KR102401987B1 - 유기 전자 장치의 포토리소그래피 패터닝 - Google Patents
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Abstract
OLED 장치의 제조 방법은, 제1 하부 전극 어레이를 갖는 장치 기판 상에 제1 언더컷 리프트-오프 구조물을 제공하는 것을 포함한다. 다음으로, 적어도 제1 발광층을 포함하는 하나 이상의 제1 유기 EL 매개층을 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제1 하부 전극 어레이 상에 증착한다. 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제1 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제1 리프트-오프제로 처리하여 제거함으로써 제1 중간 구조물을 형성한다. 상기 공정을 제2 언더컷 리프트-오프 구조물을 사용하여 반복해, 하나 이상의 제2 유기 EL 층을 제2 하부 전극 어레이 상에 증착한다. 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물의 제거 후, 공통 상부 전극을 상기 제1 및 제2 유기 EL 매개층들과 전기적으로 접촉하도록 제공한다.
Description
본 출원은 PCT 국제특허출원으로서 2015년 7월 31일에 출원되었으며, 2014년 8월 1일에 출원되고 그 전체가 본 명세서에 참조로서 포함되는 미국 가출원 특허 제62/031,888호의 이익을 주장한다. 또한, 본 출원은, 본 출원과 동일자에 제출되고 미국 가출원 제62/031,891호(2014년 8월 1일 출원됨), 제62/031,897호(2014년 8월 1일 출원됨) 및 제62/096,582호(2014년 12월 24일 출원됨) 및 제62/031,903호(2014년 8월 1일 출원됨) 각각의 이익을 주장하는, 대리인 문서 제16480.0026WOU1호, 제16480.0033WOU1호 및 제16480.0030WOU1호를 통한 PCT 국제출원에 관한 것이다.
본 개시는 유기 장치, 전자 장치 및 유기 전자 장치의 포토리소그래피 패터닝(photolithographic patterning)에 관한 것이다. 개시된 방법 및 재료는 특히 OLED 장치의 패터닝에 유용하다.
유기 전자 장치는 종래의 무기계(inorganic-based) 장치에 비해 상당한 성능 및 비용 이점을 제공할 수 있다. 이에, 전자 장치 제조 시 유기 재료를 사용하는 것에 많은 상업적 이익이 있다. 예를 들어, 유기 발광 다이오드(organic light-emitting diode, OLED) 기술에 기반한 디스플레이는 최근 인기를 얻고 있으며, 다른 많은 디스플레이 기술에 많은 이점을 제공한다. 용액-증착(solution-deposited) OLED 재료가 개발되고 있으나, 최고 성능의 OLED 장치는 전형적으로 기상 증착된(vapor-deposited) 능동 유기 재료 박막을 사용한다.
풀-컬러(full-color) OLED 디스플레이의 핵심 과제는 적색, 녹색 및 청색 픽셀 어레이를 패터닝하는 것이다. 기상-증착 OLED(vapor-deposited OLEDs)에서, 원하는 패턴의 미세함에 상응하는 개구들을 갖는 미세 금속 마스크가 기존에 사용된다. 그러나 기상 증착된 막은 상기 마스크 상에 쌓여(builds up), 결국 마스크 개구를 좁히거나 마스크에 변형 응력을 유발할 수 있다. 그러므로, 일정 횟수의 사용 후에 마스크를 세척해야 하고, 이는 제조 비용 관점에서 불리하다. 또한, 미세 금속 마스크가 더 큰 기판을 수용하도록 크기가 커지는 경우, 초기 정렬 및 이후 해당 정렬 유지의 관점 모두에서, 열 팽창 문제로 인해 증착 동안, 마스크 개구들의 위치 정밀도가 훨씬 떨어지게 된다. 위치 정밀도는 마스크 프레임의 강도를 향상시킴으로써 어느 정도 향상될 수 있지만, 마스크 프레임의 강도를 향상시키는 것은 마스크 자체의 무게를 증가시켜 다른 처리상 어려움(handling difficulties)을 야기한다.
그러므로 OLED 장치와 같은 유기 전자 장치, 특히 약 100μm 미만의 방출 패턴 치수를 갖는 유기 전자 장치의 비용-효율적 패터닝에 대한 요구가 존재한다.
본 연구자들은, 포토리소그래피로 패터닝되어 4μm로 분리된 적색, 녹색 및 청색 방출 영역들을 갖고, 60% 초과의 개구율(aperture ratio)을 갖는, OLED 장치를 보여준다.
본 개시에 따르면, OLED 장치의 제조 방법은 다음을 포함한다: 제1 하부 전극 어레이 및 제2 하부 전극 어레이를 갖는 장치 기판을 제공하는 것; 상기 제1 하부 전극 어레이에 상응하는 제1 개구 패턴을 갖는 제1 언더컷 리프트-오프 구조물(first undercut lift-off structure)을 상기 장치 기판 상에 제공하는 것; 적어도 제1 발광층을 포함하는 하나 이상의 제1 유기 EL 매개층을 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상기 제1 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것; 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제1 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제1 리프트-오프제(first lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제1 중간 구조물을 형성하는 것; 상기 제2 하부 전극 어레이에 상응하는 제2 개구 패턴을 갖는 제2 언더컷 리프트-오프 구조물(second undercut lift-off structure)을 상기 제1 중간 구조물 상에 제공하는 것; 적어도 제2 발광층을 포함하는 하나 이상의 제2 유기 EL 매개층을 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제2 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것; 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제2 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제2 리프트-오프제(second lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제2 중간 구조물을 형성하는 것; 및 상기 제1 및 제2 유기 EL 매개층들과 전기적으로 접촉하는 공통 상부 전극을 제공하는 것.
본 개시의 다른 일 측면에 있어서, 풀 컬러 OLED 디스플레이는 다음을 포함한다: 디스플레이 영역을 갖는 기판. 상기 디스플레이 영역은 제1, 제2 및 제3 유기 EL 소자 어레이를 포함하고, 각 어레이는 상이한 색의 광을 방출하기 위해 개별적으로 패터닝된 발광층들을 갖는다. 각각의 제1 유기 EL 소자들은 제2 유기 EL 소자 또는 제3 유기 EL 소자로부터 4μm 이하로 이격되고, 제1, 제2 및 제3 유기 EL 소자들 모두의 조합된 방출 면적은 상기 디스플레이 영역이 차지하는 총 면적의 60% 이상이다.
도 1은 대표적인 OLED 장치의 단면도이며;
도 2는 본 개시의 일 구현예의 단계들을 도시한 흐름도이고;
도 3은 본 개시의 일 구현예에 따른 능동 매트릭스 OLED 장치(active matrix OLED device) 형성 시 다양한 단계들을 도시한 일련의 단면도들(3A-3K)이며;
도 4는 본 개시의 일 구현예의 단계들을 도시한 흐름도이고;
도 5는 본 개시의 일 구현예에 따른 언더컷 리프트-오프 구조물 형성 시 다양한 단계들을 도시한 일련의 단면도들(5A-5E)이며;
도 6은 본 개시의 일 구현예의 단계들을 도시한 흐름도이고;
도 7은 본 개시의 일 구현예에 따른 능동 매트릭스 OLED 장치의 단면도이며;
도 8은 본 개시의 일 구현예에 따른 능동 매트릭스 OLED 장치 형성 시 일 단계를 도시하는 단면도이고, 이때 상부 전극은 유기 EL 매개층의 엣지를 커버하도록 증착되며;
도 9는 본 개시의 일 구현예에 따른 능동 매트릭스 OLED 장치 형성 시 단계를 도시하는 단면도이고, 이때 기상 증착된 플루오르화 재료층이 제공되며;
도 10A는 불량 능동 매트릭스 OLED 장치를 도시하는 단면도이고, 이때 상부 공통 전극은 개개의 OLED 장치들 사이에서 취약한 전기적 연결성을 가지며;
도 10B는 패터닝된 플루오르화 절연 구조물을 포함하는, 본 개시의 일 구현예에 따른 능동 매트릭스 OLED 장치를 도시한 단면도이고;
도 11은 본 개시의 일 구현예의 단계들을 도시한 흐름도이며;
도 12는 본 개시의 일 구현예에 따른 능동 매트릭스 OLED 장치 형성 시 다양한 단계들을 도시한 일련의 단면도들(12A-12J)이고;
도 13은 본 개시의 일 구현예에 따른 유기 장치 형성 시 다양한 단계들을 도시한 일련의 단면도들(13A-13D)이며;
도 14는 본 개시의 일 구현예에 따른 능동 매트릭스 OLED 장치 형성 시 다양한 단계들을 도시한 일련의 단면도들(14A-14B)이고; 및
도 15는 본 개시의 일 구현예에 따른 테스트 장치 형성 시 다양한 단계들 및 도면들을 도시한 일련의 도면들(15A-15C)이다.
도 2는 본 개시의 일 구현예의 단계들을 도시한 흐름도이고;
도 3은 본 개시의 일 구현예에 따른 능동 매트릭스 OLED 장치(active matrix OLED device) 형성 시 다양한 단계들을 도시한 일련의 단면도들(3A-3K)이며;
도 4는 본 개시의 일 구현예의 단계들을 도시한 흐름도이고;
도 5는 본 개시의 일 구현예에 따른 언더컷 리프트-오프 구조물 형성 시 다양한 단계들을 도시한 일련의 단면도들(5A-5E)이며;
도 6은 본 개시의 일 구현예의 단계들을 도시한 흐름도이고;
도 7은 본 개시의 일 구현예에 따른 능동 매트릭스 OLED 장치의 단면도이며;
도 8은 본 개시의 일 구현예에 따른 능동 매트릭스 OLED 장치 형성 시 일 단계를 도시하는 단면도이고, 이때 상부 전극은 유기 EL 매개층의 엣지를 커버하도록 증착되며;
도 9는 본 개시의 일 구현예에 따른 능동 매트릭스 OLED 장치 형성 시 단계를 도시하는 단면도이고, 이때 기상 증착된 플루오르화 재료층이 제공되며;
도 10A는 불량 능동 매트릭스 OLED 장치를 도시하는 단면도이고, 이때 상부 공통 전극은 개개의 OLED 장치들 사이에서 취약한 전기적 연결성을 가지며;
도 10B는 패터닝된 플루오르화 절연 구조물을 포함하는, 본 개시의 일 구현예에 따른 능동 매트릭스 OLED 장치를 도시한 단면도이고;
도 11은 본 개시의 일 구현예의 단계들을 도시한 흐름도이며;
도 12는 본 개시의 일 구현예에 따른 능동 매트릭스 OLED 장치 형성 시 다양한 단계들을 도시한 일련의 단면도들(12A-12J)이고;
도 13은 본 개시의 일 구현예에 따른 유기 장치 형성 시 다양한 단계들을 도시한 일련의 단면도들(13A-13D)이며;
도 14는 본 개시의 일 구현예에 따른 능동 매트릭스 OLED 장치 형성 시 다양한 단계들을 도시한 일련의 단면도들(14A-14B)이고; 및
도 15는 본 개시의 일 구현예에 따른 테스트 장치 형성 시 다양한 단계들 및 도면들을 도시한 일련의 도면들(15A-15C)이다.
첨부된 도면들은 본 개시의 개념을 설명하려는 목적을 위한 것이고 본 발명의 범위를 제한하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 개시의 특징은, 민감성 유기 전자 장치 및 재료, 예컨대 OLED 장치 및 재료와 양립 가능한, 즉 용해되거나 손상되지 않아야 하는 민감성 장치 층들과 낮은 상호영향을 갖도록 선택되는, "올싸거널" 포토레지스트 구조물; 및 가공제(processing agents)의 사용이다. 종래의 포토레지스트 재료는 전형적으로 강한 유기 용매를 사용하며, 하나 이상의 OLED 장치 층을 쉽게 손상시킬 수 있는 강한 가성(caustic) 현상제를 종종 사용한다. 특히 유용한 올싸거널 포토레지스트 구조물 및 가공제는 플루오르화 폴리머나 분자성 고체, 및 플루오르화 용매를 포함한다. 몇몇 올싸거널 포토레지스트 구조물 및 시스템은 미국 등록 특허 제12/864,407호, 제12/994,353호, 제14/113,408호 및 제14/291,692호에 기재되어 있으며, 그 내용들은 참조로서 포함된다. 본 개시의 포토레지스트 구조물은 선택적으로 언더컷 프로파일(undercut profile)을 가질 수 있으며, 이는 소위 "리프트-오프(lift-off)" 포토리소그래피 패터닝에 유리할 수 있다. 리프트-오프 패터닝을 위한 포토레지스트 구조물은 본 명세서에서 리프트-오프 구조물(lift-off structures)로도 지칭된다. 상부가 기판에 인접한 기저 부분보다 넓은 언더컷 리프트-오프 구조물이 바람직하다. 포토레지스트 구조물은 단층(예컨대, 역 사다리꼴), 이중층 또는 다층 구조물일 수 있다. 민감성 유기 전자 장치와 접촉하는 포토레지스트 구조물의 적어도 일부 층이나 부분이, 예컨대 플루오르화 코팅 용매로부터 제공되거나 기상 증착에 의해 제공되는, 플루오르화 폴리머나 분자성 고체인 것이 바람직하다. 올싸거널성(orthogonality)은, 예를 들어 관심 재료층을 포함하는 장치를 작동 전 타깃 조성물에(예컨대, 코팅 용매, 현상제, 리프트-오프제 등에) 침지시킴으로써 테스트될 수 있다. 장치 성능에 심각한 저하가 있지 않다면 해당 조성물은 올싸거널하다.
본 개시에 기재된 어떤 구현예들은 용매-민감성 능동 유기 재료의 패터닝에 특히 적절하다. 예시적 능동 유기 재료는 유기 전자 재료, 예컨대 유기 반도체, 유기 전도체, OLED(유기 발광 다이오드) 재료 및 유기 광전지 재료, 유기 광학 재료 및 (생체전자 재료를 포함하는)생체 재료를 포함하나 이에 제한되는 것은 아니다. 많은 이러한 재료들은 종래 포토리소그래피 공정에 사용되는 유기 용액이나 수용액과 접촉할 때 쉽게 손상된다. 능동 유기 재료는 종종 코팅되어, 패터닝 될 수 있는 층을 형성한다. 몇몇 능동 유기 재료의 경우, 이러한 코팅은 종래 방법을 사용하여 용액으로부터 수행될 수 있다. 대안적으로, 몇몇 능동 유기 재료들은 기상 증착에 의해, 예를 들어 감압 하에서 가열된 유기 재료 소스로부터의 승화에 의해 코팅된다. 또한, 용매-민감성 유기 능동 재료는 유기물과 무기물의 복합체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 복합체는 무기 반도체 나노입자(양자점)을 포함할 수 있다. 이러한 나노입자는 유기 리간드를 가질 수 있으며, 또는 유기 매트릭스 내에 분산될 수 있다. 본 개시는 특히 OLED 장치의 패터닝에 관한 것이지만, 본 명세서에 개시된 개념 및 방법은 다른 유기 전자 장치나 생체전자 장치에 적용될 수 있다.
OLED
구조물
많은 종류의 OLED 장치 구조물이 수년에 걸쳐 개발되어 왔다. 본질적으로, OLED 장치는 최소한, 정공(hole)을 주입하기 위한 애노드(anode), 전자를 주입하기 위한 캐소드(cathode), 및 해당 전극들 사이에 개재되고 정공과 전자가 결합하여 광 방출이 일어나는 유기 EL 매개체를 포함한다. OLED 장치는 종종 기판 상에 제공된다. 기판에 인접한 전극은 전형적으로 제1 전극 또는 하부 전극으로 지칭된다. 유기 EL 매개체에 의해 기판으로부터 멀리 이격된 전극은 전형적으로 제2 전극 또는 상부 전극으로 지칭된다. 공통 구조물("표준 구조물")은 기판 상에 제공되는 하부 전극으로서의 애노드와, 상기 애노드 상에 증착되는 후속 유기층들, 및 마지막으로 상기 유기층들 상에 증착되어 상부 전극을 형성하는 캐소드를 포함한다. "역(inverted) 구조물"은 그 반대일 뿐이며, 기판 상에 제공되는 하부 전극으로서의 캐소드와, 상기 캐소드 상에 증착되는 후속 유기층들, 및 마지막으로 상기 유기층들 상에 증착되어 상부 전극을 형성하는 애노드를 갖는다. "하부 발광"OLED는 전형적으로 투명성 또는 반투명성 하부 전극, 및 반사성 또는 광 흡수성 상부 전극 구조물을 포함한다. 즉, 광은 해당 장치 기판을 통과해 향하게 된다. "상부 발광"OLED는 투명성 또는 반투명성 상부 전극, 및 반사성 또는 광 흡수성 하부 전극 구조물을 포함한다. 즉, 광은 해당 장치 기판으로부터 멀리 향하게 된다. "투명한"OLED는 투명성 또는 반투명성 상부 및 하부 전극들을 갖는다.
OLED 장치(10)의 비한정적 예시는 도 1에 도시되며, 애노드(11), 정공주입층(hole-injecting layer, HIL)(12), 정공수송층(hole-transporting layer, HTL)(13), 전자차단층(electron-blocking layer, EBL)(14), 발광층(light-emitting layer, LEL)(15)(당해 분야에서 종종 방출층 또는 EML로 지칭됨), 정공차단층(hole-blocking layer, HBL)(16), 전자수송층(electron-transporting layer, ETL)(17), 전자주입층(electron-injecting layer, EIL)(18) 및 캐소드(19)를 포함한다. 상기 애노드와 캐소드 사이 층들은 종종 유기 EL 매개체(20)로 총칭된다. 당해 분야에 알려진 다른 많은 OLED 층 구조는 더 적은 층들을 갖거나 추가적인 층들을 가지며, 층 기능에서 중첩이 있을 수 있다. 예를 들어, EBL이 사용되는 경우, EBL은 전형적으로 전자 차단 특성 이외에 정공 수송 특성도 갖는다. HBL은, 사용되는 경우, 전형적으로 전자 수송 특성을 갖는다. LEL은 대개 정공 수송 특성이나 전자 수송 특성을 가질 수 있으며, 또는 정공 수송 특성과 전자 수송 특성 모두를 가질 수 있다. 다수의 발광층들이 있을 수 있다. 소위, "탠덤(tandem)" 구조는 전류 효율을 2배가 되게 할 수 있는 발광 스택들(light-emitting stacks) 사이에 전하 분리층들을 하나 이상 포함하는 것으로 알려져 있다.
OLED 장치에 유용한 재료의 몇몇 비한정적 예시는 하기에 기재된다. 주안점은 기상 증착될 수 있는 유기 EL 매개체 재료지만, 본 개시의 어떤 구현예들은 용액 증착 OLED 재료를 대신 사용할 수 있다. OLED 재료 및 구조물의 소수 비한정적 예시들은 미국 등록 특허 제8106582호 및 제7955719호에서 확인할 수 있고, 그 전체 내용들은 참조로서 포함된다.
EL 방출을 애노드를 통해 살펴보는 경우, 애노드는 관심 방출에 실질적으로 투명해야 한다. 본 명세서에서 용어 "투명성"은 방출되는 광의 30% 이상이, 바람직하게는 50% 이상이 투과되는 것을 의미한다. 본 개시에서 사용되는 보통의 투명 애노드 재료는 인듐-주석 산화물(indium-tin oxide, ITO), 인듐-아연 산화물(indium-zinc oxide, IZO) 및 주석 산화물이지만, 알루미늄 도핑 아연 산화물이나 인듐 도핑 아연 산화물, 마그네슘-인듐 산화물 및 니텔-텅스텐 산화물을 포함하나 이에 제한되지 않는, 다른 금속 산화물이 효과가 있을 수 있다. 이러한 산화물 이외에, 질화갈륨과 같은 질화금속, 셀렌화아연과 같은 셀렌화금속, 황화아연과 같은 황화금속이 애노드로 사용될 수 있다. EL 방출을 캐소드 전극만을 통해 살펴보는 어플리케이션(application)의 경우, 애노드의 전달 특성은 중요하지 않고, 투명성, 불투명성 또는 반사성과 무관하게 많은 전도성 재료가 사용될 수 있다. 본 개시의 예시적 전도체는 금, 이리듐, 몰리브덴, 팔라듐 및 백금을 포함하나 이에 제한되지 않는다. 독특한 HIL 재료가 사용되지 않는 한, 전형적인 애노드 재료는 4.0 eV 이상의 일 함수를 갖는다.
EL 방출을 캐소드를 통해 살펴보는 경우, 캐소드는 투명하거나 거의 투명해야 한다. 이러한 어플리케이션의 경우, 금속이 (바람직하게는 25nm 미만으로) 얇거나, 투명한 전도성 산화물(예컨대, 인듐-주석 산화물, 인듐-아연 산화물) 또는 이러한 재료들의 조합이 사용될 수 있다. 광학적으로 투명한 캐소드의 몇몇 비한정적 예시들은 미국 등록 특허 제5,776,623호에 보다 상세히 기재되어 있다. EL 방출을 캐소드를 통해 살펴보지 않는 경우, OLED 장치에 유용한 것으로 알려진 임의의 전도성 재료가 선택될 수 있으며, 이는 금속, 예컨대 알루미늄, 몰리브덴, 금, 이리듐, 은, 마그네슘, 상기의 투명 전도성 산화물, 또는 이들의 조합을 포함한다. 바람직한 재료는 낮은 전압에서 전자 주입을 촉진하고, 효과적인 안정성을 갖는다. 유용한 캐소드 재료는 낮은 일 함수(<4.0 eV) 금속 또는 금속 합금을 종종 함유한다. 캐소드 재료는, 예를 들어 증발, 스퍼터링 또는 화학적 기상 증착을 통해 증착될 수 있다.
HIL은 단독 재료 또는 재료들의 혼합물로 형성될 수 있다. 정공주입층은 상이한 조성을 갖는 몇 개의 층들로 나뉠 수 있다. 정공 주입 재료는 후속 층들의 성막 특성을 향상시키고 정공수송층으로의 정공 주입을 용이하게 할 수 있다. 정공주입층에 사용하기 위한 적절한 재료는 미국 등록 특허 제4,720,432호에 기재된 바와 같은 포르피린(porphyrin) 및 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물, 티오펜(thiophene) 함유 화합물, 포스파잔(phosphazine) 화합물 및 일부 방향족 아민 화합물을 포함하나 이에 제한되는 것은 아니다. HIL은 무기 화합물, 예컨대 금속 산화물(예컨대, 몰리브덴 산화물), 질화금속, 금속 카바이드, 금속 이온과 유기 리간드의 착물, 및 전이금속 이온과 유기 리간드의 착물을 포함할 수 있다. 정공주입층에 사용하기 위한 적절한 재료는 미국 등록 특허 제6,208,075호에 기재된 바와 같은 플라즈마 증착 플루오르카본 폴리머(plasma-deposited fluorocarbon polymers, CFx), 미국 등록 특허 제6,720,573 B2호에 기재된 바와 같은 일부 헥사아자트리페닐렌(hexaazatriphenylene) 유도체(예컨대, 헥사시아노헥사아자트리페닐렌(hexacyanohexaazatriphenylene)), 또는 F4TCNQ와 같은 테트라시아노퀴논(tetracyanoquinone) 유도체를 포함할 수 있다. 또한, 정공주입층은 두 개의 다음 성분으로 구성될 수 있다: 예를 들어, 디피라지노[2,3-f:2',3"-h]퀴녹살린헥사카보니트릴(dipyrazino[2,3-f:2',3"-h]quinoxalinehexacarbonitrile), F4TCNQ 또는 FeCl3와 같은 강한 산화제로 도핑된, 방향족 아민 화합물.
HTL은 유기 또는 무기 재료 단독 또는 그 혼합물로 형성될 수 있고, 몇 개의 층들로 나뉠 수 있다. 정공수송층은 3차 아릴 아민, 예컨대 벤지딘(benzidine)이나 카바졸(carbazole)을 가장 일반적으로 포함하나, 티오펜, 또는 전자가 풍부한 다른 재료를 대신(또는 추가적으로) 포함할 수 있다. EBL 재료는 (사용되는 경우) 일반적으로 HTL 재료와 동일한 그룹으로부터 선택되며, 상부의(overlying) LEL보다 에너지가 훨씬 더 큰(감소시키기 더 어려운) 전자 전도대(electron conduction band)를 가져 추가적인 전자 수송을 방해한다.
LEL은 일반적으로 호스트 재료(host material) 및 발광 도펀트(dopant)를 포함한다. 주입된 정공 및 전자는 LEL에서 재결합한다. 호스트(hosts)는 HTL 재료, ETL 재료, HTL과 ETL 재료들의 혼합물, 또는 정공과 전자를 더 쉽게 수송할 수 있는 양극성 재료를 포함한다. 일중항 방출(singlet emission)을 위한 보통의 호스트 예시는 다환식 방향족 화합물, 예컨대 안트라센(anthracene) 유도체를 포함한다. 삼중항 방출(triplet emission)을 위한 보통의 호스트 예시는 카바졸 화합물 및 방향족 아민을 포함한다. 매우 다양한 발광 도펀트가 알려져 있고, 전자/정공 전하 주입으로부터 생성되는 엑시톤(excitons)을 거둬들임으로써 원하는 방출 파장을 제공하는 데 사용된다. 보통의 많은 일중항 방출 도펀트가 방향족 유기 화합물인 반면, 보통의 많은 삼중항 발광 도펀트는 이리듐이나 백금의 금속 착물이다.
ETL은 유기 재료 또는 무기 재료 단독이나 그 혼합물로 형성될 수 있고, 몇 개의 층들로 나뉠 수 있다. 보통의 ETL 재료는 금속 옥신 킬레이드(metal oxine chelates), 예컨대 Alq, 페난트롤린(phenanthroline) 유도체, 예컨대 BCP, 트리아진(triazenes), 벤즈이미다졸(benzimidazoles), 트리아졸(triazoles), 옥사디아졸(oxadiazoles), 실란(silane) 화합물, 예컨대 실라사이클로펜타디엔(silacyclopentadiene) 유도체, 및 보란(borane) 유도체를 포함한다. HBL 재료는 (사용되는 경우) 일반적으로 ETL 재료와 동일한 그룹으로부터 선택되고, 하부의(underlying) LEL보다 에너지가 훨씬 더 낮은(산화되기 더 어려운) 정공 전도대(hole conduction band)를 가져 추가적인 정공 수송을 방해한다.
EIL은 ETL 재료를 포함할 수 있고, 더하여 캐소드와 ETL 사이 계면이나 그 인근에서 환원성 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 환원성 도펀트는 유기물, 무기물 또는 금속 착물일 수 있다. 보통의 환원성 도펀트는 Cs와 같은 알칼리 금속, 또는 알칼리 금속의 조합을 포함한다. EIL은, 알루미늄과 같은 캐소드 재료의 증착 시 환원성 도펀트를 형성하는, 알칼리 또는 알카라인 금속 착물, 염 또는 산화물(예컨대, 리튬 퀴놀레이트(lithium quinolate), LiF, CaO)를 포함할 수 있다.
OLED
증착
기판 상으로 유기 EL 매개체 재료를 증착하는 많은 방법이 있으며, 상기 방법은 용액 코팅, 기상 증착, 및 도너 시트(donor sheet)로부터의 전사를 포함하나 이에 제한되는 것은 아니다. 본 개시의 어떤 구현예들에 있어서, 유기 OLED 층들의 적어도 일부는 기상 증착 수단에 의해, 예컨대 감압 환경에서 물리적 기상 증착에 의해 증착된다. 몇몇 구현예들에 있어서, 유기 EL 매개층들의 대부분 또는 전부는 기상 증착에 의해 제공된다.
많은 유형의 기상 증착 장치가 적절하다. 이러한 장치는 포인트 소스(point sources), 선형 소스(linear sources), 증기 주입 소스(vapor-injection sources), 캐리어 가스 이용 소스(carrier gas-assisted sources, OVPD) 등을 이용할 수 있다. 몇몇 구현예들에 있어서, 추후 나타날 패터닝된 포토레지스트 구조물을 통해 제어된 라인-오브-사이트 증착(controlled line-of-site deposition)을 달성하기 위해, 증기 기둥은 고도의 방향성이 있다.
OLED
장치/
백플레인
(
backplanes
)
몇몇 패터닝이 의도되는 한, 본 개시의 방법에 기초하여 제조될 수 있는 OLED 장치 유형에는 특별한 제한이 없다. 본 방법은 특히 풀 컬러 OLED 디스플레이 장치, 예컨대 능동 매트릭스 OLED(active matrix OLED, AMOLED) 및 수동 매트릭스 OLED(passive matrix OLED, PMOLED)에 관한 것이나, 상기 방법은 OLED 발광 및 사이니지(signage)를 마련하는 데 사용될 수 있다. OLED 장치 기판은 견고하거나 유연할 수 있다. 지지 재료는 유리, 폴리머, 세라믹, 금속 및 이들의 복합체나 라미네이트(laminates)를 포함하나 이에 제한되는 것은 아니다.
AMOLED 백플레인은 전형적으로, 전형적인 다층 구조의 기판 상에 제공되는 박막 트렌지스터(thin film transistor, TFT) 회로망에 연결되며 독립적으로 다룰 수 있는 제1 (하부) 전극 어레이를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 Si, 금속 산화물 또는 유기 반도체(organic semiconductors, OTFT)에 기초할 수 있다. 반도체 이외에, 절연체 및 전도체가 트랜지스터, 커패시터(capacitors), 전선(wiring) 등 당해 분야에 알려진 구조물을 마련하는 데 사용된다.
OLED
패터닝
도 2는 본 개시의 일 구현예에 따른 3색(예컨대, RGB) 능동 매트릭스 OLED 장치를 형성하기 위한 단계들을 나타내는 흐름도이다. 도 3A 내지 3K는 이러한 단계들의 일부를 단면 형태로 나타낸다. 단계 101에서, 제1 리프트-오프 구조물(예컨대, 언더컷 리프트-오프 구조물)이 OLED 기판 상에 형성된다. 상기 제1 리프트-오프 구조물은 제1 하부 전극 어레이에 상응하는 개구 어레이를 갖는다. 하부 전극은 "표준 구조" OLED의 부분으로서 애노드로 기능할 수 있고, 또는 "역(inverted) 구조"OLED의 부분으로서 캐소드로 기능할 수 있다. 바람직한 일 구현예에 있어서, 하부 전극은 OLED 기판의 부분으로서 이미 형성되어 있지만, 선택적으로 하부 전극은 리프트-오프 구조물의 개구 어레이를 통해 원하는 애노드 재료 또는 캐소드 재료를 하나 이상 증착시킴으로써 형성되거나 추가적으로 변경될 수 있다(도 2에 미도시).
도 3A는, 지지체(201)(예컨대, 유연성 또는 비-유연성(non-flexible) 유리, 플라스틱 또는 세라믹); TFT 층 부분(202)(전선, 절연체 및 반도체 재료의 다수 층들을 포함할 수 있음); 제1 하부 전극(210); 제2 하부 전극(220); 제3 하부 전극(230); 및 전극 분리 절연체(203)를 갖는, 일 구현예의 OLED 기판(200) 또는 백플레인을 도시한다. 상기 제1, 제2 및 제3 하부 전극들 각각은, 모두 독립적으로 다룰 수 있는, 각각 제1, 제2 및 제3 하부 전극 어레이로 하나의 하부 전극을 대표한다. 즉, 상기 제1 하부 전극 어레이는 독립적으로 다룰 수 있는 제1 OLED 장치의 제1 어레이 부분을 형성하고, 상기 제2 하부 전극 어레이는 독립적으로 다룰 수 있는 제2 OLED 장치의 제2 어레이 부분을 형성하며, 필요에 따라 이와 같이 계속 된다. 도시하지는 않았으나, 상기 전극 분리 절연체는 종종 하부 전극들의 엣지 위 및 약간 위로 연장되고, 대응 OLED 장치의 기능적 방출 영역을 정의하는 데 도움을 줄 수 있다. 또한, 도시하지 않았으나, 상기 기판은 각 유기 EL 소자의 일부를 구성할 공통 유기 EL 매개층을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판은 공통 HIL 및 HTL을 포함할 수 있다.
도 3B는 상기 제1 하부 전극에 상응하는 개구(215)를 갖는 제1 리프트-오프 구조물(211)을 도시한다. 여기에 도시된 구현예들에 있어서, 제1 리프트-오프 구조물(211)은 제1 재료층(212) 및 패터닝된 제1 포토레지스트층(213)의 이중층이다. 언더컷 영역(214)이 층(212)에 형성된다. 제1 리프트-오프 구조물(211)은 그 대신에 단일 층일 수 있으며, 또는 두 개 초과의 층들을 가질 수 있다. 리프트-오프 구조물은 추후 더 상세히 논의된다.
도 2를 다시 참조하면, 선택적(이지만 바람직한) 단계 103은 상기 제1 하부 전극 어레이로부터(또는 임의의 선택적 공통 유기 EL 매개층으로부터) 잔류물을 세척하는 것을 포함한다. 이는 적절한 용매를 사용하거나, 바람직하게는 "건식 식각" 방법을 사용하여 수행될 수 있다. 여기서, 용어 "건식 에천트(etchant)"는 넓게 사용되며, 타깃 영역을 세척하는 데 충분한 에너지를 가진 임의의 유용한 기상 재료를 지칭한다. 건식 식각은 글로우 방전법(glow discharge methods)(예컨대, 스퍼터 식각 및 반응성 이온 식각), 이온 빔(ion beam) 식각(예컨대, 이온 밀링(ion milling), 반응성 이온 빔 식각, 이온 빔 이용 화학적 식각) 및 다른 "빔(beam)" 방법(예컨대, ECR 식각 및 다운스트림(downstream) 식각)을 포함하나 이에 제한되지 않으며, 이들 모두는 당해 분야에 알려진 방법이다. 보통의 몇몇 건식 에천트(dry etchants)는 산소 플라즈마, 아르곤 플라즈마, UV/오존, CF4 및 SF6 및 다양한 조합을 포함한다. 대안적으로, 실질적 비-산화 플라즈마, 예컨대 수소; 및 질소나 헬륨 같은 비-산화 가스를 포함하는 플라즈마가 사용될 수 있다.
도 2 및 도 3C를 참조하면, 제1 유기 EL 매개층(들)이 단계 105에서 증착된 뒤, 단계 107에서 제1 상부 전극이 상기 제1 유기 EL 매개층 상에 증착된다. 상기 제1 유기 EL 매개층의 일부(216')가 상기 제1 리프트-오프 구조물 상에 증착되는 반면, 상기 제1 유기 EL 매개층의 다른 일부(216)는 개구(215)를 통과하며 상기 제1 하부 전극 어레이 상에 증착된다. 상부 전극에 대해, 상기 제1 상부 전극의 일부(217')가 상기 제1 리프트-오프 구조물 상에 그리고 유기 EL 매개층(216') 상으로 증착되는 반면, 상기 제1 상부 전극의 다른 일부(217)는 개구(215)를 통과하며 제1 유기 EL 매개층(216) 상으로 증착된다. 도시하지 않았으나, 상기 기판이 전술한 바와 같이 임의의 선택적 공통 유기 EL 매개층을 포함했을 경우, 제1 유기 EL 매개층(216)은 OLED 스택을 마무리하는 데 필요한 것들을 상기 제1 하부 전극 어레이 상에 포함할 것이다.
단계 109에서, 상부의(overlying) 제1 유기 EL 매개층(216') 및 제1 상부 전극(217')과 함께 상기 제1 리프트-오프 구조물이 제거된다. 일 구현예에 있어서, 이는 제1 재료층(212)을 용해시키나 패터닝된 포토레지스트, 유기 EL 매개체 재료 및 캐소드에 올싸거널한 용매를 제공함으로써 수행된다. 이는 패터닝된 제1 포토레지스트(213) 및 상부의(overlying) 층들(216'및 217')을 분리시키고, 이에 따라 도 3D에 도시된 바와 같이, OLED 장치의 제1 어레이를 갖는, 예컨대 각각이 하부 전극(210), 유기 EL 매개층(216) 및 상부 전극(217)을 갖는 적색 발광 OLED들을 갖는, 제1 중간 구조물(218)을 형성한다. 대안적으로, 상기 제1 재료층을 용해시키기 보다, 리프트-오프 용매가 상기 제1 리프트-오프 구조물을 팽윤시킴으로써(swell) 이의 박리(delamination)을 유발하거나 상기 기판과 상기 제1 리프트-오프 구조물 사이 접착력에 영향을 미칠 수 있다.
단계 101 내지 109에는 단계 111 내지 119 및 단계 121 내지 129에서 2회 이상 기본적으로 반복되지만, 상이한 세트의 유기 EL 매개층들(226 및 236, 도 3F 및 3I)를 통해 OLED 장치의 제2 및 제3 어레이들, 예컨대 녹색 및 청색을 형성한다.
도 2의 단계 111에서, 제2 리프트-오프 구조물이 상기 제1 중간 구조물 상에 형성된다. 상기 제2 리프트-오프 구조물은 제2 하부 전극 어레이에 상응하는 개구 어레이를 갖는다. 도 3E는 상기 제2 하부 전극에 상응하는 개구(225)를 갖는 제2 리프트-오프 구조물(221)을 도시한다. 여기에 도시된 구현예에 있어서, 제2 리프트-오프 구조물(221)은, 다시 제2 재료층(222) 및 패터닝된 제2 포토레지스트층(223)의 이중층이다. 언더컷 영역(224)이 층(222)에 형성된다. 제2 리프트-오프 구조물(221)은 그 대신에 단일 층일 수 있으며, 또는 2개 초과의 층들을 가질 수 있다. 제2 리프트-오프 구조물(221)을 형성하는 데 사용된 재료 및 방법은 제1 리프트-오프 구조물(211)을 형성하는 데 사용된 것들과 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
도 2에서 단계 113은 단계 103에 관해 앞서 설명한 방법 중 하나를 사용하여 상기 제2 하부 전극 어레이로부터 잔류물을 세척하는 선택적(이지만 바람직한) 단계를 나타낸다. 잔류물 세척 방법은 단계 103과 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
도 2 및 도 3F를 참조하면, 제2 유기 EL 매개층이 단계 115에서 증착된 뒤, 단계 117에서 제1 상부 전극이 상기 제2 유기 EL 매개층 상에 증착된다. 제한되는 것은 아니나, 바람직한 일 구현예에 있어서, 상기 제2 유기 EL 매개층은 상기 제1 유기 EL 매개층과 상이하여, 예컨대 상이한 방출 색을 제공한다. 제2 상부 전극은 상기 제1 상부 전극과 동일할 수 있지만, 예컨대 소정의 원하는 전하 주입 또는 특성을 달성하기 위해, 상이할 수도 있다. 제2 유기 EL 매개층의 일부(226')가 상기 제2 리프트-오프 구조물 상에 증착되는 반면, 제2 유기 EL 매개층의 다른 일부(226)는 개구(225)를 통과하고 상기 제2 하부 전극 어레이 상에 증착된다. 상부 전극에 대하여, 제2 상부 전극의 일부(227')가 상기 제2 리프트-오프 구조물 상에 그리고 제2 유기 EL 매개층(226') 상으로 증착되는 반면, 제2 상부 전극의 다른 일부(227)는 개구(225)를 통과하고 제2 유기 EL 매개층(226) 상으로 증착된다.
단계 119에서, 예컨대 단계 109에 대해 앞서 설명한 것과 유사한 방식으로, 예컨대 제2 재료층(222)을 용해시키는 용매를 제공함으로써, 상부의(overlying) 제2 유기 EL 매개층(226') 및 제2 상부 전극(227')과 함께 상기 제2 리프트-오프 구조물이 제거된다. 상기 제2 리프트-오프 구조물의 제거는 도 3G에 도시된 바와 같이, OLED 장치의 제1 어레이, 예컨대 적색 발광 OLED들; 및 OLED 장치의 제2 어레이, 예컨대 하부 전극(220), 유기 EL 매개층(226) 및 상부 전극(227)을 갖는, 각 녹색 발광 OLED들을 갖는, 제2 중간 구조물(228)을 형성한다.
도 2의 단계 121에서, 제3 리프트-오프 구조물이 상기 제2 중간 구조물 상에 형성된다. 상기 제3 리프트-오프 구조물은 제3 하부 전극 어레이에 상응하는 개구 어레이를 갖는다. 도 3H는, 상기 제3 하부 전극에 상응하는 개구(235)를 갖는 제3 리프트-오프 구조물(231)을 도시한다. 여기에 도시된 구현예에 있어서, 제1 리프트-오프 구조물(231)은 다시, 제3 재료층(232) 및 패터닝된 제3 포토레지스트층(233)의 이중층이다. 언더컷 영역(234)이 층(232)에 형성된다. 제3 리프트-오프 구조물(231)은 그 대신에 단일 층일 수 있으며, 또는 2개 초과의 층들을 가질 수 있다. 제3 리프트-오프 구조물(231)을 형성하는 데 사용되는 재료 및 방법은 상기 제1 또는 제2 리프트-오프 구조물을 형성하는 데 사용된 것들과 동일하거나 상이할 수 있다.
도 2에서 단계 123은 단계 103에 관해 앞서 설명한 방법 중 하나를 사용하여 상기 제3 하부 전극 어레이로부터 잔류물을 세척하는 선택적(이지만 바람직한) 단계를 나타낸다. 잔류물 세척 방법은 단계 103과 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
도 2 및 도 3I를 참조하면, 제3 유기 EL 매개층이 단계 125에서 증착된 뒤, 단계 127에서 제3 상부 전극이 상기 제3 유기 EL 매개층 상에 증착된다. 제한되는 것은 아니나, 바람직한 일 구현예에 있어서, 상기 제3 유기 EL 매개층은 상기 제1 및 제2 유기 EL 매개층들과 상이하여, 예컨대 상이한 방출 색을 제공한다. 상기 제3 상부 전극은 상기 제1 상부 전극 또는 제2 상부 전극과 동일할 수 있지만, 예컨대 소정의 원하는 전하 주입 또는 특성을 달성하기 위해, 상이할 수도 있다. 제3 유기 EL 매개층의 일부(236')가 상기 제3 리프트-오프 구조물 상에 증착되는 반면, 제3 유기 EL 매개층의 다른 일부(236)는 개구(235)를 통과하고 상기 제3 하부 전극 어레이 상에 증착된다. 상부 전극에 대하여, 제3 상부 전극의 일부(237')가 상기 제3 리프트-오프 구조물 상에 그리고 제3 유기 EL 매개층(236') 상으로 증착되는 반면, 제3 상부 전극의 다른 일부(237)는 개구(235)를 통과하고 제3 유기 EL 매개층(236) 상으로 증착된다.
단계 129에서, 예컨대 단계 109에 대해 앞서 설명한 것과 유사한 방식으로, 예컨대 제3 재료층(232)을 용해시키는 용매를 제공함으로써, 상부의(overlying) 제3 유기 EL 매개층(236') 및 제3 상부 전극(237')과 함께 상기 제3 리프트-오프 구조물이 제거된다. 상기 제3 리프트-오프 구조물의 제거는 도 3J에 도시된 바와 같이, OLED 장치의 제1 어레이, 예컨대 적색 발광 OLED들; 및 OLED 장치의 제2 어레이, 예컨대 녹색 발광 OLED들; 및 OLED 장치의 제3 어레이, 예컨대 하부 전극(230), 유기 EL 매개층(236) 및 상부 전극(237)을 갖는, 각 청색 발광 OLED들을 갖는, 제3 중간 구조물(238)을 형성한다.
도 2 및 도 3K를 참조하면, 단계 131은 공통 상부 전극(240)을 OLED 장치의 제1, 제2 및 제3 어레이 상에 증착함으로써, 상기 제1, 제2 및 제3 상부 전극을 전기적으로 연결시키고 능동 매트릭스 OLED 장치(250)를 형성하는 것을 포함한다. 상기 제1, 제2 및 제3 상부 전극에 대해, 상기 공통 상부 전극에 사용되는 재료는 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 공통 상부 전극을 증착하기 전, 해당 상부 전극들은 처리되어 상기 공통 상부 전극과의 전기적 접촉이 향상될 수 있다. 이는 해당 상부 전극들 상에 존재할 수 있는 금속 산화물이나 얇은 폴리머 잔류물에 의해 유도되는 접촉 저항을 극복하는 데 도움이 될 수 있다. 예를 들어, 해당 상부 전극들은 낮은 일 함수 금속, 예컨대 알칼리 금속, 알카라인 금속 또는 알카라인 토금속으로 처리될 수 있다. 대안적으로, 처리는 환원 가스 환경, 예컨대 수소를 포함하는 가스 환경을 포함할 수 있다. 대안적으로, 처리는 실질적 비-산화 플라즈마, 예컨대 수소; 및 질소나 헬륨과 같은 비-산화 가스를 포함하는 플라즈마를 포함할 수 있다. 대안적으로, 처리는 해당 리프트-오프제와 상이한 화학적 조성을 갖는 세척제와의 접촉을 포함할 수 있으며, 상기 세척제는 플루오르화 용매를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 세척제는 플루오르화 용매; 및 알코올(예: IPA)과 같은 양성자성 용매를 15 부피% 이하, 대안적으로 5 부피% 이하로 포함할 수 있다. 대안적으로, 상기 양성자성 용매는 유기산을 5 중량% 이하, 또는 대안적으로 1 중량% 이하로 포함할 수 있다. 대안적으로, 상기 세척제는 두 개의 플루오르화 용매 혼합물, 예컨대 리프트-오프제에 사용되는 플루오르화 용매; 및 보다 극성(polar)이거나, 중량으로 더 적은 플루오린 함량을 갖거나, 보다 극성이면서 중량으로 더 적은 플루오린 함량을 갖는, 제2 플루오르화 용매의 혼합물을 포함할 수 있다.
리프트-오프 구조물
리프트-오프 구조물은 리프트-오프 패터닝 공정에서 상부의(overlying) "원치 않는" 능동 재료(예컨대, OLED 재료)의 분리를 가능하게 한다. 일 구현예에 있어서, 리프트-오프 구조물의 적어도 일부는 OLED 장치 어레이에 올싸거널한 용매에 용해 가능하고, 이 부분의 용해는 상기 분리를 가능하게 한다. 일 구현예에 있어서, 리프트-오프 구조물은 실질적으로 수직한 측벽 프로파일(예컨대, 기판에 대해 90도 ± 10도), 또는 바람직하게는 언더컷 측벽 프로파일을 갖는다. 언더컷은, 해당 측벽 상에 증착되는 OLED 재료의 양을 감소시켜 해당 측벽이 적절한 리프트-오프제에 차단되지 않게 유지시킨다. 리프트-오프 구조물의 두께는 특정 유형의 장치 및 의도된 치수에 따르나, 일반적으로, 0.1 내지 10 μm의 범위 내, 대안적으로 0.2 내지 5 μm의 범위 내, 또는 대안적으로 0.5 내지 3 μm의 범위 내이다.
리프트 오프 구조물의 중요한 요건은 해당 리프트-오프 구조물의 형성이나 이의 후속 공정에 있어 하부의(underlying) 장치 층을 손상시키지 않는 것이다. 일 구현예에 있어서, 리프트-오프 구조물은 하나 이상의 하부(underlying) OLED 장치 층과 접촉하는 플루오르화 재료층을 포함한다. 일 구현예에 있어서, 플루오르화 재료는 감광성이고, 방사선에의 노출 및 현상을 통해 리프트-오프 구조물을 형성할 수 있다. 이러한 재료는 포지티브하게 작용하는 것(positive working)(방사선에 노출된 부분이 현상 동안 제거됨) 또는 네거티브하게 작용하는 것(negative working)(방사선에 노출되지 않은 부분이 현상 동안 제거됨)일 수 있다. 감광성 플루오르화 재료 및 시스템의 비한정적 예시는, 그 내용들이 참조로서 포함되는 미국 등록 특허 제12/994,353호, 제14/260,705호, 제14/291,692호, 제14/291,767호 및 제14/539,574호에 기재된 것들을 포함한다. 일 구현예에 있어서, 감광성 플루오르화 재료는 플루오르화 용매, 예컨대 하이드로플루오로에테르(hydrofluoroether)로부터 제공되는, 네가티브 작용 포토폴리머(negative working photopolymer이다. 일 구현예에 있어서, 감광성 플루오르화 포토폴리머는 하나 이상의 플루오르화 용매, 예컨대 하이드로플루오로에테르를 포함하는 현상제(developing agent)에 현상된다. 일 구현예에 있어서, 감광성 플루오르화 포토폴리머와의 사용을 위한 리프트-오프제는 플루오르화 용매, 예컨대 하이드로플루오로에테르를 포함한다. 리프트-오프제의 작용은 포토패터닝된(photopatterned) 플로오로폴리머를 용해시키는 것, 또는 대안적으로는, 예컨대 팽윤시키거나(swelling) 접착 실패를 유도함으로써, 기판에 포토패터닝된 폴리머의 박리를 유발하는 것이다.
단층 리프트-오프 구조물에 필요한 감광성, 측벽 프로파일 및 올싸거널성을 달성하는 것은 어려울 수 있다. 다른 일 구현예에 있어서, 리프트-오프 구조물은, 예컨대 도 3에 도시된 바와 같이, 그리고 그 내용이 참조로서 포함되는 미국 등록 특허 제12/864,407호에 기재된 바와 같이, 다수의 층들을 포함한다. 일 구현예에 있어서, 플루오르화 분자성 고체나 플루오르화 폴리머와 같은, 플루오르화 재료를 포함하는 재료층은 능동 유기 재료를 포함할 수 있는 장치 기판 상에 제공된다. 플루오르화 재료는 (예컨대, 분자성 고체라면)기상 증착될 수 있고, 또는 하이드로플루오로에테르 또는 퍼플루오르화(perfluorinated) 용매를 포함하나 이에 제한되지 않는, 고도의 플루오르화 용매로부터 코팅될 수 있다. 이러한 층은 다층 리프트-오프 구조물의 기저(base)를 형성하며, 하부의(underlying) 장치 기판에 대하여 화학적으로 불활성 하게 디자인된다. 이는, 경우에 따라 하부의(underlying) 장치를 손상시킬 수 있는 광활성(photo-active) 요소, 예컨대 광산발생제 또는 반응성 그룹을 요구하지 않는다. 기저층은 선택적으로 광흡수 재료를 포함하여, 상부(overlying) 포토레지스트층(하기 참조)의 잠재적 고강도 방사선 조사로부터 하부(underlying) 장치를 보호할 수 있다. 그러한 경우, 광 흡수 재료는 바람직하게는, 예컨대 광흡수 염료를 플루오르화 폴리머에 부착시킴으로써, 공유결합으로 기저층에 혼입된다. 또한, 기저층은 앞서 설명 바와 같이 빠른 리프트-오프를 가능하게 하는, 플루오르화 용매 또는 다른 올싸거널 용매에 쉽게 용해되도록 디자인된다. 대안적으로, 리프트-오프제는, 예컨대 팽윤시키거나 접착 실패를 유도함으로써, 기판으로부터의 기저층 박리를 유발할 수 있다.
기저층 상에, 예컨대 플루오르화 재료층 상에, 예컨대 코팅 용매로부터 또는 라미네이션(lamination)에 의해, 포토레지스트층이 적용된다. 포토레지스트는, 하부의(underlying) 장치에 일반적으로 유해할 수 있는 용매로부터 코팅되거나 상기 용매로 가공되는, 종래의 포토레지스트(포지티브 또는 네거티브 톤(tone))일 수 있지만, 상기 기저층이 이러한 유해 재료의 침투를 차단한다. 적절한 방사선에 노출되고 선택적으로 열에 노출될 때, 포토레지스트는 노출되지 않은 포토레지스트에 대해 이의 용해도를 변경시키는 방식으로 변형된다. 예를 들어, 노출은 용해도-변경 스위칭 그룹(solubility-altering switching groups)을 활성화시키거나, 가교결합을 유도하거나, 사슬 절단을 유발할 수 있다. 포토레지스트는 하부의(underlying) 기저층이 적어도 어느 정도의 구조적 완전성을 보유하고 있는 한, 즉 해당 코팅 용매에 너무 빨리 용해되지 않는 한, 선택적으로, 플루오르화 코팅 용매로부터 제공되는 플루오르화 포토레지스트일 수 있다. 이러한 플루오르화 포토레지스트는 일반적으로 친화적(benign)이지만, 포토레지스트의 포토액티브층(photoactive layer)으로부터의 추가적 층 분리는 몇몇 구현예들에 있어서 추가적인 보호를 제공할 수 있다.
일 구현예의 2층 리프트-오프 구조물 형성에 대한 흐름도는 도 4에 도시되며, 단면도로는 도 5에 도시된다. 이러한 리프트-오프 구조물은 도 2 및 3에서 서술된 구현예에 사용될 수 있다. 단계 301에서, 기저층(311)은 장치 기판(310) 상에 형성된다. 상기 기저층은 후속 가공 단계, 예컨대 경화, 건조, 표면 처리 등을 겪을 수 있다. 단계 303에서, 포토레지스트층(312)은 기저층(311) 상에 형성된다. 상기 포토레지스트층은, 방사선 소스(313) 및 개재 마스크(intervening mask)(314)룰 제공함으로써 포토레지스트층(312)을 패턴화된 방사선에 노출시키는 단계 305 이전에, 건조 또는 다른 단계를 겪을 수 있다. 이는, 노출된 포토레지스트 영역 패턴(316); 및 이에 상보적인 노출되지 않은 포토레지스트 영역 패턴(317)을 갖는, 노출된 포토레지스트층(315)을 형성한다. 이러한 경우에 포토레지스트는 네거티브 톤 유형이지만, 포지티브 톤이 대신에 사용될 수 있다. 다른 포토패터닝 방법이 선택적으로 사용될 수 있으며, 이는 예컨대 영사 노출(projection exposure), 패턴화된 레이저 노출 등일 수 있다.
다음으로, 단계 307에 도시된 바와 같이, 노출된 포토레지스트층이 현상제(예컨대, 많은 종래 포토레지스트를 사용한다면, 수용성 알카라인 현상제)를 통해 현상된고, 이러한 구현예에서, 노출되지 않은 포토레지스트 영역(316)을 제거하여 커버되지 않은 기저층의 제1 패턴(318)을 형성한다. 단계 309에서, 커버되지 않은 기저층의 제1 패턴을, 예를 들어 플루오르화 현상제, 예컨대 하이드로플루오르화에테르를 사용해 제거하여, 제1 개구 패턴(320)를 갖는 리프트-오프 구조물(319)을 형성한다. 이러한 구현예에서, 상기 기저층의 제거는 언더컷 영역(321)을 형성한다. 예컨대 도 2 및 3에서 OLED 장치에 대해 서술한 바와 같이, 능동 재료의 증착 후, 상기 리프트-오프 구조물은 상기 기저층을 용해시키는 리프트-오프제의 영향을 받는다. 예를 들어, 상기 기저층이 플루오르화 재료인 경우, 상기 리프트-오프제는 플루오르화 용매일 수 있으며, 이는 하이드로플루오르화에테르 및 퍼플루오르화 용매를 포함하나 이에 제한되는 것은 아니다.
전술한 많은 구현예들에 있어서, 플루오르화 포토레지스트 또는 플루오르화 기저층은 플루오르화 용매를 사용하여 코팅되거나 가공(예컨대, 현상 또는 리프트-오프)될 수 있다. 특히 유용한 플루오르화 용매는 상온에서 퍼플루오르화되거나 고도로 플루오르화된 액체인 것들을 포함하고, 이는 물 및 많은 유기 용매와 혼합되지 않는다. 이 용매들 중, 하이드로플루오로에테르(hydrofluoroethers, HFEs)는 매우 환경 친화적인 "그린(green)" 용매로 잘 알려져 있다. 분리형(segregated) HFEs를 포함하는 HFEs는 난연성이며 오존층 파괴 가능성이 없고 PFCs보다 낮은 지구 온난화 가능성을 가지며 인체에 매우 낮은 독성을 나타내기 때문에 바람직한 용매이다.
쉽게 이용 가능한 HFEs 및 HFES의 이성체 혼합물은, 메틸 노나플루오로부틸 에테르(methyl nonafluorobutyl ether) 및 메틸 노나플루오로이소부틸 에테르(methyl nonafluoroisobutyl ether)의 이성체 혼합물(HFE-7100), 에틸 노나플루오로부틸 에테르(ethyl nonafluorobutyl ether) 및 에틸 노나플루오로이소부틸 에테르(ethyl nonafluoroisobutyl ether)의 이성체 혼합물(NovecTM 7200로도 알려진 HFE-7200), 3-에톡시-1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6-도데카플루오로-2-트리플루오로메틸-헥산(3-ethoxy-l,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6-dodecafluoro-2-trifluoromethyl-hexane)(NovecTM 7500로도 알려진 HFE-7500), 1,1,1,2,3,3-헥사플루오로-4-(1,1,2,3,3,3,-헥사플루오로프로폭시)-펜탄(1,1,1,2,3,3-hexafluoro-4-(1,1,2,3,3,3,-hexafluoropropoxy)-pentane(3M의, PF7600로도 알려진 HFE-7600), 1-메톡시헵타플로오로프로판(1-methoxyheptafluoropropane)(HFE-7000), 1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-테카플루오로-3-메톡시-4-트리플루오로메틸펜탄(1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-decafluoro-3-methoxy-4-trifluoromethylpentane)(NovecTM 7300로도 알려진 HFE-7300), 1,2-(1,1,2,2-테트라플루오로에톡시)에탄(1,2-(1,1,2,2-tetrafluoroethoxy)ethane)(HFE-578E), 1,1,2,2-테트라플루오로에틸-1H,1H,5H-옥타플루오로펜틸 에테르(1,1,2,2-tetrafluoroethyl-1H,1H,5H-octafluoropentyl ether)(HFE-6512), 1,1,2,2-테트라플루오로에틸-2,2,2-트리플루오로에틸 에테르(1,1,2,2-tetrafluoroethyl-2,2,2-trifluoroethyl ether)(HFE-347E), 1,1,2,2-테트라플루오로에틸-2,2,3,3-테트라플루오로프로필 에테르(1,1,2,2-tetrafluoroethyl-2,2,3,3-tetrafluoropropyl ether)(HFE-458E), 2,3,3,4,4-펜타플루오로테트라하이드로-5-메톡시-2,5-bis[1,2,2,2-테트라플루오로-1-(트리플루오로메틸)에틸]-퓨란(2,3,3,4,4-pentafluorotetrahydro-5-methoxy-2,5-bis[1,2,2,2-tetrafluoro-1-(trifluoromethyl)ethyl]-furan)( NovecTM 7700로도 알려진 HFE-7700), 1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-트리데카플루오로옥탄-프로필 에테르(1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-tridecafluorooctane-propyl ether)(TE6O-C3), F(CF2)5OCH3, F(CF2)6OCH3, F(CF2)7OCH3, F(CF2)8OCH2CH2CH3, F(CF2)2O(CF2)4OCH2CH3, F(CF2)3OCF(CF3)CF2OCH3, (CF3)2N(CF2)3OCH3, (C3F7)2N(CF2)3OC3H7, 
, 
및 
을 포함하나 이에 제한되는 것은 아니다.
일 구현예에 있어서, (단층 또는 다층 유형의)리프트-오프 구조물은 해당 리프트-오프 구조물 형성에 사용되는 80% 이상의 이미징 방사선(imaging radiation)으로부터 하부(underlying)의 층들을 흡수하거나 차단한다.
일 구현예에 있어서, 리프트-오프 구조물의 포토레지스트 부분은 포티지브형 포토레지스트를 사용하여 형성된다. 이러한 방식으로, 하부(underlying) 임의의 OLED 장치나 구조물이 잠재적으로 유해한 이미징 방사선에 노출되지 않을 것이다.
산소 및 수분 민감성
OLED 장치는 산소 및 수분에 취약한 저항성을 갖는 것으로 당해 분야에 알려져 있다. 특히 우려되는 것은 낮은 일 함수 캐소드 재료, 선택적 EIL 내의 전자가 풍부한 도펀트, 및 캐소드와 ETL 또는 EIL 사이 계면이다. 도 2를 참조하면, 예를 들어 단계 107, 117 및 119(상부 전극을 증착함)와 함께 단계 105, 115 및 115(유기 EL 매개층들을 증착함)는 산소 및 수분을 적게 갖는 저압(진공) 환경 하에서 수행될 수 있다. 그러나 이러한 경우, 기판은 저압 환경으로부터, 리프트-오프 구조물의 제거(리프트-오프) 및 추가적인 리프트-오프 구조물 형성과 관련한, 다른 단계들의 주변 환경으로 제거될 가능성이 있다. 예방 수단은 질소 또는 다른 불활성 가스 하에서 리프트-오프 공정(코팅, 노출, 현상, 리프트-오프 등)용 장치를 디자인할 수 있으나, 추가적인 예방 수단이 유용할 수 있다.
일 구현예에 있어서, 도 2 및 3에 도시된 바와 같이 각 방출 색을 위한 개별 상부 전극들을 포함하는 전체 OLED 구조물을 제공하기 보다, 유기 EL 매개층만이 제공된다. 바람직한 일 구현예에 있어서, 각 OLED 스택은 적어도 이의 대표 LEL을 통해 제공되지만, EIL 또는 전자가 풍부한 도펀트, 예컨대 알칼리 금속, 알카라인 금속 또는 알카라인 토금속 도펀트를 갖는 임의 층을 포함하지 않는다. 예를 들어, OLED 스택은 HBL 이하로 제공될 수 있고, HBL을 포함하여 제공될 수 있다. 공통 캐소드 층(및 선택적 공통 유기 EL 매개층, 예컨대 EIL, 또는 ETL, 또는 EIL 및 ETL 모두)은 공정 말미에 적용될 수 있고, 이러한 공통 EIL/캐소드 층은 리프트-오프 관련 공정에서 발생할 수 있는 잠재적 수분 및 산소 오염에 노출되지 않을 것이다. 이러한 대안 공정 흐름은 도 6에 도시되며, 다른 측면에서 도 2에 도시된 바와 같다. 도 6에서, 단계 401 내지 431은 각각 도 2의 단계 101 내지 131에 상응한다. 도 2에 관해, 도 6과의 차이점은 다음과 같다: 1)하부 전극이 하부 애노드로 지칭되고, 2)제1, 제2 및 제3 상부 전극들의 증착 단계가 빠지며, 3)도 2의 대응 흐름도에는 없지만 하나 이상의 공통 유기 EL 매개층을 제3 중간 구조물 상에 선택적으로 증착하는 새로운 단계 430이 도입된다. 비교 목적을 위해, 도 6에 따른 일 구현예에서 제조되는 능동 매트릭스 OLED(450)의 단면도는 도 7에 도시되고, 이는 도 3J와 유사하다. 도 7에서, 참조 번호 201, 202, 203, 210, 220 및 230은 도 3에 대해 전술한 바와 같다. 이 구현예에 있어서, 제1, 제2 및 제3 유기 EL 매개층들(440, 442 및 444)는 EIL 이외의 층들만을 포함한다. 선택적 공통 EIL 층(446)은 상기 유기 매개층 상에 제공되고, 공통 캐소드(448)는 상기 공통 EIL 층 상에 제공된다. 도시되지 않았으나, 기판은 전술한 바와 같이 공통 HIL 및 HTL 층들을 포함했을 수 있다. 공통 상부 전극을 증착하기 전, 또는 대안적으로는, 공통 유기 EL 층이 포함되는 경우 공통 유기 EL 층을 증착하기 전, 패터닝된 유기 EL 매개층의 상면은 처리되어 공통 상부 전극 또는 공통 유기 EL 층과의 접촉이 향상될 수 있다. 이는, 의도치 않은 층 손상 또는 유기 EL 매개체 표면 상에 존재할 수 있는 얇은 폴리머 잔류물에 의해 유도되는, 접촉 저항을 극복하는 데 도움이 될 수 있다. 예를 들어, 유기 EL 매개층의 상면은 낮은 일 함수 금속, 예컨대 알칼리 금속, 알카라인 금속 또는 알카라인 토금속으로 처리될 수 있다. 전형적으로, 낮은 일 함수 금속은 2nm 이하의, 대안적으로는 1nm 이하의, 또는 심지어 0.5nm 이하의 두께를 갖는다. 대안적으로, 처리는 환원 가스 환경, 예컨대 수소를 포함하는 가스 환경을 포함할 수 있다. 대안적으로, 처리는 실질적 비-산화 플라즈마, 예컨대 수소; 및 질소나 헬륨과 같은 다른 비-산화 가스를 포함하는 플라즈마를 포함할 수 있다. 대안적으로, 처리는 해당 리프트-오프제와 상이한 화학적 조성을 갖는 세척제와의 접촉을 포함할 수 있고, 상기 세척제는 플루오르화 용매를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 세척제는 플루오르화 용매; 및 알코올(예: IPA)과 같은 양성자성 용매를 15 부피% 이하, 대안적으로 5 부피% 이하로 포함할 수 있다. 대안적으로, 상기 양성자성 용매는 유기산을 5 중량% 이하, 또는 대안적으로 1 중량% 이하로 포함할 수 있다. 대안적으로, 상기 세척제는 두 개의 플루오르화 용매 혼합물, 예컨대 리프트-오프제에 사용되는 플루오르화 용매; 및 보다 극성(polar)이거나, 중량으로 더 적은 플루오린 함량을 갖거나, 보다 극성이고 중량으로 더 적은 플루오린 함량을 갖는, 제2 플루오르화 용매의 혼합물을 포함할 수 있다.
도 2 및 3을 다시 참조하면, 다른 일 구현예에 있어서, 상부 전극들(217, 227 및 237)은 이들이 유기 EL 매개층들보다 약간 넓은 영역을 커버하는 방식으로 제공된다. 이는 상부 전극의 콜리메이션(collimation)을 감소시킴으로써, 예컨대 도 8에 도시된 바와 같이 상부 전극 소스를 기판에 가깝게 이동시킴으로써, 수행될 수 있다. 이는 상부 전극 재료가 OLED 엣지 너머로 연장되게 하고, 노출된 엣지를 밀봉하여 수분 및 산소 침투로부터 보호되게 한다. 도 8에서, 상부 전극 소스(480)는, 상기 소스로부터 방출되는 상부 전극 재료(482)가 너무 콜리메이트되지(collimated) 않고, 이 구현예에 있어 유기 EL 매개층(216)의 측면 상으로 연장되는 상부 전극 부분(217a)을 포함하는 제1 상부 전극(217)을 증착하도록 위치된다. 도 8의 다른 모든 참조번호들은 도 3에 대해 앞서 설명한 바이다. 상부 전극 재료는 수분 및 산소 침투에 그 자체가 상대적으로 불활성이게 하는 재료 및 두께의 것이어야 하거나, 무해한 불활성 산화물 배리어층(barrier layer)을 형성할 수 있는 것이어야 한다. 예를 들어, 상부 전극은, 50nm 이상의, 바람직하게는 100nm 이상의 두께인, 알루미늄 또는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 이 구현예에서 상부 전극은 캐소드 또는 애노드일 수 있다. 이 구현예에서, 유기 EL 매개층은 적어도 하부 전극만큼 넓은, 바람직하게는 그 보다 넓은 면적으로 증착되어야 한고, 기판은 하부 전극-정의 절연체(bottom electrode-defining dielectric)를 포함하는 것이 바람직하다. 이는 두 전극들의 쇼트를 방지할 것이다.
도 8과 유사하나 도 6 및 7에 대한 방식에서, 더 넓은 면적을 갖는 상부 전극보다, 유기 EL 매개층들 중 상부 층이 하부(underlying) 유기 EL 매개층들의 엣지를 커버하도록 제공될 수 있다. 비한정적 일 예시에 있어서, 개별 스택의 상부 유기 EL 매개층은, 하부(underlying) 층들보다 약간 더 넓은 면적으로 제공되어 HBL보다 수분 또는 산소에 더 민감할 수 있는 LEL이나 다른 층들의 엣지를 보호하는 정공차단층이다. 이는 또한, 하부(underlying) 층들보다 덜 콜리메이트된 상부 유기 EL 매개층 증착을 위한 조건을 선택함으로써 수행될 수 있다.
도 2 및 3을 참조하면, 일 구현예에서, OLED 어레이 각각은 캐소드가 하부 전극이고 애노드가 상부 전극인 역(inverted) 구조물을 갖는다. 또한, 상부 애노드는 도 8에서 설명한 바와 같이 유기 EL 매개체의 엣지를 커버하도록 제공될 수 있다. 역(inverted) 구조물을 통해, 민감성 EIL 및 캐소드/EIL이 하부에 있게 되며 나아가 리프트-오프 구조물로부터 멀어지는데, 이는 화학 반응 및 예상치 못한 잠재적 수분 및 산소와 관련되어 보다 견고한 구조물을 제공한다.
도 2 및 3을 참조하면, 일 구현예에 있어서, 플루오르화 재료층은 제1 상부 전극의 증착, 또는 제2 상부 전극의 증착, 또는 제1 및 제2 상부 전극들 모두의 증착 후, 즉 단계 107 후 그러나 단계 109 전에, 또는 단계 117 후 그러나 단계 119 전에, 기상 증착된다. 이 구현예에 있어서, 유기 EL 매개체 및 상부 전극들은 전술한 바와 같은 감압(진공) 환경에서 증착된다. 기판이 리프트-오프 공정을 위해 보다 주변 압력 조건으로 옮겨지는 경우, 기상 증착된 플루오르화 재료층은 수분에 일시적 배리어(barrier)로 기능하거나 처리상(handling)로부터의 물리적 손상에 대항하는 완충층으로 기능할 수 있다. 추가적으로 기상 증착된 플루오르화 재료층(490 및 490')을 제외하고는 도 3C와 동일한 도 9에 예시적 구조물이 단면도로 도시된다. 일 구현예에 있어서, 플루오르화 재료층은 리프트-오프 용매에 용해되도록 선택된다. 대안적인 일 구현예에 있어서, 플루오르화 재료층은 리프트-오프 용매에 용해되지 않고 오히려 능동 OLED 장치 상에 남아있도록 선택되며, 전술한 바와 같은 불필요한 OLED 및 상부 전극 재료와 함께 포토레지스트 부분에서 리프트 오프된다. 그러나 공통 상부 전극 증착 전, 플루오르화 재료층은 단계 109 및 119로부터의 리프트-오프 용매보다 올싸거널 용매에 제거되어야 한다. 예를 들어, 리프트-오프 용매는 제1 하이드로플루오로에테르일 수 있고, 플루오르화 재료층 제거 단계는 상이한 하이드로플루오로에테르 또는 퍼플루오르화 용매를 사용할 수 있으며, 또는 반대로 리프트-오프 용매가 퍼플루오르화 용매이다.
유사한 일 구현예에 있어, 도 6 및 7을 참조하면, 기상 증착된 플루오르화 재료층이 유기 EL 매개층의 증착 후에, 예컨대 단계 405 후 그러나 단계 409 전에, 제공될 수 있다. 전과 같이, 플루오르화 재료층은 리프트-오프 용매에 용해되도록 선택될 수 있고, 또는 대안적으로, 플루오르화 재료층은 리프트-오프 용매에 용해되지 않도록 선택될 수 있다. 후자의 경우, 공통 상부 전극 및 공통 유기층의 증착 전, 단계 109 및 119로부터 플루오르화 재료층이 리프트-오프 용매보다 올싸거널 용매에 제거되어야 한다.
도 2 및 3을 참조하면, 하나 이상의 리프트-오프 구조물은 다층 구조, 예컨대 도 3에 도시되고 또한 도 5에 도시된 2층 구조를 갖는다. 일 구현예에 있어서, 리프트-오프 구조물은, 포토레지스트층과 상부의(overlying) 유기 EL 매개층들 및 캐소드를 합한 것의 유효 밀도(effective density)보다 큰 밀도를 갖는 플루오르화 용매를 포함하는 리프트-오프제를 사용하여 제거된다. 이 맥락에서, "유효 밀도"란 포토레지스트층과 상부(overlying) 층들의 총 질량을 이러한 포토레지스트층 및 상부(overlying) 층들의 부피로 나눈 것이다. 이는 포토레지스트층(더하여 상부(overlying) 층들)의 제거를 간단하게 하고, 이러한 층들을 리프트-오프제 액체의 상면에 빠르게 일어나게 하여(rise) 분리되는 것을 촉진한다. 이는 리프트-오프를 가속화할 수 있고, 또한 리프트-오프 재료로부터의 잔해가 남아있는 OLED 구조물을 손상시킬 수 있는 가능성을 감소시킬 수 있다. 이러한 잔해를 리프트-오프제 액체 표면 근처에 집중시킴으로써, 가공 기계는 상기 잔해를 쉽게 걸러내도록 디자인될 수 있다.
도 2 및 3을 참조하면, 일 구현예에 있어서, 포토레지스트 또는 캐소드는 리프트-오프 부분이 리프트-오프 동안 컬링되도록(curl) 촉진하는 어느 정도의 잔류 응력을 갖도록 선택된다. 이러한 컬링 작용(curling action)은 신선한 기저층을 더 빨리 노출킴으로써 리프트-오프 단계를 가속화한다. 일 구현예에 있어서, 컬링력(curl force)은 리프트-오프 구조물의 적어도 일부분에서 180도 이상의 호(arc)를 유도한다. 일 구현예에 있어서, 컬링력은 리프트-오프 구조물의 적어도 일부분에서 360도 이상의 호(arc)를 유도하는데, 즉 리프트-오프 구조물의 적어도 일 부분은 그 자체로 롤업(rolls up)된다.
도 2 및 3을 다시 참조하면, 일 구현예에 있어서, 캐소드는 어느 정도 자성을 갖도록 선택되어 리프트-오프제 수조(bath)의 마그넷이 제거되는 부분을 끌어당길 수 있다. 이는 리프트-오프를 가속화할 수 있고, 또한 리프트-오프 재료로부터의 잔해가 남아있는 OLED 구조물을 손상시킬 수 있는 기회를 감소시킬 수 있다.
도 3J 및 3K를 참조하면, 공통 상부 전극 증착은 도시된 바와 같이 진행되지 않을 수 있다. 공통 상부 전극이 유기 EL 두께보다 얇은 경우, 도 10A에 도시된 바와 같은 불연속성이 생길 기회가 있으며, 이는 얇은 공통 상부 전극(241)이 다른 상부 전극들과 쉽게 연결될 수 없는 것을 제외하고는 도 3K에 도시된 바와 동일하다. 이는 불량 능동 매트릭스 OLED 장치(251)을 생성할 수 있다. 또한, 심지어 도 3K에 도시된 바와 같이, 상부 및 하부 전극들 사이가 쇼트될 기회가 있다. 일 구현예에 있어서, 공통 상부 전극의 증착을 돕는 제3 중간 구조물을 형성한 후에 패터닝된 절연층이 제공된다. 이러한 패터닝된 절연체는 플루오르화 용매로부터의 플루오르화 포토폴리머, 예컨대 국제 출원 특허 PCT/US2014/047800 및 PCT/US2015/014425에 기재된 가교결합 플루오르화 폴리머로부터 제공될 수 있고, 올싸거널 현상제에 노출되고 현상될 수 있다. 도 10B에 도시된 바와 같이, 패터닝된(선택적으로 플루오르화된) 절연체(495)가 도 3J에 도시된 바와 동일한 제3 중간 구조물(238) 상에 제공된다. 패터닝된 절연체(495)는 공통 상부 전극이 유기 EL 매개체 두께보다 얇더라도 각 OLED 어레이의 상부 전극들과 공통 상부 전극(242) 사이에 우수한 접촉을 확보하도록 상대적으로 완만한 경사를 갖는다. 또한, 상부 전극 및 하부 전극들 사이에 상당한 분리가 있어 쇼트될 기회가 감소한다. 절연체의 패터닝된 개구 어레이(종종 "픽셀 정의층" 또는 PDL(pixel definition layer)로 지칭됨)는 일반적으로 디스플레이 장치의 디스플레이 영역을 정의한다.
도 2 및 3을 다시 참조하면, 일 구현예에 있어서, 리프트-오프 구조물은 네거티브 유형 포토레지스트를 이용하고, 상부 전극들을 패터닝 방사선에 실질적으로 불투명하다. 이러한 방식으로, 하부의(underlying) 유기 EL 매개층들은 UV 광과 같은 잠재적으로 유해한 방사선으로부터 보호된다.
도 2 및 6에 도시된 구현예들에 있어서, 3개의 리프트 오프 구조물은 3개의 상이한 색상을 패턴화하도록 제조된다. 대안적인 일 구현예에 있어서, 2개의 리프트-오프 구조물들만이 도 11 및 12A-12J에 기재된 바와 같이 사용된다.
단계 501에서, (예컨대, 적색 발광 OLED를 위한)제3 유기 EL 매개층들이 제1, 제2 및 제3 하부 전극 어레이들을 갖는 OLED 기판 상에 증착된다. 제3 유기 EL 매개층들은 결국 제3 하부 전극 어레이 상에서 OLED를 형성하는 데 사용될 것이다. 이는 도 12A에 단면도로 도시되며, 이때 (제1, 제2 및 제3 하부 전극 어레이들을 갖는)OLED 기판이 도 3A에서 앞서 설명한 바와 같이 제공되며, 제3 유기 EL 매개층(636)이 모든 전극 어레이들 상에 공통적으로 증착된다. 이때, 상부 전극은 제공되지 않는다. 일 구현예에 있어서, 제3 유기 EL 매개체는 쉽게 건식 식각되고, 이의 LEL, 선택적 HBL 또는 선택적 ETL에 금속-함유 재료, 예컨대 알루미늄 퀴노레이트 착물(aluminum quinolate complexes) 또는 인광 이리듐 도펀트(phosphorescent iridium dopants)를 상당량 포함하지 않는다.
단계 503에서, 제3 유기 EL 매개층들 상에, 제1 하부 전극 어레이에 상응하는 개구 어레이를 갖는 제1 리프트-오프 구조물을 형성한다. 도 12B는 제1 하부 전극에 상응하는 개구(615)를 갖는 제1 리프트-오프 구조물(611)을 도시한다. 여기 도시되는 구현예들에 있어서, 제1 리프트-오프 구조물(611)은, 제1 재료층(612) 및 패터닝된 제1 포토레지스트층(613)의 이중층이다. 언더컷 영역(614)이 층(612)에 형성된다. 제1 리프트-오프 구조물(611)은 대신에 단일층일 수 있으며, 또는 2개 초과의 층을 가질 수 있다.
단계 505에서, 상기 제1 리프트-오프 구조물은 상기 제3 유기 EL 매개층들을 식각하기 위한 식각 마스크로 사용된다. 이 층들은 제1 하부 전극 어레이에 상응하는 패턴으로 식각된다. 도 12C에 도시된 바와 같이, 제3 유리 EL 매개층들의 제거된 부분(636')은 하기 기술되는 후속 OLED 증착 단계를 위해 상기 제1 하부 전극 어레이를 노출시킨다. 식각 방법은 건식 식각에 대해 상기 언급한 것들을 포함한다. 일 구현예에 있어서, 전극 분리 절연체(203)(도 3A 참조)는 유기 EL 매개층들보다 더 내식각성(etch resistant)이다.
단계 507에 있어서, (예컨대, 녹색 발광 OLED를 위한)제1 유기 EL 매개층들이 증착된다. 도 12D에 도시된 바와 같이, 제1 유기 EL 매개층들의 부분(616')이 상기 리프트-오프 구조물 상에 증착되는 반면, 제1 유리 EL 매개층들의 다른 부분(616)은 개구(615)를 통과하고 상기 제1 하부 전극 어레이 상에 증착된다. 본 구현예에 도시되지 않았으나, 제1 상부 전극은 도 3C에 도시된 바와 유사 방식으로 상기 제1 유기 EL 매개층들 상에 선택적으로 증착될 수 있다.
단계 509에서, 상기 제1 리프트-오프 구조물이 제거되어 도 12E에 도시된 바와 같이 제1 중간 구조물(618)이 형성된다. 단계 511에서, 제2 하부 전극 어레이에 상응하는 개구 어레이(625)를 갖는 제2 리프트-오프 구조물(621)이 상기 제1 중간 구조물 상에 형성된다. 도 12F에 도시된 구현예에 있어서, 제2 리프트-오프 구조물(621)은, 제2 재료층(622) 및 패터닝된 제2 포토레지스트층(623)의 이중층이다. 언더컷 영역(624)이 층(622)에 형성된다. 제2 리프트-오프 구조물(621)은 대신에 단일 층일 수 있고, 또는 2개 초과의 층들을 가질 수 있다.
단계 513에서, 상기 제2 리프트-오프 구조물이 상기 제1 유기 EL 매개층들을 식각하기 위한 식각 마스크로 사용된다. 이 층들은 제2 하부 전극 어레이에 상응하는 패턴으로 식각된다. 도 12G에 도시된 바와 같이, 제1 유기 EL 매개층들의 제거된 부분(636")은 하기 기술되는 후속 OLED 증착 단계를 위해 상기 제1 하부 전극 어레이를 노출시킨다. 식각 방법은 건식 식각에 대해 상기 언급한 것들을 포함한다. 일 구현예에 있어서, 전극 분리 절연체(203)(도 3A 참조)는 유기 EL 매개층들보다 더 내식각성(etch resistant)이다.
단계 515에 있어서, (예컨대, 청색 발광 OLED를 위한)제2 유기 EL 매개층들이 증착된다. 도 12H에 도시된 바와 같이, 제2 유리 EL 매개층들 일부(626')가 해당 리프트-오프 구조물 상에 증착되는 반면, 제2 제3 유리 유기 EL 매개층들의 다른 일부(626)는 개구(625)를 통과하여 제2 하부 전극 어레이 상에 증착된다. 본 구현예에 도시되지 않았으나 제2 상부 전극은 도 3C에 도시된 바와 유사 방식으로 상기 제2 유기 EL 매개층들 상에 선택적으로 증착될 수 있다.
단계 517에서, 상기 제2 리프트-오프 구조물이 제거되어 도 12I에 도시된 바와 같이 제2 중간 구조물(628)이 형성된다. 단계 519에서, 하나 이상의 공통 유기 EL 매개층들(646)이 제2 중간 구조물 상에 선택적으로 제공되고, 단계 521에서 공통 전극(648)이 제공됨으로써, 능동 매트릭스 OLED 장치(650)을 형성한다. 도 12J는 선택적 공통 유기 EL 매개층(들)(646)을 갖는 구현예를 도시한다. 공통 유기 EL 매개체가 증착되어야 하는 경우, 제1 및 제2 상부 전극들은 제1 및 제2 유기 EL 매개층들 상에 증착되지 않아야 한다. 패터닝된 유기 EL 매개층의 상면은 도 6 및 7에 대해 앞서 설명한 바와 같이 선택적으로 세척되거나 처리되어야 한다.
도 11 및 12를 참조하면, 일 구현예에 있어서, 각 OLED 스택은 적어도 이의 각 LEL를 통해 제공되지만, EIL이나, 전자가 풍부한 도펀트들, 예컨대 알칼리 금속, 알카라인 금속 또는 알카라인 토금속 도펀트들을 갖는 임의의(any) 층을 포함하지 않는다. 예를 들어, OLED 스택은 정공차단층 이하로 제공될 수 있고 정공차단층을 포함할 수 있다. 또한, 제3 유기 EL 매개층들이 제1 및 제2 유기 EL 매개층들 사이의 매개층들간 영역(interstitial areas)에 제공될 수 있음을 알아야 한다. 이는 후속 공통 층의 증착에 균일한 표면을 제공하는 데 유리할 수 있다. 또한, 이는 장치가 (예컨대, PDL에서 또는 다른 색상의 패터닝에서) 하부 전극의 의도치 않은 영역을 노출하는 결함을 갖는 경우에 쇼트를 방지하는 데 도움이 될 수 있다. 제3 유기 EL 매개층들은 이러한 결함을 커버할 것이고, 제1 및 제2 유기 EL 매개층들로부터 색을 방출하도록 의도되었을 경우 이는 불량 픽셀의 색상 순도를 약간 감소시킬 수 있지만, 어두운 영역을 생성하기 보다 적절한 전압을 인가함에 따라 밝게 하는 것이 더 중요할 것이다.
도 11 및 12를 다시 참조하면, 일 구현예에 있어서, 하나 이상의 제3 유기 EL 매개층들은 용액으로부터 코팅된다. 일 구현예에 있어서, 제3 및 제1 유기 EL 매개층들 중 하나 이상이 용액으로부터 코팅된다. 일 구현예에 있어서, 제3 유기 EL 매개체가 용액(예컨대, 중합성 LEL)으로부터 증착된 발광층을 포함하는 반면, 제1 유기 EL 매개체 또는 제2 유기 EL 매개체 또는 그 둘 모두는 기상 증착에 의해 제공되는 LEL을 포함한다.
당해 분야 통상의 기술자는 도 2, 3, 6 및 7에 대해 전술한 많은 구현예들이 도 11 및 12의 구현예들에 대해 동일한 방식으로 적용될 수 있음을 이해할 것이다. 도 11 및 12에 도시된 구현예들의 이점은 3색 OLED에 오직 2개의 리프트-오프 단계들이 요구된다는 것이다.
도 13A 내지 13D는 유기 장치를 형성하는 다른 구현예들에서 일련의 단면도들을 도시한다. 도 13A에서, 장치 기판(700)이 제공되고, 이는 선택적으로 유연할 수 있고, 원하는 유기 장치를 제공하는 데 필요한 다른 층 및 요소 이외에, 선택적으로 (예컨대 OLED들에 대해 전술한 바와 같은)지지층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유기 장치는 OLED, 디스플레이, 조명 장치, 화학적 센서, 터치 센서, 광전지, TFT 백플레인, 또는 생체전자 장치나 의학 장치일 수 있다.
장치 기판(700) 상에 제1 개구(715)를 갖는 제1 언더컷 리프트-오프 구조물(711)이 제공되고, 커버되지 않은 장치 기판 영역(703)이 형성된다. 상기 리프트-오프 구조물은, 언더컷이 있는 한 앞서 설명한 임의의(any) 리프트-오프 구조물들을 포함할 수 있다. 도 13A의 구현예에 있어서, 제1 언더컷 리프트-오프 구조물(711)은 언더컷 영역(714)을 갖는 단일 층, 예컨대 플루오르화 용매를 사용하여 현상된 패터닝된 플루오르화 포토레지스트이다. 대안적으로, 언더컷 리프트-오프 구조물은 대신에 2개 이상의 패터닝된 층들을 포함할 수 있고, 예컨대 플루오르화 재료 기저층 및 상부의(overlying) 포토레지스트층을 포함할 수 있다. 이때, 상기 플루오르화 재료 기저층은 상기 포토레지스트층에 대해 언더컷이다.
도 13B에 도시된 바와 같이, 이후, 제1 능동 유기 재료층이 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 커버되지 않은 장치 기판 영역의 제1 부분(705) 상에 증착된다. 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 상에 증착된 능동 유기 재료는 713'로 도시되고, 상기 제1 부분 상에 증착된 능동 유기 재료는 713으로 도시된다. 일 구현예에 있어서, 제1 능동 유기 재료층은 적정 양의 콜리메이션을 통해 감압 환경에서 기상 증착되어, 해당 재료가 개구(715)와 유사 크기의 면적으로 증착된다. 대안적으로, 제1 능동 유기 재료를 직접 증착하기 보다, 성장 촉매, 접착 촉진제 또는 가교기(linking group)가 콜리메이트된 수단을 통해 제1 부분(705) 상에 제공되고, 제1 능동 유기 재료층은 용액 또는 다른 비-콜리메이트 증기상(other non-collimated vapor phase)으로부터 성장 촉매, 접착 촉진제 또는 가교기가 차지하는 면적으로 선택적으로 증착된다. 제1 능동 유기 재료층은, 예를 들어 유기 전도체, 유기 반도체, 전하 수송 재료, 발광 재료 또는 생체 재료를 포함할 수 있다. 일 구현예에 있어서, 제1 능동 유기 재료층은 수분, 산소 또는 그 둘 다에 민감하다.
도 13C를 참조하면, 제2 재료층은 제1 능동 유기 재료층 상에 증착되고 커버되지 않은 기판 영역의 제2 부분(707) 상에 증착된다. 리프트-오프 구조물 상에 증착된 제2 재료층은 717'로 도시되고, 상기 제2 부분 상에 증착된 제2 재료층은 717로 도시된다. 상기 제2 부분 면적은 상기 제1 부분 면적보다 크고, 그래서 제2 재료층(717)은 상기 제1 부분의 제1 능동 유기 재료층(713) 측벽을 넘어 연장되며 이를 커버한다. 해당 증기가 너무 콜리메이트되어 제2 재료층이 제1 능동 유기 재료층의 측벽을 커버하는 것을 방지하거나 제한할 정도로 제2 부분 면적을 한정하지 않는 한, 제2 재료층은 용액으로부터 또는 기상 증착에 의해 증착될 수 있다. 대안적으로 제2 재료층을 직접 증착하기 보다, 성장 촉매, 접착 촉진제 또는 가교기가 리프트-오프 구조물 측면 이외 영역 상에 제공된 뒤, 제2 재료층이 용액 또는 다른 증기 상(vapor phase)으로부터 성장 촉매, 접착 촉진제 또는 가교기가 차지하는 면적으로 선택적으로 증착된다.
일 구현예에 있어서, 제2 재료층은 전기전도성이다. 예를 들어, 제2 재료층은 유기 전도체, 금속, 금속 산화물, 그래핀 또는 그래핀 산화물을 포함할 수 있다. 일 구현예에 있어서, 제2 재료층은 제1 능동 유기 재료층과 상이한 제2 능동 유기 재료를 포함한다. 예를 들어, 이 제2 능동 유기 재료는 유기 EL 매개 스택의 상부 층, 예컨대 전하 수송 재료 또는 발광 재료를 포함할 수 있고, 또는 생체 재료 또는 유기 반도체를 포함할 수 있다. 일 구현예에 있어서, 제2 재료층은 추후 제거되고, 최종 형태의 유기 장치 일부를 형성하지 않는다. 예를 들어, 제2 재료층은 플루오르화 재료를 포함할 수 있다. 일 구현예에 있어서, 제2 재료층은 제1 능동 유기 재료층보다 수분, 산소 또는 그 둘 다에 덜 민감하다. 제1 구현예에 있어서, 제2 재료층는, 예를 들어 수분 또는 산소의 침투를 낮춤으로써, 수분, 산소 또는 그 둘 다로부터 제1 유기 재료층을 적어도 부분적으로 보호할 수 있다.
도 13D에 도시된 바와 같이, 제1 언더컷 리프트-오프 구조물이, 예컨대 전술한 방법을 통해 제거됨으로써, 기판 상에 패터닝된 제1 능동 유기 재료층 및 패터닝된 제2 재료층을 갖는, 중간 구조물 또는 유기 장치(720)가 형성된다. 제1 개구는 선택적으로 제1 패턴을 갖는 제1 개구 어레이의 일부일 수 있다. 또한, 기판은 제1 개구들과 일직선 상에 있는 제1 하부 전극 어레이를 선택적으로 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 리프트-오프 구조물은 리프트-오프 층으로 기능할 수 있는 플루오르화 재료 기저층, 및 포토레지스트를 포함할 수 있다. 일 구현예에 있어서, 리프트-오프제는 플루오르화 용매, 예컨대 퍼플루오르화 용매 또는 하이드로플루오르화에테르를 포함하고, 플루오르화 재료 기저층에 사용되는 플루오르화 재료와 동일하거나 상이할 수 있는 성막 리프트-오프 플루오르화 재료를 포함한다. 예를 들어, 중간 장치 구조물은 리프트-오프 단계로부터 형성될 수 있고, 해당 중간 구조물은 추가 공정을 위한 것이다. 리프트-오프 플루오르화 재료가 리프트-오프 용매에 포함됨으로써, 리프트-오프 플루오르화 재료의 보호층이 증발 또는 건조에 따라 형성된다. 이는 하부의(underlying) 민감성 구조물을 우연한 오염물, 또는 저장이나 다른 가공 스테이션으로의 이송 동안 발생할 수 있는 물리적 손상으로부터 보호할 수 있다.
일 구현예에 있어서, 리프트-오프 플루오르화 재료는 플루오르화 재료 기저층의 플루오르화 재료와 동일하고, 리프트-오프제의 리프트-오프 플루오르화 재료 적어도 일부는, 의도적으로 축적을 가능하게 하는 리프트-오프 단계의 시즈닝 부산물(seasoning byproduct)이다. 즉, 리프트-오프 가공 탱크로부터 용해된 플루오르화 재료를 제거하거나 잔류 플루오르화 재료를 제거하기 위해 다수의 세척을 제공하기 보다, 이러한 리프트-오프 플루오르화 재료층이 패터닝된 장치 구조물 표면 상에 형성되는 것이 의도적으로 가능해진다. 일 구현예에 있어서, 건조된 리프트-오프 플루오르화 재료는 10nm 내지 1000 nm 두께, 대안적으로 50nm 내지 500nm 범위의 두께를 갖는다. 일 구현예에 있어서, 리프트-오프 플루오르화 재료층은 추가 패터닝을 위한 다른 리프트-오프 구조물의 제조에 있어 후속 기저층으로 사용되기에 충분히 두껍다. 일 구현예에 있어서, 리프트-오프 플루오르화 재료층은 대개 후속 플루오르화 재료 기저층 코팅에 용해되고, 새로운 플루오르화 재료 기저층의 일부가 된다.
예를 들어, 도 14A에 도시된 것은 도 3F에 대해 설명한 것과 동일한 구조물이고, 특히 제2 재료층(222)이 플루오르화 재료이다. 리프트-오프 플루오르화 재료를 포함하는 리프트-오프제와 접촉하는 경우, 도 3G의 중간 구조물(228)을 형성하기 보다, 리프트-오프 플루오르화 재료층(222A)을 갖는 도 14B의 중간 구조물(228A)을 형성한다. 일 구현예에 있어서, 이것은 다른 리프트-오프 구조물에서 기저층 또는 기저층 일부를 형성하는 데 사용될 수 있다.
리프트-오프 플루오르화 재료는 리프트-오프 공정 보충 공급에 추가될 수 있다. 대안적으로, 리프트-오프 플루오르화 재료는 리프트-오프 구조물로부터 플루오르화 재료의 축적을 가능하게 하는 리프트-오프 가공 탱크를 시즈닝(seasoning)함으로써, 바람직하게는 보충 시스템 및 불용성 리프트-오프 부분을 필터링하기 위한 재순환 시스템의 결합으로 제공될 수 있다. 추가 보호 이외에, 소비되는 신선한 리프트-오프제의 부피를 감소시킴으로써 비용을 절약할 수 있다. 그러나 모든 패터닝 단계가 완료되면, 공통 유기 EL 층 또는 공통 상부 전극의 증착 전 잔류물을 제거하기 위해, 중간 구조물은 신선한 리프트-오프제로 세척되거나 전술한 방법으로 처리되어야 한다.
본 개시의 몇몇 비한정적 구현예들이 하기에 정의된다.
1. OLED 장치의 제조 방법은 다음을 포함한다:
a) 제1 하부 전극 어레이 및 제2 하부 전극 어레이를 갖는 장치 기판을 제공하는 것;
b) 상기 제1 하부 전극 어레이에 상응하는 제1 개구 패턴을 갖는 제1 언더컷 리프트-오프 구조물을 장치 기판 상에 제공하는 것;
c) 적어도 제1 발광층을 포함하는 하나 이상의 제1 유기 EL 매개층, 및 제1 상부 전극층을 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제1 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
d) 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물, 및 상부의(overlying) 제1 유기 EL 매개층(들)과 제1 상부 전극을 제거하여, 제1 중간 구조물을 형성하는 것;
e) 상기 제2 하부 전극 어레이에 상응하는 제2 개구 패턴을 갖는 제2 언더컷 리프트-오프 구조물을 상기 제1 중간 구조물 상에 제공하는 것;
f) 적어도 제2 발광층을 포함하는 하나 이상의 제2 유기 EL 매개층, 및 제2 상부 전극을 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제2 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
g) 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물, 및 상부의(overling) 제2 유기 EL 매개층(들)과 제2 상부 전극을 제거하여, 제2 중간 구조물을 형성하는 것; 및
h) 상기 제1 및 제2 상부 전극층들과 전기적으로 연결되는 공통 상부 전극을 제공하는 것.
2. 하나 이상의 리프트-오프 구조물은, 플루오르화 재료 기저층 및 상부의(overlying) 포토레지스트층을 포함하는, 패터닝된 층을 2개 이상 포함하고, 상기 플루오르화 재료 기저층은 상기 포토레지스트층에 대해 언더컷인, 구현예 1의 방법.
3. 하나 이상의 리프트-오프 구조물은, 플루오르화 용매를 사용하여 현상되고 언더컷 프로파일을 갖는, 패터닝된 플루오르화 포토레지스트인, 구현예 1의 방법.
4. 단계 (b)와 (c) 사이에, 또는 단계 (e)와 (f) 사이에, 또는 단계 (b)와 (c) 사이 및 단계 (e)와 (f) 사이 모두에, 건식 식각 세척 단계를 더 포함하는, 구현예 1 내지 3 중 어느 하나에 따른 방법.
5. 하나 이상의 리프트-오프 구조물은 해당 리프트-오프 구조물 형성에 사용되는 80% 이상의 이미징 방사선(imaging radiation)으로부터 하부의(underlying) 층을 흡수하거나 차단하는, 구현예 1 내지 4 중 어느 하나에 따른 방법.
6. 하나 이상의 리프트-오프 구조물은 80% 이상의 이미징 방사선(imaging radiation)을 흡수하거나 차단하는 네거티브 톤 감광성 막을 포함하고, 상기 제1 상부 전극 또는 제2 상부 전극 또는 제1 및 제2 상부 전극들 모두는 상부의(overlying) 리프트-오프 구조물을 통과하는 80% 이상의 이미징 방사선을 흡수하거나 차단하는, 구현예 1 내지 5 중 어느 하나에 따른 방법.
7. 하나 이상의 리프트 오프 구조물과 이에 상응하는 상부(overlying) 유기 EL 매개층 및 상부의(overlying) 상부 전극층의, 유효 밀도는 해당 리프트-오프 구조물을 제거하는 데 사용되는 리프트-오프제의 밀도보다 작은, 구현예 1 내지 6 중 어느 하나에 따른 방법.
8. 상기 리프트-오프제는 플루오르화 용매를 포함하는, 구현예 7에 따른 방법.
9. 하부 전극들은 캐소드로 기능하고, 상부 전극들은 애노드로 기능하는, 구현예 1 내지 8 중 어느 하나에 따른 방법.
10. 하나 이상의 상부 전극은 하부(underlying) 유기 EL 매개층의 측벽을 커버하도록 증착되는, 구현예 1 내지 9 중 어느 하나에 따른 방법.
11. 단계 (c)와 (d) 사이에, 또는 단계 (f)와 (g) 사이에, 또는 단계 (c)와 (d) 사이 및 단계 (f)와 (g) 사이 모두에, 플루오르화 재료를 상부 전극 상에 기상 증착하는 것을 더 포함하는, 구현예 1 내지 10 중 어느 하나에 따른 방법.
12. 하나 이상의 리프트-오프 구조물들은 리프트-오프제에서 제거되는 동안 컬링(curls)되는, 구현예 1 내지 11 중 어느 하나에 따른 방법.
13. 단계 (h) 전, 제3 하부 전극 어레이에 상응하는 제3 개구 패턴을 갖는 제3 언더컷 리프트-오프 구조물을 상기 제2 중간 구조물 상에 제공하는 것;
적어도 제3 발광층을 포함하는 하나 이상의 제3 유기 EL 매개층, 및 제3 상부 전극을 상기 제3 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제3 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
상기 제3 언더컷 리프트-오프 구조물, 및 상부의(overlying) 제3 유기 EL 매개층(들)과 제3 상부 전극을 제거하여, 제3 중간 구조물을 형성하는 것; 을 더 포함하는, 구현예 1 내지 12 중 어느 하나에 따른 방법.
14. 단계 (h) 전, 상부 전극들 표면의 잔류 플루오르화 재료를 세척하는 것을 더 포함하는, 구현예 1 내지 13 중 어느 하나에 따른 방법.
15. 상기 세척은 해당 리프트-오프제와 상이한 화학적 조성을 갖는 세척제와 접촉시키는 것을 포함하고, 상기 세척제는 플루오르화 용매를 포함하는, 구현예 14에 따른 방법.
16. 상기 세척은 건식 식각을 포함하는, 구현예 14 또는 15에 따른 방법.
17. 상기 건식 식각은 아르곤 플라즈마, 산소 플라즈마, 또는 실질적 비-산화 플라즈마를 포함하는, 구현예 16에 따른 방법.
18. 하나 이상의 리프트-오프 구조물은, 플루오르화 재료 기저층 및 상부의(overlying) 포토레지스트층을 포함하는, 패터닝된 층을 2개 이상 포함하고, 상부의(overlying) 포토레지스트층은 플루오르화 코팅 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물로부터 제공되는, 구현예 1 내지 17 중 어느 하나에 따른 방법.
19. 상기 포토레지스트층은 플루오르화 포토레지스트인, 구현예 18에 따른 방법.
20. 상기 플루오르화 재료 기저층은 환형 퍼플루오르화 폴리머를 포함하고, 상기 플루오르화 코팅 용매는 하이드로플루오로에테르인, 구현예 18 또는 19에 따른 방법.
21. 단계 (h) 전, 상부 전극들을 낮은 일 함수 금속, 환원 가스 환경 또는 실질적 비-산화 플라즈마로 처리하는 것을 더 포함하는, 구현예 1 내지 20 중 어느 하나에 따른 방법.
22. OLED 장치의 제조 방법은 다음을 포함한다:
a) 제1 하부 전극 어레이 및 제2 하부 전극 어레이를 갖는 장치 기판을 제공하는 것;
b) 상기 제1 하부 전극 어레이에 상응하는 제1 개구 패턴을 갖는 제1 언더컷 리프트-오프 구조물을 상기 장치 기판 상에 제공하는 것;
c) 적어도 제1 발광층을 포함하는 하나 이상의 제2 유기 EL 매개층을 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제1 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
d) 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제1 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제1 리프트-오프제로 처리하여 제거함으로써 제1 중간 구조물을 형성하는 것;
e) 상기 제2 하부 전극 어레이에 상응하는 제2 개구 패턴을 갖는 제2 언더컷 리프트-오프 구조물을 상기 제1 중간 구조물 상에 제공하는 것;
f) 적어도 제2 발광층을 포함하는 하나 이상의 제2 유기 EL 매개층을 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제2 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
g) 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제2 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제2 리프트-오프제로 처리하여 제거함으로써 제2 중간 구조물을 형성하는 것; 및
h) 상기 제1 및 제2 유가 EL 매개층들과 전기적으로 접촉하는 공통 상부 전극을 제공하는 것.
23. 하나 이상의 리프트-오프 구조물은, 플루오르화 재료 기저층 및 상부의(overlying) 포토레지스트층을 포함하는, 패터닝된 층을 2개 이상 포함하고, 상기 플루오르화 재료 기저층은 상기 포토레지스트층에 대해 언더컷인, 구현예 22의 방법.
24. 하나 이상의 리프트-오프 구조물은, 플루오르화 용매를 사용하여 현상되고 언더컷 프로파일을 갖는, 패터닝된 플루오르화 포토레지스트를 포함하는, 구현예 22의 방법.
25. 단계 (b)와 (c) 사이에, 또는 단계 (e)와 (f) 사이에, 또는 단계 (b)와 (c) 사이 및 단계 (e)와 (f) 사이 모두에, 건식 식각 세척 단계를 더 포함하는, 구현예 22 내지 25 중 어느 하나에 따른 방법.
26. 하나 이상의 리프트-오프 구조물은 하나 이상의 해당 리프트-오프 구조물 형성에 사용되는 80% 이상의 이미징 방사선으로부터 하부의(underlying) 층을 흡수하거나 차단하는, 구현예 22 내지 25 중 어느 하나에 따른 방법.
27. 하나 이상의 리프트-오프 구조물과 이에 상응하는 상부의(overlying) 유기 EL 매개층의 유효 밀도는 해당 리프트-오프 구조물을 제거하는 데 사용되는 대응 액체 리프트-오프제(corresponding liquid lift-off agent)의 밀도보다 작은, 구현예 22 내지 26 중 어느 하나의 방법.
28. 하나 이상의 리프트-오프제는 하이드로플루오로에테르를 포함하는, 구현예 27에 따른 방법.
29. 하부 전극들은 캐소드로 기능하고, 공통 상부 전극은 각각의 애노드로 기능하는, 구현예 22 내지 28 중 어느 하나에 따른 방법.
30. 하나 이상의 상부 유기 EL 매개층은 하나 이상의 하부(underlying) 유기 EL 매개층들 측벽을 커버하도록 증착되는, 구현예 22 내지 29 중 어느 하나에 따른 방법.
31. 단계 (c)와 (d) 사이에, 또는 단계 (f)와 (g) 사이에, 또는 단계 (c)와 (d) 사이 및 단계 (f)와 (g) 사이 모두에, 플루오르화 재료를 상기 유기 EL 매개층 상에 기상 증착하는 것을 더 포함하는, 구현예 22 내지 30 중 어느 하나에 따른 방법.
32. 하나 이상의 리프트-오프 구조물들은 리프트-오프제에서 제거되는 동안 컬링(curls)되는, 구현예 22 내지 31 중 어느 하나에 따른 방법.
33. 단계 (h) 전, 제3 하부 전극 어레이에 상응하는 제3 개구 패턴을 갖는 제3 언더컷 리프트-오프 구조물을 상기 제2 중간 구조물 상에 제공하는 것;
적어도 제3 발광층을 포함하는 하나 이상의 제3 유기 EL 매개층을 상기 제3 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제3 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
상기 제3 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제3 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제3 리프트-오프제로 처리하여 제거함으로써, 제3 중간 구조물을 형성하는 것; 을 더 포함하는, 구현예 22 내지 32 중 어느 하나에 따른 방법.
34. 상기 공통 상부 전극을 증착하기 전에 공통 유기 EL 층을 증착하는 것을 더 포함하는, 구현예 22 내지 33 중 어느 하나에 따른 방법.
35. 상기 공통 상부 전극을 증착하기 전, 또는 구현예 34의 경우에 상기 공통 유기 EL 층을 증착하기 전, 해당 중간 구조물의 잔류 플루오르화 재료를 세척하는 것을 더 포함하는, 구현예 22 내지 34 중 어느 하나에 따른 방법.
36. 상기 세척은 해당 리프트-오프제와 상이한 화학적 조성을 갖는 세척제와 접촉시키는 것을 포함하고, 상기 세척제는 플루오르화 용매를 포함하는, 구현예 35에 따른 방법.
37. 하나 이상의 리프트-오프 구조물은, 플루오르화 재료 기저층 및 상부의(overlying) 포토레지스트층을 포함하는, 패터닝된 층을 2개 이상 포함하고, 상부의(overlying) 포토레지스트층은 플루오르화 코팅 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물로부터 제공되는, 구현예 22 내지 36 중 어느 하나에 따른 방법.
38. 상기 포토레지스트층은 플루오르화 포토레지스트인, 구현예 37에 따른 구현예.
39. 상기 플루오르화 재료 기저층은 환형 퍼플루오르화 폴리머를 포함하고, 상기 플루오르화 코팅 용매는 하이드로플루오로에테르인, 구현예 37 또는 38에 따른 구현예.
40. 상기 공통 상부 전극의 증착 전, 또는 대안적으로 공통 유기 EL 층이 사용된다면 이러한 층의 증착 전, 패터닝된 유기 EL 매개층의 상면을 낮은 일 함수 금속 또는 실질적 비-산화 플라즈마로 처리하는 것을 더 포함하는, 구현예 22 내지 39 중 어느 하나에 따른 방법.
41. OLED 장치의 제조 방법은 다음을 포함한다:
a) 제1 하부 전극 어레이 및 제2 하부 전극 어레이를 갖는 장치 기판을 제공하는 것;
b) 적어도 제2 발광층을 포함하는 제2 유기 EL 매개층을 상기 제1 및 제2 하부 전극 어레이들을 포함하는 상기 장치 기판 상에 증착하는 것;
c) 상기 제2 유기 EL 매개층들 상에, 상기 제1 하부 전극 어레이에 상응하는 제1 개구 패턴을 갖는 제1 언더컷 리프트-오프 구조물을 제공하는 것;
d) 식각 마스크로서 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물을 사용하고, 상기 제1 하부 전극 어레이 상의 영역으로부터 공통 유기 EL 매개층을 제거하는 것;
e) 적어도 제1 발광층을 포함하는 제1 유기 EL 매개층을 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제1 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
f) 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제1 유기 EL 매개층을 제거하여 제1 중간 구조물을 형성하는 것; 및
g) 상기 제1 및 제2 유기 EL 매개층들과 전기적으로 접촉하는 공통 상부 전극을 제공하는 것.
42. 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물은, 플루오르화 재료 기저층 및 상부의(overlying) 포토레지스트층을 포함하는, 패터닝된 층을 2개 이상 포함하고, 상기 플루오르화 재료 기저층은 상기 포토레지스트층에 대해 언더컷인, 구현예 41의 방법.
43. 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물은, 플루오르화 용매를 사용하여 현상되고 언더컷 프로파일을 갖는, 패터닝된 플루오르화 포토레지스트를 포함하는, 구현예 41의 방법.
44. 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물은 해당 리프트-오프 구조물의 형성에 사용되는 80% 이상의 이미징 방사선으로부터 하부의(underlying) 층을 흡수하거나 차단하는, 구현예 41 내지 43 중 어느 하나에 따른 방법.
45. 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물과 이에 상응하는 상부의(overlying) 유기 EL 매개층의 유효 밀도는 해당 리프트-오프 구조물을 제거하는 데 사용되는 리프트-오프제의 밀도보다 작은, 구현예 41 내지 44 중 어느 하나에 따른 방법.
46. 상기 리프트-오프제는 플루오르화 용매를 포함하는, 구현예 45에 따른 방법.
47. 하부 전극들은 캐소드로 기능하고, 공통 상부 전극은 각각의 애노드로 기능하는, 구현예 41 내지 46 중 어느 하나에 따른 방법.
48. 하나 이상의 상부 유기 EL 매개층은 하부의(underlying) 유기 EL 매개층들 측벽을 커버하도록 증착되는, 구현예 41 내지 47 중 어느 하나에 따른 방법.
49. 단계 (e)와 (f) 사이에, 플루오르화 재료를 상기 유기 EL 매개층 상에 기상 증착시키는 것을 더 포함하는, 구현예 41 내지 48 중 어느 하나에 따른 방법.
50. 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물은 리프트-오프제에서 제거되는 동안 컬링(curls)되는, 구현예 41 내지 49 중 어느 하나에 따른 방법.
51. 상기 공통 상부 전극 증착 전, 하나 이상의 공통 유기 EL 매개층을 증착하는 것을 더 포함하는, 구현예 41 내지 50 중 어느 하나에 따른 방법.
52. 상기 공통 상부 전극을 증착하기 전, 또는 구현예 51의 경우에 상기 공통 유기 EL 층을 증착하기 전, 해당 중간 구조물의 잔류 플루오르화 재료를 세척하는 것을 더 포함하는, 구현예 41 내지 51 중 어느 하나에 따른 방법.
53. 상기 세척은 해당 리프트-오프제와 상이한 화학적 조성을 갖는 세적체와 접촉시키는 것을 포함하고, 상기 세척제는 플루오르화 용매인, 구현예 52에 따른 방법.
54. 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물은, 플루오르화 재료 기저층 및 상부의(overlying) 포토레지스트층을 포함하는, 패터닝된 층을 2개 이상 포함하고, 상부의(overlying) 포토레지스트층은 플루오르화 코팅 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물로부터 제공되는, 구현예 41 내지 53 중 어느 하나에 따른 방법.
55. 상기 포토레지스트층은 플루오르화 포토레지스트를 포함하는, 구현예 54에 따른 방법.
56. 상기 플루오르화 재료 기저층은 환형 퍼플루오르화 폴리머를 포함하고, 상기 플루오르화 코팅 용매는 하이드로플루오로에테르인, 구현예 54 또는 55에 따른 방법.
57. 상기 공통 상부 전극의 증착 전, 또는 대안적으로 공통 유기 EL 층이 사용되는 경우 이러한 층의 증착 전, 패터닝된 유기 EL 매개층의 상면을 낮은 일 함수 금속 또는 실질적 비-산화 플라즈마로 처리하는 것을 더 포함하는, 구현예 41 내지 56 중 어느 하나에 따른 방법.
58. 유기 장치의 제조 방법은 다음을 포함한다:
a) 장치 기판 상에, 커버되지 않은 장치 기판 영역을 형성하는 제1 개구를 갖는 제1 언더컷 리프트-오프 구조물을 제공하는 것;
b) 제1 능동 유기 재료층을 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 커버되지 않은 장치 기판 영역의 제1 부분 상에 증착하는 것;
c) 제2 재료층을 상기 제1 능동 유기 재료층 및 커버되지 않은 기판 영역의 제2 부분 상에 증착함으로써, 상기 제1 능동 유기 재료층의 엣지 부분을 커버하는 것; 및
d) 상기 제1 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 층을 제거하는 것.
59. 상기 제1 능동 유기 재료층은 유기 전도체, 유기 반도체, 전하 수송 재료, 발광 재료 또는 생체 재료를 포함하는, 구현예 58의 방법.
60. 상기 제1 능동 유기 재료층은 감압 환경에서 기상 증착되는, 구현예 59의 방법.
61. 상기 제2 재료층은 전기전도성인, 구현예 58 내지 60 중 어느 하나에 따른 방법.
62. 상기 제2 재료층은 유기 전도체, 금속, 금속 산화물, 그래핀 또는 그래핀 산화물을 포함하는, 구현예 61에 따른 방법.
63. 상기 제2 재료층은 제2 능동 유기 재료를 포함하는, 구현예 58 내지 60 중 어느 하나에 따른 방법.
64. 상기 제2 재료층은 유기 반도체, 전하 수송 재료, 발광 재료 또는 생체 재료를 포함하는, 구현예 63의 방법.
65. 상기 제2 재료층은 추후 제거되며, 최종 형태의 유기 장치 일부를 형성하지 않는, 구현예 58 내지 60 중 어느 하나에 따른 방법.
66. 상기 제2 재료층은 플루오르화 재료를 포함하는, 구현예 65에 따른 방법.
67. 상기 제2 재료층은 수분에 또는 산소에 또는 수분과 산소 모두에 상기 제1 능동 유기 재료층보다 덜 민감한, 구현예 58 내지 66 중 어느 하나에 따른 방법.
68. 상기 재2 재료층은 수분으로부터 또는 산소로부터 또는 수분과 산소 모두로부터 상기 제1 능동 유기 재료층을 적어도 부분적으로 보호하는, 구현예 58 내지 67 중 어느 하나에 따른 방법.
69. 커버되지 않은 기판은 상기 제1 개구와 일직선상에 있는 하부 전극을 포함하고, 상기 제1 능동 유기 재료층은 상기 하부 전극을 완전히 커버하는, 구현예 58 내지 68 중 어느 하나에 따른 방법.
70. 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물은, 플루오르화 재료 기저층 및 상부의(overlying) 포토레지스트층을 포함하는, 패터닝된 층을 2개 이상 포함하고, 상기 플루오르화 재료 기저층은 상기 포토레지스트층에 대해 언더컷인, 구현예 58 내지 69 중 어느 하나에 따른 방법.
71. 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물은 플루오르화 용매를 사용하여 현상되는 패터닝된 플루오르화 포토레지스트를 포함하는, 구현예 58 내지 69 중 어느 하나에 따른 방법.
72. 상기 유기 장치는 OLED, 디스플레이, 조명 장치, 화학적 센서, 터치 센서, 광전지, TFT 백플레인, 또는 생체전자 장치나 의학 장치인, 구현예 58 내지 71 중 어느 하나에 따른 방법.
73. 상기 장치 기판은 유연한, 구현예 58 내지 72 중 어느 하나에 따른 방법.
74. 상기 제1 개구는 제1 패턴을 갖는 제1 개구 어레이의 일부인, 구현예 58 내지 73 중 어느 하나에 따른 방법.
75. 장치를 패터닝하는 방법은 다음을 포함한다:
a) 장치 기판을 제공하는 것;
b) 상기 장치 기판 상에, 제1 플루오르화 재료를 포함하는 플루오르화 재료층을 제공하고, 상기 플루오르화 재료층 상에 포토레지스트층을 제공하는 것;
c) 상기 포토레지스트층을 노출시키고 현상하여 패터닝된 포토레지스트를 형성하는 것;
d) 포토레지스트 패턴을 상기 플루오르화 재료층에 전사시킴으로써, 커버되지 않은 기판의 제1 패턴을 형성하는 것;
e) 하나 이상의 재료층들을 패터닝된 포토레지스트 및 커버되지 않은 기판의 적어도 일부 상에 증착하여 제1 중간 구조물을 형성하는 것; 및
f) 상기 플루오르화 재료층을 용해시키는 리프트-오프제와 상기 제1 중간 구조물을 접촉시킴으로써 패터닝된 포토레지스트 및 하나 이상의 상부(overlying) 층을 분리시키고, 상기 리프트-오프제는 플루오르화 용매; 및 상기 제1 플루오르화 재료와 동일하거나 상이할 수 있는 성막 제2 플루오르화 재료를 포함하는 것.
76. 상기 제2 플루오르화 재료는, 커버되지 않은 기판 부분 상에 증착된 하나 이상의 층을 포함하는 해당 기판을 커버하는 층을 형성하는, 구현예 75에 따른 방법.
77. 제2 포토레지스트는 제2 플루오르화 재료층 상에 제공되는 것을 더 포함하는, 구현예 76에 따른 방법.
78. 상기 제1 및 제2 플루오르화 재료들은 실질적으로 동일한, 구현예 75 내지 77 중 어느 하나에 따른 방법.
79. 상기 플루오르화 용매는 하이드로플루오로에테르인, 구현예 75 내지 78 중 어느 하나에 따른 방법.
80. 유기 장치를 패터닝하는 방법은 다음을 포함한다:
a) 장치 기판을 제공하는 것;
b) 상기 장치 기판 상에, 제1 플루오르화 재료를 포함하는 플루오르화 재료층을 제공하고, 상기 플루오르화 재료층 상에 포토레지스층을 제공하는 것;
c) 상기 포토레지스트층을 노출시키고 현상하여, 패터닝된 포토레지스트를 형성하는 것;
d) 포토레지스트 패턴을 상기 플루오르화 재료층에 전사시킴으로써, 커버되지 않은 기판의 제1 패턴; 및 상기 포토레지스트층에 대해 언더컷 구조를 갖는 패터닝된 플루오르화 재료층을 형성하는 것;
e) 하나 이상의 재료층들을 패터닝된 포토레지스트 및 커버되지 않은 기판의 적어도 일부 상에 증착하여, 제1 중간 구조물을 형성하는 것; 및
f) 상기 플루오르화 재료층을 용해시키는 리프트-오프제와 상기 제1 중간 구조물을 접촉시킴으로써 패터닝된 포토레지스트 및 하나 이상의 상부(overlying) 재료층을 분리시키며, 상기 리프트-오프제는 플루오르화 용매를 포함하고, 패터닝된 포토레지스트와 이에 상응하는 상부(overlying) 재료층의 유효 밀도는 상기 리프트-오프제의 밀도보다 작은 것.
81. 패터닝된 포토레지스트 및 하나 이상의 상부(overlying) 재료층은 단계 (f) 동안 상기 장치 기판으로부터 적어도 부분적으로 롤업(roll up)되고 떨어져 부유하도록(float away) 선택되는, 구현예 80의 방법.
82. 장치의 제조 방법은 다음을 포함한다:
a) 장치 기판 상에, 커버되지 않은 장치 기판 영역을 형성하는 제1 개구를 갖는 제1 언더컷 리프트-오프 구조물을 제공하는 것;
b) 제1 재료층을 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 커버되지 않은 장치 기판 영역의 제1 부분 상에 기상 증착하는 것;
c) 플루오르화 재료층을 상기 제1 재료층 상에 그리고 선택적으로 커버되지 않은 기판 영역의 제2 부분 상에 기상 증착함으로써, 상기 제1 재료층의 엣지 부분을 선택적으로 커버하는 것;
d) 상기 제1 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 층을, 기상 증착된 플루오르화 재료층을 용해시키지 않는 제1 플루오르화 용매를 포함하는 리프트-오프제와 접촉시켜 제거함으로써, 패터닝된 제1 재료층 및 상부의(overlying) 패터닝된 플루오르화 재료층을 갖는, 제1 보호 패턴 구조물(first protected patterned structure)을 형성하는 것.
83. 상기 제1 보호 패턴 구조물이 하나 이상의 추가 패터닝 단계들을 거친 뒤, 패터닝된 플루오르화 재료층이 해당 플루오르화 재료를 용해시킬 수 있는 제2 플루오르화 용매를 포함하는 제거제(removing agent)와 접촉하여 제거되는, 구현예 82의 방법.
84. 풀 컬러 OLED 디스플레이로서, 상기 OLED 디스플레이는 디스플레이 영역을 갖는 기판을 포함하고, 상기 디스플레이 영역은 제1, 제2 및 제3 유기 EL 소자 어레이를 포함하며, 각 어레이는 상이한 색의 광을 방출하기 위해 개별적으로 패터닝된 발광층들을 갖고,
각각의 제1 유기 EL 소자들은 제2 유기 EL 소자 또는 제3 유기 EL 소자와 4μm 이하로 이격되고, 상기 제1, 제2 및 제3 유기 EL 소자들 모두의 조합된 방출 면적은 상기 디스플레이 영역이 자치하는 총 면적의 60% 이상이다.
85. 상기 기판은, 제1, 제2 및 제3 하부 전극 어레이; 및 해당 하부 전극들과 정렬되어 형성된 픽셀 정의층을 갖는, 능동 매트릭스 백플레인을 포함하는, 구현예 84의 OLED 디스플레이.
86. 상기 OLED 디스플레이는 개별적으로 패터닝된 발광층들 상에 공통으로 증착되는 전자수송층을 더 포함하고, 상기 전자수송층은 제1, 제2 및 제3 어레이 각각의 하부(underlying) 패터닝된 상이한 OLED 재료와 접촉하는, 구현예 84 또는 85에 따른 OLED 디스플레이.
87. 제3 유기 EL 소자의 패터닝된 발광층에 대응하는 재료는 상기 제2 및 제3 유기 EL 소자들 사이 소자간 비-발광 영역(interstitial non-emissive areas)에도 형성되는, 구현예 84 내지 86 중 어느 하나에 따른 OLED 장치.
88. 풀 컬러 OLED 디스플레이로서, 상기 OLED 디스플레이는 디스플레이 영역을 갖는 기판을 포함하고, 상기 디스플레이 영역은 제1, 제2 및 제3 유기 EL 소자 어레이를 포함하며. 각 어레이는 상이한 색의 광을 방출하기 위해 개별적으로 패터닝된 발광층들을 갖고,
상기 디스플레이 영역은 약 60% 초과의 개구율 및 약 600ppi 초과의 해상도를 갖는다.
89. 상기 개구율은 약 70%를 초과하는, 구현예 88의 OLED 장치.
90. 상기 디스플레이 영역은 약 700ppi를 초과하는 해상도를 갖는, 구현예 88 또는 89의 OLED 디스플레이 장치.
91. 상기 디스플레이 영역은 약 800ppi를 초과하는 해상도를 갖는, 구현예 88 내지 90 중 어느 하나에 따른 OLED 디스플레이 장치.
92. 상기 제1, 제2 및 제3 유기 소자들 각각은 임의의 치수로 크기가 약 25 미크론 미만인, 구현예 88 내지 91 중 어느 하나에 따른 OLED 디스플레이 장치.
93. 상기 제1, 제2 및 제3 유기 소자들 각각은 임의의 치수로 크기가 약 15 미크론 미만인, 구현예 88 내지 92 중 어느 하나에 따른 OLED 디스플레이 장치.
94. 상기 제1, 제2 및 제3 유기 소자들 각각은 임의의 치수로 크기가 약 15 미크론 미만인, 구현예 88 내지 93 중 어느 하나에 따른 OLED 디스플레이 장치.
95. 상기 제1, 제2 및 제3 유기 소자들 각각은 임의의 치수로 크기가 약 5 미크론 미만인, 구현예 88 내지 94 중 어느 하나에 따른 OLED 디스플레이 장치.
96. 상기 제1, 제2 및 제3 유기 EL 소자들은 각각 적색, 녹색 및 청색 광을 방출하는, 구현예 88 내지 94 중 어느 하나에 따른 OLED 디스플레이.
97. 제1, 제2 및 제3 유기 EL 소자의 조합된 방출 면적은 약 1110 평방 미크론 미만인, 구현예 88 내지 96 중 어느 하나에 따른 OLED 디스플레이.
98. 제1, 제2 및 제3 유기 EL 소자의 조합된 방출 면적은 약 500 평방 미크론 미만인, 구현예 88 내지 97 중 어느 하나에 따른 OLED 디스플레이.
99. 풀 컬러 OLED 디스플레이로서, 상기 OLED 디스플레이는 디스플레이 영역을 갖는 기판을 포함하고, 상기 디스플레이 영역은 제1, 제2 및 제3 서브 픽셀(sub-pixels) 어레이를 포함하며, 각 어레이는 상이한 색의 광을 방출하기 위해 개별적으로 패터닝된 발광층들을 갖고,
상기 제1, 제2 및 제3 서브 픽셀들 각각은 임의의 치수로 약 25 미크론 미만의 크기를 가지며, 상기 디스플레이 영역은 약 60% 초과의 개구율을 갖는다.
100. 상기 디스플레이 영역은 약 600ppi 초과의 해상도를 갖는, 구현예 99의 OLED 디스플레이.
101. 상기 제1, 제2 및 제3 서브 픽셀들 각각은 임의의 치수로 약 20 미크론 미만의 크기를 갖는, 구현예 99 또는 100의 OLED 디스플레이.
102. 상기 제1, 제2 및 제3 서브 픽셀들 각각은 임의의 치수로 약 15 미크론 미만의 크기를 갖는, 구현예 99 내지 101 중 어느 하나에 따른 OLED 디스플레이.
103. 상기 제1, 제2 및 제3 서브 픽셀들 각각은 약 5 미크론 미만으로 서로 떨어져 이격되는, 구현예 99 내지 102 중 어느 하나에 따른 OLED 디스플레이.
104. 상기 제1, 제2, 제3 서브 픽셀들은 약 1100 평방 미크론 미만의 디스플레이 면적을 갖는 유닛 셀(unit cell)을 포함하는, 구현예 99 내지 103 중 어느 하나에 따른 OLED 디스플레이.
실시예들
다음의 실시예들에 사용되는 OLED 재료들의 화학적 구조가 하기에 도시된다.
HAT-CN:
; NPB: 
Alq: 
Ir(MDQ)2(acac): 
β-ADN: 
; TPBi:
DPAVBi: 
실시예
1
도 15A에 도시된 바와 같이, 중심 영역(801)과 2개의 엣지 영역들(802 및 802')을 포함하고 각각은 비-전도성 유리 줄무늬들에 의해 분리된, 3개의 전도성 ITO 영역을 갖는 유리 기판(800)이 제공되었다. 도 15B에서, 패터닝된 절연체(803)는 종래의 방법에 의해 포지티브 포토레지스트(AZ1512, 희석됨)로부터 중심 ITO 일부 상에 형성되었고, 5분간 150℃에서 하드 베이킹되었다(hard-baked). 패터닝된 절연체(803')의 확대도는 해당 패턴이 후속하여 증착되는 녹색, 적색 및 청색 OLED 층들을 위한 개구들(804G, 804R 및 804B)의 수직열 어레이를 포함했음을 도시한다. 패터닝된 절연체는 약 500nm 두께였고, 상기 확대도의 A-A 선을 따라 자른 단면 모양인 도 15B에 도시된 것과 같이 매우 가는 형상(tapered features)을 가졌다. 다시 도 15A를 참조하면, 각 픽셀 개구는 10μm 폭 및 36μm 길이였고, 각각은 (색상 사이에서)수평 방향으로 4μm 및 (동일 색상 픽셀들 사이에서)수직 방향으로 6μm로 분리되었다. 따라서, RGB 픽셀 세트 각각은 40μm x 40μm이고, 이는 방출 충전율(개구율)이 61%인 635 dpi 해상도의 컬러 디스플레이에 해당한다.
녹색, 적색 및 청색 OLED 픽셀들의 패터닝은 도 2 및 3에 대해 설명한 것과 유사한 방식으로 수행되었다. 그러나, 개별적으로 다룰 수 있는 하부 전극들보다, 공통 애노드(ITO)가 모든 색상에 대해 하부 전극으로 제공되었다. 각 리프트-오프 구조물이 플루오르화 재료 기저층과 상부(overlying) 포토레지스트층을 사용하여 형성되었다. 상기 플루오르화 재료 기저층은, 플루오린 함유 펜던트 알킬 그룹 및 비-플루오린 함유 펜던트 알킬 그룹을 갖는 메타크릴레이트계 플루오로폴리머 중량의 약 12%로 하이드로플루오로에테르 용매를 포함하는 코팅 조성물로 형성되었다. 상기 플루오로폴리머의 플루오린 함량은 약 49 중량%였다. 상기 조성물은 1분 간 300rpm으로 상기 기판 상에 스핀 코팅되었고, 핫 플레이트 상에서 1분간 90℃에서 베이킹되었다(baked). 상기 플루오르화 재료 기저층의 두께는 약 800nm였다. 상기 플루오르화 재료 기저층은 패터닝된 절연체보다 평탄화 효과를 가졌다. 리프트-오프에서의 어려움을 피하기 위해, ITO로부터 측정되는 플루오르화 재료 기저층의 두께는 패터닝된 절연체의 높이보다 두꺼워야 하며, 바람직하게는 100nm 이상 더 두꺼워야 한다.
상기 플루오르화 재료 기저층 상에, 종래의 네가티브 포토레지스트 nLOF 2020이 3500rpm으로 스핀 코팅을 통해 적용되었고, 핫 플레이트 상에서 1분간 110℃로 베이킹되었다. 포토레지스트의 두께는 약 1.7μm였다. 이후, 포토레지스트는 Karl Suss contact aligner(365 nm) 상에서 녹색 픽셀로 정렬된 마스크를 사용하여 노출되었는데, 해당 마스크 픽셀 형상(개구)는 패터닝된 절연체 개구보다 각 치수가 1μm 더 컸다. 조사선량은 60 mJ/cm2 였고, 해당 구조물은 핫 플레이트 상에서 1분간 110℃에서 노출 후 베이킹(post exposure bake)되었다. nLOF가 100-120초 동안 CD-26에서 현상되었고, DI 수(water)로 헹궈졌으며, 압축 공기로 블로우 건조되었다(blown dry). 상기 플루오르화 재료 기저층은 각 30초 후 스핀 건조와 함께 2회 30초 HFE-7300의 "퍼들(puddle)"을 사용하여 현상되었다. 해당 픽셀 영역으로부터 플루오로폴리머를 제거하는 더 쉽도록 HFE-7300의 간단한 스프레이(brief spray)가 또한 스핀 드라이 시작 시 적용되었다.
이후, 해당 픽셀 웰(wells)의 플루오르화 재료 잔여물을 제거하기 위해, 해당 구조물은 약한 산소 플라즈마 식각되었다(50sccm O2, 100mT 압력, 100W, 30초). 상기 플루오르화 재료 기저층에 1 또는 2 μm의 언더컷이 현미경으로 분명하게 보였다.
상기 기판과 이의 리프트-오프 구조물은 OLED 증착 챔버로 옮겨졌고, 녹색 발광 유기 EL 소자가 (순서대로)0 nm HAT-CN, 80 nm NBP, 50 nm Alq, 0.5 nm LiF 및 50 nm Al의 기상 증착을 포함하여 제공되었다. 이후, 해당 장치를 질소 글로브 박스(glove box)로 ?ケ璲?, 몇 분간 따뜻한 HFE7300(50℃와 60℃ 사이)에 담가 상기 플루오르화 재료 기저층을 용해시켰다. 전체 구조물을 제거하기 위해 큰 정렬 마크 영역(large alignment mark area)(도 15에 도시되지 않음)이 약 5분간 소량의 교반을 필요로 하였지만, 픽셀 패터닝 영역의 리프트-오프는 교반 없이 1분 미만으로 일어났다. 리프트-오프가 일어남에 따라, 포토레지스트 부분과 상부(overlying) OLED가 그 자체로 롤업됨으로써(rolled up) 용액 내 잔여물을 함유하고 감소시켰다. 또한, 리프트-오프된 부분은 상기 부분이 상대적으로 쉽게 제거되게 하는 이의 낮은 밀도로 인해 리프트-오프 조(bath) 수면에 떠오르는 경향이 있었다. 녹색 방출용 OLED들의 패턴은 도 15B의 804G에 상응하는 필셀 영역에 남아있었다.
녹색 OLED 픽셀들로 패터닝된 샘플이 리프트-오프 조(bath)로부터 제거되고 HFE7300으로 헹궈진 뒤, 질소 글로브 박스에서 새로운 플루오르화 재료층으로 코팅되었다. 상기 샘플이 주변으로 제거되고 nLOF 2020이 적용되어, 후속 단계들은 전술한 것들과 유사하였지만 이 경우 적색 픽셀들(도 15B의 804R에 상응함)을 위한 해당 픽셀 영역에 전술한 것과 유사 방식으로 적색 발광 유기 EL 소자를 형성하였다. 적색 발광 유기 EL 소자는 다음을 포함한다: 10nm HAT-CN, 60nm NBP, NPB:Ir(MDQ)2(acac)=(중량으로)90:10의 혼합물 40nm, 20nm Alq, 0.5nm LiF 및 50 nm Al.
공정은 앞서 설명한 것과 같이 다시 반복되었지만, 이번엔 도 15B의 804B에 상응하는 청색 픽셀에 대한 것이었다. 청색 발광 유기 EL 소자는, 10nm HAT-CN, 60nm NPB, β-AND 및 DPAVBi의 (중량으로) 95:5 혼합물 40nm, 20nm Alq 및 0.5 nm LiF을 포함하였다. 해당 구조물은 앞서 설명한 바와 같이 리프트-오프 조(bath)에서 처리되었고, HFE-7300으로 헹궈졌으며, OLED 증착 챔버로 반송되었다. 그리고 도 15C에 도시된 바와 같이, 공통 알루미늄 캐소드(805)가 모든 OLED 픽셀 상에 증착되었다. 공통 캐소드는 콘택(contacts)으로 사용될 수 있도록 말단 ITO 줄무늬들(802 및 802') 접촉하도록 만들어졌다.
OLED 장치는 금속 캔에 캡슐화되었다. OLED 구조물들 사이 전압을 조절하려는 어떠한 시도도 이뤄지지 않았고, 해당 구조물에 전압이 인가됨에 따라 해당 픽셀들 모두는 동시에 켜지지 않았지만, 모든 3개의 픽셀 어레이는 12V에서 밝게 켜져, 풀 컬러 OLED 장치가 적색, 녹색 및 청색 픽셀들 사이에 단 4μm의 공간을 가지며 630dpi 미만의 해상도 및 60% 초과의 방출 충전율(개구율)을 갖게 제조될 수 있음을 보여줬다.
실시예
2
이 실시예는 실시예 1과 유사하나 몇몇 주목할만한 변화들로 진행되었다. 실시예 2에 대핸 공정 시퀀스는 도 6 및 7에 도시된 것과 유사하였다. 플루오르화 재료 기저층은 하이드로플루오로에테르 용매로부터 코팅된 900nm Cytop 109A였으며, 포토레지스트는 미국 출원 특허 제14/539,574호에 기재된 것들과 유사한 HFE 용매로부터 1.2μm 코팅된 네거티브 톤의 분지형 감광성 플루오로폴리머였다. 상기 플루오로폴리머는 플루오린 함유 알킬 그룹, 산-촉매화 카르복시산 형성 전구체 그룹, 감광 색소 유닛, 산 퀀칭 유닛(acid quenching units)을 포함했고, 약 40 중량% 의 플루오린 함량을 가졌다. 해당 코팅 조성물은 상기 플루오로폴리머에 대해 약 1 중량%로 광산발생 화합물(photoacid generating compound) CGI-1907을 더 포함하였다. 본 연구자들은 놀랍게도, Cytop이 HFE-7600에 낮은 용해도를 가져 Cytop 상에 상기 감광성 플루오로폴리머의 코팅이 가능한 것을 알아냈다. 다른 조사자들은 디웨팅(dewetting)으로 인해 종래 포토레지스트의 코팅이 Cytop 상에 어려운 것을 보여주었으나, 본 연구자들은 HFE-7600으로부터 상기 감광성 플루오로폴리머가 매우 잘 코팅되며 심각한 문제를 극복하는 것을 알아냈다. 또한, 상기 감광성 플루오로폴리머는 놀랍게도 nLOF에 대해 먼지 오염이 매우 적어 결함이 더 적었다.
감광성 플루오로폴리머는 14 mJ/cm2에 노출되었고(적용 후 및 노출 후 베이킹(post apply and post exposure bakes)이 90℃에서 1분간 수행됨), 노출되지 않은 영역을 빠르게 용해시키나 하부(underlying) Cytop은 용해시지 않는 HFE-7100의 퍼들(puddle)로 몇 분간 현상되었다. 하부(underlying) Cytop 현상 및 다른 리프트-오프 구조물 가공 단계들은 이전에 설명한 것들과 유사하였다. 리프트-오프가 일어남에 따라, 플루오르화 포토폴리머 부분이 상부(overlying) OLED와 그 자체로 롤업됨으로써(rolled up) 용액 내 잔여물을 함유하고 감소시켰다. 또한, 리프트-오프된 부분은 상기 부분이 상대적으로 쉽게 제거되게 하는 이의 낮은 밀도로 인해 리프트-오프 조(bath) 수면에 떠오르는 경향이 있었다.
OLED 스택에 대해, 제1 픽셀은 (순서대로) 10nm HAT-CN, 60nm NBP 및 NPB:Ir(MDQ)2(acac)=(중량으로)90:10의 혼합물 40nm을 포함하였다. 제2 픽셀은 10nm HAT-CN 및 80nm NBP를 포함하였다. 제3 픽셀은 10nm HAT-CN, 60nm NPB, β-AND 및 DPAVBi의 (중량으로) 95:5 혼합물 40nm를 포함하였다. 상기 제3 픽셀 증착에 이어 최종 리프트-오프 후, 공통 층인 30nm Alq 전자수송층이 모든 픽셀들 상에 증착된 뒤, 0.5nm LiF 및 100nm Al의 공통 층이 증착되었다. 상기 제2 픽셀의 경우, 공통 Alq 층이 녹색 발광 EL 소자를 생성하였다.
이 장치는 더 적은 결함 및 쇼트를 가졌으며, 상기 감광성 플루오로폴리머 및 공통 Alq 층으로 인해, 쇼트 회수가 감소되었다. 다시, OLED 구조물들 사이 전압을 조절하려는 어떠한 시도도 이뤄지지 않았고, 해당 구조물에 전압이 인가됨에 따라 해당 픽셀들 모두는 동시에 켜지지 않았다. 상기 제1 및 제2 픽셀들은 2.5V에서 켜졌고 5V로 매우 밝아졌다. 상기 제3 픽셀은 약 8V에서 켜졌고, 약 10V에서 모두 밝아졌다. 알 수 없는 이유로, 상기 제1 픽셀은 적색보다 밝은 녹색 광을 방출했다. 아무튼, 매우 높은 해상도를 갖는 패터닝된 컬러 OLED 장치가 다시 시연되었다. 실시예 1에 대해, 실시예 2는, 턴-온 전압(turn on voltages)이 실질적으로 감소하였고 더 적은 결함이 관찰되었으며 쇼트가 더 적게 발생하는 추가 이점들을 가졌다.
본 개시는 광범위한 능동 유기 재료가 미세 치수로 포토리소그래피 패터닝되게 한다. 특별한 "포토레지스트 양립성(photoresist compatible)" OLED 재료가 선택될 필요가 없기 때문에, 사용자는 최고의 OLED 재료를 사용하여 적색, 녹색 및 청색 방출이 가능한 가장 효율적인 구조물을 생성한다.
10: OLED 장치
11: 애노드(anode)
12: 정공주입층(HIL)
13: 정공수송층(HTL)
14: 전자차단층(EBL)
15: 발광층(LEL)
16: 정공차단층(HBL)
17: 전자수송층(ETL)
18: 전자주입층(EIL)
19: 캐소드(cathode)
20: 유기 EL 매개체
101: 제1 리프트-오프 구조물 형성 단계
103: 잔류물 세척 단계
105: 제1 유기 EL 매개체 증착 단계
107: 제1 상부 전극 증착 단계
109: 제1 리프트-오프 구조물 제거 단계
111: 제2 리프트-오프 구조물 형성 단계
113: 잔류물 세척 단계
115: 제2 유기 EL 매개체 증착 단계
117: 제2 상부 전극 증착 단계
119: 제2 리프트-오프 제거 단계
121: 제3 리프트-오프 구조물 형성 단계
123: 잔류물 세척 단계
125: 제3 유기 EL 매개체 증착 단계
127: 제3 상부 전극 증착 단계
129: 제3 리프트-오프 구조물 제거 단계
131: 공통 상부 전극 증착 단계
200: OLED 기판
201: 지지체
202: TFT 층 부분
203: 전극-분리 절연체
210: 제1 하부 전극
211: 제1 리프트-오프 구조물
212: 제1 재료층
213: 패터닝된 제1 포토레지스트층
214: 언더컷(undercut) 영역
215: 개구
216: 제1 유기 EL 매개층
216': 제1 유기 EL 매개층
217: 제1 상부 전극
217': 제1 상부 전극
218: 제1 중간 구조물
220: 제2 하부 전극
221: 제2 리프트-오프 구조물
222A: 리프트-오프 플루오르화 재료층
223: 패터닝된 제2 포토레지스트층
224: 언더컷(undercut) 영역
225: 개구
226: 제2 유기 EL 매개층
226': 제2 유기 EL 매개층
227: 제2 상부 전극
227': 제2 상부 전극
228: 제2 중간 구조물
230: 제3 하부 전극
231: 제3 리프트-오프 구조물
232: 제3 재료층
233: 패터닝된 제3 포토레지스트층
234: 언더컷 영역
235: 개구
236: 제3 유기 EL 매개층
236': 제3 유기 EL 매개층
237: 제3 상부 전극
237': 제3 상부 전극
238: 제3 중간 구조물
240: 공통 상부 전극
241: 얇은 공통 상부 전극
242: 공통 상부 전극
250: 능동 매트릭스 OLED 장치
251: 불량 능동 매트릭스 OLED 장치
252: 능동 매트릭스 OLED 장치
301: 기저층 형성 단계
303: 포토레지스트층 형성 단계
305: 포토레지스트층 노출 단계
307: 노출된 포토레지스트층 현상 단계
309: 커버되지 않은 기저층의 제1 패턴 제거 단계
310: 장치 기판
311: 기저층
312: 포토레지스트층
313: 방사선 소스
314: 포토마스트(photomask)
315: 노출된 포토레지스트층
316: 노출된 포토레지스트 영역의 패턴
317: 노출되지 않은 포토레지스트 영역의 패턴
318: 커버되지 않은 기저층의 제1 패턴
319: 리프트-오프 구조물
320: 제1 개구 패턴
321: 언더컷(undercut) 영역
401: 제1 리프트-오프 구조물 형성 단계
403: 잔류물 세척 단계
405: 제1 유기 EL 매개체 증착 단계
409: 제1 리프트-오프 구조물 제거 단계
411: 제2 리프트-오프 구조물 형성 단계
413: 잔류물 세척 단계
415: 제2 유기 EL 매개체 증착 단계
419: 제2 리프트-오프 구조물 제거 단계
421: 제3 리프트-오프 구조물 형성 단계
423: 잔류물 세척 단계
425: 제3 유기 EL 매개체 증착 단계
429: 제3 리프트-오프 구조물 제거 단계
430: 하나 이상의 공통 유기 EL 매개층 증착 단계
431: 공통 상부 캐소드 증착 단계
440: 제1 유기 EL 매개층
442: 제2 유기 EL 매개층
444: 제3 유기 EL 매개층
446: 공통 EIL 층
448: 공통 캐소드 층
450: 능동 매트릭스 OLED 장치
480: 상부 전극 소스
482: 상부 전극 재료
490: 기상 증착된 플루오르화 재료
490': 기상 증착된 플루오르화 재료
495: 패터닝된 절연체
501: 제3 유기 EL 매개층 증착 단계
503: 제1 리프트-오프 구조물 형성 단계
505: 제3 유기 EL 매개층 식각 단계
507: 제1 유기 EL 매개층 증착 단계
509: 제1 리프트-오프 구조물 제거 단계
511: 제2 리프트-오프 구조물 형성 단계
513: 제3 유기 EL 매개층 식각 단계
515: 제2 유기 EL 매개층 증착 단계
517: 제2 리프트-오프 구조물 제거 단계
519: 하나 이상의 공통 유기 EL 매개층 증착 단계
521: 공통 상부 전극 증착 단계
611: 제1 리프트-오프 구조물
612: 제1 재료층
613: 패터닝된 제1 포토레지스트층
614: 언더컷 영역
615: 개구
616: 제1 유기 EL 매개층
616': 제1 유기 EL 매개층
618: 제1 중간 구조물
621: 제2 리프트-오프 구조물
622: 제2 재료층
623: 패터닝된 제2 포토레지스트층
624: 언더컷 영역
625: 개구
626: 제2 유기 EL 매개층
626': 제2 유기 EL 매개층
628: 제2 중간 구조물
636: 제3 유기 EL 매개층
636': 제3 유기 EL 매개층의 제거된 부분
636": 제3 유기 EL 매개층의 제거된 부분
646: 하나 이상의 공통 유기 EL 매개층
648: 공통 전극
650: 능동 매트릭스 OLED 장치
701: 장치 기판
703: 커버되지 않은 장치 기판 영역
705: 커버되지 않은 장치 기판 영역의 제1 부분
707: 커버되지 않은 장치 기판 영역의 제2 부분
711: 제1 언더컷 리프트-오프 구조물
713: 제1 능동 유기 재료층
713': 제1 능동 유기 재료층
715: 제1 개구
717: 제2 재료층
717': 제2 재료층
720: 유기 장치
800: 유리 기판
801: ITO의 중심 영역
802: ITO의 엣지 영역
802': ITO의 엣지 영역
803: 패터닝된 절연체
803': 패터닝된 절연체
804G: 녹색 OLED 층의 개구
804R: 적색 OLED 층의 개구
804B: 청색 OLED 층의 개구
805: 공통 캐소드
11: 애노드(anode)
12: 정공주입층(HIL)
13: 정공수송층(HTL)
14: 전자차단층(EBL)
15: 발광층(LEL)
16: 정공차단층(HBL)
17: 전자수송층(ETL)
18: 전자주입층(EIL)
19: 캐소드(cathode)
20: 유기 EL 매개체
101: 제1 리프트-오프 구조물 형성 단계
103: 잔류물 세척 단계
105: 제1 유기 EL 매개체 증착 단계
107: 제1 상부 전극 증착 단계
109: 제1 리프트-오프 구조물 제거 단계
111: 제2 리프트-오프 구조물 형성 단계
113: 잔류물 세척 단계
115: 제2 유기 EL 매개체 증착 단계
117: 제2 상부 전극 증착 단계
119: 제2 리프트-오프 제거 단계
121: 제3 리프트-오프 구조물 형성 단계
123: 잔류물 세척 단계
125: 제3 유기 EL 매개체 증착 단계
127: 제3 상부 전극 증착 단계
129: 제3 리프트-오프 구조물 제거 단계
131: 공통 상부 전극 증착 단계
200: OLED 기판
201: 지지체
202: TFT 층 부분
203: 전극-분리 절연체
210: 제1 하부 전극
211: 제1 리프트-오프 구조물
212: 제1 재료층
213: 패터닝된 제1 포토레지스트층
214: 언더컷(undercut) 영역
215: 개구
216: 제1 유기 EL 매개층
216': 제1 유기 EL 매개층
217: 제1 상부 전극
217': 제1 상부 전극
218: 제1 중간 구조물
220: 제2 하부 전극
221: 제2 리프트-오프 구조물
222A: 리프트-오프 플루오르화 재료층
223: 패터닝된 제2 포토레지스트층
224: 언더컷(undercut) 영역
225: 개구
226: 제2 유기 EL 매개층
226': 제2 유기 EL 매개층
227: 제2 상부 전극
227': 제2 상부 전극
228: 제2 중간 구조물
230: 제3 하부 전극
231: 제3 리프트-오프 구조물
232: 제3 재료층
233: 패터닝된 제3 포토레지스트층
234: 언더컷 영역
235: 개구
236: 제3 유기 EL 매개층
236': 제3 유기 EL 매개층
237: 제3 상부 전극
237': 제3 상부 전극
238: 제3 중간 구조물
240: 공통 상부 전극
241: 얇은 공통 상부 전극
242: 공통 상부 전극
250: 능동 매트릭스 OLED 장치
251: 불량 능동 매트릭스 OLED 장치
252: 능동 매트릭스 OLED 장치
301: 기저층 형성 단계
303: 포토레지스트층 형성 단계
305: 포토레지스트층 노출 단계
307: 노출된 포토레지스트층 현상 단계
309: 커버되지 않은 기저층의 제1 패턴 제거 단계
310: 장치 기판
311: 기저층
312: 포토레지스트층
313: 방사선 소스
314: 포토마스트(photomask)
315: 노출된 포토레지스트층
316: 노출된 포토레지스트 영역의 패턴
317: 노출되지 않은 포토레지스트 영역의 패턴
318: 커버되지 않은 기저층의 제1 패턴
319: 리프트-오프 구조물
320: 제1 개구 패턴
321: 언더컷(undercut) 영역
401: 제1 리프트-오프 구조물 형성 단계
403: 잔류물 세척 단계
405: 제1 유기 EL 매개체 증착 단계
409: 제1 리프트-오프 구조물 제거 단계
411: 제2 리프트-오프 구조물 형성 단계
413: 잔류물 세척 단계
415: 제2 유기 EL 매개체 증착 단계
419: 제2 리프트-오프 구조물 제거 단계
421: 제3 리프트-오프 구조물 형성 단계
423: 잔류물 세척 단계
425: 제3 유기 EL 매개체 증착 단계
429: 제3 리프트-오프 구조물 제거 단계
430: 하나 이상의 공통 유기 EL 매개층 증착 단계
431: 공통 상부 캐소드 증착 단계
440: 제1 유기 EL 매개층
442: 제2 유기 EL 매개층
444: 제3 유기 EL 매개층
446: 공통 EIL 층
448: 공통 캐소드 층
450: 능동 매트릭스 OLED 장치
480: 상부 전극 소스
482: 상부 전극 재료
490: 기상 증착된 플루오르화 재료
490': 기상 증착된 플루오르화 재료
495: 패터닝된 절연체
501: 제3 유기 EL 매개층 증착 단계
503: 제1 리프트-오프 구조물 형성 단계
505: 제3 유기 EL 매개층 식각 단계
507: 제1 유기 EL 매개층 증착 단계
509: 제1 리프트-오프 구조물 제거 단계
511: 제2 리프트-오프 구조물 형성 단계
513: 제3 유기 EL 매개층 식각 단계
515: 제2 유기 EL 매개층 증착 단계
517: 제2 리프트-오프 구조물 제거 단계
519: 하나 이상의 공통 유기 EL 매개층 증착 단계
521: 공통 상부 전극 증착 단계
611: 제1 리프트-오프 구조물
612: 제1 재료층
613: 패터닝된 제1 포토레지스트층
614: 언더컷 영역
615: 개구
616: 제1 유기 EL 매개층
616': 제1 유기 EL 매개층
618: 제1 중간 구조물
621: 제2 리프트-오프 구조물
622: 제2 재료층
623: 패터닝된 제2 포토레지스트층
624: 언더컷 영역
625: 개구
626: 제2 유기 EL 매개층
626': 제2 유기 EL 매개층
628: 제2 중간 구조물
636: 제3 유기 EL 매개층
636': 제3 유기 EL 매개층의 제거된 부분
636": 제3 유기 EL 매개층의 제거된 부분
646: 하나 이상의 공통 유기 EL 매개층
648: 공통 전극
650: 능동 매트릭스 OLED 장치
701: 장치 기판
703: 커버되지 않은 장치 기판 영역
705: 커버되지 않은 장치 기판 영역의 제1 부분
707: 커버되지 않은 장치 기판 영역의 제2 부분
711: 제1 언더컷 리프트-오프 구조물
713: 제1 능동 유기 재료층
713': 제1 능동 유기 재료층
715: 제1 개구
717: 제2 재료층
717': 제2 재료층
720: 유기 장치
800: 유리 기판
801: ITO의 중심 영역
802: ITO의 엣지 영역
802': ITO의 엣지 영역
803: 패터닝된 절연체
803': 패터닝된 절연체
804G: 녹색 OLED 층의 개구
804R: 적색 OLED 층의 개구
804B: 청색 OLED 층의 개구
805: 공통 캐소드
Claims (19)
- OLED 장치의 제조 방법으로서, 상기 방법은
a) 제1 하부 전극 어레이 및 제2 하부 전극 어레이를 갖는 장치 기판을 제공하는 것;
b) 상기 제1 하부 전극 어레이에 상응하는 제1 개구 패턴을 갖는 제1 언더컷 리프트-오프 구조물(first undercut lift-off structure)을 상기 장치 기판 상에 제공하는 것;
c) 적어도 제1 발광층을 포함하는 하나 이상의 제1 유기 EL 매개층을 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제1 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
d) 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제1 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제1 리프트-오프제(first lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제1 중간 구조물을 형성하는 것;
e) 상기 제2 하부 전극 어레이에 상응하는 제2 개구 패턴을 갖는 제2 언더컷 리프트-오프 구조물(second undercut lift-off structure)을 상기 제1 중간 구조물 상에 제공하는 것;
f) 적어도 제2 발광층을 포함하는 하나 이상의 제2 유기 EL 매개층을 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제2 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
g) 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제2 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제2 리프트-오프제(second lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제2 중간 구조물을 형성하는 것; 및
h) 상기 제1 및 제2 유기 EL 매개층들과 전기적으로 접촉하는 공통 상부 전극을 제공하는 것을 포함하고,
상기 방법은, 단계 (b)와 (c) 사이에, 또는 단계 (e)와 (f) 사이에, 또는 단계 (b)와 (c) 사이 및 단계 (e)와 (f) 사이 모두에, 건식 식각 세척 단계를 더 포함하는, OLED 장치의 제조 방법. - OLED 장치의 제조 방법으로서, 상기 방법은
a) 제1 하부 전극 어레이 및 제2 하부 전극 어레이를 갖는 장치 기판을 제공하는 것;
b) 상기 제1 하부 전극 어레이에 상응하는 제1 개구 패턴을 갖는 제1 언더컷 리프트-오프 구조물(first undercut lift-off structure)을 상기 장치 기판 상에 제공하는 것;
c) 적어도 제1 발광층을 포함하는 하나 이상의 제1 유기 EL 매개층을 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제1 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
d) 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제1 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제1 리프트-오프제(first lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제1 중간 구조물을 형성하는 것;
e) 상기 제2 하부 전극 어레이에 상응하는 제2 개구 패턴을 갖는 제2 언더컷 리프트-오프 구조물(second undercut lift-off structure)을 상기 제1 중간 구조물 상에 제공하는 것;
f) 적어도 제2 발광층을 포함하는 하나 이상의 제2 유기 EL 매개층을 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제2 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
g) 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제2 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제2 리프트-오프제(second lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제2 중간 구조물을 형성하는 것; 및
h) 상기 제1 및 제2 유기 EL 매개층들과 전기적으로 접촉하는 공통 상부 전극을 제공하는 것을 포함하고,
하나 이상의 리프트-오프 구조물은 하나 이상의 해당 리프트-오프 구조물 형성에 사용되는 80% 이상의 이미징 방사선(imaging radiation)으로부터 하부의(underlying) 층을 흡수하거나 차단하는, OLED 장치의 제조 방법. - OLED 장치의 제조 방법으로서, 상기 방법은
a) 제1 하부 전극 어레이 및 제2 하부 전극 어레이를 갖는 장치 기판을 제공하는 것;
b) 상기 제1 하부 전극 어레이에 상응하는 제1 개구 패턴을 갖는 제1 언더컷 리프트-오프 구조물(first undercut lift-off structure)을 상기 장치 기판 상에 제공하는 것;
c) 적어도 제1 발광층을 포함하는 하나 이상의 제1 유기 EL 매개층을 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제1 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
d) 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제1 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제1 리프트-오프제(first lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제1 중간 구조물을 형성하는 것;
e) 상기 제2 하부 전극 어레이에 상응하는 제2 개구 패턴을 갖는 제2 언더컷 리프트-오프 구조물(second undercut lift-off structure)을 상기 제1 중간 구조물 상에 제공하는 것;
f) 적어도 제2 발광층을 포함하는 하나 이상의 제2 유기 EL 매개층을 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제2 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
g) 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제2 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제2 리프트-오프제(second lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제2 중간 구조물을 형성하는 것; 및
h) 상기 제1 및 제2 유기 EL 매개층들과 전기적으로 접촉하는 공통 상부 전극을 제공하는 것을 포함하고,
하나 이상의 리프트-오프 구조물과 이에 대응하는 상부(overlying) 유기 EL 매개층의 유효 밀도는, 해당 리프트-오프 구조물을 제거하는 데 사용되는 대응 리프트-오프제의 밀도보다 작은, OLED 장치의 제조 방법. - 제3항에 있어서,
리프트-오프제는 하이드로플루오로에테르(hydrofluoroether)를 포함하는, OLED 장치의 제조 방법. - OLED 장치의 제조 방법으로서, 상기 방법은
a) 제1 하부 전극 어레이 및 제2 하부 전극 어레이를 갖는 장치 기판을 제공하는 것;
b) 상기 제1 하부 전극 어레이에 상응하는 제1 개구 패턴을 갖는 제1 언더컷 리프트-오프 구조물(first undercut lift-off structure)을 상기 장치 기판 상에 제공하는 것;
c) 적어도 제1 발광층을 포함하는 하나 이상의 제1 유기 EL 매개층을 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제1 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
d) 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제1 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제1 리프트-오프제(first lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제1 중간 구조물을 형성하는 것;
e) 상기 제2 하부 전극 어레이에 상응하는 제2 개구 패턴을 갖는 제2 언더컷 리프트-오프 구조물(second undercut lift-off structure)을 상기 제1 중간 구조물 상에 제공하는 것;
f) 적어도 제2 발광층을 포함하는 하나 이상의 제2 유기 EL 매개층을 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제2 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
g) 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제2 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제2 리프트-오프제(second lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제2 중간 구조물을 형성하는 것; 및
h) 상기 제1 및 제2 유기 EL 매개층들과 전기적으로 접촉하는 공통 상부 전극을 제공하는 것을 포함하고,
하나 이상의 리프트-오프 구조물은 해당 리프트-오프제에 제거되는 동안 컬링(curls)되는, OLED 장치의 제조 방법. - OLED 장치의 제조 방법으로서, 상기 방법은
a) 제1 하부 전극 어레이 및 제2 하부 전극 어레이를 갖는 장치 기판을 제공하는 것;
b) 상기 제1 하부 전극 어레이에 상응하는 제1 개구 패턴을 갖는 제1 언더컷 리프트-오프 구조물(first undercut lift-off structure)을 상기 장치 기판 상에 제공하는 것;
c) 적어도 제1 발광층을 포함하는 하나 이상의 제1 유기 EL 매개층을 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제1 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
d) 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제1 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제1 리프트-오프제(first lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제1 중간 구조물을 형성하는 것;
e) 상기 제2 하부 전극 어레이에 상응하는 제2 개구 패턴을 갖는 제2 언더컷 리프트-오프 구조물(second undercut lift-off structure)을 상기 제1 중간 구조물 상에 제공하는 것;
f) 적어도 제2 발광층을 포함하는 하나 이상의 제2 유기 EL 매개층을 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제2 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
g) 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제2 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제2 리프트-오프제(second lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제2 중간 구조물을 형성하는 것; 및
h) 상기 제1 및 제2 유기 EL 매개층들과 전기적으로 접촉하는 공통 상부 전극을 제공하는 것을 포함하고,
상기 방법은, 상기 공통 상부 전극을 증착하기 전, 공통 유기 EL 층을 증착하는 것을 더 포함하는, OLED 장치의 제조 방법. - 제6항에 있어서,
상기 방법은, 상기 공통 유기 EL 층을 증착하기 전, 해당 리프트-오프제와 상이한 화학적 조성을 갖는 세척제와 접촉시킴으로써 해당 중간 구조물의 잔류 플루오르화 재료를 세척하는 것을 더 포함하고,
상기 세척제는 플루오르화 용매를 포함하는, OLED 장치의 제조 방법. - OLED 장치의 제조 방법으로서, 상기 방법은
a) 제1 하부 전극 어레이 및 제2 하부 전극 어레이를 갖는 장치 기판을 제공하는 것;
b) 상기 제1 하부 전극 어레이에 상응하는 제1 개구 패턴을 갖는 제1 언더컷 리프트-오프 구조물(first undercut lift-off structure)을 상기 장치 기판 상에 제공하는 것;
c) 적어도 제1 발광층을 포함하는 하나 이상의 제1 유기 EL 매개층을 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제1 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
d) 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제1 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제1 리프트-오프제(first lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제1 중간 구조물을 형성하는 것;
e) 상기 제2 하부 전극 어레이에 상응하는 제2 개구 패턴을 갖는 제2 언더컷 리프트-오프 구조물(second undercut lift-off structure)을 상기 제1 중간 구조물 상에 제공하는 것;
f) 적어도 제2 발광층을 포함하는 하나 이상의 제2 유기 EL 매개층을 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제2 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
g) 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제2 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제2 리프트-오프제(second lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제2 중간 구조물을 형성하는 것; 및
h) 상기 제1 및 제2 유기 EL 매개층들과 전기적으로 접촉하는 공통 상부 전극을 제공하는 것을 포함하고,
상기 방법은, 상기 공통 상부 전극을 증착하기 전, 해당 리프트-오프제와 상이한 화학적 조성을 갖는 세척제와 접촉시킴으로써 해당 중간 구조물의 잔류 플루오르화 재료를 세척하는 것을 더 포함하고,
상기 세척제는 플루오르화 용매를 포함하는, OLED 장치의 제조 방법. - OLED 장치의 제조 방법으로서, 상기 방법은
a) 제1 하부 전극 어레이 및 제2 하부 전극 어레이를 갖는 장치 기판을 제공하는 것;
b) 상기 제1 하부 전극 어레이에 상응하는 제1 개구 패턴을 갖는 제1 언더컷 리프트-오프 구조물(first undercut lift-off structure)을 상기 장치 기판 상에 제공하는 것;
c) 적어도 제1 발광층을 포함하는 하나 이상의 제1 유기 EL 매개층을 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제1 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
d) 상기 제1 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제1 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제1 리프트-오프제(first lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제1 중간 구조물을 형성하는 것;
e) 상기 제2 하부 전극 어레이에 상응하는 제2 개구 패턴을 갖는 제2 언더컷 리프트-오프 구조물(second undercut lift-off structure)을 상기 제1 중간 구조물 상에 제공하는 것;
f) 적어도 제2 발광층을 포함하는 하나 이상의 제2 유기 EL 매개층을 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 제2 하부 전극 어레이 상에 증착하는 것;
g) 상기 제2 언더컷 리프트-오프 구조물 및 상부의(overlying) 제2 유기 EL 매개층(들)을 플루오르화 용매를 포함하는 제2 리프트-오프제(second lift-off agent)로 처리하여 제거함으로써 제2 중간 구조물을 형성하는 것; 및
h) 상기 제1 및 제2 유기 EL 매개층들과 전기적으로 접촉하는 공통 상부 전극을 제공하는 것을 포함하고,
하나 이상의 리프트-오프 구조물은, 플루오르화 재료 기저층 및 상부의(overlying) 포토레지스층을 포함하는, 패터닝된 층을 2개 이상 포함하고,
상부의(overlying) 포토레지스트층은 플루오르화 코팅 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물로부터 제공되는, OLED 장치의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
포토레지스층은 플루오르화 포토레지스를 포함하는, OLED 장치의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 플루오르화 재료 기저층은 환형 퍼플루오르화 폴리머(cyclic perfluorinated polymer)를 포함하고,
상기 플루오르화 코팅 용매는 하이드로플루오로에테르인, OLED 장치의 제조 방법. - 제1항 내지 제3항, 제5항, 제6항, 제8항 및 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
하나 이상의 리프트-오프 구조물은, 플루오르화 재료 기저층 및 상부의(overlying) 포토레지스트층을 포함하는, 패터닝된 층을 2개 이상 포함하고,
상기 플루오르화 재료 기저층은 상기 포토레지스층에 대해 언더컷(undercut)인, OLED 장치의 제조 방법. - 제1항 내지 제3항, 제5항, 제6항, 제8항 및 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
하나 이상의 리프트-오프 구조물은, 플루오르화 용매를 사용하여 현상되고 언더컷 프로파일(undercut profile)을 갖는, 패터닝된 플루오르화 포토레지스트를 포함하는, OLED 장치의 제조 방법. - 제1항 내지 제3항, 제5항, 제6항, 제8항 및 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
하부 전극들은 캐소드(cathodes)로 기능하고, 상기 공통 상부 전극은 각각의 애노드(anode)로 기능하는, OLED 장치의 제조 방법. - 제1항 내지 제3항, 제5항, 제6항, 제8항 및 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
하나 이상의 유기 EL 매개층은 하나 이상의 하부(underlying) 유기 EL 매개층들 측벽을 커버하도록 증착되는, OLED 장치의 제조 방법. - 제1항 내지 제3항, 제5항, 제6항, 제8항 및 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법은, 단계 (c)와 (d) 사이에, 또는 단계 (f)와 (g) 사이에, 또는 단계 (c)와 (d) 사이 및 단계 (f)와 (g) 사이 모두에, 플루오르화 재료를 유기 EL 매개층들 상에 기상 증착하는 것을 더 포함하는, OLED 장치의 제조 방법. - 삭제
- 삭제
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