CN111722742A - 透明导电膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种透明导电膜，包括：基材，所述基材的至少一侧表面具有导电层，所述导电层包括触控区和位于触控区外围的走线区,其中所述走线区包括形成于基材上的多条金属走线，每条金属走线上覆盖有纳米导电结构，所述触控区包括由纳米导电层图形化形成的多个触控电极，所述纳米导电层与所述纳米导电结构电气连接，及与所述金属走线电气连接。触控区采用纳米导电层图形化制得，走线采用金属走线且覆盖纳米导电层，纳米导电层和金属走线均耐弯折，透明导电膜的耐弯折性能较好，且金属走线被纳米导电层覆盖，其抗氧化及腐蚀能力较好。还提出一种上述透明导电膜的制备方法。

Description

透明导电膜及其制备方法

技术领域

本发明涉及触控技术领域，特别是涉及一种透明导电膜，还提出一种透明导电膜的制备方法。

背景技术

传统的GFF/GF触摸屏结构,导电层一般为ITO，走线一般为银胶。其中，GFF结构指触控感应结构中的X方向电极设置于一柔性薄膜上，Y方向电极设置于另一柔性薄膜上。GF结构指触控感应结构中的X方向电极和Y方向电极均设置于同一柔性薄膜。

传统的GFF/GF触摸屏结构,在应对可折叠触控方案时会遇到如下困难:

(1)VA区(View Area，可视区)导电层材料为ITO，然而ITO硬而脆，不适合做可弯折的导电材料。

(2)走线区一般为银胶或感光银胶，一般为印刷工艺、印刷+镭射工艺、印刷+黄光工艺制作而成，银线并非是致密的纯银结构，其内部为银颗粒和树脂混合物，因此抗弯折能力也不佳。此外，这种方式制备的走线需要额外增加与ITO导电层之间的对位偏差空间，导致边框宽度增加，不适合极窄边框。

发明内容

基于此，有必要针对GFF/GF触摸屏结构无法适应可折叠触控方案的问题，提出一种透明导电膜。

一种透明导电膜，包括：基材，所述基材的至少一侧表面具有导电层，所述导电层包括触控区和位于触控区外围的走线区,其中所述走线区包括形成于基材上的多条金属走线，每条金属走线上覆盖有纳米导电结构，所述触控区包括由纳米导电层图形化形成的多个触控电极，所述纳米导电层与所述纳米导电结构电气连接，及与所述金属走线电气连接。

上述的透明导电膜，触控区采用纳米导电层图形化制得，走线采用金属走线且覆盖纳米导电层，纳米导电层和金属走线均耐弯折，透明导电膜的耐弯折性能较好，且金属走线被纳米导电层覆盖，其抗氧化及腐蚀能力较好。

在其中一个实施例中，所述透明导电膜还包覆盖所述触控区和走线区的光刻胶层，所述光刻胶层填满相邻的纳米导电结构之间的间隙，及填满相邻的金属走线之间的间隙，及填满相邻的触控电极之间的间隙，且所述光刻胶层在所述走线区处暴露部分的纳米导电结构以形成邦定区。利用光刻胶层增强触控电极和纳米导电结构的附着力，保护整面的透明导电膜，同时也不影响与FPC的邦定。

在其中一个实施例中，所述纳米导电结构与形成所述触控区的纳米导电层相连，且二者为一体件。在形成纳米导电结构和纳米导电层的图形时，可以通过溶液涂布的方式先在基材上形成整面的金属纳米级薄膜，然后再同时或分开进行进行图形化处理，此工艺过程中，不需要分开设置两处的金属纳米级薄膜，简化了工艺。

在其中一个实施例中，所述基材的上表面和下表面均设有所述的导电层，位于所述上表面的导电层的触控区形成沿第一方向延伸的触控电极，位于所述下表面的导电层的触控区形成沿第二方向延伸的触控电极，所述第一方向和第二方向交叉。基材的上、下表面均可设置导电层，且形成触控感应结构。

在其中一个实施例中，所述金属走线的厚度为10纳米～1000纳米。金属走线上还覆盖有纳米导电结构，金属走线的厚度范围可以较小。

在其中一个实施例中，所述纳米导电层的厚度为5纳米～1000纳米。利用极小厚度的纳米导电层覆盖金属走线，金属走线的抗氧化及腐蚀能力较好。

还提出一种透明导电膜的制备方法，包括步骤：

提供基材，且在所述基材的表面形成金属导电层；

对所述金属导电层进行图形化处理，以仅在基材的表面的第一区域保留金属导电层，所述第一区域以外的区域定义为第二区域；

形成同时覆盖所述第一区域和第二区域的纳米导电层；

对所述纳米导电层和金属导电层进行图形化处理，以形成位于所述第一区域的走线区，及形成位于所述第二区域的触控区，其中所述走线区包括形成于基材上的多条金属走线，每条金属走线上覆盖有纳米导电结构。通过上述步骤，可制得延展性更好、更耐弯折的触控区和走线区。

在其中一个实施例中，上述方法还包括步骤：

在所述纳米导电层的表面涂布光刻胶层，且所述光刻胶层填满相邻的纳米导电结构之间的间隙，及填满相邻的金属走线之间的间隙，及填满相邻的触控电极之间的间隙；

对所述走线区上的光刻胶层进行图形化处理，以暴露部分的纳米导电结构形成邦定区。利用光刻胶层增强触控电极和纳米导电结构的附着力，保护整面的透明导电膜，同时也不影响与FPC的邦定。

在其中一个实施例中，对所述纳米导电层和金属导电层进行图形化处理，以形成位于所述第一区域的走线区，及形成位于所述第二区域的触控区，其中所述走线区包括形成于基材上的多条金属走线，每条金属走线上覆盖有纳米导电层的步骤包括：

在所述纳米导电层的表面贴附干膜或者涂布光阻；

曝光、显影，然后使用能同时蚀刻所述纳米导电层和金属导电层的蚀刻液进行蚀刻，得到所述的触控区和走线区。

还提出一种透明导电膜的制备方法，包括步骤：

提供基材，且在所述基材的表面设置金属导电层；

对所述金属导电层进行图形化处理，以仅在基材的表面的第一区域保留金属导电层，所述第一区域以外的区域定义为第二区域；

形成同时覆盖所述第一区域和第二区域的纳米导电层；

对位于所述第二区域的纳米导电层进行图形化处理，以形成位于所述第二区域的触控区；

对位于所述第一区域的纳米导电层和金属导电层进行图形化处理，得到位于所述第一区域的走线区，所述走线区包括形成于基材上的金属走线和覆盖所述金属走线的纳米导电结构。通过上述步骤，可制得延展性更好、更耐弯折的触控区和走线区。

在其中一个实施例中，上述方法还包括步骤：

在所述纳米导电层的表面涂布光刻胶层，且所述光刻胶层填满相邻的纳米导电结构之间的间隙，及填满相邻的金属走线之间的间隙，及填满相邻的触控电极之间的间隙；

对所述走线区上的光刻胶层进行图形化处理，以暴露部分的纳米导电结构形成邦定区。利用光刻胶层增强触控电极和纳米导电结构的附着力，保护整面的透明导电膜，同时也不影响与FPC的邦定。

一种透明导电膜的制备方法，包括步骤：

提供基材，且在所述基材的表面设置金属导电层；

对所述金属导电层进行图形化处理，以仅在基材的表面的第一区域保留金属导电层，所述第一区域以外的区域定义为第二区域；

形成同时覆盖所述第一区域和第二区域的纳米导电层；

对位于所述第一区域和第二区域的纳米导电层进行图形化处理，以形成位于所述第二区域的触控区，及暴露出第一区域的金属导电层；

对暴露的所述金属导电层进行图形化处理，得到位于所述第一区域的走线区，所述走线区包括形成于基材上的金属走线和覆盖所述金属走线的纳米导电结构。

附图说明

图1为本发明一实施例的导电膜的结构示意图；

图2为本发明另一实施例的导电膜的结构示意图；

图3至图8为本发明的一实施例的导电膜的制备方法各步骤结束的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本发明提供一种透明导电膜，可用于平板显示、光伏器件、触控面板等领域。请参考图1,本发明一实施例的透明导电膜100包括基材10和设置在基材10的上表面110的导电层20，二者构成的透明导电膜为单面导电结构。

具体的，基材10使用柔性透明材质，且具备良好的弯折性能。例如，基材10可以是PT聚丙烯、COP(Cyclo Olefin Polymer)环烯烃聚合物、PEN聚萘二甲酸乙二醇酯、PC聚碳酸酯、PMMA聚甲基丙烯酸甲等有机高分子材料，或者两种及两种以上的有机高分子合成材料。为了更好地应用于柔性可折叠显示领域，基材10的厚度设置为5微米～100微米。关于厚度，指在垂直于基材10的上表面110的方向上元件的尺寸，下文中厚度的含义相同，在此处指基材10的尺寸。进一步地，当基材10的表面还可以进一步做特性处理，如增加AG功能膜、AR功能膜；或者增加硬度涂层。

参考图1，结合图4至图7，导电层20附着在基材10的上表面110，其包括走线区210、触控区220。走线区210位于触控区220外围，换言之，走线区210在基材10上的的上表面110的投影位于触控区220在基材10的上表面110的投影以外，二者不重叠。走线区210可以包围触控区220，即触控区220的四周均设有走线区210。当然，也可以是触控区220的四周上的部分区域设有走线区210。例如触控区220为长方形时，可以是触控区220的四个侧边以外均设有走线区210，也可是仅长度方向的两侧边的以外设有走线区210。

走线区210包括形成于基材10上的多条金属走线212，每条金属走线212上覆盖有纳米导电结构232。触控区220包括由纳米导电层40图形化形成的多个触控电极222，其中纳米导电层40与纳米导电结构232电气连接，及与金属走线210电气连接。如此，金属走线210与触控电极222电气连接，其可以作为引线将各触控电极222对应的感应通道与柔性电路板(FPC)连接起来。

本实施例的透明导电膜100中，触控区220通过对纳米导电层图形化制得，而外围的走线则采用延展性相对好的金属走线212，且金属走线212覆盖有纳米导电结构232作为保护层，因此透明导电膜100一方面耐弯折，且金属走线210的抗氧化及腐蚀能力较好。

本实施例中，金属走线212的材质选择范围包括但不限于铜、金、铝、镍、银、钼、钛、以及它们之间两种或两种以上的混合合金。上述金属材料的延展性较好，在透明导电膜100应用于柔性触控显示时效果较好。纳米导电结构232附着在金属走线212上，二者紧密贴合，二者之间具有良好的导通性。因此，与触控区210所连接的走线为复合层结构，包括下方的金属走线212和上方的纳米导电结构232，具有良好的传导能力。由于是复合层结构，金属走线212和纳米导电结构232的厚度均不需要设计很大，一般金属走线212的厚度范围在10纳米～1000纳米，纳米导电结构232的厚度范围5纳米～1000纳米。

触控区220具有多个触控电极222。其中触控电极222由图5所示的透明的纳米导电层40图形化形成，因此每个触控电极222的材质均为透明的纳米导电材料，具备良好的耐弯折性能。触控区220用以供使用者触控以实现感应，当然触控区220上方可以进一步设置玻璃盖板。触控区220为可视区域，透光性良好，纳米导电层40的厚度范围5纳米～1000纳米，这样触控区220的透过率可达到85％～93％，可以达到ITO材质的触控区的效果，但延展性和耐弯折性远比ITO好，比ITO类型的透明导电膜更加适用于柔性可折叠触控显示。

本实施例中，触控电极222可以是仅沿一个方向的触控电极，如其仅为触控感应结构中的Y方向电极。这样使用时，本实施例的透明导电膜100与另一个具有X方向电极的透明导电膜或者其他的结构层配合使用。例如，本实施例的透明导电膜100应用于GFF触摸屏结构，其中透明导电膜100具有Y方向电极，X方向电极则设置在另一薄膜的下表面上。在其他的实施例中，透明导电膜100可应用于GF触摸屏结构,触控电极222可以是同时包括X方向和Y方向电极。

纳米导电层40为金属纳米级镀膜，通过曝光-显影-蚀刻进行图形化处理，金属类型不限于金、银、铜、碳纳米管，甚至也可以是ITO。优选地，纳米导电层40的阻抗范围在200欧姆以下，保证透明导电膜100在较佳的工作状态下工作。相应地,由纳米导电层40制得的触控电极222具备相同的性能。

一些实施例中，如图7所示，形成触控区220的纳米导电层40与纳米导电结构232相连，且二者为一体件。如此，在形成纳米导电结构232和纳米导电层40的图形时，可以通过溶液涂布的方式先在基材10上形成整面的金属纳米级薄膜，然后再同时或分开进行进行图形化处理，此工艺过程中，不需要分开设置两处的金属纳米级薄膜，简化了工艺。因此，纳米导电结构232的材质和性能与前述的纳米导电层40相同。

一些实施例中，参考图7所示，透明导电膜100还包覆盖触控区220和走线区210的光刻胶层50，光刻胶层50填满相邻的触控电极222之间的间隙，及填满相邻的触控电极222之间的间隙，及填满相邻的纳米导电结构232之间的间隙，并且光刻胶层50在走线区210处暴露部分的纳米导电结构232以形成邦定区。通过光刻胶层50，可以增加纳米导电结构232和纳米导电层40的附着力，增强透明导电膜100整体的可靠性。

具体的，参考图7所示，可先在触控区220和走线区210上方覆盖一整层的光刻胶层50，并使得光刻胶层50浸入相邻的触控电极222之间的间隙，浸入相邻的触控电极222之间的间隙，及浸入相邻的纳米导电结构232之间的间隙。然后，通过曝光、显影、蚀刻，暴露部分的纳米导电结构232，形成邦定区250，如图8所示。

上述的实施例,仅基材10的上表面110设有导电层20,构成单面导电结构的透明导电膜。在另一实施例中，如图2所示，基材10的上表面110设有导电层20，基材10的下表面120也设有导电层20，即基材10的上表面110和下表面120设置有相同结构的导电结构。透明导电膜100为双面导电结构。两侧的导电层20所形成的走线区和触控区的结构与图1的导电导电结构的透明导电膜100类似，即可如图6和图7所示。此时，可使位于上表面110的导电层20的触控区形成沿第一方向延伸的触控电极，使位于下表面120的导电层20的触控区形成沿第二方向延伸的触控电极，第一方向和第二方向交叉，例如彼此垂直。这样，上表面110的导电层20和下表面120的导电层20能形成触控感应结构，透明导电膜100可用以形成GF2触摸屏结构。

本发明的一实施例还提供了一种制备单面导电结构的透明导电膜100的制备方法。该方法的步骤介绍如下。

S100、提供基材10，且在基材10的表面形成金属导电层30。如图3所示，在基材10的上表面10上制得一层金属导电层30。具体的，可以通过真空溅镀或蒸镀的方式得到一层金属导电层30。金属导电层30的材质选择范围包括但不限于铜、金、铝、镍、银、钼、钛、以及它们之间两种或两种以上的混合合金。金属导电层30的厚度范围在10纳米～1000纳米。

S200、对所述金属导电层30进行图形化处理，以仅在基材10的表面的第一区域A保留金属导电层30，所述第一区域A以外的区域定义为第二区域B。

结合图3，图形化处理具体可以是：在金属导电层30的上贴附干膜或涂布光阻310，然后使用光罩320进行曝光，曝光时的图形设计规则是去除对应触控区220(也即可视区)的金属导电层30，仅保留边框走线区210部分的金属导电层30。接着进行显影、蚀刻，此步骤完成后的剖面结构如图4所示。本步骤中，采用正性蚀刻和负性蚀刻均可。金属导电层30所覆盖的基材10的表面定义为第一区域A，第一区域A以外的部分则定义为第二区域B。可以理解地，第一区域A是与导电层20的走线区210相对应，第二区域B则是与导电层20的触控区220相对应。

S300、形成同时覆盖所述第一区域A和第二区域B的纳米导电层40。参图5，可通过溶液涂布方法形成一层透明的纳米导电层40，此纳米导电层40覆盖第一区域A上的金属导电层30，及覆盖基材10的第二区域B。涂布包括但不限于旋涂，辊式涂布，喷涂，刮涂，凸版印刷，凹版印刷等。形成的纳米导电层40为金属纳米级镀膜，与金属导电层30紧密贴合，两者之间具有良好的导通性。纳米导电层40的金属类型不限于金、银、铜、碳纳米管，甚至也可以是ITO，厚度范围5纳米～1000纳米。

本步骤中，是在基材10表面覆盖一整面的纳米导电层40，形成的纳米级薄膜将既用以形成触控电极222，也用以形成覆盖金属走线210的纳米导电结构。

S400、对纳米导电层40和金属导电层30进行图形化处理，以形成位于所述第一区域A的走线区210，及形成位于第二区域B的触控区220，其中走线区210包括形成于基材10上的多条金属走线212，每条金属走线212上覆盖有纳米导电结构232。

本步骤中，图形化处理可以为曝光-显影-蚀刻。具体的，可在纳米导电层40表面贴附干膜或涂布光阻，曝光、显影、蚀刻、剥膜，得到设计好的触控区图案和走线区图案。需要说明的是，本步骤中，是同时形成触控区图案和走线区图案，因此蚀刻液的选择应能满足可同时蚀刻纳米导电层40和金属导电层30，并在蚀刻时对二者具有接近一致的蚀刻速率。这样，通过曝光、显影，然后使用能同时蚀刻纳米导电层40和金属导电层30的蚀刻液进行蚀刻，可得到所述的触控区220和走线区210。

本步骤中，走线制作不需要额外增加纳米导电层40与金属导电层30之间的对位偏差空间，导致边框宽度增加，从而可以实现极窄边框。

金属导电层30蚀刻后形成金属走线212，而纳米导电层40覆盖第一区域A的部分形成覆盖金属走线212的纳米导电结构232，纳米导电层40覆盖第二区域B的部分则形成触控电极222，结构如图6所示。

进一步地，在一些实施例中，步骤S400之后，还包括步骤：

S500、在纳米导电层40的表面涂布光刻胶层50，且光刻胶层50填满相邻的纳米导电结构232之间的间隙，及填满相邻的金属走线212之间的间隙，及填满相邻的触控电极222之间的间隙。本步骤中，涂布的光刻胶层50同时覆盖在第一区域A上的纳米导电层40及第二区域B上的纳米导电层40，并且填满纳米导电层40的图案的空隙中，效果如图7所示。这样，通过增加光刻胶层50，可以无孔不入的保护正面的纳米导电层40，提高纳米导电层40的附着力，进而提高透明导电膜100的整体的可靠性。

S600、对走线区210上的光刻胶层50进行图形化处理，以暴露部分的纳米导电结构232形成邦定区250。具体的，可以对光刻胶层50进行曝光、显影、蚀刻，以露出邦定区250，以保证透明导电膜100能够与FPC邦定。

上述的步骤S100～S600完成后，透明导电膜100可排布在卷料或者大张材料上，接下来可进行常规操作：分切、FPC邦定、功能测试等。

在另一实施例中，提供了另一种透明导电膜的制备方法，与上述实施例的制备方法的区域仅在于步骤S400不同，其他步骤相同。具体的，本实施例中，步骤S400进一步地分成两道工序：首先，对位于第二区域B的纳米导电层40进行图形化处理，以形成位于所述第二区域B的触控区220。然后，对位于第一区域A的纳米导电层40和金属导电层30进行图形化处理，得到位于第一区域A的走线区210，走线区210包括形成于基材10上的多条金属走线212，且每条金属走线212上覆盖有纳米导电结构232。换言之，触控区220和走线区210可分开形成，可先用曝光、显影、蚀刻的方式形成触控区220，然后采用激光镭射方式加工出走线区210。

本实施例中，走线区210加工完成后，可以再参照前述实施例的制备方法，进行步骤S500～S600，此处不再赘述。

在又一实施例中，提供了又一种透明导电膜的制备方法，与上述实施例的制备方法的区域仅在于步骤S400不同，其他步骤相同。具体的，步骤S400包括两道工序：首先对位于第一区域A和第二区域B的纳米导电层40进行图形化处理，以形成位于第二区域B的触控区220，及暴露出第一区域A的金属导电层30。然后，对暴露的金属导电层30进行图形化处理，得到位于第一区域A的走线区210，走线区210包括形成于基材10上的金属走线310和覆盖金属走线310的纳米导电结构232。

本实施例中，先对纳米导电层40进行图形化处理，形成了触控区220及覆盖金属走线310的纳米导电结构232，但此时金属走线310尚未形成，仍是一整面的金属导电层30，但纳米导电结构232之间存在缝隙使金属导电层30被暴露。接下来，对金属导电层30进行处理，得到覆盖有纳米导电结构232的金属走线310。

本实施例中，对纳米导电层40进行图形化处理可以是曝光、显影、蚀刻的方式。对金属导电层30的处理可以采取激光镭射或蚀刻的方式。本实施例中，走线区210加工完成后，可以再参照前述实施例的制备方法，进行步骤S500～S600，此处不再赘述。

上述两个实施例的制备方法中，均是以透明导电膜100为单面导电结构为例进行说明。当透明导电膜100为图2所示的双面导电结构时，其制备流程同样参照上述的步骤S100～S600进行。具体的，一种方式是：先依照步骤S100～S600在基材10的上表面110制得导电层20，再在基材10的下表面120依照步骤S100～S600在基材10的上表面110制得导电层20。另一种方式是：在基材10的上表面110和下表面120同时依照步骤S100～S600分别制得导电层20。上述两种方式均可以制得双面导电结构的透明导电膜100。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种透明导电膜，其特征在于，包括

基材，所述基材的至少一侧表面具有导电层，所述导电层包括触控区和位于触控区外围的走线区,其中所述走线区包括形成于基材上的多条金属走线，每条金属走线上覆盖有纳米导电结构，所述触控区包括由纳米导电层图形化形成的多个触控电极，所述纳米导电层与所述纳米导电结构电气连接，及与所述金属走线电气连接。

2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜还包覆盖所述触控区和走线区的光刻胶层，所述光刻胶层填满相邻的纳米导电结构之间的间隙，及填满相邻的金属走线之间的间隙，及填满相邻的触控电极之间的间隙，且所述光刻胶层在所述走线区处暴露部分的纳米导电结构以形成邦定区。

3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述纳米导电结构与形成所述触控区的纳米导电层相连，且二者为一体件。

4.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述基材的上表面和下表面均设有所述的导电层，位于所述上表面的导电层的触控区形成沿第一方向延伸的触控电极，位于所述下表面的导电层的触控区形成沿第二方向延伸的触控电极，所述第一方向和第二方向交叉。

5.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述金属走线的厚度为10纳米～1000纳米。

6.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述纳米导电层的厚度为15纳米～1000纳米。

7.一种透明导电膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供基材，且在所述基材的表面形成金属导电层；

对所述金属导电层进行图形化处理，以仅在基材的表面的第一区域保留金属导电层，所述第一区域以外的区域定义为第二区域；

形成同时覆盖所述第一区域和第二区域的纳米导电层；

对所述纳米导电层和金属导电层进行图形化处理，以形成位于所述第一区域的走线区，及形成位于所述第二区域的触控区，其中所述走线区包括形成于基材上的多条金属走线，每条金属走线上覆盖有纳米导电结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括步骤：

在所述纳米导电层的表面涂布光刻胶层，且所述光刻胶层填满相邻的纳米导电结构之间的间隙，及填满相邻的金属走线之间的间隙，及填满相邻的触控电极之间的间隙；

对所述走线区上的光刻胶层进行图形化处理，以暴露部分的纳米导电结构形成邦定区。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，对所述纳米导电层和金属导电层进行图形化处理，以形成位于所述第一区域的走线区，及形成位于所述第二区域的触控区，其中所述走线区包括形成于基材上的多条金属走线，每条金属走线上覆盖有纳米导电结构；步骤包括：

在所述纳米导电层的表面贴附干膜或者涂布光阻；

曝光、显影，然后使用能同时蚀刻所述纳米导电层和金属导电层的蚀刻液进行蚀刻，得到所述的触控区和走线区。

10.一种透明导电膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供基材，且在所述基材的表面设置金属导电层；

对所述金属导电层进行图形化处理，以仅在基材的表面的第一区域保留金属导电层，所述第一区域以外的区域定义为第二区域；

形成同时覆盖所述第一区域和第二区域的纳米导电层；

对位于所述第二区域的纳米导电层进行图形化处理，以形成位于所述第二区域的触控区；

对位于所述第一区域的纳米导电层和金属导电层进行图形化处理，得到位于所述第一区域的走线区，所述走线区包括形成于基材上的金属走线和覆盖所述金属走线的纳米导电结构。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括步骤：

在所述纳米导电层的表面涂布光刻胶层，且所述光刻胶层填满相邻的纳米导电结构之间的间隙，及填满相邻的金属走线之间的间隙，及填满相邻的触控电极之间的间隙；

对所述走线区上的光刻胶层进行图形化处理，以暴露部分的纳米导电结构形成邦定区。

12.一种透明导电膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供基材，且在所述基材的表面设置金属导电层；

对所述金属导电层进行图形化处理，以仅在基材的表面的第一区域保留金属导电层，所述第一区域以外的区域定义为第二区域；

形成同时覆盖所述第一区域和第二区域的纳米导电层；

对位于所述第一区域和第二区域的纳米导电层进行图形化处理，以形成位于所述第二区域的触控区，及暴露出第一区域的金属导电层；

对暴露的所述金属导电层进行图形化处理，得到位于所述第一区域的走线区，所述走线区包括形成于基材上的金属走线和覆盖所述金属走线的纳米导电结构。

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