JP2017529651A - 有機電子デバイスのフォトリソグラフィック・パターニング - Google Patents
有機電子デバイスのフォトリソグラフィック・パターニング Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017529651A JP2017529651A JP2017505649A JP2017505649A JP2017529651A JP 2017529651 A JP2017529651 A JP 2017529651A JP 2017505649 A JP2017505649 A JP 2017505649A JP 2017505649 A JP2017505649 A JP 2017505649A JP 2017529651 A JP2017529651 A JP 2017529651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- lift
- organic
- fluorinated
- oled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 544
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 149
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 229
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 119
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 74
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 32
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 25
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 19
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 8
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 36
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 18
- 239000002585 base Substances 0.000 description 53
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 37
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 13
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 11
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- -1 OLED devices Substances 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 7
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 7
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- QKAGYSDHEJITFV-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-decafluoro-3-methoxy-4-(trifluoromethyl)pentane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(OC)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F QKAGYSDHEJITFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003586 protic polar solvent Substances 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- NOPJRYAFUXTDLX-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,3-heptafluoro-3-methoxypropane Chemical compound COC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F NOPJRYAFUXTDLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WVRJJXQSRCWPNS-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoro-1-[2-(1,1,2,2-tetrafluoroethoxy)ethoxy]ethane Chemical compound FC(F)C(F)(F)OCCOC(F)(F)C(F)F WVRJJXQSRCWPNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DFUYAWQUODQGFF-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane Chemical compound CCOC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F DFUYAWQUODQGFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical group NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBQBCHMEIBSHBO-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-tridecafluoro-8-propoxyoctane Chemical compound CCCOCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F OBQBCHMEIBSHBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNBGTBKGFZMWKR-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoro-5-(1,1,2,2-tetrafluoroethoxy)pentane Chemical compound FC(F)C(F)(F)OCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)F ZNBGTBKGFZMWKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQEGLLMNIBLLNQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-1,1,2,3,3,3-hexafluoro-2-(trifluoromethyl)propane Chemical compound CCOC(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F SQEGLLMNIBLLNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRGYOFYTTFLPQM-UHFFFAOYSA-N 2,3,3,4,4-pentafluoro-2,5-bis(1,1,1,2,3,3,3-heptafluoropropan-2-yl)-5-methoxyoxolane Chemical compound COC1(OC(F)(C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C(F)(F)C1(F)F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F YRGYOFYTTFLPQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJXNLVJQMJNEMN-UHFFFAOYSA-N 2-[difluoro(methoxy)methyl]-1,1,1,2,3,3,3-heptafluoropropane Chemical compound COC(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F DJXNLVJQMJNEMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNUBKINEQIEODM-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,5-heptafluoropentanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC=O FNUBKINEQIEODM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFCSASDLEBELEU-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene-11,12,15,16,17,18-hexacarbonitrile Chemical group N#CC1=C(C#N)C(C#N)=C2C3=C(C#N)C(C#N)=NN=C3C3=NN=NN=C3C2=C1C#N YFCSASDLEBELEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNGDCMHTNXRQQD-UHFFFAOYSA-N 3,6-dioxocyclohexa-1,4-diene-1,2,4,5-tetracarbonitrile Chemical class O=C1C(C#N)=C(C#N)C(=O)C(C#N)=C1C#N JNGDCMHTNXRQQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHBBIOLEJRWIGU-UHFFFAOYSA-N 4-ethoxy-1,1,1,2,2,3,3,4,5,6,6,6-dodecafluoro-5-(trifluoromethyl)hexane Chemical compound CCOC(F)(C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F HHBBIOLEJRWIGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFWVQVFMHNKHSM-UHFFFAOYSA-N C(C(C(C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)F)F)(F)F)OC(F)(F)F Chemical compound C(C(C(C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)F)F)(F)F)OC(F)(F)F HFWVQVFMHNKHSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHARWFSFFVQFQJ-UHFFFAOYSA-N C=C(C(C(C(F)(F)F)F)(F)F)OC(C(C(F)(F)F)F)(F)F Chemical compound C=C(C(C(C(F)(F)F)F)(F)F)OC(C(C(F)(F)F)F)(F)F IHARWFSFFVQFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006926 PFC Polymers 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010793 Steam injection (oil industry) Methods 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- GENZLHCFIPDZNJ-UHFFFAOYSA-N [In+3].[O-2].[Mg+2] Chemical compound [In+3].[O-2].[Mg+2] GENZLHCFIPDZNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000012668 chain scission Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000012025 fluorinating agent Substances 0.000 description 1
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 1
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 1
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N hexane Substances CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphinimyl]-n-methylmethanamine Chemical class CN(C)P(=N)(N(C)C)N(C)C GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USPVIMZDBBWXGM-UHFFFAOYSA-N nickel;oxotungsten Chemical compound [Ni].[W]=O USPVIMZDBBWXGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005949 ozonolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- ZDCRNXMZSKCKRF-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 4-(4-bromoanilino)piperidine-1-carboxylate Chemical compound C1CN(C(=O)OC(C)(C)C)CCC1NC1=CC=C(Br)C=C1 ZDCRNXMZSKCKRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- AYNNSCRYTDRFCP-UHFFFAOYSA-N triazene Chemical compound NN=N AYNNSCRYTDRFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/221—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/30—Organic light-emitting transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
- H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
この出願は、2015年7月31日にPCT国際特許出願として出願されたものであり、2014年8月1日に出願された米国仮出願62/031,888号を参照することによってその開示の全ての特典を主張する。この出願は、代理人の整理番号16480.0026WOU1と16480.0033WOU1と16480.0030WOU1が付された、PCT国際出願にも関係する。この出願は、同日に出願した米国仮出願である62/031,891 (2014年8月1日出願)、62/031,897 (2014年8月1日出願)と62/096,582 (2014年12月24日出願)と62/031,903 (2014年8月1日出願)の特典を主張する。
・ 開示の技術分野
この開示は、有機デバイス、電子デバイスと有機電子デバイスのフォトリソグラフィのパターニングに関する。開示された方法と材料は、特にOLEDデバイスをパターニングするために使用される。
有機電子デバイスには、従来の無機材料をベースとしたデバイスと比較して、重要な性能と価格優位性がある。そのために、電子デバイス工場の有機材料を使用すると、多くの商業的利益があった。例えば、有機発光ダイオード(OLED)技術をベースにしたディスプレイは、最近、人気が出てきており、他の多くのディスプレイ技術に対して、優位性が高い。しかしながら、溶液蓄積型(solution-deposited)OLED材料は、開発が続いており、もっとも高性能のOLEDディバイスでは、活性有機材料の薄層に蒸気の蓄積があるものが用いられている。
筆者らは、フォトリソグラフによって、4μmで区切られた赤、緑、青の発光領域をパターン化し、そして、60%より大きい空隙率を持つOLEDデバイスの実験を行った。
・ 底部電極の第1列と底部電極の第2列を有する装置基板を提供すること。
・ 底部電極の第1列に対応した、空隙の第1のパターンを有する装置基板の上に第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供すること。
・ 第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と、底部電極の第1の列の上に、少なくとも、第1の発光層と第1の上部電極層を含む、1つ以上の第1の有機EL中間層を蒸着させること。
・ 第1の中間構造を形成するため、第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と上部にある第1の有機EL中間層と第1の上部電極を、除去すること。
・ 底部電極の第2の列に対応した、空隙の第2のパターンを有する、第1の中間層構造の上に、第2のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供すること。
・ 第2のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と、底部電極の第2の列の上に、少なくとも、第2の発光層と第2の上部電極とを有する、1以上の第2の有機EL中間層を蒸着させること。
・ 第2の中間層構造を形成するために、第2のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と上部にある第2の有機EL中間層と第2の上部電極とを除去すること。
・ 第1と第2の上部電極層を電気的に接続するために、共通の上部電極を提供すること。
基板には、ディスプレイ領域があり、ディスプレイ領域には、第1、第2、第3の有機EL素子の列があり、その列は、異なる色の発光のために、独立してパターン化された発光層を有している。第1の有機EL素子のそれぞれは、第2、第3の有機EL素子から4μm以下の間隔がある。第1、第2、第3の有機EL素子の発光層の全領域は、合計すると、ディスプレイの少なくとも60%の領域を占めている。
添付した図は、開示された着想を説明する目的のためにあり、製図するためのものではない。
本願開示の特徴は、フォトレジスト構造の「垂直」を使用すること、そして、傷つき易い有機電子デバイスと代替可能な加工処理用化合物、OLEDデバイスのような材料、そして、材料すなわち、それらは、溶解され難いものであり、傷つき易いものであるデバイス層と低い相互作用を持たせるように選択される。さもなければ、ダメージを受けるだろう。従来のフォトレジスト材料は、典型的には、 harsh 有機溶媒と、多くの場合腐食性の強い展開液を用いるが、これらは、OLEDデバイスの1又はそれ以上の層に容易にダメージを与える。特に有用な垂直なフォトレジスト構造と、加工処理用化合物には、フッ素化ポリマーや分子固体、そして、フッ素化溶媒が含まれる。いくつかの垂直フォトレジスト構造とシステムは、米国特許出願番号12/864,407、12/994,353、14/113,408と14/291,692に開示されている。その内容は、参照することによって取り込まれる。リフト・オフのパターン化に向いたフォトレジスト構造は、リフト・オフ構造としても、ここに参照される。アンダーカットされたリフト・オフ構造が好ましく、最上部は、基板に隣接した底部より幅広い。フォトレジスト構造は、1層構造(例えば、ひっくり返した台形)、2層構造や多層構造であってよい。少なくとも、傷つきやすい有機電子デバイスに接しているフォトレジスト構造の層状や部分は、フッ素化されたポリマーや分子固体であり、例えば、フッ素化された塗装溶媒から得られたものや蒸着によって得られたものである。垂直性は、例えば、処理をする前に、目的とする組成物の重要な物質を含むデバイスの水への浸漬によって試験される。(例えば、塗料溶媒、展開液、リフト・オフ化合物など)もし、デバイスの機能に深刻な低下がなければ、組成物は、オーソゴナルである。
OLEDデバイス構造のたくさんの異なるタイプが、何年もかけて開発された。本質的に、OLEDデバイスは、少なくとも、正孔を注入するアノードと電子を注入するカソード、そして両電極で挟まれた有機EL媒体を含むが、そこで、発光をさせるため、正孔、電子は結合する。OLEDデバイスは、基板の上に備えられることが多い。基板に隣接した電極は、典型的には第一又は底部電極として参照される。有機EL媒体によって、基板から空隙をあけた電極は、典型的には、第二又は頂部電極として参照される。共通の構造(「標準構造」)は、アノードの上に設けられた有機層に続いて基板の上に設けられた底部電極としてのアノードを含み、頂部電極を形成するために有機層の上に設けられた最後のカソードを含んでいることだ。「反転した構造」は、裏返しであり、カソードの上に設けられた有機層に続いて基板の上に設けられた底部電極としてカソードを備え、頂部電極を形成するために有機層の上に設けられたアノードを最後に含む。「底部で発光する」OLEDは、典型的には、透明または半透明の底部電極を含み、反射又は光吸収する頂部電極構造を含んでいる。つまり、光は、デバイス基板中に導かれる。「頂部発光」OLEDは、透明又は半透明の頂部電極と反射又は光吸収する底部電極構造を含んでいる。つまり、光は、デバイス基板から放出されるように導かれる。「透明」OLEDは、透明又は半透明の頂部電極と底部電極を有する。
基板の上に有機EL媒体材料を蒸着する方法は多く、溶液塗布、蒸気蒸着、ドナー・シートからの転移を含むが、これらに限定されない。本願開示の特定の実施態様において、少なくともいくつかの有機OLED層は、蒸気蒸着手段で、例えば、減圧環境での物理的蒸気蒸着で、蒸着される。幾つか実施態様では、有機EL媒体層の殆んど、又は、全ては蒸気蒸着によって、提供される。
あるパターニングが意図されている限り、本願開示の方法に基づいて製造されたOLED装置の型式は特に限定されない。本方法は、アクティヴ・マトリックスOLED(AMOLED)とか、パッシブ・マトリックスOLED(PMOLED)のようなフルカラーOLEDディスプレイに特に適しているが、しかし、この方法は、OLED発光と記号を準備するのに用いられてよい。OLED装置の基板は、硬かったり屈曲性があったりしても良い。支持材料は、ガラス、高分子、セラミックス、そして金属であり、混合物でもそのラミネートでもよく、これらに限定されない。
第2図は、ながれ図であるが、本願開示の実施態様によると、3原色(例えばRGB)のアクティブ・マトリックスOLED装置を形成するための工程を示している。第3A図〜第3K図は、断面図でこれらの工程の一部を示している。工程101において、第1のリフト・オフ構造(例えば、アンダーカット・リフト・オフ構造)が、OLED基板の上に形成される。前記リフト・オフ構造は、底部電極の第1列に対応する空隙の列を有している。前記底部電極は、「標準構造」OLEDの一部のアノードと同じくらい働くし、「反転された構造」のOLEDの一部のカソードとして働く。好ましい実施態様では、前記底部電極は、既に、OLED基板の一部となって形成されている。しかし、任意には、前記底部電極は、形成されても良く、あるいは、リフト・オフ構造(第2図に示されていない)の空隙の列を通過して、1種又はそれ以上の望ましいアノード又はカソード材料で蒸着し更に変形されても良い。
リフト・オフ構造は、リフト・オフのパターン化工程において、「求めていない」重なった活性材料(例えば、OLED材料)の分離を許容する。実施態様において、少なくとも、リスト・オフ構造の一部は、OLED装置の列には影響しない溶媒に可溶性であり、このリスト・オフ構造の部分が溶解することによって分離される。実施態様において、リフト・オフ構造は、実質的に垂直側面の外形(例えば、基板に対して90度±10度)をしており、または、好ましくは、アンダーカットされた側面の外形をしている。アンダーカットの形状は、側面に蒸着されたOLED材料の量を減少させるので、側面は、適当なリフト・オフ剤に対して無防備の状態である。リフト・オフ構造の厚さは、装置の特定の型と意図された寸法に依存する。しかし、一般的には、厚さは、0.1〜10μmの範囲内、あるいは、0.2〜5μmの範囲内、あるいは、0.5〜3μmの範囲内である。
OLED装置は、酸素や水への耐性に劣っていることが、従来技術で知られている。特別な関心事は、低仕事関数のカソード材料であり、任意のEILにおけるエレクトロン・リッチなドーパントであり、そして、カソードとETL又はEILとの間のインターフェイスである。例えば、図2を参照すると、工程105、115そして115(有機EL中間層の蒸着)は、工程107、117と119(上部電極の蒸着)と共に、酸素と水との分圧が低い減圧環境下で行われてもよい。しかしながら、そういう場合には、リフト・オフ構造の除去と追加的なリフト・オフ構造の形成を行う他の工程のために、基板は、低圧環境下から周囲の環境へと移動させられる。しかしながら、窒素雰囲気や他の不活性ガスの雰囲気で、リフト・オフ処理(塗布・曝露・現像、リフト・オフなど)を行うための装置を設計することができるが、更なる注意は有用である。
・ 底部電極は、底部アノードと対応する。
・ 第1、第2、第3の上部電極の蒸着工程が欠落している。
・ 新たな工程430が導入された。これに対応するものは第2図に何もない。あるのは、1以上の共通の有機EL中間層が第3の中間構造の上に付加的に蒸着されているだけである。
比較のために、第6図に関する実施態様から作成された、アクティブ・マトリックスOLED450の断面図が、第7図に示されているが、これは第3J図と相似している。第7図には、参照番号201、202、203、210、220と230が記載されているが、第3図の上にも記載されている。この実施態様において、第1、第2、第3の有機EL中間層440、442、444は、EIL以外、単に積層を含んでいる。追加的で共通のEIL層446は、有機中間層の上に提供され、共通のカソード448は、共通のEIL層の上に提供される。示されてはいないが、基板は、共通のHIL層とHTL層を以前に説明したように、含んでいてよい。共通の上部電極の蒸着の前に、又は、もし、含まれていたら、共通の有機EL層蒸着の前に、パターン化された有機EL中間層の上部表面が、共通の上部電極や共通の有機EL層との接触を向上させるために処理されてもよい。これは、有機EL中間層の表面に存在しているかもしれない、偶然の損傷や薄い高分子残渣によって引き起こされる接触抵抗を克服するのに役立つ。例えば、有機EL中間層の上部表面は、低い仕事関数金属、例えば、アルカリ金属、アルカリ性金属、アルカリ土類金属で処理されてもよい。典型的には低仕事関数金属は、厚さが2nm以下、あるいは、1nm以下、又は、0.5nm以下でありさえする。あるいは、処理は、還元性ガス雰囲気を含み、例えば、ガス雰囲気には、水素が含まれる。あるいは、処理には、本質的に非酸化性のプラズマ、例えば、水素と他の非酸化性ガス、例えば、窒素やヘリウムのようなガスを含む。あるいは、処理は、フッ素化された溶媒を含むリフト・オフ剤とは化学組成が異なる洗浄剤と接触させることを含む。例えば、洗浄剤は、フッ素化溶媒とアルコール(例えば、IPA)15体積%以下、あるいは5体積%のようなプロトン性の溶媒を含んでもよい。あるいは、プロトン性溶媒は、有機酸5体積%以下、あるいは、1体積%を含んで良い。あるいは、洗浄剤は、2種のフッ素化溶媒の混合物、例えば、リフト・オフ剤に用いられたフッ素化溶媒の混合物と、より極性があるか、フッ素成分の体積%がより少ない第2のフッ素化溶媒とを含んで良い。
・ OLED装置の製造方法は、次のことを含む。
a)底部電極の第1列と底部電極の第2列を有する装置基板を提供すること。
b)底部電極の第1列に対応した、空隙の第1のパターンを有する装置基板の上に第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供すること。
c)第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と、底部電極の第1の列の上に、少なくとも、第1の発光層と第1の上部電極層を含む、1つ以上の第1の有機EL中間層を蒸着させること。
d)第1の中間構造を形成するため、第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と上部にある第1の有機EL中間層と第1の上部電極を、除去すること。
e)底部電極の第2の列に対応した、空隙の第2のパターンを有する、第1の中間層構造の上に、第2のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供すること。
f)第2のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と、底部電極の第2の列の上に、少なくとも、第2の発光層と第2の上部電極とを有する、1以上の第2の有機EL中間層を蒸着させること。
g)第2の中間層構造を形成するために、第2のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と上部にある第2の有機EL中間層と第2の上部電極とを除去すること。
h)第1と第2の上部電極層を電気的に接続するために、共通の上部電極を提供すること。
1つ以上の第3の有機EL中間層を蒸着し、第3の発光層と、第3のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と底部電極の第3の列の上の第3の上部電極が含まれる。
第3のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を除去し、第3の中間構造を形成するために、第3の有機EL中間層と第3の上部電極とを横たえる。
a)底部電極の第1の列と底部電極の第2の列を有する装置基板を提供すること。
b)底部電極の第1の列に対応した空隙の第1のパターンを有する装置基板の上に、第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供すること。
c)第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と、底部電極の第1の列の上に、少なくとも、第1の発光層を含む1以上の第1の有機EL中間層を蒸着すること。
d)第1の中間構造を形成するために、第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と上部にある第1の有機EL中間層とを、フッ素化溶媒を含む第1のリフト・オフ剤で処理し、除去すること。
e)底部電極の第2の列に対応した空隙の第2のパターンを有する、第1の中間構造の上に、第2のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供すること。
f)第2のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上に、また、底部電極の第2の列の上に、少なくとも、第2の発光層を含む、1つ以上の第2の有機EL中間層を蒸着すること。
g)第2のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を除去し、第2の有機EL中間層を、第2の中間構造を形成するために、フッ素化溶媒を含む第2のリフト・オフ剤での処理によって上部に横たえること。
h)第1と第2の有機EL中間層と電気的に接触させ、共通の上部電極を提供すること。
工程(h)より前工程で、低部電極の第3の列に対応した、空隙の第3のパターンを有する第2の中間構造の上に、第3のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供すること。
第3のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と底部電極の第3の列の上に、少なくとも一つの第3の発光層を含む第3の有機EL中間層を蒸着すること。
第3の中間構造を形成するために、フッ素化溶媒を含む第3のリフト・オフ剤で処理することによって、第3のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と第3の有機EL中間層を除去すること。
a)底部電極の第1の列を有し、底部電極の第2の列を有する装置基板を提供すること。
b)第2の有機EL中間層を底部電極の第1、第2列を含め、装置基板の上に蒸着すること。ここで、第2の有機EL中間層は、少なくとも第2の発光層を含む。
c)底部電極の第1の列に対応する空隙の第1パターンを有する第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を、第2の有機EL中間層の上に、提供すること。
d)第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造をエッチング・マスクとして用い、共通の有機EL中間層を、底部電極の第1の列の上の領域から除去すること。
e)第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上の、そして、底部電極の第1の列の上の、少なくとも第1の発光層を含む、第1の有機EL中間層を蒸着させること。
f)第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を除去することと、第1の中間層構造を形成するために第1の有機EL中間層を上にすること。
g)第1、第2の有機EL中間層と電気的につながっている共通の上部電極を提供すること。
a)装置基板の上で、被覆されていない装置基板の領域を形成する第1の空隙を有する、第1のアンダーカットされたリフト・オフ構造を提供する。
b)第1のアンダーカットされたリフト・オフ構造の上に、そして、被覆されていない装置基板の第1の部分の上に第1の活性有機材料層に蒸着すること。
c)第1の活性有機材料層の上に、そして、被覆されていない基板の第2の部分の上に第2の材料層に蒸着すること。それから、第1の活性有機材料層の端部の部分を被覆すること。
d)第1のリフト・オフ構造と上部に位置する層を除去すること。
a)装置基板を提供する。
b)装置基板の上に、第1のフッ素化材料を含む、フッ素化材料層を提供すること。及び、フッ素化材料層の上にフォトレジスト層を提供すること。
c)パターン化されたフォトレジストを形成するために、フォトレジスト層を曝露と現像すること。
d)フォトレジストパターンをフッ素化材料層に転写すること。その後、被覆していない基板の第1のパターンを形成すること。
e)パターン化されたフォトレジストの上に1層以上の材料層を蒸着させること。第1の中間構造を形成するために、被覆されていない基板の少なくとも一部の上にも蒸着させること。
f)第1の中間構造をリフト・オフ剤と接触させ、フッ素化材料層を溶解させ、それにより、パターン化されたフォトレジストと上部に位置する1以上の層とを分離させること。ここで、リフト・オフ剤は、フッ素化溶媒とフィルム形成する第2のフッ素化材料とを含む。これは、第1のフッ素化材料と同一であっても異なっていてもよい。
a)装置基板を提供すること。
b)装置基板の上に、第1のフッ素化材料を含むフッ素化材料層を積層させること。そして、フッ素化材料層の上にフォトレジスト層を積層させること。
c)パターン化するために、フォトレジスト層を曝露と現像すること。
d)フォトレジストのパターンをフッ素化材料層に転写すること。その後、被覆されていない基板の第1のパターンを形成し、パターン化されたフッ素化材料層が、フォトレジスト層に対してアンダーカットされた構造を有すること。
e)パターン化されたフォトレジストの上に1以上の材料層を蒸着すること。そして、第1の中間構造を形成するために、被覆されていない基板の少なくとも1部にも蒸着すること。
f)第1の中間構造をリフト・オフ剤と接触させ、フッ素化材料を溶解させ、それにより、パターン化されたフォトレジストと上部に位置する1以上の層とを分離させること。ここで、リフト・オフ剤は、フッ素化溶媒を有し、それに対応した上部に位置する材料層でパターン化されたフォトレジストの有効密度は、リフト・オフ剤の密度より低いこと。
a)装置基板の上に、第1のアンダーカットされたリフト・オフ構造を積層させ、被覆されていない装置基板の領域を形成させ、第1の空隙を有すること。
b)第1のアンダーカットされたリフト・オフ構造の上に、そして、被覆されていない装置基板の領域の第1の部分の上に、第1の材料層を蒸気蒸着すること。
c)第1の材料層の上に、そして、被覆されていない装置基板の領域の第2の部分の上に、フッ素化材料層を蒸気蒸着すること。その際、第1の材料層の端部をも追加的に被覆する。
d)蒸気蒸着されたフッ素化材料層を溶解しない第1のフッ素化溶媒を有する、第1のリフト・オフ剤に接触させ、第1のリフト・オフ構造と上部に位置する層とを除去すること。それによって、パターン化され、保護されている第1の構造を形成し、これはパターン化された第1の材料層と上部に位置するパターン化されたフッ素化材料層を有していること。
基板には、ディスプレイ領域があり、ディスプレイ領域には、第1、第2、第3の有機EL素子の列があり、その列は、異なる色の発光のために、独立してパターン化された発光層を有している。
第1の有機EL素子のそれぞれは、第2、第3の有機EL素子から4μm以下の間隔がある。第1、第2、第3の有機EL素子の発光層の全領域は、合計すると、ディスプレイの少なくとも60%の領域を占めている。
基板には、ディスプレイ領域があり、ディスプレイ領域には、第1、第2、第3の有機EL素子があり、それぞれの列は、異なる色の発光のために、独立してパターン化された発光層を有している。
基板には、ディスプレイ領域があり、ディスプレイ領域には、第1、第2、第3のサブピクセルがあり、おのおのの列には、異なる色の発光のために、独立してパターン化された発光層を有している。
ここで、第1、第2、第3のサブピクセルのいずれも、あらゆる次元の大きさは、約25μmより小さく、ディスプレイ領域では、開口(アパーチャー)度は、約60%より大きい。
実施例で用いられているOLED材料の化学構造は、下に示す通りである。
ガラス基板800には、第15A図に示されるように、導電性ITOの3つの領域があり、中央領域801、両側802と802’とが、それに含まれるが、それぞれは、非導電性のガラスのストライプで分離されていた。第15B図には、パターン化された誘電体803が、ITOの中央部分の上に、ポジ型フォトレジスト(AZ1512、希釈)から、従来方法で形成され、5分間150℃で加熱(ハードベイク)した。パターン化された誘電体803’の拡大図には、そのパターンが、804G、804R、804B開口からなる孔の垂直に並んだ列があることが示されている。これは次に、緑、赤、青のOLED層が蒸着された。パターン化された誘電体803は、約500nm厚であり、第15B図に描かれるように、大きなテイパー形状を有していた。その断面図は、拡大図の切断ラインA−Aに沿っている。第15A図に戻ってみると、各画素(ピクセル)空孔は、10μm幅で36μm長であった。それぞれは、水平方向(各色の間)では4μmの間を挟み分離しており、垂直方向(同一の色の画素の間)では、6μmの間を挟み分離していた。このようにして、RGB画素のそれぞれのセットは、40μm×40μmであり、これは、発光充満ファクター(アパーチャー率、開口率)61%で635dpi解像度のカラー・ディスプレイに対応する。
この実施例は、実施例1に似ているが、特筆すべき違いがある。実施例2のための処理工程は、第6図と第7図に示されたものに、似ている。フッ素化材料ベース層は、ハイドロフルオロエーテル溶媒で被覆された、900nmCytop109Aである。フォトレジストは、ネガ型であり、そして、側鎖を有する光感受性フッ素化ポリマーであり、米国出願番号14/539,574に記載されたものに似た、HFE溶媒で1.2μm厚のコーティングがなされている。フッ素化ポリマーは、次のものを有していた。フッ素含有のアルキル基、酸触媒で反応するもの(アシッド・キャタライズド)、プリカーサー基を形成するカルボン酸、感受性を持つ色素単位、酸クエンチング単位である。これらは、約40重量%のフッ素を含有していた。その塗装組成物は、更に、光酸放出化合物CGI−1907を、フッ素ポリマーに対して1重量%含んでいる。光感受性フッ素化ポリマーは、HFE−7600への高い溶解度を有している。本発明者は、驚くべき発見をしたが、それは、Cytopは、HFE−7600への溶解性が低く、それによって、光感受性フッ素化ポリマーをCytopの上に塗装するのを容易にすることである。他の発明者は、従来のフォトレジストの塗装は、はじいてしまい、Cytopの上には困難であると示してきた。しかし、本発明者は、光感受性フッ素化ポリマーは、HFE−7600を非常に良く塗装することを発見し、そして、重要な問題を乗り越えたのである。更に、光感受性フッ素化ポリマーは、驚くべきことに、nLOFと比較し、汚染が非常に少ない傾向があった。その結果、欠陥も少なかった。
10 OLED装置
11 アノード
12 正孔注入層(HIL)
13 正孔輸送層(HTL)
14 電子阻止層(EBL)
15 発光層(LEL)
16 正孔阻止層(HBL)
17 電子輸送層(ETL)
18 電子注入層(EIL)
19 カソード
20 有機EL中間
101 第1のリフト・オフ構造工程
103 残渣洗浄工程
105 第1の有機EL中間を蒸着する工程
107 第1の上部電極を蒸着する工程
109 第1のリフト・オフ構造を除去する工程
111 第2のリフト・オフ構造を形成する工程
113 残渣洗浄工程
115 第2の有機EL中間を蒸着する工程
117 第2の上部電極を蒸着する工程
119 第2のリフト・オフを除去する工程
121 第3のリフト・オフ構造を形成する工程
123 残渣洗浄工程
125 第3の有機EL中間を蒸着する工程
127 第3の上部電極を蒸着する工程
129 第3のリフト・オフ構造を除去する工程
131 共通の上部電極を蒸着する工程
200 OLED基板
201 基板
202 TFT層部分
203 電極分離誘電体
210 第1の底部電極
211 第1のリフト・オフ構造
212 第1の材料層
213 第1のパターン化されたフォトレジスト層
214 アンダーカットされた領域
215 空隙
216 第1の有機EL中間層
216’ 第1の有機EL中間層
217 第1の上部電極
217’ 第1の上部電極
218 第1の中間構造
220 第2の底部電極
221 第2のリフト・オフ構造
222 第2の材料層
222A リフト・オフフッ素化材料層
223 第2のパターン化されたフォトレジスト層
224 アンダーカット領域
225 空隙
226 第2の有機EL中間層
226’ 第2の有機EL中間層
227 第2の上部電極
227’ 第2の上部電極
228 第2の中間構造
230 第3の底部電極
231 第3のリフト・オフ構造
232 第3の材料層
233 第3のパターン化されたフォトレジスト層
234 アンダーカットされた領域
235 空隙
236 第3の有機EL中間層
236’ 第3の有機EL中間層
237 第3の上部電極
237’ 第3の上部電極
238 第3の中間構造
240 共通の上部電極
241 薄い共通の上部電極
242 共通の上部電極
250 アクティブ・マトリクスOLED装置
251 欠陥のあるアクティブ・マトリクスOLED装置
252 アクティブ・マトリクスOLED装置
301 ベース層の形成工程
303 フォトレジスト層の形成工程
305 フォトレジスト層の照射工程
307 照射されたフォトレジスト層の現像工程
309 被覆してないベース層の第1のパターンを除去する工程
310 装置基板
311 ベース層
312 フォトレジスト層
313 照射源
314 フォトマスク
315 照射されたフォトレジスト層
316 照射されたフォトレジスト領域のパターン
317 照射されていないフォトレジスト領域のパターン
318 被覆されていないベース層の第1のパターン
319 リフト・オフ構造
320 第1の空隙パターン
321 アンダーカットされた領域
401 第1のリフト・オフ構造の形成工程
403 残渣洗浄工程
405 第1の有機EL中間に蒸着する工程
409 第1のリフト・オフ構造を除去する工程
411 第2のリフト・オフ構造の形成工程
413 残渣洗浄工程
415 第2の有機EL中間を蒸着する工程
419 第2のリフト・オフ構造を除去する工程
421 第3のリフト・オフ構造の形成工程
423 残渣洗浄工程
425 第3の有機EL中間層を蒸着する工程
429 第3のリフト・オフ構造を除去する工程
430 1以上の共通の有機EL中間層を蒸着する工程
431 共通の上部カソードを蒸着する工程
440 第1の有機EL中間層
442 第2の有機EL中間層
444 第3の有機EL中間層
446 共通のEIL層
448 共通のカソード層
450 アクティブ・マトリクスOLED装置
480 上部電極源
482 上部電極材料
490 フッ素化材料の蒸気蒸着
490’ フッ素化材料の蒸気蒸着
495 パターン化された誘電体
501 第3の有機EL中間を蒸着する工程
503 第1のリフト・オフ構造の形成工程
505 第3の有機EL中間層をエッチングする工程
507 第1の有機EL中間層を蒸着する工程
509 第1のリフト・オフ構造を除去する工程
511 第2のリフト・オフ構造の形成工程
513 第3の有機EL中間層をエッチングする工程
515 第2の有機EL中間層を蒸着する工程
517 第2のリフト・オフ構造を除去する工程
519 1以上の共通の有機EL中間層を蒸着する工程
521 共通の上部電極を蒸着する工程
611 第1のリフト・オフ構造
612 第1の材料層
613 第1のパターン化されたフォトレジスト層
614 アンダーカットされた領域
615 空隙
616 第1の有機EL中間層
616’ 第1の有機EL中間層
618 第1の中間構造
621 第2のリフト・オフ構造
622 第2の材料層
623 第2のパターン化されたフォトレジスト層
624 アンダーカットされた領域
625 空隙
626 第2の有機EL中間層
626’ 第2の有機EL中間層
628 第2の中間構造
636 第3の有機EL中間層
636’ 第3の有機EL中間層
646 1以上の共通の有機EL中間層
648 共通の電極
650 アクティブ・マトリクスOLED装置
701 装置基板
703 被覆されていない装置基板の領域
705 被覆されていない装置基板の領域の第1の部分
707 被覆されていない装置基板の領域の第2の部分
711 第1のアンダーカットされたリフト・オフ構造
713 第1の活性有機材料層
713’ 第1の活性有機材料層
715 第1の空隙
717 第2の材料層
717’ 第2の材料層
720 有機デバイス
800 ガラス基板
801 ITOの中央領域
802 ITOの側方領域
802’ ITOの側方領域
803 パターン化された誘電体
803’ パターン化された誘電体
804G 緑色OLED層の空孔
804R 赤色OLED層の空孔
804B 青色OLED層の空孔
805 共通のカソード
Claims (19)
- OLED装置の製造方法であって、
a)複数の底部電極第1列と複数の底部電極からなる第2列を有する装置基板を提供し、
b)複数の底部電極の第1列に対応した、開口部の第1のパターンを有する装置基板の上に第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供し、
c)第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と、底部電極の第1の列の上を覆う、少なくとも、第1の発光層と第1の上部電極層とを含む、1つ以上の第1の有機EL中間層を堆積し、
d)第1の中間構造を形成するため、フッ素化溶媒を含有する第1のリフト・オフ剤で処理して、第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と、上部にある第1の有機EL中間層と第1の上部電極を、除去し、
e)複数の底部電極の第2の列に対応した、開口部の第2のパターンを有する、第1の中間層構造を覆う、第2のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供し、
f)第2のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と、底部電極の第2の列の上に、少なくとも、第2の発光層と第2の上部電極とを有する、1以上の第2の有機EL媒体層を堆積し、
g)第2の媒体層構造を形成するために、フッ素化溶媒を含有する第2のリフト・オフ剤で処理して、第2のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と上部にある第2の有機EL中間層と第2の上部電極とを除去し、
h)第1と第2の有機EL中間層と上部電極層と電気的に接続する、共通の上部電極を提供することを含む、OLED装置の製造方法。 - 請求項1の方法であって、少なくとも1つのリフト・オフ構造が、フッ素化材料ベース層と上部にあるフォトレジスト層とを含んでおり、そして、少なくとも2つのパターン化された層を含んでおり、ここで、フッ素化材料ベース層がフォトレジスト層の下でアンダー・カットされていること。
- 請求項1の方法であって、少なくとも1つのリフト・オフ構造は、フッ素化溶媒を用いて現像された、パターン化されたフッ素化フォトレジストとアンダー・カットされた形状を有すること。
- 請求項1の方法であって、工程(b)と工程(c)の間に、または、工程(e)と工程(f)の間に、又は両方の間で、ドライエッチング工程を更に含んでいること。
- 請求項1の方法であって、少なくとも1つのリフト・オフ構造が、リフト・オフ構造を形成するのに用いられる画像照射の少なくとも80%から、下部にある層を吸収や阻止で守ること。
- 請求項1の方法であって、対応する上部にある有機EL中間層の、そして、上部にある上部電極層の、少なくとも1つのリフト・オフ構造の有効密度は、リフト・オフ構造を除去するために、用いられるリフト・オフ剤の密度よりも小さい。
- 請求項6の方法であって、リフト・オフ剤は、ハイドロフルオロエーテルを含む。
- 請求項1の方法であって、底部電極は、カソードとして働き、共通の上部電極層は、アノードとして働く。
- 請求項1の方法であって、少なくとも1つの有機EL中間層は、1以上の下部に位置する有機EL中間層の側壁をカバーするように、少なくとも1つの上部電極が蒸着される。
- 請求項1の方法であって、工程(c)と工程(d)の間で、または、工程(f)と工程(g)の間で、またはその両方で、フッ素化材料を有機EL中間層の上で蒸着させることを含む。
- 請求項1の方法であって、1つ以上のリフト・オフ構造が、リフト・オフ剤の中で除去される最中に巻かれて(カールして)しまうこと。
- 請求項1の方法であって、共通の上部電極を蒸着させる前に、共通の有機EL層を蒸着させることを含んでいること。
- 請求項12の方法では、共通の有機EL層を蒸着させる前に、フッ素化材料の残渣の中間構造を、リフト・オフ剤とは異なる化学組成を有する洗浄剤と接触させて洗浄して除去することを更に含み、洗浄剤はフッ素化溶媒を含む。
- 請求項1の方法では、共通の上部電極を蒸着させる前に、フッ素化材料の残渣の中間構造を、リフト・オフ剤とは異なる化学組成を有する洗浄剤と接触させて洗浄して除去することを更に含み、洗浄剤はフッ素化溶媒を含む。
- 請求項1の方法では、少なくとも1層のリフト・オフ構造には、少なくとも2層のパターン化された層が含まれ、これは、フッ素化材料ベース層と上部にあるフォトレジスト層とを含んでおり、上部にあるフォトレジスト層は、フッ素化塗装溶媒を含むフォトレジスト組成物から得られる。
- 請求項15の方法では、フォトレジスト層にフッ素化フォトレジストが含まれる。
- 請求項15の方法では、フッ素化材料ベース層は環状フッ素化ポリマーを含み、フッ素化塗装溶媒は、ハイドロフルオロエーテルである。
- フルカラーのOLEDディスプレイであって、
基板には、ディスプレイ領域があり、ディスプレイ領域には、第1、第2、第3の有機EL素子の列があり、その列は、異なる色の発光のために、独立してパターン化された発光層を有し、
第1の有機EL素子のそれぞれは、第2、第3の有機EL素子から4μm以下の間隔があるり、第1、第2、第3の有機EL素子の発光層の全領域は、合計すると、ディスプレイの少なくとも60%の領域を占めていることを含む、フルカラーのOLEDディスプレイ。 - 請求項18に関するOLEDディスプレイでは、第3の有機EL素子のパターン化された発光層に対応する材料は、第2と第3の有機EL素子の間の非発光領域に形成される。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462031888P | 2014-08-01 | 2014-08-01 | |
US62/031,888 | 2014-08-01 | ||
PCT/US2015/043168 WO2016019273A1 (en) | 2014-08-01 | 2015-07-31 | Photolithographic patterning of organic electronic devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017529651A true JP2017529651A (ja) | 2017-10-05 |
JP6653315B2 JP6653315B2 (ja) | 2020-02-26 |
Family
ID=55218361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017505649A Active JP6653315B2 (ja) | 2014-08-01 | 2015-07-31 | 有機電子デバイスのフォトリソグラフィック・パターニング |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9899636B2 (ja) |
EP (1) | EP3175496B1 (ja) |
JP (1) | JP6653315B2 (ja) |
KR (1) | KR102401987B1 (ja) |
CN (2) | CN107112417B (ja) |
WO (1) | WO2016019273A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018081903A (ja) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
WO2022167882A1 (ja) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6653315B2 (ja) | 2014-08-01 | 2020-02-26 | オーソゴナル,インコーポレイテッド | 有機電子デバイスのフォトリソグラフィック・パターニング |
JP6792547B2 (ja) | 2014-08-01 | 2020-11-25 | オーソゴナル,インコーポレイテッド | 素子のフォトリソグラフパターン化方法 |
CN107112418B (zh) | 2014-08-01 | 2021-01-15 | 正交公司 | 有机电子装置的光刻法图案化 |
EP3175497A4 (en) | 2014-08-01 | 2018-11-21 | Orthogonal Inc. | Photolithographic patterning of devices |
CN106575607A (zh) * | 2014-08-14 | 2017-04-19 | 光州科学技术院 | 正交图案化方法 |
US10243175B2 (en) * | 2016-02-02 | 2019-03-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting apparatus fabricated using a fluoropolymer and method of manufacturing the same |
CN105700212A (zh) * | 2016-04-11 | 2016-06-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置 |
KR101814277B1 (ko) * | 2016-04-28 | 2018-01-02 | 인하대학교 산학협력단 | 기계적 연마 공정을 이용한 리프트-오프 패턴 형성방법 |
KR102581258B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2023-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조방법 |
KR102491880B1 (ko) * | 2016-06-16 | 2023-01-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102605208B1 (ko) | 2016-06-28 | 2023-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102629936B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2024-01-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102603867B1 (ko) * | 2016-08-01 | 2023-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102684539B1 (ko) * | 2016-12-21 | 2024-07-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 및 그 제조 방법 |
KR20180080416A (ko) * | 2017-01-03 | 2018-07-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
US20180219051A1 (en) * | 2017-01-29 | 2018-08-02 | Emagin Corporation | Color filter array on directly patterned amoled displays and method of fabrication |
KR102439873B1 (ko) * | 2017-03-10 | 2022-09-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102421576B1 (ko) * | 2017-03-10 | 2022-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102278608B1 (ko) * | 2017-03-10 | 2021-07-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102482456B1 (ko) * | 2017-03-13 | 2022-12-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102363262B1 (ko) * | 2017-03-23 | 2022-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
DE102017119311B4 (de) * | 2017-08-23 | 2019-03-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Herstellen eines mehrfarbig leuchtenden Bauelements |
CN107644951A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-01-30 | 东莞理工学院 | 一种印刷oled显示屏的制备方法 |
KR102575481B1 (ko) | 2018-04-24 | 2023-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
US20200058890A1 (en) * | 2018-08-16 | 2020-02-20 | Int Tech Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
KR102614588B1 (ko) * | 2018-08-20 | 2023-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
US11315838B2 (en) * | 2018-09-28 | 2022-04-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | FinFET device and method of forming same |
KR20210076019A (ko) * | 2018-10-11 | 2021-06-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 및 인증 장치 |
KR102588594B1 (ko) | 2018-10-16 | 2023-10-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20200056528A (ko) | 2018-11-14 | 2020-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패턴부, 패턴부 형성 방법, 및 이를 이용한 표시 장치 제조 방법 |
KR20200058654A (ko) * | 2018-11-19 | 2020-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시장치 |
CN109728165B (zh) * | 2019-01-04 | 2021-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示背板及其制作方法、显示装置 |
CN109860433B (zh) * | 2019-01-09 | 2021-06-11 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、其制作方法及显示装置 |
WO2020163762A1 (en) * | 2019-02-07 | 2020-08-13 | Orthogonal, Inc. | Fluoropolymer resist structures having an undercut profile |
WO2020170399A1 (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-27 | シャープ株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
US11145700B2 (en) | 2019-03-28 | 2021-10-12 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with pixel definition layers |
KR20210069784A (ko) | 2019-12-03 | 2021-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 유기발광 표시장치의 제조방법 |
EP4073586B1 (en) * | 2019-12-12 | 2023-12-20 | Solvay Specialty Polymers Italy S.p.A. | Method for removing fluoropolymer lift-off layer |
KR20220154658A (ko) * | 2020-03-18 | 2022-11-22 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 양자점 발광소자 및 그의 제조방법, 양자점 디스플레이 패널의 제조방법 |
CN113871553A (zh) * | 2020-06-30 | 2021-12-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光层图案化方法及发光二极管器件的制备方法 |
US11910654B1 (en) | 2020-08-18 | 2024-02-20 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with active leakage-reducing structures |
JP2022047744A (ja) * | 2020-09-14 | 2022-03-25 | ホシデン株式会社 | タッチ入力装置 |
CN114373878B (zh) * | 2020-10-14 | 2023-10-20 | 北京京东方技术开发有限公司 | 图案化量子点发光层的制作方法、发光器件的制作方法 |
JP2022115080A (ja) | 2021-01-27 | 2022-08-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR20230146546A (ko) | 2021-02-25 | 2023-10-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
US11815689B2 (en) | 2021-04-30 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
US11699391B2 (en) | 2021-05-13 | 2023-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display apparatus, and electronic device |
CN117917209A (zh) * | 2021-07-02 | 2024-04-19 | 阿瓦龙全息照相技术股份公司 | 用于图案化有机器件的三层光致抗蚀剂系统和方法 |
CN114171566B (zh) * | 2021-12-02 | 2023-05-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN114300632B (zh) * | 2021-12-16 | 2023-07-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板母板及显示面板的制作方法 |
US20240147825A1 (en) * | 2022-10-26 | 2024-05-02 | Applied Materials, Inc. | Pixel defining encapsulating barrier for rgb color patterning |
CN115802858B (zh) * | 2022-12-01 | 2023-10-13 | 安徽芯视佳半导体显示科技有限公司 | 一种oled直接rgb图形化的方法 |
CN118156345A (zh) * | 2022-12-05 | 2024-06-07 | 中能创光电科技(常州)有限公司 | 图形层的制备方法及图形化光伏组件的制备方法 |
WO2024127225A1 (en) * | 2022-12-12 | 2024-06-20 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Duv photolithography electrode fabrication method and electrode produced using the method |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04206386A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
US6013538A (en) * | 1997-11-24 | 2000-01-11 | The Trustees Of Princeton University | Method of fabricating and patterning OLEDs |
US20100289019A1 (en) * | 2008-04-10 | 2010-11-18 | The Johns Hopkins University | Patterning devices using fluorinated compounds |
JP2012186157A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-27 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法 |
US20120276484A1 (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing organic el display device |
JP2014515178A (ja) * | 2011-03-03 | 2014-06-26 | オーソゴナル,インコーポレイテッド | 薄膜装置の材料をパターン化するプロセス |
JP2014123441A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Canon Inc | 有機el表示装置の製造方法 |
US20140197379A1 (en) * | 2013-01-16 | 2014-07-17 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Oled pixel structure and oled panel |
JP2014517336A (ja) * | 2011-04-19 | 2014-07-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 光出力パネル及び光出力パネルを有するデバイス |
Family Cites Families (66)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4720432A (en) | 1987-02-11 | 1988-01-19 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic luminescent medium |
US5776623A (en) | 1996-07-29 | 1998-07-07 | Eastman Kodak Company | Transparent electron-injecting electrode for use in an electroluminescent device |
TW406091B (en) | 1997-12-18 | 2000-09-21 | Asahi Glass Co Ltd | Fluorine-containing polymer composition and process for forming a thin film thereof |
US6208075B1 (en) | 1998-11-05 | 2001-03-27 | Eastman Kodak Company | Conductive fluorocarbon polymer and method of making same |
KR100377321B1 (ko) | 1999-12-31 | 2003-03-26 | 주식회사 엘지화학 | 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자 |
JP2002038075A (ja) | 2000-07-11 | 2002-02-06 | Three M Innovative Properties Co | 光学機器部品または電気機器部品用コーティング組成物およびコーティング方法 |
US6815723B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
JP4544811B2 (ja) | 2002-05-09 | 2010-09-15 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
JP3706605B2 (ja) | 2002-09-27 | 2005-10-12 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
KR100544123B1 (ko) * | 2003-07-29 | 2006-01-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
EP1722604A1 (en) | 2004-03-05 | 2006-11-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device |
WO2006033470A2 (en) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Showa Denko K.K. | Patterning and film-forming process, electroluminescence device and manufacturing process therefor, and electroluminescence display apparatus |
US7684868B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-03-23 | California Institute Of Technology | Microfabricated devices for wireless data and power transfer |
US7772763B2 (en) * | 2004-12-02 | 2010-08-10 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electro-luminescence display device comprising grid shaped auxiliary electrode |
KR20060061880A (ko) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR101252083B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2013-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101238721B1 (ko) | 2006-01-07 | 2013-03-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그 제조방법 |
JP2007241270A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-09-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 保護膜除去用溶剤およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法 |
TWI323047B (en) | 2006-11-28 | 2010-04-01 | Univ Nat Taiwan | The method for forming electronic devices by using protection layers |
US9013367B2 (en) * | 2008-01-04 | 2015-04-21 | Nanolumens Acquisition Inc. | Flexible display |
US7955719B2 (en) | 2008-01-30 | 2011-06-07 | Global Oled Technology Llc | Tandem OLED device with intermediate connector |
GB2458454B (en) | 2008-03-14 | 2011-03-16 | Cambridge Display Tech Ltd | Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques |
US8846301B2 (en) | 2008-05-23 | 2014-09-30 | Cornell University | Orthogonal processing of organic materials used in electronic and electrical devices |
US8742658B2 (en) * | 2008-07-23 | 2014-06-03 | Cbrite Inc. | Full-color active matrix organic light emitting display with hybrid |
KR20100088883A (ko) * | 2009-02-02 | 2010-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
GB0912034D0 (en) | 2009-07-10 | 2009-08-19 | Cambridge Entpr Ltd | Patterning |
GB2474827A (en) | 2009-08-04 | 2011-05-04 | Cambridge Display Tech Ltd | Surface modification |
EP2491458A4 (en) | 2009-10-20 | 2013-06-12 | Univ Cornell | METHOD FOR PRODUCING PATTERNED STRUCTURES FROM FLUOROUS POLYMER MATERIALS AND FLUOROUS POLYMERS |
WO2011139771A2 (en) | 2010-04-27 | 2011-11-10 | Orthogonal Inc. | Method for forming a multicolor oled device |
WO2011139774A2 (en) * | 2010-04-27 | 2011-11-10 | Orthogonal, Inc. | Method for forming an organic device |
JP5766422B2 (ja) * | 2010-10-05 | 2015-08-19 | 株式会社Joled | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2012216493A (ja) | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Canon Inc | 有機el表示装置の製造方法及び製造装置 |
WO2012148884A2 (en) | 2011-04-25 | 2012-11-01 | Orthogonal, Inc. | Orthogonal solvents and compatible photoresists for the photolithographic patterning of organic electronic devices |
EP2579313B1 (en) | 2011-09-22 | 2021-10-27 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
JP6080438B2 (ja) | 2011-09-30 | 2017-02-15 | キヤノン株式会社 | 有機el装置の製造方法 |
WO2013074622A1 (en) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | Orthogonal, Inc. | Method for patterning an organic material using a non-fluorinated photoresist |
JP2013109920A (ja) | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Canon Inc | 有機el装置の製造方法 |
JP5854794B2 (ja) | 2011-11-25 | 2016-02-09 | キヤノン株式会社 | 有機el装置の製造方法 |
EP2648239B1 (en) | 2012-04-05 | 2014-07-23 | Novaled AG | A method for producing a vertical organic field effect transistor and a vertical organic field effect transistor |
CN108054175A (zh) * | 2012-08-03 | 2018-05-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
KR101936774B1 (ko) * | 2012-08-10 | 2019-01-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 및 그 제조방법 |
KR102484987B1 (ko) * | 2012-09-13 | 2023-01-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US9691985B2 (en) | 2012-10-04 | 2017-06-27 | Merck Patent Gmbh | Passivation layers for organic electronic devices including polycycloolefinic polymers allowing for a flexible material design |
KR101420527B1 (ko) | 2012-11-30 | 2014-07-17 | 인하대학교 산학협력단 | 광이합체화 반응을 이용하는 포토레지스트 및 이를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법 |
KR101976829B1 (ko) | 2012-12-21 | 2019-05-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 |
CN110137181A (zh) * | 2012-12-28 | 2019-08-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
TWI607510B (zh) * | 2012-12-28 | 2017-12-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
US20140197378A1 (en) | 2013-01-14 | 2014-07-17 | E I Du Pont De Nemours And Company | Deuterated compounds for luminescent applications |
EP2784839B1 (en) | 2013-03-26 | 2017-10-25 | Novaled GmbH | Method of manufacturing an organic field effect transistor |
US9104104B2 (en) | 2013-04-24 | 2015-08-11 | Orthogonal, Inc. | Method of patterning a device |
KR102059962B1 (ko) * | 2013-05-22 | 2019-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
US9500948B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-11-22 | Orthogonal, Inc. | Fluorinated photoresist with integrated sensitizer |
US20140356789A1 (en) | 2013-05-31 | 2014-12-04 | Orthogonal, Inc. | Fluorinated photopolymer with integrated anthracene sensitizer |
US9541829B2 (en) | 2013-07-24 | 2017-01-10 | Orthogonal, Inc. | Cross-linkable fluorinated photopolymer |
US9298088B2 (en) | 2013-07-24 | 2016-03-29 | Orthogonal, Inc. | Fluorinated photopolymer with fluorinated sensitizer |
US9698382B2 (en) * | 2013-08-01 | 2017-07-04 | Joled Inc. | Organic light emitting element with increased efficiency of extracting blue light |
KR20160036597A (ko) | 2013-08-29 | 2016-04-04 | 후지필름 가부시키가이샤 | 유기층을 리소그래피로 패터닝하기 위한 방법 |
KR102254558B1 (ko) | 2013-11-13 | 2021-05-24 | 올싸거널 인코포레이티드 | 분지형 플루오르화 광중합체 |
US9217926B2 (en) | 2013-11-19 | 2015-12-22 | Orthogonal, Inc. | Method of patterning a base layer |
KR20160118340A (ko) | 2014-02-07 | 2016-10-11 | 올싸거널 인코포레이티드 | 교차-결합 가능한 플루오르화된 포토폴리머 |
EP3175497A4 (en) * | 2014-08-01 | 2018-11-21 | Orthogonal Inc. | Photolithographic patterning of devices |
CN107112418B (zh) * | 2014-08-01 | 2021-01-15 | 正交公司 | 有机电子装置的光刻法图案化 |
JP6792547B2 (ja) | 2014-08-01 | 2020-11-25 | オーソゴナル,インコーポレイテッド | 素子のフォトリソグラフパターン化方法 |
JP6653315B2 (ja) * | 2014-08-01 | 2020-02-26 | オーソゴナル,インコーポレイテッド | 有機電子デバイスのフォトリソグラフィック・パターニング |
WO2016192777A1 (en) | 2015-06-02 | 2016-12-08 | Egarante, S.L. | Generating digital evidence |
KR20200058654A (ko) * | 2018-11-19 | 2020-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시장치 |
-
2015
- 2015-07-31 JP JP2017505649A patent/JP6653315B2/ja active Active
- 2015-07-31 CN CN201580053506.1A patent/CN107112417B/zh active Active
- 2015-07-31 EP EP15828065.1A patent/EP3175496B1/en active Active
- 2015-07-31 KR KR1020177005282A patent/KR102401987B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-31 US US15/501,092 patent/US9899636B2/en active Active
- 2015-07-31 CN CN201910660014.9A patent/CN110459677B/zh active Active
- 2015-07-31 WO PCT/US2015/043168 patent/WO2016019273A1/en active Application Filing
-
2018
- 2018-01-10 US US15/867,019 patent/US10468637B2/en active Active
-
2019
- 2019-09-19 US US16/575,973 patent/US10854854B2/en active Active
-
2020
- 2020-10-28 US US17/082,655 patent/US11309529B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04206386A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
US6013538A (en) * | 1997-11-24 | 2000-01-11 | The Trustees Of Princeton University | Method of fabricating and patterning OLEDs |
US20100289019A1 (en) * | 2008-04-10 | 2010-11-18 | The Johns Hopkins University | Patterning devices using fluorinated compounds |
JP2012186157A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-27 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法 |
JP2014515178A (ja) * | 2011-03-03 | 2014-06-26 | オーソゴナル,インコーポレイテッド | 薄膜装置の材料をパターン化するプロセス |
US20150364685A1 (en) * | 2011-03-03 | 2015-12-17 | Orthogonal, Inc. | Process for patterning materials in thin-film devices |
JP2014517336A (ja) * | 2011-04-19 | 2014-07-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 光出力パネル及び光出力パネルを有するデバイス |
US20120276484A1 (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing organic el display device |
JP2012238580A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-12-06 | Canon Inc | 有機el表示装置の製造方法 |
JP2014123441A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Canon Inc | 有機el表示装置の製造方法 |
US20140197379A1 (en) * | 2013-01-16 | 2014-07-17 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Oled pixel structure and oled panel |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018081903A (ja) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
JP7063548B2 (ja) | 2016-11-15 | 2022-05-09 | 三星ディスプレイ株式會社 | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
WO2022167882A1 (ja) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3175496A1 (en) | 2017-06-07 |
US20210043877A1 (en) | 2021-02-11 |
US9899636B2 (en) | 2018-02-20 |
CN110459677B (zh) | 2022-11-22 |
EP3175496B1 (en) | 2021-06-16 |
WO2016019273A1 (en) | 2016-02-04 |
KR102401987B1 (ko) | 2022-05-25 |
CN110459677A (zh) | 2019-11-15 |
KR20170048360A (ko) | 2017-05-08 |
US10854854B2 (en) | 2020-12-01 |
CN107112417A (zh) | 2017-08-29 |
US10468637B2 (en) | 2019-11-05 |
US20180159089A1 (en) | 2018-06-07 |
EP3175496A4 (en) | 2018-07-18 |
US20200013993A1 (en) | 2020-01-09 |
JP6653315B2 (ja) | 2020-02-26 |
US20170256754A1 (en) | 2017-09-07 |
US11309529B2 (en) | 2022-04-19 |
CN107112417B (zh) | 2019-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6653315B2 (ja) | 有機電子デバイスのフォトリソグラフィック・パターニング | |
JP5901325B2 (ja) | 有機el表示装置の製造方法 | |
JP6653316B2 (ja) | 有機el素子のフォトリソグラフィによるパターン形成 | |
US10503074B2 (en) | Photolithographic patterning of devices | |
JP2012216493A (ja) | 有機el表示装置の製造方法及び製造装置 | |
JP2008098106A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2008147072A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2014011083A (ja) | 有機el表示装置の製造方法 | |
CN102709487B (zh) | 一种有机发光显示面板及其制造方法 | |
TW200901531A (en) | Process for making contained layers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180730 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190403 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6653315 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |