CN112997235B - 显示装置及显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

提高显示装置的制造成品率。提高显示装置的对ESD的耐性。显示装置包括衬底、显示部、连接端子、第一布线、第二布线。第一布线与连接端子电连接且包括位于连接端子与显示部之间的部分。第二布线与连接端子电连接，位于连接端子与衬底的端部之间，且在衬底的端部包括侧面露出的部分。显示部包括晶体管。晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极。此外，半导体层及第二布线包含金属氧化物。

Description

显示装置及显示装置的制造方法
技术领域
本发明的一个方式涉及一种显示装置。本发明的一个方式涉及一种显示装置的制造方法。
注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本说明书等所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、其驱动方法或者其制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。
背景技术
已知应用有机EL(Electro Luminescence：电致发光)元件或液晶元件的显示装置。作为一个例子，除了上述显示装置以外还可以举出具备发光二极管(LED：LightEmitting Diode)等发光元件的发光装置、以电泳方式等进行显示的电子纸等。
作为可用于构成显示装置的像素的晶体管的半导体材料，使用金属氧化物的氧化物半导体受到瞩目。例如，专利文献1公开了如下半导体装置：层叠有多个氧化物半导体层，在该多个氧化物半导体层中，被用作沟道的氧化物半导体层包含铟及镓，并且使铟的比率比镓的比率高，而场效应迁移率(有时，简称为迁移率或μFE)得到提高的半导体装置。
由于能够用于半导体层的金属氧化物可以利用溅射法等形成，所以可以被用于构成大型显示装置的晶体管的半导体层。此外，因为可以将使用多晶硅或非晶硅的晶体管的生产设备的一部分改良而利用，所以还可以抑制设备投资。此外，与使用非晶硅的晶体管相比，使用金属氧化物的晶体管具有高场效应迁移率，所以可以实现设置有驱动电路的高性能的显示装置。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2014-7399号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在显示装置的制造工序中，有时因静电放电(ESD：Electro Static Discharge)产生的过电压等导致晶体管或电容器等的损坏。尤其是，在使用大型玻璃衬底等绝缘衬底制造显示装置时，布线等中电荷容易积累，这导致成品率下降。
本发明的一个方式的目的之一是提高显示装置的制造成品率。此外，本发明的一个方式的目的之一是加强显示装置的ESD耐受性。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有新颖的结构的显示装置。
注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的目的。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式是一种显示装置，包括：衬底；显示部；连接端子；第一布线；以及第二布线。第一布线与连接端子电连接且包括位于连接端子与显示部之间的部分。第二布线与连接端子电连接，位于连接端子与衬底的端部之间，且在衬底的端部包括侧面露出的部分。显示部包括晶体管。晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极。半导体层及第二布线包含金属氧化物。
在上述中半导体层与第二布线优选设置于同一面上并包含同一金属元素。
在上述中，半导体层优选包括与栅电极重叠的第一区域、不与栅电极重叠的第二区域。此时，第二区域及第二布线的电阻优选比第一区域低。
在上述中，第二布线的电阻优选比第一布线高。
在上述中，优选包括与晶体管电连接的第三布线。此时，第三布线与第一布线优选设置于同一面上并包含同一金属元素。
在上述中，连接端子优选包括第一布线的一部分。
在上述中，优选包括与连接端子电连接的FPC。此时，FPC优选包括与第二布线重叠的部分。
在上述中，衬底优选包括与第一布线重叠的第一部分以及与连接端子及第二布线重叠的第二部分。此时，第一部分优选以第一布线朝向外侧的方式弯曲，并且第二部分优选包括与第一布线或显示部重叠的区域。
本发明的另一个方式是一种显示装置的制造方法，包括：在衬底上形成包括半导体层的晶体管、多个连接端子及电连接该多个连接端子的布线；截断衬底的一部分及布线的一部分使多个连接端子电隔离；以及连接多个连接端子与FPC。半导体层及布线优选加工同一金属氧化物膜形成。
发明效果
根据本发明的一个方式可以提高显示装置的制造成品率。此外，根据本发明的一个方式可以加强显示装置的ESD耐受性。此外，根据本发明的一个方式可以提供一种可靠性高的显示装置。此外，根据本发明的一个方式可以提供一种具有新颖的结构的显示装置。
注意，这些效果的记载并不妨碍其他效果的存在。注意，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的效果。
附图说明
图1A至图1D是示出显示装置的结构例子的图。
图2A至图2D是示出显示装置的结构例子的图。
图3是示出显示装置的结构例子的图。
图4A及图4B是示出显示装置的截面结构例子的图。
图5A及图5B是示出显示装置的截面结构例子的图。
图6A及图6B是示出显示装置的截面结构例子的图。
图7A及图7B是示出显示装置的截面结构例子的图。
图8A至图8C是示出显示装置的结构例子的图。
图9A至图9C是示出显示装置的结构例子的图。
图10A至图10L是示出布线的结构例子的图。
图11是示出显示装置的截面结构例子的图。
图12是示出显示装置的截面结构例子的图。
图13是示出显示装置的截面结构例子的图。
图14A至图14E是示出TEG的结构例子的图。
图15A是显示装置的方框图。图15B及图15C是像素的电路图。
图16A、图16C及图16D是显示装置的电路图。图16B是时序图。
图17A及图17B是示出显示模块的结构例子的图。
图18A至图18C是示出电子设备的结构例子的图。
图19A至图19E是示出电子设备的结构例子的图。
图20A至图20G是示出电子设备的结构例子的图。
图21A至图21D是示出电子设备的结构例子的图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。但是，实施方式可以以多个不同方式来实施，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式而不脱离本发明的宗旨及其范围。因此，本发明不应该被解释为仅限定在以下所示的实施方式所记载的内容中。
注意，在以下说明的发明的结构中，在不同的附图之间共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。此外，当表示具有相同功能的部分时有时使用相同的阴影线，而不特别附加附图标记。
在本说明书所说明的附图中，为便于清楚地说明，有时夸大表示各构成要素的尺寸、层的厚度或区域。因此，本发明并不局限于附图中的尺寸。
在本说明书等中使用的“第一”、“第二”等序数词是为了避免构成要素的混淆而附记的，而不是为了在数目方面上进行限定的。
晶体管是半导体元件的一种，并且可以进行电流或电压的放大、控制导通或非导通的开关工作等。本说明书中的晶体管包括IGFET(Insulated Gate Field EffectTransistor：绝缘栅场效应晶体管)和薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)。
另外，在使用极性不同的晶体管的情况或电路工作的电流方向变化的情况等下，“源极”及“漏极”的功能有时被互相调换。因此，在本说明书等中，可以互相调换使用“源极”和“漏极”。
在本说明书等中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”变换为“导电膜”。此外，例如，有时可以将“绝缘膜”变换为“绝缘层”。
在本说明书等中，显示装置的一个方式的显示面板是指能够在显示面显示(输出)图像等的面板。因此，显示面板是输出装置的一个方式。
在本说明书等中，有时将在显示面板的衬底上安装有例如FPC(Flexible PrintedCircuit：柔性印刷电路)或TCP(Tape Carrier Package：载带封装)等连接器的结构或在衬底上以COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式等直接安装IC(集成电路)的结构称为显示面板模块或显示模块，或者也简称为显示面板等。
注意，在本说明书等中，显示装置的一个方式的触摸面板具有如下功能：在显示面显示图像等的功能；以及检测出手指或触屏笔等被检测体接触、按压或靠近显示面的作为触摸传感器的功能。因此，触摸面板是输入输出装置的一个方式。
触摸面板例如也可以称为具有触摸传感器的显示面板(或显示装置)、具有触摸传感器功能的显示面板(或显示装置)。触摸面板也可以包括显示面板及触摸传感器面板。或者，也可以具有在显示面板内部或表面具有触摸传感器的功能的结构。
在本说明书等中，有时将在触摸面板的衬底上安装有连接器或IC的结构称为触摸面板模块、显示模块，或者简称为触摸面板等。
(实施方式1)
在本实施方式中对本发明的一个方式的显示装置的结构例子及制造方法例子进行说明。
本发明的一个方式是衬底上设置有显示部及多个连接端子的显示装置。
显示部是显示图像的区域，其中包括显示元件的多个像素配置为矩阵状。像素优选包括一个以上的显示元件以及一个以上的晶体管。
连接端子为与FPC(Flexible Printed Circuit：柔性印刷电路)或IC等连接的端子。连接端子至少由一个导电层构成，具有其表面露出的结构。
连接端子与显示部之间设置有第一布线。第一布线与连接端子电连接，具有从该连接端子供应的信号或电位供应给显示部或用来驱动显示部的驱动电路的功能。第一布线优选具有低电阻。第一布线与构成晶体管或显示元件的电极或布线例如优选位于同一面上，加工与其相同的导电膜来形成。
在显示装置的制造工序中，设置电连接多个连接端子的第二布线。通过第二布线多个连接端子彼此电连接，减轻显示装置的制造工序中的ESD的影响，由此可以适当地抑制显示装置所包括的元件或布线等被损坏。作为在显示装置的制造工序中会产生ESD的处理，例如有衬底传送、成膜或蚀刻等中的等离子体处理、湿蚀刻处理、显影处理、洗涤处理等各种处理。
第二布线优选在形成显示部及多个连接端子等之后的分割(也称为截断)衬底的工序中与衬底同时被截断。由此，可以在衬底的分割工序中同时使多个连接端子电隔离。然后，通过多个连接端子与FPC或IC连接，可以完成显示装置(显示模块)。
第二布线优选加工半导体膜形成。此时，优选通过使用载流子浓度得到提高且低电阻化的半导体膜形成第二布线。
尤其是，第二布线优选加工与显示部或驱动电路所包括的晶体管的半导体层相同的半导体膜形成。晶体管的半导体层包括沟道会形成的沟道形成区域以及夹着该沟道形成区域的其电阻比沟道形成区域低的低电阻区域。第二布线与该半导体层的低电阻区域同样优选由低电阻化的半导体膜构成。半导体层可以包括硅(单晶硅、多晶硅或非晶硅)膜或有机半导体膜等构成，尤其优选包括呈现半导体特性的金属氧化物膜(也称为氧化物半导体膜)。
在衬底分割后，在衬底的端面附近(也称为端部)第二布线的截断面(也称为端面、侧面)露出。这里，作为第二布线，在使用金属膜等低电阻材料时，电噪声有可能从露出的第二布线的端部传到连接端子或者构成安装有显示装置的设备的外壳及各种构件与第二布线的截断面接触，由此连接端子有可能电短路。另一方面，由于本发明的一个方式的显示装置作为第二布线使用其导电性比金属膜低的半导体膜，不容易产生上述不良现象。尤其是，通过作为第二布线使用金属氧化物膜，可以与使用金属膜的情况相比提高与金属构件接触时的接触电阻。
第二布线的电阻率、布线的每单位长度的电阻值或薄层电阻在室温下为第一布线的2倍以上，优选为5倍以上，更优选为10倍以上，进一步优选为100倍以上，且为10000倍以下，优选为5000倍以下，更优选为1000倍以下。例如优选将从电阻值或薄层电阻算出的电阻率为1×10-7[Ω·m]以上且1×10-3[Ω·m]以下，优选为1×10-6[Ω·m]以上且1×10-4[Ω·m]以下的金属氧化物膜用于第二布线。
再者，与连接端子连接的FPC的一部分优选与残留在衬底一侧的第二布线重叠的方式设置。尤其是，FPC的一部分优选延伸到重叠于衬底的端面的位置且以覆盖第二布线的露出的端面的方式设置。由此，可以适当地防止构成安装有显示装置的设备的外壳或各种构件与第二布线的端面接触。
通过将柔性材料用于衬底，也可以形成能够弯曲的显示装置(柔性显示器)。此时，衬底包括支撑衬底、支撑薄膜、保护薄膜等。此外，通过将衬底的与第一布线重叠的部分(第一部分)向与显示部的显示面一侧相反的一侧以第一布线朝向外侧的方式弯曲，可以使衬底的与连接端子及第二布线重叠的部分(第二部分)处于与第一布线的一部分或显示部重叠的状态。由此，可以将连接端子及FPC向显示面的背面一侧折叠，由此可以实现安装有显示装置的设备的小型化。
以下参照附图对显示装置的更具体的例子进行说明。
[显示装置的结构例子1]
图1A所示的显示装置10包括衬底21、衬底22、显示部11、多个连接端子12、多个布线13及布线14。图1A相当于截断布线14之前的立体图。
衬底21与衬底22重叠的区域设置有显示部11。显示部11为显示图像的部分，其中未图示的多个像素设置为矩阵状。注意，若不需要可以不设置衬底22。
作为设置于显示部11的像素中的显示元件，可以举出液晶元件、发光元件等。
作为发光元件，可以举出LED(Light Emitting Diode：发光二极管)、OLED(Organic LED：有机发光二极管)、QLED(Quantum-dot LED：量子点发光二极管)、半导体激光器等自发光性发光元件。
作为有机EL元件(OLED)，可以举出向被形成面一侧发射光的底部发射型、向与被形成面一侧相反一侧发射光的顶部发射型以及向双方发射光的双面发射型，可以采用任意个结构。尤其是，通过使用顶部发射型发光元件可以提高开口率，容易实现高清晰化，并可以提高发光元件的亮度，因此是优选的。
作为发光二极管(LED)，按照尺寸大小依次包括大型(Macro)LED(也称为巨型LED)、小型LED、微型LED等。在此，将边长为大于1mm的LED芯片称为大型LED、大于100μm且1mm以下的称为小型LED、100μm以下的称为微型LED。作为适用于显示部11的LED，尤其优选使用小型LED或微型LED。通过使用微型LED，可以实现分辨率极高的显示装置。
另外，作为显示元件，也可以使用透射式液晶元件、反射式液晶元件及半透射式液晶元件等的液晶元件。另外，可以使用快门方式或光干涉方式的MEMS(Micro ElectroMechanical Systems：微电子机械系统)元件或采用微囊方式、电泳方式、电润湿方式或电子粉流体(注册商标)方式等的显示元件等。
连接端子12、布线13及布线14设置在衬底21上。连接端子12被用作与后面说明的FPC16或IC19等电连接的端子。连接端子12设置于衬底21的不被衬底22覆盖的区域。
布线13电连接连接端子12与显示装置10的显示部11或驱动电路(未图示)等。
布线14具有电连接多个连接端子12的功能。布线14优选具有在一次截断工序中可以容易使多个连接端子12电隔离的形状。例如如图1A所示，布线14优选具有梳齿状的形状，其中包括从各连接端子12延伸的多个部分以及这些多个部分彼此连接的部分。此时，在以布线14的上述从连接端子12延伸的部分与衬底21的划分线(记为点划线)交叉的方式设置时，可以在衬底21的分割工序中同时截断布线14，因此是优选的。
图1B示出截断衬底21及布线14之后的立体图。图1B示出从衬底21分离的衬底21a及截断后的布线14a。
衬底21的分割可以使用划片器、激光划片器、切割器、剪断装置等。此外，在作为衬底21使用具有柔性的薄膜等时，也可以使用切割器、激光切割器、押切器或打孔加工装置(冲孔装置)等。作为打孔加工装置，有使用模具的装置或使用汤姆森模(在木模具中嵌入钢刀具的模具)的装置。
通过在分割衬底21的同时截断布线14，在衬底21一侧形成多个布线15，且多个连接端子12彼此电隔离。布线15分别与连接端子12的每一个电连接。此外，布线15的与连接端子12相反一侧的端部在衬底21的端部的截断面(也称为侧面、端面)露出。
图1C相当于将FPC16安装到多个连接端子12之后的立体图。注意，可以除了FPC16以外另行安装IC，也可以将安装有IC的FPC安装于连接端子12。
图1D示出显示装置10的衬底21的截断面及其附近的截面示意图。图1D还示出截断的衬底21a及布线14a。
显示装置10在衬底21与衬底22之间包括晶体管30、布线13、连接端子12及布线15等。此外，衬底21与衬底22被粘合层25贴合。晶体管30为构成显示部11的像素的晶体管或者构成驱动显示部11的驱动电路的晶体管。
晶体管30设置在衬底21上的绝缘层41上，并包括半导体层31、导电层32、绝缘层33。导电层32的一部分被用作栅电极。绝缘层33的一部分被用作栅极绝缘层。半导体层31的与导电层32重叠的区域被用作沟道形成区域。此外，半导体层31中夹着沟道形成区域设置有一对低电阻区域34。
半导体层31优选使用呈现半导体特性的金属氧化物(氧化物半导体)。注意，半导体层31也可以使用硅或有机半导体等，通过使用氧化物半导体，与使用硅或有机半导体等的情况相比，可以制造成本低且性能高的显示装置。
一对低电阻区域34被用作晶体管30的源区域及漏区域。低电阻区域34为其电阻比沟道形成区域低的区域。低电阻区域34也可以说是与沟道形成区域相比其载流子浓度更高的区域、氧空位量更多的区域、氢浓度更高的区域或者杂质浓度更高的区域。
以覆盖晶体管30的方式设置绝缘层42，绝缘层42上设置有布线13。图1D示出布线13通过设置在绝缘层42中的开口与晶体管30的低电阻区域34电连接的例子。此外，以覆盖布线13的方式设置绝缘层43。
图1D示出布线13的一部分构成连接端子12的例子。在连接端子12上布线13上的绝缘层43的一部分被去除。注意，虽然这里示出布线13与晶体管30的源极和漏极中的一个电连接的例子，但是也可以与晶体管30的栅极电连接。
衬底21的端部设置有布线15。布线15与半导体层31设置于同一面上(就是说，绝缘层41上)。布线15及半导体层31优选加工相同的半导体膜形成。此外，布线15与半导体层31的低电阻区域34同样地优选具有比沟道形成区域低的电阻。此外，布线15优选具有比布线13高的电阻。
在衬底21的端面附近(端部)布线15的截断面(也称为端面或侧面)露出。图1D示出衬底21的侧面、绝缘层41的侧面、布线15的侧面、绝缘层42的侧面及绝缘层43的侧面对齐的例子。注意，在由于分割衬底21a时的应力缓和各绝缘层或布线15向各个膜表面方向缩小或延伸的情况等下，有时这些侧面(端面)不对齐。例如布线15的端面有时位于衬底21的端面的内侧或向衬底21的端面的外侧突出。
注意，在本说明书等中记为衬底的端部时，是指包括从衬底的端面至内侧10mm的范围的区域、至内侧5mm的范围的区域或者至内侧3mm的范围的区域以及与衬底的该区域重叠的区域。此外，在记为衬底的端部时也包括衬底的端面。
连接端子12通过连接体17与FPC16连接。FPC16包括与布线15重叠的区域。此外，FPC16还与衬底21的端面及布线15的端面重叠，并以覆盖它们的方式设置。因此，即使布线15的端面露出也由FPC16的一部分保护，因此可以适当地防止导电构件与多个布线15接触而发生电短路等。此外，通过采用由FPC16覆盖布线15的端面的结构，有时FPC16可以遮蔽或减少从外部会输入到布线15的电噪声。
注意，虽然上面说明与分割衬底21的同时截断布线14的例子，但是也可以在与衬底21的分割不同的工序中截断布线14。此时，有时布线15的端面位于衬底21的端面的内侧且其表面不露出。
以下说明布线15等的俯视形状例子。图2A示出连接端子12及衬底21的端部附近的俯视示意图。此外，图2A示出分割后的衬底21a及截断后的布线14a。
如图2A所示，布线15以延伸在连接端子12至衬底21的截断面(端面)的方式设置。
图2A示出布线15的宽度比连接端子12的宽度窄的例子。此外，图2B示出布线15的宽度与连接端子12的宽度大致相同时的例子。此外，这里未示出，布线15的宽度也可以比连接端子12的宽度宽。布线15的宽度越宽可以使电阻越小。布线15的宽度可以根据所需要的布线电阻值选择。
此外，图2C示出衬底21的端部处的布线15的排列间隔比连接端子12的排列间隔窄的情况的例子。由此，在衬底21的分割工序中，由于可以使布线14的截断部分的宽度变窄所以可以提高工序成品率。
图2D示出在不分割衬底21而仅截断布线14的情况的例子。例如，通过利用激光加工器或切割器等截断布线14或者利用蚀刻去除布线14的一部分，不分割衬底21而仅截断布线14，可以使多个连接端子12电隔离。
图2D中以虚线示出截断布线14时产生的加工痕迹14b。加工痕迹14b的方式根据布线14的截断方法不同。例如在利用激光加工器或切割器等截断布线14时，残留在设置于布线14的上部或下部的绝缘膜或衬底21等中的损伤或凹凸、开口部等相当于加工痕迹14b。此外，在利用蚀刻截断布线14时，设置在覆盖布线14的绝缘膜等中的开口部相当于加工痕迹14b。
这里，布线14的截断工序优选在例如使用大型衬底制造多个显示装置时兼作按每个显示装置分割衬底的工序。由此可以提高生产率。
图3作为一个例子示出分割前的衬底21等。这里示出在一个衬底21上形成纵三个×横两个的总共六个显示装置的例子。此外，图3中以虚线示出多个截断线20a至20c。
图3示出跨越配置在纵方向上的多个显示装置设置带状的衬底22的情况的例子。在图3中，连接端子12、布线13的一部分及布线14设置在衬底21的不被衬底22覆盖的区域。
截断线20b是分割在横方向上相邻的两个显示装置的截断线。此外，截断线20c是分割在纵方向上相邻的两个显示装置的截断线。截断线20a与截断线20b平行，是分割衬底21与布线14的截断线。
[截面结构例子1]
以下说明显示装置10的更具体的截面结构例子。
[结构例子1]
图4A示出显示装置10的截面图。图4A示出包括衬底21的端部、布线15、连接端子12、布线13及设置在显示部11的晶体管30a的区域的截面图的例子。
注意，为了简化起见，未示出显示部11的显示元件或衬底22等。
晶体管30a包括设置在绝缘层41上的半导体层31、半导体层31上的绝缘层33、绝缘层33上的与半导体层31的沟道形成区域重叠的导电层32。此外，半导体层31包括夹着沟道形成区域的一对低电阻区域34。导电层32的一部分被用作栅电极，且绝缘层33的一部分被用作栅极绝缘层。
晶体管30a是在半导体层31的上方具有栅电极的所谓顶栅型晶体管。
此外，绝缘层33以其俯视形状与导电层32大致一致的方式被加工。绝缘层42以覆盖晶体管30a且与半导体层31的低电阻区域34的顶面接触的方式设置。绝缘层41上设置有被用作源电极及漏电极的一对导电层35。导电层35各自通过设置在绝缘层42中的开口与低电阻区域34电连接。
在本说明书等中，“俯视形状大致一致”是指叠层中的每一个层的边缘的至少一部分重叠。例如，还是指上层及下层的一部分或全部通过同一的掩模图案被加工的情况。但是，实际上有边缘不重叠的情况，例如，上层位于下层的内侧或者上层位于下层的外侧，这种情况也可以说“俯视形状大致一致”。
与连接端子12电连接的布线13与电连接于晶体管30a的一对导电层35位于同一面上(即绝缘层42上)。这里，布线13优选加工与导电层35相同的导电膜形成。
此外，以覆盖绝缘层42及导电层35的方式设置绝缘层43。绝缘层43也可以被用作平坦化层。此外，绝缘层43上设置有导电层38。导电层38被用作像素电极或布线等。
连接端子12具有导电层32p、导电层35p及导电层38p层叠的叠层结构。
导电层32p与导电层32位于同一面上。此时，导电层32p优选加工与导电层32相同的导电膜形成。
导电层35p构成布线13的一部分。导电层35p通过设置在绝缘层42中的开口与导电层32p电连接。导电层35p与导电层35位于同一面上。此时，导电层35p优选加工与导电层35相同的导电膜形成。
导电层38p设置于绝缘层43上，通过设置在绝缘层43中的开口与导电层35p电连接。导电层38p与导电层38位于同一面上。此时，导电层38p优选加工与导电层38相同的导电膜形成。
这里，连接端子12的表面优选使用不容易氧化的导电材料或者即使氧化也保持导电性的导电材料。尤其是，作为位于连接端子12的表面一侧的导电层，优选使用导电氧化物或导电氮化物。
在图4A所示的连接端子12的结构中，被露出的导电层38p的表面相当于与FPC16等连接的部分。因此，导电层38p的至少上部优选使用导电氧化物材料等。例如，在将包含金属或合金的导电膜与包含导电氧化物的导电膜的叠层结构用于导电层38p时，可以降低电阻，因此是优选的。
注意，连接端子12的结构不局限于此，包括导电层32p、导电层35p和导电层38p中的至少一个即可。尤其是优选包括导电层35p。
衬底21的端部设置有布线15。图4A示出在衬底21的端部层叠衬底21、绝缘层41、布线15、绝缘层42及绝缘层43且这些端面(截断面)大致对齐的例子。
布线15与晶体管30a的半导体层31位于同一面上(这里绝缘层41上)。尤其是，布线15优选加工与半导体层31相同的膜形成。此外，布线15优选与半导体层31所包括的低电阻区域34同样地具有低电阻。
图4A中以虚线示出导电层35p与布线15的连接部18。这里，在连接部18中通过设置在绝缘层42中的开口导电层35p与布线15电连接。
[结构例子2]
图4B与图4A的主要不同之处在于晶体管的结构及连接端子12的结构的一部分。
图4B所示的晶体管30b在衬底21与绝缘层41之间包括与半导体层31的沟道形成区域重叠的导电层36。在晶体管30b中，导电层36被用作第一栅电极，导电层32被用作第二栅电极。此外，此时，绝缘层41的一部分被用作第一栅极绝缘层，绝缘层33的一部分被用作第二栅极绝缘层。
导电层32与导电层36也可以被供应不同电位或信号。或者，也可以使导电层32与导电层36电连接且被供应相同的电位或信号。或者，也可以使导电层36与一对导电层35中的任一个电连接。
连接端子12包括导电层36p。导电层36p与导电层36位于同一面上。此时，导电层36p优选加工与导电层36相同的导电膜形成。
导电层36p与导电层32p通过设置在绝缘层41及绝缘层33的一部分的开口电连接。
[结构例子3]
图5A与图4A的主要不同之处在于晶体管的结构的一部分。
图5A所示的晶体管30c中以绝缘层33覆盖半导体层31的顶面及侧面(即低电阻区域34的顶面及侧面)的方式设置。此外，布线15的顶面及侧面也同样地被绝缘层33覆盖。
[结构例子4]
图5B与图4B的主要不同之处在于晶体管的结构的一部分。
图5B所示的晶体管30d中以绝缘层33覆盖半导体层31的顶面及侧面(即低电阻区域34的顶面及侧面)的方式设置。此外，布线15的顶面及侧面也同样地被绝缘层33覆盖。
[结构例子5]
图6A是使用与上述结构不同的晶体管40的情况的例子。
晶体管40包括设置在衬底21上的导电层32、覆盖导电层32的绝缘层33、位于绝缘层33上且包括与导电层32重叠的区域的半导体层31、与半导体层31的顶面接触的一对导电层35。
晶体管40是在半导体层31的下方包括栅电极的所谓底栅型晶体管。
半导体层31的与导电层32重叠且不与导电层35接触的区域被用作沟道形成区域。此外，半导体层31的与导电层35接触的区域被用作低电阻区域34。
此外，以覆盖晶体管40的方式设置绝缘层45，绝缘层45上设置有绝缘层43及导电层38。绝缘层45的一部分以与半导体层31的沟道形成区域的顶面接触的方式设置。
连接端子12包括导电层32p、导电层35p及导电层38p。导电层32p与导电层35p通过设置在绝缘层33中的开口电连接。导电层35p与导电层38p通过设置在绝缘层45及绝缘层43中的开口电连接。
布线15设置于绝缘层33上。此外，在连接部18中导电层35p与布线15接触并电连接。
这里，在绝缘层45与布线15的顶面接触时，由于实现与晶体管40的沟道形成区域同样的叠层结构，所以有时布线15高电阻化。因此，如图6A所示，绝缘层45优选以不与布线15的顶面接触的方式加工。图6A示出与布线15的顶面接触地设置绝缘层43的例子。
[结构例子6]
图6B与图6A的主要不同之处在于包括绝缘层46代替绝缘层43以及包括导电层37。
绝缘层46被用作防止水或氢等从外部扩散的阻挡膜。此外，绝缘层46也可以具有将包含在绝缘层45中的氧释放到外部的功能。
晶体管40a包括被用作第二栅电极的导电层37。导电层37包括隔着绝缘层45及绝缘层46与半导体层31的沟道形成区域重叠的区域。导电层37优选加工与导电层38相同的导电膜形成。
连接端子12包括导电层32p、导电层35p及导电层38p。导电层35p与导电层38p通过设置在绝缘层45及绝缘层46中的开口电连接。
绝缘层45以与布线15的顶面接触的方式加工。此外，绝缘层46以延伸超过绝缘层45的端部且与布线15的顶面接触的方式设置。
[变形例子]
以下对晶体管的半导体层31及布线15通过加工不同膜形成的例子进行说明。
[变形例子1]
图7A与图6A所示的结构的主要不同之处在于包括导电层39及绝缘层46。
图7A所示的晶体管40b包括被用作第二栅电极的导电层39。导电层39设置于绝缘层45上，并包括隔着绝缘层45与半导体层31的沟道形成区域重叠的部分。此外，以与导电层39的顶面及侧面接触的方式设置绝缘层46。
导电层39优选包含与半导体层31同样的材料。尤其是，导电层39及半导体层31优选包含具有一个以上的相同金属元素的金属氧化物构成。尤其是，导电层39与半导体层31的金属元素的组成(含有率)优选大致相等。
连接端子12包括导电层32p、导电层35p及导电层38p。导电层35p与导电层38p通过设置在绝缘层45、绝缘层46及绝缘层43中的开口电连接。
衬底21的端部设置有布线15a。布线15a设置于绝缘层45上。布线15a优选加工与导电层39相同的导电膜形成。以与布线15a的顶面及侧面的方式设置绝缘层46。
此外，在连接部18中导电层35p与布线15a通过设置在绝缘层45中的开口电连接。
[变形例子2]
图7B示出布线15a延伸至连接端子12的例子。
连接端子12包括导电层32p、导电层35p、布线15a的一部分及导电层38p。导电层35p与布线15a的一部分通过设置在绝缘层45中的开口电连接。布线15a与导电层38p通过设置在绝缘层46及绝缘层43中的开口电连接。
通过采用这种结构，连接端子12可以兼作连接部18。
在这里所示的各结构例子及各变形例子中可以由构成显示部所包括的晶体管或像素的导电膜或半导体膜等构成连接端子及与连接端子电连接的布线。因此，由于连接端子或布线能够在不增加工序的情况下形成，所以可以以低成本实现可靠性高的显示装置而不增加制造成本。
[显示装置的结构例子2]
以下对具有柔性且能够弯曲的显示装置的结构例子进行说明。
[结构例子1]
图8A是显示装置10a的俯视示意图。显示装置10a包括具有柔性的衬底51。衬底51设置有显示部11、一对电路部52、电路部53、多个布线13、多个连接端子12及多个布线15。
电路部52及电路部53具有驱动显示部11的功能。两个电路部52以其间夹着显示部11的方式设置。电路部53设置在显示部11和布线13之间。电路部52例如被用作栅极驱动器，电路部53例如被用作源极驱动器或其一部分。例如，电路部53也可以包括缓冲器电路或解复用器电路。
作为设置于显示部11的显示元件，例如可以使用液晶元件或发光元件等上述各种显示元件。特别是，作为显示元件优选使用有机EL元件。
在衬底51的俯视形状中，设置有布线13、连接端子12及布线15的部分比其他部分突出。换言之，衬底51的该部分的宽度比设置有显示部11的部分的宽度小。
衬底51的突出部在重叠于布线13的区域中包括能够弯曲的区域(弯曲部50a)。此外，衬底51在设置有显示部11的区域中包括能够弯曲的一对区域(弯曲部50b)。如图8A所示，衬底51具有其一部分突出的形状，从而弯曲部50a的弯曲方向和弯曲部50b的弯曲方向可以为彼此交叉的方向。
图8B、图8C示出在弯曲部50a及弯曲部50b中使衬底51向与显示面相反一侧弯曲的情况下的显示装置10a的立体图。图8B是包括显示面一侧的立体图，图8C是包括与显示面相反一侧的立体图。此外，图8C显示与连接端子12连接的FPC16。
如图8B所示，通过使显示部11的两侧弯曲，可以在将显示装置10a安装于电子设备中时在电子设备的两侧部设置弯曲的显示部。由此，可以实现功能性高的电子设备。
此外，如图8B、图8C所示，由于弯曲部50a因此可以使衬底51的一部分向与显示面相反一侧折叠。具体而言，以布线13朝向外侧的方式使衬底51的突出部折叠。由此，可以将连接端子12及布线15配置在与显示面相反一侧，而且可以将FPC16配置在与显示面相反一侧。因此，可以在将显示装置10a安装于电子设备中时缩小非显示部的面积。
如图8C所示，可以在与显示面一侧相反的一侧FPC16的一部分覆盖衬底51的端部。由此，即使布线15的一部分(端面或截断面等)露出，也可以防止与电子设备的外壳等构件接触，由此可以实现可靠性高的电子设备。
图8C示出FPC16安装有IC19的例子。IC19例如形成于单晶半导体衬底上，并包括具有被用作源极驱动器的电路的半导体芯片。
[结构例子2]
图9A、图9B及图9C示出其一部分结构与上述结构不同的显示装置10b的俯视图及立体图。
显示装置10b在衬底51的突出部包括连接有FPC16的连接端子12a、连接有IC19的连接端子12b。此外，多个布线15分别与连接端子12a或连接端子12b电连接。由此，如图9C所示，可以将IC19安装于衬底51上。
此外，衬底51设置有槽口部54。槽口部54例如是能够配置电子设备所包括的照相机的镜头、光学传感器等各种传感器、照明装置或设计等的部分。显示部11的一部分具有槽口，从而可以实现设计性更高的电子设备。此外，由此可以提高相对于外壳表面的屏幕的占有率。
[布线的结构例子]
上述显示装置10a及显示装置10b由于弯曲部50a以越小的曲率半径弯曲，包括显示装置10a或显示装置10b的突出部的厚度越减薄，所以可以提高电子设备的设计自由度。另一方面，在弯曲部50a的曲率半径较小时，有可能位于弯曲部50a的布线13断开。以下对能够适当地用于弯曲部50a的布线13的结构例子进行说明。
图10A至图10L示出包括位于弯曲部50a的部分的相邻的两个布线13的俯视形状。
图10A所示的布线13具有弯曲部50a处的形状比其他部分细(宽度窄)的形状。由此，在使布线13弯曲时不容易产生裂缝，因此可以提高强度。
图10B、图10C及图10D所示的布线13中在布线13的延伸方向上设置有跨越弯曲部50a的范围的开口13a。此外，布线13也可以说具有分支多个细部分的形状。通过采用这种结构，即使布线13的一部分断开，也可以用其他部分保持导通。
此外，由于具有位于布线13的下部的绝缘层(例如绝缘层42)与位于布线13的上部的绝缘层(例如绝缘层43)接触的结构，所以开口13a为密接性高的部分。因此，可以由密接性高的部分夹着位于弯曲部50a的布线13的分支的细部分，因此可以抑制弯曲部50a中的布线13的膜剥离。
图10B示出跨越弯曲部50a设置有一个开口13a且各布线13分支两个的例子。此外，图10C示出跨越弯曲部50a设置有两个开口13a且布线13分支三个的例子。此外，图10C示出跨越弯曲部50a设置有三个开口13a且布线13分支四个的例子。注意，不局限于此，也可以设置四个以上的开口13a。
此外，在图10D中，布线13的位于弯曲部50a的部分具有在宽度方向上膨胀的形状。由此，分支多个部分的宽度变宽，因此可以降低布线电阻。
图10E及图10F示出布线13设置有多个开口13b的例子。开口13b的布线13的延伸方向的长度比弯曲部50a的长度短。由此，可以在提高布线13的强度及密接性的同时降低布线电阻。
图10E示出将开口13b左右交错地配置的例子。此外，图10F示出通过开口13b排列配置，布线13具有格子形状的例子。
图10G及图10H示出跨越弯曲部50a的开口13a及其长度比弯曲部50a的长度短的开口13b混在一起的例子。通过采用这种结构，可以进一步提高密接性。
图10G示出跨越弯曲部50a配置有相同形状的开口13b的情况的例子。注意，不局限于此，也可以在布线13的延伸方向上配置不同形状的开口13b。图10H作为一个例子示出越近于弯曲部50a的中央部开口13b的长度越短的例子。
图10I及图10J示出布线13具有细部分和粗部分交替地反复的形状的例子。通过采用这种形状，由于布线13的细部分可以为密接性高的部分，所以可以抑制布线13的膜剥离。此外，通过如上那样设置多个细部分，不仅可以提高对向布线13的延伸方向弯曲的强度，还可以提高抗拧强度。
图10I示出相邻的两个布线13具有相同形状的情况。此外，图10J示出以两个布线13的粗部分及细部分交错配置的方式使形状不同的情况。通过采用图10J所示的结构，可以使相邻的两个布线之间隔变窄，由此可以提高布线密度。
图10K及图10L示出布线13包括多个交叉部13c的例子。此外，以夹着一个交叉部的方式设置有大致呈菱形状的开口13d。通过采用这种结构，可以实现抗弯强度、抗拧强度及密接性高且布线电阻低的布线13。
图10K示出在布线13的延伸方向上交叉部13c排列为一列的形状的例子。图10L示出在布线13的延伸方向上排列多个(这里三列)交叉部13c的形状的例子。
这里，如图10的各图所示，布线13的轮廓及各开口部的轮廓优选不具有角部(锐角的部分或钝角的部分)而具有弯曲形状或圆弧状等呈圆形的形状。在布线13具有角部的情况下，在被施加外力时以该角部为裂缝的起点，最坏的情况下布线13可能断开。因此，通过作为布线13的轮廓及开口部的轮廓采用呈圆形的形状，可以实现不容易产生裂缝的布线13。
以上是布线的结构例子的说明。
[截面结构例子2]
以下对显示装置的更具体的截面结构例子进行说明。
[结构例子1]
图11示出显示装置10a的截面示意图。图11相当于沿着图8A所示的显示装置10a的点划线S-T的截面。
图11示出包括显示部11、电路部52、弯曲部50a、连接端子12的截面。显示部11设置有晶体管750及电容器790。电路部52设置有晶体管752。连接端子12通过连接体780与FPC716连接。
晶体管750及晶体管752是将氧化物半导体用于形成有沟道的半导体层的晶体管。注意，不局限于此，也可以使用将硅(非晶硅、多晶硅或单晶硅)或有机半导体用于半导体层的晶体管。
本实施方式使用的晶体管包括高度纯化且氧空位的形成被抑制的氧化物半导体膜。该晶体管可以具有极小的关态电流。因此，使用了这样的晶体管的像素可以延长图像信号等电信号的保持时间，可以延长图像信号等的写入间隔。因此，可以降低刷新工作的频率，由此可以降低功耗。
此外，在本实施方式中使用的晶体管能够得到较高的场效应迁移率，因此能够进行高速驱动。例如，通过将这种能够进行高速驱动的晶体管用于显示装置，可以在同一衬底上形成像素的开关晶体管及用于电路部的驱动晶体管。即，可以采用不采用由硅片等形成的驱动电路的结构，由此可以减少显示装置的构件数。此外，通过在像素部中也使用能够进行高速驱动的晶体管，可以提供高质量的图像。
电容器790包括通过对与晶体管750所包括的第一栅电极相同的膜进行加工形成的下部电极以及通过对与半导体层相同的金属氧化物膜进行加工形成的上部电极。上部电极与晶体管750的源区域及漏区域同样地被低电阻化。此外，在下部电极与上部电极之间设置有用作晶体管750的第一栅极绝缘层的绝缘膜的一部分。也就是说，电容器790具有在一对电极间夹有用作电介质膜的绝缘膜的叠层结构。此外，上部电极电连接于通过对与晶体管750的源电极及漏电极相同的膜进行加工形成的布线。
此外，晶体管750、晶体管752及电容器790上设置有被用作平坦化膜的绝缘层770。
显示部11所包括的晶体管750与电路部52所包括的晶体管752也可以使用不同结构的晶体管。例如，可以采用其中一方使用顶栅极型晶体管而另一方使用底栅极型晶体管的结构。注意，上述电路部53也与电路部52同样。
另外，晶体管750及晶体管752的结构可以援用上述截面结构例子1。
另外，布线13、连接端子12及布线15的结构可以援用上述截面结构例子1及变形例子等。
显示装置10a包括各被用作支撑衬底的衬底51及衬底740。作为衬底51及衬底740，例如可以使用玻璃衬底或塑料衬底等具有柔性的衬底。
晶体管750、晶体管752、电容器790等设置在绝缘层744上。衬底51和绝缘层744由粘合层742贴合。
此外，显示装置10a包括发光元件782、着色层736、遮光层738等。
发光元件782包括导电层772、EL层786及导电层788。导电层772与晶体管750所包括的源电极或漏电极电连接。导电层772设置在绝缘层770上并被用作像素电极。此外，以覆盖导电层772的端部的方式设置有绝缘层730，并且绝缘层730及导电层772上层叠地设置有EL层786及导电层788。
作为导电层772可以使用对可见光具有反射性的材料。例如，可以使用包含铝、银等的材料。此外，作为导电层788可以使用对可见光具有透光性的材料。例如，优选使用包含铟、锌、锡等的氧化物材料。因此，发光元件782是向与被形成面的相反一侧(衬底740一侧)发射光的顶部发射型发光元件。
EL层786包括有机化合物或量子点等无机化合物。EL层786包括在电流流过时呈现光的发光材料。
作为发光材料，可以使用荧光材料、磷光材料、热活化延迟荧光(ThermallyActivated Delayed Fluorescence：TADF)材料、无机化合物(量子点材料等)等。作为能够用于量子点的材料，可以举出胶状量子点、合金型量子点、核壳(Core Shell)型量子点、核型量子点等。
遮光层738和着色层736设置在绝缘层746的一个面上。着色层736设置在重叠于发光元件782的位置上。遮光层738设置在显示部11中的不重叠于发光元件782的区域中。此外，遮光层738还可以与电路部52等重叠地设置。
衬底740由粘合层747贴合于绝缘层746的另一个面上。此外，衬底740和衬底51由密封层732彼此贴合。
在此，作为发光元件782所包括的EL层786使用呈现白色光的发光材料。发光元件782所发射的白色光被着色层736着色而被发射到外部。EL层786跨着呈现不同颜色的像素地设置。通过在显示部11中以矩阵状配置设置有使红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)中的任一个透过的着色层736的像素，显示装置10a可以进行全彩色显示。
此外，作为导电层788也可以使用具有透过性及反射性的导电膜。此时，可以在导电层772和导电层788之间实现微小共振器(微腔)结构来增强并发射特定波长的光。此外，此时也可以通过在导电层772和导电层788之间配置用来调整光学距离的光学调整层并使不同颜色的像素中的该光学调整层的厚度不同，提高各像素所发射的光的色纯度。
另外，在每个像素中将EL层786形成为岛状或在每个像素列中将EL层786形成为条状时，即，通过分别涂布形成EL层786时，也可以不设置着色层736或上述光学调整层。
在此，作为绝缘层744及绝缘层746，优选使用被用作透湿性低的阻挡膜的无机绝缘膜。通过在这样绝缘层744和绝缘层746之间夹有发光元件782、晶体管750等来抑制它们的劣化，从而可以实现可靠性高的显示装置。
[结构例子2]
图12示出其一部分与图11的结构不同的显示装置10a的截面图。此外，图12显示显示装置10a的一部分在弯曲部50a弯曲而折叠到与显示面相反一侧的方式。
在图12所示的显示装置10a中，图11所示的粘合层742和绝缘层744之间设置有树脂层743。此外，包括保护层749代替衬底740。
树脂层743是包含聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等的有机树脂的层。绝缘层744为包含氧化硅、氧氮化硅、氮化硅等的无机绝缘材料的层。树脂层743与衬底51通过粘合层742贴合在一起。树脂层743优选比衬底51薄。
保护层749与密封层732贴合在一起。保护层749可以使用玻璃衬底、树脂薄膜等。此外，保护层749也可以使用偏振片(含圆偏振片)、散射板等光学构件、触摸传感器面板等输入装置或上述两个以上的叠层结构。另外，保护层749也可以包括构成电子设备的外壳的一部分(例如，成为屏幕的部分)的构件。
此外，发光元件782所包括的EL层786在绝缘层730及导电层772上以岛状设置。通过以各子像素中的EL层786的发光色都不同的方式分开形成EL层786，可以在不使用着色层736的情况下实现彩色显示。
此外，覆盖发光元件782设置有保护层741。保护层741可以防止水等杂质扩散到发光元件782中。保护层741具有从导电层788一侧依次层叠有绝缘层741a、绝缘层741b及绝缘层741c的叠层结构。此时，作为绝缘层741a及绝缘层741c优选使用对水等杂质具有高阻挡性的无机绝缘膜，而作为绝缘层741b优选使用被用作平坦化膜的有机绝缘膜。此外，保护层741优选以延伸到电路部52等的方式设置。
另外，优选在密封层732的内侧将覆盖晶体管750及晶体管752等的有机绝缘膜形成为岛状。换言之，该有机绝缘膜的端部优选位于密封层732的内侧或重叠于密封层732的端部的区域中。图12示出绝缘层770、绝缘层730及绝缘层741b被加工为岛状的例子。例如，重叠有密封层732的部分中彼此接触地设置有绝缘层741c和绝缘层741a。如此，通过不使覆盖晶体管750及晶体管752的有机绝缘膜的表面露出到密封层732的外侧，可以适当地防止水或氢从外部经过该有机绝缘膜扩散到晶体管750及晶体管752。由此，晶体管的电特性的变动受到抑制，从而可以实现可靠性极高的显示装置。
此外，在图12中，弯曲部50a包括不设置有衬底51、粘合层742及绝缘层744等无机绝缘膜的部分。此外，在弯曲部50a中，包括有机材料的绝缘层770覆盖布线13以防止布线13露出。在图12所示的结构中，弯曲部50a具有层叠有树脂层743、布线13及绝缘层770的叠层结构。
通过尽可能不在弯曲部50a中设置无机绝缘膜而仅层叠含有金属或合金的导电层、含有有机材料的层，可以防止在使其弯曲时产生裂缝。此外，通过不在弯曲部50a设置衬底51，可以使显示装置10a的一部分以极小的曲率半径弯曲。
此外，在重叠于连接端子12的区域中，树脂层743隔着粘合层748贴合有支撑体720。作为支撑体720可以使用其刚性比衬底51等高的材料。或者，支撑体720也可以是电子设备的外壳的一部分或配置在电子设备内部的构件的一部分。
另外，在图12中，保护层741上设置有导电层761。导电层761也可以被用作布线或电极。
此外，在与显示装置10a重叠地设置有触摸传感器的情况下，导电层761可以被用作防止驱动像素时的电噪声传送到该触摸传感器的静电遮蔽膜。此时，导电层761被供应指定的恒定电位，即可。
或者，导电层761例如可以被用作触摸传感器的电极。由此，可以使显示装置10a用作触摸面板。例如，导电层761可以被用作静电电容方式的触摸传感器的电极或布线。此时，导电层761可以被用作连接有检测电路的布线或电极或者被输入传感器信号的布线或电极。如此，通过在发光元件782上形成触摸传感器，可以缩减构件点数来缩减电子设备等的制造成本。
导电层761优选设置在不重叠于发光元件782的部分。例如，导电层761可以设置在重叠于绝缘层730的位置上。由此，不需要作为导电层761使用导电性较低的透明导电膜，而可以使用导电性高的金属或合金等，从而可以提高传感器的灵敏度。
注意，作为可以使用导电层761构成的触摸传感器的方式，不局限于静电电容式，可以利用电阻膜式、表面声波式、红外线式、光学式、压敏式等各种方式。此外，可以组合使用上述方式中的两个以上。
[结构例子3]
图13示出作为显示元件使用液晶元件的情况下的显示装置10b的截面示意图。图13示出包括电路部52、显示部11及连接端子12的区域的截面图。
图13所示的显示装置10b在衬底701和衬底705之间包括晶体管721、晶体管722、液晶元件710等。衬底701和衬底705由密封层732贴合。
在此示出作为晶体管721和晶体管722使用底栅型晶体管的情况。晶体管、布线13、连接端子12及布线15等可以援用上述截面结构例子1。
液晶元件710包括导电层711、液晶712及导电层713。导电层713设置在衬底701上。导电层713上设置有一个以上的绝缘层，该绝缘层上设置有导电层711。此外，液晶712位于导电层711和衬底705之间。导电层713与布线723电连接，并被用作公共电极。导电层711与晶体管721电连接，并被用作像素电极。布线723被供应公共电位。
图13所示的液晶元件710是采用横向电场方式(例如，FFS(Fringe FieldSwitching)模式)的液晶元件。导电层711的俯视形状是梳齿状或具有狭缝的形状。在液晶元件710中，由产生在导电层711和导电层713之间的电场控制液晶712的取向状态。
此外，使用导电层711、导电层713和被夹在它们之间的一个以上的绝缘层的叠层结构形成有被用作存储电容器的电容器790。因此，不需要另外设置电容器，从而可以提高开口率。
导电层711及导电层713可以使用对可见光具有透光性的材料或具有反射性的材料。作为透光性材料，例如，可以使用含有铟、锌、锡等的氧化物材料。作为反射性材料，例如，可以使用含有铝、银等材料。
当作为导电层711和导电层713中的任一个或两个使用反射性材料时，显示装置10b为反射型液晶显示装置。当作为导电层711或导电层713这两个使用透光性材料时，显示装置10b为透射型液晶显示装置。当为反射型液晶显示装置的情况下，在观看侧设置偏振片。当为透射型液晶显示装置的情况下，以夹着液晶元件的方式设置一对偏振片。
图13示出透射型液晶显示装置的例子。衬底701的外侧设置有偏振片755及光源757，并且衬底705的外侧设置有偏振片756。光源757被用作背光。
衬底705的衬底701一侧的面设置有遮光层738及着色层736。此外，覆盖遮光层738及着色层736地设置有被用作平坦化层的绝缘层734。绝缘层734的衬底701一侧的面设置有间隔物727。
液晶712位于覆盖导电层711的取向膜725和覆盖绝缘层734的取向膜726之间。另外，如果不需要则可以不设置取向膜725及取向膜726。
此外，虽然图13未图示，但是可以在衬底705的外侧适当地设置位相差薄膜、防反射薄膜等光学构件(光学薄膜)、保护薄膜、防污薄膜等。作为防反射薄膜有AG(Anti Glare)薄膜、AR(Anti Reflection)薄膜等。
液晶712可以使用热致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC：Polymer Dispersed Liquid Crystal)、高分子网络型液晶(PNLC：Polymer NetworkLiquid Crystal)、铁电液晶、反铁电液晶等。此外，在采用横向电场方式的情况下，也可以使用不需要取向膜的呈现蓝相的液晶。
此外，作为液晶元件的模式，可以采用TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment：垂直取向)模式、IPS(In-Plane-Switching：平面内转换)模式、FFS(边缘电场转换)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell：轴对称排列微单元)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence：光学补偿弯曲)模式、ECB(Electrically Controlled Birefringence：电控双折射)模式、宾主模式等。
此外，液晶712可以采用使用高分子分散型液晶、高分子网络型液晶等的散乱型液晶。此时，可以采用不设置着色层736进行黑白色显示的结构，也可以采用使用着色层736进行彩色显示的结构。
此外，作为液晶元件的驱动方法，可以采用利用继时加法混色法进行彩色显示的分时显示方式(也称为场序制列驱动方式)。在该情况下，可以采用不设置着色层736的结构。当采用分时显示方式的情况下，例如无需设置分别呈现R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)的子像素，因此具有可以提高像素的开口率、清晰度等优点。
在图13所示的显示装置10b中，不在被用作像素电极的导电层711及被用作公共电极的导电层713的被形成面一侧设置被用作平坦化层的有机绝缘膜。另外，作为显示装置10b所包括的晶体管721等使用能够使制造工序为较短的底栅型晶体管。此外，如上所述，无需增加特别的工序就可以通过与晶体管及液晶元件等的制造工序共同的工序制造布线13、连接端子12及布线15等。通过采用这样的结构，可以减少制造成本并提高制造成品率，从而可以廉价地提供可靠性高的显示装置。
以上是截面结构例子2的说明。
[构成要素]
下面,说明可用于显示装置的晶体管等的构成要素。
[衬底]
虽然对衬底的材料等没有特别的限制，但是至少需要具有能够承受后续的加热处理的耐热性。例如，可以使用以硅或碳化硅为材料的单晶半导体衬底或多晶半导体衬底、硅锗等化合物半导体衬底、SOI衬底、玻璃衬底、陶瓷衬底、石英衬底、蓝宝石衬底等作为衬底。另外，也可以将在上述衬底上设置有半导体元件的衬底用作衬底。
另外，作为衬底，也可以使用柔性衬底，并且在柔性衬底上直接形成显示装置等。或者，也可以在衬底与显示装置之间设置剥离层。当剥离层上制造显示装置的一部分或全部，然后将其从衬底分离并转置到其他衬底上时可以使用剥离层。此时，也可以将显示装置转置到耐热性低的衬底或柔性衬底上。
[晶体管]
晶体管包括被用作栅电极的导电层、半导体层、被用作源电极的导电层、被用作漏电极的导电层以及被用作栅极绝缘层的绝缘层。
注意，对本发明的一个方式的显示装置所包括的晶体管的结构没有特别的限制。例如，可以采用平面型晶体管、交错型晶体管或反交错型晶体管。此外，还可以采用顶栅型或底栅型的晶体管结构。或者，也可以在沟道的上下设置有栅电极。
对用于晶体管的半导体材料的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体、单晶半导体或者具有单晶以外的结晶性的半导体(微晶半导体、多晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)。当使用单晶半导体或具有结晶性的半导体时可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。
下面，说明尤其将金属氧化物膜用于形成沟道的半导体层的晶体管。
作为用于晶体管的半导体材料，可以使用能隙为2eV以上，优选为2.5eV以上，更优选为3eV以上的金属氧化物。典型地，可以使用包含铟的金属氧化物等，例如可以使用后面说明的CAC-OS等。
使用其带隙比硅宽且载流子浓度小的金属氧化物的晶体管由于其关态电流低，因此能够长期间保持储存于与晶体管串联连接的电容器中的电荷。
作为半导体层，例如可以采用包含铟、锌及M(M是铝、钛、镓、锗、钇、锆、镧、铈、锡、钕或铪等金属)的以“In-M-Zn类氧化物”表示的膜。
当构成半导体层的金属氧化物为In-M-Zn类氧化物时，优选用来形成In-M-Zn氧化物膜的溅射靶材的金属元素的原子数比满足In≥M及Zn≥M。这种溅射靶材的金属元素的原子数比优选为In：M：Zn＝1：1：1、In：M：Zn＝1：1：1.2、In：M：Zn＝3：1：2、In：M：Zn＝4：2：3、In：M：Zn＝4：2：4.1、In：M：Zn＝5：1：6、In：M：Zn＝5：1：7、In：M：Zn＝5：1：8等。注意，所形成的半导体层的原子数比分别在上述溅射靶材中的金属元素的原子数比的±40％的范围内变动。
作为半导体层，使用载流子浓度低的金属氧化物膜。例如，作为半导体层可以使用载流子浓度为1×1017cm-3以下，优选为1×1015cm-3以下，更优选为1×1013cm-3以下，进一步优选为1×1011cm-3以下，更进一步优选为低于1×1010cm-3，1×10-9cm-3以上的金属氧化物。将这样的金属氧化物称为高纯度本征或实质上高纯度本征的金属氧化物。因为该氧化物半导体的缺陷能级密度低，因此可以说该金属氧化物是具有稳定的特性的金属氧化物。
注意，本发明不局限于上述记载，可以根据所需的晶体管的半导体特性及电特性(场效应迁移率、阈值电压等)来使用具有适当的组成的氧化物半导体。另外，优选适当地设定半导体层的载流子浓度、杂质浓度、缺陷密度、金属元素与氧的原子数比、原子间距离、密度等，以得到所需的晶体管的半导体特性。
当构成半导体层的金属氧化物包含第14族元素之一的硅或碳时，半导体层中的氧空位增加，会使该半导体层变为n型。因此，将半导体层中的硅或碳的浓度(通过二次离子质谱分析法测得的浓度)设定为2×1018atoms/cm3以下，优选为2×1017atoms/cm3以下。
另外，有时当碱金属及碱土金属与金属氧化物键合时生成载流子，而使晶体管的关态电流增大。因此，将通过二次离子质谱分析法测得的半导体层的碱金属或碱土金属的浓度设定为1×1018atoms/cm3以下，优选为2×1016atoms/cm3以下。
另外，当构成半导体层的金属氧化物含有氮时生成作为载流子的电子，载流子浓度增加而容易n型化。其结果是，使用含有氮的金属氧化物的晶体管容易变为常开特性。因此，利用二次离子质谱分析法测得的半导体层的氮浓度优选为5×1018atoms/cm3以下。
氧化物半导体被分为单晶氧化物半导体和非单晶氧化物半导体。作为非单晶氧化物半导体，有CAAC-OS(c-axis-aligned crystalline oxide semiconductor)、多晶氧化物半导体、nc-OS(nanocrystalline oxide semiconductor)、a-like OS(amorphous-likeoxide semiconductor)及非晶氧化物半导体等。
本发明的一个方式所公开的晶体管的半导体层可以适当地使用上述非单晶氧化物半导体。此外，作为非单晶氧化物半导体可以适当地使用nc-OS或CAAC-OS。
另外，半导体层也可以为包括CAAC-OS的区域、多晶氧化物半导体的区域、nc-OS的区域、a-like OS的区域以及非晶氧化物半导体的区域中的两种以上的混合膜。混合膜有时例如具有包括上述区域中的两种以上的区域的单层结构或叠层结构。
作为本发明的一个方式所公开的晶体管的半导体层优选使用CAC-OS(Cloud-Aligned Composite oxide semiconductor)。通过使用CAC-OS，可以对晶体管赋予高电特性或高可靠性。
下面对CAAC(c-axis aligned crystal)进行说明。CAAC表示结晶结构的一个例子。
CAAC结构是指包括多个纳米晶(最大直径小于10nm的结晶区域)的薄膜等的结晶结构之一，具有如下特征：各纳米晶的c轴在特定方向上取向，其a轴及b轴不具有取向性，纳米晶彼此不形成晶界而连续地连接。尤其是，在具有CAAC结构的薄膜中，各纳米晶的c轴容易在薄膜的厚度方向、被形成面的法线方向或者薄膜表面的法线方向上取向。
CAAC-OS(Oxide Semiconductor：氧化物半导体)是结晶性高的氧化物半导体。在CAAC-OS中观察不到明确的晶界，因此不容易发生起因于晶界的电子迁移率的下降。此外，氧化物半导体的结晶性有时因杂质的混入或缺陷的生成等而降低，因此可以说CAAC-OS是杂质及缺陷(氧空位等)少的氧化物半导体。因此，包含CAAC-OS的氧化物半导体的物理性质稳定。因此，包含CAAC-OS的氧化物半导体具有高耐热性及高可靠性。
在此，在晶体学的单位晶格中，一般以构成单位晶格的a轴、b轴、c轴这三个轴(晶轴)中较特殊的轴为c轴。尤其是，在具有层状结构的结晶中，一般来说，与层的面方向平行的两个轴为a轴及b轴，与层交叉的轴为c轴。作为这种具有层状结构的结晶的典型例子，有分类为六方晶系的石墨，其单位晶格的a轴及b轴平行于劈开面，c轴正交于劈开面。例如，为层状结构的具有YbFe2O4型结晶结构的InGaZnO4的结晶可分类为六方晶系，其单位晶格的a轴及b轴平行于层的面方向，c轴正交于层(即，a轴及b轴)。
具有微晶结构的氧化物半导体膜(微晶氧化物半导体膜)在利用TEM观察到的图像中有时不能明确地确认到结晶部。微晶氧化物半导体膜中含有的结晶部的尺寸大多为1nm以上且100nm以下或1nm以上且10nm以下。尤其是，将具有尺寸为1nm以上且10nm以下或1nm以上且3nm以下的微晶的纳米晶体(nc：nanocrystal)的氧化物半导体膜称为nc-OS(nanocrystalline Oxide Semiconductor：纳米晶氧化物半导体)膜。例如，在使用TEM观察nc-OS膜时，有时不能明确地确认到晶界。
在nc-OS膜中，微小的区域(例如1nm以上且10nm以下的区域，特别是1nm以上且3nm以下的区域)中的原子排列具有周期性。此外，nc-OS膜在不同的结晶部之间观察不到晶体取向的规律性。因此，在膜整体中观察不到取向性。所以，有时nc-OS膜在某些分析方法中与非晶氧化物半导体膜没有差别。例如，在通过其中利用使用其束径比结晶部大的X射线的XRD装置的out-of-plane法对nc-OS膜进行结构分析时，检测不出表示结晶面的峰值。此外，在使用其束径比结晶部大(例如，50nm以上)的电子射线获得的nc-OS膜的电子衍射图案(也称为选区电子衍射图案)中，观察到光晕图案。另一方面，在对nc-OS膜进行使用其电子束径接近结晶部的大小或者比结晶部小(例如，1nm以上且30nm以下)的电子射线的电子衍射(也称为纳米束电子衍射)时，观察到亮度高的呈圈状的区域，有时该环状区域内观察到多个斑点。
nc-OS膜比非晶氧化物半导体膜的缺陷态密度低。但是，nc-OS膜在不同的结晶部之间观察不到晶体取向的规律性。所以，nc-OS膜的缺陷态密度比CAAC-OS膜高。因此，nc-OS膜有时具有比CAAC-OS膜高的载流子浓度及电子迁移率。所以，使用nc-OS膜的晶体管有时具有较高的场效应迁移率。
nc-OS膜可以以比CAAC-OS膜形成时更小的氧流量比形成。此外，nc-OS膜可以以比CAAC-OS膜形成时更低的衬底温度形成。例如，nc-OS膜可以在衬底温度为较低的低温(例如130℃以下的温度)的状态或不对衬底进行加热的状态下形成，因此适用于大型玻璃衬底或树脂衬底等，可以提高生产率。
下面，对金属氧化物的结晶结构的一个例子进行说明。使用In-Ga-Zn氧化物靶材(In：Ga：Zn＝4：2：4.1[原子个数比])在衬底温度为100℃以上且130℃以下的条件下利用溅射法形成的金属氧化物易于具有nc(nano crystal)结构和CAAC结构中的任一方的结晶结构或其混在的结构。在衬底温度为室温(R.T.)的条件下形成的金属氧化物易于具有nc结晶结构。注意，这里的室温(R.T.)是指包括对衬底不进行意图性的加热时的温度。
<CAC-OS的构成>
下面，对可用于在本发明的一个方式中公开的晶体管的CAC(Cloud-AlignedComposite)-OS的构成进行说明。
CAC-OS例如是指包含在金属氧化物中的元素不均匀地分布的构成，其中包含不均匀地分布的元素的材料的尺寸分别为0.5nm以上且10nm以下，优选为1nm以上且2nm以下或近似的尺寸。注意，在下面也将在金属氧化物中一个或多个金属元素不均匀地分布且包含该金属元素的区域混合的状态称为马赛克(mosaic)状或补丁(patch)状，该区域的尺寸为0.5nm以上且10nm以下，优选为1nm以上且2nm以下或近似的尺寸。
金属氧化物优选至少包含铟。尤其优选包含铟及锌。除此之外，也可以还包含选自铝、镓、钇、铜、钒、铍、硼、硅、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁等中的一种或多种。
例如，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS(在CAC-OS中，尤其可以将In-Ga-Zn氧化物称为CAC-IGZO)是指材料分成铟氧化物(以下，称为InOX1(X1为大于0的实数))或铟锌氧化物(以下，称为InX2ZnY2OZ2(X2、Y2及Z2为大于0的实数))以及镓氧化物(以下，称为GaOX3(X3为大于0的实数))或镓锌氧化物(以下，称为GaX4ZnY4OZ4(X4、Y4及Z4为大于0的实数))等而成为马赛克状，且马赛克状的InOX1或InX2ZnY2OZ2均匀地分布在膜中的构成(以下，也称为云状)。
换言之，CAC-OS是具有以GaOX3为主要成分的区域和以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域混在一起的构成的复合金属氧化物。在本说明书中，例如，当第一区域的In与元素M的原子数比大于第二区域的In与元素M的原子数比时，第一区域的In浓度高于第二区域。
注意，IGZO是通称，有时是指包含In、Ga、Zn及O的化合物。作为典型例子，可以举出以InGaO3(ZnO)m1(m1为自然数)或In(1+x0)Ga(1-x0)O3(ZnO)m0(-1≤x0≤1，m0为任意数)表示的结晶性化合物。
上述结晶性化合物具有单晶结构、多晶结构或CAAC结构。CAAC结构是多个IGZO的纳米晶具有c轴取向性且在a-b面上以不取向的方式连接的结晶结构。
另一方面，CAC-OS与金属氧化物的材料构成有关。CAC-OS是指如下构成：在包含In、Ga、Zn及O的材料构成中，一部分中观察到以Ga为主要成分的纳米粒子状区域以及一部分中观察到以In为主要成分的纳米粒子状区域分别以马赛克状无规律地分散。因此，在CAC-OS中，结晶结构是次要因素。
注意，CAC-OS不包含组成不同的两种以上的膜的叠层结构。例如，不包含由以In为主要成分的膜与以Ga为主要成分的膜的两层构成的结构。
注意，有时观察不到以GaOX3为主要成分的区域与以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域之间的明确的边界。
在CAC-OS中包含选自铝、钇、铜、钒、铍、硼、硅、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁等中的一种或多种以代替镓的情况下，CAC-OS是指如下构成：一部分中观察到以该金属元素为主要成分的纳米粒子状区域以及一部分中观察到以In为主要成分的纳米粒子状区域以马赛克状无规律地分散。
CAC-OS例如可以通过在对衬底不进行意图性的加热的条件下利用溅射法来形成。在利用溅射法形成CAC-OS的情况下，作为成膜气体，可以使用选自惰性气体(典型的是氩)、氧气体和氮气体中的一种或多种。另外，成膜时的成膜气体的总流量中的氧气体的流量比越低越好，例如，将氧气体的流量比设定为0％以上且低于30％，优选为0％以上且10％以下。
CAC-OS具有如下特征：通过根据X射线衍射(XRD：X-ray diffraction)测定法之一的Out-of-plane法利用θ/2θ扫描进行测定时，观察不到明确的峰值。也就是说，根据X射线衍射，可知在测定区域中没有a-b面方向及c轴方向上的取向。
另外，在通过照射束径为1nm的电子束(也称为纳米束)而取得的CAC-OS的电子衍射图案中，观察到环状的亮度高的区域以及在该环状区域内的多个亮点。由此，根据电子衍射图案，可知CAC-OS的结晶结构具有在平面方向及截面方向上没有取向的nc(nano-crystal)结构。
另外，例如在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中，根据通过能量分散型X射线分析法(EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy)取得的EDX面分析图像(EDX-mapping)，可确认到：具有以GaOX3为主要成分的区域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域不均匀地分布而混合的构成。
CAC-OS的结构与金属元素均匀地分布的IGZO化合物不同，具有与IGZO化合物不同的性质。换言之，CAC-OS具有以GaOX3等为主要成分的区域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域互相分离且以各元素为主要成分的区域为马赛克状的构成。
在此，以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域的导电性高于以GaOX3等为主要成分的区域。换言之，当载流子流过以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域时，呈现金属氧化物的导电性。因此，当以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域在金属氧化物中以云状分布时，可以实现高场效应迁移率(μ)。
另一方面，以GaOX3等为主要成分的区域的绝缘性高于以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域。换言之，当以GaOX3等为主要成分的区域在金属氧化物中分布时，可以抑制泄漏电流而实现良好的开关工作。
因此，当将CAC-OS用于半导体元件时，通过起因于GaOX3等的绝缘性及起因于InX2ZnY2OZ2或InOX1的导电性的互补作用可以实现高通态电流(Ion)及高场效应迁移率(μ)。
另外，使用CAC-OS的半导体元件具有高可靠性。因此，CAC-OS适用于显示器等各种半导体装置。
由于在半导体层中具有CAC-OS的晶体管的场效应迁移率高并驱动能力高，所以通过将该晶体管用于驱动电路，典型地是用于生成栅极信号的扫描线驱动电路，可以提供边框宽度窄(也称为窄边框)的显示装置。另外，通过将该晶体管用于显示装置所包括的信号线驱动电路(尤其是，与信号线驱动电路所包括的移位寄存器的输出端子连接的解复用器)，可以提供连接于显示装置的布线数少的显示装置。
另外，与使用低温多晶硅的晶体管不同，在半导体层具有CAC-OS的晶体管不需要进行激光晶化工序。由此，即使为使用大面积衬底的显示装置，也可以减少制造成本。并且，在如超高清(Ultra High-Definition)(也称为“4K分辨率”、“4K2K”或“4K”)、超高清(SuperHigh-Definition)(也称为“8K分辨率”、“8K4K”或“8K”)等具有高分辨率的大型显示装置中，通过将在半导体层具有CAC-OS的晶体管用于驱动电路及显示部，可以在短时间内进行写入并降低显示不良，所以是优选的。
或者，也可以将硅用于形成有晶体管的沟道的半导体。作为硅可以使用非晶硅，尤其优选使用具有结晶性的硅。例如，优选使用微晶硅、多晶硅、单晶硅等。例如，优选使用微晶硅、多晶硅、单晶硅等。尤其是，多晶硅与单晶硅相比能够在低温下形成，并且多晶硅与单晶硅相比具有高场效应迁移率和高可靠性。
[导电层]
作为可用于晶体管的栅极、源极及漏极和构成显示装置的各种布线及电极等导电层的材料，可以举出铝、钛、铬、镍、铜、钇、锆、钼、银、钽或钨等金属或者以上述金属为主要成分的合金等。另外，可以以单层或叠层结构使用包含这些材料的膜。例如，有包含硅的铝膜的单层结构、在钛膜上层叠铝膜的两层结构、在钨膜上层叠铝膜的两层结构、在铜-镁-铝合金膜上层叠铜膜的两层结构、在钛膜上层叠铜膜的两层结构、在钨膜上层叠铜膜的两层结构、依次层叠钛膜或氮化钛膜、铝膜或铜膜和钛膜或氮化钛膜的三层结构、依次层叠钼膜或氮化钼膜、铝膜或铜膜和钼膜或氮化钼膜的三层结构等。另外，可以使用氧化铟、氧化锡或氧化锌等氧化物。另外，通过使用包含锰的铜，可以提高蚀刻时的形状的控制性，所以是优选的。
[绝缘层]
作为可用于各绝缘层的绝缘材料，例如可以使用丙烯酸树脂、环氧树脂等树脂、具有硅氧烷键的树脂、无机绝缘材料诸如氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅或氧化铝等。
另外，发光元件优选设置于一对透水性低的绝缘膜之间。由此，能够抑制水等杂质进入发光元件，从而能够抑制显示装置的可靠性下降。
作为透水性低的绝缘膜，可以举出氮化硅膜、氮氧化硅膜等含有氮及硅的膜以及氮化铝膜等含有氮及铝的膜等。另外，也可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜以及氧化铝膜等。
例如，将透水性低的绝缘膜的水蒸气透过量设定为1×10-5[g/(m2·day)]以下，优选为1×10-6[g/(m2·day)]以下，更优选为1×10-7[g/(m2·day)]以下，进一步优选为1×10-8[g/(m2·day)]以下。
以上是构成要素的说明。
本实施方式所示的结构例子及对应于这些例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子或附图等适当地组合而实施。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式2)
除了显示装置以外，还可以将实施方式1所例示的第二布线(布线14)用于各种半导体装置。就是说，也可以适合于形成于单晶衬底上、玻璃衬底上或薄膜衬底上的不具有显示功能的半导体电路。
已知在包括显示装置的各种半导体装置的研究开发或生产管理等中为了评价所制造的元件或电路等的电特性等的为用于评价的元件TEG(Test Element Group)。这种TEG包括用来与测量用探针接触的端子。在很多情况下，由于端子的面积比被测量元件十分大，所以容易受到ESD的影响。因此，被测量元件的电特性有时因ESD的影响而变动。
在本实施方式中，对将实施方式1所示的布线14适用于TEG的情况的例子进行说明。
图14A示出TEG100a的俯视示意图。TEG100a包括被测量元件101、多个端子102、布线103及布线14。
作为被测量元件101，可以使用各种元件或电路。例如，可以举出晶体管、电阻器、电容器、布线或包括它们中的一个以上的电路等。此外，作为被测量元件101可以使用接触电阻的评价元件、用于绝缘破坏电压的评价的元件等根据测量目的的各种元件。
这里，示出与被测量元件101电连接的四个端子102的例子。例如，在作为被测量元件101使用晶体管时，四个端子102的每一个相当于与该晶体管的第一栅电极、第二栅电极、源电极及漏电极通过布线103电连接的端子。
布线14与四个端子102电连接。这里，通过沿着图14A所示的截断线120截断布线14，可以使四个端子102电隔离。如图14A所示，布线14优选具有排列为平行的部分(也称为梳齿状的部分)的俯视形状以一次截断能够使所有的端子102电隔离。此外，这里示出布线14具有直线形状的例子，但是例如布线14的至少一部分也可以具有缓慢的蜿蜒形状、S形状或者多个S形状连续的形状(也称为蛇腹形状)等。
布线14的截断优选在即将测量之前进行。对布线14的截断方法没有特别的限制，可以适当地使用激光切割器。
如此，通过TEG100a所包括的多个端子102即将测量之前由布线14电连接，可以缓和因制造工序中或制造后的衬底的带电等产生的ESD的影响，由此可以适当地抑制被测量元件101的损坏或者电特性的变化等。
图14B示出四个端子102中的两个端子102通过布线14电连接的TEG100b。如此，不是所有的端子102电连接，而是根据被测量元件101的结构在被测量元件101中只选择与耐压低的电极等电连接的端子102，将其通过布线14电连接。
图14C示出包括两个端子的被测量元件101的TEG100c的例子。此外，图14D示出包括三个端子的被测量元件101的TEG100d的例子。
图14E示出包括电连接四个端子102中的两个的布线14p以及电连接其他两个的布线14q的TEG100e的例子。如图14E所示，在包括电绝缘的两个以上的布线14时，优选具有能够一次截断它们的俯视形状。
注意，端子102的数量不局限于上述数量，也可以根据被测量元件101的结构包括五个以上的端子。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式3)
在本实施方式中参照图15对包括本发明的一个方式的半导体装置的显示装置进行说明。
图15A所示的显示装置包括像素部502、驱动电路部504、保护电路506及端子部507。注意，也可以采用不设置保护电路506的结构。
对像素部502或驱动电路部504所包括的晶体管可以使用本发明的一个方式的晶体管。此外，也可以对保护电路506使用本发明的一个方式的晶体管。
像素部502包括使配置为X行Y列(X、Y为分别独立的2以上的自然数)的多个显示元件驱动的多个像素电路501。
驱动电路部504包括对栅极线GL_1至GL_X输出扫描信号的栅极驱动器504a、对数据线DL_1至DL_Y供应数据信号的源极驱动器504b等的驱动电路。栅极驱动器504a采用至少包括移位寄存器的结构即可。此外，源极驱动器504b例如由多个模拟开关等构成。此外，也可以由移位寄存器等构成源极驱动器504b。
端子部507是指设置有用来从外部的电路对显示装置输入电源、控制信号及图像信号等的端子的部分。
保护电路506是在自身所连接的布线被供应一定的范围之外的电位时使该布线与其他布线之间处于导通状态的电路。图15A所示的保护电路506例如与栅极驱动器504a和像素电路501之间的布线的栅极线GL、或者与源极驱动器504b和像素电路501之间的布线的数据线DL等的各种布线连接。另外，在图15A中，为了区别保护电路506和像素电路501而对保护电路506附加阴影线。
此外，既可以采用栅极驱动器504a及源极驱动器504b各自设置在与像素部502相同的衬底上的结构，又可以采用形成有栅极驱动电路或源极驱动电路的衬底(例如，使用单晶半导体或多晶半导体形成的驱动电路板)以COG或TAB(Tape Automated Bonding：卷带自动结合)安装于衬底的结构。
图15A所示的多个像素电路501例如可以采用与图15B或图15C所示的结构。
图15B所示的像素电路501包括液晶元件570、晶体管550及电容器560。此外，与像素电路501连接有数据线DL_n、栅极线GL_m及电位供应线VL等。
根据像素电路501的规格适当地设定液晶元件570的一对电极中的一个电极的电位。根据被写入的数据设定液晶元件570的取向状态。此外，也可以对多个像素电路501的每一个所具有的液晶元件570的一对电极中的一个电极供应公共电位。此外，也可以对各行的像素电路501的每一个所具有的液晶元件570的一对电极中的一个电极供应不同的电位。
此外，图15C所示的像素电路501包括晶体管552、554、电容器562以及发光元件572。此外，与像素电路501连接有数据线DL_n、栅极线GL_m、电位供应线VL_a及电位供应线VL_b等。
此外，电位供应线VL_a和电位供应线VL_b中的一个被施加高电源电位VDD，电位供应线VL_a和电位供应线VL_b中的另一个被施加低电源电位VSS。根据晶体管554的栅极被施加的电位，流过发光元件572中的电流被控制，从而来自发光元件572的发光亮度被控制。
本实施方式所示的结构例子及对应于这些例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子或附图等适当地组合而实施。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式4)
下面对备有用来校正像素所显示的灰度的存储器的像素电路以及具有该像素电路的显示装置进行说明。实施方式1中例示出的晶体管可以用于下文中例示出的像素电路所使用的晶体管。
[电路结构]
图16A示出像素电路400的电路图。像素电路400包括晶体管M1、晶体管M2、电容器C1及电路401。此外，像素电路400连接有布线S1、布线S2、布线G1及布线G2。
晶体管M1的栅极与布线G1连接，源极和漏极中的一个与布线S1连接，源极和漏极中的另一个与电容器C1的一个电极连接。晶体管M2的栅极与布线G2连接，源极和漏极中的一个与布线S2连接，源极和漏极中的另一个与电容器C1的另一个电极及电路401连接。
电路401至少包括一个显示元件。显示元件可以使用各种各样的元件，典型地有有机EL元件或LED元件等发光元件、液晶元件或MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)元件等。
将连接晶体管M1与电容器C1的节点记作节点N1，将连接晶体管M2与电路401的节点记作节点N2。
像素电路400通过使晶体管M1变为关闭状态可以保持节点N1的电位。此外，通过使晶体管M2变为关闭状态可以保持节点N2的电位。此外，通过在晶体管M2处于关闭状态的状态下通过晶体管M1对节点N1写入规定的电位，由于通过电容器C1的电容耦合，可以使节点N2的电位对应节点N1的电位变化而发生改变。
在此，作为晶体管M1、晶体管M2中的一方或双方可以使用实施方式1中例示出的使用氧化物半导体的晶体管。由于该晶体管具有极小的关态电流，因此可以长时间地保持节点N1及节点N2的电位。此外，当各节点的电位保持期间较短时(具体而言，帧频为30Hz以上时等)也可以采用使用了硅等半导体的晶体管。
[驱动方法例]
接着，参照图16B对像素电路400的工作方法的一个例子进行说明。图16B是像素电路400的工作的时序图。注意，这里为了便于说明，不考虑布线电阻等各种电阻、晶体管或布线等的寄生电容及晶体管的阈值电压等的影响。
在图16B所示的工作中，将1个帧期间分为期间T1和期间T2。期间T1是对节点N2写入电位的期间，期间T2是对节点N1写入电位的期间。
[期间T1]
在期间T1，对布线G1和布线G2的双方供应使晶体管变为开启状态的电位。此外，对布线S1提供为固定电位的电位Vref，对布线S2提供第一数据电位Vw。
节点N1通过晶体管M1从布线S1被供应电位Vref。此外，节点N2通过晶体管M2从布线S2被供应第一数据电位Vw。因此，电容器C1变为保持电位差Vw-Vref的状态。
[期间T2]
接着，在期间T2，布线G1被供应使晶体管M1变为开启状态的电位，布线G2被供应使晶体管M2变为关闭状态的电位，布线S1被供应第二数据电位Vdata。此外，可以对布线S2提供预定的恒电位或使成为浮动状态。
节点N1通过晶体管M1从布线S1被供应第二数据电位Vdata。此时，由于通过电容器C1的电容耦合，对应第二数据电位Vdata节点N2的电位发生变化，其变化量为电位dV。也就是说，电路401被输入将第一数据电位Vw和电位dV加在一起的电位。注意，虽然图16B示出电位dV为正的值，但是其也可以为负的值。也就是说，第二数据电位Vdata也可以比电位Vref低。
这里，电位dV基本由电容器C1的电容值及电路401的电容值决定。当电容器C1的电容值充分大于电路401的电容值时，电位dV成为接近第二数据电位Vdata的电位。
如上所述，由于像素电路400可以组合两种数据信号生成供应给包括显示元件的电路401的电位，所以可以在像素电路400内进行灰度校正。
此外，像素电路400可以生成超过可对布线S1及布线S2供应的最大电位的电位。例如，在使用发光元件的情况下，可以进行高动态范围(HDR)显示等。此外，在使用液晶元件的情况下，可以实现过驱动等。
[应用例]
[使用液晶元件的例子]
图16C所示的像素电路400LC包括电路401LC。电路401LC包括液晶元件LC及电容器C2。
液晶元件LC的一个电极与节点N2及电容器C2的一个电极连接，另一个电极与被供应电位Vcom2的布线连接。电容器C2的另一个电极与被供应电位Vcom1的布线连接。
电容器C2被用作存储电容器。此外，当不需要时可以省略电容器C2。
由于像素电路400LC可以对液晶元件LC提供高电压，所以例如可以通过过驱动实现高速显示，可以采用驱动电压高的液晶材料等。此外，通过对布线S1或布线S2提供校正信号，可以根据使用温度或液晶元件LC的劣化状态等进行灰度校正。
[使用发光元件的例子]
图16D所示的像素电路400EL包括电路401EL。电路401EL包括发光元件EL、晶体管M3及电容器C2。
晶体管M3的栅极与节点N2及电容器C2中的一个电极连接，源极和漏极中的一个与被供应电位VH的布线连接，源极和漏极中的另一个与发光元件EL的一个电极连接。电容器C2的另一个电极与被供应电位Vcom的布线连接。发光元件EL的另一个电极与被供应电位VL的布线连接。
晶体管M3具有控制对发光元件EL供应的电流的功能。电容器C2被用作存储电容器。不需要时也可以省略电容器C2。
此外，虽然这里示出发光元件EL的阳极一侧与晶体管M3连接的结构，但是也可以采用阴极一侧与晶体管M3连接的结构。此时，可以适当地改变电位VH与电位VL的值。
像素电路400EL可以通过对晶体管M3的栅极施加高电位使大电流流过发光元件EL，所以可以实现HDR显示等。此外，通过对布线S1或布线S2提供校正信号可以对晶体管M3及发光元件EL的电特性偏差进行校正。
此外，不局限于图16C及图16D所示的电路，也可以采用另外附加晶体管或电容器等的结构。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式5)
在本实施方式中，对可以使用本发明的一个方式制造的显示模块进行说明。
图17A所示的显示模块6000在上盖6001与下盖6002之间包括与FPC6005连接的显示装置6006、框架6009、印刷电路板6010及电池6011。
例如，可以将使用本发明的一个方式制造的显示装置用作显示装置6006。通过利用显示装置6006，可以实现功耗极低的显示模块。
上盖6001及下盖6002可以根据显示装置6006的尺寸适当地改变其形状或尺寸。
显示装置6006也可以具有作为触摸面板的功能。
框架6009具有保护显示装置6006的功能、遮断因印刷电路板6010的工作而产生的电磁波的功能以及散热板的功能等。
印刷电路板6010具有电源电路以及用来输出视频信号及时钟信号的信号处理电路、电池控制电路等。
图17B是具备光学触摸传感器的显示模块6000的截面示意图。
显示模块6000包括设置在印刷电路板6010上的发光部6015及受光部6016。此外，由上盖6001与下盖6002围绕的区域设置有一对导光部(导光部6017a、导光部6017b)。
显示装置6006隔着框架6009与印刷电路板6010及电池6011重叠地设置。显示装置6006及框架6009固定在导光部6017a、导光部6017b。
从发光部6015发射的光6018经过导光部6017a、显示装置6006的顶部及导光部6017b到达受光部6016。例如，当光6018被指头或触屏笔等被检测体阻挡时，可以检测触摸操作。
例如，多个发光部6015沿着显示装置6006的相邻的两个边设置。多个受光部6016配置在与发光部6015对置的位置。由此，可以取得触摸操作的位置的信息。
作为发光部6015例如可以使用LED元件等光源，尤其是，优选使用发射红外线的光源。作为受光部6016可以使用接收发光部6015所发射的光且将其转换为电信号的光电元件。优选使用能够接收红外线的光电二极管。
通过使用使光6018透过的导光部6017a及导光部6017b，可以将发光部6015及受光部6016配置在显示装置6006中的下侧，可以抑制外光到达受光部6016而导致触摸传感器的错误工作。尤其优选使用吸收可见光且透过红外线的树脂，由此可以更有效地抑制触摸传感器的错误工作。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式6)
在本实施方式中对能够使用本发明的一个方式的显示装置的电子设备的例子进行说明。
图18A所示的电子设备6500是可以被用作智能手机的便携式信息终端设备。
电子设备6500包括外壳6501、显示部6502、电源按钮6503、按钮6504、扬声器6505、麦克风6506、照相机6507及光源6508等。显示部6502具有触摸面板功能。
显示部6502可以使用本发明的一个方式的显示装置。
显示部6502包括槽口部，并且以嵌入该槽口部的方式设置有照相机6507及光源6508。通过采用这样的结构，可以扩大显示部6502在外壳6501中占据的面积。
图18B示出显示部6502包括开口且该开口内部配置有照相机6507、围绕照相机6507的环状的光源6509的例子。此外，以嵌入显示部6502的槽口部的方式设置有扬声器6505。另外，也可以将显示部6502用作对拍摄对象进行照明的光源。通过采用这样的结构，可以进一步扩大显示部6502在外壳6501中占据的面积。
图18C是包括外壳6501的麦克风6506一侧的端部的截面示意图。
外壳6501的显示面一侧设置有具有透光性的保护构件6510，被外壳6501及保护构件6510包围的空间内设置有显示面板6511、光学构件6512、触摸传感器面板6513、印刷电路板6517、电池6518等。
显示面板6511、光学构件6512及触摸传感器面板6513通过没有图示的粘合层固定到保护构件6510。
此外，在显示部6502外侧的区域中，显示面板6511的一部分被折叠。此外，该被折叠的部分与FPC6515连接。FPC6515安装有IC6516。此外，FPC6515与设置于印刷电路板6517的端子连接。
显示面板6511可以使用本发明的一个方式的柔性显示器面板。由此，可以实现极轻量的电子设备。此外，由于显示面板6511极薄，所以可以在抑制电子设备的厚度的情况下搭载大容量的电池6518。此外，通过折叠显示面板6511的一部分以在像素部的背面设置与FPC6515的连接部，可以实现窄边框的电子设备。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式7)
在本实施方式中对包括使用本发明的一个方式制造的显示装置的电子设备进行说明。
以下所例示的电子设备是在显示部中包括本发明的一个方式的显示装置的电子设备，因此是可以实现高清晰的电子设备。此外，可以同时实现高清晰及大屏幕的电子设备。
在本发明的一个方式的电子设备的显示部上例如可以显示具有全高清、4K2K、8K4K、16K8K或更高的分辨率的影像。
作为电子设备，例如除了电视装置、笔记本型个人计算机、显示器装置、数字标牌、弹珠机、游戏机等具有比较大的屏幕的电子设备之外，还可以举出数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置等。
使用了本发明的一个方式的电子设备可以沿着房屋或楼的内壁或外壁、汽车等的内部装饰或外部装饰等的平面或曲面组装。
图19A是安装有取景器8100的照相机8000的外观图。
照相机8000包括外壳8001、显示部8002、操作按钮8003、快门按钮8004等。此外，照相机8000安装有可装卸的镜头8006。
在照相机8000中，镜头8006和外壳也可以被形成为一体。
照相机8000通过按下快门按钮8004或者触摸用作触摸面板的显示部8002，可以进行成像。
外壳8001包括具有电极的嵌入器，除了可以与取景器8100连接以外，还可以与闪光灯装置等连接。
取景器8100包括外壳8101、显示部8102以及按钮8103等。
外壳8101通过嵌合到照相机8000的嵌入器的嵌入器安装到照相机8000。取景器8100可以将从照相机8000接收的图像等显示到显示部8102上。
按钮8103被用作电源按钮等。
本发明的一个方式的显示装置可以用于照相机8000的显示部8002及取景器8100的显示部8102。此外，也可以在照相机8000中内置有取景器。
图19B是头戴显示器8200的外观图。
头戴显示器8200包括装上部8201、透镜8202、主体8203、显示部8204以及电缆8205等。此外，在装上部8201中内置有电池8206。
通过电缆8205，将电力从电池8206供应到主体8203。主体8203具备无线接收器等，能够将所接收的图像信息等显示到显示部8204上。此外，主体8203具有照相机，由此可以利用使用者的眼球及眼睑的动作作为输入方法。
此外，也可以对装上部8201的被使用者接触的位置设置多个电极，以检测出根据使用者的眼球的动作而流过电极的电流，由此实现识别使用者的视线的功能。此外，还可以具有根据流过该电极的电流监视使用者的脉搏的功能。装上部8201可以具有温度传感器、压力传感器、加速度传感器等各种传感器，也可以具有将使用者的生物信息显示在显示部8204上的功能或与使用者的头部的动作同步地使显示在显示部8204上的图像变化的功能。
可以将本发明的一个方式的显示装置用于显示部8204。
图19C、图19D、图19E是头戴显示器8300的外观图。头戴显示器8300包括外壳8301、显示部8302、带状固定工具8304以及一对透镜8305。
使用者可以通过透镜8305看到显示部8302上的显示。优选的是，弯曲配置显示部8302。因为使用者可以感受高真实感。此外，通过透镜8305分别看到显示在显示部8302的不同区域上的图像，可以进行利用视差的三维显示等。此外，本发明的一个方式不局限于设置有一个显示部8302的结构，也可以设置两个显示部8302以对使用者的一对眼睛分别配置两个不同的显示部。
可以将本发明的一个方式的显示装置用于显示部8302。因为包括本发明的一个方式的半导体装置的显示装置具有极高的分辨率，所以即使如图19E那样地使用透镜8305放大，也可以不使使用者看到像素而可以显示现实感更高的影像。
图20A至图20G所示的电子设备包括外壳9000、显示部9001、扬声器9003、操作键9005(包括电源开关或操作开关)、连接端子9006、传感器9007(该传感器具有测定如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风9008等。
图20A至图20G所示的电子设备具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像、文字图像等)显示在显示部上的功能；触摸面板的功能；显示日历、日期或时间等的功能；通过利用各种软件(程序)控制处理的功能；进行无线通信的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据来处理的功能；等。注意，电子设备的功能不局限于上述功能，而可以具有各种功能。电子设备可以包括多个显示部。此外，也可以在该电子设备中设置照相机等而使其具有如下功能：拍摄静态图像或动态图像来将所拍摄的图像储存在存储介质(外部存储介质或内置于照相机的存储介质)中的功能；将所拍摄的图像显示在显示部上的功能；等。
下面，详细地说明图20A至图20G所示的电子设备。
图20A是示出电视装置9100的立体图。可以将例如是50英寸以上或100英寸以上的大型显示部9001组装到电视装置9100。
图20B是示出便携式信息终端9101的立体图。便携式信息终端9101例如可以用作智能手机。便携式信息终端9101也可以设置有扬声器9003、连接端子9006、传感器9007等。此外，便携式信息终端9101可以将文字或图像信息显示在其多个面上。图20B示出显示三个图标9050的例子。此外，也可以将由虚线矩形表示的信息9051显示在显示部9001的另一个面上。作为信息9051的一个例子，可以举出提示收到电子邮件、SNS或电话等的信息；电子邮件或SNS等的标题；发送者姓名；日期；时间；电池余量；以及天线接收信号强度等。或者，可以在显示有信息9051的位置上显示图标9050等。
图20C是示出便携式信息终端9102的立体图。便携式信息终端9102具有将信息显示在显示部9001的三个以上的面上的功能。在此，示出信息9052、信息9053、信息9054分别显示于不同的面上的例子。例如，使用者也可以在将便携式信息终端9102放在上衣口袋里的状态下确认显示在能够从便携式信息终端9102的上方观察到的位置上的信息9053。使用者可以确认到该显示而无需从口袋里拿出便携式信息终端9102，由此能够判断例如是否接电话。
图20D是示出手表型便携式信息终端9200的立体图。便携式信息终端9200例如可以用作智能手表。此外，显示部9001的显示面被弯曲，能够在所弯曲的显示面上进行显示。例如，通过与可进行无线通信的耳麦相互通信，便携式信息终端9200可以进行免提通话。此外，便携式信息终端9200包括连接端子9006，可以与其他信息终端进行数据的交换或者进行充电。此外，充电工作也可以利用无线供电进行。
图20E、图20F、图20G是示出能够折叠的便携式信息终端9201的立体图。此外，图20E是便携式信息终端9201为展开状态的立体图，图20G是便携式信息终端9201为折叠状态的立体图，并且图20F是便携式信息终端9201为从图20E和图20G中的一个状态变为另一个状态的中途的状态的立体图。便携式信息终端9201在折叠状态下可携带性好，在展开状态下因为具有无缝拼接的较大的显示区域而其显示的一览性优异。便携式信息终端9201所包括的显示部9001由铰链9055所连接的三个外壳9000来支撑。例如，可以以1mm以上且150mm以下的曲率半径使显示部9001弯曲。
图21A示出电视装置的一个例子。电视装置7100的显示部7500被组装在外壳7101中。在此示出利用支架7103支撑外壳7101的结构。
可以通过利用外壳7101所具备的操作开关或另外提供的遥控操作机7111进行图21A所示的电视装置7100的操作。此外，也可以将触摸面板用于显示部7500，通过用手指等触摸显示部7500可以进行电视装置7100的操作。此外，遥控操作机7111也可以除了具备操作按钮以外还具备显示部。
此外，电视装置7100也可以具备电视广播的接收机或用来连接到通信网络的通信设备。
图21B示出笔记型个人计算机7200。笔记型个人计算机7200包括外壳7211、键盘7212、指向装置7213、外部连接端口7214等。在外壳7211中组装有显示部7500。
图21C及图21D示出数字标牌(Digital Signage)的一个例子。
图21C所示的数字标牌7300包括外壳7301、显示部7500及扬声器7303等。此外，还可以包括LED灯、操作键(包括电源开关或操作开关)、连接端子、各种传感器以及麦克风等。
此外，图21D示出设置于圆柱状柱子7401上的数字标牌7400。数字标牌7400包括沿着柱子7401的曲面设置的显示部7500。
显示部7500越大，一次能够提供的信息量越多，并且容易吸引人的注意，由此例如可以提高广告宣传效果。
优选将触摸面板用于显示部7500，使得使用者能够操作。由此，不仅可以用于广告，还可以用于提供路线信息或交通信息、商用设施的指南等使用者需要的信息。
如图21C、图21D所示，数字标牌7300或数字标牌7400优选通过无线通信可以与使用者所携带的智能手机等信息终端设备7311联动。例如，显示在显示部7500上的广告的信息可以显示在信息终端设备7311的屏幕，并且通过操作信息终端设备7311，可以切换显示部7500的显示。
此外，可以在数字标牌7300或数字标牌7400上以信息终端设备7311为操作单元(控制器)执行游戏。由此，不特定多个使用者可以同时参加游戏，享受游戏的乐趣。
本发明的一个方式的显示装置可以用于图21A至图21D所示的显示部7500。
虽然本实施方式的电子设备采用具有显示部的结构，但是本发明的一个实施方式也可以用于不具有显示部的电子设备。
[符号说明]
10、10a、10b：显示装置、11：显示部、12、12a、12b：连接端子、13、14、14a、14p、14q、15、15a：布线、13a、13b、13d：开口、13c：交叉部、14b：加工痕迹、16：FPC、17：连接体、18：连接部、19：IC、20a、20b、20c：截断线、21、21a、22：衬底、25：粘合层、30、30a、30b、30c、30d、40、40a、40b：晶体管、31：半导体层、32、32p、35、35p、36、36p、37、38、38p、39：导电层、33、41、42、43、45、46：绝缘层、34：低电阻区域、50a、50b：弯曲部、51：衬底、52、53：电路部、54：槽口部、100a、100b、100c、100d、100e：TEG、101：被测量元件、102：端子、103：布线、120：截断线、701、705：衬底、710：液晶元件、711、713：导电层、712：液晶、720：支撑体、721、722、750、752：晶体管、723：布线、725、726：取向膜、727：间隔物、730、734、741a、741b、741c、744、746、770：绝缘层、732:密封层、736:着色层、738：遮光层、740：衬底、741：保护层、742、747、748：粘合层、743：树脂层、749：保护层、755、756：偏振片、757：光源、761、772、788：导电层、782：发光元件、786：EL层、790：电容器

Claims (9)

1.一种显示装置，包括：
衬底；
显示部；
连接端子；
第一布线；以及
第二布线，
其中，所述第一布线与所述连接端子电连接且包括位于所述连接端子与所述显示部之间的部分，
所述第二布线与所述连接端子电连接，位于所述连接端子与所述衬底的端部之间，且在所述衬底的所述端部包括侧面露出的部分，
所述显示部包括晶体管，
所述晶体管包括半导体层、栅极绝缘层和栅电极，
所述半导体层及所述第二布线包含金属氧化物，
所述半导体层包括与所述栅电极重叠的第一区域和不与所述栅电极重叠的第二区域，
并且，所述第二区域及所述第二布线的电阻比所述第一区域低。
2.一种显示装置，包括：
衬底；
显示部；
连接端子；
第一布线；以及
第二布线，
其中，所述第一布线与所述连接端子电连接且包括位于所述连接端子与所述显示部之间的部分，
所述第二布线与所述连接端子电连接，位于所述连接端子与所述衬底的端部之间，且在所述衬底的所述端部包括侧面露出的部分，
所述显示部包括晶体管，
所述晶体管包括半导体层、栅极绝缘层和栅电极，
所述半导体层及所述第二布线通过加工第一氧化物半导体膜形成，
所述半导体层包括与所述栅电极重叠的第一区域和不与所述栅电极重叠的第二区域，
并且，所述第二区域及所述第二布线的电阻比所述第一区域低。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，
其中所述半导体层与所述第二布线设置于同一面上。
4.根据权利要求1或2所述的显示装置，
其中所述第二布线的电阻比所述第一布线高。
5.根据权利要求1或2所述的显示装置，还包括：
与所述晶体管电连接的第三布线，
其中所述第三布线与所述第一布线设置于同一面上并包含同一金属元素。
6.根据权利要求1或2所述的显示装置，
其中所述连接端子包括所述第一布线的一部分。
7.根据权利要求1或2所述的显示装置，还包括：
与所述连接端子电连接的FPC，
其中所述FPC包括与所述第二布线重叠的部分。
8.根据权利要求1或2所述的显示装置，
其中所述衬底包括与所述第一布线重叠的第一部分以及与所述连接端子及所述第二布线重叠的第二部分，
所述第一部分以所述第一布线朝向外侧的方式弯曲，
并且所述第二部分包括与所述第一布线或所述显示部重叠的区域。
9.一种显示装置的制造方法，包括：
在衬底上形成包括半导体层的晶体管、多个连接端子及电连接所述多个连接端子的布线；
截断所述衬底的一部分及所述布线的一部分使所述多个连接端子电隔离；以及
连接所述多个连接端子与FPC，
其中，所述半导体层及所述布线通过加工同一金属氧化物膜形成，
所述半导体层包括与栅电极重叠的第一区域和不与所述栅电极重叠的第二区域，
并且，所述第二区域及所述布线的电阻比所述第一区域低。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11355460B1 (en) * 2020-12-07 2022-06-07 Infineon Technologies Ag Molded semiconductor package with high voltage isolation
US20230180399A1 (en) * 2021-12-07 2023-06-08 Meta Platforms Technologies, Llc Design to protect chip-on-flex for dual bending
CN115542609B (zh) * 2022-10-11 2024-01-26 厦门天马微电子有限公司 光源组件和背光模组

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07199215A (ja) * 1993-11-25 1995-08-04 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置及び液晶ディスプレイ
JPH08316336A (ja) * 1995-05-18 1996-11-29 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN1209883A (zh) * 1995-11-29 1999-03-03 三洋电机株式会社 显示装置和显示装置的制造方法
JP2003077933A (ja) * 2001-06-21 2003-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 絶縁ゲート型トランジスタと液晶表示装置及び表示装置用半導体装置の製造方法
US9401354B1 (en) * 2015-04-14 2016-07-26 Samsung Display Co., Ltd. Display panel having a reduced dead space

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4179483B2 (ja) 1996-02-13 2008-11-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP4934394B2 (ja) * 2006-10-12 2012-05-16 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
US8237163B2 (en) * 2008-12-18 2012-08-07 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for display device and method for fabricating the same
CN107591316B (zh) 2012-05-31 2021-06-08 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2017081575A1 (en) * 2015-11-11 2017-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP6756508B2 (ja) 2016-04-04 2020-09-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2018092013A (ja) * 2016-12-05 2018-06-14 三菱電機株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法
US11508799B2 (en) 2018-03-28 2022-11-22 Sharp Kabushiki Kaisha Display device comprising frame region surrounding display region
JP6799123B2 (ja) * 2018-09-19 2020-12-09 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07199215A (ja) * 1993-11-25 1995-08-04 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置及び液晶ディスプレイ
JPH08316336A (ja) * 1995-05-18 1996-11-29 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN1209883A (zh) * 1995-11-29 1999-03-03 三洋电机株式会社 显示装置和显示装置的制造方法
JP2003077933A (ja) * 2001-06-21 2003-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 絶縁ゲート型トランジスタと液晶表示装置及び表示装置用半導体装置の製造方法
US9401354B1 (en) * 2015-04-14 2016-07-26 Samsung Display Co., Ltd. Display panel having a reduced dead space

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