WO2022185150A1 - 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法 - Google Patents
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- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
Abstract
Description
図2Aは、表示装置の一例を示す上面図である。図2Bは、表示装置の一例を示す断面図である。
図3A乃至図3Fは、画素の一例を示す上面図である。
図4A乃至図4Fは、画素の一例を示す上面図である。
図5A乃至図5Gは、画素の一例を示す上面図である。
図6A乃至図6Dは、画素の一例を示す上面図である。
図7A乃至図7Dは、画素の一例を示す上面図である。図7E乃至図7Gは、表示装置の一例を示す断面図である。
図8A乃至図8Cは、表示装置の作製方法の一例を示す上面図である。
図9A乃至図9Cは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図10A乃至図10Cは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図11A乃至図11Cは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図12A及び図12Bは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図13A乃至図13Cは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図14A乃至図14Dは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図15A乃至図15Cは、表示装置の一例を示す断面図である。
図16A及び図16Bは、表示装置の一例を示す断面図である。
図17A及び図17Bは、表示装置の一例を示す断面図である。
図18A及び図18Bは、表示装置の一例を示す断面図である。
図19は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図20Aは、表示装置の一例を示す断面図である。図20B及び図20Cは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図21は、表示装置の一例を示す断面図である。
図22A及び図22Bは、表示モジュールの一例を示す斜視図である。
図23は、表示装置の一例を示す断面図である。
図24は、表示装置の一例を示す断面図である。
図25は、表示装置の一例を示す断面図である。
図26Aは、表示装置の一例を示すブロック図である。図26B乃至図26Dは、画素回路の一例を示す図である。
図27A乃至図27Dは、トランジスタの一例を示す図である。
図28A及び図28Bは、電子機器の一例を示す図である。
図29A及び図29Bは、電子機器の一例を示す図である。
図30A及び図30Bは、電子機器の一例を示す図である。
図31A乃至図31Dは、電子機器の一例を示す図である。
図32A乃至図32Gは、電子機器の一例を示す図である。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置とその作製方法について図1乃至図14を用いて説明する。
図1A及び図1Bに、本発明の一態様の表示装置を示す。
次に、図1A及び図2Aとは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Sストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。
次に、図8乃至図14を用いて表示装置の作製方法例を説明する。図8A乃至図8Cは、表示装置の作製方法を示す上面図である。図9A乃至図9Cには、図1Aにおける一点鎖線X1−X2間の断面図と、Y1−Y2間の断面図と、を並べて示す。図10乃至図13についても、図9と同様である。図14には、図1Aにおける一点鎖線X1−X2間の断面図を示す。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に適用することができる発光デバイスの構成例について図15乃至図18を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図19乃至図21を用いて説明する。
図19に、表示装置100Aの斜視図を示し、図20Aに、表示装置100Aの断面図を示す。
図21に示す表示装置100Bは、ボトムエミッション構造である点で、表示装置100Aと主に相違する。なお、表示装置100Aと同様の部分については説明を省略する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図22乃至図25を用いて説明する。
図22Aに、表示モジュール280の斜視図を示す。表示モジュール280は、表示装置100Cと、FPC290と、を有する。なお、表示モジュール280が有する表示装置は表示装置100Cに限られず、後述する表示装置100Dまたは表示装置100Eであってもよい。
図23に示す表示装置100Cは、基板301、発光デバイス130a、130b、130c、容量240、及び、トランジスタ310を有する。
図24に示す表示装置100Dは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置100Cと主に相違する。なお、表示装置100Cと同様の部分については説明を省略することがある。
図25に示す表示装置100Eは、基板301にチャネルが形成されるトランジスタ310と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ320とが積層された構成を有する。なお、表示装置100C、100Dと同様の部分については説明を省略することがある。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に適用することのできるトランジスタの構成例について説明する。特に、チャネルが形成される半導体にシリコンを含むトランジスタを用いる場合について説明する。
図26Aに、表示装置10のブロック図を示す。表示装置10は、表示部11、駆動回路部12、駆動回路部13などを有する。
図26Bに、上記副画素21R、副画素21G、及び副画素21Bに適用することのできる画素21の回路図の一例を示す。画素21は、トランジスタM1、トランジスタM2、トランジスタM3、容量C1、及び発光デバイスELを有する。また、画素21には、配線GL及び配線SLが電気的に接続される。配線SLは、図26Aで示した配線SLR、配線SLG、及び配線SLBのうちのいずれかに対応する。
以下では、上記表示装置に適用することのできるトランジスタの断面構成例について説明する。
図27Aは、トランジスタ410を含む断面図である。
図27Bには、一対のゲート電極を有するトランジスタ410aを示す。図27Bに示すトランジスタ410aは、導電層415、及び絶縁層416を有する点で、図27Aと主に相違している。
以下では、半導体層にシリコンが適用されたトランジスタと、半導体層に金属酸化物が適用されたトランジスタの両方を有する構成の例について説明する。
本実施の形態では、上記の実施の形態で説明したOSトランジスタに用いることができる金属酸化物(酸化物半導体ともいう)について説明する。
酸化物半導体の結晶構造としては、アモルファス(completely amorphousを含む)、CAAC(c−axis−aligned crystalline)、nc(nanocrystalline)、CAC(cloud−aligned composite)、単結晶(single crystal)、及び多結晶(polycrystal)等が挙げられる。
なお、酸化物半導体は、構造に着目した場合、上記とは異なる分類となる場合がある。例えば、酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、上述のCAAC−OS、及びnc−OSがある。また、非単結晶酸化物半導体には、多結晶酸化物半導体、擬似非晶質酸化物半導体(a−like OS:amorphous−like oxide semiconductor)、非晶質酸化物半導体、などが含まれる。
CAAC−OSは、複数の結晶領域を有し、当該複数の結晶領域はc軸が特定の方向に配向している酸化物半導体である。なお、特定の方向とは、CAAC−OS膜の厚さ方向、CAAC−OS膜の被形成面の法線方向、またはCAAC−OS膜の表面の法線方向である。また、結晶領域とは、原子配列に周期性を有する領域である。なお、原子配列を格子配列とみなすと、結晶領域とは、格子配列の揃った領域でもある。さらに、CAAC−OSは、a−b面方向において複数の結晶領域が連結する領域を有し、当該領域は歪みを有する場合がある。なお、歪みとは、複数の結晶領域が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。つまり、CAAC−OSは、c軸配向し、a−b面方向には明らかな配向をしていない酸化物半導体である。
nc−OSは、微小な領域(例えば、1nm以上10nm以下の領域、特に1nm以上3nm以下の領域)において原子配列に周期性を有する。別言すると、nc−OSは、微小な結晶を有する。なお、当該微小な結晶の大きさは、例えば、1nm以上10nm以下、特に1nm以上3nm以下であることから、当該微小な結晶をナノ結晶ともいう。また、nc−OSは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。従って、nc−OSは、分析方法によっては、a−like OSまたは非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、nc−OS膜に対し、XRD装置を用いて構造解析を行うと、θ/2θスキャンを用いたOut−of−plane XRD測定では、結晶性を示すピークが検出されない。また、nc−OS膜に対し、ナノ結晶よりも大きいプローブ径(例えば50nm以上)の電子線を用いる電子線回折(制限視野電子線回折ともいう。)を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、nc−OS膜に対し、ナノ結晶の大きさと近いかナノ結晶より小さいプローブ径(例えば1nm以上30nm以下)の電子線を用いる電子線回折(ナノビーム電子線回折ともいう。)を行うと、ダイレクトスポットを中心とするリング状の領域内に複数のスポットが観測される電子線回折パターンが取得される場合がある。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。a−like OSは、鬆または低密度領域を有する。即ち、a−like OSは、nc−OS及びCAAC−OSと比べて、結晶性が低い。また、a−like OSは、nc−OS及びCAAC−OSと比べて、膜中の水素濃度が高い。
次に、上述のCAC−OSの詳細について、説明を行う。なお、CAC−OSは材料構成に関する。
CAC−OSとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、0.5nm以上10nm以下、好ましくは、1nm以上3nm以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つまたは複数の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、0.5nm以上10nm以下、好ましくは、1nm以上3nm以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。
続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。
ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図28乃至図32を用いて説明する。
Claims (16)
- 第1の発光デバイス、第2の発光デバイス、絶縁層、及び、第1の側壁を有し、
前記第1の発光デバイスは、第1の画素電極、前記第1の画素電極上の第1の発光層、及び、前記第1の発光層上の共通電極を有し、
前記第2の発光デバイスは、第2の画素電極、前記第2の画素電極上の第2の発光層、及び、前記第2の発光層上の前記共通電極を有し、
前記第1の画素電極の端部、及び、前記第2の画素電極の端部は、それぞれ、前記絶縁層によって覆われており、
前記第1の側壁は、前記絶縁層上に位置し、かつ、前記第1の発光層の側面を覆う、表示装置。 - 請求項1において、
第2の側壁を有し、
前記第2の側壁は、前記第1の側壁を介して、前記第1の発光層の側面と重なる、表示装置。 - 請求項1または2において、
前記第1の発光デバイスは、前記第1の発光層と前記共通電極との間に、共通層を有し、
前記第2の発光デバイスは、前記第2の発光層と前記共通電極との間に、前記共通層を有し、
前記共通層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層の少なくとも一つを有する、表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記第1の発光デバイスと前記第2の発光デバイスとは、互いに異なる色の光を発する、表示装置。 - 第1の発光デバイス、第2の発光デバイス、絶縁層、及び、第1の側壁を有し、
前記第1の発光デバイスは、第1の画素電極と、前記第1の画素電極上の第1の発光ユニットと、前記第1の発光ユニット上の第1の電荷発生層と、前記第1の電荷発生層上の第2の発光ユニットと、前記第2の発光ユニット上の共通電極と、を有し、
前記第2の発光デバイスは、第2の画素電極と、前記第2の画素電極上の第3の発光ユニットと、前記第3の発光ユニット上の第2の電荷発生層と、前記第2の電荷発生層上の第4の発光ユニットと、前記第4の発光ユニット上の前記共通電極と、を有し、
前記第1の画素電極の端部、及び、前記第2の画素電極の端部は、それぞれ、前記絶縁層によって覆われており、
前記第1の発光デバイスと前記第2の発光デバイスとは、互いに異なる色の光を発する機能を有し、
前記第1の側壁は、少なくとも前記第1の電荷発生層の側面を覆う、表示装置。 - 請求項5において、
前記第1の発光ユニットと前記第2の発光ユニットは、それぞれ第1の色の光を発し、
前記第3の発光ユニットと前記第4の発光ユニットは、それぞれ第2の色の光を発する、表示装置。 - 第1の発光デバイス、第2の発光デバイス、第3の発光デバイス、絶縁層、及び、第1の側壁を有し、
前記第1の発光デバイスは、第1の画素電極と、前記第1の画素電極上の第1の発光ユニットと、前記第1の発光ユニット上の第1の電荷発生層と、前記第1の電荷発生層上の第2の発光ユニットと、前記第2の発光ユニット上の共通電極と、を有し、
前記第2の発光デバイスは、第2の画素電極と、前記第2の画素電極上の第3の発光ユニットと、前記第3の発光ユニット上の第2の電荷発生層と、前記第2の電荷発生層上の第4の発光ユニットと、前記第4の発光ユニット上の前記共通電極と、を有し、
前記第3の発光デバイスは、第3の画素電極と、前記第3の画素電極上の第5の発光ユニットと、前記第5の発光ユニット上の第3の電荷発生層と、前記第3の電荷発生層上の第6の発光ユニットと、前記第6の発光ユニット上の前記共通電極と、を有し、
前記第1の画素電極の端部、前記第2の画素電極の端部、及び、前記第3の画素電極の端部は、それぞれ、前記絶縁層によって覆われており、
前記第1の発光デバイス、前記第2の発光デバイス、及び前記第3の発光デバイスは、それぞれ異なる色の光を発する機能を有し、
前記第1の側壁は、少なくとも前記第1の電荷発生層の側面を覆う、表示装置。 - 請求項7において、
前記第1の発光ユニットと前記第2の発光ユニットは、それぞれ第1の色の光を発し、
前記第3の発光ユニットと前記第4の発光ユニットは、それぞれ第2の色の光を発し、
前記第5の発光ユニットと前記第6の発光ユニットは、それぞれ第3の色の光を発する、表示装置。 - 請求項8において、
前記第1の色は、赤色であり、
前記第2の色は、緑色であり、
前記第3の色は、青色である、表示装置。 - 請求項5乃至9のいずれか一において、
第2の側壁を有し、
前記第2の側壁は、前記第1の側壁を介して、前記第1の電荷発生層の側面と重なる、表示装置。 - 請求項1乃至10のいずれか一に記載の表示装置と、
コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュール。 - 請求項11に記載の表示モジュールと、
筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器。 - 第1の画素電極、及び、第2の画素電極を形成し、
前記第1の画素電極の端部、及び、前記第2の画素電極の端部を覆う、絶縁層を形成し、
前記第1の画素電極上、前記第2の画素電極上、及び前記絶縁層上に、第1の層を形成し、
前記第1の層上に、第1の犠牲層を形成し、
前記第1の層及び前記第1の犠牲層を加工して、前記絶縁層及び前記第2の画素電極それぞれの少なくとも一部を露出させ、
前記第1の画素電極上、前記第2の画素電極上、及び前記絶縁層上に、第2の層を形成し、
前記第2の層上に、第2の犠牲層を形成し、
前記第2の層及び前記第2の犠牲層を加工して、前記絶縁層及び前記第1の犠牲層それぞれの少なくとも一部を露出させ、
少なくとも前記第1の層の側面、前記第2の層の側面、前記第1の犠牲層の側面及び上面、並びに、前記第2の犠牲層の側面及び上面を覆う、第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜を加工することで、前記第1の層の側面を覆う第1の側壁を形成し、
前記第1の犠牲層及び前記第2の犠牲層を除去し、
前記第1の層上及び前記第2の層上に、共通電極を形成する、表示装置の作製方法。 - 第1の画素電極、及び、第2の画素電極を形成し、
前記第1の画素電極の端部、及び、前記第2の画素電極の端部を覆う、絶縁層を形成し、
前記第1の画素電極上、前記第2の画素電極上、及び前記絶縁層上に、第1の層を形成し、
前記第1の層上に、第1の犠牲層を形成し、
前記第1の層及び前記第1の犠牲層を加工して、前記絶縁層及び前記第2の画素電極それぞれの少なくとも一部を露出させ、
前記第1の画素電極上、前記第2の画素電極上、及び前記絶縁層上に、第2の層を形成し、
前記第2の層上に、第2の犠牲層を形成し、
前記第2の層及び前記第2の犠牲層を加工して、前記絶縁層及び前記第1の犠牲層それぞれの少なくとも一部を露出させ、
少なくとも前記第1の層の側面、前記第2の層の側面、前記第1の犠牲層の側面及び上面、並びに、前記第2の犠牲層の側面及び上面を覆う、第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を加工することで、前記第1の層の側面を覆う第1の側壁と、前記第1の側壁上の第2の側壁と、を形成し、
前記第1の犠牲層及び前記第2の犠牲層を除去し、
前記第1の層上及び前記第2の層上に、共通電極を形成する、表示装置の作製方法。 - 請求項13または14において、
前記第1の犠牲層として、第1の犠牲膜と、前記第1の犠牲膜上の第2の犠牲膜と、を形成し、
前記第2の犠牲膜上に、第1のレジストマスクを形成した後、前記第1のレジストマスクを用いて、前記第2の犠牲膜を加工し、
前記第1のレジストマスクを除去し、
前記加工された第2の犠牲膜をハードマスクに用いて、前記第1の犠牲膜を加工し、
前記加工された第1の犠牲膜をハードマスクに用いて、前記第1の層を加工する、表示装置の作製方法。 - 請求項13乃至15のいずれか一において、
前記第1の犠牲層及び前記第2の犠牲層を除去した後に、前記第1の層上及び前記第2の層上に、第3の層を形成し、
前記第3の層上に、前記共通電極を形成する、表示装置の作製方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005518080A (ja) * | 2002-02-15 | 2005-06-16 | ビヤング チュー パク | 有機半導体装置及びその製造方法 |
JP2011103222A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Seiko Epson Corp | 有機el素子、有機el素子の製造方法、有機el装置、電子機器 |
JP2020047602A (ja) * | 2014-05-30 | 2020-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2021007104A (ja) * | 2009-05-29 | 2021-01-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005518080A (ja) * | 2002-02-15 | 2005-06-16 | ビヤング チュー パク | 有機半導体装置及びその製造方法 |
JP2021007104A (ja) * | 2009-05-29 | 2021-01-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 |
JP2011103222A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Seiko Epson Corp | 有機el素子、有機el素子の製造方法、有機el装置、電子機器 |
JP2020047602A (ja) * | 2014-05-30 | 2020-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
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WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 18548350 Country of ref document: US |
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NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
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122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 22762685 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |