JP7063548B2 - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ）は代表的な自発光型表示装置であって、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）のような受光型表示装置とは違いバックライトユニットが必要でないので、スマートフォン、超薄型ＴＶなど薄型化が必要な多様な電気／電子製品に利用されている。
最近では、フォトマスク（ｐｈｏｔｏ ｍａｓｋ）を利用したフォトパターニング（ｐｈｏｔｏ ｐａｔｔｅｒｉｎｇ）で有機発光素子を蒸着する方法により高解像度を実現するための研究が進んでいる。
しかし、フォトパターニングに使用されるリフトオフ層（Ｌｉｆｔ－Ｏｆｆ Ｌａｙｅｒ）は特殊の物質を含むので、単価が高く、除去過程で既に蒸着された有機層に損傷を与える可能性がある。
しかし、フォトパターニングに使用されるリフトオフ層（Ｌｉｆｔ－Ｏｆｆ Ｌａｙｅｒ）は特殊の物質を含むので、単価が高く、除去過程で既に蒸着された有機層に損傷を与える可能性がある。
本発明が解決しようとする課題は、有機発光層が外気または工程中に発生した物理・化学的衝撃により損傷することを防止できる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は次の記載から当業者に明確に理解できるであろう。
前記課題を解決するための本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、基板上に配置された第１導電層、前記基板上に複数の画素を定義するように配置され、各画素ごとに前記第１導電層の少なくとも一部を露出する画素定義膜、前記第１導電層の前記画素定義膜によって露出された部分上に配置された有機発光層、前記有機発光層上に配置された第２導電層、前記第２導電層上の各画素に配置され、前記第２導電層の外側の少なくとも一部を露出する保護層、及び前記画素定義膜上の各画素の間に配置され、互いに異なる画素に配置された前記第２導電層の前記露出された外側の側面部分と接するサブ導電層を含み、前記サブ導電層は、前記保護層の少なくとも一部分上には配置されず、前記保護層は、無機物から成り、各画素に配置された前記第２導電層は互いに直接的に接しない。
各画素に配置された前記保護層は互いに接しなくてもよい。
前記有機発光層は、前記保護層、前記画素定義膜、前記第１導電層、及び前記サブ導電層によって密閉されるように囲まれ得る。
前記サブ導電層は前記保護層の少なくとも一部分上には配置されなくてもよい。
前記画素定義膜は、有機物を含む画素定義膜第１層、及び無機物を含み、前記画素定義膜第１層を覆う画素定義膜第２層を含み得る。
前記有機発光層は、前記保護層、前記画素定義膜、前記第１導電層、及び前記サブ導電層によって密閉されるように囲まれ得る。
前記サブ導電層は前記保護層の少なくとも一部分上には配置されなくてもよい。
前記画素定義膜は、有機物を含む画素定義膜第１層、及び無機物を含み、前記画素定義膜第１層を覆う画素定義膜第２層を含み得る。
前記課題を解決するための本発明の他の実施形態による有機発光表示装置は、基板上に配置された第１導電層、前記基板上に少なくとも一つの画素を定義するように配置され、一画素で前記第１導電層の少なくとも一部を露出する画素定義膜、前記第１導電層の前記画素定義膜によって露出された部分上に配置された有機発光層、前記有機発光層上に配置された第２導電層、前記第２導電層上の前記一画素に配置され、前記第２導電層の外側の少なくとも一部を露出する保護層、及び前記画素定義膜上の前記一画素外側に配置され、前記第２導電層の前記露出された外側の側面部分と接するサブ導電層を含み、前記サブ導電層は、前記保護層の少なくとも一部分上には配置されず、前記保護層は、無機物から成り、前記第２導電層は前記一画素にのみ非連続的に配置されたアイランド形態で配置されている。
前記有機発光層は、前記保護層、前記画素定義膜、前記第１導電層、及び前記サブ導電層によって密閉されるように囲まれ得る。
前記保護層は少なくとも一部分が前記サブ導電層と接し得る。
前記保護層上に配置されたカラーフィルタをさらに含み、前記サブ導電層は前記カラーフィルタ上にも配置され得る。
前記保護層は少なくとも一部分が前記サブ導電層と接し得る。
前記保護層上に配置されたカラーフィルタをさらに含み、前記サブ導電層は前記カラーフィルタ上にも配置され得る。
前記他の課題を解決するための本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、第１導電層及び複数の画素を定義し、各画素ごとに前記第１導電層を露出する画素定義膜が形成された基板を準備する段階、前記画素定義膜上に一部画素を露出する開口が定義されたフォトレジストパターンを形成する段階、全面蒸着により、前記第１導電層の前記画素定義膜によって露出された部分上には有機発光層を形成し、前記フォトレジストパターン上には前記有機発光層と同じ物質を含む第１蒸着層を形成する段階、全面蒸着により、前記有機発光層上には第２導電層を形成し、前記第１蒸着層上には前記第２導電層と同じ物質を含む第２蒸着層を形成する段階、全面蒸着により前記第２導電層上には保護層を形成し、前記第２蒸着層上には保護層と同じ物質を含む第３蒸着層を形成する段階と、前記フォトレジストパターン及び前記第１蒸着層から第３蒸着層までを除去する段階を含み、前記フォトレジストパターンを除去した後に、他画素にも有機発光層、第２導電層、及び保護層を形成する段階と、前記第２導電層の外側の一部を露出するように前記保護層をエッチングする段階と、前記フォトレジストパターンを除去した後に、他画素にも有機発光層、第２導電層、及び保護層を形成する段階と、前記第２導電層の一部を露出するように前記保護層をエッチングする段階と、をさらに含み、前記保護層は、無機物から成り、前記保護層をエッチングした後に、前記第２導電層の露出された外側の側面部分と接するようにサブ導電層を形成する段階をさらに含む。
前記全面蒸着により、前記第２導電層上には保護層を形成し、前記第２蒸着層上には前記保護層と同じ物質を含む第３蒸着層を形成する段階において、前記保護層の少なくとも一部分は、前記画素定義膜と接するように形成し得る。
前記保護層は、前記第１導電層及び前記有機発光層を完全に覆うように形成し得る。
前記保護層は、前記画素定義膜及び前記第１導電層と共に前記有機発光層を囲んで密閉するように形成し得る。
前記フォトレジストパターンは、逆テーパ形状を有し得る。
前記フォトレジストパターンは、ネガティブ（ｎｅａｇｔｉｖｅ）フォトレジスト組成物をパターニングして形成し得る。
前記フォトレジストパターンは、剥離液（ｓｔｒｉｐｐｅｒ）でリフトオフ（ｌｉｆｔ－ｏｆｆ）する方式により除去し得る。
その他の実施形態の具体的な内容は詳細な説明及び図面に含まれている。
前記保護層は、前記第１導電層及び前記有機発光層を完全に覆うように形成し得る。
前記保護層は、前記画素定義膜及び前記第１導電層と共に前記有機発光層を囲んで密閉するように形成し得る。
前記フォトレジストパターンは、逆テーパ形状を有し得る。
前記フォトレジストパターンは、ネガティブ（ｎｅａｇｔｉｖｅ）フォトレジスト組成物をパターニングして形成し得る。
前記フォトレジストパターンは、剥離液（ｓｔｒｉｐｐｅｒ）でリフトオフ（ｌｉｆｔ－ｏｆｆ）する方式により除去し得る。
その他の実施形態の具体的な内容は詳細な説明及び図面に含まれている。
本発明の実施形態によれば、少なくとも次のような効果がある。
本発明に係る有機発光層は、第１導電層（２１０）、画素定義膜（２２０）、第２導電層（２４０）、及びサブ導電層（２７０）に加えて保護層（２６０）に囲まれ、完全に密閉されているので、外気または工程中に発生した物理・化学的衝撃により損傷することを防止することができる。
さらに、サブ導電層を介して保護層の形成過程で断絶した各画素の第２導電層を電気的に接続することができる。
本発明の実施形態による効果は以上で例示した内容によって制限されず、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。
本発明に係る有機発光層は、第１導電層（２１０）、画素定義膜（２２０）、第２導電層（２４０）、及びサブ導電層（２７０）に加えて保護層（２６０）に囲まれ、完全に密閉されているので、外気または工程中に発生した物理・化学的衝撃により損傷することを防止することができる。
さらに、サブ導電層を介して保護層の形成過程で断絶した各画素の第２導電層を電気的に接続することができる。
本発明の実施形態による効果は以上で例示した内容によって制限されず、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。
本発明の利点及び特徴、これらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態において明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されるものであり、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範囲によってのみ定義される。
ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは特に反対になる記載がない限り他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことを意味する。
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と指称された場合、他の素子の真上にまたは中間に他の層または他の素子を介在する場合のすべてを含む。明細書全体において、同一の参照符号は同一の構成要素を指称する。
第１、第２などが多様な構成要素を叙述するために使用されるが、これら構成要素はこれらの用語によって制限されないことはいうまでもない。これらの用語は、単に一つ構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得ることは勿論である。
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と指称された場合、他の素子の真上にまたは中間に他の層または他の素子を介在する場合のすべてを含む。明細書全体において、同一の参照符号は同一の構成要素を指称する。
第１、第２などが多様な構成要素を叙述するために使用されるが、これら構成要素はこれらの用語によって制限されないことはいうまでもない。これらの用語は、単に一つ構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得ることは勿論である。
以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の平面構造を示す概略図である。
図１を参照すれば、有機発光表示装置は平面上イメージが視認される領域である表示領域ＤＡと、前記イメージが視認されない領域である非表示領域ＮＡとを含み得る。非表示領域ＮＡは表示領域ＤＡの外側に前記表示領域ＤＡを囲むように形成される。
表示領域ＤＡにはマトリックス形状で配列された複数の画素ＰＸが定義される。各画素ＰＸは第１色、第２色、及び第３色を各々発光する第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、及び第３画素ＰＸ３に区分され得る。図１では前記第１色、第２色、及び第３色が各々赤色、緑色及び青色である場合を例示する。
複数の画素ＰＸは、平面上の水平方向には第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、及び第３画素ＰＸ３が交番的に配置され、垂直方向には同じ色を発光する画素ＰＸのみが連続して配置されるが、これに制限されない。
図１は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の平面構造を示す概略図である。
図１を参照すれば、有機発光表示装置は平面上イメージが視認される領域である表示領域ＤＡと、前記イメージが視認されない領域である非表示領域ＮＡとを含み得る。非表示領域ＮＡは表示領域ＤＡの外側に前記表示領域ＤＡを囲むように形成される。
表示領域ＤＡにはマトリックス形状で配列された複数の画素ＰＸが定義される。各画素ＰＸは第１色、第２色、及び第３色を各々発光する第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、及び第３画素ＰＸ３に区分され得る。図１では前記第１色、第２色、及び第３色が各々赤色、緑色及び青色である場合を例示する。
複数の画素ＰＸは、平面上の水平方向には第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、及び第３画素ＰＸ３が交番的に配置され、垂直方向には同じ色を発光する画素ＰＸのみが連続して配置されるが、これに制限されない。
図２は図１の有機発光表示装置をＩＩ－ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
図２を参照すれば、有機発光表示装置はベース基板１０１、バッファ層１１０、活性層１２１、ゲート絶縁層１４０、ゲート電極１５１、層間絶縁層１６０、ソース電極１７２、ドレイン電極１７３、平坦化層１８０、及び有機発光素子２００を含み得る。
ベース基板１０１は絶縁基板であり得る。ベース基板１０１はガラスまたはプラスチックを含み得る。ベース基板１０１は透明であり得るが、前面発光型有機発光表示装置に適用される場合は不透明な物質からなってもよい。
いくつかの実施形態では、有機発光表示装置が柔軟性を持つフレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）表示装置として実現するためにベース基板１０１がポリイミドなどのような柔軟性物質からなるか、省略することもできる。
図２を参照すれば、有機発光表示装置はベース基板１０１、バッファ層１１０、活性層１２１、ゲート絶縁層１４０、ゲート電極１５１、層間絶縁層１６０、ソース電極１７２、ドレイン電極１７３、平坦化層１８０、及び有機発光素子２００を含み得る。
ベース基板１０１は絶縁基板であり得る。ベース基板１０１はガラスまたはプラスチックを含み得る。ベース基板１０１は透明であり得るが、前面発光型有機発光表示装置に適用される場合は不透明な物質からなってもよい。
いくつかの実施形態では、有機発光表示装置が柔軟性を持つフレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）表示装置として実現するためにベース基板１０１がポリイミドなどのような柔軟性物質からなるか、省略することもできる。
ベース基板１０１上にはバッファ層１１０が配置され得る。バッファ層１１０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）などを含み得、単層または多層で形成され得る。バッファ層１１０は半導体の特性を劣化（ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ）させる不純物または水分や外気の侵入を防止し、表面を平坦化する役割を果たす。
バッファ層１１０上には活性層１２１が配置される。活性層１２１は半導体を含み得、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）からなる。
活性層１２１はチャネル領域１２３と前記チャネル領域１２３の両側に位置するソース領域１２２及びドレイン領域１２４を含み得る。チャネル領域１２３は不純物がドーピングされない多結晶シリコンである真性半導体（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）であり得、ソース領域１２２及びドレイン領域１２４は導電性不純物がドーピングされた多結晶シリコンである不純物半導体（ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）であり得る。
バッファ層１１０上には活性層１２１が配置される。活性層１２１は半導体を含み得、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）からなる。
活性層１２１はチャネル領域１２３と前記チャネル領域１２３の両側に位置するソース領域１２２及びドレイン領域１２４を含み得る。チャネル領域１２３は不純物がドーピングされない多結晶シリコンである真性半導体（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）であり得、ソース領域１２２及びドレイン領域１２４は導電性不純物がドーピングされた多結晶シリコンである不純物半導体（ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）であり得る。
活性層１２１上にはゲート絶縁層１４０が配置され得る。ゲート絶縁層１４０は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素などを含む絶縁層からなり得、単層または多層で形成され得る。
ゲート絶縁層１４０上にはゲート電極１５１が配置され得る。ゲート電極１５１は活性層１２１のチャネル領域１２３に重畳するように配置され得る。活性層１２１のソース領域１２２及びドレイン領域１２４はゲート電極１５１に重畳しなくてもよい。ゲート電極１５１はアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）など、またはこれらの合金を含み得、多重層構造を有することもできる。
ゲート絶縁層１４０上にはゲート電極１５１が配置され得る。ゲート電極１５１は活性層１２１のチャネル領域１２３に重畳するように配置され得る。活性層１２１のソース領域１２２及びドレイン領域１２４はゲート電極１５１に重畳しなくてもよい。ゲート電極１５１はアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）など、またはこれらの合金を含み得、多重層構造を有することもできる。
ゲート電極１５１上には層間絶縁層１６０が配置され得る。層間絶縁層１６０は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素などを含む絶縁層で形成され得、単層または多層で形成され得る。
層間絶縁層１６０上にはソース電極１７２とドレイン電極１７３が配置され得る。ソース電極１７２は活性層１２１のソース領域１２２に重畳するように配置され得、ドレイン電極１７３は活性層１２１のドレイン領域１２４に重畳するように配置され得る。
ソース電極１７２とドレイン電極１７３はアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）及びその他の耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ ｍｅｔａｌ）またはこれらの合金を含み得、多重層構造を有することもできる。
層間絶縁層１６０上にはソース電極１７２とドレイン電極１７３が配置され得る。ソース電極１７２は活性層１２１のソース領域１２２に重畳するように配置され得、ドレイン電極１７３は活性層１２１のドレイン領域１２４に重畳するように配置され得る。
ソース電極１７２とドレイン電極１７３はアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）及びその他の耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ ｍｅｔａｌ）またはこれらの合金を含み得、多重層構造を有することもできる。
ゲート絶縁層１４０及び層間絶縁層１６０にはソース電極１７２とドレイン電極１７３を活性層１２１のソース領域１２２及びドレイン領域１２４に各々電気的に接触するソースコンタクトホール１６１及びドレインコンタクトホール１６２が形成され得る。
活性層１２１、ゲート電極１５１、ソース電極１７２、及びドレイン電極１７３は薄膜トランジスタＴを構成し得る。薄膜トランジスタＴのゲート電極１５１は制御端子であり、ソース電極１７２は入力端子であり、ドレイン電極１７３は出力端子である。
各画素ＰＸには一つ以上の薄膜トランジスタＴが対応するように配置され得、薄膜トランジスタＴは有機発光素子２００と電気的に接続され、前記有機発光素子２００の駆動を制御し得る。
ソース電極１７２及びドレイン電極１７３上には平坦化層１８０が配置され得る。平坦化層１８０は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、誘電定数が小さいアクリル（ａｃｒｙｌ）系統有機化合物、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ）またはＰＦＣＢ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ）などを含み得る。
平坦化層１８０はソース電極１７２及びドレイン電極１７３を保護する役割を果たし、その上面を平坦化する役割を果たし得る。平坦化層１８０にはドレイン電極１７３が露出するようにするコンタクトホール１８１が平坦化層１８０を貫いて形成され得る。
有機発光素子２００は平坦化層１８０上に配置され得、第１導電層２１０、画素定義膜２２０、有機発光層２３０、第２導電層２４０、キャッピング層２５０、保護層２６０、サブ導電層２７０、及びサブ保護層２８０を含み得る。
活性層１２１、ゲート電極１５１、ソース電極１７２、及びドレイン電極１７３は薄膜トランジスタＴを構成し得る。薄膜トランジスタＴのゲート電極１５１は制御端子であり、ソース電極１７２は入力端子であり、ドレイン電極１７３は出力端子である。
各画素ＰＸには一つ以上の薄膜トランジスタＴが対応するように配置され得、薄膜トランジスタＴは有機発光素子２００と電気的に接続され、前記有機発光素子２００の駆動を制御し得る。
ソース電極１７２及びドレイン電極１７３上には平坦化層１８０が配置され得る。平坦化層１８０は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、誘電定数が小さいアクリル（ａｃｒｙｌ）系統有機化合物、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ）またはＰＦＣＢ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ）などを含み得る。
平坦化層１８０はソース電極１７２及びドレイン電極１７３を保護する役割を果たし、その上面を平坦化する役割を果たし得る。平坦化層１８０にはドレイン電極１７３が露出するようにするコンタクトホール１８１が平坦化層１８０を貫いて形成され得る。
有機発光素子２００は平坦化層１８０上に配置され得、第１導電層２１０、画素定義膜２２０、有機発光層２３０、第２導電層２４０、キャッピング層２５０、保護層２６０、サブ導電層２７０、及びサブ保護層２８０を含み得る。
第１導電層２１０は平坦化層１８０上の各画素ＰＸに配置され得る。第１導電層２１０は平坦化層１８０に形成されたコンタクトホール１８１を介して画素ＰＸごとに配置された薄膜トランジスタＴのドレイン電極１７３と電気的に接続され得る。第１導電層２１０は有機発光素子２００の画素電極またはアノード電極になる。
第１導電層２１０は仕事関数が高い導電性物質を含み得る。例えば、第１導電層２１０は、ＩＴＯ、ＴＣＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３などの透明導電物質を含み得る。さらに、第１導電層２１０は前記のような透明導電物質層とリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）などの反射性金属のような導電性物質層の積層膜を含み得る。
第１導電層２１０は仕事関数が高い導電性物質を含み得る。例えば、第１導電層２１０は、ＩＴＯ、ＴＣＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３などの透明導電物質を含み得る。さらに、第１導電層２１０は前記のような透明導電物質層とリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）などの反射性金属のような導電性物質層の積層膜を含み得る。
画素定義膜２２０は平坦化層１８０上に第１導電層２１０の一部を覆うように配置され得る。画素定義膜２２０は有機発光素子２００の各画素ＰＸを区分する役割を果たす。画素定義膜２２０には各画素ＰＸに配置された第１導電層２１０の少なくとも一部を露出する第１開口Ｈ１が定義され得る。
画素定義膜２２０はアクリル係化合物、ＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ）またはＰＦＣＢ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ）などの有機物を含む画素定義膜第１層２２１と、無機物を含み、画素定義膜第１層２２１を覆う画素定義膜第２層２２２とを含む多重層からなる。画素定義膜第２層２２２は画素定義膜第１層２２１の上面だけでなく、第１開口Ｈ１側の側壁を覆うように形成され得る。
画素定義膜２２０が有機物からなれば、第１開口Ｈ１を形成するためにパターニングする過程で第１導電層２１０が損傷することを防止して製造工程を単純化できるが、空気や水分が画素定義膜２２０を介して有機発光層２３０に侵入できるので、無機物を含む第２層２２２を介して空気や水分が画素定義膜２２０の内部に侵入することを防止することができる。
画素定義膜第２層２２２は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）などの無機物を含み得、画素定義膜第１層２２１の上面を完全に覆うように配置され得る。
画素定義膜２２０はアクリル係化合物、ＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ）またはＰＦＣＢ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ）などの有機物を含む画素定義膜第１層２２１と、無機物を含み、画素定義膜第１層２２１を覆う画素定義膜第２層２２２とを含む多重層からなる。画素定義膜第２層２２２は画素定義膜第１層２２１の上面だけでなく、第１開口Ｈ１側の側壁を覆うように形成され得る。
画素定義膜２２０が有機物からなれば、第１開口Ｈ１を形成するためにパターニングする過程で第１導電層２１０が損傷することを防止して製造工程を単純化できるが、空気や水分が画素定義膜２２０を介して有機発光層２３０に侵入できるので、無機物を含む第２層２２２を介して空気や水分が画素定義膜２２０の内部に侵入することを防止することができる。
画素定義膜第２層２２２は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）などの無機物を含み得、画素定義膜第１層２２１の上面を完全に覆うように配置され得る。
第１開口Ｈ１により露出された第１導電層２１０上には有機発光層２３０が配置され得る。有機発光層２３０は正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上と発光層を含む多重層で形成され得る。
有機発光層２３０は各々無機物質を含んでなる保護層２６０、画素定義膜第２層２２２、第１導電層２１０及びサブ導電層２７０に囲まれ、完全に密閉され得る。これにより外部異物や水分が有機発光層２３０の内部に侵入することを効果的に防止することができる。
第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、及び第３画素ＰＸ３に各々配置された有機発光層２３０は赤色、緑色、及び青色を各々放出し得る。
有機発光層２３０上には第２導電層２４０が配置され得る。第２導電層２４０は画素定義膜２２０の上面の一部を覆い得る。
有機発光層２３０は各々無機物質を含んでなる保護層２６０、画素定義膜第２層２２２、第１導電層２１０及びサブ導電層２７０に囲まれ、完全に密閉され得る。これにより外部異物や水分が有機発光層２３０の内部に侵入することを効果的に防止することができる。
第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、及び第３画素ＰＸ３に各々配置された有機発光層２３０は赤色、緑色、及び青色を各々放出し得る。
有機発光層２３０上には第２導電層２４０が配置され得る。第２導電層２４０は画素定義膜２２０の上面の一部を覆い得る。
第２導電層２４０は仕事関数が低い導電性物質を含み得る。例えば、第２導電層２４０は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、ＢａＦ、Ｂａ、Ｙｂまたはこれらの化合物や混合物などの金属を含み得、ＩＴＯ、ＴＣＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３などの透明導電物質を含み得る。
例示的な実施形態において、第２導電層２４０はＡｇやＭｇなどを含む薄い金属層、ＴＣＯなどを含む透明導電膜または前記金属層と導電膜が積層された多重層であり得、これにより下部に配置された有機発光層２３０で放出された光が第２導電層２４０を透過し得る。ただし、これに限定されない。
第２導電層２４０は各画素ＰＸにのみ非連続的に配置されたアイランド（Ｉｓｌａｎｄ、島）形態で配置され得る。これにより、各画素ＰＸに配置された第２導電層２４０は互いに直接的に接しなくてもよい。各画素ＰＸに配置された第２導電層２４０は有機発光素子２００のカソード電極として機能し得、サブ導電層２７０により電気的に接続して共通電極として機能し得る。
前記第２導電層２４０上にはキャッピング層２５０が配置され得る。キャッピング層２５０は有機発光層２３０の光取り出し効率を向上させ得、有機発光素子２００のパターニング時にプラズマから有機発光層２３０を保護する役割もし得る。キャッピング層２５０は省略し得る。
例示的な実施形態において、第２導電層２４０はＡｇやＭｇなどを含む薄い金属層、ＴＣＯなどを含む透明導電膜または前記金属層と導電膜が積層された多重層であり得、これにより下部に配置された有機発光層２３０で放出された光が第２導電層２４０を透過し得る。ただし、これに限定されない。
第２導電層２４０は各画素ＰＸにのみ非連続的に配置されたアイランド（Ｉｓｌａｎｄ、島）形態で配置され得る。これにより、各画素ＰＸに配置された第２導電層２４０は互いに直接的に接しなくてもよい。各画素ＰＸに配置された第２導電層２４０は有機発光素子２００のカソード電極として機能し得、サブ導電層２７０により電気的に接続して共通電極として機能し得る。
前記第２導電層２４０上にはキャッピング層２５０が配置され得る。キャッピング層２５０は有機発光層２３０の光取り出し効率を向上させ得、有機発光素子２００のパターニング時にプラズマから有機発光層２３０を保護する役割もし得る。キャッピング層２５０は省略し得る。
キャッピング層２５０上には保護層２６０が配置され得る。キャッピング層２５０が省略される場合、第２導電層２４０上に直接、保護層２６０が配置され得る。
保護層２６０は下部の有機発光層２３０を含む素子をエンカプセレーション（Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ、密閉）する役割を果たす層として、有機発光素子２００のパターニング時形成されたフォトレジストを除去する時、有機発光層２３０が損傷することを防止する。したがって、保護層２６０を適用すれば高価なリフトオフ層（Ｌｉｆｔ－Ｏｆｆ Ｌａｙｅｒ）の使用を省略し得る。また、保護層２６０はある一種類の画素ＰＸに有機発光層２３０を形成した後他の画素ＰＸに有機発光層２３０を形成する時、外部衝撃、エッチング物質または外気などから既に形成された有機発光層２３０を保護する役割を果たし得る。
保護層２６０は第２導電層２４０及びキャッピング層２５０を覆い、第２導電層２４０の一部は露出するように配置され得る。具体的には、第２導電層２４０の外側の一部分が保護層２６０に覆われず露出され得、前記露出された部分を介してサブ導電層２７０と電気的に接触し得る。
保護層２６０は各画素ＰＸの内側に配置され得る。これにより、各画素ＰＸに配置された保護層２６０は互いに接しないように配置され得る。
保護層２６０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）などの無機物を含み得る。
保護層２６０は下部の有機発光層２３０を含む素子をエンカプセレーション（Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ、密閉）する役割を果たす層として、有機発光素子２００のパターニング時形成されたフォトレジストを除去する時、有機発光層２３０が損傷することを防止する。したがって、保護層２６０を適用すれば高価なリフトオフ層（Ｌｉｆｔ－Ｏｆｆ Ｌａｙｅｒ）の使用を省略し得る。また、保護層２６０はある一種類の画素ＰＸに有機発光層２３０を形成した後他の画素ＰＸに有機発光層２３０を形成する時、外部衝撃、エッチング物質または外気などから既に形成された有機発光層２３０を保護する役割を果たし得る。
保護層２６０は第２導電層２４０及びキャッピング層２５０を覆い、第２導電層２４０の一部は露出するように配置され得る。具体的には、第２導電層２４０の外側の一部分が保護層２６０に覆われず露出され得、前記露出された部分を介してサブ導電層２７０と電気的に接触し得る。
保護層２６０は各画素ＰＸの内側に配置され得る。これにより、各画素ＰＸに配置された保護層２６０は互いに接しないように配置され得る。
保護層２６０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）などの無機物を含み得る。
サブ導電層２７０は画素定義膜２２０上の各画素ＰＸの間に配置され得る。これにより、サブ導電層２７０は任意の一画素ＰＸを中心にその外側に配置され得る。サブ導電層２７０は周辺画素ＰＸの第２導電層２４０の前記露出された部分に接することによって互いに異なる画素ＰＸに配置された第２導電層２４０を電気的に接続し得る。
例示的な実施形態において、サブ導電層２７０は平面上格子型に区切られた複数の画素ＰＸの間または境界を満たし、各画素ＰＸに配置された第２導電層２４０の露出された部分と一部分が重畳するように配置され得る。前記重畳した部分はサブ導電層２７０と第２導電層２４０が接する部分であり得る。
サブ導電層２７０は画素定義膜２２０表面と第２導電層２４０、キャッピング層２５０及び保護層２６０の側面の少なくとも一部を覆うように配置され得る。サブ導電層２７０は保護層２６０の少なくとも一部分上には配置されなくてもよい。例えば、サブ導電層２７０は保護層２６０上の画素ＰＸが定義された領域には配置されなくてもよい。また、サブ導電層２７０は有機発光層２４０には重畳しなくてもよい。
サブ導電層２７０は前述した第２導電層２４０が含み得る物質を含み得、第２導電層２４０と同一物質からなることもできる。サブ導電層２７０は有機発光層２３０から光が放出される経路上に配置されなくてもよいので、第２導電層２４０より厚く形成され得る。
例示的な実施形態において、サブ導電層２７０は平面上格子型に区切られた複数の画素ＰＸの間または境界を満たし、各画素ＰＸに配置された第２導電層２４０の露出された部分と一部分が重畳するように配置され得る。前記重畳した部分はサブ導電層２７０と第２導電層２４０が接する部分であり得る。
サブ導電層２７０は画素定義膜２２０表面と第２導電層２４０、キャッピング層２５０及び保護層２６０の側面の少なくとも一部を覆うように配置され得る。サブ導電層２７０は保護層２６０の少なくとも一部分上には配置されなくてもよい。例えば、サブ導電層２７０は保護層２６０上の画素ＰＸが定義された領域には配置されなくてもよい。また、サブ導電層２７０は有機発光層２４０には重畳しなくてもよい。
サブ導電層２７０は前述した第２導電層２４０が含み得る物質を含み得、第２導電層２４０と同一物質からなることもできる。サブ導電層２７０は有機発光層２３０から光が放出される経路上に配置されなくてもよいので、第２導電層２４０より厚く形成され得る。
保護層２６０上にはサブ保護層２８０が保護層２６０及びサブ導電層２７０を覆うように配置され得る。サブ保護層２８０は保護層２６０の機能を補完できる層として、前述した保護層２６０の物質を含むか、保護層２６０と同一物質からなることもできる。サブ保護層２８０は省略し得る。
前述した通り、本発明の実施形態による有機発光表示装置は有機発光層２３０が保護層２６０、画素定義膜第２層２２２、第１導電層２１０、及びサブ導電層２７０に囲まれ、完全に密閉され得るので、外部異物や水分が有機発光層２３０の内部に侵入することを効果的に防止することができる。
また、有機発光層２３０が各画素に独立して配置された保護層２６０によって各画素別にパッケージングされ得るので、一部画素に配置された有機発光層２３０に発生した損傷が他の画素に配置された有機発光層２３０に影響を与えられない。
また、有機発光層２３０が各画素に独立して配置された保護層２６０によって各画素別にパッケージングされ得るので、一部画素に配置された有機発光層２３０に発生した損傷が他の画素に配置された有機発光層２３０に影響を与えられない。
以下、本発明の他の実施形態について説明する。
図３は本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
図３の有機発光表示装置はサブ保護層２８１がサブ導電層２７１を除いた保護層２６０だけを覆うように配置された点を除いては前述した図２の説明と同様である。以下では重複する内容は省略する。
図３を参照すれば、保護層２６０上にはサブ保護層２８１が保護層２６０を覆うように配置され得る。サブ導電層２７１は画素定義膜２２０上で第２導電層２４０、キャッピング層２５０、及び保護層２６０だけでなくサブ保護層２８１の側面の少なくとも一部分を覆うように配置され得る。
図３に示すような有機発光表示装置も、有機発光層２３０が保護層２６０、画素定義膜第２層２２２、第１導電層２１０、及びサブ導電層２７０に囲まれ、完全に密閉されることによって外部異物や水分が有機発光層２３０の内部に侵入することを効果的に防止でき、有機発光層２３０が各画素に独立して配置された保護層２６０によって、各画素別にパッケージングされることにより、一部画素に配置された有機発光層２３０に発生した損傷が他の画素に配置された有機発光層２３０に影響を与えない。
また、保護層２６０上にサブ保護層２８１が直接配置されることによって、有機発光層２３０を集中的に保護し得る。
図３は本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
図３の有機発光表示装置はサブ保護層２８１がサブ導電層２７１を除いた保護層２６０だけを覆うように配置された点を除いては前述した図２の説明と同様である。以下では重複する内容は省略する。
図３を参照すれば、保護層２６０上にはサブ保護層２８１が保護層２６０を覆うように配置され得る。サブ導電層２７１は画素定義膜２２０上で第２導電層２４０、キャッピング層２５０、及び保護層２６０だけでなくサブ保護層２８１の側面の少なくとも一部分を覆うように配置され得る。
図３に示すような有機発光表示装置も、有機発光層２３０が保護層２６０、画素定義膜第２層２２２、第１導電層２１０、及びサブ導電層２７０に囲まれ、完全に密閉されることによって外部異物や水分が有機発光層２３０の内部に侵入することを効果的に防止でき、有機発光層２３０が各画素に独立して配置された保護層２６０によって、各画素別にパッケージングされることにより、一部画素に配置された有機発光層２３０に発生した損傷が他の画素に配置された有機発光層２３０に影響を与えない。
また、保護層２６０上にサブ保護層２８１が直接配置されることによって、有機発光層２３０を集中的に保護し得る。
図４は本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
図４の有機発光表示装置は保護層２６０上にカラーフィルタ３１０、サブ導電層２７２、サブ保護層２８２、及びブラックマトリックス３２０が順次に積層された点を除いては前述した図２の説明と同様である。以下では重複する内容は省略する。
図４を参照すれば、保護層２６０上にはカラーフィルタ３１０が配置され得る。カラーフィルタ３１０は下部の有機発光層２３０で放出された光を波長によって選別する役割をし得る。
カラーフィルタ３１０は前述した第１色、第２色、及び第３色に各々対応する第１カラーフィルタ３１１、第２カラーフィルタ３１２及び第３カラーフィルタ３１３に区分され得、各々第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、及び第３画素ＰＸ３に配置され得る。
カラーフィルタ３１０上にはサブ導電層２７２が配置され得る。サブ導電層２７２は図２に示すサブ導電層２７０とは異なり画素定義膜２２０、第２導電層２４０、キャッピング層２５０、保護層２６０、及びカラーフィルタ３１０の露出されたすべての表面を覆うように連続的に配置され得る。
サブ導電層２７２上にはサブ保護層２８２が前記サブ導電層２７２を覆うように配置され得る。
サブ保護層２８２上にはブラックマトリックス３２０が各画素ＰＸの間に配置され得る。ブラックマトリックス３２０は有機発光層２３０から放出される光が各画素ＰＸに限定された領域にのみ放出されるようにする役割を果たす。また、ブラックマトリックス３２０は各画素ＰＸの間に配置されたサブ導電層２７２による外光反射を防止する役割も果たすことができる。
図４の有機発光表示装置は保護層２６０上にカラーフィルタ３１０、サブ導電層２７２、サブ保護層２８２、及びブラックマトリックス３２０が順次に積層された点を除いては前述した図２の説明と同様である。以下では重複する内容は省略する。
図４を参照すれば、保護層２６０上にはカラーフィルタ３１０が配置され得る。カラーフィルタ３１０は下部の有機発光層２３０で放出された光を波長によって選別する役割をし得る。
カラーフィルタ３１０は前述した第１色、第２色、及び第３色に各々対応する第１カラーフィルタ３１１、第２カラーフィルタ３１２及び第３カラーフィルタ３１３に区分され得、各々第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、及び第３画素ＰＸ３に配置され得る。
カラーフィルタ３１０上にはサブ導電層２７２が配置され得る。サブ導電層２７２は図２に示すサブ導電層２７０とは異なり画素定義膜２２０、第２導電層２４０、キャッピング層２５０、保護層２６０、及びカラーフィルタ３１０の露出されたすべての表面を覆うように連続的に配置され得る。
サブ導電層２７２上にはサブ保護層２８２が前記サブ導電層２７２を覆うように配置され得る。
サブ保護層２８２上にはブラックマトリックス３２０が各画素ＰＸの間に配置され得る。ブラックマトリックス３２０は有機発光層２３０から放出される光が各画素ＰＸに限定された領域にのみ放出されるようにする役割を果たす。また、ブラックマトリックス３２０は各画素ＰＸの間に配置されたサブ導電層２７２による外光反射を防止する役割も果たすことができる。
図４に示すような有機発光表示装置も有機発光層２３０が保護層２６０、画素定義膜第２層２２２、第１導電層２１０、及びサブ導電層２７０に囲まれて、完全に密閉されることによって外部異物や水分が有機発光層２３０の内部に侵入することを効果的に防止でき、有機発光層２３０が各画素に独立的に配置された保護層２６０によって各画素別にパッケージングされることにより、一部画素に配置された有機発光層２３０に発生した損傷が他の画素に配置された有機発光層２３０に影響を与えない。
図５は本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
図５の有機発光表示装置はブラックマトリックス３２１上にサブ保護層２８３が配置された点を除いては前述した図４の説明と同様である。以下では重複する内容は省略する。
図５を参照すれば、ブラックマトリックス３２１はサブ導電層２７２上の各画素ＰＸの間に配置され、サブ保護層２８３はブラックマトリックス３２１上にブラックマトリックス３２１とサブ導電層２７２を覆うように配置され得る。
図５に示すような有機発光表示装置も、有機発光層２３０が保護層２６０、画素定義膜第２層２２２、第１導電層２１０、及びサブ導電層２７０に囲まれ、完全に密閉されることによって外部異物や水分が有機発光層２３０の内部に侵入することを効果的に防止でき、有機発光層２３０が各画素に独立して配置された保護層２６０によって各画素別にパッケージングされることにより、一部画素に配置された有機発光層２３０に発生した損傷が違う画素に配置された有機発光層２３０に影響を与えない。
また、サブ保護層２８３がブラックマトリックス３２１を覆うように配置されることによって、ブラックマトリックス３２１も水分、外気または異物などの侵入から保護することができる。
図５の有機発光表示装置はブラックマトリックス３２１上にサブ保護層２８３が配置された点を除いては前述した図４の説明と同様である。以下では重複する内容は省略する。
図５を参照すれば、ブラックマトリックス３２１はサブ導電層２７２上の各画素ＰＸの間に配置され、サブ保護層２８３はブラックマトリックス３２１上にブラックマトリックス３２１とサブ導電層２７２を覆うように配置され得る。
図５に示すような有機発光表示装置も、有機発光層２３０が保護層２６０、画素定義膜第２層２２２、第１導電層２１０、及びサブ導電層２７０に囲まれ、完全に密閉されることによって外部異物や水分が有機発光層２３０の内部に侵入することを効果的に防止でき、有機発光層２３０が各画素に独立して配置された保護層２６０によって各画素別にパッケージングされることにより、一部画素に配置された有機発光層２３０に発生した損傷が違う画素に配置された有機発光層２３０に影響を与えない。
また、サブ保護層２８３がブラックマトリックス３２１を覆うように配置されることによって、ブラックマトリックス３２１も水分、外気または異物などの侵入から保護することができる。
以下、前述した有機発光表示装置を製造する例示的な方法について説明する。
図６から図２０までは図２の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別断面図である。
図６を参照すれば、ベース基板１０１上にバッファ層１１０、活性層１２１、ゲート絶縁層１４０、ゲート電極１５１、層間絶縁層１６０、ソース電極１７２、ドレイン電極１７３、平坦化層１８０、及び第１導電層２１０を形成する。これについての具体的な方法は当業界に広く知られているので、その説明は省略する。
図６から図２０までは図２の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別断面図である。
図６を参照すれば、ベース基板１０１上にバッファ層１１０、活性層１２１、ゲート絶縁層１４０、ゲート電極１５１、層間絶縁層１６０、ソース電極１７２、ドレイン電極１７３、平坦化層１８０、及び第１導電層２１０を形成する。これについての具体的な方法は当業界に広く知られているので、その説明は省略する。
図７を参照すれば、次いで平坦化層１８０上に第１導電層２１０を露出する第１開口Ｈ１を含む画素定義膜２２０を形成する。具体的には、アクリル係化合物、ＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ）またはＰＦＣＢ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ）などを含む有機膜を積層してパターニングして画素定義膜第１層２２１を形成する。次いで、画素定義膜第１層２２１上に窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）などの無機物を含む無機膜を積層してパターニングし、画素定義膜第２層２２１を形成する。
図８を参照すれば、次いで画素定義膜２２０上に第１フォトレジストパターン５１０を形成する。第１フォトレジストパターン５１０は画素定義膜２２０と第１開口Ｈ１を覆うようにフォトレジスト組成物を塗布した後、前記フォトレジスト組成物をパターニングして形成し得る。フォトレジスト組成物はマスク（Ｍａｓｋ）を整列して露光し、現像液で現像（ｄｅｖｅｌｏｐ）する方式でパターニングし得る。
第１フォトレジストパターン５１０は一部画素ＰＸが定義された領域を露出する第２開口Ｈ２が定義されるように形成し得る。これにより、第１フォトレジストパターン５１０は複数の画素ＰＸのうち一部画素ＰＸのみを露出し、他の画素ＰＸと素子はすべて覆うように形成し得る。図８では第１フォトレジストパターン５１０が第１色を放出する第１画素ＰＸ１に該当する領域のみを露出し、他の領域は覆うように形成した場合を示す。
第１フォトレジストパターン５１０は逆テーパ形状を有するように形成し得る。例示的な実施形態において、第１フォトレジストパターン５１０はネガティブ（ｎｅｇａｔｉｖｅ）フォトレジスト組成物をパターニングして形成することによって逆テーパ形状を有し得るが、これに制限されない。
第１フォトレジストパターン５１０は一部画素ＰＸが定義された領域を露出する第２開口Ｈ２が定義されるように形成し得る。これにより、第１フォトレジストパターン５１０は複数の画素ＰＸのうち一部画素ＰＸのみを露出し、他の画素ＰＸと素子はすべて覆うように形成し得る。図８では第１フォトレジストパターン５１０が第１色を放出する第１画素ＰＸ１に該当する領域のみを露出し、他の領域は覆うように形成した場合を示す。
第１フォトレジストパターン５１０は逆テーパ形状を有するように形成し得る。例示的な実施形態において、第１フォトレジストパターン５１０はネガティブ（ｎｅｇａｔｉｖｅ）フォトレジスト組成物をパターニングして形成することによって逆テーパ形状を有し得るが、これに制限されない。
図９を参照すれば、次いで第２開口Ｈ２を介して、第１開口Ｈ１により露出された第１導電層２１０上に有機発光層２３０を形成する。有機発光層２３０はルツボを利用した蒸発（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）などの方式で蒸着し得る。
有機発光層２３０は有機発光物質を含む第１蒸着物を第２開口Ｈ２及び第１開口Ｈ１により露出された第１導電層２１０上に蒸着する方式で形成し得る。前記蒸着はマスクを利用しない全面蒸着方式で行われ得る。したがって、第１蒸着物は第２開口Ｈ２を介して露出された部分だけでなく、第１フォトレジストパターン５１０上にも蒸着され、第１蒸着層６１０を形成し得る。
有機発光層２３０は正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上と発光層を蒸着して多重層で形成し得、前記層を蒸着するために複数種の蒸着物を使用し得る。この場合、前記第１蒸着層６１０も多重層で形成され得る。
有機発光層２３０は有機発光物質を含む第１蒸着物を第２開口Ｈ２及び第１開口Ｈ１により露出された第１導電層２１０上に蒸着する方式で形成し得る。前記蒸着はマスクを利用しない全面蒸着方式で行われ得る。したがって、第１蒸着物は第２開口Ｈ２を介して露出された部分だけでなく、第１フォトレジストパターン５１０上にも蒸着され、第１蒸着層６１０を形成し得る。
有機発光層２３０は正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上と発光層を蒸着して多重層で形成し得、前記層を蒸着するために複数種の蒸着物を使用し得る。この場合、前記第１蒸着層６１０も多重層で形成され得る。
図１０を参照すれば、次いで第２開口Ｈ２を介して有機発光層２３０上に第２導電層２４０を形成する。
第２導電層２４０は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂなどの金属やＩＴＯ、ＩＺＯ、ＴＣＯなどの透明導電物質を含む第２蒸着物を第２開口Ｈ２により露出された有機発光層２３０上にスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、物理気相蒸着（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＶＤ）やメッキなどの方式で形成し得る。
前記第２導電層２４０の形成方式は等方性を有する方式であり得る。これにより、第２導電層２４０を第２開口Ｈ２の入口より広い面積で形成し得、有機発光層２３０の上面と画素定義膜２２０の側面及び上面一部を覆うように形成し得る。
第２蒸着物の蒸着もマスクを利用しない全面蒸着方式で行われる。したがって、第２蒸着物は第２開口Ｈ２を介して露出された部分だけでなく、第１フォトレジストパターン５１０上に形成された第１蒸着層６１０上にも蒸着され、第２蒸着層６２０を形成し得る。
第２導電層２４０は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂなどの金属やＩＴＯ、ＩＺＯ、ＴＣＯなどの透明導電物質を含む第２蒸着物を第２開口Ｈ２により露出された有機発光層２３０上にスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、物理気相蒸着（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＶＤ）やメッキなどの方式で形成し得る。
前記第２導電層２４０の形成方式は等方性を有する方式であり得る。これにより、第２導電層２４０を第２開口Ｈ２の入口より広い面積で形成し得、有機発光層２３０の上面と画素定義膜２２０の側面及び上面一部を覆うように形成し得る。
第２蒸着物の蒸着もマスクを利用しない全面蒸着方式で行われる。したがって、第２蒸着物は第２開口Ｈ２を介して露出された部分だけでなく、第１フォトレジストパターン５１０上に形成された第１蒸着層６１０上にも蒸着され、第２蒸着層６２０を形成し得る。
図１１を参照すれば、次いで第２開口Ｈ２を介して第２導電層２４０上にキャッピング層２５１を形成する。キャッピング層２５１は第３蒸着物を第２開口Ｈ２により露出された第２導電層２４０上に蒸着する方式で形成し得る。
キャッピング層２５１の形成は等方性を有する蒸着工程によりなされ得る。これにより、キャッピング層２５１を第２開口Ｈ２の入口より広い面積で形成し得、第２導電層２４０の上面と画素定義膜２２０の上面一部を覆うように形成し得る。
しかし、これに制限されず、工程条件に応じてキャッピング層２５１を第２導電層２４０の上面の一部のみを覆うように形成し得る。
第３蒸着物は第２開口Ｈ２を介して露出された部分だけでなく、第１フォトレジストパターン５１０上に形成された第２蒸着層６２０上にも蒸着され、第３蒸着層６３０を形成し得る。
キャッピング層２５１を形成する段階は省略し得、これにより第２導電層２４０上に直接、保護層２６１を形成し得る。
キャッピング層２５１の形成は等方性を有する蒸着工程によりなされ得る。これにより、キャッピング層２５１を第２開口Ｈ２の入口より広い面積で形成し得、第２導電層２４０の上面と画素定義膜２２０の上面一部を覆うように形成し得る。
しかし、これに制限されず、工程条件に応じてキャッピング層２５１を第２導電層２４０の上面の一部のみを覆うように形成し得る。
第３蒸着物は第２開口Ｈ２を介して露出された部分だけでなく、第１フォトレジストパターン５１０上に形成された第２蒸着層６２０上にも蒸着され、第３蒸着層６３０を形成し得る。
キャッピング層２５１を形成する段階は省略し得、これにより第２導電層２４０上に直接、保護層２６１を形成し得る。
図１２を参照すれば、次いで第２開口Ｈ２を介してキャッピング層２５１上に保護層２６１を形成する。キャッピング層２５１を省略する場合、第２導電層２４０上に保護層２６１を形成し得る。
保護層２６１は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）などの無機物を含む第４蒸着物を第２開口Ｈ２により露出されたキャッピング層２５１上に蒸着する方式で形成し得る。
前記蒸着方式は等方性を有する工程であり得る。これにより、保護層２６１を第２開口Ｈ２の入口より広い面積で形成し得、第２導電層２４０及びキャッピング層２５１の上面と画素定義膜２２０の上面の一部を覆うように形成し得る。
第４蒸着物は第２開口Ｈ２を介して露出された部分だけでなく、第１フォトレジストパターン５１０上に形成された第３蒸着層６３０上にも蒸着され、第４蒸着層６４０を形成し得る。
保護層２６１は下部の有機発光層２３０と第２導電層２４０を完全に覆うように形成し得る。具体的には、保護層２６１の外側が画素定義膜２２０と接するように形成し、下部の有機発光層２３０と第２導電層２４０が露出しないようにし得る。
保護層２６１は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）などの無機物を含む第４蒸着物を第２開口Ｈ２により露出されたキャッピング層２５１上に蒸着する方式で形成し得る。
前記蒸着方式は等方性を有する工程であり得る。これにより、保護層２６１を第２開口Ｈ２の入口より広い面積で形成し得、第２導電層２４０及びキャッピング層２５１の上面と画素定義膜２２０の上面の一部を覆うように形成し得る。
第４蒸着物は第２開口Ｈ２を介して露出された部分だけでなく、第１フォトレジストパターン５１０上に形成された第３蒸着層６３０上にも蒸着され、第４蒸着層６４０を形成し得る。
保護層２６１は下部の有機発光層２３０と第２導電層２４０を完全に覆うように形成し得る。具体的には、保護層２６１の外側が画素定義膜２２０と接するように形成し、下部の有機発光層２３０と第２導電層２４０が露出しないようにし得る。
図１３を参照すれば、次いで第１フォトレジストパターン５１０を除去する。第１フォトレジストパターン５１０を除去することにより第１フォトレジストパターン５１０上に形成されていた第１蒸着層第４蒸着層までも除去することができる。
第１フォトレジストパターン５１０は剥離液（ｓｔｒｉｐｐｅｒ）を使用してリフトオフ（ｌｉｆｔ－ｏｆｆ）する方式で除去し得る。第１フォトレジストパターン５１０が逆テーパ形状を有する場合、リフトオフが容易に行われ得る。
第２蒸着物から第４蒸着物までを化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）で蒸着すれば、第２導電層２４０、キャッピング層２５１及び保護層２６１が第１フォトレジストパターン５１０上に形成された第２蒸着層から第４蒸着層（６２０、６３０、６４０）までと連結されず、不連続的に形成され得るので、リフトオフが容易に行われ得る。
しかし、これに制限されず、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）による場合にも工程条件によって第２導電層２４０、キャッピング層２５１及び保護層２６１と第１蒸着層から第４蒸着層（６２０、６３０、６４０）までが互いに不連続的に形成され得、これによりリフトオフを容易に行うことができる。
第１フォトレジストパターン５１０は剥離液（ｓｔｒｉｐｐｅｒ）を使用してリフトオフ（ｌｉｆｔ－ｏｆｆ）する方式で除去し得る。第１フォトレジストパターン５１０が逆テーパ形状を有する場合、リフトオフが容易に行われ得る。
第２蒸着物から第４蒸着物までを化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）で蒸着すれば、第２導電層２４０、キャッピング層２５１及び保護層２６１が第１フォトレジストパターン５１０上に形成された第２蒸着層から第４蒸着層（６２０、６３０、６４０）までと連結されず、不連続的に形成され得るので、リフトオフが容易に行われ得る。
しかし、これに制限されず、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）による場合にも工程条件によって第２導電層２４０、キャッピング層２５１及び保護層２６１と第１蒸着層から第４蒸着層（６２０、６３０、６４０）までが互いに不連続的に形成され得、これによりリフトオフを容易に行うことができる。
図１４は本発明の他の実施形態により第１フォトレジストパターン５１０を除去する方法を示す断面図である。
図１４を参照すれば、図１２の第２開口Ｈ２により露出された領域を満たすように第２フォトレジストパターン５２０を形成する。第２フォトレジストパターン５２０は第１フォトレジストパターン５１０より高く形成し得る。
第２フォトレジストパターン５２０はフォトレジスト組成物を第１フォトレジストパターン５１０と第２開口Ｈ２を覆うように塗布した後、前記フォトレジスト組成物をパターニングして形成し得る。
第２フォトレジストパターン５２０は正テーパ形状を有するように形成し得る。例示的な実施形態において、第２フォトレジストパターン５２０はポジティブ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）フォトレジスト組成物をパターニングして形成することによって正テーパ形状を有し得るが、これに制限されない。
次いで、第２フォトレジストパターン５２０が形成されない領域の第１フォトレジストパターン５１０を先に除去した後、第２フォトレジストパターン５２０を除去して図１３に示すような状態を形成し得る。
図１４を参照すれば、図１２の第２開口Ｈ２により露出された領域を満たすように第２フォトレジストパターン５２０を形成する。第２フォトレジストパターン５２０は第１フォトレジストパターン５１０より高く形成し得る。
第２フォトレジストパターン５２０はフォトレジスト組成物を第１フォトレジストパターン５１０と第２開口Ｈ２を覆うように塗布した後、前記フォトレジスト組成物をパターニングして形成し得る。
第２フォトレジストパターン５２０は正テーパ形状を有するように形成し得る。例示的な実施形態において、第２フォトレジストパターン５２０はポジティブ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）フォトレジスト組成物をパターニングして形成することによって正テーパ形状を有し得るが、これに制限されない。
次いで、第２フォトレジストパターン５２０が形成されない領域の第１フォトレジストパターン５１０を先に除去した後、第２フォトレジストパターン５２０を除去して図１３に示すような状態を形成し得る。
第１フォトレジストパターン５１０と第２フォトレジストパターン５２０は互いに異なる剥離液で除去される物質であり得る。ただし、これに制限されず、第１フォトレジストパターン５１０と第２フォトレジストパターン５２１は同一の種類の剥離液によって除去される物質であり得る。
例示的な実施形態において、乾式エッチング（ｄｒｙ ｅｔｃｈ）により無機物からなる第１フォトレジストパターン５１０上の蒸着層（６２０、６３０、６４０）を除去した後、湿式エッチング（ｄｒｙ ｅｔｃｈ）により第１蒸着層６１０及びフォトレジストパターン（５１０、５２０）を除去することができる。ただし、これに制限されず、必要に応じて乾式エッチング、湿式エッチング、アッシング（ａｓｈｉｎｇ）などの方法でその種類と順序を適切に選択して使用し得る。
第２フォトレジストパターン５２０を第２開口Ｈ２により露出された画素ＰＸ領域に形成した後に除去することによって、第１フォトレジストパターン５１０をリフトオフする時、画素ＰＸ領域に配置された有機発光層２３０、保護層２６１などの素子が損傷する現像を防止し得る。
第２フォトレジストパターン５２０を第２開口Ｈ２により露出された画素ＰＸ領域に形成した後に除去することによって、第１フォトレジストパターン５１０をリフトオフする時、画素ＰＸ領域に配置された有機発光層２３０、保護層２６１などの素子が損傷する現像を防止し得る。
図１５は本発明のまた他の実施形態により第１フォトレジストパターン５１０を除去する方法を示す断面図である。
図１５を参照すれば、図１２の第２開口Ｈ２内に第２フォトレジストパターン５２１を形成する。第２フォトレジストパターン５２１は第１フォトレジストパターン５１０より低く形成し得る。
第２フォトレジストパターン５２１はフォトレジスト組成物を第１フォトレジストパターン５１０と第２開口Ｈ２を覆うように塗布した後、前記フォトレジスト組成物を全面現像して形成し得る。フォトレジスト組成物を全面現像すれば第１フォトレジストパターン５１０上のフォトレジスト組成物は除去され、第２開口Ｈ２に形成された第２フォトレジストパターン５２１は第１フォトレジストパターン５１０より低く形成され得る。
図１５を参照すれば、図１２の第２開口Ｈ２内に第２フォトレジストパターン５２１を形成する。第２フォトレジストパターン５２１は第１フォトレジストパターン５１０より低く形成し得る。
第２フォトレジストパターン５２１はフォトレジスト組成物を第１フォトレジストパターン５１０と第２開口Ｈ２を覆うように塗布した後、前記フォトレジスト組成物を全面現像して形成し得る。フォトレジスト組成物を全面現像すれば第１フォトレジストパターン５１０上のフォトレジスト組成物は除去され、第２開口Ｈ２に形成された第２フォトレジストパターン５２１は第１フォトレジストパターン５１０より低く形成され得る。
次いで、第１フォトレジストパターン５１０と第２フォトレジストパターン５２１を除去して図１３に示すような状態を形成し得る。
例示的な実施形態において、第１フォトレジストパターン５１０と第２フォトレジストパターン５２１は同じ種類の剥離液によって除去される物質であり得る。ただし、これに制限されず、第１フォトレジストパターン５１０と第２フォトレジストパターン５２１が互いに異なる種類の剥離液によって除去される物質であり得る。
例示的な実施形態において、第１剥離液で第１フォトレジストパターン５１０を除去し、次いで乾式エッチングで無機物を含む蒸着層（６２０、６３０、６４０）を除去した後、次いで第１剥離液と組成が違う第２剥離液で第２フォトレジストパターン５２１を除去し得る。これにより、嵩が大きい無機物粒子（ｐａｒｔｉｃｌｅ）が発生して工程装備のフィルタが詰まる現像を防止することができる。
例示的な実施形態において、第１フォトレジストパターン５１０と第２フォトレジストパターン５２１は同じ種類の剥離液によって除去される物質であり得る。ただし、これに制限されず、第１フォトレジストパターン５１０と第２フォトレジストパターン５２１が互いに異なる種類の剥離液によって除去される物質であり得る。
例示的な実施形態において、第１剥離液で第１フォトレジストパターン５１０を除去し、次いで乾式エッチングで無機物を含む蒸着層（６２０、６３０、６４０）を除去した後、次いで第１剥離液と組成が違う第２剥離液で第２フォトレジストパターン５２１を除去し得る。これにより、嵩が大きい無機物粒子（ｐａｒｔｉｃｌｅ）が発生して工程装備のフィルタが詰まる現像を防止することができる。
図１６を参照すれば、次いで図６から図１５までと同様の方法により残りの画素ＰＸ領域に対して有機発光層２３０、第２導電層２４０、キャッピング層２５１及び保護層２６１を形成する。
図１６では第２色及び第３色を各々放出する第２画素ＰＸ２及び第３画素ＰＸ３に前記層を形成した場合を示し、第２画素ＰＸ２及び第３画素ＰＸ３の有機発光層２３０は第１画素ＰＸ１の有機発光層２３０と違う波長の光を放出するものであり得る。
有機発光層２３０及び第２導電層２４０を完全に覆う保護層２６１を形成することによって、他の画素ＰＸに対して有機発光素子２００を形成する間既に形成された有機発光層２３０を外気、異物、工程中に発生する物理・化学的な衝撃などから保護することができる。有機発光層２３０は下部の第１導電層２１０、側部の画素定義膜２２０、及び上部の保護層２６１に囲まれて完全に密閉される。
有機発光層２３０及び第２導電層２４０を完全に覆う保護層２６１を形成することによって、他の画素ＰＸに対して有機発光素子２００を形成する間既に形成された有機発光層２３０を外気、異物、工程中に発生する物理・化学的な衝撃などから保護することができる。有機発光層２３０は下部の第１導電層２１０、側部の画素定義膜２２０、及び上部の保護層２６１に囲まれて完全に密閉される。
図１７を参照すれば、次いで保護層２６１上に第３フォトレジストパターン５３０を形成する。第３フォトレジストパターン５３０は保護層２６１の外側は覆わないように形成し得る。これにより、保護層２６１及び第２導電層２４０の外側の一部分は第３フォトレジストパターン５３０と重畳しなくてもよい。
第３フォトレジストパターン５３０は逆テーパ形状を有するように形成し得る。第３フォトレジストパターン５３０を形成する方法は前述した第１フォトレジストパターン５１０を形成する方法と実質的に同じであるので、重複する説明は省略する。
第３フォトレジストパターン５３０は逆テーパ形状を有するように形成し得る。第３フォトレジストパターン５３０を形成する方法は前述した第１フォトレジストパターン５１０を形成する方法と実質的に同じであるので、重複する説明は省略する。
図１８を参照すれば、次いで第２導電層２４０の少なくとも一部を露出するようにキャッピング層２５１及び保護層２６１をエッチングする。具体的には、第２導電層２４０の外側中の第３フォトレジストパターン５３０と重畳しない部分を露出するように保護層２６１及びキャッピング層２５１をエッチングし得る。
図１９を参照すれば、次に第２導電層２４０の露出された部分を連結するサブ導電層２７０を形成する。
サブ導電層２７０は一画素ＰＸの第２導電層２４０が他の画素ＰＸの第２導電層２４０と電気的に接続され、共通電極としての機能を果たすようにすることができる。
サブ導電層２７０はＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂなどの金属やＩＴＯ、ＩＺＯ、ＴＣＯなどの透明導電物質を含む第５蒸着物を画素定義膜２２０と第２導電層２４０の露出された部分上にスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、物理気相蒸着（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＶＤ）やメッキなどの方式で形成し得る。
サブ導電層２７０は互いに異なる各画素ＰＸに配置された第２導電層２４０の露出された部分と接するように画素定義膜２２０上に形成し得、キャッピング層２５０及び保護層２６０の一部分とも接し得る。
サブ導電層２７０は画素ＰＸが定義された領域でない各画素ＰＸの間の領域に形成され得るので、第２導電層２４０より厚く形成し得る。
第５蒸着物は第３フォトレジストパターン５３０上にも蒸着され、第５蒸着層６５０を形成し得る。
サブ導電層２７０は一画素ＰＸの第２導電層２４０が他の画素ＰＸの第２導電層２４０と電気的に接続され、共通電極としての機能を果たすようにすることができる。
サブ導電層２７０はＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂなどの金属やＩＴＯ、ＩＺＯ、ＴＣＯなどの透明導電物質を含む第５蒸着物を画素定義膜２２０と第２導電層２４０の露出された部分上にスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、物理気相蒸着（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＶＤ）やメッキなどの方式で形成し得る。
サブ導電層２７０は互いに異なる各画素ＰＸに配置された第２導電層２４０の露出された部分と接するように画素定義膜２２０上に形成し得、キャッピング層２５０及び保護層２６０の一部分とも接し得る。
サブ導電層２７０は画素ＰＸが定義された領域でない各画素ＰＸの間の領域に形成され得るので、第２導電層２４０より厚く形成し得る。
第５蒸着物は第３フォトレジストパターン５３０上にも蒸着され、第５蒸着層６５０を形成し得る。
図２０を参照すれば、次いで第３フォトレジストパターン５３０を除去する。第３フォトレジストパターン５３０を除去することにより第３フォトレジストパターン５３０上に形成されていた第５蒸着層６５０も除去することができる。
第３フォトレジストパターン５３０は剥離液を使用してリフトオフする方式で除去し得る。第３フォトレジストパターン５３０が逆テーパ形状を有する場合、リフトオフが容易に行われ得る。ただし、これに制限されず、図２１のように正テーパ形状を有する第４フォトレジストパターン５４０を使用することもできる。
その後、サブ保護層２８０を形成して図２に示すような有機発光表示装置を製造し得る。また、サブ導電層２７０とサブ保護層２８０の形成順序を逆にして図３に示すような有機発光表示装置を製造することもできる。
第３フォトレジストパターン５３０は剥離液を使用してリフトオフする方式で除去し得る。第３フォトレジストパターン５３０が逆テーパ形状を有する場合、リフトオフが容易に行われ得る。ただし、これに制限されず、図２１のように正テーパ形状を有する第４フォトレジストパターン５４０を使用することもできる。
その後、サブ保護層２８０を形成して図２に示すような有機発光表示装置を製造し得る。また、サブ導電層２７０とサブ保護層２８０の形成順序を逆にして図３に示すような有機発光表示装置を製造することもできる。
図２２から図２４までは図４及び５の有機発光表示装置に対する製造方法の工程段階別断面図である。
図２２を参照すれば、図１６の保護層２６１上にカラーフィルタ３１０を形成する。カラーフィルタ３１０は保護層２６１と第２導電層２４０の外側を覆わないように形成し得る。これにより、保護層２６１及び第２導電層２４０の外側の一部分はカラーフィルタ３１０と重畳しなくてもよい。
カラーフィルタ３１０は第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２及び第３画素ＰＸ３ごとに各々第１色、第２色及び第３色をフィルタリングする第１カラーフィルタ３１１、第２カラーフィルタ３１２及び第３カラーフィルタ３１３に各々区分して形成し得る。
図２２を参照すれば、図１６の保護層２６１上にカラーフィルタ３１０を形成する。カラーフィルタ３１０は保護層２６１と第２導電層２４０の外側を覆わないように形成し得る。これにより、保護層２６１及び第２導電層２４０の外側の一部分はカラーフィルタ３１０と重畳しなくてもよい。
カラーフィルタ３１０は第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２及び第３画素ＰＸ３ごとに各々第１色、第２色及び第３色をフィルタリングする第１カラーフィルタ３１１、第２カラーフィルタ３１２及び第３カラーフィルタ３１３に各々区分して形成し得る。
図２３を参照すれば、次いで第２導電層２４０の少なくとも一部を露出するようにキャッピング層２５１及び保護層２６１をエッチングする。具体的には、第２導電層２４０の外側中のカラーフィルタ３１０と重畳しない部分を露出するように保護層２６１及びキャッピング層２５１をエッチングし得る。
図２４を参照すれば、次いで第２導電層２４０の露出された部分を連結するサブ導電層２７２を形成する。
カラーフィルタ３１０は第３フォトレジストパターン５３０及び第４フォトレジストパターン５４０と異なり、別途に除去する過程を経ないので、サブ導電層２７２は図２０のサブ導電層２７０とは異なり画素定義膜２２０、第２導電層２４０、キャッピング層２５０、保護層２６０、及びカラーフィルタ３１０の露出されたすべての表面を覆うように連続して形成し得る。
その後、サブ導電層２７２上にサブ保護層（２８２、２８３）及びブラックマトリックス（３２０、３２１）を形成して図４または図５に示すような有機発光表示装置を製造し得る。
カラーフィルタ３１０は第３フォトレジストパターン５３０及び第４フォトレジストパターン５４０と異なり、別途に除去する過程を経ないので、サブ導電層２７２は図２０のサブ導電層２７０とは異なり画素定義膜２２０、第２導電層２４０、キャッピング層２５０、保護層２６０、及びカラーフィルタ３１０の露出されたすべての表面を覆うように連続して形成し得る。
その後、サブ導電層２７２上にサブ保護層（２８２、２８３）及びブラックマトリックス（３２０、３２１）を形成して図４または図５に示すような有機発光表示装置を製造し得る。
以上添付した図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明が、その技術的思想や必須の特徴を変更せず、他の具体的な形態で実施され得るということを理解できるであろう。したがって、上記実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的でないものとして理解しなければならない。
１０１ ベース基板
１１０ バッファ層
１２１ 活性層
１２２ ソース領域
１２３ チャネル領域
１２４ ドレイン領域
１４０ ゲート絶縁層
１５１ ゲート電極
１６０ 層間絶縁層
１６１ ソースコンタクトホール
１６２ ドレインコンタクトホール
１７２ ソース電極
１７３ ドレイン電極
１８０ 平坦化層
１８１ コンタクトホール
２００ 有機発光素子
２１０ 第１導電層
２２０ 画素定義膜
２２１ 画素定義膜第１層
２２２ 画素定義膜第２層
２３０ 有機発光層
２４０ 第２導電層
２５０、２５１ キャッピング層
２６０、２６１ 保護層
２７０、２７２ サブ導電層
２８０、２８１、２８２、２８３ サブ保護層
３１０、３２１ カラーフィルタ
３１１、３１２、３１３ 第１、第２、第３カラーフィルタ
３２０、３２１ ブラックマトリックス
５１０、５２０、５３０、５４０ 第１、第２、第３、第４フォトレジストパターン
５２１ 第２フォトレジストパターン
６１０、６２０、６３０、６４０、６５０ 第１、第２、第３、第４、第５蒸着層
ＤＡ 表示領域
Ｈ１、Ｈ２ 第１、第２開口
ＮＡ 非表示領域
ＰＸ 画素
ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３ 第１、第２、第３画素
Ｔ 薄膜トランジスタ
１１０ バッファ層
１２１ 活性層
１２２ ソース領域
１２３ チャネル領域
１２４ ドレイン領域
１４０ ゲート絶縁層
１５１ ゲート電極
１６０ 層間絶縁層
１６１ ソースコンタクトホール
１６２ ドレインコンタクトホール
１７２ ソース電極
１７３ ドレイン電極
１８０ 平坦化層
１８１ コンタクトホール
２００ 有機発光素子
２１０ 第１導電層
２２０ 画素定義膜
２２１ 画素定義膜第１層
２２２ 画素定義膜第２層
２３０ 有機発光層
２４０ 第２導電層
２５０、２５１ キャッピング層
２６０、２６１ 保護層
２７０、２７２ サブ導電層
２８０、２８１、２８２、２８３ サブ保護層
３１０、３２１ カラーフィルタ
３１１、３１２、３１３ 第１、第２、第３カラーフィルタ
３２０、３２１ ブラックマトリックス
５１０、５２０、５３０、５４０ 第１、第２、第３、第４フォトレジストパターン
５２１ 第２フォトレジストパターン
６１０、６２０、６３０、６４０、６５０ 第１、第２、第３、第４、第５蒸着層
ＤＡ 表示領域
Ｈ１、Ｈ２ 第１、第２開口
ＮＡ 非表示領域
ＰＸ 画素
ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３ 第１、第２、第３画素
Ｔ 薄膜トランジスタ
Claims (15)
- 基板上に配置された第１導電層と、
前記基板上に複数の画素を定義するように配置され、各画素ごとに前記第１導電層の少なくとも一部を露出する画素定義膜と、
前記第１導電層の前記画素定義膜によって露出された部分上に配置された有機発光層と、
前記有機発光層上に配置された第２導電層と、
前記第２導電層上の各画素に配置され、前記第２導電層の外側の少なくとも一部を露出する保護層と、
前記画素定義膜上の各画素の間に配置され、互いに異なる画素に配置された前記第２導電層の前記露出された外側の側面部分と接するサブ導電層と、
を含み、
前記サブ導電層は、前記保護層の少なくとも一部分上には配置されず、
前記保護層は、無機物から成り、
各画素に配置された前記第２導電層は互いに直接的に接しない有機発光表示装置。 - 各画素に配置された前記保護層は互いに接しない請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記有機発光層は、前記保護層、前記画素定義膜、前記第１導電層、及び前記サブ導電層によって密閉されるように囲まれた請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記画素定義膜は、
有機物を含む画素定義膜第１層と、
無機物を含み、前記画素定義膜第１層を覆う画素定義膜第２層と、
を含む請求項１に記載の有機発光表示装置。 - 基板上に配置された第１導電層と、
前記基板上に少なくとも一つの画素を定義するように配置され、一画素で前記第１導電層の少なくとも一部を露出する画素定義膜と、
前記第１導電層の前記画素定義膜によって露出された部分上に配置された有機発光層と、
前記有機発光層上に配置された第２導電層と、
前記第２導電層上の前記一画素に配置され、前記第２導電層の外側の少なくとも一部を露出する保護層と、
前記画素定義膜上の前記一画素外側に配置され、前記第２導電層の前記露出された外側の側面部分と接するサブ導電層と、
を含み、
前記サブ導電層は、前記保護層の少なくとも一部分上には配置されず、
前記保護層は、無機物から成り、
前記第２導電層は前記一画素にのみ非連続的に配置されたアイランド形態で配置された有機発光表示装置。 - 前記有機発光層は、前記保護層、前記画素定義膜、前記第１導電層、及び前記サブ導電層によって密閉されるように囲まれた請求項５に記載の有機発光表示装置。
- 前記保護層は少なくとも一部分が前記サブ導電層と接する請求項５に記載の有機発光表示装置。
- 前記保護層上に配置されたカラーフィルタをさらに含み、
前記サブ導電層は前記カラーフィルタ上にも配置された請求項５に記載の有機発光表示装置。 - 第１導電層及び複数の画素を定義し、各画素ごとに前記第１導電層を露出する画素定義
膜が形成された基板を準備する段階と、
前記画素定義膜上に一部画素を露出する開口が定義されたフォトレジストパターンを形成する段階と、
全面蒸着により、前記第１導電層の前記画素定義膜によって露出された部分上には有機発光層を形成し、前記フォトレジストパターン上には前記有機発光層と同じ物質を含む第１蒸着層を形成する段階と、
全面蒸着により、前記有機発光層上には第２導電層を形成し、前記第１蒸着層上には前記第２導電層と同じ物質を含む第２蒸着層を形成する段階と、
全面蒸着により、前記第２導電層上には保護層を形成し、前記第２蒸着層上には前記保護層と同じ物質を含む第３蒸着層を形成する段階と、
前記フォトレジストパターン及び前記第１蒸着層から第３蒸着層までを除去する段階と、
を含み、
前記フォトレジストパターンを除去した後に、
他画素にも有機発光層、第２導電層、及び保護層を形成する段階と、
前記第２導電層の外側の一部を露出するように前記保護層をエッチングする段階と、
前記フォトレジストパターンを除去した後に、
他画素にも有機発光層、第２導電層、及び保護層を形成する段階と、
前記第２導電層の一部を露出するように前記保護層をエッチングする段階と、
をさらに含み、
前記保護層は、無機物から成り、
前記保護層をエッチングした後に、
前記第２導電層の露出された外側の側面部分と接するようにサブ導電層を形成する段階をさらに含む有機発光表示装置の製造方法。 - 前記全面蒸着により、前記第２導電層上には保護層を形成し、前記第２蒸着層上には前記保護層と同じ物質を含む第３蒸着層を形成する段階において、
前記保護層の少なくとも一部分は、前記画素定義膜と接するように形成する請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記保護層は、前記第１導電層及び前記有機発光層を完全に覆うように形成する請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記保護層は、前記画素定義膜及び前記第１導電層と共に前記有機発光層を囲んで密閉するように形成する請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記フォトレジストパターンは、逆テーパ形状を有する請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記フォトレジストパターンは、ネガティブ（ｎｅｇａｔｉｖｅ）フォトレジスト組成物をパターニングして形成する請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記フォトレジストパターンは、剥離液（ｓｔｒｉｐｐｅｒ）でリフトオフ（ｌｉｆｔ－ｏｆｆ）する方式により除去する請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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| EP (2) | EP3321988B1 (ja) |
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