CN115802858B - 一种oled直接rgb图形化的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种OLED直接RGB图形化的方法，使用超疏油材料配合高氟聚合物材料进行使用，通过各步骤的配合逐步实现OLED直接RGB图形化；该方法在各像素发光材料的油系溶液涂布之前，均以超疏油材料形成的疏油层覆盖住了各子像素区域之外，这样在进行各像素发光材料的油系溶液涂布时，由于疏油层的存在，各像素发光材料的油系溶液会分别各子像素区域之内进行聚集形成所需的图案；并在G、B像素发光层的制程中，以疏油层包覆了已经成膜的像素发光层，避免了光阻溶液对像素发光层影响；本发明提供的方法无需在R、G、B的制程中对各像素发光材料进行光刻，避免了干法刻蚀对发光材料侧面的损伤，对RGB材料的保护更好。
Description
技术领域
本发明属于OLED技术领域，具体涉及一种OLED直接RGB图形化的方法。
背景技术
目前OLED的彩色化主要有两种方式。一种是白光加CF，一种是直接RGB图形化，直接图形化又分几种，但都相对复杂。
目前OLED直接图形化有如下几种方法：一种是精细金属掩模，它是一层薄薄的金属即Invar合金箔，厚度一般在100μm之内，根据需要会在薄膜上制备相应的孔洞，OLED材料通过这些孔洞蒸镀在基板上并形成对应的图案。该方案中金属掩膜为耗材且价格昂贵，对OLED材料浪费也较大，同时PPI只能做到400左右，难以提升。另一种图形化方法为IJP(ink-jet printing)打印方式进行，该方法打印机昂贵，且受到打印精度限制，PPI只能做到200左右，同时该方法良率较差。另一种图形化方法为eLEAP，该方法会交替进行OLED蒸镀、光刻、干刻，因此设备面就要求从蒸镀舱室到黄光到干刻都必须是真空或惰性气体氛围且干刻OLED会对OLED造成伤害，性能下降。
中国专利CN114373879A中公开了硅基有机发光二极管微显示器的制备方法及管微显示器，并具体公开了硅基有机发光二极管微显示器的制备方法，包括以下步骤：步骤1、在硅片上制备驱动电路，构成驱动电路硅片；步骤2、在驱动电路硅片上制备阳极；步骤3、在阳极上蒸镀有机发光层；步骤4、在有机发光层上蒸镀合金阴极；步骤5、在合金阴极上溅射透明阳极；步骤6、涂布或打印光刻胶；步骤7、光刻或纳米压印工艺完成图形化；步骤8、刻蚀阴极和有机发光层；步骤9、灰化去胶；步骤10、若驱动电路硅片上器件未完成全部制备完成，则重复步骤39，否则进入下一步；步骤11、公用阴极沉积；步骤12、薄膜封装；该专利中虽然能实现Micro OLED直接发光，但是该方法会交替进行OLED蒸镀、刻蚀，会对OLED造成伤害。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种OLED直接RGB图形化的方法，该方法简单，且对RGB材料的保护性更好。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：
一种OLED直接RGB图形化的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)在已经做好阳极和像素定义层的基板表面涂布并固化超疏油材料的溶液形成疏油层，然后在疏油层表面涂布并固化高氟化聚合物材料的溶液形成光阻层；
(2)在R子像素区域以外的光阻层表面覆盖掩膜版，进行曝光显影，然后刻蚀去除R子像素区域处的疏油层，露出R子像素区域；
(3)去除掩膜版，然后剥离光阻层；
(4)涂布并固化R像素发光材料的油系溶液，在R子像素区域形成R像素发光层；
(5)去除疏油层，然后涂布超疏油材料形成疏油层，然后在疏油层表面涂布并固化高氟化聚合物材料形成光阻层；
(6)在G子像素区域以外的光阻层表面覆盖掩膜版，进行曝光显影，然后刻蚀去除G子像素区域处的疏油层，露出G子像素区域；
(7)去除掩膜版，然后剥离光阻层；
(8)涂布G像素发光材料的油系溶液，在G子像素区域形成G像素发光层；
(9)去除疏油层，然后涂布超疏油材料形成疏油层，然后在疏油层表面涂布并固化高氟化聚合物材料形成光阻层；
(10)在B子像素区域以外的光阻层表面覆盖掩膜版，进行曝光显影，然后刻蚀去除B子像素区域处的疏油层，露出B子像素区域；
(11)去除掩膜版，然后剥离光阻层；
(12)涂布B像素发光材料的油系溶液，在B子像素区域形成B像素发光层；
(13)去除疏油层，即可完成OLED图形化。
所述超疏油材料为Cytop材料。
超疏油材料的溶液通过将超疏油材料溶解在含氟溶剂中得到；超疏油材料与含氟溶剂的质量体积比为1g：3～20mL。
所述疏油层的厚度为10nm～1μm。
R像素发光材料的油系溶液通过将R像素发光材料溶解在醚类溶剂中得到；R像素发光材料的油系溶液的质量浓度低于50％。
G像素发光材料的油系溶液通过将R像素发光材料溶解在醚类溶剂中得到；G像素发光材料的油系溶液的的质量浓度低于50％。
B像素发光材料的油系溶液通过将R像素发光材料溶解在醚类溶剂中得到；B像素发光材料的油系溶液的的质量浓度低于50％。
步骤(5)、(9)、(13)中，去除疏油层的方法为使用稀释溶剂清洗或擦拭去除。
步骤(4)、(8)、(12)中，涂布像素发光材料的油系溶液的方法为喷墨打印法、刮涂法或旋涂法。
本发明提供的OLED直接RGB图形化的方法中，使用超疏油材料配合高氟化聚合物材料进行使用，逐步实现OLED的RGB图形化。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
1.本发明在各像素发光材料的油系溶液涂布之前，均以超疏油材料形成的疏油层覆盖住了各子像素区域之外，这样在进行各像素发光材料的油系溶液涂布时，由于疏油层的存在，各像素发光材料的油系溶液会分别各子像素区域之内进行聚集形成所需的图案；
2.本发明在G像素发光层的制程中，以疏油层包覆了R像素发光层，避免了光阻溶液对R像素发光层影响；
3.本发明在B像素发光层的制程中，以疏油层包覆了R像素发光层、G像素发光层，避免了光阻溶液对R像素发光层、G像素发光层影响；
4.本发明提供的方法无需在R、G、B的制程中对各像素发光材料进行光刻，避免了干法刻蚀对发光材料侧面的损伤，对RGB材料的保护更好。
附图说明
图1为本发明中的OLED直接RGB图形化的工艺流程示意图，其中1-基板、2-阳极、3-PDL、4-疏油层、5-光阻层、6-掩膜版、7-R像素发光层、8-G像素发光层、9-B像素发光层。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细说明。
本发明提供了一种OLED直接RGB图形化的方法，包括以下步骤：
(1)在已经做好阳极和像素定义层的基板表面涂布并固化超疏油材料的溶液形成疏油层，然后在疏油层表面涂布并固化高氟化聚合物材料的溶液形成光阻层；
(2)在R子像素区域以外的光阻层表面覆盖掩膜版，进行曝光显影，然后刻蚀去除R子像素区域处的疏油层，露出R子像素区域；
(3)去除掩膜版，然后剥离光阻层；
(4)涂布R像素发光材料的油系溶液，在R子像素区域形成R像素发光层；
(5)去除疏油层，然后涂布超疏油材料形成疏油层，然后在疏油层表面涂布并固化高氟化聚合物材料形成光阻层；
(6)在G子像素区域以外的光阻层表面覆盖掩膜版，进行曝光显影，然后刻蚀去除G子像素区域处的疏油层，露出G子像素区域；
(7)去除掩膜版，然后剥离光阻层；
(8)涂布G像素发光材料的油系溶液，在G子像素区域形成G像素发光层；
(9)去除疏油层，然后涂布超疏油材料形成疏油层，然后在疏油层表面涂布并固化高氟化聚合物材料形成光阻层；
(10)在B子像素区域以外的光阻层表面覆盖掩膜版，进行曝光显影，然后刻蚀去除B子像素区域处的疏油层，露出B子像素区域；
(11)去除掩膜版，然后剥离光阻层；
(12)涂布B像素发光材料的油系溶液，在B子像素区域形成B像素发光层；
(13)去除疏油层，即可完成OLED图形化。
该实施例在各像素发光材料的油系溶液涂布之前，均以超疏油材料形成的疏油层覆盖住了各子像素区域之外，这样在进行各像素发光材料的油系溶液涂布时，由于疏油层的存在，各像素发光材料的油系溶液会分别各子像素区域之内进行聚集形成所需的图案；在G像素发光层的制程中，以疏油层包覆了R像素发光层，避免了光阻溶液对R像素发光层影响；在B像素发光层的制程中，以疏油层包覆了R像素发光层、G像素发光层，避免了光阻溶液对R像素发光层、G像素发光层影响；该实施例提供的方法无需在R、G、B的制程中对各像素发光材料进行光刻，避免了干法刻蚀对发光材料侧面的损伤，对RGB材料的保护更好。
上述参照实施例对一种OLED直接RGB图形化的方法进行的详细描述，是说明性的而不是限定性的，可按照所限定范围列举出若干个实施例，因此在不脱离本发明总体构思下的变化和修改，应属本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种OLED直接RGB图形化的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)在已经做好阳极和像素定义层的基板表面涂布并固化超疏油材料的溶液形成疏油层，然后在疏油层表面涂布并固化高氟化聚合物材料的溶液形成光阻层；
(2)在R子像素区域以外的光阻层表面覆盖掩膜版，进行曝光显影，然后刻蚀去除R子像素区域处的疏油层，露出R子像素区域；
(3)去除掩膜版，然后剥离光阻层；
(4)涂布并固化R像素发光材料的油系溶液，在R子像素区域形成R像素发光层；
(5)去除疏油层，然后涂布超疏油材料形成疏油层，然后在疏油层表面涂布并固化高氟化聚合物材料形成光阻层；
(6)在G子像素区域以外的光阻层表面覆盖掩膜版，进行曝光显影，然后刻蚀去除G子像素区域处的疏油层，露出G子像素区域；
(7)去除掩膜版，然后剥离光阻层；
(8)涂布G像素发光材料的油系溶液，在G子像素区域形成G像素发光层；
(9)去除疏油层，然后涂布超疏油材料形成疏油层，然后在疏油层表面涂布并固化高氟化聚合物材料形成光阻层；
(10)在B子像素区域以外的光阻层表面覆盖掩膜版，进行曝光显影，然后刻蚀去除B子像素区域处的疏油层，露出B子像素区域；
(11)去除掩膜版，然后剥离光阻层；
(12)涂布B像素发光材料的油系溶液，在B子像素区域形成B像素发光层；
(13)去除疏油层，即可完成OLED图形化；
所述疏油层的厚度为10nm～1μm；
所述超疏油材料为Cytop材料。
2.根据权利要求1所述的OLED直接RGB图形化的方法，其特征在于，超疏油材料的溶液通过将超疏油材料溶解在含氟溶剂中得到；超疏油材料与含氟溶剂的质量体积比为1g：3～20mL。
3.根据权利要求1所述的OLED直接RGB图形化的方法，其特征在于，R像素发光材料的油系溶液通过将R像素发光材料溶解在醚类溶剂中得到；R像素发光材料的油系溶液的质量浓度低于50％。
4.根据权利要求1所述的OLED直接RGB图形化的方法，其特征在于，G像素发光材料的油系溶液通过将G像素发光材料溶解在醚类溶剂中得到；G像素发光材料的油系溶液的质量浓度低于50％。
5.根据权利要求1所述的OLED直接RGB图形化的方法，其特征在于，B像素发光材料的油系溶液通过将B像素发光材料溶解在醚类溶剂中得到；B像素发光材料的油系溶液的质量浓度低于50％。
6.根据权利要求1所述的OLED直接RGB图形化的方法，其特征在于，步骤(5)、(9)、(13)中，去除疏油层的方法为使用稀释溶剂清洗或擦拭去除。
7.根据权利要求1所述的OLED直接RGB图形化的方法，其特征在于，步骤(4)、(8)、(12)中，涂布像素发光材料的油系溶液的方法为喷墨打印法、刮涂法或旋涂法。
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