JP2024050542A - 発光装置 - Google Patents

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耕平 豊高
博之 三宅
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Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Abstract

【課題】輝度が高く、ホワイトバランスの優れた表示装置を提供する。【解決手段】第１の表示素子と、第２の表示素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有し、第１の表示素子は発光層を有し、第１の表示素子は第１のトランジスタと電気的に接続され、第１のトランジスタは第１の半導体膜と、第１の半導体膜を介して対向に配置される第１のゲート電極及び第２のゲート電極と、第１の半導体膜上に接する第１のソース電極及び第１のドレイン電極とを有し、第２のゲート電極は第１のソース電極又は第１のドレイン電極と電気的に接続され、第２の表示素子は発光層を有し、第２の表示素子は第２のトランジスタと電気的に接続され、第２のトランジスタは第２の半導体膜と、第２の半導体膜を介して対向に配置される第３のゲート電極及び第４のゲート電極とを有し、第４のゲート電極は第３のゲート電極と電気的に接続する表示装置。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示装置およびその作製方法に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発
明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション
・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置
、それらの駆動方法、または、それらの製造方法を一例として挙げることができる。
バックライトとして面発光を行う光源を用い、透過型の液晶表示装置を組み合わせるこ
とで、消費電力の低減と表示品質の低下の抑制を両立する液晶表示装置が知られている（
特許文献１参照）。
特開２０１１－２４８３５１号公報
近年、高精細、高輝度の表示装置が求められている。しかし、画素サイズの微細化に伴い
、１画素に占めるトランジスタ及び配線の形成面積が大きくなることで、画素開口率が低
下し、１画素から得られる光度が低下する。
上記に鑑み、本発明の一態様は、輝度の高い表示装置を提供することを課題の一とする。
または、本発明の一態様は、ホワイトバランスの優れた表示装置を提供することを課題の
一とする。または、本発明の一態様は、精細度の高い表示装置を提供することを課題の一
とする。または、本発明の一態様は、利便性に優れた表示装置を提供することを課題の一
とする。または、本発明の一態様は、新規な表示装置を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、第１の表示素子と、第１の表示素子より輝度が低い第２の表示素子と
、第１の表示素子に電気的に接続される第１のトランジスタと、第２の表示素子に電気的
に接続される第２のトランジスタとを有する表示装置である。第１のトランジスタ及び第
２のトランジスタはそれぞれ、半導体膜を間に有する第１のゲート電極及び第２のゲート
電極を有する。第１のトランジスタの第１のゲート電極は、ソース電極またはドレイン電
極と共に、第１の表示素子に電気的に接続される。また、第２のトランジスタの第１のゲ
ート電極及び第２のゲート電極が電気的に接続される。第１のトランジスタの第１のゲー
ト電極と、ソース電極またはドレイン電極とが第１の表示素子に電気的に接続されること
で、第１のトランジスタのしきい値を制御できる効果を有すると共に、第２のトランジス
タの第１のゲート電極及び第２のゲート電極が電気的に接続されることで、第２の表示素
子に流れる電流を増大させることが可能であり、第２の表示素子の輝度を第１の表示素子
より高めることが可能である。この結果、第１の表示素子及び第２の表示素子を有する表
示装置の輝度を高くすることができ、またホワイトバランスを向上することができる。
本発明の一態様は、第１の表示素子と、第２の表示素子と、第１のトランジスタと、第２
のトランジスタと、を有し、第１の表示素子は、第１の発光層を有し、第１の表示素子は
、第１のトランジスタと電気的に接続され、第１のトランジスタは、第１の半導体膜と、
第１の半導体膜を介して対向に配置される第１のゲート電極及び第２のゲート電極と、第
１の半導体膜上に接する第１のソース電極及び第１のドレイン電極と、を有し、第２のゲ
ート電極は、第１のソース電極又は第１のドレイン電極と電気的に接続され、第２の表示
素子は、第２の発光層を有し、第２の表示素子は、第２のトランジスタと電気的に接続さ
れ、第２のトランジスタは、第２の半導体膜と、第２の半導体膜を介して対向に配置され
る第３のゲート電極及び第４のゲート電極と、を有し、第４のゲート電極は、第３のゲー
ト電極と電気的に接続される表示装置である。
また、本発明の一態様は、第１の表示素子と、第２の表示素子と、第１のトランジスタと
、第２のトランジスタと、を有し、第１の表示素子は、第１の発光層を有し、第１のトラ
ンジスタは、第１の半導体膜と、第１の半導体膜を介して対向に配置される第１のゲート
電極及び第２のゲート電極と、第１の半導体膜上に接する第１のソース電極及び第１のド
レイン電極と、を有し、第１のソース電極及び第１のドレイン電極の一方は、第２のゲー
ト電極と電気的に接続され、第１のソース電極及び第１のドレイン電極の一方は、第１の
表示素子と電気的に接続され、第２の表示素子は、第２の発光層を有し、第２のトランジ
スタは、第２の半導体膜と、第２の半導体膜を介して対向に配置される第３のゲート電極
及び第４のゲート電極と、第２の半導体膜上に接する第２のソース電極及び第２のドレイ
ン電極と、を有し、第４のゲート電極は、第３のゲート電極と電気的に接続され、第２の
ソース電極及び第２のドレイン電極の一方は、第２の表示素子と電気的に接続される表示
装置である。
また、本発明の一態様は、前述の表示装置において第１の発光層は、赤色、緑色又は白色
のいずれか一の光を発し、第２の発光層は、青色の光を発すると好ましい。
また、本発明の一態様は、前述の表示装置においてさらに第３の表示素子を有し、第３の
表示素子は、液晶層を有すると好ましい。
また、本発明の一態様は、前述の表示装置において第１の発光層又は第２の発光層のいず
れか一つは、液晶層側に向けて光を発する機能を有すると好ましい。
また、本発明の一態様は、前述の表示装置において第１のトランジスタ及び第２のトラン
ジスタのいずれか一つは、半導体膜に金属酸化物を有すると好ましい。
また、本発明の一態様は、前述の表示装置と、タッチセンサと、を有する表示モジュール
である。
また、本発明の一態様は、前述の表示装置、又は前述の表示モジュールと、操作キーまた
はバッテリと、を有する電子機器である。
本発明の一態様により、輝度の高い表示装置を提供できる。または、本発明の一態様に
より、ホワイトバランスの優れた表示装置を提供できる。または、本発明の一態様により
、精細度の高い表示装置を提供できる。または、本発明の一態様により、利便性に優れた
表示装置を提供できる。または、本発明の一態様により、新規な表示装置を提供できる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
画素を説明する回路図及びレイアウトを示す上面図。 表示装置を説明するブロック図。 表示素子の表示領域を説明する模式図。 表示装置が有する画素の構造を説明する上面図。 表示装置が有する画素の構造を説明する断面図。 表示装置が有する画素の構造を説明する断面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する上面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する上面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する上面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する上面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する上面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する上面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する断面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する断面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する断面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する断面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する断面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する断面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する断面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する断面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する断面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する断面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する断面図。 表示装置が有する画素の作製方法を説明する断面図。 タッチパネルの一例を示す斜視図。 タッチセンサの一例を示す断面図。 タッチパネルの一例を示す断面図。 タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート図。 表示モジュールを説明する図。 電子機器を説明する図。 表示装置を説明する斜視図。
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの
異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形
態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明
は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている
場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を
模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。
また、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の
混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位
置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関
係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明し
た語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含
む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイ
ン領域またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極）の間
にチャネル形成領域を有しており、チャネル形成領域を介して、ソースとドレインとの間
に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル形成領域と
は、電流が主として流れる領域をいう。
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路
動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明
細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとす
る。
また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するも
の」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するも
の」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない
。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジス
タなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有
する素子などが含まれる。
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ
替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変
更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」
という用語に変更することが可能な場合がある。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置及び当該表示装置の作製方法について、
図１乃至図２４を用いて説明を行う。
＜１－１．表示装置の構成＞
まず、表示装置の構成について、図２を用いて説明する。図２に示す表示装置５００は
、画素部５０２と、画素部５０２の外側に配置されるゲートドライバ回路部５０４ａ、５
０４ｂと、画素部５０２の外側に配置されるソースドライバ回路部５０６と、を有する。
［画素部］
画素部５０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）、Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置さ
れる画素１０（１，１）乃至画素１０（Ｘ，Ｙ）を有する。また、画素１０（１，１）乃
至画素１０（Ｘ，Ｙ）は、第１の表示素子乃至第３の表示素子を有し、第１の表示素子及
び第２の表示素子は、第３の当該表示素子とは異なる機能を有する。第１の表示素子及び
第２の表示素子は、光を発する機能を有し、第３の表示素子は、入射する光を反射する機
能を有する。なお、第３の表示素子を設けず、第１の表示素子及び第２の表示素子のみの
構成としてもよい。第１の表示素子乃至第３の表示素子の詳細については、後述する。
［ゲートドライバ回路部］
ゲートドライバ回路部５０４ａ、５０４ｂ及びソースドライバ回路部５０６の一部また
は全部は、画素部５０２と同一基板上に形成されていることが望ましい。これにより、部
品数や端子数を減らすことが出来る。ゲートドライバ回路部５０４ａ、５０４ｂ及びソー
スドライバ回路部５０６の一部または全部が画素部５０２と同一基板上に形成されない場
合には、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）またはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって、別途用意された駆動回路基板（例えば、単結晶半導
体膜または多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を、表示装置５００に形成しても
よい。
また、ゲートドライバ回路部５０４ａ、５０４ｂは、画素１０（１，１）乃至画素１０
（Ｘ，Ｙ）を選択する信号（走査信号）を出力する機能を有し、ソースドライバ回路部５
０６は、画素１０（１，１）乃至画素１０（Ｘ，Ｙ）が有する表示素子を駆動するための
信号（データ信号）を供給する機能を有する。
また、ゲートドライバ回路部５０４ａは、走査信号が与えられる配線（以下、走査線Ｇ
Ｌ＿Ｌ［ｍ］、走査線ＧＬ＿Ｌ［ｍ＋１］、及び走査線ＧＬ＿Ｌ［Ｘ］）の電位を制御す
る機能、または初期化信号を供給する機能を有する。また、ゲートドライバ回路部５０４
ｂは、走査信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿Ｅ１［ｍ］、走査線ＧＬ＿Ｅ１［
ｍ＋１］、走査線ＧＬ＿Ｅ２［ｍ］、走査線ＧＬ＿Ｅ２［ｍ＋１］、走査線ＧＬ＿Ｅ１［
Ｘ］、及び走査線ＧＬ＿Ｅ２［Ｘ］）の電位を制御する機能、または初期化信号を供給す
る機能を有する。なお、上記において、ｍはＸ以下の自然数を表す。
ただし、ゲートドライバ回路部５０４ａ、５０４ｂは、上記の機能に限定されず、別の
信号を制御または供給する機能を有していてもよい。
なお、図２においては、ゲートドライバ回路部として、ゲートドライバ回路部５０４ａ
と、ゲートドライバ回路部５０４ｂと、２つ設ける構成について例示したが、これに限定
されず、１つのゲートドライバ回路部、または３つ以上のゲートドライバ回路部を設ける
構成としてもよい。
［ソースドライバ回路部］
ソースドライバ回路部５０６は、画像信号を元に画素１０（１，１）乃至画素１０（Ｘ
，Ｙ）に書き込むデータ信号を生成する機能、データ信号が与えられる配線（信号線ＳＬ
＿Ｌ［ｎ］、信号線ＳＬ＿Ｌ［ｎ＋１］、信号線ＳＬ＿Ｌ［Ｙ］、信号線ＳＬ＿Ｅ１［ｎ
］、信号線ＳＬ＿Ｅ１［ｎ＋１］、信号線ＳＬ＿Ｅ１［Ｙ］、信号線ＳＬ＿Ｅ２［ｎ］、
信号線ＳＬ＿Ｅ２［ｎ＋１］、及び信号線ＳＬ＿Ｅ２［Ｙ］）の電位を制御する機能、ま
たは初期化信号を供給する機能を有する。なお、上記において、ｎはＹ以下の自然数を表
す。
ただし、ソースドライバ回路部５０６は、上記の機能に限定されず、別の信号を生成、
制御または供給する機能を有していてもよい。
また、ソースドライバ回路部５０６は、複数のアナログスイッチなどを用いて構成され
る。ソースドライバ回路部５０６は、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすること
により、画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。
なお、図２においては、ソースドライバ回路部５０６を１つ設ける構成について例示し
たが、これに限定されず、表示装置５００には、複数のソースドライバ回路部を設けても
よい。例えば、２つのソースドライバ回路部を設け、一方のソースドライバ回路部により
信号線ＳＬ＿Ｌ［ｎ］、信号線ＳＬ＿Ｌ［ｎ＋１］、及び信号線ＳＬ＿Ｌ［Ｙ］を制御し
、他方のソースドライバ回路部により信号線ＳＬ＿Ｅ１［ｎ］、信号線ＳＬ＿Ｅ１［ｎ＋
１］、信号線ＳＬ＿Ｅ１［Ｙ］、信号線ＳＬ＿Ｅ２［ｎ］、信号線ＳＬ＿Ｅ２［ｎ＋１］
、及び信号線ＳＬ＿Ｅ２［Ｙ］を制御してもよい。
［画素］
また、画素１０（１，１）乃至画素１０（Ｘ，Ｙ）は、走査線ＧＬ＿Ｌ［ｍ］、走査線
ＧＬ＿Ｌ［ｍ＋１］、走査線ＧＬ＿Ｌ［Ｘ］、走査線ＧＬ＿Ｅ１［ｍ］、走査線ＧＬ＿Ｅ
１［ｍ＋１］、走査線ＧＬ＿Ｅ１［Ｘ］、走査線ＧＬ＿Ｅ２［ｍ］、走査線ＧＬ＿Ｅ２［
ｍ＋１］、及び走査線ＧＬ＿Ｅ２［Ｘ］の一つを介してパルス信号が入力され、信号線Ｓ
Ｌ＿Ｌ［ｎ］、信号線ＳＬ＿Ｌ［ｎ＋１］、信号線ＳＬ＿Ｌ［Ｙ］、信号線ＳＬ＿Ｅ１［
ｎ］、信号線ＳＬ＿Ｅ１［ｎ＋１］、信号線ＳＬ＿Ｅ１［Ｙ］、信号線ＳＬ＿Ｅ２［ｎ］
、信号線ＳＬ＿Ｅ２［ｎ＋１］、及び信号線ＳＬ＿Ｅ２［Ｙ］の一つを介してデータ信号
が入力される。
例えば、ｍ行ｎ列目の画素１０（ｍ，ｎ）は、走査線ＧＬ＿Ｌ［ｍ］を介してゲートド
ライバ回路部５０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿Ｌ［ｍ］の電位に応じて
信号線ＳＬ＿Ｌ［ｎ］を介してソースドライバ回路部５０６からデータ信号が入力される
。
また、ｍ行ｎ列目の画素１０（ｍ，ｎ）は、走査線ＧＬ＿Ｅ１［ｍ］及び走査線ＧＬ＿
Ｅ２［ｍ］を介してゲートドライバ回路部５０４ｂからパルス信号が入力され、走査線Ｇ
Ｌ＿Ｅ１［ｍ］及び走査線ＧＬ＿Ｅ２［ｍ］の電位に応じて信号線ＳＬ＿Ｅ１［ｎ］及び
信号線ＳＬ＿Ｅ２［ｎ］を介してソースドライバ回路部５０６からデータ信号が入力され
る。
また、画素１０（ｍ，ｎ）は、先の説明の通り、第１の表示素子乃至第３の表示素子を
有する。走査線ＧＬ＿Ｌ［ｍ］、走査線ＧＬ＿Ｌ［ｍ＋１］、及び走査線ＧＬ＿Ｌ［Ｘ］
は、第３の表示素子の電位を制御する配線であり、走査線ＧＬ＿Ｅ１［ｍ］、走査線ＧＬ
＿Ｅ１［ｍ＋１］、走査線ＧＬ＿Ｅ１［Ｘ］、走査線ＧＬ＿Ｅ２［ｍ］、走査線ＧＬ＿Ｅ
２［ｍ＋１］、及び走査線ＧＬ＿Ｅ２［Ｘ］は、第１の表示素子及び第２の表示素子の電
位を制御する配線である。
また、信号線ＳＬ＿Ｌ［ｎ］、ＳＬ＿Ｌ［ｎ＋１］、及びＳＬ＿Ｌ［Ｙ］は、第３の表
示素子の電位を制御する配線であり、信号線ＳＬ＿Ｅ１［ｎ］、ＳＬ＿Ｅ１［ｎ＋１］、
ＳＬ＿Ｅ１［Ｙ］、信号線ＳＬ＿Ｅ２［ｎ］、ＳＬ＿Ｅ２［ｎ＋１］、及びＳＬ＿Ｅ２［
Ｙ］は、第１の表示素子及び第２の表示素子の電位を制御する配線である。
［外部回路］
表示装置５００には、外部回路５０８が接続される。なお、表示装置５００が外部回路
５０８を有する構成としてもよい。
外部回路５０８は、図２に示すように、アノード電位が与えられる配線ＡＮＯＤＥと電
気的に接続されている。
＜１－２．画素の回路構成＞
次に、画素１０（ｍ，ｎ）の回路構成について、図１を用いて説明する。
図１（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置５００が有する画素１０（ｍ，ｎ）を説明す
る回路図である。
画素１０（ｍ，ｎ）は、走査線ＧＬ＿Ｌ［ｍ］、走査線ＧＬ＿Ｅ１［ｍ］、走査線ＧＬ
＿Ｅ２［ｍ］、信号線ＳＬ＿Ｅ１［ｎ］、信号線ＳＬ＿Ｌ［ｎ］、及び信号線ＳＬ＿Ｅ２
［ｎ］を有する。また、画素１０（ｍ，ｎ）は、トランジスタＭＡ１乃至トランジスタＭ
Ａ５と、トランジスタＭＢ１乃至トランジスタＭＢ４と、容量素子Ｃｓ＿Ｌと、容量素子
Ｃｓ＿Ｅ１乃至容量素子Ｃｓ＿Ｅ８と、表示素子１２と、表示素子１４と、を有する。な
お、図１（Ａ）において、表示素子１４は、表示素子１４Ｂ、表示素子１４Ｇ、表示素子
１４Ｒ、及び表示素子１４Ｗを有する。表示素子１４Ｂは青色の光を発する機能を有し、
表示素子１４Ｇは緑色の光を発する機能を有し、表示素子１４Ｒは赤色の光を発する機能
を有し、表示素子１４Ｗは白色の光を発する機能を有する。
また、画素１０（ｍ，ｎ）は、表示素子１２と電気的に接続される配線ＴＣＯＭと、容
量素子Ｃｓ＿Ｌ及び容量素子Ｃｓ＿Ｅ１乃至容量素子Ｃｓ＿Ｅ８と電気的に接続される配
線ＣＳＣＯＭと、表示素子１４と電気的に接続される配線ＣＡＴＨＯＤＥと、トランジス
タＭＢ１乃至トランジスタＭＢ４と電気的に接続される配線ＡＮＯＤＥと、を有する。
なお、走査線ＧＬ＿Ｌ［ｍ］、信号線ＳＬ＿Ｌ［ｎ］、配線ＣＳＣＯＭ、及び配線ＴＣ
ＯＭは、それぞれ表示素子１２に信号や電力を供給するための配線であり、走査線ＧＬ＿
Ｅ１［ｍ］、走査線ＧＬ＿Ｅ２［ｍ］、信号線ＳＬ＿Ｅ１［ｎ］、信号線ＳＬ＿Ｅ２［ｎ
］、配線ＡＮＯＤＥ、及び配線ＣＡＴＨＯＤＥは、それぞれ表示素子１４に信号や電力を
供給するための配線である。
画素１０（ｍ，ｎ）のレイアウトの上面図を図１（Ｂ）に示す。画素１０（ｍ，ｎ）はト
ランジスタＭＡ１乃至トランジスタＭＡ５、及びトランジスタＭＢ１乃至トランジスタＭ
Ｂ４を有する。
＜１－３．第１の表示素子の構成例＞
表示素子１４Ｗ、表示素子１４Ｒ及び表示素子１４Ｇは、光を発する機能、すなわち発光
する機能を有する。よって、表示素子１４Ｗ、表示素子１４Ｒ及び表示素子１４Ｇを、発
光素子として読み替えてもよい。例えば、表示素子１４Ｗ、表示素子１４Ｒ及び表示素子
１４Ｇとしては、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子ともいう）を用いる構成、ま
たは発光ダイオードを用いる構成等とすればよい。
＜１－４．第２の表示素子の構成例＞
表示素子１４Ｂは、光を発する機能、すなわち発光する機能を有する。よって、表示素子
１４Ｂを、発光素子として読み替えてもよい。例えば、表示素子１４Ｂとしては、エレク
トロルミネッセンス素子（ＥＬ素子ともいう）を用いる構成、または発光ダイオードを用
いる構成等とすればよい。
＜１－５．第３の表示素子の構成例＞
表示素子１２は、光の反射または光の透過を制御する機能を有する。特に、表示素子１
２を光の反射を制御する、所謂反射型の表示素子とすると好適である。表示素子１２を反
射型の表示素子とすることで、外光を用いて表示を行うことが可能となるため、表示装置
の消費電力を抑制することができる。例えば、表示素子１２としては、反射膜と液晶素子
と偏光板とを組み合わせた構成、またはマイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（
ＭＥＭＳ）を用いる構成等とすればよい。
このように、表示素子１２、表示素子１４Ｂ、表示素子１４Ｇ、表示素子１４Ｒ及び表
示素子１４Ｗに異なる機能を有する表示素子を用いる。例えば、表示素子の一つ以上を反
射型の液晶素子とし、その他を透過型のＥＬ素子を用いることで、利便性に優れた表示装
置とすることができる。また、外光が明るい環境下においては、反射型の液晶素子を利用
し、外光が暗い環境下においては、透過型のＥＬ素子を用いることで、消費電力が低く、
表示品位の高い表示装置とすることができる。
＜１－６．表示素子の駆動方法＞
次に、表示素子１２及び表示素子１４の駆動方法について、図１（Ａ）を用いて説明す
る。なお、以下の説明においては、第１の表示素子として、表示素子１４Ｇ、表示素子１
４Ｒ及び表示素子１４Ｗに発光素子を用いる構成とする。第２の表示素子として、表示素
子１４Ｂに発光素子を用いる構成とする。第３の表示素子として、表示素子１２に液晶素
子を用いる構成とする。
［第１の表示素子の駆動方法］
図１（Ａ）に示すように、画素１０（ｍ，ｎ）において、トランジスタＭＡ１のゲート
電極は、走査線ＧＬ＿Ｅ１［ｍ］に電気的に接続される。また、トランジスタＭＡ１のソ
ース電極及びドレイン電極の一方は、信号線ＳＬ＿Ｅ１［ｎ］に電気的に接続され、他方
はトランジスタＭＢ１のゲート電極、並びに容量素子Ｃｓ＿Ｅ１及び容量素子Ｃｓ＿Ｅ２
の電極の一方に電気的に接続される。トランジスタＭＡ１は、オン状態とオフ状態とを切
り替えることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
トランジスタＭＢ１のソース電極及びドレイン電極の一方は、表示素子１４Ｗの一対の
電極の一方に電気的に接続され、トランジスタＭＢ１のソース電極及びドレイン電極の他
方は、配線ＡＮＯＤＥに電気的に接続される。また、表示素子１４Ｗの一対の電極の他方
は、配線ＣＡＴＨＯＤＥに電気的に接続される。トランジスタＭＢ１は、表示素子１４Ｗ
に与えられる電流を制御する、所謂駆動トランジスタとしての機能を有する。
トランジスタＭＢ１は、半導体膜の上下に、第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有
するデュアルゲート型のトランジスタである。本明細書において、第１のゲート電極をフ
ロントゲート電極、第２のゲート電極をバックゲート電極と呼ぶ。トランジスタＭＢ１の
バックゲート電極は、トランジスタＭＢ１のソース電極またはドレイン電極のいずれか一
方に電気的に接続されることで、トランジスタのバックチャネル側の電位を固定すること
ができる。この様な構成とすることで、トランジスタのしきい値電圧を制御できる。した
がって、トランジスタのオフ電流を低減できる。
トランジスタＭＢ１のフロントゲート電極と、配線ＡＮＯＤＥとの間には、容量素子Ｃ
ｓ＿Ｅ１が形成される。また、トランジスタＭＢ１のフロントゲート電極と、配線ＣＳＣ
ＯＭとの間には、容量素子Ｃｓ＿Ｅ２が形成される。当該容量素子は、画素１０（ｍ，ｎ
）に書き込まれたデータを保持する機能を有する。
また、図１（Ａ）に示すように、画素１０（ｍ，ｎ）において、トランジスタＭＡ２の
ゲート電極は、走査線ＧＬ＿Ｅ１［ｍ］に電気的に接続される。また、トランジスタＭＡ
２のソース電極及びドレイン電極の一方は、信号線ＳＬ＿Ｅ２［ｎ］に電気的に接続され
、他方はトランジスタＭＢ２のゲート電極、並びに容量素子Ｃｓ＿Ｅ３及び容量素子Ｃｓ
＿Ｅ４の電極の一方に電気的に接続される。トランジスタＭＡ２は、オン状態とオフ状態
とを切り替えることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
トランジスタＭＢ２のソース電極及びドレイン電極の一方は、表示素子１４Ｒの一対の
電極の一方に電気的に接続され、トランジスタＭＢ２のソース電極及びドレイン電極の他
方は、配線ＡＮＯＤＥに電気的に接続される。また、表示素子１４Ｒの一対の電極の他方
は、配線ＣＡＴＨＯＤＥに電気的に接続される。トランジスタＭＢ２は、表示素子１４Ｒ
に与えられる電流を制御する、所謂駆動トランジスタとしての機能を有する。
トランジスタＭＢ２は、半導体膜の上下に、フロントゲート電極及びバックゲート電極を
有するデュアルゲート型のトランジスタである。トランジスタＭＢ２のバックゲート電極
は、トランジスタＭＢ２のソース電極またはドレイン電極のいずれか一方に電気的に接続
されることで、トランジスタのバックチャネル側の電位を固定することができる。
トランジスタＭＢ２のフロントゲート電極と、配線ＡＮＯＤＥとの間には、容量素子Ｃｓ
＿Ｅ３が形成される。また、トランジスタＭＢ２のフロントゲート電極と、配線ＣＳＣＯ
Ｍとの間には、容量素子Ｃｓ＿Ｅ４が形成される。当該容量素子は、画素１０（ｍ，ｎ）
に書き込まれたデータを保持する機能を有する。
また、図１（Ａ）に示すように、画素１０（ｍ，ｎ）において、トランジスタＭＡ３の
ゲート電極は、走査線ＧＬ＿Ｅ２［ｍ］に電気的に接続される。また、トランジスタＭＡ
３のソース電極及びドレイン電極の一方は、信号線ＳＬ＿Ｅ１［ｎ］に電気的に接続され
、他方はトランジスタＭＢ３のゲート電極、並びに容量素子Ｃｓ＿Ｅ５及び容量素子Ｃｓ
＿Ｅ６の電極の一方に電気的に接続される。トランジスタＭＡ３は、オン状態とオフ状態
とを切り替えることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
トランジスタＭＢ３のソース電極及びドレイン電極の一方は、表示素子１４Ｇの一対の
電極の一方に電気的に接続され、トランジスタＭＢ３のソース電極及びドレイン電極の他
方は、配線ＡＮＯＤＥに電気的に接続される。また、表示素子１４Ｇの一対の電極の他方
は、配線ＣＡＴＨＯＤＥに電気的に接続される。トランジスタＭＢ３は、表示素子１４Ｇ
に与えられる電流を制御する、所謂駆動トランジスタとしての機能を有する。
トランジスタＭＢ３は、半導体膜の上下に、フロントゲート電極及びバックゲート電極を
有するデュアルゲート型のトランジスタである。トランジスタＭＢ３のバックゲート電極
は、トランジスタＭＢ３のソース電極またはドレイン電極のいずれか一方に電気的に接続
されることで、トランジスタのバックチャネル側の電位を固定することができる。
トランジスタＭＢ３のフロントゲート電極と、配線ＡＮＯＤＥとの間には、容量素子Ｃｓ
＿Ｅ５が形成される。また、トランジスタＭＢ３のフロントゲート電極と、配線ＣＳＣＯ
Ｍとの間には、容量素子Ｃｓ＿Ｅ６が形成される。当該容量素子は、画素１０（ｍ，ｎ）
に書き込まれたデータを保持する機能を有する。
［第２の表示素子の駆動方法］
また、図１（Ａ）に示すように、画素１０（ｍ，ｎ）において、トランジスタＭＡ４の
ゲート電極は、走査線ＧＬ＿Ｅ２［ｍ］に電気的に接続される。また、トランジスタＭＡ
４のソース電極及びドレイン電極の一方は、信号線ＳＬ＿Ｅ２［ｎ］に電気的に接続され
、他方はトランジスタＭＢ４のゲート電極、並びに容量素子Ｃｓ＿Ｅ７及び容量素子Ｃｓ
＿Ｅ８の電極の一方に電気的に接続される。トランジスタＭＡ４は、オン状態とオフ状態
とを切り替えることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
トランジスタＭＢ４のソース電極及びドレイン電極の一方は、表示素子１４Ｂの一対の
電極の一方に電気的に接続され、トランジスタＭＢ４のソース電極及びドレイン電極の他
方は、配線ＡＮＯＤＥに電気的に接続される。また、表示素子１４Ｂの一対の電極の他方
は、配線ＣＡＴＨＯＤＥに電気的に接続される。トランジスタＭＢ４は、表示素子１４Ｂ
に与えられる電流を制御する、所謂駆動トランジスタとしての機能を有する。
トランジスタＭＢ４は、半導体膜の上下に、フロントゲート電極及びバックゲート電極を
有するデュアルゲート型のトランジスタである。トランジスタＭＢ４のバックゲート電極
は、トランジスタＭＢ４のフロントゲート電極に電気的に接続することで、トランジスタ
の電流駆動能力を向上させることができる。
トランジスタＭＢ４のフロントゲート電極と、配線ＡＮＯＤＥとの間には、容量素子Ｃｓ
＿Ｅ７が形成される。また、トランジスタＭＢ４のフロントゲート電極と、配線ＣＳＣＯ
Ｍとの間には、容量素子Ｃｓ＿Ｅ８が形成される。当該容量素子は、画素１０（ｍ，ｎ）
に書き込まれたデータを保持する機能を有する。
例えば、図２に示すゲートドライバ回路部５０４ｂにより、各行の画素１０（ｍ，１）
乃至画素１０（ｍ，Ｙ）を順次選択し、トランジスタＭＡ１乃至ＭＡ４をオン状態にして
データ信号のデータを書き込む。データが書き込まれた画素１０（ｍ，１）乃至画素１０
（ｍ，Ｙ）は、トランジスタＭＡ１乃至ＭＡ４がオフ状態になることで保持状態になる。
さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタＭＢ１乃至ＭＢ４のソース
電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、表示素子１４は、流れる電流量に応
じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
上述したように、第１の表示素子である、白色の光を発する機能を有する表示素子１４Ｗ
を駆動するトランジスタＭＢ１、第１の表示素子である、赤色の光を発する機能を有する
表示素子１４Ｒを駆動するトランジスタＭＢ２、及び第１の表示素子である、緑色の光を
発する機能を有する表示素子１４Ｇを駆動するトランジスタＭＢ３のフロントゲート電極
は、それぞれソース電極またはドレイン電極のいずれか一方に電気的に接続される。これ
に対し、第２の表示素子である、青色の光を発する機能を有する表示素子１４Ｂを駆動す
るトランジスタＭＢ４のフロントゲート電極は、バックゲート電極に電気的に接続される
。この様な構成とすることで、トランジスタＭＢ１乃至トランジスタＭＢ３と比較して、
トランジスタＭＢ４は電流駆動能力を向上させられる。白色、赤色、緑色の光を発する第
１の表示素子１４Ｗ、１４Ｒ及び１４Ｇに対して、青色の光を発する第２の表示素子１４
Ｂに流れる電流を大きくできる為、表示素子１４Ｂより発せられる青色の光の輝度が高く
なる。従って、表示装置の輝度を高められる。
また、駆動トランジスタに流れる電流密度が同じであっても、ＥＬ材料によって発光輝度
は異なる場合がある。赤色、緑色及び青色の光の輝度のバランスが悪いと、表示装置のホ
ワイトバランスが悪くなる場合がある。輝度が低い青色のＥＬ材料を表示素子１４Ｂに用
いる場合、電流駆動能力の高いトランジスタＭＢ４を適用することで、表示素子１４Ｂか
ら発せられる青色の光の輝度が高められる。従って、赤色、緑色及び青色の光の輝度のバ
ランスが良くなり、表示装置のホワイトバランスを向上させられる。
また、第１の表示素子を駆動するトランジスタである、バックゲート電極がソース電極ま
たはドレイン電極のいずれか一方に電気的に接続するトランジスタと比較して、第２の表
示素子を駆動するトランジスタである、バックゲート電極がフロントゲート電極に電気的
に接続するトランジスタは配線の形成面積が大きくなるため、画素の開口率を低下させる
場合がある。発光素子の輝度を高めたいトランジスタのみ、バックゲート電極がフロント
ゲート電極に電気的に接続する第２の表示素子の構成とすることで、画素の開口率の低下
を抑制しつつ、精細度の高い表示装置を作製できる。
このように、本発明の一態様の表示装置においては、輝度が高く、ホワイトバランスが優
れ、かつ精細度の高い表示装置を提供することができる。
なお、青色を第２の表示素子とする構成とし、青色の光の輝度を高める構成の例を示した
が、本発明の一態様はこれに限られない。青色以外を第２の表示素子とする構成としても
よい。また、２色以上を第２の表示素子で構成してもよい。
［第３の表示素子の駆動方法］
画素１０（ｍ，ｎ）において、トランジスタＭＡ５のゲート電極は、走査線ＧＬ＿Ｌ［
ｍ］に電気的に接続される。また、トランジスタＭＡ５のソース電極またはドレイン電極
の一方は信号線ＳＬ＿Ｌ［ｎ］に電気的に接続され、他方は表示素子１２の一対の電極の
一方に電気的に接続される。トランジスタＭＡ５は、オン状態とオフ状態とを切り替える
ことにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
また、表示素子１２の一対の電極の他方は、配線ＴＣＯＭと電気的に接続される。
また、容量素子Ｃｓ＿Ｌの一対の電極の一方は、トランジスタＭＡ５のソース電極また
はドレイン電極の他方、及び表示素子１２の一対の電極の一方に電気的に接続され、容量
素子Ｃｓ＿Ｌの一対の電極の他方は、配線ＣＳＣＯＭに電気的に接続される。容量素子Ｃ
ｓ＿Ｌは、画素１０（ｍ，ｎ）に書き込まれたデータを保持する機能を有する。配線ＣＳ
ＣＯＭは、表示素子１２で発生するノイズが、トランジスタＭＢ１乃至トランジスタＭＢ
４のフロントゲート電極又はバックゲート電極の少なくともいずれか一方に伝わるのを抑
制する効果を有する。
例えば、図２に示すゲートドライバ回路部５０４ａにより、各行の画素１０（ｍ，１）
乃至画素１０（ｍ，Ｙ）を順次選択し、トランジスタＭＡ５がオン状態になることで、デ
ータ信号のデータを書き込む。データが書き込まれた画素１０（ｍ，１）乃至画素１０（
ｍ，Ｙ）は、トランジスタＭＡ５がオフ状態になることで保持状態になる。これを行毎に
順次行うことにより、画像を表示できる。
また、第３の表示素子を設けず、第１の表示素子及び第２の表示素子のみの構成としても
よい。
また、本発明の一態様の表示装置に用いるトランジスタＭＡ１乃至ＭＡ５、及びトラン
ジスタＭＢ１乃至ＭＢ４は、半導体膜に金属酸化物を有すると好ましい。金属酸化物を有
するトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能となる
。また、金属酸化物を有するトランジスタのオフ電流は、極めて小さい。したがって、表
示装置のリフレッシュレートを下げても、表示装置の輝度の維持が可能となり、消費電力
を抑制することができる。
また、表示素子１２及び表示素子１４の表示方式としては、プログレッシブ方式やイン
ターレース方式等を用いることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要
素としては、上記構成に限定されない。例えば、上記構成に加えて、イエロー、シアン、
マゼンタ等を一色以上追加してもよい。また、色要素のドット毎にその表示領域の大きさ
が異なっていてもよい。ただし、本発明の一態様の表示装置は、カラー表示の表示装置に
限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することもできる。
なお、表示装置５００は、表示素子１２又は表示素子１４の少なくともいずれか一方を
用いて階調表示を行うことができる。例えば、表示素子１２は、所謂反射型の液晶素子の
ため、外光の強度が強い環境下において視認性を向上させることができる。また、表示素
子１２を用いて階調表示を行う場合、透過型の液晶表示装置と比べてバックライト等を制
御する必要がないため、低消費電力化を図ることが可能となる。
一方で表示素子１４は、所謂発光素子のため、外光の強度が弱い環境下において視認性
を向上させることができる。また、表示素子１４を用いて階調表示を行う場合、透過型の
液晶表示装置と比べてバックライト等を用いず、画素レベルで発光を制御できるためコン
トラスト等の画質を高めることができる。
なお、表示装置５００は、表示素子１２及び表示素子１４を用いて階調表示を行っても
よい。表示素子１２及び表示素子１４を用いて階調表示を行うことで、表示素子１２及び
表示素子１４のいずれか一つを用いて階調表示を行う場合に比べ、視認性を向上させるこ
とができる。
＜１－７．表示素子の表示領域＞
次に、表示素子１２及び表示素子１４の画素１０（ｍ，ｎ）における表示領域について
、図３を用いて説明する。
図３は、画素１０（ｍ，ｎ）の表示領域を説明する模式図である。
図３に示す、画素１０（ｍ，ｎ）の表示領域は、表示素子１２の表示領域として機能す
る表示領域１２ｄと、表示素子１４Ｂの表示領域として機能する表示領域１４Ｂｄと、表
示素子１４Ｇの表示領域として機能する表示領域１４Ｇｄと、表示素子１４Ｒの表示領域
として機能する表示領域１４Ｒｄと、表示素子１４Ｗの表示領域として機能する表示領域
１４Ｗｄと、を有する。
表示領域１２ｄは光を反射する領域を有し、表示領域１４Ｂｄは青色の光を透過する領
域を有し、表示領域１４Ｇｄは緑色の光を透過する領域を有し、表示領域１４Ｒｄは赤色
の光を透過する領域を有し、表示領域１４Ｗｄは白色の光を透過する領域を有する。
例えば、図３に示す画素１０（ｍ，ｎ）の表示領域とすることで、表示領域１２ｄを用
いて、白黒の画像を表示させ、表示領域１４Ｂｄ、表示領域１４Ｇｄ、表示領域１４Ｒｄ
、及び表示領域１４Ｗｄを用いてフルカラーの画像を表示させることができる。
＜１－８．表示装置の構成例＞
次に、表示装置５００が有する画素１０の構造の一例について、図４及び図５を用いて
説明する。
なお、図４は、画素１０の上面図の一例を表しており、図５は、図４に示す、一点鎖線
Ａ１－Ａ２、Ａ３－Ａ４、Ａ５－Ａ６、Ａ７－Ａ８、Ａ９－Ａ１０及びＡ１１－Ａ１２の
切断面の断面図に相当する。なお、図４に示す画素１０の上面図において、煩雑になるこ
とを避けるため構成要素の一部を省略して示している。また、図４においては、隣接する
画素の表示領域（表示領域１４Ｒｄ、１４Ｇｄ、１４Ｂｄ、１４Ｗｄに相当する領域）を
明示してある。なお、画素１０の上面図においては、以降の図面も同様である。
図４及び図５に示す画素１０は、基板８０と、基板９０との間に表示素子１２と、表示
素子１４ａ、表示素子１４ｂと、トランジスタＴｒ１乃至トランジスタＴｒ５と、を有す
る。
なお、表示素子１４ａは、先に示す表示素子１４Ｗ、表示素子１４Ｒ及び表示素子１４
Ｇのいずれか一つに相当する。また、表示素子１４ｂは、先に示す表示素子１４Ｂに相当
する。また、トランジスタＴｒ１は、先に示すトランジスタＭＡ５に相当する。また、ト
ランジスタＴｒ２は、先に示すトランジスタＭＡ１乃至トランジスタＭＡ３のいずれか一
つに相当する。また、トランジスタＴｒ３は、先に示すトランジスタＭＢ１乃至トランジ
スタＭＢ３のいずれか一つに相当する。また、トランジスタＴｒ４は、先に示すトランジ
スタＭＡ４に相当する。また、トランジスタＴｒ５は、先に示すトランジスタＭＢ４に相
当する。
また、表示素子１２は、液晶層９６を有し、表示素子１４ａ及び表示素子１４ｂは、そ
れぞれＥＬ層７６を有する。また、トランジスタＴｒ１は、表示素子１２を選択する機能
を有する。トランジスタＴｒ２は、表示素子１４ａを選択する機能を有し、トランジスタ
Ｔｒ３は、表示素子１４ａの駆動を制御する機能を有する。トランジスタＴｒ４は、表示
素子１４ｂを選択する機能を有し、トランジスタＴｒ５は、表示素子１４ｂの駆動を制御
する機能を有する。トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２及びトランジスタＴｒ４は
、同一表面上に形成され、トランジスタＴｒ３及びトランジスタＴｒ５は、トランジスタ
Ｔｒ１、トランジスタＴｒ２及びトランジスタＴｒ４より上方に形成される。また、トラ
ンジスタＴｒ３は、トランジスタＴｒ２が有するソース電極またはドレイン電極のいずれ
か一方をゲート電極として有する。トランジスタＴｒ５は、トランジスタＴｒ４が有する
ソース電極またはドレイン電極のいずれか一方をゲート電極として有する。
なお、表示素子１２は、第１の画素電極として機能する導電膜３６を有する。また、ト
ランジスタＴｒ１は、導電膜３６と電気的に接続され、表示素子１２を選択する機能を有
する。また、トランジスタＴｒ３は、導電膜７０ａと電気的に接続され、表示素子１４ａ
を選択する機能を有する。トランジスタＴｒ５は、導電膜７０ｂと電気的に接続され、表
示素子１４ｂを選択する機能を有する。
また、画素１０は、容量素子１６及び容量素子１８を有する。容量素子１６及び容量素
子１８は、一対の電極を有し、一対の電極の一方は、容量電極として機能する導電膜４２
を有し、一対の電極の他方は、導電膜３６を有する。導電膜４２は、トランジスタＴｒ３
及びトランジスタＴｒ５の下方に配置される。なお、導電膜４２は、トランジスタＴｒ３
、トランジスタＴｒ５以外の下方に配置されてもよい。
なお、容量素子１６は、先に説明の容量素子Ｃｓ＿Ｅ１乃至Ｃｓ＿Ｅ８に相当する。容
量素子１８は、先に説明の容量素子Ｃｓ＿Ｌに相当する。容量素子Ｃｓ＿Ｅ１乃至Ｃｓ＿
Ｅ８と、容量素子１８は、同じ材料及び同じ工程で作製できる。
容量電極として機能する導電膜４２を、トランジスタＴｒ１乃至トランジスタＴｒ５の
いずれか一以上の下方に配置することで、表示素子１２の書き換えに伴うノイズ、別言す
ると液晶素子の画素の書き換えに伴うノイズを低減することができる。
また、図５に示すように、トランジスタＴｒ１と、トランジスタＴｒ２及びトランジス
タＴｒ４とは、同一表面上に形成され、トランジスタＴｒ３及びトランジスタＴｒ５が、
トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２及びトランジスタＴｒ４よりも上方に形成され
ることで、回路面積を縮小させることができる。また、トランジスタＴｒ３は、トランジ
スタＴｒ２が有するソース電極またはドレイン電極のいずれか一方をゲート電極として有
する構成であり、またトランジスタＴｒ５は、トランジスタＴｒ４が有するソース電極ま
たはドレイン電極のいずれか一方をゲート電極として有する構成であるため、製造工程を
短縮することができる。
また、図５に示すように、トランジスタＴｒ１乃至トランジスタＴｒ５は、それぞれ逆
スタガ型構造（ボトムゲート構造ともいう）のトランジスタであると好ましい。ボトムゲ
ート構造のトランジスタとすることで、比較的簡単なプロセスでトランジスタを作製する
ことができる。ただし、本発明の一態様は、これに限定されず、トップゲート構造のトラ
ンジスタを用いてもよい。
また、表示素子１２は、入射する光を反射する機能を有する。なお、表示素子１２は、
所謂液晶素子であり、一対の電極間に液晶層９６を有する。当該一対の電極の一方は導電
膜３６を有し、一対の電極の他方は導電膜９２を有する。また、図５に示すように、表示
素子１２は、液晶層９６に接する配向膜９４、配向膜９８を有していてもよい。また、導
電膜３６は、反射電極としての機能を有する。図５の破線の矢印のように外部から入射す
る光を導電膜３６によって反射させることで、視認側に光を反射させることができる。
表示素子１４ａ及び表示素子１４ｂは、光を発する機能を有する。なお、表示素子１４
ａ及び表示素子１４ｂは、所謂発光素子であり、それぞれ一対の電極間にＥＬ層７６を有
する。当該一対の電極の一方は導電膜７０ａ及び導電膜７０ｂを有し、一対の電極の他方
は導電膜７８を有する。また、導電膜７８は、反射電極としての機能を有する。図５の二
点鎖線の矢印のようにＥＬ層７６が発する光は、導電膜７８によって反射され、導電膜７
０ａ及び導電膜７０ｂを通過して液晶層９６側に取り出される。また、表示素子１４から
発せられる光は、導電膜３６に設けられた開口部を通り基板９０側に取り出される。なお
、図５においては、当該開口部を表示領域１４ｄとして明示している。
表示素子１４としては、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を用いてＲ（Ｒｅ
ｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）等の光をそれぞれ発するＥＬ層７６が形成され
た発光素子とすればよい。ただし、表示素子１４としては、これに限定されず、Ｗ（Ｗｈ
ｉｔｅ）の光を発する素子を設け、当該素子からの光が着色膜を透過することでＲ、Ｇ、
Ｂ等の光をそれぞれ発する構成としてもよい。
上記構成の一例を図６に示す。図６は、図５に示す画素１０の変形例の断面図である。
図６に示すように、表示素子１４ａ及び表示素子１４ｂからの光は、着色膜６９を通過し
て外部に取り出される。また、図６に示すように着色膜６９は、トランジスタＴｒ３及び
トランジスタＴｒ５の一部を覆う構成とすると好ましい。特に、トランジスタＴｒ３及び
トランジスタＴｒ５のチャネル形成領域を覆う構成とすることで、チャネル形成領域に入
り込む光の量を低減することができる。チャネル形成領域に入り込む光の量を低減するこ
とで、トランジスタＴｒ３及びトランジスタＴｒ５の耐光性を高めることが可能となる。
着色膜６９は、トランジスタＴｒ３、トランジスタＴｒ５以外のトランジスタを覆う構成
としてもよい。
＜１－９．表示装置の作製方法＞
次に、図２に示す表示装置５００が有する画素１０の作製方法について、図７乃至図２
４を用いて説明を行う。
まず、基板３０上に導電膜３１、絶縁膜３２、及び絶縁膜３４を順に形成する。その後
、絶縁膜３４上に導電膜を成膜し、当該導電膜を島状に加工することで導電膜３６を形成
する（図７（Ａ）及び図１３参照）。
導電膜３１は、第１の剥離層としての機能を有し、絶縁膜３２及び絶縁膜３４は、第２
の剥離層としての機能を有し、導電膜３６は反射膜としての機能を有する。なお、導電膜
３６を第１の画素電極と呼称する場合がある。当該第１の画素電極としては、銀及びアル
ミニウムのいずれか一方または双方を有すると好適である。第１の画素電極を銀及びアル
ミニウムを含む構成とすることで、反射率を高めることが可能となる。なお、第１の画素
電極が銀を含む構成とは、具体的には、銀と、パラジウムと、銅とを含む合金などが挙げ
られる。
次に、絶縁膜３４及び導電膜３６上に導電膜を成膜し、当該導電膜を島状に加工するこ
とで導電膜３８を形成する。その後、導電膜３６及び導電膜３８上に絶縁膜４０を形成す
る（図７（Ｂ）及び図１４参照）。
導電膜３６は、表示素子１２の一対の電極の一方の一部としての機能を有する。なお、導
電膜３６は、以下の機能を有する。導電膜３６は、表示素子１２が有する液晶層９６の配
向状態を制御する機能を有する。
導電膜３８は、導電膜３６と電気的に接続する。導電膜３８は、透光性を有する導電性材
料を用いて形成される。
次に、絶縁膜４０上に導電膜を成膜し、当該導電膜を島状に加工することで導電膜４２
を形成する。その後、導電膜４２上に絶縁膜４４を形成する。その後、絶縁膜４０及び絶
縁膜４４の所望の領域に第１の開口部４５を形成する。なお、第１の開口部４５は、導電
膜３８の一部が露出するように形成される（図８（Ａ）及び図１５参照）。
次に、絶縁膜４４上に導電膜を成膜し、当該導電膜を島状に加工することで、導電膜４６
ａ、導電膜４６ｂ、導電膜４６ｃ、導電膜４６ｄ、導電膜４６ｅ、及び導電膜４６ｆを形
成する。その後、絶縁膜４４、導電膜４６ａ、導電膜４６ｂ、導電膜４６ｃ、導電膜４６
ｄ、導電膜４６ｅ、及び導電膜４６ｆ上に絶縁膜４８を形成する。その後、絶縁膜４８上
に酸化物半導体膜を成膜し、当該酸化物半導体膜を島状に加工することで、酸化物半導体
膜５０ａ、酸化物半導体膜５０ｂ、及び酸化物半導体膜５０ｃを形成する。その後、絶縁
膜４８の所望の領域に第２の開口部５１を形成する。なお、第２の開口部５１は、第１の
開口部４５と重なるように設けられ、導電膜４６ｆの一部が露出するように形成される（
図８（Ｂ）及び図１６参照）。
また、導電膜４２は、容量素子１６の一対の電極の他方の電極としての機能を有する。
すなわち、容量素子１６は、導電膜３６と、導電膜３８、絶縁膜４０、及び導電膜４２を
有し、導電膜３６及び導電膜３８が容量素子１６の一対の電極の一方として機能し、導電
膜４２が容量素子１６の一対の電極の他方として機能し、絶縁膜４０が容量素子１６の誘
電体膜としての機能を有する。
また、導電膜４６ａは、トランジスタＴｒ１のゲート電極としての機能を有する。また
、導電膜４６ｂは、トランジスタＴｒ２のゲート電極としての機能を有する。また、導電
膜４６ｄは、トランジスタＴｒ４のゲート電極としての機能を有する。
次に、絶縁膜４８、酸化物半導体膜５０ａ、酸化物半導体膜５０ｂ、及び第２の開口部
５１上に導電膜を成膜し、当該導電膜を島状に加工することで導電膜５２ａ、導電膜５２
ｂ、導電膜５２ｃ、導電膜５２ｄ、導電膜５２ｅ、導電膜５２ｆ、導電膜５２ｇ、及び導
電膜５２ｈを形成する（図９（Ａ）及び図１７参照）。
導電膜５２ａ及び導電膜５２ｂは、トランジスタＴｒ１のソース電極及びドレイン電極
としての機能を有する。導電膜５２ｃ及び導電膜５２ｄは、トランジスタＴｒ２のソース
電極及びドレイン電極としての機能を有する。導電膜５２ｆ及び導電膜５２ｇは、トラン
ジスタＴｒ４のソース電極及びドレイン電極としての機能を有する。
また、導電膜５２ｅは、トランジスタＴｒ３のゲート電極としての機能を有する。導電膜
５２ｈは、トランジスタＴｒ５のゲート電極としての機能を有する。
次に、絶縁膜４８、酸化物半導体膜５０ａ、５０ｂ、及び導電膜５２ａ、５２ｂ、５２
ｃ、５２ｄ、５２ｅ上に絶縁膜５４を形成する。その後、絶縁膜５４上に酸化物半導体膜
を成膜し、当該酸化物半導体膜を加工することで島状の酸化物半導体膜５６ａ及び酸化物
半導体膜５６ｂを形成する。その後、絶縁膜５４の所望の領域に第３の開口部５５を形成
する。なお、第３の開口部５５は、導電膜５２の一部が露出するように形成される。その
後、第３の開口部５５を覆うように、島状の酸化物半導体膜５６ａ及び酸化物半導体膜５
６ｂ上に導電膜を成膜し、当該導電膜を島状に加工することで、導電膜５８ａ、導電膜５
８ｂ、導電膜５８ｃ、及び導電膜５８ｄを形成する（図９（Ｂ）及び図１８参照）。
導電膜５８ａ及び導電膜５８ｂは、トランジスタＴｒ３のソース電極及びドレイン電極
としての機能を有する。導電膜５８ｃ及び導電膜５８ｄは、トランジスタＴｒ５のソース
電極及びドレイン電極としての機能を有する。
次に、絶縁膜５４、及び導電膜５８ａ、５８ｂ上に絶縁膜６２を形成する。その後、絶
縁膜６２の所望の領域に導電膜５８ａに達する第４の開口部６３ａ、導電膜５８ｃに達す
る第５の開口部６３ｂ、及び導電膜５８ｄに達する第６の開口部６３ｃを形成する。なお
、第６の開口部６３ｃは、第３の開口部５５と重なるように設けられる。第４の開口部６
３ａ、第５の開口部６３ｂ、及び第６の開口部６３ｃは、それぞれ導電膜５８ａ、導電膜
５８ｃ及び導電膜５８ｄの一部が露出するように形成される。その後、第４の開口部６３
ａ、第５の開口部６３ｂ、及び第６の開口部６３ｃを覆うように、絶縁膜６２上に導電膜
を成膜し、当該導電膜を島状に加工することで導電膜６４ａ及び導電膜６４ｂを形成する
（図１０（Ａ）及び図１９参照）。
導電膜６４ａはトランジスタＴｒ３のバックゲート電極としての機能を有する。導電膜
６４ａは、導電膜５８ａと電気的に接続される。また、導電膜６４ｂはトランジスタＴｒ
５のバックゲート電極としての機能を有する。導電膜６４ｂは、導電膜５８ｄと電気的に
接続される。この様な構成とすることで、トランジスタＴｒ３のバックゲート電極は、ト
ランジスタＴｒ３のソース電極またはドレイン電極のいずれか一方に電気的に接続される
ことで、トランジスタのバックチャネル側の電位を固定することができる。トランジスタ
Ｔｒ５のバックゲート電極は、トランジスタＴｒ５のフロントゲート電極に電気的に接続
することで、トランジスタの電流駆動能力を向上させることができる。
次に、絶縁膜６２、及び導電膜６４ａ及び導電膜６４ｂ上に開口部を有する絶縁膜６８
を形成する。その後、絶縁膜６８上に導電膜を成膜し、当該導電膜を島状に加工すること
で、導電膜７０ａ及び導電膜７０ｂを形成する。その後、絶縁膜６８、導電膜７０ａ及び
導電膜７０ｂ上に開口部を有する絶縁膜７２を形成する（図１０（Ｂ）及び図２０参照）
。
絶縁膜６８は、平坦化絶縁膜としての機能を有する。導電膜７０ａは、表示素子１４ａ
の一対の電極の一方としての機能、及び第２の画素電極としての機能を有する。導電膜７
０ｂは、表示素子１４ｂの一対の電極の一方としての機能、及び第２の画素電極としての
機能を有する。なお、導電膜７０ａは、導電膜５８ａ及び導電膜６４ａと電気的に接続さ
れる。導電膜７０ｂは、導電膜５８ｄ及び導電膜６４ｂと電気的に接続される。なお、第
２の画素電極としての機能を有する導電膜７０ａ及び導電膜７０ｂは、インジウム、亜鉛
、錫、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有すると好適である。例
えば、導電膜７０ａ及び導電膜７０ｂとしては、インジウムと、錫と、シリコンとを有す
る導電膜を用いることができる。なお、図１０（Ｂ）において、導電膜７０ａ及び導電膜
７０ｂの下側の構成を明示するために、導電膜７０ａ及び導電膜７０ｂのハッチングを透
過して図示している。
次に、絶縁膜７２上にＥＬ層７６及び導電膜７８を形成する（図１１（Ａ）及び図２１
参照）。なお、図１１（Ａ）において、導電膜７０ａ及び導電膜７０ｂの下側の構成を明
示するために、導電膜７０ａ、導電膜７０ｂ、ＥＬ層７６及び導電膜７８のハッチングを
透過して図示している。
なお、絶縁膜７２と、ＥＬ層７６との間に島状の構造体を設けてもよい。当該構造体は
、表示素子１４と基板８０との間隔を制御する機能を有する。また、ＥＬ層７６は、発光
する機能を有する。また、導電膜７８は、表示素子１４の一対の電極の他方としての機能
を有する。
次に、導電膜７８上に封止材８２を塗布し、トランジスタ、表示素子等が形成された基
板３０と、基板８０とを貼り合わせる（図１１（Ｂ）及び図２２参照）。なお、図１１（
Ｂ）において、導電膜７０ａ及び導電膜７０ｂの下側の構成を明示するために、導電膜７
０ａ、導電膜７０ｂ、ＥＬ層７６、導電膜７８及び封止材８２のハッチングを透過して図
示している。
次に、基板３０と、基板８０とを分離する。本実施の形態においては、基板３０と、基
板８０とは、導電膜３１と絶縁膜３２との界面近傍で分離される（図１２（Ａ）及び図２
３参照）。なお、図１２（Ａ）において、導電膜７０ａ及び導電膜７０ｂの下側の構成を
明示するために、導電膜７０ａ、導電膜７０ｂ、ＥＬ層７６、導電膜７８及び封止材８２
のハッチングを透過して図示している。
導電膜３１の界面から素子を分離する際に、導電膜３１と、絶縁膜３２との界面に極性
溶媒（代表的には水）または非極性溶媒等を添加すると好ましい。例えば、導電膜３１の
界面から素子を分離する際に、水を用いることで、剥離帯電に伴うダメージを軽減できる
ため好適である。
導電膜３１としては、例えば、以下の材料を用いることができる。導電膜３１としては
、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジ
ウム、オスミウム、イリジウム、ガリウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む
合金材料、または該元素を含む化合物材料を含み、単層または積層された構造を用いるこ
とができる。また、シリコンを含む層の場合、該シリコンを含む層の結晶構造としては、
非晶質、微結晶、多結晶、単結晶のいずれでもよい。
導電膜３１として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造
を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層
を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層
が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理
、酸素プラズマ処理、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理、またはオゾン水等の酸化力
の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプ
ラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、一酸化二窒素単独、あるいは当該ガスとその他の
ガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、導電膜
３１の表面状態を変えることにより、導電膜３１と後に形成される絶縁膜３２との密着性
を制御することが可能である。
なお、本実施の形態においては、導電膜３１を設ける構成について例示したが、これに
限定されない。例えば、導電膜３１を設けない構成としてもよい。この場合、導電膜３１
が形成される位置に、有機樹脂膜を形成すればよい。当該有機樹脂膜としては、例えば、
ポリイミド系樹脂膜、ポリアミド系樹脂膜、アクリル系樹脂膜、エポキシ系樹脂膜、また
はフェノール系樹脂膜等が挙げられる。なお、ポリイミド系の樹脂膜を用いる場合、感光
性及び熱硬化性の有機樹脂材料を用いると好適である。感光性及び熱硬化性の有機樹脂材
料を用いることで、当該有機樹脂材料に形状等を付与することが可能となる。
また、導電膜３１の代わりに上記有機樹脂膜を用いる場合、基板３０上に形成される素
子の分離方法としては、基板３０の下方側から、レーザ光（例えば、波長３０８ｎｍのエ
キシマレーザ、ＹＡＧレーザの第三高調波である波長３５５ｎｍのＵＶレーザなど）を照
射することで、上記有機樹脂膜が脆弱化し、基板３０と有機樹脂膜との界面、有機樹脂膜
の内部、または有機樹脂膜と絶縁膜３２との界面で分離することができる。
上記レーザ光を照射する場合、レーザ光の照射エネルギー密度を調整することで、基板
３０と絶縁膜３２との間に、密着性が高い領域と、密着性が弱い領域とを作り分けてから
剥離してもよい。また、上記レーザ光としては、線状のレーザを用いてもよい。
次に、基板８０の下方に形成された絶縁膜３２及び絶縁膜３４を除去し、導電膜３６及
び導電膜３８の裏面を露出させる（図１２（Ｂ）及び図２４参照）。なお、図１２（Ｂ）
において、導電膜７０ａ及び導電膜７０ｂの下側の構成を明示するために、導電膜７０ａ
、導電膜７０ｂ、ＥＬ層７６、導電膜７８及び封止材８２のハッチングを透過して図示し
ている。
絶縁膜３２及び絶縁膜３４の除去方法としては、ドライエッチング法及びウエットエッ
チング法のいずれか一方または双方を用いることができる。
次に、導電膜３６及び導電膜３８に接して配向膜９８を形成する。その後、導電膜９２
及び配向膜９４が形成された基板９０を準備し、基板８０の配向膜９８が形成された側と
、基板９０の配向膜９４が形成された側との間に液晶層９６を充填することで、図４及び
図５に示す画素１０を有する表示装置５００を作製することができる。
＜１－１０．表示装置の構成要素＞
次に、図１乃至図２４に例示した表示装置５００及び表示装置５００の作製方法に記載
の各構成要素について、以下説明を行う。
［基板］
基板３０、８０、９０として、作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材
料を用いることができる。
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、アルカリガラス、クリスタルガラ
ス、石英またはサファイア等を用いることができる。また、無機絶縁膜を用いてもよい。
当該無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン
膜、酸化アルミニウム膜等が挙げられる。
また、上記無アルカリガラスとしては、例えば、０．２ｍｍ以上０．７ｍｍ以下の厚さ
とすればよい。または、無アルカリガラスを研磨することで、上記の厚さとしてもよい。
また、無アルカリガラスとして、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代
（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代
（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積
が大きなガラス基板を用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製すること
ができる。
また、基板３０、８０、９０として、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基
板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を用
いてもよい。
また、基板３０、８０、９０として、金属等の無機材料を用いてもよい。金属等の無機
材料としては、ステンレススチールまたはアルミニウム等が挙げられる。
また、基板３０、８０、９０として、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機
材料を用いてもよい。当該樹脂フィルムとしては、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリ
アミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタ
レート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、またはシロキサン結合を有する
樹脂等が挙げられる。
また、基板３０、８０、９０として、無機材料と有機材料とを組み合わせた複合材料を
用いてもよい。当該複合材料としては、金属板または薄板状のガラス板と、樹脂フィルム
とを貼り合わせた材料、繊維状の金属、粒子状の金属、繊維状のガラス、または粒子状の
ガラスを樹脂フィルムに分散した材料、もしくは繊維状の樹脂、粒子状の樹脂を無機材料
に分散した材料等が挙げられる。
また、基板３０、８０、９０としては、少なくとも上または下に形成される膜または層
を支持できるものであればよく、絶縁膜、半導体膜、導電膜のいずれか一つまたは複数で
あってもよい。
［導電膜］
導電膜３１、３６、３８、４２、４６ａ、４６ｂ、４６ｃ、５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、
５２ｄ、５２ｅ、５８ａ、５８ｂ、６４ａ、６４ｂ、７０ａ、７０ｂ、７８、９２として
は、導電性を有する金属膜、可視光を反射する機能を有する導電膜、または可視光を透過
する機能を有する導電膜を用いればよい。
導電性を有する金属膜として、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、
チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガ
ンから選ばれた金属元素を含む材料を用いることができる。または、上述した金属元素を
含む合金を用いてもよい。
上述の導電性を有する金属膜として、具体的には、チタン膜上に銅膜を積層する二層構
造、窒化チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜上に銅膜を積層する二層
構造、チタン膜上に銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を用い
ればよい。特に、銅元素を含む導電膜を用いることで、抵抗を低くすることが出来るため
好適である。また、銅元素を含む導電膜としては、または、銅とマンガンとを含む合金膜
が挙げられる。当該合金膜は、ウエットエッチング法を用いて加工できるため好適である
。
また、上述の導電性を有する金属膜として、導電性高分子または導電性ポリマーを用い
てもよい。
また、上述の可視光を反射する機能を有する導電膜としては、金、銀、銅、またはパラ
ジウムから選ばれた金属元素を含む材料を用いることができる。特に、銀元素を含む導電
膜を用いることで、可視光における反射率を高めることができるため好適である。
また、上述の可視光を透過する機能を有する導電膜としては、インジウム、錫、亜鉛、
ガリウム、またはシリコンから選ばれた元素を含む材料を用いることができる。具体的に
は、Ｉｎ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｓｉ
酸化物（ＩＴＳＯともいう）、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物等が挙げられ
る。
また、上述の可視光を透過する機能を有する導電膜としては、グラフェンまたはグラフ
ァイトを含む膜を用いてもよい。グラフェンを含む膜としては、酸化グラフェンを含む膜
を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成す
ることができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等が挙げ
られる。
また、導電膜３１、３６、３８、４２、４６ａ、４６ｂ、４６ｃ、５２ａ、５２ｂ、５
２ｃ、５２ｄ、５２ｅ、５８ａ、５８ｂ、６４ａ、６４ｂ、７０ａ、７０ｂ、７８、９２
を、無電解めっき法により形成することができる。当該無電解めっき法により形成できる
材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ａｇ、及びＰｄの中から
選ばれるいずれか一つまたは複数を用いることが可能である。特に、ＣｕまたはＡｇを用
いると、導電膜の抵抗を低くすることができるため、好適である。
また、無電解めっき法により導電膜を形成した場合、当該導電膜の構成元素が外部に拡
散しないように、当該導電膜の下に、拡散防止膜を形成してもよい。また、当該拡散防止
膜と、当該導電膜との間に、導電膜を成長させることが出来るシード膜を形成してもよい
。上記拡散防止膜としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
また、当該拡散防止膜としては、例えば、窒化タンタル膜または窒化チタン膜を用いるこ
とができる。また、上記シード膜としては、無電解めっき法により形成することができる
。また、当該シード膜としては、無電解めっき法により形成することができる導電膜の材
料と同様の材料を用いることができる。
また、上述の可視光を反射する機能を有する導電膜と、可視光を透過する機能を有する
導電膜とを組み合わせて、可視光を反射する機能と透過する機能とを有する導電膜として
もよい。例えば、表示素子１４が有する一対の電極の一方を可視光を反射する機能を有す
る導電膜とし、他方を可視光を反射する機能と透過する機能とを有する導電膜とする構成
が挙げられる。当該構成とすることで、一対の電極間で光の共振効果を利用した微小光共
振器（マイクロキャビティ）構造となるため、特定波長における光強度を増加させること
ができる。
なお、表示素子１４が有する一対の電極の他方（例えば導電膜７０ａ、導電膜７０ｂ）
をＩｎ－Ｓｎ－Ｓｉ酸化物と、銀を含む合金との積層構造とすることができる。当該銀を
含む合金としては、可視光を透過させるために、薄膜（例えば、５０ｎｍ以下、さらに好
ましくは３０ｎｍ以下）とすればよい。
［絶縁膜］
絶縁膜３２、３４、４０、４４、４８、５４、６２、６８、７２としては、絶縁性の無
機材料、絶縁性の有機材料、または絶縁性の無機材料と絶縁性の有機材料とを含む絶縁性
の複合材料を用いることができる。
上述の絶縁性の無機材料としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコ
ン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等が挙げられる。また、上述の無機材料
を複数積層してもよい。
また、上述の絶縁性の有機材料としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポ
リアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、ア
クリル系樹脂、エポキシ系樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料が挙げ
られる。また、上述の絶縁性の有機材料としては、感光性を有する材料を用いてもよい。
［酸化物半導体膜］
酸化物半導体膜５０ａ、５０ｂ、５６ａ、５６ｂは、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ
、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）等の酸化物で形成される。また、酸化物半導体膜５０ａ、５０
ｂ、５６ａ、５６ｂとして、Ｉｎ－Ｇａ酸化物、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物を用いてもよい。なお
、酸化物半導体膜５０ａ、５０ｂ、５６ａ、５６ｂに用いることのできる酸化物半導体膜
については、実施の形態３にて詳細に説明を行う。
［液晶層］
液晶層９６としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型
液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等が挙げられる。または、コレステリック相、スメ
クチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いて
もよい。または、ブルー相を示す液晶材料を用いてもよい。
また、液晶層９６の駆動方法としては、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎ
ｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ
Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉ
ｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃ
ｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌ
ｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏ
ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどが挙げられる。また、垂
直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃ
ａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ
Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅ
ｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｐｉｎｗｈ
ｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ－Ｖｉｅ
ｗ）モードなどの駆動方法を用いてもよい。
［ＥＬ層］
ＥＬ層７６としては、少なくとも発光材料を有する。当該発光材料としては、有機化合
物、または量子ドットなどの無機化合物が挙げられる。本明細書では、当該発光材料を含
む層を発光層ともいう。
上述の有機化合物、及び無機化合物としては、例えば、蒸着法（真空蒸着法を含む）、
インクジェット法、塗布法、グラビア印刷法等の方法を用いて形成することができる。
有機化合物に用いることのできる材料としては、蛍光材料または燐光材料が挙げられる
。寿命の観点からは、蛍光材料を用いればよく、効率の観点からは燐光材料を用いればよ
い。または、蛍光材料及び燐光材料の双方を有する構成としてもよい。
また、量子ドットは、数ｎｍサイズの半導体ナノ結晶であり、１×１０３個から１×１
０６個程度の原子から構成されている。量子ドットはサイズに依存してエネルギーシフト
するため、同じ物質から構成される量子ドットであっても、サイズによって発光波長が異
なり、用いる量子ドットのサイズを変更することによって容易に発光波長を調整すること
ができる。
また、量子ドットは、発光スペクトルのピーク幅が狭いため、色純度のよい発光を得る
ことができる。さらに、量子ドットの理論的な内部量子効率はほぼ１００％であると言わ
れており、蛍光発光を呈する有機化合物の２５％を大きく上回り、燐光発光を呈する有機
化合物と同等となっている。このことから、量子ドットを発光材料として用いることによ
って発光効率の高い発光素子を得ることができる。その上、無機化合物である量子ドット
はその本質的な安定性にも優れているため、寿命の観点からも好ましい発光素子を得るこ
とができる。
量子ドットを構成する材料としては、周期表第１４族元素、周期表第１５族元素、周期
表第１６族元素、複数の周期表第１４族元素からなる化合物、周期表第４族から周期表第
１４族に属する元素と周期表第１６族元素との化合物、周期表第２族元素と周期表第１６
族元素との化合物、周期表第１３族元素と周期表第１５族元素との化合物、周期表第１３
族元素と周期表第１７族元素との化合物、周期表第１４族元素と周期表第１５族元素との
化合物、周期表第１１族元素と周期表第１７族元素との化合物、酸化鉄類、酸化チタン類
、カルコゲナイドスピネル類、各種半導体クラスターなどを挙げることができる。
具体的には、セレン化カドミウム、硫化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化亜
鉛、酸化亜鉛、硫化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化水銀、セレン化水銀、テルル化水銀、砒化
インジウム、リン化インジウム、砒化ガリウム、リン化ガリウム、窒化インジウム、窒化
ガリウム、アンチモン化インジウム、アンチモン化ガリウム、リン化アルミニウム、砒化
アルミニウム、アンチモン化アルミニウム、セレン化鉛、テルル化鉛、硫化鉛、セレン化
インジウム、テルル化インジウム、硫化インジウム、セレン化ガリウム、硫化砒素、セレ
ン化砒素、テルル化砒素、硫化アンチモン、セレン化アンチモン、テルル化アンチモン、
硫化ビスマス、セレン化ビスマス、テルル化ビスマス、ケイ素、炭化ケイ素、ゲルマニウ
ム、錫、セレン、テルル、ホウ素、炭素、リン、窒化ホウ素、リン化ホウ素、砒化ホウ素
、窒化アルミニウム、硫化アルミニウム、硫化バリウム、セレン化バリウム、テルル化バ
リウム、硫化カルシウム、セレン化カルシウム、テルル化カルシウム、硫化ベリリウム、
セレン化ベリリウム、テルル化ベリリウム、硫化マグネシウム、セレン化マグネシウム、
硫化ゲルマニウム、セレン化ゲルマニウム、テルル化ゲルマニウム、硫化錫、セレン化錫
、テルル化錫、酸化鉛、フッ化銅、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅、酸化銅、セレン化銅、酸
化ニッケル、酸化コバルト、硫化コバルト、四酸化三鉄、硫化鉄、酸化マンガン、硫化モ
リブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコ
ニウム、窒化ケイ素、窒化ゲルマニウム、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、セレン
と亜鉛とカドミウムの化合物、インジウムと砒素とリンの化合物、カドミウムとセレンと
硫黄の化合物、カドミウムとセレンとテルルの化合物、インジウムとガリウムと砒素の化
合物、インジウムとガリウムとセレンの化合物、インジウムとセレンと硫黄の化合物、銅
とインジウムと硫黄の化合物およびこれらの組合せなどを挙げることができるが、これら
に限定されるものではない。また、組成が任意の比率で表される、いわゆる合金型量子ド
ットを用いても良い。例えば、カドミウムとセレンと硫黄の合金型量子ドットは、元素の
含有比率を変化させることで発光波長を変えることができるため、青色発光を得るには有
効な手段の一つである。
量子ドットの構造としては、コア型、コア－シェル型、コア－マルチシェル型などがあ
り、そのいずれを用いても良いが、コアを覆ってより広いバンドギャップを持つ別の無機
材料でシェルを形成することによって、ナノ結晶表面に存在する欠陥やダングリングボン
ドの影響を低減することができる。これにより、発光の量子効率が大きく改善するためコ
ア－シェル型やコア－マルチシェル型の量子ドットを用いることが好ましい。シェルの材
料の例としては、硫化亜鉛や酸化亜鉛が挙げられる。
また、量子ドットは、表面原子の割合が高いことから、反応性が高く、凝集が起こりや
すい。そのため、量子ドットの表面には保護剤が付着している又は保護基が設けられてい
ることが好ましい。当該保護剤が付着している又は保護基が設けられていることによって
、凝集を防ぎ、溶媒への溶解性を高めることができる。また、反応性を低減させ、電気的
安定性を向上させることも可能である。保護剤（又は保護基）としては、例えば、ポリオ
キシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエ
チレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、トリプロピルホス
フィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィン等の
トリアルキルホスフィン類、ポリオキシエチレンｎ－オクチルフェニルエーテル、ポリオ
キシエチレンｎ－ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェニルエー
テル類、トリ（ｎ－ヘキシル）アミン、トリ（ｎ－オクチル）アミン、トリ（ｎ－デシル
）アミン等の第３級アミン類、トリプロピルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィン
オキシド、トリヘキシルホスフィンオキシド、トリオクチルホスフィンオキシド、トリデ
シルホスフィンオキシド等の有機リン化合物、ポリエチレングリコールジラウレート、ポ
リエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジエステル類、また、
ピリジン、ルチジン、コリジン、キノリン類等の含窒素芳香族化合物等の有機窒素化合物
、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミ
ン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン等のアミノアルカン類、ジブチルスルフィ
ド等のジアルキルスルフィド類、ジメチルスルホキシドやジブチルスルホキシド等のジア
ルキルスルホキシド類、チオフェン等の含硫黄芳香族化合物等の有機硫黄化合物、パルミ
チン酸、ステアリン酸、オレイン酸等の高級脂肪酸、アルコール類、ソルビタン脂肪酸エ
ステル類、脂肪酸変性ポリエステル類、３級アミン変性ポリウレタン類、ポリエチレンイ
ミン類等が挙げられる。
量子ドットは、サイズが小さくなるに従いバンドギャップが大きくなるため、所望の波
長の光が得られるようにそのサイズを適宜調節する。結晶サイズが小さくなるにつれて、
量子ドットの発光は青色側へ、つまり、高エネルギー側へとシフトするため、量子ドット
のサイズを変化させることにより、紫外領域、可視領域、赤外領域のスペクトルの波長領
域にわたって、その発光波長を調節することができる。量子ドットのサイズ（直径）は０
．５ｎｍ乃至２０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ乃至１０ｎｍの範囲のものが通常良く用いられ
る。なお、量子ドットはそのサイズ分布が狭いほど、より発光スペクトルが狭線化し、色
純度の良好な発光を得ることができる。また、量子ドットの形状は特に限定されず、球状
、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。なお、棒状の量子ドットである量子ロッ
ドはｃ軸方向に偏光した指向性を有する光を呈するため、量子ロッドを発光材料として用
いることにより、より外部量子効率が良好な発光素子を得ることができる。
また、ＥＬ素子では多くの場合、発光材料をホスト材料に分散することによって発光効
率を高めるが、ホスト材料は発光材料以上の一重項励起エネルギー又は三重項励起エネル
ギーを有する物質であることが必要である。特に青色の燐光材料を用いる場合においては
、それ以上の三重項励起エネルギーを有する材料であり、且つ、寿命の観点で優れたホス
ト材料の開発は困難を極めている。一方で、量子ドットはホスト材料を用いずに量子ドッ
トのみで発光層を構成しても発光効率を保つことができるため、この点でも寿命という観
点から好ましい発光素子を得ることができる。量子ドットのみで発光層を形成する場合に
は、量子ドットはコア－シェル構造（コア－マルチシェル構造を含む）であることが好ま
しい。
［配向膜］
配向膜９４、９８としては、ポリイミド樹脂等を含む材料を用いることができる。例え
ば、ポリイミド樹脂等を含む材料が、所定の方向に配向するようにラビング処理または光
配向処理を行えばよい。
［着色膜］
着色膜６９は、所謂カラーフィルタとしての機能を有する。着色膜６９としては、所定
の色の光を透過する材料（例えば、青色の光を透過する材料、緑色の光を透過する材料、
赤色の光を透過する材料、黄色の光を透過する材料または白色の光を透過する材料など）
を用いればよい。
［構造体］
構造体としては、有機材料、無機材料、または有機材料と無機材料との複合材料を含む
絶縁性材料を用いることができる。当該絶縁性材料としては、絶縁膜３２、３４、４０、
４４、４８、５４、６２、６８、７２に列挙した材料を用いることができる。
［封止材］
封止材８２としては、無機材料、有機材料、または無機材料と有機材料との複合材料等
を用いることができる。上述の有機材料としては、例えば、熱溶融性の樹脂または熱硬化
性の樹脂を含む有機材料が挙げられる。また、封止材８２としては、樹脂材料を含む接着
剤（反応硬化型の接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等）を用いて
もよい。また、上述の樹脂材料としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン
系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、イミド系樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロ
ライド）系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）系樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテ
ート）系樹脂等が挙げられる。
また、図１乃至図２４には明示しないが、表示装置５００は、下記の構成要素を有して
いてもよい。
［機能膜］
表示装置５００は、基板８０及び基板９０のいずれか一方または双方に接して機能膜を
有していてもよい。当該機能膜としては、偏光板、位相差板、拡散フィルム、反射防止フ
ィルムまたは集光フィルム等を用いることができる。また、機能膜として、ゴミの付着を
抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制す
るハードコート膜等を用いることができる。
［遮光膜］
表示装置５００は、隣接する画素間に光の透過を抑制する遮光膜を有していてもよい。
当該遮光膜の材料としては、金属材料、または黒色顔料を含んだ有機樹脂材料等が挙げら
れる。
このように、本発明の一態様の表示装置においては、第１の表示素子乃至第３の表示素
子を、異なるトランジスタを用いて、それぞれ独立に制御することができる。よって、表
示品位の高い表示装置を提供することができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態においては、本発明の一態様の表示装置に入力装置を取り付ける構成につ
いて、図２５乃至図２８を用いて説明を行う。
＜２－１．入力装置に関する説明＞
なお、本実施の形態において、表示装置５００と、入力装置とを合わせたタッチパネル
２０００について説明する。また、入力装置の一例として、タッチセンサを用いる場合に
ついて説明する。
図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）は、タッチパネル２０００の斜視図である。なお、図２
５（Ａ）及び図２５（Ｂ）において、明瞭化のため、タッチパネル２０００の代表的な構
成要素を示す。
タッチパネル２０００は、表示装置５００とタッチセンサ２５９５とを有する（図２５
（Ａ）及び図２５（Ｂ）参照）。また、タッチパネル２０００は、基板８０、基板９０、
及び基板２５９０を有する。
表示装置５００は、基板８０上に複数の画素及び該画素に信号を供給することができる
複数の配線２５１１を有する。複数の配線２５１１は、基板８０の外周部にまで引き回さ
れ、その一部が端子２５１９を構成している。端子２５１９はＦＰＣ２５０９（１）と電
気的に接続する。
基板２５９０は、タッチセンサ２５９５と、タッチセンサ２５９５と電気的に接続する
複数の配線２５９８とを有する。複数の配線２５９８は、基板２５９０の外周部に引き回
され、その一部は端子を構成する。そして、該端子はＦＰＣ２５０９（２）と電気的に接
続される。なお、図２５（Ｂ）では明瞭化のため、基板２５９０の裏面側（基板８０と対
向する面側）に設けられるタッチセンサ２５９５の電極や配線等を実線で示している。
タッチセンサ２５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電
容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。なお、図２
５（Ｂ）に示すタッチセンサ２５９５は、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用した
構成である。
また、タッチセンサ２５９５には、指等の検知対象の近接または接触を検知することが
できる、様々なセンサを適用することができる。
投影型静電容量方式のタッチセンサ２５９５は、電極２５９１と電極２５９２とを有す
る。電極２５９１は、複数の配線２５９８のいずれかと電気的に接続され、電極２５９２
は複数の配線２５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
電極２５９２は、図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置
された複数の四辺形が角部で接続される形状を有する。
電極２５９１は四辺形であり、電極２５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し
配置されている。
配線２５９４は、電極２５９２を挟む二つの電極２５９１と電気的に接続する。このと
き、電極２５９２と配線２５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい
。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキを低減
できる。その結果、タッチセンサ２５９５を透過する光の輝度のバラツキを低減すること
ができる。
なお、電極２５９１及び電極２５９２の形状はこれに限定されず、様々な形状を取りう
る。例えば、複数の電極２５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介
して電極２５９２を、電極２５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける
構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極２５９２の間に、これらとは電気的に
絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい
。
なお、電極２５９１、電極２５９２、配線２５９８などの導電膜、つまり、タッチパネ
ルを構成する配線や電極に用いることのできる材料として、酸化インジウム、酸化錫、酸
化亜鉛等を有する透明導電膜（例えば、ＩＴＯなど）が挙げられる。また、タッチパネル
を構成する配線や電極に用いることのできる材料として、例えば、抵抗値が低い方が好ま
しい。一例として、銀、銅、アルミニウム、カーボンナノチューブ、グラフェン、ハロゲ
ン化金属（ハロゲン化銀など）などを用いてもよい。さらに、非常に細くした（例えば、
直径が数ナノメール）複数の導電体を用いて構成されるような金属ナノワイヤを用いても
よい。または、導電体を網目状にした金属メッシュを用いてもよい。一例としては、Ａｇ
ナノワイヤ、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ、Ａｇメッシュ、Ｃｕメッシュ、Ａｌメッ
シュなどを用いてもよい。例えば、タッチパネルを構成する配線や電極にＡｇナノワイヤ
を用いる場合、可視光において透過率を８９％以上、シート抵抗値を４０Ω／□以上１０
０Ω／□以下とすることができる。また、上述したタッチパネルを構成する配線や電極に
用いることのできる材料の一例である、金属ナノワイヤ、金属メッシュ、カーボンナノチ
ューブ、グラフェンなどは、可視光において透過率が高いため、表示素子に用いる電極（
例えば、画素電極または共通電極など）として用いてもよい。
＜２－２．タッチセンサに関する説明＞
次に、図２６を用いて、タッチセンサ２５９５の詳細について説明する。図２６は、図
２５（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間の断面図に相当する。
タッチセンサ２５９５は、基板２５９０上に千鳥状に配置された電極２５９１及び電極
２５９２と、電極２５９１及び電極２５９２を覆う絶縁層２５９３と、隣り合う電極２５
９１を電気的に接続する配線２５９４とを有する。
電極２５９１及び電極２５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性
を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸
化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる
。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば酸化
グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加え
る方法等を挙げることができる。
例えば、透光性を有する導電性材料を基板２５９０上にスパッタリング法により成膜し
た後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して
、電極２５９１及び電極２５９２を形成することができる。
また、絶縁層２５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹
脂、またはシロキサン結合を有する樹脂材料、あるいは酸化シリコン、酸化窒化シリコン
、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることができる。
また、電極２５９１に達する開口が絶縁層２５９３に設けられ、配線２５９４が隣接す
る電極２５９１と電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高
めることができるため、配線２５９４に好適に用いることができる。また、電極２５９１
及び電極２５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線２５９４に好
適に用いることができる。
電極２５９２は、一方向に延在し、複数の電極２５９２がストライプ状に設けられてい
る。また、配線２５９４は電極２５９２と交差して設けられている。
一対の電極２５９１が１つの電極２５９２を挟んで設けられる。また、配線２５９４は
一対の電極２５９１を電気的に接続している。
なお、複数の電極２５９１は、１つの電極２５９２と必ずしも直交する方向に配置され
る必要はなく、０度を超えて９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
また、配線２５９８は、電極２５９１または電極２５９２と電気的に接続される。また
、配線２５９８の一部は、端子として機能する。配線２５９８としては、例えば、アルミ
ニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コ
バルト、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いること
ができる。
なお、絶縁層２５９３及び配線２５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ２５９５
を保護してもよい。
また、接続層２５９９は、配線２５９８とＦＰＣ２５０９（２）を電気的に接続させる
。
接続層２５９９としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
＜２－３．タッチパネルに関する説明＞
次に、図２７を用いて、タッチパネル２０００の詳細について説明する。図２７は、図
２５（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ３－Ｘ４間の断面図に相当する。
図２７に示すタッチパネル２０００は、図４及び図５で説明した画素１０を有する表示
装置５００と、図２６で説明したタッチセンサ２５９５と、を貼り合わせた構成である。
また、図２７に示すタッチパネル２０００は、図４及び図５で説明した画素１０を有す
る表示装置５００及び図２６で説明したタッチセンサ２５９５の他に、接着層２５９７と
、反射防止層２５６９と、を有する。
接着層２５９７は、配線２５９４と接して設けられる。なお、接着層２５９７は、タッ
チセンサ２５９５が表示装置５００に重なるように、基板２５９０を基板９０に貼り合わ
せている。また、接着層２５９７は、透光性を有すると好ましい。また、接着層２５９７
としては、熱硬化性樹脂、または紫外線硬化樹脂を用いることができる。例えば、アクリ
ル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシロキサン系樹脂を用いることがで
きる。
反射防止層２５６９は、画素１０に重なる位置に設けられる。反射防止層２５６９とし
て、例えば円偏光板を用いることができる。
また、タッチパネル２０００は、所謂アウトセル型のタッチパネルである。ただし、本
発明の一態様は、上記構成に限定されず、インセル型のタッチパネル、またはオンセル型
のタッチパネルとしてもよい。
＜２－４．タッチパネルの駆動方法に関する説明＞
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図２８を用いて説明を行う。
図２８（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図２８（
Ａ）では、パルス電圧出力回路２６０１、電流検出回路２６０２を示している。なお、図
２８（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極２６２１をＸ１－Ｘ６として、電流の変化
を検知する電極２６２２をＹ１－Ｙ６として、それぞれ６本の配線で例示している。また
、図２８（Ａ）は、電極２６２１と、電極２６２２とが重畳することで形成される容量２
６０３を示している。なお、電極２６２１と電極２６２２とはその機能を互いに置き換え
てもよい。
パルス電圧出力回路２６０１は、Ｘ１－Ｘ６の配線に順にパルス電圧を印加するための
回路である。Ｘ１－Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量２６０３を形成す
る電極２６２１と電極２６２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等
により容量２６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、ま
たは接触を検出することができる。
電流検出回路２６０２は、容量２６０３での相互容量の変化による、Ｙ１－Ｙ６の配線
での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１－Ｙ６の配線では、被検知体の近接、
または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または
接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検
出は、積分回路等を用いて行えばよい。
次に、図２８（Ｂ）には、図２８（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入
出力波形のタイミングチャートを示す。図２８（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行うものとする。また図２８（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（
非タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。な
おＹ１－Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示して
いる。
Ｘ１－Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１－
Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１－Ｘ６
の配線の電圧の変化に応じてＹ１－Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。
このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知
することができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態においては、本発明の一態様で開示されるトランジスタの酸化物半導体膜
に用いることができる金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）について説明を行う。
＜３－１．金属酸化物＞
本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属
の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む
）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）
などに分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属
酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用
、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物
半導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶこ
とができる。また、ＯＳ ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半
導体を有するトランジスタと換言することができる。
また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘ
ｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅ
ｔａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
また、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａ
ｌ）、及びＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合
がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一
例を表す。
また、本明細書等において、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅとは
、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体で
は半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅを、トランジスタの活性層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（ま
たはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能で
ある。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッ
チングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ
ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることが
できる。
また、本明細書等において、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、
導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁
性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性
領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域
とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウ
ド状に連結して観察される場合がある。
また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、
絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎ
ｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップ
を有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘ
ｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因する
ナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際
に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャッ
プを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有
する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記
ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域
に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流
、及び高い電界効果移動度を得ることができる。
すなわち、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合
材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ
ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を有する表示モジュール及び電子機器に
ついて、図２９乃至図３１を用いて説明を行う。
＜４－１．表示モジュール＞
図２９に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２と
の間に、ＦＰＣ８００３が接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５が接続され
た表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を
有する。
本発明の一態様の表示装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル
８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル
８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基
板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８
００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動
作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレ
ーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
＜４－２．電子機器＞
図３０（Ａ）乃至図３０（Ｅ）、及び図３１（Ａ）乃至図３１（Ｅ）は、電子機器を示
す図である。これらの電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、カメラ９００２、ス
ピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端
子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、
光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、
流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォ
ン９００８等を有する。
図３０（Ａ）乃至図３０（Ｅ）、及び図３１（Ａ）乃至図３１（Ｅ）に示す電子機器は
、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像
など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを
表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通
信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通
信機能を用いて様々なデータの送信または受信を行う機能、記録媒体に記録されているプ
ログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。な
お、図３０（Ａ）乃至図３０（Ｅ）、及び図３１（Ａ）乃至図３１（Ｅ）に示す電子機器
が有する機能はこれらに限定されず、その他の機能を有していてもよい。
図３０（Ａ）乃至図３０（Ｅ）、及び図３１（Ａ）乃至図３１（Ｅ）に示す電子機器の
詳細について、以下説明を行う。
図３０（Ａ）は、テレビジョン装置９１００を示す斜視図である。テレビジョン装置９
１００は、大画面、例えば、５０インチ以上、８０インチ以上、または１００インチ以上
の表示部９００１を組み込むことが可能である。
図３０（Ｂ）は携帯情報端末９１０１を、図３０（Ｃ）は携帯情報端末９１０２を、図
３０（Ｄ）は携帯情報端末９１０３を、図３０（Ｅ）は携帯情報端末９１０４を、それぞ
れ示す斜視図である。
図３０（Ｂ）に示す携帯情報端末９１０１は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等
から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いるこ
とができる。なお、図示していないが、携帯情報端末９１０１には、スピーカ９００３、
接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、
文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、３つの操作ボタン９０
５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００１の一の面に表示する
ことができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面（例えば
、側面）に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メールやＳ
ＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示、電
子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バッテ
リの残量、受信信号の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置に、
情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。また、携帯情報端
末９１０１が有する表示部９００１は、一部に曲面を有する。
図３０（Ｃ）に示す携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示
する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異
なる面に表示されている例を示す。例えば、携帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸
ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、その表示（ここでは情報９０５３）
を確認することができる。具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、
携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末９
１０２をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断でき
る。また、携帯情報端末９１０２が有する表示部９００１は、一部に曲面を有する。
図３０（Ｄ）に示す携帯情報端末９１０３は、先に示す携帯情報端末９１０１、９１０
２と異なり、表示部９００１が曲面を有さない構成である。
また、図３０（Ｅ）に示す携帯情報端末９１０４は、表示部９００１が湾曲している。
また、図３０（Ｅ）に図示するように、携帯情報端末９１０４にカメラ９００２を設け、
静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメ
ラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部９００１に表示する機能等を有すると
好ましい。
図３１（Ａ）は腕時計型の携帯情報端末９２００を、図３１（Ｂ）は腕時計型の携帯情
報端末９２０１を、それぞれ示す斜視図である。
図３１（Ａ）に示す携帯情報端末９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作
成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーション
を実行することができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲
した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格
された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセット
と相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端
末９２００は、接続端子９００６を有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データ
のやりとりを行うことができる。また接続端子９００６を介して充電を行うこともできる
。なお、充電動作は接続端子９００６を介さずに無線給電により行ってもよい。
また、図３１（Ｂ）に示す携帯情報端末９２０１は、図３１（Ａ）に示す携帯情報端末
９２００と異なり、表示部９００１の表示面が湾曲していない。また、携帯情報端末９２
０１の表示部の外形が非矩形状（図３１（Ｂ）においては円形状）である。
図３１（Ｃ）乃至図３１（Ｅ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０２を示す斜視図
である。なお、図３１（Ｃ）が携帯情報端末９２０２を展開した状態の斜視図であり、図
３１（Ｄ）が携帯情報端末９２０２を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方
に変化する途中の状態の斜視図であり、図３１（Ｅ）が携帯情報端末９２０２を折り畳ん
だ状態の斜視図である。
携帯情報端末９２０２は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ
目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０２が有する表示
部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている
。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることにより、携帯情報端末
９２０２を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。例え
ば、携帯情報端末９２０２は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる
。
なお、本発明の一態様である表示装置は、表示部９００１に好適に用いることができる
。
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有す
ることを特徴とする。ただし、本発明の一態様の半導体装置は、表示部を有さない電子機
器にも適用することができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
ＡＮＯＤＥ 配線
ＣＡＴＨＯＤＥ 配線
ＣＳＣＯＭ 配線
Ｃｓ＿Ｅ１ 容量素子
Ｃｓ＿Ｅ２ 容量素子
Ｃｓ＿Ｅ３ 容量素子
Ｃｓ＿Ｅ４ 容量素子
Ｃｓ＿Ｅ５ 容量素子
Ｃｓ＿Ｅ６ 容量素子
Ｃｓ＿Ｅ７ 容量素子
Ｃｓ＿Ｅ８ 容量素子
Ｃｓ＿Ｌ 容量素子
ＧＬ＿Ｅ１ 走査線
ＧＬ＿Ｅ２ 走査線
ＧＬ＿Ｌ 走査線
ＭＡ１ トランジスタ
ＭＡ２ トランジスタ
ＭＡ３ トランジスタ
ＭＡ４ トランジスタ
ＭＡ５ トランジスタ
ＭＢ１ トランジスタ
ＭＢ２ トランジスタ
ＭＢ３ トランジスタ
ＭＢ４ トランジスタ
ＳＬ＿Ｅ１ 信号線
ＳＬ＿Ｅ２ 信号線
ＳＬ＿Ｌ 信号線
ＴＣＯＭ 配線
Ｔｒ１ トランジスタ
Ｔｒ２ トランジスタ
Ｔｒ３ トランジスタ
Ｔｒ４ トランジスタ
Ｔｒ５ トランジスタ
１０ 画素
１２ 表示素子
１２ｄ 表示領域
１４ 表示素子
１４ａ 表示素子
１４ｂ 表示素子
１４Ｂ 表示素子
１４Ｂｄ 表示領域
１４ｄ 表示領域
１４Ｇ 表示素子
１４Ｇｄ 表示領域
１４Ｒ 表示素子
１４Ｒｄ 表示領域
１４Ｗ 表示素子
１４Ｗｄ 表示領域
１６ 容量素子
１８ 容量素子
３０ 基板
３１ 導電膜
３２ 絶縁膜
３４ 絶縁膜
３６ 導電膜
３８ 導電膜
４０ 絶縁膜
４２ 導電膜
４４ 絶縁膜
４５ 開口部
４６ａ 導電膜
４６ｂ 導電膜
４６ｃ 導電膜
４６ｄ 導電膜
４６ｅ 導電膜
４６ｆ 導電膜
４８ 絶縁膜
５０ａ 酸化物半導体膜
５０ｂ 酸化物半導体膜
５０ｃ 酸化物半導体膜
５１ 開口部
５２ａ 導電膜
５２ｂ 導電膜
５２ｃ 導電膜
５２ｄ 導電膜
５２ｅ 導電膜
５２ｆ 導電膜
５２ｇ 導電膜
５２ｈ 導電膜
５４ 絶縁膜
５５ 開口部
５６ａ 酸化物半導体膜
５６ｂ 酸化物半導体膜
５８ａ 導電膜
５８ｂ 導電膜
５８ｃ 導電膜
５８ｄ 導電膜
６２ 絶縁膜
６３ａ 開口部
６３ｂ 開口部
６３ｃ 開口部
６４ａ 導電膜
６４ｂ 導電膜
６８ 絶縁膜
６９ 着色膜
７０ａ 導電膜
７０ｂ 導電膜
７２ 絶縁膜
７６ ＥＬ層
７８ 導電膜
８０ 基板
８２ 封止材
９０ 基板
９２ 導電膜
９４ 配向膜
９６ 液晶層
９８ 配向膜
５００ 表示装置
５０２ 画素部
５０４ａ ゲートドライバ回路部
５０４ｂ ゲートドライバ回路部
５０６ ソースドライバ回路部
５０８ 外部回路
２０００ タッチパネル
２５０９ ＦＰＣ
２５１１ 配線
２５１９ 端子
２５６９ 反射防止層
２５９０ 基板
２５９１ 電極
２５９２ 電極
２５９３ 絶縁層
２５９４ 配線
２５９５ タッチセンサ
２５９７ 接着層
２５９８ 配線
２５９９ 接続層
２６０１ パルス電圧出力回路
２６０２ 電流検出回路
２６０３ 容量
２６２１ 電極
２６２２ 電極
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００２ カメラ
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ 操作ボタン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１００ テレビジョン装置
９１０１ 携帯情報端末
９１０２ 携帯情報端末
９１０３ 携帯情報端末
９１０４ 携帯情報端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末
９２０２ 携帯情報端末

Claims (3)

  1. 第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを有し、
    前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極上方の第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜上方の第２のゲート電極と、前記第１の酸化物半導体膜のソース領域またはドレイン領域の一方と電気的に接続された第１の導電膜と、を有し、
    前記第２のトランジスタは、第３のゲート電極と、前記第３のゲート電極上方の第２の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜のソース領域又はドレイン領域の一方と電気的に接続された第２の導電膜と、を有し、
    前記第１のゲート電極と、前記第２の導電膜とは、第１の絶縁膜上に接して設けられている、半導体装置。
  2. 請求項１において、
    前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタを有する第１の画素と、
    前記第１の画素と隣接する第２の画素と、を有し、
    前記第２の導電膜は、前記第１の画素と前記第２の画素とにおいて連続して設けられている、半導体装置。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記第１の酸化物半導体膜のソース領域又はドレイン領域の他方と電気的に接続された第３の導電膜と、
    前記第３の導電膜と電気的に接続された表示素子と、を有し、
    前記第３の導電膜と表示素子の一方の電極とは、ともにＩＴＯを有する、半導体装置。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019187102A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、表示装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法
CN110148630B (zh) * 2019-04-23 2020-10-16 北京大学 一种双栅小带隙半导体晶体管及其制备方法
GB202017982D0 (en) * 2020-11-16 2020-12-30 Smartkem Ltd Organic thin film transistor

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003228304A (ja) * 2002-01-31 2003-08-15 Toyota Industries Corp 表示装置
JP4122828B2 (ja) 2002-04-30 2008-07-23 日本電気株式会社 表示装置及びその駆動方法
JP2004361424A (ja) 2003-03-19 2004-12-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 素子基板、発光装置及び発光装置の駆動方法
KR20070081829A (ko) 2006-02-14 2007-08-20 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9397308B2 (en) 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
KR101651224B1 (ko) 2008-06-04 2016-09-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8617920B2 (en) 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR101806271B1 (ko) 2010-05-14 2017-12-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI573277B (zh) 2011-05-05 2017-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8981367B2 (en) 2011-12-01 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
US8860022B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
TWI742574B (zh) 2013-05-16 2021-10-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI624936B (zh) 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9583516B2 (en) 2013-10-25 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2015079756A1 (ja) 2013-11-26 2015-06-04 シャープ株式会社 半導体装置
JP6570825B2 (ja) 2013-12-12 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
JP2015176800A (ja) 2014-03-17 2015-10-05 株式会社ジャパンディスプレイ 発光表示装置
JP6518890B2 (ja) * 2014-03-31 2019-05-29 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
CN110176482B (zh) 2014-07-25 2023-08-08 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
WO2017081586A1 (en) 2015-11-13 2017-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, input/output device, and data processing device
CN113327948A (zh) 2015-12-28 2021-08-31 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置
JP6895794B2 (ja) 2016-04-27 2021-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュールおよび電子機器

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