KR20200127103A - 표시장치 - Google Patents

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KR20200127103A
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안치욱
정순일
최상현
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 광을 방출하는 표시소자; 상기 표시소자 상에 배치되고, 상기 표시소자에 대응하는 개구를 갖는 제1굴절층; 상기 제1굴절층의 개구 내에 배치된 광추출패턴; 및 상기 제1굴절층 및 상기 광추출패턴을 덮으며 상기 제1굴절층 상에 배치된 제2굴절층;을 포함하는 표시장치를 개시한다.

Description

표시장치{Display device}
본 발명의 실시예들은 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 우수한 발광 효율을 갖는 표시장치에 관한 것이다.
표시장치에 대한 수요가 확대됨에 따라 다양한 용도로 사용될 수 있는 표시 장치에 대한 필요성도 증대되고 있다. 이러한 추세에 따라 표시장치가 점차 대형화되거나 박형화되는 경향이 있으며, 더 크고 더 얇은 표시장치를 제공하면서도 정확하고 선명한 색상을 가지는 표시장치에 대한 필요성도 함께 증대되고 있다.
본 발명의 실시예들은 표시장치에서 추출되는 광의 효율을 높이는 표시장치를 제공할 수 있다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는, 광을 방출하는 표시소자; 상기 표시소자 상에 배치되고, 상기 표시소자에 대응하는 개구를 갖는 제1굴절층; 상기 제1굴절층의 개구 내에 배치된 광추출패턴; 및 상기 제1굴절층 및 상기 광추출패턴을 덮으며 상기 제1굴절층 상에 배치된 제2굴절층;을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 표시소자는, 화소전극; 상기 화소전극 상에 배치된 발광층을 포함하는 중간층; 및 상기 중간층 상에 배치된 대향전극;을 포함하고, 상기 제1굴절층은 상기 화소전극의 가장자리를 덮는 절연층 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시장치는 상기 표시소자와 상기 제1굴절층 사이의 봉지부재;를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시장치는 상기 봉지부재와 상기 제1굴절층 사이에 배치되고, 감지전극을 포함하는 입력감지층;을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2굴절층의 굴절률은 상기 제1굴절층의 굴절률보다 클 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광추출패턴의 굴절률은 상기 제1굴절층의 굴절률과 동일할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광추출패턴은 상기 개구의 중앙에 배치되고, 상기 제1굴절층과 동일한 프로파일을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광추출패턴은 상기 개구의 가장자리를 따라 연속한 폐루프 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 개구 내에 복수의 광추출패턴들이 이격 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광추출패턴의 높이는 상기 제1굴절층의 높이와 동일할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광추출패턴의 높이는 상기 제1굴절층의 높이보다 낮을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시소자는 제1색의 광을 방출하는 제1표시소자 및 제2색의 광을 방출하는 제2표시소자를 포함하고, 상기 제1표시소자에 대응하는 상기 제1굴절층의 개구 내에 배치된 광추출패턴과 상기 제2표시소자에 대응하는 상기 제1굴절층의 개구 내에 배치된 광추출패턴은 형상, 크기 및 개수 중 적어도 하나가 서로 상이할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는, 광을 방출하는 표시소자; 상기 표시소자 상에 배치되고, 상면이 상기 표시소자에 대응하는 오목면을 갖는 제1굴절층; 상기 제1굴절층의 오목면 상에 배치된 광추출패턴; 및 상기 제1굴절층 및 상기 광추출패턴을 덮으며 상기 제1굴절층 상에 배치된 제2굴절층;을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 표시장치는 상기 표시소자와 상기 제1굴절층 사이의 봉지부재;를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시장치는 상기 봉지부재와 상기 제1굴절층 사이에 배치되고, 감지전극을 포함하는 입력감지층;을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2굴절층의 굴절률은 상기 제1굴절층의 굴절률보다 클 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광추출패턴의 굴절률은 상기 제1굴절층의 굴절률과 동일할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광추출패턴의 최상면과 상기 제1굴절층의 비오목면의 최상면이 동일할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광추출패턴의 최상면이 상기 제1굴절층의 비오목면의 최상면보다 낮을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시소자는 제1색의 광을 방출하는 제1표시소자 및 제2색의 광을 방출하는 제2표시소자를 포함하고, 상기 제1표시소자에 대응하는 상기 제1굴절층의 오목면 상에 배치된 광추출패턴과 상기 제2표시소자에 대응하는 상기 제1굴절층의 오목면 상에 배치된 광추출패턴은 형상, 크기 및 개수 중 적어도 하나가 서로 상이할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면 표시장치에서 추출되는 광의 효율을 높이고, 사용자의 관찰 각도가 변하여도 고른 휘도 분포를 가지는 광을 방출하는 표시장치를 제공할 수 있다. 그러나 이와 같은 효과는 예시적인 것으로, 실시예들에 따른 효과는 후술하는 내용을 통해 자세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 일부를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 I-I'를 따른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일부를 나타낸 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 예를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 배열을 도시한 부분 평면도이다.
도 6은 도 5의 II-II'선을 따른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 굴절층을 도시한 부분 평면도이다.
도 8은 도 7의 III-III'선을 따른 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 굴절층의 광 추출을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 1의 I-I'를 따른 단면도이다.
도 11은 도 10의 입력감지층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 12는 도 11의 IV-IV'선에 따른 단면도이다.
도 13a는 도 11의 제1도전층을 나타낸 평면도이고, 도 13b는 도 11의 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 부분 단면도이다.
도 15 내지 도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 굴절층을 나타낸 도면이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 굴절층을 나타낸 단면도이다.
본 발명은 다양하게 변형되고 여러 가지 실시예를 가질 수 있으므로, 특정 실시예들을 도면에 도시하고 상세한 설명을 통해 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 특징, 및 효과, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 아래에서 상세하게 기술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 아래에 개시되는 실시예들로 한정되지 않으며, 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들이 상세히 설명된다. 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예들에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. 도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예를 들어, 도면에 도시된 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 선택되었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 형태로 한정되지 않는다.
이하의 실시예들에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예를 들어, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예들에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용된다. 명세서 전체에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하의 실시예들에서, 배선이 "제1방향 또는 제2방향으로 연장된다"는 의미는 직선 형상으로 연장되는 것뿐 아니라, 제1방향 또는 제2방향을 따라 지그재그 또는 곡선 형상으로 연장되는 것도 포함한다.
이하의 실시예들에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다. 이하의 실시예들에서, "중첩"이라 할 때, 이는 "평면상" 및 "단면상" 중첩을 포함한다.
이하의 실시예들에서, 신호(signal)는 특별한 언급이 없는 한, 전압 또는 전류를 총칭한다. 이하의 실시예들에서, 커패시터의 기호로 사용된 부호인 C는 커패시터를 지칭하는 부호로 사용되며 또한 커패시터의 크기인 커패시턴스를 나타낸다. 또한, 직접 만들어진 커패시터나 자연적으로 형성된 커패시터 모두를 구분하지 않고 커패시터로 칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 일부를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 2는 도 1의 I-I'를 따른 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 표시영역(DA) 및 주변영역(PA)을 포함할 수 있다. 주변영역(PA)은 표시영역(DA)의 외곽에 표시영역(DA)을 둘러싸도록 배치된다. 주변영역(PA)은 표시영역(DA)에 인가할 전기적 신호를 전달하는 다양한 배선들 및 구동회로부가 위치할 수 있다. 표시장치(1)는 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소들에서 방출되는 광을 이용하여 소정의 영상을 제공할 수 있다. 도시되지 않았으나, 표시장치(1)는 주변영역(PA)의 일부 영역에서 벤딩영역을 포함하여 벤딩될 수 있다.
표시장치(1)는 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display), 무기발광 표시장치(Inorganic Light Emitting Display 또는 무기EL 표시장치), 또는 양자점발광 표시장치(Quantum dot Light Emitting Display)와 같은 표시장치일 수 있다. 이하에서는 유기발광 표시장치를 예로 하여 설명하겠다. 표시장치(1)는 휴대폰(mobile phone), 노트북, 스마트 워치와 같은 다양한 종류의 전자 기기로 구현될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 표시장치(1)는 제3방향(z방향)으로 차례로 적층된 기판(100) 및 기판(100)을 밀봉하는 봉지부재(300)를 포함하는 표시패널(10)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 글래스재를 포함하거나 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 글래스재를 포함하거나, 플렉서블 또는 벤더블 특성을 갖는 다양한 물질, 예를 들어, 강화 플라스틱과 같은 수지를 포함할 수 있다. 도시되지 않았으나, 기판(100)은 주변영역(PA)의 일부 영역에서 벤딩영역을 포함하여 벤딩될 수 있다.
기판(100) 상에는 화소층(PXL)이 배치될 수 있다. 화소층(PXL)은 화소마다 배치되는 표시소자들을 포함하는 표시소자층(DPL)과 화소마다 배치되는 화소회로와 절연층들을 포함하는 화소회로층(PCL)을 포함할 수 있다. 표시소자층(DPL)은 화소회로층(PCL)의 상부 층에 배치되고, 화소회로와 표시소자 사이에 복수의 절연층들이 배치될 수 있다. 화소회로층(PCL)의 일부 배선들 및 절연층들은 주변영역(PA)까지 연장될 수 있다.
봉지부재(300)는 박막봉지층일 수 있다. 박막봉지층은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 표시장치(1)가 고분자 수지를 포함하는 기판(100), 및 무기봉지층과 유기봉지층을 포함하는 박막봉지층의 봉지부재(300)를 구비하는 경우, 표시장치(1)의 유연성(flexibility)을 향상시킬 수 있다.
표시패널(10)은 봉지부재(300) 상부에 굴절층(400)을 포함할 수 있다. 굴절층(400)은 표시소자층(DPL)의 표시소자에서 방출되는 광의 경로를 조절하며, 렌즈 역할을 할 수 있다. 굴절층(400)은 표시소자에서 방출되는 광의 경로를 변경하여 표시장치(1)의 정면에서의 광추출 효율을 높이고, 정면으로 방출되는 광과 측면으로 방출되는 광의 색 편이를 개선할 수 있다.
도시되지 않았으나, 표시장치(1)는 봉지부재(300) 상부에 편광판, 윈도우(window) 등을 더 구비할 수 있다. 예를 들어, 굴절층(400)은 봉지부재(300)와 편광판 사이, 또는 봉지부재(300)와 윈도우 사이에 구비될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일부를 나타낸 도면이다. 도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 예를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 기판(100)은 표시영역(DA) 및 주변영역(PA)을 포함할 수 있다. 주변영역(PA)은 표시영역(DA) 외곽에 위치하고 표시영역(DA)을 둘러쌀 수 있다.
기판(100) 상부의 표시영역(DA)에는 제1 방향(x 방향, 행 방향) 및 제2 방향(y 방향, 열 방향)에 소정 패턴으로 배열된 복수의 화소(PX)들이 구비될 수 있다.
기판(100) 상부의 주변영역(PA)에는 각 화소(PX)에 스캔신호를 제공하는 스캔 드라이버(1100), 각 화소(PX)에 데이터신호를 제공하는 데이터 드라이버(1200), 및 제1전원전압(ELVDD, 도 4a 및 도 4b 참조) 및 제2전원전압(ELVSS, 도 4a 및 도 4b 참조)을 제공하기 위한 메인 전원배선들(미도시) 등이 배치될 수 있다. 기판(100) 상부의 주변영역(PA)에는 데이터선(DL)에 연결되는 복수의 신호패드(SP)들이 배치된 패드부(140)가 위치할 수 있다.
스캔 드라이버(1100)는 OSG(Oxide Semiconductor TFT Gate driver circuit) 또는 ASG(Amorphous Silicon TFT Gate driver circuit)를 포함할 수 있다. 도 3에서 스캔 드라이버(1100)는 기판(100)의 일 변에 인접하게 배치된 예를 도시하고 있으나, 실시예에 따라 스캔 드라이버(1100)는 기판(100)의 마주하는 두 변들에 각각 인접하게 배치될 수도 있다.
도 3은 기판(100) 상부에 배치된 신호패드(SP)들과 전기적으로 연결된 필름(1300) 상에 데이터 드라이버(1200)가 배치되는 COF(Chip On Film) 방식을 도시한다. 다른 실시예에 따르면, 데이터 드라이버(1200)는 COG(Chip On Glass) 또는 COP(Chip On Plastic) 방식으로 기판(100) 상부에 직접 배치될 수 있다. 데이터 드라이버(1200)는 FPCB(flexible Printed circuit board)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 4a를 참조하면, 화소(PX)는 스캔선(SL)과 데이터선(DL)에 연결된 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)에 연결된 표시소자를 포함한다. 화소회로(PC)는 트랜지스터 및 커패시터를 포함할 수 있으며, 표시소자는 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED)를 포함할 수 있다.
화소회로(PC)는 제1트랜지스터(T1), 제2트랜지스터(T2), 및 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 각 화소(PX)는 유기발광다이오드(OLED)를 통해 예를 들어, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 제1트랜지스터(T1) 및 제2트랜지스터(T2)는 박막트랜지스터로 구현될 수 있다.
제2트랜지스터(T2)는 스위칭 트랜지스터로서, 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결될 수 있다. 제2트랜지스터(T2)는 스캔선(SL)으로부터 입력되는 스캔신호에 따라 데이터선(DL)으로부터 입력된 데이터신호를 제1트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 커패시터(Cst)는 제2트랜지스터(T2)와 전원전압선(PL)에 연결되며, 제2트랜지스터(T2)로부터 전달받은 데이터신호에 대응하는 전압과 전원전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터로서, 전원전압선(PL)과 커패시터(Cst)에 연결될 수 있다. 제1트랜지스터(T1)는 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 전원전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동전류(Ioled)를 제어할 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 구동전류(Ioled)에 의해 소정의 휘도를 갖는 광을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 화소전극, 대향전극 및 화소전극과 대향전극 사이의 발광층을 포함할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극은 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 4a는 화소회로(PC)가 2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 트랜지스터의 개수 및 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.
도 4b를 참조하면, 하나의 화소(PX)마다 신호선들(SL1, SL2, EL, DL), 초기화전압선(VIL) 및 전원전압선(PL)이 구비된 경우를 도시하고 있다. 다른 실시예로서, 신호선들(SL1, SL2, EL, DL) 중 적어도 어느 하나, 초기화전압선(VIL) 또는/및 전원전압선(PL)은 이웃하는 화소들에서 공유될 수 있다.
신호선은 제1스캔신호(GW)를 전달하는 제1스캔선(SL1), 제2스캔신호(GI)를 전달하는 제2스캔선(SL2), 발광제어신호(EM)를 전달하는 발광제어선(EL), 및 제1스캔선(SL1)과 교차하며 데이터신호(DATA)를 전달하는 데이터선(DL)을 포함한다. 제2스캔선(SL2)은 다음 행 또는 이전 행의 제1스캔선(SL1)과 연결될 수 있고, 제2스캔신호(GI)는 다음 행 또는 이전 행의 제1스캔신호(GW)일 수 있다.
전원전압선(PL)은 제1트랜지스터(T1)에 제1전원전압(ELVDD)을 전달하며, 초기화전압선(VIL)은 제1트랜지스터(T1) 및 화소전극을 초기화하는 초기화전압(VINT)을 화소(PX)로 전달한다.
화소(PX)의 화소회로는 복수의 제1 내지 제7트랜지스터들(T1 내지 T7) 및 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 도 4b의 제1 전극들(E11~E71) 및 제2 전극들(E12~E72)은 트랜지스터의 종류(p-type or n-type) 및/또는 동작 조건에 따라 소스전극(소스영역) 또는 드레인전극(드레인영역)일 수 있다. 제1 내지 제7 트랜지스터들(T1 내지 T7)는 박막트랜지스터로 구현될 수 있다.
제1트랜지스터(T1)는 커패시터(Cst)의 제1전극(Cst1)에 연결된 게이트전극(G1), 제5트랜지스터(T5)를 경유하여 전원전압선(PL)과 연결된 제1전극(E11), 제6트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극과 전기적으로 연결된 제2전극(E12)을 포함한다. 제1트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터로서 역할을 하며, 제2트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터신호(DATA)를 전달받아 유기발광다이오드(OLED)에 전류를 공급한다.
제2트랜지스터(T2)는 제1스캔선(SL1)에 연결된 게이트전극(G2), 데이터선(DL)에 연결된 제1전극(E21), 제1트랜지스터(T1)의 제1전극(E11)에 연결된 제2전극(E22)을 포함한다. 제2트랜지스터(T2)는 제1스캔선(SL1)을 통해 전달받은 제1스캔신호(GW)에 따라 턴온되어 데이터선(DL)으로 전달된 데이터신호(DATA)를 제1트랜지스터(T1)의 제1전극(E11)으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.
제3트랜지스터(T3)는 제1스캔선(SL1)에 연결된 게이트 전극(G3), 제1트랜지스터(T1)의 제2전극(E12)에 연결된 제1전극(E31), 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1), 제4트랜지스터(T4)의 제2전극(E42) 및 제1트랜지스터(T1)의 게이트전극(G1)에 연결된 제2전극(E32)을 포함한다. 제2전극(E32)은 제6트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극과 연결된다. 제3트랜지스터(T3)는 제1스캔선(SL1)을 통해 전달받은 제1스캔신호(GW)에 따라 턴온되어 제1트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킨다.
제4트랜지스터(T4)는 제2스캔선(SL2)에 연결된 게이트전극(G4), 초기화전압선(VIL)에 연결된 제1전극(E41), 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1), 제3트랜지스터(T3)의 제2전극(E32) 및 제1트랜지스터(T1)의 게이트전극(G1)에 연결된 제2전극(E42)을 포함한다. 제4트랜지스터(T4)는 제2스캔선(SL2)을 통해 전달받은 제2스캔신호(GI)에 따라 턴온되어 초기화전압(VINT)을 제1트랜지스터(T1)의 게이트전극(G1)에 전달하여 제1트랜지스터(T1)의 게이트 전압을 초기화시킨다.
제5트랜지스터(T5)는 발광제어선(EL)에 연결된 게이트전극(G5), 전원전압선(PL)에 연결된 제1전극(E51), 제1트랜지스터(T1)의 제1전극(E11) 및 제2트랜지스터(T2)의 제2전극(E22)과 연결된 제2전극(E52)을 포함한다.
제6트랜지스터(T6)는 발광제어선(EL)에 연결된 게이트전극(G6), 제1트랜지스터(T1)의 제2전극(E12) 및 제3트랜지스터(T3)의 제1전극(E31)에 연결된 제1전극(E61), 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극에 연결된 제2전극(E62)을 포함한다.
제5트랜지스터(T5) 및 제6트랜지스터(T6)가 발광제어선(EL)을 통해 전달받은 발광제어신호(EM)에 따라 동시에 턴온되어 유기발광다이오드(OLED)에 전류가 흐르게 된다.
제7트랜지스터(T7)는 제2스캔선(SL2)과 연결된 게이트전극(G7), 제6트랜지스터(T6)의 제2전극(E62) 및 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극에 연결된 제1전극(E71), 초기화전압선(VIL)에 연결된 제2전극(E72)을 포함한다. 제7트랜지스터(T7)는 제2스캔선(SL2)을 통해 전달받은 제2스캔신호(GI)에 따라 턴온되어 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극의 전압을 초기화시킨다. 제7트랜지스터(T7)는 생략될 수 있다.
도 4b에서는 제4트랜지스터(T4)와 제7트랜지스터(T7)가 제2스캔선(SL2)에 연결된 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서, 제4트랜지스터(T4)는 제2스캔선(SL2)에 연결되고, 제7트랜지스터(T7)는 별도의 배선에 연결되어 상기 배선에 전달되는 신호에 따라 구동될 수 있다.
커패시터(Cst)는 제1트랜지스터(T1)의 게이트전극(G1)에 연결된 하부전극(CE1) 및 전원전압선(PL)에 연결된 상부전극(CE2)을 포함한다. 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1)은 제3트랜지스터(T3)의 제2전극(E32) 및 제4트랜지스터(T4)의 제2전극(E42)과도 연결된다.
유기발광다이오드(OLED)는 화소전극, 대향전극 및 화소전극과 대향전극 사이의 발광층을 포함하고, 대향전극은 제2전원전압(ELVSS)을 인가받을 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 제1트랜지스터(T1)로부터 구동전류(Ioled)를 전달받아 발광함으로써 영상을 표시한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 배열을 도시한 부분 평면도이다. 도 6은 도 5의 II-II'선을 따른 단면도이다.
표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소들은 제1화소(PX1), 제2화소(PX2) 및 제3화소(PX3)를 포함할 수 있다. 제1화소(PX1), 제2화소(PX2) 및 제3화소(PX3)는 열 및 행 방향으로 소정 패턴에 따라 반복 배치될 수 있다. 제1화소(PX1), 제2화소(PX2) 및 제3화소(PX3)는 각각 화소회로 및 화소회로에 전기적으로 연결된 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 각 화소의 유기발광다이오드(OLED)는 화소회로와 중첩하도록 바로 상부에 배치될 수도 있고, 화소회로와 오프셋되어 인접하는 행 또는 열의 화소의 화소회로와 중첩하도록 배치될 수도 있다. 화소의 배열은 제1화소(PX1), 제2화소(PX2) 및 제3화소(PX3) 각각의 유기발광다이오드(OLED)의 배열, 또는 유기발광다이오드(OLED)를 구성하는 화소전극(211)의 배열일 수 있다.
각 행(R1, R2,...)에는 제1화소(PX1)의 화소전극(211), 제2화소(PX2)의 화소전극(211), 제3화소(PX3)의 화소전극(211), 제2화소(PX2)의 화소전극(211)이 상호 이격되며 지그재그 형태로 교대로 배열될 수 있다. 제1화소(PX1)의 화소전극(211)과 제3화소(PX3)의 화소전극(211)은 상호 이격되며 제1방향(x방향)의 가상의 제1직선(IL1) 상에 교대로 배열될 수 있다. 제2화소(PX2)의 화소전극(211)은 제1화소(PX1)의 화소전극(211) 및 제3화소(PX3)의 화소전극(211)과 제1방향(x방향)과 제2방향(y방향) 사이의 방향으로 오프셋되고 제1방향(x방향)의 가상의 제2직선(IL2) 상에 반복 배열될 수 있다.
제1열(C1)에는 제1화소(PX1)의 화소전극(211)과 제3화소(PX3)의 화소전극(211)이 상호 이격되며 제2방향(y방향)의 가상의 제3직선(IL3) 상에 교대로 배열될 수 있다. 제1열(C1)에 인접한 제2열(C2)에는 제2화소(PX2)의 화소전극(211)이 상호 이격되며 제2방향(y방향)의 가상의 제4직선(IL4) 상에 반복 배열될 수 있다. 제2열(C2)에 인접한 제3열(C3)에는 제1열(C1)과 반대로 제3화소(PX3)의 화소전극(211)과 제1화소(PX1)의 화소전극(211)이 상호 이격되며 제2방향(y방향)의 가상의 제5직선(IL5) 상에 교대로 배열될 수 있다.
제1화소(PX1)의 화소전극(211), 제2화소(PX2)의 화소전극(211), 제3화소(PX3)의 화소전극(211)은 서로 다른 면적을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제3화소(PX3)의 화소전극(211)은 이웃하는 제1화소(PX1)의 화소전극(211) 대비 더 큰 면적을 가질 수 있다. 또한, 제3화소(PX3)의 화소전극(211)은 이웃하는 제2화소(PX2)의 화소전극(211) 대비 더 큰 면적을 가질 수 있다. 제2화소(PX2)의 화소전극(211)은 이웃하는 제1화소(PX1)의 화소전극(211) 대비 더 큰 면적을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 제3화소(PX3)의 화소전극(211)은 제1화소(PX1)의 화소전극(211)과 동일한 면적을 가질 수 있다. 화소전극(211)은 사각형, 팔각형 등의 다각형, 원형, 타원형 등의 형태를 가질 수 있으며, 다각형은 꼭지점이 라운드된 형태도 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1화소(PX1)는 적색의 빛을 발광하는 적색 화소이고, 제2화소(PX2)는 청색의 빛을 발광하는 청색 화소이고, 제3화소(PX3)는 녹색의 빛을 발광하는 녹색 화소일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1화소(PX1)는 적색 화소이고, 제2화소(PX2)는 녹색 화소이고, 제3화소(PX3)는 청색 화소일 수 있다.
기판(100)의 표시영역(DA)은 제1영역(A1) 및 제1영역(A1) 주변의 제2영역(A2)을 포함할 수 있다. 제1영역(A1)은 제1화소(PX1), 제2화소(PX2) 및 제3화소(PX3) 각각의 유기발광다이오드(OLED)가 위치하는 영역일 수 있다. 제1영역(A1)에 화소전극(211)이 배치되고, 제1영역(A1)의 면적이 화소전극(211)의 면적보다 좁을 수 있다. 제2영역(A2)은 제1영역(A1)을 둘러싸는 영역으로, 복수의 제1영역(A1)들 사이에 위치하는 영역이다. 제2영역(A2)에는 제3절연층(117)이 배치될 수 있다. 제1영역(A1)은 제3절연층(117)의 제1개구(OP1)에 의한 화소전극(211)의 노출영역에 대응하고, 제2영역(A2)은 화소전극(211)들 사이의 제3절연층(117)이 배치된 영역에 대응한다. 따라서, 기판(100)의 제1영역(A1) 및 제2영역(A2)은 화소(PX)의 제1영역(A1) 및 제2영역(A2)으로 이해할 수 있다. 본 명세서에서 제1영역(A1)은 제1개구(OP1)를 위에서 보았을 때 최소 면적을 갖는 제1개구(OP1)의 저면에 대응하는 영역으로 정의한다. 도 5에서 제1개구(OP1)의 저면의 윤곽은 실선으로 표시하고, 화소전전극(211)의 윤곽은 점선으로 표시하였다.
도 6을 참조하면, 기판(100) 상에는 불순물이 박막트랜지스터의 반도체층으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(111)이 배치될 수 있다.
기판(100)은 글라스재, 금속재 또는 플라스틱재 등과 같은 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 기판(100)은 플렉서블 기판일 수 있는데, 예를 들어 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethyelenennapthalate, PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이드(polyethyeleneterepthalate, PET), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylenesulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다.
버퍼층(111)은 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층일 수 있다.
기판(100) 상에는 박막트랜지스터(TFT), 커패시터(Cst) 및 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결되는 유기발광다이오드(200)가 배치될 수 있다. 유기발광다이오드(200)가 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결된다는 것은, 화소전극(211)이 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결되는 것으로 이해될 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 도 4a 및 도 4b의 제1트랜지스터(T1)일 수 있다.
박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(132), 게이트전극(134), 소스전극(136S) 및 드레인전극(136D)을 포함할 수 있다. 반도체층(132)은 산화물 반도체물질을 포함할 수 있다. 반도체층(132)은 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(134)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예를 들어 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
반도체층(132)과 게이트전극(134) 사이에 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 게이트절연층(112)이 개재될 수 있다. 게이트전극(134)과 소스전극(136S) 및 드레인전극(136D) 사이에는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 제1층간절연층(113) 및 제2층간절연층(114)이 배치될 수 있다. 소스전극(136S) 및 드레인전극(136D)은 게이트절연층(112), 제1층간절연층(113) 및 제2층간절연층(114)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(132)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
소스전극(136S) 및 드레인전극(136D)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
커패시터(Cst)는 제1층간절연층(113)을 사이에 두고 중첩하는 하부전극(CE1)과 상부전극(CE2)을 포함한다. 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩될 수 있다. 도 6에서 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(134)이 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1)인 것을 도시하고 있다. 다른 실시예로서, 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있다. 커패시터(Cst)는 제2층간절연층(114)으로 커버될 수 있다.
박막트랜지스터(TFT) 및 커패시터(Cst)를 포함하는 화소회로는 제1절연층(115) 및 제2절연층(116)으로 커버될 수 있다. 제1절연층(115) 및 제2절연층(116)은 평탄화 절연층으로 유기절연층일 수 있다. 제1절연층(115) 및 제2절연층(116)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등과 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1절연층(115) 및 제2절연층(116)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
제2절연층(116) 상부에 표시소자, 예를 들어 유기발광다이오드(200)가 배치될 수 있다. 유기발광다이오드(200)는 화소전극(211), 중간층(231) 및 대향전극(251)을 포함할 수 있다.
화소전극(211)은 제2절연층(116) 상에 배치되며 제1절연층(115) 상의 연결전극(181)을 통해 박막트랜지스터(TFT)와 연결될 수 있다. 제1절연층(115) 상에는 데이터라인(DL), 전원라인(PL) 등의 배선(183)이 배치될 수 있다.
화소전극(211)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(211)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 화소극(211)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다.
제2절연층(116) 상에는 제3절연층(117)이 배치될 수 있다. 제3절연층(117)은 화소전극(211)의 가장자리를 덮으며, 화소전극(211)의 일부가 노출되도록 하는 제1개구(OP1)를 가짐으로써 화소를 정의하는 화소정의막일 수 있다. 제1개구(OP1)는 제1영역(A1)에 대응할 수 있다. 제3절연층(117)은 화소전극(211)의 가장자리와 대향전극(251) 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(211)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 제3절연층(117)은 예를 들어 폴리이미드(PI; polyimide) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다.
중간층(231)은 발광층을 포함한다. 발광층은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 중간층(231)은 발광층의 아래에 배치된 제1기능층 및/또는 발광층의 위에 배치된 제2기능층을 포함할 수 있다. 제1기능층 및/또는 제2기능층은 복수의 화소전극(211)들에 걸쳐서 일체인 층을 포함할 수도 있고, 복수의 화소전극(211)들 각각에 대응하도록 패터닝된 층을 포함할 수도 있다.
제1기능층은 단층 또는 다층일 수 있다. 예를 들어 제1기능층이 고분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나 폴리아닐린(PANI: polyaniline)으로 형성할 수 있다. 제1기능층이 저분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다.
제2기능층은 언제나 구비되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1기능층과 발광층을 고분자 물질로 형성하는 경우, 유기발광다이오드의 특성이 우수해지도록 하기 위해, 제2기능층을 형성하는 것이 바람직하다. 제2기능층은 단층 또는 다층일 수 있다. 제2기능층은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
대향전극(251)은 중간층(231)을 사이에 두고 화소전극(211)과 마주보도록 배치된다. 대향전극(251)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 대향전극(251)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(251)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
대향전극(251)은 중간층(231)과 제3절연층(117)의 상부에 배치될 수 있다. 대향전극(251)은 표시영역(DA)에서 복수의 유기발광다이오드(200)들에 있어 일체(一體)로 형성되어 복수의 화소전극(211)들에 대향할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 굴절층을 도시한 부분 평면도이다. 도 8은 도 7의 III-III'선을 따른 단면도이다. 이하에서, 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 내용은 생략한다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 대향전극(251) 상부에는 봉지부재(300)로서 박막봉지층이 배치될 수 있다. 박막봉지층은 외부로부터의 수분이나 산소 등으로부터 유기발광다이오드(200)를 보호하는 역할을 한다. 박막봉지층은 다층구조를 가질 수 있다. 박막봉지층은 제1무기층(310), 유기층(320) 및 제2무기층(330)을 포함할 수 있다. 박막봉지층을 다층구조로 형성함으로써 박막봉지층 내에 크랙이 발생한다고 하더라도, 제1무기층(310)과 유기층(320) 사이에서 또는 유기층(320)과 제2무기층(330) 사이에서 크랙이 연결되지 않도록 할 수 있다. 이를 통해 외부로부터의 수분이나 산소 등이 표시영역(DA)으로 침투하게 되는 경로가 형성되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다. 다른 실시예에서 유기층의 개수와 무기층의 개수 및 적층 순서는 변경될 수 있다.
제1무기층(310)은 대향전극(251)을 덮으며, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1무기층(310)은 그 하부의 구조물을 따라 형성되므로 상면이 평탄하지 않을 수 있다.
유기층(320)은 제1무기층(310)을 덮으며 충분한 두께를 가질 수 있다. 유기층(320)의 상면은 표시영역(DA) 전반에 걸쳐서 실질적으로 평탄할 수 있다. 유기층(320)은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산, 아크릴계 수지(예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등) 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
제2무기층(330)은 유기층(320)을 덮으며, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제2무기층(330)은 유기층(320) 외측으로 연장되어 주변영역(PA)에서 제1무기층(310)과 컨택함으로써, 유기층(320)이 외부로 노출되지 않도록 할 수 있다.
한편, 박막봉지층을 형성하는 과정에서 그 하부의 구조물들이 손상될 수도 있다. 예를 들어 제1무기층(310)을 형성할 시 제1무기층(310)이 형성되는 그 직하의 층이 손상될 수 있다. 따라서 박막봉지층을 형성하는 과정에서 하부의 구조물이 손상되는 것을 방지하기 위해, 대향전극(251)과 박막봉지층 사이에 적어도 하나의 캡핑층 및/또는 보호층을 개재시킬 수 있다. 보호층은 무기물을 포함할 수 있다.
유기발광다이오드(200) 상부, 예를 들어, 봉지부재(300) 상부에 굴절층(400)이 배치될 수 있다. 굴절층(400)은 유기발광다이오드(200)의 발광층에서 방출되는 광의 경로를 조절하며, 집광렌즈 역할을 할 수 있다. 굴절층(400)은 유기발광다이오드(200)의 발광층에서 방출되는 광 중 측방향(예를 들어, 제3방향(z방향) 외의 방향)으로 진행하는 광의 경로를 변경하여 대략적으로 전방인 제3방향(z방향)으로 진행시킬 수 있다. 굴절층(400)은 제1굴절층(410) 및 제2굴절층(430)을 포함할 수 있다.
제1굴절층(410)은 기판(100)의 제2영역(A2)에 대응하여 배치되고, 기판(100)의 제1영역(A1)에 대응하는 봉지부재(300)의 최상면을 노출하는 제2개구(OP2)를 포함할 수 있다. 즉 제1굴절층(410)은 복수의 제2개구(OP2)들이 구비되어 격자 구조로 형성될 수 있다. 제1굴절층(410)의 제2개구(OP2)는 봉지부재(300) 상부의 제1굴절층 형성물질을 포토 식각 공정을 이용하여 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 도 7에서 제2개구(OP2)의 저면의 윤곽은 실선으로 표시하고, 제1개구(OP1)의 저면의 윤곽은 점선으로 표시하였다. 제1굴절층(410)의 제2개구(OP2)는 제3절연층(117)의 제1개구(OP1)를 둘러싸며, 제3절연층(117)의 제1개구(OP1)와 중첩할 수 있다. 제1굴절층(410)의 제2개구(OP2)는 제3절연층(117)의 제1개구(OP1)보다 클 수 있다. 제1굴절층(410)의 제2개구(OP2)의 형상은 제3절연층(117)의 제1개구(OP1)의 형상을 가질 수 있다. 도 7에서 제2개구(OP2)의 형상은 사각형이나, 다른 실시예에서, 제2개구(OP2)의 형상은 원형, 타원형, 삼각형 등의 다각형일 수 있다. 다각형은 모서리부가 라운드진 형태를 포함할 수 있다.
제1굴절층(410)은 제1굴절률, 예를 들어 대략 1.4 내지 1.5의 굴절률을 가질 수 있다. 제1굴절층(410)은 저굴절률을 갖는 광 투과성 무기물질 또는 유기물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 무기물질은 실리콘옥사이드, 플루오르화마그네슘 등을 포함할 수 있다. 유기물질은 아크릴(acrylic), 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide) 및 Alq3[Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium] 등으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2굴절층(430)은 제1굴절층(410)의 제2개구(OP2)를 채우며 제1굴절층(410) 상에 배치될 수 있다. 제2굴절층(430)은 기판(100) 상부의 전면을 커버하고, 상부면은 대략 평탄할 수 있다. 제2굴절층(430)은 제1굴절층(410)의 제1굴절률보다 높은 제2굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2굴절층(430)은 대략 1.6 이상, 구체적으로, 1.6 내지 1.8의 굴절률을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제1굴절층(410)과 제2굴절층(430)은 0.1 내지 0.3의 굴절률 차이를 가질 수 있다. 제2굴절층(430)은 고굴절률을 갖는 광 투과성 무기물질 또는 유기물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 무기물질은 징크옥사이드, 티타늄옥사이드, 지르코늄옥사이드, 나이오븀옥사이드, 탄탈옥사이드, 틴옥사이드, 니켈옥사이드, 실리콘나이트라이드, 인듐나이트라이드, 갈륨나이트라이드 등을 포함할 수 있다. 유기물질은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 4,4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]비페닐(TPD), 4,4',4"-트리스[(3-메틸페닐)페닐아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[N,N-비스(2-메틸페닐)-아미노]-벤젠(o-MTDAB), 1,3,5-트리스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-벤젠
(m-MTDAB), 1,3,5-트리스[N,N-비스(4-메틸페닐)-아미노]-벤젠(p-MTDAB), 4,4'－비스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-디페닐메탄(BPPM), 4,4'－디카르바졸릴-1,1'－비페닐(CBP), 4,4',4''-트리스(N-카르바졸)트리페닐아민(TCTA), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠톨릴)트리스-[1-페닐-1H-벤조이미다졸](TPBI), 및 3-(4-비페닐)-4-페닐-5-t-부틸페닐-1,2,4-트리아졸(TAZ)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
굴절층(400)은 광추출패턴(450)을 더 포함할 수 있다. 광추출패턴(450)은 유기발광다이오드(200)의 발광층에서 방출되는 일부 광의 경로 상에 위치할 수 있다. 광추출패턴(450)은 유기발광다이오드(200)의 발광층에서 방출되는 광 중 광추출패턴(450)으로 입사된 제3방향(z방향)의 광의 일부의 경로를 변경하여 제3방향(z방향) 외의 방향으로 진행시킬 수 있다. 광추출패턴(450)은 제1굴절층(410)의 제2개구(OP2) 내, 예를 들어, 기판(100)의 제1영역(A1) 내에 배치될 수 있다. 광추출패턴(450)은 기판(100)의 제1영역(A1)의 대략 중앙에 아일랜드 형태로 구비될 수 있다. 광추출패턴(450)은 제2굴절층(430)의 제2굴절률보다 낮은 제3굴절률을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 광추출패턴(450)은 제1굴절층(410)과 동일한 물질을 포함하고, 제1굴절층(410)과 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 광추출패턴(450)은 제1굴절층(410)과 별개의 공정으로 형성될 수도 있고, 제1굴절층(410) 형성 시 제1굴절층(410) 형성물질의 패터닝에 의해 제1굴절층(410)과 동시에 형성될 수도 있다.
광추출패턴(450)의 높이(H2)는 제1굴절층(410)의 높이(H1)와 동일 또는 상이할 수 있다. 예를 들어, 광추출패턴(450)의 높이(H2)는 제1굴절층(410)의 높이(H1)보다 낮을 수 있다. 여기서, 높이는 구조물 하부층의 상부면을 기준으로 구조물의 최대 높이일 수 있다. 광추출패턴(450)의 폭(W3)은 화소마다 상이할 수 있다. 예를 들어, 제3화소(PX3)의 제1영역(A1)에 배치된 광추출패턴(450)의 폭(W3)은 제1화소(PX1)의 제1영역(A1)에 배치된 광추출패턴(450)의 폭(W3)보다 클 수 있다. 제1화소(PX1)의 제1영역(A1)에 배치된 광추출패턴(450)의 폭(W3)은 제2화소(PX2)의 제1영역(A1)에 배치된 광추출패턴(450)의 폭(W3)보다 클 수 있다. 여기서, 폭은 광추출패턴(450)의 최대폭일 수 있다. 예를 들어, 폭은 광추출패턴(450)의 저면이 상면보다 큰 경우, 폭은 광추출패턴(450)의 저면의 최대폭일 수 있다. 제1굴절층(410)과 광추출패턴(450)은 측면이 직선 또는 테이퍼 형상을 가지고, 단면이 사각형 또는 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 제1굴절층(410)과 광추출패턴(450)의 측면의 상부는 라운드된 형상을 가질 수 있다.
광추출패턴(450)은 산란입자를 포함할 수 있다. 산란입자는 나노 사이즈(nano size)를 가질 수 있다. 예를 들어, 산란입자의 입자경은 50nm 내지 1000nm 사이일 수 있다. 일 실시예에서, 산란입자는 무기입자일 수 있다. 예를 들어, 산란입자는 실리카(silica), ZrO2, TiO2, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3 등이 될 수 있다. 다른 실시예에서, 산란입자는 유기입자일 수 있다. 예를 들어, 산란입자는 폴리스타이렌(polystyrene), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA: polymethtylmethacrylate), 아크릴-스타이렌 공중합체, 멜라민, 폴리카보네이트 등이 될 수 있다. 산란입자는 1종으로 구성될 수도 있고, 2종 이상으로 구성될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 굴절층의 광 추출을 설명하기 위한 도면이다. 도 9는 도 8의 부분 확대도에 대응할 수 있다.
도 9를 참조하면, 유기발광다이오드(200)는 절연면 상부에 배치될 수 있다. 절연면은 기판(100) 상부의 적어도 하나의 절연층의 상부면일 수 있다. 예를 들어, 절연면은 제2절연층(116)의 상부면일 수 있다.
제2개구(OP2) 저면의 제2폭(W2)은 제1개구(OP1) 저면의 제1폭(W1)보다 클 수 있다. 여기서, 폭은 저면의 최대폭일 수 있다. 제2폭(W2)과 제1폭(W1)의 차이(ΔW)는 화소마다 상이할 수 있다. 예를 들어, 제3화소(PX3)에서 제2폭(W2)과 제1폭(W1)의 차이(ΔW)는 제1화소(PX1)에서 제2폭(W2)과 제1폭(W1)의 차이(ΔW)보다 크고, 제2화소(PX2)에서 제2폭(W2)과 제1폭(W1)의 차이(ΔW)보다 작을 수 있다. 도 9에서 제2개구(OP2)의 제2폭(W2)이 화소전극(211)의 폭과 동일하게 도시되었으나, 다른 실시예에서, 제2개구(OP2)의 제2폭(W2)은 화소전극(211)의 폭보다 작을 수 있다.
제1굴절층(410)의 제2개구(OP2)의 내벽을 포함하는 영역(OE1)에서, 유기발광다이오드(200)로부터 방출된 광 중 제2굴절층(430)에서 제1굴절층(410)으로 입사하는 광(L1)은 제2굴절층(430)과 제1굴절층(410)의 계면에서 전반사하여 경로가 변경되고, 전반사된 광(L2)은 대략 제3방향(z방향)으로 추출될 수 있다. 이에 따라 전방의 가상영역에 생성되는 화소의 발광패턴 면적이 넓어질 수 있다. 즉, 저굴절층인 제1굴절층(410)과 고굴절층인 제2굴절층(430)의 계면에서의 전반사에 의해 전방의 광 추출 효율이 향상되어 정면 시인성이 향상될 수 있다.
광추출패턴(450)의 측면을 포함하는 영역(OE2)에서, 유기발광다이오드(200)로부터 방출된 광 중 광추출패턴(450)으로 입사된 광(L3)은 광추출패턴(450)과 제2굴절층(430)의 계면에서 굴절되고, 굴절된 광(L4)은 제3방향(z방향) 외의 방향으로 추출될 수 있다. 유기발광다이오드(200)로부터 방출된 광 중 일부 광(L5)은 광추출패턴(450)을 통과하며 방향 변경 없이 대략 제3방향(z방향)으로 추출될 수 있다. 유기발광다이오드(200)로부터 방출된 광 중 일부 광(L6)은 광추출패턴(450)을 통과하지 않고 제2굴절층(430)을 통과하며 방향 변경 없이 대략 제3방향(z방향)으로 추출될 수 있다. 도시되지 않았으나, 유기발광다이오드(200)로부터 방출된 광 중 제2굴절층(430)에서 광추출패턴(450)으로 입사하는 광은 제2굴절층(430)과 광추출패턴(450)의 계면에서 전반사하여 경로가 변경되고, 전반사된 광은 대략 제3방향(z방향)으로 추출될 수 있다.
유기발광다이오드가 백색광을 방출할 때, 정면에서 관찰되는 백색 특성과 측면에서 관찰되는 백색 특성이 상이하다. 와드(WAD, white angle difference)는 관찰 각도에 따른 백색 특성의 변화를 평가하는 항목으로서, 화면에 수직인 정면 대비 관찰 각도에 따른 휘도 변화량과 색좌표 변화량을 측정하여 그 수준을 평가하게 된다. 본 발명의 실시예에 따른 광추출패턴(450)은 광추출패턴(450)을 통과하는 광의 일부를 굴절 및/또는 산란시켜 광 경로를 변경시킴으로써 정면에서 관찰되는 백색 특성과 측면에서 관찰되는 백색 특성의 차이를 줄일 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 1의 I-I'를 따른 단면도이다. 도 11은 도 10의 입력감지층을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 12는 도 11의 IV-IV'선에 따른 단면도이다. 도 13a는 도 11의 제1도전층을 나타낸 평면도이고, 도 13b는 도 11의 제2도전층을 나타낸 평면도이다. 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 부분 단면도이다. 이하에서는 전술된 구성과 동일한 구성에 대해 설명은 생략한다.
도 10을 참조하면, 표시장치(1)는 제3방향(z방향)으로 차례로 적층된 기판(100) 및 기판(100)을 밀봉하는 봉지부재(300)를 포함하는 표시패널(10')을 포함할 수 있다. 표시패널(10')은 봉지부재(300) 상부에 입력감지층(500) 및 굴절층(400)을 더 포함할 수 있다.
도 11을 참조하면, 입력감지층(500)은 표시영역(DA) 및 주변영역(PA)을 포함한 베이스층(BL)을 포함할 수 있다. 베이스층(BL)은 표시패널(10')의 기판(100) 형상에 대응하고, 실질적으로 기판(100)과 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 베이스층(BL)은 표시패널(10')의 봉지부재(300)의 일부, 예를 들어 봉지부재(300)의 최상층에 배치된 제2무기층(330, 도 14 참조)일 수 있다. 다른 실시예에서, 베이스층(BL)은 봉지부재(300)와 별개의 유리, 고분자 수지 등과 같은 절연성 재료로 이루어진 절연기판 또는 절연필름일 수 있다.
표시영역(DA)에는 복수의 감지전극(TSE)들이 배치될 수 있다. 주변영역(PA)에는 감지전극(TSE)들에 연결된 감지신호라인들이 배치될 수 있다. 감지전극(TSE)은 제1감지전극(510) 및 제2감지전극(520)을 포함할 수 있다. 감지신호라인은 제1감지신호라인(550A) 및 제2감지신호라인(550B)을 포함할 수 있다. 즉, 입력감지층(500)은 제1감지전극(510)들, 제1감지전극(510)들에 연결된 제1감지신호라인(550A)들, 제2감지전극(520)들, 및 제2감지전극(520)들에 연결된 제2감지신호라인(550B)들을 포함할 수 있다. 입력감지층(500)은 뮤추얼 캡 방식 또는/및 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
입력감지층(500)은 복수의 도전층을 포함할 수 있다. 도 12를 참조하면, 입력감지층(500)은 제1도전층(CML1) 및 제2도전층(CML2)을 포함할 수 있다. 제1도전층(CML1)과 봉지부재(300) 사이에는 베이스층(BL)으로서 제1절연층(501)이 개재되고, 제1도전층(CML1)과 제2도전층(CML2) 사이에는 제2절연층(503)이 개재될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 및 제2절연층들(501, 503)은 실리콘나이트라이드와 같은 무기절연층일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1절연층(501)은 생략되고 제1도전층(CML1)은 봉지부재(300) 위에 바로 위치할 수 있다. 다른 실시예로서, 제1 및 제2절연층들(501, 503)은 유기절연층일 수 있다.
제1도전층(CML1)은 도 13a에 도시된 바와 같이, 제1연결전극(511)들을 포함할 수 있다. 제2도전층(CML2)은 도 13b에 도시된 바와 같이, 제1감지전극(510)들, 제2감지전극(520)들 및 제2연결전극(521)들을 포함할 수 있다. 제2감지전극(520)들은 제2감지전극(520)들과 동일한 층에 형성된 제2연결전극(521)들에 의해 서로 연결될 수 있다. 제1감지전극(510)들은 제1감지전극(510)들과 다른 층에 형성된 제1연결전극(511)들에 의해 서로 연결될 수 있다. 이웃하는 제1감지전극(510)들을 전기적으로 연결하는 제1연결전극(511)은, 제2절연층(503)에 형성된 컨택홀(CNT)을 통해 이웃하는 제1감지전극(510)들과 접속할 수 있다.
제1 및 제2도전층들(CML1, CML2)은 금속을 포함한다. 예를 들어, 제1 및 제2도전층들(CML1, CML2)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있으며, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 제1 및 제2도전층들(CML1, CML2)은 Ti/Al/Ti의 다층으로 형성될 수 있다.
도 13b를 참조하면, 제1감지전극(510)들 및 제2감지전극(520)들은 대략 마름모 형상을 가질 수 있다. 제1감지전극(510)은 복수의 홀(510H)을 포함하는 그리드 구조(또는 격자 구조)일 수 있다. 홀(510H)은 화소의 제1영역(A1)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 유사하게, 제2감지전극(520)은 복수의 홀(520H)을 포함하는 그리드 구조(또는 격자 구조)일 수 있다. 홀(520H)은 화소의 제1영역(A1)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 홀들(510H, 520H)은 각각 상이한 면적을 가질 수 있다. 격자선들 각각의 선폭은 수 마이크로일 수 있다. 도 14에는 봉지부재(300) 상부의 제1절연층(501), 제2절연층(503), 제2절연층(503) 상부의 감지전극(TSE)을 도시하고 있다. 도 14에 도시된 감지전극(TSE)은 제1감지전극(510) 또는 제2감지전극(520)의 격자선의 일부로서, 화소의 제2영역(A2)에 대응하여 배치될 수 있다.
제1감지전극(510)들은 y방향을 따라 배열될 수 있고, 제2감지전극(520)들은 y방향과 교차하는 x방향을 따라 배열될 수 있다. y방향을 따라 배열된 제1감지전극(510)들은 이웃하는 제1감지전극(510)들 사이의 제1연결전극(511)에 의해 서로 연결될 수 있으며, 제1감지라인(510C)을 형성할 수 있다. x방향을 따라 배열된 제2감지전극(520)들은 이웃하는 제2감지전극(520)들 사이의 제2연결전극(521)에 의해 서로 연결될 수 있으며, 제2감지라인(520R)을 형성할 수 있다. 제1감지라인(510C)들 및 제2감지라인(520R)들은 교차할 수 있다. 예를 들어, 제1감지라인(510C)들 및 제2감지라인(520R)들은 서로 수직일 수 있다.
제1감지라인(510C)들 및 제2감지라인(520R)들은 표시영역(DA) 상에 배치되며, 이들은 주변영역(PA)에 형성된 제1감지신호라인(550A)들 및 제2감지신호라인(550B)들을 통해 패드부(540)의 감지신호패드(TP)와 연결될 수 있다. 제1감지라인(510C)들은 각각 제1감지신호라인(550A)들과 연결되고, 제2감지라인(520R)들은 각각 제2감지신호라인(550B)들과 연결될 수 있다.
제2절연층(503) 상부에 제1굴절층(410)이 배치될 수 있다. 제1굴절층(410)은 감지전극(TSE)을 덮을 수 있다. 제1굴절층(410)의 제2개구(OP2) 내에 광추출패턴(450)이 배치될 수 있다. 제1굴절층(410) 및 광추출패턴(450) 상부에 제2굴절층(430)이 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 표시패널(10')은 입력감지층(500)과 굴절층(400) 사이에 컬러필터 등의 컬러제어부재를 더 포함할 수 있다.
전술된 실시예들은 제1굴절층(410)의 프로파일(상부면 및 측면의 형상)과 광추출패턴(450)의 프로파일(측면 형상)이 동일 또는 유사하다. 다른 실시예에서, 광추출패턴(450)의 프로파일은 화소의 배열 및/또는 화소의 발광특성에 따라 제1굴절층(410)의 프로파일과 상이할 수 있다. 광추출패턴(450)의 형상, 크기, 제2개구(OP2) 내에서의 개수(밀도) 및 배열 중 적어도 하나는 화소의 배열 및/또는 화소의 발광특성에 따라 화소마다 다를 수 있다.
도 15 내지 도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 굴절층을 나타낸 도면이다. 이때 각 도면들의 평면도(PV)는 xy평면에서 정의되는 도면을 의미하고, 단면도(CSV)는 평면도(PV)의 V-V'를 따른 도면을 의미한다.
도 15를 참조하면, 광추출패턴(450)은 기판(100)의 제1영역(A1)의 대략 중앙에 아일랜드 형태로 구비될 수 있다. 제1굴절층(410)은 측면이 직선 또는 테이퍼 형상을 가질 수 있다. 광추출패턴(450)은 측면이 라운드 되고 단면이 반원인 반구 형상을 가질 수 있다. 제1굴절층(410)의 측면의 상부는 라운드된 형상을 가질 수 있다. 평면도(PV)에서 광추출패턴(450)의 저면의 윤곽은 실선으로 표시되었다. 광추출패턴(450)의 저면의 폭은 화소마다 상이할 수 있다. 도 15에서는 화소전극(211)의 크기가 클수록 광추출패턴(450)의 크기 또는 저면의 폭이 클 수 있다. 광추출패턴(450)의 높이는 제1굴절층(410)의 높이와 동일 또는 낮을 수 있다.
도 16을 참조하면, 광추출패턴(450)은 제1굴절층(410)의 측면과 소정 간격 이격되고, 제2개구(OP2)의 가장자리를 따라 연속하며 한 바퀴 일주(一周)하는 폐루프(closed loop) 형상일 수 있다. 광추출패턴(450)은 라인 형상을 가지며 단면이 사각형일 수 있다. 제1굴절층(410) 및 광추출패턴(450)은 측면이 직선 또는 테이퍼 형상을 가질 수 있다. 제1굴절층(410) 및 광추출패턴(450)의 측면의 상부는 라운드된 형상을 가질 수 있다. 평면도(PV)에서 광추출패턴(450)의 저면의 윤곽은 실선으로 표시되었다. 광추출패턴(450)의 전체 길이는 화소마다 상이할 수 있다. 도 16에서는 화소전극(211)의 크기가 클수록 광추출패턴(450)의 전체 길이가 길 수 있다. 광추출패턴(450)의 높이는 제1굴절층(410)의 높이와 동일 또는 낮을 수 있다.
도 17을 참조하면, 광추출패턴(450)은 기판(100)의 제1영역(A1)의 대략 중앙에 아일랜드 형태로 하나 이상 구비될 수 있다. 제1굴절층(410) 및 광추출패턴(450)은 측면이 직선 또는 테이퍼 형상을 가질 수 있다. 제1굴절층(410)의 측면의 상부는 라운드된 형상을 가질 수 있다. 평면도(PV)에서 광추출패턴(450)의 저면의 윤곽은 실선으로 표시되었다. 광추출패턴(450)의 저면의 폭은 화소마다 동일하고, 광추출패턴(450)의 개수가 화소마다 상이할 수 있다. 도 17에서는 제3화소(PX3)의 제1영역(A1)에 6개의 광추출패턴(450)이 구비되고, 제1화소(PX1)의 제1영역(A1)에 4개의 광추출패턴(450)이 구비되고, 제2화소(PX2)의 제1영역(A1)에 1개의 광추출패턴(450)이 구비되어 있다. 화소전극(211)의 크기가 클수록 광추출패턴(450)의 개수가 많을 수 있다. 광추출패턴(450)의 높이는 제1굴절층(410)의 높이와 동일 또는 낮을 수 있다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 굴절층을 나타낸 단면도이다.
도 18을 참조하면, 굴절층(400')은 제1굴절층(410'), 제2굴절층(430') 및 광추출패턴(450')을 포함할 수 있다. 도 18의 실시예는 제1굴절층(410')이 개구를 갖지 않는 점에서 전술된 실시예들과 차이가 있다.
제1굴절층(410')은 봉지부재(300) 상부에 배치되고, 기판(100) 방향으로 오목한 오목부(COA) 및 오목부(COA) 외의 비오목부를 가질 수 있다. 오목부(COA)는 유기발광다이오드(200)에 대응하는 영역일 수 있다. 오목부(COA)는 기판(100) 또는 화소(PX)의 제1영역(A1)에 대응하는 영역일 수 있다. 비오목부는 오목부(COA)들 사이의 영역으로, 기판(100) 또는 화소(PX)의 제2영역(A2)에 대응하는 영역일 수 있다. 제1굴절층(410')의 상면은 오목부(COA)에서 오목면을 가지고, 비오목부에서 대략 평탄한 면을 가질 수 있다. 제1굴절층(410')의 오목부(COA)의 두께(H2')는 제1굴절층(410')의 두께(H1')의 대략 2/5 내지 3/5일 수 있다. 오목부(COA)의 두께(H2')는 오목부(COA)의 최대 깊이일 수 있다. 오목부(COA)의 직경(L)은 제3절연층(117)의 제1개구(OP1)의 면적에 따라 달라질 수 있다.
제2굴절층(430')은 제1굴절층(410')의 오목부(COA)를 채우며 제1굴절층(410') 상부에 배치될 수 있다. 이에 따라 제2굴절층(430')은 제1굴절층(410')의 오목부(COA)에 대응하는 볼록면을 가질 수 있다. 제2굴절층(430')은 기판(100) 상부의 전면을 커버하고, 상면은 대략 평탄할 수 있다. 제2굴절층(430')은 제1굴절층(410')보다 상대적으로 높은 굴절률을 가질 수 있다. 제1굴절층(410')과 제2굴절층(430')의 사이에는 광추출패턴(450')이 배치될 수 있다.
광추출패턴(450')은 오목부(COA)의 오목면 상의 대략 중앙에 아일랜드 형태로 구비될 수 있다. 광추출패턴(450')은 제1굴절층(410')과 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 광추출패턴(450')은 제1굴절층(410')과 별개의 공정으로 형성될 수도 있고, 제1굴절층(410')의 일부가 돌출된 형태로 제1굴절층(410')의 형성 시 동시에 형성될 수도 있다. 도 18에서 광추출패턴(450')의 높이는 제1굴절층(410')의 오목부(COA)의 두께(H2')와 동일하게 도시되었다. 다른 실시예에서 광추출패턴(450')의 높이는 제1굴절층(410')의 오목부(COA)의 두께(H2')보다 작을 수 있다. 예를 들어, 광추출패턴(450')의 최상면과 제1굴절층(410')의 비오목면의 최상면이 동일할 수도 있고, 광추출패턴(450')의 최상면이 제1굴절층(410')의 비오목면의 최상면보다 낮을 수 있다. 도시되지 않았으나, 봉지부재(300)와 굴절층(400') 사이에 입력감지층(500, 도 10 참조)이 더 구비될 수 있다.
광추출패턴(450')의 형상, 크기, 오목부(COA) 내에서의 개수 및 배열 중 적어도 하나는 도 8, 도 15 내지 도 17을 참조하여 설명한 바와 같이, 화소의 배열 및/또는 화소의 발광특성에 따라 화소마다 다를 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시장치는 저굴절층 및 고굴절층을 포함하는 굴절층을 구비하여 표시장치의 정면으로 추출되는 광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 저굴절층 및 고굴절층 사이의 광이 방출되는 경로 상에 패턴화된 구조물인 광추출패턴을 배치하여 측면으로 방출되는 광의 색 편이를 개선할 수 있다. 따라서, 표시장치를 다양한 각도에서 관찰할 때, 관찰 각도와 무관하게 선명한 화면을 구현할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 광을 방출하는 표시소자;
    상기 표시소자 상에 배치되고, 상기 표시소자에 대응하는 개구를 갖는 제1굴절층;
    상기 제1굴절층의 개구 내에 배치된 광추출패턴; 및
    상기 제1굴절층 및 상기 광추출패턴을 덮으며 상기 제1굴절층 상에 배치된 제2굴절층;을 포함하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 표시소자는,
    화소전극;
    상기 화소전극 상에 배치된 발광층을 포함하는 중간층; 및
    상기 중간층 상에 배치된 대향전극;을 포함하고,
    상기 제1굴절층은 상기 화소전극의 가장자리를 덮는 절연층 상에 배치된, 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 표시소자와 상기 제1굴절층 사이의 봉지부재;를 더 포함하는 표시장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 봉지부재와 상기 제1굴절층 사이에 배치되고, 감지전극을 포함하는 입력감지층;을 더 포함하는 표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2굴절층의 굴절률은 상기 제1굴절층의 굴절률보다 큰, 표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 광추출패턴의 굴절률은 상기 제1굴절층의 굴절률과 동일한, 표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 광추출패턴은 상기 개구의 중앙에 배치되고, 상기 제1굴절층과 동일한 프로파일을 갖는, 표시장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 광추출패턴은 상기 개구의 가장자리를 따라 연속한 폐루프 형상을 갖는, 표시장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 개구 내에 복수의 광추출패턴들이 이격 배치된, 표시장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 광추출패턴의 높이는 상기 제1굴절층의 높이와 동일한, 표시장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 광추출패턴의 높이는 상기 제1굴절층의 높이보다 낮은, 표시장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 표시소자는 제1색의 광을 방출하는 제1표시소자 및 제2색의 광을 방출하는 제2표시소자를 포함하고,
    상기 제1표시소자에 대응하는 상기 제1굴절층의 개구 내에 배치된 광추출패턴과 상기 제2표시소자에 대응하는 상기 제1굴절층의 개구 내에 배치된 광추출패턴은 형상, 크기 및 개수 중 적어도 하나가 서로 상이한, 표시장치.
  13. 광을 방출하는 표시소자;
    상기 표시소자 상에 배치되고, 상면이 상기 표시소자에 대응하는 오목면을 갖는 제1굴절층;
    상기 제1굴절층의 오목면 상에 배치된 광추출패턴; 및
    상기 제1굴절층 및 상기 광추출패턴을 덮으며 상기 제1굴절층 상에 배치된 제2굴절층;을 포함하는 표시장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 표시소자와 상기 제1굴절층 사이의 봉지부재;를 더 포함하는 표시장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 봉지부재와 상기 제1굴절층 사이에 배치되고, 감지전극을 포함하는 입력감지층;을 더 포함하는 표시장치.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 제2굴절층의 굴절률은 상기 제1굴절층의 굴절률보다 큰, 표시장치.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 광추출패턴의 굴절률은 상기 제1굴절층의 굴절률과 동일한, 표시장치.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 광추출패턴의 최상면과 상기 제1굴절층의 비오목면의 최상면이 동일한, 표시장치.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 광추출패턴의 최상면이 상기 제1굴절층의 비오목면의 최상면보다 낮은, 표시장치.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 표시소자는 제1색의 광을 방출하는 제1표시소자 및 제2색의 광을 방출하는 제2표시소자를 포함하고,
    상기 제1표시소자에 대응하는 상기 제1굴절층의 오목면 상에 배치된 광추출패턴과 상기 제2표시소자에 대응하는 상기 제1굴절층의 오목면 상에 배치된 광추출패턴은 형상, 크기 및 개수 중 적어도 하나가 서로 상이한, 표시장치.

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230035208A (ko) * 2021-09-03 2023-03-13 우한 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 세미컨덕터 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치
US11620923B2 (en) 2020-02-25 2023-04-04 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11917855B2 (en) 2021-06-29 2024-02-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210020187A (ko) * 2019-08-13 2021-02-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210041675A (ko) * 2019-10-07 2021-04-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210069768A (ko) * 2019-12-03 2021-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210085981A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN115275062A (zh) * 2020-05-06 2022-11-01 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及其制作方法和显示装置
KR20220006689A (ko) 2020-07-08 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
KR20230017968A (ko) * 2021-07-28 2023-02-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113629214B (zh) * 2021-08-06 2023-12-26 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
KR20230037106A (ko) * 2021-09-08 2023-03-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114122285B (zh) * 2021-10-14 2022-12-06 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69739633D1 (de) 1996-11-28 2009-12-10 Casio Computer Co Ltd Anzeigevorrichtung
US20070077349A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Eastman Kodak Company Patterning OLED device electrodes and optical material
US7535646B2 (en) 2006-11-17 2009-05-19 Eastman Kodak Company Light emitting device with microlens array
JP2009049135A (ja) 2007-08-17 2009-03-05 Sony Corp 表示装置
WO2011121656A1 (ja) 2010-03-31 2011-10-06 パナソニック株式会社 表示パネル装置及び表示パネル装置の製造方法
JP2012134128A (ja) * 2010-11-30 2012-07-12 Canon Inc 表示装置
JP2014052606A (ja) 2012-09-10 2014-03-20 Sharp Corp 蛍光体基板、発光デバイス、表示装置、及び照明装置
KR102051103B1 (ko) * 2012-11-07 2019-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101453880B1 (ko) * 2012-11-29 2014-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102048924B1 (ko) * 2013-05-16 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR102150011B1 (ko) 2013-06-10 2020-09-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102111974B1 (ko) * 2013-07-03 2020-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2015069700A (ja) 2013-09-26 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20150059494A (ko) * 2013-11-22 2015-06-01 삼성전자주식회사 색변화 저감용 광학 필름의 제조방법, 색변화 저감용 광학필름이 적용된 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
JP2015128027A (ja) 2013-12-27 2015-07-09 シャープ株式会社 有機ｅｌ装置、表示装置
CN104183624B (zh) 2014-07-31 2017-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示面板及其制作方法、透明显示装置
KR102360089B1 (ko) 2014-08-05 2022-02-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102189819B1 (ko) 2014-09-01 2020-12-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160034457A (ko) * 2014-09-19 2016-03-30 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20180005323A (ko) * 2016-07-05 2018-01-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
JP2018081815A (ja) * 2016-11-16 2018-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6982975B2 (ja) * 2017-04-17 2021-12-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び表示装置の製造方法
KR102367247B1 (ko) 2017-07-04 2022-02-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2019046175A (ja) 2017-09-01 2019-03-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102480896B1 (ko) * 2018-01-12 2022-12-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11620923B2 (en) 2020-02-25 2023-04-04 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11917855B2 (en) 2021-06-29 2024-02-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20230035208A (ko) * 2021-09-03 2023-03-13 우한 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 세미컨덕터 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치

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