JP2011124212A - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】画質特性を容易に向上させることができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１副画素、第２副画素及び第３副画素が配された表示領域及び非表示領域が定義される有機発光表示装置であって、各副画素は、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に連結される画素電極と、画素電極と電気的に連結される有機発光層と、有機発光層の上部に形成される対向電極と、を備え、非表示領域には、外部に露出された少なくとも一面を備えるパッド部が配され、第１副画素は、画素電極と有機発光層との間に順次に積層された第１透過性導電層、第２透過性導電層を備え、第２副画素は、画素電極と有機発光層との間に第１透過性導電層を備える有機発光表示装置及びその製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には、画質特性を容易に向上させることができる有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
最近の表示装置は、ポータブルな薄型の平板表示装置に代替される勢いである。平板表示装置の中でも、有機または無機発光表示装置は自発光型表示装置であって、視野角が広くてコントラストに優れるだけでなく、応答速度が速いという長所があって次世代表示装置として注目されている。また発光層の形成物質が有機物で構成される有機発光表示装置は、無機発光表示装置に比べて輝度、駆動電圧及び応答速度特性に優れて多様な色相を具現できる長所を持っている。
有機発光表示装置は、有機発光層を中心にカソード電極、アノード電極が配され、これらの両電極に電圧を加えれば、両電極に連結された有機発光層で可視光線を発生させる。
有機発光層は、赤色、緑色及び青色など他の色の可視光線を発光させる有機発光層を備える。このような相異なる有機発光層で発光した可視光線の輝度、色座標などの光特性は均一ではなく、最終的に製造された有機発光表示装置の画質特性を向上させるのには限界がある。
本発明は、画質特性を容易に向上させることができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供できる。
本発明は、基板上に第１副画素、第２副画素及び第３副画素が配された表示領域及び非表示領域が定義される有機発光表示装置であって、前記各副画素は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）と、前記ＴＦＴと電気的に連結される画素電極と、前記画素電極と電気的に連結される有機発光層と、前記有機発光層の上部に形成される対向電極と、を備え、前記非表示領域には、外部に露出された少なくとも一面を備えるパッド部が配され、前記第１副画素は、前記画素電極と前記有機発光層との間に順次に積層された第１透過性導電層、第２透過性導電層を備え、前記第２副画素は、前記画素電極と前記有機発光層との間に前記第１透過性導電層を備える有機発光表示装置を開示する。
本発明において、前記画素電極は、ＩＴＯを含む。
本発明において、前記画素電極は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造で形成される。
本発明において、前記有機発光層は、前記第１副画素に対応する赤色可視光線を発光させる有機発光層、前記第２副画素に対応する緑色可視光線を発光させる有機発光層、及び前記第３副画素に対応する青色可視光線を発光させる有機発光層を備える。
本発明において、前記パッド部は、前記ＴＦＴのソース及びドレイン電極と同じ材料で形成される。
本発明において、前記パッド部は、Ｔｉを含む。
本発明において、前記パッド部は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造で形成される。
本発明において、前記第１透過性導電層及び第２透過性導電層は、ＩＴＯを含む。
本発明において、前記画素電極の外郭エッジを覆うように配された絶縁部材をさらに備える。
本発明において、前記絶縁部材は、前記画素電極の上面のエッジ及び側面を覆うように配される。
本発明において、前記絶縁部材は、アクリルを含む。
本発明において、前記第１透過性導電層及び前記第２透過性導電層は、前記絶縁部材の側面に接するように配される。
本発明の他の側面によれば、基板上に第１副画素、第２副画素及び第３副画素が配された表示領域及び非表示領域が定義される有機発光表示装置の製造方法に係り、前記各副画素を形成するステップは、前記基板上にＴＦＴを形成するステップと、前記ＴＦＴと電気的に連結される画素電極を形成するステップと、前記画素電極と電気的に連結される有機発光層を形成するステップと、前記有機発光層上に対向電極を形成するステップと、を含み、前記非表示領域には、外部に露出された少なくとも一面を備えるパッド部が配され、前記第１副画素は、前記画素電極と前記有機発光層との間に順次に第１透過性導電層、第２透過性導電層を備え、前記第２副画素は、前記画素電極と前記有機発光層との間に前記第１透過性導電層を備える有機発光表示装置の製造方法を開示する。
本発明において、前記画素電極は、ＩＴＯを含むように形成する。
本発明において、前記画素電極は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造で形成する。
本発明において、前記有機発光層は、前記第１副画素に対応する赤色可視光線を発光させる有機発光層、前記第２副画素に対応する緑色可視光線を発光させる有機発光層、及び前記第３副画素に対応する青色可視光線を発光させる有機発光層を備えるように形成する。
本発明において、前記パッド部は、前記ＴＦＴのソース及びドレイン電極と同じ材料で形成する。
本発明において、前記パッド部は、Ｔｉを含むように形成する。
本発明において、前記パッド部は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造で形成する。
本発明において、前記第１透過性導電層及び第２透過性導電層は、ＩＴＯを含むように形成する。
本発明において、前記第１透過性導電層及び第２透過性導電層は、ウェットエッチング方法を利用してパターニングされる。
本発明において、前記ウェットエッチング方法を利用して前記第１透過性導電層及び第２透過性導電層をパターニングする間に、前記パッド部の露出面がウェットエッチング溶液と接触する。
本発明において、前記画素電極の外郭エッジを覆うように配された絶縁部材を形成するステップをさらに含む。
本発明において、前記絶縁部材は、前記画素電極の上面のエッジ及び側面を覆うように形成する。
本発明において、前記絶縁部材は、アクリルを含むように形成する。
本発明において、前記第１透過性導電層及び前記第２透過性導電層を形成するステップは、前記絶縁部材を形成した後に行う。
本発明において、前記第１透過性導電層及び前記第２透過性導電層は、前記絶縁部材の側面に接するように形成する。
本発明の有機発光表示装置及びその製造方法によれば、画質特性を容易に向上させることができる。
本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な平面図である。 図１のＩＩＡ−ＩＩＡ、ＩＩＢ−ＩＩＢの拡大断面図である。 本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した概略的な断面図である。 本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した概略的な断面図である。 本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した概略的な断面図である。 本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した概略的な断面図である。 本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した概略的な断面図である。 本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な平面図である。 図４のＶＡ−ＶＡ、ＶＢ−ＶＢの拡大断面図である。 本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した概略的な断面図である。 本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した概略的な断面図である。 本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した概略的な断面図である。 本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した概略的な断面図である。 本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した概略的な断面図である。 本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した概略的な断面図である。
以下、添付した図面に図示された本発明に関する実施形態を参照して、本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な平面図であり、図２は、図１のＩＩＡ−ＩＩＡ、ＩＩＢ−ＩＩＢの拡大断面図である。
本実施形態の有機発光表示装置１００は、基板１０１上に定義された表示領域Ａ１及び非表示領域Ａ２を備える。表示領域Ａ１には、可視光線を具現するように複数の第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２及び第３副画素ＳＰ３が配される。これら各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は異なる色の副画素でありうるが、本実施形態では、第１副画素ＳＰ１は赤色副画素、第２副画素ＳＰ２は緑色副画素、及び第３副画素ＳＰ３は青色副画素と定義する。図１及び図２には、１つの第１副画素ＳＰ１、１つの第２副画素ＳＰ２及び１つの第３副画素ＳＰ３が図示されているが、これは説明の便宜のためのものであって、有機発光表示装置１００は、複数の第１副画素ＳＰ１、複数の第２副画素ＳＰ２及び複数の第３副画素ＳＰ３を備えることができる。
第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２及び第３副画素ＳＰ３それぞれは、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）、画素電極１１５及び有機発光層を備える有機発光層１３０並びに対向電極１４０を備える。
非表示領域Ａ２は、表示領域Ａ１より小さく形成されることが望ましく、非表示領域Ａ２は、表示領域Ａ１に隣接して配される。非表示領域Ａ２には、表示領域Ａ１に電気的信号または電源を印加するパッド部１１２が配される。パッド部１１２は、後続工程で外部回路（図示せず）と電気的に連結される。
ＴＦＴは、活性層１０５、ゲート電極１０７、ソース電極１０９及びドレイン電極１１０を備える。
具体的に図２を参照しつつ各部材の構成について説明する。
まず基板１０１は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質からなりうる。基板１０１は必ずしもこれらに限定されるものではなく、透明なプラスチック材質で形成してもよい。プラスチック材質は、絶縁性有機物であるポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）からなる群から選択される有機物でありうる。
また金属で基板１０１を形成できる。金属で基板１０１を形成する場合、基板１０１は、炭素、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、インバー合金、インコネル合金及びコバール合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これらに限定されるものではない。基板１０１は金属ホイルで形成してもよい。
基板１０１の上部に平滑な面を形成し、基板１０１の上部への不純元素の浸透を遮断するために、基板１０１の上部にバッファ層１０２を形成できる。バッファ層（図示せず）は、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどで形成できる。
バッファ層（図示せず）上に所定パターンの活性層１０５が形成される。活性層１０５は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンのような無機半導体や有機半導体で形成され、ソース領域、ドレイン領域及びチャンネル領域を備える。
ソース及びドレイン領域は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンで形成した活性層１０５に不純物をドーピングして形成できる。３族元素であるホウ素（Ｂ）などでドーピングすれば、ｐ型、５族元素である窒素（Ｎ）などでドーピングすれば、ｎ型半導体を形成できる。
活性層１０５の上部にはゲート絶縁膜１０６が形成され、ゲート絶縁膜１０６の上部の所定領域にはゲート電極１０７が形成される。ゲート絶縁膜１０６は、活性層１０５とゲート電極１０７とを絶縁するためのものであって、有機物またはＳｉＮｘ、ＳｉＯ２などの無機物で形成できる。
ゲート電極１０７は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｍｏ、またはＡｌ：Ｎｄ、Ｍｏ：Ｗ合金などの金属または金属の合金からなりうるが、これらに限定されず、隣接層との密着性、ゲート電極１０７の平坦性、電気抵抗及び加工性などを考慮して多様な材料を使用できる。ゲート電極１０７は、ＴＦＴオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず）と連結されている。
ゲート電極１０７上には、ゲート電極１０７を覆うように絶縁性材料で層間絶縁膜１０８が形成される。
層間絶縁膜１０８上にソース電極１０９及びドレイン電極１１０が形成されて、ＴＦＴが形成される。ソース電極１０９及びドレイン電極１１０は、層間絶縁膜１０８に備えられたホールを通じて活性層１０５のソース領域及びドレイン領域と接触する。
ソース電極１０９及びドレイン電極１１０は電気的特性及び耐久性に優れ、下部膜との接触特性の優秀なＴｉを含むことが望ましい。またソース電極１０９及びドレイン電極１１０は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造で形成されうる。
一方、層間絶縁膜１０８の上部で非表示領域にはパッド部１１２が形成される。パッド部１１２は、ソース電極１０９及びドレイン電極１１０と同じ材料で形成する。すなわち、パッド部１１２はＴｉを含む。またパッド部１１２は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造で形成されうる。パッド部１１２は電気的特性及び耐久性の優秀なＴｉを含有して、後続工程で損傷が防止されて回路駆動の電気的特性が向上する。
ＴＦＴ上に平坦化膜１１３が形成される。すなわち、ソース電極１０９及びドレイン電極１１０上に平坦化膜１１３が形成される。平坦化膜１１３は多様な絶縁物質で形成できる。例えば、酸化物、窒化物などの無機物でも形成でき、有機物でも形成できる。
平坦化膜１１３を形成する無機絶縁膜には、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ、ＰＺＴなどが含まれ、有機絶縁膜には、一般汎用高分子（ＰＭＭＡ、ＰＳ）、フェノールグループを持つ高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びこれらのブレンドなどが含まれうる。平坦化膜１１３は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との複合積層体としても形成されうる。
非表示領域には、パッド部１１２の少なくとも一面を露出させるように保護膜１１４が形成される。具体的に、保護膜１１４は、パッド部１１２のエッジ上面及び側面を覆うように形成される。パッド部１１２は多様な絶縁物で形成でき、平坦化膜１１３と同じ材料を利用して形成できる。
平坦化膜１１３上に画素電極１１５が形成される。画素電極１１５はドレイン電極１１０と電気的に連結され、フォトリソグラフィー法により所定のパターンで形成される。
画素電極１１５はＩＴＯを含むことができる。また画素電極１１５は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造で形成されうる。画素電極１１５に含まれたＡｇ層により、有機発光層１３０で発生した可視光線のうち、画素電極１１５方向に進んだ光線が対向電極１４０方向に反射されうる。
次いで、第１副画素ＳＰ１には、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２が、画素電極１１５上に順次に形成される。また第２副画素ＳＰ２には、第１透過性導電層１２１が画素電極１１５上に形成される。第３副画素ＳＰ１上には、第１透過性導電層１２１または第２透過性導電層１２２が存在しない。第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２はＩＴＯを利用して形成できる。
第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２はそれぞれ所定のパターンを持つ。このために、フォトリソグラフィー法を利用して第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２のパターンを形成し、このようなフォトリソグラフィー法を利用したパターニング時にウェットエッチング工程を利用する。
ウェットエッチング工程中、ウェットエッチング溶液はパッド部１１２の露出面とも接する。そして、パッド部１１２はソース電極１０９及びドレイン電極１１０と電気的に連結されるので、画素電極１１５とも電気的に連結される。
また第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２に含まれたＩＴＯとパッド部１１２に含まれたＴｉとは標準還元電位差が大きい。したがって、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２とパッド部１１２との間には、ガルバニック腐食現象が発生し、ウェットエッチング工程中、標準還元電位絶対値が大きい第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２のエッチング効率が向上する。これを通じて、均一にエッチングされた所望のパターンの第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を容易に形成できる。
第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２の厚さは、工程別に多様に決定できる。
画素電極１１５、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２上には画素定義膜１２５が形成される。画素定義膜１２５は、第１副画素ＳＰ１の第２透過性導電層１２２、第２副画素ＳＰ２の第１透過性導電層１２１及び第３副画素ＳＰ３の画素電極１１５の所定領域が露出されるように形成される。画素定義膜１２５は有機物または無機物で形成できる。
そして有機発光層１３０が形成される。具体的に第１副画素ＳＰ１は、赤色可視光線を発光させる有機発光層１３０ａ、第２副画素ＳＰ２は、緑色可視光線を発光させる有機発光層１３０ｂ、第３副画素ＳＰ３は、青色可視光線を発光させる有機発光層１３０ｃを備える。
有機発光層１３０は、多様な材料を利用して形成するが、具体的に赤色可視光線を発光させる有機発光層１３０ａの場合、テトラフェニルナフタセン（ルブレン）、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、トリス（ジベンゾイルメタン）フェナントロリンユーロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ｄｂｍ）３（ｐｈｅｎ））、トリス［４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−（２，２’）−ビピリジン］ルテニウム（ＩＩＩ）錯体（Ｒｕ（ｄｔｂ−ｂｐｙ）３＊２（ＰＦ６））、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２、Ｅｕ（テノイルトリフルオロアセトン）３（（Ｅｕ（ＴＴＡ）３）、ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン）（ＤＣＪＴＢ）などを含むことができ、その他にポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を含むことができる。
また緑色可視光線を発光させる有機発光層１３０ｂの場合、緑色発光材料である３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）クマリン（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７，−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ−１０−（２−ベンゾチアゾリル）キノリジノ−［９，９ａ，１ｇｈ］クマリン（Ｃ５４５Ｔ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−キナクリドン（ＤＭＱＡ）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）などを含むことができ、その他にポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を含むことができる。
また青色可視光線を発光させる有機発光層１３０ｃの場合、青色発光材料であるオキサジアゾールダイマー染料（Ｂｉｓ−ＤＡＰＯＸＰ）、スピロ化合物（Ｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉ、Ｓｐｉｒｏ−６Ｐ）、トリアリールアミン化合物、ビス（スチリル）アミン（ＤＰＶＢｉ、ＤＳＡ）、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾールビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（ＴＰＢｅ）、９Ｈ−カルバゾール−３，３’−（１，４−フェニレン−ジ−２，１−エテン−ジイル）ビス［９−エチル−（９Ｃ）］（ＢＣｚＶＢ）、４，４−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン（ＤＰＡＶＢ）、４，４’−ビス［４−（ジフェニルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＢＤＡＶＢｉ）、ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（２−カルボキシピリジル）イリジウムＩＩＩ（ＦＩｒＰｉｃ）などを含むことができ、その他にポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を含むことができる。
図示していないが、あらゆる副画素にかけて有機発光層１３０が形成される前に、正孔注入層または正孔輸送層を形成できるということは言うまでもない。
有機発光層１３０の上部に対向電極１４０を形成する。対向電極１４０は、全体副画素をいずれも覆うように形成できる。
対向電極１４０は仕事関数の小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物を蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明導電物質を蒸着して形成できる。
本実施形態で画素電極１１５はアノードであり、対向電極１４０はカソードと定義して説明したが、本発明はこれらに限定されず、極性が互いに入れ替わってもよい。
図示していないが、有機発光層１３０と対向電極１４０との間に、全体副画素にかけて電子輸送層または電子注入層が配されてもよい。
基板１０１の一面に対向するように、すなわち、対向電極１４０の上部に密封部材（図示せず）が配されうる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素などから有機発光層１３０を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は透明な材質で形成される。このために、ガラス、プラスチックまたは有機物と無機物との複数の重畳した構造にしてもよい。
本実施形態の有機発光表示装置１００は、画素電極１１５の上部に各副画素別に第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を差別化して形成する。すなわち、赤色可視光線が具現される第１副画素ＳＰ１には、画素電極１１５／第１透過性導電層１２１／第２透過性導電層１２２の積層構造が形成され、緑色可視光線が具現される第２副画素ＳＰ２には、画素電極１１５／第１透過性導電層１２１の積層構造が形成され、第３副画素ＳＰ３には画素電極１１５が形成される。
これを通じて、有機発光層１３０で発生した可視光線のうち、画素電極１１５方向に進んで画素電極１１５で反射されて対向電極１４０方向に進む可視光線の光パスの長さを、各副画素別に異ならせてマイクロキャビティー効果を具現できる。
この時、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２の厚さを調節して、それぞれ異なる可視光線を具現する副画素別に光パスの長さを調整することができ、これを通じて各副画素で具現される可視光線の色純度及び光効率を向上させ、結果的に有機発光表示装置１００の画質特性を向上させる。
また本実施形態の有機発光表示装置１００は、非表示領域のパッド部１１２の一面を露出させるように形成されるが、これを通じてガルバニック腐食現象を利用して第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２の均一なパターンを容易に形成できる。
図３Ａないし図３Ｄは、本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した概略的な断面図である。また図３Ａないし図３Ｄは、図１及び図２の有機発光表示装置の製造方法を図示した断面図である。
まず図３Ａを参照すれば、基板１０１上に活性層１０５、ゲート電極１０７、ソース電極１０９及びドレイン電極１１０を備えるＴＦＴが形成されている。各ＴＦＴは、各副画素ごとに一つずつ備えられる。本実施形態では、各副画素ごとに１つのＴＦＴが備えられるが、本発明はこれらに限定されず、複数のＴＦＴが１つの副画素に備えられてもよい。
具体的にみれば、基板１０１上に活性層１０５を形成する。図示していないが、活性層１０５を形成する前にバッファ層（図示せず）を形成できる。活性層１０５を覆うようにゲート絶縁膜１０６を形成し、ゲート絶縁膜１０６上にゲート電極１０７を形成する。次いで、層間絶縁膜１０８を形成し、層間絶縁膜１０８上にソース電極１０９及びドレイン電極１１０を活性層１０５と電気的に連結されるように形成する。
ソース電極１０９及びドレイン電極１１０と同時に非表示領域にパッド部１１２を形成する。ソース電極１０９及びドレイン電極１１０はＴｉを含むように形成するが、特にＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造で形成できる。パッド部１１２もＴｉを含み、特にＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造で形成できる。Ｔｉを含む導電膜を表示領域及び全体領域に塗布した後、フォトリソグラフィー法のようなパターニング方法を利用して、ソース電極１０９及びドレイン電極１１０とパッド部１１２とを同時に形成する。図示していないが、パッド部１１２はソース電極１０９及びドレイン電極１１０と電気的に連結される。
次いで、図３Ｂを参照すれば、ソース電極１０９及びドレイン電極１１０を覆うように絶縁物質で平坦化膜１１３を形成し、平坦化膜１１３にコンタクトホール１１３ａを形成する。この時、コンタクトホール１１３ａを通じてドレイン電極１１０を露出させる。このようなコンタクトホール１１３ａの形成のためにフォトリソグラフィー法が利用されうる。
この時、パッド部１１２上には保護膜１１４が形成される。保護膜１１４は平坦化膜１１３と同じ材料で形成され、パッド部１１２の一面を露出させるようにパッド部１１２の側面とエッジの上面とを覆うことができる。
次いで、図３Ｃを参照すれば、画素電極１１５を形成する。画素電極１１５はドレイン電極１１０と連結される。画素電極１１５はＩＴＯを含有するが、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造を持つことが望ましい。ここで、Ａｇは反射膜であって、後続工程で形成される有機発光層で発生した可視光線のうち、画素電極に向かって進む可視光線を反射させて、マイクロキャビティー効果を発生させることができる。
また画素電極１１５がＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造を持つ時、平坦化膜１１３と接する部分にはＩＴＯを含ませて、画素電極１１５と平坦化膜１１３との接着力を向上させる。
次いで、図３Ｄを参照すれば、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を形成する。図３Ｄには、３つの副画素に対応する３つの画素電極１１５が図示されている。
図３Ｄで、最左側の画素電極１１５には第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２が形成され、中央の画素電極１１５には第１透過性導電層１２２のみ形成され、最右側の画素電極１１５上には第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２が形成されない。
第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を形成するためにフォトリソグラフィー法のようなパターニング方法を利用し、かかる工程中にウェットエッチング工程を進める。
ウェットエッチング工程中にはウェットエッチング溶液を利用するが、ウェットエッチング溶液は基板１０１上の全面に適用するので、ウェットエッチング溶液は第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２だけでなく、パッド部１１２の露出面にも接触する。
この時、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２に含まれているＩＴＯとパッド部１１２に含まれているＴｉとは標準還元電位差が大きく、これによってガルバニック腐食現象が発生する。すなわち、パッド部１１２が露出されずにウェットエッチング溶液がパッド部１１２と接触しない構造に比べて、本実施形態のような構造では、ＩＴＯを含有する第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２がさらに容易にエッチングされる。
ウェットエッチング工程は、フォトリソグラフィー法を利用したパターニング工程でパターンの精度を左右する重要な工程であって、エッチング効率が向上すれば、パターニング時間が短縮し、パターニングされたパターン及び断面の正確性が向上する。
特に各副画素別に、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２が差別的に形成されるので、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２が所望の形態に所望の位置に形成されることが重要であるが、本実施形態は、ＩＴＯを含有する第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２のウェットエッチング工程効率性を向上させて、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を所望のパターンに均一かつ容易に形成できる。
次いで、図３Ｅを参照すれば、第１透過性導電層１２１、第２透過性導電層１２２及び画素電極１１５上に画素定義膜１２５を形成する。画素定義膜１２５には開口を形成して、図３Ｅの最左側に図示された画素電極１１５上部の第２透過性導電層１２２、図３Ｅの中央に図示された画素電極１１５上部の第１透過性導電層１２１、及び図３Ｅの最右側に図示された画素電極１１５を露出させ、その上に有機発光層１３０及び対向電極１４０を形成する。
具体的に、図３Ｅの最左側に図示された画素電極１１５上部の第２透過性導電層１２２上には、赤色可視光線を発光させる有機発光層１３０ａを形成し、図３Ｅの中央に図示された画素電極１１５上部の第１透過性導電層１２１上には、緑色可視光線を発光させる有機発光層１３０ｂを形成し、図３Ｅの最右側に図示された画素電極１１５の上部には、青色可視光線を発光させる有機発光層１３０ｃを形成し、対向電極１４０を全体副画素にかけて共通的に形成して、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２及び第３副画素ＳＰ３を備える有機発光表示装置１００を最終的に製造する。
有機発光層１３０は多様な材料を利用して形成するが、具体的な材料は前述した実施形態の通りである。
図示していないが、あらゆる副画素にかけて有機発光層１３０が形成される前に、正孔注入層または正孔輸送層を形成できる。
対向電極１４０は、仕事関数の小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物を蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明導電物質を蒸着して形成できる。
図示していないが、有機発光層１３０と対向電極１４０との間に、全体副画素にかけて電子輸送層または電子注入層を形成してもよい。
また基板１０１の一面に対向するように密封部材（図示せず）を配置できる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素から有機発光層１１２を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は透明な材質で形成される。このために、ガラス、プラスチックまたは有機物と無機物との複数の重畳した構造にしてもよい。
本実施形態の有機発光表示装置１００は、画素電極１１５上部に各副画素別に第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を差別化して形成して、マイクロキャビティー効果を具現できる。
この時、パッド部１１２の一面を露出させるように形成して、ガルバニック腐食現象を利用して第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２のエッチング効率を向上させる。これを通じて均一な特性を持つパターンで、第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を容易に形成できる。
すなわち、第１副画素ＳＰ１に所望の厚さ及びパターンを持つ第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を形成し、第２副画素ＳＰ２には所望の厚さ及びパターンを持つ第１透過性導電層１２１のみを形成し、第２透過性導電層１２２は残存させず、第３副画素ＳＰ３上には第１透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を残存させない。
結果的に所望の厚さ及びパターンを持つ透過性導電層１２１及び第２透過性導電層１２２を容易に形成して、マイクロキャビティー効果が低減せずに有機発光表示装置１００の画質特性が向上する。
図４は、本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な平面図であり、図５は、図４のＶＡ−ＶＡ、ＶＢ−ＶＢの拡大断面図である。
本実施形態の有機発光表示装置２００は、基板２０１上に定義された表示領域Ａ１及び非表示領域Ａ２を備える。表示領域Ａ１には、可視光線を具現するように複数の第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２及び第３副画素ＳＰ３が配される。これら各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は他の色の副画素でありうるが、本実施形態では、第１副画素ＳＰ１は赤色副画素、第２副画素ＳＰ２は緑色副画素及び第３副画素ＳＰ３は青色副画素と定義する。図４及び図５には、１つの第１副画素ＳＰ１、１つの第２副画素ＳＰ２及び１つの第３副画素ＳＰ３が図示されているが、これは説明の便宜のためのものであって、有機発光表示装置２００は、複数の第１副画素ＳＰ１、複数の第２副画素ＳＰ２及び複数の第３副画素ＳＰ３を備えることができる。
第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２及び第３副画素ＳＰ３それぞれは、ＴＦＴ、画素電極２１５及び有機発光層を備える有機発光層２３０及び対向電極２４０を備える。
非表示領域Ａ２には、表示領域Ａ１に電気的信号または電源を印加するパッド部２１２が配される。パッド部２１２は、後続工程で外部回路（図示せず）と電気的に連結される。
ＴＦＴは、活性層２０５、ゲート電極２０７、ソース電極２０９及びドレイン電極２１０を備える。
具体的に、図５を参照して各部材の構成について説明する。
まず基板２０１上部に所定パターンの活性層２０５が形成される。もちろん基板２０１と活性層２０５との間にバッファ層（図示せず）を介在できる。活性層２０５の上部にはゲート絶縁膜２０６が形成され、ゲート絶縁膜２０６の上部の所定領域にはゲート電極２０７が形成される。ゲート電極２０７上にはゲート電極２０７を覆うように、絶縁性材料を備える層間絶縁膜２０８が形成される。
基板２０１、活性層２０５及びゲート電極２０７についての具体的な構成は前述した実施形態と同一であるので、説明を省略する。
層間絶縁膜２０８上にソース電極２０９及びドレイン電極２１０が形成されてＴＦＴが形成される。ソース電極２０９及びドレイン電極２１０は層間絶縁膜２０８に備えられたホールを通じて活性層２０５のソース領域及びドレイン領域と接触する。
ソース電極２０９及びドレイン電極２１０はＴｉを含有することが望ましい。またソース電極２０９及びドレイン電極２１０はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造で形成されうる。
一方、非表示領域の層間絶縁膜２０８上部にはパッド部２１２が形成される。パッド部２１２は、ソース電極２０９及びドレイン電極２１０と同じ材料で形成する。すなわち、パッド部２１２はＴｉを含有する。またパッド部２１２は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造で形成されうる。パッド部２１２は、電気的特性及び耐久性の優秀なＴｉを含有して、後続工程で損傷が防止されて回路駆動の電気的特性が向上する。
ＴＦＴ上に平坦化膜２１３が形成される。すなわち、ソース電極２０９及びドレイン電極２１０上に平坦化膜２１３が形成される。平坦化膜２１３を形成する材料は、前述した実施形態で説明した通りである。
非表示領域には、パッド部２１２の少なくとも一面を露出させるように保護膜２１４が形成される。具体的に、保護膜２１４は、パッド部２１２のエッジ上面及び側面を覆うように形成される。パッド部２１２は多様な絶縁物で形成でき、平坦化膜２１３と同じ材料を利用して形成できる。
平坦化膜２１３上に画素電極２１５が形成される。画素電極２１５はドレイン電極２１０と電気的に連結され、フォトリソグラフィー法により所定のパターンで形成される。
画素電極２１５はＩＴＯを含むことができる。また画素電極２１５は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造で形成されうる。画素電極２１５に含まれているＡｇ層によって、有機発光層２３０で発生した可視光線のうち、画素電極２１５方向に進む可視光線が対向電極２４０方向に反射されうる。
画素電極２１５上部に、画素電極２１５の外郭エッジを覆うように絶縁部材２１６が配される。すなわち、絶縁部材２１６は画素電極２１５のエッジ上面及び側面を覆う。絶縁部材２１６は多様な絶縁物質で形成でき、具体的に絶縁部材２１６はアクリルを含有できる。
絶縁部材２１６は、画素電極２１５のエッジ上面及び側面を保護する。これを通じて画素電極２１５の上部に配される第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２の形成のためのウェットエッチング工程中に、画素電極２１５のエッジ上面及び側面が損傷することを防止できる。特にエッチング溶液が画素電極２１５の側面に浸透して画素電極２１５で反射膜の機能を行うＡｇを損傷させることを容易に防止できる。
画素電極２１５を形成してから、第１副画素ＳＰ１には第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２が画素電極２１５上に順次に形成される。また第２副画素ＳＰ２には、第１透過性導電層２２１が画素電極２１５上に形成される。第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２はＩＴＯを利用して形成できる。
第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２はそれぞれ所定のパターンを持つ。このために、フォトリソグラフィー法を利用して第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２のパターンを形成し、かかる工程のうちウェットエッチング工程を利用する。
ウェットエッチング工程中に、ウェットエッチング溶液はパッド部２１２の露出面とも接する。そして、パッド部２１２はソース電極２０９及びドレイン電極２１０と電気的に連結されるので、画素電極２１５とも電気的に連結される。
また第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２に含まれたＩＴＯとパッド部２１２に含まれたＴｉとは、標準還元電位差が大きい。したがって、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２とパッド部２１２との間にはガルバニック腐食現象が発生し、ウェットエッチング工程中に、標準還元電位絶対値の大きい第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２のエッチング効率が向上する。これを通じて、均一にエッチングされた所望のパターンの第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２を容易に形成できる。
第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２の厚さは、工程別に多様に決定できる。
また第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２は、絶縁部材２１６の側面と接するように形成される。第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２と絶縁部材２１６とが接するように形成されて、画素電極２１５の上面が露出されない。これは、画素電極２１５の耐久性を向上させる。
画素電極２１５、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２上には画素定義膜２２５が形成される。画素定義膜２２５は、第１副画素ＳＰ１の第２透過性導電層２２２、第２副画素ＳＰ２の第１透過性導電層２２１及び第３副画素ＳＰ３の画素電極２１５が露出されるように形成される。画素定義膜２２５は有機物または無機物で形成できる。
そして、有機発光層２３０が形成される。具体的に、第１副画素ＳＰ１は、赤色可視光線を発光させる有機発光層２３０ａ、第２副画素ＳＰ２は、緑色可視光線を発光させる有機発光層２３０ｂ、第３副画素ＳＰ３は、青色可視光線を発光させる有機発光層２３０ｃを備える。
有機発光層２３０は、多様な材料を利用して形成するが、前述した実施形態と同一である。
図示していないが、あらゆる副画素にかけて有機発光層２３０が形成される前に、正孔注入層または正孔輸送層を形成できるということは言うまでもない。
有機発光層２３０上部に対向電極２４０を形成する。対向電極２４０は全体画素をいずれも覆うように形成できる。
本実施形態で、画素電極２１５はアノードであり、対向電極２４０はカソードであるが、本発明はこれに限定されず、極性が互いに入れ替わってもよい。
図示していないが、有機発光層２３０と対向電極２４０との間に、全体副画素にかけて電子輸送層または電子注入層が配されうるということは言うまでもない。
基板２０１の一面に対向するように、すなわち、対向電極２４０上部に密封部材（図示せず）が配されうる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素から有機発光層２３０を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は透明な材質で形成される。このために、ガラス、プラスチックまたは有機物と無機物との複数の重畳した構造にしてもよい。
本実施形態の有機発光表示装置２００は、有機発光層２３０で発生した可視光線のうち、画素電極２１５方向に進んで画素電極２１５で反射されて対向電極２４０方向に進む可視光線の光パスの長さを、各副画素別に異ならせてマイクロキャビティー効果を具現できる。
これを通じて、各副画素で具現される可視光線の色純度及び光効率を向上させ、結果的に有機発光表示装置２００の画質特性を向上させる。
また本実施形態の有機発光表示装置２００は、非表示領域のパッド部２１２の一面を露出させるように形成されるが、これを通じて、ガルバニック腐食現象を利用して、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２の均一なパターンを容易に形成できる。
また本実施形態の有機発光表示装置２００は、画素電極２１５上に画素電極２１５の外郭エッジを覆うように絶縁部材２１６を形成する。これを通じて、画素電極２１５上部に第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２を形成する時、画素電極２１５の側面及びエッジ上面が損傷することを防止し、特に、画素電極２１５のＡｇが損傷することを防止する。
図６Ａないし図６Ｆは、本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に図示した概略的な断面図である。また図６Ａないし図６Ｆは、図４及び図５の有機発光表示装置の製造方法を図示した断面図である。
まず図６Ａを参照すれば、基板２０１上に活性層２０５、ゲート電極２０７、ソース電極２０９及びドレイン電極２１０を備えるＴＦＴが形成されている。図示していないが、活性層２０５を形成する前にバッファ層（図示せず）を形成できる。
具体的に、活性層２０５を覆うようにゲート絶縁膜２０６を形成し、ゲート絶縁膜２０６上にゲート電極２０７を形成する。次いで、層間絶縁膜２０８を形成し、層間絶縁膜２０８上にソース電極２０９及びドレイン電極２１０を、活性層２０５と電気的に連結されるように形成する。
ソース電極２０９及びドレイン電極２１０と同時に非表示領域にパッド部２１２を形成する。ソース電極２０９及びドレイン電極２１０はＴｉを含有するように形成するが、特にＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造で形成できる。パッド部２１２もＴｉを含有し、特にＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造で形成できる。図示していないが、パッド部２１２は、ソース電極２０９及びドレイン電極２１０と電気的に連結される。
次いで、図６Ｂを参照すれば、ソース電極２０９及びドレイン電極２１０を覆うように、絶縁物質で平坦化膜２１３を形成し、平坦化膜２１３にコンタクトホール２１３ａを形成する。この時、コンタクトホール２１３ａを通じてドレイン電極２１０を露出させる。
この時、パッド部２１２上には保護膜２１４が形成される。保護膜２１４は平坦化膜２１３と同じ材料で形成され、パッド部２１２の一面を露出させるように、パッド部２１２の側面とエッジの上面とを覆うことができる。
次いで、図６Ｃを参照すれば、画素電極２１５を形成する。画素電極２１５はドレイン電極２１０と連結される。画素電極２１５はＩＴＯを含有するが、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造を持つことが望ましい。
次いで、図６Ｄを参照すれば、画素電極２１５上に絶縁部材２１６を形成する。絶縁部材２１６は画素電極２１５の外郭エッジを覆うように形成する。具体的に、絶縁部材２１６は、画素電極２１５のエッジ上面及び側面を覆うように形成する。絶縁部材２１６は、アクリルのような絶縁物質を利用して形成することが望ましい。
絶縁部材２１６は、画素電極２１５の外郭エッジを保護する。すなわち、後続工程で、エッチング溶液が画素電極２１５の外郭エッジを損傷するか、または画素電極２１５の側面を損傷すること、及び画素電極２１５の側面を通じてエッチング溶液が浸透することを防止する。
次いで、図６Ｅを参照すれば、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２を形成する。
図６Ｅで、最左側の画素電極２１５には、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２が形成され、中央の画素電極２１５には、第１透過性導電層２２１のみ形成され、最右側の画素電極２１５上には、第１透過性導電層２２１と第２透過性導電層２２２とが形成されない。
第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２を形成するためにフォトリソグラフィー法のようなパターニング方法を利用し、かかる工程のうちウェットエッチング工程を行う。
ウェットエッチング工程中にはウェットエッチング溶液を利用するが、ウェットエッチング溶液は基板２０１上の全面に適用するので、ウェットエッチング溶液は、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２だけでなく、パッド部２１２の露出面にも接触する。
この時、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２に含まれているＩＴＯと、パッド部２１２に含まれているＴｉとは標準還元電位差が大きく、これによってガルバニック腐食現象が発生する。すなわちパッド部２１２が露出されずにウェットエッチング溶液がパッド部２１２と接触しない時の構造より、本実施形態の構造で、ＴＯを含有する第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２はさらに容易にエッチングされる。
これを通じてウェットエッチング工程を行った後、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２を所望のパターンに均一かつ容易に形成できる。
またウェットエッチング工程中に、エッチング溶液によって画素電極２１５が損傷しうるが、本実施形態では絶縁部材２１６がこれを防止する。すなわち、絶縁部材２１６が画素電極２１６のエッジ上面及び側面を覆っていて、エッチング溶液によって画素電極２１５の外郭エッジが損傷することを防止する。具体的に、画素電極２１５のエッジ上面及び側面を通じてエッチング溶液が浸透して画素電極２１５のＡｇを損傷させることを容易に防止する。
画素電極２１５のＡｇは反射膜機能を行い、これを通じて有機発光表示装置のマイクロキャビティー機能が具現されるが、Ａｇが損傷すれば、マイクロキャビティー機能が正常に具現されない。本実施形態では絶縁部材２１６が、エッチング溶液が画素電極２１５を損傷させることを容易に防止する。
また絶縁部材２１６によって、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２が画素電極２１５の上部に容易に載置する。この時、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２が絶縁部材２１６の側面と接するように形成する。すなわち、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２は絶縁部材２１６と接するように形成して、画素電極２１５の上面が露出されない。これを通じて画素電極２１５の耐久性が向上する。
次いで、図６Ｆを参照すれば、第１透過性導電層２２１、第２透過性導電層２２２及び画素電極２１５上に画素定義膜２２５を形成する。画素定義膜２２５には開口を形成して、図６Ｆの最左側に図示された画素電極２１５上部の第２透過性導電層２２２、図６Ｆの中央に図示された画素電極２１５上部の第１透過性導電層２２１、及び図６Ｆの最右側に図示された画素電極２１５を露出させ、その上に有機発光層２３０及び対向電極２４０を形成する。
具体的に、図６Ｆの最左側に図示された画素電極２１５上部の第２透過性導電層２２２上には、赤色可視光線を発光させる有機発光層２３０ａを形成し、中央に図示された画素電極２１５上部の第１透過性導電層２２１上には、緑色可視光線を発光させる有機発光層２３０ｂを形成し、最右側に図示された画素電極２１５の上部には、青色可視光線を発光させる有機発光層２３０ｃを形成し、対向電極２４０を共通的に形成して、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２及び第３副画素ＳＰ３を備える有機発光表示装置２００を最終的に製造する。
有機発光層２３０及び対向電極２４０を形成する材料は、前述した実施形態と同一であるので説明を省略する。
図示していないが、あらゆる副画素にかけて有機発光層２３０が形成される前に、正孔注入層または正孔輸送層を形成できるということは言うまでもない。また有機発光層２３０と対向電極２４０との間に、全体副画素にかけて電子輸送層または電子注入層が配されうるということは言うまでもない。
図示していないが、基板２０１の一面に対向するように密封部材（図示せず）が配されうる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素から有機発光層２１２を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は透明な材質で形成される。このためにガラス、プラスチックまたは有機物と無機物との複数の重畳した構造にしてもよい。
本実施形態の方法によって製造された有機発光表示装置２００は、画素電極２１５上部に各副画素別に、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２を差別化して形成してマイクロキャビティー効果を具現できる。
この時、パッド部２１２の一面を露出させるように形成して、ガルバニック腐食現象を利用して第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２のエッチング効率が向上し、これを通じて均一な特性を持つパターンで、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２を容易に形成できる。
一方、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２を形成する前に、画素電極２１５の側面及びエッジ上面を保護するように絶縁部材２１６を形成して、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２を形成する工程中に、エッチング溶液が画素電極２１５の側面及びエッジ上面を損傷させることを防止する。特に、エッチング溶液が画素電極２１５の側面などに浸透して画素電極２１５のＡｇを損傷させることを容易に防止する。
結果的に、画素電極２１５、第１透過性導電層２２１及び第２透過性導電層２２２を設計した構成通りに容易に形成して、マイクロキャビティー効果が低下せずに有機発光表示装置２００の画質特性が向上する。
図面に図示された実施形態を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解することである。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。
本発明は、ディスプレイ装置関連の技術分野に好適に用いられる。
１００、２００ 有機発光表示装置
１０１、２０１ 基板
１０５、２０５ 活性層
１０６、２０６ ゲート絶縁膜
１０７、２０７ ゲート電極
１０８、２０８ 層間絶縁膜
１０９、２０９ ソース電極
１１０、２１０ ドレイン電極
１１２、２１２ パッド部
１１３、２１３ 平坦化膜
１１４、２１４ 保護層
１１５、２１５ 画素電極
１２１、２２１ 第１透過性導電層
１２２、２２２ 第２透過性導電層
１２５、２２５ 画素定義膜
１３０、２３０ 有機発光層
１４０、２４０ 対向電極
２１６ 絶縁部材
ＳＰ１ 第１副画素
ＳＰ２ 第２副画素
ＳＰ３ 第３副画素

Claims (27)

  1. 基板上に第１副画素、第２副画素及び第３副画素が配された表示領域及び非表示領域が定義される有機発光表示装置であって、
    前記各副画素は、薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタと電気的に連結される画素電極と、
    前記画素電極と電気的に連結される有機発光層と、
    前記有機発光層の上部に形成される対向電極と、を備え、
    前記非表示領域には、外部に露出された少なくとも一面を備えるパッド部が配され、
    前記第１副画素は、前記画素電極と前記有機発光層との間に順次に積層された第１透過性導電層、第２透過性導電層を備え、前記第２副画素は、前記画素電極と前記有機発光層との間に前記第１透過性導電層を備える有機発光表示装置。
  2. 前記画素電極は、ＩＴＯを含む請求項１に記載の有機発光表示装置。
  3. 前記画素電極は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造で形成される請求項１に記載の有機発光表示装置。
  4. 前記有機発光層は、前記第１副画素に対応する赤色可視光線を発光させる有機発光層、前記第２副画素に対応する緑色可視光線を発光させる有機発光層、及び前記第３副画素に対応する青色可視光線を発光させる有機発光層を備える請求項１に記載の有機発光表示装置。
  5. 前記パッド部は、前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と同じ材料で形成される請求項１に記載の有機発光表示装置。
  6. 前記パッド部は、Ｔｉを含む請求項１に記載の有機発光表示装置。
  7. 前記パッド部は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造で形成される請求項１に記載の有機発光表示装置。
  8. 前記第１透過性導電層及び第２透過性導電層は、ＩＴＯを含む請求項１に記載の有機発光表示装置。
  9. 前記画素電極の外郭エッジを覆うように配された絶縁部材をさらに備える請求項１に記載の有機発光表示装置。
  10. 前記絶縁部材は、前記画素電極の上面のエッジ及び側面を覆うように配された請求項９に記載の有機発光表示装置。
  11. 前記絶縁部材は、アクリルを含む請求項９に記載の有機発光表示装置。
  12. 前記第１透過性導電層及び前記第２透過性導電層は、前記絶縁部材の側面に接するように配された請求項９に記載の有機発光表示装置。
  13. 基板上に第１副画素、第２副画素及び第３副画素が配された表示領域及び非表示領域が定義される有機発光表示装置の製造方法に係り、
    前記各副画素を形成するステップは、
    前記基板上に薄膜トランジスタを形成するステップと、
    前記薄膜トランジスタと電気的に連結される画素電極を形成するステップと、
    前記画素電極と電気的に連結される有機発光層を形成するステップと、
    前記有機発光層上に対向電極を形成するステップと、を含み、
    前記非表示領域には、外部に露出された少なくとも一面を備えるパッド部が配され、
    前記第１副画素は、前記画素電極と前記有機発光層との間に順次に第１透過性導電層、第２透過性導電層を備え、前記第２副画素は、前記画素電極と前記有機発光層との間に前記第１透過性導電層を備える有機発光表示装置の製造方法。
  14. 前記画素電極は、ＩＴＯを含むように形成する請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  15. 前記画素電極は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造で形成する請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  16. 前記有機発光層は、前記第１副画素に対応する赤色可視光線を発光させる有機発光層、前記第２副画素に対応する緑色可視光線を発光させる有機発光層、及び前記第３副画素に対応する青色可視光線を発光させる有機発光層を備えるように形成する請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  17. 前記パッド部は、前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と同じ材料で形成する請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  18. 前記パッド部は、Ｔｉを含むように形成する請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  19. 前記パッド部は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造で形成する請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  20. 前記第１透過性導電層及び第２透過性導電層は、ＩＴＯを含むように形成する請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  21. 前記第１透過性導電層及び第２透過性導電層は、ウェットエッチング方法を利用してパターニングされる請求項２０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  22. 前記ウェットエッチング方法を利用して前記第１透過性導電層及び第２透過性導電層をパターニングする間に、前記パッド部の露出面がウェットエッチング溶液と接触する請求項２１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  23. 前記画素電極の外郭エッジを覆うように配された絶縁部材を形成するステップをさらに含む請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  24. 前記絶縁部材は、前記画素電極の上面のエッジ及び側面を覆うように形成する請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  25. 前記絶縁部材は、アクリルを含むように形成する請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  26. 前記第１透過性導電層及び前記第２透過性導電層を形成するステップは、前記絶縁部材を形成した後に行う請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  27. 前記第１透過性導電層及び前記第２透過性導電層は、前記絶縁部材の側面に接するように形成する請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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