JP2022175012A - 生体認証装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 小型化を実現することが可能な光学式の生体認証装置を提供すること。【解決手段】 一実施形態に係る生体認証装置は、可撓性を有する樹脂基板と、樹脂基板の上に配置される光センサと、樹脂基板の上に配置される照明装置と、を備え、光センサと照明装置とは、検出対象に装着された際に検出対象を挟んで対向するように樹脂基板の上に配置され、光センサは、照明装置から照射され、検出対象を透過した光を検出する。【選択図】 図１

Description

本発明の実施形態は、生体認証装置に関する。

近年、個人認証等に用いられる生体認証装置として、光学式の生体認証装置が知られている。このような光学式の生体認証装置としては、光学式のセンサと照明装置とを別々の基板に設ける構成が知られているが、このような構成には装置規模が大きくなってしまうという問題がある。このため、光学式の生体認証装置の小型化が望まれている。

特表２０２０－５１１７１３号公報

本開示は、小型化を実現することが可能な光学式の生体認証装置を提供することを目的の１つとする。

一実施形態に係る生体認証装置は、可撓性を有する樹脂基板と、前記樹脂基板の上に配置される光センサと、前記樹脂基板の上に配置される照明装置と、を具備し、前記光センサと前記照明装置とは、検出対象に装着された際に前記検出対象を挟んで対向するように前記樹脂基板の上に配置され、前記光センサは、前記照明装置から照射され、前記検出対象を透過した光を検出する。

一実施形態に係る生体認証装置は、可撓性を有する樹脂基板と、前記樹脂基板の上に配置される光センサと、前記樹脂基板の上に配置される照明装置と、を具備し、前記光センサと前記照明装置とは、平面視において互いに重畳しないように前記樹脂基板上に配置され、前記照明装置は、前記光センサを囲むように前記樹脂基板の上に配置され、前記光センサは、前記照明装置から照射され、検出対象により反射された光を検出する。

図１は、第１実施形態に係る生体認証装置の概略構成を示す模式図である。 図２は、同実施形態に係る生体認証装置が有するセンサおよび照明装置の配置レイアウトの一例を示す平面図である。 図３は、図２に示すＡ－Ｂ線で切断された生体認証装置の断面を示す断面図である。 図４は、同実施形態に係る生体認証装置が有するセンサの構成を模式的に示す平面図である。 図５は、同実施形態に係る生体認証装置が有するセンサの構成例を示すブロック図である。 図６は、同実施形態に係る生体認証装置が有するセンサを示す回路図である。 図７は、同実施形態に係る生体認証装置が有するセンサが有する複数の第１画素を示す回路図である。 図８は、同実施形態に係る生体認証装置が有する照明装置の構成を模式的に示す平面図である。 図９は、同実施形態に係る配線領域に配置される基材の形状を示す平面図である。 図１０は、第２実施形態に係る生体認証装置の概略構成を示す模式図である。 図１１は、同実施形態に係る生体認証装置が有するセンサおよび照明装置の配置レイアウトの一例を示す平面図である。

以下、図面を参照して、実施形態について説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の趣旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実施の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、および、Ｚ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向をＸ方向または第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向をＹ方向または第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向をＺ方向または第３方向と称する。Ｘ軸およびＹ軸によって規定される面をＸ－Ｙ平面と称し、Ｘ軸およびＺ軸によって規定される面をＸ－Ｚ平面と称する。Ｘ－Ｙ平面を見ることを平面視という。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る生体認証装置１の概略構成を示す模式図である。図１に示すように、生体認証装置１は、例えば指Ｆｇに巻き付けて使用される。生体認証装置１は、同一基板上に配置されたセンサ２（光センサ）と照明装置３とを備え、センサ２と照明装置３とは指Ｆｇを挟んで対向して配置されている。

照明装置３から照射された光は、指Ｆｇを透過して、センサ２により検出される。センサ２は、透過型の光学式センサであり、指Ｆｇを透過した光を検出することで、当該指Ｆｇの生体情報を検出することができる。生体情報は、例えば、指紋や静脈等の血管像（静脈パターン）や脈拍、脈波、血液の状態（血中酸素濃度等）等である。照明装置３から照射される光の色は、検出対象に応じて異ならせてもよい。例えば、指紋検出の場合には、照明装置３は可視光（例えば青色または緑色）の光を照射し、静脈検出の場合には、照明装置３は赤外光の光を照射することができる。

なお、図１では、指Ｆｇの上面側（爪側）に照明装置３が配置され、指Ｆｇの下面側（腹側）にセンサ２が配置された場合を示したが、これに限定されず、指Ｆｇの上面側にセンサ２が配置され、指Ｆｇの下面側に照明装置３が配置されても構わない。

また、本実施形態では、検出対象が指Ｆｇである場合を想定しているが、これに限定されず、センサ２と照明装置３とで挟み込むことが可能な任意の部位が検出対象になり得る。

図２は、生体認証装置１が有するセンサ２および照明装置３の配置レイアウトの一例を示す平面図である。図２に示すように、生体認証装置１は、基材１１と、当該基材１１の上に設けられる検出領域ＡＡおよび周辺領域ＳＡと、を備える。検出領域ＡＡは、受光領域Ａ１（第１領域）と、発光領域Ａ２（第２領域）と、配線領域Ａ３（第３領域）と、を含む。検出領域ＡＡに含まれる各領域Ａ１，Ａ２，Ａ３は、平面視において互いに重畳しない。

受光領域Ａ１は、センサ２を構成する複数の第１画素ＰＸ１が設けられた領域である。第１画素ＰＸ１は基材１１の上に配置される。第１画素ＰＸ１は、センサ画素または撮像画素と称されてもよい。複数の第１画素ＰＸ１は、受光領域Ａ１内において、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列される。詳しくは後述するが、複数の第１画素ＰＸ１のそれぞれには、有機受光素子ＯＰＤ（図３参照）が設けられる。有機受光素子ＯＰＤは、照明装置３から照射された光であり、検出対象である指Ｆｇを透過した光を受光し、受光した光の光量に応じた電気信号を出力する。なお、第１画素ＰＸ１には、有機受光素子ＯＰＤに変えて、ＰＩＮ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ Ｎｅｇａｔｉｖｅ）フォトダイオードが設けられてもよい。

発光領域Ａ２は、照明装置３を構成する複数の第２画素ＰＸ２が設けられた領域である。第２画素ＰＸ２は基材１１の上に配置される。複数の第２画素ＰＸ２は、発光領域Ａ２内において、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列される。詳しくは後述するが、複数の第２画素ＰＸ２のそれぞれには、発光素子ＬＥＤ（図３参照）が設けられる。発光素子ＬＥＤは、例えばマイクロＬＥＤやミニＬＥＤであり、検出対象である指Ｆｇに向けて光を照射する。

有機受光素子ＯＰＤを含む第１画素ＰＸ１と、発光素子ＬＥＤを含む第２画素ＰＸ２の個数や大きさは、図２に示すように、互いに異なっていて構わない。一例として、１つの第１画素ＰＸ１に対して、０．１μＷ～１μＷ程度の光量が照射されるように、第２画素ＰＸ２の個数や大きさが規定されることが望ましい。

配線領域Ａ３は、受光領域Ａ１と発光領域Ａ２との間に配置される領域である。配線領域Ａ３には、第１画素ＰＸ１および第２画素ＰＸ２は配置されない。つまり、配線領域Ａ３には、各種素子や、後述する各種ドライバ回路等は配置されない。配線領域Ａ３には、第１画素ＰＸ１および第２画素ＰＸ２に接続される各種配線が設けられる。
周辺領域ＳＡは、検出領域ＡＡの外側の領域であり、第１画素ＰＸ１および第２画素ＰＸ２に接続される各種ドライバ回路等が配置される。

図３は、図２に示すＡ－Ｂ線で切断された生体認証装置１の断面を示す断面図である。以下では、まず、受光領域Ａ１における生体認証装置１（センサ２）の断面構造について説明する。

図３に示すように、生体認証装置１は、シート状の支持体１０の上に配置された基材１１を備えている。基材１１としては、ＴＦＴ工程中の処理温度に耐え得るものであればよく、主に石英、無アルカリガラス等のガラス基板、またはポリイミド等の樹脂基板を用いることができる。樹脂基板は可撓性を有し、シート状の生体認証装置１を構成することができる。このため、本実施形態においては、基材１１が樹脂基板である場合を想定している。なお、樹脂基板としては、ポリイミドに限らず、他の樹脂材料を用いてもよい。

基材１１の上には、三層積層構造のアンダーコート層１２が設けられている。詳細についての図示は省略するが、アンダーコート層１２は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）で形成された最下層、シリコン窒化物（ＳｉＮ）で形成された中層、およびシリコン酸化物（ＳｉＯ２）で形成された最上層を有している。最下層は、基材１１との密着性向上のために設けられる。中層は、外部からの水分および不純物のブロック膜として設けられる。最上層は、中層内に含有する水素原子が後述する半導体層ＳＣ側に拡散しないようにするブロック膜として設けられる。

なお、アンダーコート層１２は、この構造に限定されるものではない。アンダーコート層１２は、さらに積層があってもよいし、単層構造あるいは二層構造であってもよい。例えば、基材１１がガラス基板である場合、シリコン窒化膜は比較的密着性がよいため、当該基材１１上に直接シリコン窒化膜を形成しても構わない。

基材１１の上には、遮光膜１３が配置されている。遮光膜１３の位置は、後にＴＦＴを形成する箇所に合わせられている。遮光膜１３は、金属材や黒色材等、遮光性を有する材料で形成されていればよい。このような遮光膜１３によれば、ＴＦＴのチャネル裏面への光の侵入を抑制することができるため、基材１１側から入射され得る光に起因したＴＦＴ特性の変化を抑制することが可能である。なお、遮光膜１３を導電材で形成した場合には、当該遮光膜１３に所定の電位を与えることで、ＴＦＴにバックゲート効果を付与することが可能である。

アンダーコート層１２の上にはＴＦＴが形成される。ＴＦＴとしては半導体層ＳＣにポリシリコンを利用するポリシリコンＴＦＴを例としている。但し、半導体層ＳＣはポリシリコンに限らず酸化物半導体やアモルファスシリコンであってもよい。本実施形態において、半導体層ＳＣは低温ポリシリコンを利用して形成されている。ＴＦＴは、ＮｃｈＴＦＴ、ＰｃｈＴＦＴのいずれを用いてもよい。また、ＮｃｈＴＦＴとＰｃｈＴＦＴを同時に形成してもよい。以下では、ＴＦＴとしてＮｃｈＴＦＴが用いられた場合について説明する。

ＮｃｈＴＦＴの半導体層ＳＣは、第１領域と、第２領域と、第１領域および第２領域の間のチャネル領域と、チャネル領域および第１領域の間ならびにチャネル領域および第２領域の間にそれぞれ設けられた低濃度不純物領域と、を有する。第１領域および第２領域のうちの一方はソース領域として機能し、他方はドレイン領域として機能している。

ゲート絶縁膜ＧＩはシリコン酸化膜を用い、ゲート電極ＧＥはＭｏＷ（モリブデン・タングステン）で形成されている。なお、ゲート電極ＧＥは、ＴＦＴのゲート電極としての機能に加え、後述する保持容量電極としての機能も有している。ここではトップゲート型のＴＦＴを例示しているが、ＴＦＴはボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。

ゲート絶縁膜ＧＩおよびゲート電極ＧＥの上には、パッシベーション層１４が設けられている。パッシベーション層１４は、ゲート絶縁膜ＧＩおよびゲート電極ＧＥの上に、例えば、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜を順に積層して構成されている。

パッシベーション層１４の上に、ＴＦＴの第１電極Ｅ１および第２電極Ｅ２が設けられている。第１電極Ｅ１および第２電極Ｅ２は、それぞれ三層積層構造（Ｔｉ系／Ａｌ系／Ｔｉ系）が採用され、Ｔｉ（チタン）、Ｔｉを含む合金等Ｔｉを主成分とする金属材料からなる最下層と、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌを含む合金等Ａｌを主成分とする金属材料からなる中層と、Ｔｉ、Ｔｉを含む合金等Ｔｉを主成分とする金属材料からなる最上層と、を有している。

第１電極Ｅ１は、半導体層ＳＣの第１領域に接続され、第２電極Ｅ２は、半導体層ＳＣの第２領域に接続されている。例えば、半導体層ＳＣの第１領域がドレイン領域として機能する場合、第１電極Ｅ１はドレイン電極であり、第２電極Ｅ２はソース電極である。第１電極Ｅ１は、パッシベーション層１４、および、ＴＦＴのゲート電極ＧＥ（保持容量電極）と共に、保持容量を形成している。

パッシベーション層１４、第１電極Ｅ１および第２電極Ｅ２の上に、平坦化膜１５が設けられている。平坦化膜１５は、センサ２の下部電極Ｅ３とＴＦＴとがコンタクトする領域では除去され、開口部ＯＰ１を有している。平坦化膜１５としては、感光性アクリル等の有機絶縁材料が多く用いられる。これは、ＣＶＤ等により形成される無機絶縁材料に比べて、配線段差のカバレッジ性や、表面の平坦性に優れている。

受光領域Ａ１において、平坦化膜１５の上には、センサ２の下部電極Ｅ３が設けられている。下部電極Ｅ３は、平坦化膜１５に形成された開口部ＯＰ１を通じて第１電極Ｅ１に接続されている。

平坦化膜１５および下部電極Ｅ３は、無機絶縁膜１６により覆われている。無機絶縁膜１６は、有機受光素子ＯＰＤと下部電極Ｅ３とがコンタクトする領域では除去され、開口を有している。無機絶縁膜１６は、例えばシリコン窒化膜で形成されている。

下部電極Ｅ３および無機絶縁膜１６は、複数の層からなる有機受光素子ＯＰＤにより覆われている。受光領域Ａ１において、センサ２の下部電極Ｅ３は、無機絶縁膜１６に形成された開口にて有機受光素子ＯＰＤと接触する。

なお、有機受光素子ＯＰＤは高温プロセスに耐えることができないため、後述する発光素子ＬＥＤが実装された後に形成されることが望ましい。このとき、有機受光素子ＯＰＤは、発光素子ＬＥＤの上部表面（出射面）を露出させる。

有機受光素子ＯＰＤの上には、上部電極Ｅ４が有機受光素子ＯＰＤを覆うように設けられている。上部電極Ｅ４は、受光領域Ａ１だけでなく、発光領域Ａ２および配線領域Ａ３に亘って配置されている。上部電極Ｅ４は、発光素子ＬＥＤから照射され、指Ｆｇを透過した光を受光するために、透明電極として形成される必要があり、例えばＩＴＯ等を用いて形成される。
以上が、受光領域Ａ１における生体認証装置１（センサ２）の断面構造である。

続いて、発光領域Ａ２における生体認証装置１（照明装置３）の断面構造について説明する。なお、受光領域Ａ１における断面構造と同様な部分についての説明は省略する。
発光領域Ａ２において、パッシベーション層１４の上には、電源配線ＰＬが設けられている。電源配線ＰＬは平坦化膜１５によって覆われている。平坦化膜１５の上には、照明装置３の下部電極Ｅ５が設けられている。下部電極Ｅ５は、平坦化膜１５に形成された開口部ＯＰ２を通じて電源配線ＰＬに接続されている。下部電極Ｅ５は無機絶縁膜１６により覆われている。

無機絶縁膜１６は、接続導電部材ＳＯと下部電極Ｅ５とがコンタクトする領域では除去され、開口を有している。下部電極Ｅ５の上であって、無機絶縁膜１６に形成された開口には接続導電部材ＳＯが設けられている。接続導電部材ＳＯの上には発光素子ＬＥＤが設けられている。発光素子ＬＥＤは、真上方向にしか光を出射せず、横方向には光を出射しないタイプの光源であることが望ましい。上記したように、発光素子ＬＥＤの上部表面は露出されている。

発光素子ＬＥＤの上には、各領域Ａ１，Ａ２，Ａ３に亘って共通に設けられる上部電極Ｅ４が配置されている。上記したように、上部電極Ｅ４は透明電極として形成されるため、発光素子ＬＥＤからの光を取り出すことができる。
以上が、発光領域Ａ２における生体認証装置１（照明装置３）の断面構造である。

なお、配線領域Ａ３については後述するためここでは詳しい説明を省略するが、図３に示すように、配線領域Ａ３には、パッシベーション層１４から支持体１０の表面まで貫通した開口（貫通孔）が複数形成されると共に、複数の線部ＬＰが設けられている。線部ＬＰは、基材１１、アンダーコート層１２、ゲート絶縁膜ＧＩ、パッシベーション層１４、配線Ｌが、基材１１の側からこの順で積層された構造を有し、平坦化膜１５により覆われている。

各領域Ａ１，Ａ２，Ａ３に亘って配置された上部電極Ｅ４の上には、封止層１７が設けられている。封止層１７は、有機受光素子ＯＰＤに、外部から水分が侵入してしまうことを抑制するために設けられる。封止層１７は、有機絶縁膜１８およびこれを挟む一対の無機絶縁膜１９の積層構造となっている。封止層１７の上には、保護膜として機能する樹脂層２０が設けられている。

なお、図３では図示を省略しているが、上部電極Ｅ４に電源供給するための電源配線は、例えば、第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、電源配線ＰＬ、配線Ｌと同層に設けられる。この電源配線は、第１画素ＰＸ１および第２画素ＰＸ２毎に複数設けられてもよいし、全画素で共用するとして１つだけ設けられてもよい。但し、全画素で共用するとして電源配線が１つだけ設けられる場合、当該電源配線から離れた位置の画素ほど、上部電極Ｅ４の抵抗に基づく電圧降下により、印加される電圧が小さくなってしまう。このため、上部電極Ｅ４に電源供給するための電源配線は画素毎に設けられている方が望ましく、この場合、全画素で共用する場合に比べて低抵抗化を図ることが可能である。

図４は、生体認証装置１が有するセンサ２の構成を模式的に示す平面図である。図４に示すように、センサ２は、基材１１と、受光領域Ａ１に設けられた複数の第１画素ＰＸ１からなるセンサ部２１と、第１ゲート線駆動回路ＧＤ１と、第１信号線選択回路ＳＤ１と、検出回路４８と、第１制御回路１０２と、第１電源回路１０３と、を備える。第１ゲート線駆動回路ＧＤ１はセンサゲート線駆動回路と称され、第１信号線選択回路ＳＤ１はセンサ信号線選択回路と称され、第１制御回路１０２はセンサ制御回路と称され、第１電源回路１０３はセンサ電源回路と称されてもよい。

基材１１には、フレキシブルプリント基板ＦＰＣを介して制御基板１０１が電気的に接続される。フレキシブルプリント基板ＦＰＣには、検出回路４８が設けられている。制御基板１０１には、第１制御回路１０２および第１電源回路１０３が設けられている。

第１制御回路１０２は、例えばＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）である。第１制御回路１０２は、センサ部２１、第１ゲート線駆動回路ＧＤ１および第１信号線選択回路ＳＤ１に制御信号を供給して、センサ部２１の検出動作を制御する。第１電源回路１０３は、センサ電源信号ＶＤＤＳＮＳ（図７参照）等の電圧信号を、センサ部２１、第１ゲート線駆動回路ＧＤ１および第１信号線選択回路ＳＤ１に供給する。

第１ゲート線駆動回路ＧＤ１および第１信号線選択回路ＳＤ１は、周辺領域ＳＡに設けられる。例えば、第１ゲート線駆動回路ＧＤ１は、周辺領域ＳＡのうち第２方向Ｙに沿って延在する領域に設けられる。第１信号線選択回路ＳＤ１は、周辺領域ＳＡのうち第１方向Ｘに沿って延在する領域に設けられ、センサ部２１と検出回路４８との間に設けられる。但し、第１ゲート線駆動回路ＧＤ１および第１信号線選択回路ＳＤ１は上記した位置に限定されず、周辺領域ＳＡの任意の位置に配置されて構わない。

図５は、生体認証装置１が有するセンサ２の構成例を示すブロック図である。図５に示すように、センサ２は、検出制御部２２と、検出部４０とをさらに備える。検出制御部２２の機能の一部または全部は、第１制御回路１０２に含まれる。また、検出部４０のうち、検出回路４８以外の機能の一部または全部は、第１制御回路１０２に含まれる。

センサ部２１は、光電変換素子である有機受光素子ＯＰＤを有する光センサである。センサ部２１が有する有機受光素子ＯＰＤは、受光される光の光量に応じた電気信号を第１信号線選択回路ＳＤ１に出力する。第１信号線選択回路ＳＤ１は、検出制御部２２からの選択信号ＡＳＷにしたがい順次信号線ＳＬＡ（図６参照）を選択する。これにより、上記した電気信号は、第１信号線選択回路ＳＤ１を介して、検出信号Ｖｄｅｔとして検出部４０に出力される。また、センサ部２１は、第１ゲート線駆動回路ＧＤ１から供給されるゲート駆動信号Ｖｇｌａにしたがって検出を行う。

検出制御部２２は、第１ゲート線駆動回路ＧＤ１、第１信号線選択回路ＳＤ１および検出部４０それぞれに制御信号を供給し、これらの動作を制御する回路である。検出制御部２２は、スタート信号ＳＴＶ、クロック信号ＣＫ、リセット信号ＲＳＴ１等の各種制御信号を第１ゲート線駆動回路ＧＤ１に供給する。また、検出制御部２２は、選択信号ＡＳＷ等の各種制御信号を第１信号線選択回路ＳＤ１に供給する。

第１ゲート線駆動回路ＧＤ１は、各種制御信号に基づいて複数のゲート線ＧＬＡ（図６参照）を駆動する回路である。第１ゲート線駆動回路ＧＤ１は、複数のゲート線ＧＬＡを順次または同時に選択し、選択されたゲート線ＧＬＡにゲート駆動信号Ｖｇｌａを供給する。これにより、第１ゲート線駆動回路ＧＤ１は、ゲート線ＧＬＡに接続された複数の有機受光素子ＯＰＤを選択する。

第１信号線選択回路ＳＤ１は、複数の信号線ＳＬＡ（図６参照）を順次または同時に選択するスイッチ回路である。第１信号線選択回路ＳＤ１は、例えばマルチプレクサである。第１信号線選択回路ＳＤ１は、検出制御部２２から供給される選択信号ＡＳＷに基づいて、選択された信号線ＳＬＡと検出回路４８とを接続する。これにより、第１信号線選択回路ＳＤ１は、有機受光素子ＯＰＤからの検出信号Ｖｄｅｔを検出部４０に出力する。

検出部４０は、検出回路４８と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、記憶部４６と、検出タイミング制御部４７と、を備える。検出タイミング制御部４７は、検出制御部２２から供給される制御信号に基づいて、検出回路４８と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、が同期して動作するように制御する。

検出回路４８は、例えばアナログ・フロント・エンド回路（AFE: Analog Front End）である。検出回路４８は、例えば、検出信号積分部４２およびＡ／Ｄ変換部４３を有する信号処理回路である。検出信号積分部４２は、検出信号Ｖｄｅｔを積分する。Ａ／Ｄ変換部４３は、検出信号積分部４２から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。なお、以下の説明中では、検出信号積分部４２により積分され、Ａ／Ｄ変換部４３によりアナログ信号からデジタル信号に変換されて出力される信号のことを、検出信号Ｖｄｅｔと称して説明することもある。

信号処理部４４は、検出回路４８の出力信号に基づいて、センサ部２１に入力された所定の物理量を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指Ｆｇが検出領域ＡＡに接触または近接した場合に、検出回路４８からの出力信号に基づいて指Ｆｇの表面の凹凸（すなわち指紋）を検出できる。

記憶部４６は、信号処理部４４で演算された信号を一時的に保存する。記憶部４６は、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）、レジスタ回路等であってもよい。

座標抽出部４５は、信号処理部４４において指Ｆｇの接触または近接が検出されたときに、指Ｆｇ等の表面の凹凸の検出座標を求める論理回路である。座標抽出部４５は、センサ部２１の有機受光素子ＯＰＤから出力される検出信号Ｖｄｅｔを組み合わせて、指Ｆｇの表面の凹凸（すなわち指紋）の形状や、指Ｆｇの血管パターンの形状を示す、二次元情報（例えば画像等）を生成する。この二次元情報が、ユーザの生体情報である。

なお、座標抽出部４５は、検出座標を算出せずにセンサ出力Ｖｏとして検出信号Ｖｄｅｔを出力してもよい。この場合、検出信号Ｖｄｅｔが、ユーザの生体情報と称されてもよい。あるいは、座標抽出部４５は、検出座標を算出せずにセンサ出力Ｖｏとして、検出信号Ｖｄｅｔに基づいて算出可能な生体に関する情報（例えば脈波データ等）を出力してもよい。この場合、検出信号Ｖｄｅｔに基づいて算出可能な生体に関する情報が、ユーザの生体情報と称されてもよい。

次に、生体認証装置１が有するセンサ２の回路構成例について説明する。図６は、センサ２を示す回路図である。図７は、センサ２が有する複数の第１画素ＰＸ１を示す回路図である。なお、図７では、検出回路４８の回路構成も併せて示している。

図６に示すように、センサ部２１は、マトリクス状に配列された複数の第１画素ＰＸ１を有する。複数の第１画素ＰＸ１には、それぞれ有機受光素子ＯＰＤが設けられている。

ゲート線ＧＬＡは、第１方向Ｘに延在し、第１方向Ｘに配列された複数の第１画素ＰＸ１と接続される。また、複数のゲート線ＧＬＡ１，ＧＬＡ２，…，ＧＬＡ８は、第２方向Ｙに配列され、それぞれ第１ゲート線駆動回路ＧＤ１に接続される。なお、以下の説明において、複数のゲート線ＧＬＡ１～ＧＬＡ８を区別して説明する必要がない場合には、単にゲート線ＧＬＡと表す。また、図６では説明を分かり易くするために、８本のゲート線ＧＬＡを示しているが、あくまで一例であり、ゲート線ＧＬＡは、Ｍ本（Ｍは８以上、例えばＭ＝２５６）配列されていてもよい。

信号線ＳＬＡは、第２方向Ｙに延在し、第２方向Ｙに配列された複数の第１画素ＰＸ１の有機受光素子ＯＰＤに接続される。また、複数の信号線ＳＬＡ１，ＳＬＡ２，…，ＳＬＡ１２は、第１方向Ｘに配列され、それぞれ第１信号線選択回路ＳＤ１およびリセット回路ＲＣに接続される。なお、以下の説明において、複数の信号線ＳＬＡ１～ＳＬＡ１２を区別して説明する必要がない場合には、単に信号線ＳＬＡと表す。また、図６では説明を分かり易くするために、１２本の信号線ＳＬＡを示しているが、あくまで一例であり、信号線ＳＬＡは、Ｎ本（Ｎは１２以上、例えばＮ＝２５２）配列されていてもよい。

なお、図６では、第１信号線選択回路ＳＤ１とリセット回路ＲＣとの間にセンサ部２１が設けられているが、これに限定されず、第１信号線選択回路ＳＤ１とリセット回路ＲＣとは、信号線ＳＬＡの同じ方向の端部にそれぞれ接続されていてもよい。

第１ゲート線駆動回路ＧＤ１は、スタート信号ＳＴＶ、クロック信号ＣＫ、リセット信号ＲＳＴ１等の各種制御信号を、第１制御回路１０２から受け取る。第１ゲート線駆動回路ＧＤ１は、各種制御信号に基づいて、複数のゲート線ＧＬＡ１～ＧＬＡ８を時分割的に順次選択する。第１ゲート線駆動回路ＧＤ１は、選択されたゲート線ＧＬＡにゲート駆動信号Ｖｇｌａを供給する。これにより、ゲート線ＧＬＡに接続された複数のスイッチング素子Ｔｒにゲート駆動信号Ｖｇｌａが供給され、第１方向Ｘに配列された複数の第１画素ＰＸ１が、検出信号Ｖｄｅｔを取得する対象として選択される。

なお、第１ゲート線駆動回路ＧＤ１は、指紋の検出および異なる複数の生体情報（例えば、脈波、脈拍、血管像、血中酸素濃度等）のそれぞれの検出モード毎に、異なる駆動を行ってもよい。

第１信号線選択回路ＳＤ１は、複数の選択信号線Ｌｓｅｌと、複数の出力信号線Ｌｏｕｔと、スイッチング素子ＴｒＳと、を有する。複数のスイッチング素子ＴｒＳは、それぞれ複数の信号線ＳＬＡに対応して設けられている。６本の信号線ＳＬＡ１～ＳＬＡ６は、共通の出力信号線Ｌｏｕｔ１に接続される。６本の信号線ＳＬＡ７～ＳＬＡ１２は、共通の出力信号線Ｌｏｕｔ２に接続される。出力信号線Ｌｏｕｔ１およびＬｏｕｔ２は、それぞれ検出回路４８に接続される。

ここで、信号線ＳＬＡ１～ＳＬＡ６を第１信号線ブロックとし、信号線ＳＬＡ７～ＳＬＡ１２を第２信号線ブロックとする。複数の選択信号線Ｌｓｅｌは、１つの信号線ブロックに含まれるスイッチング素子ＴｒＳのゲートにそれぞれ接続される。また、１本の選択信号線Ｌｓｅｌは、複数の信号線ブロックのスイッチング素子ＴｒＳのゲートに接続される。

具体的には、選択信号線Ｌｓｅｌ１～Ｌｓｅｌ６は、それぞれ信号線ＳＬＡ１～ＳＬＡ６に対応するスイッチング素子ＴｒＳと接続される。また、選択信号線Ｌｓｅｌ１は、信号線ＳＬＡ１に対応するスイッチング素子ＴｒＳと、信号線ＳＬＡ７に対応するスイッチング素子ＴｒＳと、に接続される。選択信号線Ｌｓｅｌ２は、信号線ＳＬＡ２に対応するスイッチング素子ＴｒＳと、信号線ＳＬＡ８に対応するスイッチング素子ＴｒＳと、に接続される。

第１制御回路１０２は、選択信号ＡＳＷを順次選択信号線Ｌｓｅｌに供給する。これにより、第１信号線選択回路ＳＤ１は、スイッチング素子ＴｒＳの動作により、１つの信号線ブロックにおいて信号線ＳＬＡを時分割的に順次選択する。また、第１信号線選択回路ＳＤ１は、複数の信号線ブロックでそれぞれ１本ずつ信号線ＳＬＡを選択する。このような構成により、センサ２は、検出回路４８を含むＩＣ（Integrated Circuit）の数、または、ＩＣの端子数を少なくすることができる。

なお、ここでは、６本の信号線ＳＬＡが１つの出力信号線Ｌｏｕｔに接続され、１つの信号線ブロックとされた場合を例示したが、何本の信号線ＳＬＡが１つの出力信号線Ｌｏｕｔに接続されて１つの信号線ブロックとされるかは、任意に設定することが可能である。例えば、４本の信号線ＳＬＡが１つの出力信号線Ｌｏｕｔに接続され、１つの信号線ブロックとされても構わない。

図６に示すように、リセット回路ＲＣは、基準信号線Ｌｖｒ、リセット信号線Ｌｒｓｔおよびスイッチング素子ＴｒＲを有する。スイッチング素子ＴｒＲは、複数の信号線ＳＬＡに対応して設けられている。基準信号線Ｌｖｒは、複数のスイッチング素子ＴｒＲのソースまたはドレインの一方に接続される。リセット信号線Ｌｒｓｔは、複数のスイッチング素子ＴｒＲのゲートに接続される。

第１制御回路１０２は、リセット信号ＲＳＴ２をリセット信号線Ｌｒｓｔに供給する。これにより、複数のスイッチング素子ＴｒＲがオンになり、複数の信号線ＳＬＡは基準信号線Ｌｖｒと電気的に接続される。第１電源回路１０３は、基準信号ＣＯＭを基準信号線Ｌｖｒに供給する。これにより、複数の第１画素ＰＸ１に含まれる容量素子Ｃａに基準信号ＣＯＭが供給される。

図７に示すように、第１画素ＰＸ１は、有機受光素子ＯＰＤと、容量素子Ｃａと、スイッチング素子Ｔｒとを含む。図７では、複数のゲート線ＧＬＡのうち、第２方向Ｙに並ぶ２つのゲート線ＧＬＡ（ｍ），ＧＬＡ（ｍ＋１）を示す。また、複数の信号線ＳＬＡのうち、第１方向Ｘに並ぶ２つの信号線ＳＬＡ（ｎ），ＳＬＡ（ｎ＋１）を示す。第１画素ＰＸ１は、ゲート線ＧＬＡと信号線ＳＬＡとで囲まれた領域に配置される。スイッチング素子Ｔｒは、有機受光素子ＯＰＤに対応して設けられる。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）で構成されている。

第１方向Ｘに並ぶ複数の第１画素ＰＸ１に属するスイッチング素子Ｔｒのゲートは、ゲート線ＧＬＡに接続される。第２方向Ｙに並ぶ複数の第１画素ＰＸ１に属するスイッチング素子Ｔｒのソースは、信号線ＳＬＡに接続される。スイッチング素子Ｔｒのドレインは、有機受光素子ＯＰＤのカソードおよび容量素子Ｃａに接続される。

有機受光素子ＯＰＤのアノードには、第１電源回路１０３からセンサ電源信号ＶＤＤＳＮＳが供給される。また、信号線ＳＬＡおよび容量素子Ｃａには、第１電源回路１０３から、信号線ＳＬＡおよび容量素子Ｃａの初期電位となる基準信号ＣＯＭが供給される。

第１画素ＰＸ１において光が受光されると、当該第１画素ＰＸ１に含まれる有機受光素子ＯＰＤには光量に応じた電流が流れる。これにより容量素子Ｃａに電荷が蓄積される。スイッチング素子Ｔｒがオンになると、容量素子Ｃａに蓄積された電荷に応じて、信号線ＳＬＡに電流が流れる。信号線ＳＬＡは、第１信号線選択回路ＳＤ１のスイッチング素子ＴｒＳを介して検出回路４８に接続される。これにより、センサ２は、第１画素ＰＸ１毎に、有機受光素子ＯＰＤにおいて受光される光の光量に応じた信号を検出することができる。

検出回路４８は、読み出し期間にスイッチＳＳＷがオンになり、信号線ＳＬＡと接続される。検出回路４８の検出信号積分部４２は、信号線ＳＬＡから供給された電流を積分し、電圧に変換して出力する。検出信号積分部４２の非反転入力部（＋）には、固定された電位を有する基準電位（Ｖｒｅｆ）が入力され、反転入力端子（－）には、信号線ＳＬＡが接続される。ここでは、基準電位（Ｖｒｅｆ）として基準信号ＣＯＭと同じ信号が入力される。また、検出信号積分部４２は、容量素子ＣｂおよびリセットスイッチＲＳＷを有する。読み出し期間の後のリセット期間において、リセットスイッチＲＳＷがオンになり、容量素子Ｃｂの電荷がリセットされる。

続いて、生体認証装置１が有する照明装置３について説明する。図８は、生体認証装置１が有する照明装置３の構成を模式的に示す平面図である。なお、図８では、照明装置３に関する要素のみを図示し、センサ２に関する要素の図示を省略している。図８に示すように、照明装置３は、発光領域Ａ２に設けられた複数の第２画素ＰＸ２からなる発光部３１と、第２ゲート線駆動回路ＧＤ２と、第２信号線選択回路ＳＤ２と、第２制御回路１１２と、第２電源回路１１３と、を備える。第２ゲート線駆動回路ＧＤ２は光源ゲート線駆動回路と称され、第２信号線選択回路ＳＤ２は光源信号線選択回路と称され、第２制御回路１１２は光源制御回路と称され、第２電源回路１１３は光源電源回路と称されてもよい。

基材１１とフレキシブルプリント基板ＦＰＣを介して電気的に接続される制御基板１０１には、第２制御回路１１２および第２電源回路１１３が設けられている。制御回路１１２は例えばＦＰＧＡである。制御回路１１２は、発光部３１、第２ゲート線駆動回路ＧＤ２および第２信号線選択回路ＳＤ２に制御信号を供給して、発光部３１に含まれる複数の第２画素ＰＸ２がそれぞれ有する発光素子ＬＥＤの点灯動作を制御する。第２電源回路１１３は、光源電源信号等の電圧信号を、発光部３１、第２ゲート線駆動回路ＧＤ２および第２信号線選択回路ＳＤ２に供給する。

第２ゲート線駆動回路ＧＤ２および第２信号線選択回路ＳＤ２は、周辺領域ＳＡに設けられる。図８では、第２ゲート線駆動回路ＧＤ２が周辺領域ＳＡのうち第２方向Ｙに沿って延在する領域に設けられ、第２信号線選択回路ＳＤ２が周辺領域ＳＡのうち第１方向Ｘに沿って延在する領域に設けられるとしたが、これに限定されず、第２ゲート線駆動回路ＧＤ２および第２信号線選択回路ＳＤ２は周辺領域ＳＡの任意の位置に配置されて構わない。

第２ゲート線駆動回路ＧＤ２は、各種制御信号に基づいて複数のゲート線ＧＬＢを駆動する回路である。第２ゲート線駆動回路ＧＤ２は、複数のゲート線ＧＬＢを順次または同時に選択し、選択されたゲート線ＧＬＢにゲート駆動信号を供給する。これにより、第２ゲート線駆動回路ＧＤ２は、ゲート線ＧＬＢに接続された複数の発光素子ＬＥＤを選択する。

第２信号線選択回路ＳＤ２は、複数の信号線ＳＬＢを順次または同時に選択するスイッチ回路である。第２信号線選択回路ＳＤ２は、例えばマルチプレクサである。第２信号線選択回路ＳＤ２は、複数の信号線ＳＬＢを順次または同時に選択し、選択された信号線ＳＬＢに選択信号を供給する。これにより、第２信号線選択回路ＳＤ２は、第２ゲート線駆動回路ＧＤ２により選択された複数の発光素子ＬＥＤのうちの１つまたは複数の発光素子ＬＥＤを選択する。

図８に示すように、第２画素ＰＸ２が有する発光素子ＬＥＤは、ゲート線ＧＬＢと信号線ＳＬＢとで囲まれた領域に配置される。発光素子ＬＥＤはそれぞれ、第１方向Ｘに沿って延在し、第２方向Ｙに間隔を置いて並ぶゲート線ＧＬＢと、第２方向Ｙに沿って延在し、第１方向Ｘに間隔を置いて並ぶ信号線ＳＬＢとに接続されている。詳しくは後述するが、信号線ＳＬＢは配線領域Ａ３まで延出していてもよい。上記したように、発光素子ＬＥＤは、第２ゲート線駆動回路ＧＤ２および第２信号線選択回路ＳＤ２から供給される制御信号により選択的に点灯される。

次に、図９を参照して、配線領域Ａ３について説明する。
上記したように、配線領域Ａ３は、受光領域Ａ１と発光領域Ａ２との間に配置された領域である。配線領域Ａ３は、生体認証装置１が検出対象である指Ｆｇに巻き付けられた際に当該指Ｆｇの側面に沿って湾曲する領域である。このため、配線領域Ａ３は伸縮可能な構造を有していることが望ましい。なお、配線領域Ａ３が伸縮可能な構造を有することにより、生体認証装置１が指Ｆｇに巻き付けられた際の受光領域Ａ１および発光領域Ａ２の位置調整を、配線領域Ａ３を伸縮させることで行うことが可能となる。つまり、生体認証装置１が指Ｆｇに巻き付けられた際に、当該指Ｆｇの下面に接するように受光領域Ａ１を位置させ、当該指Ｆｇの上面に接するように発光領域Ａ２を位置させるための位置調整を容易に行うことが可能となる。

図９に示すように、配線領域Ａ３においては、基材１１は、第１方向Ｘに波状に延出し第２方向Ｙに並んで配置された複数の第１部分１１Ａと、第２方向Ｙに波状に延出し第１方向Ｘに並んで配置された複数の第２部分１１Ｂと、第１部分１１Ａと第２部分１１Ｂとの交差部に位置する複数の島状部１１Ｃ（第３部分）と、を有するように形成される。つまり、配線領域Ａ３において、基材１１は、第１部分１１Ａと、第２部分１１Ｂと、島状部１１Ｃとによって囲まれた領域に開口を有するように形成される。この開口が、図３に示したパッシベーション層１４から支持体１０の表面まで貫通した開口に相当する。なお、第１部分１１Ａと第２部分１１Ｂとの交差部に島状部１１Ｃが配置されることにより、引っ張られた際の応力を分散させ、配線領域Ａ３において、基材１１が破断してしまうことを抑制することが可能である。

図９に示すように、配線領域Ａ３において、波状に形成された第２部分１１Ｂの上には、発光領域Ａ２に配置された第２画素ＰＸ２に接続される信号線ＳＬＢが配置される。なお、図９では、第２部分１１Ｂの上に信号線ＳＬＢが配置された構成を示したが、配線領域Ａ３に配置される配線は信号線ＳＬＢに限定されず、例えば第２画素ＰＸ２に含まれる発光素子ＬＥＤの下部電極Ｅ５または上部電極Ｅ４に電圧を供給するための電源配線等、任意の配線が第１部分１１Ａまたは第２部分１１Ｂの上に配置されて構わない。あるいは、第１部分１１Ａおよび第２部分１１Ｂの上には、いずれの配線も配置されずに、基材１１が伸縮可能な構造を有しているだけであっても構わない。

以上説明したように、配線領域Ａ３は伸縮可能な構造を有しているため、伸縮していない自然状態時の配線領域Ａ３の第２方向Ｙの長さは、受光領域Ａ１の第２方向Ｙの長さや発光領域Ａ２の第２方向Ｙの長さに比べて短くてもよい。

以上説明した第１実施形態によれば、生体認証装置１は、同一基板上に配置されたセンサ２と照明装置３とを備えており、センサ２が配置された受光領域Ａ１と、照明装置３が配置された発光領域Ａ２とは平面視において重畳せず、受光領域Ａ１と発光領域Ａ２との間に配置された配線領域Ａ３により分離して配置されている。また、配線領域Ａ３は伸縮可能な構造を有している。これによれば、検出対象である指Ｆｇに巻き付けて、当該指Ｆｇから生体情報を検出可能な生体認証装置１を提供することができる。

また、センサ２と照明装置３とが同一基板上に配置されることにより、基材１１に接続されるフレキシブルプリント基板ＦＰＣの数を１つにすることが可能なため、センサ２と照明装置３とが別基板に配置され、基板の数と同数のフレキシブルプリント基板が設けられる一般的な構成に比べて、小型化された生体認証装置１（つまり、コンパクトな形状の生体認証装置１）を提供することができる。

さらに、生体認証装置１は、上記したように、配線領域Ａ３において伸縮可能な構造を有しているので、生体認証装置１を、検出対象である指Ｆｇに巻き付けた際の受光領域Ａ１および発光領域Ａ２の位置調整を、配線領域Ａ３を伸縮させることで容易に行うことができる。

また、生体認証装置１は、上記したように、検出対象である指Ｆｇに巻き付けて使用することが可能なため、上記した一般的な構成に比べて、照明装置３からセンサ２までの距離を短くすることができ、照明装置３から照射される光の利用効率を向上させることが可能である。

なお、本実施形態では、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ側にセンサ２が配置され、その反対側に照明装置３が配置された場合を想定したため、配線領域Ａ３には、照明装置３に含まれる第２画素ＰＸ２に接続される信号線ＳＬＢが配置されるとしたが、これに限定されず、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ側に照明装置３が配置され、その反対側にセンサ２が配置され、配線領域Ａ３には、センサ２に含まれる第１画素ＰＸ１に接続されるいずれかの配線が配置されるとしてもよい。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、照明装置３がセンサ２を囲むように配置される点で、上記した第１実施形態と相違している。以下では、上記した第１実施形態と同様な構成についての説明を省略し、主に、上記した第１実施形態と相違する点について説明する。

図１０は、第２実施形態に係る生体認証装置１の概略構成を示す模式図である。図１０に示すように、生体認証装置１は、例えば手首Ｈｎに接触させて使用される。生体認証装置１は、同一基板上に配置されたセンサ２と照明装置３とを備え、照明装置３はセンサ２を囲むように配置されている。

照明装置３から照射された光は、手首Ｈｎで反射して、センサ２により検出される。センサ２は、反射型の光学式センサであり、手首Ｈｎにより反射した光を検出することで、当該手首Ｈｎの生体情報を検出することができる。なお、本実施形態では、検出対象が手首Ｈｎである場合を想定しているが、これに限定されず、センサ２および照明装置３と接することが可能な面を有する任意の部位が検出対象になり得る。

図１１は、生体認証装置１が有するセンサ２および照明装置３の配置レイアウトの一例を示す平面図である。図１１に示すように、生体認証装置１は、基材１１と、当該基材１１の上に設けられる検出領域ＡＡおよび周辺領域ＳＡと、を備える。検出領域ＡＡは、受光領域Ａ１と、発光領域Ａ２と、を含む。図１１に示すように、検出領域ＡＡに含まれる受光領域Ａ１と発光領域Ａ２とは、平面視において互いに重畳しない。

受光領域Ａ１は、センサ２を構成する複数の第１画素ＰＸ１が設けられた領域であり、複数の第１画素ＰＸ１は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列される。発光領域Ａ２は、照明装置３を構成する複数の第２画素ＰＸ２が設けられた領域であり、複数の第２画素ＰＸ２は、受光領域Ａ１を囲むように配置される。本実施形態においては、複数の第２画素ＰＸ２にそれぞれ含まれる発光素子ＬＥＤは、個別に動作が制御されるとしてもよいし、一括して動作が制御されるとしてもよい。

以上説明した第２実施形態においても、生体認証装置１は、同一基板上に配置されたセンサ２と照明装置３とを備えており、センサ２が配置された受光領域Ａ１と、照明装置３が配置された発光領域Ａ２とは平面視において重畳しない。このように、センサ２と照明装置３とが同一基板上に配置されることにより、基材１１に接続されるフレキシブルプリント基板ＦＰＣの数を１つにすることが可能なため、センサ２と照明装置３とが別基板に配置され、基板の数と同数のフレキシブルプリント基板が設けられる一般的な構成に比べて、生体認証装置を小型化することが可能であり、コンパクトな形状の生体認証装置１を提供することができる。

また、生体認証装置１においては、センサ２を囲むように照明装置３が配置され、センサ２の近傍に照明装置３を配置することができるので、照明装置３から照射される光の利用効率を向上させることが可能である。

以上説明した少なくとも１つの実施形態によれば、センサ２と照明装置３とを同一基板上に設けることが可能であり、小型化された生体認証装置１を提供することが可能である。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…生体認証装置、２…センサ、３…照明装置、Ｆｇ…指。

Claims (7)

1. 可撓性を有する樹脂基板と、
   前記樹脂基板の上に配置される光センサと、
   前記樹脂基板の上に配置される照明装置と、を具備し、
   前記光センサと前記照明装置とは、検出対象に装着された際に前記検出対象を挟んで対向するように前記樹脂基板の上に配置され、
   前記光センサは、前記照明装置から照射され、前記検出対象を透過した光を検出する、
   生体認証装置。
2. 前記光センサは、前記樹脂基板の上にマトリクス状に配列され、受光した光の光量に応じた信号を出力する有機受光素子を有した複数の第１画素を備え、
   前記照明装置は、前記樹脂基板の上にマトリクス状に配列され、前記有機受光素子により受光される光を照射する発光素子を有した複数の第２画素を備え、
   前記複数の第１画素が設けられた第１領域と、前記複数の第２画素が設けられた第２領域との間には、前記第１画素および前記第２画素が設けられない第３領域が配置される、
   請求項１に記載の生体認証装置。
3. 前記樹脂基板は、前記第３領域において伸縮可能な構造を有する、
   請求項２に記載の生体認証装置。
4. 前記樹脂基板を支持する支持体、をさらに具備し、
   前記樹脂基板は、前記第３領域において、
   第１方向に波状に延出し、前記第１方向と交差する第２方向に並んで配置される複数の第１部分と、
   前記第２方向に波状に延出し、前記第１方向に並んで配置される複数の第２部分と、
   前記第１部分と前記第２部分とが交差する位置に配置される複数の第３部分と、を有し、
   前記複数の第１部分と前記複数の第２部分と前記複数の第３部分とによって囲まれる領域に前記支持体の表面まで貫通した開口を有する、
   請求項３に記載の生体認証装置。
5. 前記第１部分または前記第２部分の上には、前記第１画素または前記第２画素に接続される配線が配置される、
   請求項４に記載の生体認証装置。
6. 前記有機受光素子は、前記第１領域、前記第２領域、前記第３領域に亘って形成されており、
   前記第１領域において、前記有機受光素子は、前記複数の第１画素のそれぞれが有する電極に接し、
   前記第２領域において、前記有機受光素子は、前記複数の第２画素のそれぞれが有する発光素子の側面を覆い、
   前記第３領域において、前記有機受光素子は、前記第１部分または前記第２部分の上に形成される配線と重なる、
   請求項５に記載の生体認証装置。
7. 可撓性を有する樹脂基板と、
   前記樹脂基板の上に配置される光センサと、
   前記樹脂基板の上に配置される照明装置と、を具備し、
   前記光センサと前記照明装置とは、平面視において互いに重畳しないように前記樹脂基板上に配置され、
   前記照明装置は、前記光センサを囲むように前記樹脂基板の上に配置され、
   前記光センサは、前記照明装置から照射され、検出対象により反射された光を検出する、
   生体認証装置。

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