CN108074953B - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。一种有机发光显示装置包括：基板；布置在基板上的第一导电层；被布置成在基板上限定多个像素的像素限定膜，像素限定膜针对多个像素中的每一个像素暴露第一导电层的至少一部分；布置在第一导电层的由像素限定膜所暴露的至少一部分上的有机发光层；布置在有机发光层上的第二导电层；布置多个像素中的每一个像素中的第二导电层上并且暴露第二导电层的至少一部分的保护层；以及布置在多个像素之间的像素限定膜上的子导电层，子导电层与布置在多个像素中的第二导电层的所暴露的部分电接触。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年11月15日提交的韩国专利申请第10-2016-0151626号的优先权和权益，在此，为了所有目的，通过引用将该韩国专利申请并入本文，如在本文中充分地阐述一样。
技术领域
示例性实施例涉及有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
有机发光显示装置是自发光类型的显示装置，并且因此，不同于诸如液晶显示装置的光接收类型的显示装置，不需要背光单元。因此，有机发光显示装置用于各种轻薄电气/电子产品，诸如智能电话、超薄TV等。
在传统上，通过使用光掩模的光图案化来沉积有机发光元件的方法被用于实现高分辨率。
然而，在光图案化中使用的剥离层包括昂贵的特殊材料，并且移除剥离层的工艺可能损伤所沉积的有机层。
在该背景技术部分中所公开的以上信息仅为了增强对创造性构思的背景的理解，并且因此其可以包含并未构成在该国中对于本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供了一种有机发光显示装置及其制造方法，该有机发光显示装置可以防止或减少外部空气或者在工艺期间所产生的物理和化学影响对有机发光层的损伤。
在接下来的详细描述中将阐述额外的方面，并且部分地将从本公开显而易见，或者可以通过创造性构思的实践而习得。
根据示例性实施例，一种有机发光显示装置可以包括：基板；布置在基板上的第一导电层；被布置成在基板上限定多个像素的像素限定膜，像素限定膜针对多个像素中的每一个像素暴露第一导电层的至少一部分；布置在第一导电层的由像素限定膜所暴露的至少一部分上的有机发光层；布置在有机发光层上的第二导电层；布置多个像素中的每一个像素中、第二导电层上并且暴露第二导电层的至少一部分的保护层；以及布置在多个像素之间的像素限定膜上的子导电层，子导电层与布置在多个像素中的第二导电层的所暴露的部分电接触。
布置在各个像素中的保护层可以不彼此接触。
布置在各个像素中的第二导电层可以不彼此直接接触。
有机发光层可以由保护层、像素限定膜、第一导电层和子导电层围绕并封闭。
保护层可以包括无机材料。
子导电层可以不布置在保护层的至少一部分上。
像素限定膜可以包括：包括有机材料的第一层，以及包括无机材料并覆盖第一层的第二层。
根据示例性实施例，一种有机发光显示装置可以包括：基板；布置在基板上的第一导电层；被布置成在基板上限定至少一个像素的像素限定膜，像素限定膜在至少一个像素中暴露第一导电层的至少一部分；布置在第一导电层的由像素限定膜所暴露的至少一部分上的有机发光层；布置在有机发光层上的第二导电层；布置在至少一个像素中的每一个像素中、第二导电层上并且暴露第二导电层的至少一部分的保护层；以及布置在至少一个像素中的每一个像素的外部的子导电层，子导电层与第二导电层的所暴露的部分电接触。
保护层的至少一部分可以与子导电层接触。
有机发光显示装置可以进一步包括布置在保护层与子导电层之间的滤色器。
根据示例性实施例，一种制造有机发光显示装置的方法可以包括：制备基板，第一导电层和像素限定膜位于所述基板上，像素限定膜限定多个像素并针对多个像素中的每一个像素暴露第一导电层；在像素限定膜上布置光致抗蚀剂图案，光致抗蚀剂图案包括暴露多个像素中的第一像素的开口；将第一材料层布置至基板的整个表面上以同时地布置：位于第一导电层的由像素限定膜所暴露的一部分上的有机发光层，以及位于光致抗蚀剂图案上的第一沉积层；将第二材料层布置至基板的整个表面上以同时地布置：位于有机发光层上的第二导电层，以及位于第一沉积层上的第二沉积层；将第三材料层布置至基板的整个表面上以同时地布置：位于第二导电层上的保护层，以及位于第二沉积层上的第三沉积层；以及移除光致抗蚀剂图案以及第一沉积层、第二沉积层和第三沉积层。
保护层的至少一部分可以与像素限定膜接触。
保护层可以完全覆盖第一导电层和有机发光层。
有机发光层可以由保护层、像素限定膜和第一导电层围绕并封闭。
光致抗蚀剂图案可以具有倒锥形的形状。
光致抗蚀剂图案可以通过图案化负性光致抗蚀剂合成物而形成。
光致抗蚀剂图案可以由使用剥离液的剥离工艺移除。
制造有机发光显示装置的方法在移除光致抗蚀剂图案之后可以进一步包括：在多个像素中的第二像素中布置有机发光层、第二导电层和保护层；刻蚀在多个像素中的第一像素和第二像素中的保护层的一部分以暴露多个像素中的第一像素和第二像素中的第二导电层的一部分；以及形成子导电层以电连接多个像素中的第一像素和第二像素中的第二导电层的所暴露的部分。
前面的概括描述以及以下详细描述是示例性和解释性的，并且意在提供对所请求保护的主题的进一步解释。
附图说明
所包括的附图提供对创造性构思的进一步理解、并且并入到说明书中且构成说明书的一部分，附图图示创造性构思的示例性实施例，并且与说明书一起用作解释创造性构思的原理。
图1是根据示例性实施例的有机发光显示装置的示意性平面图。
图2是沿着图1的剖面线II-II’截取的有机发光显示装置的剖视图。
图3、图4和图5是根据示例性实施例的有机发光显示装置的剖视图。
图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20和图21是图示根据示例性实施例的制造图2和图3的有机发光显示装置的方法的剖视图。
图22、图23和图24是图示根据示例性实施例的制造图4和图5的有机发光显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
在以下描述中，为了解释的目的，阐述大量具体细节，从而提供对各种示例性实施例的深入理解。然而很明显，可以在不具有这些具体细节或者在具有一个或多个等同设置的情况下实践各种示例性实施例。在其他情况下，以框图方式示出众所周知的结构和装置，从而避免使各种示例性实施例不必要地难以理解。
在附图中，为了清楚和描述的目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。而且，相同的附图标记表示相同的元件。
当元件或层被称作在另一元件或层“上”、“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、直接连接至或耦接至另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。为了此公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”以及“选自由X、Y和Z构成的组中的至少一个”可以被解释为仅有X、仅有Y、仅有Z，或者X、Y和Z中两个或多个的任意组合，诸如XYZ、XYY、YZ和ZZ。贯穿全文，相同的附图标记指代相同的元件。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。
虽然本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层和/或部分与另一个元件、部件、区域、层和/或部分区分开来。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层和/或部分可称作第二元件、部件、区域、层和/或部分。
为了描述的目的，本文可以使用空间相对术语，诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等，并且由此，用来描述如附图中所图示的一个元件或特征相对于另一(些)元件或特征的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在包含使用中、运行中和/或制造中的设备的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为位于其他元件或特征“下方”或“之下”的元件会定位为位于其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可包含“上方”的方位和“下方”的方位两者。而且，设备还可具有其他方位(例如，旋转90度或者处于其他方位)，并且可由此相应地解读本文使用的空间相对描述符。
本文使用的术语是为了描述特定实施例的目的，并且不旨在限制。如本文所使用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非在上下文中另外清楚地指明。而且，当用于本说明书中时，术语“包括”和/或“包含”指定了所讨论的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其的组的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其的组的存在或添加。
本文参照剖视图描述各种示例性实施例，这些剖视图是理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意性的图示。照此，因例如制造技术和/或公差而产生的图示的形状的变化是可预料到的。因此，本文所公开的示例性实施例不应被解释为受限于特定图示的区域形状，而是包括因例如制造而产生的形状上的偏离。例如，图示为三角形的注入区域通常将具有圆的或弯曲的特征，和/或在其边缘处具有注入浓度的梯度，而不是从注入的区域到非注入的区域的二元变化。同样地，通过注入形成的埋设区域可造成埋设区域与进行注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，附图中图示的区域事实上是示意性的，并且，其形状不旨在图示装置区域的实际形状并且不旨在限制。
除非另外定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与本公开所属领域中普通技术人员通常理解的含义相同。除非本文明确定义，否则诸如在通用词典中定义的那些术语应被解释为具有与相关领域上下文中的含义相一致的含义，并且不应以理想化或过度正式的意义对其进行解释。
图1是根据示例性实施例的有机发光显示装置的示意性平面图。
参照图1，有机发光显示装置可以包括平面图中图像显示在其上的显示区域DA，以及图像不显示在其上的非显示区域NA。可以形成非显示区域NA以在显示区域DA之外围绕显示区域DA。
多个像素PX以矩阵形状设置在显示区域DA中。每个像素PX可以包括发出第一颜色的光的第一像素PX1、发出第二颜色的光的第二像素PX2和发出第三颜色的光的第三像素PX3。根据示例性实施例，图1图示第一颜色、第二颜色和第三颜色分别是红色、绿色和蓝色。
可以配置多个像素PX使得第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3在平面的水平方向上交替地设置，并且发出相同颜色的光的像素在平面的垂直方向上连续地设置。然而，示例性实施例不限于此。
图2是沿着图1的剖面线II-II’截取的有机发光显示装置的剖视图。
参照图2，有机发光显示装置可以包括基底基板101、缓冲层110、有源层121、栅极绝缘层140、栅电极151、层间绝缘层160、源电极172、漏电极173、平坦化层180以及有机发光元件200。
基底基板101可以是绝缘基板。基底基板101可以包括玻璃和塑料中的至少一种。基底基板101可以是透明的，并且当其应用于正面发光类型的有机发光显示装置时可以包括不透明材料。
根据示例性实施例，为了使得有机发光显示装置是柔性的，基底基板101可以由诸如聚酰亚胺的柔性材料制成。
缓冲层110可以布置在基底基板101上。缓冲层110可以包含氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiOX)和氮氧化硅(SiOXNY)中的至少一种，并且可以是单层或多层。缓冲层110可以防止或减少可以引起半导体特性退化的杂质、湿气和/或外部空气的渗透并且可以使表面平坦化。
有源层121布置在缓冲层110上。有源层121可以包含半导体，并且可以由多晶硅制成。
有源层121可以包括沟道区123，以及与沟道区123的两侧相邻的源区122和漏区124。沟道区123可以包括本征半导体，其是未掺杂杂质的多晶硅，并且源区122和漏区124可以由杂质半导体制成，它们是掺杂有导电杂质的多晶硅。
栅极绝缘层140可以布置在有源层121上。栅极绝缘层140可以是包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种的绝缘层，并且可以是单层或多层。
栅电极151可以布置在栅极绝缘层140上。栅电极151可以布置成与有源层121的沟道区123重叠。有源层121的源区122和漏区124可以不与栅电极151重叠。栅电极151可以包括铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)以及其合金中的至少一种，并且可以具有多层结构。
层间绝缘层160可以布置在栅电极151上。层间绝缘层160可以是包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种的绝缘层，并且可以是单层或多层。
源电极172和漏电极173可以布置在层间绝缘层160上。源电极172可以布置成与有源层121的源区122重叠，并且漏电极173可以布置成与有源层121的漏区124重叠。
源电极172和漏电极173中的每一个可以包括铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)、其他难熔金属以及其合金中的至少一种，并且可以具有多层结构。
源极接触孔161和漏极接触孔162可以形成在栅极绝缘层140和层间绝缘层160中，以将源电极172和漏电极173分别与有源层121的源区122和漏区124电连接。
有源层121、栅电极151、源电极172和漏电极173可以构成薄膜晶体管T。薄膜晶体管T的栅电极151、源电极172和漏电极173分别是薄膜晶体管T的控制端子、输入端子和输出端子。
每个像素PX可以包括至少一个或多个薄膜晶体管T。薄膜晶体管T可以与有机发光元件200电连接以控制有机发光元件200的驱动。
平坦化层180可以布置在源电极172和漏电极173上。平坦化层180可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、具有低介电常数的丙烯酸有机化合物、苯并环丁烯(BCB)和全氟环丁烷(PFCB)中的至少一种。
平坦化层180可以保护源电极172和漏电极173并且使它们的上表面平坦化。接触孔181形成在平坦化层180中，以穿过平坦化层180而暴露漏电极173。
有机发光元件200可以布置在平坦化层180上，并且可以包括第一导电层210、像素限定膜220、有机发光层230、第二导电层240、包覆层250、保护层260、子导电层270以及子保护层280。
第一导电层210可以针对每个像素PX布置在平坦化层180上。第一导电层210可以通过形成在平坦化层180中的接触孔181而与针对每个像素PX所布置的薄膜晶体管T的漏电极173电连接。第一导电层210可以是有机发光元件200的像素电极或阳极电极。
第一导电层210可以包含具有高功函数的导电材料。例如，第一导电层210可以包括至少一种透明导电材料，透明导电材料诸如氧化铟锡(ITO)、透明导电氧化物(TCO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)以及氧化铟(III)(In2O3)。此外，第一导电层210可以包括包含以上透明导电材料的透明导电层与包括诸如锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)和金(Au)的反射性金属中的至少一种的导电材料层的层叠膜。
像素限定膜220可以布置在平坦化层180上，以覆盖第一导电层210的一部分。像素限定膜220可以限定有机发光元件200的每个像素PX。像素限定膜220可以包括第一开口H1，以用于暴露布置在每个像素PX中的第一导电层210的至少一部分。
像素限定膜220可以由多层形成，包括包含诸如丙烯酸化合物、聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)和全氟环丁烷(PFCB)的有机材料中的至少一种的第一层221，以及被布置为覆盖第一层221的包含无机材料的第二层222。像素限定膜220的第二层222可以形成为覆盖第一开口H1的侧壁以及像素限定膜220的第一层221的上表面。
包括有机材料的像素限定膜220可以在通过图案化形成第一开口H1的工艺期间防止或减少对于第一导电层210的损伤并且可以简化制造工艺。然而，空气和/或湿气可以穿过像素限定膜220渗透至有机发光层230中。因而，包括无机层的第二层222可以防止或减少空气和/或湿气渗透至有机发光层230中。
像素限定膜220的第二层222可以包括诸如氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiOX)和氮氧化硅(SiOXNY)的无机材料中的至少一种，并且可以布置成完全覆盖像素限定膜220的第一层221的上表面。
有机发光层230可以布置在通过第一开口H1所暴露的第一导电层210上。有机发光层230可以由多层形成，该多层包括发光层以及空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个或多个。
有机发光层230可以由保护层260、像素限定膜220的第二层222、第一导电层210以及子导电层270围绕并完全封闭，保护层260、像素限定膜220的第二层222、第一导电层210以及子导电层270中的每一个由无机材料制成。因此，可以有效地防止或减少异物和/或湿气渗透至有机发光层230中。
布置在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的有机发光层230可以分别发出红色、绿色和蓝色的光。
第二导电层240可以布置在有机发光层230上。第二导电层240可以覆盖像素限定膜220的上表面的一部分。
第二导电层240可以包含具有低功函数的导电材料。例如，第二导电层240可以包括诸如锂(Li)、钙(Ca)、LiF/Ca、LiF/Al、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、金(Au)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、氟化钡(BaF)、钡(Ba)、镱(Yb)的金属、其化合物或混合物中的至少一种，并且也可以包括诸如ITO、TCO、IZO、ZnO和In2O3的透明导电材料中的至少一种。
在示例性实施例中，第二导电层240可以是包括Ag和Mg中的至少一种的薄金属层、包括TCO的透明导电膜或者其中薄金属层和透明导电膜层叠的多层。因此，从布置在第二导电层240下方的有机发光层230发出的光可以穿过第二导电层240。然而，示例性实施例不限于此。
第二导电层240可以以岛的形状不连续地布置在每个像素PX的第一开口H1中。因而，布置在每个像素PX中的第二导电层240可以不彼此直接接触。布置在每个像素PX中的第二导电层240可以是有机发光元件200的阴极电极，并且可以是通过子导电层270电连接的公共电极。
包覆层250可以布置在第二导电层240上。包覆层250可以改进有机发光层230的光提取效率，并且可以在图案化有机发光元件200时保护有机发光层230免受等离子体影响。根据示例性实施例，可以省略包覆层250。
保护层260可以布置在包覆层250上。当省略包覆层250时，保护层260可以直接布置在第二导电层240上。
保护层260可以布置成封装包括有机发光层230的下方的元件，并且可以防止或减少在图案化有机发光元件200期间移除所形成的光致抗蚀剂对有机发光层230的损伤。因而，通过布置保护层260，可以省略昂贵的剥离层。进一步，当在任意一个像素PX中形成一种有机发光层230随后在另一像素PX中形成另一种有机发光层230时，保护层260可以保护所形成的有机发光层230免受外部冲击、刻蚀材料和/或外部空气的影响。
保护层260可以布置成覆盖第二导电层240和包覆层250，并且暴露第二导电层240的一部分。具体地，第二导电层240的外侧部分的一部分可以被暴露并且不被保护层260覆盖，并且第二导电层240可以通过所暴露的部分与子导电层270电连接。
保护层260可以布置在每个像素PX中。因此，布置在各个像素PX中的保护层260可以布置成不彼此接触。
保护层260可以包括诸如氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiOX)和氮氧化硅(SiOXNY)的无机材料中的至少一种。
子导电层270可以布置在各个像素PX之间的像素限定膜220上。因此，子导电层270可以布置在任意一个像素PX的外部。子导电层270与相邻像素PX的第二导电层240的暴露部分接触，由此将布置在不同像素PX中的第二导电层240彼此电连接。
在示例性实施例中，子导电层270可以布置成填充在平面图中以晶格形状划分的多个像素PX之间的空间或边界，并且可以布置成部分重叠布置在每个像素PX中的第二导电层240的所暴露的部分。重叠的部分可以是其中子导电层270和第二导电层240彼此接触的部分。
子导电层270可以布置成覆盖像素限定膜220的表面以及第二导电层240、包覆层250和保护层260的侧表面的至少一部分。子导电层270可以不布置在保护层260的至少一部分上。例如，子导电层270可以不布置在与像素PX区域重叠的保护层260的一部分上。进一步，子导电层270可以不与有机发光层230重叠。
子导电层270可以包含在第二导电层240中可以包含的材料，并且可以由与第二导电层240相同的材料制成。由于子导电层270不布置在从有机发光层230发出的光所穿过的路径上，因此子导电层270可以形成为比第二导电层240更厚。
子保护层280可以布置在保护层260上以覆盖保护层260和子导电层270。子保护层280可以补充保护层260的功能，并且可以包括保护层260的材料，或者可以由与保护层260相同的材料制成。可以省略子保护层280。
由于根据示例性实施例的有机发光显示装置包括由保护层260、像素限定膜220的第二层222、第一导电层210和子导电层270围绕并完全封闭的有机发光层230，因此可以有效防止或减少异物和/或湿气渗透至有机发光层230中。
进一步，可以针对每个像素由独立地布置在每个像素中的保护层260封装有机发光层230，并且因此，在布置在一个像素中的有机发光层230中引起的损伤或缺陷可以不影响布置在其他像素中的有机发光层230。
图3是根据示例性实施例的有机发光显示装置的剖视图。
除了子保护层281布置成仅覆盖保护层260而不覆盖子导电层271之外，图3的有机发光显示装置与图2中所图示的有机发光显示装置基本上相同。在下文中，将省略冗余的描述。
参照图3，子保护层281可以布置在保护层260上以覆盖保护层260。子导电层271可以布置在像素限定膜220上，以覆盖第二导电层240、包覆层250、保护层260和子保护层281的侧表面的至少一部分。
由于图3中所示的有机发光显示装置包括由保护层260、像素限定膜220的第二层222、第一导电层210和子导电层271所围绕并完全封闭的有机发光层230，因此可以有效地防止或减少异物和/或湿气渗透至有机发光层230中。进一步，可以针对每个像素由独立地布置在每个像素中的保护层260封装有机发光层230，并且因此，在布置在一个像素中的有机发光层230中引起的损伤或缺陷可以不影响布置在其他像素中的有机发光层230。
进一步，子保护层281直接布置在保护层260上，并且因此，有机发光层230可以具有增强的保护。
图4是根据示例性实施例的有机发光显示装置的剖视图。
除了滤色器310、子导电层272、子保护层282和黑矩阵320顺序地层叠在保护层260上之外，图4的有机发光显示装置与图2中所图示的有机发光显示装置基本上相同。在下文中，将省略冗余的描述。
参照图4，滤色器310可以布置在保护层260上。滤色器310可以根据从布置在其下方的有机发光层230所发出的光的波长而选择性地透射从布置在其下方的有机发光层230所发出的光。
滤色器310可以被划分为分别对应于第一颜色、第二颜色和第三颜色的第一滤色器311、第二滤色器312和第三滤色器313，并且可以分别布置在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中。
子导电层272可以布置在滤色器310上。不同于图2中所示的子导电层270，子导电层272可以连续地布置以覆盖像素限定膜220、第二导电层240、包覆层250、保护层260和滤色器310的所有暴露的表面。
子保护层282可以布置在子导电层272上以覆盖子导电层272。
黑矩阵320可以布置在像素PX之间的子保护层282上。黑矩阵320可以引导从有机发光层230发出的光以仅发射至限制于每个像素PX的区域。进一步，黑矩阵320也可以防止或减少通过像素PX之间的子导电层272反射外部光。
由于图4中所示的有机发光显示装置包括由保护层260、像素限定膜220的第二层222、第一导电层210、以及子导电层272所围绕并完全封闭的有机发光层230，因此可以有效地防止或减少异物和/或湿气渗透至有机发光层230中。进一步，可以针对每个像素由独立地布置在每个像素中的保护层260封装有机发光层230，并且因此，在布置在一个像素中的有机发光层230中引起的损伤或缺陷可以不影响布置在其他像素中的有机发光层230。
图5是根据示例性实施例的有机发光显示装置的剖视图。
除了子保护层283布置在黑矩阵321上之外，图5的有机发光显示装置与图4中所图示的有机发光显示装置基本上相同。在下文中，将省略冗余的描述。
参照图5，黑矩阵321可以布置在像素PX之间的子导电层272上，并且子保护层283可以布置在黑矩阵321上以覆盖黑矩阵321和子导电层272。
由于图5中所示的有机发光显示装置包括由保护层260、像素限定膜220的第二层222、第一导电层210以及子导电层272所围绕并完全封闭的有机发光层230，因此可以有效地防止或减少异物和/或湿气渗透至有机发光层230中。进一步，可以针对每个像素由独立地布置在每个像素中的保护层260封装有机发光层230，并且因此，在布置在一个像素中的有机发光层230中出现的损伤或缺陷可以不影响布置在其他像素中的有机发光层230。
进一步，由于子保护层283布置成覆盖黑矩阵321，因此也可以保护黑矩阵321避免湿气、外部空气或异物的渗透。
在下文中，将描述根据示例性实施例的制造有机发光显示装置的示例性方法。
图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20和图21是图示根据示例性实施例的制造图2和图3的有机发光显示装置的方法的剖视图。
参照图6，缓冲层110、有源层121、栅极绝缘层140、栅电极151、层间绝缘层160、源电极172、漏电极173、平坦化层180、以及第一导电层210布置在基底基板101上。任何传统的方法可以用于布置图6中所图示的元件。
参照图7，包括暴露第一导电层210的第一开口H1的像素限定膜220布置在平坦化层180上。具体地，通过层叠包括丙烯酸化合物、聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)中的至少一种的有机膜以及图案化所层叠的有机膜而形成像素限定膜220的第一层221。随后，通过层叠包括诸如氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiOX)、氮氧化硅(SiOXNY)中的至少一种的无机材料的无机膜以及图案化所层叠的无机膜而在像素限定膜220的第一层221上形成像素限定膜220的第二层222。
随后，参照图8，第一光致抗蚀剂图案510布置在像素限定膜220上。可以通过将光致抗蚀剂合成物施加至像素限定膜220上来覆盖像素限定膜220和第一开口H1并且随后图案化光致抗蚀剂合成物而形成第一光致抗蚀剂图案510。可以通过对准掩模、将光致抗蚀剂合成物曝光并且随后采用显影剂显影曝光的光致抗蚀剂合成物而图案化光致抗蚀剂合成物。
可以形成第一光致抗蚀剂图案510以限定第二开口H2，第二开口H2暴露对像素PX的一部分进行限定的区域。因此，可以形成第一光致抗蚀剂图案510以暴露多个像素PX中的一些像素并覆盖其他像素和元件。参照图8，形成光致抗蚀剂图案510以仅暴露与发出第一颜色的光的第一像素PX1对应的区域并且覆盖其他区域。
可以形成第一光致抗蚀剂图案510以具有倒锥形形状。在示例性实施例中，可以通过图案化负性光致抗蚀剂合成物而形成第一光致抗蚀剂图案510，以便于具有倒锥形形状。然而，示例性实施例不限于此。
参照图9，随后，通过第二开口H2，有机发光层230形成在由第一开口H1所暴露的第一导电层210上。可以通过诸如使用坩锅的蒸发方法的方法而沉积有机发光层230。
可以通过在由第二开口H2和第一开口H1所暴露的第一导电层210上沉积包括有机发光材料的第一沉积材料而形成有机发光层230。可以通过不使用掩模的全面沉积而执行第一沉积材料的沉积。因此，第一沉积材料不仅沉积至通过第二开口H2所暴露的部分上，而且还沉积在第一光致抗蚀剂图案510上，以便于形成第一沉积层610。
有机发光层230可以通过沉积发光层以及空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个而形成为多层，并且可以使用数种沉积材料以便沉积以上层。相应地，第一沉积层610也可以形成为多层。
参照图10，随后，通过第二开口H2，在有机发光层230上形成第二导电层240。
可以通过使用包括溅射方法、物理气相沉积(PVD)方法、电镀方法等的各种方法而将第二沉积材料施加至由第二开口H2所暴露的有机发光层230上来形成第二导电层240，第二沉积材料包括金属和透明导电材料中的至少一种，金属诸如Ag、Mg、Al和Yb，透明导电材料诸如ITO、IZO和TCO。
形成第二导电层240的方法可以是各向同性的方法。因此，第二导电层240可以形成为具有比第二开口H2更大的面积，并且可以形成为覆盖有机发光层230的上表面以及像素限定膜220的侧表面和上表面的一部分。
第二沉积材料的沉积也可以是不使用分离掩模的全面沉积。因此，第二沉积材料不仅沉积在通过第二开口H2所暴露的部分上，而且还沉积在形成于第一光致抗蚀剂图案510上的第一沉积层610上，以便于形成第二沉积层620。
参照图11，随后，通过第二开口H2，在第二导电层240上形成包覆层251。可以通过在由第二开口H2所暴露的第二导电层240上沉积第三沉积材料而形成包覆层251。
包覆层251的形成可以是各向同性沉积工艺。因此，包覆层251可以形成为具有比第二开口H2更大的面积，并且可以形成为覆盖第二导电层240的上表面以及像素限定膜220的上表面的一部分。
然而，示例性实施例不限于此，并且根据工艺条件，包覆层251可以形成为仅覆盖第二导电层240的上表面的一部分。
第三沉积材料不仅沉积在通过第二开口H2所暴露的部分上，而且还沉积在形成于第一光致抗蚀剂图案510上的第二沉积层620上，以便于形成第三沉积层630。
形成包覆层251的步骤可以省略。因此，保护层261可以直接地形成在第二导电层240上。
参照图12，随后，通过第二开口H2，在包覆层251上形成保护层261。当省略包覆层251时，保护层261可以形成在第二导电层240上。
可以通过将第四沉积材料沉积至由第二开口H2所暴露的包覆层251上而形成保护层261，第四沉积材料包括诸如氮化硅(SiNX)、氧化硅(SiOX)或氮氧化硅(SiOXNY)的无机材料中的至少一种。
第四沉积材料的沉积可以是各向同性工艺。因此，保护层261可以形成为具有比第二开口H2更大的面积，并且可以形成为覆盖第二导电层240和包覆层251的上表面以及像素限定膜220的上表面的一部分。
第四沉积材料不仅沉积在通过第二开口H2所暴露的部分上，而且还沉积在形成于第一光致抗蚀剂图案510上的第三沉积层630上，以便于形成第四沉积层640。
保护层261可以形成为完全覆盖有机发光层230和布置在保护层261下方的第二导电层240。具体地，保护层261的外侧可以形成为与像素限定膜220接触以防止暴露有机发光层230以及布置在保护层261下方的第二导电层240。
参照图13，随后，移除第一光致抗蚀剂图案510。移除第一光致抗蚀剂图案510，并且因此也可以移除形成在第一光致抗蚀剂图案510上的第一沉积层610、第二沉积层620、第三沉积层630和第四沉积层640。
可以由使用剥离液的剥离工艺移除第一光致抗蚀剂图案510。当第一光致抗蚀剂图案510具有倒锥形形状时，可以容易地执行剥离工艺。
当第二导电层240、包覆层251和保护层261由化学气相沉积(CVD)而沉积时，可以不连续地形成第二导电层240、包覆层251和保护层261而不与形成在第一光致抗蚀剂图案510上的第二沉积层620、第三沉积层630和第四沉积层640连接，并且因此可以容易地执行剥离工艺。
然而，示例性实施例不限于此。即使通过原子层沉积，第二导电层240、包覆层251和保护层261也可以与第二沉积层620、第三沉积层630和第四沉积层640不连续地形成，并且因此可以容易地执行剥离工艺。
图14是示出根据示例性实施例移除第一光致抗蚀剂图案510的方法的剖视图。
参照图14，形成第二光致抗蚀剂图案520以填充由图12的第二开口H2所暴露的区域。第二光致抗蚀剂图案520可以形成为高于第一光致抗蚀剂图案510。
可以通过施加光致抗蚀剂合成物以覆盖第一光致抗蚀剂图案510和第二开口H2并且随后图案化光致抗蚀剂合成物而形成第二光致抗蚀剂图案520。
第二光致抗蚀剂图案520可以形成为具有锥形形状。在示例性实施例中，可以通过图案化正性光致抗蚀剂合成物而形成第二光致抗蚀剂图案520，以便于具有锥形形状。然而，示例性的实施例不限于此。
在第二光致抗蚀剂图案520未形成的区域中的第一光致抗蚀剂图案510可以首先移除，并且第二光致抗蚀剂图案520可以随后移除，以便于形成图13中所示的状态。
第一光致抗蚀剂图案510和第二光致抗蚀剂图案520可以包括可以由彼此不同的剥离液移除的材料。然而，示例性实施例不限于此，并且第一光致抗蚀剂图案510和第二光致抗蚀剂图案520可以包括可以由相同剥离液移除的材料。
在示例性实施例中，通过干法刻蚀移除由无机材料制成并形成在第一光致抗蚀剂图案510上的第二沉积层620、第三沉积层630和第四沉积层640，并且随后通过湿法刻蚀移除第一沉积层610以及第一光致抗蚀剂图案510和第二光致抗蚀剂图案520。然而，示例性实施例不限于此，并且，可以以任何合适的顺序选择任何种类的移除方法，诸如干法刻蚀、湿法刻蚀和灰化。
第二光致抗蚀剂图案520形成在由第二开口H2所暴露的像素PX区域中并且随后被移除，由此防止当剥离第一光致抗蚀剂图案510时损伤布置在像素PX区域中的诸如有机发光层230和保护层261的元件。
图15是示出根据示例性实施例移除第一光致抗蚀剂图案510的方法的剖视图。
参照图15，第二光致抗蚀剂图案521形成在图12的开口H2中。第二光致抗蚀剂图案521可以形成为低于第一光致抗蚀剂图案510。
可以通过施加光致抗蚀剂合成物以覆盖第一光致抗蚀剂图案510和第二开口H2并且随后前显影光致抗蚀剂合成物而形成第二光致抗蚀剂图案521。当前显影光致抗蚀剂合成物时，移除了在第一光致抗蚀剂图案510上的光致抗蚀剂合成物，并且形成在第二开口H2中的第二光致抗蚀剂图案521可以形成为低于第一光致抗蚀剂图案510。
随后，移除第一光致抗蚀剂图案510和第二光致抗蚀剂图案521，以便于形成图13中所示的状态。
在示例性实施例中，第一光致抗蚀剂图案510和第二光致抗蚀剂图案521可以包括可以由相同剥离液移除的材料。然而，示例性实施例不限于此，并且第一光致抗蚀剂图案510和第二光致抗蚀剂图案521可以包括可以由彼此不同的剥离液移除的材料。
在示例性实施例中，以给定顺序，第二沉积层620、第三沉积层630和第四沉积层640可以由干法刻蚀移除，第一光致抗蚀剂图案510和第一沉积层610可以由第一剥离液移除，并且随后第二光致抗蚀剂图案521可以由与第一剥离液不同的第二剥离液移除。因此，可以防止或减少可以在工艺期间阻塞过滤器的大体积无机颗粒的产生。
参照图16，以与图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14和图15中所图示的相同方式在剩余的像素PX区域中形成有机发光层230、第二导电层240、包覆层251以及保护层261。
在图16中示出了以上层形成在发出第二颜色的光的第二像素PX2和发出第三颜色的光的第三像素PX3中。第二像素PX2和第三像素PX3中的有机发光层230可以发出具有不同于第一像素PX1中的有机发光层所发出的波长的光。
通过布置完全覆盖有机发光层230和第二导电层240的保护层261，可以在形成其他像素PX的有机发光元件200的后续工艺期间，保护之前所布置的有机发光层230免受外部空气、异物、或者在工艺期间发生的物理和化学影响等的影响。有机发光层230由在有机发光层230下侧下方的第一导电层210、在有机发光层230侧面上的像素限定膜220、以及在有机发光层230上侧上的保护层261围绕，因此可以完全封闭有机发光层230。
参照图17，随后，在保护层261上形成第三光致抗蚀剂图案530。第三光致抗蚀剂图案530可以形成为不覆盖保护层261的外侧。因此，保护层261和第二导电层240的外侧中的一些可以不与第三光致抗蚀剂图案530重叠。
第三光致抗蚀剂图案530可以具有倒锥形形状。因为形成第三光致抗蚀剂图案530的方法与形成第一光致抗蚀剂图案510的方法基本上相同，因此将省略冗余的描述。
参照图18，随后，刻蚀包覆层251和保护层261以暴露第二导电层240的至少一部分。具体地，可以刻蚀包覆层251和保护层261的在第二导电层240的外侧中的不与第三光致抗蚀剂图案530重叠的部分。
参照图19，随后，布置电连接第二导电层240的所暴露的部分的子导电层270。
子导电层270可以将一个像素PX的第二导电层240与每个像素PX的第二导电层240电连接，以便于用作公共电极。
可以通过由溅射、物理气相沉积(PVD)、电镀等将第五沉积材料施加至像素限定膜220和第二导电层240的所暴露的部分上而形成子导电层270，第五沉积材料包括金属和透明导电材料中的至少一种，金属诸如Ag、Mg、Al和Yb，透明导电材料诸如ITO、IZO或TCO。
子导电层270可以形成在像素限定膜220上以与布置在彼此不同像素PX中的第二导电层240的所暴露的部分接触，并且也可以与包覆层250和保护层260部分地接触。
由于子导电层270形成在像素PX之间的区域中，而不在限定像素PX的区域中，因此子导电层270可以形成为比第二导电层240厚。
第五沉积材料均匀地布置在第三光致抗蚀剂图案530上，以便于形成第五沉积层650。
参照图20，随后，移除第三光致抗蚀剂图案530。随着第三光致抗蚀剂图案530的移除，形成在第三光致抗蚀剂图案530上的第五沉积层650也可以被移除。
可以由使用剥离液的剥离工艺移除第三光致抗蚀剂图案530。当第三光致抗蚀剂图案530具有倒锥形形状时，可以容易地执行剥离工艺。然而，示例性实施例不限于此，并且如图21中所示，也可以使用具有锥形形状的第四光致抗蚀剂图案540。
随后，形成子保护层280，以便于制造图2中所示的有机发光显示装置。进一步，也可以通过反转子导电层270和子保护层280的形成顺序而制造图3中所示的有机发光显示装置。
图22、图23和图24是图示根据示例性实施例的制造图4和图5的有机发光显示装置的方法的剖视图。
参照图22，滤色器310形成在图16的保护层261上。滤色器310可以形成为不覆盖保护层261和第二导电层240的外侧。因此，保护层261和第二导电层240的外侧中的一些可以不与滤色器310重叠。
滤色器310可以包括第一滤色器311、第二滤色器312和第三滤色器313，第一滤色器311、第二滤色器312和第三滤色器313针对第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个分别过滤第一颜色、第二颜色和第三颜色。
参照图23，随后，刻蚀包覆层251和保护层261以暴露第二导电层240的至少一部分。具体地，可以刻蚀包覆层251和保护层261的在第二导电层240外侧中的不与滤色器310重叠的部分。
参照图24，随后，形成用于连接第二导电层240的所暴露的部分的子导电层272。
不同于第三光致抗蚀剂图案530和第四光致抗蚀剂图案540，由于不分别移除滤色器310，因此不同于图20的子导电层270，子导电层272可以连续地形成以覆盖像素限定膜220、第二导电层240、包覆层250、保护层260以及滤色器310的所有暴露的表面。
随后，在子导电层272上形成子保护层282或283以及黑矩阵320或321，以便于制造图4或图5中所示的有机发光显示装置。
示例性实施例可以具有以下效果。
根据示例性实施例的有机发光显示装置可以包括保护层，以防止或减少由外部空气或制造工艺所产生的物理和化学冲击对有机发光层的损伤。
此外，根据示例性实施例的有机发光显示装置可以包括电连接在形成保护层的工艺中断开的每个像素的第二导电层的子导电层。
尽管本文已经描述了某些示例性实施例和实现方式，但根据本说明书，其他实施例和修改是明显的。因此，创造性构思不限于这些实施例，而是限定于所呈现的权利要求以及各种显而易见的修改和等同设置的更广的范围。

Claims (17)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
第一导电层，所述第一导电层布置在所述基板上；
像素限定膜，所述像素限定膜被布置成在所述基板上限定多个像素，所述像素限定膜针对所述多个像素中的每一个像素暴露所述第一导电层的至少一部分；
有机发光层，所述有机发光层布置在所述第一导电层的由所述像素限定膜所暴露的所述至少一部分上；
第二导电层，所述第二导电层布置在所述有机发光层上；
保护层，所述保护层布置在所述多个像素中的每一个像素中、所述第二导电层上，并且暴露所述第二导电层的至少一部分；以及
子导电层，所述子导电层布置在所述多个像素之间的所述像素限定膜上，所述子导电层与布置在所述多个像素中的所述第二导电层的所暴露的部分电接触，
其中，所述子导电层不布置在所述保护层的与像素区域重叠的一部分上，并且将布置在不同像素中的所述第二导电层彼此电连接。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，布置在各个像素中的所述保护层不彼此接触。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，布置在各个像素中的所述第二导电层不彼此直接接触。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述有机发光层由所述保护层、所述像素限定膜、所述第一导电层和所述子导电层围绕并封闭。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述保护层包括无机材料。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述像素限定膜包括：
包括有机材料的第一层；以及
包括无机材料并且覆盖所述第一层的第二层。
7.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
第一导电层，所述第一导电层布置在所述基板上；
像素限定膜，所述像素限定膜被布置成在所述基板上限定至少一个像素，所述像素限定膜在所述至少一个像素中暴露所述第一导电层的至少一部分；
有机发光层，所述有机发光层布置在所述第一导电层的由所述像素限定膜所暴露的所述至少一部分上；
第二导电层，所述第二导电层布置在所述有机发光层上；
保护层，所述保护层布置在所述至少一个像素中的每一个像素中、所述第二导电层上，并且暴露所述第二导电层的至少一部分；以及
子导电层，所述子导电层布置在所述至少一个像素中的所述每一个像素的外部，所述子导电层与所述第二导电层的所暴露的部分电接触，
其中，所述子导电层不布置在所述保护层的与像素区域重叠的一部分上，并且将布置在不同像素中的所述第二导电层彼此电连接。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述有机发光层由所述保护层、所述像素限定膜、所述第一导电层和所述子导电层围绕并封闭。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述保护层的至少一部分与所述子导电层接触。
10.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，进一步包括：
滤色器，所述滤色器布置在所述保护层与所述子导电层之间。
11.一种制造有机发光显示装置的方法，包括：
制备基板，第一导电层和像素限定膜位于所述基板上，所述像素限定膜限定多个像素并且针对所述多个像素中的每一个像素暴露所述第一导电层；
在所述像素限定膜上布置光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案包括暴露所述多个像素中的第一像素的开口；
将第一材料层布置至所述基板的整个表面上以同时地布置：
有机发光层，所述有机发光层位于由所述第一导电层的所述像素限定膜所暴露的一部分上，以及
第一沉积层，所述第一沉积层位于所述光致抗蚀剂图案上；
将第二材料层布置至所述基板的整个表面上以同时地布置：
第二导电层，所述第二导电层位于所述有机发光层上；以及
第二沉积层，所述第二沉积层位于所述第一沉积层上；
将第三材料层布置至所述基板的整个表面上以同时地布置：
保护层，所述保护层位于所述第二导电层上，以及
第三沉积层，所述第三沉积层位于所述第二沉积层上；以及
移除所述光致抗蚀剂图案以及所述第一沉积层、所述第二沉积层和所述第三沉积层，
其中，在移除所述光致抗蚀剂图案之后，所述方法进一步包括：
在所述多个像素中的第二像素中布置有机发光层、第二导电层和保护层；
刻蚀所述多个像素中的所述第一像素和所述第二像素中的所述保护层的一部分以暴露所述多个像素中的所述第一像素和所述第二像素中的所述第二导电层的一部分；以及
形成子导电层以电连接所述多个像素中的所述第一像素和所述第二像素中的所述第二导电层的所暴露的部分。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述保护层的至少一部分与所述像素限定膜接触。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述保护层完全覆盖所述第一导电层和所述有机发光层。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述有机发光层由所述保护层、所述像素限定膜和所述第一导电层围绕并封闭。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂图案具有倒锥形形状。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂图案通过图案化负性光致抗蚀剂合成物而形成。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂图案由使用剥离液的剥离工艺移除。
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