WO2023017349A1

WO2023017349A1 - 表示装置、表示モジュール及び電子機器

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Publication number: WO2023017349A1
Application number: PCT/IB2022/056968
Authority: WO
Inventors: 上妻宗広; 大貫達也; 小林英智
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2021-08-10
Filing date: 2022-07-28
Publication date: 2023-02-16
Also published as: CN117813578A; KR20240036690A; JPWO2023017349A1

Abstract

新規な構成の表示装置を提供すること。第１副画素と、第２副画素と、第１副画素を走査する第１選択信号が与えられる第１ゲート線と、第２副画素を走査する第２選択信号が与えられる第２ゲート線と、を有する表示部と、ゲート線駆動回路と、ゲート線駆動回路が出力する第１選択信号または第２選択信号を第１ゲート線または第２ゲート線に振り分けて出力する切り替え部と、切り替え部を制御するタイミング制御回路と、を有する駆動制御回路と、を有する。タイミング制御回路は、第１動作モードにおいて、ゲート線駆動回路は、第１フレーム周波数の第１選択信号と、第１選択信号より選択期間の長い第２選択信号を出力する。タイミング制御回路は、第２動作モードにおいて、第１フレーム周波数よりも低い第２フレーム周波数の第１選択信号および第２選択信号を出力する。

Description

表示装置、表示モジュール及び電子機器

　本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野として、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

　スマートフォンなどの情報端末機器に用いられる表示装置は、近年の技術革新の結果、コモディティ化が進んでおり、そのような中で競争力を得るために、より付加価値の高い製品が求められている。例えば、表示装置は写真、又は動画を表示するだけでなく、顔認証、指紋認証及び静脈認証等の生体認証、又はタッチセンサ、モーションセンサ等の受光デバイス等に応用される等、用途が多様化している。特許文献１には、指紋認証を行うことができる、スマートフォン等の電子機器について開示されている。

特開２０１９−７９４１５号公報

　受光デバイスを駆動して行われる検出動作は、表示動作の合間に行われる構成となる。表示動作による表示品位の向上を図るためには、表示のフレーム周波数を高くする構成が好ましい。表示動作と検出動作を交互に行う場合、表示動作の頻度を大きくし、検出動作の頻度を小さくすることで、表示のフレーム周波数を高めることができる。しかしながら、表示動作を行う際の発光デバイスを有する副画素の走査と、検出動作を行う際の受光デバイスを有する副画素の走査と、を別々のタイミングで制御する場合、駆動回路毎に制御するための信号を与える構成となるため、駆動回路の回路規模が増大するといった虞がある。

　受光デバイスを駆動して行われる検出動作の精度を高める場合、検出動作の頻度を大きくし、表示動作の頻度を小さくすることが好ましい。表示動作による表示品位の向上と、検出動作の精度と、の両立を図るためには、表示のフレーム周波数が高い状態と、検出動作の頻度を大きい状態と、が切り替えられる構成が好ましい。また、受光デバイスを有する副画素の走査する選択信号の数を多くすることで検出動作の精度をさらに高めることができる。しかしながら、受光デバイスを有する副画素の走査する選択信号の数が多い状況で、検出動作の頻度を可変とする場合、不要な検出動作を行い続けることによる消費電力の増加などの虞がある。

　本発明の一態様は、新規な構成の表示装置等を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、回路規模の増大を低減できる、新規な構成の表示装置等を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、消費電力の増大を抑制できる、新規な構成の表示装置等を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、検出動作と表示動作とを交互に行う表示装置の構成において、回路規模の増大および低消費電力化を図ることのできる、新規な構成の表示装置等を提供することを課題の一つとする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、発光デバイスを有する第１副画素と、受光デバイスを有する第２副画素と、第１副画素を走査する第１選択信号が与えられる第１ゲート線と、第２副画素を走査する第２選択信号が与えられる第２ゲート線と、を有する表示部と、ゲート線駆動回路が出力する第１選択信号または第２選択信号を第１ゲート線または第２ゲート線に振り分けて出力する第１切り替え部と、第１選択信号または第２選択信号を出力するゲート線駆動回路と、ゲート線駆動回路が出力する第１選択信号または第２選択信号を振り分けて出力する第２切り替え部と、第１切り替え部および第２切り替え部を制御するタイミング制御回路と、を有する駆動制御回路と、を有し、タイミング制御回路は、第１動作モードと、第２動作モードと、を切り替える機能を有し、第１動作モードにおいて、ゲート線駆動回路は、第１フレーム周波数の第１選択信号と、第１選択信号より選択期間の長い第２選択信号を出力し、第２動作モードにおいて、第１フレーム周波数よりも低い第２フレーム周波数の第１選択信号および第２選択信号を出力する、表示装置である。

本発明の一態様において、第１切り替え部および第２切り替え部はそれぞれ、ゲート線駆動回路と、第１ゲート線または第２ゲート線と、の間に設けられるアナログスイッチを有する、表示装置が好ましい。

本発明の一態様において、画像プロセッサを有し、画像プロセッサは、受光デバイスにおける物体の検知状態または物体の非検知状態に応じて、第１動作モードと第２動作モードとを切り替える機能を有する、表示装置が好ましい。

本発明の一態様において、発光デバイスは、可視光を射出する機能を有し、受光デバイスは、可視光を検出する機能を有する表示装置が好ましい。

本発明の一態様において、発光デバイスは、赤外光を射出する機能を有し、受光デバイスは、赤外光を検出する機能を有する表示装置が好ましい。

本発明の一態様は、上記記載の表示装置と、コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュールである。

本発明の一態様は、上記記載の表示モジュールと、筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器である。

　本発明の一態様は、新規な構成の表示装置等を提供することができる。または、本発明の一態様は、回路規模の増大を低減できる、新規な構成の表示装置等を提供することができる。または、本発明の一態様は、消費電力の増大を抑制できる、新規な構成の表示装置等を提供することができる。または、本発明の一態様は、検出動作と表示動作とを交互に行う表示装置の構成において、回路規模の増大および低消費電力化を図ることのできる、新規な構成の表示装置等を提供することができる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａおよび図１Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２は、表示装置の構成例を示す図である。
図３Ａ乃至図３Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図４は、表示装置の動作例を示すフローチャートである。
図５は、表示装置の動作例を示す図である。
図６は、表示装置の動作例を示す図である。
図７は、表示装置の動作例を示すタイミングチャートである。
図８は、表示装置の動作例を示すタイミングチャートである。
図９は、表示装置の構成例を示す図である。
図１０は、表示装置の構成例を示す図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｄは、表示装置の構成例を示す図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｄは、表示装置の構成例を示す図である。
図１３Ａ乃至図１３Ｅは、表示装置の構成例を示す図である。
図１４Ａ、図１４Ｂ及び図１４Ｄは、表示装置の一例を示す断面図である。図１４Ｃ及び図１４Ｅは、表示装置で撮像した画像の例を示す図である。
図１５は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｃは、表示装置の一例を示す図である。
図１９Ａ乃至図１９Ｃは、電子機器の一例を示す図である。
図２０Ａは、表示装置の一例を示す上面図である。図２０Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２１Ａ乃至図２１Ｉは、画素の一例を示す上面図である。
図２２Ａ乃至図２２Ｅは、画素の一例を示す上面図である。
図２３Ａ及び図２３Ｂは、画素の一例を示す上面図である。
図２４Ａ及び図２４Ｂは、画素の一例を示す上面図である。
図２５Ａ及び図２５Ｂは、画素の一例を示す上面図である。
図２６Ａ及び図２６Ｂは、画素の一例を示す上面図である。
図２７Ａ及び図２７Ｂは、画素の一例を示す上面図である。
図２８は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図２９Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図２９Ｂ及び図２９Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図３０は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３１Ａ及び図３１Ｂは、表示モジュールの一例を示す斜視図である。
図３２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３３Ａ及び図３３Ｂは、表示モジュールの一例を示す斜視図である。
図３４は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３５は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３６は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３７は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３８Ａ乃至図３８Ｄは、トランジスタの一例を示す図である。
図３９Ａ及び図３９Ｂは、電子機器の一例を示す図である。
図４０Ａ乃至図４０Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図４１Ａ乃至図４１Ｆは、電子機器の一例を示す図である。

　実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

　なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。本実施の形態では、特に表示装置の画素が有する回路構成について説明する。

＜表示装置のブロック図＞
　表示装置１０のブロック図を、図１Ａに示す。表示装置１０は、表示部７１、信号線駆動回路７２、ゲート線駆動回路７３、制御線駆動回路７４、信号読み出し回路７５およびタイミング制御回路２１等を有する。

表示部７１は、マトリクス状に配置された複数の画素８０を有する。画素８０は、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ、及び副画素８２ＰＳを有する。副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、及び副画素８１Ｂは、それぞれ表示デバイスとして機能する発光デバイスを有する。副画素８２ＰＳは、光電変換素子として機能する受光デバイスを有する。

　発光デバイスは、表示デバイス（表示素子ともいう）として機能する。本発明の一態様の表示装置は、表示部に発光デバイスがマトリクス状に配置されており、当該表示部で画像を表示することができる。また、本発明の一態様の表示装置は、受光デバイスを用いて、光を検出する機能を有する。

　発光デバイスは、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＥＬデバイスを用いることが好ましい。ＥＬデバイスが有する発光物質として、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（量子ドット材料など）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　Ａｃｔｉｖａｔｅｄ　Ｄｅｌａｙｅｄ　Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）などが挙げられる。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。なお、ＴＡＤＦ材料として、一重項励起状態と三重項励起状態が熱平衡状態にある材料を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は発光寿命（励起寿命）が短くなるため、発光デバイスにおける高輝度領域での効率低下を抑制することができる。

　本発明の一態様の表示装置の表示部には、受光デバイスがマトリクス状に配置されており、表示部は、画像表示機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を有する。表示部は、イメージセンサまたはタッチセンサに用いることができる。つまり、表示部で光を検出することで、画像を撮像すること、または、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。さらに、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスをセンサの光源として利用することができる。したがって、表示装置と別に受光部及び光源を設けなくてもよく、電子機器の部品点数を削減することができる。

　受光デバイスをイメージセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、画像を撮像することができる。例えば、本実施の形態の表示装置は、スキャナとして用いることができる。

　例えば、イメージセンサを用いて、指紋、掌紋などの生体情報に係るデータを取得することができる。つまり、表示装置に、生体認証用センサを内蔵させることができる。表示装置が生体認証用センサを内蔵することで、表示装置とは別に生体認証用センサを設ける場合に比べて、電子機器の部品点数を少なくでき、電子機器の小型化及び軽量化が可能である。

　受光デバイスをタッチセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、対象物の近接または接触を検出することができる。

　画素８０は、配線ＧＬ、配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、配線ＳＬＢ、配線ＲＬ、配線ＲＳ、及び配線ＷＸ等と電気的に接続されている。配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、配線ＳＬＢは、信号線駆動回路７２と電気的に接続されている。配線ＧＬは、ゲート線駆動回路７３と電気的に接続されている。信号線駆動回路７２は、ソース線駆動回路（ソースドライバともいう）として機能する。ゲート線駆動回路７３は、ゲートドライバという場合がある。

　画素８０は、発光デバイスを有する副画素として、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、及び副画素８１Ｂを有する。例えば、副画素８１Ｒは赤色を呈する副画素であり、副画素８１Ｇは緑色を呈する副画素であり、副画素８１Ｂは青色を呈する副画素である。これにより、表示装置１０はフルカラーの表示を行うことができる。なお、ここでは画素８０が３色の副画素を有する例を示したが、４色以上の副画素を有していてもよい。

　副画素８１Ｒは、赤色の光を呈する発光デバイスを有する。副画素８１Ｇは、緑色の光を呈する発光デバイスを有する。副画素８１Ｂは、青色の光を呈する発光デバイスを有する。なお、画素８０は、他の色の光を呈する発光デバイスを有する副画素を有していてもよい。例えば画素８０は、上記３つの副画素に加えて、白色の光を呈する発光デバイスを有する副画素、または黄色の光を呈する発光デバイスを有する副画素などを有していてもよい。

　なお、本明細書等では、一つの「画素」の中で独立した動作が行われる最小単位を便宜的に「副画素」と定義して説明を行うが、「副画素」を「画素」とよぶ場合がある。

　配線ＧＬは、行方向（配線ＧＬの延伸方向）に配列する副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、及び副画素８１Ｂと電気的に接続されている。配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢは、それぞれ、列方向（配線ＳＬＲ等の延伸方向）に配列する副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂと電気的に接続されている。

　画素８０が有する副画素８２ＰＳは、配線ＲＬ、配線ＲＳ、及び配線ＷＸが電気的に接続されている。配線ＲＬは、ゲート線駆動回路７３に電気的に接続される。配線ＲＳは、制御線駆動回路７４に電気的に接続される。配線ＷＸは、信号読み出し回路７５に電気的に接続される。

　制御線駆動回路７４は、副画素８２ＰＳを駆動させるための信号を生成し、配線ＲＳを介して副画素８２ＰＳに出力する機能を有する。信号読み出し回路７５は、副画素８２ＰＳから配線ＷＸを介して出力される信号を受信し、画像データとして外部に出力する機能を有する。信号読み出し回路７５は、画像データの読み出しを行う回路として機能する。

本発明の一態様の構成では、ゲート線駆動回路７３において、発光デバイスを有する副画素として、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、及び副画素８１Ｂを選択する選択信号（走査信号、第１選択信号ともいう）と、受光デバイスを有する副画素として副画素８２ＰＳを選択する選択信号（第２選択信号ともいう）と、を出力する構成とする。つまりゲート線駆動回路７３では、別々のタイミングで制御される、表示動作を行う際の発光デバイスを有する副画素の走査と、検出動作を行う際の受光デバイスを有する副画素の走査と、を切り替えて行う構成とすることができる。当該構成とすることで、別々のタイミングで制御する信号を１つの回路から出力することができ、駆動回路の回路規模を小さくすることができる。

タイミング制御回路２１は、表示動作を行う際の発光デバイスを有する副画素の走査と、検出動作を行う際の受光デバイスを有する副画素の走査と、を切り替えるための制御信号ＴＳを出力する。タイミング制御回路２１は、例えばアプリケーションプロセッサあるいはタッチコントローラからの信号に基づいて、表示動作を行う際の発光デバイスを有する副画素の走査と、検出動作を行う際の受光デバイスを有する副画素の走査と、を切り替える動作状態を制御することができる。

ゲート線駆動回路７３の構成例、およびゲート線駆動回路７３に接続される配線ＧＬおよび配線ＲＬの構成例について、図１Ｂを用いて説明する。

図１Ｂにおいて、ゲート線駆動回路７３が有する構成として、表示部駆動回路３１およびセンサ部駆動回路３２を有する駆動回路部３０、およびアナログスイッチ４１を有する切り替え部４０を図示している。また図１Ｂにおいて、ゲート線駆動回路７３に接続される配線ＧＬおよび配線ＲＬが設けられる表示部７１の構成として、副画素８１および副画素８２を図示している。また図１Ｂにおいて、配線ＧＬおよび配線ＲＬに接続される構成として、アナログスイッチ５１を有する切り替え部５０、およびアナログスイッチ６３を有する切り替え部６０を図示している。また図１Ｂにおいて、切り替え部４０、５０、６０が有する各アナログスイッチを制御する制御信号ＴＳを与えるタイミング制御回路２１を図示している。

表示部駆動回路３１は、配線ＧＬに出力される選択信号ＧＰを生成する。センサ部駆動回路３２は、配線ＲＬに出力される選択信号ＲＰを生成する。選択信号ＧＰは、表示動作時において、副画素８１を選択するための信号である。また選択信号ＲＰは、検出動作時において、副画素８２を選択するための信号である。なお副画素８１は、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、及び副画素８１Ｂに対応し、副画素８２は、副画素８２ＰＳに対応する。なお表示部駆動回路３１およびセンサ部駆動回路３２は、共通のシフトレジスタから出力される信号をもとに選択信号ＧＰまたは選択信号ＲＰを切り替えて出力する構成とすることで、駆動回路部３０の回路規模の増大を抑制することができる。

切り替え部４０、５０は、駆動回路部３０から出力される選択信号ＧＰまたは選択信号ＲＰを、アナログスイッチ４１およびアナログスイッチ５１のオンまたはオフを切り替えて、配線ＧＬおよび配線ＲＬに振り分けて出力する機能を有する。切り替え部４０、５０を有することで、駆動回路部３０と表示部７１との間の端子数を削減することができる。切り替え部６０は、配線ＧＬおよび配線ＲＬの電位をグラウンド電位などの定電位に設定する機能を有する。タイミング制御回路２１が出力する制御信号ＴＳによる切り替え部４０、５０、６０の制御により、駆動回路部３０が出力する別々のタイミングの信号を、表示動作時または検出動作時で切り替えて、副画素８１または副画素８２に与えることができる。

図２では、図１Ａで示したブロック図の構成に画像プロセッサ２２およびアプリケーションプロセッサ２３を追加した構成を図示している。また図２では、画像プロセッサ２２がタイミング制御回路２１を制御するために出力するモード切替信号ＭＣ、および画像プロセッサ２２において、検出動作で得られる信号を基にアプリケーションプロセッサ２３に出力されるセンサ情報データＸＤを図示している。

画像プロセッサ２２は、検出動作を実行した際に物体の検知状態、あるいは非検知状態に応じて、タイミング制御回路２１を制御するモード切替信号ＭＣを出力する。タイミング制御回路２１は、モード切替信号ＭＣに応じて、表示動作または検出動作を切り替えることができる。そのため、表示装置１０の使用状態に応じた動作モードの切り替えを行うことができる。画像プロセッサ２２は、信号読み出し回路７５で得られる画像データ、すなわち物体を検知することで得られるデータをもとに、表示動作または検出動作を切り替えるモード切替信号ＭＣを出力することができる。

アプリケーションプロセッサ２３は、画像プロセッサ２２からの表示動作または検出動作に応じたセンサ情報データＸＤに従って、タイミング制御回路２１、または信号読み出し回路７５などの表示装置１０が有する各回路を制御するための演算処理を行うことができる。

なお図２に図示するように、表示装置１０において、ゲート線駆動回路７３、信号読み出し回路７５、タイミング制御回路２１および画像プロセッサ２２は、集積化された集積回路となる駆動制御回路２０とすることが好ましい。集積化された集積回路、すなわち１つのＩＣチップとして各回路を集積化することで、駆動回路の回路規模を縮小することができる。

＜表示装置の動作例＞
図３Ａ乃至図５を用いて、物体の検知状態、あるいは非検知状態に応じた表示動作または検出動作を行う表示装置の動作例について説明する。

図３Ａは、物体の検知状態、あるいは非検知状態に応じた表示動作または検出動作の切り替えの様子を表す状態遷移図を示す。図３Ａに示すように、上述した表示装置１０は物体の検知状態となることで表示動作から検出動作に遷移し、物体の非検知状態となることで検出動作から表示動作に遷移する。なお表示動作は第１動作モードという場合がある。また、検出動作は第２動作モードという場合がある。

表示動作について図３Ｂに動作モードの模式図を示す。表示動作では、１フレーム期間（１ｆｒａｍｅ）において、画像データの書き込みの動作（ｗｒｉｔｅ）と、書き込みの動作よりも短い期間の撮像データの読み出しの動作（ｒｅａｄ）とを交互に行う。表示動作における１フレーム期間は、短い期間とすることが好ましく、例えば１／１２０ｓとする。表示動作における１フレーム期間のフレーム周波数は、第１フレーム周波数ともいう。

表示動作での１フレーム期間内における書き込みの動作は、１フレーム期間より短い期間となり、読み出しの動作はさらに短い期間となる。書き込みの動作時において、ゲート駆動回路の選択信号を出力する配線ＧＬは、全行に一行ずつ出力する構成とする。書き込みの動作時において、ゲート駆動回路の選択信号のパルス幅（選択期間）が短くなる。

また表示動作での読み出しの動作時において、ゲート駆動回路の選択信号を出力する配線ＲＬは、複数行にまとめて出力する構成（低解像度読み出し）とすることで、読み出しの動作期間が短くてもデバイス全面の撮像を可能にする。読み出しの動作時において、簡易的な物体検知を目的とする場合、撮像画像は受光デバイスの最大解像度で動作する必要がない。複数行に出力する構成であれば、配線ＲＬに出力されるゲート駆動回路の選択信号のパルス幅（選択期間）は配線ＲＬに１行ずつ出力する場合と比べて長くなる。換言すれば、配線ＲＬに出力されるゲート駆動回路の選択信号は、読み出しの動作時において、十分な選択期間を確保することができる。

図３Ｂに示す表示動作時では、高フレーム周波数での表示と、検知状態か非検知状態かを判断するための読み出しの動作を定期的に行うことができる。そのため、表示品位を低下させることなく、検出動作への移行を行うことができる。

検出動作について図３Ｃに動作モードの模式図を示す。検出動作では、１フレーム期間（１ｆｒａｍｅ）において、画像データの書き込みの動作（ｗｒｉｔｅ）と、撮像データの読み出しの動作（ｒｅａｄ）とを交互に行う。検出動作における１フレーム期間は、表示動作時よりも長い期間とすることが好ましく、例えば１／６０ｓとする。検出動作における１フレーム期間のフレーム周波数は、第２フレーム周波数ともいう。

検出動作での１フレーム期間内における書き込みの動作は、ゲート駆動回路の選択信号を出力する配線ＧＬの全行に一行ずつ出力する構成とする。なお検出動作での１フレーム期間は、表示動作での１フレーム期間よりも長いため、書き込みの動作の頻度が小さくなる。

また検出動作での読み出しの動作時において、ゲート駆動回路の選択信号を出力する配線ＲＬは、全行に一行ずつ出力する構成とする。読み出しの動作時において、配線ＲＬに出力されるゲート駆動回路の選択信号は、ゲート駆動回路の選択信号のパルス幅（選択期間）が書き込みの動作時と同等となる。そのため、配線ＧＬおよび配線ＲＬに出力されるゲート駆動回路の選択信号は、書き込みの動作時および読み出しの動作時において、表示動作時よりも低いフレーム周波数で出力される信号によって順次各行の副画素を選択することになる。

図３Ｃに示す検出動作時では、表示と、画像データの書き込みの動作（ｗｒｉｔｅ）を行うとともに、撮像データの読み出しの動作（ｒｅａｄ）を一行ずつ行うことができる。そのため、検知状態で検知した物体の状態を精度よく検出することができる。

図４では、表示動作または検出動作への移行のトリガーとなる物体の検知状態、あるいは非検知状態を説明するためのフローチャートを示す図である。

また図５は、表示動作または検出動作への移行を説明するための模式図である。図５では、画像データを書き込む信号線駆動回路７２およびゲート線駆動回路７３を「ＳＤ／ＧＤ」、撮像データを読み出すゲート線駆動回路７３、制御線駆動回路７４および信号読み出し回路７５「ＣＤ／ＲＤ」として図示している。また撮像データを基に物体の検知または非検知を判断する画像プロセッサ２２の判断を「２２」として図示している。画像プロセッサ２２は、動作モードを切り替えるモード切替信号ＭＣを出力し、物体の検知または非検知、および撮像処理を行うことができる。

まず表示動作（ステップＳ１１）では、図３Ｂで説明したように、表示装置での画像の表示を行うとともに、複数行を同時に走査して撮像データの取得を行う。このとき、図５に示すように、ＳＤ／ＧＤにおいて画像データの書き込みの動作、ＣＤ／ＲＤにおいて撮像データの読み出しの動作が行われる。書き込みの動作および読み出しの動作は、図３Ｂで説明したように１／１２０ｓ（時刻Ｔ０１とＴ０２の間の期間）で行われる。

次いで、物体検知の判断を行う（ステップＳ１２）。当該判断は、ステップＳ１１における撮像データの取得をもとに行われる。このとき図５に示す画像プロセッサ２２にて撮像データを基にした検知または非検知を判断する。表示動作での撮像データの取得は、表示装置に近接する物体の有無の検出を行う目的で行われる。表示装置に近接する物体がない場合（ＮＯ）、ステップＳ１１を継続する。

表示装置に近接する物体がある場合（ＹＥＳ）、検出動作（ステップＳ１３）に移行する。図５では、時刻Ｔ０２の直前で画像プロセッサ２２にて撮像データを基にした物体の検知の判断がなされたことによって、モード切り替えが行われる。そのため、時刻Ｔ０２でモード切替信号ＭＣによって表示動作から検出動作に切り替わる。検出動作での書き込みの動作および読み出しの動作は、図３Ｃで説明したように１／６０ｓ（時刻Ｔ０２とＴ０３の間の期間）で行われる。取得した撮像データに基づく撮像処理は、検出動作での書き込みの動作および読み出しの動作の期間にわたって行われる。そのため、物体の状態を精度よく検出することができる。

再度物体検知の判断を行う（ステップ１４）。当該判断は、ステップＳ１３における撮像データの読み出しをもとに行われる。表示装置に近接する物体がある場合（ＹＥＳ）、ステップＳ１３を継続する。

表示装置に近接する物体がない場合（ＮＯ）、表示動作に移行する。当該移行は、例えば画像プロセッサ２２にて撮像データを基にした非検知が複数フレーム期間にわたって継続する場合などに行われるよう設定しておく。図５では、時刻Ｔ０４で画像プロセッサ２２にて撮像データを基にした物体の非検知を判断し、検出動作から表示動作へのモード切り替えが行われる。

本発明の一態様の表示装置は、物体の検知または非検知に基づいて、検出動作と表示動作との切り替えを行う構成とすることができる。そのため、検出動作の精度を高める場合、検出動作の期間を長くし、表示動作の期間を短くするよう切り替えることができる。検出動作時においては、受光デバイスを有する副画素の走査する選択信号の数を多くすることで検出動作の解像度を高めることができる。表示動作時には物体の検知の解像度を下げることで、不要な検出動作を抑制できるため、消費電力の増加を抑制することができる。

＜駆動回路部の動作＞
次いで図６乃至図１０にて、上記説明した表示装置１０が有する駆動回路部３０の構成例およびその動作について説明する。

図６には、駆動回路部３０が有する駆動回路３４を図示している。また図６では、一例として、クロック信号ＣＬＫ、スタートパルス信号ＳＰ、シフトレジスタ回路ＳＲおよびその出力信号ＳＨＩＦＴ［１］、ＳＨＩＦＴ［２］、制御信号ＰＷＣ［１］乃至ＰＷＣ［４］、ＡＮＤ回路３３並びにレベルシフト回路ＬＳを図示している。駆動回路部３０は、配線ＧＬ［１］乃至ＧＬ［８］および配線ＲＬ［１］乃至ＲＬ［８］に与える選択信号を出力することができる。

　なお複数の要素に同じ符号を用いる場合、特に、それらを区別する必要があるときには、符号に“＿１”、”＿２”、”［ｎ］”、”［ｍ，ｎ］”等の識別用の符号を付記して記載する。例えば、２番目の配線ＧＬを配線ＧＬ［２］と記載する。

出力信号ＳＨＩＦＴ［１］は、クロック信号ＣＬＫおよびスタートパルス信号ＳＰが入力されることで、１段目のシフトレジスタ回路ＳＲが出力するパルス信号である。出力信号ＳＨＩＦＴ［２］は、クロック信号ＣＬＫおよび出力信号ＳＨＩＦＴ［１］が入力されることで、２段目のシフトレジスタ回路ＳＲが出力するパルス信号である。制御信号ＰＷＣ［１］乃至ＰＷＣ［４］は、シフトレジスタ回路ＳＲが出力するパルス信号の選択期間を制御するための信号である。ＡＮＤ回路３３は、制御信号ＰＷＣ［１］乃至ＰＷＣ［４］のいずれか一と、シフトレジスタ回路ＳＲが出力するパルス信号と、の論理積に応じた信号を出力する回路である。レベルシフト回路ＬＳは、入力信号の振幅電圧を所定の振幅電圧に変換した信号を、配線ＧＬ（ＧＬ［１］乃至ＧＬ［８］）および配線ＲＬ（ＲＬ［１］乃至ＲＬ［８］）に出力する回路である。なお配線ＧＬまたは配線ＲＬのいずれかに信号を出力するかについては、切り替え部４０，５０が有するアナログスイッチのオンまたオフの切り替えによって切り替えることができる。

図７および図８には、図６の駆動回路部３０の各種信号のタイミングチャートを図示している。図７では、配線ＧＬに選択信号を出力する、表示動作時におけるタイミングチャートを図示している。また図８では、配線ＲＬに選択信号を出力する、検出動作時におけるタイミングチャートを図示している。

図７に図示するように、表示動作時には各行の配線ＧＬに選択信号を順次出力することができる。シフトレジスタ回路ＳＲが出力する出力信号ＳＨＩＦＴ［１］およびＳＨＩＦＴ［２］は、図７に図示する制御信号ＰＷＣ［１］乃至ＰＷＣ［４］に応じて選択期間が短い信号として出力することができる。

図８に図示するように、検出動作時には複数行の配線ＲＬに同じ選択信号を順次出力することができる。シフトレジスタ回路ＳＲが出力する出力信号ＳＨＩＦＴ［１］およびＳＨＩＦＴ［２］は、図８に図示する制御信号ＰＷＣ［１］乃至ＰＷＣ［４］に応じて選択期間が長い信号として出力することができる。

なお配線ＧＬに与える選択信号と、配線ＲＬに与える選択信号と、は、別の振幅電圧とすることが好ましい。図９に示す構成では、ＡＮＤ回路３３から出力される信号を配線ＧＬまたは配線ＲＬに振り分ける際に、別々のレベルシフト回路３５（ＧＤＬＳ）、レベルシフト回路３６（ＲＤＬＳ）を介して選択信号ＧＰまたは選択信号ＲＰを出力する構成例について図示している。レベルシフト回路３５には、電圧ＧＶＤＤ、ＧＶＳＳが与えられ、当該電圧に応じた振幅電圧の選択信号ＧＰを出力することができる。レベルシフト回路３６には、電圧ＧＶＤＤ、ＧＶＳＳとは異なる電圧ＲＶＤＤ、ＲＶＳＳが与えられ、当該電圧に応じた振幅電圧の選択信号ＲＰを出力することができる。

　表示動作または検知動作に応じた配線に出力する信号の振り分けは、信号線駆動回路７２および信号読み出し回路７５を有する駆動制御回路に接続される配線ＳＬおよび配線ＷＸに適用してもよい。

図１０に図示する駆動制御回路２０Ａでは、信号線駆動回路７２および信号読み出し回路７５の他、アナログスイッチ４１を有する切り替え部４０を図示している。また図１０では、駆動制御回路２０Ａと表示部７１との間に、アナログスイッチ５１を有する切り替え部５０を図示している。また図１０において、切り替え部４０、５０が有する各アナログスイッチを制御する制御信号ＴＳを与えるタイミング制御回路２１を図示している。

図１０に図示する駆動制御回路２０Ａでは、例えば表示動作時において、信号線駆動回路７２から出力される副画素８１に与えるデータ信号を出力するよう切り替え部４０、５０のアナログスイッチを切り替えることができる。また図１０に図示する駆動制御回路２０Ａでは、例えば検出動作時において、信号読み出し回路７５に入力される副画素８２からの読み出し信号を、センスアンプ回路ＳＡを介して選択的に読み出すよう切り替え部４０、５０のアナログスイッチを切り替えることができる。

＜画素回路の構成例＞
　副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、及び副画素８１Ｂに適用することができる画素回路の回路図の一例を、図１１Ａ乃至図１１Ｄ、および図１２Ａ乃至図１２Ｄに示す。

　図１１Ａに示す画素回路８１＿１は、トランジスタ５５Ａ、トランジスタ５５Ｂ、および容量５６を図示している。また図１１Ａでは、画素回路８１＿１に接続される発光デバイス６１を図示している。また図１１Ａには、配線ＳＬ、配線ＧＬ、配線ＡＮＯ、及び配線ＶＣＯＭを図示している。

　トランジスタ５５Ａは、ゲートが配線ＧＬと、ソース及びドレインの一方が配線ＳＬと、他方がトランジスタ５５Ｂのゲート、及び容量５６の一方の電極と、それぞれ電気的に接続されている。トランジスタ５５Ｂは、ソース及びドレインの一方が配線ＡＮＯと、他方が発光デバイス６１のアノードと、それぞれ電気的に接続されている。容量５６は、他方の電極が発光デバイス６１のアノードと電気的に接続されている。発光デバイス６１は、カソードが配線ＶＣＯＭと電気的に接続されている。

　トランジスタ５５Ａは、スイッチとして機能する。トランジスタ５５Ｂは、発光デバイス６１に流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能する。

　ここで、トランジスタ５５Ａ及びトランジスタ５５Ｂに、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタ（以下、Ｓｉトランジスタと記す）を適用することが好ましい。または、トランジスタ５５Ａに、チャネル形成領域に金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有するトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタと記す）を適用し、トランジスタ５５ＢにＳｉトランジスタを適用することが好ましい。

　シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが挙げられる。Ｓｉトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。例えば、チャネル形成領域に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ）を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタと記す）を用いることができる。

　Ｓｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

　酸化物半導体は、例えば、インジウムと、金属Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。特に、ＯＳトランジスタの半導体層として、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。

　シリコンよりもバンドギャップが広く、かつキャリア密度の小さい酸化物半導体を用いたＯＳトランジスタは、極めて小さいオフ電流を実現することができる。そのため、その小さいオフ電流により、ＯＳトランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。そのため、特に容量５６に直列に接続されるトランジスタ５５Ａには、ＯＳトランジスタを用いることが好ましい。トランジスタ５５ＡとしてＯＳトランジスタを適用することで、容量５６に保持される電荷が、トランジスタ５５Ａを介してリークされることを防ぐことができる。また、容量５６に保持される電荷を長時間に亘って保持できるため、画素回路８１＿１のデータを書き換えることなく、静止画を長期間に亘って表示することが可能となる。

　また、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＯＳトランジスタのオフ電流値は、１ａＡ（１×１０^−１８Ａ）以下、１ｚＡ（１×１０^−２１Ａ）以下、または１ｙＡ（１×１０^−２４Ａ）以下とすることができる。なお、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＳｉトランジスタのオフ電流値は、１ｆＡ（１×１０^−１５Ａ）以上１ｐＡ（１×１０^−１２Ａ）以下である。したがって、ＯＳトランジスタのオフ電流は、Ｓｉトランジスタのオフ電流よりも１０桁程度低いともいえる。

　例えば、トランジスタ５５Ａ、及びトランジスタ５５Ｂに、ＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、より好適な例としては、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタ等にＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタ等にＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

　発光デバイス６１は、光を発する機能（以下、発光機能とも記す）を有する。発光デバイス６１は、有機ＥＬデバイス（有機電界発光デバイス）であることが好ましい。

　図１１Ｂに示す画素回路８１＿２は、画素回路８１＿１に、トランジスタ５５Ｃを追加した構成である。また画素回路８１＿２には、定電位を与える配線Ｖ０が電気的に接続されている。

　図１１Ｃに示す画素回路８１＿３は、上記画素回路８１＿３のトランジスタ５５Ａ及びトランジスタ５５Ｂに、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。また、図１１Ｄに示す画素回路８１＿４は、画素回路８１＿２に当該トランジスタを適用した場合の例である。なお、ここでは全てのトランジスタに、一対のゲートを有するトランジスタを適用したが、これに限られない。

　一対のゲートを有するトランジスタにおいて、一対のゲートが互いに電気的に接続され、同じ電位が与えられる構成とすることで、トランジスタのオン電流が高まること、及び飽和特性が向上するといった利点がある。また、一対のゲートの一方に、トランジスタのしきい値電圧を制御する電位を与えてもよい。また、一対のゲートの一方に、定電位を与えることで、トランジスタの電気特性の安定性を向上させることができる。例えば、トランジスタの一方のゲートを、定電位が与えられる配線と電気的に接続する構成としてもよいし、自身のソースまたはドレインと電気的に接続する構成としてもよい。

　図１２Ａに示す画素回路８１＿５は、上記画素回路８１＿２に、トランジスタ５５Ｄを追加した構成である。また、画素回路８１＿５には、３本のゲート線として機能する配線（配線ＧＬ１、配線ＧＬ２、及び配線ＧＬ３）が電気的に接続されている。

　トランジスタ５５Ｄは、ゲートが配線ＧＬ３と、ソース及びドレインの一方がトランジスタ５５Ｂのゲートと、他方が配線Ｖ０と、それぞれ電気的に接続されている。また、トランジスタ５５Ａのゲートが配線ＧＬ１と、トランジスタ５５Ｃのゲートが配線ＧＬ２と、それぞれ電気的に接続されている。

　トランジスタ５５Ｃとトランジスタ５５Ｄを同時に導通状態とさせることで、トランジスタ５５Ｂのソースとゲートが同電位となり、トランジスタ５５Ｂを非導通状態とすることができる。これにより、発光デバイス６１に流れる電流を強制的に遮断することができる。このような画素回路は、表示期間と消灯期間を交互に設ける表示方法を用いる場合に適している。

　図１２Ｂに示す画素回路８１＿６は、上記画素回路８１＿５に容量５６Ａを追加した場合の例である。容量５６Ａは保持容量として機能する。

　図１２Ｃに示す画素回路８１＿７、及び図１２Ｄに示す画素回路８１＿８は、それぞれ上記画素回路８１＿５または画素回路８１＿６に、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。トランジスタ５５Ａ、トランジスタ５５Ｃ、トランジスタ５５Ｄには、一対のゲートが電気的に接続されたトランジスタが適用され、トランジスタ５５Ｂには、一方のゲートがソースと電気的に接続されたトランジスタが適用されている。

　次いで副画素８２ＰＳに適用することができる画素回路の回路図の一例を、図１３Ａ乃至図１３Ｅに示す。また図１３Ａ乃至図１３Ｅでは、配線ＲＬおよび配線ＷＸの他、配線ＲＳ及び配線ＴＸを図示している。例えば配線ＲＬは画素回路からのデータの読み出すための選択信号を伝える配線である。例えば配線ＲＳは画素回路を初期化するリセット信号を伝える配線である。例えば配線ＷＸは画素回路から読み出される信号を伝える配線である。例えば配線ＴＸは受光デバイス６２に流れる電流を制御する転送信号を伝える配線である。また副画素８２ＰＳに適用することができる画素回路は、定電位を伝える配線に接続される。

　図１３Ａに示す画素回路８２＿１は、トランジスタ５７Ａ、トランジスタ５７Ｂ、トランジスタ５７Ｃおよび容量５８を有し、図１３Ａに図示するようにトランジスタおよび容量が接続される。図示している。また図１３Ａでは、画素回路８２＿１に接続される受光デバイス６２を図示している。

　受光デバイス６２は、光を検出する機能（以下、受光機能とも記す）を有する。受光デバイス６２は、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。受光デバイス６２は、可視光を検出する機能を有する。受光デバイス６２は、可視光に感度を有する。受光デバイス６２は、可視光及び赤外光を検出する機能を有するとさらに好ましい。受光デバイス６２は、可視光、または赤外光の少なくともいずれかに感度を有することが好ましい。

　なお、本明細書等において、青色（Ｂ）の波長領域は、４００ｎｍ以上４９０ｎｍ未満であり、青色（Ｂ）の光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。緑色（Ｇ）の波長領域は、４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満であり、緑色（Ｇ）の光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。赤色（Ｒ）の波長領域は、５８０ｎｍ以上７００ｎｍ未満であり、赤色（Ｒ）の光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。また、本明細書等において、可視光の波長領域は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ未満であり、可視光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。赤外（ＩＲ）の波長領域は、７００ｎｍ以上９００ｎｍ未満であり、赤外（ＩＲ）光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。

　受光デバイス６２が有する活性層は、半導体を含む。当該半導体として、シリコンなどの無機半導体、及び、有機化合物を含む有機半導体が挙げられる。特に、受光デバイス６２として、有機半導体を含む層を有する有機フォトダイオードを用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な表示装置に適用できる。また、有機半導体を用いることで、発光デバイス６１が有するＥＬ層と、受光デバイス６２が有する受光層と、を同じ方法（例えば、真空蒸着法）で形成することができ、共通の製造装置を使用できるため好ましい。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイス６１として有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイス６２として有機フォトダイオードを好適に用いることができる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。本発明の一態様である表示装置は、画像を表示する機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方も有する。

　図１３Ｂに示す画素回路８２＿２は、画素回路８２＿１におけるトランジスタ５７Ｂを一対のゲートを有するトランジスタとした構成である。図１３Ｃに示す画素回路８２＿３は、上記画素回路８２＿２のトランジスタ５７Ａ乃至トランジスタ５７Ｃに、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。また、図１３Ｄに示す画素回路８２＿４は、トランジスタ５７Ｃの配置を変更した場合の例である。また、図１３Ｅに示す画素回路８２＿５は、トランジスタ５７Ｄを追加した場合の例である。

以上説明したように本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスを有する副画素を選択する選択信号と、受光デバイスを有する副画素を選択する選択信号と、を出力する構成とする。つまりゲート線駆動回路では、別々のタイミングで制御される、表示動作を行う際の発光デバイスを有する副画素の走査と、検出動作を行う際の受光デバイスを有する副画素の走査と、を切り替えて行う構成とすることができる。当該構成とすることで、別々のタイミングで制御する信号を１つの回路から出力することができ、駆動回路の回路規模を小さくすることができる。

加えて本発明の一態様の表示装置は、物体の検知または非検知に基づいて、検出動作と表示動作との切り替えを行う構成とすることができる。そのため、検出動作の精度を高める場合、検出動作の期間を長くし、表示動作の期間を短くするよう切り替えることができる。検出動作時においては、受光デバイスを有する副画素の走査する選択信号の数を多くすることで検出動作の解像度を高めることができる。表示動作時には物体の検知の解像度を下げることで、不要な検出動作を抑制できるため、消費電力の増加を抑制することができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、上記実施の形態で説明した発光デバイス及び受光デバイスを有する表示装置の利用形態等について説明する。

　本発明の一態様の表示装置の模式図を、図１４Ａに示す。図１４Ａに示す表示装置２００は、基板２０１、基板２０２、発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂ、受光デバイス２１２ＰＳ、及び機能層２０３等を有する。

　発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂ、及び受光デバイス２１２ＰＳは、基板２０１と基板２０２の間に設けられている。発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂはそれぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発する。発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、及び発光デバイス２１１Ｂは、前述の発光デバイスを用いることができる。受光デバイス２１２ＰＳは、前述の受光デバイスを用いることができる。なお、以下では、発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ及び発光デバイス２１１Ｂを特に区別しない場合に、発光デバイス２１１と表記する場合がある。

　図１４Ａは、基板２０２の表面に指２２０が触れる様子を示している。発光デバイス（例えば、発光デバイス２１１Ｇ）が発する光の一部は、基板２０２と指２２０との接触部で反射される。そして、反射光の一部が、受光デバイス２１２ＰＳに入射されることにより、指２２０が基板２０２に接触したことを検出することができる。すなわち、表示装置２００はタッチパネルとして機能することができる。

　機能層２０３は、発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂを駆動する回路、及び、受光デバイス２１２ＰＳを駆動する回路を有する。機能層２０３には、スイッチ、トランジスタ、容量、配線などが設けられる。なお、発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂ、及び受光デバイス２１２ＰＳをパッシブマトリクス方式で駆動させる場合には、スイッチ、及びトランジスタを設けない構成としてもよい。

　表示装置２００は、例えば、指２２０の指紋を検出することができる。図１４Ｂは、基板２０２と指２２０の接触部の拡大図を模式的に示している。また、図１４Ｂには、交互に配列した発光デバイス２１１と受光デバイス２１２を示している。

　指２２０は凹部及び凸部により指紋が形成されている。そのため、図１４Ｂに示すように指紋の凸部が基板２０２に触れている。

　ある表面、または界面から反射される光には、正反射と拡散反射とがある。正反射光は入射角と反射角が一致する、指向性の高い光であり、拡散反射光は、強度の角度依存性が低い、指向性の低い光である。指２２０の表面から反射される光は、正反射と拡散反射のうち拡散反射の成分が支配的となる。一方、基板２０２と大気との界面から反射される光は、正反射の成分が支配的となる。

　指２２０と基板２０２との接触面または非接触面で反射され、これらの直下に位置する受光デバイス２１２に入射される光の強度は、正反射光と拡散反射光とを足し合わせたものとなる。上述のように指２２０の凹部では基板２０２と指２２０が接触しないため、正反射光（実線矢印で示す）が支配的となり、凸部ではこれらが接触するため、指２２０からの拡散反射光（破線矢印で示す）が支配的となる。したがって、凹部の直下に位置する受光デバイス２１２で受光する光の強度は、凸部の直下に位置する受光デバイス２１２よりも高くなる。これにより、指２２０の指紋を撮像することができる。

　受光デバイス２１２の配列間隔は、指紋の２つの凸部間の距離、好ましくは隣接する凹部と凸部間の距離よりも小さい間隔とすることで、鮮明な指紋の画像を取得することができる。人の指紋の凹部と凸部の間隔は概ね２００μｍであることから、例えば受光デバイス２１２の配列間隔は、４００μｍ以下、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下であって、１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上とする。

　表示装置２００で撮像した指紋の画像の例を、図１４Ｃに示す。図１４Ｃは、撮像範囲２２７内に、指２２０の輪郭を破線で、接触部２２４の輪郭を一点鎖線で示している。接触部２２４内において、受光デバイス２１２に入射する光量の違いによって、コントラストの高い指紋２２２を撮像することができる。

　表示装置２００は、タッチパネル、またはペンタブレットとしても機能させることができる。図１４Ｄは、スタイラス２２９の先端を基板２０２に接触させた状態で、破線矢印の方向に滑らせている様子を示している。

　図１４Ｄに示すように、スタイラス２２９の先端と、基板２０２の接触面で拡散される拡散反射光が、当該接触面と重なる部分に位置する受光デバイス２１２に入射することで、スタイラス２２９の先端の位置を高精度に検出することができる。

　図１４Ｅには、表示装置２００で検出したスタイラス２２９の軌跡２２６の例を示している。表示装置２００は、高い位置精度でスタイラス２２９等の被検出体の位置検出が可能であるため、描画アプリケーション等において、高精細な描画を行うことも可能である。また、静電容量式のタッチセンサ、電磁誘導型のタッチペン等を用いた場合とは異なり、絶縁性の高い被検出体であっても位置検出が可能であるため、スタイラス２２９の先端部の材料は問われず、様々な筆記用具（例えば筆、ガラスペン、羽ペン）を用いることもできる。

　受光デバイス２１２ＰＳは、タッチセンサ（ダイレクトタッチセンサともいう）、またはニアタッチセンサ（ホバーセンサ、ホバータッチセンサ、非接触センサ、タッチレスセンサともいう）に用いることができる。図１５は、発光デバイス（例えば、発光デバイス２１１Ｇ）から射出された光１９１が、対象物（例えば、指２２０）で反射し、その反射した光１９２が受光デバイス２１２ＰＳに入射する様子を示している。対象物は、表示装置２００に接触していないが、受光デバイス２１２ＰＳを用いて、対象物を検出することができる。なお、受光デバイス２１２ＰＳは、用途に応じて、検出する光の波長を適宜決定してもよい。

　タッチセンサまたはニアタッチセンサは、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。タッチセンサは、表示装置と、対象物とが、直接接することで、対象物を検出できる。また、ニアタッチセンサは、対象物が表示装置に接触しなくても、当該対象物を検出することができる。例えば、表示装置と、対象物との間の距離が０．１ｍｍ以上３００ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で表示装置が当該対象物を検出できる構成であると好ましい。当該構成とすることで、表示装置に対象物が直接触れずに操作することが可能となる、別言すると非接触（タッチレス）で表示装置を操作することが可能となる。上記構成とすることで、表示装置に汚れ、または傷がつくリスクを低減することができる、または対象物が表示装置に付着した汚れ（例えば、ゴミ、またはウィルス）に直接触れずに、表示装置を操作することが可能となる。

　本発明の一態様の表示装置は、リフレッシュレートを可変にすることができる。例えば、表示装置に表示されるコンテンツに応じてリフレッシュレートを調整（例えば、１Ｈｚ以上２４０Ｈｚ以下の範囲で調整）し、消費電力を低減させることができる。また、当該リフレッシュレートに応じて、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を変化させてもよい。例えば、表示装置のリフレッシュレートが１２０Ｈｚの場合、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を１２０Ｈｚよりも高い周波数（代表的には２４０Ｈｚ）とする構成とすることができる。当該構成とすることで、低消費電力が実現でき、且つタッチセンサ、またはニアタッチセンサの応答速度を高めることが可能となる。

　受光デバイス２１２ＰＳは、表示装置が有する全ての画素に設けられていることが好ましい。全ての画素に受光デバイス２１２ＰＳを設けることにより、高い精度でタッチを検出することができる。なお、一部の画素に受光デバイス２１２ＰＳを設ける構成としてもよい。例えば、発光デバイス及び受光デバイスを設けた画素と、受光デバイスを設けた（発光デバイスのみを設けない）画素と、有する表示装置としてもよい。

　前述の表示装置２００と異なる構成例を、図１６Ａに示す。図１６Ａに示す表示装置２００Ａは、基板２０１、基板２０２、発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂ、発光デバイス２１１ＩＲ、受光デバイス２１２ＰＳ、及び機能層２０３等を有する。表示装置２００Ａは、発光デバイス２１１ＩＲを有する点で、前述の表示装置２００と主に異なる。

　発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂ、及び受光デバイス２１２ＰＳは、基板２０１と基板２０２の間に設けられている。発光デバイス２１１ＩＲは、赤外光を発する。発光デバイス２１１ＩＲは、前述の発光デバイスを用いることができる。

　図１６Ａは、基板２０２の表面に指２２０が触れる様子を示している。発光デバイス（例えば、発光デバイス２１１ＩＲ）が発する光の一部は、基板２０２と指２２０との接触部で反射される。そして、反射光の一部が、受光デバイス２１２ＰＳに入射されることにより、指２２０が基板２０２に接触したことを検出することができる。例えば、発光デバイス２１１ＩＲから赤外線を射出し、受光デバイス２１２ＰＳで赤外光を検出することにより、暗い場所でも、タッチ検出が可能となる。

　表示装置２００Ａは、発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ及び発光デバイス２１１Ｂを用いて表示部に画像を表示するとともに、発光デバイス２１１ＩＲ及び受光デバイス２１２ＰＳを用いて表示部でタッチ検出を行うことができる。また、表示装置２００Ａは、表示部に画像を表示するとともに、表示部で撮像を行うことができる。

　図１６Ｂは、発光デバイス２１１Ｇから射出された光１９１が、対象物（例えば、指２２０）で反射し、その反射した光１９２が受光デバイス２１２ＰＳに入射する様子を示している。図１６Ｃは、発光デバイス２１１ＩＲから射出された光１９１が、対象物（例えば、指２２０）で反射し、その反射した光１９２が受光デバイス２１２ＰＳに入射する様子を示している。対象物は、表示装置２００Ａに接触していないが、受光デバイス２１２ＰＳを用いて、対象物を検出することができる。

　前述の表示装置２００Ａと異なる構成例を、図１７Ａに示す。図１７Ａに示す表示装置２００Ｂは、基板２０１、基板２０２、発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂ、発光デバイス２１１ＩＲ、受光デバイス２１２ＰＳ、受光デバイス２１２ＩＲＳ、及び機能層２０３等を有する。表示装置２００Ｂは、受光デバイスの構成が異なる点で、前述の表示装置２００Ａと主に異なる。

　発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂ、受光デバイス２１２ＰＳ、及び受光デバイス２１２ＩＲＳは、基板２０１と基板２０２の間に設けられている。受光デバイス２１２ＰＳは、可視光を受光する。受光デバイス２１２ＩＲＳは、赤外光を受光する。受光デバイス２１２ＰＳ、及び受光デバイス２１２ＩＲＳは、前述の受光デバイスを用いることができる。

　図１７Ａは、基板２０２の表面に指２２０が触れる様子を示している。発光デバイス（例えば、発光デバイス２１１ＩＲ）が発する光の一部は、基板２０２と指２２０との接触部で反射される。そして、反射光の一部が、受光デバイス２１２ＩＲＳに入射されることにより、指２２０が基板２０２に接触したことを検出することができる。

　図１７Ｂは、発光デバイス２１１ＩＲから射出された光１９１が、対象物（例えば、指２２０）で反射し、その反射した光１９２が受光デバイス２１２ＩＲＳに入射する様子を示している。図１７Ｃは、発光デバイス２１１Ｇから射出された光１９１が、対象物（例えば、指２２０）で反射し、その反射した光１９２が受光デバイス２１２ＰＳに入射する様子を示している。対象物は、表示装置２００Ｂに接触していないが、受光デバイス２１２ＰＳ　、または受光デバイス２１２ＩＲＳを用いて、対象物を検出することができる。

　受光デバイス２１２ＰＳの受光領域の面積（以下、受光面積とも記す）は、受光デバイス２１２ＩＲＳの受光面積よりが小さいことが好ましい。受光デバイス２１２ＰＳの受光面積を小さく、つまり撮像範囲を狭くすることで、受光デバイス２１２ＰＳは受光デバイス２１２ＩＲＳに比べて高精細な撮像を行うことができる。このとき、受光デバイス２１２ＰＳは、指紋、掌紋、虹彩、脈形状（静脈形状、動脈形状を含む）、または顔などを用いた個人認証のための撮像などに用いることができる。なお、受光デバイス２１２ＰＳは、用途に応じて、検出する光の波長を適宜決定してもよい。

　受光デバイス２１２ＰＳと、受光デバイス２１２ＩＲＳとの検出精度の差から、機能に応じて、対象物の検出方法を選択してもよい。例えば、表示画面のスクロール機能は、受光デバイス２１２ＩＲＳを用いたニアタッチセンサ機能によって実現し、画面に表示されたキーボードでの入力機能は、受光デバイス２１２ＰＳを用いた高精細なタッチセンサ機能によって実現してもよい。

　１つの画素に、２種類の受光デバイスを搭載することで、表示機能に加えて、２つの機能を追加することができ、多機能の表示装置とすることができる。

　なお、高精細な撮像を行うため、受光デバイス２１２ＰＳは、表示装置が有する全ての画素に設けられていることが好ましい。一方で、タッチセンサまたはニアタッチセンサなどに用いる受光デバイス２１２ＩＲＳは、受光デバイス２１２ＰＳを用いた検出に比べて高い精度が求められないため、表示装置が有する一部の画素に設けてもよい。表示装置が有する受光デバイス２１２ＩＲＳの数を、受光デバイス２１２ＰＳの数よりも少なくすることで、検出速度を高めることができる。

　以上のように、本実施の形態の表示装置は、１つの画素に発光デバイス及び受光デバイスを搭載することで、多機能の表示装置とすることができる。例えば、高精細な撮像機能、及びタッチセンサまたはニアタッチセンサなどのセンシング機能を有する表示装置を実現することができる。

　本発明の一態様の表示装置は、特定の色の光を射出し、対象物で反射した反射光を受光してもよい。図１８Ａは、表示装置から射出される赤色の光と、対象物（ここでは指２２０）で反射することにより表示装置に入射した赤色の光をそれぞれ矢印で模式的に示している。図１８Ｂは、表示装置から射出される赤外光と、対象物（ここでは指２２０）で反射することにより表示装置に入射した赤外光をそれぞれ矢印で模式的に示している。

　対象物が表示装置に接触または近接した状態で、赤色の光を射出し、対象物からの反射光が表示装置に入射することにより、対象物の赤色の光に対する透過率を測定できる。同様に、対象物が表示装置に接触または近接した状態で、赤外光を射出し、対象物からの反射光が表示装置に入射することにより、対象物の赤外光に対する透過率を測定できる。

　図１８Ａの一点鎖線で示す領域Ｐの拡大図を、図１８Ｃに示す。発光デバイス２１１Ｒから射出された光１９１は、指２２０の表面及び内部の生体組織により散乱し、一部の散乱光が生体内部から受光デバイス２１２ＰＳの方向に進む。この散乱光が血管９１を透過し、その透過した光１９２が受光デバイス２１２ＰＳに入射する。

　同様に、発光デバイス２１１ＩＲから射出された赤外光は、指２２０の表面及び内部の生体組織により散乱し、一部の散乱した赤外光が生体内部から受光デバイス２１２ＩＲＳの方向に進む。この散乱した赤外光が血管９１を透過し、その透過した赤外光が受光デバイス２１２ＩＲＳに入射する。

　ここで、光１９２は、生体組織９３、及び血管９１（動脈、及び静脈）を経た光である。動脈血は心拍によって脈動するため、動脈による光の吸収は、心拍に応じて変動する。一方、生体組織９３、及び静脈は心拍の影響を受けないため、生体組織９３よる光の吸収、及び静脈による光の吸収は一定となる。したがって、表示装置に入射した光１９２から経時的に一定な成分を除外することにより、動脈の光の透過率を算出することができる。また、赤色の光の透過率は、酸素と結合しているヘモグロビン（酸素化ヘモグロビンともいう）より酸素と結合していないヘモグロビン（還元ヘモグロビンともいう）で低くなる。赤外光の透過率は、酸素化ヘモグロビンと還元ヘモグロビンで同程度となる。赤色の光に対する動脈の透過率と、赤外光に対する動脈の透過率を測定することにより、酸素化ヘモグロビンと還元ヘモグロビンの総和に対する酸素化ヘモグロビンの比率、つまり酸素飽和度（以下、経皮的酸素飽和度（ＳｐＯ_２：Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ　Ｏｘｙｇｅｎ　Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ）ともいう）を算出することができる。このように、本発明の一態様である表示装置は、反射型のパルスオキシメータとしての機能を有することができる。

　例えば、表示装置の表示部に指が接触した際に、指が接触している領域の位置情報を取得する。その後、指が接触している領域及びその近傍の画素から赤色の光を射出して赤色の光に対する動脈の透過率を測定する。続いて、赤外光を射出して赤外光に対する動脈の透過率を測定することにより、酸素飽和度を算出することができる。なお、赤色の光に対する透過率と、赤外光に対する透過率を測定する順は特に限定されない。赤外光に対する透過率を測定した後に、赤色の光に対する透過率を測定してもよい。また、ここでは指を用いて酸素飽和度を算出する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。指以外の部位で酸素飽和度を算出することもできる。例えば、表示装置の表示部に掌を接触させた状態で赤色の光に対する動脈の透過率と、赤外光に対する動脈の透過率を測定することにより、酸素飽和度を算出することができる。

　本発明の一態様の表示装置を適用した電子機器の一例を、図１９Ａに示す。図１９Ａに示す携帯情報端末４００は、例えば、スマートフォンとして用いることができる。携帯情報端末４００は、筐体４０２と、表示部４０４を有する。表示部４０４は、前述の表示装置を適用することができる。表示部４０４は、例えば、前述の表示装置２００Ｂを好適に用いることができる。

　図１９Ａは、携帯情報端末４００の表示部４０４に指４０６が接触している様子を示している。図１９Ａは、タッチを検出した領域及びその近傍である領域４０８を一点鎖線で示している。

　携帯情報端末４００は、領域４０８の画素から赤色の光を射出し、表示部４０４に入射した赤色の光を検出する。同様に、領域４０８の画素から赤外光を射出し、表示部４０４に入射した赤外光を検出することにより、指４０６の酸素飽和度を測定することができる。図１９Ｂは、領域４０８の画素を点灯する様子を示している。図１９Ｂは、指４０６を透過させ、輪郭のみを破線で示し、領域４０８にハッチングを施している。図１９Ｂに示すように、点灯している領域４０８は、指４０６によって隠れ、ユーザーから視認されにくい。そのため、ユーザーにストレスを感じさせることなく、酸素飽和度を測定することができる。また、携帯情報端末４００は、表示部４０４内のどの位置でも酸素飽和度の測定することができる。

　得られた酸素飽和度を、表示部４０４に示してもよい。図１９Ｃは、領域４０７に酸素飽和度を示す画像４０９を表示する様子を示している。図１９Ｃでは、画像４０９の例として、“ＳｐＯ_２９７％”の文字を示している。なお、画像４０９は画像であってもよく、画像及び文字を含んでもよい。また、領域４０７は表示部４０４の任意に位置に設ければよい。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置とその作製方法について、図２０乃至図２７を用いて説明する。

　発光デバイス、及び受光デバイスを有する表示装置を作製する場合、発光層及び活性層をそれぞれ島状に形成する必要がある。

　例えば、メタルマスク（シャドーマスクともいう）を用いた真空蒸着法により、島状の発光層及び活性層を成膜することができる。しかし、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の発光層及び活性層の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。

　本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状の画素電極（下部電極ともいえる）を形成し、ＥＬ層となる第１の層を一面に形成した後、第１の層上に第１のマスク層を形成する。そして、第１のマスク層上に第１のレジストマスクを形成し、第１のレジストマスクを用いて、第１の層と第１のマスク層を加工することで、島状のＥＬ層を形成する。同様に、受光層となる第２の層を、第２のマスク層及び第２のレジストマスクを用いて、島状の受光層を形成する。

　このように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状のＥＬ層は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、ＥＬ層となる層を一面に成膜した後に加工することで形成される。同様に、島状の受光層は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、受光層となる層を一面に成膜した後に加工することで形成される。したがって、これまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。さらに、ＥＬ層を各色で作り分けることができるため、極めて鮮やかでコントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。さらに、画素内に受光デバイスを設けることができ、高精細な撮像機能、及びタッチセンサまたはニアタッチセンサなどのセンシング機能を有する表示装置を実現できる。また、ＥＬ層上、及び受光層上にマスク層を設けることで、表示装置の作製工程中にＥＬ層及び受光層が受けるダメージを低減し、発光デバイス及び受光デバイスの信頼性を高めることができる。

　隣り合う発光デバイス及び受光デバイスの間隔は、例えば、メタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、上記方法によれば、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。また、例えば、ＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで間隔を狭めることもできる。これにより、画素に占める発光領域の面積（以下、発光面積とも記す）、及び受光面積を大きくすることができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、開口率は、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

　ＥＬ層及び受光層自体のパターンについても、メタルマスクを用いた場合に比べて極めて小さくすることができる。例えば、ＥＬ層及び受光層の作り分けにメタルマスクを用いた場合では、パターンの中央と端で厚さのばらつきが生じるため、パターン全体の面積に対して、発光領域または受光領域として使用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さに成膜した膜を加工することでパターンを形成するため、パターン内で厚さを均一にでき、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域または受光領域として用いることができる。そのため、高い精細度と高い開口率を兼ね備えた表示装置を作製することができる。

＜表示装置の構成例＞
　本発明の一態様の表示装置を、図２０Ａ及び図２０Ｂに示す。

　図２０Ａは、表示装置１００の上面図である。表示装置１００は、複数の画素１１０がマトリクス状に配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。

　図２０Ａに示す画素１１０には、ストライプ配列が適用されている。図２０Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄの、４つの副画素から構成される。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃは、それぞれ異なる波長領域の光を発する発光デバイスを有する。当該発光デバイスとして、前述の発光デバイスを用いることができる。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃとしては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。副画素１１０ｄは、受光デバイスを有する。当該受光デバイスとして、前述の受光デバイスを用いることができる。

　図２０Ａでは、各副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ種類の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。なお、異なる種類の副画素がＹ方向に並べて配置され、同じ種類の副画素が、Ｘ方向に並べて配置されていてもよい。

　図２０Ａでは、上面視において、接続部１４０が表示部の下側に位置する例を示すが、特に限定されない。接続部１４０は、上面視において、表示部の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

　図２０Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を、図２０Ｂに示す。

　図２０Ｂに示すように、表示装置１００は、トランジスタを含む層１０１上に、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、及び受光デバイス１３０ｄが設けられる。さらに、これらの発光デバイス及び受光デバイスを覆うように保護層１３１、及び保護層１３２が設けられている。保護層１３２上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイス及び受光デバイスの間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。

　トランジスタを含む層１０１には、例えば、基板に複数のトランジスタが設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。トランジスタを含む層１０１は、隣り合う発光デバイスの間に凹部を有していてもよい。例えば、トランジスタを含む層１０１の最表面に位置する絶縁層に凹部が設けられていてもよい。

　発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃはそれぞれ、異なる波長領域の光を発する。発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃは、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光を発する組み合わせであることが好ましい。

　発光デバイス１３０ａは、トランジスタを含む層１０１上の画素電極１１１ａと、画素電極１１１ａ上の島状のＥＬ層１１３ａと、島状のＥＬ層１１３ａ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。

　発光デバイス１３０ｂは、トランジスタを含む層１０１上の画素電極１１１ｂと、画素電極１１１ｂ上の島状のＥＬ層１１３ｂと、島状のＥＬ層１１３ｂ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。

　発光デバイス１３０ｃは、トランジスタを含む層１０１上の画素電極１１１ｃと、画素電極１１１ｃ上の島状のＥＬ層１１３ｃと、島状のＥＬ層１１３ｃ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。

　受光デバイス１３０ｄは、トランジスタを含む層１０１上の画素電極１１１ｄと、画素電極１１１ｄ上の島状の受光層１１３ｄと、島状の受光層１１３ｄ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。

　各色の発光デバイス及び受光デバイスは、共通電極として同一の膜を共有している。共通電極は、接続部１４０に設けられた導電層と電気的に接続される。これにより、各色の発光デバイス及び受光デバイスが有する共通電極には、同電位が供給される。

　発光デバイス及び受光デバイスの一対の電極（画素電極と共通電極）として、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等を用いることができる。

　発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。

　なお、半透過・半反射電極は、可視光に対する反射性を有する電極と、可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）との積層構造とすることができる。

　透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスには、可視光の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。なお、発光デバイスが赤外光を発する場合、これらの電極の赤外光の透過率または反射率は、可視光の透過率または反射率と同様に、上記の数値範囲を満たすことが好ましい。

　ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄはそれぞれ、島状に設けられる。ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、及びＥＬ層１１３ｃはそれぞれ、発光層を有する。ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、及びＥＬ層１１３ｃはそれぞれ、異なる波長領域の光を発する発光層を有することが好ましい。受光層１１３ｄは、活性層を有する。

　発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、１種または複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、赤外光を発する物質を用いることもできる。

　発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、量子ドット材料などが挙げられる。

　蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。

　燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、希土類金属錯体等が挙げられる。

　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

　励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位（最高被占有軌道準位）が電子輸送性材料のＨＯＭＯ準位以上の値であると好ましい。正孔輸送性材料のＬＵＭＯ準位（最低空軌道準位）が電子輸送性材料のＬＵＭＯ準位以上の値であると好ましい。材料のＬＵＭＯ準位及びＨＯＭＯ準位は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって測定される材料の電気化学特性（還元電位及び酸化電位）から導出することができる。

　励起錯体の形成は、例えば正孔輸送性材料の発光スペクトル、電子輸送性材料の発光スペクトル、及びこれら材料を混合した混合膜の発光スペクトルを比較し、混合膜の発光スペクトルが、各材料の発光スペクトルよりも長波長シフトする（または長波長側に新たなピークを持つ）現象を観測することにより確認することができる。または、正孔輸送性材料の過渡フォトルミネッセンス（ＰＬ）、電子輸送性材料の過渡ＰＬ、及びこれら材料を混合した混合膜の過渡ＰＬを比較し、混合膜の過渡ＰＬ寿命が、各材料の過渡ＰＬ寿命よりも長寿命成分を有する、または遅延成分の割合が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測することにより、確認することができる。また、上述の過渡ＰＬは過渡エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）と読み替えても構わない。すなわち、正孔輸送性材料の過渡ＥＬ、電子輸送性を有する材料の過渡ＥＬ、及びこれらの混合膜の過渡ＥＬを比較し、過渡応答の違いを観測することによっても、励起錯体の形成を確認することができる。

　ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、及び、ＥＬ層１１３ｃは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、電子ブロック材料、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

　発光デバイスには低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　例えば、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、及び、ＥＬ層１１３ｃは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上を有していてもよい。

　ＥＬ層のうち、各色に共通して形成される層としては、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上を適用することができる。例えば、共通層１１４として、キャリア注入層（正孔注入層または電子注入層）を形成してもよい。なお、ＥＬ層の全ての層を色ごとに作り分けてもよい。つまり、ＥＬ層は、各色に共通して形成される層を有していなくてもよい。

　ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、及び、ＥＬ層１１３ｃは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリア輸送層を有することが好ましい。これにより、表示装置１００の作製工程中に、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

　正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

　電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

　電子注入層としては、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、Ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層としては、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成とすることができる。

　または、電子注入層としては、電子輸送性材料を用いてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも一つを有する化合物を用いることができる。

　なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位が、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：ｈｉｇｈｅｓｔ　ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ＜２，３−ａ：２’，３’−ｃ＞フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス＜３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル＞−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

　タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットとの間に、中間層を設ける。中間層は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

　中間層としては、例えば、リチウムなどの電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層としては、例えば、正孔注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層には、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む層を用いることができる。また、中間層には、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を用いることができる。このような層を有する中間層を形成することにより、発光ユニットが積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

　活性層は、半導体を含む。当該半導体としては、シリコンなどの無機半導体、及び、有機化合物を含む有機半導体が挙げられる。本実施の形態では、活性層が有する半導体として、有機半導体を用いる例を示す。有機半導体を用いることで、発光層と、活性層と、を同じ方法（例えば、真空蒸着法）で形成することができ、製造装置を共通化できるため好ましい。

　活性層が有するｎ型半導体の材料としては、フラーレン（例えばＣ_６０、Ｃ_７０等）、フラーレン誘導体等の電子受容性の有機半導体材料が挙げられる。フラーレンは、サッカーボールのような形状を有し、当該形状はエネルギー的に安定である。フラーレンは、ＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位の双方が深い（低い）。フラーレンは、ＬＵＭＯ準位が深いため、電子受容性（アクセプター性）が極めて高い。通常、ベンゼンのように、平面にπ電子共役（共鳴）が広がると、電子供与性（ドナー性）が高くなるが、フラーレンは球体形状であるため、π電子共役が大きく広がっているにも関わらず、電子受容性が高くなる。電子受容性が高いと、電荷分離を高速に効率よく起こすため、受光デバイスとして有益である。Ｃ_６０、Ｃ_７０ともに可視光領域に広い吸収帯を有しており、特にＣ_７０はＣ_６０に比べてπ電子共役系が大きく、長波長領域にも広い吸収帯を有するため好ましい。そのほか、フラーレン誘導体としては、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ７１−ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ７０ＢＭ）、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ６１−ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ６０ＢＭ）、１’，１’’，４’，４’’−Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ−ｄｉ［１，４］ｍｅｔｈａｎｏｎａｐｈｔｈａｌｅｎｏ［１，２：２’，３’，５６，６０：２’’，３’’］［５，６］ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ−Ｃ６０（略称：ＩＣＢＡ）などが挙げられる。

また、ｎ型半導体の材料としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｍｅ−ＰＴＣＤＩ）などのペリレンテトラカルボン酸誘導体、及び、２，２’−（５，５’−（チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル）ビス（チオフェン−５，２−ジイル））ビス（メタン−１−イル−１−イリデン）ジマロノニトリル（略称：ＦＴ２ＴＤＭＮ）が挙げられる。

　ｎ型半導体の材料として、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、クマリン誘導体、ローダミン誘導体、トリアジン誘導体、キノン誘導体等が挙げられる。

　活性層が有するｐ型半導体の材料としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（Ｃｏｐｐｅｒ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＣｕＰｃ）、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（Ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｄｉｂｅｎｚｏｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅ；ＤＢＰ）、亜鉛フタロシアニン（Ｚｉｎｃ　Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＺｎＰｃ）、スズフタロシアニン（ＳｎＰｃ）、キナクリドン、ルブレン等の電子供与性の有機半導体材料が挙げられる。

　ｐ型半導体の材料として、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体、芳香族アミン骨格を有する化合物等が挙げられる。さらに、ｐ型半導体の材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、ピロール誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、インドール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。

　電子供与性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。電子供与性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。

　電子受容性の有機半導体材料として、球状のフラーレンを用い、電子供与性の有機半導体材料として、平面に近い形状の有機半導体材料を用いることが好ましい。似た形状の分子同士は集まりやすい傾向にあり、同種の分子が凝集すると、分子軌道のエネルギー準位が近いため、キャリア輸送性を高めることができる。

　例えば、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体と共蒸着して形成することが好ましい。または、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体とを積層して形成してもよい。

　発光デバイス及び受光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイス及び受光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　例えば、正孔輸送性材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などの高分子化合物、及び、モリブデン酸化物、ヨウ化銅（ＣｕＩ）などの無機化合物を用いることができる。また、電子輸送性材料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの無機化合物を用いることができる。

　活性層に、ドナーとして機能するＰｏｌｙ［［４，８−ｂｉｓ［５−（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−２−ｔｈｉｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｏ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２，６−ｄｉｙｌ］−２，５−ｔｈｉｏｐｈｅｎｅｄｉｙｌ［５，７−ｂｉｓ（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−４，８−ｄｉｏｘｏ−４Ｈ，８Ｈ−ｂｅｎｚｏ［１，２−ｃ：４，５−ｃ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−１，３−ｄｉｙｌ］］ｐｏｌｙｍｅｒ（略称：ＰＢＤＢ−Ｔ）、または、ＰＢＤＢ−Ｔ誘導体などの高分子化合物を用いることができる。例えば、ＰＢＤＢ−ＴまたはＰＢＤＢ−Ｔ誘導体にアクセプター材料を分散させる方法などが使用できる。

　活性層に、３種類以上の材料を混合させてもよい。例えば、波長領域を拡大する目的で、ｎ型半導体の材料と、ｐ型半導体の材料と、に加えて、第３の材料を混合してもよい。このとき、第３の材料は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。

　画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、画素電極１１１ｄ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄのそれぞれの側面は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７によって覆われている。これにより、共通層１１４（または共通電極１１５）が、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、画素電極１１１ｄ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄのいずれかの側面と接することを抑制し、発光デバイス及び受光デバイスのショートを抑制することができる。

　絶縁層１２５は、少なくとも画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び画素電極１１１ｄの側面を覆うことが好ましい。さらに、絶縁層１２５は、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄの側面を覆うことが好ましい。絶縁層１２５は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、画素電極１１１ｄ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄのそれぞれの側面と接する構成とすることができる。

　絶縁層１２７は、絶縁層１２５に形成された凹部を充填するように、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、画素電極１１１ｄ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄのそれぞれの側面と重なる構成とすることができる。

　なお、絶縁層１２５及び絶縁層１２７のいずれか一方を設けなくてもよい。例えば、絶縁層１２５を設けない場合、絶縁層１２７は、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄのそれぞれの側面と接する構成とすることができる。絶縁層１２７は、発光デバイスが有するＥＬ層、及び受光デバイスが有する受光層の間を充填するように、層１０１上に設けることができる。

　共通層１１４及び共通電極１１５は、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に設けられる。絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設ける前の段階では、画素電極が設けられる領域と、画素電極が設けられない領域（発光デバイス及び受光デバイス間の領域）で段差が生じている。本発明の一態様の表示装置は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を有することで当該段差を平坦にすることができ、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を向上させることができる。したがって、共通電極１１５の段切れによる接続不良を抑制することができる。または、段差によって共通電極１１５が局所的に薄くなり、電気抵抗が上昇することを抑制することができる。

　共通層１１４及び共通電極１１５の形成面の平坦性を向上させるために、絶縁層１２５の上面及び絶縁層１２７の上面の高さは、それぞれ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの少なくとも一つの上面の高さと一致または概略一致することが好ましい。また、絶縁層１２７の上面は平坦な形状を有することが好ましく、凸部または凹部を有していてもよい。

　絶縁層１２５は、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの側面と接する領域を有し、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの保護絶縁層として機能する。絶縁層１２５を設けることで、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの側面から内部へ不純物（酸素、水分等）が侵入することを抑制でき、信頼性の高い表示装置とすることができる。

　断面視においてＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの側面と接する領域における絶縁層１２５の幅（厚さ）が大きいと、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの間隔が大きくなり、開口率が低くなってしまう場合がある。また、絶縁層１２５の幅（厚さ）が小さいと、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの側面から内部へ不純物が侵入することを抑制する効果が小さくなってしまう場合がある。

　ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの側面と接する領域における絶縁層１２５の幅（厚さ）は、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらには３ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましい。絶縁層１２５の幅（厚さ）を前述の範囲とすることで、高い開口率を有し、かつ信頼性の高い表示装置とすることができる。

　絶縁層１２５は、無機材料を有することができる。絶縁層１２５は、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。

　絶縁層１２５の形成は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用いることができる。絶縁層１２５は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法は、被形成面への成膜ダメージが小さいため、好適に用いることができる。

　酸化絶縁膜として、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、ＥＬ層との選択比が高く、後述する絶縁層１２７の形成において、ＥＬ層を保護する機能を有するため、好ましい。特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。

　なお、本明細書などにおいて、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　絶縁層１２５上に設けられる絶縁層１２７は、隣接する発光デバイス間に形成された絶縁層１２５の凹部を平坦化する機能を有する。換言すると、絶縁層１２７を有することで共通電極１１５の形成面の平坦性を向上させる効果を奏する。絶縁層１２７としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、絶縁層１２７として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、絶縁層１２７として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。また、絶縁層１２７として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

　絶縁層１２７の上面の高さと、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄのいずれかの上面の高さとの差が、例えば、絶縁層１２７の厚さの０．５倍以下が好ましく、０．３倍以下がより好ましい。また、例えば、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄのいずれかの上面が絶縁層１２７の上面よりも高くなるように、絶縁層１２７を設けてもよい。また、例えば、絶縁層１２７の上面が、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、及びＥＬ層１１３ｃが有する発光層の上面よりも高く、かつ受光層１１３ｄが有する活性層の上面よりも高くなるように、絶縁層１２７を設けてもよい。

　発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、及び受光デバイス１３０ｄ上に保護層１３１、及び保護層１３２を有することが好ましい。保護層１３１、及び保護層１３２を設けることで、発光デバイス及び受光デバイスの信頼性を高めることができる。

　保護層１３１、及び保護層１３２の導電性は問わない。保護層１３１、及び保護層１３２として、絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜の少なくとも一種を用いることができる。

　保護層１３１、及び保護層１３２が無機膜を有することで、共通電極１１５の酸化を防止する、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、及び受光デバイス１３０ｄに不純物（水分、酸素など）が入り込むことを抑制する、など、発光デバイス及び受光デバイスの劣化を抑制し、表示装置の信頼性を高めることができる。

　保護層１３１、及び保護層１３２には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。

　保護層１３１、及び１３２はそれぞれ、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を有することが好ましく、窒化絶縁膜を有することがより好ましい。

　保護層１３１、及び保護層１３２には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう）などを含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。

　発光デバイスからの光の射出、及び受光デバイスへの光の入射を、保護層１３１、及び保護層１３２を介して取り出す場合、保護層１３１、保護層１３２は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。

　保護層１３１、及び保護層１３２としては、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、または、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造などを用いることができる。当該積層構造を用いることで、ＥＬ層側に入り込む不純物（水、酸素など）を抑制することができる。

　さらに、保護層１３１、及び保護層１３２は、有機膜を有していてもよい。例えば、保護層１３２は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。

　保護層１３１と保護層１３２とで異なる成膜方法を用いてもよい。具体的には、ＡＬＤ法を用いて保護層１３１を形成し、スパッタリング法を用いて保護層１３２を形成してもよい。

　画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び画素電極１１１ｄのそれぞれの上面端部は、絶縁層によって覆われていない。そのため、隣り合う発光デバイス及び受光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。

　本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

　なお、本明細書等において、各色の発光デバイス（ここでは青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上、信頼性の向上を図ることが容易となる。

　本明細書等において、白色光を発することのできる発光デバイスを白色発光デバイスと呼ぶ場合がある。なお、白色発光デバイスは、着色層（たとえば、カラーフィルタ）と組み合わせることで、フルカラー表示の表示装置を実現することができる。

　ここで、発光デバイスは、シングル構造と、タンデム構造とに大別することができる。シングル構造のデバイスは、一対の電極間に１つの発光ユニットを有し、当該発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光層の各々の発光が補色の関係となるような発光層を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する構成を得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合は、各発光層の発光色の混合により白色発光する構成とすることができる。

　タンデム構造のデバイスは、一対の電極間に２以上の複数の発光ユニットを有し、各発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、複数の発光ユニットの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成とすればよい。なお、白色発光が得られる構成については、シングル構造の構成と同様である。なお、タンデム構造のデバイスにおいて、複数の発光ユニットの間には、電荷発生層などの中間層を設けると好適である。

　上述の白色発光デバイス（シングル構造またはタンデム構造）と、ＳＢＳ構造の発光デバイスと、を比較した場合、ＳＢＳ構造の発光デバイスは、白色発光デバイスよりも消費電力を低くすることができる。消費電力を低く抑えたい場合は、ＳＢＳ構造の発光デバイスを用いると好適である。一方で、白色発光デバイスは、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光デバイスよりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、又は製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。

　本実施の形態の表示装置は、発光デバイス間の距離を狭くすることができる。具体的には、発光デバイス間の距離、ＥＬ層間の距離、または画素電極間の距離を、１０μｍ未満、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、９０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１５ｎｍ以下、または１０ｎｍ以下とすることができる。別言すると、ＥＬ層１１３ａの側面とＥＬ層１１３ｂの側面との間隔、またはＥＬ層１１３ｂの側面とＥＬ層１１３ｃの側面との間隔が１μｍ以下の領域を有し、好ましくは０．５μｍ（５００ｎｍ）以下の領域を有し、さらに好ましくは１００ｎｍ以下の領域を有する。

　同様に、本実施の形態の表示装置は、受光デバイス間の距離を狭くすることができる。具体的には、受光デバイス間の距離、受光層間の距離、または画素電極間の距離を、１０μｍ未満、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、９０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１５ｎｍ以下、または１０ｎｍ以下とすることができる。別言すると、受光層の側面と隣接する受光層の側面との間隔が１μｍ以下の領域を有し、好ましくは０．５μｍ（５００ｎｍ）以下の領域を有し、さらに好ましくは１００ｎｍ以下の領域を有する。

　本実施の形態の表示装置は、発光デバイスと受光デバイスの間の距離を狭くすることができる。具体的には、発光デバイスと受光デバイスの間の距離、ＥＬ層と受光層の間の距離、または画素電極間の距離を、２０μｍ未満、１０μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、９０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１５ｎｍ以下、または１０ｎｍ以下とすることができる。別言すると、ＥＬ層１１３ａの側面と受光層１１３ｄの側面との間隔、ＥＬ層１１３ｂの側面と受光層１１３ｄの側面との間隔、またはＥＬ層１１３ｃの側面と受光層１１３ｄの側面との間隔が１μｍ以下の領域を有し、好ましくは０．５μｍ（５００ｎｍ）以下の領域を有し、さらに好ましくは１００ｎｍ以下の領域を有する。

　基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層を設けてもよい。また、基板１２０の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等を配置してもよい。

　基板１２０には、ガラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１２０に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。

　基板１２０としては、それぞれ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

　なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

　光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

　光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリル樹脂フィルム等が挙げられる。

　基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

　樹脂層１２２は、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

　トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金などが挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。

　透光性を有する導電材料として、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層、及び、発光デバイスが有する導電層（画素電極または共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。

　各絶縁層に用いることのできる絶縁材料として、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。

　なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光デバイスを有する構成とすることができる。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光デバイス間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流などともいう）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、及び高いコントラスト比のいずれか一または複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れなどが限りなく少ない表示（真黒表示ともいう）とすることができる。

＜画素のレイアウト＞
　画素のレイアウトについて、説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。

　副画素の上面形状は、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。ここで、副画素の上面形状は、発光デバイスの発光領域、または受光デバイスの受光領域の上面形状に相当する。

　図２１Ａ乃至図２１Ｃに示す画素１１０は、ストライプ配列が適用されている。

　本発明の一態様の表示装置の表示部は、複数の画素を有し、画素は行方向及び列方向にマトリクス状に配置される。図２１Ａ乃至図２１Ｃに示す画素のレイアウトを適用した表示部は、行方向に副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄがこの順に繰り返し配置される第１の配列を有する。さらに、列方向に、第１の配列が繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素１１０ａが繰り返し配置される第２の配列と、列方向に副画素１１０ｂが繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素１１０ｃが繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素１１０ｄが繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第２の配列、第３の配列、第４の配列、及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。

　本実施の形態等では、画素のレイアウトを分かりやすく説明するため、図面の横方向を行方向、縦方向を列方向としているが、これに限定されず、行方向と列方向は入れ替えることができる。したがって、本明細書等において、行方向及び列方向の一方を、第１の方向を記し、行方向及び列方向の他方を、第２の方向と記す場合がある。第２の方向は、第１の方向と直交する。なお、表示部の上面形状が矩形の場合、第１の方向及び第２の方向はそれぞれ、表示部の輪郭の直線部分と平行でなくてもよい。また、表示部の上面形状は矩形に限定されず、多角形、または曲線を有する形状（円、楕円など）であってもよく、第１の方向及び第２の方向は表示部に対して任意の方向とすることができる。

　本実施の形態等では、画素のレイアウトを分かりやすく説明するため、図面の左から副画素の順序を示すが、これに限定されず、右からの順序に入れ替えることができる。同様に、図面の上から副画素の順序を示すが、これに限定されず、下からの順序に入れ替えることができる。

　本明細書等において、繰り返し配置されるとは、副画素の順序の最小単位が２回以上配置されることを指す。

　図２１Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図２１Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図２１Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

　さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層または受光層を島状に加工する。ＥＬ層上または受光層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層または受光層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度、受光層の材料の耐熱温度、及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層及び受光層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層及び受光層の上面形状が円形になることがある。

　なお、ＥＬ層及び受光層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンが一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

　図２１Ｄ乃至図２１Ｆに示す画素１１０は、マトリクス配列が適用されている。

　図２１Ｄ乃至図２１Ｆに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｂが交互に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列及び第２の配列がこの順に繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｃが交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第４の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列及び第４の配列が交互に繰り返し配置される。

　図２１Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図２１Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図２１Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

　図２１Ｇでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図２１Ｇに示すように、副画素で大きさを異ならせてもよい。図２１Ｇは、副画素１１０ｄが、副画素１１０ａ乃至副画素１１０ｃより大きい構成を示している。図２１Ｈは、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃが副画素１１０ａより大きく、副画素１１０ａが副画素１１０ｄより大きい構成を示している。図２１Ｈに示す画素１１０は、左の列（１列目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｄ）を有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有する。

　図２１Ｇに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素１１０ｄが繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列及び第２の配列が交互に繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列、第４の配列、及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。

　図２１Ｈに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素１１０ｄ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列及び第２の配列が交互に繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素１１０ｂが繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素１１０ｃが繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列、第４の配列、及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。

　図２１Ｉは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び３つの副画素１１０ｄを有する。画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素（３つの副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｄ）を有し、中央の列（２列目）に２つの副画素（副画素１１０ｂ、１１０ｄ）を有し、右の列（３列目）に２つの副画素（副画素１１０ｃ、１１０ｄ）を有する。

　図２１Ｉに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素１１０ｄが繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に第１の配列及び第２の配列が交互に繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列、第４の配列及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。

　図２１Ａ乃至図２１Ｉに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４つの副画素から構成される。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ異なる波長領域の光を発する発光デバイス、または受光デバイスを有する。例えば、図２２Ａ乃至図２２Ｅに示すように、副画素１１０ａが赤色の光を射出する機能を有する副画素（Ｒ）、副画素１１０ｂが緑色の光を射出する機能を有する副画素（Ｇ）、副画素１１０ｃが青色の光を射出する機能を有する副画素（Ｂ）、副画素１１０ｄが受光機能を有する副画素（ＰＳ）とすることができる。

　図２２Ａに示す画素のレイアウトを適用した表示部は、行方向に副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）、副画素（Ｂ）、及び副画素（ＰＳ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列を有する。さらに、列方向に、第１の配列が繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素（Ｒ）が繰り返し配置される第２の配列と、列方向に副画素（Ｇ）が繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素（Ｂ）が繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素（ＰＳ）が繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第２の配列、第３の配列、第４の配列、及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。

　図２２Ｂに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｒ）及び副画素（Ｇ）が交互に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素（Ｂ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列及び第２の配列がこの順に繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素（Ｒ）及び副画素（Ｂ）が交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素（Ｇ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第４の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列及び第４の配列が交互に繰り返し配置される。

　図２２Ｃに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素（ＰＳ）が繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列及び第２の配列が交互に繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素（Ｒ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素（Ｇ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素（Ｂ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列、第４の配列、及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。

　図２２Ｄに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素（ＰＳ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列及び第２の配列が交互に繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素（Ｒ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素（Ｇ）が繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素（Ｂ）が繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列、第４の配列、及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。

　図２２Ｅに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素（ＰＳ）が繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に第１の配列及び第２の配列が交互に繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素（Ｒ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素（Ｇ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素（Ｂ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列、第４の配列及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。

　発光デバイスを有する副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）の発光面積は互いに同じでもよく、互いに異なってもよい。例えば、発光デバイスを有する副画素の発光面積は、発光デバイスの寿命に応じて決めることができる。寿命が短い発光デバイスの副画素の発光面積を、他の副画素の発光面積より大きくすることが好ましい。

　図２２Ｄは、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）の発光面積が、副画素（Ｒ）の発光面積より大きい例を示している。この構成は、緑色の光を発する発光デバイス、及び青色の光を発する発光デバイスの寿命が、赤色の光を発する発光デバイスの寿命よりも短い場合に好適に用いることができる。発光面積の大きい副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）において、各副画素が有する緑色の光を発する発光デバイス、及び青色の光を発する発光デバイスにかかる電流密度は低くなるため、当該発光デバイスの寿命を長くすることができる。つまり、信頼性の高い表示装置とすることができる。

　図２１Ａ乃至図２１Ｉ、及び図２２Ａ乃至図２２Ｅと異なる画素のレイアウトの例を、図２３Ａ及び図２３Ｂに示す。

　図２３Ａは、４つの画素を示しており、隣接する２つの画素１１０Ａと画素１１０Ｂが異なる副画素を有する構成を示している。画素１１０Ａは、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｄの３つの副画素を有し、画素１１０Ａと隣接する画素１１０Ｂは、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄを有する。つまり、列方向、及び行方向において、副画素１１０ａを含む画素１１０Ａと、副画素１１０ａを含まない画素１１０Ｂが交互に繰り返し配置される。同様に、列方向、及び行方向において、副画素１１０ｃを含まない画素１１０Ａと、副画素１１０ｃを含む画素１１０Ｂが交互に繰り返し配置される。

　画素１１０Ａは、２行２列で構成され、左の列（１列目）に、２つの副画素（副画素１１０ｂ、１１０ｄ）を有し、右の列（２列目）に、１つの副画素（副画素１１０ａ）を有する。言い換えると、画素１１０Ａは、上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｄ）を有し、さらに、この２行にわたって、副画素１１０ａを有する。

　画素１１０Ｂは、２行２列で構成され、左の列（１列目）に、２つの副画素（副画素１１０ｂ、１１０ｄ）を有し、右の列（２列目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有する。言い換えると、画素１１０Ａは、上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に２つの副画素（副画素１１０ｃ、１１０ｄ）を有し、さらに、この２行にわたって、副画素１１０ｃを有する。

　図２３Ａに示す画素は、画素１１０Ａと画素１１０Ｂの２つの画素で、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄの４種の副画素を有する構成である。画素１１０Ａと画素１１０Ｂの２つの画素で、１つの副画素１１０ａ、２つの副画素１１０ｂ、１つの副画素１１０ｃ、２つの副画素１１０ｄを有する。このような構成にすることにより、疑似的に高い精細度を維持しつつ、副画素の面積を大きくすることができ、必要な加工精度を低くすることができる。つまり、同じ加工精度で比較すると、より高精細な表示装置を作製することが可能となる。また、面積当たりのトランジスタの数を少なくすることができるため、生産性を高めることができる。したがって、疑似的に高精細な表示装置を、高い生産性で作製することができる。

　図２３Ａに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素１１０ｄ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｄ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列ＡＲＲ１及び第２の配列ＡＲＲ２が交互に繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３と、列方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｃが交互に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列ＡＲＲ３及び第４の配列ＡＲＲ４が交互に繰り返し配置される。

　画素１１０Ａにおいて、副画素１１０ａは、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄのいずれよりも面積が大きく、画素１１０Ｂにおいて、副画素１１０ｃは、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄのいずれよりも面積が大きいことが好ましい。さらに、画素１１０Ａで最も面積の大きい副画素（ここでは、副画素１１０ａ）と、画素１１０Ｂで最も面積の大きい副画素（ここでは、副画素１１０ｃ）が異なることが好ましい。

　なお、本明細書等において、発光デバイスを有する副画素における発光面積を、副画素の面積と記す場合がある。同様に、受光デバイスを有する副画素における受光面積を、副画素の面積と記す場合がある。

　図２３Ａは、副画素１１０ａと副画素１１０ｃを同じ面積で示し、副画素１１０ｂと副画素１１０ｄを同じ面積で示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。副画素１１０ａと副画素１１０ｃの面積が異なってもよい。また、副画素１１０ｂと副画素１１０ｄの面積が異なってもよい。図２３Ｂは、副画素１１０ｂの面積が副画素１１０ｄの面積より大きい例を示している。なお、画素１１０Ａと画素１１０Ｂで、副画素１１０ｂの面積が異なってもよく、副画素１１０ｄの面積が異なってもよい。

　副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃは、それぞれ異なる波長領域の光を発する発光デバイスを有し、副画素１１０ｄは、受光デバイスを有することが好ましい。例えば、図２４Ａ及び図２４Ｂに示すように、副画素１１０ａが赤色の光を射出する機能を有する副画素（Ｒ）、副画素１１０ｂが緑色の光を射出する機能を有する副画素（Ｇ）、副画素１１０ｃが青色の光を射出する機能を有する副画素（Ｂ）、副画素１１０ｄが受光機能を有する副画素（ＰＳ）とすることができる。

　赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の３色の発光デバイスの内、２色の発光デバイスで１つの画素を構成すことができる。受光デバイスは、いずれの画素にも設けることができる。図２４Ａ及び図２４Ｂは、画素１１０Ａが、赤色の光を射出する機能を有する副画素（Ｒ）、緑色の光を射出する機能を有する副画素（Ｇ）、及び受光機能を有する副画素（ＰＳ）を有し、画素１１０Ｂが、青色の光を射出する機能を有する副画素（Ｂ）、緑色の光を射出する機能を有する副画素（Ｇ）、及び受光機能を有する副画素（ＰＳ）を有する構成を示している。

　図２４Ａ及び図２４Ｂに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｇ）、副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素（ＰＳ）、副画素（Ｒ）、副画素（ＰＳ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列ＡＲＲ１及び第２の配列ＡＲＲ２が交互に繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素（Ｇ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３と、列方向に副画素（Ｒ）及び副画素（Ｂ）が交互に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列ＡＲＲ３及び第４の配列ＡＲＲ４が交互に繰り返し配置される。

　なお、図２４Ａ及び図２４Ｂは、画素１１０Ａと画素１１０Ｂのいずれも受光デバイスを有する副画素（ＰＳ）を設ける例を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。受光機能に高い精度が求められない場合は、副画素（ＰＳ）を含まない画素を設けてもよい。つまり、副画素（ＰＳ）を含む画素と、副画素（ＰＳ）を含まない画素を設ける構成としてもよい。

　図２４Ａ及び図２４Ｂに示すように緑色の光を射出する機能を有する副画素（Ｇ）の面積は、赤色の光を射出する機能を有する副画素（Ｒ）、及び青色の光を射出する機能を有する副画素（Ｂ）のいずれの面積より小さいことが好ましい。緑色に対する人間の視感度は、赤色及び青色に比べて高いため、副画素（Ｇ）の面積を副画素（Ｒ）及び副画素（Ｂ）の面積より小さくすることで、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のバランスに優れた、視認性の高い表示装置とすることができる表示装置とすることができる。

　図２４Ａ及び図２４Ｂは、副画素（Ｇ）の面積が、副画素（Ｒ）及び副画素（Ｂ）の面積より小さい構成を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。例えば、副画素（Ｒ）の面積が、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）の面積より小さい構成としてもよい。なお、前述したように、発光デバイスを有する副画素の面積は、各色の発光デバイスの寿命に応じて決めてもよい。

　図２３Ａの変形例を、図２５Ａ及び図２５Ｂに示す。

　図２５Ａに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素１１０ｄ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｄ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列ＡＲＲ１及び第２の配列ＡＲＲ２が交互に繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ｄ及び副画素１１０ａがこの順に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３と、列方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ｄ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列ＡＲＲ３、第３の配列ＡＲＲ３、第４の配列ＡＲＲ４、及び第４の配列ＡＲＲ４がこの順に繰り返し配置される。

　図２５Ｂに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｄ及び副画素１１０ａがこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素１１０ｄ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、行方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、副画素１１０ｄ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３と、行方向に副画素１１０ｄ、副画素１１０ｃ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ａがこの順に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列ＡＲＲ１、第２の配列ＡＲＲ２、第３の配列ＡＲＲ３及び第４の配列ＡＲＲ４がこの順に繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第５の配列ＡＲＲ５と、列方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｃが交互に繰り返し配置される第６の配列ＡＲＲ６と、を有する。さらに、行方向に、第５の配列ＡＲＲ５及び第６の配列ＡＲＲ６が交互に繰り返し配置される。

　図２５Ａ及び図２５Ｂに示す副画素１１０ａに赤色の光を射出する機能を有する副画素（Ｒ）、副画素１１０ｂに緑色の光を射出する機能を有する副画素（Ｇ）、副画素１１０ｃに青色の光を射出する機能を有する副画素（Ｂ）、副画素１１０ｄに受光機能を有する副画素（ＰＳ）を適用した構成例を、図２６Ａ及び図２６Ｂに示す。

　図２６Ａに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｇ）、副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素（ＰＳ）、副画素（Ｒ）、副画素（ＰＳ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列ＡＲＲ１及び第２の配列ＡＲＲ２が交互に繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素（Ｇ）、副画素（ＰＳ）及び副画素（Ｒ）がこの順に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３と、列方向に副画素（Ｇ）、副画素（ＰＳ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列ＡＲＲ３、第３の配列ＡＲＲ３、第４の配列ＡＲＲ４、及び第４の配列ＡＲＲ４がこの順に繰り返し配置される。

　図２６Ｂに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｇ）、副画素（Ｒ）、副画素（ＰＳ）及び副画素（Ｒ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素（ＰＳ）、副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、行方向に副画素（Ｇ）、副画素（Ｂ）、副画素（ＰＳ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３と、行方向に副画素（ＰＳ）、副画素（Ｂ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｒ）がこの順に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列ＡＲＲ１、第２の配列ＡＲＲ２、第３の配列ＡＲＲ３及び第４の配列ＡＲＲ４がこの順に繰り返し配置される。

　当該表示部は、列方向に副画素（Ｇ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第５の配列ＡＲＲ５と、列方向に副画素（Ｒ）及び副画素（Ｂ）が交互に繰り返し配置される第６の配列ＡＲＲ６と、を有する。さらに、行方向に、第５の配列ＡＲＲ５及び第６の配列ＡＲＲ６が交互に繰り返し配置される。

　図２６Ａの変形例を、図２７Ａに示す。

　図２７Ａに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素１１０ｄ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｄ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列ＡＲＲ１及び第２の配列ＡＲＲ２が交互に繰り返し配置される。さらに、当該表示部は、行方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｃが交互に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３を有してもよい。なお、図２７Ａに示す画素のレイアウトをダイヤモンド配置と呼称してもよい。

　当該表示部は、列方向に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４と、列方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｃが交互に繰り返し配置される第５の配列ＡＲＲ５と、を有する。さらに、行方向に、第４の配列ＡＲＲ４及び第５の配列ＡＲＲ５が交互に繰り返し配置される。さらに、当該表示部は、列方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｄ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄがこの順に繰り返し配置される第６の配列ＡＲＲ６を有してもよい。

　なお、図２７Ａは、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｃの上面形状が、角が丸い四角形であり、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄの上面形状が、角が丸い三角形である構成を示しているが、副画素の上面形状は特に限定されない。例えば、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄの上面形状は、角が丸い四角形であってよく、円形であってもよい。

　図２７Ａに示す副画素１１０ａに赤色の光を射出する機能を有する副画素（Ｒ）、副画素１１０ｂに緑色の光を射出する機能を有する副画素（Ｇ）、副画素１１０ｃに青色の光を射出する機能を有する副画素（Ｂ）、副画素１１０ｄに受光機能を有する副画素（ＰＳ）を適用した構成例を、図２７Ｂに示す。

　図２７Ｂに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｇ）、副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素（ＰＳ）、副画素（Ｒ）、副画素（ＰＳ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、を有する。当該表示部は、行方向に副画素（Ｒ）及び副画素（Ｂ）が交互に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３を有してもよい。

　当該表示部は、列方向に副画素（Ｇ）、副画素（Ｒ）、副画素（ＰＳ）、副画素（Ｇ）、副画素（Ｂ）、及び副画素（ＰＳ）がこの順に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４を有する。当該表示部は、列方向に副画素（Ｒ）及び副画素（Ｂ）が交互に繰り返し配置される第５の配列ＡＲＲ５を有してもよく、列方向に副画素（Ｇ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第６の配列ＡＲＲ６を有してもよい。

（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図２８乃至図３０を用いて説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置の表示部に用いることができる。

　本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。

　本明細書等において、表示装置に、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクタが取り付けられたもの、またはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式もしくはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により集積回路（ＩＣ）が実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、または単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。

＜表示装置１００Ａ＞
　図２８に、表示装置１００Ａの斜視図を示し、図２９Ａに、表示装置１００Ａの断面図を示す。

　表示装置１００Ａは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図２８では、基板１５２を破線で明示している。

　表示装置１００Ａは、表示部１６２、回路１６４、配線１６５等を有する。図２８では表示装置１００ＡにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図２８に示す構成は、表示装置１００Ａ、ＩＣ（集積回路）、及びＦＰＣを有する表示モジュールということもできる。

　回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

　配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ１７２を介して外部から、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

　図２８では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ａ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

　図２９Ａに、表示装置１００Ａの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

　表示装置１００Ａは、基板１５１と基板１５２の間に、発光デバイス、受光デバイス、トランジスタ２０７、トランジスタ２０５等を有する。図２９Ａは、発光デバイス及び受光デバイスとして、赤色の光を発する発光デバイス１３０ａ、及び緑色の光を発する発光デバイス１３０ｂ、及び受光デバイス１３０ｄを示している。

　ここで、表示装置の画素が、互いに異なる色を発する発光デバイスを有する副画素を３種類有する場合、当該３つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。当該副画素を４つ有する場合、当該４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素などが挙げられる。

　発光デバイス１３０ａ、及び発光デバイス１３０ｂは、画素電極とＥＬ層との間に光学調整層を有し、受光デバイス１３０ｄは、画素電極と受光層との間に光学調整層を有する。光学調整層として、発光デバイス１３０ａは導電層１２６ａを有し、発光デバイス１３０ｂは導電層１２６ｂを有し、受光デバイス１３０ｄは導電層１２６ｄを有する。発光デバイス及び受光デバイスの詳細は実施の形態１を参照できる。画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｄ、導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｄ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、及び、受光層１１３ｄの側面は、それぞれ、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、受光層１１３ｄ、及び、絶縁層１２５、１２７上に、共通層１１４が設けられ、共通層１１４上に共通電極１１５が設けられている。また、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び受光デバイス１３０ｄ上にはそれぞれ、保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には保護層１３２が設けられている。

　保護層１３２と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図２９Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

　画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｄは、それぞれ、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。

　画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｄには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれていることが好ましい。そして、画素電極１１１ａ及び層１２８上に導電層１２６ａを形成し、画素電極１１１ｂ及び層１２８上に導電層１２６ｂを形成し、画素電極１１１ｄ及び層１２８上に導電層１２６ｄを形成することが好ましい。導電層１２６ａ、導電層１２６ｂ、及び導電層１２６ｄは、画素電極と呼ぶこともできる。

　層１２８は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｄの凹部を平坦化する機能を有する。層１２８を設けることで、ＥＬ層及び受光層の被形成面の凹凸を低減し、被覆性を向上することができる。また、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｄ及び層１２８上に、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｄと電気的に接続される導電層１２６ａ、導電層１２６ｂ、導電層１２６ｄを設けることで、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｄの凹部と重なる領域も発光領域として使用できる場合がある。これにより、画素の開口率を高めることができる。

　層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましい。

　層１２８としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、層１２８として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、層１２８として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

　感光性の樹脂を用いることにより、露光及び現像の工程のみで層１２８を作製することができ、ドライエッチング、あるいはウェットエッチング等による画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｄの表面への影響を低減することができる。また、ネガ型の感光性樹脂を用いて層１２８を形成することにより、絶縁層２１４の開口の形成に用いるフォトマスク（露光マスク）と同一のフォトマスクを用いて、層１２８を形成できる場合がある。

　導電層１２６ａは、画素電極１１１ａ上及び層１２８上に設けられる。導電層１２６ａは、画素電極１１１ａの上面に接する第１領域と、層１２８の上面に接する第２領域と、を有する。第１領域と接する画素電極１１１ａの上面の高さと、第２領域と接する層１２８の上面の高さは、一致または概略一致することが好ましい。

　同様に、導電層１２６ｂは、画素電極１１１ｂ上及び層１２８上に設けられる。導電層１２６ｂは、画素電極１１１ｂの上面に接する第１領域と、層１２８の上面に接する第２領域と、を有する。第１領域と接する画素電極１１１ｂの上面の高さと、第２領域と接する層１２８の上面の高さは、一致または概略一致することが好ましい。

　導電層１２６ｄは、画素電極１１１ｄ上及び層１２８上に設けられる。導電層１２６ｄは、画素電極１１１ｄの上面に接する第１領域と、層１２８の上面に接する第２領域と、を有する。第１領域と接する画素電極１１１ｄの上面の高さと、第２領域と接する層１２８の上面の高さは、一致または概略一致することが好ましい。

　画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極は可視光を透過する材料を含む。

　表示装置１００Ａは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２は、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。基板１５２は、可視光及び赤外光に対する透過性が高い材料を用いることがさらに好ましい。受光デバイスには、基板１５２を介して光が入射する。

　基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態２等に示したトランジスタを含む層１０１に相当する。

　トランジスタ２０７及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

　基板１５１上には、絶縁層２１７、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１７は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

　トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

　絶縁層２１７、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

　ここで、有機絶縁膜は、無機絶縁膜に比べてバリア性が低いことが多い。そのため、有機絶縁膜は、表示装置１００Ａの端部近傍に開口を有することが好ましい。これにより、表示装置１００Ａの端部から有機絶縁膜を介して不純物が入り込むことを抑制することができる。または、有機絶縁膜の端部が表示装置１００Ａの端部よりも内側にくるように有機絶縁膜を形成し、表示装置１００Ａの端部に有機絶縁膜が露出しないようにしてもよい。

　平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁膜が好適である。有機絶縁膜に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁膜と、無機絶縁膜との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。これにより、画素電極１１１ａまたは導電層１２６ａなどの加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。または、絶縁層２１４には、画素電極１１１ａまたは導電層１２６ａなどの加工時に、凹部が設けられてもよい。

　図２９Ａに示す領域２２８では、絶縁層２１４に開口が形成されている。これにより、絶縁層２１４に有機絶縁膜を用いる場合であっても、絶縁層２１４を介して外部から表示部１６２に不純物が入り込むことを抑制できる。従って、表示装置１００Ａの信頼性を高めることができる。

　トランジスタ２０７及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１７、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１７は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

　本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

　トランジスタ２０７及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

　トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

　トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。または、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、単結晶シリコンなど）などが挙げられる。

　半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

　特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、半導体層としては、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いてもよい。または、半導体層としては、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯ）を用いてもよい。

　半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

　例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。

　回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

　図２９Ｂ及び図２９Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。

　トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１７、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１７は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

　図２９Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

　一方、図２９Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図２９Ｃに示す構造を作製できる。図２９Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

　基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｄと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ａ、１２６ｂ、及び１２６ｄと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

　基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１５２の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等を配置してもよい。

　発光デバイスを覆う保護層１３１及び保護層１３２を設けることで、発光デバイスに水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　表示装置１００Ａの端部近傍の領域２２８において、絶縁層２１４の開口を介して、絶縁層２１５と保護層１３１または保護層１３２とが互いに接することが好ましい。特に、無機絶縁膜同士が接することが好ましい。これにより、有機絶縁膜を介して外部から表示部１６２に不純物が入り込むことを抑制することができる。従って、表示装置１００Ａの信頼性を高めることができる。

　基板１５１及び基板１５２には、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１５１及び基板１５２に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板１５１または基板１５２として偏光板を用いてもよい。

　基板１５１及び基板１５２としては、それぞれ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１５１及び基板１５２の一方または双方に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

　接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

　接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

　透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層、及び、発光デバイスが有する導電層（画素電極または共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。

　各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。

＜表示装置１００Ｂ＞
　図３０に示す表示装置１００Ｂは、ボトムエミッション型である点で、表示装置１００Ａと主に相違する。なお、表示装置１００Ａと同様の部分については説明を省略する。

　発光デバイスが発する光は、基板１５１側に射出される。基板１５１は、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。基板１５１は、可視光及び赤外光に対する透過性が高い材料を用いることがさらに好ましい。一方、基板１５２に用いる材料の透光性は問わない。受光デバイスには、基板１５１を介して光が入射する。

　基板１５１とトランジスタ２０７との間、基板１５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１１７を形成することが好ましい。図３０では、基板１５１上に遮光層１１７が設けられ、遮光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０７、２０５などが設けられている例を示す。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図３１乃至図３８を用いて説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

＜表示モジュール＞
　図３１Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ｃと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ｃに限られず、後述する表示装置１００Ｄまたは表示装置１００Ｅであってもよい。

　表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

　図３１Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

　画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図３１Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、発光色が互いに異なる発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、及び受光デバイス１３０ｄを有する。発光デバイス及び受光デバイスは、図３１Ｂに示すようにストライプ配列で配置することができる。また、デルタ配列、または、ペンタイル配列など様々な発光デバイスの配列方法を適用することができる。

　画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

　１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する発光デバイスの発光、及び受光デバイスの受光を制御する回路である。例えば、１つの画素２８４ａが、３つの発光デバイス及び１つの受光デバイスを有する場合、１つの画素回路２８３ａは、３つの発光デバイスの発光及び１つの受光デバイスの受光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられ、１つの受光デバイスの受光を制御する回路が１つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースまたはドレインの一方にはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。画素回路２８３ａは、例えば、実施の形態１に記載の画素回路を適用することができる。

　回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。

　ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号または電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

　表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、５００ｐｐｉ以上、好ましくは１０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは２０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは３０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

　このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

＜表示装置１００Ｃ＞
　図３２に示す表示装置１００Ｃは、基板３０１、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、受光デバイス１３０ｄ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。

　基板３０１は、図３１Ａ及び図３１Ｂにおける基板２９１に相当する。

　トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられ、絶縁層として機能する。

　基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

　容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は容量２４０の誘電体として機能する。

　導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

　容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、受光デバイス１３０ｄ等が設けられている。隣り合う発光素子の間の領域には、絶縁物が設けられる。例えば図３２では、当該領域に絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

発光デバイス１３０ａが有するＥＬ層１１３ａ上には、マスク層１１８ａが位置し、発光デバイス１３０ｂが有するＥＬ層１１３ｂ上には、マスク層１１８ｂが位置し、発光デバイス１３０ｃが有するＥＬ層１１３ｃ上には、マスク層１１８ｃが位置し、受光デバイス１３０ｄが有する受光層１１３ｄ上には、マスク層１１８ｄが位置する。

導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃおよび導電層１１１ｄは、絶縁層２４３、絶縁層２５５ａ、及び絶縁層２５５ｂに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｂの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致又は概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。

また、本発明の一態様の表示装置では、発光素子の画素電極を、複数の層の積層構成とする。例えば、図２Ａに示す例では、発光デバイスの画素電極を、導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃおよび導電層１１１ｄと、導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、導電層１１２ｃおよび導電層１１２ｄと、の積層構成としている。例えば、表示装置１００Ｃをトップエミッション型とし、発光デバイスの画素電極が陽極として機能する場合、導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃおよび導電層１１１ｄは例えば導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、導電層１１２ｃおよび導電層１１２ｄより可視光に対する反射率が高い層とし、導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、導電層１１２ｃおよび導電層１１２ｄは例えば導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃおよび導電層１１１ｄより仕事関数が大きい層とすることができる。画素電極の可視光に対する反射率が高いほど、ＥＬ層が発する光が画素電極を透過することを抑制できるため、表示装置１００Ｃがトップエミッション型である場合、ＥＬ層が発する光の取り出し効率が高くなる。また、画素電極が陽極として機能する場合、画素電極の仕事関数が大きいほど、ＥＬ層の発光効率が高くなる。以上より、発光素子の画素電極を、可視光に対する反射率が高い導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃおよび導電層１１１ｄと、仕事関数が大きい導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、導電層１１２ｃおよび導電層１１２ｄと、の積層構成とすることにより、発光素子を、光取り出し効率が高く、且つ発光効率が高い発光素子とすることができる。

導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃおよび導電層１１１ｄを、導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、導電層１１２ｃおよび導電層１１２ｄより可視光に対する反射率が高い層とする場合、導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃおよび導電層１１１ｄの可視光に対する反射率は、例えば４０％以上１００％以下、７０％以上１００％以下とすることが好ましい。また、導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、導電層１１２ｃおよび導電層１１２ｄは、透明電極とすることができ、可視光に対する透過率を例えば４０％以上とすることができる。

なお、発光デバイスが有する導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃおよび導電層１１１ｄは、ＥＬ層が発する光に対する反射率が高い層とする。例えば、ＥＬ層が赤外光を発する場合、導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃおよび導電層１１１ｄは、赤外光に対する反射率が高い層とすることができる。また、発光デバイスの画素電極が陰極として機能する場合、導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、導電層１１２ｃおよび導電層１１２ｄは例えば導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃおよび導電層１１１ｄより仕事関数が小さい層とすることができる。

一方、画素電極を複数の層の積層構成とする場合、例えば当該複数の層間の反応により、画素電極が変質する場合がある。例えば、表示装置１００Ｃの作製において、画素電極の形成後に形成した膜を、ウェットエッチング法により除去する場合、薬液が画素電極と接触する場合がある。画素電極を複数の層の積層構成とする場合、当該複数の層が薬液と接触することにより、ガルバニック腐食が発生する場合がある。これにより、画素電極を構成する層の少なくとも一つが変質する場合がある。よって、表示装置の歩留まりが低下し、表示装置の作製コストが高くなる場合がある。また、表示装置の信頼性が低下する場合がある。

そこで、表示装置１００Ｃでは、導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃおよび導電層１１１ｄの上面及び側面を覆うように、導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、導電層１１２ｃおよび導電層１１２ｄを形成する。これにより、例えば導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃおよび導電層１１１ｄと、導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、導電層１１２ｃおよび導電層１１２ｄと、を有する画素電極の形成後に形成した膜を、ウェットエッチング法により除去する場合であっても、薬液が導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃおよび導電層１１１ｄに接触することを抑制できる。よって、例えば画素電極へのガルバニック腐食の発生を抑制できる。よって、表示装置１００Ｃは、歩留まりが高い方法で作製できるため、低価格の表示装置とすることができる。また、表示装置１００Ｃに不良が発生することを抑制できるため、表示装置１００Ｃは信頼性が高い表示装置とすることができる。

導電層１１１ａ、導電層１１１ｂ、導電層１１１ｃおよび導電層１１１ｄとして、例えば金属材料を用いることができる。具体的には、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）等の金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。

導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、導電層１１２ｃおよび導電層１１２ｄとして、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化チタン、ガリウムを含むインジウム亜鉛酸化物、アルミニウムを含むインジウム亜鉛酸化物、シリコンを含むインジウム錫酸化物、及びシリコンを含むインジウム亜鉛酸化物等のいずれか一又は複数を含む導電性酸化物を用いることが好ましい。特に、シリコンを含むインジウム錫酸化物は仕事関数が大きい、例えば仕事関数が４．０ｅＶ以上であるため、導電層１１２ａ、導電層１１２ｂ、導電層１１２ｃおよび導電層１１２ｄとして好適に用いることができる。

また、図３２に示す例では、発光デバイス１３０ａが有するＥＬ層１１３ａ上には、マスク層１１８ａが位置し、発光デバイス１３０ａが有するＥＬ層１１３ｂ上には、マスク層１１８ｂが位置し、発光デバイス１３０ｃが有するＥＬ層１１３ｃ上には、マスク層１１８ｃが位置し、受光デバイス１３０ｄが有する受光層１１３ｄ上には、マスク層１１８ｄが位置する。マスク層１１８ａは、ＥＬ層１１３ａを加工する際にＥＬ層１１３ａの上面に接して設けたマスク層の一部が残存しているものである。マスク層１１８ｂ、マスク層１１８ｃ、マスク層１１８ｄについても、マスク層１１８ａと同様である。このように、表示装置１００Ｃは、その作製時にＥＬ層を保護するために用いるマスク層が一部残存していてもよい。なお、以下において、マスク層１１８ａ、マスク層１１８ｂ、マスク層１１８ｃ、およびマスク層１１８ｄをまとめて、マスク層１１８と呼ぶ場合がある。

図３２において、マスク層１１８ａの一方の端部は、ＥＬ層１１３ａの端部、及び導電層１１２ａの端部と揃っている、又は概略揃っている。つまり、導電層１１２ａの端部は、ＥＬ層１１３ａの端部と揃っている、又は概略揃っている。マスク層１１８ｂ、マスク層１１８ｃ、マスク層１１８ｄについても、マスク層１１８ａと同様である。

また、マスク層１１８ａの他方の端部は、ＥＬ層１１３ａ上に位置する。ここで、マスク層１１８ａの他方の端部は、導電層１１１ａと重なることが好ましい。この場合、マスク層１１８ａの他方の端部がＥＬ層１１３ａの概略平坦な面に形成されやすくなる。マスク層１１８ｂ、マスク層１１８ｃ、マスク層１１８ｄについても、マスク層１１８ａと同様である。

なお、端部が揃っている、又は概略揃っている場合、及び、上面形状が一致又は概略一致している場合、上面視において、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なっているといえる。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、又は一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、又は、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も端部が概略揃っている、又は、上面形状が概略一致している、という。

ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂのそれぞれの側面は、絶縁層１２５によって覆われている。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂのそれぞれの側面と重なる。

また、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄのそれぞれの上面の一部は、マスク層１１８ａ、マスク層１１８ｂ、マスク層１１８ｃ、マスク層１１８ｄによって覆われている。絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、マスク層１１８ａ、マスク層１１８ｂ、マスク層１１８ｃ、マスク層１１８ｄを介して、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄのそれぞれの上面の一部と重なる。

ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄの上面の一部及び側面が、絶縁層１２５、絶縁層１２７、及びマスク層１１８（マスク層１１８ａ、マスク層１１８ｂ、マスク層１１８ｃ、マスク層１１８ｄ）の少なくとも一つによって覆われていることで、共通層１１４又は共通電極１１５が、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄの側面と接することを抑制し、発光デバイス１３０（発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、受光デバイス１３０ｄ）のショートを抑制できる。これにより、発光デバイス１３０等の信頼性を高めることができる。

ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄのそれぞれの膜厚は異ならせることができる。例えば、ＥＬ層１１３Ｒ、ＥＬ層１１３Ｇ、及びＥＬ層１１３Ｂそれぞれの発する光を強める光路長に対応して膜厚を設定することが好ましい。これにより、マイクロキャビティ構造を実現し、副画素１１０から射出される光の色純度を高めることができる。

絶縁層１２５は、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄのそれぞれの側面と接することが好ましい。これにより、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄの膜剥がれを防止することができる。絶縁層１２５とＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄとが密着することで、隣り合うＥＬ層１１３Ｒ等が、絶縁層１２５によって固定される、又は、接着される効果を奏する。これにより、発光デバイス１３０の信頼性を高めることができる。また、発光デバイスの作製歩留まりを高めることができる。

また、図３２に示すように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７が、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄの上面の一部及び側面の双方を覆うことで、ＥＬ層１１３の膜剥がれをより防ぐことができ、発光デバイス１３０の信頼性を高めることができる。また、発光デバイス１３０（発光デバイス１３０ａ乃至１３０ｃおよび受光デバイス１３０ｄ）の作製歩留まりをより高めることができる。

図３２では、導電層１１２Ｒの端部上に、ＥＬ層１１３Ｒ、マスク層１１８ａ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置する例を示す。同様に、導電層１１２ｂの端部上に、ＥＬ層１１３ｂ、マスク層１１８ｂ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置し、導電層１１２ｃの端部上に、ＥＬ層１１３ｃ、マスク層１１８ｃ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置する。

絶縁層１２７は、絶縁層１２５に形成された凹部を充填するように、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄのそれぞれの上面の一部及び側面と重なる構成とすることができる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５の側面の少なくとも一部を覆うことが好ましい。

絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設けることで、隣り合う島状の層の間を埋めることができるため、島状の層上に設ける層（例えばキャリア注入層、及び共通電極等）の被形成面の極端な凹凸を低減し、より平坦にすることができる。したがって、キャリア注入層及び共通電極等の被覆性を高めることができる。

また、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、受光デバイス１３０ｄ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要素についての詳細は、前述の記載を参照することができる。

　絶縁層２５５ａ、２５５ｂとしては、それぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａとしては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂとしては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用いることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａとして酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂとして窒化シリコン膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。または、絶縁層２５５ａとして、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用い、絶縁層２５５ｂとして、酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いてもよい。本実施の形態では、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられている例を示すが、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられていなくてもよい。

　発光デバイスの画素電極は、絶縁層２５５ａ、２５５ｂに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｂの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。

図３３Ａには、図３２における導電層１１１（１１１ａ乃至１１１ｄ）の端部と重なる領域において、絶縁層２５５ｂの側面（図３３Ａにおいて破線で囲った部分）が垂直である例を示している。図３３Ｂには、絶縁層１２７の上面が、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり凹曲面を有する形状を有する例を示している。また、図３３Ｂに示すように絶縁層１２７の中央部に凹曲面を有する構成とすることで、絶縁層１２７の応力を緩和することができる。より具体的には、絶縁層１２７の中央部に凹曲面を有する構成とすることで、絶縁層１２７の端部に生じる局所的な応力を緩和し、ＥＬ層１１３ａ及びＥＬ層１１３ｂと、マスク層１１８ａ及びマスク層１１８ｂとの間の膜剥がれ、マスク層１１８ａ及びマスク層１１８ｂと、絶縁層１２５との間の膜剥がれ、及び絶縁層１２５と、絶縁層１２７との間の膜剥がれのいずれか一又は複数を抑制することができる。

また、図３３Ｂに示すような絶縁層１２７の中央部に凹曲面を有する構成とするには、多階調マスク（代表的にはハーフトーンマスク、又はグレートーンマスク）を用いて露光すればよい。なお、多階調マスクとは、露光部分、中間露光部分、及び未露光部分に３つの露光レベルを行うことが可能なマスクであり、透過した光が複数の強度となる露光マスクである。１枚のフォトマスク（一度の露光及び現像工程）により、複数（代表的には二種類）の厚さの領域を有する絶縁層１２７を形成することが可能である。又は、絶縁層１２７の中央部に凹曲面を有する構成とするには、凹曲面に位置するマスクの線幅を、露光部分の線幅よりも小さくすることで、複数の厚さの領域を有する絶縁層１２７を形成することができる。

なお、絶縁層１２７の中央部に凹曲面を有する形成方法としては、上記に限定されない。例えば、２枚のフォトマスクを用いて、露光部分と、中間露光部分と、を分けて作製してもよい。又は、絶縁層１２７に用いる樹脂材料の粘度を調整する、具体的には、絶縁層１２７に用いる材料の粘度を１０ｃＰ以下、好ましくは１ｃＰ以上５ｃＰ以下とすればよい。

なお、図３３Ｂにおいては、図示していないが、絶縁層１２７の中央部の凹曲面は、必ずしも連続している必要はなく、隣接する発光素子の間で途切れていてもよい。この場合、図３３Ｂに示す絶縁層１２７の中央部において、絶縁層１２７の一部が消失し、絶縁層１２５の表面が露出する構成となる。当該構成とする場合においては、絶縁層１２７の形状は、共通層１１４、及び共通電極１１５が絶縁層１２７を被覆できるようにすればよい。

＜表示装置１００Ｄ＞
　図３４に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ｃと主に相違する。なお、表示装置１００Ｃと同様の部分については説明を省略することがある。

　トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。

　トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

　基板３３１は、図３１Ａ及び図３１Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｂまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基板または半導体基板を用いることができる。

　基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

　絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

　半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。

　一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

　一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

　絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

　表示装置１００Ｄにおける、絶縁層２５４から基板１２０までの構成は、表示装置１００Ｃと同様である。

＜表示装置１００Ｅ＞
　図３５に示す表示装置１００Ｅは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。なお、表示装置１００Ｃ、１００Ｄと同様の部分については説明を省略することがある。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

　トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

＜表示装置１００Ｆ＞
　図３６に示す表示装置１００Ｆは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。

　表示装置１００Ｆは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０及び各発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

　基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂを貫通するプラグ３４３が設けられる。また、プラグ３４３は、基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の表面）に設けられる導電層３４２と電気的に接続されている。一方、基板３０１Ａには、絶縁層２６１上に導電層３４１が設けられている。

　導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。

　導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。なお、導電層３４１と導電層３４２とは、バンプを介して接合されてもよい。

＜表示装置１００Ｇ＞
　図３７に示す表示装置１００Ｇは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

　トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置１００Ｄを援用することができる。

　なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

＜トランジスタの構成例＞
　以下では、上記表示装置に適用することのできるトランジスタの断面構成例について説明する。

　図３８Ａは、トランジスタ４１０を含む断面図である。

　トランジスタ４１０は、基板４０１上に設けられ、半導体層に多結晶シリコンを適用したトランジスタである。例えばトランジスタ４１０は、図４１Ｂに示す画素回路８１＿２のトランジスタ５５Ｂに対応する。すなわち、図３８Ａは、トランジスタ４１０のソース及びドレインの一方が、発光デバイスの導電層４３１と電気的に接続されている例である。

　トランジスタ４１０は、半導体層４１１、絶縁層４１２、導電層４１３等を有する。半導体層４１１は、チャネル形成領域４１１ｉ及び低抵抗領域４１１ｎを有する。半導体層４１１は、シリコンを有する。半導体層４１１は、多結晶シリコンを有することが好ましい。絶縁層４１２の一部は、ゲート絶縁層として機能する。導電層４１３の一部は、ゲート電極として機能する。

　なお、半導体層４１１は、半導体特性を示す金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を含む構成とすることもできる。このとき、トランジスタ４１０は、ＯＳトランジスタと呼ぶことができる。

　低抵抗領域４１１ｎは、不純物元素を含む領域である。例えばトランジスタ４１０をｎチャネル型のトランジスタとする場合には、低抵抗領域４１１ｎにリン、ヒ素などを添加すればよい。一方、ｐチャネル型のトランジスタとする場合には、低抵抗領域４１１ｎにホウ素、アルミニウムなどを添加すればよい。また、トランジスタ４１０のしきい値電圧を制御するため、チャネル形成領域４１１ｉに、上述した不純物が添加されていてもよい。

　基板４０１上に、絶縁層４２１が設けられている。半導体層４１１は、絶縁層４２１上に設けられている。絶縁層４１２は、半導体層４１１及び絶縁層４２１を覆って設けられている。導電層４１３は、絶縁層４１２上の、半導体層４１１と重なる位置に設けられている。

　導電層４１３及び絶縁層４１２を覆って絶縁層４２２が設けられる。絶縁層４２２上には、導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂが設けられる。導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、絶縁層４２２及び絶縁層４１２に設けられた開口部において、低抵抗領域４１１ｎと電気的に接続されている。導電層４１４ａの一部は、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、導電層４１４ｂの一部は、ソース電極及びドレイン電極の他方として機能する。また、導電層４１４ａ、導電層４１４ｂ、及び絶縁層４２２を覆って、絶縁層４２３が設けられている。

　絶縁層４２３上には、画素電極として機能する導電層４３１が設けられる。導電層４３１は、絶縁層４２３上に設けられ、絶縁層４２３に設けられた開口において、導電層４１４ｂと電気的に接続されている。ここでは省略するが、導電層４３１上には、ＥＬ層及び共通電極を積層することができる。

　図３８Ｂには、一対のゲート電極を有するトランジスタ４１０ａを示す。図３８Ｂに示すトランジスタ４１０ａは、導電層４１５、及び絶縁層４１６を有する点で、図３８Ａと主に相違している。

　導電層４１５は、絶縁層４２１上に設けられている。また、導電層４１５及び絶縁層４２１を覆って、絶縁層４１６が設けられている。半導体層４１１は、少なくともチャネル形成領域４１１ｉが、絶縁層４１６を介して導電層４１５と重なるように設けられている。

　図３８Ｂに示すトランジスタ４１０ａにおいて、導電層４１３の一部が第１のゲート電極として機能し、導電層４１５の一部が第２のゲート電極として機能する。またこのとき、絶縁層４１２の一部が第１のゲート絶縁層として機能し、絶縁層４１６の一部が第２のゲート絶縁層として機能する。

　ここで、第１のゲート電極と、第２のゲート電極とを電気的に接続する場合、図示しない領域において、絶縁層４１２及び絶縁層４１６に設けられた開口部を介して導電層４１３と導電層４１５とを電気的に接続すればよい。また、第２のゲート電極と、ソースまたはドレインとを電気的に接続する場合、図示しない領域において、絶縁層４２２、絶縁層４１２、及び絶縁層４１６に設けられた開口部を介して、導電層４１４ａまたは導電層４１４ｂと、導電層４１５とを電気的に接続すればよい。

　副画素８１を構成するトランジスタの全てに、ＬＴＰＳトランジスタを適用する場合、図３８Ａで例示したトランジスタ４１０、または図３８Ｂで例示したトランジスタ４１０ａを適用することができる。このとき、副画素８１を構成する全てのトランジスタに、トランジスタ４１０ａを用いてもよいし、全てのトランジスタにトランジスタ４１０を適用してもよいし、トランジスタ４１０ａと、トランジスタ４１０とを組み合わせて用いてもよい。

　以下では、半導体層にシリコンが適用されたトランジスタと、半導体層に金属酸化物が適用されたトランジスタの両方を有する構成の例について説明する。

　図３８Ｃに、トランジスタ４１０ａ及びトランジスタ４５０を含む、断面概略図を示している。

　トランジスタ４１０ａについては、上記構成例１を援用できる。なお、ここではトランジスタ４１０ａを用いる例を示したが、トランジスタ４１０とトランジスタ４５０とを有する構成としてもよいし、トランジスタ４１０、トランジスタ４１０ａ、トランジスタ４５０の全てを有する構成としてもよい。

　トランジスタ４５０は、半導体層に金属酸化物を適用したトランジスタである。図３８Ｃに示す構成は、例えばトランジスタ４５０が画素回路８１＿２のトランジスタ５５Ａに対応し、トランジスタ４１０ａがトランジスタ５５Ｂに対応する例である。すなわち、図３８Ｃは、トランジスタ４１０ａのソース及びドレインの一方が、導電層４３１と電気的に接続されている例である。

　図３８Ｃには、トランジスタ４５０が一対のゲートを有する例を示している。

　トランジスタ４５０は、導電層４５５、絶縁層４２２、半導体層４５１、絶縁層４５２、導電層４５３等を有する。導電層４５３の一部は、トランジスタ４５０の第１のゲートとして機能し、導電層４５５の一部は、トランジスタ４５０の第２のゲートとして機能する。このとき、絶縁層４５２の一部はトランジスタ４５０の第１のゲート絶縁層として機能し、絶縁層４２２の一部は、トランジスタ４５０の第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層４５５は、絶縁層４１２上に設けられている。絶縁層４２２は、導電層４５５を覆って設けられている。半導体層４５１は、絶縁層４２２上に設けられている。絶縁層４５２は、半導体層４５１及び絶縁層４２２を覆って設けられている。導電層４５３は、絶縁層４５２上に設けられ、半導体層４５１及び導電層４５５と重なる領域を有する。

　絶縁層４２６が絶縁層４５２及び導電層４５３を覆って設けられている。絶縁層４２６上には、導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂが設けられる。導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂは、絶縁層４２６及び絶縁層４５２に設けられた開口部において、半導体層４５１と電気的に接続されている。導電層４５４ａの一部は、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、導電層４５４ｂの一部は、ソース電極及びドレイン電極の他方として機能する。また、導電層４５４ａ、導電層４５４ｂ、及び絶縁層４２６を覆って、絶縁層４２３が設けられている。

　ここで、トランジスタ４１０ａと電気的に接続する導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂと、同一の導電膜を加工して形成することが好ましい。図３８Ｃでは、導電層４１４ａ、導電層４１４ｂ、導電層４５４ａ、及び導電層４５４ｂが、同一面上に（すなわち絶縁層４２６の上面に接して）形成され、且つ、同一の金属元素を含む構成を示している。このとき、導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、絶縁層４２６、絶縁層４５２、絶縁層４２２、及び絶縁層４１２に設けられた開口を介して、低抵抗領域４１１ｎと電気的に接続する。これにより、作製工程を簡略化できるため好ましい。

　トランジスタ４１０ａの第１のゲート電極として機能する導電層４１３と、トランジスタ４５０の第２のゲート電極として機能する導電層４５５とは、同一の導電膜を加工して形成することが好ましい。図３８Ｃでは、導電層４１３と導電層４５５とが、同一面上に（すなわち絶縁層４１２の上面に接して）形成され、且つ、同一の金属元素を含む構成を示している。これにより、作製工程を簡略化できるため好ましい。

　図３８Ｃでは、トランジスタ４５０の第１のゲート絶縁層として機能する絶縁層４５２が、半導体層４５１の端部を覆う構成としたが、図３８Ｄに示すトランジスタ４５０ａのように、絶縁層４５２が、導電層４５３と上面形状が一致または概略一致するように加工されていてもよい。

　なお、本明細書等において「上面形状が概略一致」とは、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なることをいう。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、または、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も「上面形状が概略一致」という。

　なお、ここではトランジスタ４１０ａが、トランジスタ５５Ｂに対応し、画素電極と電気的に接続する例を示したが、これに限られない。例えば、トランジスタ４５０またはトランジスタ４５０ａが、トランジスタ５５Ｂに対応する構成としてもよい。このとき、トランジスタ４１０ａは、トランジスタ５５Ａ、トランジスタ５５Ｃ、またはその他のトランジスタに対応する。

（実施の形態６）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図３９乃至図４１を用いて説明する。

　本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

　電子機器として、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

　特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器として、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

　本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。

　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

　図３９Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることができる携帯情報端末機である。

　電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

　表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３９Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

　筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

　保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

　表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

　表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

　図４０Ａにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図４０Ａに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

　なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

　図４０Ｂに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

　図４０Ｃ及び図４０Ｄに、デジタルサイネージの一例を示す。

　図４０Ｃに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

　図４０Ｄは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

　図４０Ｃ及び図４０Ｄにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

　表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

　図４０Ｃ及び図４０Ｄに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

　デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

　図４１Ａ乃至図４１Ｆに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

　図４１Ａ乃至図４１Ｆに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

　図４１Ａ乃至図４１Ｆに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

　図４１Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図４１Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例として、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。

　図４１Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

　図４１Ｃは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

　図４１Ｄ乃至図４１Ｆは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図４１Ｄは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図４１Ｆは折り畳んだ状態、図４１Ｅは図４１Ｄと図４１Ｆの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

＜本明細書等の記載に関する付記＞
　以上の実施の形態、及び実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。

　各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一態様とすることができる。また、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

　なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを行うことが出来る。

　なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。

　なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

　また本明細書等において、ブロック図では、構成要素を機能毎に分類し、互いに独立したブロックとして示している。しかしながら実際の回路等においては、構成要素を機能毎に切り分けることが難しく、一つの回路に複数の機能が係わる場合、あるいは、複数の回路にわたって一つの機能が関わる場合、があり得る。そのため、ブロック図のブロックは、明細書で説明した構成要素に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。

　また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、説明の便宜上任意の大きさに示したものである。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は明確性を期すために模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば、ノイズによる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。

　本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、「ソース又はドレインの一方」（又は第１電極、又は第１端子）、「ソース又はドレインの他方」（又は第２電極、又は第２端子）という表記を用いる。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース（ドレイン）端子、またはソース（ドレイン）電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。

　また、本明細書等において「電極」および「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。さらに、「電極」および「配線」の用語は、複数の「電極」および「配線」が一体となって形成されている場合なども含む。

　また、本明細書等において、電圧と電位は、適宜言い換えることができる。電圧は、基準となる電位からの電位差のことであり、例えば基準となる電位をグラウンド電圧（接地電圧）とすると、電圧を電位に言い換えることができる。グラウンド電位は必ずしも０Ｖを意味するとは限らない。なお電位は相対的なものであり、基準となる電位によっては、配線等に与える電位を変化させる場合がある。

　なお本明細書等において、「膜」、「層」などの語句は、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

　本明細書等において、スイッチとは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。または、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。

　本明細書等において、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲートとが重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとの間の距離をいう。

　本明細書等において、チャネル幅とは、例えば、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。

　本明細書等において、ＡとＢとが接続されている、とは、ＡとＢとが直接接続されているものの他、電気的に接続されているものを含むものとする。ここで、ＡとＢとが電気的に接続されているとは、ＡとＢとの間で、何らかの電気的作用を有する対象物が存在するとき、ＡとＢとの電気信号の授受を可能とするものをいう。

１０：表示装置、２１：タイミング制御回路、２２：画像プロセッサ、２３：アプリケーションプロセッサ、３０：駆動回路部、３１：表示部駆動回路、３２：センサ部駆動回路、４０：切り替え部、４１：アナログスイッチ、５０：切り替え部、５１：アナログスイッチ、６０：切り替え部、６１：発光デバイス、６２：受光デバイス、６３：アナログスイッチ、７１：表示部、７２：信号線駆動回路、７３：ゲート線駆動回路、７４：制御線駆動回路、７５：信号読み出し回路、８０：画素、８１Ｂ：副画素、８１Ｇ：副画素、８１Ｒ：副画素、８２ＰＳ：副画素

Claims

　発光デバイスを有する第１副画素と、受光デバイスを有する第２副画素と、前記第１副画素を走査する第１選択信号が与えられる第１ゲート線と、前記第２副画素を走査する第２選択信号が与えられる第２ゲート線と、を有する表示部と、
　前記ゲート線駆動回路が出力する前記第１選択信号または前記第２選択信号を前記第１ゲート線または前記第２ゲート線に振り分けて出力する第１切り替え部と、
　前記第１選択信号または前記第２選択信号を出力するゲート線駆動回路と、前記ゲート線駆動回路が出力する前記第１選択信号または前記第２選択信号を振り分けて出力する第２切り替え部と、前記第１切り替え部および前記第２切り替え部を制御するタイミング制御回路と、を有する駆動制御回路と、を有し、
　前記タイミング制御回路は、第１動作モードと、第２動作モードと、を切り替える機能を有し、
　前記第１動作モードにおいて、前記ゲート線駆動回路は、第１フレーム周波数の前記第１選択信号と、前記第１選択信号より選択期間の長い前記第２選択信号を出力し、
　前記第２動作モードにおいて、前記第１フレーム周波数よりも低い第２フレーム周波数の前記第１選択信号および前記第２選択信号を出力する、表示装置。
　請求項１において、
　前記第１切り替え部および前記第２切り替え部はそれぞれ、前記ゲート線駆動回路と、前記第１ゲート線または前記第２ゲート線と、の間に設けられるアナログスイッチを有する、表示装置。
　請求項１または請求項２において、
　画像プロセッサを有し、
　前記画像プロセッサは、前記受光デバイスにおける物体の検知状態または物体の非検知状態に応じて、前記第１動作モードと前記第２動作モードとを切り替える機能を有する、表示装置。
　請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
　前記発光デバイスは、可視光を射出する機能を有し、
　前記受光デバイスは、可視光を検出する機能を有する表示装置。
　請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
　前記発光デバイスは、赤外光を射出する機能を有し、
　前記受光デバイスは、赤外光を検出する機能を有する表示装置。
　請求項１乃至５のいずれか一に記載の表示装置と、コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュール。
　請求項６に記載の表示モジュールと、筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器。