CN115548058A - 显示装置 - Google Patents

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CN115548058A
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layer
sensing
display device
pixel
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边镇洙
洪宗范
金雄植
崔正珉
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本公开涉及一种显示装置，根据一实施例的显示装置包括：基板；晶体管，位于所述基板之上；像素电极，连接于所述晶体管；坝层，位于所述像素电极之上，并包括与所述像素电极重叠的像素开口部；发光层，位于所述像素开口部中；公共电极，位于所述发光层以及所述坝层之上；封装层，位于所述公共电极之上；感测电极，位于所述封装层之上；第一绝缘层，位于所述封装层之上，并与所述像素开口部重叠；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层之上；以及第三绝缘层，包围所述第一绝缘层，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层的折射率不同，所述第一绝缘层的折射率高于所述第三绝缘层的折射率。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置作为显示画面的装置，有液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光显示装置(Organic Light Emitting Diode，OLED)等。这种显示装置用于移动电话、导航仪、数码相机、电子书、便携式游戏机或者各种终端等之类的各种电子设备。
显示装置由多层结构构成。例如，显示装置可以由在基板之上层叠有发光元件、触摸传感器等的多层结构构成。在发光元件中产生的光穿过这种多个层而向显示装置的外部发射，从而可以显示画面。但是，在发光元件中产生的光的一部分可能在层间界面处反射等无法向外部发射而损失。由此，存在显示装置的正面出光效率以及显示质量降低的问题。
发明内容
实施例用于提供能够提高出光效率以及显示质量的显示装置。
根据一实施例的显示装置包括：基板；晶体管，位于所述基板之上；像素电极，连接于所述晶体管；坝层，位于所述像素电极之上，并包括与所述像素电极重叠的像素开口部；发光层，位于所述像素开口部中；公共电极，位于所述发光层以及所述坝层之上；封装层，位于所述公共电极之上；感测电极，位于所述封装层之上；第一绝缘层，位于所述封装层之上，并与所述像素开口部重叠；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层之上；以及第三绝缘层，包围所述第一绝缘层，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层的折射率不同，所述第一绝缘层的折射率高于所述第三绝缘层的折射率。
可以是，所述第二绝缘层的折射率低于所述第一绝缘层的折射率，并高于所述第三绝缘层的折射率。
可以是，所述第三绝缘层包括开口部，所述第一绝缘层位于所述第三绝缘层的所述开口部中，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层以及所述第三绝缘层。
可以是，所述第三绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度。
可以是，所述第三绝缘层的所述开口部的宽度与所述第一绝缘层的宽度相同，所述第一绝缘层的端部与所述第三绝缘层的端部相接。
可以是，所述第三绝缘层的所述开口部的宽度大于所述第一绝缘层的宽度，所述第一绝缘层与所述第三绝缘层隔开。
可以是，所述第三绝缘层的所述开口部的宽度小于所述第一绝缘层的宽度，所述第三绝缘层覆盖所述第一绝缘层的侧面。
可以是，所述感测电极被所述第三绝缘层覆盖。
可以是，根据一实施例的显示装置还包括：感测电极连接部，连接于所述感测电极；以及感测绝缘层，位于所述感测电极和所述感测电极连接部之间。
可以是，所述感测电极位于所述第三绝缘层之上。
可以是，根据一实施例的显示装置还包括：感测电极连接部，连接于所述感测电极，所述第三绝缘层位于所述感测电极和所述感测电极连接部之间。
可以是，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层，所述第三绝缘层覆盖所述第二绝缘层。
可以是，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层的上面以及侧面，所述第三绝缘层覆盖所述第二绝缘层的上面以及侧面。
可以是，所述第二绝缘层的宽度大于所述第一绝缘层的宽度，所述第三绝缘层整体位于所述基板之上。
可以是，所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度，所述第三绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。
可以是，根据一实施例的显示装置还包括：感测电极连接部，连接于所述感测电极；以及感测绝缘层，位于所述感测电极和所述感测电极连接部之间，所述第一绝缘层位于所述感测绝缘层之上。
可以是，根据一实施例的显示装置还包括：感测电极连接部，连接于所述感测电极；以及感测绝缘层，位于所述感测电极和所述感测电极连接部之间，所述第一绝缘层包含与所述感测绝缘层相同的物质，并位于相同的层。
可以是，所述第一绝缘层的折射率和所述第二绝缘层的折射率之差是0.01以上且0.67以下。
可以是，所述第二绝缘层的折射率和所述第三绝缘层的折射率之差是0.01以上且0.67以下。
可以是，所述第一绝缘层的折射率和所述第二绝缘层的折射率之差是0.05以上，所述第二绝缘层的折射率和所述第三绝缘层的折射率之差是0.05以上。
根据实施例，可以提高显示装置的出光效率以及显示质量。
附图说明
图1是根据一实施例的显示装置的示意性平面图。
图2是在根据一实施例的显示装置中包括感测部的部分的平面图。
图3是示出根据一实施例的显示装置的一部分的平面图。
图4是示出根据一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图5是示出在根据一实施例的显示装置的发光元件中产生的光的路径的图。
图6是示出根据参考例的显示装置的截面图。
图7是示出根据一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图8是示出根据一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图9是示出根据一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图10是示出根据一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图11是示出在根据一实施例的显示装置的发光元件中产生的光的路径的图。
图12是示出根据一实施例的显示装置的一部分的截面图。
(附图标记说明)
100：基板
191：像素电极
270：公共电极
350：坝层
351：像素开口部
370：发光层
400：封装层
510：感测绝缘层
520、540：感测电极
521：第一感测电极连接部
541：第二感测电极连接部
550：第三绝缘层
551：第三绝缘层的开口部
555：第一绝缘层
560：第二绝缘层
具体实施方式
以下，参照所附的附图详细说明本发明的各实施例，以使本发明所属技术领域中具有通常知识的人能够容易实施。本发明能够以多种不同方式来实现，但并不限于在此说明的实施例。
为了清楚地说明本发明，省略了与说明无关的部分，在说明书全文中对相同或相似的构成要件标注相同的附图标记。
另外，附图中示出的各个结构的大小和厚度是为了方便说明而任意示出的，因此本发明并不是必须限定于图示那样的。在附图中，为了清楚表达多个层及区域，放大示出厚度。另外，在附图中，为了方便说明，将一部分层及区域的厚度夸张地示出。
另外，当表述为层、膜、区域、板等部分在另一部分“之上”或“上”时，其不仅包括“直接”在另一部分“之上”的情况，还包括其中间有又一部分的情况。相反，当表述为某一部分“直接”在另一部分“之上”时，意指中间没有又一部分的情况。另外，表述为“在”成为基准的部分“之上”或“上”的情况是位于成为基准的部分之上或之下的情况，并不意指必须以向重力相反方向侧位于“之上”或“上”。
另外，在整个说明书中，当表述为某一部分“包括”某一构成要件时，只要没有特别相反的记载，意指不是将其它构成要件除外而是还可以包括其它构成要件。
另外，在整个说明书中，当表述为“平面上”时，其意指从上方观看对象部分时的情况，当表述为“截面上”时，其意指在侧方观看将对象部分垂直截取的截面的情况。
以下，参照图1以及图2说明根据一实施例的显示装置如下。
图1是根据一实施例的显示装置的示意性平面图，图2是在根据一实施例的显示装置中包括感测部的部分的平面图。
如图1所示，根据一实施例的显示装置包括基板100以及焊盘部30。
基板100包括显示区域DA以及非显示区域NA。显示区域DA是形成包括发光二极管以及晶体管的像素而显示图像的区域，非显示区域NA是不显示图像的区域。非显示区域NA可以包围显示区域DA。非显示区域NA是包括形成有将驱动信号施加到像素的焊盘PAD的焊盘部30的区域。
在显示区域DA中可以配置包括晶体管(Transistor)、发光二极管(lightemitting diode)等的多个像素(未示出)。多个像素可以以各种形态排列，例如可以以矩阵形态排列。在显示区域DA的上方可以还配置包括多个感测电极(图2的520、540)的感测区域TA(参照图2)以能够识别触摸。
在非显示区域NA中可以配置用于将电压、信号等的驱动信号传输到形成于显示区域DA的像素的驱动电压线(未示出)、驱动低电压线(未示出)、焊盘部30等。另外，在非显示区域NA中可以还配置多个感测布线(图2的512、522)。多个感测布线512、522可以连接于多个感测电极520、540。将在下面的图2中进一步说明多个感测布线512、522以及感测电极520、540。
焊盘部30位于非显示区域NA的一部分，并包括多个焊盘PAD。电压、信号等可以施加到通过多个焊盘PAD连接于显示区域DA的多个电压线(未示出)、多个感测布线(图2的512、522)等。柔性印刷电路基板(Flexible Printed Circuit Board(FPCB)，未示出)可以附着于非显示区域NA。柔性印刷电路基板(FPCB)可以与焊盘部30电连接。柔性印刷电路基板(FPCB)和焊盘部30可以通过各向异性导电膜电连接。柔性印刷电路基板(FPCB)可以包括驱动集成电路(Intergrated Chip，未示出)，从驱动集成电路输出的驱动信号可以通过焊盘部30的多个焊盘PAD向各像素供应。
如图2所示，基板100还包括在显示区域DA的上方形成有多个感测电极520、540的感测区域TA以及包围感测区域TA的周边区域PA。根据实施例，感测区域TA可以包括图1的显示区域DA以及非显示区域NA的一部分，周边区域PA可以包括在图1的非显示区域NA中除了感测区域TA之外的区域。然而，其仅是一个示例，感测区域TA和周边区域PA的位置可以进行各种变更。例如，感测区域TA可以包括显示区域DA的一部分，周边区域PA可以包括在显示区域DA中除了感测区域TA之外的区域以及非显示区域NA。或者，感测区域TA也可以包括显示区域DA以及非显示区域NA。
在感测区域TA中可以配置多个感测电极520、540。多个感测电极520、540可以包括多个第一感测电极520以及多个第二感测电极540。感测电极520、540可以形成在与包括多个像素的基板100相同的基板100之上。即，多个像素和感测电极520、540可以位于单个面板中。
第一感测电极520和第二感测电极540可以彼此电分离。根据实施例，可以是，第一感测电极520是感测输入电极，第二感测电极540是感测输出电极。然而，不限于此，也可以是，第一感测电极520是感测输出电极，第二感测电极540是感测输入电极。
多个第一感测电极520以及多个第二感测电极540可以交替分散以在感测区域TA中彼此不重叠而配置为网格(Mesh)形态。多个第一感测电极520可以沿着列方向以及行方向分别配置多个，多个第二感测电极540也可以沿着列方向以及行方向分别配置多个。多个第一感测电极520可以通过多个第一感测电极连接部521在列方向上彼此连接，多个第二感测电极540可以通过第二感测电极连接部541在行方向上彼此连接。
第一感测电极520和第二感测电极540可以位于彼此相同的层。根据实施例，第一感测电极520和第二感测电极540也可以位于彼此不同的层。第一感测电极520和第二感测电极540可以是菱形形状，但不限于此。第一感测电极520和第二感测电极540可以是四边形、六边形等的多边形或者圆形、椭圆形，为了提高感测传感器的灵敏度，可以实现为具有突出部等各种形状。第一感测电极520以及第二感测电极540也可以由透明导电体或者不透明导电体形成。例如，第一感测电极520以及第二感测电极540可以包含透明导电性氧化物(Transparent Conductive Oxide，TCO)，透明导电性氧化物(TCO)可以包括铟-锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、铟-锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化锌(ZnO)、CNT(碳纳米管，carbon nanotube)以及石墨烯(graphene)中的至少任一种。另外，第一感测电极520以及第二感测电极540可以包括多个开口部。形成于感测电极520、540的开口部起到可以使从发光二极管发射的光不受干扰而向正面发射的作用。
多个第一感测电极520可以通过第一感测电极连接部521(也称为桥接部)彼此电连接，多个第二感测电极540可以通过第二感测电极连接部541彼此电连接。当多个第一感测电极520在第一方向上连接时，多个第二感测电极540可以在与其交叉的第二方向上连接。当第一感测电极520和第二感测电极540位于相同的层时，第一感测电极连接部521以及第二感测电极连接部541中的一者可以位于与第一感测电极520以及第二感测电极540相同的层，其余一者可以位于与第一感测电极520以及第二感测电极540不同的层。其结果，多个第一感测电极520和多个第二感测电极540可以电分离。位于不同的层的感测电极连接部可以位于第一感测电极520以及第二感测电极540的上层或者下层，在下面叙述的实施例中，以感测电极连接部位于下层即更靠近基板的层的实施例为中心进行说明。
在周边区域PA中配置有分别连接于多个第一感测电极520以及多个第二感测电极540的多个感测布线512、522。多个感测布线512、522可以包括多个第一感测布线512和多个第二感测布线522。第一感测布线512可以与向行方向配置的多个第二感测电极540连接，第二感测布线522可以与向列方向配置的多个第一感测电极520连接。根据实施例，第一感测布线512以及第二感测布线522也可以与包括在图1的焊盘部30中的焊盘PAD中的一部分电连接。
图2中示出了使用两个感测电极520、540感测触摸的互容感测(mutual-cap)方式的感测部。但是，根据实施例，也可以形成为仅使用一个感测电极感测触摸的自容感测(self-cap)方式的感测部。
以下，参照图3以及图4，进一步说明根据一实施例的显示装置。
图3是示出根据一实施例的显示装置的一部分的平面图，图4是示出根据一实施例的显示装置的一部分的截面图。
如图3所示，根据一实施例的显示装置可以包括多个像素R、G、B。多个像素R、G、B可以包括第一像素R、第二像素G以及第三像素B。第一像素R可以显示红色，第二像素G可以显示绿色，第三像素B可以显示蓝色。然而，其仅是一个示例，多个像素可以还包括显示红色、绿色、蓝色之外的其它颜色的像素。例如，多个像素可以还包括白色像素。或者，多个像素也可以包括显示青色的像素、显示品红色的像素、显示黄色的像素。
如图4所示，根据一实施例的显示装置的显示区域DA可以包括基板100、包括半导体131、栅极电极124、源极电极173以及漏极电极175的晶体管TFT、栅极绝缘膜120、第一层间绝缘膜160、第二层间绝缘膜180、像素电极191、发光层370、坝层350、公共电极270以及封装层400。在此，像素电极191、发光层370以及公共电极270可以构成发光元件ED。另外，可以是，显示装置还包括位于显示区域DA的上方的感测区域TA，感测区域TA包括感测绝缘层510、多个感测电极520、540、第二感测电极连接部541。另外，显示装置可以还包括位于感测区域TA的上方的第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550。
基板100可以包括玻璃等之类的具有刚性(rigid)特性的物质或者塑料、聚酰亚胺(Polyimide)等之类的能够弯曲的柔性物质。在基板100之上可以还配置有用于使基板100的表面平坦并阻断杂质元素的渗透的缓冲层111。缓冲层111可以包含无机物质，作为一例，可以包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等的无机绝缘物质。缓冲层111可以是所述物质的单层或者多层结构。在基板100之上可以还配置有阻挡层(未示出)。此时，阻挡层可以位于基板100和缓冲层111之间。阻挡层可以包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等的无机绝缘物质。阻挡层可以是所述物质的单层或者多层结构。
半导体131可以位于基板100之上。半导体131可以包含非晶硅、多晶硅以及氧化物半导体中的任一种。作为一例，半导体131可以包含低温多晶硅(LTPS)或者包含包括锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)以及它们的化合物中的至少一种的氧化物半导体物质。作为一例，半导体131可以包含IGZO(铟镓锌氧化物，Indium-Gallium-Zinc Oxide)。半导体131可以包括根据杂质掺杂与否划分的沟道区域、源极区域以及漏极区域。源极区域以及漏极区域可以具有与导电体相应的导电特性。
栅极绝缘膜120可以覆盖半导体131以及基板100。栅极绝缘膜120可以包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等的无机绝缘物质。栅极绝缘膜120可以是所述物质的单层或者多层结构。
栅极电极124可以位于栅极绝缘膜120之上。栅极电极124可以包含铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等的金属或者金属合金。栅极电极124可以构成为单层或者多层。半导体131中的在平面上与栅极电极124重叠的区域可以是沟道区域。
第一层间绝缘膜160可以覆盖栅极电极124以及栅极绝缘膜120。第一层间绝缘膜160可以包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等的无机绝缘物质。第一层间绝缘膜160可以是所述物质的单层或者多层结构。
源极电极173以及漏极电极175可以位于第一层间绝缘膜160之上。源极电极173以及漏极电极175通过形成于第一层间绝缘膜160以及栅极绝缘膜120的开口部分别连接于半导体131的源极区域以及漏极区域。由此，前述的半导体131、栅极电极124、源极电极173以及漏极电极175构成一个晶体管TFT。根据实施例，晶体管TFT也可以仅包括半导体131的源极区域以及漏极区域以代替源极电极173以及漏极电极175。
源极电极173以及漏极电极175可以包含铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)等的金属或者金属合金。源极电极173以及漏极电极175可以构成为单层或者多层。根据一实施例的源极电极173以及漏极电极175可以构成为包括上层、中间层以及下层的三层，上层以及下层可以包含钛(Ti)，中间层可以包含铝(Al)。
第二层间绝缘膜180可以位于源极电极173以及漏极电极175之上。第二层间绝缘膜180覆盖源极电极173、漏极电极175以及第一层间绝缘膜160。第二层间绝缘膜180用于对具备晶体管TFT的基板100的表面进行平坦化，可以是有机绝缘膜，可以包含选自于由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂组成的组中的一种以上的物质。
像素电极191可以位于第二层间绝缘膜180之上。像素电极191也称为阳极电极，可以构成为包含透明导电性氧化膜或者金属物质的单层或者包含它们的多层。透明导电性氧化膜可以包括ITO(铟锡氧化物，Indium Tin Oxide)、聚(poly)-ITO，IZO(铟锌氧化物，Indium Zinc Oxide)、IGZO(铟镓锌氧化物，Indium Gallium Zinc Oxide)以及ITZO(铟锡锌氧化物，Indium Tin Zinc Oxide)等。金属物质可以包括银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)以及铝(Al)等。
第二层间绝缘膜180可以包括使漏极电极175暴露的通孔81。漏极电极175和像素电极191可以通过第二层间绝缘膜180的通孔81物理电连接。由此，像素电极191可以接收要从漏极电极175传输到发光层370的输出电流。
在像素电极191以及第二层间绝缘膜180之上可以配置有坝层350。坝层350也称为像素界定层(Pixel Defining Layer，PDL)，包括与像素电极191的至少一部分重叠的像素开口部351。此时，像素开口部351可以与像素电极191的中心部重叠，并可以与像素电极191的边缘部不重叠。因此，像素开口部351的尺寸可以小于像素电极191的尺寸。坝层350可以分隔发光层370的形成位置以使发光层370可以位于暴露像素电极191的上面的部分之上。坝层350可以是包含选自于由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂组成的组中的一种以上的物质的有机绝缘膜。根据实施例，坝层350可以由包含黑色颜料的黑色像素界定层(Black Pixel Define Layer，BPDL)形成。
像素开口部351可以在平面上具有与像素电极191类似的形状。例如，像素开口部351以及像素电极191可以构成为在平面上大致多边形。此时，像素开口部351以及像素电极191的角部可以构成倒角。另外，像素电极191可以包括为了与漏极电极175进行连接而延伸的部分。然而，像素开口部351以及像素电极191的平面形状不限于此，可以进行各种变更。
此时，与第一像素R、第二像素G以及第三像素B各自相对应的多个像素电极191可以在平面上具有彼此不同的尺寸。同样地，与第一像素R、第二像素G以及第三像素B各自相对应的多个像素开口部351可以在平面上具有彼此不同的尺寸。例如，与第一像素R相对应的像素开口部351以及像素电极191可以分别在平面上具有比与第二像素G相对应的像素开口部351以及像素电极191更大的尺寸。另外，与第一像素R相对应的像素开口部351以及像素电极191可以分别在平面上具有比与第三像素B相对应的像素开口部351以及像素电极191更小或相似的尺寸。然而，不限于此，各像素R、G、B的像素开口部351以及像素电极191的尺寸可以进行各种变更。
另外，根据一实施例的显示装置的像素R、G、B可以沿着行方向以及列方向配置。例如，可以是，在第N行中与第二像素G相对应的多个像素电极191配置为隔开预定间隔，在相邻的第N+1行中与第三像素B相对应的像素电极191和与第一像素R相对应的像素电极191交替配置。同样地，可以是，在相邻的第N+2行中与第二像素G相对应的多个像素电极191配置为隔开预定间隔，在相邻的第N+3行中与第一像素R相对应的像素电极191和与第三像素B相对应的像素电极191交替配置。
另外，配置在第N行中的与第二像素G相对应的多个像素电极191可以配置为与配置在第N+1行中的与第三像素B以及第一像素R相对应的像素电极191彼此交错。例如，可以是，在第M列中与第三像素B相对应的像素电极191和与第一像素R相对应的像素电极191交替配置，在相邻的第M+1列中与第二像素G相对应的多个像素电极191配置为隔开预定间隔。同样地，可以是，在相邻的第M+2列中与第一像素R相对应的像素电极191和与第三像素B相对应的像素电极191交替配置，在相邻的第M+3列中与第二像素G相对应的多个像素电极191配置为隔开预定间隔。多个像素电极191可以在基板100上具有上述的结构并重复配置。
发光层370可以位于通过坝层350分隔的像素开口部351中。发光层370可以位于像素电极191之上。发光层370可以包含发射红色、绿色、蓝色等的光的有机物。发射红色、绿色、蓝色的光的发光层370可以包含低分子或者高分子有机物。位于第一像素R的发光层370可以包含发射红色光的有机物。位于第二像素G的发光层370可以包含发射绿色光的有机物。位于第三像素B的发光层370可以包含发射蓝色光的有机物。
在图4中将发光层370示出为单层，但是实际上在发光层370的上下可以还配置有电子注入层、电子传输层、空穴传输层以及空穴注入层之类的辅助层。此时，在发光层370的下方可以配置空穴注入层以及空穴传输层，在发光层370的上方可以配置电子传输层以及电子注入层。
虽然省略示出，但是在坝层350之上可以还配置间隔体。间隔体可以包含与坝层350相同的物质。然而，不限于此，间隔体也可以由与坝层350不同的物质构成。间隔体可以是包含选自于由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂组成的组中的一种以上的物质的有机绝缘膜。
公共电极270可以位于坝层350以及发光层370之上。各像素R、G、B的公共电极270可以彼此连接。公共电极270可以形成为在基板100之上整体连接。公共电极270也称为阴极电极，可以由包含ITO(铟锡氧化物，Indium Tin Oxide)、IZO(铟锌氧化物，Indium ZincOxide)、IGZO(铟镓锌氧化物，Indium Gallium Zinc Oxide)以及ITZO(铟锡锌氧化物，Indium Tin Zinc Oxide)等的透明导电层形成。另外，公共电极270可以具有半透明特性，此时可以与像素电极191一起构成微腔。通过微腔结构，由于两个电极之间的间隔以及特性，使得特定波长的光向上方发射，其结果，可以显示红色、绿色或者蓝色。
像素电极191、发光层370以及公共电极270可以构成发光元件ED。像素电极191、发光层370以及公共电极270重叠的部分可以成为发光元件ED的发光区域。
封装层400可以位于公共电极270之上。封装层400可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。在本实施例中，封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420以及第二无机封装层430。然而，其仅是一个示例，构成封装层400的无机膜和有机膜的数量可以进行各种变更。第一无机封装层410、有机封装层420以及第二无机封装层430可以位于显示区域DA以及非显示区域NA的一部分。根据实施例，可以是，有机封装层420以显示区域DA为中心形成，第一无机封装层410以及第二无机封装层430形成至非显示区域NA。可以是，封装层400用于保护发光元件ED免受可能从外部流入的水分或氧气等的影响，第一无机封装层410以及第二无机封装层430的一侧端部形成为直接接触。
在封装层400之上可以配置缓冲层501。缓冲层501可以由无机绝缘膜形成，包含在无机绝缘膜中的无机物质可以是硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物以及硅氮氧化物中的至少任一种。根据实施例，可以省略缓冲层501。
在缓冲层501之上可以配置第二感测电极连接部541、感测绝缘层510以及多个感测电极520、540。虽然省略示出，但是在缓冲层501之上可以配置第一感测电极连接部(图2的521)。第一感测电极连接部(图2的521)以及第二感测电极连接部541中的任一者可以位于与多个感测电极520、540相同的层，另一者可以位于与多个感测电极520、540不同的层。以下，以第二感测电极连接部541位于与多个感测电极520、540不同的层为例进行说明。
第二感测电极连接部541、感测绝缘层510以及多个感测电极520、540可以构成感测传感器。感测传感器可以分为电阻膜方式(resistive type)、电容方式(capacitivetype)、电磁感应方式(electro-magnetic type)、光感测方式(optical type)等的方式。根据一实施例的感测传感器可以使用电容方式的传感器。
在缓冲层501的之上可以配置第二感测电极连接部541，感测绝缘层510可以位于缓冲层501以及第二感测电极连接部541之上。感测绝缘层510可以包含无机绝缘物质或者有机绝缘物质。无机绝缘物质可以包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物以及硅氮氧化物中的至少任一种。有机绝缘物质可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙稀酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂以及苝类树脂中的至少任一种。
在感测绝缘层510之上可以配置多个感测电极520、540。多个感测电极520、540可以包括多个第一感测电极520和多个第二感测电极540。第一感测电极520以及第二感测电极540可以电绝缘。可以是，感测绝缘层510包括使第二感测电极连接部541的上面暴露的开口部，第二感测电极连接部541通过感测绝缘层510的开口部与第二感测电极540连接而电连接相邻的两个第二感测电极540。另一方面，连接第一感测电极520的第一感测电极连接部(图2的521)可以形成在与第一感测电极520以及第二感测电极540相同的层。
多个感测电极520、540可以包含导电性优异的导电物质。例如，多个感测电极520、540可以包含铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)等的金属或者金属合金。多个感测电极520、540可以构成为单层或者多层。此时，多个感测电极520、540可以通过包括开口部来使从发光二极管发射的光不受干扰而向上方发射。根据实施例，多个感测电极520、540可以构成为包括上层、中间层以及下层的三层，上层以及下层可以包含钛(Ti)，中间层可以包含铝(Al)。
在感测绝缘层510之上配置第一绝缘层555。可以是，第一绝缘层555位于封装层400之上，感测绝缘层510位于封装层400和第一绝缘层555之间。第一绝缘层555可以与发光元件ED重叠。即，第一绝缘层555可以与像素电极191重叠，并可以与发光层370重叠，并可以与像素开口部351重叠。第一绝缘层555的尺寸可以大于像素开口部351的尺寸。因此，第一绝缘层555可以与像素开口部351的整体重叠。即，第一绝缘层555可以覆盖像素开口部351的整体。
在第一绝缘层555之上配置第二绝缘层560。第二绝缘层560也可以位于第三绝缘层550之上。即，第二绝缘层560可以覆盖第一绝缘层555以及第三绝缘层550。第二绝缘层560可以整体位于基板100之上。
在感测绝缘层510之上配置第三绝缘层550。第三绝缘层550可以位于感测电极520、540之上。因此，感测电极520、540可以被第三绝缘层550覆盖。第三绝缘层550可以配置为包围第一绝缘层555。第三绝缘层550可以包括开口部551。第三绝缘层550的开口部551可以与像素开口部351重叠。第三绝缘层550的开口部551的尺寸可以大于像素开口部351的尺寸。在平面上，像素开口部351可以位于第三绝缘层550的开口部551之中。
在第三绝缘层550的开口部551中可以配置第一绝缘层555。第三绝缘层550的开口部551的宽度Wop可以与第一绝缘层555的宽度Win1实质上相同。此时，第一绝缘层555的端部可以与第三绝缘层550的端部相接。第三绝缘层550的厚度T3可以大于第一绝缘层555的厚度T1。
第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550的折射率不同。第一绝缘层555的折射率可以高于第三绝缘层550的折射率。第二绝缘层560的折射率可以低于第一绝缘层555的折射率。第二绝缘层560的折射率可以高于第三绝缘层550的折射率。第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550各自的折射率可以是约1.28以上且约1.95以下。第一绝缘层555的折射率和第二绝缘层560的折射率之差可以是约0.01以上且约0.67以下。优选地，第一绝缘层555的折射率和第二绝缘层560的折射率之差可以是约0.05以上。第二绝缘层560的折射率和第三绝缘层550的折射率之差可以是约0.01以上且约0.67以下。优选地，第二绝缘层560的折射率和第三绝缘层550的折射率之差可以是约0.05以上。
例如，第一绝缘层555的折射率可以是约1.6以上，第二绝缘层560的折射率可以是约1.50以上且约1.55以下，第三绝缘层550的折射率可以是约1.46以下。然而，其仅是一个示例，第一绝缘层555的折射率、第二绝缘层560的折射率、第三绝缘层550的折射率可以进行各种变更。
第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550可以由有机绝缘物质构成。第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550各自的折射率可以根据包括在各层中的官能团(functional group)来调节。或者，也可以根据包括在各层中的纳米粒子(nanoparticle)的种类及其含量来调节第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550的折射率。
例如，由将中空二氧化硅(silica)分散到丙烯酸类树脂、硅氧烷树脂等中的材料构成的层的折射率可以是约1.30至约1.53。由包括氟(F)的丙烯酸类树脂构成的层的折射率可以是约1.38至约1.53。由在丙烯酸类树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺等的树脂的粘结剂(binder)中包含芳香环(aromatic ring)等的官能团的材料构成的层的折射率可以是约1.50至约1.65。由包含碘(I)、溴(Br)等的卤素元素或硫(S)、磷(P)、硅(Si)等的元素的丙烯酸类树脂构成的层的折射率可以是约1.60至约1.70。由包含钛氧化物(TiO2)、锆氧化物(ZrO2)、石墨烯(Graphene)等的纳米粒子的丙烯酸类树脂构成的层的折射率可以是约1.50至约1.90。由包含丙烯酸类树脂、硅氧烷树脂等的有机金属聚合物(organometallicpolymer)构成的层的折射率可以是约1.60至约1.90。上述提及的折射率可以是利用约589nm的光(钠D线，sodium D-line)测定的值。
第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550可以通过各种方法形成。例如，可以是，使得有机绝缘物质具有感光性，并将其整体形成之后通过进行光刻工艺来实施图案化。或者，可以利用喷墨工艺形成期望的图案。或者，可以是，通过狭缝涂布(slitcoating)、旋转涂布(spin coating)、丝网印刷(screen printing)等的方式整体形成有机绝缘物质之后形成包含酚醛清漆(Novolak)的光刻胶，并通过进行光刻以及蚀刻工艺来形成期望的图案。
虽然省略示出，但是在第二绝缘层560之上可以还配置偏振层。偏振层可以位于感测区域TA，并可以包括线偏振片、相位差片等。
在感测区域TA之上可以还配置保护感测区域TA以及显示区域DA的覆盖窗。此时，在偏振层和覆盖窗之间可以还配置粘合层。
根据一实施例的显示装置通过包括具有彼此不同的折射率的第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550，可以提高显示装置的正面可视性以及出光效率。以下，进一步参照图5说明在根据一实施例的显示装置中产生的光的路径。
图5是示出在根据一实施例的显示装置的发光元件中产生的光的路径的图。
如图5所示，在发光元件ED中产生的光L可以穿过第一绝缘层555以及第二绝缘层560而向正面出光。即，光L可以向垂直于基板100的方向射出。在发光元件ED中产生的光L的一部分可以向倾斜于基板100的方向行进并被覆盖窗反射而返回。在根据一实施例的显示装置中，在发光元件ED中产生的光L可以在第一绝缘层555和第二绝缘层560之间的界面处折射。穿过第一绝缘层555的侧面时折射的光的一部分可以穿过第二绝缘层560而向正面出光。另外，穿过第一绝缘层555的侧面时折射的光的另一部分可以被第三绝缘层550反射而向正面出光。另外，穿过第一绝缘层555的上面时折射的光的一部分可以被第三绝缘层550反射而向正面出光。即，穿过第一绝缘层555而向第二绝缘层560入射的光的一部分可以在第二绝缘层560和第三绝缘层550的界面处反射而向正面出光。
当向第二绝缘层560入射的光L的入射角大于临界角时，入射的光L可以在第三绝缘层550和第二绝缘层560的界面处全反射。即，向具有相对大的折射率的第二绝缘层560入射的光L可以向具有相对小的折射率的第三绝缘层550行进的同时在第三绝缘层550和第二绝缘层560之间的界面处发生全反射。此时，第三绝缘层550和第二绝缘层560之间的界面可以与平行于基板100的直线构成预定的角度。第三绝缘层550和第二绝缘层560之间的界面可以是第三绝缘层550的侧面。因此，第三绝缘层550的侧面可以相对于感测绝缘层510的上面倾斜成具有预定的倾斜角。
以下，参照图6比较说明根据一实施例的显示装置和根据参考例的显示装置。
图6是示出根据参考例的显示装置的截面图。
如图6所示，根据参考例的显示装置包括与根据一实施例的显示装置的大部分相同的构成要件，并不包括与第三绝缘层相对应的构成要件。即，根据参考例的显示装置包括位于感测绝缘层510之上的第一绝缘层555以及位于第一绝缘层555之上的第二绝缘层560。第一绝缘层555可以与像素开口部351重叠，第二绝缘层560可以覆盖第一绝缘层555的上面以及侧面。第二绝缘层560的折射率可以低于第一绝缘层555的折射率。
在根据参考例的显示装置的发光元件ED中产生的光可以穿过第一绝缘层555以及第二绝缘层560而向正面出光。另外，穿过第一绝缘层555的侧面的光可以在第一绝缘层555和第二绝缘层560之间的界面处折射。穿过第一绝缘层555的侧面时折射的光的一部分可以向正面出光。因此，与省略第一绝缘层555的结构相比，根据参考例的显示装置的向正面的出光效率可以变高。出光效率可以根据第一绝缘层555的侧面和感测绝缘层510的上面所构成的锥角而不同。另外，出光效率可以根据第一绝缘层555的折射率、第二绝缘层560的折射率、第一绝缘层555的厚度等而不同。例如，可以是，在根据参考例的显示装置中，第一绝缘层555的折射率是约1.64，第二绝缘层560的折射率是约1.47，第一绝缘层555的厚度是约3.2μm。此时，与省略第一绝缘层555的结构相比，根据参考例的显示装置的红色像素的出光效率可以提高约20.5％，绿色像素的出光效率可以提高约16.5％，蓝色像素的出光效率可以提高约5.9％。若将结合从红色像素、绿色像素以及蓝色像素发出的光的白色光作为基准进行观察，则出光效率可以提高约16.3％。
在根据一实施例的显示装置的发光元件ED中产生的光L可以穿过第一绝缘层555以及第二绝缘层560而向正面出光。另外，穿过第一绝缘层555的侧面的光L可以在第一绝缘层555和第二绝缘层560之间的界面处折射。穿过第一绝缘层555的侧面时折射的光的一部分可以向正面出光。进而，向第二绝缘层560入射的光的一部分可以被第三绝缘层550反射而向正面出光。因此，与根据参考例的显示装置相比，根据一实施例的显示装置的向正面的出光效率可以变高。另外，与省略第一绝缘层555以及第三绝缘层550的结构相比，根据一实施例的显示装置的向正面的出光效率可以变高。出光效率可以根据第一绝缘层555的侧面和感测绝缘层510的上面所构成的锥角、第三绝缘层550的侧面和感测绝缘层510的上面所构成的锥角而不同。另外，出光效率可以根据第一绝缘层555的折射率、第二绝缘层560的折射率、第一绝缘层555的厚度等而不同。例如，可以是，在根据一实施例的显示装置中，第一绝缘层555的折射率是约1.64，第三绝缘层550的折射率是约1.47，第一绝缘层555的厚度是约3.2μm，第三绝缘层550的厚度是约5μm。此时，与省略第一绝缘层555以及第三绝缘层550的结构相比，根据一实施例的显示装置的红色像素的出光效率可以提高约25.2％，绿色像素的出光效率可以提高约20.2％，蓝色像素的出光效率可以提高约7.2％。另外，若将结合从红色像素、绿色像素以及蓝色像素发出的光的白色光作为基准进行观察，则出光效率可以提高约20.0％。因此，与根据参考例的显示装置相比，根据一实施例的显示装置中的白色光的出光效率可以提高约3.7％。
接着，参照图7说明根据一实施例的显示装置如下。
根据图7所示的实施例的显示装置与根据图1至图5所示的实施例的显示装置相同的部分相当多，因此省略针对相同的部分的说明。本实施例在第一绝缘层和第三绝缘层隔开的方面上与前述实施例不同，在下面进一步说明。
图7是示出根据一实施例的显示装置的一部分的截面图。
如图7所示，根据一实施例的显示装置可以包括基板100、位于基板100之上的晶体管TFT、连接于晶体管TFT的发光元件ED、位于发光元件ED之上的封装层400。在封装层400之上可以配置感测绝缘层510、多个感测电极520、540、第二感测电极连接部541、第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550。
第一绝缘层555可以与像素开口部351重叠，并可以位于第三绝缘层550的开口部551中。第二绝缘层560可以位于第一绝缘层555以及第三绝缘层550之上。
在前述实施例中，第一绝缘层555的端部可以与第三绝缘层550的端部相接，在本实施例中，第一绝缘层555的端部可以与第三绝缘层550的端部不相接。第三绝缘层550的开口部551的宽度Wop可以大于第一绝缘层555的宽度Win1。因此，第一绝缘层555和第三绝缘层550可以彼此隔开。
第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550的折射率不同。第一绝缘层555的折射率可以高于第二绝缘层560的折射率，第二绝缘层560的折射率可以高于第三绝缘层550的折射率。根据一实施例的显示装置通过包括具有彼此不同的折射率的第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550，可以提高显示装置的正面可视性以及出光效率。
接着，参照图8说明根据一实施例的显示装置如下。
根据图8所示的实施例的显示装置与根据图1至图5所示的实施例的显示装置相同的部分相当多，因此省略针对相同的部分的说明。本实施例在第三绝缘层覆盖第一绝缘层的方面上与前述实施例不同，在下面进一步说明。
图8是示出根据一实施例的显示装置的一部分的截面图。
如图8所示，根据一实施例的显示装置可以包括基板100、位于基板100之上的晶体管TFT、连接于晶体管TFT的发光元件ED、位于发光元件ED之上的封装层400。在封装层400之上可以配置感测绝缘层510、多个感测电极520、540、第二感测电极连接部541、第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550。
第一绝缘层555可以与像素开口部351重叠，并可以位于第三绝缘层550的开口部551中。第二绝缘层560可以位于第一绝缘层555以及第三绝缘层550之上。
可以是，在前述实施例中，第一绝缘层555未被第三绝缘层550覆盖，在本实施例中，第一绝缘层555被第三绝缘层550覆盖。第三绝缘层550可以覆盖第一绝缘层555的侧面。第三绝缘层550的开口部551的宽度Wop可以小于第一绝缘层555的宽度Win1。此时，第三绝缘层550可以不覆盖第一绝缘层555的上面。
第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550的折射率不同。第一绝缘层555的折射率可以高于第二绝缘层560的折射率，第二绝缘层560的折射率可以高于第三绝缘层550的折射率。根据一实施例的显示装置通过包括具有彼此不同的折射率的第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550，可以提高显示装置的正面可视性以及出光效率。
接着，参照图9说明根据一实施例的显示装置如下。
根据图9所示的实施例的显示装置与根据图1至图5所示的实施例的显示装置相同的部分相当多，因此省略针对相同的部分的说明。本实施例在省略了感测绝缘层的方面上与前述实施例不同，在下面进一步说明。
图9是示出根据一实施例的显示装置的一部分的截面图。
如图9所示，根据一实施例的显示装置可以包括基板100、位于基板100之上的晶体管TFT、连接于晶体管TFT的发光元件ED、位于发光元件ED之上的封装层400。在封装层400之上可以配置多个感测电极520、540、第二感测电极连接部541、第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550。
第一绝缘层555可以与像素开口部351重叠，并可以位于第三绝缘层550的开口部551中。第二绝缘层560可以位于第一绝缘层555以及第三绝缘层550之上。
可以是，在前述实施例中，在第二感测电极连接部541之上配置感测绝缘层510，在感测绝缘层510之上配置感测电极520、540，在感测电极520、540之上配置第三绝缘层550。可以是，在本实施例中，在第二感测电极连接部541之上配置第三绝缘层550，在第三绝缘层550之上配置感测电极520、540，在感测电极520、540之上配置第二绝缘层560。在本实施例中，可以省略感测绝缘层。因此，可以进一步简化工艺，可以节约费用。
第三绝缘层550可以位于感测电极520、540和第二感测电极连接部541之间。可以是，第三绝缘层550包括与第二感测电极540以及第二感测电极连接部541重叠的开口部，第二感测电极540通过开口部与第二感测电极连接部541连接。
第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550的折射率不同。第一绝缘层555的折射率可以高于第二绝缘层560的折射率，第二绝缘层560的折射率可以高于第三绝缘层550的折射率。根据一实施例的显示装置通过包括具有彼此不同的折射率的第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550，可以提高显示装置的正面可视性以及出光效率。
接着，参照图10说明根据一实施例的显示装置如下。
根据图10所示的实施例的显示装置与根据图1至图5所示的实施例的显示装置相同的部分相当多，因此省略针对相同的部分的说明。本实施例在第三绝缘层覆盖第二绝缘层的方面上与前述实施例不同，在下面进一步说明。
图10是示出根据一实施例的显示装置的一部分的截面图。
如图10所示，根据一实施例的显示装置可以包括基板100、位于基板100之上的晶体管TFT、连接于晶体管TFT的发光元件ED、位于发光元件ED之上的封装层400。在封装层400之上可以配置感测绝缘层510、多个感测电极520、540、第二感测电极连接部541、第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550。
第一绝缘层555可以与像素开口部351重叠，第二绝缘层560可以位于第一绝缘层555之上，第三绝缘层550可以配置为包围第一绝缘层555。
在前述实施例中，第二绝缘层560可以覆盖第一绝缘层555以及第三绝缘层550，在本实施例中，第二绝缘层560可以覆盖第一绝缘层555并可以不覆盖第三绝缘层550。在本实施例中，第三绝缘层550可以覆盖第二绝缘层560。
第一绝缘层555的尺寸可以大于像素开口部351的尺寸。因此，第一绝缘层555可以与像素开口部351的整体重叠。即，第一绝缘层555可以覆盖像素开口部351的整体。
第二绝缘层560的宽度Win2可以大于第一绝缘层555的宽度Win1。第二绝缘层560的厚度T2可以大于第一绝缘层555的厚度T1。第二绝缘层560可以覆盖第一绝缘层555的上面以及侧面。即，第二绝缘层560可以覆盖第一绝缘层555的整体。因此，第二绝缘层560可以与像素开口部351的整体重叠。即，第二绝缘层560可以覆盖像素开口部351的整体。
第三绝缘层550可以整体位于基板100之上。第三绝缘层550的厚度T3可以大于第二绝缘层560的厚度T2。第三绝缘层550可以覆盖第二绝缘层560的上面以及侧面。即，第三绝缘层550可以覆盖第二绝缘层560的整体。
第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550的折射率不同。第一绝缘层555的折射率可以高于第二绝缘层560的折射率，第二绝缘层560的折射率可以高于第三绝缘层550的折射率。
根据一实施例的显示装置通过包括具有彼此不同的折射率的第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550，可以提高显示装置的正面可视性以及出光效率。以下，进一步参照图11说明在根据一实施例的显示装置中产生的光的路径。
图11是示出在根据一实施例的显示装置的发光元件中产生的光的路径的图。
如图11所示，在发光元件ED中产生的光L可以穿过第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550而向正面出光。即，光L可以向垂直于基板100的方向射出。在发光元件ED中产生的光L的一部分可以向倾斜于基板100的方向行进并被覆盖窗反射而返回。在根据一实施例的显示装置中，在发光元件ED中产生的光L可以在第一绝缘层555和第二绝缘层560之间的界面处折射。穿过第一绝缘层555的侧面时折射的光的一部分可以穿过第二绝缘层560以及第三绝缘层550而向正面出光。另外，穿过第一绝缘层555的侧面时折射的光的一部分可以在第二绝缘层560和第三绝缘层550之间的界面处再次折射而向正面出光。另外，不穿过第一绝缘层555并向第二绝缘层560入射的光可以在第二绝缘层560和第三绝缘层550之间的界面处折射而向正面出光。另外，穿过第一绝缘层555的上面时折射的光的一部分可以在第二绝缘层560和第三绝缘层550之间的界面处折射。穿过第一绝缘层555的上面时折射的光的一部分可以在第二绝缘层560和第三绝缘层550之间的界面处再次折射而向正面出光。
接着，参照图12说明根据一实施例的显示装置如下。
根据图12所示的实施例的显示装置与根据图10以及图11所示的实施例的显示装置相同的部分相当多，因此省略针对相同的部分的说明。本实施例在感测绝缘层位于与第一绝缘层相同的层的方面上与前述实施例不同，在下面进一步说明。
图12是示出根据一实施例的显示装置的一部分的截面图。
如图12所示，根据一实施例的显示装置可以包括基板100、位于基板100之上的晶体管TFT、连接于晶体管TFT的发光元件ED、位于发光元件ED之上的封装层400。在封装层400之上可以配置感测绝缘层510、多个感测电极520、540、第二感测电极连接部541、第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550。
第一绝缘层555可以与像素开口部351重叠，第二绝缘层560可以位于第一绝缘层555之上，第三绝缘层550可以位于第二绝缘层560之上。
在前述实施例中，第一绝缘层555可以位于感测绝缘层510之上，在本实施例中，第一绝缘层555可以位于与感测绝缘层510相同的层。
可以是，在第二感测电极连接部541之上配置感测绝缘层510，在感测绝缘层510之上配置感测电极520、540。感测绝缘层510可以位于感测电极520、540和第二感测电极连接部541之间。可以是，感测绝缘层510包括与第二感测电极540以及第二感测电极连接部541重叠的开口部，第二感测电极540通过开口部与第二感测电极连接部541连接。
第一绝缘层555可以包含与感测绝缘层510相同的物质，并可以位于与感测绝缘层510相同的层。第一绝缘层555和感测绝缘层510可以通过相同的工艺形成，并可以具有实质上相同的厚度。因此，可以进一步简化工艺，可以节约费用。
第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550的折射率不同。第一绝缘层555的折射率可以高于第二绝缘层560的折射率，第二绝缘层560的折射率可以高于第三绝缘层550的折射率。根据一实施例的显示装置通过包括具有彼此不同的折射率的第一绝缘层555、第二绝缘层560以及第三绝缘层550，可以提高显示装置的正面可视性以及出光效率。
以上，针对本发明的实施例详细地进行了说明，但是本发明的权利范围不限于此，本领域技术人员利用所附的权利要求书中定义的本发明的基本概念进行的多种变形和改良形式也属于本发明的权利范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，其中，包括：
基板；
晶体管，位于所述基板之上；
像素电极，连接于所述晶体管；
坝层，位于所述像素电极之上，并包括与所述像素电极重叠的像素开口部；
发光层，位于所述像素开口部中；
公共电极，位于所述发光层以及所述坝层之上；
封装层，位于所述公共电极之上；
感测电极，位于所述封装层之上；
第一绝缘层，位于所述封装层之上，并与所述像素开口部重叠；
第二绝缘层，位于所述第一绝缘层之上；以及
第三绝缘层，包围所述第一绝缘层，
所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层的折射率不同，
所述第一绝缘层的折射率高于所述第三绝缘层的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二绝缘层的折射率低于所述第一绝缘层的折射率，并高于所述第三绝缘层的折射率。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第三绝缘层包括开口部，所述第一绝缘层位于所述第三绝缘层的所述开口部中，
所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层以及所述第三绝缘层。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述第三绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述第三绝缘层的所述开口部的宽度与所述第一绝缘层的宽度相同，
所述第一绝缘层的端部与所述第三绝缘层的端部相接。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括：
感测电极连接部，连接于所述感测电极；以及
感测绝缘层，位于所述感测电极和所述感测电极连接部之间，
所述感测电极被所述第三绝缘层覆盖。
7.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括：
感测电极连接部，连接于所述感测电极，
所述感测电极位于所述第三绝缘层之上，
所述第三绝缘层位于所述感测电极和所述感测电极连接部之间。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层，
所述第三绝缘层覆盖所述第二绝缘层。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层的上面以及侧面，
所述第三绝缘层覆盖所述第二绝缘层的上面以及侧面。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述第二绝缘层的宽度大于所述第一绝缘层的宽度，
所述第三绝缘层整体位于所述基板之上。
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