JP2000150170A - フルオロカ―ボン系導電性ポリマ―及びエレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
フルオロカ―ボン系導電性ポリマ―及びエレクトロルミネセンス素子Info
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- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フルオロカーボン系導電性ポリマー及びこれ
を用いた有機エレクトロルミネセンス素子を提供するこ
と。 【解決手段】 気体状フルオロカーボンのプラズマ重合
法により合成されたフルオロカーボン系導電性ポリマ
ー。 (a)基板、(b)前記基板の上に形成された導電性ア
ノード、(c)前記アノードの上に形成された、気体状
フルオロカーボンのプラズマ重合法により合成されたフ
ルオロカーボン系導電性ポリマーで形成された正孔輸送
層を含む有機系発光構造体、及び(d)前記有機系発光
構造体の上に形成されたカソード、を含んでなるエレク
トロルミネセンス素子。
を用いた有機エレクトロルミネセンス素子を提供するこ
と。 【解決手段】 気体状フルオロカーボンのプラズマ重合
法により合成されたフルオロカーボン系導電性ポリマ
ー。 (a)基板、(b)前記基板の上に形成された導電性ア
ノード、(c)前記アノードの上に形成された、気体状
フルオロカーボンのプラズマ重合法により合成されたフ
ルオロカーボン系導電性ポリマーで形成された正孔輸送
層を含む有機系発光構造体、及び(d)前記有機系発光
構造体の上に形成されたカソード、を含んでなるエレク
トロルミネセンス素子。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は導電性ポリマーに関
する。より詳細には、本発明は、気体状フルオロカーボ
ンの低周波プラズマ重合法により合成された導電性ポリ
マーに関する。
する。より詳細には、本発明は、気体状フルオロカーボ
ンの低周波プラズマ重合法により合成された導電性ポリ
マーに関する。
【0002】
【従来の技術】有機物の蒸気にグロー放電を当てること
により重合薄膜を得ることができ、この方法を通常「プ
ラズマ重合法」と呼んでいる。一般に、プラズマ重合薄
膜にはいくつかの興味深い特性があり、またその処理に
は触媒がまったく必要でない。従来より炭化水素系の薄
膜に重点が置かれていたが、最近では、フルオロカーボ
ン系に向かう傾向がある。
により重合薄膜を得ることができ、この方法を通常「プ
ラズマ重合法」と呼んでいる。一般に、プラズマ重合薄
膜にはいくつかの興味深い特性があり、またその処理に
は触媒がまったく必要でない。従来より炭化水素系の薄
膜に重点が置かれていたが、最近では、フルオロカーボ
ン系に向かう傾向がある。
【0003】ほとんどの場合、プラズマの発生には高周
波の発電機が使用されている。有機物蒸気がプラズマ中
に導入されると、当該モノマーが非弾性衝突によるエネ
ルギーを獲得して分断され、活性化された小さな分子に
なる。これらの小さな分子が再結合して巨大分子(ポリ
マー)を形成し、基板の表面に付着する。この過程で、
活性化された電子、イオン及びラジカルを含むプラズマ
エネルギーの助けを借りてモノマーがポリマーへ成長す
る。
波の発電機が使用されている。有機物蒸気がプラズマ中
に導入されると、当該モノマーが非弾性衝突によるエネ
ルギーを獲得して分断され、活性化された小さな分子に
なる。これらの小さな分子が再結合して巨大分子(ポリ
マー)を形成し、基板の表面に付着する。この過程で、
活性化された電子、イオン及びラジカルを含むプラズマ
エネルギーの助けを借りてモノマーがポリマーへ成長す
る。
【0004】プラズマ重合法は薄膜形成法である。プラ
ズマ重合法の特徴は、傷が極めて少ない超薄膜が形成さ
れることである。当該薄膜は通常、架橋されており、不
溶性であり、ピンホールを含まず、しかも耐熱性であ
る。スピン塗布法や真空蒸着法に比べ、プラズマ重合法
によると、整合性に優れ、耐久性が高く、しかも密着性
が良好な薄層が得られる。
ズマ重合法の特徴は、傷が極めて少ない超薄膜が形成さ
れることである。当該薄膜は通常、架橋されており、不
溶性であり、ピンホールを含まず、しかも耐熱性であ
る。スピン塗布法や真空蒸着法に比べ、プラズマ重合法
によると、整合性に優れ、耐久性が高く、しかも密着性
が良好な薄層が得られる。
【0005】一般に、プラズマ重合された有機物の薄層
は、絶縁性を示し導電性の極めて低い誘電体となる。プ
ラズマ重合されたテトラフルオロエチレンの場合、Voll
man及びPollは、10-17 〜10-18 (Ω−cm)-1の
範囲にある直流導電率を報告している。 Hetzler及びKa
y (H. YasudaのPlasma Polymerization 参照) は、10
-3〜105 Hzで測定した交流導電率として10-15 〜
10-10 (Ω−cm) -1を報告している。しかしなが
ら、非常に低い周波数では、導電率は直流値の水準であ
る10-17 (Ω−cm)-1で安定し、Vollman 及びPoll
のデータとよく一致する(H. YasudaのPlasma Polymeriz
ation 参照) 。導電率が低いので、当該材料は一般には
誘電体又は腐食防止用コーティングとして用いられる。
は、絶縁性を示し導電性の極めて低い誘電体となる。プ
ラズマ重合されたテトラフルオロエチレンの場合、Voll
man及びPollは、10-17 〜10-18 (Ω−cm)-1の
範囲にある直流導電率を報告している。 Hetzler及びKa
y (H. YasudaのPlasma Polymerization 参照) は、10
-3〜105 Hzで測定した交流導電率として10-15 〜
10-10 (Ω−cm) -1を報告している。しかしなが
ら、非常に低い周波数では、導電率は直流値の水準であ
る10-17 (Ω−cm)-1で安定し、Vollman 及びPoll
のデータとよく一致する(H. YasudaのPlasma Polymeriz
ation 参照) 。導電率が低いので、当該材料は一般には
誘電体又は腐食防止用コーティングとして用いられる。
【0006】プラズマ重合薄膜にアクセプター分子又は
ドナー分子をドーピングすることにより導電性を改良し
ようとする試みがなされたが、成功例はない。導電率が
高いプラズマ重合薄膜は、有機ゲルマニウム又は有機金
属化合物のような一部の特殊なモノマーからしか形成す
ることができなかった。Kny ら(H. YasudaのPlasma Pol
ymerization 参照) は、テトラメチル錫のプラズマ重合
により導電性ポリマーを形成したことを報告している。
導電率の大きさは、ポリマー薄膜中に存在する錫の量に
強く依存している。
ドナー分子をドーピングすることにより導電性を改良し
ようとする試みがなされたが、成功例はない。導電率が
高いプラズマ重合薄膜は、有機ゲルマニウム又は有機金
属化合物のような一部の特殊なモノマーからしか形成す
ることができなかった。Kny ら(H. YasudaのPlasma Pol
ymerization 参照) は、テトラメチル錫のプラズマ重合
により導電性ポリマーを形成したことを報告している。
導電率の大きさは、ポリマー薄膜中に存在する錫の量に
強く依存している。
【0007】導電性ポリマーの研究は1977年に始ま
った。最初の報告は、共役系有機ポリマーであるポリア
セチレンが、適当な試薬で酸化された時に高水準の導電
性を獲得できたというものである。共役系ポリマーの導
電性及び電気活性の概念は、ポリアセチレンから、多数
の共役系炭化水素及び芳香族複素環式ポリマー、例えば
ポリ(p−フェニレン)、ポリ(p−フェニレンビニリ
デン)、ポリ(p−フェニレンスルフィド)、ポリピロ
ール及びポリチオフェンを包含するものへと瞬く間に広
がったが、フルオロカーボン系ポリマーでは成功されて
いなかった。導電性ポリマーの製造原理には、共鳴安定
化された芳香族分子を電気化学的に酸化する方法、ドー
ピングと共に構造を変更する方法、及び導電性遷移金属
含有ポリマーを合成する方法がある。導電性ポリマーの
種類が多いことは、潜在的な用途も多いことになる。例
えば、ポリアニリン(PANI)網状構造電極を用いて高性
能のポリマー発光ダイオードが製造された。官能化スル
ホン酸によるプロトン化によって金属エメラルジン塩形
のPANIを調製すると、一般的な有機溶剤に可溶性の導電
性PANI錯体が得られる。しかしながら、プロセスが複雑
であることやスピン塗布法の特質が原因で、有機エレク
トロルミネセンス(EL)素子の製造には適合しない。
った。最初の報告は、共役系有機ポリマーであるポリア
セチレンが、適当な試薬で酸化された時に高水準の導電
性を獲得できたというものである。共役系ポリマーの導
電性及び電気活性の概念は、ポリアセチレンから、多数
の共役系炭化水素及び芳香族複素環式ポリマー、例えば
ポリ(p−フェニレン)、ポリ(p−フェニレンビニリ
デン)、ポリ(p−フェニレンスルフィド)、ポリピロ
ール及びポリチオフェンを包含するものへと瞬く間に広
がったが、フルオロカーボン系ポリマーでは成功されて
いなかった。導電性ポリマーの製造原理には、共鳴安定
化された芳香族分子を電気化学的に酸化する方法、ドー
ピングと共に構造を変更する方法、及び導電性遷移金属
含有ポリマーを合成する方法がある。導電性ポリマーの
種類が多いことは、潜在的な用途も多いことになる。例
えば、ポリアニリン(PANI)網状構造電極を用いて高性
能のポリマー発光ダイオードが製造された。官能化スル
ホン酸によるプロトン化によって金属エメラルジン塩形
のPANIを調製すると、一般的な有機溶剤に可溶性の導電
性PANI錯体が得られる。しかしながら、プロセスが複雑
であることやスピン塗布法の特質が原因で、有機エレク
トロルミネセンス(EL)素子の製造には適合しない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はフルオ
ロカーボン系導電性ポリマーを提供することにある。本
発明の別の目的は、アノードの上に形成された有機発光
構造体を有する有機発光素子を提供することにある。
ロカーボン系導電性ポリマーを提供することにある。本
発明の別の目的は、アノードの上に形成された有機発光
構造体を有する有機発光素子を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的は、気体状フル
オロカーボンのプラズマ重合法により合成されたフルオ
ロカーボン系導電性ポリマーによって達成される。上記
別の目的は、正孔輸送媒体として従来の正孔輸送用芳香
族第三アミンに代えてプラズマ重合ポリマー薄膜を使用
した素子によって達成される。
オロカーボンのプラズマ重合法により合成されたフルオ
ロカーボン系導電性ポリマーによって達成される。上記
別の目的は、正孔輸送媒体として従来の正孔輸送用芳香
族第三アミンに代えてプラズマ重合ポリマー薄膜を使用
した素子によって達成される。
【0010】まったく意外なことに、低周波において気
体状フルオロカーボンをプラズマ重合すると導電性ポリ
マー薄膜が得られることが見い出された。本発明によっ
て調製された薄膜は、導電性が高く、整合性に優れ、十
分な耐久性を示し、しかも基板に対する密着性が良好で
ある。当該プロセスは、導電性ポリマーを製造するため
の従来法よりもかなり簡便である。さらに驚くべきこと
に、本発明のポリマー薄膜をエレクトロルミネセンス素
子に適用すると、実質的に正孔注入性を向上させ且つ素
子の動作安定性を改良することができる。
体状フルオロカーボンをプラズマ重合すると導電性ポリ
マー薄膜が得られることが見い出された。本発明によっ
て調製された薄膜は、導電性が高く、整合性に優れ、十
分な耐久性を示し、しかも基板に対する密着性が良好で
ある。当該プロセスは、導電性ポリマーを製造するため
の従来法よりもかなり簡便である。さらに驚くべきこと
に、本発明のポリマー薄膜をエレクトロルミネセンス素
子に適用すると、実質的に正孔注入性を向上させ且つ素
子の動作安定性を改良することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】図面は当然概略的なものである。
個々の層の厚さは非常に薄く、しかも各種要素間の厚さ
の差が極めて大きいので、一定の割合で図示することや
都合のよい比率で拡大縮小することができないからであ
る。図1に、導電性ポリマー薄膜を調製するために本発
明において用いられるプラズマ蒸着装置10の概略図を
示す。装置10にはチャンバー11が含まれる。ポンプ
導管12がチャンバーの底板を抜けて制御弁13を介し
てポンプ14に接続されている。気体導管15は、気体
源16、例えばCHF3 ガスからの制御されたフルオロ
カーボンモノマー流をチャンバー内に導入する。その流
速はコントローラ17によって調整することができる。
チャンバーの圧力は、チャンバーに入る気体流速及びポ
ンプ14によってチャンバーから抜き取られる気体流速
をはじめとするいくつかの因子によって決まる。平行な
二つの平面電極18、19を使用してグロー放電を持続
させる。単一の45kHzの発電機20がフィードスル
ーを介して上部電極18に電力を供給し、そして基板2
2を下部電極19の上に配置する。
個々の層の厚さは非常に薄く、しかも各種要素間の厚さ
の差が極めて大きいので、一定の割合で図示することや
都合のよい比率で拡大縮小することができないからであ
る。図1に、導電性ポリマー薄膜を調製するために本発
明において用いられるプラズマ蒸着装置10の概略図を
示す。装置10にはチャンバー11が含まれる。ポンプ
導管12がチャンバーの底板を抜けて制御弁13を介し
てポンプ14に接続されている。気体導管15は、気体
源16、例えばCHF3 ガスからの制御されたフルオロ
カーボンモノマー流をチャンバー内に導入する。その流
速はコントローラ17によって調整することができる。
チャンバーの圧力は、チャンバーに入る気体流速及びポ
ンプ14によってチャンバーから抜き取られる気体流速
をはじめとするいくつかの因子によって決まる。平行な
二つの平面電極18、19を使用してグロー放電を持続
させる。単一の45kHzの発電機20がフィードスル
ーを介して上部電極18に電力を供給し、そして基板2
2を下部電極19の上に配置する。
【0012】フルオロカーボンの気体流を装置内に導入
すると、電界下で加速された電子によるモノマー分子の
電離によってプラズマが発生する。この場合、モノマー
分子はプラズマによって活性化されて分断及び転位によ
りモノ−及びジ−ラジカルを形成し、その後これらのラ
ジカルが互いに再結合して一層大きな分子(ポリマー)
を形成する。プラズマ重合法により形成されるポリマー
は、高度に枝分かれし且つ高度に架橋される。プラズマ
重合体の化学組成及び特性は、いずれもモノマー分子の
分断のされ方及びそのフラグメントのプラズマ中での配
置のされ方に大きく左右される。したがって、操作パラ
メーターを変えることによって所望のプラズマ重合体を
達成することができる。
すると、電界下で加速された電子によるモノマー分子の
電離によってプラズマが発生する。この場合、モノマー
分子はプラズマによって活性化されて分断及び転位によ
りモノ−及びジ−ラジカルを形成し、その後これらのラ
ジカルが互いに再結合して一層大きな分子(ポリマー)
を形成する。プラズマ重合法により形成されるポリマー
は、高度に枝分かれし且つ高度に架橋される。プラズマ
重合体の化学組成及び特性は、いずれもモノマー分子の
分断のされ方及びそのフラグメントのプラズマ中での配
置のされ方に大きく左右される。したがって、操作パラ
メーターを変えることによって所望のプラズマ重合体を
達成することができる。
【0013】本実施例では、ロータリー式ポンプを使用
して装置を約6.7Pa(50mT)の圧力にまで排気
し、その後装置にCHF3 の気体流を導入した。チャン
バー内圧力は気体の供給速度とポンプの排気速度とによ
って決定し、そしてプラズマ重合を約66.7Pa(5
00mT)の圧力で行った。周波数45kHzで100
Wの電力を使用してプラズマを発生させて重合を開始し
た。蒸着速度は60nm/分のレンジにあることがわか
った。本明細書中の用語「低周波」は500kHz以下
の周波数を意味し、これにより気体状フルオロカーボン
を重合して導電性ポリマーを形成することができる。
して装置を約6.7Pa(50mT)の圧力にまで排気
し、その後装置にCHF3 の気体流を導入した。チャン
バー内圧力は気体の供給速度とポンプの排気速度とによ
って決定し、そしてプラズマ重合を約66.7Pa(5
00mT)の圧力で行った。周波数45kHzで100
Wの電力を使用してプラズマを発生させて重合を開始し
た。蒸着速度は60nm/分のレンジにあることがわか
った。本明細書中の用語「低周波」は500kHz以下
の周波数を意味し、これにより気体状フルオロカーボン
を重合して導電性ポリマーを形成することができる。
【0014】プラズマ重合法では、ポリマーの付着が基
板の性質によって影響を受けることはない。ポリマー
は、ガラス、有機ポリマー、半導体、誘電体、金属及び
合金の表面に同等に付着する。したがって、表面改質手
段としてのプラズマ重合法は基板材料の選択によって制
限されることが少ない。
板の性質によって影響を受けることはない。ポリマー
は、ガラス、有機ポリマー、半導体、誘電体、金属及び
合金の表面に同等に付着する。したがって、表面改質手
段としてのプラズマ重合法は基板材料の選択によって制
限されることが少ない。
【0015】ロータリー式ポンプを単独で使用しても約
1.33×10-3Pa(10-2mT)程度の低圧に到達
し得るが、反応チャンバー内の残存ガスを有効に減少さ
せるのでロータリー式ポンプと高真空ポンプ、例えばタ
ーボ分子ポンプとを併用する方が望ましい。残存ガスに
は、反応チャンバーの壁面に吸収された水蒸気及び空気
が含まれる。
1.33×10-3Pa(10-2mT)程度の低圧に到達
し得るが、反応チャンバー内の残存ガスを有効に減少さ
せるのでロータリー式ポンプと高真空ポンプ、例えばタ
ーボ分子ポンプとを併用する方が望ましい。残存ガスに
は、反応チャンバーの壁面に吸収された水蒸気及び空気
が含まれる。
【0016】反応チャンバーの設計を変更して基板を効
果的に取り扱えるようにすることができる。反応チャン
バーとしてはガラス製やステンレススチール製のガラス
鐘型又はチューブ型チャンバーを使用することができ
る。塊状基板の場合にはガラス鐘型チャンバーが都合よ
く、そして繊維の場合にはチューブ型チャンバーが優れ
ている。
果的に取り扱えるようにすることができる。反応チャン
バーとしてはガラス製やステンレススチール製のガラス
鐘型又はチューブ型チャンバーを使用することができ
る。塊状基板の場合にはガラス鐘型チャンバーが都合よ
く、そして繊維の場合にはチューブ型チャンバーが優れ
ている。
【0017】発電機を用いてプラズマを発生させ、そし
て重合プロセスにおける原子及び分子を電離させる。ワ
ット数は50〜1000Wの範囲であり、そして周波数
は、プラズマフルオロカーボンポリマーの導電性に顕著
な影響を及ぼすことなく5〜500kHzの範囲内で選
定することができる。好適な範囲は20〜100kHz
である。電力は、発電機と容量性又は誘導性の結合様式
にある一対の電極を介して反応チャンバーに供給され
る。
て重合プロセスにおける原子及び分子を電離させる。ワ
ット数は50〜1000Wの範囲であり、そして周波数
は、プラズマフルオロカーボンポリマーの導電性に顕著
な影響を及ぼすことなく5〜500kHzの範囲内で選
定することができる。好適な範囲は20〜100kHz
である。電力は、発電機と容量性又は誘導性の結合様式
にある一対の電極を介して反応チャンバーに供給され
る。
【0018】フルオロカーボン薄膜の調製は、C
3 F8 、C4 F10、CHF3 、C2 F4 及びC4 F8 か
らなる群より選ばれた一元気体源を使用するか、又は、
F/C比の高いフルオロカーボンガスの一種(例えば、
C2 F6 、CF4 )と重合のためのF/C比を低下させ
る水素もしくは炭化水素ガスの一種とを含む二元気体源
を使用するかのいずれかによって行うことができる。さ
らに、フルオロカーボンのプラズマにH2 、O2 又はN
2 を添加することによりプロセスを変更し、所望の機械
的特性及び物理的特性を達成することもできる。
3 F8 、C4 F10、CHF3 、C2 F4 及びC4 F8 か
らなる群より選ばれた一元気体源を使用するか、又は、
F/C比の高いフルオロカーボンガスの一種(例えば、
C2 F6 、CF4 )と重合のためのF/C比を低下させ
る水素もしくは炭化水素ガスの一種とを含む二元気体源
を使用するかのいずれかによって行うことができる。さ
らに、フルオロカーボンのプラズマにH2 、O2 又はN
2 を添加することによりプロセスを変更し、所望の機械
的特性及び物理的特性を達成することもできる。
【0019】重合は20〜80℃において行われる。実
際の温度は、電力や蒸着時間のような操作パラメーター
に大きく左右される。得られたポリマー薄膜をさらに処
理してその特性を改良又は変更することができる。例え
ば、ポリマー薄膜に、各種周囲条件下でアニール処理を
施すこと、或いはイオン注入のような別の輻射線処理又
は追加の酸素、窒素もしくは水素プラズマ処理を施すこ
とができる。
際の温度は、電力や蒸着時間のような操作パラメーター
に大きく左右される。得られたポリマー薄膜をさらに処
理してその特性を改良又は変更することができる。例え
ば、ポリマー薄膜に、各種周囲条件下でアニール処理を
施すこと、或いはイオン注入のような別の輻射線処理又
は追加の酸素、窒素もしくは水素プラズマ処理を施すこ
とができる。
【0020】ポリマー薄膜は主として炭素とフッ素とか
ら形成される。薄膜には、さらに水素並びに/又は少量
の窒素及び酸素が含まれていてもよい。本薄膜は導電性
であって10-4〜10-8(Ω−cm)-1の範囲の導電率
を示す。45kHzのプラズマにおいてCHF3 ガスを
プラズマ重合により付着した薄膜を、各種技法により調
査した。X線光電子分光法(XPS)及び赤外分光法
(IR)により、CF3、CF2 、CF及びC−CFの
各成分を有する架橋分子の存在が示された。薄膜の組成
はRFプラズマによる文献報告組成に極めて近いが、当
該薄膜は10-5〜10-6(Ω−cm)-1という非常に高
い導電率を示した。二次イオン質量分析法(SIMS)
及びラザフォード後方散乱分光法(RBS)のいずれ
も、薄膜中の不純物量は無視できるレベルであることを
示したので、この高い導電性を説明するには不十分であ
る。電子スピン共鳴(ESR)の測定は、RFプラズマ
で成長させた薄膜よりも45kHzのプラズマで成長さ
せた薄膜の方がスピン密度が高いことを示した。多量の
不対電子が、低周波で成長させたプラズマ重合薄膜の電
子伝導の原因となっているものと推測される。
ら形成される。薄膜には、さらに水素並びに/又は少量
の窒素及び酸素が含まれていてもよい。本薄膜は導電性
であって10-4〜10-8(Ω−cm)-1の範囲の導電率
を示す。45kHzのプラズマにおいてCHF3 ガスを
プラズマ重合により付着した薄膜を、各種技法により調
査した。X線光電子分光法(XPS)及び赤外分光法
(IR)により、CF3、CF2 、CF及びC−CFの
各成分を有する架橋分子の存在が示された。薄膜の組成
はRFプラズマによる文献報告組成に極めて近いが、当
該薄膜は10-5〜10-6(Ω−cm)-1という非常に高
い導電率を示した。二次イオン質量分析法(SIMS)
及びラザフォード後方散乱分光法(RBS)のいずれ
も、薄膜中の不純物量は無視できるレベルであることを
示したので、この高い導電性を説明するには不十分であ
る。電子スピン共鳴(ESR)の測定は、RFプラズマ
で成長させた薄膜よりも45kHzのプラズマで成長さ
せた薄膜の方がスピン密度が高いことを示した。多量の
不対電子が、低周波で成長させたプラズマ重合薄膜の電
子伝導の原因となっているものと推測される。
【0021】図2を参照する。有機発光素子200(従
来技術)は、光透過性基板202を有し、その上に光透
過性アノード204が配置されている。有機発光構造体
210がアノード204とカソード208の間に形成さ
れている。有機発光構造体210は、順に、有機正孔輸
送層212、有機発光層214及び有機電子輸送層21
6を含む。アノード204とカソード208の間に電位
差(図示なし)を印加すると、カソードが電子を電子輸
送層216に注入し、そして電子は電子輸送層216及
び発光層214を横断する。同時に、アノード204か
ら正孔が正孔輸送層212に注入される。正孔は層21
2を移動し、そして正孔輸送層212と発光層214の
間に形成された接合部において又はその付近で電子と再
結合する。移動している電子がその伝導帯から価電子帯
に落ちて正孔を充満する時、エネルギーが光として放出
され、これが光透過性アノード204及び基板202を
通して発せられる。
来技術)は、光透過性基板202を有し、その上に光透
過性アノード204が配置されている。有機発光構造体
210がアノード204とカソード208の間に形成さ
れている。有機発光構造体210は、順に、有機正孔輸
送層212、有機発光層214及び有機電子輸送層21
6を含む。アノード204とカソード208の間に電位
差(図示なし)を印加すると、カソードが電子を電子輸
送層216に注入し、そして電子は電子輸送層216及
び発光層214を横断する。同時に、アノード204か
ら正孔が正孔輸送層212に注入される。正孔は層21
2を移動し、そして正孔輸送層212と発光層214の
間に形成された接合部において又はその付近で電子と再
結合する。移動している電子がその伝導帯から価電子帯
に落ちて正孔を充満する時、エネルギーが光として放出
され、これが光透過性アノード204及び基板202を
通して発せられる。
【0022】光透過性基板202は、ガラス、石英又は
プラスチック材料で構築することができる。アノード2
04は、光透過性且つ導電性の金属酸化物、例えば酸化
インジウム、酸化錫又は最適にはインジウム錫酸化物
(ITO)で構築することが好ましい。有効な正孔注入
電極として機能させるためには、アノード204の仕事
関数は4.0eVよりも高いことが必要である。ITO
の仕事関数は約4.7eVである。有機発光構造体21
0は、正孔輸送層212、発光層214及び電子輸送層
216を逐次蒸着することによって構築することが好ま
しい。
プラスチック材料で構築することができる。アノード2
04は、光透過性且つ導電性の金属酸化物、例えば酸化
インジウム、酸化錫又は最適にはインジウム錫酸化物
(ITO)で構築することが好ましい。有効な正孔注入
電極として機能させるためには、アノード204の仕事
関数は4.0eVよりも高いことが必要である。ITO
の仕事関数は約4.7eVである。有機発光構造体21
0は、正孔輸送層212、発光層214及び電子輸送層
216を逐次蒸着することによって構築することが好ま
しい。
【0023】参照によって本明細書の一部とするVanSly
keらの米国特許第4,539,507号の教示に従い、
正孔輸送層212は少なくとも一種の芳香族第三アミン
を含むことが好ましい。好適な種類の特定の芳香族第三
アミンは、二以上の芳香族第三アミン部分を含むもので
ある。このような化合物として下記構造式(I)で示さ
れるものが挙げられる。
keらの米国特許第4,539,507号の教示に従い、
正孔輸送層212は少なくとも一種の芳香族第三アミン
を含むことが好ましい。好適な種類の特定の芳香族第三
アミンは、二以上の芳香族第三アミン部分を含むもので
ある。このような化合物として下記構造式(I)で示さ
れるものが挙げられる。
【0024】
【化1】
【0025】上式中、Q1 及びQ2 は、各々独立に、芳
香族第三アミン部分を表し、そしてGは、アリーレン
基、シクロアルキレン基、アルキレン基又は炭素−炭素
二重結合を表すが、G及びQ1 及びQ2 の少なくとも一
つは、上記の縮合芳香族環部分を含む。特に好ましい態
様では、Q1 及びQ2 のそれぞれが、アミン窒素原子に
結合された縮合芳香族環部分、最適には縮合ナフチル部
分、を含む。Gがアリーレン部分である場合には、フェ
ニレン、ビフェニレン又はナフチレン部分であることが
好ましい。構造式(I)を満たし且つ二つのトリアリー
ルアミン部分を含有する特に好適な種類のトリアリール
アミンは、下記構造式(II)を満たすものである。
香族第三アミン部分を表し、そしてGは、アリーレン
基、シクロアルキレン基、アルキレン基又は炭素−炭素
二重結合を表すが、G及びQ1 及びQ2 の少なくとも一
つは、上記の縮合芳香族環部分を含む。特に好ましい態
様では、Q1 及びQ2 のそれぞれが、アミン窒素原子に
結合された縮合芳香族環部分、最適には縮合ナフチル部
分、を含む。Gがアリーレン部分である場合には、フェ
ニレン、ビフェニレン又はナフチレン部分であることが
好ましい。構造式(I)を満たし且つ二つのトリアリー
ルアミン部分を含有する特に好適な種類のトリアリール
アミンは、下記構造式(II)を満たすものである。
【0026】
【化2】
【0027】上式中、R1 及びR2 は、各々独立に、水
素原子、アリール基もしくはアルキル基を表すか、又
は、R1 とR2 は共にシクロアルキル基を完成する原子
群を表し、そしてR3 及びR4 は、各々独立に、アリー
ル基であって下記構造式(III)で示されるジアリール置
換アミノ基で置換されているものを表す。
素原子、アリール基もしくはアルキル基を表すか、又
は、R1 とR2 は共にシクロアルキル基を完成する原子
群を表し、そしてR3 及びR4 は、各々独立に、アリー
ル基であって下記構造式(III)で示されるジアリール置
換アミノ基で置換されているものを表す。
【0028】
【化3】
【0029】上式中、R5 及びR6 は、各々独立に、特
定のアリール基を表す。構造式(III)のアミン窒素原子
に結合しているアリール基の少なくとも一方は、上記の
縮合芳香族環部分である。特に好適な態様では、R5 及
びR6 の少なくとも一方が縮合芳香族環部分、最適には
ナフチル部分である。別の好適な種類の特定の芳香族第
三アミンはテトラアリールジアミンである。好適なテト
ラアリールジアミンは、アリーレン基を介して結合され
た、構造式(III)で示されるような2個のジアリールア
ミノ基を含む。好適なテトラアリールジアミンとして下
記構造式(IV)で示されるものが挙げられる。
定のアリール基を表す。構造式(III)のアミン窒素原子
に結合しているアリール基の少なくとも一方は、上記の
縮合芳香族環部分である。特に好適な態様では、R5 及
びR6 の少なくとも一方が縮合芳香族環部分、最適には
ナフチル部分である。別の好適な種類の特定の芳香族第
三アミンはテトラアリールジアミンである。好適なテト
ラアリールジアミンは、アリーレン基を介して結合され
た、構造式(III)で示されるような2個のジアリールア
ミノ基を含む。好適なテトラアリールジアミンとして下
記構造式(IV)で示されるものが挙げられる。
【0030】
【化4】
【0031】上式中、Ar、Ar1 、Ar2 及びAr3
は、各々独立に、フェニル、ビフェニル及びナフチルの
各部分の中から選ばれ、Lは、二価のナフチレン部分又
はdn を表し、dはフェニレン部分を表し、nは1〜4
の整数を表し、そしてLがdn である場合には、Ar、
Ar1 、Ar2 及びAr3 のうちの少なくとも一つはナ
フチル部分である。
は、各々独立に、フェニル、ビフェニル及びナフチルの
各部分の中から選ばれ、Lは、二価のナフチレン部分又
はdn を表し、dはフェニレン部分を表し、nは1〜4
の整数を表し、そしてLがdn である場合には、Ar、
Ar1 、Ar2 及びAr3 のうちの少なくとも一つはナ
フチル部分である。
【0032】上記構造式(I)、(II)、(III)及び
(IV)の各種アルキル、アルキレン、アリール及びアリ
ーレン部分は、それぞれ置換されていてもよい。典型的
な置換基として、アルキル基、アルコキシ基、アリール
基、アリールオキシ基並びにフッ化物、塩化物及び臭化
物のようなハロゲンが挙げられる。各種アルキル及びア
ルキレン部分は、典型的には約1〜6個の炭素原子を含
有する。シクロアルキル部分は3〜約10個の炭素原子
を含有し得るが、典型的には5個、6個又は7個の炭素
原子を含有し、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル及びシクロヘプチルの環構造である。アリール及びア
リーレン部分が縮合芳香族環部分でない場合には、それ
らはフェニル部分及びフェニレン部分であることが好ま
しい。
(IV)の各種アルキル、アルキレン、アリール及びアリ
ーレン部分は、それぞれ置換されていてもよい。典型的
な置換基として、アルキル基、アルコキシ基、アリール
基、アリールオキシ基並びにフッ化物、塩化物及び臭化
物のようなハロゲンが挙げられる。各種アルキル及びア
ルキレン部分は、典型的には約1〜6個の炭素原子を含
有する。シクロアルキル部分は3〜約10個の炭素原子
を含有し得るが、典型的には5個、6個又は7個の炭素
原子を含有し、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル及びシクロヘプチルの環構造である。アリール及びア
リーレン部分が縮合芳香族環部分でない場合には、それ
らはフェニル部分及びフェニレン部分であることが好ま
しい。
【0033】有機発光構造体210の正孔輸送層の全体
を、上記の特定のタイプの芳香族第三アミンを単独で使
用して形成させることができるが、特定の芳香族第三ア
ミンを組み合わせて使用することが有利となり得るこ
と、そして上記の特定のタイプの芳香族第三アミン(A
TA)とVanSlykeらの米国特許第4,720,432号
に記載されているタイプの芳香族第三アミン、すなわち
縮合芳香族環部分を含まない芳香族第三アミン、とを組
み合わせて使用できることが認識されている。特記した
相違点は別にして、VanSlykeらの米国特許第4,72
0,432号の教示(本明細書の一部とする)は、一般
に本発明のEL素子に適用可能である。
を、上記の特定のタイプの芳香族第三アミンを単独で使
用して形成させることができるが、特定の芳香族第三ア
ミンを組み合わせて使用することが有利となり得るこ
と、そして上記の特定のタイプの芳香族第三アミン(A
TA)とVanSlykeらの米国特許第4,720,432号
に記載されているタイプの芳香族第三アミン、すなわち
縮合芳香族環部分を含まない芳香族第三アミン、とを組
み合わせて使用できることが認識されている。特記した
相違点は別にして、VanSlykeらの米国特許第4,72
0,432号の教示(本明細書の一部とする)は、一般
に本発明のEL素子に適用可能である。
【0034】有用な特定の(縮合芳香族環を含有する)
芳香族第三アミンの具体例を以下に列挙する。 ATA−1:4,4’−ビス〔N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−2:4,4”−ビス〔N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕−p−ターフェニル ATA−3:4,4’−ビス〔N−(2−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−4:4,4’−ビス〔N−(3−アセナフテニ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−5:1,5−ビス〔N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ〕ナフタレン ATA−6:4,4’−ビス〔N−(9−アントリル)
−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−7:4,4”−ビス〔N−(1−アントリル)
−N−フェニルアミノ〕−p−ターフェニル ATA−8:4,4’−ビス〔N−(2−フェナントリ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−9:4,4’−ビス〔N−(8−フルオランテ
ニル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−10:4,4’−ビス〔N−(2−ピレニル)−
N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−11:4,4’−ビス〔N−(2−ナフタセニ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−12:4,4’−ビス〔N−(2−ペリレニル)
−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−13:4,4’−ビス〔N−(1−コロネニル)
−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−14:2,6−ビス(ジ−p−トリルアミノ)ナ
フタレン ATA−15:2,6−ビス〔ジ−(1−ナフチル)アミ
ノ〕ナフタレン ATA−16:2,6−ビス〔N−(1−ナフチル)−N
−(2−ナフチル)アミノ〕ナフタレン ATA−17:N,N,N’,N’−テトラ(2−ナフチ
ル)−4,4”−ジ−アミノ−p−ターフェニル ATA−18:4,4’−ビス{N−フェニル−N−〔4
−(1−ナフチル)−フェニル〕アミノ}ビフェニル ATA−19:4,4’−ビス〔N−フェニル−N−(2
−ピレニル)アミノ〕ビフェニル ATA−20:2,6−ビス〔N,N−ジ(2−ナフチ
ル)アミン〕フルオレン ATA−21:1,5−ビス〔N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ〕ナフタレン
芳香族第三アミンの具体例を以下に列挙する。 ATA−1:4,4’−ビス〔N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−2:4,4”−ビス〔N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕−p−ターフェニル ATA−3:4,4’−ビス〔N−(2−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−4:4,4’−ビス〔N−(3−アセナフテニ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−5:1,5−ビス〔N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ〕ナフタレン ATA−6:4,4’−ビス〔N−(9−アントリル)
−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−7:4,4”−ビス〔N−(1−アントリル)
−N−フェニルアミノ〕−p−ターフェニル ATA−8:4,4’−ビス〔N−(2−フェナントリ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−9:4,4’−ビス〔N−(8−フルオランテ
ニル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−10:4,4’−ビス〔N−(2−ピレニル)−
N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−11:4,4’−ビス〔N−(2−ナフタセニ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−12:4,4’−ビス〔N−(2−ペリレニル)
−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−13:4,4’−ビス〔N−(1−コロネニル)
−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−14:2,6−ビス(ジ−p−トリルアミノ)ナ
フタレン ATA−15:2,6−ビス〔ジ−(1−ナフチル)アミ
ノ〕ナフタレン ATA−16:2,6−ビス〔N−(1−ナフチル)−N
−(2−ナフチル)アミノ〕ナフタレン ATA−17:N,N,N’,N’−テトラ(2−ナフチ
ル)−4,4”−ジ−アミノ−p−ターフェニル ATA−18:4,4’−ビス{N−フェニル−N−〔4
−(1−ナフチル)−フェニル〕アミノ}ビフェニル ATA−19:4,4’−ビス〔N−フェニル−N−(2
−ピレニル)アミノ〕ビフェニル ATA−20:2,6−ビス〔N,N−ジ(2−ナフチ
ル)アミン〕フルオレン ATA−21:1,5−ビス〔N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ〕ナフタレン
【0035】有機EL素子の発光層は発光体又は蛍光体
を含んでなり、この領域において電子−正孔対が再結合
する結果としてエレクトロルミネセンスが発生する。最
も単純な構成は、当該発光層が単一成分、すなわち蛍光
効率の高い高純度材料からなる構成である。周知の材料
は、優れた緑色のエレクトロルミネセンスを発生するト
リス(8−キノリナト)アルミニウム(Alq)であ
る。ルミネセンス層の好適な態様は、蛍光色素の一又は
二以上の成分をドープしたホスト材料からなる多成分系
材料を含むものである。この方法を採用すると、高効率
EL素子を構築することができる。同時に、共通のホス
ト材料において発光波長の異なる複数の蛍光色素を使用
することによって、EL素子の色調を整えることができ
る。このドーパントの概要については、Tangらの米国特
許第4,769,292号に、ホスト材料としてAlq
を用いるEL素子に関してかなり詳細に記載されてい
る。
を含んでなり、この領域において電子−正孔対が再結合
する結果としてエレクトロルミネセンスが発生する。最
も単純な構成は、当該発光層が単一成分、すなわち蛍光
効率の高い高純度材料からなる構成である。周知の材料
は、優れた緑色のエレクトロルミネセンスを発生するト
リス(8−キノリナト)アルミニウム(Alq)であ
る。ルミネセンス層の好適な態様は、蛍光色素の一又は
二以上の成分をドープしたホスト材料からなる多成分系
材料を含むものである。この方法を採用すると、高効率
EL素子を構築することができる。同時に、共通のホス
ト材料において発光波長の異なる複数の蛍光色素を使用
することによって、EL素子の色調を整えることができ
る。このドーパントの概要については、Tangらの米国特
許第4,769,292号に、ホスト材料としてAlq
を用いるEL素子に関してかなり詳細に記載されてい
る。
【0036】本発明の有機EL素子の電子輸送層を形成
するために使用する好適な材料は、金属キレート化オキ
シノイド化合物であって、オキシン(一般に8−キノリ
ノール又は8−ヒドロキシキノリンとも呼ばれる)自体
のキレートを含む。このような化合物は、高レベルの性
能を示すと同時に、薄膜の製作が容易である。
するために使用する好適な材料は、金属キレート化オキ
シノイド化合物であって、オキシン(一般に8−キノリ
ノール又は8−ヒドロキシキノリンとも呼ばれる)自体
のキレートを含む。このような化合物は、高レベルの性
能を示すと同時に、薄膜の製作が容易である。
【0037】有機EL素子は、カルシウムやリチウムの
ような仕事関数が4.0eVよりも低い任意の金属で構
築されたカソードを使用することができる。低仕事関数
金属と別の少なくとも一種の金属とを組み合わせたカソ
ードを形成することによって、製造、性能及び安定性の
面で意外な利点が実現されている。詳しくは、Tang及び
VanSlykeの米国特許第4,885,211号(当該開示
事項を本明細書の一部とする)を参照されたい。Hungら
の米国特許第5,677,572号に記載されているよ
うに、LiF/Alの二層構造を採用することにより電
子注入性が向上する。
ような仕事関数が4.0eVよりも低い任意の金属で構
築されたカソードを使用することができる。低仕事関数
金属と別の少なくとも一種の金属とを組み合わせたカソ
ードを形成することによって、製造、性能及び安定性の
面で意外な利点が実現されている。詳しくは、Tang及び
VanSlykeの米国特許第4,885,211号(当該開示
事項を本明細書の一部とする)を参照されたい。Hungら
の米国特許第5,677,572号に記載されているよ
うに、LiF/Alの二層構造を採用することにより電
子注入性が向上する。
【0038】図3を参照する。異なる条件で得られたポ
リマー薄膜の電子伝導性を試験するために有機発光素子
300を構築する。光透過性基板302、光透過性アノ
ード304、順に有機正孔輸送層312、有機発光層3
14及び有機電子輸送層316を含む有機発光構造体3
10、並びにカソード308は、図2の従来技術の素子
200の各要素202、204、212、214、21
6、210及び208に相当する。したがって、上記の
有機発光素子200と対応する要素並びにその構成及び
機能についてさらに説明する必要はない。しかしなが
ら、図2と図3の相違点は、図3の素子には発光構造体
とITOアノードとの間にプラズマポリマー薄膜306
が挟み込まれていることである。
リマー薄膜の電子伝導性を試験するために有機発光素子
300を構築する。光透過性基板302、光透過性アノ
ード304、順に有機正孔輸送層312、有機発光層3
14及び有機電子輸送層316を含む有機発光構造体3
10、並びにカソード308は、図2の従来技術の素子
200の各要素202、204、212、214、21
6、210及び208に相当する。したがって、上記の
有機発光素子200と対応する要素並びにその構成及び
機能についてさらに説明する必要はない。しかしなが
ら、図2と図3の相違点は、図3の素子には発光構造体
とITOアノードとの間にプラズマポリマー薄膜306
が挟み込まれていることである。
【0039】図4を参照する。本発明に従い有機発光素
子400を構築する。光透過性基板402、光透過性ア
ノード404並びに、順に導電性ポリマー薄膜412、
有機発光層414及び有機電子輸送層416を含む有機
発光構造体410が含まれる。当該要素402、40
4、408、410、414及び416は、図2の従来
技術の素子200の各要素202、204、208、2
10、214及び216に相当する。したがって、上記
の有機発光素子200と対応する要素並びにその構成及
び機能についてさらに説明する必要はない。しかしなが
ら、本構造体では、小さい分子構造を有する常用の正孔
輸送層の代わりに導電性ポリマー薄膜が含まれる。驚く
べきことに、このプラズマポリマー薄膜412は、その
好適な厚さは30〜150nmの範囲であるが、十分に
高い正孔移動度を示す。
子400を構築する。光透過性基板402、光透過性ア
ノード404並びに、順に導電性ポリマー薄膜412、
有機発光層414及び有機電子輸送層416を含む有機
発光構造体410が含まれる。当該要素402、40
4、408、410、414及び416は、図2の従来
技術の素子200の各要素202、204、208、2
10、214及び216に相当する。したがって、上記
の有機発光素子200と対応する要素並びにその構成及
び機能についてさらに説明する必要はない。しかしなが
ら、本構造体では、小さい分子構造を有する常用の正孔
輸送層の代わりに導電性ポリマー薄膜が含まれる。驚く
べきことに、このプラズマポリマー薄膜412は、その
好適な厚さは30〜150nmの範囲であるが、十分に
高い正孔移動度を示す。
【0040】図5を参照する。本発明に従い有機発光素
子500を構築する。光透過性基板502、光透過性ア
ノード504並びに、順に導電性ポリマー薄膜512
a、薄い緩衝層512b、有機発光層514及び有機電
子輸送層516を含む有機発光構造体510が含まれ
る。当該要素502、504、508、510、514
及び516は、図2の従来技術の素子200の各要素2
02、204、208、210、214及び216に相
当する。したがって、上記の有機発光素子200と対応
する要素並びにその構成及び機能についてさらに説明す
る必要はない。しかしながら、本構造体では、小さい分
子構造を有する常用の正孔輸送層の代わりに導電性ポリ
マー薄膜512aが含まれ、そのポリマー薄膜の上を薄
い緩衝層512bが覆っている。驚くべきことに、この
ポリマー薄膜は、その好適な厚さは30〜1500nm
の範囲であるが、十分に高い正孔移動度を示す。また、
この緩衝層は、その好適な厚さは1〜10nmの範囲で
あるが、当該素子の動作安定性をかなり改良することが
できる。
子500を構築する。光透過性基板502、光透過性ア
ノード504並びに、順に導電性ポリマー薄膜512
a、薄い緩衝層512b、有機発光層514及び有機電
子輸送層516を含む有機発光構造体510が含まれ
る。当該要素502、504、508、510、514
及び516は、図2の従来技術の素子200の各要素2
02、204、208、210、214及び216に相
当する。したがって、上記の有機発光素子200と対応
する要素並びにその構成及び機能についてさらに説明す
る必要はない。しかしながら、本構造体では、小さい分
子構造を有する常用の正孔輸送層の代わりに導電性ポリ
マー薄膜512aが含まれ、そのポリマー薄膜の上を薄
い緩衝層512bが覆っている。驚くべきことに、この
ポリマー薄膜は、その好適な厚さは30〜1500nm
の範囲であるが、十分に高い正孔移動度を示す。また、
この緩衝層は、その好適な厚さは1〜10nmの範囲で
あるが、当該素子の動作安定性をかなり改良することが
できる。
【0041】当該緩衝層は芳香族第三アミンを含有する
ことができる。芳香族第三アミンは、その少なくとも一
つが芳香族環の員である炭素原子にのみ結合されている
三価窒素原子を少なくとも一つ含有する化合物である。
態様の一つとして、芳香族第三アミンはアリールアミ
ン、例えば、モノアリールアミン、ジアリールアミン、
トリアリールアミン、又は高分子量アリールアミンであ
ることができる。
ことができる。芳香族第三アミンは、その少なくとも一
つが芳香族環の員である炭素原子にのみ結合されている
三価窒素原子を少なくとも一つ含有する化合物である。
態様の一つとして、芳香族第三アミンはアリールアミ
ン、例えば、モノアリールアミン、ジアリールアミン、
トリアリールアミン、又は高分子量アリールアミンであ
ることができる。
【0042】上述したように、当該ポリマーは良好な導
電性を有し、そして有機エレクトロルミネセンス素子に
使用することにより駆動電圧を低下させ且つ動作安定性
を改良することができる。当該材料とその調製は特徴的
であり、そして他の注入素子において又は、電池用電
極、燃料電池、エレクトロクロミクス、化学センサー、
生化学センサー、イオン交換素子、イオン放出素子及び
中性子検出をはじめとするエレクトロルミネセンス素子
以外の分野において、潜在的な用途を有する。
電性を有し、そして有機エレクトロルミネセンス素子に
使用することにより駆動電圧を低下させ且つ動作安定性
を改良することができる。当該材料とその調製は特徴的
であり、そして他の注入素子において又は、電池用電
極、燃料電池、エレクトロクロミクス、化学センサー、
生化学センサー、イオン交換素子、イオン放出素子及び
中性子検出をはじめとするエレクトロルミネセンス素子
以外の分野において、潜在的な用途を有する。
【0043】
【実施例】本発明を一層理解するために以下の実施例を
提供する。簡略化のため、材料及びそれから形成された
層を以下のように略記する。 ITO:インジウム錫酸化物(アノード) NPB:4,4’−ビス−〔N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ〕ビ−フェニル(正孔輸送層) Alq:トリス(8−キノリノラト−N1,08)−ア
ルミニウム(電子輸送層;ここでは発光層と電子輸送層
との複合機能を担う) MgAg:体積比率10:1のマグネシウム:銀(カソ
ード)
提供する。簡略化のため、材料及びそれから形成された
層を以下のように略記する。 ITO:インジウム錫酸化物(アノード) NPB:4,4’−ビス−〔N−(1−ナフチル)−N
−フェニルアミノ〕ビ−フェニル(正孔輸送層) Alq:トリス(8−キノリノラト−N1,08)−ア
ルミニウム(電子輸送層;ここでは発光層と電子輸送層
との複合機能を担う) MgAg:体積比率10:1のマグネシウム:銀(カソ
ード)
【0044】例1 a)ITO被覆ガラスを市販の洗剤で超音波洗浄し、脱
イオン水でリンスし、トルエン蒸気で脱脂し、そして酸
素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に熱蒸発法で厚さ50nmのAu層を
蒸着した。例2 a)ITO被覆ガラスを市販の洗剤で超音波洗浄し、脱
イオン水でリンスし、トルエン蒸気で脱脂し、そして酸
素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に常用の熱蒸着法で厚さ50nmのN
PB正孔輸送層を蒸着した。 c)NPB層の上に熱蒸発法で厚さ50nmのAu層を
蒸着した。例3 a)ITO被覆ガラスを市販の洗剤で超音波洗浄し、脱
イオン水でリンスし、トルエン蒸気で脱脂し、そして酸
素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に気体状CHF3 を45kHzのプラ
ズマにおいて重合することにより厚さ50nmのプラズ
マポリマーを蒸着した。 c)ポリマー層の上に熱蒸発法で厚さ50nmのAu層
を蒸着した。
イオン水でリンスし、トルエン蒸気で脱脂し、そして酸
素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に熱蒸発法で厚さ50nmのAu層を
蒸着した。例2 a)ITO被覆ガラスを市販の洗剤で超音波洗浄し、脱
イオン水でリンスし、トルエン蒸気で脱脂し、そして酸
素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に常用の熱蒸着法で厚さ50nmのN
PB正孔輸送層を蒸着した。 c)NPB層の上に熱蒸発法で厚さ50nmのAu層を
蒸着した。例3 a)ITO被覆ガラスを市販の洗剤で超音波洗浄し、脱
イオン水でリンスし、トルエン蒸気で脱脂し、そして酸
素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に気体状CHF3 を45kHzのプラ
ズマにおいて重合することにより厚さ50nmのプラズ
マポリマーを蒸着した。 c)ポリマー層の上に熱蒸発法で厚さ50nmのAu層
を蒸着した。
【0045】例4 従来技術の有機発光構造体を以下のように構築した。 a)ITO被覆ガラスの光透過性アノードを市販の洗剤
で超音波洗浄し、脱イオン水でリンスし、トルエン蒸気
で脱脂し、そして酸素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に常用の熱蒸着法で厚さ60nmのN
PB正孔輸送層を蒸着した。 c)NPB層の上に常用の熱蒸着法で厚さ75nmのA
lq電子輸送性発光層を蒸着した。 d)Alq層の上に二つのソース(MgとAg)からの
共蒸発法で厚さ200nmのMgAg層を蒸着した。
で超音波洗浄し、脱イオン水でリンスし、トルエン蒸気
で脱脂し、そして酸素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に常用の熱蒸着法で厚さ60nmのN
PB正孔輸送層を蒸着した。 c)NPB層の上に常用の熱蒸着法で厚さ75nmのA
lq電子輸送性発光層を蒸着した。 d)Alq層の上に二つのソース(MgとAg)からの
共蒸発法で厚さ200nmのMgAg層を蒸着した。
【0046】例5 有機発光構造体を以下のように構築した。 a)ITO被覆ガラスの光透過性アノードを市販の洗剤
で超音波洗浄し、脱イオン水でリンスし、トルエン蒸気
で脱脂し、そして酸素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に気体状CHF3 を45kHzのプラ
ズマにおいて重合することにより厚さ10〜40nmの
プラズマポリマー薄膜を蒸着した。 c)プラズマポリマー薄膜の上に常用の熱蒸着法で厚さ
60nmのNPB正孔輸送層を蒸着した。 d)NPB層の上に常用の熱蒸着法で厚さ75nmのA
lq電子輸送性発光層を蒸着した。 e)Alq層の上に二つのソース(MgとAg)からの
共蒸発法で厚さ200nmのMgAg層を蒸着した。
で超音波洗浄し、脱イオン水でリンスし、トルエン蒸気
で脱脂し、そして酸素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に気体状CHF3 を45kHzのプラ
ズマにおいて重合することにより厚さ10〜40nmの
プラズマポリマー薄膜を蒸着した。 c)プラズマポリマー薄膜の上に常用の熱蒸着法で厚さ
60nmのNPB正孔輸送層を蒸着した。 d)NPB層の上に常用の熱蒸着法で厚さ75nmのA
lq電子輸送性発光層を蒸着した。 e)Alq層の上に二つのソース(MgとAg)からの
共蒸発法で厚さ200nmのMgAg層を蒸着した。
【0047】例6 本発明による有機発光構造体を以下のように構築した。 a)ITO被覆ガラスの光透過性アノードを市販の洗剤
で超音波洗浄し、脱イオン水でリンスし、トルエン蒸気
で脱脂し、そして酸素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に気体状CHF3 をRFプラズマにお
いて重合することにより厚さ30nmのポリマー薄膜を
蒸着した。 c)プラズマポリマー薄膜の上に常用の熱蒸着法で厚さ
60nmのNPB正孔輸送層を蒸着した。 d)NPB層の上に常用の熱蒸着法で厚さ75nmのA
lq電子輸送性発光層を蒸着した。 e)Alq層の上に二つのソース(MgとAg)からの
共蒸発法で厚さ200nmのMgAg層を蒸着した。
で超音波洗浄し、脱イオン水でリンスし、トルエン蒸気
で脱脂し、そして酸素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に気体状CHF3 をRFプラズマにお
いて重合することにより厚さ30nmのポリマー薄膜を
蒸着した。 c)プラズマポリマー薄膜の上に常用の熱蒸着法で厚さ
60nmのNPB正孔輸送層を蒸着した。 d)NPB層の上に常用の熱蒸着法で厚さ75nmのA
lq電子輸送性発光層を蒸着した。 e)Alq層の上に二つのソース(MgとAg)からの
共蒸発法で厚さ200nmのMgAg層を蒸着した。
【0048】例7 本発明による有機発光構造体を以下のように構築した。 a)ITO被覆ガラスの光透過性アノードを市販の洗剤
で超音波洗浄し、脱イオン水でリンスし、トルエン蒸気
で脱脂し、そして酸素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に気体状CHF3 を45kHzのプラ
ズマにおいて重合することにより厚さ50nmのプラズ
マポリマー薄膜を蒸着した。 c)ポリマー薄膜の上に常用の熱蒸着法で厚さ75nm
のAlq電子輸送性発光層を蒸着した。 d)Alq層の上に二つのソース(MgとAg)からの
共蒸発法で厚さ200nmのMgAg層を蒸着した。
で超音波洗浄し、脱イオン水でリンスし、トルエン蒸気
で脱脂し、そして酸素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に気体状CHF3 を45kHzのプラ
ズマにおいて重合することにより厚さ50nmのプラズ
マポリマー薄膜を蒸着した。 c)ポリマー薄膜の上に常用の熱蒸着法で厚さ75nm
のAlq電子輸送性発光層を蒸着した。 d)Alq層の上に二つのソース(MgとAg)からの
共蒸発法で厚さ200nmのMgAg層を蒸着した。
【0049】例8 本発明による有機発光構造体を以下のように構築した。 a)ITO被覆ガラスの光透過性アノードを市販の洗剤
で超音波洗浄し、脱イオン水でリンスし、トルエン蒸気
で脱脂し、そして酸素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に気体状CHF3 を45kHzのプラ
ズマにおいて重合することにより厚さ50nmのプラズ
マポリマー薄膜を蒸着した。 c)プラズマポリマー薄膜の上に常用の熱蒸発法で厚さ
1〜5nmのNPB緩衝層を蒸着した。 d)緩衝層の上に常用の熱蒸着法で厚さ75nmのAl
q電子輸送性発光層を蒸着した。 e)Alq層の上に二つのソース(MgとAg)からの
共蒸発法で厚さ200nmのMgAg層を蒸着した。
で超音波洗浄し、脱イオン水でリンスし、トルエン蒸気
で脱脂し、そして酸素プラズマで3分間処理した。 b)ITO層の上に気体状CHF3 を45kHzのプラ
ズマにおいて重合することにより厚さ50nmのプラズ
マポリマー薄膜を蒸着した。 c)プラズマポリマー薄膜の上に常用の熱蒸発法で厚さ
1〜5nmのNPB緩衝層を蒸着した。 d)緩衝層の上に常用の熱蒸着法で厚さ75nmのAl
q電子輸送性発光層を蒸着した。 e)Alq層の上に二つのソース(MgとAg)からの
共蒸発法で厚さ200nmのMgAg層を蒸着した。
【0050】各素子を、そのアノードとカソードの間に
駆動電圧を印加することにより試験した。電流−駆動電
圧の関係を測定して図6、図7、図8及び図9に示し
た。EL出力と駆動電圧の関係を測定して図10に示し
た。素子の動作安定性を測定して図11に示した。
駆動電圧を印加することにより試験した。電流−駆動電
圧の関係を測定して図6、図7、図8及び図9に示し
た。EL出力と駆動電圧の関係を測定して図10に示し
た。素子の動作安定性を測定して図11に示した。
【0051】図6では、例1、例2及び例3の素子につ
いて電流−電圧特性をプロットした。ITOを使用して
接点を形成し且つ発電機へのコネクタとして作用させた
ので、例1のI−V曲線から得られる抵抗値400Ωが
ITO系列の抵抗を表す。例2と例3の素子について測
定されたI−V曲線を比較することにより、プラズマポ
リマーはNPBよりも導電性が高いとの結論が容易に得
られた。当該ポリマー薄膜の抵抗率は105 Ω−cmの
範囲にあることが測定された。
いて電流−電圧特性をプロットした。ITOを使用して
接点を形成し且つ発電機へのコネクタとして作用させた
ので、例1のI−V曲線から得られる抵抗値400Ωが
ITO系列の抵抗を表す。例2と例3の素子について測
定されたI−V曲線を比較することにより、プラズマポ
リマーはNPBよりも導電性が高いとの結論が容易に得
られた。当該ポリマー薄膜の抵抗率は105 Ω−cmの
範囲にあることが測定された。
【0052】図7では、例4と例5に記載した素子の電
流密度を駆動電圧の関数としてプロットした。図面から
わかるように、ITOアノードと正孔輸送層NPBとの
間に厚さ10〜40nmのプラズマポリマー薄膜を挟み
込んだ場合には、従来の素子の場合よりも、素子のI−
V曲線の立ち上がりが一層迅速になる。この結果は、気
体状フルオロカーボンを45kHzのプラズマにおいて
プラズマ重合して得られたポリマー薄膜の導電性が非常
に高いことを明瞭に示すものである。
流密度を駆動電圧の関数としてプロットした。図面から
わかるように、ITOアノードと正孔輸送層NPBとの
間に厚さ10〜40nmのプラズマポリマー薄膜を挟み
込んだ場合には、従来の素子の場合よりも、素子のI−
V曲線の立ち上がりが一層迅速になる。この結果は、気
体状フルオロカーボンを45kHzのプラズマにおいて
プラズマ重合して得られたポリマー薄膜の導電性が非常
に高いことを明瞭に示すものである。
【0053】図8では、例6に記載した素子の電流密度
を駆動電圧の関数としてプロットした。このプロットで
は電圧を最大20Vまで上げても電流は認められず、当
該ポリマー薄膜の導電性は極めて低いことを示してい
る。したがって、図面から明らかなように、気体状フル
オロカーボンをRFプラズマにおいてプラズマ重合して
得られたポリマー薄膜は非導電性であり、プラズマ重合
した有機薄膜は絶縁性を有する誘電体となるという文献
報告と一致する。
を駆動電圧の関数としてプロットした。このプロットで
は電圧を最大20Vまで上げても電流は認められず、当
該ポリマー薄膜の導電性は極めて低いことを示してい
る。したがって、図面から明らかなように、気体状フル
オロカーボンをRFプラズマにおいてプラズマ重合して
得られたポリマー薄膜は非導電性であり、プラズマ重合
した有機薄膜は絶縁性を有する誘電体となるという文献
報告と一致する。
【0054】図9と図10は、常用の正孔輸送材料の代
わりに導電性ポリマーを使用できることを示すものであ
る。図9は、例4と例7の素子について測定した電流密
度−電圧特性を示す。図面から明らかなように、電圧が
同一の場合、ポリマー系正孔輸送層を含む素子はNPB
系正孔輸送層を含む素子よりも電流密度が高い。その
上、図10に示したように、ポリマー薄膜を含む素子は
NPB系の素子よりも量子効率も高くなる。
わりに導電性ポリマーを使用できることを示すものであ
る。図9は、例4と例7の素子について測定した電流密
度−電圧特性を示す。図面から明らかなように、電圧が
同一の場合、ポリマー系正孔輸送層を含む素子はNPB
系正孔輸送層を含む素子よりも電流密度が高い。その
上、図10に示したように、ポリマー薄膜を含む素子は
NPB系の素子よりも量子効率も高くなる。
【0055】図11は、例4と例8の素子について動作
安定性をプロットしたものである。20mA/cm2 の
一定電流で素子を動作させ、EL出力を絶えずモニター
した。プラズマポリマーで形成された正孔輸送層及び5
nmの緩衝層を含む素子は、常用のNPBで形成された
正孔輸送層を含む素子よりも良好な動作安定性を示し
た。本発明を特定の好ましい具体的態様を特に参照しな
がら詳説したが、本発明の精神及び範囲内において変更
が可能であることを理解されたい。
安定性をプロットしたものである。20mA/cm2 の
一定電流で素子を動作させ、EL出力を絶えずモニター
した。プラズマポリマーで形成された正孔輸送層及び5
nmの緩衝層を含む素子は、常用のNPBで形成された
正孔輸送層を含む素子よりも良好な動作安定性を示し
た。本発明を特定の好ましい具体的態様を特に参照しな
がら詳説したが、本発明の精神及び範囲内において変更
が可能であることを理解されたい。
【図1】本発明に用いられるプラズマ重合装置の概略図
である。
である。
【図2】発光構造体をITOアノードの上に蒸着した有
機発光素子(従来技術)の概略図である。
機発光素子(従来技術)の概略図である。
【図3】発光構造体をITOアノードの上に蒸着し、発
光構造体とITOアノードの間にフルオロカーボンポリ
マー薄膜を挟み込んだ有機発光素子の概略図である。
光構造体とITOアノードの間にフルオロカーボンポリ
マー薄膜を挟み込んだ有機発光素子の概略図である。
【図4】発光構造体をITOアノードの上に蒸着し、正
孔輸送層としてフルオロカーボンポリマー薄膜を含む有
機発光素子の概略図である。
孔輸送層としてフルオロカーボンポリマー薄膜を含む有
機発光素子の概略図である。
【図5】発光構造体をITOアノードの上に蒸着し、フ
ルオロカーボンポリマーで形成された正孔輸送層と当該
ポリマー薄膜の上を覆う薄い緩衝層とを含む有機発光素
子の概略図である。
ルオロカーボンポリマーで形成された正孔輸送層と当該
ポリマー薄膜の上を覆う薄い緩衝層とを含む有機発光素
子の概略図である。
【図6】層状構造体Au/ITO、Au/フルオロカー
ボンポリマー/ITO及びAu/NPB/ITOに電圧
を印加した場合の電流−電圧の関係を示すグラフであ
る。
ボンポリマー/ITO及びAu/NPB/ITOに電圧
を印加した場合の電流−電圧の関係を示すグラフであ
る。
【図7】ポリマー薄膜を45kHzプラズマにおいて調
製した図2及び図3の有機発光素子の電流−電圧の関係
を示すグラフである。
製した図2及び図3の有機発光素子の電流−電圧の関係
を示すグラフである。
【図8】ポリマー薄膜を13.6MHzプラズマにおい
て調製した図2及び図3の有機発光素子の電流−電圧の
関係を示すグラフである。
て調製した図2及び図3の有機発光素子の電流−電圧の
関係を示すグラフである。
【図9】ポリマー薄膜を45kHzプラズマにおいて調
製した図2及び図4の有機発光素子の電流−電圧の関係
を示すグラフである。
製した図2及び図4の有機発光素子の電流−電圧の関係
を示すグラフである。
【図10】ポリマー薄膜を45kHzプラズマにおいて
調製した図2及び図4の有機発光素子のEL出力−電流
の関係を示すグラフである。
調製した図2及び図4の有機発光素子のEL出力−電流
の関係を示すグラフである。
【図11】図2及び図5の有機エレクトロルミネセンス
素子の動作時間を関数としたEL出力を示すグラフであ
る。
素子の動作時間を関数としたEL出力を示すグラフであ
る。
10…プラズマ重合装置 11…チャンバー 12…ポンプ導管 13…制御弁 14…ポンプ 15…気体導管 16…気体源 17…制御弁 18…上部電極 19…底部電極 20…発電機 22…基板 200…有機発光素子(従来技術) 202…光透過性基板 204…光透過性アノード 208…カソード 210…有機発光構造体 212…正孔輸送層 214…発光層 216…電子輸送層 300…有機発光素子(試験用構造) 302…光透過性基板 304…光透過性アノード 306…プラズマポリマー 308…カソード 310…有機発光構造体 312…正孔輸送層 314…発光層 316…電子輸送層 400…有機発光素子 402…光透過性基板 404…光透過性アノード 408…カソード 410…有機発光構造体 412…プラズマポリマー 414…発光層 416…電子輸送層 500…有機発光素子 502…光透過性基板 504…光透過性アノード 508…カソード 510…有機発光構造体 512a…導電性プラズマポリマーで形成された正孔輸
送層 512b…薄い緩衝層 514…発光層 516…電子輸送層
送層 512b…薄い緩衝層 514…発光層 516…電子輸送層
フロントページの続き (72)発明者 ロンル チェン アメリカ合衆国,ニューヨーク 14580, ウェブスター,トーマス マリア サーク ル 20 (72)発明者 ジョセフ ケイ マダシル アメリカ合衆国,ニューヨーク 14621, ロチェスター,リーススターシャー ロー ド 164
Claims (3)
- 【請求項1】 気体状フルオロカーボンのプラズマ重合
法により合成されたフルオロカーボン系導電性ポリマ
ー。 - 【請求項2】 a)基板、 b)前記基板の上に形成された導電性アノード、 c)前記アノードの上に形成された、気体状フルオロカ
ーボンのプラズマ重合法により合成されたフルオロカー
ボン系導電性ポリマーで形成された正孔輸送層を含む有
機系発光構造体、及び d)前記有機系発光構造体の上に形成されたカソード、
を含んでなるエレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項3】 a)基板、 b)前記基板の上に形成された導電性アノード、 c)前記アノードの上に形成された、気体状フルオロカ
ーボンのプラズマ重合法により合成されたフルオロカー
ボン系導電性ポリマーで形成された正孔輸送層と前記正
孔輸送層の上に形成された緩衝層とを含む有機系発光構
造体、及び d)前記有機系発光構造体の上に形成されたカソード、
を含んでなるエレクトロルミネセンス素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/186,829 US6208075B1 (en) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | Conductive fluorocarbon polymer and method of making same |
US09/186829 | 1998-11-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000150170A true JP2000150170A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=22686428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11313799A Pending JP2000150170A (ja) | 1998-11-05 | 1999-11-04 | フルオロカ―ボン系導電性ポリマ―及びエレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6208075B1 (ja) |
EP (1) | EP1003178A1 (ja) |
JP (1) | JP2000150170A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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