CN214898497U - 显示基板及显示装置 - Google Patents
显示基板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN214898497U CN214898497U CN202120659425.9U CN202120659425U CN214898497U CN 214898497 U CN214898497 U CN 214898497U CN 202120659425 U CN202120659425 U CN 202120659425U CN 214898497 U CN214898497 U CN 214898497U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- pixel defining
- opening
- defining layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种显示基板,包括衬底、设置于衬底上的多个第一电极、第一像素界定层、第二像素界定层以及多个发光功能层。其中,第一像素界定层设置于衬底上,第一像素界定层具有多个第一开口,第一开口暴露第一电极的至少一部分,第一开口的侧壁向远离第一开口的中心的方向凹陷。第二像素界定层设置于第一像素界定层远离衬底的一侧,第二像素界定层具有多个第二开口,第二开口在衬底上的正投影与第一开口在衬底上的正投影至少部分重叠。第二开口靠近衬底的一端在衬底上的正投影的边界,位于第二开口远离衬底的一端在衬底上的正投影的边界之内。多个发光功能层位于多个第一电极远离衬底的一侧,一个发光功能层设置于一个第一开口内。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
随着量子点技术的发展,人们对量子点电致发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diodes,简称QLED)显示装置的研究日益深入,QLED显示装置的量子效率不断提升,已基本达到产业化的水平。
目前,采用喷墨打印(Ink-Jet Printing,简称IJP)技术形成发光功能层,以制备高分辨率的QLED显示装置已经成为领域内的发展趋势之一。
实用新型内容
一方面,提供一种显示基板,包括衬底、多个第一电极、第一像素界定层、第二像素界定层以及多个发光功能层。
其中,多个第一电极设置于所述衬底上。第一像素界定层设置于所述衬底上,所述第一像素界定层具有多个第一开口,第一开口暴露所述第一电极的至少一部分,所述第一开口的侧壁向远离所述第一开口的中心的方向凹陷。第二像素界定层设置于所述第一像素界定层远离所述衬底的一侧,所述第二像素界定层具有多个第二开口,第二开口在所述衬底上的正投影与所述第一开口在所述衬底上的正投影至少部分重叠。所述第二开口靠近所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界,位于所述第二开口远离所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界之内。多个发光功能层位于所述多个第一电极远离所述衬底的一侧,一个发光功能层设置于一个所述第一开口内。
在一些实施例中,沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向,所述第一开口沿平行于所述衬底的平面方向的截面的面积,由小变大再由大变小。
在一些实施例中,所述第一像素界定层为疏液层。或,所述第一像素界定层包括第一基材层,以及至少覆盖所述第一基材层的侧壁的疏液层。
在一些实施例中,所述第一像素界定层包括无机纳米粒子,以及与无机纳米粒子结合的配体。其中,所述配体包括含氟基团。
在一些实施例中,所述第一像素界定层包括多个氧化硅纳米粒子,和/或,多个氮化硅纳米粒子。
在一些实施例中,所述配体包括氟原子、三氟甲基、六氟苯、十氟联苯或全氟乙烯中的至少一种。
在一些实施例中,沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向,所述第二开口沿平行于所述衬底的平面方向的截面的面积逐渐变大。
在一些实施例中,所述第二开口靠近所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界,位于所述第一开口远离所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界之内。
在一些实施例中,所述第二像素界定层为亲液层。或,所述第二像素界定层包括第二基材层,以及至少覆盖所述第二基材层的侧壁的亲液层。
在一些实施例中,所述第二像素界定层包括正性光刻胶层。
在一些实施例中,所述第二开口的侧壁与所述第二像素界定层靠近所述衬底的表面之间的夹角范围为30°~75°。
在一些实施例中,所述第一像素界定层的厚度与所述第二像素界定层的厚度的比值范围为1~3。
在一些实施例中,所述第一电极和所述发光功能层的厚度的和,小于所述第一像素界定层的厚度。
在一些实施例中,显示基板还包括第二电极层,所述第二电极层包括设置于所述发光功能层远离所述衬底一侧的第二电极,以及覆盖在所述第二像素界定层远离所述衬底一侧的表面,和所述第二开口的侧壁上的连接图案。
另一方面,提供一种显示装置,包括如上述任一实施例所述的显示基板。
另一方面,提供一种显示基板的制备方法,包括:
在衬底上形成多个第一电极。
在所述多个第一电极远离所述衬底的一侧依次形成第一像素界定薄膜和第二像素界定薄膜。
图案化所述第二像素界定薄膜,形成第二像素界定层。所述第二像素界定层具有多个第二开口,第二开口靠近所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界,位于所述第二开口远离所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界之内。
以所述第二像素界定层为掩膜,图案化所述第一像素界定薄膜,形成第一像素界定层。所述第一像素界定层具有多个第一开口,第一开口暴露第一电极的至少一部分,所述第一开口在所述衬底上的正投影与所述第二开口在所述衬底上的正投影至少部分重叠,所述第一开口的侧壁向远离所述第一开口的中心的方向凹陷。
在所述第一开口内形成发光功能层。
在一些实施例中,所述图案化所述第一像素界定薄膜,包括:
采用干法刻蚀工艺,图案化所述第一像素界定薄膜。
在一些实施例中,所述在所述第一开口内形成发光功能层,包括:
在所述第一开口内喷墨打印发光功能层墨水;
烘干所述发光功能层墨水,形成所述发光功能层。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案,下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。此外,以下描述中的附图可以视作示意图,并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据本公开的一些实施例的显示基板的俯视图;
图2为图1中显示基板沿O-O'的剖面图;
图3为根据本公开的一些实施例的喷墨打印的过程的一种示意图;
图4为根据本公开的一些实施例的喷墨打印的过程的另一种示意图;
图5为根据本公开的一些实施例的显示基板的一种结构图;
图6为根据本公开的一些实施例的显示基板的另一种结构图;
图7为根据本公开的一些实施例的无机纳米粒子结合配体的结构图;
图8为根据本公开的一些实施例的显示装置的结构图;
图9A为根据本公开的一些实施例的显示基板的制备方法的一种流程图;
图9B为根据本公开的一些实施例的显示基板的制备方法的另一种流程图;
图10为根据本公开的一些实施例的制备第一电极层的步骤图;
图11为根据本公开的一些实施例的制备第一电极的步骤图;
图12为根据本公开的一些实施例的制备第一像素界定薄膜和第二像素界定薄膜的步骤图;
图13为根据本公开的一些实施例的制备第二像素界定层的步骤图;
图14为根据本公开的一些实施例的制备第一像素界定层的步骤图;
图15为根据本公开的一些实施例的制备发光功能层的步骤图;
图16为根据本公开的一些实施例的制备第二电极层的步骤图;
图17为根据本公开的一些实施例的制备封装层的步骤图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求,否则,在整个说明书和权利要求书中,术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思,即为“包含,但不限于”。在说明书的描述中,术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外,所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时,可能使用了“电连接”及其衍伸的表达。例如,描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。
“A和/或B”,包括以下三种组合:仅A,仅B,及A和B的组合。
另外,“基于”的使用意味着开放和包容性,因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中,为了清楚,放大了层和区域的厚度。因此,可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此,示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状,而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如,示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此,附图中所示的区域本质上是示意性的,且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状,并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
在相关技术中,采用喷墨打印技术,将发光功能层墨水打印在像素界定层 (PixelDefining Layer,简称PDL)的开口内,待墨水烘干后形成发光功能层。然而,在墨水烘干的过程中,由于马格兰尼效应,墨水会沿着像素界定层的挡墙(Bank)的侧壁攀爬,形成中间薄、边缘厚的发光功能层,发光功能层的膜厚不均匀会降低其使用寿命,并减小显示装置的出光效率,从而影响显示装置的显示质量。因此,如何制备出膜厚均匀的发光功能层,成为领域内的研究方向之一。
基于此,本公开的一些实施例提供了一种显示基板,如图1和图2所示,显示基板100包括衬底101,以及设置于衬底101上的多个第一电极103。
需要说明的是,如图1所示,显示基板100具有多个子像素区域P,显示基板100还包括设置于衬底101上的多个像素驱动电路,一个子像素区域P内设置有一个像素驱动电路。
如图2所示,每个像素驱动电路包括多个薄膜晶体管T,每个薄膜晶体管T 包括栅极T1、有源层T2、源极T3和漏极T4。在栅极T1与有源层T2之间设置有栅极绝缘层T5,以使栅极T1与有源层T2之间绝缘。
如图2所示,显示基板100还包括覆盖在多个像素驱动电路远离衬底101 一侧的平坦层102,平坦层102中具有多个过孔。每个第一电极103通过平坦层 102中的过孔,与像素驱动电路所包括的多个薄膜晶体管T中作为驱动晶体管的薄膜晶体管T的源极T3或漏极T4电连接(图2中示出了第一电极103与漏极 T4电连接的情形),以向第一电极103传输电压信号。
如图2所示,显示基板100还包括设置于衬底101上的第一像素界定层104,第一像素界定层104具有多个第一开口H1,第一开口H1暴露第一电极103的至少一部分。第一开口H1的侧壁向远离第一开口H1的中心C的方向E凹陷。
可以理解的是,结合图2,第一开口H1靠近衬底101的一端在衬底101上的正投影的边界,位于第一电极103在衬底101上的正投影的边界之内。即第一开口H1靠近衬底101的一端被第一电极103遮住。
结合图1和图2可见,“方向E”在平行于衬底101的平面内,以第一开口 H1的中心C为起点,呈360°发散,第一开口H1的侧壁沿着各发散的方向E 向第一像素界定层104内凹陷,形成了图2示出的第一开口H1的剖面形状。
如图2所示,显示基板100还包括设置于第一像素界定层104远离衬底101 一侧的第二像素界定层105。第二像素界定层105具有多个第二开口H2,第二开口H2在衬底101上的正投影与第一开口H1在衬底101上的正投影至少部分重叠,从而使第一开口H1与第二开口H2相连通,使发光功能层墨水可经第二开口H2流入第一开口H1内。
并且,第二开口H2靠近衬底101的一端在衬底101上的正投影的边界G,位于第二开口H2远离衬底101的一端在衬底101上的正投影的边界I之内。
可以理解的是,结合图1和图2,第二开口H2靠近衬底101的一端的开口面积,小于第二开口H2远离衬底101的一端的开口面积,使第二开口H2的侧壁倾斜设置。例如,第二开口H2的剖面形状为倒置的梯形,使得第二开口H2 的形状呈“漏斗状”。
如图2所示,显示基板100还包括位于多个第一电极103远离衬底101一侧的多个发光功能层10,一个发光功能层10设置于一个第一开口H1内。
需要说明的是,可采用喷墨打印工艺,将发光功能层墨水经第二开口H2打印至第一像素界定层104的第一开口H1内,待墨水烘干后形成发光功能层10。
并且,如图2所示,显示基板100包括设置于第一开口H1内的发光器件D,发光器件D包括层叠设置的第一电极103和发光功能层10,以及设置于发光功能层10远离衬底101一侧的第二电极110。
示例性地,第一电极103可以为发光器件D的阳极,第二电极110可以为发光器件D的阴极。通过向发光器件D的第一电极103传输电压信号,并且向发光器件D的第二电极110传输电压信号,使第一电极103与第二电极110之间形成电压差,从而驱动位于二者之间的发光功能层10发出光线,以实现显示装置的画面显示。
本公开的上述实施例中的显示基板100,通过将第一开口H1的侧壁设置成向远离第一开口H1的中心C的方向E凹陷,以减弱发光功能层墨水沿着第一开口H1的侧壁攀爬的现象。并且,请参见图3,在墨水沿着第一开口H1的凹陷的侧壁攀爬的过程中,使墨水受重力作用回落到第一开口H1的中心区域,从而在墨水烘干后,有利于形成膜厚较均匀的发光功能层10,以提高发光功能层 10的发光性能和使用寿命。
并且,第二开口H2靠近衬底101的一端在衬底101上的正投影的边界G,位于第二开口H2远离衬底101的一端在衬底101上的正投影的边界I之内,使第二开口H2的侧壁倾斜设置,呈“漏斗”状。请参见图4所示,在墨水的下落轨迹发生偏离或墨水分裂成微型墨滴的情况下,墨水可沿第二开口H2的侧壁滑落至第一开口H1内,避免墨水流到第二像素界定层105远离衬底101一侧的表面上,而形成墨水的桥联现象。
在一些实施例中,如图2所示,发光功能层10至少包括发光层108。
示例性地,发光层108为量子点发光层,例如,发光层108的材料可包括硒化镉(化学式:CdSe),或硫化锌(化学式:ZnS),或硒化镉和硫化锌。
在一些实施例中,发光功能层10还包括电子传输层(Election TransportingLayer,简称ETL)、电子注入层(Election Injection Layer,简称EIL)、空穴传输层(HoleTransporting Layer,简称HTL)以及空穴注入层(Hole Injection Layer,简称HIL)中的一层或多层,以提高发光器件D的发光效率。
示例性地,如图2所示,发光功能层10可包括沿垂直于衬底101且远离衬底101的方向Y,依次层叠设置的空穴注入层106、空穴传输层107、发光层108 以及电子传输层109。
例如,空穴注入层106的材料可包括聚乙烯二氧噻吩(即,PEDOT)。
例如,空穴传输层107的材料可包括聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共 -(4,4'-(N-对丁基苯基))](即,TFB)。
例如,电子传输层109的材料可包括氧化锌(化学式:ZnO)。
在一些实施例中,如图2所示,第一电极103和发光功能层10的厚度的和,小于第一像素界定层104的厚度,以使发光功能层10可以全部设置于第一像素界定层104的第一开口H1内。
在一些实施例中,如图2所示,显示基板100还包括整面覆盖的第二电极层112,第二电极层112包括设置于发光功能层10远离衬底101一侧的第二电极110,以及覆盖在第二像素界定层105远离衬底101一侧的表面,和第二开口 H2的侧壁上的连接图案111。
通过连接图案111实现位于第一开口H1内的第二电极110的电连接,有利于降低第二电极层112整体的阻抗,可改善电压信号在第二电极层112上传输的过程中产生的压降现象,即IR压降(IR-Drop)。
在一些实施例中,第二电极层112也可以是图案化的膜层,第二电极层112 至少包括设置于发光功能层10远离衬底101一侧的第二电极110。
在一些实施例中,如图5所示,显示基板100还包括设置于第二电极层112 远离衬底101一侧的封装层113,封装层113至少包括一层阻隔层。
示例性的,如图5所示,封装层113包括一层无机阻隔层,具有阻隔水汽和氧气的作用,用于保护显示基板100中位于封装层113下方的膜层。
在一些实施例中,如图6所示,封装层113可包括沿垂直于衬底101且远离衬底101的方向Y,依次层叠的第一无机阻隔层114、有机阻隔层115和第二无机阻隔层116,有机阻隔层115具有一定的柔性和吸收水汽的作用等,结合第一无机阻隔层114和第二无机阻隔层116,可达到更好的封装效果。
在一些实施例中,如图2所示,沿垂直于衬底101且远离衬底101的方向Y,第一开口H1沿平行于衬底101的平面方向X的截面的面积,由小变大再由大变小。
可以理解的是,第一开口H1的侧壁向远离第一开口H1的中心C的方向E 凹陷,且第一开口H1靠近两端的侧壁的凹陷程度较小,位于第一开口H1两端之间的中间区域的侧壁的凹陷程度较大,通过将第一开口H1的侧壁设置成这种形状,使得墨水沿着第一开口H1的侧壁攀爬的过程中,受重力作用回落到第一开口H1的中心区域。
在一些实施例中,第一开口H1的侧壁为曲面,通过将第一开口H1的侧壁设置为曲面,使得第一开口H1的侧壁的表面较为光滑,可进一步减弱发光功能层墨水沿着第一开口H1的侧壁攀爬的现象。
在一些实施例中,第一像素界定层104为疏液层,即第一像素界定层104 的材料包括疏液材料,可减弱发光功能层墨水沿着第一像素界定层104的第一开口H1的侧壁攀爬的现象。
需要说明的是,发光功能层墨水可以是水性的溶液,也可以是油性的溶液。第一像素界定层104的材料包括疏液材料,使得第一开口H1的侧壁既疏水又疏油,因此,无论发光功能层墨水是水性的还是油性的,都可以减弱发光功能层墨水沿着第一开口H1的侧壁攀爬的现象。
在另一些实施例中,第一像素界定层104包括第一基材层,以及至少覆盖第一基材层的侧壁的疏液层。
结合图2,第一像素界定层104的主体为第一基材层,主体的材料包括第一基材。疏液层至少覆盖第一基材层的侧壁,即第一开口H1的侧壁覆盖有疏液材料,也可以减弱发光功能层墨水沿着第一开口H1的侧壁攀爬的现象。
在一些实施例中,如图7所示,第一像素界定层104包括无机纳米粒子11,以及与无机纳米粒子11结合的配体12。其中,配体12包括含氟基团。
需要说明的是,无机纳米粒子11结合配体12(含氟基团)后,使得无机纳米粒子11结合含氟基团后具有疏水和疏油的特性。
示例性地,无机纳米粒子11为导电性较差的绝缘材料,第一像素界定层104 可包括多个氧化硅纳米粒子,第一像素界定层104也可包括多个氮化硅纳米粒子,第一像素界定层104还可包括多个氧化硅纳米粒子和多个氮化硅纳米粒子。
示例性地,与无机纳米粒子11结合的配体12包括含氟基团,例如氟原子、三氟甲基、六氟苯、十氟联苯或全氟乙烯中的至少一种。其中,三氟甲基、六氟苯、十氟联苯以及全氟乙烯的化学结构式分别为如下图(a)、图(b)、图(c)、图(d):
示例性地,配体12的总链长为8~18个碳原子,例如,配体12的总链长可以为8个碳原子、10个碳原子、13个碳原子、15个碳原子或18个碳原子。
例如,配体12为1-丁基-4-壬基四氟苯,其化学结构式为如下图(e):
在一些实施例中,如图2所示,沿垂直于衬底101且远离衬底101的方向Y,第二开口H2沿平行于衬底101的平面方向X的截面的面积逐渐变大。
可以理解的是,结合图1和图2,第二像素界定层105中第二开口H2的侧壁倾斜设置,且第二开口H2靠近衬底101的一端的开口面积,小于远离衬底 101的一端的开口面积,使得第二开口H2的剖面形状为倒置的梯形,以便于发光功能层墨水沿第二开口H2的侧壁滑落至第一开口H1内,避免墨水流到第二像素界定层105远离衬底101一侧的表面上,而形成墨水的桥联现象。
在一些实施例中,如图2所示,第二开口H2的侧壁与第二像素界定层105 靠近衬底101的表面之间的夹角α范围为30°~75°,例如,夹角α可为30°、 45°、50°、60°或75°,保证第二开口H2的侧壁的倾斜度,以保证发光功能层墨水可以沿第二开口H2的侧壁滑落至第一开口H1内。
在一些实施例中,第二像素界定层105为亲液层,即第二像素界定层105 的材料包括亲液材料,有利于发光功能层墨水流至第二像素界定层105的第二开口H2内,实现对墨水的收集。
可以理解的是,第二像素界定层105的材料包括亲液材料,第一开口H1的侧壁既亲水又亲油,因此,无论发光功能层墨水是水性的还是油性的,都有利于第二开口H2对发光功能层墨水的收集。
在另一些实施例中,第二像素界定层105包括第二基材层,以及至少覆盖第二基材层的侧壁的亲液层。
结合图2,第二像素界定层105的主体为第二基材层,主体的材料包括第二基材。亲液层至少覆盖第二基材层的侧壁,即第二开口H2的侧壁覆盖有亲液材料,也有利于第二开口H2对发光功能层墨水的收集。
在一些实施例中,第二像素界定层105包括正性光刻胶层,即第二像素界定层105的材料包括正性光刻胶,例如,重氮萘醌类光刻胶。因此,可采用曝光显影工艺,在第二像素界定层105上形成多个第二开口H2。
在一些实施例中,如图2所示,第二开口H2靠近衬底101的一端在衬底 101上的正投影的边界G,位于第一开口H1远离衬底101的一端在衬底101上的正投影的边界F之内。
可以理解的是,第二开口H2靠近衬底101的一端的开口面积,小于第一开口H1远离衬底101的一端的开口面积,使第二像素界定层105可以遮住第一开口H1远离衬底101的一端开口的边缘区域,可起到遮挡发光功能层墨水的作用,避免墨水从第一开口H1溅出。并且,增加了墨水的攀爬路径,即使墨水沿第一开口H1的侧壁攀爬到第二像素界定层105靠近衬底101一侧的表面,也会受重力作用回落到第一开口H1的中间区域,避免墨水沿第一开口H1的侧壁攀爬到第二像素界定层105的第二开口H2内。
在一些实施例中,第一像素界定层104的厚度与第二像素界定层105的厚度的比值范围为1~3,例如,比值为1、1.5、2、2.6或3。即,第一像素界定层 104的厚度可以与第二像素界定层105的厚度相等,第一像素界定层104的厚度也可以大于第二像素界定层105的厚度。
本公开的一些实施例还提供了一种显示装置,如图8所示,该显示装置200 包括显示基板100,以及设置于显示基板100的出光侧的偏光片201。通过在显示基板100的出光侧设置偏光片201,可减小显示基板100中的反光结构对外界环境光的反射,从而可避免对显示装置200的画面显示造成影响。
本公开的上述实施例中的显示装置200,通过将第一像素界定层104的第一开口H1的侧壁设置成向远离第一开口H1的中心C的方向E凹陷,可形成膜厚较均匀的发光功能层10,提高发光功能层10的发光性能和使用寿命,从而可改善显示装置200的显示效果。
该显示装置200可以为电致发光显示装置,该电致发光显示装置可以为有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)或量子点电致发光显示装置(Quantum Dot Light Emitting Diodes,简称QLED)。
上述显示装置200可以是显示不论运动(例如,视频)还是固定(例如,静止图像)的且不论文字还是的图像的任何装置。更明确地说,预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联,所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、 GPS接收器/导航器、相机、MP4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如,里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如,车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如,对于一件珠宝的图像的显示器)等。
本公开的一些实施例还提供了一种显示基板的制备方法,如图9A所示,制备方法包括如下S1~S5:
S1:在衬底101上形成多个第一电极103。
示例性地,S1包括如下S11~S12:
S11:如图10所示,采用成膜工艺,在衬底101上形成第一电极层13。第一电极层13通过平坦层102中的过孔,与像素驱动电路所包括的多个薄膜晶体管T中作为驱动晶体管的薄膜晶体管T的漏极T4电连接。
例如,第一电极层13的材料包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide,简称ITO)。
S12:如图11所示,图案化第一电极层13,形成多个第一电极103。
例如,采用光刻工艺,在第一电极层13远离衬底101的一侧形成光刻胶层。采用刻蚀工艺,以光刻胶层为掩膜刻蚀第一电极层13,形成多个第一电极103。
S2:如图12所示,在多个第一电极103远离衬底101的一侧依次形成第一像素界定薄膜14和第二像素界定薄膜15。
示例性地,采用旋涂工艺,在多个第一电极103远离衬底101的一侧旋涂第一像素界定薄膜14的溶液,加热烘干后得到第一像素界定薄膜14。
例如,第一像素界定薄膜14的溶液为500mg/ml的氧化硅纳米粒子甲苯溶液,配体的化学结构式为如下图(f):
在120℃的环境下加热10min,烘干后得到第一像素界定薄膜14。
示例性地,采用旋涂工艺,在第一像素界定薄膜14远离衬底101的一侧旋涂正性光刻胶,在90℃的环境下加热90s,得到第二像素界定薄膜15。
S3:如图13所示,图案化第二像素界定薄膜15,形成第二像素界定层105。
第二像素界定层105具有多个第二开口H2,第二开口H2靠近衬底101的一端在衬底101上的正投影的边界G,位于第二开口H2远离衬底101的一端在衬底101上的正投影的边界I之内,使第二开口H2的侧壁倾斜设置,呈“漏斗”状。在墨水的下落轨迹发生偏离或墨水分裂成微型墨滴的情况下,墨水可沿第二开口H2的侧壁滑落至第一开口H1内,避免墨水流到第二像素界定层105远离衬底101一侧的表面上,而形成墨水的桥联现象。
示例性地,如图13所示,第二像素界定薄膜15为正性光刻胶层,采用紫外光照射第二像素界定薄膜15,第二像素界定薄膜15被紫外光照射的区域产生羧酸根,可溶解于碱性显影液。并且,由于紫外光经过正性光刻胶层时会有吸收,因此正性光刻胶层的表面比内部产生的羧酸根数量更多,使得正性光刻胶层在碱性显影液中显影后,表面比内部溶解的多,形成“漏斗”状的第二开口 H2。
例如,采用100mj(毫焦耳)的紫外光对第二像素界定薄膜15进行曝光,曝光完成后,采用2.35%的四甲基氢氧化铵水溶液中进行显影,显影完成后形成第二像素界定层105,在120℃的环境下退火150s,去除溶剂以释放第二像素界定层105内的应力。
S4:以第二像素界定层105为掩膜,图案化第一像素界定薄膜14,形成第一像素界定层104。
第一像素界定层104具有多个第一开口H1,第一开口H1暴露第一电极103 的至少一部分,第一开口H1在衬底101上的正投影与第二开口H2在衬底101 上的正投影至少部分重叠。第一开口H1的侧壁向远离第一开口H1的中心C的方向E凹陷,以减弱发光功能层墨水沿着第一开口H1的侧壁攀爬的现象,有利于形成膜厚较均匀的发光功能层10,以提高发光功能层10的发光性能和使用寿命。
示例性地,如图14所示,采用干法刻蚀工艺,以第二像素界定层105为掩膜,刻蚀第一像素界定薄膜14形成多个第一开口H1。
例如,采用反应离子腐蚀(Reactive Ion Etching,简称RIE)工艺,使用刻蚀气体对第一像素界定薄膜14进行各向异性刻蚀。参考图14,第一像素界定薄膜14未被第二像素界定层105覆盖的区域被完全刻蚀,并且由于刻蚀气体会侧向运动,第一像素界定薄膜14被第二像素界定层105覆盖的区域会发生侧向刻蚀,形成第一开口H1。
由于第一像素界定薄膜14远离衬底101一侧的表面与第二像素界定层105 接触,第一像素界定薄膜14靠近衬底101一侧的表面与第一电极103接触,使得第一开口H1的侧壁靠近第二像素界定层105以及靠近第一电极103的区域与刻蚀气体的接触较少,第一开口H1的侧壁沿方向Y的中间区域与刻蚀气体的接触较多,从而使第一开口H1的侧壁向远离第一开口H1的中心C的方向E凹陷。
其中,反应离子腐蚀工艺所使用的反应离子刻蚀机,其电极功率为100W,刻蚀气体为三氟甲烷(化学式:CHF3),刻蚀气体的压强为0.5Pa,刻蚀时间为 2min。
S5:如图15所示,在第一开口H1内形成发光功能层10。
示例性地,发光功能层10包括沿垂直于衬底101且远离衬底101的方向Y,依次层叠设置的空穴注入层106、空穴传输层107、发光层108以及电子传输层 109。在此情况下,S5包括如下S51~S54:
S51:在第一开口H1内喷墨打印空穴注入层墨水,烘干空穴注入层墨水,形成空穴注入层106。
S52:在第一开口H1内喷墨打印空穴传输层墨水,烘干空穴传输层墨水,形成空穴传输层107。
S53:在第一开口H1内喷墨打印发光层墨水,烘干发光层墨水,形成发光层108。
S54:在第一开口H1内喷墨打印电子传输层墨水,烘干电子传输层墨水,形成电子传输层109。
需要说明的是,上述S51~S54中,在第一开口H1内喷墨打印相应的墨水后,通过抽真空去除墨水中的溶剂进行膜层的定形,再退火完全去除墨水中的溶剂,得到的溶质即形成了相应的膜层。
在一些实施例中,如图9B所示,在S5之后,制备方法还包括如下S6:
S6:如图16所示,在发光功能层10远离衬底101的一侧,以及第二像素界定层105远离衬底101的一侧,形成第二电极层112。
示例性地,如图16所示,采用蒸镀工艺,在真空环境下蒸镀第二电极层112。
在一些实施例中,如图9B所示,在S6之后,制备方法还包括如下S7:
S7:如图17所示,在第二电极层112远离衬底101的一侧形成封装层113。
封装层113具有阻隔水汽和氧气的作用,用于保护显示基板100中位于封装层113下方的膜层。
示例性地,采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)工艺,在第二电极层112远离衬底101的一侧形成封装层113。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:
衬底;
多个第一电极,设置于所述衬底上;
第一像素界定层,设置于所述衬底上;所述第一像素界定层具有多个第一开口,第一开口暴露所述第一电极的至少一部分;所述第一开口的侧壁向远离所述第一开口的中心的方向凹陷;
第二像素界定层,设置于所述第一像素界定层远离所述衬底的一侧;所述第二像素界定层具有多个第二开口,第二开口在所述衬底上的正投影与所述第一开口在所述衬底上的正投影至少部分重叠;所述第二开口靠近所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界,位于所述第二开口远离所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界之内;
多个发光功能层,位于所述多个第一电极远离所述衬底的一侧,一个发光功能层设置于一个所述第一开口内。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向,所述第一开口沿平行于所述衬底的平面方向的截面的面积,由小变大再由大变小。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素界定层为疏液层;或,
所述第一像素界定层包括第一基材层,以及至少覆盖所述第一基材层的侧壁的疏液层。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向,所述第二开口沿平行于所述衬底的平面方向的截面的面积逐渐变大。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二开口靠近所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界,位于所述第一开口远离所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界之内。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二像素界定层为亲液层;或,
所述第二像素界定层包括第二基材层,以及至少覆盖所述第二基材层的侧壁的亲液层。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二像素界定层包括正性光刻胶层。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二开口的侧壁与所述第二像素界定层靠近所述衬底的表面之间的夹角范围为30°~75°。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素界定层的厚度与所述第二像素界定层的厚度的比值范围为1~3。
10.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极和所述发光功能层的厚度的和,小于所述第一像素界定层的厚度。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:
第二电极层;所述第二电极层包括设置于所述发光功能层远离所述衬底一侧的第二电极,以及覆盖在所述第二像素界定层远离所述衬底一侧的表面,和所述第二开口的侧壁上的连接图案。
12.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1~11中任一项所述的显示基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202120659425.9U CN214898497U (zh) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 显示基板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202120659425.9U CN214898497U (zh) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 显示基板及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN214898497U true CN214898497U (zh) | 2021-11-26 |
Family
ID=78872251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202120659425.9U Active CN214898497U (zh) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 显示基板及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN214898497U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114420859A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法 |
CN115802858A (zh) * | 2022-12-01 | 2023-03-14 | 安徽芯视佳半导体显示科技有限公司 | 一种oled直接rgb图形化的方法 |
-
2021
- 2021-03-31 CN CN202120659425.9U patent/CN214898497U/zh active Active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114420859A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法 |
CN114420859B (zh) * | 2021-11-29 | 2024-03-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法 |
CN115802858A (zh) * | 2022-12-01 | 2023-03-14 | 安徽芯视佳半导体显示科技有限公司 | 一种oled直接rgb图形化的方法 |
CN115802858B (zh) * | 2022-12-01 | 2023-10-13 | 安徽芯视佳半导体显示科技有限公司 | 一种oled直接rgb图形化的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20220085330A1 (en) | Display substrate and manufacturing method therefor, and display device | |
US8836214B2 (en) | Organic electronic device structures and fabrication methods | |
CN214898497U (zh) | 显示基板及显示装置 | |
US7777411B2 (en) | Light-emitting device, method of producing light-emitting device, exposure unit, and electronic device | |
CN111564482B (zh) | 显示基板及制备方法、显示装置 | |
CN107689390B (zh) | 像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板 | |
WO2019041946A1 (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
KR101818776B1 (ko) | 표시 패널 장치 및 표시 패널 장치의 제조 방법 | |
US20230040100A1 (en) | Display substrate, preparation method therefor, and display apparatus | |
US8872200B2 (en) | Display device and electronic apparatus | |
US11569476B2 (en) | Display substrate and display apparatus | |
WO2020010847A1 (zh) | 显示面板及其制造方法和显示装置 | |
US8624233B2 (en) | Organic electroluminescence display device and electronic apparatus | |
CN111710694B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
US8173485B2 (en) | Method of manufacturing organic light emitting device | |
CN112186023A (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
WO2021184235A1 (zh) | 一种阵列基板及其制备方法和显示面板 | |
CN109599430B (zh) | Oled基板及其制备方法、oled显示装置 | |
US20220399408A1 (en) | Display substrate, manufacturing method therefor, and display apparatus | |
US11626458B2 (en) | Transparent display panel and method for manufacturing the same, display device | |
JP2008004376A (ja) | デバイス、薄膜形成方法及びデバイスの製造方法並びに電子機器 | |
WO2022205921A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
JP2008112658A (ja) | 電気光学装置、電子機器、カラーフィルタ装置および画像表示機器 | |
CN114420859B (zh) | 一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法 | |
CN110518073B (zh) | 薄膜晶体管及其制备方法、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |