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  1. 第１の基板と、
    前記第１の基板上方の第１のトランジスタと、
    前記第１の基板上方の第２のトランジスタと、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続されている発光素子と、
    前記第１のトランジスタ上方及び前記第２のトランジスタ上方の第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上方の画素電極と、
    前記画素電極上方の液晶層と、
    前記液晶層上方の第２の基板と、を有し、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインは、前記画素電極と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
  2. 第１の基板と、
    前記第１の基板上方の第１のトランジスタと、
    前記第１の基板上方の第２のトランジスタと、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続されている発光素子と、
    前記第１のトランジスタ上方及び前記第２のトランジスタ上方の第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上方の画素電極と、
    前記画素電極上方の液晶層と、
    前記液晶層上方の第２の基板と、を有し、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインは、前記画素電極と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有する第２の絶縁層は、前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有することを特徴とする表示装置。
  3. 第１の基板と、
    前記第１の基板上方の第１のトランジスタと、
    前記第１の基板上方の第２のトランジスタと、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続されている発光素子と、
    前記第１のトランジスタ上方及び前記第２のトランジスタ上方の第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上方の画素電極と、
    前記画素電極上方の液晶層と、
    前記液晶層上方の第２の基板と、を有し、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインは、前記画素電極と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタは、第１の半導体層を有し、
    前記第２のトランジスタは、第２の半導体層を有し、
    前記第１の半導体層は、第３の絶縁層と接する領域を有し、
    前記第１の半導体層は、前記第３の絶縁層と接する領域を有することを特徴とする表示装置。
  4. 第１の基板と、
    前記第１の基板上方の第１のトランジスタと、
    前記第１の基板上方の第２のトランジスタと、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続されている発光素子と、
    前記第１のトランジスタ上方及び前記第２のトランジスタ上方の第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上方の画素電極と、
    前記画素電極上方の液晶層と、
    前記液晶層上方の第２の基板と、を有し、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインは、前記画素電極と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有する第２の絶縁層は、前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
    前記第１のトランジスタは、第１の半導体層を有し、
    前記第２のトランジスタは、第２の半導体層を有し、
    前記第１の半導体層は、第３の絶縁層と接する領域を有し、
    前記第１の半導体層は、前記第３の絶縁層と接する領域を有することを特徴とする表示装置。
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