JP2017529651A - 有機電子デバイスのフォトリソグラフィック・パターニング - Google Patents

Abstract

ＯＬＥＤ装置の製造方法であって、底部電極の第１の列を有する、装置基板の上に、第１のアンダーカットされたリスト・オフ構造を積層させる。次に、少なくとも第１の発光層を有する、１層以上の第１の有機ＥＬ中間層を、第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造の上と、底部電極の第１の列の上とに蒸着させる。第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造と上部に位置する第１の有機ＥＬ中間層とを、第１の中間構造を形成するために、フッ素化溶媒を含む第１のリフト・オフ剤で処理して除去する。この工程は、１以上の第２の有機ＥＬ中間層を底部電極の第２の列の上に蒸着するために、第２のアンダーカットされたリフト・オフ構造を用いて繰り返される。第２のアンダーカットされたリフト・オフ構造を除去した後に、共通の上部電極が蒸着され、第１と第２の有機ＥＬ中間層を電気的に接続する。【選択図】 図２

Description

関連出願のクロスレファレンス
この出願は、2015年7月31日にPCT国際特許出願として出願されたものであり、2014年8月1日に出願された米国仮出願62/031,888号を参照することによってその開示の全ての特典を主張する。この出願は、代理人の整理番号16480.0026WOU1と16480.0033WOU1と16480.0030WOU1が付された、PCT国際出願にも関係する。この出願は、同日に出願した米国仮出願である62/031,891 (2014年8月1日出願)、62/031,897 (2014年8月1日出願)と62/096,582 (2014年12月24日出願)と62/031,903 (2014年8月1日出願)の特典を主張する。

背景
・ 開示の技術分野
この開示は、有機デバイス、電子デバイスと有機電子デバイスのフォトリソグラフィのパターニングに関する。開示された方法と材料は、特にOLEDデバイスをパターニングするために使用される。

・ 関連技術についての議論
有機電子デバイスには、従来の無機材料をベースとしたデバイスと比較して、重要な性能と価格優位性がある。そのために、電子デバイス工場の有機材料を使用すると、多くの商業的利益があった。例えば、有機発光ダイオード（OLED）技術をベースにしたディスプレイは、最近、人気が出てきており、他の多くのディスプレイ技術に対して、優位性が高い。しかしながら、溶液蓄積型（solution-deposited）OLED材料は、開発が続いており、もっとも高性能のOLEDディバイスでは、活性有機材料の薄層に蒸気の蓄積があるものが用いられている。

フルカラーのOLEDディスプレイのために鍵となる挑戦は、赤、緑と青の画素の列をパターニングすることである。蒸気蓄積型OLEDのために、求められるパターンの緻密さに対応した孔を有している精密な金属マスクが従来用いられている。しかしながら、蒸気蒸着型フィルムは、マスクの空隙部を狭くし、マスクに変形圧を加えるかもしれない、マスクの上に形成される。従って、ある一定の回数の使用後、マスクを清浄にする必要がある。このことは、製造コストの観点からは、不利である。それに加えて、微細な金属マスクが、より大きな基板に適応させるために、サイズが大きくなるとき、マスクの孔の位置精度は、より難解となる。主たる列の見地からと、熱膨張の問題のために、蒸着している間、列を維持する。位置精度は、マスクの枠の硬さを増大させることによって、ある程度、改善されるかも知れない。しかし、これはマスクの重さ自体も増加させてしまい、他の取り扱いを難しくさせる。

OLEDデバイスのように、有機電子デバイスを費用対効果のよい、パターニングする需要がある。そして、約100μｍよりも低い次元特に発光パターンを持つ

要約
筆者らは、フォトリソグラフによって、4μｍで区切られた赤、緑、青の発光領域をパターン化し、そして、60％より大きい空隙率を持つOLEDデバイスの実験を行った。

本願開示によれば、OLEDデバイスの製造方法は、次の事項を含んでいる。
・ 底部電極の第１列と底部電極の第２列を有する装置基板を提供すること。
・ 底部電極の第１列に対応した、空隙の第１のパターンを有する装置基板の上に第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供すること。
・ 第１のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と、底部電極の第１の列の上に、少なくとも、第１の発光層と第１の上部電極層を含む、１つ以上の第１の有機EL中間層を蒸着させること。
・ 第１の中間構造を形成するため、第１のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と上部にある第１の有機EL中間層と第１の上部電極を、除去すること。
・ 底部電極の第２の列に対応した、空隙の第２のパターンを有する、第１の中間層構造の上に、第２のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供すること。
・ 第２のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と、底部電極の第２の列の上に、少なくとも、第２の発光層と第２の上部電極とを有する、１以上の第２の有機EL中間層を蒸着させること。
・ 第２の中間層構造を形成するために、第２のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と上部にある第２の有機EL中間層と第２の上部電極とを除去すること。
・ 第１と第２の上部電極層を電気的に接続するために、共通の上部電極を提供すること。

本願開示の他の形態は、次の構成を含むフルカラーのOLEDディスプレイである。
基板には、ディスプレイ領域があり、ディスプレイ領域には、第１、第２、第３の有機ＥＬ素子の列があり、その列は、異なる色の発光のために、独立してパターン化された発光層を有している。第１の有機ＥＬ素子のそれぞれは、第２、第３の有機ＥＬ素子から４μｍ以下の間隔がある。第１、第２、第３の有機ＥＬ素子の発光層の全領域は、合計すると、ディスプレイの少なくとも６０％の領域を占めている。

第１図は、代表的なOLED素子の断面図である。 第２図は、本願開示の実施態様のステップを描いているフローチャートである。 第３図は、本願開示の実施形態に様々の段階を描いている一連の断面図（３A−３K）である。 第３図は、本願開示の実施形態に様々の段階を描いている一連の断面図（３A−３K）である。 第３図は、本願開示の実施形態に様々の段階を描いている一連の断面図（３A−３K）である。 第３図は、本願開示の実施形態に様々の段階を描いている一連の断面図（３A−３K）である。 第３図は、本願開示の実施形態に様々の段階を描いている一連の断面図（３A−３K）である。 第３図は、本願開示の実施形態に様々の段階を描いている一連の断面図（３A−３K）である。 第３図は、本願開示の実施形態に様々の段階を描いている一連の断面図（３A−３K）である。 第３図は、本願開示の実施形態に様々の段階を描いている一連の断面図（３A−３K）である。 第３図は、本願開示の実施形態に様々の段階を描いている一連の断面図（３A−３K）である。 第３図は、本願開示の実施形態に様々の段階を描いている一連の断面図（３A−３K）である。 第３図は、本願開示の実施形態に様々の段階を描いている一連の断面図（３A−３K）である。 第４図は、本願開示の実施形態のステップを描いているフローチャートである。 第５図は、本願開示の実施形態に従った「 」の形成の様々の段階を描いている一連の断面図（５A−５E）である。 第５図は、本願開示の実施形態に従った「 」の形成の様々の段階を描いている一連の断面図（５A−５E）である。 第５図は、本願開示の実施形態に従った「 」の形成の様々の段階を描いている一連の断面図（５A−５E）である。 第５図は、本願開示の実施形態に従った「 」の形成の様々の段階を描いている一連の断面図（５A−５E）である。 第５図は、本願開示の実施形態に従った「 」の形成の様々の段階を描いている一連の断面図（５A−５E）である。 第６図は、本願開示の実施形態のステップを描いているフローチャートである。 第７図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLED装置の断面図である。 第８図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLED装置の形成におけるステージを描いている断面図であり、最上部の電極は、有機EL中間層の端部を被覆するように蓄積される。 第９図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLED装置の形成におけるステージの断面図であり、ここでフッ素化した材料の蒸着層が提供される。 第１０A図は、欠陥のあるアクティブ・マトリクスOLED装置を描いた断面図であり、ここで最上部の電極は、個々のOLED装置の間の電子的な結合が貧弱である。 第１０B図は、パターン化されフッ素化された誘電体を含む、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLED装置を描いた断面図である。 第１１図は、本願開示の実施形態におけるステップを描いたフローチャートである。 第１２図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLEDデバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１２A−１２J）である。 第１２図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLEDデバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１２A−１２J）である。 第１２図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLEDデバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１２A−１２J）である。 第１２図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLEDデバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１２A−１２J）である。 第１２図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLEDデバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１２A−１２J）である。 第１２図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLEDデバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１２A−１２J）である。 第１２図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLEDデバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１２A−１２J）である。 第１２図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLEDデバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１２A−１２J）である。 第１２図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLEDデバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１２A−１２J）である。 第１２図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLEDデバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１２A−１２J）である。 第１３図は、本願開示の実施形態に従った有機デバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１３A−１３D）である。 第１３図は、本願開示の実施形態に従った有機デバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１３A−１３D）である。 第１３図は、本願開示の実施形態に従った有機デバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１３A−１３D）である。 第１３図は、本願開示の実施形態に従った有機デバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１３A−１３D）である。 第１４図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLEDデバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１４A−１４B）である。 第１４図は、本願開示の実施形態に従ったアクティブ・マトリクスOLEDデバイスの形成における様々の段階を描いている一連の断面図（１４A−１４B）である。 第１５図は、本願開示の実施形態に従ったテスト・デバイスの形成における様々の段階と図を描いている一連の図（１５A−１５C）である。 第１５図は、本願開示の実施形態に従ったテスト・デバイスの形成における様々の段階と図を描いている一連の図（１５A−１５C）である。 第１５図は、本願開示の実施形態に従ったテスト・デバイスの形成における様々の段階と図を描いている一連の図（１５A−１５C）である。

詳細な説明
添付した図は、開示された着想を説明する目的のためにあり、製図するためのものではない。
本願開示の特徴は、フォトレジスト構造の「垂直」を使用すること、そして、傷つき易い有機電子デバイスと代替可能な加工処理用化合物、OLEDデバイスのような材料、そして、材料すなわち、それらは、溶解され難いものであり、傷つき易いものであるデバイス層と低い相互作用を持たせるように選択される。さもなければ、ダメージを受けるだろう。従来のフォトレジスト材料は、典型的には、 harsh 有機溶媒と、多くの場合腐食性の強い展開液を用いるが、これらは、OLEDデバイスの１又はそれ以上の層に容易にダメージを与える。特に有用な垂直なフォトレジスト構造と、加工処理用化合物には、フッ素化ポリマーや分子固体、そして、フッ素化溶媒が含まれる。いくつかの垂直フォトレジスト構造とシステムは、米国特許出願番号12/864,407、12/994,353、14/113,408と14/291,692に開示されている。その内容は、参照することによって取り込まれる。リフト・オフのパターン化に向いたフォトレジスト構造は、リフト・オフ構造としても、ここに参照される。アンダーカットされたリフト・オフ構造が好ましく、最上部は、基板に隣接した底部より幅広い。フォトレジスト構造は、１層構造（例えば、ひっくり返した台形）、２層構造や多層構造であってよい。少なくとも、傷つきやすい有機電子デバイスに接しているフォトレジスト構造の層状や部分は、フッ素化されたポリマーや分子固体であり、例えば、フッ素化された塗装溶媒から得られたものや蒸着によって得られたものである。垂直性は、例えば、処理をする前に、目的とする組成物の重要な物質を含むデバイスの水への浸漬によって試験される。（例えば、塗料溶媒、展開液、リフト・オフ化合物など）もし、デバイスの機能に深刻な低下がなければ、組成物は、オーソゴナルである。

本願開示の中で開示されている特定の実施態様は、特に、溶媒に敏感な活性有機物のパターニングに適している。活性な有機物の例を挙げるが、これに限定されない。例えば、有機半導体、有機導電材料、OLED（有機発光ダイオード）材料、有機光起電力材料、有機光材料、生物学的材料（バイオエレクトロニクス材料）のような有機電子材料である。これらの材料の多くは、従来のフォトリソグラフの工程に用いられる、有機又は水性の溶液に接すると、ダメージを受ける。活性有機材料は、パターニングされうる層を形成するために塗布されることが多い。いくつかの活性有機材料にとって、そのような塗布は従来方法を用いた溶液からなしえる。あるいは、いくつかの活性有機材料は、蒸着で被覆される。例えば、減圧下で、加熱された有機材料原料からの昇華によってなし得る。溶媒に敏感な、活性有機材料は、有機、無機の組成物を含み得る。例えば、組成物は、半導体ナノパーティクル（量子ドット）を含む。そのようなナノパーティクルは、有機配位子を有するか、又は、有機マトリクス中に懸濁するかも知れない。本願開示は、特に、OLEDデバイスのパターニングに向けられている。しかし、ここに開示された概念と方法は、他の有機電子デバイス又は有機バイオ電子デバイスに応用できる。

OLED構造
OLEDデバイス構造のたくさんの異なるタイプが、何年もかけて開発された。本質的に、OLEDデバイスは、少なくとも、正孔を注入するアノードと電子を注入するカソード、そして両電極で挟まれた有機EL媒体を含むが、そこで、発光をさせるため、正孔、電子は結合する。OLEDデバイスは、基板の上に備えられることが多い。基板に隣接した電極は、典型的には第一又は底部電極として参照される。有機EL媒体によって、基板から空隙をあけた電極は、典型的には、第二又は頂部電極として参照される。共通の構造（「標準構造」）は、アノードの上に設けられた有機層に続いて基板の上に設けられた底部電極としてのアノードを含み、頂部電極を形成するために有機層の上に設けられた最後のカソードを含んでいることだ。「反転した構造」は、裏返しであり、カソードの上に設けられた有機層に続いて基板の上に設けられた底部電極としてカソードを備え、頂部電極を形成するために有機層の上に設けられたアノードを最後に含む。「底部で発光する」OLEDは、典型的には、透明または半透明の底部電極を含み、反射又は光吸収する頂部電極構造を含んでいる。つまり、光は、デバイス基板中に導かれる。「頂部発光」OLEDは、透明又は半透明の頂部電極と反射又は光吸収する底部電極構造を含んでいる。つまり、光は、デバイス基板から放出されるように導かれる。「透明」OLEDは、透明又は半透明の頂部電極と底部電極を有する。

OLEDデバイス10は、図１に示されており、アノード11、正孔注入層（HIL）12、正孔移動層（HTL）13、電子阻止層（EBL）14、発光層（LEL）15（発光性層やEMLと参照されることがある。）、正孔阻止層（HBL）16、電子移動層（ETL）17、電子注入層（EIL）18、カソード19が含まれる。アノードとカソードとの間の層は、集団的に参照して、有機EL媒体20。他にたくさんのOLED層の構造、少ない層のものや追加の層を有するもの、がこの技術分野で知られている。層の機能が重複することもあり得る。例えば、EBL（電子阻止層）がもし使われると、典型的には、電子阻止の性質に加えて、更に、正孔移動の性質を持っている。正孔阻止層（HBL）がもし用いられると、典型的には、電子移動の性質を有する。発光層（LEL）には、主に、正孔移動や電子移動の性質がある。あるいは、両方の性質を有する。そして、何層かの発光層もあり得る。いわゆる、「タンデム型」構造が知られている。それは、１層又はそれ以上の数の電荷分離層をいくつかの発光層の間に重ねたもので、効率を倍にすることができる。

限定されない材料の例であって、OLED装置に用いられる材料が、下記に議論される。蒸着される有機EL媒体材料を強調しているが、本願開示の特定の実施形態は、溶液沈殿したOLED材料が使用されてもよい。そして、構造は、米国特許8106582と米国特許7955719に見出せる。その全内容は、参照することによって、本願開示に組み込まれる。

EL発光がアノード電極を透過して見えるとき、そのアノード電極は、本質的に光透過性である。ここで「光透過性」の意味するのは、少なくとも３０％が透過することであり、好ましくは、少なくとも５０％が透過することである。本願開示で用いられる共通の透明アノード材料は、インジウム−鈴酸化物（ITO）、インジウム−亜鉛酸化物（IZO）そして、鈴酸化物であるが、次に示す他の金属酸化物も機能するが、これらに限定されない。それは、アルミニウム−又はインジウム−でドープされた酸化亜鉛、マグネシウム−インジウム酸化物そして、ニッケル−タングステン酸化物である。これらの酸化物に加え、窒化ガリウムのような窒化金属、セレン化亜鉛のようなセレン化金属、硫化亜鉛のような硫化金属である。これらがアノードとして用いられる。応用のために、EL発光が、カソード電極からのみ見えるときには、アノードの光透過性能は、重要ではなく、たくさんの導電性材料が、透過性、不透明、反射性であるに拘わらず、使用され得る。本願開示のための実例の導電体としては、これらに限定されないが、金、イリジウム、モリブデン、パラディウム、白金がある。唯一HIL材料が用いられないと、典型的なアノード材料は、少なくとも4.0eVの仕事関数を有する。

EL発光がカソードを透過して見えれば、透明であるか、透明に近い。そのような応用のために、金属は薄くなければならず、好ましくは、25ｎｍより薄いか、透明な導電性酸化物（例えば、インディウム−鈴酸化物、インディウム−亜鉛酸化物）が用いられても良く、これらの材料の組み合わせでもよい。幾つかの非限定的な光学的に透明なカソードの例としては、米国特許第5,776,623号により詳しく記載されている。もし、EL発光がカソードを透過して見えない場合は、OLED装置に使用できると知られている幾つかの導電性材料が、選択され、次の物が含まれるだろう。アルミニウム、モリブデン、金、イリジウム、銀、マグネシウムのような金属、上記透明導電性酸化物またはこれらの組み合わせである。好ましい材料は、低電圧で電子注入を促進し、効果的な安定性を有する。有用なカソード材料は、低い仕事関数の金属（＜4.0eV）又は金属アロイを有することが多い。カソード材料は、例えば、蒸留蒸着、スパッタリング、化学蒸着により蓄積させることができる。

正孔注入層（HIL）は、１種類の材料又は材料の混合物から形成される。正孔注入層は、異なった組成となるように、いくつかの層に分割して導入されても良い。正孔注入層は、その次の層のフィルム形成特性を向上させ、正孔注入層に正孔を注入させることを容易とするのに役立ち得る。正孔注入層に用いるために適当な材料に含まれているが、チオフェン含有化合物、フォスファゼン化合物、特定の芳香族系アミン化合物、米国特許第4,720,432に記載されたポルフィリンとフタロシアニン化合物に限定されない。正孔注入層（HIL）は、金属酸化物（例えば、モリブデン酸化物）金属窒化物、金属カーバイド、金属イオンの錯体そして有機配位子、そして遷移金属イオンと有機配位子のような無機化合物を含んでいる。正孔注入層で用いられるのに適当な材料は、米国特許第6,208,075に記載されたようにプラズマ蒸着フルオロカーボン・ポリマー（CFx）、米国特許第6,720,573 B2（例えば、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン）に記載されたように特定のヘキサアザトリフェニレン誘導体、又は、F4TCNQのようなテトラシアノキノン誘導体である。正孔注入層は、２つの成分からなることも可能であり、例えば、芳香族アミン化合物、ジピラジノ[2,3-f:2’,3’-h]キノオキサリンヘキサカーボニトリル、F4TCNQ又は塩化鉄（FeCl3）のような強酸化剤である。

正孔移動層（HTL）は、有機又は無機化合物の単一又は混合物により形成され得る。そして、いく層かに分割される。正孔移動層は、例えば、ベンジヂンやカルバゾールのように３級アリルアミンを含むが、その代わり（又はそれに加え）、チオフェンや他のエレクトロン・リッチな材料を含んでもよい。電子阻害層（EBL）材料は（もし使用されると）、正孔移動層（HTL）材料と同一のグループから通常選択され、更なる電子移動のバリヤーをつくる横たえた発光層（LEL）よりエネルギーが著しく高い電子伝導性バンドを有している。

発光層（LEL）は、通常、主材料と発光ドーパントを含む。注入された正孔と電子は、発光層（LEL）で再結合する。主材料は、正孔移動層（HTL）材料、電子移動層（ETL）材料、正孔移動層（HTL）材料と電子移動層（ETL）材料の混合物、正孔と電子を移動させる能力を既に有する二極性材料を含む。一重項の発光のための共通の正孔の例には、アントラセン誘導体ポリサイクリックな芳香族化合物が含まれている。三重項発光のための通常の材料の例には、カルバゾール化合物と芳香族アミンが含まれる。発光ドーパントの幅広い変化例が知られており、電子/正孔の電荷注入から発生する励起子を収穫することによって、求める発光の波長を提供することに使われる。たくさんの通常の一重項発光するドーパントは、芳香族有機化合物であり、一方、多くの通常の三重項発光のドーパントは、イリジウムや白金の金属錯体である。

電子移動層（ETL）は、有機又は無機化合物の単一又は混合物から形成され得る。通常の電子移動層（ETL）材料は、Alqのような金属オキシン・キレートやBCP、トリアゼン、ベンズイミダゾール、トリアゾール、オキサジアゾールのようなフェナンスロリン誘導体、シラシクロペンタジエン誘導体のようなシラン化合物やボロン誘導体である。正孔阻害層（HBL）材料は（もし、使用するなら）、通常は、電子移動層（ETL）材料と同じグループから選択される。そして、正孔阻害層（HBL）材料は、更なる正孔移動のバリヤーをそれによって発生させ、基礎をなす発光層（LEL）材料より著しくエネルギーの低い（酸化するのがより困難）正孔伝導バンドを有する。

電子注入層（EIL）は、電子移動層（ETL）材料と還元性ドーパントを、カソードと電子移動層（ETL）の境界で又はその近傍で含んでよい。還元性ドーパントは、有機、無機又は金属錯体で有り得る。通常の還元性ドーパントは、セシウムやアルカリ金属混合物のようなアルカリ金属を含んでいる。電子注入層（EIL）は、アルミニウムのようなカソード材料蓄積の上に還元性ドーパントを形成する、アルカリ、アルカリ金属錯体、塩又は酸化物（例えば、リチウム キノレート、フッ化リチウム、酸化カルシウム）を含んでもよい。

OLEDの蒸着
基板の上に有機EL媒体材料を蒸着する方法は多く、溶液塗布、蒸気蒸着、ドナー・シートからの転移を含むが、これらに限定されない。本願開示の特定の実施態様において、少なくともいくつかの有機OLED層は、蒸気蒸着手段で、例えば、減圧環境での物理的蒸気蒸着で、蒸着される。幾つか実施態様では、有機EL媒体層の殆んど、又は、全ては蒸気蒸着によって、提供される。

蒸気蒸着装置の多くのタイプは、適合する。そうした装置は、点線源、線線源、蒸気注入線源、キャリヤー・ガス補助線源（OVPD）その他を用いてもよい。幾つかの実施態様では、煙のように立ち昇る蒸気が、後に示されるように、パターン化されたフォトレジストの構成を通って、制御された高低線蒸着に達する、好ましい高度の指向性がある。

OLED装置/回路基板
あるパターニングが意図されている限り、本願開示の方法に基づいて製造されたOLED装置の型式は特に限定されない。本方法は、アクティヴ・マトリックスOLED（AMOLED）とか、パッシブ・マトリックスOLED（PMOLED）のようなフルカラーOLEDディスプレイに特に適しているが、しかし、この方法は、OLED発光と記号を準備するのに用いられてよい。OLED装置の基板は、硬かったり屈曲性があったりしても良い。支持材料は、ガラス、高分子、セラミックス、そして金属であり、混合物でもそのラミネートでもよく、これらに限定されない。

アクティヴ・マトリックスOLED（AMOLED）の回路基板は、典型的には、独立して処理し易い第一の（底部）電極の列を含んでおり、その電極は薄膜トランジスター（TFT）の電気回路明細図に接続しており、特に多層構造中の基板の上に設けられる。前記薄膜トランジスター（TFT）は、ケイ素、金属酸化物又は有機半導体（OTFT）の上に配置されてもよい。半導体に加え、誘電体そして導電体が、トランジスター、コンデンサー、配線構造などこの技術分野で知られているものを形成する構造を備えるのに用いられる。

ＯＬＥＤのパターニング
第２図は、ながれ図であるが、本願開示の実施態様によると、３原色（例えばＲＧＢ）のアクティブ・マトリックスＯＬＥD装置を形成するための工程を示している。第３Ａ図〜第３Ｋ図は、断面図でこれらの工程の一部を示している。工程101において、第１のリフト・オフ構造（例えば、アンダーカット・リフト・オフ構造）が、ＯＬＥＤ基板の上に形成される。前記リフト・オフ構造は、底部電極の第１列に対応する空隙の列を有している。前記底部電極は、「標準構造」ＯＬＥDの一部のアノードと同じくらい働くし、「反転された構造」のＯＬＥＤの一部のカソードとして働く。好ましい実施態様では、前記底部電極は、既に、ＯＬＥＤ基板の一部となって形成されている。しかし、任意には、前記底部電極は、形成されても良く、あるいは、リフト・オフ構造（第２図に示されていない）の空隙の列を通過して、１種又はそれ以上の望ましいアノード又はカソード材料で蒸着し更に変形されても良い。

第３Ａ図は、ＯＬＥＤ基板２００の実施態様や指示体２０１を有する回路基板（例えば、フレキシブルな又はノンフレキシブルなガラス、プラスティックス、セラミックス）、ＴＦＴ層の部分202（配線、誘電体と半導体）、第１の底部電極２１０、第２の底部電極２２０、第３の底部電極２３０と電極を分離する誘電体２０３を示している。第１，２，３の底部電極は、それぞれ、底部電極の第１、第２、第３の列にある一個の底部電極を表しているが、それぞれ、全て独立して処理し易い。つまり、底部電極の第１の列は、独立して処理し易い第１のＯＬＥＤ装置の第１の列の一部を形成し、底部電極の第２列は、独立して処理し易い第２のＯＬＥD装置の第２列の一部を形成し、必要なら更に形成する。示してはいないが、電極を分離する誘電体は、底部電極の端の上にしばしば延長され、対応するＯＬＥD装置の機能的発光領域を限定するのに役立つ。同様に図示されてはいないが、基板は、更に、それぞれの有機ＥＬエレメントの一部を形成する、共通の有機ＥＬ媒体層を含む。例えば、基板は、共通の正孔注入層（ＨＩＬ）と正孔移動層（ＨＴＬ）を含んでよい。

第３Ｂ図は、第１の底部電極のに対応した空隙215を有する第１のリフトオフ構造２１１を示している。ここでの実施態様では、第１のリフト・オフ構造211が、第１の材料層212と第１のパターン化されたフォトレジスト213とからなる２層の構造である。領域214は、層212に形成されている。アンダーカット領域214は、層212に形成される。第１のリフトオフ構造211は、単一層であるか、２層以上の層を有している。リフトオフ構造は、後により詳しく議論する。

第２図を再び参照すると、追加の（しかし、好ましい。）工程103は、底部電極（または、追加の共通の有機ＥＬ媒体層から）の第１列から残渣を除去することを含む。これは、適当な溶媒を用いて、好ましくは、ドライ・エッチング法で実施できる。ここで、前記用語「ドライ・エッチング液」は、広義で用いられ、目標領域を綺麗にするのに十分なエネルギーを有する、使いやすいガス状の材料に関する。ドライ・エッチングは、グロー放電法（例えば、スパッター エッチング、反応性イオン エッチング）、イオン・ビーム エッチング（例えば、イオンミリング、反応性イオンビーム エッチング、イオンビーム アシスト化学エッチング）や他の「ビーム」法（例えば、ＥＣＲ エッチング、ダウンストリーム エッチング）を含むが、これらに限定されず、これらの全てがこの技術で知られたもの方法である。いくつかの普通のドライ・エッチング液には、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ、ＵＶ/オゾン、ＣＦ_４とＳＦ_６そして様々の組み合わせがある。あるいは、実質的に非酸化的プラズマが使用されても良く、例えば、水素と窒素やヘリウムのような非酸化性ガスである。

第２図と第３Ｃ図を参照すると、第１の有機ＥＬ媒体層は、工程105において蒸着され、次に工程107において、第１の有機ＥＬ媒体層の上に第１の上部電極の蒸着される。第１の有機ＥＬ媒体層216‘の一部は、リフトオフ構造の上に蒸着される、しかし、第１の有機ＥＬ媒体層216の他の部分は、空隙215を通り、底部電極の第一列の上に蒸着される。上部電極に関しては、第１の上部電極217’の一部は、リフトオフ構造の上で有機ＥＬ媒体層216‘の直上に蒸着される。しかし、第１の上部電極217の他の部分は、空隙215を通り、第１の有機ＥＬ媒体層216の直上に蒸着される。示されていないが、もし、上記議論したように、基板が、少しでも追加的に普通の有機ＥＬ媒体層を含んだら、第１の有機ＥＬ媒体層216は、底部電極の第１の列の上にＯＬＥDの積み重ねを終了するために必要となるものを含む。

工程109において、リフトオフ構造は、有機ＥＬ媒体層216と第１の上部電極217’が重なっているのが一緒に除かれる。実施態様において、第１の材料層212を溶かす溶媒を提供することによって、この除去がなされる。しかし、それは、パターン化されたフォトレジスト、有機ＥＬ媒体材料とカソードとには関係が無い。これは、第１のパターン化されたフォトレジスト213と重なりを覆う層216’、217’を切り離し、それによって、第１の中間構造218を形成し、第１の列を有する第３Ｄ図に示されるように、ＯＬＥＤ装置、例えば、赤色発光ＯＬＥＤ装置を形成し、それぞれが底部電極210、有機ＥＬ媒体層216と上部電極217を有する。他の方法では、第１の材料層を溶解するのではなく、リフト・オフ溶媒は、リフト・オフ構造を大きくさせ、それにより、脱ラミネートさせたり、又は、さもなければ、基板とリフト・オフ構造との間の接着に影響する。

工程101から109は、基本的には、工程111から119と工程121から129において、２度以上繰り返される。しかし、異なる有機ＥＬ媒体層（226と236、第３Ｆ図と第３Ｉ図）の組み合わせによって、ＯＬＥＤ装置の第２と第３の列、例えば、緑色と青色が形成される。

第２図の工程111において、第２のリフト・オフ構造が、第１の中間構造の上に形成される。第２のリフト・オフ構造には、底部電極の第２の列に対応した空隙の列がある。第３Ｅ図には、第２のリフト・オフ構造221が示され、第２の底部電極に対応した空隙225がある。ここに示された実施態様において、第２のリフト・オフ構造221は、第２の材料層222と第２のパターン化されたフォトレジスト層223の２層である。アンダーカット領域224は、層222の中に形成される。第２のリフト・オフ構造221は、単独の層か２層以上であってよい。第２のリフト・オフ構造を形成するために用いられる材料と方法は、第１のリフト・オフ構造211を形成するために用いられるものと同一であっても異なっていてもよい。

第２図の工程113には、底部電極の第２の列から残渣を洗浄する付加的な（しかし、好ましい）工程が示されている。これには、工程103について先に記載された方法の内１つが用いられる。前記残渣洗浄方法は、工程103と同一でも、異なっていても良い。

第２図と第３Ｆ図を参照すると、第２の有機ＥＬ媒体層は、工程115において蒸着される。この次に、工程117において第１の上部電極蒸着が含まれ、第２の有機ＥＬ媒体層の上を覆い、限定するものではないが、好ましい実施態様において、第２の有機ＥＬ媒体層は、例えば、異なる発光色を提供するために第１の有機ＥＬ媒体層とは異なってもよい。第２の上部電極は、第１の上部電極と同一であっても良いが、例えば、求める電荷注入や性能に到達するために、異なっていても良い。第２の有機ＥＬ媒体層226’の一部は、リフト・オフ構造を覆って蒸着される。他方、第２の有機ＥＬ媒体層226のその他の部分は、空隙225を通過し、底部電極の第２の列の上に蒸着される。上部電極について、第２の上部電極227’の一部は、リフト・オフ構造の上に堆積され、第２の有機ＥＬ媒体層226’の直上に蒸着される。他方、第２の上部電極227のその他の部分は、開口部225を通過し、第２の有機ＥＬ媒体層226の直上に蒸着される。

工程119において、第２の有機ＥＬ媒体層226’と第２の上部電極227’とが重ね合わされた部分に沿って、例えば、第２の材料層222を溶解する溶媒によって、工程109について、先に説明したのに同様の方法で、リフト・オフ構造は、取り除かれる。第２のリフト・オフ構造を取り除くと、第３Ｇ図に示される第２の中間構造228が形成される。これには、ＯＬＥＤ装置の第１の列、例えば、赤色発光ＯＬＥDとＯＬＥＤ装置の第２の列、例えば緑色発光ＯＬＥＤとが設けられているが、それぞれ、底部電極220と有機ＥＬ中間層226と上部電極227を有している。

第２図の工程121で、第２の中間構造の上に第３のリフト・オフ構造が形成される。第３のリフト・オフ構造には、底部電極の第３の列に対応して空隙の列がある。第３Ｈ図は、第３の底部電極に対応して空隙を有する第３のリフト・オフ構造231を示している。ここで示される実施態様において、第１のリフト・オフ構造231は、また、第３の材料層232と第３のパターン化されたフォトレジストとの２層構造である。アンダーカット領域234は、層232の中に形成される。第３のリフト・オフ構造231は、単独層であっても、2層以上からなっていても良い。第３のリフト・オフ構造231に用いられる材料と方法は、第１と第２のリフト・オフ構造を形成するのと、同じであっても、異なっていても良い。

第２図における工程123は、工程103に関して先に説明した方法の内１つを使って複数の底部電極からなる第３の列から残渣を洗浄する、付加的な（しかし好ましくは）工程を示している。前記残渣洗浄方法は、工程103と同じであっても、異なっていても良い。

第２図と第３Ｉ図について、第３の有機ＥＬ媒体構造は、工程125において蒸着されている。次いで、工程127において、第３の有機ＥＬ媒体層を覆って第３の上部電極の蒸着がなされる。限定するものではないが、好ましい実施態様において、第３の有機ＥＬ媒体層は、異なる発光色を提供するために、第１と第２の有機ＥＬ媒体層とは異なっている。第３の上部電極は、第１と第２の上部電極と同じであって良いが、例えば、求められる電荷注入や性能に到達するために、また、異なっていても良い。第３の有機ＥＬ媒体層236’の一部は、リフト・オフ構造の上に蒸着されているが、他方、第３の有機ＥＬ媒体層236は、空隙235を通過し、底部電極の第３の列に蒸着される。上部電極に関して、第３の上部電極237’の一部は、リフト・オフ構造を覆い第３の有機ＥＬ媒体層236’の直上に蒸着される。他方、第3の上部電極237のその他の部分は、開口部235を通過し、第３の有機ＥＬ媒体層236の直上に蒸着される。

工程129において、第３のリフト・オフ構造は、第３の有機ＥＬ媒体層236’と第3の上部電極237’の部分に沿って、例えば、第3の材料232を溶解する溶媒によって、先に工程109について説明したのと同様にして、除去される。第３のリフト・オフ構造を除去すると、第３の中間構造238が第３Ｊ図に示されるように形成され、ＯＬＥＤ装置の第１の列、例えば、赤色発光ＯＬＥＤと、ＯＬＥＤ装置の第２の列、例えば、緑色発光ＯＬＥDと、ＯＬＥＤ装置の第３の列、例えば、青色発光のものとからなり、それぞれは、底部電極230、有機ＥＬ媒体層236と上部電極237とを有する。

第2図と第３Ｋ図を参照すると、工程131は、共通の上部電極240をＯＬＥＤ装置の第1、第2、第3の列の上に蒸着し、それから第1、第2、第3の上部電極を電気的に結合し、アクティブ・マトリックスＯＬＥD装置を形成することを含む。第1、第2、第3の上部電極に関して、共通の上部電極に使われる材料は、同一であっても、異なっていても良い。共通の上部電極を蒸着する前に、上部電極は、共通の上部電極と電気的な接続を向上させるために、処理を施されても良い。これは、上部電極の上に存在するかもしれない金属酸化物や薄い高分子残渣による接触抵抗を克服するのに役に立つ。例えば、上部電極は、低仕事関数の金属、例えば、アルカリ金属、アルカリ性の金属又はアルカリ土類金属で処理してよい。あるいは、処理は、還元性ガス雰囲気、例えば、水素を含んだガス雰囲気で行うことを含む。あるいは、処理は、本質的に非酸化性プラズマ、例えば、水素とその他の窒素やヘリウムのような非酸化性ガスを含んだガス雰囲気で行うことを含む。あるいは、処理は、リフト・オフ剤とは異なる化学組成の洗浄剤やフッ素化溶媒を含む洗浄剤に接触させることを含む。例えば、洗浄剤は、フッ素化溶媒とプロトン性溶媒、例えば、アルコール（例、ＩＰＡ）１５体積％以下、あるいは、５体積％以下、を含んで良い。あるいは、プロトン性溶媒は、有機酸を５体積％以下含んでよく、あるいは、１体積％以下でもよい。あるいは、洗浄液は、２種類のフッ素化溶媒の混合液を含んでよく、例えば、リフト・オフ剤で使用されたフッ素化溶媒と、より極性があるか、又はよりフッ素の重量含量が少ないか、あるいは、両方である第2のフッ素化溶媒との混合液である。

（リフト・オフ構造）
リフト・オフ構造は、リフト・オフのパターン化工程において、「求めていない」重なった活性材料（例えば、ＯＬＥD材料）の分離を許容する。実施態様において、少なくとも、リスト・オフ構造の一部は、ＯＬＥＤ装置の列には影響しない溶媒に可溶性であり、このリスト・オフ構造の部分が溶解することによって分離される。実施態様において、リフト・オフ構造は、実質的に垂直側面の外形（例えば、基板に対して９０度±１０度）をしており、または、好ましくは、アンダーカットされた側面の外形をしている。アンダーカットの形状は、側面に蒸着されたＯＬＥＤ材料の量を減少させるので、側面は、適当なリフト・オフ剤に対して無防備の状態である。リフト・オフ構造の厚さは、装置の特定の型と意図された寸法に依存する。しかし、一般的には、厚さは、0.1〜10μｍの範囲内、あるいは、0.2〜5μｍの範囲内、あるいは、0.5〜3μｍの範囲内である。

リフト・オフ構造の重要な要件は、リフト・オフ構造の形成においても、それに続く工程においても、それが下層の装置の層に害を及ぼさないことである。実施態様において、リフト・オフ構造は、１以上の下層ＯＬＥＤ装置層と接している、フッ素化材料の層を含んでいる。実施態様において、フッ素化材料は、感光性であり、照射への曝露と現像によって、リフト・オフ構造を形成することができる。そのような材料は、ポジの働き（照射に曝された部分は、現像により除去される。）又はネガの働き（照射に曝されていない部分が、現像により除去される。）をする。感光性フッ素化材料の限定されない例とシステムは、米国特許第12/994,353、14/260,705、14/291,692、14/291,767と14/539,574に開示された内容を引用によって含む。実施態様において、感光性フッ素化材料は、ネガの働きをする感光性高分子であって、フッ素化溶媒、例えば、ハイドロフルオロエーテル、から得られる。実施態様において、感光性フッソ化高分子は、例えば、ハイドロフルオロエーテルのような１以上のフッ素化溶媒からなる現像液の中で現像される。実施態様において、感光性フッ素化高分子と共に使用するためのリフト・オフ剤は、例えば、ハイドロフルオロエーテルのようなフッ素化溶媒を含む。リフト・オフ構造の働きは、光パターン化されたフルオロポリマーを溶解するか、又は、例えば、盛り上がらせたり、接着不良を引き起こされたりして、光パターン化されたフルオロポリマーを基板から剥がすことにある。

必要な感光性、側面の外形と単独層のリフト・オフ構造における直交性に達することは、挑戦的である。他の実施態様において、リフト・オフ構造は、例えば、第3図に示され、米国特許出願第12/864,407に記載されているように、その内容は、引用によって本開示に含まれる。実施態様において、フッ素化分子の固体やフッ素化高分子のようなフッ素化された材料からなる材料層は、活性有機材料を含む装置の基板上に提供される。フッ素化材料は、蒸気（例えば、もし材料が分子固体ならば。）により蒸着されてよいし、高度にフッ素化された溶媒、限定されないがハイドロフルオロエーテルやパーフルオリネート溶媒、を塗布してもよい。この層は、多層リフト・オフ構造を形成し、下層の装置基板に対して化学的に不活性であるように設計されている。それは、光酸放出物質や、時には下層にある装置を害する反応性の基のような光活性材料を必要とはしない。ベース層は、下層にある装置を、上層にあるフォトレジスト層（下記を参照）への高強度の照射から保護するため、付加的に光吸収材料を含有してもよい。その場合、光吸収材料は、好ましくはベース層の中に共有結合的に、例えば、フッ素化された高分子に光吸収染料を結合させることにより、含有される。ベース層は、また、フッ素化された又は他のオーソゴナル溶媒に溶解するように設計されている。あるいは、リフト・オフ剤は、基板からベース層を、例えば、膨れさせたり、接着不良を引き起こして、剥離させてもよい。

ベース層の上に、例えば、フッ素化された材料層の上に、フォトレジスト層が、例えば、溶媒を塗布したり、又は、ラミネートさせて、積層される。フォトレジストは、普通なら下層にある装置の基板に有害であるが、ベース層がそうした有害物質の浸透を阻止する、そのような溶媒を塗布された、又は、処理された従来のフォトレジスト（ポジ又はネガ）であってよい。適当な照射に曝され、付加的に加熱されると、フォトレジストは、曝露されていないフォトレジストと比較して、その溶解性が変化する。例えば、曝露すると、溶解性が変化するスウィチング・グループを活性化させ、架橋を引き起こすか、又は、分子鎖の切断を起こすかもしれない。フォトレジストは、下層にあるベース層が、少なくとも構造的に無欠のものを保持さえすれば、つまり、塗装溶媒によって余りに早く溶解されないなら、フッ素化塗装溶媒から得られた、付加的にフッ素化されたフォトレジストであってもよい。そのようなフッ素化フォトレジストは、一般的に有益であるかもしれないが、フォトレジストの光活性層から付加的な層が分離することは、いくつかの実施態様において、追加的な保護を与えうる。

２層リフト・オフ構造を形成する実施態様のための流れ図は、図４において、そして図５の断面図において、示されている。そのようなリフト・オフ構造は、図２と図３に記載された実施態様に使用されている。工程301において、ベース層311が装置基板310の上に形成されている。ベース層は、硬化、乾燥、表面処理などのような次の処理工程に付される。工程303において、フォトレジスト層312は、ベース層311の上に形成される。フォトレジスト層312は、工程305より前に乾燥その他の工程を経由してもよい。工程305では、フォトレジスト層312は、照射元313とフォトマスク314とが提供するパターン化照射に曝される。これは、照射されたフォトレジスト層315を形成するが、これには、照射されたフォトレジスト領域316と補足的に照射されていないフォトレジスト領域317とがある。この場合には、フォトレジストは、ネガ型であるが、ポジ型を代わりに使用することもできる。光パターニングの他の方法も追加的にもちいてもよい。例えば、投影型照射、パターン化レーザー照射などである。

次に、工程307に示されるように、照射されたフォトレジスト層は、現像液（例えば、もし、多くの従来のフォトレジストを用いるなら、水性アルカリ現像液）で現像され、これは、この実施態様では、被覆されていないベース層318の最初のパターンを形成するために、照射されていないフォトレジスト領域を除去する。工程309において、被覆されていないベース層の最初のパターンは、空隙320の第１のパターンを有するリフト・オフ構造319を形成するために、例えば、ハイドロフルオロエーテルのようなフッ素化された現像液を用いて除去される。この実施態様では、ベース層を除去すると、アンダー・カット領域321が形成される。活性材料の堆積の後に、例えば、図２と図３において、ＯＬED装置について記載されているように、その構造は、ベース層を溶解するリフト・オフ剤に曝される。例えば、もし、ベース層がフッ素化材料なら、リフト・オフ剤は、フッ素化溶媒、例えば、ハイドロフルオロエーテルとパーフルオリネート溶媒を含んでよいが、これに限定されない。

上記で説明したように多くの実施態様において、フッ素化されたフォトレジスト又はフッ素化されたベース層は、フッ素化された溶媒を用いて、塗布されるか、処理される（例えば、現像やリフト・オフ）。特に有用なフッ素化された溶媒は、パーフルオリネート又は高度にフッ素化された室温で液体のものを含んでいる。これらは、水や多くの有機溶媒に不溶性である。そうした溶媒の中でも、ハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥｓ）は、環境に優しい、「緑」の溶媒であると良く知られている。分離されたハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥｓ）を含む、ＨＦＥｓは、好ましい溶媒である。それらは、不燃性であり、オゾン分解の可能性ゼロであり、地球温暖化の可能性はＰＦＣsより低く、人体に対して非常に低い毒性を示す。

すぐに使用可能なＨＦＥｓとＨＦＥｓの異性体混合物は、次の物を含むが、これに限定されるものではない。メチル ノナフルオロブチル エーテルとメチル ノナフルオロイソブチル エーテル（ＨＦＥ−７１００）の異性体混合物、エチル ノナフルオロブチル エーテルとエチル ノナフルオロイソブチル エーテル（ＨＦＥ−７２００ アカ ノヴェック^ＴＭ‘７２００）、３−エポキシ−１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６−ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチル−ヘキサン（ＨＦＥ−７５００アカ ノヴェック^ＴＭ７５００）、１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロ−４−（１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロポキシ）−ペンテン（ＨＦE−７６００ アカ ノヴェック ＰＦ７６００（３Ｍから）、１−メトキシヘプタフルオロプロパン（ＨＦＥ−７０００）、１，１，１，２，２，３，４，５，５，５−デカフルオロ−３−メトキシ−４−トリフルオロメチルペンタン（ＨＦＥ−７３００ アカ ノヴェック^ＴＭ７３００）、１，２−（１，１，２，２−テトラフルオロエトキシ）エタン（ＨＦＥ−５７８Ｅ）、１，１，２，２−テトラフルオロエチル−１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチル エーテル（ＨＦE−６５１２），１，１，２，２−テトラフルオロエチル−２，２，２−トリフルオロエチル エーテル（ＨＦＥ−３４７Ｅ）、１，１，２，２−テトラフルオロエチル−２，２，３，３−テロラフルオロプロピル エーテル（ＨＦE−４５８Ｅ）、２，３，３，４，４−ペンタフルオロテトラハイドロ−５−メトキシ−２，５−ビス[１，２，２，２−テトラフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチル]−フラン（ＨＦＥ−７７００ アカ ノヴェック^ＴＭ７７００）、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロオクタン−プロピル エーテル（ＴＥ６Ｏ−Ｃ３）、Ｆ（ＣＦ_２）_５ＯＣＨ_３，Ｆ（ＣＦ_２）_６ＯＣＨ_３、Ｆ（ＣＦ_２）_７ＯＣＨ_３、Ｆ（ＣＦ_２）_８ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３、Ｆ（ＣＦ_２）_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｆ（ＣＦ_２）_３ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＨ_３、（ＣＦ３）２Ｎ（ＣＦ２）３ＯＣＨ３、（Ｃ_３Ｆ_７）_２Ｎ（ＣＦ_２）_３ＯＣ_３Ｈ_７、

実施態様において、リフト・オフ構造（１層または多層型）が、リフト・オフ構造の配置に用いられる如何なる画像の発光の少なくとも８０％を下層にある層から吸収又はブロックする。

実施態様において、リフト・オフ構造のフォトレジストの部分は、フォトレジストのポジ型が用いられて、形成されている。このようにして、如何なる下層にあるＯＬＥD装置や構造は、有害な画像の発光に曝される可能性はないだろう。

（酸素と水に対する傷つきやすさ）
ＯＬＥＤ装置は、酸素や水への耐性に劣っていることが、従来技術で知られている。特別な関心事は、低仕事関数のカソード材料であり、任意のＥＩＬにおけるエレクトロン・リッチなドーパントであり、そして、カソードとＥＴＬ又はＥＩＬとの間のインターフェイスである。例えば、図２を参照すると、工程105、115そして115（有機ＥＬ中間層の蒸着）は、工程107、117と119（上部電極の蒸着）と共に、酸素と水との分圧が低い減圧環境下で行われてもよい。しかしながら、そういう場合には、リフト・オフ構造の除去と追加的なリフト・オフ構造の形成を行う他の工程のために、基板は、低圧環境下から周囲の環境へと移動させられる。しかしながら、窒素雰囲気や他の不活性ガスの雰囲気で、リフト・オフ処理（塗布・曝露・現像、リフト・オフなど）を行うための装置を設計することができるが、更なる注意は有用である。

実施態様において、第２図と第３図に示されるようにそれぞれの発光色ために独立した上部電極を含んだ、全ＯＬＥＤ構造を提供するよりは、有機ＥＬ中間層を提供しているだけである。好ましい実施態様において、それぞれのＯＬＥＤ積層体は、少なくともＬＥＬからの光が通過するようにして提供される。しかし、ＥＩＬ又は他の層であって、アルカリ金属、アルカリ性金属またはアルカリ土類金属ドーパントのようなエレクトロン・リッチなドーパントを持ったものは、含まない。例えば、ＯＬＥＤ積層体は、ＨＢＬに匹敵するそして含んでいるものを提供してよい。共通のカソード層（そして、ＥＩＬやＥＴＬのような、付加的な共通の有機ＥＬ中間層）は、最終処理で適用できる。そして、そのような共通のＥＩＬ/カソード層は、リフト・オフに関する工程で起きるかもしれない、水と酸素の汚染に曝さない。この他の工程の流れは、第６図に示されており、他の観点のものは第２図に示されるのと同じである。第６図において、工程401から431は、第２図の工程101から131にそれぞれ対応している。第２図に関して、第６図との相違は、次の点である。
・ 底部電極は、底部アノードと対応する。
・ 第１、第２、第３の上部電極の蒸着工程が欠落している。
・ 新たな工程430が導入された。これに対応するものは第２図に何もない。あるのは、１以上の共通の有機ＥＬ中間層が第３の中間構造の上に付加的に蒸着されているだけである。
比較のために、第６図に関する実施態様から作成された、アクティブ・マトリックスＯＬＥD450の断面図が、第７図に示されているが、これは第３Ｊ図と相似している。第７図には、参照番号201、202、203、210、220と230が記載されているが、第３図の上にも記載されている。この実施態様において、第１、第２、第３の有機ＥＬ中間層440、442、444は、ＥＩＬ以外、単に積層を含んでいる。追加的で共通のＥＩＬ層446は、有機中間層の上に提供され、共通のカソード448は、共通のＥＩＬ層の上に提供される。示されてはいないが、基板は、共通のＨＩＬ層とＨＴＬ層を以前に説明したように、含んでいてよい。共通の上部電極の蒸着の前に、又は、もし、含まれていたら、共通の有機ＥＬ層蒸着の前に、パターン化された有機ＥＬ中間層の上部表面が、共通の上部電極や共通の有機ＥＬ層との接触を向上させるために処理されてもよい。これは、有機ＥＬ中間層の表面に存在しているかもしれない、偶然の損傷や薄い高分子残渣によって引き起こされる接触抵抗を克服するのに役立つ。例えば、有機ＥＬ中間層の上部表面は、低い仕事関数金属、例えば、アルカリ金属、アルカリ性金属、アルカリ土類金属で処理されてもよい。典型的には低仕事関数金属は、厚さが２ｎｍ以下、あるいは、１ｎｍ以下、又は、0.5ｎｍ以下でありさえする。あるいは、処理は、還元性ガス雰囲気を含み、例えば、ガス雰囲気には、水素が含まれる。あるいは、処理には、本質的に非酸化性のプラズマ、例えば、水素と他の非酸化性ガス、例えば、窒素やヘリウムのようなガスを含む。あるいは、処理は、フッ素化された溶媒を含むリフト・オフ剤とは化学組成が異なる洗浄剤と接触させることを含む。例えば、洗浄剤は、フッ素化溶媒とアルコール（例えば、ＩＰＡ）１５体積％以下、あるいは５体積％のようなプロトン性の溶媒を含んでもよい。あるいは、プロトン性溶媒は、有機酸５体積％以下、あるいは、１体積％を含んで良い。あるいは、洗浄剤は、２種のフッ素化溶媒の混合物、例えば、リフト・オフ剤に用いられたフッ素化溶媒の混合物と、より極性があるか、フッ素成分の体積％がより少ない第２のフッ素化溶媒とを含んで良い。

第２図と第３図を再度参照して、他の実施態様において、上部電極217、227、237は、有機ＥＬ中間層より領域がわずかに大きくなるように覆うように、提供される。これは、上部電極蒸着の視準を減少させることによってなし得る。例えば、第８図に示されるように、基板へ近づくように上部電極源を移動させることによってである。これによって、上部電極材料をＯＬＥＤの端部を超えることが許容され、水と酸素の浸透力から守るため、曝された端部を封止するのに役立つ。第８図において、上部電極源480は、源から放射される上部電極材料482が余り高度に視準されることなく、そして、この実施態様において、第１の上部電極217が蒸着されるように位置を設定される。この上部電極材料217は、有機ＥＬ中間層216の側面を超える上部電極部分217aを含む。第８図における、他の全ての参照番号は、第３図に関して先に記載されている。上部電極材料は、水や酸素の透過に対して相対的に自身不活性であり、又は非腐食性で不活性な酸素バリヤー層を形成しえるような材料であり、厚さをもっている。例えば、上部電極は、アルミニウム又は金属酸化物を含んでよく、その厚みは、少なくとも、５０ｎｍ、好ましくは、少なくとも、１００ｎｍである。この実施態様における上部電極は、カソードでもアノードでも良い。この実施態様において、有機ＥＬ中間層は、少なくとも、底部電極と同じ大きさの領域に、好ましくは、もっと広く堆積されるべきである。基板は底部電極と定義された誘電体を含んでいることが好ましい。これは、２つの電極がショートするのを防ぐ。

第８図に似た方法で、しかし、第６図と第７図に関して、より広い範囲を持つ上部電極よりは、有機ＥＬ中間層の上部層は、より下層にある有機ＥＬ中間層の端部をカバーするために提供される。非限定的な例において、個々の積層体である有機ＥＬ中間層の上部にあるのは、正孔阻止層であり、例えば、ＨＢＬより水と酸素に敏感な、ＬＥＬ又は他の層の端部を守るために、下にある層よりも僅かに広い領域に提供される。これは、上部有機ＥＬ中間層の蒸着のために、下層にある層よりも低い視準である条件を選択することによってなされる。

第２図と第３図を再度参照すると、実施態様において、カソードは、底部電極であり、アノードは、上部電極であり、ＯＬＥＤの列のそれぞれは、引っ繰り返した構造となっている。上部アノードは、第８図に記載されているように、有機ＥＬ中間層の端部を守るために提供されてもよい。引っ繰り返した構造をして、敏感なＥＩＬとカソード/ＥＩLは、底部にあり、また、リフト・オフ構造、潜在的で付加的な水と酸素からは離れている。それにより、よりがっしりした構造を提供している。

第２図と第３図を再度参照すると、実施態様において、フッ素化した材料層は、第１か第２の上部電極、又は両方の蒸着の後、蒸着されている。つまり、工程107の後、しかし工程109の前、工程117の後、工程119の前である。この実施態様において、有機ＥＬ中間層と上部電極は、以前議論したように、減圧下（真空）環境で蒸着される。蒸気蒸着されたフッ素化材料層は、水に対する一時的なバリヤとして働くか、基板が、リフト・オフ処理のために、より周囲と同じ圧力条件に移された場合、取り扱いからの物理的損傷に対して緩衝層として働く。見本となる構造は、第３Ｃ図と同一であるが、例外として、付加的な蒸気蒸着したフッ素化材料層490と490’が、第９図に断面図として示されている。実施態様において、フッ素化材料層は、リフト・オフ溶媒に溶解されるものが選択される。実施態様の変形例において、フッ素化材料層は、リフト・オフ溶媒に溶解しないものが、選択される。しかし、むしろ、活性ＯＬＥD装置の上に残留し、以前に説明したように上部電極材料と不必要なＯＬＥDに沿ったフォトレジスト部分にリフト・オフされる。共通上部電極の蒸着より前に、しかしながら、フッ素化材料層は、工程109と119からのリフト・オフ溶媒ではなく、「オーソゴナル」溶媒で除去されるべきである。例えば、リフト・オフ溶媒は、第１のハイドロフルオロエーテルとフッ素化材料層であってよい。除去工程は、異なるハイドロフルオロエーテルかパーフルオリネーテッド溶媒を用いてもよい。反対に、リフト・オフ溶媒は、パーフルオリネーテッド溶媒でよい。

類似した実施態様において、また、第６図と第７図を参照すると、蒸気蒸着フッ素化材料層は、有機ＥＬ中間層の蒸着の後で、提供される。例えば、工程405の後で、しかし工程409の前である。前と同様に、フッ素化材料層は、リフト・オフ溶媒に溶解するように選択されて良い。かわりに、フッ素化材料層は、リフト・オフ溶媒に溶解されないように選択される。もし、後者のばあいには、共通の上部電極と共通の有機層の蒸着の前に、フッ素化材料層は、工程109と119で用いられるリフト・オフ溶媒ではなく、オーソゴナル溶媒に溶解させて除去されるべきである。

第2図と第3図を再度参照すると、１以上のリフト・オフ構造は、積層構造を有しており、例えば、第3図に2層構造が示され、第５図に更に図解されている。実施態様において、リフト・オフ構造は、上部にある有機ＥＬ中間層とカソードフォトレジスト層の有効密度より大きい密度を持つフッ素化溶媒を含む、リフト・オフ剤を用いて除去される。この状況に照らして、「効果的密度」は、全質量のフォトレジスト層プラス上部にある層であり、そのようなフォトレジスト層と上部にある層の体積によって分離される。これは、フォトレジスト層（プラス上部の層）の除去を簡略化する。そして、そのような層の分離を、これらの層が急に、リフト・オフ剤液体の上部表面に上昇するのを可能にさせることによって、促進させられる。これは、リフト・オフを速度アップし、また、リフト・オフ材料からの潜在的な破片が残されたＯＬＥＤ構造に損傷を与える可能性を減らす。リフト・オフ剤液の表面付近にそのような破片を集めることによって、処理装置は、破片を濾別するために設計することができる。

第2図と第3図を再度参照すると、実施態様において、フォトレジストやカソードは、リフト・オフ中にリフト・オフ部分が巻き上がるように促進する残留ストレスを持つように選択されている。この巻き上がりの動作は、より迅速に新しいベース層を曝露するが、これによって、リフト・オフ工程がスピードアップされる。実施態様において、巻き上がりの力は、リフト・オフ構造の少なくとも１つの部分において、少なくとも１８０度の円弧を発生させる。実施態様において、巻き上がりの力は、リフト・オフ構造の少なくとも１つの部分において、少なくとも３６０度の円弧を発生させる、すなわち、リフト・オフ構造の少なくとも一部は、巻きこまれる。

第2図と第3図を再度参照すると、実施態様において、カソードは、磁性を持つように選ばれ、リフト・オフ剤浴にある磁石が、除去した部分を引き付けるようにする。このことは、リフト・オフをスピード・アップさせるし、リフト・オフ剤からの潜在的な破片が、残されたＯＬＥD構造に損傷を与える可能性を減少させる。

第３Ｊ図と第３Ｋ図とを参照すると、共通の上部電極蒸着は、引き延ばされないことが可能である。もし、共通の上部電極が、有機ＥＬの厚さより薄ければ、第１０Ａ図に示されるように、非連続となる可能性がある。さもなければ、第３Ｋ図と同じになり、例外として、薄い共通の上部電極241は、他の上部電極と接続の用意ができていないことになる。これは、欠陥のアクティブ・マトリックスＯＬＥD装置251を製造することになる。また、第３Ｋ図に描かれるように、上部電極と底部電極の間がショートする可能性がある。実施態様において、共通の上部電極の蒸着を助けるために、第３の中間体構造が形成された後で、パターン化された誘電体層が提供される。そのようにパターン化された誘電体は、フッ素化された溶媒、例えば、国際出願番号ＰＣＴ/ＵＳ2014/047800とＰＣＴ/ＵＳ2015/014425に記載されているように、架橋結合したフッ素化ポリマーから、又はフッ素化フォトポリマーから提供されても良く、曝露され、オーソゴナル現像液で現像される。第１０Ｂ図に示されるように、パターン化された（付加的にフッ素化された）誘電体495が、第３中間構造238の上に提供される。さもなければ、第３Ｊ図と同じとなる。パターン化された誘電体495は、上部電極のそれぞれのＯＬＥＤ列と共通の上部電極との間の良い接触を保証するため比較的なだらかな傾きを有する。たとえ、有機ＥＬ中間の厚さより、共通の上部電極が薄い。また、上部電極と底部電極との間にかなりの分離があり、これによりショートする可能性は減少する。誘電体（時には、「ピクセル定義層」やＰＤＬと参照される）の中にパターン化された空隙の列は、一般的には、表示装置の表示領域を定義する。

第2図と第3図を再度参照すると、実施態様において、リフト・オフ構造は、ネガ型のフォトレジストを採用し、上部電極は、本質的にパターン化する照射に対して不透明である。このようにして、下層にある有機ＥＬ中間層は、ＵＶ光のような潜在的に有害な照射から保護されている。

第2図と第6図に記載されている実施態様において、３つのリフト・オフ構造は、異なる３色をパターン化するために製造された。実施態様の変化例において、２つだけのリフト・オフ構造が、第１１図と第１２Ａ図〜第１２Ｊ図に記載されているように、用いられる。

工程501において、第３の有機ＥＬ中間層（例えば、赤色発光ＯＬＥD）は、底部電極の第1、第2、第3の列を有するＯＬＥＤ基板を覆い、堆積される。第3の有機ＥＬ中間層は、底部電極の第３の列の上にＯＬＥＤを形成するために、結局は使用される。第１２Ａ図の断面図にこれが示されている。ここで、ＯＬＥＤ基板（第１、第2、第３の底部電極を有する）は、第３Ａ図に以前記載されたように提供され、第３の有機ＥＬ中間層636は、通常は、電極の全ての列を覆い堆積される。上部電極は、この時点で、提供されない。実施態様において、第３の有機ＥＬ中間層は、容易にドライ−エッチングされる。ＬＥＬ、付加的にＨＢＬや付加的にＥＴＬには、例えば、アルミニウム・キノリン錯体か燐光発光性のイリジウムドーパントのような、実質的な量の金属含有材料は、含まない。

工程503に、第３の有機ＥＬ中間層の上に、第１のリフト・オフ構造が形成されるが、底部電極の第１の列に対応した開口部の列を有する。ＦＩＧ．１２Ｂは、第１のリフト・オフ構造611を示している。これは、第１の底部電極に対応した空隙615を有する。ここで示される実施態様において、第１のリフト・オフ構造611は、第１の材料層612と第１のパターン化フォトレジスト層613との２層構造である。アンダーカット領域614は、層612に形成される。第１のリフト・オフ構造611は、単一の層か２層以上を有する。

工程505に、第１のリフト・オフ構造が、第３の有機ＥＬ中間層をエッチングするためのエッチングマスクとして用いられる。これらの層は、底部電極の第１の列に対応したパターンでエッチングされる。第１２Ｃ図に示されるように、第３の有機ＥＬ中間層の除去された部分636’は、底部電極の第１の列を、次に続くＯＬＥＤ蒸着工程のために、下記に記載するように、曝露する。エッチングの方法は、ドライ・エッチングについて上記したことを含んでいる。実施態様において、電極の分離した誘電体203（第３Ａ図参照）は、有機ＥＬ中間層よりも、より耐エッチング抵抗性である。

工程507に、第１の有機ＥＬ中間層（例えば、緑色発光のＯＬＥＤについて）は、蒸着される。第１２Ｄ図に示されるように、第１の有機ＥＬ中間層616’の一部は、リフト・オフ構造を覆い堆積される。他方で、第１の有機ＥＬ中間層616の他の部分は、開口部615を通過し、底部電極の第１の列に蒸着される。本実施態様において、示されてはいないものの、第１の上部電極は、第３Ｃ図に示されるように、同様の方法で、第１の有機ＥＬ中間層の上に付加的に蒸着されてよい。

工程509で、第一のリフト・オフ構造が、第１２Ｅ図に示されるように、第１の中間層構造618を形成するために、除去される。工程511では、第２の底部電極に対応する、空隙625の列を有する第２のリフト・オフ構造621が、第１の中間構造の上に形成される。第１２Ｆ図に示される実施態様において、第２のリフト・オフ構造621は、第２の材料層622と第２のパターン化フォトレジスト層と第２のフォトレジスト層623との２層構造である。アンダー・カット領域624は、層622に形成される。第２のリフト・オフ構造621は、単独層か2層以上であってよい。

工程513において、第２のリフト・オフ構造は、第１の有機ＥＬ中間層をエッチングするためのエッチング・マスクとして用いられる。これらの層は、底部電極の第2列に対応したパターンでエッチングされる。第１２Ｇ図に示されるように、第１の有機ＥＬ中間層の除去された部分636’’は、下記に記載するように、後のＯＬＥD蒸着工程のため、底部電極の第１の列を露わにする。エッチングの方法は、ドライ・エッチングに関して上記したものを含んでいる。実施態様において、電極分離する誘電体203（第３Ａ図）は、有機ＥＬ中間層より、エッチング抵抗性がある。

工程515において、第２の有機ＥＬ中間層（例えば、青色発光ＯＬＥＤのため）は、蒸着される。第１２Ｈ図に示されるように、第２の有機ＥＬ中間層626’は、リフト・オフ構造の上に蒸着される。他方、第2、第3の有機ＥＬ中間層626のその他の部分は、空隙625通過して、底部電極の第２の列の上に蒸着される。本実施態様には示されていないものの、第2の上部電極は、第３Ｃ図に示されるものと同様の方法で、第2の有機ＥＬ中間層の上に、追加的に蒸着してもよい。

工程517において、第2のリフト・オフ構造は、第１２Ｊ図に示されるように、第2の中間構造628を形成するために、除去される。工程519において、1以上の共通の有機ＥＬ中間層の646は、第2の有機ＥＬ中間層の上に、追加的に提供される。そして、工程521において、共通の電極648が提供される。それによって、アクティブ・マトリックスＯＬＥD650が形成される。第１２Ｊ図は、追加的に共通の有機ＥＬ中間層646を持つ実施態様を示す。共通の有機ＥＬ中間層が蒸着を意図されている場合、第１、第２の上部電極は、第１、第２の有機ＥＬ中間層の上に蒸着されるべきではない。パターン化された有機ＥＬ中間層の上部表面は、第６図と第７図に関して記述したように、追加的に洗浄されるか処理されてもよい。

第11図、第１２図を参照すると、実施態様において、それぞれのＯＬＥＤ積層体は、少なくとも発光層（ＬＥＬ）までを含むことにある。しかし、ＥＩＬや、アルカリ金属、アルカリ性金属、アルカリ土類金属のようなエレクトロン・リッチなドーパントを含有するいかなる層も含まない。例えば、ＯＬＥＤ積層体が、提供され、そしてそれは正孔阻止層を含む。第3の有機ＥＬ媒質層は、第1と第2の有機ＥＬ媒質層の間の領域に提供されてもよいことに注意すべきである。これは、次に続く共通の層の蒸着のために、揃った表面を提供することは、有利である、ということで、それは、また、底部電極の意図していない領域を曝露してしまう欠陥（例えば、ＰＤＬにおいて、又は、他の色のパターン化において）を装置が持っているという事態において、電極がショート（短絡）してしまうのを防ぐのに役立つ。第３の有機ＥＬ媒質層は、そのような欠陥をカバーするだろう。そして、たとえ、それが、欠陥の画素の色純度を僅かに低めるものであっても、第1又は第2の有機ＥＬ媒質層から色発光させることを意図していたのなら、より重要なのは、ダーク・スポットを作るよりは、適当な電圧を利用してライト・アップすることである。

第11図と第12図を再度参照すると、実施態様において、1以上の第3の有機ＥＬ中間層は、溶液から防水加工されている。実施態様において、１以上の第３の有機ＥＬ中間層は、溶液（例えば、高分子ＬＥＬ）からの堆積された発光層を含んでいる。他方で、第１の有機ＥＬ中間層又は第２の有機ＥＬ中間層又はその両方は、蒸気蒸着によって作成されたＬＥＬを含む。

当業者は、第２，３，６と７に関して、上記に記載された実施例の多くは、第11図と第12図の実施態様に関して、同様のやり方で応用されうる、と認識するであろう。第１１図と第１２図に示された実施態様の優れた点は、３色のＯＬＥDのためにリフト・オフ工程が2工程だけしか要求されていないことである。

第１３Ａ図〜第１３Ｄ図は、有機デバイスを作成する他の実施態様において、一連の断面図を示している。第１３Ａ図において、装置基板701が、提供されるが、これは追加的に可撓性であってよく、また、他の層に加えて、追加的に支持層（例えば、ＯＬＥDに付いて上記に記載したように）を含んでいてもよく、求められる有機デバイスを提供するのに必要な特性を有して良い。例えば、有機デバイスとしては、ＯＬＥD，ディスプレイ、照明デバイス、、化学センサー、タッチセンサー、光発電、ＴＦＴのバックプレーン（回路基板）又は、生物電子工学、又は医療装置である。

装置基板701を覆い、第１のアンダー・カットされたリフト・オフ構造711を提供するが、第１の開口部715を有し、カバーされていない装置基板703の領域を形成する。リフト・オフ構造は、アンダー・カットの記載がある限り、以前に議論されたものなら含んで良い。第１３Ａ図の実施態様に、第１のアンダー・カットのリフト・オフ構造711は、単一の層であり、アンダー・カット領域714を有しており、例えば、フッ素化溶媒を用いてパターン化されたフッ素化フォトレジストである。そのほか、アンダー・カットされたリフト・オフ構造は、２以上のパターン化された層、例えば、フッ素化材料ベース層と積層体の上部にあるフォトレジスト層である。ここで、フッ素化材料ベース層は、フォトレジスト層に対してアンダー・カットされている。

第１３Ｂ図に示されるように、第１の活性有機材料層は、その後、第１のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上とカバーされてない装置基板の領域の第１の部分705の上に蒸着される。リフト・オフ構造の上に蒸着された活性有機材料は、713に示される。実施態様には、材料が空隙715と同じくらいのサイズの領域で蒸着されるように、第１の活性有機材料層は、ほど良い量の視準で減圧環境において蒸気蒸着される。そのほか、第１の活性有機材料層を直接蒸着するよりも、成長触媒、接着促進剤、又は、結合剤が、第１の部分705の上で、コリメーターを使って、提供される。そして、第１の活性有機材料層は、成長触媒、接着促進剤、又は、結合剤の占める領域の中に溶液又は他の非コリメーター蒸気相から選択的に蒸着される。第１の活性有機材料層は、例えば、有機導電材料、有機半導体、電荷移動材料、発光材料、又は、生物学的材料を含んでよい。実施態様において、第１の活性有機材料層は、水や酸素又は両方に対して敏感である。

第１３Ｃ図を参照すると、第２の材料層は、第１の活性有機材料層の上と、カバーされてない基板の領域の第２の部分707の上とに蒸着される。リフト・オフ構造の上に蒸着された第２の材料層は、717に示される。第２の部分領域は、第１の部分領域より広い。第２の材料層717は、広く伸びて、第１の部分で第１の活性有機材料層713の側壁をカバーする。第２の材料層は、蒸気がそれ程高い視準でなく、それが第２の部分領域をある程度まで限定するようにするならば、溶液から又は蒸気蒸着によって、蒸着されてもよい。その程度は、第１の活性有機材料層の側壁の上の第２の材料層のカバーを除くか限定することである。また、第２の材料層に直接蒸着するより、成長触媒、接着促進剤、又は、結合剤が、リフト・オフ構造の側壁とは異なる領域の上に提供される。そして、第２の材料層は、溶液または他の蒸気蒸着で、成長触媒、接着促進剤、又は、結合剤によって占められる領域に選択的に蒸着される。

実施態様において、第２の材料層は、電気的に導電性である。例えば、第２の材料層は、有機導電体、金属、金属酸化物、グラフェン、グラフェン酸化物を含む。実施態様において、第２の材料層は、第１の活性有機材料層とは異なっている第２の活性有機材料を含む。例えば、第２の活性有機材料は、電荷移動材料又は発光材料のような有機ＥＬ媒体積層体の上部層を含んでもよい。実施態様において、第２の材料層は、後に除去されて、その最終的な形状において、有機デバイスの部分を形成しない。例えば、第２の材料層は、フッ素化材料を含んでいてもよい。実施態様において、第２の材料層は、水や酸素又はその両方に対して第１の活性有機材料層より感受性が劣る。実施態様において、第２の材料層は、少なくとも部分的に、第１の活性有機材料層を水又は酸素又はその両方から、例えば、水又は酸素の浸透を遅くすることによって、保護する。

第１３Ｄ図に示されるように、第１のアンダー・カットされたリフト・オフ構造は、例えば、先に記載された方法によって、除去される。それによって、基板の上にパターン化された第１の活性有機材料層とパターン化された第２の材料層を有する、中間構造又は有機デバイス720が形成される。第１の空隙は、第１のパターンを有する空隙の第１の列の部分であってよい。また、基板は、第１の空隙と並んで底部電極の第１の列を追加的に含む。

記載されたように、リフト・オフ構造は、フッ素化材料ベース層とフォトレジストを含んでも良い。この点で、フッ素化材料ベース層は、リフト・オフ層として、働く。実施態様において、リフト・オフ剤は、フッ素化溶媒を、例えば、フッ素化剤かハイドロフルオロエーテル、を含むが、フィルム形成、フッ素化材料ベース層において使用されている、フッ素化材料とは、同じであっても、異なっていても良いリフト・オフのフッ素化材料を含む。例えば、中間の装置構造は、リフト・オフ工程で形成されてもよい。そして、中間構造は、更なる工程のために意図されている。リフト・オフ溶媒のリフト・オフフッ素化材料を含むことによって、リフト・オフフッ素化材料の防御層は、蒸発または乾燥させて形成される。これは、他の加工ステーションへ貯蔵や搬送する際に、物理的な損壊と偶発的な汚染から下部にある感受性のある構造を防御することができる。

実施態様において、リフト・オフされたフッ素化材料は、フッ素化された材料ベース層のフッ素化材料と同じである。そして、少なくとも、リフト・オフ剤中のリフト・オフされたフッ素化材料は、リフト・オフ工程の芥子粒のような副生成物であるが、これは、成長するように、わざと許容されている。言い換えると、溶解されたフッ素化材料をリフト・オフ処理槽から除去するか、フッ素化材料残渣を除去するために何度も洗浄することよりは、 そのようなリフト・オフフッ素化材料の層が、パターン化された装置構造表面に形成するために、わざと許容されている。実施態様において、乾燥されたリフト・オフフッ素化材料は、厚さ１０ｎｍから１０００ｎｍの領域は、あるいは、５０ｎｍから５００ｎｍである。実施態様において、リフト・オフフッ素化材料の層は、更にパターン化するために、他のリフト・オフ構造の製造において、後にベース層として用いるのに十分な厚さである。実施態様において、リフト・オフフッ素化材料の層は、後のフッ素化材料ベース層塗装に良く溶解する。そして、新しいフッ素化材料ベース層の部分になる。

例えば、第１４Ａ図に示されるものが、第３Ｆ図について記載されたものと同一の構造である。そして、特に、第２の材料層222は、フッ素化材料である。リフト・オフフッ素化材料含んでいる、リフト・オフ剤と接触している場合には、第３図の中間構造228を形成するよりは、第１４Ｂ図の中間構造228Aが形成され、リフト・オフフッ素化材料222Aを有する。実施態様において、これは、他のリフト・オフ構造においてベース層又はベース層の一部を形成してもよい。

リフト・オフフッ素化材料は、（補給）リフト・オフ工程へ加えることができる。そのほか、リフト・オフフッ素化材料は、リフト・オフ構造からフッ素化材料を成長させる（build up）リフト・オフ処理タンクを乾燥（シーズニング）させることによって提供される。好ましくは、不溶性のリフト・オフ部分を濾過するのための補給システムと再循環システムと協力して行う。追加的に防御（protection）を加え、新たに用いられるリフト・オフ剤の体積を減少させることによって費用を節約する。全てのパターン化工程が完了すると、しかしながら、中間構造は、新鮮なリフト・オフ剤で洗浄されるか、共通の有機EL層又は共通の上部電極の蒸着の前に、残渣を除去するために以前に記載された方法で処理すべきである。

本開示の幾つかの非限定的な実施態様を下記に説明する。
・ OLED装置の製造方法は、次のことを含む。
ａ）底部電極の第１列と底部電極の第２列を有する装置基板を提供すること。
ｂ）底部電極の第１列に対応した、空隙の第１のパターンを有する装置基板の上に第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供すること。
ｃ）第１のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と、底部電極の第１の列の上に、少なくとも、第１の発光層と第１の上部電極層を含む、１つ以上の第１の有機EL中間層を蒸着させること。
ｄ）第１の中間構造を形成するため、第１のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と上部にある第１の有機EL中間層と第１の上部電極を、除去すること。
ｅ）底部電極の第２の列に対応した、空隙の第２のパターンを有する、第１の中間層構造の上に、第２のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供すること。
ｆ）第２のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と、底部電極の第２の列の上に、少なくとも、第２の発光層と第２の上部電極とを有する、１以上の第２の有機EL中間層を蒸着させること。
ｇ）第２の中間層構造を形成するために、第２のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と上部にある第２の有機EL中間層と第２の上部電極とを除去すること。
ｈ）第１と第２の上部電極層を電気的に接続するために、共通の上部電極を提供すること。

２．少なくとも１つのリフト・オフ構造が、フッ素化材料ベース層と上部にあるフォトレジスト層とを含んでおり、そして、少なくとも２つのパターン化された層を含んでいる、実施態様１の方法であって、フッ素化材料ベース層がフォトレジスト層に相対的にアンダー・カットされていること。

３．実施態様１の方法であって、少なくとも１つのリフト・オフ構造が、パターン化されたフッ素化フォトレジストがフッ素化溶媒を用いて現像され、アンダー・カットされた形状を有すること。

４．実施態様１から３のいずれかに関する方法であって、工程（ｂ）と工程（ｃ）の間に、または、工程(e)と工程（ｆ）の間に、又は両方の間で、ドライエッチング工程を更に含んでいること。

５．実施態様１から４のいずれかに関する方法であって、少なくとも１つのリフト・オフ構造が、リフト・オフ構造を形成するのに用いられる画像照射の少なくとも８０％から、下部にある層を吸収や阻止で守る。

６．実施態様１から５のいずれかに関する方法であって、少なくとも１つのリフト・オフ構造は、画像照射の少なくとも８０％吸収又は阻止する、ネガ型の色調に感光性のあるフィルムを含んでいる。ここで、第１又は第２の上部電極又はその両方は、上部にあるリフト・オフ構造を通り抜けた、あらゆる画像照射の少なくとも８０％を吸収または阻止をする。

７．実施態様１から６のいずれかに関する方法であって、対応する上部にある有機EL中間層の、そして、上部にある上部電極層の、少なくとも１つのリフト・オフ構造の効果的な密度は、リフト・オフ構造を除去するために、用いられるリフト・オフ剤の密度よりも小さい。

８．実施態様７に関する方法であって、リフト・オフ剤はフッ素化溶媒を含んでいる。

９．実施態様１から８のいずれかに関する方法であって、底部電極は、カソードとして働き、上部電極層は、アノードとして働く。

１０実施態様１から９のいずれかに関する方法であって、有機EL中間層の側壁をカバーするように、少なくとも１つの上部電極が蒸着される。

１１．実施態様１から１０のいずれかに関する方法であって、工程（ｃ）と工程（ｄ）の間で、または、工程（ｆ）と工程（ｇ）の間で、フッ素化材料を上部電極の上で蒸気蒸着させることを含む。

１２．実施態様１から１１のいずれかに関する方法であって、１つ以上のリフト・オフ構造が、リフト・オフ剤の中で除去される最中に巻かれて（カールして）しまう。

１３．実施態様１から１２のいずれかに関する方法であって、工程（ｈ）より前で、第３のアンダー・カットされたリフト・オフ構造が、底部電極の第３の列に対応した空隙の第３のパターンを有する第２の中間構造の上に提供されることを更に含む。
１つ以上の第３の有機EL中間層を蒸着し、第３の発光層と、第３のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と底部電極の第３の列の上の第３の上部電極が含まれる。
第３のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を除去し、第３の中間構造を形成するために、第３の有機EL中間層と第３の上部電極とを横たえる。

１４．実施態様１から１３のいずれかに関する方法であって、更に、工程（ｈ）より前に、フッ素化材料の残渣の上部電極の表面を洗浄することを含む。

１５．実施態様１４に関する方法であって、ここで洗浄は次のことを含む。リフト・オフ剤とは異なる化学組成を持っている洗浄剤と接触させる。洗浄剤は、フッ素化溶媒を含んでいる。

１６．実施態様１４と１５に関する方法であって、ここで洗浄はドライ・エッチングを含む。

１７．実施態様１６に関する方法であって、ここで、ドライ・エッチングは、アルゴンプラズマ、酸素プラズマ又は、本質的に非酸化性プラズマである。

１８．実施態様１から１７に関する方法であって、ここで少なくとも１つのリフト・オフ構造は、少なくとも２つのパターン化層を含んでおり、フッ素化材料ベース層と上部にあるフォトレジスト層である。この上部にあるフォトレジスト層は、フォトレジスト組成物からなっており、フッ素化塗料溶媒を含んでいる。

１９．実施態様１８に関する方法であって、ここでフォトレジスト層は、フッ素化フォトレジスト層を含んでいる。

２０．実施態様１８又は１９に関する方法であって、ここでフッ素化材料ベース層は、環状パーフルオロネイティッド高分子を含み、フッ素化塗料溶媒は、ハイドロフルオロエーテルである。

２１．実施態様１から２０に関する方法であって、ここで更に含まれるのは、工程（ｈ）より前に上部電極を低仕事関数の金属、減圧ガス雰囲気、又は本質的に非酸化性のプラズマで、処理することである。

２２．OLED装置の製造方法であって、次のことを含む。
ａ）底部電極の第１の列と底部電極の第２の列を有する装置基板を提供すること。
ｂ）底部電極の第１の列に対応した空隙の第１のパターンを有する装置基板の上に、第１のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供すること。
ｃ）第１のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と、底部電極の第１の列の上に、少なくとも、第１の発光層を含む１以上の第１の有機EL中間層を蒸着すること。
ｄ）第１の中間構造を形成するために、第１のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と上部にある第１の有機EL中間層とを、フッ素化溶媒を含む第１のリフト・オフ剤で処理し、除去すること。
ｅ）底部電極の第２の列に対応した空隙の第２のパターンを有する、第１の中間構造の上に、第２のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供すること。
ｆ）第２のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上に、また、底部電極の第２の列の上に、少なくとも、第２の発光層を含む、１つ以上の第２の有機EL中間層を蒸着すること。
ｇ）第２のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を除去し、第２の有機EL中間層を、第２の中間構造を形成するために、フッ素化溶媒を含む第２のリフト・オフ剤での処理によって上部に横たえること。
ｈ）第１と第２の有機EL中間層と電気的に接触させ、共通の上部電極を提供すること。

２３．実施態様22には、少なくとも一つのリフト・オフ構造があり、少なくとも二つのパターン化された層を含む。ここで、フッ素化材料ベース層は、フォトレジスト層に比例して、アンダー・カットされている。

２４．実施態様22の方法では、少なくとも一つのリフト・オフ構造に、パターン化されたフッ素化フォトレジストが含まれ、その現像にはフッ素化された溶媒が使われ、アンダー・カットされた輪郭を有している。

２５．実施態様22から２５のいずれかに関する方法には、ドライ・エッチング洗浄工程が含まれる。洗浄工程は、工程（ｂ）と工程（ｃ）の間又は、工程（ｅ）と工程（ｆ）の間又はその両方である。

２６．実施態様22から２５のいずれかに関する方法では、少なくとも一つのリフト・オフ構造が、下部にある層を少なくとも８０％の画像照射（曝露）から、吸収するか阻止するかして守る。この照射は、少なくとも一つのリフト・オフ構造を構成するのに用いられる。

２７．実施態様22から２６のいずれかに関する方法では、有機ＥＬ中間層の上部にある少なくとも一つのリフト・オフ構造の有効密度は、リフト・オフ構造を除去するのに用いられる、液体リフト・オフ剤の密度より小さい。

２８．実施態様２７に関する方法では、少なくとも一つのリフト・オフ剤はハイドロフルオロエーテルを含有している。

２９．実施態様22から２８のいずれかに関する方法では、底部電極はカソードとして機能し、共通の上部電極は対応するアノードとして機能する。

３０．実施態様２２から２９のいずれかに関する方法では、少なくとも一つの上部有機ＥＬ中間層は、有機ＥＬ中間層の下部にある、一つ以上の側壁を被覆するように蒸着される。

３１．実施態様22から３０のいずれかに関する方法では、工程（ｃ）と工程（ｄ）の間、又は工程（ｆ）と工程（ｇ）の間又はその両方の間で、有機ＥＬ中間層の上に、フッ素化材料を蒸気蒸着することも含まれる。

３２．実施態様22から３１のいずれかに関する方法では、一つ以上のリフト・オフ構造がリフト・オフ剤で除去される間に、巻き上がる。

３３．実施態様22から３２のいずれかに関する方法では、下記の処理も含まれる。
工程（ｈ）より前工程で、低部電極の第３の列に対応した、空隙の第3のパターンを有する第２の中間構造の上に、第３のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供すること。
第３のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と底部電極の第3の列の上に、少なくとも一つの第3の発光層を含む第３の有機ＥＬ中間層を蒸着すること。
第３の中間構造を形成するために、フッ素化溶媒を含む第３のリフト・オフ剤で処理することによって、第３のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と第３の有機ＥＬ中間層を除去すること。

３４．実施態様22から３３のいずれかに関する方法では、共通の上部電極を蒸着させる前に、共通の有機ＥＬ層を蒸着させることを含んでいること。

３５．実施態様22から３４のいずれかに関する方法では、共通の上部電極を蒸着させる前に、又は実施態様３４の場合には、共通の有機ＥＬ層を蒸着させる前に、フッ素化材料の残渣の中間構造を洗浄することを更に含む。

３６．実施態様３５に関する方法では、洗浄とは、リフト・オフ剤とは異なる化学構造を有する洗浄剤と接触させることであり、洗浄剤はフッ素化溶媒を含む。

３７．実施態様22から３６のいずれかに関する方法では、フッ素化塗装溶媒を含むフォトレジスト組成物から得られる、上部にあるフォトレジスト層と、フッ素化材料ベース層とを含む、少なくとも２層のパターン化された層が含まれ、少なくとも１層のリフト・オフ構造も含まれている。

３８．実施態様３７では、フォトレジスト層にフッ素化フォトレジストが含まれる。

３９．実施態様３７または３８では、フッ素化材料ベース層は環状フッ素化ポリマーを含み、フッ素化塗装溶媒は、ハイドロフルオロエーテルである。

４０．実施態様22から３９のいずれかに関する方法では、パターン化された有機ＥＬ中間層の上部表面を、低仕事関数の金属や実質的に非酸化性のプラズマで、共通の上部電極を蒸着させるより前に、又は、もし、そうした層があれば、共通の有機ＥＬ層を蒸着させる前に処理することを含んでいる。

４１．ＯＬＥＤ装置の製造方法であって、次のことを含む。
ａ）底部電極の第１の列を有し、底部電極の第２の列を有する装置基板を提供すること。
ｂ）第2の有機ＥＬ中間層を底部電極の第１、第2列を含め、装置基板の上に蒸着すること。ここで、第2の有機ＥＬ中間層は、少なくとも第２の発光層を含む。
ｃ）底部電極の第1の列に対応する空隙の第1パターンを有する第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を、第2の有機ＥＬ中間層の上に、提供すること。
ｄ）第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造をエッチング・マスクとして用い、共通の有機ＥＬ中間層を、底部電極の第１の列の上の領域から除去すること。
ｅ）第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上の、そして、底部電極の第１の列の上の、少なくとも第1の発光層を含む、第1の有機ＥＬ中間層を蒸着させること。
ｆ）第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を除去することと、第1の中間層構造を形成するために第1の有機ＥＬ中間層を上にすること。
ｇ）第1、第2の有機ＥＬ中間層と電気的につながっている共通の上部電極を提供すること。

４２．実施態様４１では、第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造が、フッ素化材料ベース層と上部にあるフォトレジスト層を有する少なくとも２つのパターン化された層を含む。ここで、フッ素化された材料ベース層は、フォトレジスト層に対してアンダーカットされている。

４３．実施態様４１の方法では、第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造は、パターン化されたフッ素化フォトレジスト層が、フッ素化溶媒で現像され、アンダーカットの輪郭を有している。

４４．実施態様４１から４３のいずれかに関する方法では、第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造が、リフト・オフ構造の作成に際して用いられる、下部の層への画像照射の少なくとも８０％を、吸収又は阻止する。

４５．実施態様４１から４４のいずれかに関する方法では、有機ＥＬ中間層の上部にある層に対応した、第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造の有効密度は、リフト・オフ構造を除去するのに用いられるリフト・オフ剤の密度より低い。

４６．実施態様４５の方法では、リフト・オフ剤は、フッ素化溶媒を含んでいる。

４７．実施態様４１から４６のいずれかに関する方法では、底部電極はカソードとして働き、共通の上部電極は、それに対応したアノードとして働く。

４８．実施態様４１から４７のいずれかに関する方法では、少なくとも一つの上部ＥＬ中間層は、有機ＥＬ中間層の下部にある側壁を覆うように、蒸着される。

４９．実施態様４１から４８のいずれかに関する方法では、工程（ｅ）と工程（ｆ）の間の有機ＥＬ中間層の上に、フッ素化材料を蒸気蒸着させることが含まれている。

５０．実施態様４１から４９のいずれかに関する方法では、第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造が、リフト・オフ剤の中でそれを除去する間に巻き上がる。

５１．実施態様４１から５０のいずれかに関する方法では、共通の上部電極を蒸着する前に、１層以上の共通有機ＥＬ中間層を蒸着することが、更に含まれる。

５２．実施態様４１から５１のいずれかに関する方法では、共通の上部電極を蒸着する前に、又は、実施態様５１の場合には、共通の有機ＥＬ層を蒸着する前に、フッ素化材料の残渣を除去し中間構造を洗浄する。

５３．実施態様５２の場合には、リフト・オフ剤とは違う化学組成を有している洗浄剤に接触させることを含む。前記洗浄剤は、フッ素化溶媒を含む。

５４．実施態様４１から５３のいずれかに関する方法では、第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造には、フッ素化材料層と上部に位置するフォトレジスト層の少なくとも２パターンの層が含まれ、上部に位置するフォトレジスト層が、フッ素化塗装溶媒を含有するフォトレジスト組成物から得られる。

５５．実施態様５４の場合には、フォトレジスト層にフッ素化フォトレジスト層が含まれる。

５６．実施態様５４から５５のいずれかに関する方法では、フッ素化材料ベース層に環状フッ素化ポリマーが含まれ、フッ素化塗装溶媒はヒドロフルオロエーテルである。

５７．実施態様４１から５６のいずれかに関する方法では、共通の上部電極を蒸着する前に、又は、共通の有機ＥＬ層の蒸着する前に（もし、そうした層があるなら）、パターン化された有機ＥＬ中間層の上部表面を低仕事関数の金属又は実質的に非酸化性のプラズマで処理することを含む。

５８．有機デバイスの製造方法であって、次のことを含む。
ａ）装置基板の上で、被覆されていない装置基板の領域を形成する第１の空隙を有する、第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造を提供する。
ｂ）第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造の上に、そして、被覆されていない装置基板の第１の部分の上に第１の活性有機材料層に蒸着すること。
ｃ）第１の活性有機材料層の上に、そして、被覆されていない基板の第２の部分の上に第２の材料層に蒸着すること。それから、第１の活性有機材料層の端部の部分を被覆すること。
ｄ）第１のリフト・オフ構造と上部に位置する層を除去すること。

５９．実施態様５８の方法では、第１の活性有機材料層には、有機導電体、有機半導体、電荷移動材料、発光材料又は、生物学的材料が含まれる。

６０．実施態様５８の方法では、第１の活性有機材料は、減圧雰囲気で蒸気蒸着される。

６１．実施態様５８から６０のいずれかに関する方法では、第２の材料層は電気導電性である。

６２．実施態様６１に関する方法では、第２の活性有機材料には、有機導電体、金属、金属酸化物、グラフィン又は、グラフィン酸化物が含まれる。

６３．実施態様５８から６０のいずれかに関する方法では、第２の材料層には、第２の活性有機材料が含まれる。

６４．実施態様６３の方法では、第２の材料層には、有機半導体、電荷移動材料、発光材料、又は、生物学的材料が含まれる。

６５．実施態様５８から６０のいずれかに関する方法では、第２の材料層は、後に取り除かれ、最終製品の有機デバイスの部分を形成することはない。

６６．実施態様６５に関する方法では、第２の材料層には、フッ素化材料が含まれる。

６７．実施態様５８から６６のいずれかに関する方法では、第２の材料層は、第１の活性有機材料より、水、酸素、又はその両方に対して敏感ではない。

６８．実施態様５８から６７のいずれかに関する方法では、第２の材料層は、少なくとも部分的に第１の活性有機材料層を水、酸素、又はその両方から保護している。

６９．実施態様５８から６８のいずれかに関する方法では、被覆されていない基板は、第１の空隙と一列となった底部電極を含み、第１の活性有機材料層は、底部電極を完全に被覆している。

７０．実施態様５８から６９のいずれかに関する方法では、第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造には、少なくとも２パターンの層が含まれ、フッ素化材料ベース層と上部に位置するフォトレジスト層が含まれている。ここで、フッ素化材料ベース層は、フォトレジスト層に対してアンダーカットされている。

７１．実施態様５８から６９のいずれかに関する方法では、第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造に、フッ素化された溶媒で現像されたパターン化されたフッ素化フォトレジストが含まれる。

７２．実施態様５８から７１のいずれかに関する方法では、有機デバイスはＯＬＥD、ディスプレイ、照明装置、化学センサー、タッチ・センサー、光発電、ＴＦＴ回路基板、生物電子装置又は、医療装置である。

７３．実施態様５８から７２のいずれかに関する方法では、装置基板は可撓性である。

７４．実施態様５８から７３のいずれかに関する方法では、第１の空隙は、第１のパターンを有する、空隙の第１の列の１部である。

７５．装置をパターン化する方法は、次のことを有する。
ａ）装置基板を提供する。
ｂ）装置基板の上に、第１のフッ素化材料を含む、フッ素化材料層を提供すること。及び、フッ素化材料層の上にフォトレジスト層を提供すること。
ｃ）パターン化されたフォトレジストを形成するために、フォトレジスト層を曝露と現像すること。
ｄ）フォトレジストパターンをフッ素化材料層に転写すること。その後、被覆していない基板の第１のパターンを形成すること。
ｅ）パターン化されたフォトレジストの上に１層以上の材料層を蒸着させること。第１の中間構造を形成するために、被覆されていない基板の少なくとも一部の上にも蒸着させること。
ｆ）第１の中間構造をリフト・オフ剤と接触させ、フッ素化材料層を溶解させ、それにより、パターン化されたフォトレジストと上部に位置する１以上の層とを分離させること。ここで、リフト・オフ剤は、フッ素化溶媒とフィルム形成する第２のフッ素化材料とを含む。これは、第１のフッ素化材料と同一であっても異なっていてもよい。

７６．実施態様７５に関する方法では、第２のフッ素化材料は、被覆されていない基板の上に蒸着された１以上の材料層を積層した基板を、被覆する層を形成すること。

７７．実施態様７６に関する方法では、第２のフッ素化材料の層の上に第２のフォトレジストを積層させることを更にふくむ。

７８．実施態様７５から７７のいずれかに関する方法では、第１と第２のフッ素化材料は、実質的に同一である。

７９．実施態様７５から７８のいずれかに関する方法では、フッ素化溶媒は、ハイドロフルオロエーテルである。

８０．有機デバイスのパターン化する方法であって、次のことを含む。
ａ）装置基板を提供すること。
ｂ）装置基板の上に、第１のフッ素化材料を含むフッ素化材料層を積層させること。そして、フッ素化材料層の上にフォトレジスト層を積層させること。
ｃ）パターン化するために、フォトレジスト層を曝露と現像すること。
ｄ）フォトレジストのパターンをフッ素化材料層に転写すること。その後、被覆されていない基板の第１のパターンを形成し、パターン化されたフッ素化材料層が、フォトレジスト層に対してアンダーカットされた構造を有すること。
ｅ）パターン化されたフォトレジストの上に１以上の材料層を蒸着すること。そして、第１の中間構造を形成するために、被覆されていない基板の少なくとも１部にも蒸着すること。
ｆ）第１の中間構造をリフト・オフ剤と接触させ、フッ素化材料を溶解させ、それにより、パターン化されたフォトレジストと上部に位置する１以上の層とを分離させること。ここで、リフト・オフ剤は、フッ素化溶媒を有し、それに対応した上部に位置する材料層でパターン化されたフォトレジストの有効密度は、リフト・オフ剤の密度より低いこと。

８１．実施態様８０の方法では、パターン化されたフォトレジストと上部に位置する１以上の材料層は、工程（ｆ）で装置基板から少なくとも部分的に巻き上げたり、浮き上がらせたりするために、選択される。

８２．装置の製造方法であって、次のことを含む。
ａ）装置基板の上に、第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造を積層させ、被覆されていない装置基板の領域を形成させ、第１の空隙を有すること。
ｂ）第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造の上に、そして、被覆されていない装置基板の領域の第１の部分の上に、第１の材料層を蒸気蒸着すること。
ｃ）第１の材料層の上に、そして、被覆されていない装置基板の領域の第２の部分の上に、フッ素化材料層を蒸気蒸着すること。その際、第１の材料層の端部をも追加的に被覆する。
ｄ）蒸気蒸着されたフッ素化材料層を溶解しない第１のフッ素化溶媒を有する、第１のリフト・オフ剤に接触させ、第１のリフト・オフ構造と上部に位置する層とを除去すること。それによって、パターン化され、保護されている第１の構造を形成し、これはパターン化された第１の材料層と上部に位置するパターン化されたフッ素化材料層を有していること。

８３．実施態様８２の方法では、第１のパターン化され、保護された構造は、１工程以上の更なるパターン化工程に左右される。それは、フッ素化材料層を溶解できる第２のフッ素化溶媒を含む、除去剤に接触させ、パターン化されたフッ素化材料層を除去した後に続く工程である。

８４．フルカラーのＯＬＥＤディスプレイは、次のことを含む。
基板には、ディスプレイ領域があり、ディスプレイ領域には、第１、第２、第３の有機ＥＬ素子の列があり、その列は、異なる色の発光のために、独立してパターン化された発光層を有している。
第１の有機ＥＬ素子のそれぞれは、第２、第３の有機ＥＬ素子から４μｍ以下の間隔がある。第１、第２、第３の有機ＥＬ素子の発光層の全領域は、合計すると、ディスプレイの少なくとも６０％の領域を占めている。

８５．実施態様８４のＯＬＥDディスプレイでは、基板には、アクティブ・マトリクス回路基板が用いられ、第１、第２、第３の底部電極を有する。ピクセルの定義は、画素数であり、発光層の数に対応する。

８６．実施態様８４、８５のいずれかに関するＯＬＥDディスプレイは、分離されているパターン化された発光層の上に、通常、蒸着で積層される電子輸送層を有する。ここで、電子輸送層は、第１、第２、第３の列のそれぞれに、下部に位置するパターン化された、異なるＯＬＥD材料に積層され接続されている。

８７．実施態様８４から８６のいずれかに関するＯＬＥＤディスプレイでは、第３の有機ＥＬ素子のパターン化された発光層に対応する材料は、第２と第３の有機ＥＬ素子の間の非発光領域に形成される。

８８．フルカラーＯＬＥＤディスプレイであって、次のことを含む。
基板には、ディスプレイ領域があり、ディスプレイ領域には、第１、第２、第３の有機ＥＬ素子があり、それぞれの列は、異なる色の発光のために、独立してパターン化された発光層を有している。

８９．実施態様８８のＯＬＥＤディスプレイでは、口径（アパーチャー）率は、約７０％以上である。

９０．実施態様８８、８９のＯＬＥＤディスプレイでは、ディスプレイ領域の解像度が約７００ｐｐｉより大きい。

９１．実施態様８８から９０のいずれかに関するＯＬＥＤディスプレイでは、ディスプレイ領域の解像度が約８００ｐｐｉより大きい。

９２．実施態様８８から９１のいずれかに関するＯＬＥＤディスプレイでは、第１、第２、第３の有機素子は、あらゆる次元の大きさは、約２５μｍより小さい。

９３．実施態様８８から９２のいずれかに関するＯＬＥＤディスプレイでは、第１、第２、第３の有機素子は、あらゆる次元の大きさは、約１５μｍより小さい。

９４．実施態様８８から９３のいずれかに関するＯＬＥＤディスプレイでは、第１、第２、第３の有機素子は、あらゆる次元の大きさは、約１５μｍより小さい。

９５．実施態様８８から９４のいずれかに関するＯＬＥＤディスプレイでは、第１、第２、第３の有機素子は、あらゆる次元の大きさは、約５μｍより小さい。

９６．実施態様８８から９５のいずれかに関するＯＬＥＤディスプレイでは、第１、第２、第３の有機素子は、それぞれ、赤、緑、青色を発光する。

９７．実施態様８８から９６のいずれかに関するＯＬＥＤディスプレイでは、第１、第２、第３の全発光領域は、１１００平方μより小さい。

９８．実施態様８８から９７のいずれかに関するＯＬＥＤディスプレイでは、第１、第２、第３の全発光領域は、約５００平方μより小さい。

９９．フルカラーＯＬＥＤディスプレイであって、次のことを含む。
基板には、ディスプレイ領域があり、ディスプレイ領域には、第１、第２、第３のサブピクセルがあり、おのおのの列には、異なる色の発光のために、独立してパターン化された発光層を有している。
ここで、第１、第２、第３のサブピクセルのいずれも、あらゆる次元の大きさは、約２５μｍより小さく、ディスプレイ領域では、開口（アパーチャー）度は、約６０％より大きい。

１００．実施態様９９のＯＬＥＤディスプレイでは、ディスプレイ領域の解像度が約６００ｐｐｉより大きい。

１０１．実施態様９９又は１００のＯＬＥＤディスプレイでは、第１、第２、第３のサブピクセルの大きさは、あらゆる次元で約２０μｍより小さい。

１０２．実施態様９９から１０１のいずれかに関するＯＬＥＤディスプレイでは、第１、第２、第３のサブピクセルの大きさは、あらゆる次元で約１５μｍより小さい。

１０３．実施態様９９から１０２のいずれかに関するＯＬＥＤディスプレイでは、第１、第２、第３のサブピクセルは、それぞれ、５μｍより小さな間隔をあけて位置している。

１０４．実施態様９９から１０３のいずれかに関するＯＬＥＤディスプレイでは、第１、第２、第３のサブピクセルにはユニット・セルが含まれ、そのディスプレイ領域は約１１００平方μより小さい。

実施例
実施例で用いられているＯＬＥＤ材料の化学構造は、下に示す通りである。

実施例１
ガラス基板800には、第１５Ａ図に示されるように、導電性ＩＴＯの３つの領域があり、中央領域801、両側802と802’とが、それに含まれるが、それぞれは、非導電性のガラスのストライプで分離されていた。第１５Ｂ図には、パターン化された誘電体803が、ＩＴＯの中央部分の上に、ポジ型フォトレジスト（ＡＺ１５１２、希釈）から、従来方法で形成され、５分間１５０℃で加熱（ハードベイク）した。パターン化された誘電体803’の拡大図には、そのパターンが、804G、804R、804B開口からなる孔の垂直に並んだ列があることが示されている。これは次に、緑、赤、青のＯＬＥＤ層が蒸着された。パターン化された誘電体803は、約５００ｎｍ厚であり、第１５Ｂ図に描かれるように、大きなテイパー形状を有していた。その断面図は、拡大図の切断ラインＡ−Ａに沿っている。第１５Ａ図に戻ってみると、各画素（ピクセル）空孔は、１０μｍ幅で３６μｍ長であった。それぞれは、水平方向（各色の間）では４μｍの間を挟み分離しており、垂直方向（同一の色の画素の間）では、６μｍの間を挟み分離していた。このようにして、ＲＧＢ画素のそれぞれのセットは、４０μｍ×４０μｍであり、これは、発光充満ファクター（アパーチャー率、開口率）６１％で６３５ｄｐｉ解像度のカラー・ディスプレイに対応する。

緑、赤、青色ＯＬＥＤ画素のパターニングは、第2図と第3図に関して記載された方法と同様の方法で、行われた。しかし、独立してアドレサブル（アドレスの認識可能）な底部電極よりは、共通のアノード（ＩＴＯ）が、全色に対して底部電極として用いられた。それぞれのリフト・オフ構造が、フッ素化材料ベース層と上部に位置するフォトレジスト層とを用いて、形成された。フッ素化材料ベース層は、組成物を塗装することによって形成された。その組成物は、ハイドロフルオロエーテル溶媒を含み、メタクリレートをベースにしたフッ素化ポリマーであって、（高分子の側鎖に）フッ素系側鎖アルキル・グループとフッ素を含まない側鎖アルキル・グループを有しているものを約１２重量％含んでいた。フッ素化ポリマーのフッ素含有率は、約４９重量％であった。この組成物は、基板の上に３０００ｒｐｍの回転数で、ホットプレートの上で９０℃、1分間のスピン・コートをされていた。フッ素化材料ベース層の厚さは、約８００ｎｍであった。このフッ素化材料ベース層には、パターン化された誘電体を覆い、平面化する効果があった。リフト・オフにおける問題を避けるため、発見されたことは、ＩＴＯで測定されたフッ素化材料ベース層の厚さは、パターン化された誘電体の高さより厚いということで、好ましくは、少なくとも１００ｎｍの厚さだった。

フッ素化材料ベース層を覆い、従来のネガ型フォトレジストｎＬＯＦ２０２０が、３５００ｒｐｍの回転数、ホットプレート上で１１０℃の加熱を1分間行い、スピン・コーティングされた。そのフォトレジストの厚さは、約１．７μｍであった。フォトレジストは、それから、緑色の画素が列となったマスクを使い、カール・ズス接触並列器（コンタクト・アライナー）（３６５ｎｍ）の上に照射された。前記マスクの画素の特徴（開口部）は、それぞれの次元で、パターン化された誘電体より１μｍ大きい。その照射量は、６０ｍＪ/ｃｍ^２であり、その構造は、照射後にホットプレート上で１分間１１０℃でベークして、与えられる。前記ｎＬＯＦは、ＣＤ−２６の中で１００から１２０秒間、現像され、ＤＩ水でリンスし、圧縮空気で送風して乾燥させた。フッ素化材料ベース層は、それぞれの30秒後にスピン乾燥でＨＦＥ−７３００の２つの３０秒「水たまり」を用いて現像された。ＨＦＥ−７３００の短時間スプレイは、画素領域からフッ素化ポリマーを除去するため、スピン乾燥の最初に、行われた。

その構造は、それから、弱い酸素プラズマエッチング（５０ｓｃｃｍ酸素、１００ｍＴ圧、１００Ｗ、３０秒）に付され、画素空孔中のトレース量のフッ素化材料残渣をよく除去した。フッ素化材料ベース層中の1又は２μｍのアンダーカットは、顕微鏡ではっきり見えるものだった。

そのリフトオフ構造を持つ基板を、ＯＬＥＤ蒸着室へ移動させ、緑色発光の有機ＥＬ素子が、１０ｎｍＨＡＴ−ＣＮ、８０ｎｍＮＢＰ、５０ｎｍＡｌｑ、０．５ｎｍＬｉＦそして５０ｎｍＡｌの蒸気蒸着することを含み提供される。その基板を、窒素雰囲気のグローブボックスへ移動させ、フッ素化材料ベース層を溶解するために数分間、温かいＨＦＥ７３００（５０℃と６０℃の間）に浸漬した。大きな列の記号領域（第15図に示されていない）は、全構造を除去するために、少し攪拌することが約５分間必要にも拘わらず、画素のパターン化された領域が、攪拌することなしに1分間足らずに、リフト・オフすることが起きた。リフト・オフが起きたので、ＯＬＥＤの上部に位置するフォトレジスト部分は、ひとりでに巻き上がり、それによって、溶液中に破片が含まれ、そして、減少した。そのリフト・オフされた部分は、また、その低い密度のためにリフト・オフ浴の表面に浮かび上がろうとしたが、比較的除去し易かった。緑色発光のためのＯＬＥＤのパターンは、第１５Ｂ図の804Gに対応する画素領域内に残った。

緑色のＯＬＥＤ画素でパターン化された試料は、リフト・オフ浴から移動され、ＨＦＥ７３００でリンスされ、それから、窒素雰囲気のグローブボックスの中で新たにフッ素化材料ベース層で被覆された。その試料は、その周囲に移動され、ｎＬＯＦ２０２０が用いられ、そして次の工程は、上記した工程と類似していたが、しかし、この場合には、画素領域にあり赤色発光する有機ＥＬ素子を上記したのと同様の方法で作成するためであった。しかし、赤色画素（第１５Ｂ図の804Rに当たる）のために今記載している。赤色発光有機ＥＬ素子は、次のものを含有した。１０ｎｍＨＡＴ−ＣＮ、６０ｎｍＮＢＰ、４０ｎｍのＮＰＢ：Ｉｒ（ＭＤＱ）２（ａｃａｃ）の重量比９０：１０の混合物、２０ｎｍＡｌｑ、０．５ｎｍＬｉＦと５０ｎｍＡｌ。

その工程は、先に記載したように、再度、繰り返されたが、今度は、第１５Ｂ図の804Bに当たる青色画素についてである。その青色発光有機ＥＬ素子は、次のものを含有した。１０ｎｍＨＡＴ−ＣＮ、６０ｎｍＮＰＢ、４０ｎｍのβ−ＡＤＮとＤＰＡＶＢｉの混合物の重量比９５：５、２０ｎｍＡｌｑと０．５ｎｍＬｉＦ。この場合には、アルミニウム化合物は用いられない。その構造は、先に記載したように、リフト・オフ浴で処理され、ＨＦＥ−７３００でリンスされ、ＯＬＥＤ蒸着室に戻した。そして、共通のアルミニウム・カソード805は、第１５Ｃ図に示されるように、全ＯＬＥＤ画素の上に蒸着された。その共通のカソードは、電気的接触部として用いられるように、ＩＴＯ両端部のストライプ802と802’と接触していた。

そのＯＬＥＤ装置は、金属容器に包まれていた。ＯＬＥＤ構造と、同時にスウィッチの入っていた画素全てではないが、その間で電圧をバランスさせることは試みられなかったが、それは、電圧がその構造にかけられていたからである。しかし、３個の全ての画素列は、１２Ｖで明るく光るので、次のようなことが分かる、すなわち、解像度は６３０以上であり、発光フィル・ファクター（絞り度）が６０％以上であり、赤、緑、青色の画素の間には、わずか４μｍの間隔があるだけである、フルカラーＯＬＥＤ装置は、工場生産可能であることが分かる。

実施例２
この実施例は、実施例１に似ているが、特筆すべき違いがある。実施例２のための処理工程は、第６図と第７図に示されたものに、似ている。フッ素化材料ベース層は、ハイドロフルオロエーテル溶媒で被覆された、９００ｎｍＣｙｔｏｐ１０９Ａである。フォトレジストは、ネガ型であり、そして、側鎖を有する光感受性フッ素化ポリマーであり、米国出願番号14/539,574に記載されたものに似た、ＨＦＥ溶媒で１．２μｍ厚のコーティングがなされている。フッ素化ポリマーは、次のものを有していた。フッ素含有のアルキル基、酸触媒で反応するもの（アシッド・キャタライズド）、プリカーサー基を形成するカルボン酸、感受性を持つ色素単位、酸クエンチング単位である。これらは、約４０重量％のフッ素を含有していた。その塗装組成物は、更に、光酸放出化合物ＣＧＩ−１９０７を、フッ素ポリマーに対して１重量％含んでいる。光感受性フッ素化ポリマーは、ＨＦＥ−７６００への高い溶解度を有している。本発明者は、驚くべき発見をしたが、それは、Ｃｙｔｏｐは、ＨＦＥ−７６００への溶解性が低く、それによって、光感受性フッ素化ポリマーをＣｙｔｏｐの上に塗装するのを容易にすることである。他の発明者は、従来のフォトレジストの塗装は、はじいてしまい、Ｃｙｔｏｐの上には困難であると示してきた。しかし、本発明者は、光感受性フッ素化ポリマーは、ＨＦＥ−７６００を非常に良く塗装することを発見し、そして、重要な問題を乗り越えたのである。更に、光感受性フッ素化ポリマーは、驚くべきことに、ｎＬＯＦと比較し、汚染が非常に少ない傾向があった。その結果、欠陥も少なかった。

光感受性フッ素化ポリマーは、１４ｍＪ/ｃｍ^２で照射され（塗装後そして、照射・加熱が１分間９０℃でなされた）、２秒間、ＨＦＥ−７１００の溜まりで現像された。ＨＦＥ−７１００は、照射されていない領域に急速に溶解するが、下部に位置するＣｙｔｏｐには溶解しない。その下部に位置するＣｙｔｏｐの現像と他のリフト・オフ構造の製造工程は、先に記載されたように、似ている。リフト・オフが起こるので、ＯＬＥＤの上に位置するフッ素化フォトポリマー部分は、ひとりでに巻き上がり、それによって、溶液中の破片を溶解し、減少させた。そのリフト・オフした部分も、密度が低いため、リフト・オフ浴の表面に浮上がろうとする傾向があったが、これで除去が比較的容易になった。

ＯＬＥＤ積層体に関して、第１の画素は、１０ｎｍＨＡＴ−ＣＮ、６０ｎｍＮＢＰ、と４０ｎｍの９０：１０（重量比）のＮＰＢ：Ｉｒ（ＭＤＱ）２（ａｃａｃ）の混合物を含んでいた。第２の画素は、１０ｎｍＨＡＴ−ＣＮ、と８０−ｎｍのＮＰＢを含んでいた。第３の画素は、１０ｎｍＨＡＴ−ＣＮ、６０ｎｍ−ＮＰＢ、４０ｎｍの９５：５（重量比）のβ−ＡＤＮとＤＰＡＶＢｉの混合物を含んでいた。最後のリフト・オフの後、続いて第３の画素が蒸着される。３０ｎｍＡｌｑの共通の層である電子輸送層が、０．５ｎｍＬｉＦと１００ｎｍＡｌの共通の層に続き、全ての画素の上に蒸着された。第２の画素について、共通のＡｌｑ層で、緑色発光ＥＬ素子が製造された。

この装置は、欠陥と電気的短絡がより少なかった。その理由は有る程度、光感受性フッ素化ポリマーのためであり、有る程度共通のＡｌｑ層が数多くの短絡を減少させたためである。再度、ＯＬＥＤ構造と、同時にスウィッチを入れられた画素の全てではないが、その画素との間の電圧をバランスさせる試みはなされなかった。第１と第２の画素は、２．５Ｖで光り、５Ｖで非常に明るかった。第３の画素は、８Ｖでスウィッチが入り、１０Ｖで明るく輝いた。理由は不明だが、第１の画素は、赤色ではなく、明るい緑色に発光した。いずれにしても、非常に高い解像度を有するパターン化されたカラーＯＬＥＤ装置は、再度、実証された。実施例１に比較し、実施例２には、スウィッチの入る電圧が実質的に低下し、観測される欠陥が減少し、起きる短絡が少なくなるという、追加的な優位性があった。

本開示は、活性有機材料の広範囲のセットが、光リトグラフにより微細な次元でパターン化されることを可能にする。特別な「フォトレジスト互換性」のあるＯＬＥＤ材料は、選択される必要はないので、ユーザーが、最良のＯＬＥＤ材料を用い、赤、緑、青色発光のために、最も効果的な構造を創造することは自由である。

図面で用いられている参照番号のリスト
10 ＯＬＥＤ装置
11 アノード
12 正孔注入層（ＨＩＬ）
13 正孔輸送層（ＨＴＬ）
14 電子阻止層（ＥＢＬ）
15 発光層（ＬＥＬ）
16 正孔阻止層（ＨＢＬ）
17 電子輸送層（ＥＴＬ）
18 電子注入層（ＥＩＬ）
19 カソード
20 有機ＥＬ中間
101 第１のリフト・オフ構造工程
103 残渣洗浄工程
105 第１の有機ＥＬ中間を蒸着する工程
107 第１の上部電極を蒸着する工程
109 第１のリフト・オフ構造を除去する工程
111 第２のリフト・オフ構造を形成する工程
113 残渣洗浄工程
115 第２の有機ＥＬ中間を蒸着する工程
117 第２の上部電極を蒸着する工程
119 第２のリフト・オフを除去する工程
121 第３のリフト・オフ構造を形成する工程
123 残渣洗浄工程
125 第３の有機ＥＬ中間を蒸着する工程
127 第３の上部電極を蒸着する工程
129 第３のリフト・オフ構造を除去する工程
131 共通の上部電極を蒸着する工程
200 ＯＬＥＤ基板
201 基板
202 ＴＦＴ層部分
203 電極分離誘電体
210 第１の底部電極
211 第１のリフト・オフ構造
212 第１の材料層
213 第１のパターン化されたフォトレジスト層
214 アンダーカットされた領域
215 空隙
216 第１の有機ＥＬ中間層
216’ 第１の有機ＥＬ中間層
217 第１の上部電極
217’ 第１の上部電極
218 第１の中間構造
220 第２の底部電極
221 第２のリフト・オフ構造
222 第２の材料層
222A リフト・オフフッ素化材料層
223 第２のパターン化されたフォトレジスト層
224 アンダーカット領域
225 空隙
226 第２の有機ＥＬ中間層
226’ 第２の有機ＥＬ中間層
227 第２の上部電極
227’ 第２の上部電極
228 第２の中間構造
230 第３の底部電極
231 第３のリフト・オフ構造
232 第３の材料層
233 第３のパターン化されたフォトレジスト層
234 アンダーカットされた領域
235 空隙
236 第３の有機ＥＬ中間層
236’ 第３の有機ＥＬ中間層
237 第３の上部電極
237’ 第３の上部電極
238 第３の中間構造
240 共通の上部電極
241 薄い共通の上部電極
242 共通の上部電極
250 アクティブ・マトリクスＯＬＥＤ装置
251 欠陥のあるアクティブ・マトリクスＯＬＥＤ装置
252 アクティブ・マトリクスＯＬＥＤ装置
301 ベース層の形成工程
303 フォトレジスト層の形成工程
305 フォトレジスト層の照射工程
307 照射されたフォトレジスト層の現像工程
309 被覆してないベース層の第１のパターンを除去する工程
310 装置基板
311 ベース層
312 フォトレジスト層
313 照射源
314 フォトマスク
315 照射されたフォトレジスト層
316 照射されたフォトレジスト領域のパターン
317 照射されていないフォトレジスト領域のパターン
318 被覆されていないベース層の第１のパターン
319 リフト・オフ構造
320 第１の空隙パターン
321 アンダーカットされた領域
401 第１のリフト・オフ構造の形成工程
403 残渣洗浄工程
405 第１の有機ＥＬ中間に蒸着する工程
409 第１のリフト・オフ構造を除去する工程
411 第２のリフト・オフ構造の形成工程
413 残渣洗浄工程
415 第２の有機ＥＬ中間を蒸着する工程
419 第２のリフト・オフ構造を除去する工程
421 第３のリフト・オフ構造の形成工程
423 残渣洗浄工程
425 第３の有機ＥＬ中間層を蒸着する工程
429 第３のリフト・オフ構造を除去する工程
430 １以上の共通の有機ＥＬ中間層を蒸着する工程
431 共通の上部カソードを蒸着する工程
440 第１の有機ＥＬ中間層
442 第２の有機ＥＬ中間層
444 第３の有機ＥＬ中間層
446 共通のＥＩＬ層
448 共通のカソード層
450 アクティブ・マトリクスＯＬＥＤ装置
480 上部電極源
482 上部電極材料
490 フッ素化材料の蒸気蒸着
490’ フッ素化材料の蒸気蒸着
495 パターン化された誘電体
501 第３の有機ＥＬ中間を蒸着する工程
503 第１のリフト・オフ構造の形成工程
505 第３の有機ＥＬ中間層をエッチングする工程
507 第１の有機ＥＬ中間層を蒸着する工程
509 第１のリフト・オフ構造を除去する工程
511 第２のリフト・オフ構造の形成工程
513 第３の有機ＥＬ中間層をエッチングする工程
515 第２の有機ＥＬ中間層を蒸着する工程
517 第２のリフト・オフ構造を除去する工程
519 １以上の共通の有機ＥＬ中間層を蒸着する工程
521 共通の上部電極を蒸着する工程
611 第１のリフト・オフ構造
612 第１の材料層
613 第１のパターン化されたフォトレジスト層
614 アンダーカットされた領域
615 空隙
616 第１の有機ＥＬ中間層
616’ 第１の有機ＥＬ中間層
618 第１の中間構造
621 第２のリフト・オフ構造
622 第２の材料層
623 第２のパターン化されたフォトレジスト層
624 アンダーカットされた領域
625 空隙
626 第２の有機ＥＬ中間層
626’ 第２の有機ＥＬ中間層
628 第２の中間構造
636 第３の有機ＥＬ中間層
636’ 第３の有機ＥＬ中間層
646 １以上の共通の有機ＥＬ中間層
648 共通の電極
650 アクティブ・マトリクスＯＬＥＤ装置
701 装置基板
703 被覆されていない装置基板の領域
705 被覆されていない装置基板の領域の第１の部分
707 被覆されていない装置基板の領域の第２の部分
711 第１のアンダーカットされたリフト・オフ構造
713 第１の活性有機材料層
713’ 第１の活性有機材料層
715 第１の空隙
717 第２の材料層
717’ 第２の材料層
720 有機デバイス
800 ガラス基板
801 ＩＴＯの中央領域
802 ＩＴＯの側方領域
802’ ＩＴＯの側方領域
803 パターン化された誘電体
803’ パターン化された誘電体
804G 緑色ＯＬＥＤ層の空孔
804R 赤色ＯＬＥＤ層の空孔
804B 青色ＯＬＥＤ層の空孔
805 共通のカソード

Claims (19)

1. OLED装置の製造方法であって、
   ａ）複数の底部電極第１列と複数の底部電極からなる第２列を有する装置基板を提供し、
   ｂ）複数の底部電極の第１列に対応した、開口部の第１のパターンを有する装置基板の上に第1のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供し、
   ｃ）第１のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と、底部電極の第１の列の上を覆う、少なくとも、第１の発光層と第１の上部電極層とを含む、１つ以上の第１の有機EL中間層を堆積し、
   ｄ）第１の中間構造を形成するため、フッ素化溶媒を含有する第1のリフト・オフ剤で処理して、第１のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と、上部にある第１の有機EL中間層と第１の上部電極を、除去し、
   ｅ）複数の底部電極の第２の列に対応した、開口部の第２のパターンを有する、第１の中間層構造を覆う、第２のアンダー・カットされたリフト・オフ構造を提供し、
   ｆ）第２のアンダー・カットされたリフト・オフ構造の上と、底部電極の第２の列の上に、少なくとも、第２の発光層と第２の上部電極とを有する、１以上の第２の有機EL媒体層を堆積し、
   ｇ）第２の媒体層構造を形成するために、フッ素化溶媒を含有する第２のリフト・オフ剤で処理して、第２のアンダー・カットされたリフト・オフ構造と上部にある第２の有機EL中間層と第２の上部電極とを除去し、
   ｈ）第１と第２の有機ＥＬ中間層と上部電極層と電気的に接続する、共通の上部電極を提供することを含む、ＯＬＥD装置の製造方法。
2. 請求項１の方法であって、少なくとも１つのリフト・オフ構造が、フッ素化材料ベース層と上部にあるフォトレジスト層とを含んでおり、そして、少なくとも２つのパターン化された層を含んでおり、ここで、フッ素化材料ベース層がフォトレジスト層の下でアンダー・カットされていること。
3. 請求項１の方法であって、少なくとも１つのリフト・オフ構造は、フッ素化溶媒を用いて現像された、パターン化されたフッ素化フォトレジストとアンダー・カットされた形状を有すること。
4. 請求項１の方法であって、工程（ｂ）と工程（ｃ）の間に、または、工程(e)と工程（ｆ）の間に、又は両方の間で、ドライエッチング工程を更に含んでいること。
5. 請求項１の方法であって、少なくとも１つのリフト・オフ構造が、リフト・オフ構造を形成するのに用いられる画像照射の少なくとも８０％から、下部にある層を吸収や阻止で守ること。
6. 請求項１の方法であって、対応する上部にある有機EL中間層の、そして、上部にある上部電極層の、少なくとも１つのリフト・オフ構造の有効密度は、リフト・オフ構造を除去するために、用いられるリフト・オフ剤の密度よりも小さい。
7. 請求項６の方法であって、リフト・オフ剤は、ハイドロフルオロエーテルを含む。
8. 請求項１の方法であって、底部電極は、カソードとして働き、共通の上部電極層は、アノードとして働く。
9. 請求項１の方法であって、少なくとも１つの有機ＥＬ中間層は、１以上の下部に位置する有機EL中間層の側壁をカバーするように、少なくとも１つの上部電極が蒸着される。
10. 請求項１の方法であって、工程（ｃ）と工程（ｄ）の間で、または、工程（ｆ）と工程（ｇ）の間で、またはその両方で、フッ素化材料を有機ＥＬ中間層の上で蒸着させることを含む。
11. 請求項１の方法であって、１つ以上のリフト・オフ構造が、リフト・オフ剤の中で除去される最中に巻かれて（カールして）しまうこと。
12. 請求項１の方法であって、共通の上部電極を蒸着させる前に、共通の有機ＥＬ層を蒸着させることを含んでいること。
13. 請求項１２の方法では、共通の有機ＥＬ層を蒸着させる前に、フッ素化材料の残渣の中間構造を、リフト・オフ剤とは異なる化学組成を有する洗浄剤と接触させて洗浄して除去することを更に含み、洗浄剤はフッ素化溶媒を含む。
14. 請求項１の方法では、共通の上部電極を蒸着させる前に、フッ素化材料の残渣の中間構造を、リフト・オフ剤とは異なる化学組成を有する洗浄剤と接触させて洗浄して除去することを更に含み、洗浄剤はフッ素化溶媒を含む。
15. 請求項１の方法では、少なくとも１層のリフト・オフ構造には、少なくとも２層のパターン化された層が含まれ、これは、フッ素化材料ベース層と上部にあるフォトレジスト層とを含んでおり、上部にあるフォトレジスト層は、フッ素化塗装溶媒を含むフォトレジスト組成物から得られる。
16. 請求項１５の方法では、フォトレジスト層にフッ素化フォトレジストが含まれる。
17. 請求項１５の方法では、フッ素化材料ベース層は環状フッ素化ポリマーを含み、フッ素化塗装溶媒は、ハイドロフルオロエーテルである。
18. フルカラーのＯＬＥＤディスプレイであって、
    基板には、ディスプレイ領域があり、ディスプレイ領域には、第１、第２、第３の有機ＥＬ素子の列があり、その列は、異なる色の発光のために、独立してパターン化された発光層を有し、
    第１の有機ＥＬ素子のそれぞれは、第２、第３の有機ＥＬ素子から４μｍ以下の間隔があるり、第１、第２、第３の有機ＥＬ素子の発光層の全領域は、合計すると、ディスプレイの少なくとも６０％の領域を占めていることを含む、フルカラーのＯＬＥＤディスプレイ。
19. 請求項１８に関するＯＬＥＤディスプレイでは、第３の有機ＥＬ素子のパターン化された発光層に対応する材料は、第２と第３の有機ＥＬ素子の間の非発光領域に形成される。