KR100705311B1 - 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광층의 손상을 방지함으로써 발광효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 유기전계발광소자는 기판 상에 형성된 제1 전극과; 유기발광층을 사이에 두고 상기 제1 전극과 중첩되게 형성된 제2 전극과; 상기 제1 전극과 유기발광층 사이에 형성된 버퍼층을 구비하고, 상기 유기발광층은 정공주입층과. 상기 정공주입층 상에 형성된 정공수송층과, 상기 정공수송층 상에 형성된 발광층과, 상기 발광층 상에 형성된 전자 수송층과, 상기 전자 수송층 상에 형성된 전자 주입층을 구성되고, 상기 버퍼층은 상기 제1 전극과 상기 정공주입층 사이에 위치하는 것을 특징으로 한다.

Description

유기 전계발광소자 및 그 제조방법{Organic Electro Luminescence Device And Fabricating Method Thereof}
도 1은 종래의 유기 전계발광소자의 유기발광층을 나타내는 도면이다.
도 2는 종래의 유기 전계발광소자의 발광원리를 설명하기 위한 다이어 그램이다.
도 3은 본 발명에 따른 유기전계발광소자를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 유기전계발광소자의 Ⅰ-Ⅰ'선을 절단하여 도시한 EL어레이를 구체적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 EL어레이의 제조공정을 나타내는 흐름도이다.
도 6은 ITO, ITO 및 인듐층, 열처리된 ITO 및 인듐층의 투과율을 나타내는 실험결과이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
102 : 기판 4,104 : 제1 전극(애노드전극)
10,110 : 유기전계발광층 12,112 : 제2 전극(캐소드 전극)
115 : 버퍼층 128 : 패키징 판
126 : 실런트 게터 : 125
반투막 : 127
본 발명은 유기 전계 발광소자에 관한 것으로, 특히, 유기발광층의 손상을 방지함으로써 발광효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근들어, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 함), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 PDP"라 함) 및 일렉트로 루미네센스(Electro-luminescence:이하 "EL "이라 함)표시장치 등이 있다. 이와 같은 평판표시장치의 표시품질을 높이고 대화면화를 시도하는 연구들이 활발히 진행되고 있다.
이들 중 PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 경박 단소하면서도 대화면화에 가장 유리한 표시장치로 주목받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. 이에 비하여, 스위칭 소자로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT"라 함)가 적용된 액티브 매트릭스 LCD는 반도체공정을 이 용하기 때문에 대화면화에 어렵고 백라이트 유닛으로 인하여 소비전력이 큰 단점이 있고, 편광필터, 프리즘시트, 확산판 등의 광학소자들에 의해 광손실이 많고 시야각이 좁은 특성이 있다.
이에 비하여, EL소자는 발광층의 재료에 따라 무기전계발광소자와 유기전계발광소자로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 무기전계발광소자는 유기전계발광소자에 비하여 전력소모가 크고 고휘도를 얻을 수 없으며 R, G, B의 다양한 색을 발광시킬 수 없다. 반면에, 유기전계발광소자는 수십 볼트의 낮은 직류 전압에서 구동됨과 아울러, 빠른 응답속도를 가지고, 고휘도를 얻을 수 있으며 R, G, B의 다양한 색을 발광시킬 수 있어 차세대 평판 디스플레이소자에 적합하다.
도 1은 종래의 EL소자의 EL어레이를 나타내는 단면도이고, 도 2는 EL소자의 발광원리를 설명하기 위한 다이어 그램이다.
도 1에 도시된 EL어레이(3)는 제1 전극(또는 애노드전극)(4)과 제2 전극(또는 캐소드전극)(12) 사이에 형성된 유기발광층(10)을 포함하고, 유기발광층(10)에는 전자 주입층(10a), 전자 수송층(10b), 발광층(10c), 정공 수송층(10d), 정공 주입층(10e)이 구비한다.
EL어레이(3)의 제1 전극(4)과 제2 전극(12) 사이에 전압이 인가되면, 도 2에 도시된 바와 같이 제2 전극(12)으로부터 발생된 전자는 전자 주입층(10a) 및 전자 수송층(10b)을 통해 발광층(10c) 쪽으로 이동된다, 또한, 제1 전극(4)으로 부터 발생된 정공은 정공 주입층(10d) 및 정공 수송층(10d)을 통해 발광층(10c) 쪽으로 이 동한다. 이에 따라, 발광층(10c)에서는 전자 수송층(10b)과 정공 수송층(10d)으로부터 공급되어진 전자와 정공이 충돌하여 재결합함으로써 빛이 발생하게 되고, 이 빛은 제1 전극(4)을 통해 외부로 방출되어 화상이 표시되게 된다.
제1 전극(4)은 기판 상에 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등의 투명전도성 물질로 형성되며 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu) 등이 포함될 수 도 있다.
정공주입층(10e)은 정공의 농도를 조절하고 정공 수송층(10d)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 제1 전극(4)에서 발생된 정공이 용이하게 발광층(10c)에 주입되게 하는 역할을 한다.
전자주입층(10a) 및 전자수송층(10b)은 전자의 농도 및 속도를 조절함으로써 제2 전극(12)에서 발생된 전자가 용이하게 발광층(10c)에 주입되게 하는 역할을 한다.
정공주입층(10e)은 주로 코퍼프탈로시아나인(Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)을 증착함으로써 형성되며, 약 10 ~ 30 nm의 두께를 가지도록 증착된다.
정공수송층(10d)은 주로 N,N-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenylbenzidine(NPD) 를 증착함으로써 형성된다. 이때, 정공수송층은 약 30 ~ 60 nm의 두께를 가지게 된다.
발광층(10c)은 광을 발생시키는 기능을 주로 하지만 전자 혹은 정공을 운반하는 기능도 함께 한다. 발광층(10c)은 필요에 따라 발광물질을 단독으로 사용되거나 호스트 재료에 도핑된 상태의 발광물질을 사용한다. 특히 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 중 녹색(G)광의 경우, 발광층(10c)은 tris(8-hydroxyquinolate) aluminum(Alq3)와 같은 호스트에 N-methylquinacridone(MQD)와 같은 물질을 도핑함으로써 형성된다. 이때, 발광층은 약 30 ~ 60 nm의 두께를 가지게 된다. 또한, 발광층(10c) 형성시 발광물질을 단독으로 사용하는 경우, 녹색을 나타내기 위해 주로 Alq3이 사용된다.
전자수송층(10b)은 Alq3 등의 금속착체 화합물들이 사용되며, 약 20 ~ 50 nm의 두께를 가지도록 증착된다.
전자주입층(10a)은 약 30 ~ 60 nm의 두께를 가지도록 알칼리 금속 유도체를 증착함으로써 형성된다.
정공수송층 및 정공주입층(10d,10e), 발광층(8c) 및 전자수송층 및 전자주입층(10b,10a)은 저분자 화합물인 경우에는 진공증착 및 열증착 등에 의해 형성되며, 고분자 화합물의 경우에는 스핀 코팅(Spin Coating) 또는 잉크젯 프린팅 방식 등에 의해 형성된다.
제2 전극(12)은 주로 알루미늄(Al) 등이 이용된다.
한편 이러한 EL어레이 하부에는 박막 트랜지스터 어레이부가 형성될 수 도 있다.
이와 같은 구조의 EL어레이를 포함하는 EL소자는 봉지(Encapsulation) 공정이 실시됨으로써 대기중의 수분 및 산소에 의한 열화가 방지된다.
한편, 도 1에 도시된 EL어레이의 제1 전극(애노드전극)(4)에 포함된 옥사이 드(Oxide)에 의해 정공주입층(10e)이 손상됨으로써 발광효율이 저하되고 EL소자의 수명이 저하되는 문제가 발생된다. 다시말해서, 유기발광층(10)을 이루는 다수의 유기물 들은 옥사이드(Oxide)에 취약한 성질을 가지고 있는 바, 옥사이드(Oxide)를 포함하는 제1 전극(4)과 유기물인 정공수송층(10e)이 직접 접촉됨으로써 정공수송층(10e)이 제1 전극(4)에 포함된 옥사이드(Oxide)에 의해 손상되게 된다. 그 결과, 제1 전극(4)에서 발생되는 정공의 주입이 원할하지 못하게 되어 발광효율이 저하됨과 아울러 EL소자의 수명이 저하되게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 유기발광층의 손상을 방지함으로서 수명을 향상시킬 수 있는 유기 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계발광소자는 기판 상에 형성된 제1 전극과; 유기발광층을 사이에 두고 상기 제1 전극과 중첩되게 형성된 제2 전극과; 상기 제1 전극과 유기발광층 사이에 형성된 버퍼층을 구비하고, 상기 유기발광층은 정공주입층과. 상기 정공주입층 상에 형성된 정공수송층과, 상기 정공수송층 상에 형성된 발광층과, 상기 발광층 상에 형성된 전자 수송층과, 상기 전자 수송층 상에 형성된 전자 주입층을 구성되고, 상기 버퍼층은 상기 제1 전극과 상기 정공주입층 사이에 위치하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 전극은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO) 및 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
삭제
상기 버퍼층은 인듐을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 버퍼층은 10~100Å 정도의 두께를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제1 전극 상에 인듐을 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계와; 상기 버퍼층 상에 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 버퍼층을 형성하는 단계는 상기 제1 전극 상에 인듐을 증착하는 단계와; 상기 인듐이 증착된 제1 전극을 220~300도 정도의 환경에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 유기발광층을 형성하는 단계는 상기 버퍼층 상에 순차적으로 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 전극 물질로는 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO) 및 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 버퍼층은 10~100Å 정도의 두께를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명에 따른 유기EL소자를 나타내는 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 유기EL소자의 Ⅰ-Ⅰ'선을 절단하여 도시한 EL어레이를 구체적으로 나타내는 단면도이다.
도 3 및 4에 도시된 유기EL소자는 유기EL소자는 기판(2) 상에 제1 전극(애노드전극)(104)과 제2 전극(캐소드전극)(112)이 서로 교차하는 방향으로 형성된다.
제1 전극(104)은 기판(102) 상에 소정간격으로 이격되어 다수개 형성된다. 이러한 제1 전극(104)이 형성된 기판(102) 상에는 EL셀(EL) 영역마다 개구부를 갖는 절연막(106)이 형성된다. 절연막(106) 상에는 그 위에 형성되어질 유기발광층(110) 및 제2 전극(112)의 분리를 위한 격벽(108)이 위치한다. 격벽(108)은 제1 전극(104)을 가로지르는 방향으로 형성되며, 상단부가 하단부보다 넓은 폭을 가지게 되는 오버행(Overhang) 구조를 갖게 된다. 격벽(108)이 형성된 절연막(106) 상에는 유기화합물로 구성되는 유기발광층(110)과 제2 전극(112)이 순차적으로 전면 증착된다. 유기 발광층(110)은 적(R),녹(G),청(B)의 컬러를 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 각 화소(P)마다 적, 녹, 청색을 발광하는 별도의 유기물질이 패터닝됨으로써 형성된다.
유기발광층(110)은 도 4에 도시된 바와 같이 제1 전극(104) 상에 순차적으로 형성된 버퍼층(115), 정공 주입층(110e), 정공수송층(110d), 발광층(110c), 전자수송층(110b) 및 전자주입층(110a)을 포함한다.
제1 전극(104)은 기판 상에 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등의 투명전도성 물질로 형성된다.
정공주입층(110e)은 정공의 농도를 조절하고 정공 수송층(110d)은 정공의 이동 속도를 조절함으로써 제1 전극(104)에서 발생된 정공이 용이하게 발광층(10c)에 주입되게 하는 역할을 한다. 전자주입층(110a) 및 전자수송층(110b)은 전자의 농도 및 속도를 조절함으로써 제2 전극(112)에서 발생된 전자가 용이하게 발광층(110c)에 주입되게 하는 역할을 한다.
버퍼층(115)은 제1 전극(104)과 정공주입층(110e) 사이에 형성됨으로써 제1 전극(104)에 포함되는 옥사이드(Oxide)에 의한 정공주입층(110e)의 손상을 방지함됨으로써 발광효율 및 EL소자의 수명을 향사시킨다. 즉, 유기발광층(110)을 이루는 다수의 유기물 들은 옥사이드(Oxide)에 취약한 성질을 가지고 있는 바, 옥사이드(Oxide)를 포함하는 제1 전극(104)과 유기물인 정공수송층(110e) 사이에 버퍼층(115)을 형성함으로써 옥사이드(Oxide)에 의한 정공수송층(110e)의 손상을 방지할 수 있게 된다. 이에 따라, 제1 전극(104)에서 발생되는 정공의 발광층(110c)으로의 주입이 원할해지게 되어 발광효율이 향상됨과 아울러 EL소자의 수명이 향상된다. 여기서, 버퍼층(115)의 물질로는 인듐(induim)이 이용되며, 버퍼층(175)는 약 100Å 이하, 바람직하게는 10~100Å의 두께를 갖도록 형성된다.
이와 같은 구조를 갖는 EL어레이의 제1 전극(104)과 제2 전극(100) 사이에 전압이 인가되면, 제2 전극(112)으로부터 발생된 전자는 전자 주입층(110a) 및 전자 수송층(110b)을 통해 발광층(110c) 쪽으로 이동된다. 또한, 제1 전극(104)으로 부터 발생된 정공은 버퍼층(115), 정공 주입층(110d) 및 정공 수송층(110d)을 통해 발광층(110c) 쪽으로 이동한다. 이에 따라, 발광층(110c)에서는 전자 수송층(110b)과 정공 수송층(110d)으로부터 공급되어진 전자와 정공이 충돌하여 재결합함으로써 빛이 발생하게 되고, 이 빛은 제1 전극(104)을 통해 외부로 방출되어 화상이 표시되게 된다.
이러한 유기전계발광소자는 수분 및 산소에 의해 열화되는 것을 방지하기 위해 봉지(Encapsulation) 공정이 실시됨으로써 유기EL어레이(150)가 형성된 기판(102)과 패키징 판(128)이 실런트(126)를 통해 합착된다.
패키징 판(128)은 유기EL소자의 발광시 발생하는 열을 방출함과 아울러 외력이나 대기중의 산소 및 수분으로부터 유기EL어레이(150)를 보호하게 된다.
게터(getter)(125)는 패키징 판(128)의 일부가 식각된 후 식각된 부분에 채워지고 반투막(127)에 의해 고정된다.
이와 같이, 본 발명에 따른 EL소자의 제조방법을 도 5에 도시된 순서도를 이용하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 기판(102) 상에 아르곤(Ar) 플라즈마를 이용한 스퍼터링 등의 증착방법, 노즐코팅, 스핀코팅, 롤 프린팅 방식 등을 이용하여 금속투명도전성물질이 증착된 후 포토리쏘그래피공정과 식각공정에 의해 패터닝됨으로써 제1 전극(104)이 형성된다.(S2) 여기서, 제1 전극(104)의 투명도전성물질로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등의 투명전도성 물질이 이용된다.
제1 전극(104) 상에 스퍼터링, 열증착 공정 등에 의해 인듐(Indium)을 증착함으로써 버퍼층(115)이 형성된다.(S4) 한편, 종래와 비교하여 제1 전극(104)과 정공주입층(110e) 사이에 별도의 층이 형성됨으로서 정공의 주입 및 광의 투과율이 소량저하될 수 있다.
이를 보상하기 위해 인듐(Indium)이 증착된 기판(102)을 220~300도 정도의 환경에서 열처리함으로써 인듐(Indium)의 일부를 제1 전극(104)의 표면에 확산시킴으로써 투과율 등의 저하를 보상할 수 있다.
도 6의 실험데이터를 참조하면, 곡선A ITO의 투과도를 나타내고, 곡선B는 ITO 상에 인듐(In)층을 형성한 경우의 투과도를 나타내며, 곡선C는 ITO 상에 인듐(In)층을 형성한 후 열처리 공정이 수행된 후의 투과도를 각각 나타낸다. 즉, ITO 상에 인듐(In)층을 형성한 경우 투과도(곡선B)가 ITO의 투과도(곡선A)보다 상대적으로 저하됨을 알수 있다. 그러나, ITO 상에 인듐(In)층을 형성하고 열처리공정을 수행한 경우의 투과도(곡선C)는 ITO의 투과도(곡선A)와 거의 같아짐을 알수 있다.
여기서, 버퍼층(115)의 두께는 약 100Å 이하, 바람직하게는 10~100Å 정공이다.
버퍼층(115)이 형성된 기판(102) 상에 저분자 화합물인 경우에는 진공증착법, 고분자 화합물의 경우에는 노즐코팅, 스핀 코팅(Spin Coating), 잉크젯 프린팅 방식, 롤 프린팅 방식 등을 이용하여 정공수송층 및 정공주입층(110d,110e), 발광층(108c) 및 전자수송층 및 전자주입층(110b,110a)이 순차적으로 적층된다. 이에 따라, 제1 전극(104)이 형성된 기판(102) 상에 유기발광층(110)이 형성된다.(S6) 여기서, 정공주입층(110e)은 주로 코퍼프탈로시아나인(Copper(Ⅱ) Phthalocyanine)이 이용되며 정공수송층(110d)은 주로 N,N-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenylbenzidine(NPD) 등이 이용된다. 발광층(110c)은 필요에 따라 발광물질을 단독으로 사용되거나 호스트 재료에 도핑된 상태의 발광물질을 사용한다. 특히 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 중 녹색(G)광의 경우, 발광층(110c)은 tris(8-hydroxyquinolate) aluminum(Alq3)와 같은 호스트에 N-methylquinacridone(MQD)와 같은 물질을 도핑함으로써 형성된다.
전자수송층(110b)은 Alq3 등의 금속착체 화합물들이 사용되며, 전자주입층(110a)은 알칼리 금속 유도체 등이 이용된다.
이와 같이 본 발명에 따른 유기전계발광소자 및 그 제조방법은 옥사이드(Oxide)를 포함하는 제1 전극(104)과 유기물인 정공주입층(110e) 사이에 인듐(Indium)을 포함하는 버퍼층(115)이 형성된다. 이에 따라, 제1 전극(104)과 정공주입층(110e)의 접촉이 방지됨으로써 옥사이드(Oxide)에 의한 정공주입층(110e)의 손상을 방지할 수 있게 됨으로써 EL소자의 수명이 향상된다. 또한, 제1 전극(104)에서 발생되는 정공의 발광층(110c)으로의 주입이 원할해지게 됨으로써 발광효율이 향상된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계발광소자 및 그 제조방법은 옥사이드를 포함하는 제1 전극과 유기물인 정공주입층 사이에 인듐을 포함하는 버퍼층을 형성한다. 이에 따라, 정공주입층의 손상이 방지됨으로써 EL소자의 수명이 향상되고, 제1 전극에서 발생되는 정공의 발광층으로의 주입이 원할해지게 됨으로써 발광효율이 향상된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (10)

  1. 기판 상에 형성된 제1 전극과;
    유기발광층을 사이에 두고 상기 제1 전극과 중첩되게 형성된 제2 전극과;
    상기 제1 전극과 유기발광층 사이에 형성된 버퍼층을 구비하고,
    상기 유기발광층은
    정공주입층과. 상기 정공주입층 상에 형성된 정공수송층과, 상기 정공수송층 상에 형성된 발광층과, 상기 발광층 상에 형성된 전자 수송층과, 상기 전자 수송층 상에 형성된 전자 주입층을 구성되고,
    상기 버퍼층은 상기 제1 전극과 상기 정공주입층 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO) 및 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 인듐을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 10~100Å 정도의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  6. 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제1 전극 상에 인듐을 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계와;
    상기 버퍼층 상에 유기발광층을 형성하는 단계와;
    상기 유기발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 유기발광층을 형성하는 단계는
    상기 버퍼층 상에 순차적으로 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 버퍼층을 형성하는 단계는
    상기 제1 전극 상에 인듐을 증착하는 단계와;
    상기 인듐이 증착된 제1 전극을 220~300도 정도의 환경에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  8. 삭제
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 전극 물질로는 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO) 및 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 10~100Å 정도의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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