JP6583569B1 - ブラックマトリクス基板及び表示装置 - Google Patents
ブラックマトリクス基板及び表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6583569B1 JP6583569B1 JP2018554123A JP2018554123A JP6583569B1 JP 6583569 B1 JP6583569 B1 JP 6583569B1 JP 2018554123 A JP2018554123 A JP 2018554123A JP 2018554123 A JP2018554123 A JP 2018554123A JP 6583569 B1 JP6583569 B1 JP 6583569B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductive
- oxide
- thin film
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 231
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 132
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 63
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 651
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 63
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 42
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 36
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 25
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 14
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 66
- 239000010408 film Substances 0.000 description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 description 44
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 43
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 42
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 21
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 16
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical group [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 229910017625 MgSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000282376 Panthera tigris Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006913 SnSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 210000003746 feather Anatomy 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/13629—Multilayer wirings
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1251—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
以下の説明において、同一又は実質的に同一の機能及び構成要素には、同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化し、或いは、必要な場合のみ説明を行う。各図においては、各構成要素を図面上で認識し得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。必要に応じて、図示が難しい要素、例えば、半導体のチャネル層を形成する複数層の構成、また、導電層を形成する複数層の構成等の図示や一部の図示が省略されている。
(ブラックマトリクス基板の回路構成)
図1は、本発明の第1実施形態に係るブラックマトリクス基板の構成を示す部分拡大図であり、キャパシタパターン及び薄膜トランジスタ(第1薄膜トランジスタ)を含むセンサユニット(単位セル)を示す回路図である。図1に示す回路図においては、説明を分かり易くするため、区画領域19の構成として、最少の素子構成が示されている。即ち、図1は、区画領域19内に第1薄膜トランジスタ31を1つのみを含む最小の素子構成を例示している。
なお、図1は、回路図を示しているが、後の説明を分かり易くするために、3個の開口部9によってキャパシタパターン12が構成されている実際の形状、即ち、センサユニットの概略構成を示している。キャパシタパターン12は、走査線と出力線とで区画される区画領域19(領域)内に配設されている。
区画領域19は、薄膜トランジスタを駆動する走査線13と、薄膜トランジスタから出力信号が付与される出力線21とによって区切られる領域である。なお、後述するように、表示領域の最外周に限定すれば、走査線13もしくは出力線21の一方が配置されていないセンサユニットも存在するが、本発明の実施形態では、このようなセンサユニットも同様に「センサユニット」として扱う。また、センサユニットは、「タッチセンシングに関わる検知ユニット」と称することもできる。
平面視において、走査線は第1方向に平行に延線し、出力線は第1方向と直交する第2方向に平行に延線している。
図1に示すように、センサユニットSUは、第1導電パターン10、第2導電パターン20、及び第1薄膜トランジスタ31を含む。
第1薄膜トランジスタ31は、第1ゲート電極11、第1ソース電極22、第1ドレイン電極23、第1チャネル層16(後述、酸化物半導体層)、及びゲート絶縁層(後述、第2絶縁層48)を有する。第1ソース電極22は、コンタクトホール29を介して、走査線13に接続されている。第1ドレイン電極23は出力線21と繋がっている。
第1導電パターン10、第2導電パターン20は、単に導電パターンと呼称することがある。第1導電層及び第2導電層は、単に導電層と呼称することがある。導電層は、後述するように、金属層あるいは合金層が導電性酸化物層で挟持された構成を指す。
第1ゲート電極11、キャパシタパターン12(キャパシタ電極)、及び走査線13は、第1導電パターン10を有する第1導電層を構成する。キャパシタパターン12は、平面視において、1個以上の開口部9(第1開口部)を具備する。
開口部9の形状は、図1に示す矩形に限らず、平行四辺形であってもよい。
出力線21、第1ソース電極22、及び第1ドレイン電極23は、第2導電パターン20を有する第2導電層を構成する。なお、走査線及び出力線の役割(機能)は、入れ替えることができる。また、ソース電極及びドレイン電極の役割(機能)は、入れ替えることができる。つまり、図1において、符号13が出力線、符号21が走査線、符号22が第1ドレイン電極、符号23が第1ソース電極であってもよい。
第1導電層及び第2導電層は、金属層あるいは合金層が導電性酸化物層で挟持された構成を有する。
第1導電層を構成する第1ゲート電極11、キャパシタパターン12、走査線13、及び第2導電層を構成する出力線21は、導電性に優れた金属あるいは合金で構成されているため、静電容量検知の応答性、S/N比を改善することができる。上述したように高い導電率を有する金属としては、銀、銅、アルミニウム等が挙げられる。信頼性を考慮して、銀合金、銅合金、アルミニウム合金が採用されてもよい。キャパシタパターン12、走査線13、及び出力線21の構成として、金属層あるいは合金層が導電性酸化物層で挟持された導電層(導電パターン)を用いることで、以下に示す複数のメリットが得られる。
例えば、導電層の構造として銅合金の単層を有する配線(銅合金配線)が採用されている場合(導電性酸化物を用いない構成の場合)、指などのポインタが有する静電容量の大きさによっては、静電破壊が発生し、銅合金配線の欠けや剥がれを生じることがある。更に、銀、銅、又は銅合金は、樹脂やガラスに対する密着力が不十分である。
これに対し、本実施形態においては、金属層あるいは合金層が導電性酸化物層で挟持された導電層が採用されている。導電性酸化物は、銀、銅、又は銅合金等に対する密着性が極めて高く、さらに、樹脂やガラスに対する密着性が極めて高い。このため、静電破壊に起因する銅合金配線の欠けや剥がれを生じることは殆どない。
例えば、導電層の構造として銀合金配線あるいは銅合金配線が採用されている場合(導電性酸化物を用いない構成の場合)、銀や銅が樹脂やガラス基材に対して拡散し、信頼性の低下をもたらすことがある。特に、製造工程が250℃を超える処理工程を有する場合は、銅や銅合金が酸化し易い。
これに対し、本実施形態のように金属層あるいは合金層が導電性酸化物層で挟持された導電層が採用されている場合、導電性酸化物層が銀や銅のガラス基材に対する拡散を抑制し、銅の酸化を抑制する。
銀、銅、又は銅合金は、比較的柔らかい金属である。このため、銀、銅、又は銅合金で構成される配線は、タッチパネル端部における電気的実装の際に、傷がつき易い。
これに対し、本実施形態のように金属層あるいは合金層が導電性酸化物層で挟持された導電層が採用されている場合、導電性酸化物はセラミック材料の一つでもあるため、導電性酸化物層が銅、銀合金、又は銅合金を挟持することで、硬く、確実な実装が可能となる。
本実施形態では、コンタクトホール29を介して、第1ソース電極22が走査線13に電気的に接続されている。導電性酸化物層によって、コンタクトホール29における良好な電気的接続が得られる。上述したように、銅や銅合金の表面においては、銅の酸化物が形成され易い。銅酸化物は、経時的に厚みを増やし、電気的実装を不安定にさせる。同様に、銀の表面においては、酸化物や硫化物が形成され易い。銅や銅合金が導電性酸化物層で挟持された構成においては、導電層(導電パターン)の表面に導電性酸化物層が形成され、オーミックコンタクトが可能となる。同様に、金属層あるいは合金層が導電性酸化物層で挟持された構成を有する導電層を薄膜トランジスタの構成に適用することも有効である。換言すれば、本発明の実施形態に係る導電層は、種々のTFT(薄膜トランジスタ)のソース配線、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート配線、さらには、タッチセンシング配線などに適用できる。
導電性酸化物層の材料としては、酸化インジウムを50at%以上含む混合酸化物が適用できる。2層の導電性酸化物層によって銅層や銅合金層が挟持された3層構成を形成する方法としては、まず、例えば、ガラス等の基板上に、[混合酸化物層A/銅合金層B/混合酸化物層C]で構成される3層を成膜する。その後、ウエットエッチング工程によって、3層が等しい線幅を有するように加工する。あるいは、ウエットエッチング工程によって、ガラス基板の表面上に順に形成される混合酸化物層A、銅合金層B、及び混合酸化物層Cの線幅が、条件「混合酸化物層Aの線幅 > 銅合金層Bの線幅 > 混合酸化物層Cの線幅」を満たすように、線幅が順に小さくなるように加工する必要がある。
以下、金属層あるいは合金層について具体的に説明する。
本発明の実施形態に係る導電層(第1導電層、第2導電層)は、上述したように金属層あるいは合金層が導電性酸化物で挟持された3層構成を有する。金属層あるいは合金層としては、導電性に優れた銀、銅、アルミニウム、亜鉛等の金属、あるいは、上記金属の合金層を適用できる。以下、銅、銅合金を典型例として説明するが、本発明の実施形態に係る基本的な技術手段は、銀や亜鉛などの金属にも適用できる。
図2は、図1に示すA−A’線に沿うセンサユニットSU(単位セル)を示す断面図である。図2は、本発明の実施形態に係るブラックマトリクス基板100を示す断面図と言い換えることができる。
ブラックマトリクス基板100に適用できる透明基板102の具体的な基板材料は、可視域において透明な材料であれば特に限定されない。サファイア基板、アルミノ珪酸塩ガラス製等の基板、アクリル基板、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、あるいは、偏光板に用いられるTACフィルムや、ICカードに用いられる塩化ビニールをラミネートした樹脂基板等、種々な透明基板を用いることができる。しかしながら、ブラックマトリクス基板100が指紋認証を行う装置に用いられる場合、ガラス基板のようにリジッドで、平面性や平坦度の精度の高い表面を有する基板であることが望ましい。
第1絶縁層17の材料としては、後述するように二酸化ケイ素、窒化ケイ素、あるいは高誘電率の透明無機酸化物、透明窒化物を適用できる。第1透明樹脂層37や第2透明樹脂層38の材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド樹脂等を用いてもよい。あるいは、低誘電材料(low−k材料)を用いることができる。第1透明樹脂層37と光吸収層8との界面に、平面視、第1透明樹脂層37と同じパターンを有する導体層が挿入されてもよい。この導体層は、必要に応じて接地し、導体層とキャパシタパターン12との間で、補助的な容量を形成してもよい。
本発明の実施形態に係る黒色誘電体層3は、カーボンを含む。具体的に、黒色誘電体層3は、カーボンを樹脂に分散した分散体、或いは、カーボンに対してさらに金属酸化物等の微粒子である誘電体が分散された分散体で構成されている。即ち、黒色誘電体層3は、カーボンと、少なくとも金属酸化物で構成された誘電体の微粒子とを含む樹脂分散体で構成されてもよい。黒色誘電体層3は、平面視において第1導電パターン10及び前記第2導電パターン20を覆う構成を有する。なお、以下の記載において、微粒子を単に粉末と呼称することがある。
更には、カーボンの他に、酸化チタン、窒化チタン、及び酸窒化チタンのいずれかを有する誘電体の粉末が添加された樹脂の分散体を用いることができる。
しかしながら、黒色誘電体の抵抗率を1×1014Ωcm以上とする場合、上記緩和時間に悪影響を及ぼす可能性ある。従って、黒色誘電体の抵抗率を1×1014Ωcm以上とする技術価値は低い。黒色誘電体の電気的特性は、上記のようにタッチセンシングの内容に応じて種々、調整できる。なお、上記微粒子は、平均粒径が0.02〜2μmの範囲にある微粒子である。
本発明の実施形態に係る光吸収層8は、例えば、光学濃度が1〜4の範囲を有する光吸収層であればよい。例えば、アクリル樹脂等の透明樹脂にカーボン等の黒色顔料を分散させた分散体が光吸収層8として用いられていればよい。光吸収層の誘電率等の電気特性は、上述した黒色誘電体層3と異なってもよく、同じであってもよい。光吸収層8は、平面視において第1導電パターン10及び前記第2導電パターン20を覆う構成を有する。
チャネル層や発光素子は、光を感知する半導体で構成されているため、チャネル層や発光素子の誤動作を防止する目的で光吸収層8が配設される。光吸収層8は、カーボンや有機顔料等の光吸収剤を含む。寄生容量を減らすために、光吸収層の構成には、強誘電体が含まれないことが好ましい。
第1薄膜トランジスタ31は、第1ゲート電極11(図1参照)とともに第1絶縁層17上に形成されている。第1ゲート電極11(第1導電パターン10)上には、ゲート絶縁層として機能する第2絶縁層48が設けられている。
第2絶縁層48上には、第1チャネル層16、第1ソース電極22(第2導電パターン20)、及び第1ドレイン電極23(第2導電パターン20)が設けられている。第1ソース電極22及び第1ドレイン電極23は、第2絶縁層48上だけでなく、第1チャネル層16上にも形成されている。具体的に、第1ソース電極22及び第1ドレイン電極23は、第1チャネル層16の両側に位置する部位を覆うように形成されている。図2に示す例では、第1ソース電極22は第1チャネル層16の左端を覆っており、第1ドレイン電極23は第1チャネル層16の右端を覆っている。第1チャネル層16は、酸化物半導体で形成される。
酸化物半導体層を構成する第1チャネル層16に適用できる酸化物半導体には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウム、酸化シリコン、酸化アンチモン、酸化ビスマス、酸化セリウム、酸化錫などから2以上選ばれる酸化物半導体がある。例えば、酸化物半導体層は、酸化インジウムと、酸化アンチモン及び酸化ビスマスのうち少なくともいずれか1つと、を含んでもよい。また、酸化物半導体層は、酸化セリウム及び酸化錫のうち少なくともいずれか1つを含んでもよい。
これに対し、本実施形態に係る酸化物半導体は、電気的な耐圧が、シリコン系半導体と比較すると100倍以上高く、電子移動度も高い。酸化物半導体は、タッチセンサを駆動する、薄膜トランジスタのチャネル層として好ましい。
図3は、ブラックマトリクス基板100の構成を示す部分拡大図であり、黒色誘電体層3上に積層される第1導電パターン10を構成するキャパシタパターン12及び走査線13と、第2導電パターンを構成する出力線21とを示す平面図である。図3は、透明基板102の第2面2から見た平面図であるが、光吸収層8及び第1薄膜トランジスタ31の図示を省いている。
キャパシタパターン12は、走査線13と出力線21で区画される区画領域19内に形成される。なお、表示装置における表示有効領域の最外周部に位置するキャパシタパターン12’は、走査線13と出力線21とで完全に区画されなくてもよい。
図4及び図5の各々は、幅Px及び長さPyを有する1つの表示ユニットを示している。図4においては、例えば、表示ユニットが3個の開口部9を含む。
上述したように、キャパシタパターン12に含まれる開口部9の数は、例えば、3や4の倍数とすることができる。また、開口部9の数は1個以上あればよく、後述する変形例に示すように、1つの区画領域19内に2個の開口部9を設けてもよい。キャパシタパターン12の静電容量は、キャパシタパターン12の面積に比例するため、2個以上、さらには、3や4の倍数で開口部9の数を設定することができる。
また、図4に示すブラックマトリクス基板100上に、第2透明樹脂層38(接着層)を介して、保護ガラス(カバーガラス)を積層し、ブラックマトリクス基板100をタッチパネルとして用いることも可能である。
図6は、ブラックマトリクス基板100を示す部分拡大図であり、透明基板102上に、黒色誘電体層3、第1絶縁層17、導電層7をこの順で積層した構成を示す部分断面図である。導電層7は、金属層5が導電性酸化物層4で挟持された3層構成を有する。図6に示す金属層5は、合金層であってもよい。上述したように、金属層5や合金層は、銅層あるいは銅合金層とすることができる。導電性酸化物層4の上下に位置する2層の膜厚は異なってもよい。
なお、導電層7の構成は、上述した第2導電層に適用することができる。
図7は、ブラックマトリクス基板100の構成を示す部分拡大図であり、ブラックマトリクス基板100の第1面1に指F等のポインタが接触したときの状況を説明する断面図である。以下、図1〜図7を参照して、タッチ検出プロセスについて説明する。
次に、上述した第1実施形態の変形例1〜4について説明する。
以下に説明する変形例において、上述した第1実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
図8は、第1実施形態の変形例に係るブラックマトリクス基板を構成する黒色誘電体層3を示す断面図であって、カーボン濃度の異なる樹脂分散体の層を、第2面2と黒色誘電体層3との間に挿入した場合において、可視光の反射の状況を説明する断面図である。
本変形例1においては、黒色誘電体層は、カーボン濃度の異なる2層の樹脂分散体(黒色誘電体層3、低濃度カーボン層6)で構成されている。2層の樹脂分散体のうち少なくともいずれか一方の樹脂分散体は、金属酸化物からなる誘電体を含んでいる。
透明基板102としては、比誘電率が低い基板、比誘電率が8以下の材料を用いることができる。透明基板102の比誘電率は、例えば、比誘電率5以下であってもよい。また、透明基板102とキャパシタパターン12との界面に位置する部材の比誘電率が高いことが望ましい。換言すれば、透明基板102とキャパシタパターン12との界面に位置する黒色誘電体層3の比誘電率が高いことが良い。
図9は、第1実施形態の変形例2に係るブラックマトリクス基板を構成するセンサユニットを示す回路図である。図9に示すように、本変形例2に係るブラックマトリクス基板は、センサユニットSU1を備える。センサユニットSU1は、図1に示す第1薄膜トランジスタ31を備えるセンサユニットSUの構成に加えて、リセットトランジスタ32(第2薄膜トランジスタ)を備えている。
第1導電パターン10の一部は、第2ゲート電極27を構成する。第2導電パターン20の一部は、第2ソース電極25及び第2ドレイン電極26を構成する。酸化物半導体層の一部は、第2チャネル層24Aを構成する。第2絶縁層48の一部は、第2薄膜トランジスタのゲート絶縁層24Bを構成する。第2チャネル層24Aは、第1チャネル層16を形成する際に同時に形成される。同様に、ゲート絶縁層24Bは、第2絶縁層48を形成する際に同時に形成される。
リセットトランジスタ32は、走査線13からリセット信号を受けて、キャパシタパターン12の電位をリセットする。
図10は、第1実施形態の変形例3に係るブラックマトリクス基板を構成するセンサユニットを示す回路図である。図10において、図9に示すセンサユニットSU1と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
リセット線15は、第2ソース電極25及びソース延線28を介して、リセットトランジスタ32にリセット信号を供給する。
センサユニットSU2においては、図9に示すような走査信号及びリセット信号の供給を時分割で行う必要が無い。図1に示すセンサユニットSUと同様に、走査線13は、走査信号のみを第1薄膜トランジスタ31に供給すればよい。
図11は、第1実施形態の変形例4に係るブラックマトリクス基板を示す部分拡大図であり、黒色誘電体層3上に配設される第1導電パターン10及び第2導電パターン20の配置を示す平面図である。また、図11は、図3に示すキャパシタパターン12の変形例を示しており、区画領域19内に2つの開口部9が形成されている場合を示す。
キャパシタパターン12の一部を構成する導電線B1、B2、B3の線幅は、各々異ならせてもよい。
(マイクロLED表示装置)
図12は、本発明の第2実施形態に係る表示装置を示す図であって、第1実施形態に係るブラックマトリクス基板100が適用されたマイクロLED表示装置200を部分的に示す断面図である。
次に、図13〜図15を参照し、マイクロLED表示装置200が備える第2アレイ基板201の構造について説明する。
図14は、第2実施形態に係るマイクロLED表示装置200に搭載される発光素子(マイクロLED)を示す断面図であって、図13の符号Cの領域を部分的に示す拡大図である。
図15は、第2実施形態に係るマイクロLED表示装置200を示す拡大断面図であって、図13に示す第3薄膜トランジスタ68の第3チャネル層58上に積層された第3ソース電極54と第3ドレイン電極56の積層構造を説明する図である。
図15に示すように、反射電極89は、銀合金が導電性金属酸化物層で挟持された3層構成を有する。反射電極89の導電性金属酸化物層及び第3ドレイン電極56の導電性金属酸化物層の各々は、導電性金属酸化物で形成されており、オーミックコンタクトが可能である。
本実施形態において、発光素子CHIPは、表示機能層として機能する垂直型発光ダイオードであり、第2基板202上に位置する複数の画素の各々に設けられている。
具体的に、重なり部71は、角部74において透明導電膜76と上部電極87との間に位置しており、例えば、5°〜70°の角度θで上部電極87の面に対して傾斜している。このように重なり部71が傾斜を有することで、透明導電膜76の断線を防ぐことができる。
図13及び図15は、反射電極89(画素電極)に接続されている第3薄膜トランジスタ68として用いられるトップゲート構造を有する薄膜トランジスタ(TFT)の構造の一例を示している。第3薄膜トランジスタ68の構造は、後述する第4薄膜トランジスタ67にも適用される。
第3ゲート電極55は、図6に示す導電層7と同様の構成を有する。即ち、第3ゲート電極55は、金属層5(合金層)が導電性酸化物層4で挟持された3層構成を有する。
図16は、マイクロLEDを駆動する薄膜トランジスタを備えた代表的な回路図である。第2実施形態では発光ダイオード素子として、発光素子CHIPを例示している。複数の画素PXはマトリクス状に配置されている。以下、画素PXを画素開口部PXと記載することがある。
なお、図16に示す回路図は、後述する第3実施形態に係る有機EL表示装置300にも適用可能である。この場合、発光ダイオード素子として有機EL層が用いられる。
なお、本実施形態においては、ソース配線66、ゲート配線69、第1電源線51、及び第2電源線52の位置関係を限定しない。
1つの画素PX内における薄膜トランジスタ個数、あるいは補助導体75の向きによって、透明導電膜76のパターンの向きを変えることもできる。
(有機EL表示装置)
図17は、本発明の第3実施形態に係る表示装置を示す図であって、第3ブラックマトリクス基板303が適用された有機EL表示装置300を部分的に示す断面図である。
図18は、第3実施形態に係る有機EL表示装置300において、有機EL層を搭載した第3アレイ基板301の部分断面図である。
第3ブラックマトリクス基板303の他の構成は、第1実施形態において説明したブラックマトリクス基板100と同じである。発光層92を含む有機EL層80については、後に詳述する。
第3アレイ基板301の第3基板302としては、透明基板に限定する必要はなく、例えば、適用可能な基板として、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板、シリコン、炭化シリコンやシリコンゲルマニウムなどの半導体基板、あるいはプラスチック基板等が挙げられる。
上部電極87は、例えば、膜厚11nmの銀合金層が膜厚40nmの複合酸化物で挟持された透明導電膜である。下部電極88は、膜厚250nmの銀合金層が膜厚30nmの複合酸化物で挟持された構成を有する。なお、上記複合酸化物層を導電性金属酸化物層に適用し、銀合金層の膜厚を、例えば、9nmから15nmの範囲に設定し、導電性金属酸化物層によって銀合金層が挟持された3層積層構造を用いることが好ましい。この場合、高い透過率の透明導電膜を実現することができる。
第5薄膜トランジスタの構造は、第2実施形態と同様であるため、説明を省く。
(液晶表示装置)
図19は、本発明の第4実施形態に係る表示装置を示す図であって、第4ブラックマトリクス基板403が適用された液晶表示装置400を部分的に示す断面図である。
図20は、第4実施形態に係る表示装置に適用される液晶層を駆動する薄膜トランジスタを備えた代表的な回路図である。
図21は、従来の水平配向液晶(FFSモード)を採用した液晶表示装置を部分的に示す断面図であって、画素電極と共通電極との間に液晶駆動電圧を印加した時の、等電位線の状況を説明する断面図である。
図22は、従来の水平配向液晶(FFSモード)を採用した液晶表示装置を部分的に示す断面図であって、対向する基板の透明樹脂層上に透明電極が配設された場合の等電位線の状況を説明する断面図である。
図19において、偏光板を含む光学フィルム、配向膜、バックライトユニットなどの図示は省略している。また、通常の液晶表示装置では、薄膜トランジスタ等のアクティブ素子は周知であるので、薄膜トランジスタの図示も省略している。
液晶層60を駆動する画素電極及び共通電極は、いずれも透明導電膜を電極形状にパターニングすることによって形成されている。
一般的な構成として、図21に示すようなFFS方式の液晶表示装置700が知られている。液晶表示装置700は、アレイ基板605とカラーフィルタ基板500とによって液晶層607が挟持された構造を有する。
アレイ基板605は、基板606上に形成された絶縁層604、絶縁層604上に形成された共通電極602、共通電極602上に形成された絶縁層603、及び絶縁層603上に形成された画素電極601を備える。
アレイ基板605と対向するカラーフィルタ基板500においては、透明基板501上に、電気の流れない材料(不導体)で形成されたカラーフィルタCFや透明樹脂層614などが積層されている。なお、図21に示す例では、配向膜の図示は省略されている。
液晶表示装置800においては、透明電極612と画素電極601との間に液晶層607が配置されている。なお、透明電極612がカラーフィルタ基板500に形成されている点で、液晶表示装置800は、液晶表示装置700とは異なっている。液晶表示装置800が備えるその他の構成は、液晶表示装置700と同じである。
上述した特許文献2や特許文献3に開示された技術はこのようなノイズ発生のリスクを伴う。従って、特許文献2や特許文献3で示されるタッチセンサは、FFS方式の液晶表示装置に適用するには上記の問題がある。
Claims (12)
- 第1面と第2面とを有する透明基板と、
前記第2面上に設けられた黒色誘電体層と、
前記黒色誘電体層上に設けられた第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に設けられ、金属層あるいは合金層が導電性酸化物層で挟持された構成を有する第1導電パターンを含む第1導電層と、
前記第1導電パターン上に設けられた第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層及び前記第2絶縁層上に設けられ、金属層あるいは合金層が導電性酸化物層で挟持された構成を有する第2導電パターンを含む第2導電層と、
前記第2導電パターン上に設けられた透明樹脂層と、
前記透明樹脂層上に設けられた光吸収層と、
第1ゲート電極、第1ソース電極、第1ドレイン電極、第1チャネル層、及びゲート絶縁層を有する第1薄膜トランジスタと、
を備え、
前記黒色誘電体層は、カーボンを含み、かつ、前記第1面から見た平面視において前記第1導電パターン及び前記第2導電パターンを覆う構成を有し、
前記光吸収層は、カーボンを含み、かつ、前記第2面から見た平面視において前記第1導電パターン及び前記第2導電パターンを覆う構成を有し、
前記第1導電パターンの一部は、前記第1ゲート電極を構成し、
前記第2導電パターンの一部は、前記第1ソース電極及び前記第1ドレイン電極を構成し、
前記酸化物半導体層の一部は、前記第1チャネル層を構成し、
前記第1導電パターンの一部は、前記第1薄膜トランジスタを駆動する走査線を構成し、
前記第2導電パターンの一部は、前記第1薄膜トランジスタの出力線を構成し、
前記第1導電パターンの一部は、前記第1ゲート電極に接続されたキャパシタパターンを構成し、
前記キャパシタパターンは、平面視において、1個以上の第1開口部を具備し、
前記第2絶縁層の一部は、前記ゲート絶縁層を構成する、
ブラックマトリクス基板。 - 前記第1ゲート電極と電気的に繋がる第2ゲート電極、第2ソース電極、前記第2ゲート電極と電気的に繋がる第2ドレイン電極、第2チャネル層、及びゲート絶縁層を有する第2薄膜トランジスタを備え、
前記第1導電パターンの一部は、前記第2ゲート電極を構成し、
前記第2導電パターンの一部は、前記第2ソース電極及び前記第2ドレイン電極を構成し、
前記酸化物半導体層の一部は、前記第2チャネル層を構成し、
前記第2絶縁層の一部は、前記第2薄膜トランジスタの前記ゲート絶縁層を構成する、
請求項1に記載のブラックマトリクス基板。 - 平面視において、前記走査線は第1方向に平行に延線し、前記出力線は前記第1方向と直交する第2方向に平行に延線し、
前記キャパシタパターンは、前記走査線と前記出力線とで区画される領域内に配設される、
請求項1に記載のブラックマトリクス基板。 - 前記第1開口部は、矩形あるいは平行四辺形の形状を有する開口部であり、
前記黒色誘電体層及び前記光吸収層の各々は、前記開口部と相似する矩形あるいは平行四辺形である第2開口部を有し、
前記第2開口部の中心位置は、前記第1開口部の中心位置と重なる、
請求項1に記載のブラックマトリクス基板。 - 前記黒色誘電体層は、カーボンと、少なくとも金属酸化物で構成された誘電体の微粒子と、を含む樹脂分散体である、
請求項1に記載のブラックマトリクス基板。 - 前記金属酸化物で構成された誘電体は、フォルステライト、酸化アルミニウム、及び酸化チタンからなる群より選ばれる1以上の常誘電体の微粒子を少なくとも含む、
請求項5に記載のブラックマトリクス基板。 - 前記黒色誘電体層は、
カーボンと、
少なくとも、酸化チタン、窒化チタン、及び酸窒化チタンからなる群より選ばれる1以上の微粒子と、
を含む、
請求項1に記載のブラックマトリクス基板。 - 前記黒色誘電体層は、カーボン濃度の異なる2層の樹脂分散体で構成され、
前記2層の樹脂分散体のうち少なくともいずれか一方の樹脂分散体は、金属酸化物で構成された誘電体を含む、
請求項1に記載のブラックマトリクス基板。 - 前記導電性酸化物層は、酸化インジウムを含む、
請求項1に記載のブラックマトリクス基板。 - 前記酸化物半導体層は、
酸化インジウムと、
酸化アンチモン及び酸化ビスマスのうち少なくともいずれか1つと、
を含む、
請求項1又は請求項2に記載のブラックマトリクス基板。 - 前記酸化物半導体層は、
酸化セリウム及び酸化錫のうち少なくともいずれか1つを含む、
請求項10に記載のブラックマトリクス基板。 - 請求項1又は請求項2に記載のブラックマトリクス基板と、
薄膜トランジスタアレイが配置された基板面を有するアレイ基板と、
表示機能層と、
を備え、
前記表示機能層を介して、前記ブラックマトリクス基板の第2面と前記アレイ基板の前記基板面とが互いに向かい合うよう貼り合わせてなる表示装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/024079 WO2020003364A1 (ja) | 2018-06-26 | 2018-06-26 | ブラックマトリクス基板及び表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6583569B1 true JP6583569B1 (ja) | 2019-10-02 |
JPWO2020003364A1 JPWO2020003364A1 (ja) | 2020-07-09 |
Family
ID=68095255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018554123A Active JP6583569B1 (ja) | 2018-06-26 | 2018-06-26 | ブラックマトリクス基板及び表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11112662B2 (ja) |
JP (1) | JP6583569B1 (ja) |
KR (1) | KR102438966B1 (ja) |
CN (1) | CN112189181B (ja) |
WO (1) | WO2020003364A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7479164B2 (ja) | 2020-02-27 | 2024-05-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2021182036A1 (ja) | 2020-03-12 | 2021-09-16 | 株式会社ワコム | タッチセンサ |
CN113934316B (zh) * | 2020-07-13 | 2024-01-23 | 重庆康佳光电科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
JP7490504B2 (ja) | 2020-08-28 | 2024-05-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US11698703B2 (en) * | 2021-07-08 | 2023-07-11 | Idex Biometrics Asa | Integrated system including a sensor switch and a display switch above the common substrate |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3418479B2 (ja) | 1995-05-11 | 2003-06-23 | 日本電信電話株式会社 | 指紋入力装置 |
JP2013130729A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Japan Display Central Co Ltd | 表示装置 |
KR20130115621A (ko) * | 2012-04-12 | 2013-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP5673782B1 (ja) * | 2013-11-11 | 2015-02-18 | 凸版印刷株式会社 | 液晶表示装置 |
US9952725B2 (en) | 2014-04-22 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device having sensor circuit comprising a transistor and a capacitor |
US10073571B2 (en) * | 2014-05-02 | 2018-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch sensor and touch panel including capacitor |
CN104020595B (zh) * | 2014-06-13 | 2017-02-15 | 昆山龙腾光电有限公司 | 触控显示面板及触控显示装置 |
KR102152588B1 (ko) * | 2014-07-10 | 2020-09-07 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 흑색 전극 기판, 흑색 전극 기판의 제조 방법, 및 표시 장치 |
KR101648571B1 (ko) * | 2014-07-16 | 2016-08-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인 셀 터치 타입의 표시장치 |
KR102142844B1 (ko) * | 2014-09-05 | 2020-08-10 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 및 표시 장치용 기판 |
WO2016181524A1 (ja) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | 凸版印刷株式会社 | 液晶表示装置 |
JP6565517B2 (ja) | 2015-09-09 | 2019-08-28 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板、半導体装置、および液晶表示装置 |
CN105824469B (zh) * | 2016-03-15 | 2018-10-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、内嵌式触摸屏及显示装置 |
WO2017195339A1 (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 凸版印刷株式会社 | 表示装置 |
KR102190184B1 (ko) * | 2016-09-16 | 2020-12-11 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 표시 장치 및 표시 장치 기판 |
KR102207053B1 (ko) * | 2016-09-16 | 2021-01-25 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 표시 장치 및 표시 장치 기판 |
CN107037628B (zh) * | 2017-06-19 | 2020-03-20 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
-
2018
- 2018-06-26 JP JP2018554123A patent/JP6583569B1/ja active Active
- 2018-06-26 WO PCT/JP2018/024079 patent/WO2020003364A1/ja active Application Filing
- 2018-06-26 CN CN201880093562.1A patent/CN112189181B/zh active Active
- 2018-06-26 KR KR1020217002021A patent/KR102438966B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-12-28 US US17/135,176 patent/US11112662B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112189181B (zh) | 2023-10-20 |
CN112189181A (zh) | 2021-01-05 |
KR102438966B1 (ko) | 2022-09-05 |
JPWO2020003364A1 (ja) | 2020-07-09 |
WO2020003364A1 (ja) | 2020-01-02 |
KR20210024573A (ko) | 2021-03-05 |
US11112662B2 (en) | 2021-09-07 |
US20210149259A1 (en) | 2021-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6583569B1 (ja) | ブラックマトリクス基板及び表示装置 | |
US11861092B2 (en) | Display device | |
US10031601B2 (en) | Black electrode, method of manufacturing black electrode substrate and display device | |
EP3343336B1 (en) | Display device | |
US10838563B2 (en) | Display device and display device substrate having touch sensing function | |
CN111381723B (zh) | 包括触摸传感器的显示面板及其缺陷检测方法和显示装置 | |
KR102418577B1 (ko) | 터치 센서를 가지는 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP6565517B2 (ja) | 配線基板、半導体装置、および液晶表示装置 | |
CN109416598B (zh) | 显示装置及显示装置基板 | |
JP2019152889A (ja) | 液晶表示装置 | |
CN111351820A (zh) | 显示装置 | |
US20220252923A1 (en) | Electrooptical device | |
WO2015098192A1 (ja) | 半導体装置及び表示装置 | |
WO2020079838A1 (ja) | 容量センサ基板及び電子デバイス | |
US11985863B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
TWI751349B (zh) | 黑色矩陣基板及顯示裝置 | |
TW201814476A (zh) | 顯示裝置及顯示裝置基板 | |
TWI646518B (zh) | Display device and display device substrate | |
TW202016718A (zh) | 電容感測器基板及電子裝置 | |
TW201741749A (zh) | 顯示裝置 | |
JP2020065023A (ja) | 容量センサ基板 | |
CN113495391A (zh) | 胆固醇液晶显示器及其制作方法 | |
CN115548058A (zh) | 显示装置 | |
KR20110117511A (ko) | 씨오지 타입 어레이 기판 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190819 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6583569 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |