WO2022219455A1 - 表示装置、表示モジュール及び電子機器 - Google Patents

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WO2022219455A1
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木村肇
池田隆之
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株式会社半導体エネルギー研究所
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Abstract

新規な構成の表示装置を提供する。 電源線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、発光デバイスと、受光デバイスと、を有する。発光デバイスは、第１の電極と、発光層と、第１の電子輸送層と、電子注入層と、第２の電極と、をこの順で積層して有する。受光デバイスは、第３の電極と、活性層と、第１の正孔輸送層と、電子注入層と、第２の電極と、をこの順で積層される。第１の電極は、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続される。第２の電極は、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続される。電源線は、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方及び第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に電気的に接続される。

Description

表示装置、表示モジュール及び電子機器
　本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。
　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野として、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
　近年、スマートフォンなどの携帯電話、タブレット型情報端末、ノート型ＰＣ（パーソナルコンピュータ）などの情報端末機器が広く普及している。このような情報端末機器は、個人情報などが含まれることが多く、不正な利用を防止するための様々な認証技術が開発されている。画像表示機能、タッチセンサ機能、及び、認証のために指紋を撮像する機能など、様々な機能を有する情報端末機器が求められている。
　例えば、特許文献１には、表示部に重ねて設けられる指紋センサを備える電子機器が開示されている。
　表示装置として、例えば、発光デバイスを有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと記す）現象を利用した発光デバイス（ＥＬデバイス、ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。
米国特許出願公開第２０２１／００８９７４１号明細書
　本発明の一態様は、新規な構成の表示部を有する表示装置等を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、高精細な表示部を有する表示装置等を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、高解像度の表示部を有する表示装置等を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、光検出機能を有し、高精細な表示部を有する表示装置等を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、光検出機能を有し、高解像度の表示部を有する表示装置等を提供することを課題の一つとする。
　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
　本発明の一態様は、電源線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、発光デバイスと、受光デバイスと、を有し、発光デバイスは、第１の電極と、発光層と、第１の電子輸送層と、電子注入層と、第２の電極と、をこの順で積層して有し、受光デバイスは、第３の電極と、活性層と、第１の正孔輸送層と、電子注入層と、第２の電極と、をこの順で積層され、第１の電極は、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、第２の電極は、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、電源線は、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方及び第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に電気的に接続される、表示装置である。
　本発明の一態様は、電源線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、発光デバイスと、受光デバイスと、を有し、発光デバイスは、第１の電極と、発光層と、第１の電子輸送層と、電子注入層と、第２の電極と、をこの順で積層して有し、受光デバイスは、第３の電極と、活性層と、第１の正孔輸送層と、電子注入層と、第２の電極と、をこの順で積層され、第１の電極は、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、第２の電極は、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、電源線は、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方及び第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に電気的に接続され、電源線の電位は、第２の電極の電位より高い、表示装置である。
　本発明の一態様において、第１の電極及び第３の電極は、同一面上に設けられる表示装置が好ましい。
　本発明の一態様において、発光デバイスは、第１の電極と発光層の間に、第２の正孔輸送層を有する表示装置が好ましい。
　本発明の一態様において、受光デバイスは、第３の電極と活性層の間に、第２の電子輸送層を有する表示装置が好ましい。
　本発明の一態様において、発光デバイスは、可視光を射出する機能を有し、受光デバイスは、可視光を検出する機能を有する表示装置が好ましい。
　本発明の一態様において、発光デバイスは、赤外光を射出する機能を有し、受光デバイスは、赤外光を検出する機能を有する表示装置が好ましい。
　本発明の一態様は、上記表示装置と、コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュールである。
　本発明の一態様は、上記表示モジュールと、筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器である。
　本発明の一態様は、新規な構成の表示部を有する表示装置等を提供することができる。本発明の一態様は、高精細な表示部を有する表示装置等を提供することができる。本発明の一態様は、高解像度の表示部を有する表示装置等を提供することができる。本発明の一態様は、光検出機能を有し、高精細な表示部を有する表示装置等を提供することができる。本発明の一態様は、光検出機能を有し、高解像度の表示部を有する表示装置等を提供することができる。
　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
図１Ａ乃至図１Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図２Ａ乃至図２Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図３Ａ乃至図３Ｄは、表示装置の構成例を示す図である。
図４Ａ及び図４Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図５Ａ及び図５Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図６Ａ及び図６Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図８Ａ及び図８Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図９Ａ及び図９Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１０Ａ及び図１０Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１１Ａ及び図１１Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１２は、表示装置の構成例を示す図である。
図１３Ａ及び図１３Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１４Ａ及び図１４Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１５Ａ及び図１５Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１６Ａ及び図１６Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１７Ａ及び図１７Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１８Ａ及び図１８Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１９Ａ及び図１９Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２０Ａ及び図２０Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２１Ａ及び図２１Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２２Ａ及び図２２Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２３Ａ及び図２３Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２４Ａ及び図２４Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２５Ａ及び図２５Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２６Ａ及び図２６Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２７Ａ及び図２７Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２８Ａ及び図２８Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２９は、表示装置の構成例を示す図である。
図３０は、表示装置の構成例を示す図である。
図３１は、表示装置の構成例を示す図である。
図３２は、表示装置の構成例を示す図である。
図３３Ａ及び図３３Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図３４は、表示装置の構成例を示す図である。
図３５Ａ及び図３５Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図３６Ａ及び図３６Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図３７Ａ乃至図３７Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図３８Ａ及び図３８Ｂは、表示装置のブロック図およびタイミングチャートを示す図である。
図３９は、表示装置のタイミングチャートを示す図である。
図４０Ａ乃至図４０Ｄは、表示装置の構成例を示す図である。
図４１Ａ乃至図４１Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図４２は、表示装置の構成例を示す図である。
図４３Ａ及び図４３Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図４４Ａ及び図４４Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図４５Ａ及び図４５Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図４６Ａ及び図４６Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図４７Ａ、図４７Ｂ及び図４７Ｄは、表示装置の一例を示す断面図である。図４７Ｃ及び図４７Ｅは、表示装置で撮像した画像の例を示す図である。
図４８は、表示装置の一例を示す断面図である。
図４９Ａ乃至図４９Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図５０Ａ乃至図５０Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図５１Ａ乃至図５１Ｃは、表示装置の一例を示す図である。
図５２Ａ乃至図５２Ｃは、電子機器の一例を示す図である。
図５３Ａは、表示装置の一例を示す上面図である。図５３Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図５４Ａ乃至図５４Ｉは、画素の一例を示す上面図である。
図５５Ａ乃至図５５Ｅは、画素の一例を示す上面図である。
図５６Ａ及び図５６Ｂは、画素の一例を示す上面図である。
図５７Ａ及び図５７Ｂは、画素の一例を示す上面図である。
図５８Ａ及び図５８Ｂは、画素の一例を示す上面図である。
図５９Ａ及び図５９Ｂは、画素の一例を示す上面図である。
図６０Ａ及び図６０Ｂは、画素の一例を示す上面図である。
図６１Ａは、表示装置の一例を示す上面図である。図６１Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図６２Ａ乃至図６２Ｆは、表示装置の作製方法の一例を示す上面図である。
図６３Ａ乃至図６３Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図６４Ａ乃至図６４Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図６５Ａ乃至図６５Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図６６Ａ及び図６６Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図６７Ａ乃至図６７Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図６８Ａ乃至図６８Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図６９Ａ及び図６９Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図７０Ａ乃至図７０Ｅは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図７１Ａ乃至図７１Ｆは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図７２は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図７３Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図７３Ｂ及び図７３Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図７４は、表示装置の一例を示す断面図である。
図７５Ａ及び図７５Ｂは、表示モジュールの一例を示す斜視図である。
図７６は、表示装置の一例を示す断面図である。
図７７は、表示装置の一例を示す断面図である。
図７８は、表示装置の一例を示す断面図である。
図７９は、表示装置の一例を示す断面図である。
図８０は、表示装置の一例を示す断面図である。
図８１Ａ乃至図８１Ｄは、トランジスタの一例を示す図である。
図８２Ａ及び図８２Ｂは、電子機器の一例を示す図である。
図８３Ａ乃至図８３Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図８４Ａ乃至図８４Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図８５は、車両の一例を示す図である。
　実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
　図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
　なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。
（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。本実施の形態では、特に表示装置の画素が有する回路構成について説明する。
　本発明の一態様の表示装置は表示部を有し、表示部はマトリクス状に配置された複数の画素を有する。画素は、発光デバイス（発光素子ともいう）と、受光デバイス（受光素子ともいう）と、を有する。
　発光デバイスは、表示デバイス（表示素子ともいう）として機能する。本発明の一態様の表示装置は、表示部に発光デバイスがマトリクス状に配置されており、当該表示部で画像を表示することができる。また、本発明の一態様の表示装置は、受光デバイスを用いて、光を検出する機能を有する。
　発光デバイスは、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＥＬデバイスを用いることが好ましい。ＥＬデバイスが有する発光物質として、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（量子ドット材料など）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　Ａｃｔｉｖａｔｅｄ　Ｄｅｌａｙｅｄ　Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）などが挙げられる。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。なお、ＴＡＤＦ材料として、一重項励起状態と三重項励起状態が熱平衡状態にある材料を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は発光寿命（励起寿命）が短くなるため、発光デバイスにおける高輝度領域での効率低下を抑制することができる。
　本発明の一態様の表示装置の表示部には、受光デバイスがマトリクス状に配置されており、表示部は、画像表示機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を有する。表示部は、イメージセンサまたはタッチセンサに用いることができる。つまり、表示部で光を検出することで、画像を撮像すること、または、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。さらに、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスをセンサの光源として利用することができる。したがって、表示装置と別に受光部及び光源を設けなくてもよく、電子機器の部品点数を削減することができる。
　受光デバイスをイメージセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、画像を撮像することができる。例えば、本実施の形態の表示装置は、スキャナとして用いることができる。
　例えば、イメージセンサを用いて、指紋、掌紋などの生体情報に係るデータを取得することができる。つまり、表示装置に、生体認証用センサを内蔵させることができる。表示装置が生体認証用センサを内蔵することで、表示装置とは別に生体認証用センサを設ける場合に比べて、電子機器の部品点数を少なくでき、電子機器の小型化及び軽量化が可能である。
　受光デバイスをタッチセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、対象物の近接または接触を検出することができる。
　以下ではより具体的な例について、図面を用いて説明する。
＜表示装置のブロック図＞
　表示装置１０のブロック図を、図１Ａに示す。表示装置１０は、表示部７１、駆動回路部７２、駆動回路部７３、駆動回路部７４、及び回路部７５等を有する。
　表示部７１は、マトリクス状に配置された複数の画素８０を有する。画素８０は、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ、及び副画素８２ＰＳを有する。副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、及び副画素８１Ｂは、それぞれ表示デバイスとして機能する発光デバイスを有する。副画素８２ＰＳは、光電変換素子として機能する受光デバイスを有する。
　なお、本明細書等では、一つの「画素」の中で独立した動作が行われる最小単位を便宜的に「副画素」と定義して説明を行うが、「画素」を「領域」と置き換え、「副画素」を「画素」と置き換えてもよい。
　画素８０は、配線ＧＬ、配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、配線ＳＬＢ、配線ＳＥ、配線ＲＳ、及び配線ＷＸ等と電気的に接続されている。配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、配線ＳＬＢは、駆動回路部７２と電気的に接続されている。配線ＧＬは、駆動回路部７３と電気的に接続されている。駆動回路部７２は、ソース線駆動回路（ソースドライバともいう）として機能する。駆動回路部７３は、ゲート線駆動回路（ゲートドライバともいう）として機能する。
　画素８０は、発光デバイスを有する副画素として、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、及び副画素８１Ｂを有する。例えば、副画素８１Ｒは赤色を呈する副画素であり、副画素８１Ｇは緑色を呈する副画素であり、副画素８１Ｂは青色を呈する副画素である。これにより、表示装置１００はフルカラーの表示を行うことができる。なお、ここでは画素８０が３色の副画素を有する例を示したが、４色以上の副画素を有していてもよい。
　副画素８１Ｒは、赤色の光を呈する発光デバイスを有する。副画素８１Ｇは、緑色の光を呈する発光デバイスを有する。副画素８１Ｂは、青色の光を呈する発光デバイスを有する。なお、画素８０は、他の色の光を呈する発光デバイスを有する副画素を有していてもよい。例えば画素８０は、上記３つの副画素に加えて、白色の光を呈する発光デバイスを有する副画素、または黄色の光を呈する発光デバイスを有する副画素などを有していてもよい。
　配線ＧＬは、行方向（配線ＧＬの延伸方向）に配列する副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、及び副画素８１Ｂと電気的に接続されている。配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢは、それぞれ、列方向（配線ＳＬＲ等の延伸方向）に配列する副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂと電気的に接続されている。
　画素８０が有する副画素８２ＰＳは、配線ＳＥ、配線ＲＳ、及び配線ＷＸが電気的に接続されている。配線ＳＥ、配線ＲＳは、それぞれ駆動回路部７４に電気的に接続され、配線ＷＸは、回路部７５に電気的に接続される。
　駆動回路部７４は、副画素８２ＰＳを駆動させるための信号を生成し、配線ＳＥ、及び配線ＲＳを介して副画素８２ＰＳに出力する機能を有する。回路部７５は、副画素８２ＰＳから配線ＷＸを介して出力される信号を受信し、画像データとして外部に出力する機能を有する。回路部７５は、読み出し回路として機能する。
＜画素回路の構成例＞
　副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、及び副画素８１Ｂに適用することができる画素８１の回路図の一例を、図１Ｂに示す。画素８１は、トランジスタＭ１１、トランジスタＭ１２、容量Ｃ１１、及び発光デバイス１１を有する。画素８１には、配線ＧＬ及び配線ＳＬが電気的に接続される。配線ＳＬは、図１Ａに示した配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、及び配線ＳＬＢのうちのいずれかに対応する。
　トランジスタＭ１１は、ゲートが配線ＧＬと電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が配線ＳＬと電気的に接続され、他方が容量Ｃ１１の一方の電極、及びトランジスタＭ１２のゲートと電気的に接続される。トランジスタＭ１２は、ソース及びドレインの一方が配線ＥＡＬと電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が発光デバイス１１の一方の電極、及び容量Ｃ１１の他方の電極と電気的に接続される。発光デバイス１１は、他方の電極が配線ＡＣＬと電気的に接続される。
　トランジスタＭ１１は、スイッチとして機能する。トランジスタＭ１２は、発光デバイス１１に流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能する。
　ここで、トランジスタＭ１１及びトランジスタＭ１２に、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタ（以下、Ｓｉトランジスタと記す）を適用することが好ましい。または、トランジスタＭ１１に、チャネル形成領域に金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有するトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタと記す）を適用し、トランジスタＭ１２にＳｉトランジスタを適用することが好ましい。
　シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが挙げられる。Ｓｉトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。例えば、チャネル形成領域に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ）を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタと記す）を用いることができる。
　Ｓｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。
　酸化物半導体は、例えば、インジウムと、金属Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。特に、ＯＳトランジスタの半導体層として、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。
　シリコンよりもバンドギャップが広く、かつキャリア密度の小さい酸化物半導体を用いたＯＳトランジスタは、極めて小さいオフ電流を実現することができる。そのため、その小さいオフ電流により、ＯＳトランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。そのため、特に容量Ｃ１１に直列に接続されるトランジスタＭ１１には、ＯＳトランジスタを用いることが好ましい。トランジスタＭ１１としてＯＳトランジスタを適用することで、容量Ｃ１１に保持される電荷が、トランジスタＭ１１を介してリークされることを防ぐことができる。また、容量Ｃ１１に保持される電荷を長時間に亘って保持できるため、画素８１のデータを書き換えることなく、静止画を長期間に亘って表示することが可能となる。
　また、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＯＳトランジスタのオフ電流値は、１ａＡ（１×１０−１８Ａ）以下、１ｚＡ（１×１０−２１Ａ）以下、または１ｙＡ（１×１０−２４Ａ）以下とすることができる。なお、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＳｉトランジスタのオフ電流値は、１ｆＡ（１×１０−１５Ａ）以上１ｐＡ（１×１０−１２Ａ）以下である。したがって、ＯＳトランジスタのオフ電流は、Ｓｉトランジスタのオフ電流よりも１０桁程度低いともいえる。
　配線ＳＬには、データ電位が与えられる。配線ＧＬには、選択信号が与えられる。当該選択信号には、トランジスタを導通状態とする電位と、非導通状態とする電位が含まれる。
　配線ＥＡＬには、第１の電位が与えられる。配線ＡＣＬには、第２の電位が与えられる。配線ＥＡＬは、発光デバイス１１の陽極と電気的に接続され、発光デバイス１１の陽極に第１の電位を供給する機能をする。配線ＡＣＬは、発光デバイス１１の陰極と電気的に接続され、発光デバイス１１の陰極に第２の電位を供給する機能を有する。第２の電位は、第１の電位より低い電位とする。画素８１において、第１の電位をアノード電位、第２の電位をカソード電位ということができる。配線ＥＡＬは、電源線という場合がある。
　副画素８２ＰＳに適用することができる回路図の一例を、図１Ｃに示す。画素８２は、トランジスタＭ１６、トランジスタＭ１７、トランジスタＭ１８、容量Ｃ２１、及び受光デバイス１２を有する。
　受光デバイス１２は、陰極がトランジスタＭ１６のソース及びドレインの一方、容量Ｃ２１の第１の電極、及びトランジスタＭ１７のゲートと電気的に接続されている。トランジスタＭ１６は、ゲートが配線ＲＳと電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が、配線Ｖ１１と電気的に接続されている。トランジスタＭ１７は、ソース及びドレインの一方が、配線Ｖ１３と電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が、トランジスタＭ１８のソース及びドレインの一方と電気的に接続されている。トランジスタＭ１８は、ゲートが配線ＳＥと電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が配線ＷＸに電気的に接続されている。受光デバイス１２は、陽極が配線ＡＣＬと電気的に接続されている。容量Ｃ２１は、第２の電極が配線Ｖ１２と電気的に接続されている。
　トランジスタＭ１６、及びトランジスタＭ１８は、スイッチとして機能する。トランジスタＭ１７は、増幅素子（アンプ）として機能する。
　トランジスタＭ１６乃至トランジスタＭ１８の全てに、Ｓｉトランジスタを適用することが好ましい。または、トランジスタＭ１６に、ＯＳトランジスタを適用し、トランジスタＭ１７に、Ｓｉトランジスタを適用することが好ましい。このとき、トランジスタＭ１８は、ＯＳトランジスタ及びＳｉトランジスタのどちらを適用してもよい。
　トランジスタＭ１７には、Ｓｉトランジスタを適用することが好ましい。Ｓｉトランジスタは、ＯＳトランジスタよりも、高い電界効果移動度を実現することができ、駆動能力及び電流能力に優れる。そのため、トランジスタＭ１７は、トランジスタＭ１６と比較して、より高速な動作が可能となる。トランジスタＭ１７にＳｉトランジスタを用いることで、受光デバイス１２の受光量に基づく微小の電位に応じた出力動作を、トランジスタＭ１８に対して素早く行うことができる。
　なお、図１Ｂ及び図１Ｃにおいて、トランジスタをｎチャネル型のトランジスタとして表記しているが、ｐチャネル型のトランジスタを用いることもできる。
　画素８１及び画素８２が有する各トランジスタは、同一基板上に並べて形成されることが好ましい。
　画素８２において受光デバイス１２の陽極と電気的に接続される配線ＡＣＬは、画素８１の配線ＡＣＬと共通にすることができ、第２の電位が与えられる。画素８２において、配線ＡＣＬは、受光デバイス１２の陽極に第２の電位を与える機能を有する。また画素８２において、受光デバイス１２の陰極と電気的に接続される配線Ｖ１１は、画素８１の配線ＥＡＬと共通にすることができ、第１の電位が与えられる。第１の電位は、第２の電位より高い電位とする。これにより、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加することができる。
　つまり画素８１及び画素８２は、図２Ａに図示するように、配線ＥＡＬを共通にすることができる。なお図２Ａでは、配線Ｖ１１と、配線Ｖ１３と、配線Ｖ１２と、配線ＥＡＬと、を共通にする例を図示している。つまり、図２Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、画素８０に電気的に接続される配線数の削減、及び画素８０に与える電位の数を削減することができる。その結果、画素８０のレイアウト面積の縮小を図ることができるため、光検出機能を有しつつ、高精細な表示部を有する表示装置とすることができる。また光検出機能を有しつつ、高解像度の表示部を有する表示装置とすることができる。
＜発光デバイス及び受光デバイスの構成例＞
　本発明の一態様の表示装置に適用できる発光デバイス、及び受光デバイスについて、説明する。本発明の一態様の表示装置１０が有する発光デバイス１１、及び受光デバイス１２の断面概略図を、図２Ｂに示す。
　発光デバイス１１は、光を発する機能（以下、発光機能とも記す）を有する。発光デバイス１１は、電極１３Ａ、ＥＬ層１７、及び電極１５を有する。発光デバイス１１は、有機ＥＬデバイス（有機電界発光デバイス）であることが好ましい。電極１３Ａと電極１５との間に挟持されるＥＬ層１７は、少なくとも発光層を有する。発光層は、光を発する発光物質を有する。電極１３Ａと電極１５との間に電圧を印加することにより、ＥＬ層１７から光が射出される。ＥＬ層１７は、さらに、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、キャリアブロック層、励起子ブロック層、電荷発生層など、様々な層を有することができる。
　受光デバイス１２は、光を検出する機能（以下、受光機能とも記す）を有する。受光デバイス１２は、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。受光デバイス１２は、電極１３Ｂ、受光層１９、及び電極１５を有する。電極１３Ｂと電極１５との間に挟持される受光層１９は、少なくとも活性層を有する。受光デバイス１２は、光電変換デバイスとして機能し、受光層１９に入射する光によって電荷を発生させ、電流として取り出すことができる。この時、電極１３Ｂと電極１５との間に電圧を印加してもよい。受光層１９に入射する光量に基づき、発生する電荷量が決まる。
　受光デバイス１２は、可視光を検出する機能を有する。受光デバイス１２は、可視光に感度を有する。受光デバイス１２は、可視光及び赤外光を検出する機能を有するとさらに好ましい。受光デバイス１２は、可視光、または赤外光の少なくともいずれかに感度を有することが好ましい。
　なお、本明細書等において、青色（Ｂ）の波長領域は、４００ｎｍ以上４９０ｎｍ未満であり、青色（Ｂ）の光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。緑色（Ｇ）の波長領域は、４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満であり、緑色（Ｇ）の光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。赤色（Ｒ）の波長領域は、５８０ｎｍ以上７００ｎｍ未満であり、赤色（Ｒ）の光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。また、本明細書等において、可視光の波長領域は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ未満であり、可視光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。赤外（ＩＲ）の波長領域は、７００ｎｍ以上９００ｎｍ未満であり、赤外（ＩＲ）光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルのピークを有する。
　活性層は、半導体を含む。当該半導体として、シリコンなどの無機半導体、及び、有機化合物を含む有機半導体が挙げられる。特に、受光デバイス１２として、有機半導体を含む層を有する有機フォトダイオードを用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な表示装置に適用できる。また、有機半導体を用いることで、発光デバイス１１が有するＥＬ層と、受光デバイス１２が有する受光層と、を同じ方法（例えば、真空蒸着法）で形成することができ、共通の製造装置を使用できるため好ましい。
　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイス１１として有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイス１２として有機フォトダイオードを好適に用いることができる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。本発明の一態様である表示装置は、画像を表示する機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方も有する。
　電極１３Ａ及び電極１３Ｂは、同一面上に設けられる。図２Ｂは、電極１３Ａ及び電極１３Ｂが基板２３上に設けられる構成を示している。電極１３Ａ及び電極１３Ｂは、例えば、基板２３上に形成された導電膜を島状に加工することにより形成できる。つまり、電極１３Ａ及び電極１３Ｂは、同じ工程を経て形成することができる。
　基板２３は、発光デバイス１１及び受光デバイス１２の形成に耐えうる耐熱性を有する基板を用いることができる。基板２３として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、有機樹脂基板などを用いることができる。また、シリコンまたは炭化シリコンなどを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などの半導体基板を用いることができる。
　特に、基板２３として、前述の絶縁性基板または半導体基板上に、トランジスタなどの半導体素子を含む半導体回路が形成された基板を用いることが好ましい。当該半導体回路は、例えば、画素回路、ゲート線駆動回路（ゲートドライバ）、ソース線駆動回路（ソースドライバ）などを構成していることが好ましい。また、上記に加えて演算回路、記憶回路などが構成されていてもよい。
　電極１３Ａ、及び電極１３Ｂはそれぞれ、画素電極ということができる。電極１５は、発光デバイス１１及び受光デバイス１２で共通する層であり、共通電極ということができる。画素電極と共通電極のうち、光を射出させる、または光を入射させる側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用いる。光を射出させない、または光を入射させない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
　本発明の一態様である表示装置は、共通電極として機能する電極１５が、発光デバイス１１において陽極または陰極の一方として機能し、受光デバイス１２において陽極または陰極の他方として機能する構成とする。
　次いで図２Ｃでは、発光デバイス１１において、電極１３Ａが陽極として機能し、電極１５が陰極として機能し、受光デバイス１２において、電極１３Ｂが陰極として機能し、電極１５が陽極として機能する構成を明示的に示すため、図２Ｂに回路記号等を追加した模式図を示す。図２Ｃでは、陽極と陰極の向きを分かりやすくするため、発光デバイス１１の左側に発光ダイオードの回路記号を示し、受光デバイス１２の右側にフォトダイオードの回路記号を示している。また、電子及びホールの流れる向きを模式的に矢印で示している。また図２Ｃでは、図２Ｂの電極１５を配線ＡＣＬとして図示している。また図２Ｃでは、基板２３上に設けられる配線ＥＡＬ、及び配線ＥＡＬに接続されるトランジスタＭ１２及びトランジスタＭ１６がそれぞれ、電極１３Ａ及び電極１３Ｂに接続される様子を図示している。
　発光デバイス１１において、電極１３Ａは陽極として機能し、トランジスタＭ１２を介して第１の電位を供給する配線ＥＡＬに接続される。発光デバイス１１において、配線ＡＣＬは、第２の電位を供給する陰極として機能する。第２の電位は、第１の電位より低い電位とする。
　受光デバイス１２において、電極１３Ｂは陰極として機能し、トランジスタＭ１６を介して第１の電位を供給する配線ＥＡＬに接続される。受光デバイス１２において、配線ＡＣＬは、第２の電位を供給する陽極として機能する。ここで、受光デバイス１２では、第２の電位が第１の電位より低い電位であるため、逆バイアス電圧が印加される。
　発光デバイス１１において、電極１３Ａが陽極として機能し、電極１５が陰極として機能し、受光デバイス１２において、電極１３Ｂが陰極として機能し、電極１５が陽極として機能する構成とすることにより、電極１３Ａと電極１３Ｂの電位差を小さくすることができ、電極１３Ａと電極１３Ｂの間のリーク（以下、サイドリークともいう）を抑制することができる。したがって、ＳＮ比（Ｓｉｇｎａｌ　ｔｏ　Ｎｏｉｓｅ　Ｒａｔｉｏ）が高い受光デバイスとすることができる。
　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイス１１と受光デバイス１２との間のサイドリークが抑制されることから、発光デバイス１１と受光デバイス１２の間隔を狭くすることができる。つまり、画素に占める発光デバイス１１、及び受光デバイス１２の割合（以下、開口率ともいう）を高めることができる。また、画素のサイズを小さくすることができ、表示装置の精細度を高めることができる。したがって、光検出機能を有し、高開口率の表示装置を実現することができる。また、光検出機能を有し、高精細の表示装置を実現することができる。
　なお、受光デバイス１２の精細度としては、１００ｐｐｉ以上、好ましくは２００ｐｐｉ以上、より好ましくは３００ｐｐｉ以上、より好ましくは４００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは５００ｐｐｉ以上であって、２０００ｐｐｉ以下、１０００ｐｐｉ以下、または６００ｐｐｉ以下などとすることができる。特に、２００ｐｐｉ以上６００ｐｐｉ以下、好ましくは３００ｐｐｉ以上６００ｐｐｉ以下の精細度で受光デバイス１２を配置することで、指紋の撮像に好適に用いることができる。また、精細度が、５００ｐｐｉ以上であると、米国国立標準技術研究所（ＮＩＳＴ）などの規格に準拠できるため好適である。なお、受光デバイスの精細度を５００ｐｐｉと仮定した場合、１画素あたり５０．８μｍのサイズとなり、指紋の幅（代表的には、３００μｍ以上５００μｍ以下）を撮像するには、十分な精細度であることがわかる。
　または、本発明の一態様である表示装置１０は、発光デバイス１１において、電極１３Ａが陰極として機能し、電極１５が陽極として機能し、受光デバイス１２において、電極１３Ｂが陽極として機能し、電極１５が陰極として機能する構成としてもよい。
＜画素回路の変形例＞
　以下では、画素８１及び画素８２について、上記とは異なる構成例について説明する。
　画素８１及び画素８２が有するトランジスタとして、半導体層を介して重なる一対のゲートを有するトランジスタを適用することができる。一対のゲートを有するＬＴＰＳトランジスタ及びＯＳトランジスタの具体的な例については、以降に詳細に説明する。
　一対のゲートを有するトランジスタにおいて、一対のゲートが互いに電気的に接続され、同じ電位が与えられる構成とすることで、トランジスタのオン電流が高まること、及び飽和特性が向上するといった利点がある。また、一対のゲートの一方に、トランジスタのしきい値電圧を制御する電位を与えてもよい。また、一対のゲートの一方に、定電位を与えることで、トランジスタの電気特性の安定性を向上させることができる。例えば、トランジスタの一方のゲートを、定電位が与えられる配線と電気的に接続する構成としてもよいし、自身のソースまたはドレインと電気的に接続する構成としてもよい。
　図３Ａに示す画素８１＿１は、画素８１のトランジスタＭ１２に、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。トランジスタＭ１２は、一対のゲートの他方が自身のソースまたはドレインと電気的に接続されている。トランジスタＭ１２に、このようなトランジスタを適用することで、飽和特性が向上するため、発光デバイス１１の発光輝度の制御が容易となり、表示品位を高めることができる。
　図３Ｂに示す画素８２＿１は、画素８２のトランジスタＭ１７に、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。トランジスタＭ１７は、一対のゲートの他方が自身のソースまたはドレインと電気的に接続されている。トランジスタＭ１７に、このようなトランジスタを適用することで、飽和特性が向上するため、受光デバイス１２が生成する信号の読み出し精度を向上することができる。
　図３Ｃに示す画素８１＿２は、画素８１＿１のトランジスタＭ１１に、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。トランジスタＭ１２は、一対のゲートの他方が自身のソースまたはドレインと電気的に接続されている。トランジスタＭ１１に、このようなトランジスタを適用することで、良好なスイッチング動作を行うことが可能となるため、表示動作に要する時間を短縮することができる。
　図３Ｄに示す画素８２＿２は、画素８２＿１のトランジスタＭ１６及びＭ１８に、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。トランジスタＭ１７は、一対のゲートの他方が自身のソースまたはドレインと電気的に接続されている。トランジスタＭ１６及びＭ１８に、このようなトランジスタを適用することで、良好なスイッチング動作を行うことが可能となるため、リセット動作に要する時間を短縮することができる。
　図４Ａに示す画素８１＿３は、画素８１にトランジスタＭ１３を追加し、トランジスタＭ１１及びＭ１３を別々に制御するための配線ＧＬ１および配線ＧＬ２を有する場合の例である。トランジスタＭ１１のゲートは、配線ＧＬ１に電気的に接続される。トランジスタＭ１３のゲートは、配線ＧＬ２に電気的に接続される。トランジスタＭ１３は、トランジスタＭ１１と同様、スイッチとして機能する。トランジスタＭ１３は、ソース及びドレインの一方が発光デバイス１１の一方の電極と電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がソース及びドレインの他方が配線ＲＬと電気的に接続される。
　配線ＲＬには、リセット電位が与えられる。配線ＲＬに与えられるリセット電位は、リセット電位と発光デバイス１１のカソード電位との電位差が、発光デバイス１１のしきい値電圧よりも小さくなるような電位とすることができる。リセット電位は、カソード電位よりも高い電位、カソード電位と同じ電位、または、カソード電位よりも低い電位とすることができる。
　図４Ｂに示す画素８２＿３は、画素８２におけるトランジスタＭ１８の位置をトランジスタＭ１７と配線Ｖ１３との間に変更した場合の例である。
　図５Ａには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿３を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図５Ａでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１３、配線Ｖ１２及び配線ＥＡＬ、を共通にする例を図示している。つまり、図５Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図５Ｂには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿３を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図５Ｂでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１３、及び配線ＥＡＬを共通にし、ならびに、配線ＲＬ及び配線Ｖ１２を共通にする例を図示している。つまり、図５Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図６Ａには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図６Ａでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１２及び配線ＥＡＬを共通にし、配線Ｖ１３を別の配線とする例を図示している。つまり、図６Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図６Ｂには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図６Ｂでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１２、及び配線ＥＡＬを共通にし、ならびに、配線ＲＬ及び配線Ｖ１３を共通にする例を図示している。つまり、図６Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図７Ａには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図７Ａでは、配線Ｖ１３及び配線ＥＡＬを共通にし、ならびに、配線Ｖ１１及び配線Ｖ１２を共通にする例を図示している。つまり、図７Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図７Ｂには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図７Ｂでは、配線Ｖ１３及び配線ＥＡＬを共通にし、ならびに、配線ＲＬ、配線Ｖ１１及び配線Ｖ１２を共通にする例を図示している。つまり、図７Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図８Ａには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図８Ａでは、配線Ｖ１３及び配線Ｖ１２を共通にし、ならびに、配線Ｖ１１及び配線ＥＡＬを共通にする例を図示している。つまり、図８Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図８Ｂには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図８Ｂでは、配線Ｖ１１及び配線ＥＡＬを共通にし、ならびに、配線ＲＬ、配線Ｖ１２及び配線Ｖ１３を共通にする例を図示している。つまり、図８Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　なお図５Ａ乃至図８Ｂでは、画素８２（または画素８２＿３）を副画素８２ＰＳに適用する例を図示したが、画素８２＿１乃至８２＿３を適用する構成としてもよい。また図５Ａ乃至図８Ｂでは、画素８１または８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用する図を図示したが、画素８１＿１または８２＿２を適用する構成としてもよい。
　また図５Ａ乃至図８Ｂでは、画素８０が有するトランジスタに接続される配線を共通にする構成について説明したが、他の構成としてもよい。
　図９Ａには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図において、配線ＷＸに電気的に接続されたトランジスタＭ２１のゲートと、配線ＲＬとを共通にする例を図示している。配線ＲＬに与えられるリセット電位をトランジスタＭ２１のゲートに与えることで、トランジスタＭ２１を定電流源として機能させることができる。また図９Ｂには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿３を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図において、配線ＷＸに電気的に接続されたトランジスタＭ２１のゲートと、配線ＲＬとを共通にする例を図示している。配線ＲＬに与えられるリセット電位をトランジスタＭ２１のゲートにあたえることで、トランジスタＭ２１を定電流源として機能させることができる。つまり、図９Ａ及び図９Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２（または画素８２＿３）が有する複数の配線と、そのほかの配線（電位を与える配線）を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図１Ａで示した表示装置１０のブロック図とは異なる構成について図１０Ａにて説明する。なお図１０Ａにおける説明は、図１Ａと異なる点についてのみ説明し、共通の符号を付した構成については図１Ａと同様である。
　図１０Ａにおいて、画素８０は、配線ＧＬ、配線ＳＬＲ、配線ＳＬＧ、配線ＳＬＢ、配線ＴＸ、配線ＳＥ、配線ＲＳ、及び配線ＷＸ等と電気的に接続されている。
　図１０Ａにおいて、画素８０が有する副画素８２ＰＳは、配線ＴＸ、配線ＳＥ、配線ＲＳ、及び配線ＷＸが電気的に接続されている。配線ＴＸ、配線ＳＥ、配線ＲＳは、それぞれ駆動回路部７４に電気的に接続され、配線ＷＸは、回路部７５に電気的に接続される。
　駆動回路部７４は、副画素８２ＰＳを駆動させるための信号を生成し、配線ＳＥ、配線ＴＸ、及び配線ＲＳを介して副画素８２ＰＳに出力する機能を有する。
　図１０Ａにおいて、副画素８２ＰＳに適用することができる回路図の一例を、図１０Ｂに示す。画素８２＿４は、トランジスタＭ１５、トランジスタＭ１６、トランジスタＭ１７、トランジスタＭ１８、容量Ｃ２１、及び受光デバイス１２を有する。受光デバイス１２は、前述の受光デバイスを用いることができる。
　トランジスタＭ１５は、ゲートが配線ＴＸと電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が、受光デバイス１２の陰極と電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が、トランジスタＭ１６のソース及びドレインの一方、容量Ｃ２１の第１の電極、及びトランジスタＭ１７のゲートと電気的に接続されている。
　トランジスタＭ１５は、スイッチとして機能する。トランジスタＭ１５は、ＳｉトランジスタまたはＯＳトランジスタを適用することが好ましい。トランジスタＭ１５及びトランジスタＭ１６にＯＳトランジスタを適用することで、受光デバイス１２に発生する電荷に基づき、トランジスタＭ１７のゲートに保持される電位が、トランジスタＭ１５またはトランジスタＭ１６を介してリークすることを防ぐことができる。
　例えば、グローバルシャッタ方式を用いた撮像を行う場合、画素によって電荷の転送動作が終了してから読み出し動作が開始されるまでの期間（電荷保持期間）が異なる。ここで、全ての画素で階調値が等しくなる画像を撮像すると、理想的には全ての画素において同じ値の電位を有する出力信号が得られる。しかし、電荷保持期間の長さが行毎に異なる場合、各行の画素のノードに蓄積されている電荷が時間の経過と共にリークしてしまうと、画素の出力信号の電位が行毎に異なってしまい、行毎にその階調数が変化した画像データが得られてしまう。そこで、トランジスタＭ１５及びトランジスタＭ１６としてＯＳトランジスタを適用することで、画素のノードの電位変化を極めて小さくすることができる。すなわち、グローバルシャッタ方式を用いて撮像を行っても、電荷保持期間が異なることに起因する画像データの階調の変化を小さく抑え、撮像された画像の品質を向上させることができる。
　一方で、トランジスタＭ１７には、Ｓｉトランジスタを適用することが好ましい。Ｓｉトランジスタは、ＯＳトランジスタよりも、高い電界効果移動度を実現することができ、駆動能力及び電流能力に優れる。そのため、トランジスタＭ１７は、トランジスタＭ１５及びトランジスタＭ１６と比較して、より高速な動作が可能となる。トランジスタＭ１７にＳｉトランジスタを用いることで、受光デバイス１２の受光量に基づく微小の電位に応じた出力動作を、トランジスタＭ１８に対して素早く行うことができる。
　つまり、画素８２において、トランジスタＭ１５及びトランジスタＭ１６はリーク電流が少なく、かつ、トランジスタＭ１７は駆動能力が高いことで、受光デバイス１２で受光し、トランジスタＭ１５を介して転送された電荷がリークすることなく保持でき、かつ、高速で読み出しを行うことができる。
　なお、図１０Ｂにおいて、トランジスタをｎチャネル型のトランジスタとして表記しているが、ｐチャネル型のトランジスタを用いることもできる。
　図１１Ａに示す画素８２＿５は、画素８２＿４におけるトランジスタＭ１６を、トランジスタＭ１５のソース及びドレインの一方と受光デバイス１２の陰極とに接続される位置に変更した場合の例である。
　図１１Ｂに示す画素８２＿６は、画素８２＿５におけるトランジスタＭ１８の位置をトランジスタＭ１７と配線Ｖ１３との間に変更した場合の例である。
　図１２に示す画素８２＿７は、画素８２＿６におけるトランジスタＭ１６を、トランジスタＭ１５のソース及びドレインの一方と受光デバイス１２の陰極とに接続される位置に変更した場合の例である。
　図１３Ａに示す画素８２＿８は、画素８２＿４において、トランジスタＭ１５及び受光デバイスＰＤを一組として、複数備えた構成の例である。トランジスタＭ１５＿１は、ゲートが配線ＴＸ＿１と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が、受光デバイスＰＤ１の陰極と電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が、トランジスタＭ１６のソース及びドレインの一方、容量Ｃ２１の第１の電極、及びトランジスタＭ１７のゲートと電気的に接続されている。トランジスタＭ１５＿２は、ゲートが配線ＴＸ＿２と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が、受光デバイスＰＤ２の陰極と電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が、トランジスタＭ１６のソース及びドレインの一方、容量Ｃ２１の第１の電極、及びトランジスタＭ１７のゲートと電気的に接続されている。受光デバイスＰＤ１の陽極及び受光デバイスＰＤ２の陽極は、配線ＡＣＬに電気的に接続される。
　図１３Ｂに示す画素８２＿９は、画素８２＿８におけるトランジスタＭ１８の位置をトランジスタＭ１７と配線Ｖ１３との間に変更した場合の例である。
　図１４Ａには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿４を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図１４Ａでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１３、配線Ｖ１２及び配線ＥＡＬ、を共通にする例を図示している。つまり、図１４Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２＿４が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図１４Ｂには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿５を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図１４Ｂでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１３、配線Ｖ１２及び配線ＥＡＬ、を共通にする例を図示している。つまり、図１４Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２＿５が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図１５Ａには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿４を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図１５Ａでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１３及び配線ＥＡＬを共通にし、配線Ｖ１２を別の配線とする例を図示している。つまり、図１５Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２＿４が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　なお図１５Ａにおいて、画素８２＿４が有する容量Ｃ２１は、トランジスタＭ１７のゲートの寄生容量を大きくすることで、図１５Ｂに図示するように省略することができる。
　図１６Ａには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿６を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図１６Ａでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１３、配線Ｖ１２及び配線ＥＡＬ、を共通にする例を図示している。つまり、図１６Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２＿６が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図１６Ｂには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿７を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図１６Ｂでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１３、配線Ｖ１２及び配線ＥＡＬ、を共通にする例を図示している。つまり、図１６Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２＿７が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図１７Ａには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿８を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図１７Ａでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１３、配線Ｖ１２及び配線ＥＡＬ、を共通にする例を図示している。つまり、図１７Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２＿８が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図１７Ｂには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿９を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図１７Ｂでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１３、配線Ｖ１２及び配線ＥＡＬ、を共通にする例を図示している。つまり、図１７Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２＿９が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
なお図１７Ａ及び図１７Ｂに図示するように、複数の受光デバイスを画素８２＿８または８２＿９内に設ける場合、異なる分光感度特性を有する受光デバイスとすることもできる。例えば赤外光の波長領域に分光感度特性を有する受光デバイス１２ＩＲと、可視光の波長領域に分光感度特性を有する受光デバイス１２を配置する構成とすることができる。図１８Ａは、図１７Ａに示す回路図の構成において、赤外光の波長領域に分光感度特性を有する受光デバイス１２ＩＲと、可視光の波長領域に分光感度特性を有する受光デバイス１２と、を備えた画素８０が有する回路図の例である。また、図１８Ｂは、図１７Ｂに示す回路図の構成において、赤外光の波長領域に分光感度特性を有する受光デバイス１２ＩＲと、可視光の波長領域に分光感度特性を有する受光デバイス１２と、を備えた画素８０が有する回路図の例である。
　図１９Ａには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿４を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図１９Ａでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１２、配線Ｖ１３及び配線ＥＡＬを共通とする例を図示している。つまり、図１９Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２＿４が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図１９Ｂには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿５を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図１９Ｂでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１２、配線Ｖ１３及び配線ＥＡＬを共通とする例を図示している。つまり、図１９Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２＿５が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２０Ａには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿４を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２０Ａでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１３及び配線ＥＡＬを共通とし、ならびに、配線ＲＬ及び配線Ｖ１２を共通とする例を図示している。つまり、図２０Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２＿４が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２０Ｂには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿４を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２０Ｂでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１３及び配線ＥＡＬを共通とし、配線Ｖ１２を省略する例を図示している。つまり、図２０Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２＿４が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２１Ａには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿６を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２１Ａでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１２、配線Ｖ１３及び配線ＥＡＬを共通とする例を図示している。つまり、図２１Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２＿６が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２１Ｂには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿７を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２１Ｂでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１２、配線Ｖ１３及び配線ＥＡＬを共通とする例を図示している。つまり、図２１Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２＿７が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２２Ａには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿４を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２２Ａでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１２及び配線ＥＡＬを共通にし、配線Ｖ１３を別の配線とする例を図示している。つまり、図２２Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２＿４が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２２Ｂには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿４を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２２Ｂでは、配線Ｖ１２、配線Ｖ１３及び配線ＥＡＬを共通にし、配線Ｖ１１を別の配線とする例を図示している。つまり、図２２Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２＿４が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２３Ａには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿４を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２３Ａでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１２及び配線ＥＡＬを共通にし、配線ＲＬ及び配線Ｖ１３を共通とする、例を図示している。つまり、図２３Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２＿４が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２３Ｂには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿４を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２３Ｂでは、配線Ｖ１２、配線Ｖ１３及び配線ＥＡＬを共通にし、配線ＲＬ及び配線Ｖ１１を共通とする例を図示している。つまり、図２３Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２＿４が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２４Ａには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿６を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２４Ａでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１２及び配線ＥＡＬを共通にし、配線Ｖ１３を別の配線とする例を図示している。つまり、図２４Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２＿６が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２４Ｂには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿７を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２４Ｂでは、配線Ｖ１２、配線Ｖ１３及び配線ＥＡＬを共通にし、配線Ｖ１１を別の配線とする例を図示している。つまり、図２４Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２＿７が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２５Ａには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿６を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２５Ａでは、配線Ｖ１１、配線Ｖ１２及び配線ＥＡＬを共通にし、配線ＲＬ及び配線Ｖ１３を共通とする例を図示している。つまり、図２５Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２＿６が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２５Ｂには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿７を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２５Ｂでは、配線Ｖ１２、配線Ｖ１３及び配線ＥＡＬを共通にし、配線ＲＬ及び配線Ｖ１１を共通とする例を図示している。つまり、図２５Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２＿７が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２６Ａには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿６を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２６Ａでは、配線Ｖ１１及び配線ＥＡＬを共通にし、配線Ｖ１２及び配線Ｖ１３を共通にする例を図示している。つまり、図２６Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２＿６が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２６Ｂには、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿７を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２６Ｂでは、配線Ｖ１１及び配線ＥＡＬを共通にし、配線Ｖ１２及び配線Ｖ１３を共通にする例を図示している。つまり、図２６Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１及び画素８２＿７が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２７Ａには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿６を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２７Ａでは、配線Ｖ１１及び配線ＥＡＬを共通にし、配線ＲＬ、配線Ｖ１２、及び配線Ｖ１３を共通とする例を図示している。つまり、図２７Ａに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２＿６が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　図２７Ｂには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿７を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図の例を示す。図２７Ｂでは、配線Ｖ１１及び配線ＥＡＬを共通にし、配線ＲＬ、配線Ｖ１２及び配線Ｖ１３を共通とする例を図示している。つまり、図２７Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３及び画素８２＿７が有する複数の配線を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　また図１９Ａ乃至図２７Ｂでは、画素８０が有するトランジスタに接続される配線を共通にする構成について説明したが、他の構成としてもよい。
　図２８Ａには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿４を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図において、配線ＷＸに電気的に接続されたトランジスタＭ２１のゲートと、配線ＲＬとを共通にする例を図示している。トランジスタＭ２１は、配線ＲＬに与えられるリセット電位に応じて電流を流す電流源として機能させることができる。また図２８Ｂには、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿５を副画素８２ＰＳに適用した場合の画素８０が有する回路図において、配線ＷＸに電気的に接続されたトランジスタＭ２１のゲートと、配線ＲＬとを共通にする例を図示している。トランジスタＭ２１は、配線ＲＬに与えられるリセット電位に応じて電流を流す電流源として機能させることができる。つまり、図２８Ａ及び図２８Ｂに示す回路図では、発光デバイス１１に順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、画素８１＿３および画素８２＿４（または画素８２＿５）が有する複数の配線と、そのほかの配線（電位を与える配線）を共通にすることができる。そのため、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。
　副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ、及び副画素８２ＰＳを有する画素８０の回路図の一例を、図２９に示す。図２９では、画素８１を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿４を副画素８２ＰＳに適用した場合の回路図である。
　副画素８２ＰＳにおいて、配線Ｖ１１乃至配線Ｖ１３は、副画素８１Ｂの配線ＥＡＬと共通にすることができる。図２９に示す回路図では、発光デバイス１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂに順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、副画素８１Ｂ及び画素８２ＰＳが有する複数の配線を共通にすることができる。なお副画素８１Ｂの代わりに、副画素８１Ｒまたは副画素８１Ｇでもよい。図２９に示すように、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。その結果、光検出機能を有しつつ、高精細な表示部を有する表示装置とすることができる。また光検出機能を有しつつ、高解像度の表示部を有する表示装置とすることができる。
　なお、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ、及び副画素８２ＰＳの構成は、図２９に示す構成に限定されない。図２９とは異なる画素８０の回路図の一例を、図３０に示す。図３０では、画素８１＿３を副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、または副画素８１Ｂに適用し、画素８２＿４を副画素８２ＰＳに適用した場合の回路図である。
　副画素８２ＰＳにおいて、配線Ｖ１１乃至配線Ｖ１３は、副画素８１Ｂの配線ＥＡＬと共通にすることができる。図２９に示す回路図では、発光デバイス１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂに順バイアス電圧を印加し、受光デバイス１２には逆バイアス電圧を印加する構成において、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳが有する複数の配線を共通にすることができる。なお副画素８１Ｂの代わりに、副画素８１Ｒまたは副画素８１Ｇでもよい。図３０に示すように、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。その結果、光検出機能を有しつつ、高精細な表示部を有する表示装置とすることができる。また光検出機能を有しつつ、高解像度の表示部を有する表示装置とすることができる。
　なお図３０において図示する副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ、及び副画素８２ＰＳの構成は、図３１に示すように別の配線を共通にしてもよい。例えば、配線ＧＬ１と配線ＧＬ２とを共通にする構成としてもよい。図３１に示すように、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。その結果、光検出機能を有しつつ、高精細な表示部を有する表示装置とすることができる。また光検出機能を有しつつ、高解像度の表示部を有する表示装置とすることができる。
　なお図２９において図示する副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ、及び副画素８２ＰＳの構成は、図３２に示すように別の配線を共通にしてもよい。例えば副画素８２ＰＳに接続される配線は、副画素８１Ｇに接続される配線ＥＡＬと、副画素８１Ｂに接続される配線ＥＡＬと、に接続される配線を振り分けてもよい。図３２に示すように、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。その結果、光検出機能を有しつつ、高精細な表示部を有する表示装置とすることができる。また光検出機能を有しつつ、高解像度の表示部を有する表示装置とすることができる。
また上記図１７Ａおよび図１７Ｂで図示したように画素８２ＰＳ内に複数の受光デバイスを有する構成では、例えば図３３Ａに図示する構成のように副画素８１Ｇに接続される配線ＥＡＬと、副画素８１Ｂに接続される配線ＥＡＬと、の間に受光デバイスを設ける構成とすることができる。図３３Ａでは、トランジスタＭ１５＿１に接続された受光デバイス１２＿１と、トランジスタＭ１５＿２に接続された受光デバイス１２＿２と、が副画素８１Ｇに接続される配線ＥＡＬと、副画素８１Ｂに接続される配線ＥＡＬとの間に設けられる様子を図示している。図３３Ａに示すように、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。その結果、光検出機能を有しつつ、高精細な表示部を有する表示装置とすることができる。また光検出機能を有しつつ、高解像度の表示部を有する表示装置とすることができる。
また上記図３３Ａとは異なる構成として図３３Ｂでは、トランジスタＭ１５＿１に接続された受光デバイス１２＿１と、トランジスタＭ１５＿２に接続された受光デバイス１２＿２と、が副画素８１Ｇに接続される配線ＥＡＬと、副画素８１Ｒに接続される配線ＥＡＬとを横断して設けられる様子を図示している。図３３Ｂに示すように、副画素８１Ｒ、副画素８１Ｇ、副画素８１Ｂ及び副画素８２ＰＳを有する画素において、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。その結果、光検出機能を有しつつ、高精細な表示部を有する表示装置とすることができる。また光検出機能を有しつつ、高解像度の表示部を有する表示装置とすることができる。
また上記図３３Ａ、図３３Ｂとは異なる構成として図３４では、トランジスタＭ１５＿１に接続された受光デバイス１２＿１と、トランジスタＭ１５＿２に接続された受光デバイス１２＿２と、が別の画素の領域に渡って設けられる様子を図示している。図３４に示すように、Ｎ行目の副画素８１Ｒ＿Ｎ、副画素８１Ｇ＿Ｎ、副画素８１Ｂ＿Ｎ及び副画素８２ＰＳ＿Ｎを有する画素において、副画素８２ＰＳ＿Ｎが有するトランジスタＭ１５＿２に接続された受光デバイス１２＿２が、Ｎ＋１行目の副画素８１Ｒ＿Ｎ＋１、副画素８１Ｇ＿Ｎ＋１、副画素８１Ｂ＿Ｎ＋１を有する画素に設けられる様子を図示している。図３４に示すように、複数の行に渡って設けられる副画素８２ＰＳにおいても、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。その結果、光検出機能を有しつつ、高精細な表示部を有する表示装置とすることができる。また光検出機能を有しつつ、高解像度の表示部を有する表示装置とすることができる。
また図３５Ａでは、図２９に図示する回路図に対応する画素のレイアウト図の一例を示す。図３５Ａ中に図示する符号は、図２９で示した構成に対応するものである。なお図３５Ａでは、理解を容易にするため、発光デバイスおよび受光デバイスに接続される電極までのレイアウト図を示しており、絶縁層、および配線ＡＣＬなどの各構成は図示を省略している。また、図３５Ａでは、トランジスタの形状および大きさ等について、理解を容易にするため、同じ大きさとして図示しているが、チャネル幅およびチャネル長を異ならせる構成としてもよい。
また図３５Ｂでは、図３５Ａ中に図示する破線Ｘ１−Ｘ２における断面模式図である。図３５Ａに図示するレイアウト図では、図３５Ｂに図示する半導体層ＳＥＭＬ、導電層ＳＤＭ、および導電層ＧＥを有するトランジスタＭＴ、並びにトランジスタＭＴに接続される導電層ＰＥを図示している。トランジスタＭＴの断面模式図は、トランジスタＭ１１、Ｍ１２、およびトランジスタＭ１５乃至Ｍ１８に適用可能である。図３５Ａ及び図３５Ｂに示すように、トランジスタＭ１５乃至Ｍ１８に接続される配線として、発光素子１１Ｂが設けられる副画素８１Ｂに接続される配線ＥＡＬを適用することができるため、配線数の削減、及び与える電位の数を削減することができる。その結果、光検出機能を有しつつ、高精細な表示部を有する表示装置とすることができる。また光検出機能を有しつつ、高解像度の表示部を有する表示装置とすることができる。
＜駆動方法例＞
　次いで上述した画素の駆動方法例について説明する。一例として、図３６Ａに示す画素８１＿３の駆動方法の一例について説明する。
　図３６Ｂは、図３６Ａの動作を説明するためのタイミングチャートである。図３６Ａに示す画素８１＿３は、配線ＧＬ１と配線ＧＬ２とに与える信号を図３６Ｂに示すように異ならせることで、画素ごとのトランジスタ特性のばらつきに伴う輝度のばらつきを補正することができる。図３６Ｂ中に示す期間Ｐ１乃至Ｐ３での画素８１＿３の動作について図３７Ａ乃至図３７Ｃを参照して説明する。
　図３７Ａは、配線ＧＬ１と配線ＧＬ２とに与える信号を共にＨレベルとする期間Ｐ１の動作を説明する図である。図３７Ａでは、配線ＧＬ１と配線ＧＬ２とに与える信号のＨレベルについて、理解を容易にするために５Ｖとしている。同様に、配線ＳＬに与える画素８１＿３に与えるデータ電位を３Ｖ、配線ＥＡＬに与える電位を５Ｖ、配線ＡＣＬに与える電位を０Ｖ、配線ＲＬに与える電位を０Ｖとしている。このとき、トランジスタＭ１１及びトランジスタＭ１３は共に導通状態となる。図３７Ａでは、画素８１＿３への各配線の電位の作用について点線矢印で図示している。容量Ｃ１１の両端には、３Ｖの電圧が印加される。当該電圧は、トランジスタＭ１２のゲートとソースの間の電圧（ゲートソース間電圧：Ｖｇｓ）であり、図３７ＡではＶｇｓ＝３Ｖと記している。なお図３６Ｂでは、配線ＧＬ１と配線ＧＬ２とに与える信号が同時にＨレベルとなるよう図示しているが、同時でなくてもよい。
　図３７Ｂは、配線ＧＬ１に与える信号をＨレベル、配線ＧＬ２に与える信号をＬレベル、とする期間Ｐ２の動作を説明する図である。図３７Ｂでは、配線ＧＬ２に与える信号のＬレベルについて、理解を容易にするために０Ｖとしている。このとき、トランジスタＭ１１は導通状態、トランジスタＭ１３は非導通状態、となる。図３７Ｂ中、非導通状態のトランジスタには、バツ印を付している。図３７Ｂでは、画素８１＿３への各配線の電位の作用について点線矢印で図示している。トランジスタＭ１２には、Ｖｇｓに応じて電流が流れる。そのため、トランジスタＭ１２のソース側の電位が上昇し、容量Ｃ１１の両端に保持される電圧が３ＶからΔだけ変動する。当該電圧の変動Δの大きさは、トランジスタＭ１２の電界効果移動度などによって画素ごとに異なる。つまり図３７Ｂの動作によって、トランジスタＭ１２の特性のばらつきに応じたＶｇｓが保持されることとなる。なお期間Ｐ２の長さは、長すぎると電圧の変動Δが大きくなり、容量Ｃ１１の両端の電圧が小さくなるため、期間Ｐ１と比べて短いことが好ましい。
　図３７Ｃは、配線ＧＬ１と配線ＧＬ２とに与える信号を共にＬレベルとする期間Ｐ３の動作を説明する図である。図３７Ｃでは、配線ＧＬ１と配線ＧＬ２に与える信号のＬレベルについて、理解を容易にするために０Ｖとしている。このとき、トランジスタＭ１１及びトランジスタＭ１３は非導通状態、となる。図３７Ｃ中、非導通状態のトランジスタには、バツ印を付している。図３７Ｃでは、画素８１＿３への各配線の電位の作用について点線矢印で図示している。トランジスタＭ１３は、容量Ｃ１１の両端に保持される電圧が３ＶからΔだけ変動した電圧（３Ｖ−Δ）に応じた電流を発光デバイス１１に流すことができる。Ｖｇｓとなる電圧（３Ｖ−Δ）によって、トランジスタＭ１２の特性のばらつきが補正された電流を発光デバイス１１に流すことができる。
　また図３８Ａ及び図３８Ｂでは、異なる行に設けられた、図３６Ａに示す画素８１＿３を駆動する際の駆動方法の一例について説明する。
　図３８Ａでは、表示装置１０における副画素８１Ｒ、８１Ｇ、８１Ｂに画素８１＿３が適用された際のブロック図を示す。表示装置１０は、表示部７１、駆動回路部７２、駆動回路部７３等を有する。表示部７１は、マトリクス状に配置された複数の画素８０＿Ｎ及び画素８０＿Ｎ＋１を有する。図３８Ａでは、異なる行にある画素として、画素８０＿Ｎ及び画素８０＿Ｎ＋１を図示している。図３８Ａでは、画素８０＿Ｎのある行の配線ＧＬ１、ＧＬ２として、配線ＧＬ１＿Ｎ、ＧＬ２＿Ｎを図示している。また図３８Ａでは、画素８０＿Ｎ＋１のある行の配線ＧＬ１、ＧＬ２として、配線ＧＬ１＿Ｎ＋１、ＧＬ２＿Ｎ＋１を図示している。
　図３８Ｂは、図３８Ａに示す配線ＧＬ１＿Ｎ、ＧＬ２＿Ｎ、配線ＧＬ１＿Ｎ＋１、ＧＬ２＿Ｎ＋１に与える信号を説明するためのタイミングチャートである。図３８Ｂにおいて、期間Ｐ＿Ｆは、１フレーム期間、期間Ｐ＿Ｅは発光デバイス１１の発光期間である。また期間Ｐ＿ＧＳ１、Ｐ＿ＧＳ２が各配線に与えられる画素を選択するための信号が与えられる期間である。なお図３８Ｂでは、配線ＧＬ１＿ＮとＧＬ２＿Ｎ、及び配線ＧＬ１＿Ｎ＋１とＧＬ２＿Ｎ＋１は、同じタイミングで信号が変化する様子を図示しているが、上記図３６Ｂで図示したように異なるタイミングで信号が変化してもよい。
　期間Ｐ＿ＧＳ１における画素の選択期間では、発光デバイス１１を発光させて画像を表示するための信号を配線ＳＬに与える。期間Ｐ＿ＧＳ２における画素の選択期間では、発光デバイス１１を消灯させて黒表示するための信号を配線ＳＬに与える。当該構成とすることで、１フレーム期間中ずっと点灯しているのではなく、１フレーム期間中に消灯期間を設ける駆動方法（デューティ駆動）とすることができる。デューティ駆動を用いることで、動画を表示する際の残像現象を低減することができるため、動画表示性能の高い表示装置を実現できる。特にＶＲ機器などでは、残像を低減することで、いわゆるＶＲ酔いを軽減することができる。
　デューティ駆動において、一水平期間に対する点灯期間の割合を、デューティ比と呼ぶことができる。なお、デューティ比は自由に設定することが可能であり、例えば０％より高く、１００％以下の範囲で適宜調整することができる。
　次いで図１０Ｂに示す画素８２＿４の駆動方法の一例について、図３９に示すタイミングチャートを用いて説明する。図３９には、配線ＴＸ、配線ＳＥ、配線ＲＳ、及び配線ＷＸに入力される信号を示している。
　時刻Ｔ２１以前において、配線ＴＸ、配線ＳＥ、及び配線ＲＳにはローレベル電位が与えられる。また、配線ＷＸはデータが出力されていない状態であり、ここではローレベル電位として示している。なお、配線ＷＸに所定の電位が与えられていてもよい。
　時刻Ｔ２１において、配線ＴＸと配線ＲＳに、トランジスタを導通状態とする電位（ここではハイレベル電位）が与えられる。また配線ＳＥには、トランジスタを非導通状態とする電位（ここではローレベル電位）が与えられる。
　このとき、トランジスタＭ１５とトランジスタＭ１６が導通状態になることで、配線Ｖ１１からトランジスタＭ１６及びトランジスタＭ１５を介して、受光デバイス１２の陽極に、陰極の電位よりも低い電位が与えられる。すなわち、受光デバイス１２に逆バイアス電圧が印加された状態となる。
　容量Ｃ２１の第１の電極にも、配線Ｖ１１の電位が供給され、容量Ｃ２１が充電された状態となる。
　期間Ｔ２１−Ｔ２２は、リセット（初期化）期間とも呼ぶことができる。
　時刻Ｔ２２において、配線ＴＸ及び配線ＲＳに、ローレベル電位が与えられる。これにより、トランジスタＭ１５とトランジスタＭ１６とが互いに非導通状態となる。
　トランジスタＭ１５が非導通状態となるため、受光デバイス１２には逆バイアス電圧が印加された状態で保持される。ここで、受光デバイス１２に入射される光によって光電変換が起こり、受光デバイス１２に電荷が蓄積される。
　期間Ｔ２２−Ｔ２３は、露光期間とも呼ぶことができる。露光期間は、受光デバイス１２の感度、入射光の光量などに応じて設定すればよいが、少なくともリセット期間と比較して十分に長い期間を設定することが好ましい。
　期間Ｔ２２−Ｔ２３において、トランジスタＭ１５及びトランジスタＭ１６が非導通状態となるため、容量Ｃ２１の第１の電極の電位は、配線Ｖ１１から供給される電位に保持された状態となる。
　時刻Ｔ２３において、配線ＴＸにハイレベル電位が与えられる。これにより、トランジスタＭ１５が導通状態となり、受光デバイス１２に蓄積された電荷が、トランジスタＭ１５を介して容量Ｃ２１の第１の電極に転送される。これにより、容量Ｃ２１の第１の電極が接続されるノードの電位は、受光デバイス１２に蓄積された電荷量に応じて上昇する。その結果、トランジスタＭ１７のゲートには、受光デバイス１２の露光量に応じた電位が与えられた状態となる。
　時刻Ｔ２４において、配線ＴＸにローレベル電位が与えられる。これにより、トランジスタＭ１５が非導通状態となり、トランジスタＭ１７のゲートが接続されるノードがフローティング状態となる。受光デバイス１２の露光は常に生じているため、期間Ｔ２３−Ｔ２４における転送動作が完了した後に、トランジスタＭ１５を非導通状態とすることで、トランジスタＭ１７のゲートが接続されるノードの電位が変化することを防ぐことができる。
　時刻Ｔ２５において、配線ＳＥにハイレベル電位が与えられる。これにより、トランジスタＭ１８が導通状態となる。期間Ｔ２５−Ｔ２６は、読み出し期間ともいうことができる。
　例えば、トランジスタＭ１７と回路部７５が有するトランジスタとでソースフォロワ回路を構成し、データを読み出すことができる。この場合、配線ＷＸに出力されるデータ電位ＤＳは、トランジスタＭ１７のゲート電位に応じて決定される。具体的には、トランジスタＭ１７のゲート電位から、トランジスタＭ１７のしきい値電圧を差し引いた電位が、データ電位ＤＳとして配線ＷＸに出力され、当該電位を回路部７５が有する読み出し回路により読み出される。
　なお、トランジスタＭ１７と回路部７５が有するトランジスタとでソース接地回路を構成し、回路部７５が有する読み出し回路により、データを読み出すこともできる。
　時刻Ｔ２６において、配線ＳＥにローレベル電位が与えられる。これにより、トランジスタＭ１８が非導通状態となる。これにより、画素８２のデータの読み出しが完了する。時刻Ｔ２６以降は、次の行以降のデータの読み出し動作が順次行われる。
　図３９で例示した駆動方法を用いることで、露光期間と読み出し期間を別々に設定することができるため、表示部７１に設けられた全ての画素８２で同時に露光し、その後、データを順次読み出すことができる。これにより、いわゆるグローバルシャッタ駆動を実現できる。グローバルシャッタ駆動を実行する場合には、画素８２内のスイッチとして機能するトランジスタ（特にトランジスタＭ１５及びトランジスタＭ１６）に、非導通状態におけるリーク電流が極めて低い、酸化物半導体が適用されたトランジスタを用いることが好ましい。
　以上が、画素８２＿４の駆動方法の例についての説明である。
　上述したように、本発明の一態様の表示装置では、発光デバイスに順バイアス電圧を印加し、受光デバイスに逆バイアス電圧を印加する副画素を備えた画素において、配線ＥＡＬと別の配線の機能を共通にすることができる。そのため、画素に電気的に接続される配線数の削減、及び画素に与える電位の数を削減することができる。その結果、画素のレイアウト面積の縮小を図ることができるため、光検出機能を有しつつ、高精細な表示部を有する表示装置とすることができる。また光検出機能を有しつつ、高解像度の表示部を有する表示装置とすることができる。
（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。特に本実施の形態では、表示装置が有する受光デバイス及び発光デバイスの構成例について説明する。
　実施の形態１で説明した表示装置１０と異なる例を、図４０Ａに示す。図４０Ａに示す表示装置１０Ａは、発光デバイス１１ａと、受光デバイス１２ａと、を有する。表示装置１０Ａは、発光デバイス１１ａが、ＥＬ層１７と電極１５との間に層２１を有し、受光デバイス１２ａが、受光層１９と電極１５との間に層２１を有する点で、前述の表示装置１０と主に異なる。層２１は、発光デバイス１１ａと受光デバイス１２ａで共通する層であり、共通層ということができる。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層の少なくとも１つを、受光デバイス及び発光デバイスで共通の層とすることが好ましい。
　図４０Ａに示すように、発光デバイス１１ａにおいて、電極１３Ａが陽極として機能し、電極１５が陰極として機能し、受光デバイス１２ａにおいて、電極１３Ｂが陰極として機能し、電極１５が陽極として機能する構成とする場合、層２１は、例えば、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）などを有する。層２１は、発光デバイス１１ａにおいて、陰極として機能する電極１５からＥＬ層１７に電子を注入する電子注入層として機能することができる。
　なお、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）などを有する層２１は、受光デバイス１２ａにおいて、特定の機能を有さない。前述したように、層２１は、発光デバイス１１ａにおいて、電子注入層として機能するように構成すればよい。
　受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが異なる場合がある。本明細書中では、発光デバイスにおける機能に基づいて構成要素を呼称することがある。例えば、正孔注入層は、発光デバイスにおいて正孔注入層として機能し、受光デバイスにおいて正孔輸送層として機能する。同様に、電子注入層は、発光デバイスにおいて電子注入層として機能し、受光デバイスにおいて電子輸送層として機能する。また、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが同一である場合もある。正孔輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、正孔輸送層として機能し、電子輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、電子輸送層として機能する。
　図４０Ｂに示すように、発光デバイス１１ａにおいて、電極１３Ａが陰極として機能し、電極１５が陽極として機能し、受光デバイス１２ａにおいて、電極１３Ｂが陽極として機能し、電極１５が陰極として機能する構成とする場合、層２１は、例えば、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）などを有する。層２１は、発光デバイス１１ａにおいて、陽極として機能する電極１５からＥＬ層１７にホールを注入する正孔注入層として機能することができる。
　なお、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）などを有する層２１は、受光デバイス１２ａにおいて、特定の機能を有さない。前述したように、層２１は、発光デバイス１１ａにおいて、正孔注入層として機能するように構成すればよい。
　本発明の一態様の表示装置を、図４０Ｃに示す。図４０Ｃに示す表示装置１０Ｂは、発光デバイス１１ｂと、受光デバイス１２ｂと、を有する。発光デバイス１１ｂが有するＥＬ層１７は、層３１Ａ、発光層４１、及び層３７Ａがこの順で積層された積層構造を有する。受光デバイス１２ｂが有する受光層１９は、層３７Ｂ、活性層４３、及び層３１Ｂがこの順で積層された積層構造を有する。
　発光デバイス１１ｂにおいて、電極１３Ａは陽極として機能し、電極１５は陰極として機能する。受光デバイス１２ｂにおいて、電極１３Ｂは陰極として機能し、電極１５は陽極として機能する。層２１は、例えば、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）などを有する。
　層３１Ａ及び層３１Ｂは、例えば、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有する。さらに、層３１Ａ及び層３１Ｂは、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）を有してもよい。なお、層３１Ａ及び層３１Ｂがそれぞれ正孔輸送性の高い物質を含む場合、層３１Ａが有する正孔輸送性の高い物質と、層３１Ｂが有する正孔輸送性の高い物質は同じであってもよく、異なってもよい。同様に、層３１Ａ及び層３１Ｂがそれぞれ正孔注入性の高い物質を含む場合、層３１Ａが有する正孔注入性の高い物質と、層３１Ｂが有する正孔注入性の高い物質は同じであってもよく、異なってもよい。また、層３１Ａ及び層３１Ｂがそれぞれ積層構造を有してもよい。
　層３７Ａ及び層３７Ｂは、例えば、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）を有する。さらに、層３７Ａ及び層３７Ｂは、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）を有してもよい。なお、層３７Ａ及び層３７Ｂがそれぞれ電子輸送性の高い物質を含む場合、層３７Ａが有する電子輸送性の高い物質と、層３７Ｂが有する電子輸送性の高い物質は同じであってもよく、異なってもよい。同様に、層３７Ａ及び層３７Ｂがそれぞれ電子注入性の高い物質を含む場合、層３７Ａが有する電子注入性の高い物質と、層３７Ｂが有する電子注入性の高い物質は同じであってもよく、異なってもよい。また、層３７Ａ及び層３７Ｂがそれぞれ積層構造を有してもよい。
　活性層４３は、半導体を含む。活性層４３は、特に有機半導体を含むことが好ましい。
　発光層４１は、光を発する発光物質を有する。発光デバイス１１において、一対の電極（電極１３Ａ及び電極１５）の間に設けられた層３１Ａ、発光層４１、及び層３７Ａを有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書等において発光デバイス１１ｂの構成をシングル構造と呼ぶ場合がある。
　発光デバイス１１ｂは、電極１３Ａ側から順に、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有する層３１Ａ、発光層４１、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）を有する層３７Ａを有する。受光デバイス１２ｂは、電極１３Ｂ側から順に、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）を有する層３７Ｂ、活性層４３、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有する層３１Ｂを有する。本発明の一態様である表示装置において、発光層及び活性層を挟む電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）と正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）の積層順が、発光デバイスと受光デバイスで逆とする。このような構成とすることにより、発光デバイスと受光デバイスとの間のサイドリークを抑制することができる。
　前述の表示装置１０Ｂと異なる表示装置の構成を、図４０Ｄに示す。図４０Ｄに示す表示装置１０Ｃは、発光デバイス１１ｃと、受光デバイス１２ｃと、を有する。発光デバイス１１ｃは、ＥＬ層１７を構成する層の積層順が逆である点で、前述の発光デバイス１１ｂと主に異なる。受光デバイス１２ｃは、受光層１９を構成する層の積層順が逆である点で、前述の受光デバイス１２ｂと主に異なる。
　発光デバイス１１ｃが有するＥＬ層１７は、層３７Ａ、発光層４１、及び層３１Ａがこの順で積層された積層構造を有する。受光デバイス１２ｃが有する受光層１９は、層３１Ｂ、活性層４３、及び層３７Ｂがこの順で積層された積層構造を有する。
　発光デバイス１１ｂにおいて、電極１３Ａは陰極として機能し、電極１５は陽極として機能する。受光デバイス１２において、電極１３Ｂは陽極として機能し、電極１５は陰極として機能する。層２１は、例えば、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）などを有する。
　前述の表示装置と異なる構成について、説明する。以降では、発光デバイスにおいて電極１３Ａが陽極として機能し、電極１５が陰極として機能し、受光デバイスにおいて電極１３Ｂが陰極として機能し、電極１５が陽極として機能する構成を例に挙げて、説明する。
　本発明の一態様の表示装置を、図４１Ａに示す。図４１Ａに示す表示装置１０Ｄは、発光デバイス１１ｄと、受光デバイス１２ｂと、を有する。発光デバイス１１ｄが有する発光層４１は、発光層４１ａ、発光層４１ｂ、及び発光層４１ｃがこの順で積層された積層構造を有する。層３１Ａと層３７Ａの間に複数の発光層（例えば、発光層４１ａ、発光層４１ｂ及び発光層４１ｃ）が設けられる構成も、シングル構造と呼ぶことができる。
　本発明の一態様の表示装置を、図４１Ｂに示す。図４１Ｂに示す表示装置１０Ｅは、発光デバイス１１ｅと、受光デバイス１２ｅと、を有する。
　発光デバイス１１ｅは、層３１Ａが、層３３Ａと、層３３Ａ上の層３５Ａとの積層構造を有する点で、前述の発光デバイス１１ｂと主に異なる。受光デバイス１２ｅは、層３１Ｂが、層３５Ｂと、層３５Ｂ上の層３３Ｂとの積層構造を有する点で、前述の受光デバイス１２ｂと主に異なる。
　層３３Ａ及び層３３Ｂは、例えば、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）を有する。層３３Ａが有する正孔注入性の高い物質と、層３３Ｂが有する正孔注入性の高い物質は同じであってもよく、異なってもよい。
　層３５Ａ及び層３５Ｂは、例えば、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有する。層３５Ａが有する正孔輸送性の高い物質と、層３５Ｂが有する正孔輸送性の高い物質は同じであってもよく、異なってもよい。
　このような層構造とすることで、発光デバイス１１ｅは、発光層４１に効率よくキャリアを注入し、発光層４１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることが可能となる。なお、前述したように受光デバイス１２ｅにおいて、層３３Ｂは正孔輸送層として機能する。
　本発明の一態様の表示装置を、図４１Ｃに示す。図４１Ｃに示す表示装置１０Ｆは、発光デバイス１１ｆと、受光デバイス１２ｆと、を有する。
　発光デバイス１１ｆは、電極１３ＡとＥＬ層１７との間に光学調整層３９Ａを有する点で、前述の発光デバイス１１ｅと主に異なる。受光デバイス１２ｆは、電極１３Ｂと受光層１９との間に光学調整層３９Ｂを有する点で、前述の受光デバイス１２ｅと主に異なる。
　光学調整層３９Ａ、及び光学調整層３９Ｂは、可視光に対する透過性が高い導電性材料を用いることが好ましい。光学調整層３９Ａ、及び光学調整層３９Ｂは、可視光及び赤外光に対する透過性が高い導電性材料を用いることがさらに好ましい。光学調整層３９Ａ、及び光学調整層３９Ｂは、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、シリコンを含むインジウム錫酸化物、シリコンを含むインジウム亜鉛酸化物などの導電性酸化物を用いることができる。
　ここで、電極１３Ａ、及び電極１３Ｂに、可視光に対して反射性を有する導電膜を用い、電極１５に、可視光に対して反射性及び透過性を有する導電膜を用いる。これにより、発光デバイス１１ｆ及び受光デバイス１２ｆは、いわゆるマイクロキャビティ構造（微小共振器構造）が実現される。発光デバイス１１ｆは、特定の波長の光が強められ、色純度の高い発光デバイスとすることができる。受光デバイス１２ｆは、検出したい特定の波長の光が強められ、感度の高い受光デバイスとすることができる。
　なお、発光デバイス１１ｆが有する光学調整層３９Ａと、受光デバイス１２ｆが有する光学調整層３９Ｂで膜厚を異ならせることで、それぞれの光路長を異ならせることができる。各光学調整層は、それぞれ厚さの異なる導電膜を用いてもよいし、単層構造と複数構造で構造を異ならせてもよい。
　本発明の一態様の表示装置を、図４２に示す。図４２に示す表示装置１０Ｇは、発光デバイス１１ｇと、受光デバイス１２ｂと、を有する。
　発光デバイス１１ｇは、電極１３Ａと電極１５の間に、ＥＬ層４７、中間層５０及びＥＬ層１７がこの順で積層された積層構造を有する。ＥＬ層４７は、層５１Ａ、発光層６１及び層５７Ａがこの順で積層された積層構造を有する。
　なお、層５１Ａ、発光層６１、及び層５７Ａはそれぞれ、積層構造を有してもよい。層５１Ａは、層３１Ａの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。発光層６１は、発光層４１の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。層５７Ａは、層３７Ａの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。
　発光デバイス１１ｇのように、複数の発光ユニット（ＥＬ層１７、及びＥＬ層４７）が、中間層５０（電荷発生層ともいう）を介して直列に接続された構成を、本明細書等ではタンデム構造と呼ぶ場合がある。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。
　発光デバイスの発光色は、ＥＬ層１７を構成する材料によって、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度をさらに高めることができる。
　白色の光を発する発光デバイスは、発光層４１に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。２つの発光物質を含む構成とする場合は、各発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。３つ以上の発光物質を含む構成とする場合は、各々の発光色の混合により、白色発光する構成とすることができる。また、発光層を２つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。例えば、図４１Ａに示す発光デバイス１１ｄは、発光層４１ａ、発光層４１ｂ、及び発光層４１ｃの発光色の混合により、シングル構造の白色発光デバイスを実現することができる。
　発光層には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質を２以上含むことが好ましい。または、発光物質を２以上有し、それぞれの発光物質の発光は、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含むことが好ましい。
　なお、発光デバイスと受光デバイスの組み合わせは、特に限定されない。前述の発光デバイスのいずれか一または複数と、前述の受光デバイスのいずれか一または複数と、を有する表示装置とすることができる。例えば、発光デバイス１１ｅと、受光デバイス１２ｃとを有する表示装置としてもよい。
　表示装置の一画素に設けられる発光デバイス及び受光デバイスの構成例を、図４３Ａに示す。図４３Ａは、画素８０においてＲＧＢの三色の副画素を有する画素の断面概略図である。画素８０の断面概略図では、発光デバイス１１Ｒ、発光デバイス１１Ｇ、発光デバイス１１Ｂ、及び受光デバイス１２ＰＳを示している。
　なお、図４３Ａは、発光デバイス１１Ｒ、発光デバイス１１Ｇ、及び発光デバイス１１Ｂに、図４１Ｂに示す発光デバイス１１ｅの構成を適用し、受光デバイス１２ＰＳに、図４１Ｂに示す受光デバイス１２ｅの構成を適用した例を示している。
　発光デバイス１１Ｒは、副画素８１Ｒが有する発光デバイスに適用することができ、赤色の光を射出する機能を有する。発光デバイス１１Ｒは、基板２３上に電極１３ａ、ＥＬ層１７Ｒ、層２１、及び電極１５をこの順で積層された積層構造を有する。ＥＬ層１７Ｒは、層３３ａ、層３５ａ、発光層４１Ｒ、及び層３７ａをこの順で積層された積層構造を有する。
　層３３ａは、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）を有する。層３５ａは、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有する。発光層４１Ｒは、赤色の発光を示す発光物質を有する。層３７ａは、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）を有する。層２１は、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）を有する。
　発光デバイス１１Ｒにおいて、電極１３ａは陽極として機能し、電極１５は陰極として機能する。つまり、電極１３ａに供給される電位は、電極１５に供給される電位よりも高い構成とする。
　発光デバイス１１Ｇは、副画素８１Ｇが有する発光デバイスＥＬＧに適用することができ、緑色の光を射出する機能を有する。発光デバイス１１Ｇは、基板２３上に電極１３ｂ、ＥＬ層１７Ｇ、層２１、及び電極１５をこの順で積層された積層構造を有する。ＥＬ層１７Ｇは、層３３ｂ、層３５ｂ、発光層４１Ｇ、及び層３７ｂをこの順で積層された積層構造を有する。
　層３３ｂは、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）を有する。層３５ｂは、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有する。発光層４１Ｇは、緑色の発光を示す発光物質を有する。層３７ｂは、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）を有する。
　発光デバイス１１Ｇにおいて、電極１３ｂは陽極として機能し、電極１５は陰極として機能する。つまり、電極１３ｂに供給される電位は、電極１５に供給される電位よりも高い構成とする。
　発光デバイス１１Ｂは、副画素８１Ｂが有する発光デバイスＥＬＢに適用することができ、青色の光を射出する機能を有する。発光デバイス１１Ｂは、基板２３上に電極１３ｃ、ＥＬ層１７Ｂ、層２１、及び電極１５をこの順で積層された積層構造を有する。ＥＬ層１７Ｂは、層３３ｃ、層３５ｃ、発光層４１Ｂ、及び層３７ｃをこの順で積層された積層構造を有する。
　層３３ｃは、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）を有する。層３５ｃは、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有する。発光層４１Ｂは、青色の発光を示す発光物質を有する。層３７ｃは、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）を有する。
　発光デバイス１１Ｂにおいて、電極１３ｃは陽極として機能し、電極１５は陰極として機能する。つまり、電極１３ｃに供給される電位は、電極１５に供給される電位よりも高い構成とする。
　受光デバイス１２ＰＳは、副画素８２ＰＳが有する受光デバイス１２に適用することができ、可視光及び赤外光を検出する機能を有する。受光デバイス１２ＰＳは、基板２３上に電極１３ｄ、受光層１９ＰＳ、層２１、及び電極１５をこの順で積層された積層構造を有する。受光層１９ＰＳは、層３７ｄ、活性層４３、層３５ｄ、及び層３３ｄをこの順で積層された積層構造を有する。
　層３７ｄは、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）を有する。活性層４３ＰＳは、半導体を含む。活性層４３ＰＳは、特に有機半導体を含むことが好ましい。層３５ｄは、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有する。層３３ｄは、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）を有する。なお、受光デバイス１２ＰＳにおいて、層３３ｄは、正孔輸送層として機能する。
　受光デバイス１２ＰＳにおいて、電極１３ｄは陰極として機能し、電極１５は陽極として機能する。つまり、電極１３ｄに供給される電位は、電極１５に供給される電位よりも高い構成とする。受光デバイス１２ＰＳは、電極１３ｄと電極１５との間に逆バイアスが印加される。
　電極１３ａ、電極１３ｂ、電極１３ｃ、及び電極１３ｄは、基板２３上に設けられる。電極１３ａ、電極１３ｂ、電極１３ｃ、及び電極１３ｄは、例えば、基板２３上に形成された導電膜を島状に加工することにより形成できる。電極１３ａ、電極１３ｂ、電極１３ｃ、及び電極１３ｄはそれぞれ、画素電極として機能する。電極１３ａ、電極１３ｂ、電極１３ｃ、及び電極１３ｄについては、前述の電極１３Ａ及び電極１３Ｂの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。電極１５は、共通電極として機能する。電極１５については、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。
　層３３ａ、層３３ｂ、層３３ｃ、及び層３３ｄについては、前述の層３３Ａ及び層３３Ｂの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。層３５ａ、層３５ｂ、層３５ｃ、及び層３５ｄについては、前述の層３５Ａ及び層３５Ｂの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。層３７ａ、層３７ｂ、層３７ｃ、及び層３７ｄについては、前述の層３７Ａ及び層３７Ｂの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。共通層である層２１については、前述の記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。
　図４３Ｂは、発光デバイス１１Ｒから射出される赤色（Ｒ）の光、発光デバイス１１Ｇから射出される緑色（Ｇ）の光、発光デバイス１１Ｂから射出される青色（Ｂ）の光、及び受光デバイス１２ＰＳに入射する光をそれぞれ、矢印で模式的に示している。
　前述の画素８０と異なる構成例を、図４４Ａに示す。図４４Ａに示す画素８０Ａは、発光デバイス１１Ｒ、発光デバイス１１Ｇ、発光デバイス１１Ｂ、発光デバイス１１ＩＲ、及び受光デバイス１２ＰＳを有する。図４４Ａは、発光デバイス１１Ｒ、発光デバイス１１Ｇ、発光デバイス１１Ｂ、発光デバイス１１ＩＲ、及び受光デバイス１２ＰＳの構成を示す断面概略図である。画素８０Ａは、発光デバイス１１ＩＲを有する点で、図４３Ａ等に示した画素８０と主に異なる。
　発光デバイス１１ＩＲは、赤外光を射出する機能を有する。発光デバイス１１ＩＲは、基板２３上に電極１３ｅ、ＥＬ層１７ＩＲ、層２１、及び電極１５をこの順で積層された積層構造を有する。ＥＬ層１７ＩＲは、層３３ｅ、層３５ｅ、発光層４１ＩＲ、及び層３７ｅをこの順で積層された積層構造を有する。
　層３３ｅは、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）を有する。層３５ｅは、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有する。発光層４１ＩＲは、赤外の波長領域の発光を示す発光物質を有する。層３７ｅは、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）を有する。
　発光デバイス１１ＩＲにおいて、電極１３ｅは陽極として機能し、電極１５は陰極として機能する。つまり、電極１３ｅに供給される電位は、電極１５に供給される電位よりも高い構成とする。
　電極１３ｅは、基板２３上に設けられる。電極１３ｅは、電極１３ａ、電極１３ｂ、電極１３ｃ、及び電極１３ｄと同じ工程で形成することができる。電極１３ｅは、画素電極として機能する。電極１３ｅについては、前述の電極１３Ａ及び電極１３Ｂの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。
　層３３ｅについては、前述の層３３Ａ及び層３３Ｂの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。層３５ｅについては、前述の層３５Ａ及び層３５Ｂの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。層３７ｅについては、前述の層３７Ａ及び層３７Ｂの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。
　図４４Ｂは、発光デバイス１１Ｒから射出される赤色（Ｒ）の光、発光デバイス１１Ｇから射出される緑色（Ｇ）の光、発光デバイス１１Ｂから射出される青色（Ｂ）の光、発光デバイス１１ＩＲから射出される赤外（ＩＲ）光、及び受光デバイス１２ＰＳに入射する光をそれぞれ、矢印で模式的に示している。
　前述の画素８０と異なる構成例を、図４５Ａに示す。図４５Ａに示す画素８０Ｂは、発光デバイス１１Ｒ、発光デバイス１１Ｇ、発光デバイス１１Ｂ、受光デバイス１２ＰＳ、及び受光デバイス１２ＩＲＳを有する。図４５Ａは、発光デバイス１１Ｒ、発光デバイス１１Ｇ、発光デバイス１１Ｂ、受光デバイス１２ＰＳ、及び受光デバイス１２ＩＲＳの構成を示す断面概略図である。画素８０Ｂは、受光デバイスの構成が異なる点で、図４３Ａ等に示した画素８０と主に異なる。
　画素８０が有する受光デバイス１２ＰＳは、可視光を受光する機能を有し、受光デバイス１２ＩＲＳは、赤外光を受光する機能を有する。
　受光デバイス１２ＩＲＳは、基板２３上に電極１３ｆ、受光層１９ＩＲＳ、層２１、及び電極１５をこの順で積層された積層構造を有する。受光層１９ＩＲＳは、層３７ｆ、活性層４３ＩＲＳ、層３５ｆ、及び層３３ｆをこの順で積層された積層構造を有する。
　層３７ｆは、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）を有する。活性層４３ＩＲＳは、半導体を含む。活性層４３ＩＲＳは、特に有機半導体を含むことが好ましい。層３５ｆは、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有する。層３３ｆは、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）を有する。なお、受光デバイス１２ＩＲＳにおいて、層３３ｆは、正孔輸送層として機能する。
　受光デバイス１２ＩＲＳにおいて、電極１３ｆは陰極として機能し、電極１５は陽極として機能する。つまり、電極１３ｆに供給される電位は、電極１５に供給される電位よりも高い構成とする。
　電極１３ｆは、基板２３上に設けられる。電極１３ｆは、電極１３ａ、電極１３ｂ、電極１３ｃ、電極１３ｄ、及び電極１３ｅと同じ工程で形成することができる。電極１３ｅは、画素電極として機能する。電極１３ｆについては、前述の電極１３Ａ及び電極１３Ｂの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。
　層３３ｆについては、前述の層３３Ａ及び層３３Ｂの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。層３５ｆについては、前述の層３５Ａ及び層３５Ｂの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。層３７ｆについては、前述の層３７Ａ及び層３７Ｂの記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。
　図４５Ｂは、発光デバイス１１Ｒから射出される赤色（Ｒ）の光、発光デバイス１１Ｇから射出される緑色（Ｇ）の光、発光デバイス１１Ｂから射出される青色（Ｂ）の光、受光デバイス１２ＰＳに入射する光、及び受光デバイス１２ＩＲＳに入射する光をそれぞれ、矢印で模式的に示している。
　前述の画素８０Ｂと異なる構成例を、図４６Ａに示す。図４６Ａに示す画素８０Ｃは、発光デバイス１１Ｒ、発光デバイス１１Ｇ、発光デバイス１１Ｂ、発光デバイス１１ＩＲ、受光デバイス１２ＰＳ、及び受光デバイス１２ＩＲＳを有する。図４６Ａは、発光デバイス１１Ｒ、発光デバイス１１Ｇ、発光デバイス１１Ｂ、発光デバイス１１ＩＲ、受光デバイス１２ＰＳ、及び受光デバイス１２ＩＲＳの構成を示す断面概略図である。画素８０Ｃは、発光デバイス１１ＩＲを有する点で、図４５Ａ等に示した画素８０Ｂと主に異なる。
　図４６Ｂは、発光デバイス１１Ｒから射出される赤色（Ｒ）の光、発光デバイス１１Ｇから射出される緑色（Ｇ）の光、発光デバイス１１Ｂから射出される青色（Ｂ）の光、発光デバイス１１ＩＲから射出される赤外（ＩＲ）光、受光デバイス１２ＰＳに入射する光、及び受光デバイス１２ＩＲＳに入射する光をそれぞれ、矢印で模式的に示している。
　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
（実施の形態３）
　本実施の形態では、上記実施の形態で説明した発光デバイス及び受光デバイスを有する表示装置の利用形態等について説明する。
　本発明の一態様の表示装置の模式図を、図４７Ａに示す。図４７Ａに示す表示装置２００は、基板２０１、基板２０２、発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂ、受光デバイス２１２ＰＳ、及び機能層２０３等を有する。
　発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂ、及び受光デバイス２１２ＰＳは、基板２０１と基板２０２の間に設けられている。発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂはそれぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発する。発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、及び発光デバイス２１１Ｂは、前述の発光デバイスを用いることができる。受光デバイス２１２ＰＳは、前述の受光デバイスを用いることができる。なお、以下では、発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ及び発光デバイス２１１Ｂを特に区別しない場合に、発光デバイス２１１と表記する場合がある。
　図４７Ａは、基板２０２の表面に指２２０が触れる様子を示している。発光デバイス（例えば、発光デバイス２１１Ｇ）が発する光の一部は、基板２０２と指２２０との接触部で反射される。そして、反射光の一部が、受光デバイス２１２ＰＳに入射されることにより、指２２０が基板２０２に接触したことを検出することができる。すなわち、表示装置２００はタッチパネルとして機能することができる。
　機能層２０３は、発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂを駆動する回路、及び、受光デバイス２１２ＰＳを駆動する回路を有する。機能層２０３には、スイッチ、トランジスタ、容量、配線などが設けられる。なお、発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂ、及び受光デバイス２１２ＰＳをパッシブマトリクス方式で駆動させる場合には、スイッチ、及びトランジスタを設けない構成としてもよい。
　表示装置２００は、例えば、指２２０の指紋を検出することができる。図４７Ｂは、基板２０２と指２２０の接触部の拡大図を模式的に示している。また、図４７Ｂには、交互に配列した発光デバイス２１１と受光デバイス２１２を示している。
　指２２０は凹部及び凸部により指紋が形成されている。そのため、図４７Ｂに示すように指紋の凸部が基板２０２に触れている。
　ある表面、または界面から反射される光には、正反射と拡散反射とがある。正反射光は入射角と反射角が一致する、指向性の高い光であり、拡散反射光は、強度の角度依存性が低い、指向性の低い光である。指２２０の表面から反射される光は、正反射と拡散反射のうち拡散反射の成分が支配的となる。一方、基板２０２と大気との界面から反射される光は、正反射の成分が支配的となる。
　指２２０と基板２０２との接触面または非接触面で反射され、これらの直下に位置する受光デバイス２１２に入射される光の強度は、正反射光と拡散反射光とを足し合わせたものとなる。上述のように指２２０の凹部では基板２０２と指２２０が接触しないため、正反射光（実線矢印で示す）が支配的となり、凸部ではこれらが接触するため、指２２０からの拡散反射光（破線矢印で示す）が支配的となる。したがって、凹部の直下に位置する受光デバイス２１２で受光する光の強度は、凸部の直下に位置する受光デバイス２１２よりも高くなる。これにより、指２２０の指紋を撮像することができる。
　受光デバイス２１２の配列間隔は、指紋の２つの凸部間の距離、好ましくは隣接する凹部と凸部間の距離よりも小さい間隔とすることで、鮮明な指紋の画像を取得することができる。人の指紋の凹部と凸部の間隔は概ね２００μｍであることから、例えば受光デバイス２１２の配列間隔は、４００μｍ以下、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下であって、１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上とする。
　表示装置２００で撮像した指紋の画像の例を、図４７Ｃに示す。図４７Ｃは、撮像範囲２２７内に、指２２０の輪郭を破線で、接触部２２４の輪郭を一点鎖線で示している。接触部２２４内において、受光デバイス２１２に入射する光量の違いによって、コントラストの高い指紋２２２を撮像することができる。
　表示装置２００は、タッチパネル、またはペンタブレットとしても機能させることができる。図４７Ｄは、スタイラス２２９の先端を基板２０２に接触させた状態で、破線矢印の方向に滑らせている様子を示している。
　図４７Ｄに示すように、スタイラス２２９の先端と、基板２０２の接触面で拡散される拡散反射光が、当該接触面と重なる部分に位置する受光デバイス２１２に入射することで、スタイラス２２９の先端の位置を高精度に検出することができる。
　図４７Ｅには、表示装置２００で検出したスタイラス２２９の軌跡２２６の例を示している。表示装置２００は、高い位置精度でスタイラス２２９等の被検出体の位置検出が可能であるため、描画アプリケーション等において、高精細な描画を行うことも可能である。また、静電容量式のタッチセンサ、電磁誘導型のタッチペン等を用いた場合とは異なり、絶縁性の高い被検出体であっても位置検出が可能であるため、スタイラス２２９の先端部の材料は問われず、様々な筆記用具（例えば筆、ガラスペン、羽ペン）を用いることもできる。
　受光デバイス２１２ＰＳは、タッチセンサ（ダイレクトタッチセンサともいう）、またはニアタッチセンサ（ホバーセンサ、ホバータッチセンサ、非接触センサ、タッチレスセンサともいう）に用いることができる。図４８は、発光デバイス（例えば、発光デバイス２１１Ｇ）から射出された光３１が、対象物（例えば、指２２０）で反射し、その反射した光３２が受光デバイス２１２ＰＳに入射する様子を示している。対象物は、表示装置２００に接触していないが、受光デバイス２１２ＰＳを用いて、対象物を検出することができる。なお、受光デバイス２１２ＰＳは、用途に応じて、検出する光の波長を適宜決定してもよい。
　タッチセンサまたはニアタッチセンサは、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。タッチセンサは、表示装置と、対象物とが、直接接することで、対象物を検出できる。また、ニアタッチセンサは、対象物が表示装置に接触しなくても、当該対象物を検出することができる。例えば、表示装置と、対象物との間の距離が０．１ｍｍ以上３００ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で表示装置が当該対象物を検出できる構成であると好ましい。当該構成とすることで、表示装置に対象物が直接触れずに操作することが可能となる、別言すると非接触（タッチレス）で表示装置を操作することが可能となる。上記構成とすることで、表示装置に汚れ、または傷がつくリスクを低減することができる、または対象物が表示装置に付着した汚れ（例えば、ゴミ、またはウィルス）に直接触れずに、表示装置を操作することが可能となる。
　本発明の一態様の表示装置は、リフレッシュレートを可変にすることができる。例えば、表示装置に表示されるコンテンツに応じてリフレッシュレートを調整（例えば、１Ｈｚ以上２４０Ｈｚ以下の範囲で調整）し、消費電力を低減させることができる。また、当該リフレッシュレートに応じて、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を変化させてもよい。例えば、表示装置のリフレッシュレートが１２０Ｈｚの場合、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を１２０Ｈｚよりも高い周波数（代表的には２４０Ｈｚ）とする構成とすることができる。当該構成とすることで、低消費電力が実現でき、且つタッチセンサ、またはニアタッチセンサの応答速度を高めることが可能となる。
　受光デバイス２１２ＰＳは、表示装置が有する全ての画素に設けられていることが好ましい。全ての画素に受光デバイス２１２ＰＳを設けることにより、高い精度でタッチを検出することができる。なお、一部の画素に受光デバイス２１２ＰＳを設ける構成としてもよい。例えば、発光デバイス及び受光デバイスを設けた画素と、受光デバイスを設けた（発光デバイスのみを設けない）画素と、有する表示装置としてもよい。
　前述の表示装置２００と異なる構成例を、図４９Ａに示す。図４９Ａに示す表示装置２００Ａは、基板２０１、基板２０２、発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂ、発光デバイス２１１ＩＲ、受光デバイス２１２ＰＳ、及び機能層２０３等を有する。表示装置２００Ａは、発光デバイス２１１ＩＲを有する点で、前述の表示装置２００と主に異なる。
　発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂ、及び受光デバイス２１２ＰＳは、基板２０１と基板２０２の間に設けられている。発光デバイス２１１ＩＲは、赤外光を発する。発光デバイス２１１ＩＲは、前述の発光デバイスを用いることができる。
　図４９Ａは、基板２０２の表面に指２２０が触れる様子を示している。発光デバイス（例えば、発光デバイス２１１ＩＲ）が発する光の一部は、基板２０２と指２２０との接触部で反射される。そして、反射光の一部が、受光デバイス２１２ＰＳに入射されることにより、指２２０が基板２０２に接触したことを検出することができる。例えば、発光デバイス２１１ＩＲから赤外線を射出し、受光デバイス２１２ＰＳで赤外光を検出することにより、暗い場所でも、タッチ検出が可能となる。
　表示装置２００Ａは、発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ及び発光デバイス２１１Ｂを用いて表示部に画像を表示するとともに、発光デバイス２１１ＩＲ及び受光デバイス２１２ＰＳを用いて表示部でタッチ検出を行うことができる。また、表示装置２００Ａは、表示部に画像を表示するとともに、表示部で撮像を行うことができる。
　図４９Ｂは、発光デバイス２１１Ｇから射出された光３１が、対象物（例えば、指２２０）で反射し、その反射した光３２が受光デバイス２１２ＰＳに入射する様子を示している。図４９Ｃは、発光デバイス２１１ＩＲから射出された光３１が、対象物（例えば、指２２０）で反射し、その反射した光３２が受光デバイス２１２ＰＳに入射する様子を示している。対象物は、表示装置２００Ａに接触していないが、受光デバイス２１２ＰＳを用いて、対象物を検出することができる。
　前述の表示装置２００Ａと異なる構成例を、図５０Ａに示す。図５０Ａに示す表示装置２００Ｂは、基板２０１、基板２０２、発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂ、発光デバイス２１１ＩＲ、受光デバイス２１２ＰＳ、受光デバイス２１２ＩＲＳ、及び機能層２０３等を有する。表示装置２００Ｂは、受光デバイスの構成が異なる点で、前述の表示装置２００Ａと主に異なる。
　発光デバイス２１１Ｒ、発光デバイス２１１Ｇ、発光デバイス２１１Ｂ、受光デバイス２１２ＰＳ、及び受光デバイス２１２ＩＲＳは、基板２０１と基板２０２の間に設けられている。受光デバイス２１２ＰＳは、可視光を受光する。受光デバイス２１２ＩＲＳは、赤外光を受光する。受光デバイス２１２ＰＳ、及び受光デバイス２１２ＩＲＳは、前述の受光デバイスを用いることができる。
　図５０Ａは、基板２０２の表面に指２２０が触れる様子を示している。発光デバイス（例えば、発光デバイス２１１ＩＲ）が発する光の一部は、基板２０２と指２２０との接触部で反射される。そして、反射光の一部が、受光デバイス２１２ＩＲＳに入射されることにより、指２２０が基板２０２に接触したことを検出することができる。
　図５０Ｂは、発光デバイス２１１ＩＲから射出された光３１が、対象物（例えば、指２２０）で反射し、その反射した光３２が受光デバイス２１２ＩＲＳに入射する様子を示している。図５０Ｃは、発光デバイス２１１Ｇから射出された光３１が、対象物（例えば、指２２０）で反射し、その反射した光３２が受光デバイス２１２ＰＳに入射する様子を示している。対象物は、表示装置２００Ｂに接触していないが、受光デバイス２１２ＰＳ、または受光デバイス２１２ＩＲＳを用いて、対象物を検出することができる。
　受光デバイス２１２ＰＳの受光領域の面積（以下、受光面積とも記す）は、受光デバイス２１２ＩＲＳの受光面積よりが小さいことが好ましい。受光デバイス２１２ＰＳの受光面積を小さく、つまり撮像範囲を狭くすることで、受光デバイス２１２ＰＳは受光デバイス２１２ＩＲＳに比べて高精細な撮像を行うことができる。このとき、受光デバイス２１２ＰＳは、指紋、掌紋、虹彩、脈形状（静脈形状、動脈形状を含む）、または顔などを用いた個人認証のための撮像などに用いることができる。なお、受光デバイス２１２ＰＳは、用途に応じて、検出する光の波長を適宜決定してもよい。
　受光デバイス２１２ＰＳと、受光デバイス２１２ＩＲＳとの検出精度の差から、機能に応じて、対象物の検出方法を選択してもよい。例えば、表示画面のスクロール機能は、受光デバイス２１２ＩＲＳを用いたニアタッチセンサ機能によって実現し、画面に表示されたキーボードでの入力機能は、受光デバイス２１２ＰＳを用いた高精細なタッチセンサ機能によって実現してもよい。
　１つの画素に、２種類の受光デバイスを搭載することで、表示機能に加えて、２つの機能を追加することができ、多機能の表示装置とすることができる。
　なお、高精細な撮像を行うため、受光デバイス２１２ＰＳは、表示装置が有する全ての画素に設けられていることが好ましい。一方で、タッチセンサまたはニアタッチセンサなどに用いる受光デバイス２１２ＩＲＳは、受光デバイス２１２ＰＳを用いた検出に比べて高い精度が求められないため、表示装置が有する一部の画素に設けてもよい。表示装置が有する受光デバイス２１２ＩＲＳの数を、受光デバイス２１２ＰＳの数よりも少なくすることで、検出速度を高めることができる。
　以上のように、本実施の形態の表示装置は、１つの画素に発光デバイス及び受光デバイスを搭載することで、多機能の表示装置とすることができる。例えば、高精細な撮像機能、及びタッチセンサまたはニアタッチセンサなどのセンシング機能を有する表示装置を実現することができる。
　本発明の一態様の表示装置は、特定の色の光を射出し、対象物で反射した反射光を受光してもよい。図５１Ａは、表示装置から射出される赤色の光と、対象物（ここでは指２２０）で反射することにより表示装置に入射した赤色の光をそれぞれ矢印で模式的に示している。図５１Ｂは、表示装置から射出される赤外光と、対象物（ここでは指２２０）で反射することにより表示装置に入射した赤外光をそれぞれ矢印で模式的に示している。
　対象物が表示装置に接触または近接した状態で、赤色の光を射出し、対象物からの反射光が表示装置に入射することにより、対象物の赤色の光に対する透過率を測定できる。同様に、対象物が表示装置に接触または近接した状態で、赤外光を射出し、対象物からの反射光が表示装置に入射することにより、対象物の赤外光に対する透過率を測定できる。
　図５１Ａの一点鎖線で示す領域Ｐの拡大図を、図５１Ｃに示す。発光デバイス２１１Ｒから射出された光３１は、指２２０の表面及び内部の生体組織により散乱し、一部の散乱光が生体内部から受光デバイス２１２ＰＳの方向に進む。この散乱光が血管９１を透過し、その透過した光３２が受光デバイス２１２ＰＳに入射する。
　同様に、発光デバイス２１１ＩＲから射出された赤外光は、指２２０の表面及び内部の生体組織により散乱し、一部の散乱した赤外光が生体内部から受光デバイス２１２ＩＲＳの方向に進む。この散乱した赤外光が血管９１を透過し、その透過した赤外光が受光デバイス２１２ＩＲＳに入射する。
　ここで、光３２は、生体組織９３、及び血管９１（動脈、及び静脈）を経た光である。動脈血は心拍によって脈動するため、動脈による光の吸収は、心拍に応じて変動する。一方、生体組織９３、及び静脈は心拍の影響を受けないため、生体組織９３よる光の吸収、及び静脈による光の吸収は一定となる。したがって、表示装置に入射した光３２から経時的に一定な成分を除外することにより、動脈の光の透過率を算出することができる。また、赤色の光の透過率は、酸素と結合しているヘモグロビン（酸素化ヘモグロビンともいう）より酸素と結合していないヘモグロビン（還元ヘモグロビンともいう）で低くなる。赤外光の透過率は、酸素化ヘモグロビンと還元ヘモグロビンで同程度となる。赤色の光に対する動脈の透過率と、赤外光に対する動脈の透過率を測定することにより、酸素化ヘモグロビンと還元ヘモグロビンの総和に対する酸素化ヘモグロビンの比率、つまり酸素飽和度（以下、経皮的酸素飽和度（ＳｐＯ２：Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ　Ｏｘｙｇｅｎ　Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ）ともいう）を算出することができる。このように、本発明の一態様である表示装置は、反射型のパルスオキシメータとしての機能を有することができる。
　例えば、表示装置の表示部に指が接触した際に、指が接触している領域の位置情報を取得する。その後、指が接触している領域及びその近傍の画素から赤色の光を射出して赤色の光に対する動脈の透過率を測定する。続いて、赤外光を射出して赤外光に対する動脈の透過率を測定することにより、酸素飽和度を算出することができる。なお、赤色の光に対する透過率と、赤外光に対する透過率を測定する順は特に限定されない。赤外光に対する透過率を測定した後に、赤色の光に対する透過率を測定してもよい。また、ここでは指を用いて酸素飽和度を算出する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。指以外の部位で酸素飽和度を算出することもできる。例えば、表示装置の表示部に掌を接触させた状態で赤色の光に対する動脈の透過率と、赤外光に対する動脈の透過率を測定することにより、酸素飽和度を算出することができる。
　本発明の一態様の表示装置を適用した電子機器の一例を、図５２Ａに示す。図５２Ａに示す携帯情報端末４００は、例えば、スマートフォンとして用いることができる。携帯情報端末４００は、筐体４０２と、表示部４０４を有する。表示部４０４は、前述の表示装置を適用することができる。表示部４０４は、例えば、前述の表示装置２００Ｂを好適に用いることができる。
　図５２Ａは、携帯情報端末４００の表示部４０４に指４０６が接触している様子を示している。図５２Ａは、タッチを検出した領域及びその近傍である領域４０８を一点鎖線で示している。
　携帯情報端末４００は、領域４０８の画素から赤色の光を射出し、表示部４０４に入射した赤色の光を検出する。同様に、領域４０８の画素から赤外光を射出し、表示部４０４に入射した赤外光を検出することにより、指４０６の酸素飽和度を測定することができる。図５２Ｂは、領域４０８の画素を点灯する様子を示している。図５２Ｂは、指４０６を透過させ、輪郭のみを破線で示し、領域４０８にハッチングを施している。図５２Ｂに示すように、点灯している領域４０８は、指４０６によって隠れ、ユーザーから視認されにくい。そのため、ユーザーにストレスを感じさせることなく、酸素飽和度を測定することができる。また、携帯情報端末４００は、表示部４０４内のどの位置でも酸素飽和度の測定することができる。
　得られた酸素飽和度を、表示部４０４に示してもよい。図５２Ｃは、領域４０７に酸素飽和度を示す画像４０９を表示する様子を示している。図５２Ｃでは、画像４０９の例として、“ＳｐＯ２９７％”の文字を示している。なお、画像４０９は画像であってもよく、画像及び文字を含んでもよい。また、領域４０７は表示部４０４の任意に位置に設ければよい。
　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置とその作製方法について、図５３乃至図７１を用いて説明する。
　発光色がそれぞれ異なる発光デバイス、及び受光デバイスを有する表示装置を作製する場合、複数の発光層及び活性層をそれぞれ島状に形成する必要がある。
　例えば、メタルマスク（シャドーマスクともいう）を用いた真空蒸着法により、島状の発光層及び活性層を成膜することができる。しかし、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の発光層及び活性層の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。
　本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状の画素電極（下部電極ともいえる）を形成し、ＥＬ層となる第１の層を一面に形成した後、第１の層上に第１の犠牲層を形成する。そして、第１の犠牲層上に第１のレジストマスクを形成し、第１のレジストマスクを用いて、第１の層と第１の犠牲層を加工することで、島状のＥＬ層を形成する。同様に、受光層となる第２の層を、第２の犠牲層及び第２のレジストマスクを用いて、島状の受光層を形成する。
　このように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状のＥＬ層は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、ＥＬ層となる層を一面に成膜した後に加工することで形成される。同様に、島状の受光層は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、受光層となる層を一面に成膜した後に加工することで形成される。したがって、これまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。さらに、ＥＬ層を各色で作り分けることができるため、極めて鮮やかでコントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。さらに、画素内に受光デバイスを設けることができ、高精細な撮像機能、及びタッチセンサまたはニアタッチセンサなどのセンシング機能を有する表示装置を実現できる。また、ＥＬ層上、及び受光層上に犠牲層を設けることで、表示装置の作製工程中にＥＬ層及び受光層が受けるダメージを低減し、発光デバイス及び受光デバイスの信頼性を高めることができる。
　隣り合う発光デバイス及び受光デバイスの間隔は、例えば、メタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、上記方法によれば、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。また、例えば、ＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで間隔を狭めることもできる。これにより、画素に占める発光領域の面積（以下、発光面積とも記す）、及び受光面積を大きくすることができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、開口率は、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。
　ＥＬ層及び受光層自体のパターンについても、メタルマスクを用いた場合に比べて極めて小さくすることができる。例えば、ＥＬ層及び受光層の作り分けにメタルマスクを用いた場合では、パターンの中央と端で厚さのばらつきが生じるため、パターン全体の面積に対して、発光領域または受光領域として使用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さに成膜した膜を加工することでパターンを形成するため、パターン内で厚さを均一にでき、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域または受光領域として用いることができる。そのため、高い精細度と高い開口率を兼ね備えた表示装置を作製することができる。
＜表示装置の構成例１＞
　本発明の一態様の表示装置を、図５３Ａ及び図５３Ｂに示す。
　図５３Ａは、表示装置１００の上面図である。表示装置１００は、複数の画素１１０がマトリクス状に配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。
　図５３Ａに示す画素１１０には、ストライプ配列が適用されている。図５３Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄの、４つの副画素から構成される。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃは、それぞれ異なる波長領域の光を発する発光デバイスを有する。当該発光デバイスとして、前述の発光デバイスを用いることができる。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃとしては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。副画素１１０ｄは、受光デバイスを有する。当該受光デバイスとして、前述の受光デバイスを用いることができる。
　図５３Ａでは、各副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ種類の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。なお、異なる種類の副画素がＹ方向に並べて配置され、同じ種類の副画素が、Ｘ方向に並べて配置されていてもよい。
　図５３Ａでは、上面視において、接続部１４０が表示部の下側に位置する例を示すが、特に限定されない。接続部１４０は、上面視において、表示部の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。
　図５３Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を、図５３Ｂに示す。
　図５３Ｂに示すように、表示装置１００は、トランジスタを含む層１０１上に、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、及び受光デバイス１３０ｄが設けられる。さらに、これらの発光デバイス及び受光デバイスを覆うように保護層１３１、及び保護層１３２が設けられている。保護層１３２上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイス及び受光デバイスの間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。
　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。
　トランジスタを含む層１０１には、例えば、基板に複数のトランジスタが設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。トランジスタを含む層１０１は、隣り合う発光デバイスの間に凹部を有していてもよい。例えば、トランジスタを含む層１０１の最表面に位置する絶縁層に凹部が設けられていてもよい。
　発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃはそれぞれ、異なる波長領域の光を発する。発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃは、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光を発する組み合わせであることが好ましい。
　発光デバイス１３０ａは、トランジスタを含む層１０１上の画素電極１１１ａと、画素電極１１１ａ上の島状のＥＬ層１１３ａと、島状のＥＬ層１１３ａ上の層１１４と、層１１４上の共通電極１１５と、を有する。
　発光デバイス１３０ｂは、トランジスタを含む層１０１上の画素電極１１１ｂと、画素電極１１１ｂ上の島状のＥＬ層１１３ｂと、島状のＥＬ層１１３ｂ上の層１１４と、層１１４上の共通電極１１５と、を有する。
　発光デバイス１３０ｃは、トランジスタを含む層１０１上の画素電極１１１ｃと、画素電極１１１ｃ上の島状のＥＬ層１１３ｃと、島状のＥＬ層１１３ｃ上の層１１４と、層１１４上の共通電極１１５と、を有する。
　受光デバイス１３０ｄは、トランジスタを含む層１０１上の画素電極１１１ｄと、画素電極１１１ｄ上の島状の受光層１１３ｄと、島状の受光層１１３ｄ上の層１１４と、層１１４上の共通電極１１５と、を有する。
　各色の発光デバイス及び受光デバイスは、共通電極として同一の膜を共有している。共通電極は、接続部１４０に設けられた導電層と電気的に接続される。これにより、各色の発光デバイス及び受光デバイスが有する共通電極には、同電位が供給される。
　発光デバイス及び受光デバイスの一対の電極（画素電極と共通電極）として、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等を用いることができる。
　発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。
　なお、半透過・半反射電極は、可視光に対する反射性を有する電極と、可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）との積層構造とすることができる。
　透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光素子には、可視光の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０−２Ωｃｍ以下が好ましい。なお、発光素子が赤外光を発する場合、これらの電極の赤外光の透過率または反射率は、可視光の透過率または反射率と同様に、上記の数値範囲を満たすことが好ましい。
　ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄはそれぞれ、島状に設けられる。ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、及びＥＬ層１１３ｃはそれぞれ、発光層を有する。ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、及びＥＬ層１１３ｃはそれぞれ、異なる波長領域の光を発する発光層を有することが好ましい。受光層１１３ｄは、活性層を有する。
　発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、１種または複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、赤外光を発する物質を用いることもできる。
　発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、量子ドット材料などが挙げられる。
　蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。
　燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、希土類金属錯体等が挙げられる。
　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。
　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。
　励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位（最高被占有軌道準位）が電子輸送性材料のＨＯＭＯ準位以上の値であると好ましい。正孔輸送性材料のＬＵＭＯ準位（最低空軌道準位）が電子輸送性材料のＬＵＭＯ準位以上の値であると好ましい。材料のＬＵＭＯ準位及びＨＯＭＯ準位は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって測定される材料の電気化学特性（還元電位及び酸化電位）から導出することができる。
　励起錯体の形成は、例えば正孔輸送性材料の発光スペクトル、電子輸送性材料の発光スペクトル、及びこれら材料を混合した混合膜の発光スペクトルを比較し、混合膜の発光スペクトルが、各材料の発光スペクトルよりも長波長シフトする（または長波長側に新たなピークを持つ）現象を観測することにより確認することができる。または、正孔輸送性材料の過渡フォトルミネッセンス（ＰＬ）、電子輸送性材料の過渡ＰＬ、及びこれら材料を混合した混合膜の過渡ＰＬを比較し、混合膜の過渡ＰＬ寿命が、各材料の過渡ＰＬ寿命よりも長寿命成分を有する、または遅延成分の割合が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測することにより、確認することができる。また、上述の過渡ＰＬは過渡エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）と読み替えても構わない。すなわち、正孔輸送性材料の過渡ＥＬ、電子輸送性を有する材料の過渡ＥＬ、及びこれらの混合膜の過渡ＥＬを比較し、過渡応答の違いを観測することによっても、励起錯体の形成を確認することができる。
　ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、及び、ＥＬ層１１３ｃは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料とも記す）、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料とも記す）、電子注入性の高い物質、電子ブロック材料、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質、バイポーラ性材料とも記す）等を含む層をさらに有していてもよい。
　発光デバイスには低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
　例えば、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、及び、ＥＬ層１１３ｃは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上を有していてもよい。
　ＥＬ層のうち、各色に共通して形成される層としては、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上を適用することができる。例えば、層１１４として、キャリア注入層（正孔注入層または電子注入層）を形成してもよい。なお、ＥＬ層の全ての層を色ごとに作り分けてもよい。つまり、ＥＬ層は、各色に共通して形成される層を有していなくてもよい。
　ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、及び、ＥＬ層１１３ｃは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリア輸送層を有することが好ましい。これにより、表示装置１００の作製工程中に、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。
　正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い物質が好ましい。
　電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い物質を用いることができる。
　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い物質としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。
　電子注入層としては、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦｘ、Ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層としては、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成とすることができる。
　または、電子注入層としては、電子輸送性材料を用いてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも一つを有する化合物を用いることができる。
　なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）が、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。
　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ＜２，３−ａ：２’，３’−ｃ＞フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス＜３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル＞−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。
　タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットとの間に、中間層を設ける。中間層は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。
　中間層としては、例えば、リチウムなどの電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層としては、例えば、正孔注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層には、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む層を用いることができる。また、中間層には、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を用いることができる。このような層を有する中間層を形成することにより、発光ユニットが積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
　活性層は、半導体を含む。当該半導体としては、シリコンなどの無機半導体、及び、有機化合物を含む有機半導体が挙げられる。本実施の形態では、活性層が有する半導体として、有機半導体を用いる例を示す。有機半導体を用いることで、発光層と、活性層と、を同じ方法（例えば、真空蒸着法）で形成することができ、製造装置を共通化できるため好ましい。
　活性層が有するｎ型半導体の材料としては、フラーレン（例えばＣ６０、Ｃ７０等）、フラーレン誘導体等の電子受容性の有機半導体材料が挙げられる。フラーレンは、サッカーボールのような形状を有し、当該形状はエネルギー的に安定である。フラーレンは、ＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位の双方が深い（低い）。フラーレンは、ＬＵＭＯ準位が深いため、電子受容性（アクセプター性）が極めて高い。通常、ベンゼンのように、平面にπ電子共役（共鳴）が広がると、電子供与性（ドナー性）が高くなるが、フラーレンは球体形状であるため、π電子共役が大きく広がっているにも関わらず、電子受容性が高くなる。電子受容性が高いと、電荷分離を高速に効率よく起こすため、受光素子として有益である。Ｃ６０、Ｃ７０ともに可視光領域に広い吸収帯を有しており、特にＣ７０はＣ６０に比べてπ電子共役系が大きく、長波長領域にも広い吸収帯を有するため好ましい。そのほか、フラーレン誘導体としては、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ７１−ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ７０ＢＭ）、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ６１−ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ６０ＢＭ）、１’，１’’，４’，４’’−Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ−ｄｉ［１，４］ｍｅｔｈａｎｏｎａｐｈｔｈａｌｅｎｏ［１，２：２’，３’，５６，６０：２’’，３’’］［５，６］ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ−Ｃ６０（略称：ＩＣＢＡ）などが挙げられる。
　ｎ型半導体の材料として、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、クマリン誘導体、ローダミン誘導体、トリアジン誘導体、キノン誘導体等が挙げられる。
　活性層が有するｐ型半導体の材料としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（Ｃｏｐｐｅｒ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＣｕＰｃ）、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（Ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｄｉｂｅｎｚｏｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅ；ＤＢＰ）、亜鉛フタロシアニン（Ｚｉｎｃ　Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＺｎＰｃ）、スズフタロシアニン（ＳｎＰｃ）、キナクリドン等の電子供与性の有機半導体材料が挙げられる。
　ｐ型半導体の材料として、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体、芳香族アミン骨格を有する化合物等が挙げられる。さらに、ｐ型半導体の材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、ピロール誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、インドール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
　電子供与性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。電子供与性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。
　電子受容性の有機半導体材料として、球状のフラーレンを用い、電子供与性の有機半導体材料として、平面に近い形状の有機半導体材料を用いることが好ましい。似た形状の分子同士は集まりやすい傾向にあり、同種の分子が凝集すると、分子軌道のエネルギー準位が近いため、キャリア輸送性を高めることができる。
　例えば、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体と共蒸着して形成することが好ましい。または、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体とを積層して形成してもよい。
　発光素子及び受光素子には低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光素子及び受光素子を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
　例えば、正孔輸送性材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などの高分子化合物、及び、モリブデン酸化物、ヨウ化銅（ＣｕＩ）などの無機化合物を用いることができる。また、電子輸送性材料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの無機化合物を用いることができる。
　活性層に、ドナーとして機能するＰｏｌｙ［［４，８−ｂｉｓ［５−（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−２−ｔｈｉｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｏ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２，６−ｄｉｙｌ］−２，５−ｔｈｉｏｐｈｅｎｅｄｉｙｌ［５，７−ｂｉｓ（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−４，８−ｄｉｏｘｏ−４Ｈ，８Ｈ−ｂｅｎｚｏ［１，２−ｃ：４，５−ｃ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−１，３−ｄｉｙｌ］］ｐｏｌｙｍｅｒ（略称：ＰＢＤＢ−Ｔ）、または、ＰＢＤＢ−Ｔ誘導体などの高分子化合物を用いることができる。例えば、ＰＢＤＢ−ＴまたはＰＢＤＢ−Ｔ誘導体にアクセプター材料を分散させる方法などが使用できる。
　活性層に、３種類以上の材料を混合させてもよい。例えば、波長領域を拡大する目的で、ｎ型半導体の材料と、ｐ型半導体の材料と、に加えて、第３の材料を混合してもよい。このとき、第３の材料は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。
　画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、画素電極１１１ｄ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄのそれぞれの側面は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７によって覆われている。これにより、層１１４（または共通電極１１５）が、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、画素電極１１１ｄ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄのいずれかの側面と接することを抑制し、発光デバイス及び受光デバイスのショートを抑制することができる。
　絶縁層１２５は、少なくとも画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び画素電極１１１ｄの側面を覆うことが好ましい。さらに、絶縁層１２５は、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄの側面を覆うことが好ましい。絶縁層１２５は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、画素電極１１１ｄ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄのそれぞれの側面と接する構成とすることができる。
　絶縁層１２７は、絶縁層１２５に形成された凹部を充填するように、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、画素電極１１１ｄ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄのそれぞれの側面と重なる構成とすることができる。
　なお、絶縁層１２５及び絶縁層１２７のいずれか一方を設けなくてもよい。例えば、絶縁層１２５を設けない場合、絶縁層１２７は、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄのそれぞれの側面と接する構成とすることができる。絶縁層１２７は、発光デバイスが有するＥＬ層、及び受光デバイスが有する受光層の間を充填するように、層１０１上に設けることができる。
　層１１４及び共通電極１１５は、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に設けられる。絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設ける前の段階では、画素電極が設けられる領域と、画素電極が設けられない領域（発光デバイス及び受光デバイス間の領域）で段差が生じている。本発明の一態様の表示装置は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を有することで当該段差を平坦にすることができ、層１１４及び共通電極１１５の被覆性を向上させることができる。したがって、共通電極１１５の段切れによる接続不良を抑制することができる。または、段差によって共通電極１１５が局所的に薄くなり、電気抵抗が上昇することを抑制することができる。
　層１１４及び共通電極１１５の形成面の平坦性を向上させるために、絶縁層１２５の上面及び絶縁層１２７の上面の高さは、それぞれ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの少なくとも一つの上面の高さと一致または概略一致することが好ましい。また、絶縁層１２７の上面は平坦な形状を有することが好ましく、凸部または凹部を有していてもよい。
　絶縁層１２５は、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの側面と接する領域を有し、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの保護絶縁層として機能する。絶縁層１２５を設けることで、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの側面から内部へ不純物（酸素、水分等）が侵入することを抑制でき、信頼性の高い表示装置とすることができる。
　断面視においてＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの側面と接する領域における絶縁層１２５の幅（厚さ）が大きいと、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの間隔が大きくなり、開口率が低くなってしまう場合がある。また、絶縁層１２５の幅（厚さ）が小さいと、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの側面から内部へ不純物が侵入することを抑制する効果が小さくなってしまう場合がある。
　ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄの側面と接する領域における絶縁層１２５の幅（厚さ）は、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらには３ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましい。絶縁層１２５の幅（厚さ）を前述の範囲とすることで、高い開口率を有し、かつ信頼性の高い表示装置とすることができる。
　絶縁層１２５は、無機材料を有することができる。絶縁層１２５は、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。
　絶縁層１２５の形成は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用いることができる。絶縁層１２５は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法は、被形成面への成膜ダメージが小さいため、好適に用いることができる。
　酸化絶縁膜として、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、ＥＬ層との選択比が高く、後述する絶縁層１２７の形成において、ＥＬ層を保護する機能を有するため、好ましい。特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。
　なお、本明細書などにおいて、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。
　絶縁層１２５上に設けられる絶縁層１２７は、隣接する発光デバイス間に形成された絶縁層１２５の凹部を平坦化する機能を有する。換言すると、絶縁層１２７を有することで共通電極１１５の形成面の平坦性を向上させる効果を奏する。絶縁層１２７としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、絶縁層１２７として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、絶縁層１２７として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。また、絶縁層１２７として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。
　絶縁層１２７の上面の高さと、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄのいずれかの上面の高さとの差が、例えば、絶縁層１２７の厚さの０．５倍以下が好ましく、０．３倍以下がより好ましい。また、例えば、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ及び受光層１１３ｄのいずれかの上面が絶縁層１２７の上面よりも高くなるように、絶縁層１２７を設けてもよい。また、例えば、絶縁層１２７の上面が、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、及びＥＬ層１１３ｃが有する発光層の上面よりも高く、かつ受光層１１３ｄが有する活性層の上面よりも高くなるように、絶縁層１２７を設けてもよい。
　発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、及び受光デバイス１３０ｄ上に保護層１３１、及び保護層１３２を有することが好ましい。保護層１３１、及び保護層１３２を設けることで、発光デバイス及び受光デバイスの信頼性を高めることができる。
　保護層１３１、及び保護層１３２の導電性は問わない。保護層１３１、及び保護層１３２として、絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜の少なくとも一種を用いることができる。
　保護層１３１、及び保護層１３２が無機膜を有することで、共通電極１１５の酸化を防止する、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、及び受光デバイス１３０ｄに不純物（水分、酸素など）が入り込むことを抑制する、など、発光デバイス及び受光デバイスの劣化を抑制し、表示装置の信頼性を高めることができる。
　保護層１３１、及び保護層１３２には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。
　保護層１３１、及び１３２はそれぞれ、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を有することが好ましく、窒化絶縁膜を有することがより好ましい。
　保護層１３１、及び保護層１３２には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう）などを含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。
　発光デバイスからの光の射出、及び受光デバイスへの光の入射を、保護層１３１、及び保護層１３２を介して取り出す場合、保護層１３１、保護層１３２は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。
　保護層１３１、及び保護層１３２としては、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、または、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造などを用いることができる。当該積層構造を用いることで、ＥＬ層側に入り込む不純物（水、酸素など）を抑制することができる。
　さらに、保護層１３１、及び保護層１３２は、有機膜を有していてもよい。例えば、保護層１３２は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。
　保護層１３１と保護層１３２とで異なる成膜方法を用いてもよい。具体的には、ＡＬＤ法を用いて保護層１３１を形成し、スパッタリング法を用いて保護層１３２を形成してもよい。
　画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び画素電極１１１ｄのそれぞれの上面端部は、絶縁層によって覆われていない。そのため、隣り合う発光デバイス及び受光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。
　本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。
　なお、本明細書等において、各色の発光デバイス（ここでは青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上、信頼性の向上を図ることが容易となる。
　本明細書等において、白色光を発することのできる発光デバイスを白色発光デバイスと呼ぶ場合がある。なお、白色発光デバイスは、着色層（たとえば、カラーフィルタ）と組み合わせることで、フルカラー表示の表示装置を実現することができる。
　ここで、発光デバイスは、シングル構造と、タンデム構造とに大別することができる。シングル構造のデバイスは、一対の電極間に１つの発光ユニットを有し、当該発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光層の各々の発光が補色の関係となるような発光層を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する構成を得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合は、各発光層の発光色の混合により白色発光する構成とすることができる。
　タンデム構造のデバイスは、一対の電極間に２以上の複数の発光ユニットを有し、各発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、複数の発光ユニットの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成とすればよい。なお、白色発光が得られる構成については、シングル構造の構成と同様である。なお、タンデム構造のデバイスにおいて、複数の発光ユニットの間には、電荷発生層などの中間層を設けると好適である。
　上述の白色発光デバイス（シングル構造またはタンデム構造）と、ＳＢＳ構造の発光デバイスと、を比較した場合、ＳＢＳ構造の発光デバイスは、白色発光デバイスよりも消費電力を低くすることができる。消費電力を低く抑えたい場合は、ＳＢＳ構造の発光デバイスを用いると好適である。一方で、白色発光デバイスは、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光デバイスよりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、又は製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。
　本実施の形態の表示装置は、発光デバイス間の距離を狭くすることができる。具体的には、発光デバイス間の距離、ＥＬ層間の距離、または画素電極間の距離を、１０μｍ未満、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、９０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１５ｎｍ以下、または１０ｎｍ以下とすることができる。別言すると、ＥＬ層１１３ａの側面とＥＬ層１１３ｂの側面との間隔、またはＥＬ層１１３ｂの側面とＥＬ層１１３ｃの側面との間隔が１μｍ以下の領域を有し、好ましくは０．５μｍ（５００ｎｍ）以下の領域を有し、さらに好ましくは１００ｎｍ以下の領域を有する。
　同様に、本実施の形態の表示装置は、受光デバイス間の距離を狭くすることができる。具体的には、受光デバイス間の距離、受光層間の距離、または画素電極間の距離を、１０μｍ未満、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、９０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１５ｎｍ以下、または１０ｎｍ以下とすることができる。別言すると、受光層の側面と隣接する受光層の側面との間隔が１μｍ以下の領域を有し、好ましくは０．５μｍ（５００ｎｍ）以下の領域を有し、さらに好ましくは１００ｎｍ以下の領域を有する。
　本実施の形態の表示装置は、発光デバイスと受光デバイスの間の距離を狭くすることができる。具体的には、発光デバイスと受光デバイスの間の距離、ＥＬ層と受光層の間の距離、または画素電極間の距離を、２０μｍ未満、１０μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、９０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１５ｎｍ以下、または１０ｎｍ以下とすることができる。別言すると、ＥＬ層１１３ａの側面と受光層１１３ｄの側面との間隔、ＥＬ層１１３ｂの側面と受光層１１３ｄの側面との間隔、またはＥＬ層１１３ｃの側面と受光層１１３ｄの側面との間隔が１μｍ以下の領域を有し、好ましくは０．５μｍ（５００ｎｍ）以下の領域を有し、さらに好ましくは１００ｎｍ以下の領域を有する。
　基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層を設けてもよい。また、基板１２０の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等を配置してもよい。
　基板１２０には、ガラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１２０に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。
　基板１２０としては、それぞれ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。
　なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。
　光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。
　光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。
　基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。
　樹脂層１２２は、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
　トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金などが挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。
　透光性を有する導電材料として、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層、及び、発光デバイスが有する導電層（画素電極または共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。
　各絶縁層に用いることのできる絶縁材料として、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。
　なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光素子を有する構成とすることができる。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光素子間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流などともいう）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、及び高いコントラスト比のいずれか一または複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光素子間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れなどが限りなく少ない表示（真黒表示ともいう）とすることができる。
＜画素のレイアウト＞
　画素のレイアウトについて、説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。
　副画素の上面形状は、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。ここで、副画素の上面形状は、発光デバイスの発光領域、または受光デバイスの受光領域の上面形状に相当する。
　図５４Ａ乃至図５４Ｃに示す画素１１０は、ストライプ配列が適用されている。
　本発明の一態様の表示装置の表示部は、複数の画素を有し、画素は行方向及び列方向にマトリクス状に配置される。図５４Ａ乃至図５４Ｃに示す画素のレイアウトを適用した表示部は、行方向に副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄがこの順に繰り返し配置される第１の配列を有する。さらに、列方向に、第１の配列が繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素１１０ａが繰り返し配置される第２の配列と、列方向に副画素１１０ｂが繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素１１０ｃが繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素１１０ｄが繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第２の配列、第３の配列、第４の配列、及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。
　本実施の形態等では、画素のレイアウトを分かりやすく説明するため、図面の横方向を行方向、縦方向を列方向としているが、これに限定されず、行方向と列方向は入れ替えることができる。したがって、本明細書等において、行方向及び列方向の一方を、第１の方向を記し、行方向及び列方向の他方を、第２の方向と記す場合がある。第２の方向は、第１の方向と直交する。なお、表示部の上面形状が矩形の場合、第１の方向及び第２の方向はそれぞれ、表示部の輪郭の直線部分と平行でなくてもよい。また、表示部の上面形状は矩形に限定されず、多角形、または曲線を有する形状（円、楕円など）であってもよく、第１の方向及び第２の方向は表示部に対して任意の方向とすることができる。
　本実施の形態等では、画素のレイアウトを分かりやすく説明するため、図面の左から副画素の順序を示すが、これに限定されず、右からの順序に入れ替えることができる。同様に、図面の上から副画素の順序を示すが、これに限定されず、下からの順序に入れ替えることができる。
　本明細書等において、繰り返し配置されるとは、副画素の順序の最小単位が２回以上配置されることを指す。
　図５４Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図５４Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図５４Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。
　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。
　さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層または受光層を島状に加工する。ＥＬ層上または受光層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層または受光層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度、受光層の材料の耐熱温度、及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層及び受光層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層及び受光層の上面形状が円形になることがある。
　なお、ＥＬ層及び受光層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンが一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。
　図５４Ｄ乃至図５４Ｆに示す画素１１０は、マトリクス配列が適用されている。
　図５４Ｄ乃至図５４Ｆに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｂが交互に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列及び第２の配列がこの順に繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｃが交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第４の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列及び第４の配列が交互に繰り返し配置される。
　図５４Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図５４Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図５４Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。
　図５４Ｇでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０ｄを有する。
　図５４Ｇに示すように、副画素で大きさを異ならせてもよい。図５４Ｇは、副画素１１０ｄが、副画素１１０ａ乃至副画素１１０ｃより大きい構成を示している。図５４Ｈは、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃが副画素１１０ａより大きく、副画素１１０ａが副画素１１０ｄより大きい構成を示している。図５４Ｈに示す画素１１０は、左の列（１列目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｄ）を有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有する。
　図５４Ｇに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素１１０ｄが繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列及び第２の配列が交互に繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列、第４の配列、及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。
　図５４Ｈに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素１１０ｄ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列及び第２の配列が交互に繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素１１０ｂが繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素１１０ｃが繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列、第４の配列、及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。
　図５４Ｉは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び３つの副画素１１０ｄを有する。画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素（３つの副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｄ）を有し、中央の列（２列目）に２つの副画素（副画素１１０ｂ、１１０ｄ）を有し、右の列（３列目）に２つの副画素（副画素１１０ｃ、１１０ｄ）を有する。
　図５４Ｉに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素１１０ｄが繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に第１の配列及び第２の配列が交互に繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列、第４の配列及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。
　図５４Ａ乃至図５４Ｉに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４つの副画素から構成される。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ異なる波長領域の光を発する発光デバイス、または受光デバイスを有する。例えば、図５５Ａ乃至図５５Ｅに示すように、副画素１１０ａが赤色の光を射出する機能を有する副画素（Ｒ）、副画素１１０ｂが緑色の光を射出する機能を有する副画素（Ｇ）、副画素１１０ｃが青色の光を射出する機能を有する副画素（Ｂ）、副画素１１０ｄが受光機能を有する副画素（ＰＳ）とすることができる。
　図５５Ａに示す画素のレイアウトを適用した表示部は、行方向に副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）、副画素（Ｂ）、及び副画素（ＰＳ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列を有する。さらに、列方向に、第１の配列が繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素（Ｒ）が繰り返し配置される第２の配列と、列方向に副画素（Ｇ）が繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素（Ｂ）が繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素（ＰＳ）が繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第２の配列、第３の配列、第４の配列、及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。
　図５５Ｂに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｒ）及び副画素（Ｇ）が交互に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素（Ｂ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列及び第２の配列がこの順に繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素（Ｒ）及び副画素（Ｂ）が交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素（Ｇ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第４の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列及び第４の配列が交互に繰り返し配置される。
　図５５Ｃに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素（ＰＳ）が繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列及び第２の配列が交互に繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素（Ｒ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素（Ｇ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素（Ｂ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列、第４の配列、及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。
　図５５Ｄに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素（ＰＳ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列及び第２の配列が交互に繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素（Ｒ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素（Ｇ）が繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素（Ｂ）が繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列、第４の配列、及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。
　図５５Ｅに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列と、行方向に副画素（ＰＳ）が繰り返し配置される第２の配列と、を有する。さらに、列方向に第１の配列及び第２の配列が交互に繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素（Ｒ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第３の配列と、列方向に副画素（Ｇ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第４の配列と、列方向に副画素（Ｂ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第５の配列と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列、第４の配列及び第５の配列がこの順に繰り返し配置される。
　発光デバイスを有する副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）の発光面積は互いに同じでもよく、互いに異なってもよい。例えば、発光デバイスを有する副画素の発光面積は、発光デバイスの寿命に応じて決めることができる。寿命が短い発光デバイスの副画素の発光面積を、他の副画素の発光面積より大きくすることが好ましい。
　図５５Ｄは、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）の発光面積が、副画素（Ｒ）の発光面積より大きい例を示している。この構成は、緑色の光を発する発光デバイス、及び青色の光を発する発光デバイスの寿命が、赤色の光を発する発光デバイスの寿命よりも短い場合に好適に用いることができる。発光面積の大きい副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）において、各副画素が有する緑色の光を発する発光デバイス、及び青色の光を発する発光デバイスにかかる電流密度は低くなるため、当該発光デバイスの寿命を長くすることができる。つまり、信頼性の高い表示装置とすることができる。
　図５４Ａ乃至図５４Ｉ、及び図５５Ａ乃至図５５Ｅと異なる画素のレイアウトの例を、図５６Ａ及び図５６Ｂに示す。
　図５６Ａは、４つの画素を示しており、隣接する２つの画素１１０Ａと画素１１０Ｂが異なる副画素を有する構成を示している。画素１１０Ａは、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｄの３つの副画素を有し、画素１１０Ａと隣接する画素１１０Ｂは、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄを有する。つまり、列方向、及び行方向において、副画素１１０ａを含む画素１１０Ａと、副画素１１０ａを含まない画素１１０Ｂが交互に繰り返し配置される。同様に、列方向、及び行方向において、副画素１１０ｃを含まない画素１１０Ａと、副画素１１０ｃを含む画素１１０Ｂが交互に繰り返し配置される。
　画素１１０Ａは、２行２列で構成され、左の列（１列目）に、２つの副画素（副画素１１０ｂ、１１０ｄ）を有し、右の列（２列目）に、１つの副画素（副画素１１０ａ）を有する。言い換えると、画素１１０Ａは、上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｄ）を有し、さらに、この２行にわたって、副画素１１０ａを有する。
　画素１１０Ｂは、２行２列で構成され、左の列（１列目）に、２つの副画素（副画素１１０ｂ、１１０ｄ）を有し、右の列（２列目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有する。言い換えると、画素１１０Ａは、上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に２つの副画素（副画素１１０ｃ、１１０ｄ）を有し、さらに、この２行にわたって、副画素１１０ｃを有する。
　図５６Ａに示す画素は、画素１１０Ａと画素１１０Ｂの２つの画素で、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄの４種の副画素を有する構成である。画素１１０Ａと画素１１０Ｂの２つの画素で、１つの副画素１１０ａ、２つの副画素１１０ｂ、１つの副画素１１０ｃ、２つの副画素１１０ｄを有する。このような構成にすることにより、疑似的に高い精細度を維持しつつ、副画素の面積を大きくすることができ、必要な加工精度を低くすることができる。つまり、同じ加工精度で比較すると、より高精細な表示装置を作製することが可能となる。また、面積当たりのトランジスタの数を少なくすることができるため、生産性を高めることができる。したがって、疑似的に高精細な表示装置を、高い生産性で作製することができる。
　図５６Ａに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素１１０ｄ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｄ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列ＡＲＲ１及び第２の配列ＡＲＲ２が交互に繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３と、列方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｃが交互に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列ＡＲＲ３及び第４の配列ＡＲＲ４が交互に繰り返し配置される。
　画素１１０Ａにおいて、副画素１１０ａは、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄのいずれよりも面積が大きく、画素１１０Ｂにおいて、副画素１１０ｃは、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄのいずれよりも面積が大きいことが好ましい。さらに、画素１１０Ａで最も面積の大きい副画素（ここでは、副画素１１０ａ）と、画素１１０Ｂで最も面積の大きい副画素（ここでは、副画素１１０ｃ）が異なることが好ましい。
　なお、本明細書等において、発光デバイスを有する副画素における発光面積を、副画素の面積と記す場合がある。同様に、受光デバイスを有する副画素における受光面積を、副画素の面積と記す場合がある。
　図５６Ａは、副画素１１０ａと副画素１１０ｃを同じ面積で示し、副画素１１０ｂと副画素１１０ｄを同じ面積で示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。副画素１１０ａと副画素１１０ｃの面積が異なってもよい。また、副画素１１０ｂと副画素１１０ｄの面積が異なってもよい。図５６Ｂは、副画素１１０ｂの面積が副画素１１０ｄの面積より大きい例を示している。なお、画素１１０Ａと画素１１０Ｂで、副画素１１０ｂの面積が異なってもよく、副画素１１０ｄの面積が異なってもよい。
　副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃは、それぞれ異なる波長領域の光を発する発光デバイスを有し、副画素１１０ｄは、受光デバイスを有することが好ましい。例えば、図５７Ａ及び図５７Ｂに示すように、副画素１１０ａが赤色の光を射出する機能を有する副画素（Ｒ）、副画素１１０ｂが緑色の光を射出する機能を有する副画素（Ｇ）、副画素１１０ｃが青色の光を射出する機能を有する副画素（Ｂ）、副画素１１０ｄが受光機能を有する副画素（ＰＳ）とすることができる。
　赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の３色の発光デバイスの内、２色の発光デバイスで１つの画素を構成すことができる。受光デバイスは、いずれの画素にも設けることができる。図５７Ａ及び図５７Ｂは、画素１１０Ａが、赤色の光を射出する機能を有する副画素（Ｒ）、緑色の光を射出する機能を有する副画素（Ｇ）、及び受光機能を有する副画素（ＰＳ）を有し、画素１１０Ｂが、青色の光を射出する機能を有する副画素（Ｂ）、緑色の光を射出する機能を有する副画素（Ｇ）、及び受光機能を有する副画素（ＰＳ）を有する構成を示している。
　図５７Ａ及び図５７Ｂに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｇ）、副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素（ＰＳ）、副画素（Ｒ）、副画素（ＰＳ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列ＡＲＲ１及び第２の配列ＡＲＲ２が交互に繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素（Ｇ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３と、列方向に副画素（Ｒ）及び副画素（Ｂ）が交互に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列ＡＲＲ３及び第４の配列ＡＲＲ４が交互に繰り返し配置される。
　なお、図５７Ａ及び図５７Ｂは、画素１１０Ａと画素１１０Ｂのいずれも受光デバイスを有する副画素（ＰＳ）を設ける例を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。受光機能に高い精度が求められない場合は、副画素（ＰＳ）を含まない画素を設けてもよい。つまり、副画素（ＰＳ）を含む画素と、副画素（ＰＳ）を含まない画素を設ける構成としてもよい。
　図５７Ａ及び図５７Ｂに示すように緑色の光を射出する機能を有する副画素（Ｇ）の面積は、赤色の光を射出する機能を有する副画素（Ｒ）、及び青色の光を射出する機能を有する副画素（Ｂ）のいずれの面積より小さいことが好ましい。緑色に対する人間の視感度は、赤色及び青色に比べて高いため、副画素（Ｇ）の面積を副画素（Ｒ）及び副画素（Ｂ）の面積より小さくすることで、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のバランスに優れた、視認性の高い表示装置とすることができる表示装置とすることができる。
　図５７Ａ及び図５７Ｂは、副画素（Ｇ）の面積が、副画素（Ｒ）及び副画素（Ｂ）の面積より小さい構成を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。例えば、副画素（Ｒ）の面積が、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）の面積より小さい構成としてもよい。なお、前述したように、発光デバイスを有する副画素の面積は、各色の発光デバイスの寿命に応じて決めてもよい。
　図５６Ａの変形例を、図５８Ａ及び図５８Ｂに示す。
　図５８Ａに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素１１０ｄ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｄ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列ＡＲＲ１及び第２の配列ＡＲＲ２が交互に繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ｄ及び副画素１１０ａがこの順に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３と、列方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ｄ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列ＡＲＲ３、第３の配列ＡＲＲ３、第４の配列ＡＲＲ４、及び第４の配列ＡＲＲ４がこの順に繰り返し配置される。
　図５８Ｂに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｄ及び副画素１１０ａがこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素１１０ｄ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、行方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、副画素１１０ｄ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３と、行方向に副画素１１０ｄ、副画素１１０ｃ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ａがこの順に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列ＡＲＲ１、第２の配列ＡＲＲ２、第３の配列ＡＲＲ３及び第４の配列ＡＲＲ４がこの順に繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第５の配列ＡＲＲ５と、列方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｃが交互に繰り返し配置される第６の配列ＡＲＲ６と、を有する。さらに、行方向に、第５の配列ＡＲＲ５及び第６の配列ＡＲＲ６が交互に繰り返し配置される。
　図５８Ａ及び図５８Ｂに示す副画素１１０ａに赤色の光を射出する機能を有する副画素（Ｒ）、副画素１１０ｂに緑色の光を射出する機能を有する副画素（Ｇ）、副画素１１０ｃに青色の光を射出する機能を有する副画素（Ｂ）、副画素１１０ｄに受光機能を有する副画素（ＰＳ）を適用した構成例を、図５９Ａ及び図５９Ｂに示す。
　図５９Ａに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｇ）、副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素（ＰＳ）、副画素（Ｒ）、副画素（ＰＳ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列ＡＲＲ１及び第２の配列ＡＲＲ２が交互に繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素（Ｇ）、副画素（ＰＳ）及び副画素（Ｒ）がこの順に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３と、列方向に副画素（Ｇ）、副画素（ＰＳ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４と、を有する。さらに、行方向に、第３の配列ＡＲＲ３、第３の配列ＡＲＲ３、第４の配列ＡＲＲ４、及び第４の配列ＡＲＲ４がこの順に繰り返し配置される。
　図５９Ｂに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｇ）、副画素（Ｒ）、副画素（ＰＳ）及び副画素（Ｒ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素（ＰＳ）、副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、行方向に副画素（Ｇ）、副画素（Ｂ）、副画素（ＰＳ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３と、行方向に副画素（ＰＳ）、副画素（Ｂ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｒ）がこの順に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列ＡＲＲ１、第２の配列ＡＲＲ２、第３の配列ＡＲＲ３及び第４の配列ＡＲＲ４がこの順に繰り返し配置される。
　当該表示部は、列方向に副画素（Ｇ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第５の配列ＡＲＲ５と、列方向に副画素（Ｒ）及び副画素（Ｂ）が交互に繰り返し配置される第６の配列ＡＲＲ６と、を有する。さらに、行方向に、第５の配列ＡＲＲ５及び第６の配列ＡＲＲ６が交互に繰り返し配置される。
　図５９Ａの変形例を、図６０Ａに示す。
　図６０Ａに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素１１０ｄ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｄ及び副画素１１０ｃがこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、を有する。さらに、列方向に、第１の配列ＡＲＲ１及び第２の配列ＡＲＲ２が交互に繰り返し配置される。さらに、当該表示部は、行方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｃが交互に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３を有してもよい。なお、図６０Ａに示す画素のレイアウトをダイヤモンド配置と呼称してもよい。
　当該表示部は、列方向に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄが交互に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４と、列方向に副画素１１０ａ及び副画素１１０ｃが交互に繰り返し配置される第５の配列ＡＲＲ５と、を有する。さらに、行方向に、第４の配列ＡＲＲ４及び第５の配列ＡＲＲ５が交互に繰り返し配置される。さらに、当該表示部は、列方向に副画素１１０ｂ、副画素１１０ａ、副画素１１０ｄ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄがこの順に繰り返し配置される第６の配列ＡＲＲ６を有してもよい。
　なお、図６０Ａは、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｃの上面形状が、角が丸い四角形であり、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄの上面形状が、角が丸い三角形である構成を示しているが、副画素の上面形状は特に限定されない。例えば、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄの上面形状は、角が丸い四角形であってよく、円形であってもよい。
　図６０Ａに示す副画素１１０ａに赤色の光を射出する機能を有する副画素（Ｒ）、副画素１１０ｂに緑色の光を射出する機能を有する副画素（Ｇ）、副画素１１０ｃに青色の光を射出する機能を有する副画素（Ｂ）、副画素１１０ｄに受光機能を有する副画素（ＰＳ）を適用した構成例を、図６０Ｂに示す。
　図６０Ｂに示す画素のレイアウトを適用した表示装置の表示部は、行方向に副画素（Ｇ）、副画素（Ｒ）、副画素（Ｇ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第１の配列ＡＲＲ１と、行方向に副画素（ＰＳ）、副画素（Ｒ）、副画素（ＰＳ）及び副画素（Ｂ）がこの順に繰り返し配置される第２の配列ＡＲＲ２と、を有する。当該表示部は、行方向に副画素（Ｒ）及び副画素（Ｂ）が交互に繰り返し配置される第３の配列ＡＲＲ３を有してもよい。
　当該表示部は、列方向に副画素（Ｇ）、副画素（Ｒ）、副画素（ＰＳ）、副画素（Ｇ）、副画素（Ｂ）、及び副画素（ＰＳ）がこの順に繰り返し配置される第４の配列ＡＲＲ４を有する。当該表示部は、列方向に副画素（Ｒ）及び副画素（Ｂ）が交互に繰り返し配置される第５の配列ＡＲＲ５を有してもよく、列方向に副画素（Ｇ）及び副画素（ＰＳ）が交互に繰り返し配置される第６の配列ＡＲＲ６を有してもよい。
＜表示装置の構成例２＞
　前述の表示装置１００と異なる構成例を、図６１Ａ及び図６１Ｂに示す。
　図６１Ａは、表示装置１００Ａの上面図である。図６１Ａにおける一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図を、図６１Ｂに示す。表示装置１００Ａは、図５４Ｉに示した画素１１０の配列を適用した例である。
＜表示装置の作製方法例＞
　次に、図６２乃至図７１を用いて表示装置の作製方法例を説明する。図６２Ａ乃至図６２Ｆは、図５３Ａ及び図５３Ｂに示した表示装置１００の作製方法を示す上面図である。図６３Ａ乃至図６３Ｃには、図５３Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と、Ｙ１−Ｙ２間の断面図と、を並べて示す。図６４乃至図６９及び図７０Ａについても、図６３と同様である。図７０Ｂ乃至図７０Ｄには、図５３Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を示す。図７０Ｅには、図５３Ａにおける一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を示す。図７１Ａ乃至図７１Ｆには、絶縁層１２７とその周辺の断面構造を示す拡大図を示す。
　表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、及び、熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。
　表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。
　特に、発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特にＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層など）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、または、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。
　表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。
　フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。
　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）、またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。
　薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。
　まず、図６３Ａに示すように、トランジスタを含む層１０１上に、導電膜１１１を形成する。
　そして、導電膜１１１上に、第１の層１１３Ａを形成し、第１の層１１３Ａ上に第１の犠牲層１１８Ａを形成し、第１の犠牲層１１８Ａ上に第２の犠牲層１１９Ａを形成する。
　図６３Ａに示すように、Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、第１の層１１３Ａの接続部１４０側の端部が、第１の犠牲層１１８Ａの端部よりも内側に位置する。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いることで、第１の層１１３Ａと、第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａとで成膜される領域を変えることができる。本発明の一態様においては、レジストマスクを用いて発光デバイスを形成するが、上述のようにエリアマスクと組み合わせることで、比較的簡単なプロセスにて発光デバイスを作製することができる。
　導電膜１１１は、後に加工されることで、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、及び、導電層１２３となる層である。そのため、上述した画素電極に適用可能な構成を導電膜１１１に適用することができる。導電膜１１１の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。
　第１の層１１３Ａは、後に、ＥＬ層１１３ａとなる層である。そのため、上述した、ＥＬ層１１３ａに適用可能な構成を適用できる。第１の層１１３Ａは、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。第１の層１１３Ａは、蒸着法を用いて形成することが好ましい。蒸着法を用いた成膜では、プレミックス材料を用いてもよい。なお、本明細書等において、プレミックス材料とは、複数の材料をあらかじめ配合、または混合した複合材料である。
　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａには、第１の層１１３Ａ、及び、後の工程で形成する第２の層１１３Ｂ、第３の層１１３Ｃなどの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、各種ＥＬ層とのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。
　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａの形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、ＰＥＡＬＤ法）、ＣＶＤ法、または真空蒸着法を用いることができる。なお、ＥＬ層上に接して形成される第１の犠牲層１１８Ａは、第２の犠牲層１１９Ａよりも、ＥＬ層へのダメージが少ない形成方法を用いて形成されることが好ましい。例えば、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法または真空蒸着法を用いて、第１の犠牲層１１８Ａを形成することが好ましい。また、第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａは、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度（代表的には、２００℃以下、好ましくは１００℃以下、さらに好ましくは８０℃以下）で形成する。
　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａには、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａの加工時に、第１の層１１３Ａに加わるダメージを低減することができる。
　第１の犠牲層１１８Ａには、第２の犠牲層１１９Ａとのエッチングの選択比の大きい膜を用いることが好ましい。
　本実施の形態の表示装置の作製方法における各種犠牲層の加工工程において、ＥＬ層を構成する各層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層など）が加工されにくいこと、かつ、ＥＬ層を構成する各層の加工工程において、各種犠牲層が加工されにくいことが望ましい。犠牲層の材料、加工方法、及び、ＥＬ層の加工方法については、これらを考慮して選択することが望ましい。
　なお、本実施の形態では、第１の犠牲層と第２の犠牲層の２層構造で犠牲層を形成する例を示すが、犠牲層は単層構造であってもよく、３層以上の積層構造であってもよい。
　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａとしては、それぞれ、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜などの無機膜を用いることができる。
　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａには、例えば金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタルなどの金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀などの低融点材料を用いることが好ましい。第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａの一方または双方に紫外光を遮蔽することが可能な金属材料を用いることで、ＥＬ層に紫外光が照射されることを抑制でき、ＥＬ層の劣化を抑制できるため、好ましい。
　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａには、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物などの金属酸化物を用いることができる。第１の犠牲層１１８Ａまたは第２の犠牲層１１９Ａとして、例えば、スパッタリング法を用いて、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を形成することができる。さらに、酸化インジウム、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）などを用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることもできる。
　なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いてもよい。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、またはイットリウムから選ばれた一種または複数種とすることが好ましい。
　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａとしては、保護層１３１、１３２に用いることができる各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べてＥＬ層との密着性が高く好ましい。例えば、第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａには、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いることができる。第１の犠牲層１１８Ａまたは第２の犠牲層１１９Ａとして、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することができる。ＡＬＤ法を用いることで、下地（特にＥＬ層など）へのダメージを低減できるため好ましい。
　例えば、第１の犠牲層１１８Ａとして、ＡＬＤ法を用いて形成した無機絶縁膜（例えば、酸化アルミニウム膜）を用い、第２の犠牲層１１９Ａとして、スパッタリング法を用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を用いることができる。または、第２の犠牲層１１９Ａとして、アルミニウム膜またはタングステン膜を用いてもよい。
　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａとして、少なくとも第１の層１１３Ａの最上部に位置する膜に対して、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を、第１の犠牲層１１８Ａまたは第２の犠牲層１１９Ａに好適に用いることができる。このような材料の成膜の際には、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ層への熱的なダメージを低減することができ、好ましい。
　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａは、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコートの湿式の成膜方法を用いて形成してもよい。
　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａには、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。
　次に、図６３Ｂに示すように、第２の犠牲層１１９Ａ上にレジストマスク１９０ａを形成する。レジストマスクは、感光性の樹脂（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成することができる。
　レジストマスクは、ポジ型のレジスト材料及びネガ型のレジスト材料のどちらを用いて作製してもよい。
　図６２Ａに示すように、レジストマスク１９０ａは、後に副画素１１０ａとなる領域と重なる位置に設ける。レジストマスク１９０ａとして、１つの副画素１１０ａに対して、１つの島状のパターンが設けられていることが好ましい。または、レジストマスク１９０ａとして、一列に並ぶ（図６２ＡではＹ方向に並ぶ）複数の副画素１１０ａに対して１つの帯状のパターンを形成してもよい。
　なお、レジストマスク１９０ａは、後に接続部１４０となる領域と重なる位置にも設けることが好ましい。これにより、導電膜１１１のうち、後に導電層１２３となる領域が、表示装置の作製工程中にダメージを受けることを抑制できる。
　次に、図６３Ｃに示すように、レジストマスク１９０ａを用いて、第２の犠牲層１１９Ａの一部を除去し、第２の犠牲層１１９ａを形成する。第２の犠牲層１１９ａは、後に副画素１１０ａとなる領域と、後に接続部１４０となる領域と、に残存する。
　第２の犠牲層１１９Ａのエッチングの際、第１の犠牲層１１８Ａが当該エッチングにより除去されないように、選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。また、第２の犠牲層１１９Ａの加工においては、ＥＬ層が露出しないため、第１の犠牲層１１８Ａの加工よりも、加工方法の選択の幅は広い。具体的には、第２の犠牲層１１９Ａの加工の際に、エッチングガスに酸素を含むガスを用いた場合でも、ＥＬ層の劣化をより抑制することができる。
　その後、レジストマスク１９０ａを除去する。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングなどによりレジストマスク１９０ａを除去することができる。または、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９０ａを除去してもよい。このとき、第１の犠牲層１１８Ａが最表面に位置し、第１の層１１３Ａは露出していないため、レジストマスク１９０ａの除去工程において、第１の層１１３Ａにダメージが入ることを抑制することができる。また、レジストマスク１９０ａの除去方法の選択の幅を広げることができる。
　次に、図６４Ａに示すように、第２の犠牲層１１９ａをハードマスクに用いて、第１の犠牲層１１８Ａの一部を除去し、第１の犠牲層１１８ａを形成する。
　第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａは、それぞれ、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により加工することができる。第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。
　ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａの加工時に、第１の層１１３Ａに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いた薬液などを用いることが好ましい。
　ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、第１の層１１３Ａの劣化を抑制することができる。ドライエッチング法を用いる場合、例えば、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、Ｈ２Ｏ、ＢＣｌ３、またはＨｅなどの貴ガス（希ガスともいう）を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。
　例えば、第１の犠牲層１１８Ａとして、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いる場合、ＣＨＦ３とＨｅを用いて、ドライエッチング法により第１の犠牲層１１８Ａを加工することができる。また、第２の犠牲層１１９Ａとして、スパッタリング法を用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を用いる場合、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法により第２の犠牲層１１９Ａを加工することができる。
　次に、図６４Ｂに示すように、第２の犠牲層１１９ａ、第１の犠牲層１１８ａをハードマスクに用いて、第１の層１１３Ａの一部を除去し、ＥＬ層１１３ａを形成する。
　これにより、図６４Ｂに示すように、副画素１１０ａに相当する領域では、導電膜１１１上に、ＥＬ層１１３ａ、第１の犠牲層１１８ａ、及び、第２の犠牲層１１９ａの積層構造が残存する。また、接続部１４０に相当する領域では、導電膜１１１上に第１の犠牲層１１８ａと第２の犠牲層１１９ａとの積層構造が残存する。
　以上の工程により、第１の層１１３Ａ、第１の犠牲層１１８Ａ、及び、第２の犠牲層１１９Ａの、レジストマスク１９０ａと重なっていない領域を除去することができる。
　なお、レジストマスク１９０ａを用いて、第１の層１１３Ａの一部を除去してもよい。その後、レジストマスク１９０ａを除去してもよい。
　または、レジストマスク１９０ａを除去せずに、次の工程に進んでもよい。この場合、後の工程で導電膜１１１を加工する際に、犠牲層だけでなく、レジストマスクもマスクとして使用できる。レジストマスク１９０ａ、１９０ｂ、１９０ｃを用いて導電膜１１１を加工することで、犠牲層のみをハードマスクに用いる場合よりも、導電膜１１１の加工がしやすくなる場合がある。例えば、導電膜１１１の加工条件、犠牲層の材料、または、導電膜の材料などの選択の幅を広げることができる。
　第１の層１１３Ａの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。特に、異方性のドライエッチングが好ましい。または、ウェットエッチングを用いてもよい。
　ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、第１の層１１３Ａの劣化を抑制することができる。
　エッチングガスに酸素を含むガスを用いてもよい。エッチングガスが酸素を含むことで、エッチングの速度を速めることができる。したがって、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でエッチングを行うことができる。そのため、第１の層１１３Ａに与えるダメージを抑制することができる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着などの不具合を抑制することができる。
　ドライエッチング法を用いる場合、例えば、Ｈ２、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、Ｈ２Ｏ、ＢＣｌ３、またはＨｅ、Ａｒなどの貴ガス（希ガスともいう）のうち、一種以上を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。または、これらの一種以上と、酸素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。または、酸素ガスをエッチングガスに用いてもよい。具体的には、例えば、Ｈ２とＡｒを含むガス、または、ＣＦ４とＨｅを含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、ＣＦ４、Ｈｅ、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。
　次に、図６４Ｃに示すように、第２の犠牲層１１９ａ、及び、導電膜１１１上に、第２の層１１３Ｂを形成し、第２の層１１３Ｂ上に第１の犠牲層１１８Ｂを形成し、第１の犠牲層１１８Ｂ上に第２の犠牲層１１９Ｂを形成する。
　図６４Ｃに示すように、Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、第２の層１１３Ｂの接続部１４０側の端部が、第１の犠牲層１１８Ｂの端部よりも内側に位置する。
　第２の層１１３Ｂは、後に、ＥＬ層１１３ｂとなる層である。ＥＬ層１１３ｂは、ＥＬ層１１３ａと異なる波長領域の光を発する。ＥＬ層１１３ｂに適用できる構成及び材料等は、ＥＬ層１１３ａと同様である。第２の層１１３Ｂは、第１の層１１３Ａと同様の方法を用いて成膜することができる。
　第１の犠牲層１１８Ｂは、第１の犠牲層１１８Ａに適用可能な材料を用いて形成することができる。第２の犠牲層１１９Ｂは、第２の犠牲層１１９Ａに適用可能な材料を用いて形成することができる。
　次に、図６４Ｃに示すように、第２の犠牲層１１９Ｂ上にレジストマスク１９０ｂを形成する。
　図６２Ｂに示すように、レジストマスク１９０ｂは、後に副画素１１０ｂとなる領域と重なる位置に設ける。レジストマスク１９０ｂとして、１つの副画素１１０ｂに対して、１つの島状のパターンが設けられていることが好ましい。または、レジストマスク１９０ｂとして、一列に並ぶ複数の副画素１１０ｂに対して１つの帯状のパターンを形成してもよい。
　レジストマスク１９０ｂは、後に接続部１４０となる領域と重なる位置にも設けてもよい。
　次に、レジストマスク１９０ｂを用いて、第２の犠牲層１１９Ｂの一部を除去し、第２の犠牲層１１９ｂを形成する。第２の犠牲層１１９ｂは、後に副画素１１０ｂとなる領域に残存する。
　その後、レジストマスク１９０ｂを除去する。そして、第２の犠牲層１１９ｂをハードマスクに用いて、第１の犠牲層１１８Ｂの一部を除去し、第１の犠牲層１１８ｂを形成する。
　そして、図６５Ａに示すように、第２の犠牲層１１９ｂ、第１の犠牲層１１８ｂをハードマスクに用いて、第２の層１１３Ｂの一部を除去し、ＥＬ層１１３ｂを形成する。
　これにより、図６５Ａに示すように、副画素１１０ｂに相当する領域では、導電膜１１１上に、ＥＬ層１１３ｂ、第１の犠牲層１１８ｂ、及び、第２の犠牲層１１９ｂの積層構造が残存する。また、接続部１４０に相当する領域では、導電膜１１１上に第１の犠牲層１１８ａと第２の犠牲層１１９ａとの積層構造が残存する。
　以上の工程により、第２の層１１３Ｂ、第１の犠牲層１１８Ｂ、及び、第２の犠牲層１１９Ｂの、レジストマスク１９０ｂと重なっていない領域を除去することができる。これらの層の加工には、第２の層１１３Ｂ、第１の犠牲層１１８Ａ、及び、第２の犠牲層１１９Ａの加工に適用可能な方法を用いることができる。
　次に、図６５Ｂに示すように、第２の犠牲層１１９ａ、第２の犠牲層１１９ｂ、及び、導電膜１１１上に、第３の層１１３Ｃを形成し、第３の層１１３Ｃ上に第１の犠牲層１１８Ｃを形成し、第１の犠牲層１１８Ｃ上に第２の犠牲層１１９Ｃを形成する。
　図６５Ｂに示すように、Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、第３の層１１３Ｃの接続部１４０側の端部が、第１の犠牲層１１８Ｃの端部よりも内側に位置する。
　第３の層１１３Ｃは、後に、ＥＬ層１１３ｃとなる層である。ＥＬ層１１３ｃは、ＥＬ層１１３ａ及びＥＬ層１１３ｂとは異なる波長領域の光を発する。ＥＬ層１１３ｃに適用できる構成及び材料等は、ＥＬ層１１３ａと同様である。第３の層１１３Ｃは、第１の層１１３Ａと同様の方法を用いて成膜することができる。
　第１の犠牲層１１８Ｃは、第１の犠牲層１１８Ａに適用可能な材料を用いて形成することができる。第２の犠牲層１１９Ｃは、第２の犠牲層１１９Ａに適用可能な材料を用いて形成することができる。
　次に、図６５Ｂに示すように、第２の犠牲層１１９Ｃ上にレジストマスク１９０ｃを形成する。
　図６２Ｃに示すように、レジストマスク１９０ｃは、後に副画素１１０ｃとなる領域と重なる位置に設ける。レジストマスク１９０ｃとして、１つの副画素１１０ｃに対して、１つの島状のパターンが設けられていることが好ましい。または、レジストマスク１９０ｃとして、一列に並ぶ複数の副画素１１０ｃに対して１つの帯状のパターンを形成してもよい。
　レジストマスク１９０ｃは、後に接続部１４０となる領域と重なる位置にも設けてもよい。
　次に、レジストマスク１９０ｃを用いて、第２の犠牲層１１９Ｃの一部を除去し、第２の犠牲層１１９ｃを形成する。第２の犠牲層１１９ｃは、後に副画素１１０ｃとなる領域に残存する。
　その後、レジストマスク１９０ｃを除去する。そして、第２の犠牲層１１９ｃをハードマスクに用いて、第１の犠牲層１１８Ｃの一部を除去し、第１の犠牲層１１８ｃを形成する。
　そして、図６５Ｃに示すように、第２の犠牲層１１９ｃ、第１の犠牲層１１８ｃをハードマスクに用いて、第３の層１１３Ｃの一部を除去し、ＥＬ層１１３ｃを形成する。
　これにより、図６５Ｃに示すように、副画素１１０ｃに相当する領域では、導電膜１１１上に、ＥＬ層１１３ｃ、第１の犠牲層１１８ｃ、及び、第２の犠牲層１１９ｃの積層構造が残存する。また、接続部１４０に相当する領域では、導電膜１１１上に第１の犠牲層１１８ａと第２の犠牲層１１９ａとの積層構造が残存する。
　以上の工程により、第３の層１１３Ｃ、第１の犠牲層１１８Ｃ、及び、第２の犠牲層１１９Ｃの、レジストマスク１９０ｃと重なっていない領域を除去することができる。これらの層の加工には、第１の層１１３Ａ、第１の犠牲層１１８Ａ、及び、第２の犠牲層１１９Ａの加工に適用可能な方法を用いることができる。
　次に、図６６Ａに示すように、第２の犠牲層１１９ａ、第２の犠牲層１１９ｂ、第２の犠牲層１１９ｃ、及び、導電膜１１１上に、第４の層１１３Ｄを形成し、第４の層１１３Ｄ上に第１の犠牲層１１８Ｄを形成し、第１の犠牲層１１８Ｄ上に第２の犠牲層１１９Ｄを形成する。
　図６６Ａに示すように、Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、第４の層１１３Ｄの接続部１４０側の端部が、第１の犠牲層１１８Ｄの端部よりも内側に位置する。
　第４の層１１３Ｄは、後に、受光層１１３ｄとなる層である。受光層１１３ｄは、活性層を有する。第４の層１１３Ｄは、第１の層１１３Ａと同様の方法を用いて成膜することができる。
　第１の犠牲層１１８Ｄは、第１の犠牲層１１８Ａに適用可能な材料を用いて形成することができる。第２の犠牲層１１９Ｄは、第２の犠牲層１１９Ａに適用可能な材料を用いて形成することができる。
　次に、図６６Ａに示すように、第２の犠牲層１１９Ｄ上にレジストマスク１９０ｄを形成する。
　図６２Ｄに示すように、レジストマスク１９０ｄは、後に副画素１１０ｄとなる領域と重なる位置に設ける。レジストマスク１９０ｄとして、１つの副画素１１０ｄに対して、１つの島状のパターンが設けられていることが好ましい。または、レジストマスク１９０ｄとして、一列に並ぶ複数の副画素１１０ｄに対して１つの帯状のパターンを形成してもよい。
　レジストマスク１９０ｄは、後に接続部１４０となる領域と重なる位置にも設けてもよい。
　次に、レジストマスク１９０ｄを用いて、第２の犠牲層１１９Ｄの一部を除去し、第２の犠牲層１１９ｄを形成する。第２の犠牲層１１９ｄは、後に副画素１１０ｄとなる領域に残存する。
　その後、レジストマスク１９０ｄを除去する。そして、第２の犠牲層１１９ｄをハードマスクに用いて、第１の犠牲層１１８Ｄの一部を除去し、第１の犠牲層１１８ｄを形成する。
　そして、図６６Ｂに示すように、第２の犠牲層１１９ｄ、第１の犠牲層１１８ｄをハードマスクに用いて、第４の層１１３Ｄの一部を除去し、受光層１１３ｄを形成する。
　これにより、図６６Ｂに示すように、副画素１１０ｄに相当する領域では、導電膜１１１上に、受光層１１３ｄ、第１の犠牲層１１８ｄ、及び、第２の犠牲層１１９ｄの積層構造が残存する。また、接続部１４０に相当する領域では、導電膜１１１上に第１の犠牲層１１８ａと第２の犠牲層１１９ａとの積層構造が残存する。
　以上の工程により、第４の層１１３Ｄ、第１の犠牲層１１８Ｄ、及び、第２の犠牲層１１９Ｄの、レジストマスク１９０ｄと重なっていない領域を除去することができる。これらの層の加工には、第１の層１１３Ａ、第１の犠牲層１１８Ａ、及び、第２の犠牲層１１９Ａの加工に適用可能な方法を用いることができる。
　なお、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄの側面は、それぞれ、被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。例えば、被形成面と、これらの側面との成す角度を、６０度以上９０度以下とすることが好ましい。
　次に、図６７Ａに示すように、第１の犠牲層１１８ａ、第１の犠牲層１１８ｂ、第１の犠牲層１１８ｃ、第１の犠牲層１１８ｄ、第２の犠牲層１１９ａ、第２の犠牲層１１９ｂ、第２の犠牲層１１９ｃ、及び第２の犠牲層１１９ｄをハードマスクに用いて、導電膜１１１を加工し、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、画素電極１１１ｄ、及び導電層１２３を形成する。
　導電膜１１１の加工の際に、トランジスタを含む層１０１の一部（具体的には、最表面に位置する絶縁層）が加工され、凹部が形成されることがある。以降の説明では、トランジスタを含む層１０１に凹部が設けられている場合を例に挙げて説明するが、凹部が設けられていなくてもよい。
　ここで、導電層１２３を形成するためには、第１の犠牲層１１８ａ、第１の犠牲層１１８ｂ、第１の犠牲層１１８ｃ、及び第１の犠牲層１１８ｄのいずれか一つと、第２の犠牲層１１９ａ、第２の犠牲層１１９ｂ、第２の犠牲層１１９ｃ、及び第２の犠牲層１１９ｄのいずれか一つと、が接続部１４０に設けられていることが好ましい。第１の犠牲層１１８ａ、第１の犠牲層１１８ｂ、第１の犠牲層１１８ｃ、及び第１の犠牲層１１８ｄのいずれか二つまたは全てと、第２の犠牲層１１９ａ、第２の犠牲層１１９ｂ、第２の犠牲層１１９ｃ、及び第２の犠牲層１１９ｄのいずれか二つまたは全てと、が接続部１４０に設けられていてもよい。犠牲層を接続部１４０に設けることで、導電膜１１１のうち、導電層１２３となる領域が、表示装置の作製工程中にダメージを受けることを抑制できる。したがって、作製工程が最も早い第１の犠牲層１１８ａ及び第２の犠牲層１１９ａを、接続部１４０に形成することが好ましい。
　導電膜１１１の加工は、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により加工することができる。導電膜１１１の加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。
　次に、図６７Ｂに示すように、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、画素電極１１１ｄ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄ、第１の犠牲層１１８ａ、第１の犠牲層１１８ｂ、第１の犠牲層１１８ｃ、第１の犠牲層１１８ｄ、第２の犠牲層１１９ａ、第２の犠牲層１１９ｂ、第２の犠牲層１１９ｃ、及び第２の犠牲層１１９ｄを覆うように、絶縁膜１２５Ａを形成する。
　絶縁膜１２５Ａには、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。また、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜などの金属酸化物膜を用いてもよい。
　絶縁膜１２５Ａは、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア絶縁膜としての機能を有することが好ましい。または、絶縁膜１２５Ａは、水及び酸素の少なくとも一方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。または、絶縁膜１２５Ａは、水及び酸素の少なくとも一方を捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能を有することが好ましい。
　なお、本明細書等において、バリア絶縁膜とは、バリア性を有する絶縁膜のことを示す。また、本明細書等において、バリア性とは、対応する物質の拡散を抑制する機能（透過性が低いともいう）とする。または、対応する物質を、捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能とする。
　絶縁膜１２５Ａが、上述のバリア絶縁膜の機能、またはゲッタリング機能を有することで、外部から各発光デバイスに拡散しうる不純物（代表的には、水または酸素）の侵入を抑制することが可能な構成となる。当該構成とすることで、信頼性の優れた表示装置を提供することができる。
　次に、図６７Ｃに示すように、絶縁膜１２５Ａ上に絶縁膜１２７Ａを形成する。
　図６２Ｅに示すように、絶縁膜１２７Ａは、導電層１２３（接続部１４０）と重なる位置に開口を有するように形成することが好ましい。絶縁膜１２７Ａは、例えば、感光性の樹脂を塗布し、露光及び現像を行うことでパターン形成することができる。
　なお、図７０Ａに示すように、絶縁膜１２７Ａは、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び画素電極１１１ｄと重なる位置にも開口を有するように形成してもよい。
　絶縁膜１２７Ａには、有機材料を用いることができる。有機材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁膜１２７Ａには、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。また、絶縁膜１２７Ａには、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。
　絶縁膜１２７Ａの形成方法に特に限定はなく、例えば、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコートの湿式の成膜方法を用いて形成することができる。特に、スピンコートにより、絶縁膜１２７Ａを形成することが好ましい。
　絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７Ａは、ＥＬ層へのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。特に、絶縁膜１２５Ａは、ＥＬ層の側面に接して形成されるため、絶縁膜１２７Ａよりも、ＥＬ層へのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。また、絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７Ａは、それぞれ、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度（代表的には、２００℃以下、好ましくは１００℃以下、さらに好ましくは８０℃以下）で形成する。例えば、絶縁膜１２５Ａとして、ＡＬＤ法を用いて酸化アルミニウム膜を形成することができる。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。
　次に、図６８Ａに示すように、絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７Ａを加工することで、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を形成する。絶縁層１２７は、絶縁層１２５の側面と凹部上面に接するように形成される。絶縁層１２５（さらには絶縁層１２７）は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ及び画素電極１１１ｄの側面を覆うように設けられる。これにより、後に形成する膜（ＥＬ層を構成する膜、受光層を構成する膜、または、共通電極）と、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、または画素電極１１１ｄとが接して、発光デバイスがショートすることを抑制できる。さらに、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄの側面を覆うように設けられることが好ましい。これにより、後に形成する膜がこれらの層の側面と接することを抑制し、発光デバイスがショートすることを抑制できる。また、後の工程において、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄが受けるダメージを抑制することができる。
　特に、トランジスタを含む層１０１の一部（具体的には、最表面に位置する絶縁層）に凹部が設けられていると、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ及び画素電極１１１ｄの側面全体を、絶縁層１２５及び絶縁層１２７で覆うことが可能となり好ましい。
　絶縁膜１２５Ａは、ドライエッチング法により加工することが好ましい。絶縁膜１２５Ａの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。第１の犠牲層１１８Ａ及び第２の犠牲層１１９Ａを加工する際に用いることができるエッチングガスを用いて、絶縁膜１２５Ａを加工することができる。
　絶縁膜１２７Ａは、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより加工することが好ましい。
　次に、図６８Ｂに示すように、第１の犠牲層１１８ａ、第１の犠牲層１１８ｂ、第１の犠牲層１１８ｃ、第１の犠牲層１１８ｄ、第２の犠牲層１１９ａ、第２の犠牲層１１９ｂ、第２の犠牲層１１９ｃ、及び第２の犠牲層１１９ｄを除去する。これにより、画素電極１１１ａ上ではＥＬ層１１３ａが露出し、画素電極１１１ｂ上ではＥＬ層１１３ｂが露出し、画素電極１１１ｃ上ではＥＬ層１１３ｃが露出し、画素電極１１１ｄ上では受光層１１３ｄが露出し、接続部１４０では導電層１２３が露出する。なお、第１の犠牲層１１８ａ、第１の犠牲層１１８ｂ、第１の犠牲層１１８ｃ、第１の犠牲層１１８ｄ、第２の犠牲層１１９ａ、第２の犠牲層１１９ｂ、第２の犠牲層１１９ｃ、または第２の犠牲層１１９ｄの一部が残存していてもよい。例えば、接続部１４０等において、犠牲層の、絶縁層１２５と重なる領域が残存することがある（図６８Ｂ参照）。
　絶縁層１２５の上面及び絶縁層１２７の上面の高さは、それぞれ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄの少なくとも一つの上面の高さと一致または概略一致することが好ましい。また、絶縁層１２７の上面は平坦な形状を有することが好ましく、凸部または凹部を有していてもよい。
　犠牲層の除去工程には、犠牲層の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、第１の犠牲層及び第２の犠牲層を除去する際に、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄに加わるダメージを低減することができる。
　第１の犠牲層と第２の犠牲層は、別々の工程で除去してもよく、同一の工程で除去してもよい。
　第１の犠牲層と第２の犠牲層のいずれか一方または双方を、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させることで除去してもよい。アルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはグリセリンなどが挙げられる。
　第１の犠牲層と第２の犠牲層を除去した後に、ＥＬ層に含まれる水、及びＥＬ層表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行ってもよい。例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。
　次に、図６８Ｃに示すように、絶縁層１２５、１２７、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄを覆うように、層１１４を形成する。図６８Ｃに示すように、Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、層１１４の接続部１４０側の端部は、接続部１４０よりも内側に位置し、導電層１２３は露出したままである。なお、層１１４の導電性の高さによっては、接続部１４０に層１１４が設けられていてもよい。
　層１１４として用いることができる材料は上述の通りである。層１１４は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。また、層１１４は、プレミックス材料を用いて形成されてもよい。
　ここで、絶縁層１２５及び絶縁層１２７が設けられていない場合、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、または画素電極１１１ｄのいずれかと、層１１４とが接してしまう恐れがある。これらの層の接触により、層１１４の導電性が高い場合などには、発光デバイスまたは受光デバイスがショートする恐れがある。しかし、本発明の一態様の表示装置では、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７が、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄ、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び画素電極１１１ｄの側面を覆っているため、導電性の高い層１１４がこれらの層と接することを抑制し、発光デバイスがショートすることを抑制することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
　そして、図６８Ｃに示すように、層１１４上及び導電層１２３上に共通電極１１５を形成する。
　共通電極１１５として用いることができる材料は上述の通りである。共通電極１１５の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。
　その後、共通電極１１５上に保護層１３１を形成し、保護層１３１上に保護層１３２を形成する。さらに、樹脂層１２２を用いて、保護層１３２上に、基板１２０を貼り合わせることで、図５３Ｂに示す表示装置１００を作製することができる。
　保護層１３１、１３２に用いることができる材料及び成膜方法は上述の通りである。保護層１３１、１３２の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及び、ＡＬＤ法などが挙げられる。保護層１３１と保護層１３２は、互いに異なる成膜方法を用いて形成された膜であってもよい。また、保護層１３１、１３２は、それぞれ、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。
　なお、共通電極１１５の成膜の際には、成膜エリアを規定するためのマスク（エリアマスク、ラフメタルマスクなどともいう）を用いてもよい。または、共通電極１１５の成膜に当該マスクを使用せず、図６８Ｃに示す工程の後に、図６９Ａ及び図６９Ｂに示す共通電極１１５の加工工程を行い、その後、保護層１３１の形成工程に進んでもよい。
　図６９Ａ及び図６２Ｆに示すように、共通電極１１５上にレジストマスク１９０ｅを形成する。図６９ＡのＹ２側の端部に、レジストマスク１９０ｅが設けられていない部分が存在する。図６２Ｆに示すように、レジストマスク１９０ｅは、各副画素及び接続部１４０と重なる領域に設けられる。つまり、レジストマスク１９０ｅが設けられていない領域は、接続部１４０よりも外側に位置する。
　次に、図６９Ｂに示すように、レジストマスク１９０ｅを用いて、共通電極１１５の一部を除去する。以上により、共通電極１１５を加工することができる。
　なお、レジストマスク１９０ｅを用いる場合は、レジストマスク１９０ａ、レジストマスク１９０ｂ、レジストマスク１９０ｃ、レジストマスク１９０ｄ、レジストマスク１９０ｅ、及び、絶縁膜１２７Ａの加工工程が行われるため、上記の一連の作製工程において、６つのフォトマスクを用いることとなる。レジストマスク１９０ｅを用いない場合は、レジストマスク１９０ａ、レジストマスク１９０ｂ、レジストマスク１９０ｃ、レジストマスク１９０ｄ、及び、絶縁膜１２７Ａの加工工程が行われるため、上記の一連の作製工程において、５つのフォトマスクを用いることとなる一方で、共通電極１１５の成膜に、成膜エリアを規定するためのマスクを用いることとなる。本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状のＥＬ層を形成するための高精細なパターンのメタルマスクと、画素電極を島状に形成するためのマスクと、画素電極の端部を覆う絶縁層を形成するためのマスクと、を使用する必要がなく、マスクの枚数及びコストを低減することができる。
　図７０Ｂに示すように、層１１４を設けず、絶縁層１２５、１２７、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄを覆うように、共通電極１１５を形成してもよい。つまり、それぞれ異なる色を発する発光デバイスにおいて、ＥＬ層を構成するすべての層が作り分けられていてもよい。このとき、各発光デバイスのＥＬ層は、全て島状に形成される。
　ここで、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び画素電極１１１ｄのいずれかと、共通電極１１５とが接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。しかし、本発明の一態様の表示装置では、絶縁層１２５、１２７が、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄ、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、及び画素電極１１１ｄの側面を覆っているため、共通電極１１５がこれらの層と接することを抑制し、発光デバイスまたは受光デバイスがショートすることを抑制することができる。これにより、発光デバイス及び受光デバイスの信頼性を高めることができる。
　図７０Ｃに示すように、導電膜１１１の加工の際に、トランジスタを含む層１０１の一部（具体的には、最表面に位置する絶縁層）が加工されない場合は、トランジスタを含む層１０１に凹部が設けられないことがある。
　図７０Ｄに示すように、絶縁層１２５を設けなくてもよい。このとき、絶縁層１２７には、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄに与えるダメージの少ない有機材料を用いることが好ましい。例えば、絶縁層１２７には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いることが好ましい。
　なお、接続部１４０に層１１４を設けた場合は、図７０Ｅに示すように、導電層１２３と共通電極１１５とが層１１４を介して電気的に接続される。
　図７１Ａ乃至図７１Ｆに、絶縁層１２７とその周辺を含む領域１３９の断面構造を示す。
　図７１Ａでは、ＥＬ層１１３ａとＥＬ層１１３ｂの厚さが互いに異なる例を示す。絶縁層１２５の上面の高さは、ＥＬ層１１３ａ側ではＥＬ層１１３ａの上面の高さと一致または概略一致しており、ＥＬ層１１３ｂ側ではＥＬ層１１３ｂの上面の高さと一致または概略一致している。そして、絶縁層１２７の上面は、ＥＬ層１１３ａ側が高く、ＥＬ層１１３ｂ側が低い、なだらかな傾斜を有している。このように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の高さは、隣接するＥＬ層の上面の高さと揃っていることが好ましい。または、隣接するＥＬ層のいずれかの上面の高さと揃って、上面が平坦部を有する形状を有していてもよい。
　図７１Ｂにおいて、絶縁層１２７の上面は、ＥＬ層１１３ａの上面及びＥＬ層１１３ｂの上面よりも高い領域を有する。また、絶縁層１２７の上面は、中心に向かって凸状に、なだらかに膨らんだ形状を有する。
　図７１Ｃにおいて、絶縁層１２７がＥＬ層１１３ａの上面及びＥＬ層１１３ｂの上面より高い領域を有する。また、領域１３９において、表示装置１００は、第１の犠牲層１１８ａ及び第２の犠牲層１１９ａの少なくとも一方を有し、絶縁層１２７がＥＬ層１１３ａの上面及びＥＬ層１１３ｂの上面より高く、且つ絶縁層１２５よりも外側に位置する第１の領域を有し、第１の領域は第１の犠牲層１１８ａ及び第２の犠牲層１１９ａの少なくとも一方の上に位置する。また、領域１３９において、表示装置１００は、第１の犠牲層１１８ｂ及び第２の犠牲層１１９ｂの少なくとも一方を有し、絶縁層１２７がＥＬ層１１３ａの上面及びＥＬ層１１３ｂの上面より高く、且つ絶縁層１２５よりも外側に位置する第２の領域を有し、第２の領域は第１の犠牲層１１８ｂ及び第２の犠牲層１１９ｂの少なくとも一方の上に位置する。
　なお、絶縁層１２７の上面は、絶縁層１２７の被形成面（例えば、絶縁層１２５、第２の犠牲層１１９ａ及び第２の犠牲層１１９ｂの上面）の形状に応じた形状を有してもよい。図７１Ｃは、絶縁層１２５の凹部と重なる領域において、絶縁層１２７の上面が窪んだ形状を有する例を示している。
　図７１Ｄにおいて、絶縁層１２７の上面は、ＥＬ層１１３ａの上面及びＥＬ層１１３ｂの上面よりも低い領域を有する。また、絶縁層１２７の上面は、中心に向かって凹状に、なだらかに窪んだ形状を有する。
　図７１Ｅにおいて、絶縁層１２５の上面は、ＥＬ層１１３ａの上面及びＥＬ層１１３ｂの上面よりも高い領域を有する。すなわち、層１１４の被形成面において、絶縁層１２５が突出し、凸部を形成している。
　絶縁層１２５の形成において、例えば、犠牲層の高さと揃うまたは概略揃うように絶縁層１２５を形成する場合には、図７１Ｅに示すように、絶縁層１２５が突出する形状が形成される場合がある。
　図７１Ｆにおいて、絶縁層１２５の上面は、ＥＬ層１１３ａの上面及びＥＬ層１１３ｂの上面よりも低い領域を有する。すなわち、層１１４の被形成面において、絶縁層１２５が凹部を形成している。
　このように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は様々な形状を適用することができる。
　以上のように、本実施の形態の表示装置の作製方法では、島状のＥＬ層は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、ＥＬ層を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状のＥＬ層を均一の厚さで形成することができる。そして、高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。
　各色の発光デバイスを構成する第１の層、第２の層、第３の層はそれぞれ別の工程で形成する。したがって、各ＥＬ層を、各色の発光デバイスに適した構成（材料及び膜厚など）で作製することができる。これにより、特性の良好な発光デバイスを作製することができる。
　本発明の一態様の表示装置は、画素電極、発光層、及びキャリア輸送層のそれぞれの側面を覆う絶縁層を有する。当該表示装置の作製工程においては、発光層とキャリア輸送層とが積層された状態でＥＬ層が加工されるため、当該表示装置は、発光層のダメージが低減された構成である。また、絶縁層により、画素電極とキャリア注入層または共通電極とが接することが抑制され、発光デバイスがショートすることが抑制された構成である。
　なお、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、及び受光デバイス１３０ｄを形成する順は特に限定されない。
　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
（実施の形態５）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図７２乃至図７４を用いて説明する。
　本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置の表示部に用いることができる。
　本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。
　本明細書等において、表示装置に、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクタが取り付けられたもの、またはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式もしくはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により集積回路（ＩＣ）が実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、または単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。
＜表示装置１００Ａ＞
　図７２に、表示装置１００Ａの斜視図を示し、図７３Ａに、表示装置１００Ａの断面図を示す。
　表示装置１００Ａは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図７２では、基板１５２を破線で明示している。
　表示装置１００Ａは、表示部１６２、回路１６４、配線１６５等を有する。図７２では表示装置１００ＡにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図７２に示す構成は、表示装置１００Ａ、ＩＣ（集積回路）、及びＦＰＣを有する表示モジュールということもできる。
　回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。
　配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ１７２を介して外部から、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。
　図７２では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ａ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。
　図７３Ａに、表示装置１００Ａの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。
　表示装置１００Ａは、基板１５１と基板１５２の間に、発光デバイス、受光デバイス、トランジスタ２０７、トランジスタ２０５等を有する。図７３Ａは、発光デバイス及び受光デバイスとして、赤色の光を発する発光デバイス１３０ａ、及び緑色の光を発する発光デバイス１３０ｂ、及び受光デバイス１３０ｄを示している。
　ここで、表示装置の画素が、互いに異なる色を発する発光デバイスを有する副画素を３種類有する場合、当該３つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。当該副画素を４つ有する場合、当該４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素などが挙げられる。
　発光デバイス１３０ａ、及び発光デバイス１３０ｂは、画素電極とＥＬ層との間に光学調整層を有し、受光デバイス１３０ｄは、画素電極と受光層との間に光学調整層を有する。光学調整層として、発光デバイス１３０ａは導電層１２６ａを有し、発光デバイス１３０ｂは導電層１２６ｂを有し、受光デバイス１３０ｄは導電層１２６ｄを有する。発光デバイス及び受光デバイスの詳細は実施の形態１を参照できる。画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｄ、導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｄ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、及び、受光層１１３ｄの側面は、それぞれ、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、受光層１１３ｄ、及び、絶縁層１２５、１２７上に、層１１４が設けられ、層１１４上に共通電極１１５が設けられている。また、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び受光デバイス１３０ｄ上にはそれぞれ、保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には保護層１３２が設けられている。
　保護層１３２と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図７３Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。
　画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｄは、それぞれ、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。
　画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｄには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれていることが好ましい。そして、画素電極１１１ａ及び層１２８上に導電層１２６ａを形成し、画素電極１１１ｂ及び層１２８上に導電層１２６ｂを形成し、画素電極１１１ｄ及び層１２８上に導電層１２６ｄを形成することが好ましい。導電層１２６ａ、導電層１２６ｂ、及び導電層１２６ｄは、画素電極と呼ぶこともできる。
　層１２８は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｄの凹部を平坦化する機能を有する。層１２８を設けることで、ＥＬ層及び受光層の被形成面の凹凸を低減し、被覆性を向上することができる。また、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｄ及び層１２８上に、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｄと電気的に接続される導電層１２６ａ、導電層１２６ｂ、導電層１２６ｄを設けることで、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｄの凹部と重なる領域も発光領域として使用できる場合がある。これにより、画素の開口率を高めることができる。
　層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましい。
　層１２８としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、層１２８として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、層１２８として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。
　感光性の樹脂を用いることにより、露光及び現像の工程のみで層１２８を作製することができ、ドライエッチング、あるいはウェットエッチング等による画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｄの表面への影響を低減することができる。また、ネガ型の感光性樹脂を用いて層１２８を形成することにより、絶縁層２１４の開口の形成に用いるフォトマスク（露光マスク）と同一のフォトマスクを用いて、層１２８を形成できる場合がある。
　導電層１２６ａは、画素電極１１１ａ上及び層１２８上に設けられる。導電層１２６ａは、画素電極１１１ａの上面に接する第１領域と、層１２８の上面に接する第２領域と、を有する。第１領域と接する画素電極１１１ａの上面の高さと、第２領域と接する層１２８の上面の高さは、一致または概略一致することが好ましい。
　同様に、導電層１２６ｂは、画素電極１１１ｂ上及び層１２８上に設けられる。導電層１２６ｂは、画素電極１１１ｂの上面に接する第１領域と、層１２８の上面に接する第２領域と、を有する。第１領域と接する画素電極１１１ｂの上面の高さと、第２領域と接する層１２８の上面の高さは、一致または概略一致することが好ましい。
　導電層１２６ｄは、画素電極１１１ｄ上及び層１２８上に設けられる。導電層１２６ｄは、画素電極１１１ｄの上面に接する第１領域と、層１２８の上面に接する第２領域と、を有する。第１領域と接する画素電極１１１ｄの上面の高さと、第２領域と接する層１２８の上面の高さは、一致または概略一致することが好ましい。
　画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極は可視光を透過する材料を含む。
　表示装置１００Ａは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２は、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。基板１５２は、可視光及び赤外光に対する透過性が高い材料を用いることがさらに好ましい。受光デバイスには、基板１５２を介して光が入射する。
　基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態１に示した基板２３、または実施の形態２等に示したトランジスタを含む層１０１に相当する。
　トランジスタ２０７及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。
　基板１５１上には、絶縁層２１７、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１７は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。
　トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。
　絶縁層２１７、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。
　ここで、有機絶縁膜は、無機絶縁膜に比べてバリア性が低いことが多い。そのため、有機絶縁膜は、表示装置１００Ａの端部近傍に開口を有することが好ましい。これにより、表示装置１００Ａの端部から有機絶縁膜を介して不純物が入り込むことを抑制することができる。または、有機絶縁膜の端部が表示装置１００Ａの端部よりも内側にくるように有機絶縁膜を形成し、表示装置１００Ａの端部に有機絶縁膜が露出しないようにしてもよい。
　平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁膜が好適である。有機絶縁膜に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁膜と、無機絶縁膜との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。これにより、画素電極１１１ａまたは導電層１２６ａなどの加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。または、絶縁層２１４には、画素電極１１１ａまたは導電層１２６ａなどの加工時に、凹部が設けられてもよい。
　図７３Ａに示す領域２２８では、絶縁層２１４に開口が形成されている。これにより、絶縁層２１４に有機絶縁膜を用いる場合であっても、絶縁層２１４を介して外部から表示部１６２に不純物が入り込むことを抑制できる。従って、表示装置１００Ａの信頼性を高めることができる。
　トランジスタ２０７及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１７、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１７は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。
　本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。
　トランジスタ２０７及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。
　トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
　トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。または、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、単結晶シリコンなど）などが挙げられる。
　半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。
　特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、半導体層としては、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いてもよい。または、半導体層としては、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯ）を用いてもよい。
　半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。
　例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。
　回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。
　図７３Ｂ及び図７３Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。
　トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１７、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１７は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。
　図７３Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。
　一方、図７３Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図７３Ｃに示す構造を作製できる。図７３Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。
　基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｄと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ａ、１２６ｂ、及び１２６ｄと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。
　基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１５２の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等を配置してもよい。
　発光デバイスを覆う保護層１３１及び保護層１３２を設けることで、発光デバイスに水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
　表示装置１００Ａの端部近傍の領域２２８において、絶縁層２１４の開口を介して、絶縁層２１５と保護層１３１または保護層１３２とが互いに接することが好ましい。特に、無機絶縁膜同士が接することが好ましい。これにより、有機絶縁膜を介して外部から表示部１６２に不純物が入り込むことを抑制することができる。従って、表示装置１００Ａの信頼性を高めることができる。
　基板１５１及び基板１５２には、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１５１及び基板１５２に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板１５１または基板１５２として偏光板を用いてもよい。
　基板１５１及び基板１５２としては、それぞれ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１５１及び基板１５２の一方または双方に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。
　なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。
　光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。
　光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。
　基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。
　接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
　接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
　トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金などが挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。
　透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層、及び、発光デバイスが有する導電層（画素電極または共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。
　各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。
＜表示装置１００Ｂ＞
　図７４に示す表示装置１００Ｂは、ボトムエミッション型である点で、表示装置１００Ａと主に相違する。なお、表示装置１００Ａと同様の部分については説明を省略する。
　発光デバイスが発する光は、基板１５１側に射出される。基板１５１は、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。基板１５１は、可視光及び赤外光に対する透過性が高い材料を用いることがさらに好ましい。一方、基板１５２に用いる材料の透光性は問わない。受光デバイスには、基板１５１を介して光が入射する。
　基板１５１とトランジスタ２０７との間、基板１５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１１７を形成することが好ましい。図７４では、基板１５１上に遮光層１１７が設けられ、遮光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０７、２０５などが設けられている例を示す。
　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態６）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図７５乃至図８１を用いて説明する。
　本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。
＜表示モジュール＞
　図７５Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ｃと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ｃに限られず、後述する表示装置１００Ｄまたは表示装置１００Ｅであってもよい。
　表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。
　図７５Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。
　画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図７５Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、発光色が互いに異なる発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、及び受光デバイス１３０ｄを有する。発光デバイス及び受光デバイスは、図７５Ｂに示すようにストライプ配列で配置することができる。また、デルタ配列、または、ペンタイル配列など様々な発光デバイスの配列方法を適用することができる。
　画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。
　１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する発光デバイスの発光、及び受光デバイスの受光を制御する回路である。例えば、１つの画素２８４ａが、３つの発光デバイス及び１つの受光デバイスを有する場合、１つの画素回路２８３ａは、３つの発光デバイスの発光及び１つの受光デバイスの受光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられ、１つの受光デバイスの受光を制御する回路が１つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースまたはドレインの一方にはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。画素回路２８３ａは、例えば、実施の形態１に記載の画素回路を適用することができる。
　回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。
　ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号または電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。
　表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、５００ｐｐｉ以上、好ましくは１０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは２０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは３０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。
　このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。
＜表示装置１００Ｃ＞
　図７６に示す表示装置１００Ｃは、基板３０１、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、受光デバイス１３０ｄ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。
　基板３０１は、図７５Ａ及び図７５Ｂにおける基板２９１に相当する。
　トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられ、絶縁層として機能する。
　基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。
　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。
　容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は容量２４０の誘電体として機能する。
　導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。
　容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、受光デバイス１３０ｄ等が設けられている。画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、画素電極１１１ｄ、ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、及び受光層１１３ｄの側面は、それぞれ、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。ＥＬ層１１３ａ、ＥＬ層１１３ｂ、ＥＬ層１１３ｃ、受光層１１３ｄ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に、層１１４が設けられ、層１１４上に共通電極１１５が設けられている。また、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、及び受光デバイス１３０ｄ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には保護層１３２が設けられており、保護層１３２上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要素についての詳細は、前述の記載を参照することができる。
　絶縁層２５５ａ、２５５ｂとしては、それぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａとしては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂとしては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用いることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａとして酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂとして窒化シリコン膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。または、絶縁層２５５ａとして、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用い、絶縁層２５５ｂとして、酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いてもよい。本実施の形態では、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられている例を示すが、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられていなくてもよい。
　発光デバイスの画素電極は、絶縁層２５５ａ、２５５ｂに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｂの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。
＜表示装置１００Ｄ＞
　図７７に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ｃと主に相違する。なお、表示装置１００Ｃと同様の部分については説明を省略することがある。
　トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。
　トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。
　基板３３１は、図７５Ａ及び図７５Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｂまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基板または半導体基板を用いることができる。
　基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。
　絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。
　半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。
　一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。
　一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。
　絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。
　導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。
　絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。
　一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。
　表示装置１００Ｄにおける、絶縁層２５４から基板１２０までの構成は、表示装置１００Ｃと同様である。
＜表示装置１００Ｅ＞
　図７８に示す表示装置１００Ｅは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。なお、表示装置１００Ｃ、１００Ｄと同様の部分については説明を省略することがある。
　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。
　トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。
　このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。
＜表示装置１００Ｆ＞
　図７９に示す表示装置１００Ｆは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。
　表示装置１００Ｆは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０及び各発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。
　基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂを貫通するプラグ３４３が設けられる。また、プラグ３４３は、基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の表面）に設けられる導電層３４２と電気的に接続されている。一方、基板３０１Ａには、絶縁層２６１上に導電層３４１が設けられている。
　導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。
　導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。なお、導電層３４１と導電層３４２とは、バンプを介して接合されてもよい。
＜表示装置１００Ｇ＞
　図８０に示す表示装置１００Ｇは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。
　トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置１００Ｄを援用することができる。
　なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。
＜トランジスタの構成例＞
　以下では、上記表示装置に適用することのできるトランジスタの断面構成例について説明する。
　図８１Ａは、トランジスタ４１０を含む断面図である。
　トランジスタ４１０は、基板４０１上に設けられ、半導体層に多結晶シリコンを適用したトランジスタである。例えばトランジスタ４１０は、図４０Ｂに示す画素８１のトランジスタＭ１２に対応する。すなわち、図８１Ａは、トランジスタ４１０のソース及びドレインの一方が、発光デバイスの導電層４３１と電気的に接続されている例である。
　トランジスタ４１０は、半導体層４１１、絶縁層４１２、導電層４１３等を有する。半導体層４１１は、チャネル形成領域４１１ｉ及び低抵抗領域４１１ｎを有する。半導体層４１１は、シリコンを有する。半導体層４１１は、多結晶シリコンを有することが好ましい。絶縁層４１２の一部は、ゲート絶縁層として機能する。導電層４１３の一部は、ゲート電極として機能する。
　なお、半導体層４１１は、半導体特性を示す金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を含む構成とすることもできる。このとき、トランジスタ４１０は、ＯＳトランジスタと呼ぶことができる。
　低抵抗領域４１１ｎは、不純物元素を含む領域である。例えばトランジスタ４１０をｎチャネル型のトランジスタとする場合には、低抵抗領域４１１ｎにリン、ヒ素などを添加すればよい。一方、ｐチャネル型のトランジスタとする場合には、低抵抗領域４１１ｎにホウ素、アルミニウムなどを添加すればよい。また、トランジスタ４１０のしきい値電圧を制御するため、チャネル形成領域４１１ｉに、上述した不純物が添加されていてもよい。
　基板４０１上に、絶縁層４２１が設けられている。半導体層４１１は、絶縁層４２１上に設けられている。絶縁層４１２は、半導体層４１１及び絶縁層４２１を覆って設けられている。導電層４１３は、絶縁層４１２上の、半導体層４１１と重なる位置に設けられている。
　導電層４１３及び絶縁層４１２を覆って絶縁層４２２が設けられる。絶縁層４２２上には、導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂが設けられる。導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、絶縁層４２２及び絶縁層４１２に設けられた開口部において、低抵抗領域４１１ｎと電気的に接続されている。導電層４１４ａの一部は、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、導電層４１４ｂの一部は、ソース電極及びドレイン電極の他方として機能する。また、導電層４１４ａ、導電層４１４ｂ、及び絶縁層４２２を覆って、絶縁層４２３が設けられている。
　絶縁層４２３上には、画素電極として機能する導電層４３１が設けられる。導電層４３１は、絶縁層４２３上に設けられ、絶縁層４２３に設けられた開口において、導電層４１４ｂと電気的に接続されている。ここでは省略するが、導電層４３１上には、ＥＬ層及び共通電極を積層することができる。
　図８１Ｂには、一対のゲート電極を有するトランジスタ４１０ａを示す。図８１Ｂに示すトランジスタ４１０ａは、導電層４１５、及び絶縁層４１６を有する点で、図８１Ａと主に相違している。
　導電層４１５は、絶縁層４２１上に設けられている。また、導電層４１５及び絶縁層４２１を覆って、絶縁層４１６が設けられている。半導体層４１１は、少なくともチャネル形成領域４１１ｉが、絶縁層４１６を介して導電層４１５と重なるように設けられている。
　図８１Ｂに示すトランジスタ４１０ａにおいて、導電層４１３の一部が第１のゲート電極として機能し、導電層４１５の一部が第２のゲート電極として機能する。またこのとき、絶縁層４１２の一部が第１のゲート絶縁層として機能し、絶縁層４１６の一部が第２のゲート絶縁層として機能する。
　ここで、第１のゲート電極と、第２のゲート電極とを電気的に接続する場合、図示しない領域において、絶縁層４１２及び絶縁層４１６に設けられた開口部を介して導電層４１３と導電層４１５とを電気的に接続すればよい。また、第２のゲート電極と、ソースまたはドレインとを電気的に接続する場合、図示しない領域において、絶縁層４２２、絶縁層４１２、及び絶縁層４１６に設けられた開口部を介して、導電層４１４ａまたは導電層４１４ｂと、導電層４１５とを電気的に接続すればよい。
　画素８１を構成するトランジスタの全てに、ＬＴＰＳトランジスタを適用する場合、図８１Ａで例示したトランジスタ４１０、または図８１Ｂで例示したトランジスタ４１０ａを適用することができる。このとき、画素８１を構成する全てのトランジスタに、トランジスタ４１０ａを用いてもよいし、全てのトランジスタにトランジスタ４１０を適用してもよいし、トランジスタ４１０ａと、トランジスタ４１０とを組み合わせて用いてもよい。
　以下では、半導体層にシリコンが適用されたトランジスタと、半導体層に金属酸化物が適用されたトランジスタの両方を有する構成の例について説明する。
　図８１Ｃに、トランジスタ４１０ａ及びトランジスタ４５０を含む、断面概略図を示している。
　トランジスタ４１０ａについては、上記構成例１を援用できる。なお、ここではトランジスタ４１０ａを用いる例を示したが、トランジスタ４１０とトランジスタ４５０とを有する構成としてもよいし、トランジスタ４１０、トランジスタ４１０ａ、トランジスタ４５０の全てを有する構成としてもよい。
　トランジスタ４５０は、半導体層に金属酸化物を適用したトランジスタである。図８１Ｃに示す構成は、例えばトランジスタ４５０が画素８１のトランジスタＭ１１に対応し、トランジスタ４１０ａがトランジスタＭ１２に対応する例である。すなわち、図８１Ｃは、トランジスタ４１０ａのソース及びドレインの一方が、導電層４３１と電気的に接続されている例である。
　図８１Ｃには、トランジスタ４５０が一対のゲートを有する例を示している。
　トランジスタ４５０は、導電層４５５、絶縁層４２２、半導体層４５１、絶縁層４５２、導電層４５３等を有する。導電層４５３の一部は、トランジスタ４５０の第１のゲートとして機能し、導電層４５５の一部は、トランジスタ４５０の第２のゲートとして機能する。このとき、絶縁層４５２の一部はトランジスタ４５０の第１のゲート絶縁層として機能し、絶縁層４２２の一部は、トランジスタ４５０の第２のゲート絶縁層として機能する。
　導電層４５５は、絶縁層４１２上に設けられている。絶縁層４２２は、導電層４５５を覆って設けられている。半導体層４５１は、絶縁層４２２上に設けられている。絶縁層４５２は、半導体層４５１及び絶縁層４２２を覆って設けられている。導電層４５３は、絶縁層４５２上に設けられ、半導体層４５１及び導電層４５５と重なる領域を有する。
　絶縁層４２６が絶縁層４５２及び導電層４５３を覆って設けられている。絶縁層４２６上には、導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂが設けられる。導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂは、絶縁層４２６及び絶縁層４５２に設けられた開口部において、半導体層４５１と電気的に接続されている。導電層４５４ａの一部は、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、導電層４５４ｂの一部は、ソース電極及びドレイン電極の他方として機能する。また、導電層４５４ａ、導電層４５４ｂ、及び絶縁層４２６を覆って、絶縁層４２３が設けられている。
　ここで、トランジスタ４１０ａと電気的に接続する導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、導電層４５４ａ及び導電層４５４ｂと、同一の導電膜を加工して形成することが好ましい。図８１Ｃでは、導電層４１４ａ、導電層４１４ｂ、導電層４５４ａ、及び導電層４５４ｂが、同一面上に（すなわち絶縁層４２６の上面に接して）形成され、且つ、同一の金属元素を含む構成を示している。このとき、導電層４１４ａ及び導電層４１４ｂは、絶縁層４２６、絶縁層４５２、絶縁層４２２、及び絶縁層４１２に設けられた開口を介して、低抵抗領域４１１ｎと電気的に接続する。これにより、作製工程を簡略化できるため好ましい。
　トランジスタ４１０ａの第１のゲート電極として機能する導電層４１３と、トランジスタ４５０の第２のゲート電極として機能する導電層４５５とは、同一の導電膜を加工して形成することが好ましい。図８１Ｃでは、導電層４１３と導電層４５５とが、同一面上に（すなわち絶縁層４１２の上面に接して）形成され、且つ、同一の金属元素を含む構成を示している。これにより、作製工程を簡略化できるため好ましい。
　図８１Ｃでは、トランジスタ４５０の第１のゲート絶縁層として機能する絶縁層４５２が、半導体層４５１の端部を覆う構成としたが、図８１Ｄに示すトランジスタ４５０ａのように、絶縁層４５２が、導電層４５３と上面形状が一致または概略一致するように加工されていてもよい。
　なお、本明細書等において「上面形状が概略一致」とは、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なることをいう。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、または、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も「上面形状が概略一致」という。
　なお、ここではトランジスタ４１０ａが、トランジスタＭ１２に対応し、画素電極と電気的に接続する例を示したが、これに限られない。例えば、トランジスタ４５０またはトランジスタ４５０ａが、トランジスタＭ１２に対応する構成としてもよい。このとき、トランジスタ４１０ａは、トランジスタＭ１１、トランジスタＭ１３、またはその他のトランジスタに対応する。
　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態７）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図８２乃至図８５を用いて説明する。
　本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。
　電子機器として、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。
　特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器として、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。
　本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。
　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。
　図８２Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることができる携帯情報端末機である。
　電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。
　表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
　図８２Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。
　筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。
　保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。
　表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。
　表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。
　図８３Ａにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。
　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
　図８３Ａに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。
　なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
　図８３Ｂに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。
　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
　図８３Ｃ及び図８３Ｄに、デジタルサイネージの一例を示す。
　図８３Ｃに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
　図８３Ｄは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。
　図８３Ｃ及び図８３Ｄにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
　表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。
　表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。
　図８３Ｃ及び図８３Ｄに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。
　デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。
　図８４Ａ乃至図８４Ｆに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。
　図８４Ａ乃至図８４Ｆに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
　図８４Ａ乃至図８４Ｆに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
　図８４Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図８４Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例として、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。
　図８４Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。
　図８４Ｃは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。
　図８４Ｄ乃至図８４Ｆは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図８４Ｄは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図８４Ｆは折り畳んだ状態、図８４Ｅは図８４Ｄと図８４Ｆの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
　本発明の一態様である表示装置、及び電子機器は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、車両の内装もしくは外装に組み込むことができる。
　本発明の一態様の表示装置を車両への搭載した例を、図８５に示す。図８５に示す車両は、ダッシュボード５００２に、表示装置５０００ａ、表示装置５０００ｂ、及び表示装置５０００ｃが搭載されている。また、運転席側の天井５００４に、表示装置５０００ｄが搭載されている。なお、図８５は、表示装置５０００ｄが右ハンドルの車両に搭載された例を示すが、特に限定されず、左ハンドルの車両に搭載することもできる。この場合、図８５に示す構成の左右の配置が替わる。図８５は、運転席と助手席の周辺に配置されるハンドル５００６、フロントガラス５００８などを示している。
　表示装置５０００ａ乃至表示装置５０００ｄのいずれか一または複数は、ニアタッチセンサ機能を有することが好ましい。ニアタッチセンサ機能を有することにより、ユーザーは表示装置を凝視せずに表示装置を操作することができる。特に、運転手は、視線を前方から大きく外すことなく、表示装置を操作することができ、運転時及び停車時の安全性を高めることができる。表示装置５０００ａ乃至表示装置５０００ｄの表示部の対角線の長さは、５インチ以上、好ましくは１０インチ以上であることが好ましい。表示装置５０００ａ乃至表示装置５０００ｄとして、例えば、表示部の対角線の長さが１３インチ程度の表示装置を好適に用いることができる。
　なお、表示装置５０００ａ乃至表示装置５０００ｄは、可撓性を有していてもよい。可撓性を有することで、組み込む対象が曲面の場合であっても、曲面に沿って組み込むことができる。例えば、表示装置をダッシュボード５００２、または天井５００４などの曲面に沿って設ける構成とすることができる。
　車外に、カメラ５００５を複数設けてもよい。カメラ５００５を設けることで、車両の周囲、例えば、後側方の状況を撮影することができる。図８５は、サイドミラーの代わりにカメラ５００５を設置する例を示しているが、サイドミラーとカメラの両方を設置してもよい。
　カメラ５００５は、ＣＣＤカメラ、ＣＭＯＳカメラなどを用いることができる。また、これらのカメラに加えて、赤外線カメラを組み合わせて用いてもよい。赤外線カメラは、被写体の温度が高いほど出力レベルが高くなるため、人、動物等の生体を検知又は抽出することができる。
　カメラ５００５で撮像された画像は、表示装置５０００ａ乃至表示装置５０００ｄのいずれか一または複数に出力することができる。表示装置５０００ａ乃至表示装置５０００ｄを用いて主に車両の運転を支援する。カメラ５００５によって後側方の状況を幅広い画角で撮影し、その画像を表示装置５０００ａ乃至表示装置５０００ｄのいずれか一または複数に表示することで、運転者の死角領域の視認が可能となり、事故の発生を防止することができる。
　車のルーフ上などに距離画像センサを設け、距離画像センサによって得られた画像を表示装置５０００ａ乃至表示装置５０００ｄのいずれか一または複数に表示してもよい。距離画像センサは、イメージセンサ、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）などを用いることができる。イメージセンサによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを表示装置５０００ａ乃至表示装置５０００ｄのいずれか一または複数に表示することにより、より多くの情報を運転手に提供し、運転を支援することができる。
　表示装置５０００ａ乃至表示装置５０００ｄのいずれか一または複数は、地図情報、交通情報、テレビ映像、ＤＶＤ映像などを表示する機能を有していてもよい。
　表示装置５０００ａ乃至表示装置５０００ｄの少なくとも一つに、撮像機能を有する表示パネルが適用されることが好ましい。例えば、運転手が当該表示パネルに触れることで、車両は指紋認証、掌紋認証などの生体認証を行うことができる。車両は、生体認証によって運転手が認証された場合に、個人の好みの環境を整える機能を有していてもよい。例えば、シート位置の調整、ハンドル位置の調整、カメラ５００５の向きの調整、明るさの設定、エアコンの設定、ワイパーの速度（頻度）の設定、オーディオの音量の設定、オーディオの再生リストの読出しなどの一以上を、認証後に実行することが好ましい。
　生体認証によって運転手が認証された場合に、自動車を運転可能な状態、例えばエンジンがかかった状態とすることもでき、従来必要であった鍵が不要となるため好ましい。
　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
＜本明細書等の記載に関する付記＞
　以上の実施の形態、及び実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。
　各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一態様とすることができる。また、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
　なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを行うことが出来る。
　なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
　なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
　また本明細書等において、ブロック図では、構成要素を機能毎に分類し、互いに独立したブロックとして示している。しかしながら実際の回路等においては、構成要素を機能毎に切り分けることが難しく、一つの回路に複数の機能が係わる場合、あるいは、複数の回路にわたって一つの機能が関わる場合、があり得る。そのため、ブロック図のブロックは、明細書で説明した構成要素に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
　また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、説明の便宜上任意の大きさに示したものである。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は明確性を期すために模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば、ノイズによる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。
　本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、「ソース又はドレインの一方」（又は第１電極、又は第１端子）、「ソース又はドレインの他方」（又は第２電極、又は第２端子）という表記を用いる。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース（ドレイン）端子、またはソース（ドレイン）電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。
　また、本明細書等において「電極」および「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。さらに、「電極」および「配線」の用語は、複数の「電極」および「配線」が一体となって形成されている場合なども含む。
　また、本明細書等において、電圧と電位は、適宜言い換えることができる。電圧は、基準となる電位からの電位差のことであり、例えば基準となる電位をグラウンド電圧（接地電圧）とすると、電圧を電位に言い換えることができる。グラウンド電位は必ずしも０Ｖを意味するとは限らない。なお電位は相対的なものであり、基準となる電位によっては、配線等に与える電位を変化させる場合がある。
　なお本明細書等において、「膜」、「層」などの語句は、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
　本明細書等において、スイッチとは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。または、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。
　本明細書等において、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲートとが重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとの間の距離をいう。
　本明細書等において、チャネル幅とは、例えば、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。
　また、本明細書等において、ＸとＹとが接続されていると記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図又は文章に示された接続関係に限定されず、図又は文章に示された接続関係以外のものも、図又は文章に開示されているものとする。Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、及び層）であるとする。
　ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示デバイス、発光デバイス、及び負荷）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、又は、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。
　なお、ＸとＹとの間に、素子と電源線（例えば、ＶＤＤ（高電源電位）、ＶＳＳ（低電源電位）、ＧＮＤ（接地電位）、又は所望の電位を与える配線）との両方が配置されている場合には、ＸとＹとが電気的に接続されている、とは規定しないものとする。なお、ＸとＹとの間に電源線のみが配置されている場合には、ＸとＹとの間に別の素子がないため、ＸとＹとは、直接接続されている、ということになる。よって、ＸとＹとの間に、電源線のみが配置されている場合には、「ＸとＹとは、電気的に接続されている」ともいえる。しかし、ＸとＹとの間に、素子と電源線の両方が配置されている場合には、Ｘと電源線とが（素子を介して）電気的に接続されており、Ｙと電源線とが電気的に接続されている、ということになるが、ＸとＹとは、電気的に接続されている、とは規定されない。なお、ＸとＹとの間に、トランジスタのゲートとソースとを介している場合には、ＸとＹとが電気的に接続されている、とは規定しないものとする。なお、ＸとＹとの間に、トランジスタのゲートとドレインとを介している場合には、ＸとＹとが電気的に接続されている、とは規定しないものとする。つまり、トランジスタの場合には、ＸとＹとの間に、トランジスタのドレインとソースとを介している場合には、ＸとＹとが電気的に接続されている、と規定するものとする。なお、ＸとＹとの間に、容量素子が配置されている場合には、ＸとＹとが電気的に接続されている、と規定する場合と規定しない場合がある。例えば、デジタル回路又はロジック回路の構成において、ＸとＹとの間に、容量素子が配置されている場合には、ＸとＹとが電気的に接続されている、とは規定しない場合がある。一方、例えば、アナログ回路の構成において、ＸとＹとの間に、容量素子が配置されている場合には、ＸとＹとが電気的に接続されている、と規定する場合がある。
　ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（デジタルアナログ変換回路、アナログデジタル変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅又は電流量などを大きくできる回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。
　なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）と、を含むものとする。
　また、例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（別言すると、例えば、第１の端子など）とドレイン（別言すると例えば、第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース、トランジスタのドレイン、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。又は、「トランジスタのソースは、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレインはＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース、トランジスタのドレイン、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。又は、「Ｘは、トランジスタのソースとドレインとを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース、トランジスタのドレイン、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソースと、ドレインとを、区別して、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
ＡＣＬ：配線、Ｃ１１：容量、Ｃ２１：容量、ＧＬ：配線、Ｍ１１：トランジスタ、Ｍ１２：トランジスタ、Ｍ１３：トランジスタ、Ｍ１５：トランジスタ、Ｍ１６：トランジスタ、Ｍ１７：トランジスタ、Ｍ１８：トランジスタ、ＲＬ：配線、ＲＳ：配線、ＴＸ：配線、Ｖ１１：配線、Ｖ１２：配線、Ｖ１３：配線、ＷＸ：配線、１０：表示装置、１１：発光デバイス、１２：受光デバイス、１５：電極、１７：ＥＬ層、１９：受光層、２３：基板、８０：画素、８１：画素、８２：画素

Claims (9)

  1. 　電源線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、発光デバイスと、受光デバイスと、を有し、
    　前記発光デバイスは、第１の電極と、発光層と、第１の電子輸送層と、電子注入層と、第２の電極と、をこの順で積層して有し、
    　前記受光デバイスは、第３の電極と、活性層と、第１の正孔輸送層と、前記電子注入層と、前記第２の電極と、をこの順で積層され、
    　前記第１の電極は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
    　前記第２の電極は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
    　前記電源線は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方及び前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に電気的に接続される、表示装置。
  2. 　電源線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、発光デバイスと、受光デバイスと、を有し、
    　前記発光デバイスは、第１の電極と、発光層と、第１の電子輸送層と、電子注入層と、第２の電極と、をこの順で積層して有し、
    　前記受光デバイスは、第３の電極と、活性層と、第１の正孔輸送層と、前記電子注入層と、前記第２の電極と、をこの順で積層され、
    　前記第１の電極は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
    　前記第２の電極は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
    　前記電源線は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方及び前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に電気的に接続され、
    　前記電源線の電位は、前記第２の電極の電位より高い、表示装置。
  3. 　請求項１または請求項２において、
    　前記第１の電極及び前記第３の電極は、同一面上に設けられる表示装置。
  4. 　請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    　前記発光デバイスは、前記第１の電極と前記発光層の間に、第２の正孔輸送層を有する表示装置。
  5. 　請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    　前記受光デバイスは、前記第３の電極と前記活性層の間に、第２の電子輸送層を有する表示装置。
  6. 　請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
    　前記発光デバイスは、可視光を射出する機能を有し、
    　前記受光デバイスは、可視光を検出する機能を有する表示装置。
  7. 　請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    　前記発光デバイスは、赤外光を射出する機能を有し、
    　前記受光デバイスは、赤外光を検出する機能を有する表示装置。
  8. 　請求項１乃至７のいずれか一に記載の表示装置と、コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュール。
  9. 　請求項８に記載の表示モジュールと、筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器。
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