S3’)之時，通常會先使用主要包含硝酸(HNO3)系列或氯化鐵(FeCl3)系列的蝕刻液來蝕刻該銅金屬層CL’，接著再以主要包含硝酸(HNO3)的蝕刻液蝕刻該奈米銀線層SNW’。然而，本案發明人於實際操作步驟S3’之時發現，使用硝酸(HNO3)蝕刻奈米銀線層SNW’之時，反應形成的硝酸銀與銅在硝酸溶液之中所發生置換反應(Galvanic displacement reaction)與成核反應會導致銀以銅為成核點而生成羽毛狀銀；最終，導致羽毛狀的微結構(Feather-like microstructure)生成於完成第一蝕刻處理的銅金屬 層CL’與該複數第一感測金屬單元11’之間。本案發明人發現，羽毛狀的微結構的生成係來自於以下化學反應式：3Ag+4HNO3(aq)→3AgNO3(aq)+2H2O(I)+NO(g).....(1)
Cu+2AgNO3(aq)→Cu(NO3)2(aq)+2Ag..................(2)
由上述的化學反應式可以得知，羽毛狀的微結構應由硝酸銀、銅電極與/或前述兩者的複合物所形成。此外，本案發明人進一步發現，羽毛狀微結構會造成任兩組第一感測金屬單元11’之間或第一外延電極13’或第一感測金屬單元11’之間發生短路，造成觸控面板1’的可靠度下降。
圖4係顯示以奈米銀線作為複數第一感測金屬單元與複數第一外延電極的第二製造流程示意圖，此為奈米銀線觸控面板結構的另一種SOM形式；其中，SOM為Silver nanowires-On-Metal的縮寫。如圖4所示，製造流程首先執行步驟S1a：於一透明基板10’上依序形成一銅金屬層CL’。進一步地，於步驟S2a之中，該銅金屬層CL’經圖案化蝕刻製程之後係成為複數第一外延電極13’，且一奈米銀線層SNW’係接續地形成於該透明基板10’與該複數第一外延電極13’之上。最終，於步驟S3a與步驟S4a之中，係利用圖案化蝕刻製程將該奈米銀線層SNW’製作成複數第一感測金屬單元11’。
值得注意的是，使用硝酸(HNO3)系列的蝕刻液進行該奈米銀線層SNW’的該圖案化蝕刻製程之時，因為硝酸系列的蝕刻液蝕刻奈米銀線層SNW’時，易透過奈米銀線層SNW’而蝕刻破壞銅金屬層CL’。若下一道製程純水洗不淨，蝕刻液殘留於奈米銀線層SNW’也 會在高溫高濕的環境下，擴散到銅金屬層CL’，使其繼續被蝕刻，造成跡線斷路失效或奈米銀線觸控面板的可靠度下降。
由上述說明可知，對於MOS結構而言，如何降低或阻止羽毛狀微結構生成於銅製的外延電極與奈米銀線製的感測金屬之間，於是成為目前製造商亟待解決的重大問題。另外，對於SOM結構而言，必須想辦法讓外延電極在蝕刻奈米銀線層製程時保有較寬的操作範圍，進而不影響到外延銅金屬層的導電性與可靠性。有鑑於此，本案之發明人係極力加以研究創作發明，而終於研發完成本發明之一種適於作為跡線電極的合金與使用該合金的觸控面板。
本發明之主要目的在於提出一種適於作為跡線電極的合金與使用該合金的一種觸控面板。本發明主要係以一第一夾層、一銅金屬層與一第二夾層組成一新穎合金。特別地，使用本發明之合金作為奈米銀觸控面板的複數第一外延電極與複數第二外延電極(亦即，跡線電極(trace circuit))之後，便能夠有效地降低或阻止羽毛狀微結構於跡線電極與/或(觸控)感測電極單元的蝕刻過程之中生成。另一方面，由於本發明之合金可完全抵擋製程中用以形成圖案化奈米銀線電極的蝕刻液之攻擊，因此，利用蝕刻製程完成圖案化奈米銀線電極的製作後，甚至在製程後的環境測試不會有殘留藥液導致的可靠度問題，不會有第一夾層、銅金屬層與第二夾層被蝕刻液攻擊的現象。顯然地，在使用此新穎合金作為其跡線電極的奈米銀(銅)線 觸控面板的情況下，觸控面板的製程良率與可靠度係隨著蝕刻製程的操作範圍的擴增而顯著提升。
為了達成上述本發明之主要目的，本案發明人係提供所述合金的一實施例，其係適於應用於一觸控面板之中以作為複數跡線電極；其中，該觸控面板係以奈米銀線或奈米銅線作為其複數感測電極的製程材料，且該合金係包括：一第一夾層(First clapping layer)；一銅金屬層，係形成於該第一夾層之上；以及一第二夾層(Second clapping layer)，係形成於該銅金屬層之上；其中，該第一夾層與該第二夾層係由電極電位(Electrode potential)小於銅的一特定金屬製成。
並且，為了達成上述本發明之主要目的，本案發明人係同時提供所述觸控面板的一實施例，係包括：一透明基板；複數第一感測電極單元，係由奈米銀線製成，並形成於該透明基板的表面；複數第一外延電極，係形成於該透明基板的表面，並分別連接該複數第一感測電極單元；複數第二感測電極單元，係由奈米銀線製成，並形成於該透明基板的底面；以及複數第二外延電極，係形成於該透明基板的底面，並分別連接該複數第二感測電極單元； 其中，該第一外延電極與該第二外延電極係由一合金製成，且該合金係包括：一第一夾層(First clapping layer)；一銅金屬層，係形成於該第一夾層之上；及一第二夾層(Second clapping layer)，係形成於該銅金屬層之上；其中，該第一夾層與該第二夾層係由電極電位(Electrode potential)小於銅的一特定金屬製成。此外，一銅金屬一可是銅與下述特定金屬任兩者之複合物或上述兩者以上之複合物。
於所述合金與所述觸控面板的實施例之中，該特定金屬可為下列任一者：銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銥(Ir)、錫(Sn)、鎢(W)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鋅(Zn)、鋁(Al)、鎂(Mg)、上述任兩者之複合物、或上述任兩者以上之複合物。
於所述合金與所述觸控面板的實施例之中，該第一夾層的厚度係介於1nm~5μm之間，且該第二夾層的厚度係介於1nm~5μm之間。
於所述合金與所述觸控面板的實施例之中，該銅金屬層的厚度係介於1nm~5μm之間。
於所述合金與所述觸控面板的實施例之中，考量導電性與基材的接著性，該銅金屬層與該第一夾層係具有介於1：5000~5000：1之間的一第一厚度比，且該銅金屬層與該第二夾層係具有介於1：5000~5000：1之間的一第二厚度比。於所述合金與所述觸控面板的實施例之中，該第一夾層與第二夾層合金蝕刻秒數需可抵抗50% 硝酸介於5秒~300秒之間的操作條件，而面電阻差異性僅在10%以下。
<本發明>
1:合金
11:第一夾層
12:銅金屬層
13:第二夾層
SNW:奈米銀線層
F:羽毛狀銀
2:觸控面板
3:觸控顯示面板
20:透明基板
21:第一感測電極單元
22:第一外延電極
23:第二感測電極單元
24:第二外延電極
28:液晶模組
25:第一光學膠層
26:第二光學膠層
27:保護玻璃
271:不透明層
<習知>
1’:雙面ITO式觸控面板
10’:透明基板
11’:第一感測金屬單元
12’:第二感測金屬單元
13’:第一外延電極
14’:第二外延電極
VR’:可視區
IVR’:不可視區
S1’-S5’:步驟
SNW’:奈米銀線層
CL’:銅金屬層
PR1’:第一光阻層
PR2’:第二光阻層
S1a-S4a:步驟
圖1係顯示習知的一種雙面ITO式觸控面板的上視圖；圖2係顯示習知的雙面ITO式觸控面板的剖視圖；圖3A與圖3B係顯示以奈米銀線作為複數第一感測金屬單元與複數第一外延電極的製造流程示意圖；圖4係顯示以奈米銀線作為複數第一感測金屬單元與複數第一外延電極的第二製造流程示意圖；圖5係顯示本發明之一種適於作為跡線電極的合金之剖視圖；圖6係顯示樣品一的微觀影像圖；圖7係顯示樣品二的微觀影像圖；圖8係顯示樣品三的微觀影像圖；圖9係顯示樣品四的微觀影像圖；以及圖10係顯示本發明之一種觸控面板的立體分解圖。
為了能夠更清楚地描述本發明所提出之一種適於作為跡線電極的合金與使用該合金的一種觸控面板，以下將配合圖式，詳盡說明本發明之較佳實施例。
適於作為跡線電極的合金之實施例
圖5係顯示本發明之一種適於作為跡線電極的合金之剖視圖。根據本發明之設計，所述合金1適於應用於一觸控面板之中以作為複數跡線電極。值得注意的是，該觸控面板係以奈米銀線(Silver nanowire,AgNW)作為其複數感測電極的製程材料，且本發明所設計的該合金1係由一第一夾層(First clapping layer)11、一銅金屬層12與一第二夾層(Second clapping layer)13所組成。如圖5所示，該銅金屬層12係形成於該第一夾層11之上，且該第二夾層13係形成於該銅金屬層12之上。
如圖3A所示，欲於透明基板10’之上定義出複數第一感測金屬單元11’，必須先使用主要包含硝酸(HNO3)系列或氯化鐵(FeCl3)系列的蝕刻液蝕刻銅金屬層CL’，接著再以主要包含硝酸(HNO3)系列的蝕刻液蝕刻該奈米銀線層SNW’。然而，使用硝酸(HNO3)系列蝕刻奈米銀線層SNW’之時，反應形成的硝酸銀與銅在硝酸溶液之中所發生置換反應(Galvanic displacement reaction)與成核反應會導致銀以銅為成核點而生成羽毛狀銀，最終導致羽毛狀的銀微結構(Feather-like microstructure)生成於銅金屬層CL’與複數第一感測金屬單元11’之間。
為了有效降低或阻止羽毛狀微結構的生成，如圖5所示，本發明特別選用電極電位(Electrode potential)小於銅的一特定金屬作為該第一夾層11與該第二夾層13的製程材料。下表(1)係整理出電極電位小於銅的各種金屬材料。
Figure 107133443-A0305-02-0012-1
由上表(1)可知，所述特定金屬可為下列任一者：銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銥(Ir)、錫(Sn)、鎢(W)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鋅(Zn)、鋁(Al)、鎂(Mg)、上述任兩者之複合物、或上述任兩者以上之複合物。舉例而言，所述特定金屬可以是Ni-Cr複合物或Ni-W複合物或Ni-Co複合物，因此所述合金1即為Ni-Cr/Cu/Ni-Cr或Ni-W/Cu/Ni-W或Ni-Co/Cu/Ni-Co的三明治結構。另一方面，考量到合金1的整體電導率與接著性的表現，本發明又特別令該銅金屬層12與該第一夾層11係具有範圍介於1：5000至5000：1之間的一第一厚度比，並令該銅金屬層12與該第二夾層13係具有範圍介於1：5000至 5000：1之間的一第二厚度比。於具體實施方面，係令該第一夾層11與該第二夾層13的厚度皆介於1奈米至5微米之間，並令該銅金屬層12的厚度介於1奈米至5微米之間。
實驗例一
為了證實第一夾層11與第二夾層13的使用的確有助於阻止硝酸銀與銅在硝酸溶液之中發生置換反應(Galvanic displacement reaction)，本案發明人係以圖5所示的合金結構作為跡線電極，並於跡線電極之上設置奈米銀線層SNW。下表(2)係整理用於進行驗證實驗的樣品的結構組成。
Figure 107133443-A0305-02-0013-2
圖6係顯示樣品一的微觀影像圖。驗證實驗係基於MOS結構設計樣品一，且該第一夾層11與該第二夾層13係由含銅合金複合物或者銅金屬製成。由圖6之中的影像圖(a)可發現，以硝酸(HNO3)系列的蝕刻液執行奈米銀線層SNW的圖案化製程，反應形成的硝酸銀與銅在硝酸溶液之中所發生置換反應(Galvanic displacement reaction)以及成核反應會導致銀以銅為成核點而生成羽毛狀銀F。同時，圖6之中的影像圖(a)亦顯示，完成 執行奈米銀線層SNW的圖案化製程之後，許多羽毛狀銀F生成於第一夾層11與銅金屬層12之間。另一方面，圖6之中的影像圖(b)係顯示樣品一之部分結構的微觀影像圖。值得注意的是，在去除銅金屬層12之後，可發現新生長的羽毛狀銀F與原來的奈米銀線層SNW於微觀下的結構係大不相同。尤其，所述羽毛狀銀F是在銅金屬層12/蝕刻液/奈米銀線層SNW的三相點處生成。
圖7係顯示樣品二的微觀影像圖，包括影像圖(a)與影像圖(b)。於驗證實驗中，樣品二同樣採用MOS的結構設計；不同地，該第一夾層11與該第二夾層13係由Ni-Cr合金製成。需特別說明的是，第一夾層11、銅金屬層12、與第二夾層13的厚度分別為20nm、250nm與20nm，且三明治結構之樣品二的面電阻為0.13Ω/□。透過影像圖(a)與影像圖(b)可發現，由Ni-Cr合金所製成第一夾層11與第二夾層13，其的確可以阻止羽毛狀銀F在銅金屬層12/蝕刻液/奈米銀線層SNW之間的三相點生成。
實驗例二
本案發明人係以圖5所示的合金結構作為跡線電極，並令奈米銀線層形成於跡線電極之上。下表(3)係整理用於進行驗證實驗的樣品的結構組成。
Figure 107133443-A0305-02-0014-4
Figure 107133443-A0305-02-0015-5
圖8係顯示樣品三的微觀影像圖。驗證實驗係基於SOM結構設計樣品三，且該第一夾層11與該第二夾層13係由含銅合金複合物或者銅金屬製成。透過圖8可發現，以硝酸(HNO3)系列的蝕刻液執行奈米銀線層SNW的圖案化製程，反應形成的硝酸銀與銅在硝酸溶液之中所發生置換反應(Galvanic displacement reaction)以及成核反應會導致銀以銅為成核點而生成羽毛狀銀F。同時，實驗結果係發現，由於用以蝕刻奈米銀線層SNW的蝕刻液很容易侵蝕銅金屬層12的表面，導致銅金屬層12的邊緣形成不規則狀，且蝕刻良率不佳。更需注意的是，完成圖案化製程之後，一些蝕刻液可能會殘留於奈米銀線層SNW之中，導致環測失效的風險。
圖9係顯示樣品四的微觀影像圖。於驗證實驗中，樣品四同樣採用SOM的結構設計；不同地，該第一夾層11與該第二夾層13係由Ni-Cr合金製成。需特別說明的是，第一夾層11、銅金屬層12、與第二夾層13的厚度分別為20nm、250nm與20nm。透過影像圖(a)與影像圖(b)可發現，由Ni-Cr合金所製成第一夾層11與第二夾層13，其的確可以阻止羽毛狀銀F在銅金屬層12/蝕刻液/奈米銀線層SNW之間的三相點生成。並且，實驗數據同時證實，由第一夾層11與第二夾層13所包覆的銅金屬層12，其可以抵擋以濃度為50%硝酸製成的蝕刻液的侵蝕達20秒上。值得特別注意的是，以硝酸蝕刻液完成 奈米銀線層SNW的圖案化製程之後，銅金屬層12(亦即，跡線電極)的邊緣規則且銳利。
基於實驗數據的支持，吾人可以確信，本發明之合金1可完全抵擋製程中用以形成圖案化奈米銀線電極的蝕刻液之攻擊，因此，利用蝕刻製程完成圖案化奈米銀線電極的製作後，不會有第一夾層11、銅金屬層12與第二夾層13被蝕刻液攻擊的現象。顯然地，在使用本發明之合金1作為其跡線電極的情況下，製造商可於製作觸控面板的過程中精準控制跡線電極與感測電極的線寬與線距。同時，製程良率也因為奈米銀線與/或銅金屬層的圖案化製程的操作範圍變寬而顯著地提升。更重要的是，藉由第一夾層11與第二夾層13所提供的保護效果，完成圖案化製程之後，即使蝕刻液殘留於奈米銀線層SNW之中，因為本發明之合金1可完全抵擋蝕刻液侵蝕，絕不存在環測失效的風險。
觸控面板之實施例
圖10係顯示本發明之一種觸控面板的立體分解圖。如圖10所示，所述觸控面板2主要包括：一透明基板20、複數第一感測電極單元21、複數第一外延電極22、複數第二感測電極單元23、以及複數第二外延電極24。值得注意的是，該觸控面板2可與一液晶模組(Liquid crystal module,LCM)28整合成一觸控顯示面板3。根據本發明之設計，該複數第一感測電極單元21係由奈米銀線(Silver nanowire,AgNW)製成，並形成於該透明基板20的表面。並且，該 複數第一外延電極22係形成於該透明基板20的表面，並分別連接該複數第一感測電極單元21。相對於該複數第一感測電極單元21，由奈米銀線製成的該複數第二感測電極單元23係形成於該透明基板20的底面，且該複數第二外延電極24係形成於該透明基板20的底面，並分別連接該複數第二感測電極單元23。
複數第一外延電極22與複數第二外延電極24被稱為跡線(Trace circuit)，於本發明中係以特別設計的合金1為其製程材料。簡單地說，第一外延電極22與第二外延電極24的製程材料係由一第一夾層11、一銅金屬層12與一第二夾層13所組成；其中，該銅金屬層12係形成於該第一夾層11之上，且該第二夾層13係形成於該銅金屬層12之上。特別地，本發明係選用電極電位小於銅的金屬作為該第一夾層11與該第二夾層13的製程材料；並且，適合的金屬材料已整理於上表(1)之中。
必須補充說明的是，包括本發明之觸控面板2的觸控顯示面板3進一步包括：一第一光學膠層(Optical clear adhesive,OCA)25、一第二光學膠層26、與一保護玻璃27。如圖10所示，該第一光學膠層25係連接至該透明基板20的表面，並覆蓋該複數第一感測電極單元21與該複數第一外延電極22。並且，該保護玻璃27係透過該第一光學膠層25而連接至該透明基板20的表面。另一方面，該第二光學膠層26係連接至該透明基板20的底面，並覆蓋該複數第二感測電極單元23與該複數第二外延電極24。並且，該液晶模組28係透過該第二光學膠層26而連接至該透明基板20的底面。值得注意的是，該保 護玻璃27之上係形成有一不透明層271，藉此方式於該保護玻璃27之上規劃出一透光區與一不透光區，亦即可視區與不可視區。如圖10所示，複數第一外延電極22與複數第二外延電極24係位於不可視區的範圍內，由該不透明層271所遮蔽。相對地，複數第一感測電極單元21與複數第二感測電極單元23則位於可視區的範圍內。
如此，上述係已完整且清楚地說明本發明之一種適於作為跡線電極的合金與使用該合金的一種觸控面板的所有實施例及其結構組成；並且，經由上述可得知本發明係具有下列之優點：
(1)本發明以一第一夾層11、一銅金屬層12與一第二夾層13組成一新穎合金1。特別地，使用本發明之合金1作為觸控面板2的複數第一外延電極22與複數第二外延電極24(亦即，跡線電極trace circuit)之後，便可有效降低或阻止羽毛狀微結構於跡線電極與/或(觸控)感測電極單元(21,23)的蝕刻過程之中生成。另一方面，由於本發明之合金1可完全抵擋製程中用以形成圖案化奈米銀線電極的蝕刻液之攻擊，因此，利用蝕刻製程完成圖案化奈米銀線電極的製作後，不會有第一夾層11、銅金屬層12與第二夾層13被蝕刻液攻擊的現象。顯然地，在使用此新穎合金1作為其跡線電極的奈米銀(銅)線觸控面板的情況下，觸控面板的製程良率與可靠度係隨著蝕刻製程的操作範圍的擴增而顯著提升。
必須加以強調的是，上述之詳細說明係針對本發明可行實施例之具體說明，惟該實施例並非用以限制本發明之專利範圍，凡未 脫離本發明技藝精神所為之等效實施或變更，均應包含於本案之專利範圍中。
1:合金
11:第一夾層
12:銅金屬層
13:第二夾層

Claims (11)

  1. 一種合金，適於應用於一觸控面板之中以作為複數跡線電極；其中，該觸控面板係以奈米銀線作為其複數感測電極的製程材料，且該合金係包括：一第一夾層；一銅金屬層，係形成於該第一夾層之上；以及一第二夾層，係形成於該銅金屬層之上；其中，該第一夾層與該第二夾層係由電極電位(Electrode potential)小於銅的一特定金屬製成，且該特定金屬為Ni-Cr複合物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之合金，其中，該第一夾層與該第二夾層的厚度皆介於1奈米至5微米之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之合金，其中，該銅金屬層的厚度係介於1奈米至5微米之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之合金，其中，該銅金屬層與該第一夾層係具有範圍介於1：5000至5000：1之間的一第一厚度比， 且該銅金屬層與該第二夾層係具有範圍介於1：5000至5000：1之間的一第二厚度比。
  5. 一種觸控面板，係包括：一透明基板；複數第一感測電極單元，係由奈米銀線製成，並形成於該透明基板的表面；複數第一外延電極，係形成於該透明基板的表面，並分別連接該複數第一感測電極單元；複數第二感測電極單元，係由奈米銀線製成，並形成於該透明基板的底面；以及複數第二外延電極，係形成於該透明基板的底面，並分別連接該複數第二感測電極單元；其中，該第一外延電極與該第二外延電極係由一合金製成，且該合金係包括：一第一夾層；一銅金屬層，係形成於該第一夾層之上；及一第二夾層，係形成於該銅金屬層之上；其中，該第一夾層與該第二夾層係由電極電位(Electrode potential)小於銅的一特定金屬製成，且該特定金屬為Ni-Cr複合物。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之觸控面板，係可與一液晶模組(Liquid crystal module,LCM)整合成一觸控顯示面板。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之觸控面板，其中，該第一夾層與該第二夾層的厚度皆介於1奈米至5微米之間。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之觸控面板，其中，該銅金屬層的厚度係介於1奈米至5微米之間。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之觸控面板，其中，該銅金屬層與該第一夾層係具有範圍介於1：5000至5000：1之間的一第一厚度比，且該銅金屬層與該第二夾層係具有範圍介於1：5000至5000：1之間的一第二厚度比。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之觸控面板，其中，該觸控顯示面板係更包括：一第一光學膠層，係連接至該透明基板的表面，並覆蓋該複數第一感測電極單元與該複數第一外延電極；一第二光學膠層，係連接至該透明基板的底面，並覆蓋該複數第二感測電極單元與該複數第二外延電極；以及一保護玻璃，係透過該第一光學膠層而連接至該透明基板的表面；其中，該液晶模組係透過該第二光學膠層而連接至該透明基板的底面。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之觸控面板，其中，該保護玻璃之上係形成有一不透明層，藉此方式於該保護玻璃之上規劃出一透光區與一不透光區。
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