WO2023275654A1 - 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

光検出機能を有し、高精細な表示装置を提供する。 第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、第１の方向に繰り返し配置された表示部を有し、第１の配列パターンでは、第１の副画素及び第２の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されており、第２の配列パターンでは、第３の副画素、第４の副画素、及び、第５の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されており、第１の副画素乃至第４の副画素は、それぞれ、発光デバイスを有し、第５の副画素は、受光デバイスを有する、表示装置である。４つの副画素が有する発光デバイスのうち、３つまたは全部が、同一の構成のＥＬ層を有することができる。

Description

表示装置、表示モジュール、及び電子機器

本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び電子機器に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ）、入出力装置（例えば、タッチパネル）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

近年、表示装置の高精細化が求められている。高精細な表示装置が要求される機器として、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、または複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器があり、近年盛んに開発されている。これらの機器に用いる表示装置には、高精細化とあわせて小型化が要求されている。

表示装置としては、例えば、発光デバイス（発光素子）を有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと記す）現象を利用した発光デバイス（ＥＬデバイス、ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、及び、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。

例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に記載されている。特許文献１の表示装置のように、高い表示品位が求められる場合、高画素数、高精細の表示装置が必要となる場合がある。

国際公開第２０１９／２２０２７８号

仮想現実（ＶＲ）向けの機器、及び、拡張現実（ＡＲ）向けの機器には、特許文献１に示すような、表示品位が高い表示装置が求められている。この場合、眼鏡型、またはゴーグル型のように、装着型の筐体において表示を行う構成となるため、表示装置の小型化及び軽量化が重要な要素となる。装着型の筐体では、例えば、表示装置のサイズを概ね２ｉｎｃｈ以下、または１ｉｎｃｈ以下などまでに小さくする必要がある。

また、ＶＲ向けの機器及びＡＲ向けの機器では、センサを用いた多機能化も進められている。

本発明の一態様は、光検出機能を有し、高精細な表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、光検出機能を有し、高解像度の表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、光検出機能を有し、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、第１の方向に繰り返し配置された表示部を有し、第１の配列パターンでは、第１の副画素及び第２の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されており、第２の配列パターンでは、第３の副画素、第４の副画素、及び、第５の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されており、第１の副画素乃至第４の副画素は、それぞれ、発光デバイスを有し、第５の副画素は、受光デバイスを有する、表示装置である。

第３の副画素、第４の副画素、及び、第５の副画素における長手方向は、第１の方向であることが好ましい。

第１の副画素における長手方向は、第２の方向であることが好ましい。

第２の副画素は、赤外光を呈し、第１の副画素乃至第５の副画素の中で開口率が最も低いことが好ましい。

本発明の一態様は、第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、第１の方向に繰り返し配置された表示部を有し、第１の配列パターンでは、第１の副画素、第２の副画素、及び、第３の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されており、第２の配列パターンでは、第４の副画素、及び、第５の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されており、第１の副画素乃至第４の副画素は、それぞれ、発光デバイスを有し、第５の副画素は、受光デバイスを有する、表示装置である。

第１の副画素、第２の副画素、及び、第３の副画素における長手方向は、第１の方向であることが好ましい。

第５の副画素における長手方向は、第２の方向であることが好ましい。

第４の副画素は、赤外光を呈し、第１の副画素乃至第５の副画素の中で開口率が最も低いことが好ましい。

本発明の一態様は、第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、第４の副画素、及び、第５の副画素を有する画素を有し、第１の副画素は、第１の発光デバイス及び第１の着色層を有し、第２の副画素は、第２の発光デバイス及び第２の着色層を有し、第３の副画素は、第３の発光デバイス及び第３の着色層を有し、第４の副画素は、第４の発光デバイスを有し、第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第３の発光デバイスは、第３の画素電極と、第３の画素電極上の第３のＥＬ層と、第３のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第４の発光デバイスは、第４の画素電極と、第４の画素電極上の第４のＥＬ層と、第４のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第１のＥＬ層乃至第３のＥＬ層は、いずれも同一の構成を有し、かつ、互いに離隔されており、第１の着色層乃至第３の着色層は、それぞれ異なる色の光を透過し、第４の副画素は、赤外光を呈し、第５の副画素は、受光デバイスを有し、受光デバイスは、第１の副画素乃至第４の副画素のうち少なくとも一つが呈する光を検出する機能を有する、表示装置である。

本発明の一態様は、第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、第４の副画素、及び、第５の副画素を有する画素を有し、第１の副画素は、第１の発光デバイス及び第１の着色層を有し、第２の副画素は、第２の発光デバイス及び第２の着色層を有し、第３の副画素は、第３の発光デバイス及び第３の着色層を有し、第４の副画素は、第４の発光デバイス及び第４の着色層を有し、第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第３の発光デバイスは、第３の画素電極と、第３の画素電極上の第３のＥＬ層と、第３のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第４の発光デバイスは、第４の画素電極と、第４の画素電極上の第４のＥＬ層と、第４のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第１のＥＬ層乃至第４のＥＬ層は、いずれも同一の構成を有し、かつ、互いに離隔されており、第１の着色層乃至第３の着色層は、それぞれ異なる色の光を透過し、第４の着色層は、第１の着色層乃至第３の着色層のうちいずれか２つ以上を積層して有し、第５の副画素は、受光デバイスを有し、受光デバイスは、第１の副画素乃至第４の副画素のうち少なくとも一つが呈する光を検出する機能を有する、表示装置である。

本発明の一態様は、上記いずれかの構成の表示装置を有し、フレキシブルプリント回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ、以下、ＦＰＣと記す）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクタが取り付けられた表示モジュール、またはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式もしくはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により集積回路（ＩＣ）が実装された表示モジュール等の表示モジュールである。

本発明の一態様は、上記の表示モジュールと、筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する電子機器である。

本発明の一態様により、光検出機能を有し、高精細な表示装置を提供できる。本発明の一態様により、光検出機能を有し、高解像度の表示装置を提供できる。本発明の一態様により、光検出機能を有し、信頼性の高い表示装置を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１は、表示装置の一例を示す上面図である。
図２Ａ乃至図２Ｅは、画素の一例を示す上面図である。
図３Ａ及び図３Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図４Ａ及び図４Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図５Ａ及び図５Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図６Ａ乃至図６Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図７Ａ乃至図７Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図８Ａ及び図８Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図９Ａ乃至図９Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｃは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１３Ａ乃至図１３Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１４Ａ及び図１４Ｂは、表示装置の一例を示す斜視図である。
図１５は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１６は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１７は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１８は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１９は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２０は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２１は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図２２Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図２２Ｂ及び図２２Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｄは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２４Ａ乃至図２４Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図２５Ａ及び図２５Ｂは、受光デバイスの構成例を示す図である。図２５Ｃ乃至図２５Ｅは、表示装置の構成例を示す図である。
図２６Ａ乃至図２６Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図２７Ａ乃至図２７Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図２８Ａ乃至図２８Ｇは、電子機器の一例を示す図である。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチングパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、及び、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、及び、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、及び、範囲などに限定されない。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。

本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

本明細書等では、発光波長が異なる発光デバイスで発光層を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上及び信頼性の向上を図ることが容易となる。

本明細書等において、正孔または電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層または電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層または電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層または電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つまたは３つの機能を兼ねる場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１乃至図１０を用いて説明する。

本発明の一態様の表示装置は、第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、第１の方向に繰り返し配置された表示部を有する。第１の配列パターンでは、第１の副画素及び第２の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されている。第２の配列パターンでは、第３の副画素、第４の副画素、及び、第５の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されている。第１の副画素乃至第４の副画素は、それぞれ、発光デバイスを有し、第５の副画素は、受光デバイスを有する。

また、本発明の一態様の表示装置は、第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、第１の方向に繰り返し配置された表示部を有する。第１の配列パターンでは、第１の副画素、第２の副画素、及び、第３の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されている。第２の配列パターンでは、第４の副画素、及び、第５の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されている。第１の副画素乃至第４の副画素は、それぞれ、発光デバイスを有し、第５の副画素は、受光デバイスを有する。

例えば、第１の副画素乃至第４の副画素の組み合わせとしては、それぞれ、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、赤外（ＩＲ）の光を呈する構成が挙げられる。また、当該４つの副画素の組み合わせとしては、それぞれ、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、赤外（ＩＲ）の光を呈する構成も挙げられる。

第５の副画素としては、可視光及び赤外光の少なくとも一方を検出する構成が挙げられる。

本発明の一態様の表示装置は、画素に、発光デバイス及び受光デバイスを有する。本発明の一態様の表示装置では、表示部が受光機能を有するため、表示部を用いて撮像を行うことができる。例えば、表示部では、画像を表示しながら、撮像を行うことができる。また、表示部では、一部の副画素で、光源としての光を呈し、他の一部の副画素で光検出を行い、他の副画素で画像を表示することもできる。

画素に５種類の副画素を有する場合、表示装置の作製工程が複雑となり、製造コストが増大することがある。そこで、本発明の一態様の表示装置では、表示デバイスとして機能する発光デバイスには、同一の構成のＥＬ層を用い、副画素が呈する色ごとに着色層を作り分けることで、フルカラー表示を実現する。

例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂの光を呈する副画素は、いずれも同一の構成のＥＬ層を有する発光デバイス（例えば、白色発光の発光デバイス）を用い、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれの着色層を作り分けることで実現することができる。このとき、ＩＲの光を呈する副画素には、赤外光を発する発光デバイスを用いる。

具体的には、本発明の一態様は、第１の副画素乃至第５の副画素を有する画素を有し、第１の副画素は、第１の発光デバイス及び第１の着色層を有し、第２の副画素は、第２の発光デバイス及び第２の着色層を有し、第３の副画素は、第３の発光デバイス及び第３の着色層を有し、第４の副画素は、第４の発光デバイスを有し、第１の発光デバイス乃至第３の発光デバイスは、いずれも同一の構成のＥＬ層を有し、第１の着色層乃至第３の着色層は、それぞれ異なる色の光を透過し、第４の副画素は、赤外光を呈し、第５の副画素は、受光デバイスを有し、受光デバイスは、第１の副画素乃至第４の副画素のうち少なくとも一つが呈する光を検出する機能を有する、表示装置である。

また、Ｒ、Ｇ、Ｂ、ＩＲの光を呈する副画素に、同一の構成のＥＬ層を有する発光デバイスを用いてもよい。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ、ＩＲの光を呈する副画素は、いずれも白色と赤外光の双方を発する発光デバイスを用い、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれの着色層を作り分けることで実現することができる。なお、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち２以上の着色層を積層することで可視光が遮られ、ＩＲの光を呈する副画素を実現することができる。

具体的には、本発明の一態様は、第１の副画素乃至第５の副画素を有する画素を有し、第１の副画素は、第１の発光デバイス及び第１の着色層を有し、第２の副画素は、第２の発光デバイス及び第２の着色層を有し、第３の副画素は、第３の発光デバイス及び第３の着色層を有し、第４の副画素は、第４の発光デバイス及び第４の着色層を有し、第１の着色層乃至第３の着色層は、それぞれ異なる色の光を透過し、第４の着色層は、第１の着色層乃至第３の着色層のうちいずれか２つ以上を積層して有し、第１の発光デバイス乃至第４の発光デバイスは、いずれも同一の構成のＥＬ層を有し、第５の副画素は、受光デバイスを有し、受光デバイスは、第１の副画素乃至第４の副画素のうち少なくとも一つが呈する光を検出する機能を有する、表示装置である。

ここで、発光デバイスを有する副画素には、島状の発光層を設け、受光デバイスを有する副画素には、島状の活性層（光電変換層ともいう）を設ける。また、Ｒ、Ｇ、Ｂの光を呈する副画素と、ＩＲの光を呈する副画素で、異なる構成の発光デバイスを用いる場合は、発光デバイスによって島状の発光層を作り分ける。このように、本発明の一態様の表示装置においては、副画素の機能に応じて、島状の発光層と島状の活性層とを作り分ける必要がある。

なお、本明細書等において、島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた２以上の層が、物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層とが、物理的に分離されている状態であることを示す。

また、同一の構成のＥＬ層を有する発光デバイスを用いる場合、発光デバイスに含まれる画素電極以外の層（例えば発光層など）を、複数の副画素で共通にすることができる。そのため、複数の副画素が一続きの膜を共有することができる。しかしながら、発光デバイスに含まれる層には、比較的導電性が高い層もある。複数の副画素が、導電性が高い層を一続きの膜として共有することで、副画素間にリーク電流が発生する場合がある。特に、表示装置が高精細化または高開口率化され、副画素間の距離が小さくなると、当該リーク電流は無視できない大きさになり、表示装置の表示品位の低下などを引き起こす恐れがある。

そこで、本発明の一態様の表示装置では、各副画素において、ＥＬ層を構成する層の少なくとも一部を島状に形成する。ＥＬ層を構成する層の少なくとも一部が、副画素ごとに分離されていることで、互いに隣接する副画素間のクロストークの発生を抑制することができる。これにより、表示装置の高精細化と高い表示品位の両立を図ることができる。

例えば、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、島状の発光層を成膜することができる。しかし、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の発光層の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。また、蒸着の際に、層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがある。つまり、島状の発光層は場所によって厚さにばらつきが生じることがある。また、大型、高解像度、または高精細な表示装置を作製する場合、メタルマスクの寸法精度の低さ、及び、熱等による変形により、製造歩留まりが低くなる懸念がある。

そこで、本発明の一態様の表示装置を作製する際には、発光層をメタルマスクなどのシャドーマスクを用いることなく、フォトリソグラフィ法により、微細なパターンに加工する。具体的には、副画素ごとに画素電極を形成した後、複数の画素電極にわたって発光層を成膜する。その後、当該発光層を、フォトリソグラフィ法を用いて加工し、１つの画素電極に対して１つの島状の発光層を形成する。これにより、発光層が副画素ごとに分割され、副画素ごとに島状の発光層を形成することができる。

なお、上記発光層を島状に加工する場合、発光層の直上でフォトリソグラフィ法を用いて加工する構造が考えられる。当該構造の場合、発光層にダメージ（加工によるダメージなど）が入り、信頼性が著しく損なわれる場合がある。そこで、本発明の一態様の表示装置を作製する際には、発光層よりも上方に位置する層（例えば、キャリア輸送層、またはキャリア注入層、より具体的には電子輸送層、または電子注入層など）の上に、犠牲層（マスク層と呼称してもよい）などを形成し、発光層を島状に加工する方法を用いることが好ましい。当該方法を適用することで、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

このように、本発明の一態様の表示装置の作製方法で作製される島状の発光層は、精細なパターンを有するメタルマスクを用いて形成されるのではなく、発光層を一面に成膜した後に加工することで形成される。具体的には、当該島状の発光層は、フォトリソグラフィ法などを用いて分割され微細化されたサイズである。そのため、メタルマスクを用いて形成可能なサイズよりも小さくすることができる。したがって、これまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。

なお、フォトリソグラフィ法を用いた発光層の加工については、回数が少ない方が、製造コストの削減及び製造歩留まりの向上が可能であるため好ましい。本発明の一態様の表示装置の作製方法では、フォトリソグラフィ法を用いた発光層の加工回数を２回または３回とすることができるため、歩留まりよく表示装置を作製できる。

隣り合う発光デバイスの間隔について、例えばメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、上記方法によれば、１０μｍ未満、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。また、例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで隣り合う発光デバイスの間隔を狭めることもできる。これにより、２つの発光デバイス間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、開口率は、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

また、発光層自体のパターン（加工サイズともいえる）についても、メタルマスクを用いた場合に比べて極めて小さくすることができる。また、例えば発光層の作り分けにメタルマスクを用いた場合では、発光層の中央と端で厚さのばらつきが生じるため、発光層の面積に対して、発光領域として使用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さに成膜した膜を加工するため、島状の発光層を均一の厚さで形成することができる。したがって、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域として用いることができる。そのため、高い精細度と高い開口率を兼ね備えた表示装置を作製することができる。

受光デバイスについても、発光デバイスと同様に前述の作製方法を適用することができる。受光デバイスが有する島状の活性層は、精細なパターンを有するメタルマスクを用いて形成されるのではなく、活性層となる膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の活性層を均一の厚さで形成することができる。また、活性層上に犠牲層を設けることで、表示装置の作製工程中に活性層が受けるダメージを低減し、受光デバイスの信頼性を高めることができる。

本発明の一態様の表示装置の作製方法については、実施の形態２で詳述する。

［画素レイアウト例］
図１に、表示装置１００の上面図を示す。表示装置１００は、複数の画素１１０がマトリクス状に配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。１つの画素１１０は、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲ、１１０Ｓの、５つの副画素から構成される。

図１では、上面視で、接続部１４０が表示部の下側に位置する例を示すが、接続部１４０の位置は特に限定されない。接続部１４０は、上面視で、表示部の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。接続部１４０の上面形状としては、帯状、Ｌ字状、Ｕ字状、または枠状などとすることができる。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。なお、本明細書等において、上面形状とは、平面視における形状、つまり、上から見た形状のことをいう。

図１等に示す副画素の上面形状は、発光領域または受光領域の上面形状に相当する。

なお、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。

また、副画素を構成する回路レイアウトは、図１等に示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。例えば、副画素１１０Ｒが有するトランジスタは、図１に示す副画素１１０Ｒの範囲内に位置してもよく、一部または全てが副画素１１０Ｒの範囲外に位置してもよい。

図１では、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。画素１１０は、１行目に、副画素１１０Ｒを有し、２行目に、副画素１１０Ｇを有し、この２行にわたって副画素１１０Ｂを有する。また、３行目に、２つの副画素（副画素１１０ＩＲ、１１０Ｓ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｓ）を有し、右の列（２列目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｂ、１１０ＩＲ）を有する。

図１に示す表示部では、第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、Ｘ方向に繰り返し配置されているということもできる。第１の配列パターンでは、副画素１１０Ｂ及び副画素１１０ＩＲが、Ｙ方向に繰り返し配置されている。第２の配列パターンでは、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び、副画素１１０Ｓが、この順でＹ方向に繰り返し配置されている。

副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び、副画素１１０Ｓにおける長手方向（長辺方向ともいう）は、Ｘ方向である。副画素１１０Ｂにおける長手方向は、Ｙ方向である。

副画素１１０Ｒは、赤色の光を呈する。副画素１１０Ｇは、緑色の光を呈する。副画素１１０Ｂは、青色の光を呈する。副画素１１０ＩＲは、赤外光を呈する。副画素１１０Ｓは、少なくとも赤外光を検出する。副画素１１０Ｓは、赤外光と可視光の双方を検出できてもよい。

副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲは、それぞれ、発光デバイスを有し、副画素１１０Ｓは、受光デバイスを有する。

発光デバイスとしては、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。発光デバイスが有する発光物質（発光材料とも記す）としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）等が挙げられる。また、発光物質として、無機化合物（量子ドット材料等）を用いることもできる。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。

発光デバイスの発光色は、赤外、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄、または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度を高めることができる。

発光デバイスの構成及び材料については、実施の形態４を参照することができる。

受光デバイスとしては、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。受光デバイスは、受光デバイスに入射する光を検出し電荷を発生させる光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）として機能する。受光デバイスに入射する光量に基づき、受光デバイスから発生する電荷量が決まる。

受光デバイスは、可視光及び赤外光の一方または双方を検出することができる。可視光を検出する場合、例えば、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの光のうち一つまたは複数を検出することができる。赤外光を検出する場合、暗い場所でも対象物の検出が可能となり、好ましい。

特に、受光デバイスとして、有機化合物を含む層を有する有機フォトダイオードを用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な表示装置に適用できる。

受光デバイスの構成及び材料については、実施の形態５を参照することができる。

画素は、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂを用いて、フルカラー表示を行うことができる。副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂのレイアウトは、いわゆるＳストライプ配列となっている。これにより、高い表示品位を実現することができる。

副画素１１０ＩＲは、光源として用いることができ、副画素１１０ＩＲが発する赤外光を、副画素１１０Ｓが検出できる。副画素１１０ＩＲは、５つの副画素の中で開口率が最も低くてもよい。

図１では、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０Ｓの開口率（サイズ、発光領域または受光領域のサイズともいえる）を等しくまたは概略等しく示すが、本発明の一態様はこれに限定されない。副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲ、１１０Ｓの開口率は、それぞれ適宜決定することができる。副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲ、１１０Ｓの開口率は、それぞれ、異なっていてもよく、２つ以上が等しいまたは概略等しくてもよい。

副画素１１０Ｓは、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂの少なくとも一つよりも開口率が高くてもよい。例えば、表示装置の精細度、及び、副画素の回路構成等によっては、副画素１１０Ｓのサイズが、他の副画素のサイズに比べて大きくなる場合がある。

また、副画素１１０Ｓは、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂの少なくとも一つよりも開口率が低くてもよい。副画素１１０Ｓの受光面積が狭いと、撮像範囲が狭くなり、撮像結果のボケの抑制、及び、解像度の向上が可能となる。そのため、高精細または高解像度の撮像を行うことができ、好ましい。

図１では、５つの副画素のうち、副画素１１０ＩＲの開口率が最も低い例を示す。例えば、副画素１１０ＩＲは光源として用いるため、パッシブマトリクス駆動方式で発光デバイスを発光させてもよい。つまり、副画素１１０ＩＲにトランジスタなどを設けなくてもよく、副画素１１０ＩＲのサイズを小さくすることができる。

図２Ａ乃至図２Ｅに、画素１１０の他の構成例を示す。

図２Ａ乃至図２Ｅに示す画素１１０は、それぞれ、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲ、１１０Ｓの、５つの副画素から構成される。

図２Ａに示す画素１１０は、図１に示す画素１１０において、副画素１１０Ｒと副画素１１０Ｇの位置を入れ替えた構成である。

図２Ａに示す画素１１０は、１行目に、副画素１１０Ｇを有し、２行目に、副画素１１０Ｒを有し、この２行にわたって副画素１１０Ｂを有する。また、３行目に、２つの副画素（副画素１１０ＩＲ、１１０Ｓ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｇ、１１０Ｒ、１１０Ｓ）を有し、右の列（２列目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｂ、１１０ＩＲ）を有する。

図２Ｂに示す画素１１０は、図１に示す画素１１０において、副画素１１０Ｂと副画素１１０ＩＲのサイズを等しくした構成である。

図２Ｂに示す画素１１０は、１行目に、副画素１１０Ｒを有し、２行目に、副画素１１０Ｇを有し、３行目に、副画素１１０Ｓを有する。副画素１１０Ｂは、１行目から２行目の途中にまで設けられ、副画素１１０ＩＲは２行目の途中から３行目にまで設けられている。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｇ、１１０Ｒ、１１０Ｓ）を有し、右の列（２列目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｂ、１１０ＩＲ）を有する。

図２Ｃに示す画素１１０は、図２Ａに示す画素１１０において、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇに比べて、副画素１１０Ｓのサイズを大きくした構成である。

図２Ｃに示す画素１１０は、１行目に、副画素１１０Ｒを有し、２行目に、副画素１１０Ｇを有し、この２行にわたって副画素１１０Ｂを有する。また、３行目に、２つの副画素（副画素１１０ＩＲ、１１０Ｓ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｓ）を有し、右の列（２列目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｂ、１１０ＩＲ）を有する。

図２Ａ乃至図２Ｃに示す画素１１０を有する表示部では、図１と同様に、第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、Ｘ方向に繰り返し配置されているということもできる。図１、図２Ｂ、及び図２Ｃでは、第１の配列パターンは、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｓが、この順でＹ方向に繰り返し配置され、図２Ａでは、副画素１１０Ｇ、１１０Ｒ、１１０Ｓの順で配置される。副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｓにおける長手方向は、Ｘ方向である。第２の配列パターンでは、副画素１１０Ｂ、１１０ＩＲが、Ｙ方向に繰り返し配置されており、副画素１１０Ｂにおける長手方向は、Ｙ方向である。

図２Ｂ及び図２Ｃに示す画素１１０は、副画素１１０Ｂの開口率と副画素１１０ＩＲの開口率とが等しいまたは概略等しい。また、図２Ｃでは、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇに比べて、副画素１１０Ｓの開口率が高い。図２Ｃに示す画素１１０では、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲ、１１０Ｓのうち、副画素１１０Ｓの開口率が最も高い。一方、図２Ｂでは、副画素１１０Ｇ、１１０Ｒ、１１０Ｓの開口率が等しいまたは概略等しい例を示す。

図２Ｄ及び図２Ｅでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。画素１１０は、１行目に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ）を有し、２行目に、２つの副画素（副画素１１０ＩＲ、１１０Ｓ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒを有し、中央の列（２列目）に、副画素１１０Ｇを有し、左の列から中央の列にわたって副画素１１０Ｓを有する。また、右の列（３列目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｂ、１１０ＩＲ）を有する。

図２Ｄ及び図２Ｅに示す画素１１０を有する表示部では、第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、Ｙ方向に繰り返し配置されているということもできる。第１の配列パターンでは、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂが、Ｘ方向に繰り返し配置されている。第２の配列パターンでは、副画素１１０ＩＲ、１１０Ｓが、Ｘ方向に繰り返し配置されている。

副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂにおける長手方向は、Ｙ方向である。副画素１１０Ｓにおける長手方向は、Ｘ方向である。

画素は、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂを用いて、フルカラー表示を行うことができる。図２Ｄ及び図２Ｅに示す画素１１０において、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂのレイアウトは、いわゆるストライプ配列となっている。これにより、高い表示品位を実現することができる。

副画素１１０ＩＲは、光源として用いることができ、副画素１１０ＩＲが発する赤外光を、副画素１１０Ｓが検出できる。

図２Ｄに示す画素１１０は、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０Ｓの開口率がいずれも等しいまたは概略等しい。また、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲ、１１０Ｓのうち、副画素１１０ＩＲの開口率が最も低い。

図２Ｅに示す画素１１０は、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲの開口率がいずれも等しいまたは概略等しい。また、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲ、１１０Ｓのうち、副画素１１０Ｓの開口率が最も高い。

なお、図２Ｂに示す副画素１１０Ｂ、１１０ＩＲのように、図２Ｄまたは図２Ｅにおける副画素１１０ＩＲ、１１０Ｓの開口率を等しくまたは概略等しくしてもよい。

［断面構造例］
図３乃至図１０に、本発明の一態様の表示装置の断面図の一例を示す。

図３Ａに、図１における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を示し、図３Ｂに、図１における一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図を示す。図４Ａ及び図４Ｂに、図１における一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を示す。

図３Ａ及び図３Ｂに示す表示装置は、赤色の光を呈する副画素１１０Ｒ、緑色の光を呈する副画素１１０Ｇ、少なくとも赤外光を検出する副画素１１０Ｓ、青色の光を呈する副画素１１０Ｂ、及び、赤外光を呈する副画素１１０ＩＲを有する。

本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。本実施の形態では、主に、トップエミッション型の表示装置を例に挙げて説明する。

副画素１１０Ｒは、発光デバイス１３０Ｒと、赤色の光を透過する着色層１３２Ｒと、を有する。これにより、発光デバイス１３０Ｒの発光は、着色層１３２Ｒを介して表示装置の外部に赤色の光として取り出される。

同様に、副画素１１０Ｇは、発光デバイス１３０Ｇと、緑色の光を透過する着色層１３２Ｇと、を有する。これにより、発光デバイス１３０Ｇの発光は、着色層１３２Ｇを介して表示装置の外部に緑色の光として取り出される。

また、副画素１１０Ｂは、発光デバイス１３０Ｂと、青色の光を透過する着色層１３２Ｂと、を有する。これにより、発光デバイス１３０Ｂの発光は、着色層１３２Ｂを介して表示装置の外部に青色の光として取り出される。

副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂを用いて、フルカラー表示を行うことができる。

副画素１１０ＩＲは、赤外光を発する発光デバイス１３０ＩＲを有する。そのため、発光デバイス１３０ＩＲの発光は、着色層を介さなくとも、表示装置の外部に赤外光として取り出される。

ここで、赤外光の波長としては、７５０ｎｍ以上とすることができ、好ましくは７８０ｎｍ以上である。赤外光としては、特に７５０ｎｍ以上２５００ｎｍ以下の波長の近赤外光を用いることが好ましい。

副画素１１０Ｓは、受光デバイス１５０を有する。副画素１１０Ｓが検出する光の波長は特に限定されない。副画素１１０Ｓは、可視光及び赤外光の少なくとも一方を検出する。光Ｌｉｎは、表示装置の外部から、基板１２０、樹脂層１２２、及び保護層１３１を介して、受光デバイス１５０に入射する。

副画素１１０Ｓは、特に、副画素１１０ＩＲが発する赤外光を検出することが好ましい。例えば、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂを用いて画像を表示しながら、副画素１１０ＩＲを光源として用いて、副画素１１０Ｓにて当該光源が発する光の反射光を検出することができる。

本発明の一態様では、発光デバイスとして有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイスとして有機フォトダイオードを用いる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。

発光デバイスは、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。受光デバイスは、一対の電極間に少なくとも光電変換層として機能する活性層を有する。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。

発光デバイス及び受光デバイスがそれぞれ有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。

受光デバイスは、画素電極と共通電極との間に逆バイアスをかけて駆動することで、受光デバイスに入射する光を検出し、電荷を発生させ、電流として取り出すことができる。

有機フォトダイオードは、有機ＥＬデバイスと共通の構成にできる層が多いため、共通の構成にできる層は一括で成膜することで、成膜工程数の増加を抑制することができる。

例えば、一対の電極のうち一方（共通電極）を、受光デバイス及び発光デバイスで共通の層とすることができる。また、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層の少なくとも１つを、受光デバイス及び発光デバイスで共通の層とすることが好ましい。

ここで、本発明の一態様の表示装置では、受光デバイスと発光デバイスとが共通で有する層（受光デバイスと発光デバイスとが共有する一続きの層、ともいえる）が存在する場合がある。このような層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが異なる場合がある。本明細書中では、発光デバイスにおける機能に基づいて構成要素を呼称することがある。例えば、正孔注入層は、発光デバイスにおいて正孔注入層として機能し、受光デバイスにおいて正孔輸送層として機能する。同様に、電子注入層は、発光デバイスにおいて電子注入層として機能し、受光デバイスにおいて電子輸送層として機能する。また、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが同一である場合もある。正孔輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、正孔輸送層として機能し、電子輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、電子輸送層として機能する。

発光デバイス１３０Ｒは、画素電極１１１ａ、第１の層１１３ａ、共通層１１４、及び、共通電極１１５を有する。また、発光デバイス１３０Ｇは、画素電極１１１ｂ、第１の層１１３ａ、共通層１１４、及び、共通電極１１５を有する。また、発光デバイス１３０Ｂは、画素電極１１１ｃ、第１の層１１３ａ、共通層１１４、及び、共通電極１１５を有する。受光デバイス１５０は、画素電極１１１ｄ、第２の層１１３ｂ、共通層１１４、及び、共通電極１１５を有する。また、発光デバイス１３０ＩＲは、画素電極１１１ｅ、第３の層１１３ｃ、共通層１１４、及び、共通電極１１５を有する。発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂが有する第１の層１１３ａは、互いに離隔されている。

本明細書等では、発光デバイスが有するＥＬ層のうち、発光デバイスごとに島状に設けられた層を第１の層１１３ａまたは第３の層１１３ｃと示し、複数の発光デバイスが共有して有する層を共通層１１４と示す。

図３Ａ及び図３Ｂに示す構成は、Ｒ、Ｇ、Ｂの光を呈する副画素には、いずれも同一の構成のＥＬ層を有する発光デバイスを用い、ＩＲの光を呈する副画素には、赤外光を発する発光デバイスを用いる場合の例である。

発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂにおいて、ＥＬ層の構成を同一とすることで、表示装置の作製工程を削減することができ、製造コストの低減及び製造歩留まりの向上が可能となる。

本実施の形態の発光デバイスには、シングル構造を適用してもよく、タンデム構造を適用してもよい。

第１の層１１３ａ及び第３の層１１３ｃは、それぞれ、少なくとも発光層を有する。また、第１の層１１３ａ及び第３の層１１３ｃは、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。

発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂは、第１の層１１３ａを有する。

例えば、第１の層１１３ａは、青色の光を発する発光材料と、青色よりも長波長の可視光を発する発光材料と、を有することができる。例えば、第１の層１１３ａは、青色の光を発する発光材料と、黄色の光を発する発光材料と、を有する構成、または、青色の光を発する発光材料と、緑色の光を発する発光材料と、赤色の光を発する発光材料と、を有する構成などを適用することができる。

発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂとしては、例えば、黄色（Ｙ）の光を発する発光層、及び、青色（Ｂ）の光を発する発光層の２つの発光層を有するシングル構造の発光デバイス、または、赤色（Ｒ）の光を発する発光層、緑色（Ｇ）の光を発する発光層、及び、青色の光を発する発光層の３つの発光層を有するシングル構造の発光デバイスを用いることができる。例えば、発光層の積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｒ、Ｇ、Ｂの３層構造、または、Ｒ、Ｂ、Ｇの３層構造などとすることができる。また、２つの発光層の間に他の層（バッファ層ともいう）が設けられていてもよい。バッファ層は、例えば、正孔輸送層または電子輸送層に用いることができる材料を用いて形成することができる。

また、タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、黄色の光を発する発光ユニットと、青色の光を発する発光ユニットとを有する２段タンデム構造、赤色と緑色の光を発する発光ユニットと、青色の光を発する発光ユニットとを有する２段タンデム構造、または、青色の光を発する発光ユニットと、黄色、黄緑色、または緑色の光と、赤色の光とを発する発光ユニットと、青色の光を発する発光ユニットとをこの順で有する３段タンデム構造などを適用することができる。例えば、発光ユニットの積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｂ、Ｙの２段構造、Ｂ、Ｘの２段構造、Ｂ、Ｙ、Ｂの３段構造、Ｂ、Ｘ、Ｂの３段構造が挙げられ、発光ユニットＸにおける発光層の積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｒ、Ｙの２層構造、Ｒ、Ｇの２層構造、Ｇ、Ｒの２層構造、Ｇ、Ｒ、Ｇの３層構造、または、Ｒ、Ｇ、Ｒの３層構造などとすることができる。また、２つの発光層の間に他の層が設けられていてもよい。

発光デバイス１３０ＩＲは、第３の層１１３ｃを有する。第３の層１１３ｃは、赤外光を発する発光材料を有する。

発光デバイス１３０ＩＲとしては、例えば、赤外光を発するシングル構造の発光デバイス、または、赤外光を発する発光ユニットを２以上有するタンデム構造の発光デバイスを用いることができる。

Ｒ、Ｇ、Ｂの光を呈する副画素と、ＩＲの光を呈する副画素とで、発光デバイスを作り分ける場合、発光デバイス１３０ＩＲを、主に赤外光を発する構成とすることができる。つまり、発光デバイス１３０ＩＲは、可視光の発光が極めて弱い、または、ほとんど発しない構成とすることができる。そのため、副画素１１０ＩＲに、可視光を遮るためのフィルタを設けなくてもよい。

タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、第１の層１１３ａまたは第３の層１１３ｃは、複数の発光ユニットを有する。各発光ユニットの間には、電荷発生層を設けることが好ましい。

発光ユニットは、少なくとも１層の発光層を有する。例えば、複数の発光ユニットが発する光が補色の関係であると、発光デバイスは、白色の光を発することができる。また、発光ユニットは、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。

なお、マイクロキャビティ構造を適用することで、白色の光を発する構成の発光デバイスは、赤色、緑色、青色、または赤外光などの特定の波長の光が強められて発光する場合もある。

例えば、第１の層１１３ａ及び第３の層１１３ｃは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層をこの順で有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層上に電子注入層を有していてもよい。

また、例えば、第１の層１１３ａ及び第３の層１１３ｃは、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層をこの順で有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層上に正孔注入層を有していてもよい。

第１の層１１３ａ及び第３の層１１３ｃは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。第１の層１１３ａ及び第３の層１１３ｃの表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

第２の層１１３ｂは、少なくとも活性層を有する。受光デバイスが有する第２の層１１３ｂは、発光デバイスが有する第１の層１１３ａ及び第３の層１１３ｃとは独立して作製することができるため、用いることができる材料の選択の幅が広い。なお、第２の層１１３ｂには、第１の層１１３ａ及び第３の層１１３ｃに用いることができる各種材料を用いてもよい。第２の層１１３ｂは、第１の層１１３ａ及び第３の層１１３ｃに用いることができる正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。

共通層１１４は、例えば電子注入層、または正孔注入層を有する。または、共通層１１４は、電子輸送層と電子注入層とを積層して有していてもよく、正孔輸送層と正孔注入層とを積層して有していてもよい。共通層１１４は、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０ＩＲ、及び受光デバイス１５０で共有されている。

画素電極の端部はテーパ形状を有することが好ましい。画素電極の端部がテーパ形状を有する場合、画素電極の側面に沿って設けられる第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃも、テーパ形状を有する。画素電極の側面をテーパ形状とすることで、画素電極の側面に沿って設けられる第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃの被覆性を高めることができる。また、画素電極の側面をテーパ形状とすることで、作製工程中の異物（例えば、ゴミ、またはパーティクルなどともいう）を、洗浄などの処理により除去することが容易となり好ましい。

なお、本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面または被形成面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面または被形成面とがなす角（テーパ角ともいう）が９０°未満である領域を有すると好ましい。

図３Ａ等において、画素電極１１１ａと第１の層１１３ａとの間、画素電極１１１ｂと第１の層１１３ａとの間、及び、画素電極１１１ｄと第２の層１１３ｂとの間は、それぞれ、絶縁層によって覆われていない。そのため、隣り合う発光デバイスの間隔、及び、隣り合う発光デバイスと受光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。また、当該絶縁層を形成するためのマスクも不要となり、表示装置の製造コストを削減することができる。

また、画素電極とＥＬ層との間に、画素電極の端部を覆う絶縁層を設けない構成、別言すると、画素電極とＥＬ層との間に絶縁層が設けられない構成とすることで、ＥＬ層からの発光を効率よく取り出すことができる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、視野角依存性を極めて小さくすることができる。視野角依存性を小さくすることで、表示装置における画像の視認性を高めることができる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、視野角（斜め方向から画面を見たときの、一定のコントラスト比が維持される最大の角度）を１００°以上１８０°未満、好ましくは１５０°以上１７０°以下の範囲とすることができる。なお、上記の視野角については、上下、及び左右のそれぞれに適用することができる。

また、共通電極１１５は、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０ＩＲ、及び受光デバイス１５０で共有されている。複数の発光デバイス及び受光デバイスが共通して有する共通電極１１５は、接続部１４０に設けられた導電層１２３と電気的に接続される（図４Ａ及び図４Ｂ参照）。導電層１２３には、画素電極と同じ材料及び同じ工程で形成された導電層を用いることが好ましい。

なお、図４Ａでは、導電層１２３上に共通層１１４が設けられ、共通層１１４を介して、導電層１２３と共通電極１１５とが電気的に接続されている例を示す。また、図４Ｂに示すように、接続部１４０には共通層１１４を設けなくてもよい。図４Ｂでは、導電層１２３と共通電極１１５とが直接、接続されている。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いることで、共通層１１４と、共通電極１１５とで成膜される領域を変えることができる。

図５Ａに、図１における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を示し、図５Ｂに、図１における一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図を示す。

図５Ａに示す断面構造は図３Ａと同様である。図５Ｂに示す断面構造は、発光デバイス１３０ＩＲが第３の層１１３ｃを有さず、第１の層１１３ａを有する点と、副画素１１０ＩＲに着色層１３２Ｖが設けられている点と、で、図３Ｂと異なる。

図５Ａ及び図５Ｂに示す構成は、Ｒ、Ｇ、Ｂ、ＩＲの光を呈する副画素に、いずれも同一の構成のＥＬ層を有する発光デバイスを用いる場合の例である。

発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０ＩＲにおいて、ＥＬ層の構成を同一とすることで、表示装置の作製工程を削減することができ、製造コストの低減及び製造歩留まりの向上が可能となる。

副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０Ｓの構成について、図３Ａ及び図３Ｂと同様である部分は詳細な説明を省略する。

副画素１１０ＩＲは、発光デバイス１３０ＩＲと、赤外光を透過する着色層１３２Ｖと、を有する。これにより、発光デバイス１３０ＩＲの発光は、着色層１３２Ｖを介して表示装置の外部に赤外光として取り出される。

着色層１３２Ｖは、可視光カットフィルタとしての機能を有する。図５Ｂでは、着色層１３２Ｖとして、着色層１３２Ｇと着色層１３２Ｒとを積層して有する例を示す。着色層１３２Ｖは、可視光を遮り、赤外光を透過する構成であれば特に限定されない。例えば、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂのうち２以上を積層して形成することで、着色層１３２Ｖを別途形成する場合に比べて工程を削減でき好ましい。

例えば、第１の層１１３ａは、青色の光を発する発光材料と、青色よりも長波長の可視光を発する発光材料と、赤外光を発する発光材料と、を有することができる。例えば、第１の層１１３ａは、青色の光を発する発光材料と、黄色の光を発する発光材料と、赤外光を発する発光材料と、を有する構成、または、青色の光を発する発光材料と、緑色の光を発する発光材料と、赤色の光を発する発光材料と、赤外光を発する発光材料と、を有する構成などを適用することができる。

発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０ＩＲとしては、例えば、黄色（Ｙ）の光を発する発光層、青色（Ｂ）の光を発する発光層、及び、赤外光（ＩＲ）を発する発光層の３つの発光層を有するシングル構造の発光デバイス、または、赤色（Ｒ）の光を発する発光層、緑色（Ｇ）の光を発する発光層、青色の光を発する発光層、及び、赤外光を発する発光層の４つの発光層を有するシングル構造の発光デバイスを用いることができる。例えば、発光層の積層数と色の順番としては、陽極側から、ＩＲ、Ｒ、Ｇ、Ｂの４層構造、または、ＩＲ、Ｒ、Ｂ、Ｇの４層構造などとすることができる。また、２つの発光層の間に他の層が設けられていてもよい。

また、タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、赤外光と黄色の光を発する発光ユニットと、青色の光を発する発光ユニットとを有する２段タンデム構造、赤外光を発する発光ユニットと、黄色の光を発する発光ユニットと、青色の光を発する発光ユニットとを有する３段タンデム構造、赤外光と赤色と緑色の光を発する発光ユニットと、青色の光を発する発光ユニットとを有する２段タンデム構造、赤外光を発する発光ユニットと、赤色と緑色の光を発する発光ユニットと、青色の光を発する発光ユニットとを有する３段タンデム構造、または、青色の光を発する発光ユニットと、黄色、黄緑色、または緑色の光と、赤色の光と、赤外光とを発する発光ユニットと、青色の光を発する発光ユニットとをこの順で有する３段タンデム構造などを適用することができる。例えば、上述のタンデム構造の発光ユニットの積層数と色の順番の構成例において、さらに、ＩＲの発光ユニットを追加した構成、または、発光ユニットＸに、ＩＲの光を発する発光層を追加した構成などを適用することができる。

図３Ａ及び図３Ｂ等に示すように、表示装置には、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層が設けられ、絶縁層上に発光デバイス及び受光デバイスが設けられ、これら発光デバイス及び受光デバイスを覆うように保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが設けられ、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイスの間の領域、及び、発光デバイスと受光デバイスとの間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

図３Ａ及び図３Ｂ等では、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の断面が複数示されているが、表示装置を上面から見た場合、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、それぞれ１つに繋がっている。つまり、表示装置は、例えば絶縁層１２５及び絶縁層１２７を１つずつ有する構成とすることができる。なお、表示装置は、互いに分離された複数の絶縁層１２５を有してもよく、また互いに分離された複数の絶縁層１２７を有してもよい。

トランジスタを含む層１０１には、例えば、基板に複数のトランジスタが設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。トランジスタ上の絶縁層は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。図３Ａ等では、トランジスタ上の絶縁層のうち、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ａ上の絶縁層２５５ｂ、及び、絶縁層２５５ｂ上の絶縁層２５５ｃを示している。これらの絶縁層は、隣接する発光デバイスの間、及び、発光デバイスと受光デバイスとの間に凹部を有していてもよい。図３Ａ等では、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられている例を示す。なお、トランジスタ上の絶縁層（絶縁層２５５ａ乃至絶縁層２５５ｃ）も、トランジスタを含む層１０１の一部とみなしてもよい。

絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂとしては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用いることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとして酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂとして窒化シリコン膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。

なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

トランジスタを含む層１０１の構成例は、実施の形態３及び実施の形態４で後述する。

発光デバイス及び受光デバイス上に保護層１３１を有することが好ましい。保護層１３１を設けることで、発光デバイス及び受光デバイスの信頼性を高めることができる。保護層１３１は単層構造でもよく、２層以上の積層構造であってもよい。

保護層１３１の導電性は問わない。保護層１３１としては、絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜の少なくとも一種を用いることができる。

保護層１３１が無機膜を有することで、共通電極１１５の酸化を防止する、発光デバイス及び受光デバイスに不純物（水分及び酸素等）が入り込むことを抑制する、等、発光デバイスの劣化を抑制し、表示装置の信頼性を高めることができる。

保護層１３１には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜等が挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜等が挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、及び酸化窒化アルミニウム膜等が挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、及び窒化酸化アルミニウム膜等が挙げられる。

特に、保護層１３１は、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を有することが好ましく、窒化絶縁膜を有することがより好ましい。

また、保護層１３１には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう）等を含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。

発光デバイスの発光を、保護層１３１を介して取り出す場合、保護層１３１は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。

保護層１３１としては、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、または、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造等を用いることができる。当該積層構造を用いることで、不純物（水及び酸素等）がＥＬ層側に入り込むことを抑制できる。

さらに、保護層１３１は、有機膜を有していてもよい。例えば、保護層１３１は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。

保護層１３１は、異なる成膜方法を用いて形成された２層構造であってもよい。具体的には、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて保護層１３１の第１層目を形成し、スパッタリング法を用いて保護層１３１の第２層目を形成してもよい。

第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの側面は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７によって覆われている。これにより、共通層１１４（または共通電極１１５）が、画素電極、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの側面と接することを抑制し、発光デバイス及び受光デバイスのショートを抑制することができる。これにより、発光デバイス及び受光デバイスの信頼性を高めることができる。

絶縁層１２５は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの側面と接する構成とすることができる。絶縁層１２５または絶縁層１２７が第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃと接する構成とすることで、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの膜剥がれを防止することができる。絶縁層と第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、または第３の層１１３ｃとが密着することで、隣り合う第１の層１１３ａなどが、絶縁層によって固定される、または、接着される効果がある。これにより、発光デバイス及び受光デバイスの信頼性を高めることができる。また、発光デバイス及び受光デバイスの作製歩留まりを高めることができる。

図３Ａ及び図３Ｂ等では、画素電極の端部を第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、または第３の層１１３ｃが覆っており、絶縁層１２５が第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの側面と接する構成を示す。

絶縁層１２７は、絶縁層１２５の凹部を充填するように、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの側面と重なる（側面を覆う、ともいえる）構成とすることができる。絶縁層１２７は、さらに、絶縁層１２５を介して、画素電極の側面と重なっていてもよい。

絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設けることで、隣り合う島状の層の間を埋めることができるため、島状の層上に設ける層（例えばキャリア注入層、及び共通電極など）の被形成面の凹凸を低減し、より平坦にすることができる。したがって、キャリア注入層、及び共通電極などの被覆性を高めることができ、共通電極の段切れを防止することができる。

なお、本明細書等において、段切れとは、層、膜、または電極が、被形成面の形状（例えば段差など）に起因して分断されてしまう現象を示す。

共通層１１４及び共通電極１１５は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に設けられる。絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設ける前の段階では、画素電極と、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、または第３の層１１３ｃとが設けられる領域と、これらが設けられない領域（発光デバイス間の領域、受光デバイス間の領域、及び、発光デバイスと受光デバイスとの間の領域）と、に起因する段差が生じている。本発明の一態様の表示装置は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を有することで当該段差を平坦化させることができ、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を向上させることができる。したがって、共通電極１１５の段切れによる接続不良を抑制することができる。また、段差によって共通電極１１５が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制することができる。

絶縁層１２５及び絶縁層１２７はそれぞれ様々な形状を適用することができる。共通層１１４及び共通電極１１５が形成される面の平坦性を向上させるために、絶縁層１２５の上面及び絶縁層１２７の上面の高さは、それぞれ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの端部における上面の高さ（上面の端部の高さともいえる）と一致または概略一致することが好ましい。また、絶縁層１２７の上面は平坦な形状を有していてもよく、凸部、凸曲面、凹曲面、または凹部を有していてもよい。

また、図３Ａ及び図３Ｂ等では、第１の層１１３ａ上に犠牲層１１８ａが位置し、第２の層１１３ｂ上に犠牲層１１８ｂが位置し、第３の層１１３ｃ上に犠牲層１１８ｃが位置する。図３Ａ等において、犠牲層１１８ａの一方の端部は、第１の層１１３ａの端部と揃っている、または概略揃っており、犠牲層１１８ａの他方の端部は、第１の層１１３ａ上に位置する。このように、本発明の一態様の表示装置は、その作製時に用いた第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃを保護するために用いる犠牲層が一部残存していてもよい。犠牲層は、例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、または第３の層１１３ｃと、絶縁層１２５または絶縁層１２７との間に残存することがある。犠牲層については、実施の形態２で詳述する。

図６Ａ乃至図６Ｃに、絶縁層１２７とその周辺を含む領域の断面構造を示す。

図６Ａ乃至図６Ｃに示すように、画素電極１１１ａ、１１１ｂはテーパ形状を有する。画素電極１１１ａの端部を覆うように第１の層１１３ａが設けられ、第１の層１１３ａもテーパ部を有する。同様に、画素電極１１１ｂの端部を覆うように第１の層１１３ａが設けられ、第１の層１１３ａもテーパ部を有する。

第１の層１１３ａ上には、犠牲層１１８ａが設けられており、犠牲層１１８ａは、第１の層１１３ａを介して、画素電極１１１ａまたは画素電極１１１ｂと重なる部分を有する。なお、犠牲層１１８ａは、画素電極１１１ａまたは画素電極１１１ｂと重なる部分を有していなくてもよい。

第１の層１１３ａ、犠牲層１１８ａ、及び、絶縁層２５５ｃを覆うように、絶縁層１２５が設けられている。絶縁層１２５は、犠牲層１１８ａの上面及び側面、第１の層１１３ａの側面、並びに、絶縁層２５５ｃの上面に接している。そして、絶縁層１２５上に絶縁層１２７が設けられている。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、第１の層１１３ａ、及び犠牲層１１８ａのそれぞれと重なる。

絶縁層１２５及び絶縁層１２７の一方または双方が、第１の層１１３ａの側面だけでなく、上面も覆うことで、第１の層１１３ａの膜剥がれをより防ぐことができ、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、発光デバイスの作製歩留まりをより高めることができる。なお、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、第１の層１１３ａ、及び犠牲層１１８ａのそれぞれと重ならなくてもよい。

第１の層１１３ａ及び絶縁層１２７上に共通層１１４及び共通電極１１５が設けられる。

図６Ａでは、犠牲層１１８ａの端部及び絶縁層１２５の端部が第１の層１１３ａの表面に対して概略垂直である例を示す。図６Ｂに示すように、犠牲層１１８ａの端部及び絶縁層１２５の端部は、テーパ形状を有することが好ましい。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性をより高めることができる。

図６Ａでは、絶縁層１２７の上面が凸曲面を有する例を示す。図６Ｃに示すように、絶縁層１２７の上面は凸曲面及び凹曲面の双方を有していてもよい。

絶縁層１２５は、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。これらの無機絶縁膜の詳細は、保護層１３１の説明で挙げた通りである。

特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、ＥＬ層との選択比が高く、絶縁層１２７の形成において、ＥＬ層を保護する機能を有するため、好ましい。特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、または酸化シリコン膜等の無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。また、絶縁層１２５は、ＡＬＤ法により形成した膜と、スパッタリング法により形成した膜と、の積層構造としてもよい。絶縁層１２５は、例えば、ＡＬＤ法によって形成された酸化アルミニウム膜と、スパッタリング法によって形成された窒化シリコン膜と、の積層構造であってもよい。

絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア絶縁層としての機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方を捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能を有することが好ましい。

なお、本明細書等において、バリア絶縁層とは、バリア性を有する絶縁層のことを示す。また、本明細書等において、バリア性とは、対応する物質の拡散を抑制する機能（透過性が低いともいう）とする。または、対応する物質を、捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能とする。

絶縁層１２５が、バリア絶縁層としての機能、またはゲッタリング機能を有することで、外部から発光デバイス及び受光デバイスに拡散しうる不純物（代表的には、水及び酸素の少なくとも一方）の侵入を抑制することが可能な構成となる。当該構成とすることで、信頼性の高い発光デバイス及び受光デバイス、さらには、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

また、絶縁層１２５は、不純物濃度が低いことが好ましい。これにより、絶縁層１２５からＥＬ層に不純物が混入し、ＥＬ層が劣化することを抑制することができる。また、絶縁層１２５において、不純物濃度を低くすることで、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性を高めることができる。例えば、絶縁層１２５は、水素濃度及び炭素濃度の一方、好ましくは双方が十分に低いことが望ましい。

絶縁層１２５上に設けられる絶縁層１２７は、隣接する発光デバイス間、及び、発光デバイスと受光デバイスとの間に形成された絶縁層１２５の凹部を平坦化する機能を有する。換言すると、絶縁層１２７を有することで共通電極１１５が形成される面の平坦性を向上させる効果を奏する。絶縁層１２７としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、絶縁層１２７として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、絶縁層１２７として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いてもよい。また、絶縁層１２７として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

絶縁層１２７には可視光を吸収する材料を用いてもよい。絶縁層１２７が発光デバイスからの発光を吸収することで、発光デバイスから絶縁層１２７を介して隣接する発光デバイスに光が漏れること（迷光）を抑制することができる。これにより、表示装置の表示品位を高めることができる。また、表示装置に偏光板を用いなくても、表示品位を高めることができるため、表示装置の軽量化及び薄型化を図ることができる。また、発光デバイスから絶縁層１２７を介して隣接する受光デバイスに光が入射することを抑制することができる。これにより、表示装置の光検出の精度を高めることができる。

可視光を吸収する材料としては、黒色などの顔料を含む材料、染料を含む材料、光吸収性を有する樹脂材料（例えばポリイミドなど）、及び、カラーフィルタに用いることのできる樹脂材料（カラーフィルタ材料）が挙げられる。特に、２色以上のカラーフィルタ材料を積層または混合した樹脂材料を用いると、可視光の遮蔽効果を高めることができるため好ましい。

第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの側面が、有機樹脂膜と直接接する場合、有機樹脂膜に含まれうる有機溶媒などがこれらの層にダメージを与える可能性がある。絶縁層１２５（つまり、無機絶縁膜）を設けることで、有機樹脂膜と、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの側面とが直接接しない構成とすることができる。これにより、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃが有機溶媒により溶解することなどを抑制することができる。

基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層を設けてもよい。また、基板１２０の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等の表面保護層を配置してもよい。例えば、表面保護層として、ガラス層またはシリカ層（ＳｉＯ_ｘ層）を設けることで、表面汚染及び傷の発生を抑制することができ、好ましい。また、表面保護層としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）、ポリエステル系材料、またはポリカーボネート系材料などを用いてもよい。なお、表面保護層には、可視光に対する透過率が高い材料を用いることが好ましい。また、表面保護層には、硬度が高い材料を用いることが好ましい。

基板１２０には、ガラス、石英、セラミックス、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１２０に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高め、フレキシブルディスプレイを実現することができる。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。

基板１２０としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。

また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示装置にしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

樹脂層１２２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、例えば、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金が挙げられる。これらの材料のうち一つまたは複数を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。

また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層、及び、発光デバイスが有する導電層（画素電極または対向電極として機能する導電層）にも用いることができる。

各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。

図３Ａ等では、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上に、保護層１３１を介して、直接、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを設ける例を示す。このような構成とすることで、発光デバイスと着色層との位置合わせの精度を高めることができる。また、発光デバイスと着色層の位置を近づけることで、混色の抑制及び視野角特性の向上を図ることができ、好ましい。

図７Ａ乃至図７Ｃに、図１における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を示す。

図７Ａに示すように、着色層を設けた基板１２０を、樹脂層１２２により、保護層１３１に貼り合わせてもよい。基板１２０に、着色層を設けることで、着色層の形成工程における加熱処理の温度を高めることができる。

図７Ｂ及び図７Ｃに示すように、表示装置にはレンズアレイ１３３を設けてもよい。レンズアレイ１３３は、発光デバイス及び受光デバイスの一方または双方を重ねて設けることができる。

図７Ｂでは、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ上に、保護層１３１を介して、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇを設け、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ上に絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４上にレンズアレイ１３３を設ける例を示す。また、図７Ｂにおいて、レンズアレイ１３３は、受光デバイス１５０上にも、保護層１３１及び絶縁層１３４を介して設けられている。発光デバイス及び受光デバイスを形成した基板に、直接、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び、レンズアレイ１３３を形成することで、発光デバイスまたは受光デバイスと、着色層またはレンズアレイと、の位置合わせの精度を高めることができる。

絶縁層１３４には無機絶縁膜及び有機絶縁膜の一方または双方を用いることができる。絶縁層１３４は、単層構造であっても積層構造であってもよい。絶縁層１３４としては、例えば、保護層１３１に用いることができる材料を適用できる。発光デバイスの発光は、絶縁層１３４を介して取り出されるため、絶縁層１３４は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。

図７Ｂでは、発光デバイスの発光は、着色層を透過した後、レンズアレイ１３３を透過して、表示パネルの外部に取り出される。発光デバイスと着色層の位置を近づけることで、混色の抑制及び視野角特性の向上を図ることができ、好ましい。なお、発光デバイス上にレンズアレイ１３３を設け、レンズアレイ１３３上に着色層を設けてもよい。

図７Ｃは、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び、レンズアレイ１３３が設けられた基板１２０が、樹脂層１２２によって保護層１３１上に貼り合わされている例である。基板１２０に、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び、レンズアレイ１３３を設けることで、これらの形成工程における加熱処理の温度を高めることができる。

図７Ｃでは、基板１２０に接して着色層１３２Ｒ、１３２Ｇを設け、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇに接して絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４に接してレンズアレイ１３３を設ける例を示す。

図７Ｃでは、発光デバイスの発光は、レンズアレイ１３３を透過した後、着色層を透過して、表示パネルの外部に取り出される。なお、基板１２０に接してレンズアレイ１３３を設け、レンズアレイ１３３に接して絶縁層１３４を設け、絶縁層１３４に接して着色層を設けてもよい。この場合、発光デバイスの発光は、着色層を透過した後、レンズアレイ１３３を透過して、表示パネルの外部に取り出される。なお、図７Ｂ及び図７Ｃに示すように、レンズアレイ１３３と、隣接するレンズアレイ１３３との間に、着色層１３２Ｒと着色層１３２Ｇとが重なる領域が設けられると好適である。異なる色の着色層が重なる領域を設けることで、発光デバイスの発光の混色を抑制することができる。

レンズアレイ１３３は、凸面が基板１２０側を向いていてもよく、発光デバイス側を向いていてもよい。

レンズアレイ１３３は、無機材料及び有機材料の少なくとも一方を用いて形成することができる。例えば、樹脂を含む材料をレンズに用いることができる。また、酸化物及び硫化物の少なくとも一方を含む材料をレンズに用いることができる。レンズアレイ１３３としては、例えば、マイクロレンズアレイを用いることができる。レンズアレイ１３３は、基板上または発光デバイス上に直接形成してもよく、別途形成されたレンズアレイを貼り合わせてもよい。

画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃと第１の層１１３ａとの幅の大小関係は特に限定されない。また、画素電極１１１ｄと第２の層１１３ｂの幅の大小関係は特に限定されない。また、画素電極１１１ｅと第１の層１１３ａまたは第３の層１１３ｃとの幅の大小関係は特に限定されない。図３Ａ等では、画素電極の端部よりも第１の層１１３ａの端部、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの端部が外側に位置する例を示す。図３Ａ等において、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、画素電極の端部を覆うように形成されている。このような構成とすることで、第１の層１１３ａの端部、第２の層１１３ｂの端部、及び第３の層１１３ｃの端部が画素電極の端部よりも内側に位置する構成に比べて、開口率を高めることができる。

また、画素電極の側面を第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、または第３の層１１３ｃで覆うことで、画素電極と共通電極１１５とが接することを抑制できるため、発光デバイス及び受光デバイスのショートを抑制することができる。また、第１の層１１３ａの発光領域（すなわち、画素電極と重なる領域）と、第１の層１１３ａの端部との距離を大きくできる。第１の層１１３ａの端部は、表示装置の作製工程中に、ダメージを受けている可能性がある部分を含む。当該部分を発光領域として用いないことで、発光デバイスの特性のばらつきを抑制することができ、信頼性を高めることができる。なお、第３の層１１３ｃについても同様のことがいえる。また、同様に、第２の層１１３ｂの受光領域（すなわち、画素電極と重なる領域）と、第２の層１１３ｂの端部との距離を大きくできるため、信頼性を高めることができる。

図８Ａ及び図８Ｂに、図１における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を並べて示す。

図８Ａでは、画素電極の上面端部と第１の層１１３ａの端部及び第２の層１１３ｂの端部とが揃っている、または概略揃っている例を示す。図８Ａでは、画素電極の下面端部よりも第１の層１１３ａの端部及び第２の層１１３ｂの端部が内側に位置する例を示す。また、図８Ｂでは、画素電極の上面端部よりも第１の層１１３ａの端部及び第２の層１１３ｂの端部が内側に位置する例を示す。図８Ａ及び図８Ｂにおいて、画素電極上に第１の層１１３ａの端部及び第２の層１１３ｂの端部が位置している。

図８Ａ及び図８Ｂに示すように、画素電極上に第１の層１１３ａの端部及び第２の層１１３ｂの端部が位置する場合、画素電極の端部とその近傍で第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂの厚さが薄くなることを抑制でき、第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂの厚さを均一にすることができる。

なお、端部が揃っている、または概略揃っている場合、及び、上面形状が一致または概略一致している場合、上面視において、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なっているといえる。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、または、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も端部が概略揃っている、または、上面形状が概略一致している、という。

また、第１の層１１３ａの端部及び第２の層１１３ｂの端部は、それぞれ、画素電極の端部よりも外側に位置する部分と、画素電極の端部よりも内側に位置する部分と、の双方を有していてもよい。

図９Ａ乃至図９Ｃに、図１における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を並べて示す。

図９Ａ乃至図９Ｃに示すように、画素電極の上面端部を覆う絶縁層１２１を設けてもよい。第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂは、それぞれ、画素電極上に接する部分と、絶縁層１２１上に接する部分と、を有する構成とすることができる。絶縁層１２１は、無機絶縁膜及び有機絶縁膜の一方または双方を用いた、単層構造または積層構造とすることができる。

絶縁層１２１に用いることができる有機絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ポリシロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、及びフェノール樹脂等が挙げられる。また、絶縁層１２１に用いることができる無機絶縁膜としては、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

絶縁層１２１として、無機絶縁膜を用いると、有機絶縁膜を用いる場合に比べて、発光デバイス及び受光デバイスに不純物が入りにくく、発光デバイス及び受光デバイスの信頼性を高めることができる。さらに絶縁層１２１を薄くできるため、高精細化を容易にできる。一方、絶縁層１２１として、有機絶縁膜を用いると、無機絶縁膜を用いる場合に比べて、段差被覆性が良く、画素電極の形状の影響を受けにくい。そのため、発光デバイス及び受光デバイスのショートを防止できる。具体的には、絶縁層１２１として、有機絶縁膜を用いると、絶縁層１２１の形状をテーパ形状などに加工することができる。

なお、絶縁層１２１は、設けなくてもよい。絶縁層１２１を設けないことで、副画素の開口率を高められることがある。または、副画素間の距離を狭くすることができ、表示装置の精細度または解像度を高められることがある。

なお、図９Ａでは、絶縁層１２１上において、共通層１１４が２つの第１の層１１３ａの間の領域などに入り込んでいる例を示す。図９Ｂに示すように、当該領域に、空隙１３５が形成されてもよい。

空隙１３５は、例えば、空気、窒素、酸素、二酸化炭素、及び第１８族元素（代表的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、及び、クリプトン等）の中から選ばれるいずれか一または複数を有する。または、空隙１３５に樹脂などが埋め込まれていてもよい。

また、図９Ｃに示すように、絶縁層１２１の上面、第１の層１１３ａの側面、及び第２の層１１３ｂの側面を覆うように、絶縁層１２５を設け、絶縁層１２５上に絶縁層１２７を設けてもよい。

図１０Ａ乃至図１０Ｃに、図１における一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を並べて示す。

図１０Ａに示すように、表示装置は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を有していなくてもよい。図１０Ａでは、共通層１１４が、絶縁層２５５ｃの上面、第１の層１１３ａの側面及び上面、並びに、第２の層１１３ｂの側面及び上面に接して設けられる例を示す。なお、図９Ｂに示すように、隣り合う第１の層１１３ａの間などに、空隙１３５が設けられていてもよい。

なお、絶縁層１２５及び絶縁層１２７のいずれか一方を設けなくてもよい。例えば、無機材料を用いた絶縁層１２５を形成することで、絶縁層１２５を第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂの保護絶縁層として用いることができる。これにより、表示装置の信頼性を高めることができる。また、例えば、有機材料を用いた絶縁層１２７を形成することで、隣り合う第１の層１１３ａの間などを絶縁層１２７で充填し、平坦化することができる。これにより、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び絶縁層１２７上に形成する共通電極１１５（上部電極）の被覆性を高めることができる。

図１０Ｂには、絶縁層１２７を設けない場合の例を示す。なお、図１０Ｂでは、共通層１１４が絶縁層１２５の凹部に入り込んでいる例を示すが、当該領域に、空隙が形成されてもよい。

図１０Ｃには、絶縁層１２５を設けない場合の例を示す。絶縁層１２５を設けない場合、絶縁層１２７は、第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂの側面と接する構成とすることができる。絶縁層１２７は、隣り合う第１の層１１３ａの間などを充填するように設けることができる。

このとき、絶縁層１２７には、第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂに与えるダメージの少ない有機材料を用いることが好ましい。例えば、絶縁層１２７には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いることが好ましい。

以上のように、本実施の形態の表示装置は、画素に、画像表示に用いる発光デバイスを有する副画素と、光源に用いる発光デバイスを有する副画素と、撮像に用いる受光デバイスを有する副画素と、を有する。これにより、電子機器の多機能化を図ることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の作製方法について図１１乃至図１３を用いて説明する。なお、各要素の材料及び形成方法について、先に実施の形態１で説明した部分と同様の部分については説明を省略することがある。また、発光デバイス及び受光デバイスの構成の詳細については実施の形態４及び実施の形態５で説明する。

図１１Ａ乃至図１１Ｄ、図１２Ａ乃至図１２Ｃ、及び、図１３Ａ乃至図１３Ｃには、図１Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と、一点鎖線Ｘ３−Ｘ４感の断面図と、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図と、を並べて示す。

表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、及び、熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、またはナイフコート等の湿式の成膜方法により形成することができる。

特に、発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特にＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層など）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、または、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。

また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。１つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう１つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

まず、トランジスタを含む層１０１上に、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１１ｅ、及び導電層１２３を形成する。（図１１Ａ）。画素電極の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。

図１１Ａに示すように、画素電極１１１ａは、赤色の光を呈する副画素１１０Ｒとなる領域に設けられ、画素電極１１１ｂは、緑色の光を呈する副画素１１０Ｇとなる領域に設けられ、画素電極１１１ｃは、青色の光を呈する副画素１１０Ｂとなる領域に設けられ、画素電極１１１ｄは、光検出機能を有する副画素１１０Ｓとなる領域に設けられ、画素電極１１１ｅは、赤外光を呈する副画素１１０ＩＲとなる領域に設けられる。

続いて、後に第２の層１１３ｂとなる膜１１３Ｂを、画素電極上、及びトランジスタを含む層１０１上に形成する（図１１Ｂ）。

発光デバイスが有する第１の層１１３ａと受光デバイスが有する第２の層１１３ｂはどちらを先に形成してもよい。例えば、画素電極との密着性が高い方を先に形成することで、工程中の膜剥がれを抑制できる。例えば、第１の層１１３ａの方が、第２の層１１３ｂに比べて画素電極との密着性が高い場合は、第１の層１１３ａを先に形成することが好ましい。また、厚さが薄い方を先に形成することで、先に形成した層による陰が生じることを抑制し、後に形成する層が不均一に成膜されることを防止できる。例えば、タンデム構造の発光デバイスを形成する場合、第１の層１１３ａは第２の層１１３ｂよりも厚くなることが多いため、第２の層１１３ｂを先に形成することが好ましい。また、高分子材料を用いて湿式法により膜を形成する場合は、当該膜を先に形成することが好ましい。例えば、活性層に高分子材料を用いるときは、第２の層１１３ｂを先に形成することが好ましい。以上のように、材料及び成膜方法等に応じて、形成順序を決定することで、表示装置の作製における歩留まりを高めることができる。

図１１Ｂに示すように、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、導電層１２３上には、膜１１３Ｂを形成していない。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク１９１（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いることで、膜１１３Ｂを所望の領域にのみ成膜することができる。エリアマスクを用いた成膜工程と、レジストマスクを用いた加工工程と、を採用することで、比較的簡単なプロセスにて発光デバイス及び受光デバイスを作製することができる。

膜１１３Ｂは、例えば、蒸着法、具体的には真空蒸着法により形成することができる。図１１Ｂでは、被形成面が下側になるように基板を反転した状態で成膜する、いわゆるフェイスダウン方式で成膜している様子を示している。

また、膜１１３Ｂは、転写法、印刷法、インクジェット法、または塗布法等の方法で形成してもよい。

続いて、膜１１３Ｂ上、及び導電層１２３上に、後に犠牲層１１８ｂとなる犠牲膜１１８Ｂと、後に犠牲層１１９ｂとなる犠牲膜１１９Ｂと、を順に形成する（図１１Ｃ）。

なお、本実施の形態では、犠牲膜１１８Ｂと犠牲膜１１９Ｂの２層構造で犠牲膜を形成する例を示すが、犠牲膜は単層構造であってもよく、３層以上の積層構造であってもよい。

膜１１３Ｂ上に犠牲層を設けることで、表示装置の作製工程中に膜１１３Ｂが受けるダメージを低減し、受光デバイスの信頼性を高めることができる。

犠牲膜１１８Ｂには、膜１１３Ｂの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、膜１１３Ｂとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。犠牲膜１１９Ｂには、犠牲膜１１８Ｂとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。

また、犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂは、膜１１３Ｂの耐熱温度よりも低い温度で形成する。犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂを形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、２００℃以下、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下、さらに好ましくは８０℃以下である。

耐熱温度の指標としては、例えば、ガラス転移点、軟化点、融点、熱分解温度、及び、５％重量減少温度等が挙げられる。膜１１３Ａ及び膜１１３Ｂ（つまり第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂ）の耐熱温度としては、これらのいずれかの温度、好ましくはこれらのうち最も低い温度とすることができる。また、膜１１３Ａまたは膜１１３Ｂが複数の層から構成される場合、各層の耐熱温度のうち最も低い温度を、膜１１３Ａまたは膜１１３Ｂの耐熱温度とすることができる。また、一つの層が複数の材料からなる混合層の場合、例えば、最も多く含まれる材料の耐熱温度、または、各材料の耐熱温度のうち最も低い温度を当該層の耐熱温度とすることができる。

犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂには、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂの加工時に、膜１１３Ｂに加わるダメージを低減することができる。

犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂの形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、ＰＥＡＬＤ法を含む）、ＣＶＤ法、真空蒸着法を用いることができる。また、前述の湿式の成膜方法を用いて形成してもよい。

なお、膜１１３Ｂ上に接して形成される犠牲膜１１８Ｂは、犠牲膜１１９Ｂよりも、膜１１３Ｂへのダメージが少ない形成方法を用いて形成されることが好ましい。例えば、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法または真空蒸着法を用いて、犠牲膜１１８Ｂを形成することが好ましい。

犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂとしては、それぞれ、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、有機絶縁膜、及び、無機絶縁膜のうち一種または複数種を用いることができる。

犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂには、それぞれ、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀等の低融点材料を用いることが好ましい。犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂの一方または双方に紫外光を遮蔽することが可能な金属材料を用いることで、膜１１３Ｂに紫外光が照射されることを抑制でき、膜１１３Ｂの劣化を抑制できるため、好ましい。

また、犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂには、それぞれ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、酸化インジウム、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、シリコンを含むインジウムスズ酸化物等の金属酸化物を用いることができる。

なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いてもよい。

また、犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂとしては、それぞれ、保護層１３１に用いることができる各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べて膜１１３Ｂとの密着性が高く好ましい。例えば、犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂには、それぞれ、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコン等の無機絶縁材料を用いることができる。犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂとして、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することができる。ＡＬＤ法を用いることで、下地（特にＥＬ層または活性層等）へのダメージを低減できるため好ましい。

例えば、犠牲膜１１８Ｂとして、ＡＬＤ法を用いて形成した無機絶縁膜（例えば、酸化アルミニウム膜）を用い、犠牲膜１１９Ｂとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜、アルミニウム膜、またはタングステン膜）を用いることができる。

なお、犠牲膜１１８Ｂと、後に形成する絶縁層１２５との双方に、同じ無機絶縁膜を用いることができる。例えば、犠牲膜１１８Ｂと絶縁層１２５との双方に、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いることができる。ここで、犠牲膜１１８Ｂと、絶縁層１２５とで、同じ成膜条件を適用してもよく、互いに異なる成膜条件を適用してもよい。例えば、犠牲膜１１８Ｂを、絶縁層１２５と同様の条件で成膜することで、犠牲膜１１８Ｂを、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い絶縁層とすることができる。一方で、犠牲膜１１８Ｂは後の工程で大部分または全部を除去する層であるため、加工が容易であることが好ましい。そのため、犠牲膜１１８Ｂは、絶縁層１２５と比べて、成膜時の基板温度が低い条件で成膜することが好ましい。

犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂの一方または双方に、有機材料を用いてもよい。例えば、有機材料として、少なくとも膜１１３Ｂの最上部に位置する膜に対して化学的に安定な溶媒に、溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を好適に用いることができる。このような材料の成膜の際には、水またはアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、膜１１３Ｂへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂには、それぞれ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、アルコール可溶性のポリアミド樹脂、または、パーフルオロポリマーなどのフッ素樹脂等の有機樹脂を用いてもよい。

例えば、犠牲膜１１８Ｂとして、蒸着法または上記湿式の成膜方法のいずれかを用いて形成した有機膜（例えば、ＰＶＡ膜）を用い、犠牲膜１１９Ｂとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、窒化シリコン膜）を用いることができる。

次に、犠牲膜１１９Ｂ上にレジストマスク１９０Ｂを形成する（図１１Ｃ）。レジストマスク１９０Ｂは、感光性の樹脂（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成することができる。

レジストマスク１９０Ｂは、ポジ型のレジスト材料及びネガ型のレジスト材料のどちらを用いて作製してもよい。

レジストマスク１９０Ｂは、画素電極１１１ｄと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０Ｂは、導電層１２３と重なる位置にも設けることが好ましい。これにより、導電層１２３が表示装置の作製工程中にダメージを受けることを抑制できる。なお、導電層１２３上にレジストマスク１９０Ｂを設けなくてもよい。

続いて、レジストマスク１９０Ｂを用いて、犠牲膜１１９Ｂの一部を除去し、犠牲層１１９ｂを形成する。犠牲層１１９ｂは、画素電極１１１ｄ上と、導電層１２３上と、に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去する。次に、犠牲層１１９ｂをマスク（ハードマスクともいう）に用いて、犠牲膜１１８Ｂの一部を除去し、犠牲層１１８ｂを形成する（図１１Ｄ）。

犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂは、それぞれ、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により加工することができる。犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。

ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂの加工時に、膜１１３Ｂに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いた薬液等を用いることが好ましい。

犠牲膜１１９Ｂの加工においては、膜１１３Ｂが露出しないため、犠牲膜１１８Ｂの加工よりも、加工方法の選択の幅は広い。具体的には、犠牲膜１１９Ｂの加工の際に、エッチングガスに酸素を含むガスを用いた場合でも、膜１１３Ｂの劣化をより抑制することができる。

また、犠牲膜１１８Ｂの加工においてドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、膜１１３Ｂの劣化を抑制することができる。ドライエッチング法を用いる場合、例えば、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ等の貴ガス（希ガスともいう）を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。

例えば、犠牲膜１１８Ｂとして、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いる場合、ＣＨＦ_３とＨｅを用いて、ドライエッチング法により犠牲膜１１８Ｂを加工することができる。また、犠牲膜１１９Ｂとして、スパッタリング法を用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を用いる場合、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法により犠牲膜１１９Ｂを加工することができる。または、ＣＨ_４とＡｒを用いて、ドライエッチング法により加工してもよい。または、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法により犠牲膜１１９Ｂを加工することができる。また、犠牲膜１１９Ｂとして、スパッタリング法を用いて形成したタングステン膜を用いる場合、ＳＦ_６、ＣＦ_４とＯ_２、またはＣＦ_４とＣｌ_２とＯ_２を用いて、ドライエッチング法により犠牲膜１１９Ｂを加工することができる。

レジストマスク１９０Ｂは、例えば、酸素プラズマを用いたアッシング等により除去することができる。または、酸素ガスと、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ等の貴ガスと、を用いてもよい。または、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９０Ｂを除去してもよい。このとき、犠牲膜１１８Ｂが最表面に位置し、膜１１３Ｂは露出していないため、レジストマスク１９０Ｂの除去工程において、膜１１３Ｂにダメージが入ることを抑制することができる。また、レジストマスク１９０Ｂの除去方法の選択の幅を広げることができる。

次に、膜１１３Ｂを加工して、第２の層１１３ｂを形成する。例えば、犠牲層１１９ｂ及び犠牲層１１８ｂをハードマスクに用いて、膜１１３Ｂの一部を除去し、第２の層１１３ｂを形成する（図１１Ｄ）。

膜１１３Ｂの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。特に、異方性のドライエッチングが好ましい。または、ウェットエッチングを用いてもよい。

ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、膜１１３Ｂの劣化を抑制することができる。

また、エッチングガスに酸素を含むガスを用いてもよい。エッチングガスが酸素を含むことで、エッチングの速度を速めることができる。したがって、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でエッチングを行うことができる。そのため、膜１１３Ｂに与えるダメージを抑制することができる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着等の不具合を抑制することができる。

ドライエッチング法を用いる場合、例えば、Ｈ_２、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ、Ａｒ等の貴ガスのうち、一種以上を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。または、これらの一種以上と、酸素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。または、酸素ガスをエッチングガスに用いてもよい。具体的には、例えば、Ｈ_２とＡｒを含むガス、または、ＣＦ_４とＨｅを含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、ＣＦ_４、Ｈｅ、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。

以上のように、本発明の一態様では、犠牲膜１１９Ｂ上にレジストマスク１９０Ｂを形成し、レジストマスク１９０Ｂを用いて、犠牲膜１１９Ｂの一部を除去することにより、犠牲層１１９ｂを形成する。その後、犠牲層１１９ｂをハードマスクに用いて、膜１１３Ｂの一部を除去することにより、第２の層１１３ｂを形成する。よって、フォトリソグラフィ法を用いて膜１１３Ｂを加工することにより、第２の層１１３ｂが形成されるということができる。なお、レジストマスク１９０Ｂを用いて、膜１１３Ｂの一部を除去してもよい。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去してもよい。

続いて、後に第１の層１１３ａとなる膜１１３Ａを、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｅ上、犠牲層１１９ｂ上、及びトランジスタを含む層１０１上に形成する（図１２Ａ）。

図１２Ａでは、マスク１９２を用いることで、導電層１２３上に膜１１３Ａが形成されない例を示している。膜１１３Ａは、膜１１３Ｂの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成することができる。

続いて、膜１１３Ａ上、及び導電層１２３上に、後に犠牲層１１８ａとなる犠牲膜１１８Ａと、後に犠牲層１１９ａとなる犠牲膜１１９Ａと、を順に形成し、その後、レジストマスク１９０Ａを形成する（図１２Ｂ）。犠牲膜１１８Ａ及び犠牲膜１１９Ａの材料及び形成方法は、犠牲膜１１８Ｂ及び犠牲膜１１９Ｂに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ａの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｂに適用できる条件と同様である。

膜１１３Ａ上に犠牲層を設けることで、表示装置の作製工程中に膜１１３Ａが受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

レジストマスク１９０Ａは、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｅと重なる位置に設ける。

続いて、レジストマスク１９０Ａを用いて、犠牲膜１１９Ａの一部を除去し、犠牲層１１９ａを形成する。犠牲層１１９ａは、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｅ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ａを除去する。次に、犠牲層１１９ａをマスクに用いて、犠牲膜１１８Ａの一部を除去し、犠牲層１１８ａを形成する（図１２Ｃ）。

次に、膜１１３Ａを加工して、第１の層１１３ａを形成する。例えば、犠牲層１１９ａ及び犠牲層１１８ａをハードマスクに用いて、膜１１３Ａの一部を除去し、第１の層１１３ａを形成する（図１２Ｃ）。

図１２Ｃに示すように、膜１１３Ａを加工することにより、複数の第１の層１１３ａを形成することができる。つまり、膜１１３Ａを、複数の第１の層１１３ａに分割することができる。これにより、副画素ごとに第１の層１１３ａが島状に設けられる。また、隣接する副画素において、島状の第１の層１１３ａ同士、または、島状の第１の層１１３ａと島状の第２の層１１３ｂとが互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、表示装置の表示品位の低下を抑制できる。また、表示装置の高精細化と高い表示品位の両立を図ることができる。

なお、第３の層１１３ｃを形成する場合、第３の層１１３ｃの形成方法としては、前述の第２の層１１３ｂの形成方法を参照することができる。第３の層１１３ｃを形成する場合、レジストマスク１９０Ａは、画素電極１１１ｅ上には設けず、第３の層１１３ｃとなる膜を加工する際に、画素電極１１１ｅ上にレジストマスクを設ける。なお、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃの形成順序は問わない。

次に、犠牲層１１９ａ、１１９ｂを除去してもよい。後の工程によっては、犠牲層１１８ａ、１１８ｂ、１１９ａ、１１９ｂが表示装置に残存する場合がある。この段階で犠牲層１１９ａ、１１９ｂを除去することで、犠牲層１１９ａ、１１９ｂが表示装置に残存することを抑制できる。例えば、犠牲層１１９ａ、１１９ｂに導電材料を用いる場合、犠牲層１１９ａ、１１９ｂを事前に除去しておくことで、残存した犠牲層１１９ａ、１１９ｂによるリーク電流の発生、及び、容量の形成などを抑制できる。

犠牲層の除去工程には、犠牲層の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲層を除去する際に、第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂに加わるダメージを低減することができる。

また、犠牲層を、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させることで除去してもよい。アルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはグリセリンなどが挙げられる。

犠牲層を除去した後に、第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂに含まれる水、及び第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂ表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行ってもよい。例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。

続いて、画素電極、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、犠牲層１１８ａ及び犠牲層１１８ｂを覆うように、後に絶縁層１２５となる絶縁膜１２５Ａを形成する。続いて、絶縁膜１２５Ａ上に絶縁膜１２７Ａを形成する（図１３Ａ）。

絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７Ａは、第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂへのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。特に、絶縁膜１２５Ａは、第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂの側面に接して形成されるため、絶縁膜１２７Ａよりも、第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂへのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。

また、絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７Ａは、それぞれ、第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂの耐熱温度よりも低い温度で形成する。また、絶縁膜１２５Ａは成膜する際の基板温度を高くすることで、膜厚が薄くても、不純物濃度が低く、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い膜とすることができる。

絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７Ａを形成する際の基板温度としては、それぞれ、６０℃以上、８０℃以上、１００℃以上、または、１２０℃以上、かつ、２００℃以下、１８０℃以下、１６０℃以下、１５０℃以下、または１４０℃以下であることが好ましい。

絶縁膜１２５Ａとしては、上記の基板温度の範囲で、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、または、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、または、５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。

絶縁膜１２５Ａは、例えば、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。絶縁膜１２５Ａとしては、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。

そのほか、絶縁膜１２５Ａは、ＡＬＤ法よりも成膜速度が速いスパッタリング法、ＣＶＤ法、または、ＰＥＣＶＤ法を用いて形成してもよい。これにより、信頼性の高い表示装置を生産性高く作製することができる。

絶縁膜１２７Ａは、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。絶縁膜１２７Ａは、例えば、スピンコートにより、感光性の樹脂を用いて形成することが好ましい。

続いて、絶縁膜１２７Ａを加工して、絶縁層１２７を形成する（図１３Ｂ）。例えば、絶縁膜１２７Ａとして感光性を有する材料を用いる場合、絶縁膜１２７Ａに対して露光及び現像を行うことで、絶縁層１２７を形成することができる。なお、絶縁層１２７の表面の高さを調整するために、エッチングを行ってもよい。絶縁層１２７は、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより加工してもよい。また、絶縁膜１２７Ａとして非感光性の材料を用いる場合においても、当該アッシング等により、絶縁層１２７の表面の高さを調整することができる。

続いて、絶縁膜１２５Ａの少なくとも一部を除去し、絶縁層１２５を形成する（図１３Ｂ）。

絶縁膜１２５Ａは、ドライエッチング法により加工することが好ましい。絶縁膜１２５Ａの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。犠牲膜を加工する際に用いることができるエッチングガスを用いて、絶縁膜１２５Ａを加工することができる。

その後、犠牲層１１８ａ、１１８ｂを除去する。これにより、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び導電層１２３それぞれの上面の少なくとも一部が露出される。

絶縁膜１２５Ａと犠牲層１１８ａ、１１８ｂは、別々の工程で除去してもよく、同一の工程で除去してもよい。例えば、犠牲層１１８ａ、１１８ｂと絶縁膜１２５Ａとが同一の材料を用いて形成された膜（例えば酸化アルミニウム膜）である場合は、同一の工程で除去することができ、好ましい。

続いて、絶縁層１２５上、絶縁層１２７上、第１の層１１３ａ上、及び第２の層１１３ｂ上に、共通層１１４を形成する。その後、共通層１１４上に、共通電極１１５を形成する（図１３Ｃ）。

共通層１１４は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

共通電極１１５の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。

その後、共通電極１１５上に保護層１３１を形成し、保護層１３１上に着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを形成する。なお、図１３Ｃに示す着色層１３２Ｖは、着色層１３２Ｇと着色層１３２Ｒとを積層することで形成する。さらに、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１及び着色層上に、基板１２０を貼り合わせることで、表示装置を作製することができる（図１３Ｃ）。

保護層１３１の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及び、ＡＬＤ法等が挙げられる。

以上のように、本実施の形態の表示装置の作製方法では、島状の第１の層１１３ａ及び島状の第２の層１１３ｂは、メタルマスクなどのシャドーマスクを用いることなく、膜を一面に成膜した後に、フォトリソグラフィ法により加工することで形成されるため、島状の層を均一の厚さで形成することができる。そして、高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。また、精細度または開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣接する副画素において、島状の第１の層１１３ａ同士、または、島状の第１の層１１３ａと島状の第２の層１１３ｂとが互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、表示装置の表示品位の低下及び光検出精度の低下を抑制できる。また、表示装置の高精細化と高い表示品位の両立を図ることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１４乃至図２３を用いて説明する。

本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

また、本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
図１４Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｆのいずれかであってもよい。

表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

図１４Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１４Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａには、実施の形態１で説明した各種構成を適用することができる。図１４Ｂでは、図１に示す画素１１０と同様の構成を有する場合を例に示す。

画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、素子の駆動を制御する回路が５つ設けられる構成とすることができる。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。

ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号または電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ＶＲ向け機器またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示装置１００Ａ］
図１５に示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、受光デバイス１５０、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。

図１４Ｂに示す副画素１１０Ｒは発光デバイス１３０Ｒ及び着色層１３２Ｒを有し、副画素１１０Ｇは発光デバイス１３０Ｇ及び着色層１３２Ｇを有し、副画素１１０Ｂは発光デバイス１３０Ｂ及び着色層１３２Ｂを有する。副画素１１０Ｒにおいて、発光デバイス１３０Ｒの発光は、着色層１３２Ｒを介して表示装置１００Ａの外部に赤色の光として取り出される。同様に、副画素１１０Ｇにおいて、発光デバイス１３０Ｇの発光は、着色層１３２Ｇを介して表示装置１００Ａの外部に緑色の光として取り出される。副画素１１０Ｂにおいて、発光デバイス１３０Ｂの発光は、着色層１３２Ｂを介して表示装置１００Ａの外部に青色の光として取り出される。また、副画素１１０ＩＲには、例えば、図３Ｂまたは図４Ｂに示す構成を適用することができる。

基板３０１は、図１４Ａ及び図１４Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３０１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に絶縁層２５５ｃが設けられている。絶縁層２５５ｃ上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、受光デバイス１５０が設けられている。図１５では、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、受光デバイス１５０が図３Ａに示す積層構造と同様の構造を有する例を示す。隣り合う発光デバイスの間の領域、及び、隣り合う発光デバイスと受光デバイスの間の領域には、絶縁物が設けられる。図１５などでは、当該領域に絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

発光デバイス１３０Ｒ及び発光デバイス１３０Ｇが有する第１の層１１３ａ上には、それぞれ、犠牲層１１８ａが位置し、受光デバイス１５０が有する第２の層１１３ｂ上には、犠牲層１１８ｂが位置する。

画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｄは、絶縁層２４３、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｃの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。図１５等では、画素電極が反射電極と、反射電極上の透明電極と、の２層構造である例を示す。

また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、受光デバイス１５０上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態１を参照することができる。基板１２０は、図１４Ａにおける基板２９２に相当する。

［表示装置１００Ｂ］
図１６に示す表示装置１００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示装置の説明では、先に説明した表示装置と同様の部分については説明を省略することがある。

表示装置１００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５を設けることが好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に絶縁層３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散するのを抑制することができる。絶縁層３４５、３４６としては、保護層１３１または絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂに不純物が拡散するのを抑制することができる。絶縁層３４４としては、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

また、基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されていることが好ましい。ここで、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されていることが好ましい。

導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成される面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の貼り合わせを良好にすることができる。

導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

［表示装置１００Ｃ］
図１７に示す表示装置１００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

図１７に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

［表示装置１００Ｄ］
図１８に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ａと主に相違する。

トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。

トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

基板３３１は、図１４Ａ及び図１４Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基板または半導体基板を用いることができる。

基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

［表示装置１００Ｅ］
図１９に示す表示装置１００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置１００Ｄを参照することができる。

なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

［表示装置１００Ｆ］
図２０に示す表示装置１００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

［表示装置１００Ｇ］
図２１に、表示装置１００Ｇの斜視図を示し、図２２Ａに、表示装置１００Ｇの断面図を示す。

表示装置１００Ｇは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図２１では、基板１５２を破線で示している。

表示装置１００Ｇは、表示部１６２、接続部１４０、回路１６４、配線１６５等を有する。図２１では表示装置１００ＧにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図２１に示す構成は、表示装置１００Ｇと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。

接続部１４０は、表示部１６２の外側に設けられる。接続部１４０は、表示部１６２の一辺または複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図２１では、表示部の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給することができる。

回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、外部からＦＰＣ１７２を介して配線１６５に入力される、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

図２１では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ｇ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

図２２Ａに、表示装置１００Ｇの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

図２２Ａに示す表示装置１００Ｇは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、受光デバイス１５０、赤色の光を透過する着色層１３２Ｒ、及び、緑色の光を透過する着色層１３２Ｇ等を有する。

発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、及び、受光デバイス１５０は、画素電極の構成が異なる点以外は、それぞれ、図１Ｂに示す積層構造と同様の構造を有する。発光デバイス及び受光デバイスの詳細は実施の形態１を参照できる。

発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２ａと、導電層１１２ａ上の導電層１２６ａと、導電層１２６ａ上の導電層１２９ａと、を有する。導電層１１２ａ、１２６ａ、１２９ａの全てを画素電極と呼ぶこともでき、一部を画素電極と呼ぶこともできる。

発光デバイス１３０Ｇは、導電層１１２ｂと、導電層１１２ｂ上の導電層１２６ｂと、導電層１２６ｂ上の導電層１２９ｂと、を有する。

受光デバイス１５０は、導電層１１２ｃと、導電層１１２ｃ上の導電層１２６ｃと、導電層１２６ｃ上の導電層１２９ｃと、を有する。

導電層１１２ａは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層１１２ａの端部よりも外側に導電層１２６ａの端部が位置している。導電層１２６ａの端部と導電層１２９ａの端部は、揃っている、または概略揃っている。例えば、導電層１１２ａ及び導電層１２６ａに反射電極として機能する導電層を用い、導電層１２９ａに、透明電極として機能する導電層を用いることができる。

発光デバイス１３０Ｇにおける導電層１１２ｂ、１２６ｂ、１２９ｂ、及び、受光デバイス１５０における導電層１１２ｃ、１２６ｃ、１２９ｃについては、発光デバイス１３０Ｒにおける導電層１１２ａ、１２６ａ、１２９ａと同様であるため詳細な説明は省略する。

導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃは、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように形成される。導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの凹部には、層１２８が埋め込まれている。

層１２８は、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの凹部を平坦化する機能を有する。導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ及び層１２８上には、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃと電気的に接続される導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃが設けられている。したがって、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの凹部と重なる領域も発光領域または受光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。

層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましく、有機絶縁材料を用いて形成されることが特に好ましい。層１２８には、例えば前述の絶縁層１２１に用いることができる材料を適用することができる。

導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２９ａ、１２９ｂの上面及び側面は、第１の層１１３ａによって覆われている。同様に、導電層１２６ｃ、１２９ｃの上面及び側面は、第２の層１１３ｂによって覆われている。したがって、導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃが設けられている領域全体を、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇの発光領域及び受光デバイス１５０の受光領域として用いることができるため、画素の開口率を高めることができる。

第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂの側面は、それぞれ、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。第１の層１１３ａと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８ａが位置する。また、第２の層１１３ｂと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８ｂが位置する。第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、絶縁層１２５、１２７上に、共通層１１４が設けられ、共通層１１４上に共通電極１１５が設けられている。共通層１１４及び共通電極１１５は、それぞれ、複数の発光デバイス及び受光デバイスに共通して設けられる一続きの膜である。

また、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、及び、受光デバイス１５０上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。基板１５２には、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ及び遮光層１１７が設けられている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図２２Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

接続部１４０においては、絶縁層２１４上に導電層１２３が設けられている。導電層１２３は、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。導電層１２３の端部は、犠牲層１１８ｂ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７によって覆われている。また、導電層１２３上には共通層１１４が設けられ、共通層１１４上には共通電極１１５が設けられている。導電層１２３と共通電極１１５は共通層１１４を介して電気的に接続される。なお、接続部１４０には、共通層１１４が形成されていなくてもよい。この場合、導電層１２３と共通電極１１５とが直接接して電気的に接続される。

表示装置１００Ｇは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１１５）は可視光を透過する材料を含む。

基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層１１２ａ、導電層１２６ａ、または導電層１２９ａなどの加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。または、絶縁層２１４には、導電層１１２ａ、導電層１２６ａ、または導電層１２９ａなどの加工時に、凹部が設けられてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、単結晶半導体、または単結晶以外の結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。単結晶半導体または結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。

結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

または、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

また、画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調数を多くすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、ＥＬデバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。

上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。

半導体層に用いる金属酸化物は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。

回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

表示部１６２が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。

例えば、表示部１６２にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、より好適な例としては、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタ等にＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタ等にＬＴＰＳトランジスタを適用する構成が挙げられる。

例えば、表示部１６２が有するトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタとも呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。

一方、表示部１６２が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

このように本発明の一態様の表示装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。

なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光デバイスを有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光デバイス間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流などともいう）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一または複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れ（いわゆる黒浮き）などが限りなく少ない表示とすることができる。

図２２Ｂ及び図２２Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。

トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

図２２Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

一方、図２２Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図２２Ｃに示す構造を作製できる。図２２Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。遮光層１１７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路１６４などに設けることができる。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。

基板１５１及び基板１５２としては、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用することができる。

接着層１４２としては、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用することができる。

接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

［表示装置１００Ｈ］
図２３Ａに示す表示装置１００Ｈは、ボトムエミッション型の表示装置である点で、表示装置１００Ｇと主に相違する。

発光デバイスが発する光は、基板１５１側に射出される。基板１５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板１５２に用いる材料の透光性は問わない。

基板１５１とトランジスタ２０１との間、基板１５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１１７を形成することが好ましい。図２３Ａでは、基板１５１上に遮光層１１７が設けられ、遮光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、２０５などが設けられている例を示す。

発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２ａと、導電層１１２ａ上の導電層１２６ａと、導電層１２６ａ上の導電層１２９ａと、を有する。

発光デバイス１３０Ｇは、導電層１１２ｂと、導電層１１２ｂ上の導電層１２６ｂと、導電層１２６ｂ上の導電層１２９ｂと、を有する。

導電層１１２ａ、１１２ｂ、１２６ａ、１２６ｂ、１２９ａ、１２９ｂには、それぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いる。共通電極１１５には可視光を反射する材料を用いることが好ましい。

また、図２２Ａ及び図２３Ａなどでは、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。図２３Ｂ乃至図２３Ｄに、層１２８の変形例を示す。

図２３Ｂ及び図２３Ｄに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

また、図２３Ｃに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

また、層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方または双方を有していてもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つまたは複数とすることができる。

また、層１２８の上面の高さと、導電層１１２ａの上面の高さと、は、一致または概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電層１１２ａの上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。

また、図２３Ｂは、導電層１１２ａの凹部の内部に層１２８が収まっている例ともいえる。一方、図２３Ｄのように、導電層１１２ａの凹部の外側に層１２８が存在する、つまり、当該凹部よりも層１２８の上面の幅が広がって形成されていてもよい。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイスについて説明する。

［発光デバイス］
図２４Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に、ＥＬ層７６３を有する。ＥＬ層７６３は、層７８０、発光層７７１、及び、層７９０などの複数の層で構成することができる。

発光層７７１は、少なくとも発光物質を有する。

下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０は、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、及び、電子ブロック性の高い物質を含む層（電子ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０は、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）、及び、正孔ブロック性の高い物質を含む層（正孔ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０と層７９０は互いに上記と逆の構成になる。

一対の電極間に設けられた層７８０、発光層７７１、及び層７９０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図２４Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

また、図２４Ｂは、図２４Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７６３の変形例である。具体的には、図２４Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７６１上の層７８１と、層７８１上の層７８２と、層７８２上の発光層７７１と、発光層７７１上の層７９１と、層７９１上の層７９２と、層７９２上の上部電極７６２と、を有する。

下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８１を正孔注入層、層７８２を正孔輸送層、層７９１を電子輸送層、層７９２を電子注入層とすることができる。また、下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８１を電子注入層、層７８２を電子輸送層、層７９１を正孔輸送層、層７９２を正孔注入層とすることができる。このような層構造とすることで、発光層７７１に効率よくキャリアを注入し、発光層７７１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることができる。

なお、図２４Ｃ及び図２４Ｄに示すように、層７８０と層７９０との間に複数の発光層（発光層７７１、７７２、７７３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。

また、図２４Ｅ及び図２４Ｆに示すように、複数の発光ユニット（ＥＬ層７６３ａ及びＥＬ層７６３ｂ）が電荷発生層７８５を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。

図２４Ｃ及び図２４Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。例えば、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、青色の光を発する発光物質を用いてもよい。図２４Ｄに示す層７６４として、色変換層を設けてもよい。

また、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、それぞれ異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２４Ｄに示す層７６４として、カラーフィルタ（着色層ともいう）を設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

白色の光を発する発光デバイスは、２種類以上の発光物質を含むことが好ましい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、３つ以上の発光層を用いて白色発光を得る場合、３つ以上の発光層の発光色が合わさることで、発光デバイス全体として白色発光する構成とすればよい。

また、図２４Ｅ及び図２４Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。または、発光層７７１と、発光層７７２とに、異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１が発する光と、発光層７７２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２４Ｆには、さらに層７６４を設ける例を示している。層７６４としては、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。なお、図２４Ｄ及び図２４Ｆでは、上部電極７６２側に光を取り出すため、上部電極７６２には、可視光を透過する導電膜を用いる。

なお、図２４Ｃ、図２４Ｄ、図２４Ｅ、及び図２４Ｆにおいても、図２４Ｂに示すように、層７８０と、層７９０とを、それぞれ独立に、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

次に、発光デバイスに用いることができる材料について説明する。

下部電極７６１と上部電極７６２のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する発光デバイスを有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

また、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と、ＥＬ層７６３との間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層７６３の発光は、当該反射層によって反射されて、表示装置から取り出されてもよい。

発光デバイスの一対の電極を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、並びに、銀とマグネシウムの合金、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）等の銀を含む合金が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等を用いることができる。

発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。

なお、半透過・半反射電極は、反射電極と可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）との積層構造とすることができる。

透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスには、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

発光層は、１種または複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、及び量子ドット材料などが挙げられる。

蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、及びナフタレン誘導体などが挙げられる。

燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、及び希土類金属錯体等が挙げられる。

発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料）及び電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料）の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

ＥＬ層７６３は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、電子ブロック材料、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

正孔輸送層は、正孔注入層によって陽極から注入された正孔を、発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い物質が好ましい。

電子輸送層は、電子注入層によって陰極から注入された電子を、発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他、含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い物質を用いることができる。

電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い物質としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

また、電子注入性の高い物質の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は、陰極に用いる材料の仕事関数の値との差が小さい（具体的には０．５ｅＶ以下）であることが好ましい。

電子注入層には、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、Ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成が挙げられる。

電子注入層は、電子輸送性材料を有していてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。

なお、非共有電子対を備える有機化合物のＬＵＭＯ準位は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移点（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

また、タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットの間に、電荷発生層（中間層ともいう）を設ける。中間層は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

電荷発生層としては、例えば、リチウムなどの電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、電荷発生層としては、例えば、正孔注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、電荷発生層には、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む層を用いることができる。また、電荷発生層には、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を用いることができる。このような電荷発生層を形成することにより、発光ユニットが積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる受光デバイスと、受発光機能を有する表示装置と、について説明する。

［受光デバイス］
図２５Ａに示すように、受光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に層７６５を有する。層７６５は、少なくとも１層の活性層を有し、さらに他の層を有していてもよい。

また、図２５Ｂは、図２５Ａに示す受光デバイスが有する層７６５の変形例である。具体的には、図２５Ｂに示す受光デバイスは、下部電極７６１上の層７６６と、層７６６上の活性層７６７と、活性層７６７上の層７６８と、層７６８上の上部電極７６２と、を有する。

活性層７６７は、光電変換層として機能する。

下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７６６は、正孔輸送層、及び、電子ブロック層のうち一方または双方を有する。また、層７６８は、電子輸送層、及び、正孔ブロック層のうち一方または双方を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７６６と層７６８は互いに上記と逆の構成になる。

次に、受光デバイスに用いることができる材料について説明する。

受光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。受光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

受光デバイスが有する活性層は、半導体を含む。当該半導体としては、シリコンなどの無機半導体、及び、有機化合物を含む有機半導体が挙げられる。本実施の形態では、活性層が有する半導体として、有機半導体を用いる例を示す。有機半導体を用いることで、発光層と、活性層と、を同じ方法（例えば、真空蒸着法）で形成することができ、製造装置を共通化できるため好ましい。

活性層が有するｎ型半導体の材料としては、フラーレン（例えばＣ_６０、Ｃ_７０等）、フラーレン誘導体等の電子受容性の有機半導体材料が挙げられる。フラーレン誘導体としては、例えば、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ７１−ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ７０ＢＭ）、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ６１−ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ６０ＢＭ）、１’，１’’，４’，４’’−Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ−ｄｉ［１，４］ｍｅｔｈａｎｏｎａｐｈｔｈａｌｅｎｏ［１，２：２’，３’，５６，６０：２’’，３’’］［５，６］ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ−Ｃ６０（略称：ＩＣＢＡ）などが挙げられる。

また、ｎ型半導体の材料としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｍｅ−ＰＴＣＤＩ）などのペリレンテトラカルボン酸誘導体、及び、２，２’−（５，５’−（チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル）ビス（チオフェン−５，２−ジイル））ビス（メタン−１−イル−１−イリデン）ジマロノニトリル（略称：ＦＴ２ＴＤＭＮ）が挙げられる。

また、ｎ型半導体の材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、クマリン誘導体、ローダミン誘導体、トリアジン誘導体、及び、キノン誘導体等が挙げられる。

活性層が有するｐ型半導体の材料としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（Ｃｏｐｐｅｒ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＣｕＰｃ）、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（Ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｄｉｂｅｎｚｏｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅ；ＤＢＰ）、亜鉛フタロシアニン（Ｚｉｎｃ　Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＺｎＰｃ）、スズフタロシアニン（ＳｎＰｃ）、キナクリドン、及び、ルブレン等の電子供与性の有機半導体材料が挙げられる。

また、ｐ型半導体の材料としては、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体、芳香族アミン骨格を有する化合物等が挙げられる。さらに、ｐ型半導体の材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、ピロール誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、インドール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、キナクリドン誘導体、ルブレン誘導体、テトラセン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、及び、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。

電子供与性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。電子供与性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。

電子受容性の有機半導体材料として、球状のフラーレンを用い、電子供与性の有機半導体材料として、平面に近い形状の有機半導体材料を用いることが好ましい。似た形状の分子同士は集まりやすい傾向にあり、同種の分子が凝集すると、分子軌道のエネルギー準位が近いため、キャリア輸送性を高めることができる。

また、活性層に、ドナーとして機能するＰｏｌｙ［［４，８−ｂｉｓ［５−（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−２−ｔｈｉｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｏ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２，６−ｄｉｙｌ］−２，５−ｔｈｉｏｐｈｅｎｅｄｉｙｌ［５，７−ｂｉｓ（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−４，８−ｄｉｏｘｏ−４Ｈ，８Ｈ−ｂｅｎｚｏ［１，２−ｃ：４，５−ｃ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−１，３−ｄｉｙｌ］］ｐｏｌｙｍｅｒ（略称：ＰＢＤＢ−Ｔ）、または、ＰＢＤＢ−Ｔ誘導体などの高分子化合物を用いることができる。例えば、ＰＢＤＢ−ＴまたはＰＢＤＢ−Ｔ誘導体にアクセプター材料を分散させる方法などが使用できる。

例えば、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体とを共蒸着して形成することが好ましい。または、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体とを積層して形成してもよい。

また、活性層には３種類以上の材料を用いてもよい。例えば、吸収波長域を拡大する目的で、ｎ型半導体の材料と、ｐ型半導体の材料と、に加えて、第３の材料を混合してもよい。このとき、第３の材料は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。

受光デバイスは、活性層以外の層として、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。また、上記に限られず、正孔注入性の高い物質、正孔ブロック材料、電子注入性の高い物質、または電子ブロック材料などを含む層をさらに有していてもよい。受光デバイスが有する活性層以外の層には、例えば、上述の発光デバイスに用いることができる材料を用いることができる。

例えば、正孔輸送性材料または電子ブロック材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などの高分子化合物、及び、モリブデン酸化物、ヨウ化銅（ＣｕＩ）などの無機化合物を用いることができる。また、電子輸送性材料または正孔ブロック材料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの無機化合物、ポリエチレンイミンエトキシレート（ＰＥＩＥ）などの有機化合物を用いることができる。受光デバイスは、例えば、ＰＥＩＥとＺｎＯとの混合膜を有していてもよい。

［光検出機能を有する表示装置］
本発明の一態様の表示装置は、表示部に、発光デバイスがマトリクス状に配置されており、当該表示部で画像を表示することができる。また、当該表示部には、受光デバイスがマトリクス状に配置されており、表示部は、画像表示機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を有する。表示部は、イメージセンサまたはタッチセンサに用いることができる。つまり、表示部で光を検出することで、画像を撮像すること、または、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。

さらに、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスをセンサの光源として利用することができる。本発明の一態様の表示装置では、表示部が有する発光デバイスが発した光を対象物が反射（または散乱）した際、受光デバイスがその反射光（または散乱光）を検出できるため、暗い場所でも、撮像またはタッチ検出が可能である。

したがって、表示装置と別に受光部及び光源を設けなくてもよく、電子機器の部品点数を削減することができる。例えば、電子機器に設けられる生体認証装置、またはスクロールなどを行うための静電容量方式のタッチパネルなどを別途設ける必要がない。したがって、本発明の一態様の表示装置を用いることで、製造コストが低減された電子機器を提供することができる。

受光デバイスをイメージセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、画像を撮像することができる。例えば、本実施の形態の表示装置は、スキャナとして用いることができる。

例えば、イメージセンサを用いて、指紋、掌紋、虹彩、脈形状（静脈形状、動脈形状を含む）、または顔などを用いた個人認証のための撮像を行うことができる。

例えば、イメージセンサを用いて、ウェアラブル機器の使用者の、目の周辺、目の表面、または目の内部（眼底など）の撮像を行うことができる。したがって、ウェアラブル機器は、使用者の瞬き、黒目の動き、及び瞼の動きの中から選ばれるいずれか一または複数を検出する機能を備えることができる。

例えば、瞬きの回数及び一回の瞬きにかかる時間の一方または双方から、使用者の疲労度合いを推測することができる。また、ＡＩ（Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ　Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ）を利用したシステムを用いて目の疲労度を推定してもよい。また、電子機器にアイトラッキング機能を付加してもよい。

また、受光デバイスは、タッチセンサ（ダイレクトタッチセンサともいう）またはニアタッチセンサ（ホバーセンサ、ホバータッチセンサ、非接触センサ、タッチレスセンサともいう）などに用いることができる。

ここで、タッチセンサまたはニアタッチセンサは、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。

タッチセンサは、表示装置と、対象物とが、直接接することで、対象物を検出できる。また、ニアタッチセンサは、対象物が表示装置に接触しなくても、当該対象物を検出することができる。例えば、表示装置と、対象物との間の距離が０．１ｍｍ以上３００ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で表示装置が当該対象物を検出できる構成であると好ましい。当該構成とすることで、表示装置に対象物が直接触れずに操作することが可能となる、別言すると非接触（タッチレス）で表示装置を操作することが可能となる。上記構成とすることで、表示装置に汚れ、または傷がつくリスクを低減することができる、または対象物が表示装置に付着した汚れ（例えば、ゴミ、またはウィルスなど）に直接触れずに、表示装置を操作することが可能となる。

また、本発明の一態様の表示装置は、リフレッシュレートを可変にすることができる。例えば、表示装置に表示されるコンテンツに応じてリフレッシュレートを調整（例えば、１Ｈｚ以上２４０Ｈｚ以下の範囲で調整）して消費電力を低減させることができる。また、当該リフレッシュレートに応じて、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を変化させてもよい。例えば、表示装置のリフレッシュレートが１２０Ｈｚの場合、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を１２０Ｈｚよりも高い周波数（代表的には２４０Ｈｚ）とする構成とすることができる。当該構成とすることで、低消費電力が実現でき、かつタッチセンサ、またはニアタッチセンサの応答速度を高めることが可能となる。

図２５Ｃ乃至図２５Ｅに示す表示装置１００は、基板３５１と基板３５９との間に、受光デバイスを有する層３５３、機能層３５５、及び、発光デバイスを有する層３５７を有する。

機能層３５５は、受光デバイスを駆動する回路、及び、発光デバイスを駆動する回路を有する。機能層３５５には、スイッチ、トランジスタ、容量、抵抗、配線、及び端子などのうち一つまたは複数を設けることができる。なお、発光デバイス及び受光デバイスをパッシブマトリクス方式で駆動させる場合には、スイッチ及びトランジスタを設けない構成としてもよい。

例えば、図２５Ｃに示すように、発光デバイスを有する層３５７において発光デバイスが発した光を、表示装置１００に接触した指３５２が反射することで、受光デバイスを有する層３５３における受光デバイスがその反射光を検出する。これにより、表示装置１００に指３５２が接触したことを検出することができる。

また、図２５Ｄ及び図２５Ｅに示すように、表示装置に近接している（つまり、接触していない）対象物を検出または撮像する機能を有していてもよい。図２５Ｄでは、人の指を検出する例を示し、図２５Ｅでは人の目の周辺、表面、または内部の情報（瞬きの回数、眼球の動き、瞼の動きなど）を検出する例を示す。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図２６乃至図２８を用いて説明する。

本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。

本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

図２６Ａ乃至図２６Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、ＶＲのコンテンツを表示する機能、ＳＲのコンテンツを表示する機能、ＭＲのコンテンツを表示する機能のうち少なくとも一つを有する。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲなどの少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。

図２６Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図２６Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。

電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。

電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサなどの加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により映像信号等を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、または無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方または双方によって充電することができる。

筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作またはスライド操作などを検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止または再開などの処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送りまたは早戻しの処理を実行することなどが可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。

タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式または光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光デバイス（受光素子ともいう）として、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方または双方を用いることができる。

図２６Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図２６Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。これにより、使用者に高い没入感を感じさせることができる。

表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認することができる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。

装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、図２６Ｃなどにおいては、メガネのつる（テンプルなどともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型またはバンド型の形状としてもよい。

撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、広角などの複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、または、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）などの距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。

電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一または複数に、当該振動機構を有する構成を適用することができる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、またはスピーカなどの音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。

本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。例えば、図２６Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図２６Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。

また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図２６Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１または装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

同様に、図２６Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１または装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。

なお、電子機器は、イヤフォンまたはヘッドフォンなどを接続することができる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方または双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイクなどの集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。

このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂなど）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂなど）と、のどちらも好適である。

また、本発明の一態様の電子機器は、有線または無線によって、イヤフォンに情報を送信することができる。

図２７Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図２７Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

図２７Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図２７Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図２７Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図２７Ｅ及び図２７Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

図２７Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

図２７Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

図２７Ｅ及び図２７Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

また、図２７Ｅ及び図２７Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

図２８Ａ乃至図２８Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

図２８Ａ乃至図２８Ｇにおいて、表示部９００１に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図２８Ａ乃至図２８Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

図２８Ａ乃至図２８Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

図２８Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図２８Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。

図２８Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

図２８Ｃは、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

図２８Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

図２８Ｅ乃至図２８Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２８Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２８Ｇは折り畳んだ状態、図２８Ｆは図２８Ｅと図２８Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

Ｌｉｎ：光、１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００Ｅ：表示装置、１００Ｆ：表示装置、１００Ｇ：表示装置、１００Ｈ：表示装置、１００：表示装置、１０１：層、１１０Ｂ：副画素、１１０Ｇ：副画素、１１０ＩＲ：副画素、１１０Ｒ：副画素、１１０Ｓ：副画素、１１０：画素、１１１ａ：画素電極、１１１ｂ：画素電極、１１１ｃ：画素電極、１１１ｄ：画素電極、１１１ｅ：画素電極、１１２ａ：導電層、１１２ｂ：導電層、１１２ｃ：導電層、１１３ａ：第１の層、１１３Ａ：膜、１１３ｂ：第２の層、１１３Ｂ：膜、１１３ｃ：第３の層、１１４：共通層、１１５：共通電極、１１７：遮光層、１１８ａ：犠牲層、１１８Ａ：犠牲膜、１１８ｂ：犠牲層、１１８Ｂ：犠牲膜、１１８ｃ：犠牲層、１１９ａ：犠牲層、１１９Ａ：犠牲膜、１１９ｂ：犠牲層、１１９Ｂ：犠牲膜、１２０：基板、１２１：絶縁層、１２２：樹脂層、１２３：導電層、１２５Ａ：絶縁膜、１２５：絶縁層、１２６ａ：導電層、１２６ｂ：導電層、１２６ｃ：導電層、１２７Ａ：絶縁膜、１２７：絶縁層、１２８：層、１２９ａ：導電層、１２９ｂ：導電層、１２９ｃ：導電層、１３０Ｂ：発光デバイス、１３０Ｇ：発光デバイス、１３０ＩＲ：発光デバイス、１３０Ｒ：発光デバイス、１３１：保護層、１３２Ｂ：着色層、１３２Ｇ：着色層、１３２Ｒ：着色層、１３２Ｖ：着色層、１３３：レンズアレイ、１３４：絶縁層、１３５：空隙、１４０：接続部、１４２：接着層、１５０：受光デバイス、１５１：基板、１５２：基板、１５３：絶縁層、１６２：表示部、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、１９０Ａ：レジストマスク、１９０Ｂ：レジストマスク、１９１：マスク、１９２：マスク、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２３１：半導体層、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５ａ：絶縁層、２５５ｂ：絶縁層、２５５ｃ：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、３５１：基板、３５２：指、３５３：層、３５５：機能層、３５７：層、３５９：基板、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７５０：イヤフォン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７６１：下部電極、７６２：上部電極、７６３ａ：ＥＬ層、７６３ｂ：ＥＬ層、７６３：ＥＬ層、７６４：層、７６５：層、７６６：層、７６７：活性層、７６８：層、７７１：発光層、７７２：発光層、７７３：発光層、７８０：層、７８１：層、７８２：層、７８５：電荷発生層、７９０：層、７９１：層、７９２：層、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims (12)

1. 　第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、第１の方向に繰り返し配置された表示部を有し、
   　前記第１の配列パターンでは、第１の副画素及び第２の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されており、
   　前記第２の配列パターンでは、第３の副画素、第４の副画素、及び、第５の副画素が、前記第２の方向に繰り返し配置されており、
   　前記第１の副画素乃至前記第４の副画素は、それぞれ、発光デバイスを有し、
   　前記第５の副画素は、受光デバイスを有する、表示装置。
2. 　請求項１において、
   　前記第３の副画素、前記第４の副画素、及び、前記第５の副画素における長手方向は、前記第１の方向である、表示装置。
3. 　請求項１または２において、
   　前記第１の副画素における長手方向は、前記第２の方向である、表示装置。
4. 　請求項１乃至３のいずれか一において、
   　前記第２の副画素は、赤外光を呈し、前記第１の副画素乃至前記第５の副画素の中で開口率が最も低い、表示装置。
5. 　第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、第１の方向に繰り返し配置された表示部を有し、
   　前記第１の配列パターンでは、第１の副画素、第２の副画素、及び、第３の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されており、
   　前記第２の配列パターンでは、第４の副画素、及び、第５の副画素が、前記第２の方向に繰り返し配置されており、
   　前記第１の副画素乃至前記第４の副画素は、それぞれ、発光デバイスを有し、
   　前記第５の副画素は、受光デバイスを有する、表示装置。
6. 　請求項５において、
   　前記第１の副画素、前記第２の副画素、及び、前記第３の副画素における長手方向は、前記第１の方向である、表示装置。
7. 　請求項５または６において、
   　前記第５の副画素における長手方向は、前記第２の方向である、表示装置。
8. 　請求項５乃至７のいずれか一において、
   　前記第４の副画素は、赤外光を呈し、前記第１の副画素乃至前記第５の副画素の中で開口率が最も低い、表示装置。
9. 　第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、第４の副画素、及び、第５の副画素を有する画素を有し、
   　前記第１の副画素は、第１の発光デバイス及び第１の着色層を有し、
   　前記第２の副画素は、第２の発光デバイス及び第２の着色層を有し、
   　前記第３の副画素は、第３の発光デバイス及び第３の着色層を有し、
   　前記第４の副画素は、第４の発光デバイスを有し、
   　前記第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、前記第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、
   　前記第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、前記第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
   　前記第３の発光デバイスは、第３の画素電極と、前記第３の画素電極上の第３のＥＬ層と、前記第３のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
   　前記第４の発光デバイスは、第４の画素電極と、前記第４の画素電極上の第４のＥＬ層と、前記第４のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
   　前記第１のＥＬ層乃至前記第３のＥＬ層は、いずれも同一の構成を有し、かつ、互いに離隔されており、
   　前記第１の着色層乃至前記第３の着色層は、それぞれ異なる色の光を透過し、
   　前記第４の副画素は、赤外光を呈し、
   　前記第５の副画素は、受光デバイスを有し、
   　前記受光デバイスは、前記第１の副画素乃至前記第４の副画素のうち少なくとも一つが呈する光を検出する機能を有する、表示装置。
10. 　第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、第４の副画素、及び、第５の副画素を有する画素を有し、
    　前記第１の副画素は、第１の発光デバイス及び第１の着色層を有し、
    　前記第２の副画素は、第２の発光デバイス及び第２の着色層を有し、
    　前記第３の副画素は、第３の発光デバイス及び第３の着色層を有し、
    　前記第４の副画素は、第４の発光デバイス及び第４の着色層を有し、
    　前記第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、前記第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、前記第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、
    　前記第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、前記第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、前記第２のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
    　前記第３の発光デバイスは、第３の画素電極と、前記第３の画素電極上の第３のＥＬ層と、前記第３のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
    　前記第４の発光デバイスは、第４の画素電極と、前記第４の画素電極上の第４のＥＬ層と、前記第４のＥＬ層上の前記共通電極と、を有し、
    　前記第１のＥＬ層乃至前記第４のＥＬ層は、いずれも同一の構成を有し、かつ、互いに離隔されており、
    　前記第１の着色層乃至前記第３の着色層は、それぞれ異なる色の光を透過し、
    　前記第４の着色層は、前記第１の着色層乃至前記第３の着色層のうちいずれか２つ以上を積層して有し、
    　前記第５の副画素は、受光デバイスを有し、
    　前記受光デバイスは、前記第１の副画素乃至前記第４の副画素のうち少なくとも一つが呈する光を検出する機能を有する、表示装置。
11. 　請求項１乃至１０のいずれか一に記載の表示装置と、
    　コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュール。
12. 　請求項１１に記載の表示モジュールと、
    　筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器。

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