KR100853769B1 - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

액정표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100853769B1
KR100853769B1 KR1020000086010A KR20000086010A KR100853769B1 KR 100853769 B1 KR100853769 B1 KR 100853769B1 KR 1020000086010 A KR1020000086010 A KR 1020000086010A KR 20000086010 A KR20000086010 A KR 20000086010A KR 100853769 B1 KR100853769 B1 KR 100853769B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
insulating layer
thin film
liquid crystal
layer
Prior art date
Application number
KR1020000086010A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020056619A (ko
Inventor
김정현
서현식
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020000086010A priority Critical patent/KR100853769B1/ko
Priority to US09/891,534 priority patent/US7248309B2/en
Publication of KR20020056619A publication Critical patent/KR20020056619A/ko
Priority to US11/826,003 priority patent/US7576812B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100853769B1 publication Critical patent/KR100853769B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명은 유연성을 갖는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 액정표시장치는 고분자 유기물 재료로 형성된 제 1 기판 및 제 2 기판과, 제 1 기판의 배면상에 형성되는 제 1 절연층과, 제 1 기판의 배면과 제 1 절연층 사이에 형성된 시트 글래스와, 제 1 절연층상에 형성되는 유기발광소자와, 유기발광소자 전면에 형성되는 제 2 절연층과, 제 2 절연층상에 형성되는 보호층과, 제 1 기판상에 형성되는 박막트랜지스터와, 박막트랜지스터를 포함한 기판 전면에 형성되는 보호막과, 상기 박막트랜지스터의 소정부분에 연결되면서 상기 보호막상에 형성되어 있는 화소전극과, 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성되는 액정을 포함하여 이루어지며, 제 1 기판과 제 2 기판은 편광기능이 부가되어 있는 것을 특징으로 한다.
유기발광다이오드

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{Liquid crystal display and manufacturing method of the same}
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 구조단면도.
도 2는 본 발명에 따른 액정표시장치의 구조단면도.
도 3a 내지 3d는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
201a : 제 1 기판 201b : 제 2 기판
202 : 제 1 절연층 203 : 양극 전극
204 : 유기 박막층 205 : 음극 전극
206 : 제 2 절연층 207 : 보호층
208 : 박막트랜지스터 209 : 보호막
210 : 화소전극
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정표시장치는 자체 발광소자가 아니라 별도의 광원을 필요로 하는 수광 소자이며 밝기, 콘트라스트, 시야각 그리고 대면적화 등에 기술적 한계가 있기 때문에 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 평판 디스플레이를 개발하려는 노력이 활발히 전개되고 있다. 저전압구동, 자기발광, 경량 박형, 광시야각 그리고 빠른 응답속도 등의 장점을 가진 유기 전계발광현상(Electroluminescent, EL) 에 대한 연구가 그 예이다.
유기물질의 전계발광현상은 1965년에 단결정 안트라센(Anthracene)에서 최초로 발견되었지만 제한된 크기, 단결정 성장의 어려움 및 매우 높은 전압(∼1000V) 때문에 20여년간 발전하지 못하였으나 최근 박막 두께가 1000Å에 불과하고 10V 정도의 낮은 전압에서 구동될 수 있는 소자가 개발되었다.
일반적으로 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)의 구조는 음극층, 유기박막층, 양극층의 구조를 가지고 있고, 유기박막은 전자수송층(Electron Transport Layer), 정공수송층(Hole Transport Layer), 유기발광층(Emitting Layer)으로 구성되어 있으며 때로는 전자주입층(Electron Injection Layer)과 정공주입층(Hole Injection Layer)을 구성할 수 있다.
형광물질의 전기적 에너지에 의한 발광이라는 개념에서 무기 EL 화합물과 유사하지만 발광 매커니즘의 중심인 여기(Excite)현상 측면에서는 다소 차이가 있다. 무기 EL은 전자(Electron)가 높은 전압에 의해 가속 충돌하여 발생하는 에너지에 의해 발광이 일어나는 반면 유기 EL은 양극과 음극에서 주입된 정공과 전자의 재결합에 의해 발광이 일어나게 된다.
이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 액정표시장치를 상세히 설명한다.
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 구조단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 두 장의 절연기판(101, 101a)을 대향시켜 그 사이에 액정(111)을 봉입한 것으로, 한 장의 절연기판(101)에는 색상을 표현하기 위한 적, 청, 녹색의 칼라필터층(102)이 형성되고, 다른 한장의 절연기판(101a)에 형성된 화소전극을 제외한 부분으로 빛의 투과를 차단하기 위한 블랙매트릭스(103)가 매트릭스 형태로 형성된다.
그리고, 칼라필터층(102)과 블랙매트릭스(103)에 걸쳐 공통전극(105)이 형성되며, 상기 공통전극(105)을 형성하기 전에 평탄화막(Over coat)(104)을 형성하는 것도 가능하다.
한편, 상기 절연기판(101)에 대응하는 다른 한 장의 절연기판(101a)에는 게이트라인으로부터 연장되는 게이트전극(106)과, 상기 게이트전극(106)을 포함한 절연기판(101a)의 전면에 형성되는 게이트 절연막(113)과, 상기 게이트 전극(106)과 대응되게 상기 게이트 전극(106)을 감싸는 형태로 상기 게이트 절연막(114)상에 형성되는 반도체층(115)과, 상기 반도체층(115)의 양단에는 일정한 간격을 갖고 상기 게이트라인과 교차 배치되는 데이터라인으로부터 연장되는 소스전극(107)과 드레인전극(108)으로 구성되는 박막트랜지스터가 형성된다.
그리고, 드레인전극(108)과 비아홀을 통해 연결되는 화소전극(116)이 형성되며 하판의 배면에는 백라이트(112)가 구비된다.
또한, 상기 두 장의 절연기판(101,101a) 사이에는 셀갭(Cell gap)을 유지하도록 스페이서(Spacer)(109)가 산포되어 있다.
또한, 상기 두 장의 절연기판(101,101a) 사이의 가장자리에는 씨일재(110)가 형성되어 두 기판을 합착하고 있다.
그러나 상기와 같은 종래 액정 표시 장치 및 그 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.
액정표시장치는 자체 발광소자가 아니라 별도의 광원을 필요로 하는 수광 소자이기 때문에 백라이트(Backlight)라는 장치가 요구되며 백라이트에서 소비되는 전력은 액정표시장치에 공급되는 전력의 상당부분을 차지할 뿐만 아니라 액정표시장치의 구성에 있어서, 백라이트는 액정표시장치의 경박단소에 장애가 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 유기 발광다이오드를 액정표시장치의 백라이트로 이용함으로써 액정표시장치의 두께를 줄임과 함께 액정표시장치의 기판으로 고분자 유기물을 사용함으로써 기존 액정표시장치의 단점 중 하나인 깨짐의 위험을 방지할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시장치는 고분자 유기물 재료로 형성된 제 1 기판 및 제 2 기판과, 제 1 기판의 배면상에 형성되는 제 1 절연층과, 상기 제 1 기판의 배면과 상기 제 1 절연층 사이에 형성된 시트 글래스와, 상기 제 1 절연층상에 형성되는 유기발광소자와, 상기 유기발광소자 전면에 형성되는 제 2 절연층과, 상기 제 2 절연층상에 형성되는 보호층과, 상기 제 1 기판상에 형성되는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터를 포함한 기판 전면에 형성되는 보호막과, 상기 박막트랜지스터의 소정부분에 연결되면서 상기 보호막상에 형성되는 화소전극과, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성되는 액정을 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 기판과 제 2 기판은 편광기능이 부가되어 있는 것을 특징으로 한다. 그 제조방법은 고분자 유기물 재료로 형성된 제 1 기판 및 제 2 기판을 준비하는 단계와, 상기 제 1 기판의 배면상에 소정 두께의 시트 글래스를 형성시키는 단계와, 상기 시트 글래스 상에 제 1 절연층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 절연층상에 유기발광소자를 형성하는 단계와, 상기 유기발광소자 전면에 제 2 절연층을 형성하는 단계와, 상기 2 절연층상에 보호층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 기판상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터를 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터의 소정부분에 연결되도록 상기 보호막상에 화소전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징에 따른 작용은 상기 제 1 기판 및 제 2 기판이 유기물질로 이루어져 종래 액정표시장치의 단점인 깨짐의 위험이 없으며, 유기발광소자를 백라이트 대용으로 사용하기 때문에 액정표시장치의 경박단소 및 전력의 효율화를 꾀할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법을 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 액정표시장치의 구조단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 1, 제 2 기판(201a, 201b)을 대향시켜 그 사이에 액정(208)을 봉입한 구조로서, 제 1 기판(201a)의 배면상에 제 1 절연층(202)이 형성되어 있으며, 상기 제 1 절연층(202) 상에 인듐주석산화막(Indium Tin Oxide, ITO) 재질의 양극(anode) 전극(203)이 형성되어 있으며 상기 양극 전극(203)상에는 유기 박막층(204)이 형성되어 있다. 상기 유기 박막층(204)은 도면에 도시하지 않았지만 정공수송층, 유기 발광층, 전자수송층으로 이루어져 있다. 상기 유기 박막층(204)상에는 마그네슘(Mg) 또는 리튬(Li) 재질의 음극(cathode) 전극(205)이 형성되어 있다. 상기 음극 전극(205)상에는 제 2 절연층(206)이 형성되어 있고, 상기 제 2 절연층(206)상에는 보호층(207)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 제 1 기판(201a)은 PES(Polyethersurfate), PC(Polycarbonate)와 같은 고분자 유기물 재료로서 유연성이 있어 기존 유리기판의 단점인 깨짐의 위험을 방지할 수 있다. 또한 상기 제 1 기판(201a) 및 제 2 기판(201b)은 고분자 유기물의 분자배열을 이용하여 편광 기능이 부가되어 있다.
또한, 상기 제 1 기판(201a)의 배면상에는 제 1 절연층(202)이 형성되기 전에 소정 두께의 시트 글래스(Sheet glass)를 형성시켜 고분자기판에 정형성을 부여할 수 있다.
한편, 제 1 기판(201a)의 상부에는 일련의 공정을 통해 게이트전극(208a), 게이트절연막(208b), 반도체층(208c), 소소/드레인전극(208d,208e)으로 이루어진 박막트랜지스터(208)가 형성되어 있고, 상기 박막트랜지스터(208)의 드레인전극(208e)의 표면이 소정부분 노출되도록 비아홀을 갖고 상기 제 1 기판(201a) 전면에 보호막(209)이 적층되어 있다. 그리고 상기 비아홀을 통해 상기 드레인전극(208e)과 연결되도록 상기 보호막(209)상의 소정부위에는 화소전극(210)이 형성되어 있다.
한편, 상기 제 2 기판(201b)상에는 색표현을 구현하기 위한 칼라필터층(도시하지 않음)과, 제 1 기판(201a)의 박막트랜지스터(208)로의 빛의 투과를 막기 위한 블랙매트릭스층(도시하지 않음)이 구비되어 있다.
도 3a 내지 3d는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(201a)의 배면상에 실리콘 산화물(SiO2) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 재질의 제 1 절연층(202)을 형성시킨다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 절연층(202) 상에 ITO 박막을 스퍼터링(Sputtering)공정을 이용하여 증착하고, 상기 ITO 박막을 패터닝하여 양극 전극(anode)(203)을 형성시킨다.
이어, 상기 양극 전극(203)상에 Alq3(Tris-8-hydroxyquinolinato aluminium), BeBq(Bis-benzo-quinolinato-berellium), PPV(Poly Phenylene Vinylene) 또는 Poly alkylthiphene과 같은 유기재료를 진공증착 또는 스핀 코팅(Spin Coating)을 이용하여 증착시켜 유기 박막층(204)을 형성시킨다.
여기서, 상기 유기재료는 고체상태에서의 형광 양자수율이 커야 하고, 전자와 정공의 이동도가 높아야 하며, 진공증착시 쉽게 분해되지 않아야 하고, 균일한 박막을 형성하고 막의 구조가 안정되어야 하는 특성이 요구된다.
그리고 상기 유기박막층(204)상에는 마그네슘(Mg), 리튬(Li) 또는 마그네슘과 리튬의 화합물과 같은 금속재료를 스퍼터링법을 이용하여 증착시킨 후 선택적으로 제거하여 음극 전극(cathode)(205)을 형성시킨다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 음극 전극(205)상에 제 2 절연층(206)을 형성시킨다.
이어, 수분과 산소에 의한 열화를 방지하기 위해 상기 제 2 절연층(206)상에 보호층(207)을 형성시킨다. 상기 보호층(207)은 실리콘 산화물 또는 인듐산화물 등이 이용된다.
도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 기판(201a)상에 게이트전극(208a), 게이트 절연막(208b), 반도체층(208c), 소스/드레인전극(208d,208e)으로 이루어진 박막트랜지스터(208)를 일련의 공정을 통해 형성시킨다.
이어, 상기 박막트랜지스터(208)를 포함한 제 1 기판(201a)의 전면에 보호막(209)을 적층시킨다.
그리고 상기 박막트랜지스터(208)의 드레인전극(208e) 표면이 소정부분 노출되도록 상기 보호막(209)을 선택적으로 제거하여 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀을 포함한 제 1 기판(201a)의 전면에 ITO 박막과 같은 투명 도전막을 증착한 후 선택적으로 패터닝하여 상기 비아홀을 통해 상기 드레인전극(208e)과 연결되도록 상기 보호막(209)상에 화소전극(210)을 형성시킨다.
이후 도면에 도시하지 않았지만, 상기 유기 발광다이오드가 형성된 제 1 기판(201a)과, 대향되는 제 2 기판(201b)을 합착하여 액정을 봉입하면 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조공정은 완료된다.
한편, 상기 제 1 기판(201a)상에 액티브 영역을 형성시킨 후에 상기와 같은 제 1 기판(201a) 배면상의 유기발광다이오드를 형성하는 것도 가능하며, 액티브 영역이 형성된 제 1 기판(201a)과 제 2 기판(201b)을 합착한 다음, 유기 발광다이오드를 형성하는 것도 가능하다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 액정표시장치 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
유기 발광 다이오드를 백라이트로 사용하기 때문에 종래 방식의 액정표시장치에 비하여 그 두께가 현저히 얇아지며, 기판의 재질이 유기 물질이기 때문에 깨질 위험이 없으며, 기판 자체에 편광기능이 있기 때문에 편광판이 요구되지 않아 제조 공정을 단순화시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. 고분자 유기물 재료로 형성된 제 1 기판과 제 2 기판;
    상기 제 1 기판의 배면상에 형성되는 제 1 절연층;
    상기 제 1 기판의 배면과 상기 제 1 절연층 사이에 형성된 시트 글래스;
    상기 제 1 절연층상에 형성되는 유기발광소자;
    상기 유기발광소자 전면에 형성되는 제 2 절연층;
    상기 제 2 절연층상에 형성되는 보호층;
    상기 제 1 기판상에 형성되는 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터를 포함한 기판 전면에 형성되는 보호막;
    상기 박막트랜지스터의 소정부분에 연결되면서 상기 보호막상에 형성되는 화소전극;
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 형성되는 액정을 포함하여 이루어지며,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판은 편광기능이 부가되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기판과 제 2 기판의 고분자 유기물 재료로는 PES(Polyethersurfate), PC(Polycarbonate)와 같은 고분자 유기물 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기 박막층은 Alq3(Tris-8-hydroxyquinolinato aluminium), BeBq(Bis-benzo-quinolinato-berellium), PPV(Poly Phenylene Vinylene) 또는 Poly alkylthiphene 중 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 삭제
  6. 고분자 유기물 재료로 형성된 제 1 기판 및 제 2 기판을 준비하는 단계;
    상기 제 1 기판의 배면상에 소정 두께의 시트 글래스를 형성하는 단계;
    상기 시트 글래스 상에 제 1 절연층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 절연층상에 유기발광소자를 형성하는 단계;
    상기 유기발광소자 전면에 제 2 절연층을 형성하는 단계;
    상기 제 2 절연층상에 보호층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막트랜지스터를 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 박막트랜지스터의 소정부분에 연결되도록 상기 보호막상에 화소전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 기판과 제 2 기판의 고분자 유기물 재료로는 PES(Polyethersurfate), PC(Polycarbonate)와 같은 고분자 유기물 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기 박막층은 Alq3(Tris-8-hydroxyquinolinato aluminium), BeBq(Bis-benzo-quinolinato-berellium), PPV(Poly Phenylene Vinylene) 또는 Poly alkylthiphene 중 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  9. 삭제
KR1020000086010A 2000-12-29 2000-12-29 액정표시장치 및 그 제조방법 KR100853769B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000086010A KR100853769B1 (ko) 2000-12-29 2000-12-29 액정표시장치 및 그 제조방법
US09/891,534 US7248309B2 (en) 2000-12-29 2001-06-27 Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US11/826,003 US7576812B2 (en) 2000-12-29 2007-07-11 Liquid crystal display device and method for fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000086010A KR100853769B1 (ko) 2000-12-29 2000-12-29 액정표시장치 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020056619A KR20020056619A (ko) 2002-07-10
KR100853769B1 true KR100853769B1 (ko) 2008-08-25

Family

ID=19703973

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000086010A KR100853769B1 (ko) 2000-12-29 2000-12-29 액정표시장치 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7248309B2 (ko)
KR (1) KR100853769B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160010113A (ko) * 2014-07-18 2016-01-27 한양대학교 산학협력단 액정 표시장치

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7045861B2 (en) * 2002-03-26 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, liquid-crystal display device and method for manufacturing same
SG130013A1 (en) 2002-07-25 2007-03-20 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating light emitting device
TW583466B (en) * 2002-12-09 2004-04-11 Hannstar Display Corp Structure of liquid crystal display
TWI351566B (en) * 2003-01-15 2011-11-01 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device
US6900458B2 (en) * 2003-02-21 2005-05-31 Universal Display Corporation Transflective display having an OLED backlight
US20050007517A1 (en) * 2003-07-08 2005-01-13 Organic Lighting Technologies Llc Organic light emitting diode backlight integrated LCD
JP4845336B2 (ja) * 2003-07-16 2011-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像機能付き表示装置、及び双方向コミュニケーションシステム
US7292614B2 (en) * 2003-09-23 2007-11-06 Eastman Kodak Company Organic laser and liquid crystal display
KR101054341B1 (ko) * 2004-04-30 2011-08-04 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100696282B1 (ko) * 2005-02-17 2007-03-19 주식회사 대우일렉트로닉스 유기 이엘 백라이트를 이용한 액정표시장치
TWI267014B (en) * 2005-02-21 2006-11-21 Au Optronics Corp Organic light emitting diode display
US7272275B2 (en) * 2005-03-31 2007-09-18 Eastman Kodak Company Polarized light emitting source with an electro-optical addressing architecture
US20060291769A1 (en) * 2005-05-27 2006-12-28 Eastman Kodak Company Light emitting source incorporating vertical cavity lasers and other MEMS devices within an electro-optical addressing architecture
EP1845514B1 (en) * 2006-04-14 2013-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
US8054415B2 (en) * 2009-08-24 2011-11-08 Lsi Corporation LED LCD backlight with lens structure
US8476622B2 (en) * 2011-01-05 2013-07-02 Electronics And Telecommunications Research Institute Active matrix organic light emitting diode
WO2013008765A1 (en) * 2011-07-08 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module
JP6061581B2 (ja) 2012-09-19 2017-01-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 ディスプレイ装置
US9407856B2 (en) * 2013-05-30 2016-08-02 Vizio, Inc. Transparent FIPEL backlight panels which display colored light from a front surface to a light modulator and a white light from a back surface
CN103323975B (zh) * 2013-06-08 2015-09-23 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
KR102537329B1 (ko) * 2015-11-27 2023-05-26 엘지디스플레이 주식회사 광 제어 장치, 및 그를 포함한 투명표시장치
CN107399421B (zh) * 2016-05-19 2024-03-15 深圳光启空间技术有限公司 蒙皮、浮空器及蒙皮的制作方法
JP6235657B2 (ja) * 2016-07-08 2017-11-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 ディスプレイ装置
KR102574641B1 (ko) 2016-07-19 2023-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20240029589A (ko) * 2022-08-24 2024-03-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 구동 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1078582A (ja) * 1996-09-04 1998-03-24 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びその駆動方法
JPH10253959A (ja) * 1997-03-10 1998-09-25 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
KR20000026453A (ko) * 1998-10-20 2000-05-15 윤종용 전계발광형 후면광원장치 및 이를 이용한 액정표시기 모듈
KR20010078535A (ko) * 2000-02-02 2001-08-21 김순택 전계발광소자 일체형 액정표시소자 제조방법
KR20020041158A (ko) * 2000-11-27 2002-06-01 김순택 액정표시장치의 백라이트 및 그 제조 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58173718A (ja) * 1982-04-07 1983-10-12 Hitachi Ltd 液晶光変調素子およびその製造方法
US4674840A (en) * 1983-12-22 1987-06-23 Polaroid Corporation, Patent Dept. Liquid crystal display with polarizer and biaxial birefringent support
US4772885A (en) * 1984-11-22 1988-09-20 Ricoh Company, Ltd. Liquid crystal color display device
JPH06160850A (ja) * 1992-11-26 1994-06-07 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH09203890A (ja) * 1996-01-25 1997-08-05 Sharp Corp 入力機能付き液晶表示素子および反射型入力機能付き液晶表示素子、並びにそれらの製造方法
TW359765B (en) * 1996-05-10 1999-06-01 Seiko Epson Corp Projection type liquid crystal display apparatus
US5763110A (en) * 1996-09-03 1998-06-09 Xerox Corporation Electroluminescent devices comprising polynuclear arylamines
US6361885B1 (en) * 1998-04-10 2002-03-26 Organic Display Technology Organic electroluminescent materials and device made from such materials
DE19832644C1 (de) * 1998-07-10 2000-04-06 Samsung Display Devices Co Ltd Organische lichtemittierende Dioden (OLED) mit Poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylen-1,2-ethenylen-2,5-dimethoxy-1,4-phenylen-1,2-ethenylen] als Elektrolumineszenzmaterial

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1078582A (ja) * 1996-09-04 1998-03-24 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びその駆動方法
JPH10253959A (ja) * 1997-03-10 1998-09-25 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
KR20000026453A (ko) * 1998-10-20 2000-05-15 윤종용 전계발광형 후면광원장치 및 이를 이용한 액정표시기 모듈
KR20010078535A (ko) * 2000-02-02 2001-08-21 김순택 전계발광소자 일체형 액정표시소자 제조방법
KR20020041158A (ko) * 2000-11-27 2002-06-01 김순택 액정표시장치의 백라이트 및 그 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160010113A (ko) * 2014-07-18 2016-01-27 한양대학교 산학협력단 액정 표시장치
KR101596585B1 (ko) * 2014-07-18 2016-02-23 한양대학교 산학협력단 액정 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
US7248309B2 (en) 2007-07-24
US20080018829A1 (en) 2008-01-24
US20020085143A1 (en) 2002-07-04
US7576812B2 (en) 2009-08-18
KR20020056619A (ko) 2002-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100853769B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
US6967435B2 (en) Active matrix organic electroluminescent display and fabricating method thereof
US7494396B2 (en) Organic electroluminescent device including transparent conductive layer and fabricating method thereof
EP1309016A2 (en) Electro-optical apparatus, manufacturing method thereof, and electronic instrument
US7321134B2 (en) Organic electroluminescent display device and method for fabricating the same
US7928651B2 (en) Top emission type organic electro luminescence device and fabrication method thereof
KR20040020673A (ko) 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR20080054626A (ko) 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법
US7592635B2 (en) Organic electroluminescent device
US20040178724A1 (en) Display panel and electronic apparatus with the same
CN1315201C (zh) 电致发光显示装置
KR102312784B1 (ko) 전계발광 소자 및 이의 제조 방법
US6078138A (en) Organic thin film electroluminescence display unit
KR100885842B1 (ko) 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법
KR100782938B1 (ko) 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법
KR20060047227A (ko) 다층막 구성을 갖는 유기 전계 다중면 발광장치 및 그제조방법
KR100631121B1 (ko) 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법
KR100417921B1 (ko) 캔리스 유기 전계 발광 디스플레이
KR100565742B1 (ko) 유기전계발광소자
JP2004152595A (ja) 表示装置
JP2004134151A (ja) 有機ｅｌ素子
KR100705311B1 (ko) 유기 전계발광소자 및 그 제조방법
KR100761124B1 (ko) 전계 발광 소자
KR20050065948A (ko) 유기전계발광 소자
KR101157227B1 (ko) 상부발광 방식의 유기전계발광 소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20080205

Effective date: 20080704

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130619

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150728

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160712

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee