CN112840456A - 摄像装置及识别装置 - Google Patents

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小林英智
池田隆之
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Abstract

提供一种方便性高的摄像装置。提供一种可靠性高的摄像装置。提供一种方便性高的识别装置。提供一种可靠性高的识别装置。该摄像装置包括衬底、像素阵列、粘合层。衬底具有柔性，像素阵列位于衬底的第一面上，粘合层位于与衬底的第一面相对的第二面上。像素阵列包括受光元件及发光元件。受光元件具有检测红外光的功能，并包括第一像素电极、活性层及公共电极。发光元件具有发射红外光的功能，并包括第二像素电极、发光层及公共电极。活性层位于第一像素电极上，并包含第一有机化合物。发光层位于第二像素电极上，并包含与第一有机化合物不同的第二有机化合物。公共电极包括隔着活性层与第一像素电极重叠的部分以及隔着发光层与第二像素电极重叠的部分。

Description

摄像装置及识别装置
技术领域
本发明的一个方式涉及一种摄像装置及识别装置。
注意，本发明的一个方式不限定于上述技术领域。作为本说明书等所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、其驱动方法或者其制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。
背景技术
现有的摄像装置安装在数码照相机等设备中，随着智能手机或平板终端等便携式信息终端的普及，对提高性能、小型化、低成本化的需求增高。此外，摄像装置除了拍摄照片或动态图像以外还应用于人脸识别、指纹识别或静脉识别等生物识别、触摸传感器或动作传感器等输入器件等，其用途越来越多。
此外，摄像装置的高性能化或多功能化也得到了推进。例如，专利文献1公开了一种摄像装置，其中在像素电路的一部分中使用包含氧化物半导体的关态电流(off-statecurrent)极低的晶体管，在外围电路中使用能够制造CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor)电路的包含硅的晶体管。
专利文献2公开了一种摄像装置，其中层叠有包含硅的晶体管、包含氧化物半导体的晶体管以及包含晶体硅层的光电二极管。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2011-119711号公报
[专利文献2]日本专利申请公开第2013-243355号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性高的摄像装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的摄像装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖摄像装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性高的识别装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的识别装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖识别装置。
注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的目的。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式是一种摄像装置，包括：衬底；像素阵列；以及粘合层。衬底具有柔性，像素阵列位于衬底的第一面上，粘合层位于与衬底的第一面相对的第二面上。像素阵列包括受光元件及发光元件。受光元件具有检测红外光的功能，并包括第一像素电极、活性层及公共电极。发光元件具有发射红外光的功能，并包括第二像素电极、发光层及公共电极。活性层位于第一像素电极上，活性层包含第一有机化合物，发光层位于第二像素电极上，发光层包含与第一有机化合物不同的第二有机化合物。公共电极包括隔着活性层与第一像素电极重叠的部分以及隔着发光层与第二像素电极重叠的部分。
本发明的一个方式是一种摄像装置，包括：衬底；像素阵列；以及粘合层。衬底具有柔性，像素阵列位于衬底的第一面上，粘合层位于与衬底的第一面相对的第二面上。像素阵列包括受光元件及发光元件。受光元件具有检测红外光的功能，并包括第一像素电极、公共层、活性层及公共电极。发光元件具有发射红外光的功能，并包括第二像素电极、公共层、发光层及公共电极。活性层位于第一像素电极上，活性层包含第一有机化合物。发光层位于第二像素电极上，发光层包含与第一有机化合物不同的第二有机化合物。公共层位于第一像素电极上及第二像素电极上，并包括与活性层重叠的部分以及与发光层重叠的部分。公共电极包括隔着公共层及活性层与第一像素电极重叠的部分以及隔着公共层及发光层与第二像素电极重叠的部分。
在上述摄像装置中像素阵列优选包括在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管和在沟道形成区域包含硅的晶体管中的至少一个。
本发明的一个方式是一种识别装置，包括：上述摄像装置；控制部；存储部；以及输入输出部，其中，控制部、存储部、输入输出部位于衬底的第一面上，摄像装置具有拍摄图像的功能，存储部具有储存登录图像的功能，控制部具有对照图像与登录图像的功能，输入输出部包括天线，输入输出部具有将对照结果输出到外部的功能，并且，输入输出部具有以无线供应电力的功能。
在上述识别装置中优选还包括外部驱动电路，外部驱动电路不与衬底接触，并且输入输出部具有向外部驱动电路输出对照结果的功能。
发明效果
根据本发明的一个方式可以提供一种方便性高的摄像装置。此外，根据本发明的一个方式可以提供一种可靠性高的摄像装置。此外，根据本发明的一个方式可以提供一种新颖摄像装置。此外，根据本发明的一个方式可以提供一种方便性高的识别装置。此外，根据本发明的一个方式可以提供一种可靠性高的识别装置。此外，根据本发明的一个方式可以提供一种新颖识别装置。
注意，这些效果的记载并不妨碍其他效果的存在。注意，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的效果。
附图简要说明
图1A是说明摄像装置的方框图。图1B、图1C是说明摄像装置的立体图。
图2A、图2B是说明摄像装置的图。图2C是静脉图像的一个例子。
图3A、图3B、图3C是说明像素阵列的图。
图4A、图4B、图4C是说明像素电路的图。
图5A、图5B、图5C是说明像素电路的图。
图6A、图6B、图6C是说明像素电路的图。
图7A、图7B、图7C是说明像素电路的图。
图8A是说明卷帘快门方式的图。图8B是说明全局快门方式的图。
图9A、图9B是说明像素电路的工作的时序图。
图10A、图10B是说明像素电路的图。
图11A是说明识别装置的方框图。图11B是说明识别装置的立体图。
图12是说明识别装置的工作的流程图。
图13A、图13B是示出门的一个例子的图。图13C、图13D、图13E是示出识别装置的一个例子的立体图。
图14A1、图14B1是示出门把手的一个例子的图。图14A2、图14B2、图14C是示出识别装置的一个例子的立体图。
图15A、图15B、图15C是示出识别装置的一个例子的截面图。
图16A、图16B、图16C是示出识别装置的一个例子的截面图。
图17是示出识别装置的一个例子的截面图。
图18是示出识别装置的一个例子的截面图。
图19A、图19B是示出识别装置的一个例子的截面图。
实施发明的方式
下面，参照附图对实施方式进行说明。但是，实施方式可以以多个不同方式来实施，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式而不脱离本发明的宗旨及其范围。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。此外，当表示具有相同功能的部分时有时使用相同的阴影线，而不特别附加附图标记。
另外，即使在电路图上为一个要素，如果在功能上没有问题，该要素也可以使用多个要素构成。例如，有时被用作开关的多个晶体管可以串联或并联连接。此外，有时也可以对电容器(也称为电容元件)进行分割并将其配置在多个位置上。
此外，有时一个导电体具有布线、电极及端子等多个功能，在本说明书中，有时对同一要素使用多个名称。另外，即使在电路图上示出要素之间直接连接的情况，有时实际上该要素之间通过一个或多个导电体连接，本说明书中这种结构也包括在直接连接的范畴内。
注意，在本说明书所说明的各个附图中，有时为了明确起见，夸大表示各构成要素的大小、层的厚度、区域。因此，本发明并不局限于附图中的尺寸。
注意，在本说明书等中使用的“第一”、“第二”等序数词是为了避免构成要素的混淆而附记的，而不是为了在数目方面上进行限定的。
(实施方式1)
在本实施方式中，参照图1至图10对本发明的一个方式的摄像装置进行说明。
本发明的一个方式是一种包括发光元件的摄像装置。从发光元件发射而被摄体反射的光由像素电路所包括的受光元件接收。
通过作为发光元件使用发射红外线区域的波长的光(以下，称为红外光)的元件，可以用于生物识别或工业产品的缺陷分析等的用途。此外，通过使用能够以全局快门方式进行拍摄的像素电路，即使对运动对象进行拍摄，也可以得到没有畸变的图像。
在本说明书等中，红外光例如是指波长为0.7μm以上且1000μm以下的光。此外，有时将波长为0.7μm以上且2.5μm以下的近红外光简单地称为红外光。
图1A示出说明本发明的一个方式的摄像装置20的方框图。摄像装置20包括具有以矩阵状排列的像素电路10的像素阵列21、具有选择像素阵列21的行的功能的电路22(行驱动器)、具有从像素电路10读出数据的功能的电路23以及供应电源电位的电路28。像素电路10包括发光元件11。
电路23包括具有选择像素阵列21的列的功能的电路24(列驱动器)、用来对像素电路10的输出数据进行相关双采样处理的电路25(CDS电路)、具有将从电路25输出的模拟数据转换为数字数据的功能的电路26(A/D转换电路等)等。
以下示出摄像装置20的外观图的例子。图1B是摄像装置20的立体图。如图1B所示，摄像装置20具有片状，还具有柔性。摄像装置20通过具有柔性可以设置在具有曲面的物体上，例如门把手、汽车的方向盘等。本发明的一个方式通过具有柔性，可以对应于更多种用途，由此可以实现一种方便性高的摄像装置。
摄像装置20在其表面包括粘合层(未图示)，通过该粘合层可以将摄像装置20固定于物体上。图1C示出圆柱状的物体65的曲面设置摄像装置20的例子。本发明的一个方式通过包括粘合层，可以固定于现有的物体，由此可以实现一种方便性高的摄像装置。
本发明的一个方式的摄像装置具有如下功能：向接近或接触摄像装置的被摄对象发射红外光，检测入射到摄像装置的红外光，拍摄被摄对象的图像。图2A是使用摄像装置20拍摄时的外观图。例如，如图2A所示，向接近摄像装置20上的手52照射红外光12，检测从手52向摄像装置20入射的红外光14，由此进行拍摄。摄像装置20也可以说是反射式摄像装置。
图2B示出图2A中的以虚线围绕的区域P的放大图。图2B示出摄像装置20所包括的像素阵列21的截面示意图。像素阵列21在衬底51与衬底59之间包括像素电路10。像素电路10包括受光元件13、发光元件11及包括晶体管的层55，从发光元件11发射红外光12，受光元件13检测入射到像素阵列21的红外光14。
衬底51及衬底59优选分别具有柔性。由此，可以提高摄像装置20的柔性。此外，优选在衬底51的不设置包括晶体管的层55一侧的面设置粘合层57。例如，可以在衬底51的与设置有层55的面相对的面设置粘合层57。通过使用粘合层57将摄像装置20固定于物体，由此可以实现一种方便性高的摄像装置。
具有晶体管的层55优选具有第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管与受光元件13电连接。第二晶体管与发光元件11电连接。
包括晶体管的层55形成有晶体管及与该晶体管电连接的布线等。本发明的一个方式的摄像装置通过在包括晶体管的层55上设置受光元件13及发光元件11，可以抑制从发光元件11发射的红外光12及入射到受光元件13的红外光14被布线等遮蔽，由此可以高效地进行拍摄。其结果是，可以实现一种功耗低的摄像装置。
本发明的一个方式的摄像装置可以适用于例如手指静脉的拍摄。如图2B所示，从发光元件11发射的红外光12由手52的表面及内部的生物组织散射，一部分的散射光从生物内部向受光元件13的方向进入。该背散射光63透过静脉61，入射到受光元件13。静脉61包含很多没有氧的血红蛋白(也称为还原血红蛋白)及很多含氧的血红蛋白(也称为氧化血红蛋白)。尤其是，还原血红蛋白吸收红外光区域的约760nm的波长的光，透过静脉61的红外光变少，可以拍摄静脉图像D0。图2C示出静脉图像D0的一个例子。
图2A及图2B示出被摄对象的手52不与摄像装置20接触的例子，手52也可以与摄像装置20接触。为了不使被摄对象与摄像装置20接触，例如可以在摄像装置20的顶面设置间隔物。通过采用被摄对象不与摄像装置20接触的结构，可以抑制摄像装置20的表面被污染，由此可以抑制拍摄时拍摄污染。此外，通过采用被摄对象与摄像装置20接触的结构，可以抑制拍摄时杂散光进入摄像装置20，由此可以抑制摄像图像中的杂散光。
注意，在不重视分辨率时，也可以具有不包括发光元件11的像素电路10。例如，如图3A所示，也可以将发光元件11配置于像素电路10的每隔1列。或者，也可以将发光元件11配置于像素电路10的每隔多个列。例如，如图3B所示，也可以将发光元件11配置于像素电路10的每隔1行。或者，也可以将发光元件11配置于像素电路10的每隔多个行。例如,如图3C所示，也可以将发光元件11配置成交错形状。
对能够用于本发明的一个方式的摄像装置的像素电路的电路结构进行说明。
图4A是说明像素电路10及发光元件11的电路图。像素电路10可以包括受光元件101、晶体管103、晶体管104、晶体管105、晶体管106及电容元件108。另外，也可以不设置电容元件108。
受光元件101的一个电极(阴极)与晶体管103的源极和漏极中的一个电连接。晶体管103的源极和漏极中的另一个与晶体管104的源极和漏极中的一个电连接。晶体管104的源极和漏极中的一个与电容元件108的一个电极电连接。电容元件108的一个电极与晶体管105的栅极电连接。晶体管105的源极和漏极中的一个与晶体管106的源极和漏极中的一个电连接。
在此，将使晶体管103的源极和漏极中的另一个、电容元件108的一个电极与晶体管105的栅极连接的布线设为节点FD。节点FD可以被用作电荷存储部。
受光元件101的另一个电极(阳极)与布线121电连接。晶体管103的栅极与布线127电连接。晶体管104的源极和漏极中的另一个及晶体管105的源极和漏极中的另一个与布线122电连接。晶体管104的栅极与布线126电连接。晶体管106的栅极与布线128电连接。电容元件108的另一个电极例如与GND布线等基准电位线电连接。晶体管106的源极和漏极中的另一个与布线129电连接。
图4A中发光元件11的一个电极与布线130电连接。发光元件11的另一个电极例如与GND布线等标准电位线电连接。在该结构中，像素电路10和发光元件11不电连接，因此可以独立地控制对发光元件11输入的电位及发光元件11发光的时机。
布线127、128可以被用作控制各晶体管的导通的信号线。布线129可以被用作输出线。
布线121、122、130可以被用作电源线。图4A所示的结构是受光元件101的阴极一侧与晶体管103电连接且使节点FD复位到高电位而进行工作的结构，所以布线122处于高电位(高于布线121的电位)。此外，布线130具有供应用来对发光元件11供应正向偏压使其发光的电位的功能。
图4B是发光元件11的一个电极与布线122电连接的结构。在可以使节点FD的复位电位、供应到晶体管105的电源电位及发光元件11的输入电位共同化时，可以采用该结构。
如图4C所示，也可以对图4B的结构追加晶体管107。晶体管107的源极和漏极中的一个与发光元件11的一个电极电连接。晶体管107的源极和漏极中的另一个与布线122电连接。晶体管107的栅极与布线127电连接。通过采用该结构，可以使发光期间限定于晶体管103的导通期间，从而可以减少功耗。晶体管103需要导通的期间只是对节点FD的复位工作期间及存储工作期间，因此可以抑制读出工作期间等中的不需要的发光。
此外，当与输入到发光元件11的适当的电位相比，节点FD的复位电位等高得多时，如图5A所示，也可以将电阻器109电连接到发光元件11的一个电极和布线122之间。电阻器109被用作限流电阻，它可以限制流过发光元件11的电流，从而可以提高发光元件11的可靠性。作为电阻器109的电阻值，可以根据发光元件11的电特性选择适当的值，即可。
此外，如图5B所示，也可以使图4C所示的晶体管107工作代替电阻器109。该结构中晶体管107的栅极与布线131电连接。因此，通过改变布线131的电位，可以任意控制发光元件11的照度及发光时机，从而可以抑制功耗。
此外，如图5C所示，也可以采用如下结构：设置有晶体管107，晶体管107的源极和漏极中的另一个与布线130电连接，晶体管107的栅极与布线127电连接。在该结构中，由布线130控制对发光元件11输入的电位，且由布线127控制发光时机。
另外，图4A至图4C及图5A至图5C示出受光元件101的阴极与节点FD电连接的结构，但是如图6A至图6C及图7A至图7C所示，也可以采用受光元件101的阳极与节点FD电连接的结构。
在图6A至图6C及图7A至图7C所示的结构中，受光元件101的一个电极与布线122电连接，受光元件101的另一个电极与晶体管103的源极和漏极中的一个电连接。此外，晶体管104的源极和漏极中的另一个与布线132电连接。
布线132可以具有电源线或复位电位的供应线的功能。图6A至图6C及图7A至图7C所示的结构是受光元件101的阴极一侧与晶体管103电连接且使节点FD复位到低电位而进行工作的结构，所以布线132处于低电位(低于布线122的电位)。
图6A至图6C及图7A至图7C所示的发光元件11和其周围的构成要素的连接方式的说明可以参照图4A至图4C及图5A至图5C的说明。
作为受光元件101，可以使用光电二极管。本发明的一个方式中进行使用红外光的摄像。因此，作为受光元件101使用可以对红外光进行光电转换的光电二极管。例如，可以使用将单晶硅用于光电转换部的pn结型光电二极管、将多晶硅或微晶硅用于光电转换层的pin型光电二极管等。或者,也可以使用化合物半导体等的能够对红外光进行光电转换的材料。
在本发明的一个方式中，作为受光元件101优选使用包括包含有机化合物的层的有机光电二极管。有机光电二极管容易实现薄型化、轻量化及大面积化，且形状及设计的自由度高，由此可以应用于各种各样的摄像装置。
晶体管103具有控制节点FD的电位的功能。晶体管104具有使节点FD的电位复位的功能。晶体管105被用作源极跟随电路，可以将节点FD的电位作为图像数据输出到布线129。晶体管106具有选择输出图像数据的像素的功能。
晶体管103及晶体管104优选使用沟道形成区域中使用金属氧化物的晶体管(下面称为OS晶体管)。OS晶体管具有关态电流极低的特性。通过作为晶体管103、104使用OS晶体管，可以尽量延长能够在节点FD中保持电荷的期间。因此，可以采用在所有像素中同时进行电荷的存储工作的全局快门方式而不使电路结构、工作方法复杂。此外，可以实现一种可靠性高的摄像装置。
图8A示意性地示出卷帘快门方式的工作方法，图8B示意性地示出全局快门方式的工作方法。En表示第n列(n为自然数)的曝光(积累工作)、Rn表示第n列的读出工作。图8A、图8B示出第1行至第M行(M为自然数)的工作。
卷帘快门方式是依次进行曝光及数据读出的工作方法，其中一个行的读出期间与其他行的曝光期间重叠。曝光后立刻进行读出工作，所以即使使用数据的保持期间较短的电路结构也可以进行摄像。但是，由于由没有摄像的同时性的数据构成1个帧的图像，所以在拍摄动体时在图像中产生歪曲。
另一方面，全局快门方式是在所有像素中同时进行曝光而在各像素保持数据，按每个行读出数据的工作方法。因此，在动体的摄像中也可以得到没有歪曲的图像。
在作为像素电路采用沟道形成区域使用Si的晶体管(下面称为Si晶体管)等关态电流较高的晶体管时，数据电位容易从电荷存储部流出，所以采用卷帘快门方式。为了使用Si晶体管实现全局快门方式，需要另行设置存储电路等，而且还需要以高速进行复杂的工作。另一方面，在作为像素电路使用OS晶体管时，从电荷存储部几乎没有流出数据电位，所以容易实现全局快门方式。
注意，晶体管105、106也可以使用OS晶体管。另外，本发明的一个方式的摄像装置所包括的所有晶体管也可以为OS晶体管或Si晶体管。通过摄像装置所包括的所有晶体管都使用一种晶体管诸如OS晶体管，可以使摄像装置的制造工序简化。因此，可以降低摄像装置的制造成本。另外，可以任意组合并使用OS晶体管和Si晶体管。作为Si晶体管，可以举出含有非晶硅的晶体管、含有结晶性的硅(典型为低温多晶硅、单晶硅等)的晶体管等。
作为发光元件11，优选采用OLED(Organic Light Emitting Diode)以及QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode)等的EL元件。作为EL元件所包含的发光物质，可以举出发射荧光的物质(荧光材料)、发射磷光的物质(磷光材料)、无机化合物(量子点材料等)、呈现热活化延迟荧光的物质(热活化延迟荧光(Thermally activated delayedfluorescence:TADF)材料)等。另外，作为发光元件，也可以采用micro LED(LightEmitting Diode)等的LED。
在本发明的一个方式中，作为发光元件11优选使用EL元件。作为该EL元件可以使用发射红外光的元件。尤其是，优选为发射在700nm以上且2500nm以下的波长中具有峰值的近红外光的EL元件。例如，波长为760nm及其附近的光容易被静脉中的还原血红蛋白吸收，因此通过接收来自手掌或指头的反射光等并进行图像化，可以检测静脉的位置。将该作用用作生物识别。此外，也可以将适当的波长的近红外光利用于食品内的异物检测或工业产品的缺陷分析等无损检测。另外，通过与全局快门方式组合，即使被摄体移动，也可以进行高精度的检测。
此外，通过作为发光元件11使用EL元件，可以实现包括光源的薄型摄像装置，容易将其安装于各种设备，而且可以提高便携性。
本发明的一个方式中，使用有机EL元件作为发光元件，并使用有机光电二极管作为受光元件。有机光电二极管中可以以与有机EL元件相同的结构形成的层很多。因此，可以在不需大幅度增加制造工序的情况下在摄像装置内设置受光元件。例如，可以将受光元件的活性层及发光元件的发光层分别形成，而其他层则是受光元件和发光元件共同使用。
接着，参照图9A的时序图说明图4A至图4C及图5A至图5C所示的像素电路10的工作的一个例子。在本说明书中的时序图的说明中，以“H”表示高电位，以“L”表示低电位。对布线121一直供应“L”且对布线122一直供应“H”。
此外，发光元件11处于用来至少在存储工作的期间中适当地发光的电源电位被供应的状态。
在期间T1，当布线126的电位设为“H”、布线127的电位设为“H”、布线128的电位设为“L”时，晶体管103、104导通而对节点FD供应布线122的电位“H”(复位工作)。
在期间T2，当布线126的电位设为“L”、布线127的电位设为“H”、布线128的电位设为“L”时，晶体管104不导通而停止复位电位的供应。另外，节点FD的电位对应受光元件101的工作下降(积累工作)。
在期间T3，当布线126的电位设为“L”、布线127的电位设为“L”、布线128的电位设为“L”时，晶体管103不导通，节点FD的电位确定而被保持(保持工作)。此时，通过作为连接到节点FD的晶体管103及晶体管104使用关态电流较低的OS晶体管，可以抑制从节点FD流出过量电荷，所以可以延长数据的保持时间。
在期间T4，当布线126的电位设为“L”、布线127的电位设为“L”、布线128的电位设为“H”时，晶体管106导通，节点FD的电位根据晶体管105的源极跟随工作被读出到布线129(读出工作)。
以上是图4A至图4C及图5A至图5C所示的像素电路10的工作的一个例子。
图6A至图6C及图7A至图7C所示的像素电路10可以根据图9B的时序图进行工作。注意，对布线122一直供应“H”且对布线132一直供应“L”。基本工作与上述图9A的时序图的说明相同。
另外，如图10A、图10B所示，也可以采用在晶体管中设置背栅极的结构。图10A示出背栅极与前栅极电连接的结构，具有提高通态电流的效果。图10B示出背栅极与能够供应恒电位的布线电连接的结构，该结构可以控制晶体管的阈值电压。
另外，也可以使各晶体管可以进行适当的工作，诸如组合图10A、图10B所示的结构等。另外，像素电路也可以包括不设置有背栅极的晶体管。此外，图4A至图4C、图5A至图5C、图6A至图6C及图7A至图7C所示的所有结构可以应用晶体管中设置有背栅极的结构。
本实施方式所示的结构实例及对应于这些例子的附图等的至少一部分可以与其他结构实例或附图等适当地组合而实施。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式2)
在本实施方式中，参照图11至图14对本发明的一个方式的识别装置进行说明。
图11A示出识别装置80的方框图。识别装置80在识别部86中至少包括摄像部81、控制部82、存储部83及输入输出部85。存储部83储存程序84。此外，识别装置80也可以包括外部驱动电路87。
以下示出识别装置80的外观图的例子。图11B是识别装置80的立体图。如图11B所示，识别部86具有片状，还具有柔性。通过识别部86具有柔性，可以在具有曲面的物体例如门把手、汽车的方向盘等上设置识别部86。此外，识别部86在其表面包括粘合层(未图示)。通过识别部86包括粘合层，可以将识别部86固定于物体上，因此可以实现一种方便性高的识别装置80。例如，可以在与识别部86的设置有摄像部81的面相对的面设置粘合层。
摄像部81具有拍摄图像的功能。摄像部81可以使用发光元件及受光元件分别配置为矩阵状的半导体装置。在摄像部81中，优选使用发射红外光的发光元件及检测红外光的受光元件。例如，作为摄像部81优选使用上述摄像装置20。
存储部83具有至少储存程序84的功能。存储部83可以根据控制部82的要求将所储存的数据输出到控制部82或者储存数据。储存在存储部83中的程序84被控制部82读出而执行。
作为存储部83，例如也可以使用采用非易失性存储元件的存储装置诸如快闪存储器、MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory：磁阻随机存取存储器)、PRAM(Phasechange RAM：相变随机存取存储器)、ReRAM(Resistive RAM：电阻随机存取存储器)、FeRAM(Ferroelectric RAM：铁电随机存取存储器)等或者采用易失性存储元件的存储装置如DRAM(Dynamic RAM：动态随机存取存储器)、SRAM(Static RAM：静态随机存取存储器)等。另外，例如也可以使用硬盘驱动器(HDD：Hard Disk Drive)或固态驱动器(SSD：Solid StateDrive)等记录媒体驱动器。
存储部83优选具有使用OS晶体管的结构。由于OS晶体管的关态电流极低，所以通过将OS晶体管用于保持流入用作存储元件的电容元件的电荷(数据)的开关，可以确保较长的数据保持期间。因此，可以实现可靠性高的识别装置。
另外，作为存储部83，也可以使用通过外部接口由连接器可装卸的HDD或SSD等存储装置、快闪存储器、蓝光光盘(Blu-ray(注册商标)Disk)、DVD等记录媒体驱动器。此外，也可以将设置在外部的存储装置用作存储部83，而没有将存储部83内置在识别装置80中。在此情况下，也可以具有通过外部接口连接的结构或者通信模块以无线通信发送并接收数据的结构。
程序84也可以储存在外部的服务器中。此时，也可以通过用户访问该服务器，将程序84的一部分或全部暂时、持久、半持久(设定能够利用的期间或次数等)储存在存储部83中，控制部82执行。
控制部82具有总括控制摄像部81、存储部83及输入输出部85等各组件的功能。
控制部82通过由处理器解释且执行来自各种程序的指令，进行各种数据处理或程序控制。有可能由处理器执行的程序被存储部83读出，暂时储存在处理器所包括的存储器区域中而执行。
作为控制部82，优选使用在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管(以下，OS晶体管)。通过将OS晶体管用于控制部82的寄存器或高速缓冲存储器，可以仅在必要时使控制部82工作，而在其他情况下使之前的处理信息储存在存储元件，由此可以实现识别装置80的低功耗化。
作为控制部82，除了中央处理器(CPU：Central Processing Unit)以外，还可以单独或组合地使用DSP(Digital Signal Processor：数字信号处理器)或GPU(GraphicsProcessing Unit：图形处理器)等其他微处理器。此外，也可以由FPGA(FieldProgrammable Gate Array：现场可编程门阵列)或FPAA(Field Programmable AnalogArray：现场可编程模拟阵列)等PLD(Programmable Logic Device：可编程逻辑器件)实现这种微处理器。
输入输出部85具有向外部输入以及输出数据的功能。输入输出部85包括天线88，天线88从外部驱动电路87接收无线信号以及向外部驱动电路87发送无线信号。例如，输入输出部85使识别装置80通过电缆与外部设备连接。此外，输入输出部85也可以包括LAN(Local Area Network)连接用端子、连接AC适配器的端子等。此外，输入输出部85也可以采用除了有线之外还设置使用红外线、可见光、紫外线等的光通信用收发机的结构。
输入输出部85可以具有通过天线88以无线供应电力的结构。注意，图11B所示的天线88的形状、圈数为一个例子，本发明的一个方式不局限于此。例如，除了图11B所示的线圈状以外也可以为线状、板状。
外部驱动电路87仅在使用者被识别装置80认证时向要工作的管理对象发送信号，可以使该管理对象工作。例如，在管理对象为包括电子锁的门时，外部驱动电路87向该门发送开锁信号，由此可以开该门。例如，在管理对象为汽车时，外部驱动电路87向该汽车发送车门的开锁信号，由此可以开车门。例如，在管理对象为汽车或轻便摩托车时，向该汽车或该轻便摩托车发送发动机启动信号，由此可以使该汽车或该轻便摩托车的发动机启动。
作为外部驱动电路87，除了CPU以外还可以单独或组合使用DSP、GPU等其他微处理器。此外，这些微处理器也可以以FPGA或FPAA等PLD实现。
本发明的一个方式的识别装置所包括的所有晶体管也可以为OS晶体管或Si晶体管。通过识别装置所包括的所有晶体管都使用一种晶体管诸如OS晶体管，可以使识别装置的制造工序简化。因此，可以降低识别装置的制造成本。另外，可以任意组合并使用OS晶体管和Si晶体管。
接着，参照图12的流程图说明识别装置80的工作的一个例子。图12示出拍照静脉并使用该静脉图像进行识别的例子。此外，图12示出对静脉图像的图案进行比较并判断的模式匹配的例子，但是本发明的一个方式不局限于此。此外，也可以利用静脉图像的图案的端点或分支点等的特征点(Minutia)的细节点特征方式。
首先，在步骤S61中，控制部82对摄像部81要求执行拍摄工作，根据该要求摄像部81拍摄，所得到的静脉图像D0输出到控制部82(也可以说控制部82从摄像部81读出静脉图像D0)。控制部82可以将静脉图像D0储存于存储部83中，也可以保持于控制部82内。
接着，在步骤S62中，控制部82从存储部83读出程序84并执行该程序由此校正静脉图像D0，然后生成新的静脉图像D1。作为该校正，进行图像中的被摄体的位置校正、因拍摄时的噪声或杂散光导致的图像不均匀的校正等。在使用细节点特征方式时，抽出静脉图像D1的特征点。
接着，在步骤S63中，进行登录模式或对照模式的模式选择。当在识别装置80中登录利用者的静脉图像时，选择登录模式。当在识别装置80中已登录利用者的静脉图像且与该静脉图像对照时选择对照模式。
在执行登录模式时，在步骤S64中，控制部82将静脉图像D1储存于存储部83中。以后，以储存于存储部83中的静脉图像D1为登录图像DT。或者，控制部82也可以将静脉图像D1输出到输入输出部85。在采用细节点特征方式时，特征点储存于存储部83中。或者，也可以将特征点输出到输入输出部85。
在执行对照模式时，在步骤S65中，控制部82从存储部83将使用者的登录图像DT读出到控制部82，与在步骤S62中生成的静脉图像D1对照。在存在多个人的登录图像DT时，也可以与所有登录图像DT与静脉图像D1对照。在使用细节点特征方式时，控制部82对照特征点。
接着，在步骤S66中进行判断。在登录图像DT与静脉图像D1一致时判断成认证。在登录图像DT与静脉图像D1不一致时，判断成非认证。在判断成非认证时，也可以结束之后的处理。在不能明确地判断登录图像DT与静脉图像D1是否一致时，判断成再次判断。在判断成再次判断时，也可以回到步骤S61且再次拍摄静脉图像。
在判断成认证时，在步骤S67中，控制部82向输入输出部85输出认证信号，根据该信号输入输出部85向外部驱动电路87发送认证信号。
程序84包括在控制部82执行上述图像处理、对照的程序。
接着，对使用识别装置80将门开锁的方法进行说明。
图13A示出用于建筑物的门的一个例子，图13B示出图13A中的以虚线围绕的区域的放大图。图13A及图13B所示的门91包括门把手93及电子锁95。电子锁95具有使门闩(呆锁)96电工作且将门开锁或闭锁的功能。
图13C示出将本发明的一个方式的识别装置的识别部86设置于门把手93上的例子。识别部86具有柔性，且在其表面包括粘合层57，由此可以容易设置于门把手93。识别部86优选设置于门把手93的较宽范围。通过将识别部86设置于门把手93的广范围，使用者的手与识别部86的接触面积变大，因此可以提高认证精度。
外部驱动电路87通过信号电缆(未图示)与电子锁95连接，从外部驱动电路87向电子锁95发送信号。
图13D示出使用者握门把手93且识别部86与手52接触的状态。如上所述，识别部86拍摄并对照使用者的手52的静脉图像。在对照的结果认证时，从识别部86向外部驱动电路87发送认证信号，然后外部驱动电路87向电子锁95发送开锁信号。电子锁95使门闩96工作而开锁，由此可以开门91(图13E)。由于识别装置80可以容易设置，所以例如容易设置于现有的门上，由此可以提高安全性。
注意，虽然图13A至图13E示出纵向握住的门把手93，但是能够设置本发明的一个方式的识别装置的门把手93不局限于此。例如，如图14A1及图14A2所示，也可以适合于横向握住的门把手93。例如，如图14B1及图14B2所示，也可以适合于圆柱状的门把手93。
本发明的一个方式的识别装置可以设置于汽车上。图14C示出汽车5700的门97上设置识别部86的例子。外部驱动电路87设置于汽车5700的控制部(未图示)。汽车5700的门97有时具有曲面。识别部86具有柔性且在其表面包括粘合层57，由此可以容易设置于具有曲面的门97。使用者的手52与识别部86接触，识别部86拍摄并对照使用者的手52的静脉图像。在对照的结果认证时，从识别部86向外部驱动电路87发送认证信号，然后外部驱动电路87向汽车5700的控制部发送认证信号。汽车5700的控制部通过使门把手98的锁工作而开锁，由此可以开门97。此外，通过汽车5700的控制部接收认证信号，也可以处于使发动机启动的状态。
识别部86的设置位置不局限于汽车的车门。也可以设置在仪表盘、方向盘上，仅在认证时启动发动机。
本实施方式所示的结构实例及对应于这些例子的附图等的至少一部分可以与其他结构实例或附图等适当地组合而实施。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式3)
在本实施方式中，参照图15至图19说明本发明的一个方式的识别装置。
以下参照图15及图16说明本发明的一个方式的识别装置的详细结构。
[识别装置80A]
图15A示出识别装置80A的截面图。
识别装置80A包括显示元件110及发光元件190。
受光元件110包括像素电极111、公共层112、活性层113、公共层114及公共电极115。
发光元件190包括像素电极191、公共层112、发光层193、公共层114及公共电极115。
像素电极111、像素电极191、公共层112、活性层113、发光层193、公共层114及公共电极115均既可具有单层结构又可具有叠层结构。
像素电极111及像素电极191位于绝缘层214上。像素电极111及像素电极191可以使用同一材料及同一工序形成。
公共层112位于像素电极111上及像素电极191上。公共层112是受光元件110与发光元件190共同使用的层。
活性层113隔着公共层112与像素电极111重叠。发光层193隔着公共层112与像素电极191重叠。活性层113包含第一有机化合物，而发光层193包含与第一有机化合物不同的第二有机化合物。
公共层114位于公共层112上、活性层113上及发光层193上。公共层114是受光元件110与发光元件190共同使用的层。
公共电极115具有隔着公共层112、活性层113及公共层114与像素电极111重叠的部分。此外，公共电极115具有隔着公共层112、发光层193及公共层114与像素电极191重叠的部分。公共电极115是受光元件110与发光元件190共同使用的层。
在本实施方式的识别装置中，受光元件110的活性层113使用有机化合物。受光元件110的活性层113以外的层可以采用与发光元件190(EL)相同的结构。由此，只要在发光元件190的制造工序中追加形成活性层113的工序，就可以在形成发光元件190的同时形成受光元件110。此外，发光元件190与受光元件110可以形成在同一衬底上。因此，可以在不需大幅度增加制造工序的情况下在识别装置内设置受光元件110。
在识别装置80A中，只有受光元件110的活性层113及发光元件190的发光层193是分别形成的，而其他层可以是受光元件110和发光元件190共同使用。但是，受光元件110及发光元件190的结构不局限于此。除了活性层113及发光层193以外，受光元件110及发光元件190还可以具有其他分别形成的层(参照后述的识别装置80D、识别装置80E及识别装置80F)。受光元件110与发光元件190优选共同使用一层以上的层(公共层)。由此，可以在不需大幅度增加制造工序的情况下在识别装置内设置受光元件110。
识别装置80A在一对衬底(衬底151及衬底152)之间包括受光元件110、发光元件190、晶体管41及晶体管42等。
衬底151的外侧设置有粘合层150。通过粘合层150可以将识别装置80A固定于物体上。作为粘合层150，也可以使用能够剥离的粘合剂。再者，也可以使用剥离后能够再次粘合的粘合剂。作为粘合层150，可以使用环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、酰亚胺树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)树脂等。尤其优选使用环氧树脂等透湿性低的材料。此外，也可以使用两液混合型树脂。此外，也可以使用粘合薄片等。
在受光元件110中，位于像素电极111与公共电极115之间的公共层112、活性层113及公共层114各自可以被称为有机层(包含有机化合物的层)。像素电极111优选具有反射红外光的功能。像素电极111的端部被分隔壁216覆盖。公共电极115优选具有透射红外光的功能。
受光元件110具有检测光的功能。具体而言，受光元件110是接受从识别装置80A的外部入射的红外光14并将其转换为电信号的受光元件。红外光14也可以说是发光元件190的光被对象物反射的光。此外，红外光14也可以通过透镜(未图示)入射到受光元件110。
衬底152的衬底151一侧的表面设置有遮光层BM。遮光层BM在与受光元件110重叠的位置及与发光元件190重叠的位置形成有开口。通过设置遮光层BM，可以控制受光元件110检测光的范围。
作为遮光层BM，可以使用遮挡来自发光元件的光的材料。遮光层BM优选吸收红外光。作为遮光层BM，例如，可以使用金属材料或包含颜料(碳黑等)或染料的树脂材料等形成黑矩阵。
这里，从发光元件190发射的光被对象物反射而受光元件110检测出该反射光。但是，有时来自发光元件190的光在识别装置80A内被反射而不经对象物地入射到受光元件110。遮光层BM可以减少这种杂散光的负面影响。例如，在没有设置遮光层BM的情况下，有时发光元件190所发射的光123a被衬底152反射，由此反射光123b入射到受光元件110。通过设置遮光层BM，可以抑制反射光123b入射到受光元件110。由此，可以减少噪声来提高使用受光元件110的传感器的灵敏度。
在发光元件190中，分别位于像素电极191与公共电极115之间的公共层112、发光层193及公共层114可以被称为EL层。像素电极191优选具有反射红外光的功能。像素电极191的端部被分隔壁216覆盖。像素电极111和像素电极191通过分隔壁216彼此电绝缘。公共电极115优选具有透射红外光的功能。
发光元件190具有发射红外光的功能。具体而言，发光元件190是电压被施加到像素电极191与公共电极115之间时向衬底152一侧发射光的电致发光元件(参照红外光12)。
发光层193优选以不与受光元件110的受光区域重叠的方式形成。由此，可以抑制发光层193对红外光14的吸收，来可以增加照射到受光元件110的光量。
像素电极111通过设置在绝缘层214中的开口电连接到晶体管41的源极或漏极。像素电极111的端部被分隔壁216覆盖。
像素电极191通过设置在绝缘层214中的开口电连接到晶体管42的源极或漏极。像素电极191的端部被分隔壁216覆盖。晶体管42具有控制发光元件190的驱动的功能。
晶体管41及晶体管42接触地形成于同一层(图15A中的衬底151)上。
电连接于受光元件110的电路中的至少一部分优选使用与电连接于发光元件190的电路相同的材料及工序而形成。由此，与分别形成两个电路的情况相比，可以减小识别装置的厚度，并可以简化制造工序。
受光元件110及发光元件190各自优选被保护层195覆盖。在图15A中，保护层195设置在公共电极115上并与该公共电极115接触。通过设置保护层195，可以抑制水等杂质混入受光元件110及发光元件190，由此可以提高受光元件110及发光元件190的可靠性。此外，可以使用粘合层142贴合保护层195和衬底152。
[识别装置80B]
图15B示出识别装置80B的截面图。此外，在后述的识别装置的说明中，有时省略说明与先前说明的识别装置同样的结构。
图15B所示的识别装置80B与识别装置80A的不同之处在于：包括衬底153、衬底154、粘合层155、绝缘层212及分隔壁217，而不包括衬底151、衬底152及分隔壁216。
衬底153的外侧设置有粘合层150。通过粘合层150可以将识别装置80B固定于物体上。
衬底153和绝缘层212被粘合层155贴合。衬底154和保护层195被粘合层142贴合。
识别装置80B将形成在制造衬底上的绝缘层212、晶体管41、晶体管42、受光元件110及发光元件190等转置在衬底153上而形成。衬底153和衬底154优选具有柔性。由此，可以提高识别装置80B的柔性。例如，衬底153和衬底154优选使用树脂。
作为衬底153及衬底154，可以使用如下材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂、聚丙烯腈树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚醚砜(PES)树脂、聚酰胺树脂(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚硅氧烷树脂、环烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚四氟乙烯(PTFE)树脂、ABS树脂以及纤维素纳米纤维等。衬底153和衬底154中的一个或两个也可以使用其厚度为具有柔性程度的玻璃。
本实施方式的识别装置所具有的衬底可以使用光学各向同性高的薄膜。作为光学各向同性高的薄膜，可以举出三乙酸纤维素(也被称为TAC：Cellulose triacetate)薄膜、环烯烃聚合物(COP)薄膜、环烯烃共聚物(COC)薄膜及丙烯酸薄膜等。
分隔壁217优选吸收发光元件所发射的光。作为分隔壁217，例如可以使用包含颜料或染料的树脂材料等形成黑矩阵。此外，通过使用茶色抗蚀剂材料，可以由被着色的绝缘层构成分隔壁217。
发光元件190所发射的光123c有时被衬底152及分隔壁217反射，使得反射光123d入射到受光元件110。此外，光123c有时透过分隔壁217被晶体管或布线等反射，使得反射光入射到受光元件110。通过由分隔壁217吸收光123c，可以抑制反射光123d入射到受光元件110。由此，可以减少噪声来提高使用受光元件110的传感器的灵敏度。
分隔壁217优选至少吸收受光元件110所检测出的光的波长。例如，在受光元件110检测出发光元件190所发射的绿色光的情况下，分隔壁217优选至少吸收绿色光。例如，当分隔壁217具有红色滤光片时，可以吸收绿色光123c，由此可以抑制反射光123d入射到受光元件110。
[识别装置80C]
图15C示出识别装置80C的截面图。
识别装置80C与识别装置80B的不同之处在于受光元件110上及发光元件190上不包括保护层195。识别装置80C使用粘合层142贴合公共电极115和衬底152。
[识别装置80D、识别装置80E及识别装置80F]
图16A示出识别装置80D的截面图，图16B示出识别装置80E的截面图，并且图16C示出识别装置80F的截面图。
识别装置80D与识别装置80B的不同之处在于：包括缓冲层184及缓冲层194，而没有公共层114。缓冲层184及缓冲层194既可具有单层结构又可具有叠层结构。
在识别装置80D中，受光元件110包括像素电极111、公共层112、活性层113、缓冲层184及公共电极115。此外，在识别装置80D中，发光元件190包括像素电极191、公共层112、发光层193、缓冲层194及公共电极115。
识别装置80E与识别装置80B的不同之处在于：包括缓冲层182及缓冲层192，而没有公共层112。缓冲层182及缓冲层192既可具有单层结构又可具有叠层结构。
在识别装置80E中，受光元件110包括像素电极111、缓冲层182、活性层113、公共层114及公共电极115。此外，在识别装置80E中，发光元件190包括像素电极191、缓冲层192、发光层193、公共层114及公共电极115。
识别装置80F与识别装置80B的不同之处在于：包括缓冲层182、缓冲层184、缓冲层192及缓冲层194，而没有公共层112及公共层114。
在识别装置80F中，受光元件110包括像素电极111、缓冲层182、活性层113、缓冲层184及公共电极115。此外，在识别装置80F中，发光元件190包括像素电极191、缓冲层192、发光层193、缓冲层194及公共电极115。
在受光元件110及发光元件190的制造中，不但可以分别形成活性层113及发光层193，而且还可以分别形成其他层。
在识别装置80D中，分别形成公共电极115与活性层113之间的缓冲层184及公共电极115与发光层193之间的缓冲层194。作为缓冲层194，例如，可以形成电子注入层和电子传输层中的一个或两个。
在识别装置80E中，分别形成像素电极111与活性层113之间的缓冲层182及像素电极191与发光层193之间的缓冲层192。作为缓冲层192，例如，可以形成空穴注入层和空穴传输层中的一个或两个。
在识别装置80F中，受光元件110和发光元件190在一对电极(像素电极111或像素电极191与公共电极115)之间没有公共层。作为识别装置80F所包括的受光元件110及发光元件190，在绝缘层214上使用同一材料及同一工序形成像素电极111及像素电极191，在像素电极111上形成缓冲层182、活性层113及缓冲层184，在像素电极191上形成缓冲层192、发光层193及缓冲层194，然后，以覆盖像素电极111、缓冲层182、活性层113、缓冲层184、像素电极191、缓冲层192、发光层193及缓冲层194的方式形成公共电极115。对缓冲层182、活性层113及缓冲层184的叠层结构、缓冲层192、发光层193及缓冲层194的叠层结构的形成顺序没有特别的限制。例如，也可以在形成缓冲层182、活性层113、缓冲层184之后，形成缓冲层192、发光层193及缓冲层194。与此相反，也可以在形成缓冲层182、活性层113、缓冲层184之前，形成缓冲层192、发光层193及缓冲层194。此外，也可以按照缓冲层182、缓冲层192、活性层113、发光层193等的顺序交替形成。
以下参照图14至图19说明本发明的一个方式的识别装置的更详细的结构。
[识别装置100A]
图17示出识别装置100A的截面图。
识别装置100A具有贴合衬底152与衬底151的结构。
识别装置100A包括像素阵列162、电路164等。图17示出沿着识别装置100A的包括电路164的区域的一部分、包括像素阵列162的区域的一部分以及包括端部的区域的一部分的截面的一个例子。
作为电路164，例如可以使用实施方式1所示的电路22、电路23、电路28。此外，作为电路164例如可以使用实施方式2所示的控制部82、输入输出部85、存储部83。在将像素阵列162及电路164形成于同一衬底上时，不需要作为电路另行使用由硅晶片等形成的半导体装置，所以可以减少识别装置的构件个数。
图17所示的识别装置100A在衬底151与衬底152之间包括晶体管201、晶体管205、晶体管206、发光元件190及受光元件110等。
衬底152及绝缘层214通过粘合层142粘合。作为对发光元件190及受光元件110的密封，可以采用固体密封结构或中空密封结构等。在图17中，由衬底152、粘合层142及绝缘层214围绕的空间143填充有非活性气体(氮、氩等)，采用中空密封结构。粘合层142也可以与发光元件190重叠。此外，由衬底152、粘合层142及绝缘层214围绕的空间143也可以填充有与粘合层142不同的树脂。
发光元件190具有从绝缘层214一侧依次层叠有像素电极191、公共层112、发光层193、公共层114及公共电极115的叠层结构。像素电极191通过形成在绝缘层214中的开口与晶体管206所包括的导电层222b连接。晶体管206具有控制发光元件190的驱动的功能。分隔壁216覆盖像素电极191的端部。像素电极191包含反射红外光的材料，而公共电极115包含透射红外光的材料。
受光元件110具有从绝缘层214一侧依次层叠有像素电极111、公共层112、活性层113、公共层114及公共电极115的叠层结构。像素电极111通过形成在绝缘层214中的开口与晶体管205所包括的导电层222b电连接。分隔壁216覆盖像素电极111的端部。像素电极111包含反射红外光的材料，而公共电极115包含透射红外光的材料。
发光元件190将光发射到衬底152一侧。此外，受光元件110通过衬底152及空间143接收光。衬底152优选使用对红外光的透过性高的材料。
像素电极111及像素电极191可以使用同一材料及同一工序形成。公共层112、公共层114及公共电极115用于受光元件110和发光元件190的双方。除了活性层113及发光层193以外，受光元件110和发光元件190可以共同使用其他层。由此，由此，可以在不需大幅度增加制造工序的情况下在识别装置100A内设置受光元件110。
衬底152的衬底151一侧的表面设置有遮光层BM。遮光层BM在与受光元件110重叠的位置及与发光元件190重叠的位置形成有开口。通过设置遮光层BM，可以控制受光元件110检测光的范围。此外，通过设置有遮光层BM，可以抑制光从发光元件190不经对象物地直接入射到受光元件110。由此，可以实现噪声少且灵敏度高的传感器。
晶体管201、晶体管205及晶体管206都设置在衬底151上。这些晶体管可以使用同一材料及同一工序形成。
在衬底151上依次设置有绝缘层211、绝缘层213、绝缘层215及绝缘层214。绝缘层211的一部分用作各晶体管的栅极绝缘层。绝缘层213的一部分用作各晶体管的栅极绝缘层。绝缘层215以覆盖晶体管的方式设置。绝缘层214以覆盖晶体管的方式设置，并被用作平坦化层。此外，对栅极绝缘层的个数及覆盖晶体管的绝缘层的个数没有特别的限制，既可以为一个，又可以为两个以上。
优选的是，将水或氢等杂质不容易扩散的材料用于覆盖晶体管的绝缘层中的至少一个。由此，可以将绝缘层被用作阻挡层。通过采用这种结构，可以有效地抑制杂质从外部扩散到晶体管中，从而可以提高识别装置的可靠性。
作为绝缘层211、绝缘层213及绝缘层215优选使用无机绝缘膜。作为无机绝缘膜，例如可以使用氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜、氮化铝膜等无机绝缘膜。此外，也可以使用氧化铪膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镓膜、氧化钽膜、氧化镁膜、氧化镧膜、氧化铈膜及氧化钕膜等。此外，也可以层叠上述绝缘膜中的两个以上。
这里，有机绝缘膜的阻挡性在很多情况下低于无机绝缘膜。因此，有机绝缘膜优选在识别装置100A的端部附近包括开口。由此，可以抑制从识别装置100A的端部通过有机绝缘膜的杂质侵入。此外，也可以以其端部位于识别装置100A的端部的内侧的方式形成有机绝缘膜，以保护有机绝缘膜不暴露于识别装置100A的端部。
用作平坦化层的绝缘层214优选使用有机绝缘膜。作为能够用于有机绝缘膜的材料，例如可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及这些树脂的前体等。
在图17所示的区域228中，在绝缘层214中形成有开口。由此，即使在使用有机绝缘膜作为绝缘层214的情况下，也可以抑制杂质从外部通过绝缘层214侵入像素阵列162。由此，可以提高识别装置100A的可靠性。
晶体管201、晶体管205及晶体管206包括：用作栅极的导电层221；用作栅极绝缘层的绝缘层211；用作源极及漏极的导电层222a及导电层222b；半导体层231；用作栅极绝缘层的绝缘层213；以及用作栅极的导电层223。在此，经过对同一导电膜进行加工而得到的多个层附有相同的阴影线。绝缘层211位于导电层221与半导体层231之间。绝缘层213位于导电层223与半导体层231之间。
对本实施方式的识别装置所包括的晶体管结构没有特别的限制。例如，可以采用平面型晶体管、交错型晶体管或反交错型晶体管等。此外，晶体管都可以具有顶栅结构或底栅结构。或者，也可以在形成沟道的半导体层上下设置有栅极。
作为晶体管201、晶体管205及晶体管206，采用两个栅极夹持形成沟道的半导体层的结构。此外，也可以连接两个栅极，并通过对该两个栅极供应同一信号，来驱动晶体管。或者，通过对两个栅极中的一个施加用来控制阈值电压的电位，对另一个施加用来进行驱动的电位，可以控制晶体管的阈值电压。
对用于晶体管的半导体材料的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体、具有结晶性的半导体(微晶半导体、多晶半导体、单晶半导体或者其一部分具有结晶区域的半导体)。当使用具有结晶性的半导体时可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。
晶体管的半导体层优选使用金属氧化物(氧化物半导体)。此外，晶体管的半导体层也可以包含硅。作为硅，可以举出非晶硅、结晶硅(低温多晶硅、单晶硅等)等。
例如，半导体层优选包含铟、M(M为选自镓、铝、硅、硼、钇、锡、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨或镁中的一种或多种)和锌。尤其是，M优选为选自铝、镓、钇或锡中的一种或多种。
尤其是，作为半导体层，优选使用包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物(IGZO)。
当半导体层为In-M-Zn氧化物时，优选用来形成In-M-Zn氧化物的溅射靶材中的In的原子数比为M的原子数比以上。作为这种溅射靶材的金属元素的原子数比，可以举出In：M：Zn＝1：1：1、In：M：Zn＝1：1：1.2、In：M：Zn＝2：1：3、In：M：Zn＝3：1：2、In：M：Zn＝4：2：3、In：M：Zn＝4：2：4.1、In：M：Zn＝5：1：6、In：M：Zn＝5：1：7、In：M：Zn＝5：1：8、In：M：Zn＝6：1：6、In：M：Zn＝5：2：5等。
此外，作为溅射靶材优选使用含有多晶氧化物的靶材，由此可以易于形成具有结晶性的半导体层。注意，所形成的半导体层的原子数比分别包含上述溅射靶材中的金属元素的原子数比的±40％的范围内。例如，在被用于半导体层的溅射靶材的组成为In:Ga:Zn＝4:2:4.1[原子数比]时，所形成的半导体层的组成有时为In:Ga:Zn＝4:2:3[原子数比]或其附近。
当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝4：2：3或其附近时包括如下情况：In的原子数比为4时，Ga的原子数比为1以上且3以下，Zn的原子数比为2以上且4以下。此外，当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝5：1：6或其附近时包括如下情况：In的原子数比为5时，Ga的原子数比大于0.1且为2以下，Zn的原子数比为5以上且7以下。此外，当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝1：1：1或其附近时包括如下情况：In的原子数比为1时，Ga的原子数比大于0.1且为2以下，Zn的原子数比大于0.1且为2以下。
电路164所包括的晶体管和像素阵列162所包括的晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有不同的结构。电路164所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的不同结构。与此同样，像素阵列162所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的不同结构。
衬底151的外侧设置有粘合层150。通过粘合层150可以将识别装置100A固定于物体上。
此外，可以在衬底152的外侧的表面上配置各种光学构件。作为光学构件，可以使用偏振片、相位差板、光扩散层(扩散薄膜等)、防反射层及聚光薄膜(condensing film)等。此外，在衬底152的外侧的表面上也可以配置抑制尘埃的附着的抗静电膜、不容易被弄脏的具有拒水性的膜、抑制使用时的损伤的硬涂膜、缓冲层等。
衬底151及衬底152可以使用玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石以及树脂等。通过将具有柔性的材料用于衬底151及衬底152，可以提高识别装置的柔性。
作为粘合层142、粘合层150，可以使用紫外线固化粘合剂等光固化粘合剂、反应固化粘合剂、热固化粘合剂、厌氧粘合剂等各种固化粘合剂。作为这些粘合剂，可以举出环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、酰亚胺树脂、PVC树脂、PVB树脂、EVA树脂等。尤其是，优选使用环氧树脂等透湿性低的材料。此外，也可以使用两液混合型树脂。此外，也可以使用粘合薄片等。
发光元件190具有顶部发射结构、底部发射结构或双面发射结构等。作为提取光一侧的电极使用使红外光透过的导电膜。此外，作为不提取光一侧的电极优选使用反射红外光的导电膜。
发光元件190至少包括发光层193。作为发光层193以外的层，发光元件190还可以包括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、空穴阻挡材料、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质或双极性的物质(电子传输性及空穴传输性高的物质)等的层。例如，公共层112优选具有空穴注入层和空穴传输层中的一个或两个。公共层114优选具有电子传输层和电子注入层中的一个或两个。
公共层112、发光层193及公共层114可以使用低分子化合物或高分子化合物，还可以包含无机化合物。构成公共层112、发光层193及公共层114的层可以通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法、涂敷法等的方法形成。
发光层193也可以包含量子点等无机化合物作为发光材料。
受光元件110的活性层113包含半导体。作为该半导体，可以举出硅等无机半导体及包含有机化合物的有机半导体。在本实施方式中，示出使用有机半导体作为活性层含有的半导体的例子。通过使用有机半导体，可以以同一方法(例如真空蒸镀法)形成发光元件190的发光层193和受光元件110的活性层113，并可以共同使用制造设备，所以是优选的。
作为活性层113含有的n型半导体的材料，可以举出富勒烯(例如C60、C70等)或其衍生物等具有电子接受性的有机半导体材料。此外，作为活性层113含有的p型半导体的材料，可以举出铜(II)酞菁(Copper(II)phthalocyanine:CuPc)或四苯基二苯并二茚并芘(Tetraphenyldibenzoperiflanthene：DBP)等具有电子供给性的有机半导体材料。
例如，优选共蒸镀n型半导体和p型半导体形成活性层113。
作为可用于晶体管的栅极、源极及漏极和构成识别装置的各种布线及电极等导电层的材料，可以举出铝、钛、铬、镍、铜、钇、锆、钼、银、钽或钨等金属或者以上述金属为主要成分的合金等。可以使用包含这些材料的膜的单层或叠层。
此外，作为具有透光性的导电材料，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、包含镓的氧化锌等导电氧化物或石墨烯。或者，可以使用金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯或钛等金属材料、包含该金属材料的合金材料。或者，还可以使用该金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。此外，当使用金属材料、合金材料(或者它们的氮化物)时，优选将其形成得薄到具有透光性。此外，可以使用上述材料的叠层膜作为导电层。例如，通过使用银和镁的合金与铟锡氧化物的叠层膜等，可以提高导电性，所以是优选的。上述材料也可以用于构成识别装置的各种布线及电极等的导电层、显示元件所包括的导电层(被用作像素电极及公共电极的导电层)。
作为可用于各绝缘层的绝缘材料，例如可以举出丙烯酸树脂或环氧树脂等树脂、无机绝缘材料如氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅或氧化铝等。
[识别装置100B]
图18示出识别装置100B的截面图。
识别装置100B与识别装置100A的主要不同之处在于：不包括衬底151及衬底152而包括衬底153、衬底154、粘合层155及绝缘层212且包括保护层195。
衬底153和绝缘层212被粘合层155贴合。衬底154和保护层195被粘合层142贴合。粘合层142与受光元件110及发光元件190重叠，识别装置100B采用固体密封结构。
识别装置100B将形成在制造衬底上的绝缘层212、晶体管208、晶体管209、受光元件110及发光元件190等转置在衬底153上而形成。衬底153和衬底154优选具有柔性。由此，可以提高识别装置100B的柔性。
衬底153的外侧设置有粘合层150。通过粘合层150可以将识别装置100B固定于物体上。
作为绝缘层212，可以使用可以用于绝缘层211、绝缘层213及绝缘层215的无机绝缘膜。
通过设置覆盖受光元件110及发光元件190的保护层195，可以抑制水等杂质混入受光元件110及发光元件190，由此可以提高受光元件110及发光元件190的可靠性。
在识别装置100B的端部附近的区域228中，优选绝缘层215与保护层195通过绝缘层214的开口彼此接触。尤其是，特别优选绝缘层215含有的无机绝缘膜与保护层195含有的无机绝缘膜彼此接触。由此，可以抑制杂质从外部通过有机绝缘膜混入识别装置100B。因此，可以提高识别装置100B的可靠性。
保护层195也可以具有有机绝缘膜和无机绝缘膜的叠层结构。此时，无机绝缘膜的端部优选延伸到有机绝缘膜的端部的外侧。
[识别装置100C]
图19A示出识别装置100C的截面图。
识别装置100C与识别装置100B的不同之处在于晶体管的结构。
识别装置100C在衬底151上包括晶体管208、晶体管209及晶体管210。
晶体管208、晶体管209及晶体管210包括：用作栅极的导电层221；用作栅极绝缘层的绝缘层211；包含沟道形成区域231i及一对低电阻区域231n的半导体层；与一对低电阻区域231n中的一个连接的导电层222a；与一对低电阻区域231n中的另一个连接的导电层222b；用作栅极绝缘层的绝缘层225；用作栅极的导电层223；以及覆盖导电层223的绝缘层215。绝缘层211位于导电层221与沟道形成区域231i之间。绝缘层225位于导电层223与沟道形成区域231i之间。
导电层222a及导电层222b通过设置在绝缘层225及绝缘层215中的开口与低电阻区域231n连接。导电层222a及导电层222b中的一个用作源极，另一个用作漏极。
发光元件190的像素电极191通过导电层222b与晶体管208的一对低电阻区域231n中的一个电连接。
受光元件110的像素电极111通过导电层222b与晶体管209的一对低电阻区域231n中的另一个电连接。
图19A所示的晶体管208、晶体管209及晶体管210示出绝缘层225覆盖半导体层的顶面及侧面的例子。另一方面，在图19B所示的晶体管202中，绝缘层225与半导体层231的沟道形成区域231i重叠而不与低电阻区域231n重叠。例如，通过以导电层223为掩模形成绝缘层225，可以制成图19B所示的结构。在图19B中，绝缘层215覆盖绝缘层225及导电层223，并且导电层222a及导电层222b分别通过绝缘层215的开口与低电阻区域231n连接。再者，还可以设置有覆盖晶体管202的绝缘层218。
[金属氧化物]
以下，将说明可用于半导体层的金属氧化物。
在本说明书等中，有时将包含氮的金属氧化物也称为金属氧化物(metal oxide)。此外，也可以将包含氮的金属氧化物称为金属氧氮化物(metal oxynitride)。例如，可以将锌氧氮化物(ZnON)等含有氮的金属氧化物用于半导体层。
优选将载流子浓度低的金属氧化物用于半导体层。为了降低金属氧化物的载流子浓度，降低金属氧化物中的杂质浓度以降低缺陷态密度。在本说明书等中，将杂质浓度低且缺陷态密度低的状态称为“高纯度本征”或“实质上高纯度本征”。另外，作为金属氧化物中的杂质，例如有氢、氮、碱金属、碱土金属、铁、镍、硅等。
特别是，由于包含在金属氧化物中的氢与键合到金属原子的氧起反应而成为水，因此有时在金属氧化物中形成氧空位。当金属氧化物中的沟道形成区域中包括氧空位时，晶体管有时具有常开启特性。再者，有时氢进入氧空位中而成的缺陷被用作供体而生成作为载流子的电子。此外，氢的一部分键合到与金属原子键合的氧而生成作为载流子的电子。因此，使用包含多量氢的金属氧化物的晶体管容易具有常开启特性。
氢进入了氧空位的缺陷可能被用作金属氧化物的供体。然而，定量地评价该缺陷是困难的。于是，在金属氧化物中，有时不以供体浓度而以载流子浓度进行评价。因此，在本说明书等中，有时作为金属氧化物的参数，不采用供体浓度而采用假定不施加电场的状态的载流子浓度。也就是说，本说明书等所记载的“载流子浓度”有时可以称为“供体浓度”。
由此，优选尽可能减少金属氧化物中的氢。具体而言，在金属氧化物中，利用二次离子质谱(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)测得的氢浓度低于1×1020atoms/cm3，优选低于1×1019atoms/cm3，更优选低于5×1018atoms/cm3，进一步优选低于1×1018atoms/cm3。通过将氢等杂质被充分降低的金属氧化物用于晶体管的沟道形成区域，可以使晶体管具有稳定的电特性。
沟道形成区域的金属氧化物的载流子浓度优选为1×1018cm-3以下，更优选小于1×1017cm-3，进一步优选小于1×1016cm-3，更进一步优选小于1×1013cm-3，还进一步优选小于1×1012cm-3。注意，对沟道形成区域的金属氧化物的载流子浓度的下限值没有特别的限制，例如可以为1×10-9cm-3。
在本说明书等中，有时记载为CAAC(c-axis aligned crystal)或CAC(Cloud-Aligned Composite)。CAAC是指结晶结构的一个例子，CAC是指功能或材料构成的一个例子。
例如，作为半导体层，可以使用CAC(Cloud-Aligned Composite)-OS。
CAC-OS或CAC-metal oxide在材料的一部分中具有导电性的功能，在材料的另一部分中具有绝缘性的功能，作为材料的整个部分具有半导体的功能。此外，在将CAC-OS或CAC-metal oxide用于晶体管的沟道形成区域的情况下，导电性的功能是使被用作载流子的电子(或空穴)流过的功能，绝缘性的功能是不使被用作载流子的电子流过的功能。通过导电性的功能和绝缘性的功能的互补作用，可以使CAC-OS或CAC-metal oxide具有开关功能(开启/关闭的功能)。通过在CAC-OS或CAC-metal oxide中使各功能分离，可以最大限度地提高各功能。
CAC-OS或CAC-metal oxide包括导电性区域及绝缘性区域。导电性区域具有上述导电性的功能，绝缘性区域具有上述绝缘性的功能。此外，在材料中，导电性区域和绝缘性区域有时以纳米粒子级分离。此外，导电性区域和绝缘性区域有时在材料中不均匀地分布。此外，有时观察到其边缘模糊而以云状连接的导电性区域。
在CAC-OS或CAC-metal oxide中，导电性区域和绝缘性区域有时以0.5nm以上且10nm以下，优选为0.5nm以上且3nm以下的尺寸分散在材料中。
CAC-OS或CAC-metal oxide由具有不同带隙的成分构成。例如，CAC-OS或CAC-metal oxide由具有起因于绝缘性区域的宽隙的成分及具有起因于导电性区域的窄隙的成分构成。在该构成中，当使载流子流过时，载流子主要在具有窄隙的成分中流过。此外，具有窄隙的成分通过与具有宽隙的成分的互补作用，与具有窄隙的成分联动而使载流子流过具有宽隙的成分。因此，在将上述CAC-OS或CAC-metal oxide用于晶体管的沟道形成区域时，在晶体管的导通状态中可以得到高电流驱动力，即大通态电流及高场效应迁移率。
就是说，也可以将CAC-OS或CAC-metal oxide称为基质复合材料(matrixcomposite)或金属基质复合材料(metal matrix composite)。
氧化物半导体(金属氧化物)被分为单晶氧化物半导体和非单晶氧化物半导体。作为非单晶氧化物半导体例如有CAAC-OS(c-axis aligned crystalline oxidesemiconductor)、多晶氧化物半导体、nc-OS(nanocrystalline oxide semiconductor)、a-like OS(amorphous-like oxide semiconductor)及非晶氧化物半导体等。
CAAC-OS具有c轴取向性，其多个纳米晶在a-b面方向上连结而结晶结构具有畸变。注意，畸变是指在多个纳米晶连结的区域中晶格排列一致的区域与其他晶格排列一致的区域之间的晶格排列的方向变化的部分。
虽然纳米晶基本上是六角形，但是并不局限于正六角形，有不是正六角形的情况。此外，在畸变中有时具有五角形或七角形等晶格排列。此外，在CAAC-OS中，即使在畸变附近也难以观察到明确的晶界(grain boundary)。即，可知由于晶格排列畸变，可抑制晶界的形成。这是由于CAAC-OS因为a-b面方向上的氧原子排列的低密度或因金属元素被取代而使原子间的键合距离产生变化等而能够包容畸变。
CAAC-OS有具有层状结晶结构(也称为层状结构)的倾向，在该层状结晶结构中层叠有包含铟及氧的层(下面称为In层)和包含元素M、锌及氧的层(下面称为(M,Zn)层)。此外，铟和元素M彼此可以取代，在用铟取代(M,Zn)层中的元素M的情况下，也可以将该层表示为(In,M,Zn)层。此外，在用元素M取代In层中的铟的情况下，也可以将该层表示为(In,M)层。
CAAC-OS是结晶性高的金属氧化物。另一方面，在CAAC-OS中不容易观察明确的晶界，因此不容易发生起因于晶界的电子迁移率的下降。此外，金属氧化物的结晶性有时因杂质的进入或缺陷的生成等而降低，因此可以说CAAC-OS是杂质或缺陷(氧空位(也称为VO：oxygen vacancy)等)少的金属氧化物。因此，包含CAAC-OS的金属氧化物的物理性质稳定。因此，包含CAAC-OS的金属氧化物具有高耐热性及高可靠性。
在nc-OS中，微小的区域(例如1nm以上且10nm以下的区域，特别是1nm以上且3nm以下的区域)中的原子排列具有周期性。此外，nc-OS在不同的纳米晶之间观察不到结晶取向的规律性。因此，在膜整体中观察不到取向性。所以，有时nc-OS在某些分析方法中与a-likeOS或非晶氧化物半导体没有差别。
此外，在包含铟、镓和锌的金属氧化物的一种的铟-镓-锌氧化物(以下，IGZO)有时在由上述纳米晶构成时具有稳定的结构。尤其是，IGZO有在大气中不容易进行晶体生长的倾向，所以有时与在IGZO由大结晶(在此，几mm的结晶或者几cm的结晶)形成时相比在IGZO由小结晶(例如，上述纳米结晶)形成时在结构上稳定。
a-like OS是具有介于nc-OS与非晶氧化物半导体之间的结构的金属氧化物。a-like OS包含空洞或低密度区域。也就是说，a-like OS的结晶性比nc-OS及CAAC-OS的结晶性低。
氧化物半导体(金属氧化物)具有各种结构及各种特性。本发明的一个方式的氧化物半导体也可以包括非晶氧化物半导体、多晶氧化物半导体、a-like OS、nc-OS、CAAC-OS中的两种以上。
用作半导体层的金属氧化物膜可以使用非活性气体和氧气体中的任一个或两个形成。注意，对形成金属氧化物膜时的氧流量比(氧分压)没有特别的限制。但是，在要获得场效应迁移率高的晶体管的情况下，形成金属氧化物膜时的氧流量比(氧分压)优选为0％以上且30％以下，更优选为5％以上且30％以下，进一步优选为7％以上且15％以下。
金属氧化物的能隙优选为2eV以上，更优选为2.5eV以上，进一步优选为3eV以上。如此，通过使用能隙宽的金属氧化物，可以减少晶体管的关态电流。
形成金属氧化物膜时的衬底温度优选为350℃以下，更优选为室温以上且200℃以下，进一步优选为室温以上且130℃以下。形成金属氧化物膜时的衬底温度优选为室温，由此可以提高生产率。
金属氧化物膜可以通过溅射法形成。除此之外，例如还可以利用PLD法、PECVD法、热CVD法、ALD法、真空蒸镀法等。
如上所述，本实施方式的识别装置在摄像部包括受光元件及发光元件，该摄像部具有发射光的功能及检测光的功能的双方。由此，与传感器设置在摄像部的外部或识别装置的外部的情况相比，可以实现电子设备的小型化及轻量化。此外，也可以与设置在摄像部的外部或识别装置的外部的传感器组合来实现更多功能的电子设备。
受光元件的活性层以外的至少一个层可以与发光元件(EL元件)相同。此外，受光元件的活性层以外的所有层也可以与发光元件(EL元件)相同。例如，只要对发光元件的制造工序追加形成活性层的工序，就可以在同一衬底上形成发光元件及受光元件。此外，受光元件及发光元件可以使用同一材料及同一工序形成像素电极及公共电极。此外，通过使用同一材料及同一工序制造电连接于受光元件的电路及电连接于发光元件的电路，可以简化识别装置的制造工序。由此，可以在不经复杂的工序的情况下制造内置有受光元件的方便性高的识别装置。
此外，本实施方式的识别装置在受光元件与发光元件之间包括着色层。该着色层也可以兼作电绝缘着受光元件和发光元件的分隔壁。因为着色层能够吸收识别装置内的杂散光，所以可以提高使用受光元件的传感器的灵敏度。
本实施方式所示的结构实例及对应于这些例子的附图等的至少一部分可以与其他结构实例或附图等适当地组合而实施。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
[符号说明]
BM：遮光层、T1：期间、T2：期间、T3：期间、T4：期间、10：像素电路、11：发光元件、12：红外光、13：受光元件、14：红外光、20：摄像装置、21：像素阵列、22：电路、23：电路、24：电路、25：电路、26：电路、28：电路、41：晶体管、42：晶体管、51：衬底、52：手、55：层、57：粘合层、59：衬底、61：静脉、63：背散射光、65：物体、80：识别装置、80A：识别装置、80B：识别装置、80C：识别装置、80D：识别装置、80E：识别装置、80F：识别装置、81：摄像部、82：控制部、83：存储部、84：程序、85：输入输出部、86：识别部、87：外部驱动电路、88：天线、91：门、93：门把手、95：电子锁、96：门闩、97：门、98：门把手、100A：识别装置、100B：识别装置、100C：识别装置、101：受光元件、103：晶体管、104：晶体管、105：晶体管、106：晶体管、107：晶体管、108：电容元件、109：电阻器、110：受光元件、111：像素电极、112：公共层、113：活性层、114：公共层、115：公共电极、121：布线、122：布线、123a：光、123b：反射光、123c：光、123d：反射光、126：布线、127：布线、128：布线、129：布线、130：布线、131：布线、132：布线、142：粘合层、143：空间、150：粘合层、151：衬底、152：衬底、153：衬底、154：衬底、155：粘合层、162：像素阵列、164：电路、182：缓冲层、184：缓冲层、190：发光元件、191：像素电极、192：缓冲层、193：发光层、194：缓冲层、195：保护层、201：晶体管、202：晶体管、205：晶体管、206：晶体管、208：晶体管、209：晶体管、210：晶体管、211：绝缘层、212：绝缘层、213：绝缘层、214：绝缘层、215：绝缘层、216：分隔壁、217：分隔壁、218：绝缘层、221：导电层、222a：导电层、222b：导电层、223：导电层、225：绝缘层、228：区域、231：半导体层、231i：沟道形成区域、231n：低电阻区域、5700：汽车。

Claims (5)

1.一种摄像装置，包括：
衬底；
像素阵列；以及
粘合层，
其中，所述衬底具有柔性，
所述像素阵列位于所述衬底的第一面上，
所述粘合层位于与所述衬底的所述第一面相对的第二面上，
所述像素阵列包括受光元件及发光元件，
所述受光元件具有检测红外光的功能，
所述受光元件包括第一像素电极、活性层及公共电极，
所述发光元件具有发射红外光的功能，
所述发光元件包括第二像素电极、发光层及所述公共电极，
所述活性层位于所述第一像素电极上，
所述活性层包含第一有机化合物，
所述发光层位于所述第二像素电极上，
所述发光层包含与所述第一有机化合物不同的第二有机化合物，
并且，所述公共电极包括隔着所述活性层与所述第一像素电极重叠的部分以及隔着所述发光层与所述第二像素电极重叠的部分。
2.一种摄像装置，包括：
衬底；
像素阵列；以及
粘合层，
其中，所述衬底具有柔性，
所述像素阵列位于所述衬底的第一面上，
所述粘合层位于与所述衬底的所述第一面相对的第二面上，
所述像素阵列包括受光元件及发光元件，
所述受光元件具有检测红外光的功能，
所述受光元件包括第一像素电极、公共层、活性层及公共电极，
所述发光元件具有发射红外光的功能，
所述发光元件包括第二像素电极、所述公共层、发光层及所述公共电极，
所述活性层位于所述第一像素电极上，
所述活性层包含第一有机化合物，
所述发光层位于所述第二像素电极上，
所述发光层包含与所述第一有机化合物不同的第二有机化合物，
所述公共层位于所述第一像素电极上及所述第二像素电极上，
所述公共层包括与所述活性层重叠的部分以及与所述发光层重叠的部分，
并且，所述公共电极包括隔着所述公共层及所述活性层与所述第一像素电极重叠的部分以及隔着所述公共层及所述发光层与所述第二像素电极重叠的部分。
3.根据权利要求1或2所述的摄像装置，
其中所述像素阵列包括在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管和在沟道形成区域包含硅的晶体管中的至少一个。
4.一种识别装置，包括：
权利要求1至3中任一项所述的摄像装置；
控制部；
存储部；以及
输入输出部，
其中，所述控制部、所述存储部、所述输入输出部位于所述第一面上，
所述摄像装置具有拍摄图像的功能，
所述存储部具有储存登录图像的功能，
所述控制部具有对照所述图像与所述登录图像的功能，
所述输入输出部包括天线，
所述输入输出部具有将所述对照结果输出到外部的功能，
并且，所述输入输出部具有以无线供应电力的功能。
5.根据权利要求4所述的识别装置，还包括外部驱动电路，
其中所述外部驱动电路不与所述衬底接触，
并且所述输入输出部具有向所述外部驱动电路输出所述对照结果的功能。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11769450B2 (en) * 2018-12-31 2023-09-26 Lg Display Co., Ltd. Pixel circuit including optical fingerprint sensing circuit, method for driving pixel circuit, and organic light emitting display device
JP2020126961A (ja) * 2019-02-06 2020-08-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置および撮像システム
TW202147083A (zh) * 2020-06-12 2021-12-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的驅動方法
CN116057607A (zh) * 2020-09-11 2023-05-02 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示模块及电子设备
US20220167855A1 (en) * 2020-11-30 2022-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Biological information measuring apparatus and electronic device including the same
JP2022175012A (ja) * 2021-05-12 2022-11-25 株式会社ジャパンディスプレイ 生体認証装置
WO2023017349A1 (ja) * 2021-08-10 2023-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール及び電子機器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007122164A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Hitachi Ltd 本人認証装置およびその制御方法
CN103022072A (zh) * 2011-09-26 2013-04-03 株式会社东芝 光电转换装置及其制备方法
CN104051494A (zh) * 2014-05-28 2014-09-17 中国电子科技集团公司第五十五研究所 微型有源矩阵式有机发光显示器及其制作方法
CN105574479A (zh) * 2015-06-04 2016-05-11 北京神州安盾科技有限公司 一种指静脉身份认证装置及方法
JP2017220604A (ja) * 2016-06-09 2017-12-14 セイコーエプソン株式会社 基板同士の接合方法、撮像装置の製造方法、撮像装置、および電子機器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE602006016109D1 (de) * 2005-05-23 2010-09-23 Thomson Licensing Leuchtschirm zum beleuchten oder anzeigen von bilden elektrode
JP4911446B2 (ja) * 2005-09-15 2012-04-04 富士フイルム株式会社 エリアセンサ、画像入力装置、およびそれを組み込んだ電子写真装置等
WO2011055626A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9236408B2 (en) * 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
EP3175496B1 (en) * 2014-08-01 2021-06-16 Orthogonal Inc. Photolithographic patterning of organic electronic devices
JP2018174246A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置および電子機器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007122164A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Hitachi Ltd 本人認証装置およびその制御方法
CN103022072A (zh) * 2011-09-26 2013-04-03 株式会社东芝 光电转换装置及其制备方法
CN104051494A (zh) * 2014-05-28 2014-09-17 中国电子科技集团公司第五十五研究所 微型有源矩阵式有机发光显示器及其制作方法
CN105574479A (zh) * 2015-06-04 2016-05-11 北京神州安盾科技有限公司 一种指静脉身份认证装置及方法
JP2017220604A (ja) * 2016-06-09 2017-12-14 セイコーエプソン株式会社 基板同士の接合方法、撮像装置の製造方法、撮像装置、および電子機器

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