JP2009059701A - 有機発光ディスプレイ装置 - Google Patents
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 335
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 35
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 81
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
【課題】電極電源供給ラインの損傷が防止された有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ディスプレイ領域を持つ基板と、基板のディスプレイ領域に配された薄膜トランジスタと、基板のディスプレイ領域の外側に配された電極電源供給ラインと、薄膜トランジスタを覆い、電極電源供給ラインの一部または全部を露出させる第１端部面を持つ第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に配され、第１絶縁膜の第１端部面を露出させる第２端部面を持ち、電極電源供給ラインと接触しない第２絶縁膜と、を備える有機発光ディスプレイ装置。
【選択図】図１
【解決手段】ディスプレイ領域を持つ基板と、基板のディスプレイ領域に配された薄膜トランジスタと、基板のディスプレイ領域の外側に配された電極電源供給ラインと、薄膜トランジスタを覆い、電極電源供給ラインの一部または全部を露出させる第１端部面を持つ第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に配され、第１絶縁膜の第１端部面を露出させる第２端部面を持ち、電極電源供給ラインと接触しない第２絶縁膜と、を備える有機発光ディスプレイ装置。
【選択図】図１
Description
本発明は、有機発光ディスプレイ装置に係り、より詳細には電極電源供給ラインの損傷が防止された有機発光ディスプレイ装置に関する。
有機発光ディスプレイ装置は、ディスプレイ領域に有機発光素子を備えるディスプレイ装置であり、有機発光素子は、相互対向した画素電極及び対向電極と、画素電極と対向電極との間に介された発光層を備える中間層とを備える。
かかる有機発光ディスプレイ装置は、駆動方式によって、各副画素の発光制御が各副画素に備えられた薄膜トランジスタを通じて行われる能動駆動型と、各副画素の発光制御がマトリックス形状に配列された電極を通じて行われる受動駆動型とに分けられる。能動駆動型の場合、複数の副画素の対向電極は、通例的に一体に形成され、ディスプレイ領域の外側で電極電源供給ラインと接触する。
しかし、かかる電極電源供給ラインは、低抵抗性及び導電性などを考慮して通例的に有機物との反応性が大きい物質で形成されるが、従来の有機発光ディスプレイ装置の場合、電極電源供給ラインが有機物で形成された層と接触して損傷しうるという問題点があった。電極電源供給ラインが損傷すれば、電極電源供給ラインを通じて対向電極に供給される電気的信号が変形して正確なイメージを再現できなくなり、さらに、電極電源供給ラインの機能が低下してイメージを再現できなくなるなど、多くの問題点を引き起こす。
本発明は、前記のような問題点を始めとする様々な問題点を解決するためのものであり、電極電源供給ラインの損傷が防止された有機発光ディスプレイ装置を提供することを目的とする。
本発明は、ディスプレイ領域を持つ基板と、前記基板のディスプレイ領域に配された薄膜トランジスタと、前記基板のディスプレイ領域の外側に配された電極電源供給ラインと、前記薄膜トランジスタを覆い、前記電極電源供給ラインの一部または全部を露出させる第１端部面を持つ第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に配され、前記第１絶縁膜の第１端部面を露出させる第２端部面を持ち、前記電極電源供給ラインと接触しない第２絶縁膜と、を備えることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置を提供する。
本発明の他の特徴によれば、前記第１絶縁膜は、保護膜である。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁膜は、下部の屈曲にもかかわらず上面が平坦な平坦化膜である。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記基板のディスプレイ領域に配され、前記第２絶縁膜上に配され、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された画素電極と、前記第２絶縁膜上に配され、前記第１絶縁膜の第１端部面を露出させる第３端部面を持って前記電極電源供給ラインと接触せず、前記画素電極の一部または全部を露出させる第３絶縁膜と、をさらに備える。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１絶縁膜は複数の第１端部面を備え、前記有機発光ディスプレイ装置は、前記基板のディスプレイ領域に配されて前記第２絶縁膜上に配され、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された画素電極と、前記第１絶縁膜の複数の第１端部面のうち一部により露出された前記電極電源供給ラインを覆うように配され、前記画素電極の一部または全部を露出させる第３絶縁膜と、前記第１絶縁膜の複数の第１端部面のうち、前記一部により露出された前記電極電源供給ラインと前記第３絶縁膜との間に介されて、前記第３絶縁膜と前記電極電源供給ラインとを接触させない補助導電層と、をさらに備える。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記補助導電層は、前記画素電極と同じ物質で形成されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記基板のディスプレイ領域に配されて、前記第２絶縁膜上に配され、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された画素電極と、前記第１絶縁膜により露出された前記電極電源供給ラインを覆うように配され、前記画素電極の一部または全部を露出させる第３絶縁膜と、前記第１絶縁膜により露出された前記電極電源供給ラインと前記第３絶縁膜との間に介されて、前記第３絶縁膜と前記電極電源供給ラインとを接触させない補助導電層と、をさらに備える。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記補助導電層は、前記画素電極と同じ物質で形成されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁膜は、有機物で形成されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁膜は、アクリル、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）またはフォトアクリルで形成されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第３絶縁膜は、有機物で形成されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第３絶縁膜は、ポリイミドで形成されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記基板のディスプレイ領域に配されて、前記第１絶縁膜上に配され、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された画素電極をさらに備え、前記第２絶縁膜は、前記画素電極の一部または全部を露出させる画素定義膜である。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁膜は、有機物で形成されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁膜は、ポリイミドで形成されている。
本発明はまた、ディスプレイ領域を持つ基板と、前記基板のディスプレイ領域に配された薄膜トランジスタと、前記基板のディスプレイ領域の外側に配された電極電源供給ラインと、前記薄膜トランジスタを覆い、前記電極電源供給ラインの一部または全部を露出させる複数の第１端部面を持つ第１絶縁膜と、前記基板のディスプレイ領域に配されて、前記第１絶縁膜上に配され、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された画素電極と、前記第１絶縁膜の複数の第１端部面のうち、一部により露出された前記電極電源供給ラインを覆うように配され、前記画素電極の一部または全部を露出させる第２絶縁膜と、前記第１絶縁膜の複数の第１端部面のうち、前記一部により露出された前記電極電源供給ラインと前記第２絶縁膜との間に介されて、前記第２絶縁膜と前記電極電源供給ラインとを接触させない補助導電層と、を備えることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置を提供する。
本発明はまた、ディスプレイ領域を持つ基板と、前記基板のディスプレイ領域に配された薄膜トランジスタと、前記基板のディスプレイ領域の外側に配された電極電源供給ラインと、前記薄膜トランジスタを覆い、前記電極電源供給ラインの一部または全部を露出させる第１端部面を持つ第１絶縁膜と、前記基板のディスプレイ領域に配されて、前記第１絶縁膜上に配され、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された画素電極と、前記第１絶縁膜により露出された前記電極電源供給ラインを覆うように配され、前記画素電極の一部または全部を露出させる第３絶縁膜と、前記第１絶縁膜により露出された前記電極電源供給ラインと前記第２絶縁膜との間に介されて、前記第２絶縁膜と前記電極電源供給ラインとを接触させない補助導電層と、を備えることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置を提供する。
本発明の他の特徴によれば、前記補助導電層は、前記画素電極と同じ物質で形成されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１絶縁膜は、無機物で形成されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１絶縁膜は、窒化シリコン、酸化シリコンまたは酸窒化シリコンで形成されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記電極電源供給ラインは、有機物との反応性が大きい物質で形成されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記電極電源供給ラインは、銅、銀またはアルミニウムで形成されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記薄膜トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を備え、前記電極電源供給ラインは、前記ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極のうち、少なくともいずれか一つと同じ物質で同一層に形成されている。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記電極電源供給ラインに接触し、前記基板のディスプレイ領域の上部に配された対向電極をさらに備える。
本発明の有機発光ディスプレイ装置によれば、電極電源供給ラインの損傷が防止されつつ製造の容易な有機発光ディスプレイ装置を具現できる。
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明すれば、次の通りである。以下の実施形態において同じ参照番号を持つ構成要素は、特別の言及がない限り、同じ物質で形成された同じ機能を持つ。
図１は、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す断面図である。
図１を参照すれば、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、ディスプレイ領域１００を持つ基板１１０を備える。基板１１０は、ガラス材、金属材またはプラスチック材のような多様な材料で形成されたものでありうる。基板１１０のディスプレイ領域１００には薄膜トランジスタＴＦＴ１が配されるが、薄膜トランジスタＴＦＴ１以外に、有機発光素子（図示せず）も配されうる。基板１１０のディスプレイ領域１００の外側には、電極電源供給ライン１９０が配される。そして、薄膜トランジスタＴＦＴ１などの保護のために、薄膜トランジスタＴＦＴ１を覆う第１絶縁膜１８１が配される。この第１絶縁膜１８１は、電極電源供給ライン１９０の一部または全部を露出させる第１端部面１８１ａを持つ。第１絶縁膜１８１上には、第２絶縁膜１８２が配される。第２絶縁膜１８２は、第１絶縁膜１８１の第１端部面１８１ａを露出させる第２端部面１８２ａを持って、電極電源供給ライン１９０と接触しない。
前記のような構造において、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、第２絶縁膜１８２が電極電源供給ライン１９０と接触しない。図２は、比較例による有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す断面図である。図２に示した比較例による有機発光ディスプレイ装置の場合、第２絶縁膜１８２が電極電源供給ライン１９０とＡで表示された部分で接触する。
電極電源供給ライン１９０は、薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース／ドレイン電極１７０及びゲート電極１５０のうち、少なくともいずれか一つを形成する時に同時に形成されうるが、例えば、図１及び図２では、電極電源供給ライン１９０が薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース／ドレイン電極１７０と同時に形成されて、バッファ層１２０とゲート絶縁膜１４０との上の層間絶縁膜１６０上に配された構造を図示している。かかる電極電源供給ライン１９０は、銅、銀またはアルミニウムのように、有機物との反応性が大きい物質で形成できる。
電極電源供給ライン１９０は、第１絶縁膜１８１により露出されるが、従来には図２に示したように、第１絶縁膜１８１により露出された電極電源供給ライン１９０が第２絶縁膜１８２と接触していた。第１絶縁膜１８１は、下部の薄膜トランジスタＴＦＴ１を保護するための保護膜であり、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンのような無機物で形成される。第２絶縁膜１８２は、下部の薄膜トランジスタＴＦＴ１などの構成要素による第１絶縁膜１８１の上面の大部分を平坦化させる平坦化膜であり、下部の屈曲にもかかわらず上面が平坦である。このような平坦化のために第２絶縁膜１８２は、通例的に有機物で形成されるが、例えば、アクリル、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）またはフォトアクリルなどで形成される。
かかる構造において、従来には図２に示した比較例による有機発光ディスプレイ装置のように、有機物で形成された第２絶縁膜１８２がＡと表示された部分で電極電源供給ライン１９０と接触していた。その結果、電極電源供給ライン１９０が第２絶縁膜１８２の有機物成分と反応して損傷し、抵抗が高くなってＩＲドロップが発生するか、さらには、電気的信号が伝えられないなどの問題点が発生した。例えば、電極電源供給ライン１９０を銅で形成してアクリルで第２絶縁膜１８２を形成する時、第２絶縁膜１８２のプリベーキング現像及びキュアリング過程で銅とアクリルとが反応して銅の表面、すなわち、電極電源供給ライン１９０の表面が変性される。これは、アクリルに含まれた酸素に起因した銅酸化膜などによる変性であり、これにより、電極電源供給ライン１９０の抵抗が高くなってＩＲドロップが発生するか、さらには、電気的信号が伝えられないなどの問題点が発生した。
しかし、図１に示したような本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、第１絶縁膜１８１が電極電源供給ライン１９０の一部または全部を露出させる第１端部面１８１ａを持つが、第２絶縁膜１８２が第１絶縁膜１８１上に配される時に第２絶縁膜１８２が第１絶縁膜１８１の第１端部面１８１ａを露出させる第２端部面１８２ａを持ち、結果として、第２絶縁膜１８２を電極電源供給ライン１９０と接触させない。これを通じて、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、電極電源供給ライン１９０が有機物と反応して損傷することを効果的に防止できる。
一方、図１では、第１絶縁膜１８１の第１端部面１８１ａだけではなく、第１端部面１８１ａの近隣の第１絶縁膜１８１の上面も第２絶縁膜１８２により露出されるように図示されているが、本発明がこれに限定されるものではないということは言うまでもない。すなわち、図３に示した本発明の他の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置のように、第１絶縁膜１８１と第２絶縁膜１８２とを形成した後、第１絶縁膜１８１と第２絶縁膜１８２とを貫通して電極電源供給ライン１９０が露出される第１絶縁膜１８１と第２絶縁膜１８２との開口部を形成して、第１絶縁膜１８１の第１端部面１８１ａと第２絶縁膜１８２の第２端部面１８２ａとを一致させ、第１絶縁膜１８１の上面を露出させないこともできる。この場合にも、第２絶縁膜１８２は、第１絶縁膜１８１の端部面１８１ａを露出させる第２端部面１８２ａを持って、電極電源供給ライン１９０と接触しなくなる。
図４は、本発明のさらに他の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す断面図である。
図４を参照すれば、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、ディスプレイ領域１００を持つ基板１１０を備える。基板１１０は、ガラス材、金属材またはプラスチック材のような多様な材料で形成されたものでありうる。基板１１０のディスプレイ領域１００には薄膜トランジスタＴＦＴ１が配されるが、薄膜トランジスタＴＦＴ１以外に有機発光素子２００も配される。基板１１０のディスプレイ領域１００の外側には、電極電源供給ライン１９０が配される。そして、薄膜トランジスタＴＦＴ１などの保護のために、薄膜トランジスタＴＦＴ１を覆う第１絶縁膜１８１が配される。この第１絶縁膜１８１は、電極電源供給ライン１９０の一部または全部を露出させる第１端部面１８１ａを持つ。第１絶縁膜１８１上には第２絶縁膜１８２が配される。第２絶縁膜１８２は、第１絶縁膜１８１の第１端部面１８１ａを露出させる第２端部面１８２ａを持って、電極電源供給ライン１９０と接触しない。
図４に示した有機発光ディスプレイ装置の具体的な構造を説明すれば、次の通りである。
基板１１０には薄膜トランジスタが備えられているが、これは図面に示したように、ディスプレイ領域１００内に配された薄膜トランジスタＴＦＴ１でもあり、必要に応じてディスプレイ領域１００の外側に配された薄膜トランジスタでもありうる。基板１１０のディスプレイ領域１００の外側には電極電源供給ライン１９０が配される。構成要素及び有機発光素子２００などの構成をさらに詳細に説明すれば、次の通りである。
まず、基板１１０上にＳｉＯ２などで形成されたバッファ層１２０が備えられている。バッファ層１２０上には半導体層１３０が備えられるが、半導体層１３０は、非晶質シリコン層または多結晶質シリコン層で形成され、または有機半導体物質で形成されてもよい。図面で詳細に図示されていないが、必要に応じて半導体層１３０は、ドーパントでドーピングされるソース領域及びドレイン領域、チャンネル領域を備えることができる。
半導体層１３０の上部にはゲート電極１５０が備えられるが、このゲート電極１５０に印加される信号によってソース電極とドレイン電極１７０とが電気的に疎通する。ゲート電極１５０は、隣接層との密着性、積層される層の表面平坦性、そして加工性などを考慮して、例えば、モリブデンタングステン、銀、銅またはアルミニウムのような物質で形成できる。この時、半導体層１３０とゲート電極１５０との絶縁性を確保するために、ＳｉＯ２などで形成されるゲート絶縁膜１４０が半導体層１３０とゲート電極１５０との間に介される。
ゲート電極１５０の上部には層間絶縁膜１６０が備えられるが、これは、酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの物質で単層または多層で形成できる。層間絶縁膜１６０の上部にはソース／ドレイン電極１７０が形成される。ソース／ドレイン電極１７０は、層間絶縁膜１６０とゲート絶縁膜１４０とに形成されるコンタクトホールを通じて半導体層にそれぞれ電気的に連結される。ソース／ドレイン電極１７０は、導電性などを考慮して、例えば、モリブデンタングステン、銀、銅またはアルミニウムのような物質で形成できる。
ディスプレイ領域１００の外側には電極電源供給ライン１９０が配されるが、図４では、電極電源供給ライン１９０が薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース／ドレイン電極１７０と同一層に配されていると図示されている。すなわち、電極電源供給ライン１９０は、薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース／ドレイン電極１７０と同時に形成されうる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、電極電源供給ライン１９０は、薄膜トランジスタＴＦＴ１のゲート電極１５０と同一層に形成されてもよく、または薄膜トランジスタＴＦＴ１の電極との位置関係を持たずに形成されてもよい。以下では、便宜上、電極電源供給ライン１９０が薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース／ドレイン電極１７０と同一層に配された場合について説明する。電極電源供給ライン１９０は、多様な物質で形成できるが、後述するように、電極電源供給ライン１９０は、有機発光素子２００の対向電極２３０に電気的信号を供給するため、抵抗が低くて導電性に優れた物質を使用する。かかる物質としては、銅、銀またはアルミニウムなどを挙げることができるが、もちろん、それ以外の多様な物質を使用することもできるということは言うまでもない。かかる電極電源供給ライン１９０用物質は、通例的に有機物との反応性が大きい。
薄膜トランジスタＴＦＴ１の上部には、保護膜の第１絶縁膜１８１が備えられて、下部の薄膜トランジスタＴＦＴ１を保護する。この保護膜１８１は多様な物質で形成できるが、薄膜トランジスタＴＦＴ１の保護性能に優れた酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンのような無機物で形成できる。図４には単層で図示されているが、多層で形成されてもよいなど多様な変形ができるということは言うまでもない。この第１絶縁膜１８１は第１端部面１８１ａを持って、電極電源供給ライン１９０の一部または全部を露出させる。図４には、例示的に第１絶縁膜１８１が電極電源供給ライン１９０の両側を覆うように配された構造を示している。
第１絶縁膜１８１上には平坦化膜の第２絶縁膜１８２が備えられる。すなわち、第２絶縁膜は、下部の屈曲にもかかわらず上面の大部分が平坦な平坦化膜である。かかる平坦化特性のために第２絶縁膜１８２は有機物で形成できるが、例えば、アクリル、ＢＣＢまたはフォトアクリルなどで形成できる。図４には、第２絶縁膜１８２が単一層として図示されているが、多層でもよいなど多様な変形ができるということは言うまでもない。第２絶縁膜１８２は、第１絶縁膜１８１の第１端部面１８１ａを露出させるように第２端部面１８２ａを持つ。その結果、図４に示したように、第２絶縁膜１８２は電極電源供給ライン１９０と接触しなくなる。
第２絶縁膜１８２上には、画素電極２１０、対向電極２３０及びその間に介される中間層２２０を持つ有機発光素子２００が配される。具体的に説明すれば次の通りである。
ディスプレイ領域１００で、第１絶縁膜１８１及び第２絶縁膜１８２には、薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース／ドレイン電極１７０のうち、少なくともいずれか一方を露出させる開口部が形成され、この開口部を通じてソース／ドレイン電極１７０のうちいずれか一方と接触して、薄膜トランジスタＴＦＴ１と電気的に連結される画素電極２１０が第２絶縁膜１８２上に配される。画素電極２１０は、透明電極または反射型電極として備えられうるが、透明電極として使われる時にはＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で形成されうる。反射型電極として使われる時には、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物などで形成された反射膜と、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で形成された層とを持つことができる。もちろん、本発明はこれに限定されるものではなくて多様な材質で形成でき、その構造も単層または多層になりうるなど、多様な変形が可能である。
第２絶縁膜１８２の上部には第３絶縁膜１８３が配される。この第３絶縁膜１８３は画素定義膜であり、これは各副画素に対応する開口、すなわち、画素電極２１０の中央部または画素電極２１０全体を露出させる開口を持つことによって画素を定義する役割を行う。また、図４に示したような場合、第３絶縁膜１８３は、画素電極２１０の端部と対向電極２３０との間の距離を広げることによって、画素電極２１０の端部でアークなどが発生することを防止する役割を行う。第３絶縁膜１８３は第２絶縁膜１８２上に配されるが、図４に示したように、ディスプレイ領域１００の外側にも配されうる。かかる第３絶縁膜１８３は、第１絶縁膜１８１の第１端部面１８１ａを露出させる第３端部面１８３ａを持つ。その結果、図４に示したように、第３絶縁膜１８３は電極電源供給ライン１９０と接触しなくなる。かかる第３絶縁膜は有機物で形成できるが、例えば、ポリイミドのような有機物で形成できる。
有機発光素子２００の中間層２２０は、低分子または高分子物質で形成されうる。低分子物質で形成される場合、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：Ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして多様な物質が使われうる。かかる層は、真空蒸着の方法で形成できる。
高分子物質で形成される場合には、ほぼホール輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）を備えた構造を持つことができ、この時、前記ホール輸送層としてＰＥＤＯＴを使用し、発光層としてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系などの高分子物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法などにより形成できる。もちろん、中間層２２０は必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な構造を持つこともできるということは言うまでもない。
対向電極２３０は、ディスプレイ領域１００の上部に配されるが、図４に示したように、ディスプレイ領域１００を覆うように配されうる。この対向電極２３０は、ディスプレイ領域１００の外側の電極電源供給ライン１９０に接触して、電極電源供給ライン１９０から電気的信号を伝達される。対向電極２３０は、透明電極または反射型電極として備えられうるが、透明電極として使われる時には、仕事関数の小さな金属、すなわち、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ及びこれらの化合物で形成された層とＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明導電層とを持つことができる。反射型電極として使われる時には、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ及びこれらの化合物で形成された層でありうる。もちろん、対向電極２３０の構成及び材料がこれに限定されるものではなく、多様な変形ができるということは言うまでもない。
従来には、図５Ａに示した比較例による有機発光ディスプレイ装置のように、有機物で形成された第２絶縁膜１８２がＡと表示された部分で電極電源供給ライン１９０と接触していた。または、従来には図５Ｂに示したように、有機物で形成された第２絶縁膜１８２以外に、有機物で形成された第３絶縁膜１８３がＢと表示された部分で電極電源供給ライン１９０と接触していた。その結果、従来の有機発光ディスプレイ装置は、電極電源供給ライン１９０が第２絶縁膜１８２または第３絶縁膜１８３の有機物成分と反応して損傷して、抵抗が高くなってＩＲドロップが発生するか、さらには、電気的信号が伝えられないなどの問題点が発生した。
しかし、図４に示したような本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、第１絶縁膜１８１が電極電源供給ライン１９０の一部または全部を露出させる第１端部面１８１ａを持つが、第２絶縁膜１８２が第１絶縁膜１８１上に配されるとき、第２絶縁膜１８２が第１絶縁膜１８１の第１端部面１８１ａを露出させる第２端部面１８２ａを持ち、結果として、第２絶縁膜１８２を電極電源供給ライン１９０と接触させない。また、第３絶縁膜１８３も第１絶縁膜１８１の第１端部面１８１ａを露出させる第３端部面１８３ａを持ち、結果として、第３絶縁膜１８３を電極電源供給ライン１９０と接触させない。すなわち、電極電源供給ライン１９０との反応性が低い無機物で形成される保護膜である第１絶縁膜１８１により、第２絶縁膜１８２と第３絶縁膜１８３とが電極電源供給ライン１９０と接触することを防止する。これを通じて、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、電極電源供給ライン１９０が有機物と反応して損傷することを、製造工程を大きく変化させることなく効果的に防止できる。
図６は、本発明のさらに他の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す断面図である。本実施形態による有機発光ディスプレイ装置が図４を参照して前述した実施形態による有機発光ディスプレイ装置と異なる点は、第２絶縁膜１８２と第３絶縁膜１８３との相互関係である。
図４を参照して前述した実施形態の有機発光ディスプレイ装置の場合、第３絶縁膜１８３の第３端部面１８３ａが第２絶縁膜１８２の第２端部面１８２ａを露出させるように配されているが、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、第２絶縁膜１８２の第２端部面１８２ａが第３絶縁膜１８３により覆われている。しかし、この場合にも、第３絶縁膜１８３の第３端部面１８３ａは、第１絶縁膜１８１の第１端部面１８１ａが露出されるように配される。これを通じて、第２絶縁膜１８２と第３絶縁膜１８３とを電極電源供給ライン１９０と接触させない。すなわち、電極電源供給ライン１９０との反応性が低い無機物で形成される保護膜である第１絶縁膜１８１により、第２絶縁膜１８２と第３絶縁膜１８３とが電極電源供給ライン１９０と接触することを防止する。これを通じて、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、電極電源供給ライン１９０が有機物と反応して損傷することを、製造工程を大きく変化させることなく効果的に防止できる。
図７は、本発明のさらに他の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す断面図である。本実施形態による有機発光ディスプレイ装置が、図６を参照して前述した実施形態による有機発光ディスプレイ装置と異なる点は、第１絶縁膜１８１の構造と、第１絶縁膜１８１と第３絶縁膜１８３との位置関係と、補助導電層１９２とをさらに備えるということである。
図７に示したように、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、第１絶縁膜１８１は複数の第１端部面１８１ａ、１８１ｂを備える。第２絶縁膜１８２は、図６を参照して前述した実施形態による有機発光ディスプレイ装置のように、第１絶縁膜１８１の第１端部面１８１ａ、１８１ｂを露出させる第２端部面１８２ａを持つ。画素定義膜である第３絶縁膜１８３は、第１絶縁膜１８１の第１端部面１８１ａ、１８１ｂのうち一部の第１端部面１８１ｂを覆うが、残りの第１端部面１８１ａは、露出させる第３端部面１８３ａを持つ。すなわち、第３絶縁膜１８３は、第１絶縁膜１８１の複数の第１端部面１８１ａ、１８１ｂのうち一部の端部面１８１ｂにより露出された電極電源供給ライン１９０を覆うように配される。この時、補助導電層１９２は、電極電源供給ライン１９０と第３絶縁膜１８３との間に介される。すなわち、補助導電層１９２は、第１絶縁膜１８１の複数の第１端部面１８１ａ、１８１ｂのうち、前記一部の第１端部面１８１ｂにより露出された電極電源供給ライン１９０と第３絶縁膜１８３との間に介されて、第３絶縁膜１８３と電極電源供給ライン１９０とを接触させない。かかる構造を通じて、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、電極電源供給ライン１９０が有機物で形成されうる第２絶縁膜１８２及び第３絶縁膜１８３と接触せず、電極電源供給ライン１９０が有機物と反応して損傷することを効果的に防止できる。
一方、補助導電層１９２は、第１絶縁膜１８１の複数の第１端部面１８１ａ、１８１ｂのうち、前記一部の第１端部面１８１ｂにより露出された電極電源供給ライン１９０と接触するが、これを通じて電極電源供給ライン１９０の抵抗によるＩＲドロップを防止する効果をも得ることができる。かかる補助導電層１９２は、ディスプレイ領域１００の画素電極２１０を形成すると同時に（同じ物質で）形成されるので、製造工程を大きく変化させることなく前記のような効果を得ることができる。
図８は、本発明のさらに他の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す断面図である。
本実施形態による有機発光ディスプレイ装置が、図６を参照して前述した実施形態による有機発光ディスプレイ装置と異なる点は、第１絶縁膜１８１と第３絶縁膜１８３との位置関係と、補助導電層１９２とをさらに備えるということである。
図８に示したように、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、図６を参照して前述した実施形態による有機発光ディスプレイ装置と類似して、第２絶縁膜１８２が第１絶縁膜１８１の第１端部面１８１ａを露出させる第２端部面１８２ａを持つ。しかし、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、図６を参照して前述した有機発光ディスプレイ装置とは異なって、画素定義膜である第３絶縁膜１８３が第１絶縁膜１８１により露出された電極電源供給ライン１９０を覆うように配される。この時、補助導電層１９２は、電極電源供給ライン１９０と第３絶縁膜１８３との間に介される。すなわち、補助導電層１９２は、第１絶縁膜１８１と第２絶縁膜１８２とにより露出された電極電源供給ライン１９０と第３絶縁膜１８３との間に介されて、第３絶縁膜１８３と電極電源供給ライン１９０とを接触させない。かかる構造を通じて本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、電極電源供給ライン１９０が有機物で形成されうる第２絶縁膜１８２及び第３絶縁膜１８３と接触せず、電極電源供給ライン１９０が有機物と反応して損傷することを効果的に防止できる。
補助導電層１９２は、第１絶縁膜１８１及び第２絶縁膜１８２により露出された電極電源供給ライン１９０と接触するが、これを通じて電極電源供給ライン１９０の抵抗によるＩＲドロップを防止する効果をも得ることができる。かかる補助導電層１９２は、ディスプレイ領域１００の画素電極２１０を形成すると同時に（同じ物質で）形成されるので、製造工程を大きく変化させることなく前記のような効果を得ることができる。一方、第３絶縁膜１８３は、補助導電層１９２の一部を露出させる第３端部面１８３ａを持ち、これを通じて対向電極２３０が補助導電層１９２と電気的に連結される。結局、対向電極２３０は、補助導電層１９２を通じて電極電源供給ライン１９０に電気的に連結されて、電極電源供給ライン１９０から電気的信号を受ける。
図９は、本発明のさらに他の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す断面図である。
本実施形態による有機発光ディスプレイ装置が、図４を参照して前述した有機発光ディスプレイ装置と異なる点は絶縁膜である。すなわち、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、保護膜である第１絶縁膜１８１が、薄膜トランジスタＴＦＴ１を保護する保護膜の役割以外に、下部の屈曲にもかかわらず上面の大部分が平坦な平坦化膜の役割まで行う。この第１絶縁膜１８１は、電極電源供給ライン１９０の一部または全部を露出させる第１端部面１８１ａを持つ。また、電極電源供給ライン１９０が第１絶縁膜１８１と接触しても、電極電源供給ライン１９０が損傷しないように酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンのような絶縁性無機物で形成される。一方、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、第２絶縁膜１８２は画素定義膜の役割を行う。この場合、第２絶縁膜１８２は有機物で形成できるが、例えば、ポリイミドのような有機物等で形成できる。第２絶縁膜１８２は、第１絶縁膜１８１の第１端部面１８１ａを露出させる第２端部面１８２ａを持つことによって、電極電源供給ライン１９０と接触しない。そして、対向電極２３０は、第１絶縁膜１８１及び第２絶縁膜１８２の第１端部面１８１ａ及び第２端部面１８２ａを通じて露出された電極電源供給ライン１９０と接触して、電極電源供給ライン１９０からの電気的信号を受ける。
このように第１絶縁膜１８１が保護膜と平坦化膜との役割をいずれも行い、第２絶縁膜１８２が画素定義膜の役割を行う場合にも、有機物で形成できる第２絶縁膜１８２を電極電源供給ラインと接触させないことで、電極電源供給ライン１９０が有機物と反応して損傷することを効果的に防止できる。
図１０は、本発明のさらに他の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す断面図である。
本実施形態による有機発光ディスプレイ装置が、図７を参照して前述した有機発光ディスプレイ装置と異なる点は絶縁膜である。すなわち、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、保護膜である第１絶縁膜１８１が薄膜トランジスタＴＦＴ１を保護する保護膜の役割以外に、下部の屈曲にもかかわらず上面の大部分が平坦な平坦化膜の役割まで行う。この第１絶縁膜１８１は、電極電源供給ライン１９０の一部または全部を露出させる複数の第１端部面１８１ａ、１８１ｂを持つ。また、電極電源供給ライン１９０が第１絶縁膜１８１と接触しても、電極電源供給ライン１９０が損傷しないように、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンのような絶縁性無機物で形成する。一方、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、第２絶縁膜１８２は画素定義膜の役割を行う。この場合、第２絶縁膜１８２は有機物で形成できるが、例えば、ポリイミドのような有機物で形成できる。第２絶縁膜１８２は、第１絶縁膜１８１の複数の第１端部面１８１ａ、１８１ｂのうち、一部の第１端部面１８１ｂにより露出された電極電源供給ライン１９０を覆うように配される。この時、補助導電層１９２は、第１絶縁膜１８１の複数の第１端部面１８１ａ、１８１ｂのうち、前記一部の第１端部面１８１ｂにより露出された電極電源供給ライン１９０と第２絶縁膜１８２との間に介されて、第２絶縁膜１８２と電極電源供給ライン１９０とを接触させない。そして、対向電極２３０は、第１絶縁膜１８１の残りの第１端部面１８１ａと第２絶縁膜１８２の第２端部面１８２ａとを通じて露出された電極電源供給ライン１９０と接触して、電極電源供給ライン１９０からの電気的信号を受ける。
このように、第１絶縁膜１８１が保護膜と平坦化膜との役割をいずれも行い、第２絶縁膜１８２が画素定義膜の役割を行う場合にも、有機物で形成できる第２絶縁膜１８２を電極電源供給ラインと接触させないことで、電極電源供給ライン１９０が有機物と反応して損傷することを効果的に防止できる。
前記構造において、補助導電層１９２は、第１絶縁膜１８１の複数の第１端部面１８１ａ、１８１ｂのうち、前記一部の第１端部面１８１ｂにより露出された電極電源供給ライン１９０と接触するが、これを通じて、電極電源供給ライン１９０の抵抗によるＩＲドロップを防止する効果をも得ることができる。かかる補助導電層１９２は、ディスプレイ領域１００の画素電極２１０を形成すると同時に（同じ物質で）形成されるので、製造工程を大きく変化させることなく前記のような効果を得ることができる。
一方、図１０には、保護膜である第１絶縁膜１８１が、薄膜トランジスタＴＦＴ１を保護する保護膜の役割以外に、下部の屈曲にもかかわらず上面の大部分が平坦な平坦化膜の役割まで行うと示しているが、第１絶縁膜１８１の上面が平坦でない場合にも本発明が適用されうるということは言うまでもない。
図１１は、本発明のさらに他の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す断面図である。
本実施形態による有機発光ディスプレイ装置が、図８を参照して前述した有機発光ディスプレイ装置と異なる点は、絶縁膜である。すなわち、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、保護膜である第１絶縁膜１８１が、薄膜トランジスタＴＦＴ１を保護する保護膜の役割以外に、下部の屈曲にもかかわらず上面の大部分が平坦な平坦化膜の役割まで行う。この第１絶縁膜１８１は、電極電源供給ライン１９０の一部または全部を露出させる第１端部面１８１ａを持つ。また、電極電源供給ライン１９０が第１絶縁膜１８１と接触しても電極電源供給ライン１９０が損傷しないように、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンのような絶縁性無機物で形成される。一方、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、第２絶縁膜１８２は画素定義膜の役割を行う。この場合、第２絶縁膜１８２は有機物で形成できるが、例えば、ポリイミドのような有機物などで形成できる。第２絶縁膜１８２は、第１絶縁膜１８１により露出された電極電源供給ライン１９０を覆うように配される。この時、補助導電層１９２は、電極電源供給ライン１９０と第２絶縁膜１８２との間に介される。すなわち、補助導電層１９２は、第１絶縁膜１８１により露出された電極電源供給ライン１９０と第２絶縁膜１８２との間に介されて、第２絶縁膜１８２と電極電源供給ライン１９０とを接触させない。かかる構造を通じて、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、電極電源供給ライン１９０が有機物で形成される第２絶縁膜１８２と接触せず、電極電源供給ライン１９０が有機物と反応して損傷することを効果的に防止できる。
補助導電層１９２は、第１絶縁膜１８１により露出された電極電源供給ライン１９０と接触するが、これを通じて、電極電源供給ライン１９０の抵抗によるＩＲドロップを防止する効果をも得ることができる。かかる補助導電層１９２は、ディスプレイ領域１００の画素電極２１０を形成すると同時に（同じ物質で）形成されるので、製造工程を大きく変化させることなく前記のような効果を得ることができる。一方、第２絶縁膜１８２は、補助導電層１９２の一部を露出させる第２端部面１８２ａを持ち、これを通じて対向電極２３０が補助導電層１９２と電気的に連結される。結局、対向電極２３０は、補助導電層１９２を通じて電極電源供給ライン１９０に電気的に連結されて、電極電源供給ライン１９０から電気的信号を受ける。
一方、図１１では、保護膜である第１絶縁膜１８１が、薄膜トランジスタＴＦＴ１を保護する保護膜の役割以外に、下部の屈曲にもかかわらず上面の大部分が平坦な平坦化膜の役割まで行うと示しているが、第１絶縁膜１８１の上面が平坦でない場合にも本発明が適用されうるということは言うまでもない。
本発明は、図面に図示された実施形態を参考までに説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求範囲の技術的思想によって定められねばならない。
本発明は、ディスプレイ装置関連の技術分野に好適に用いられる。
１００ ディスプレイ領域
１１０ 基板
１２０ バッファ層
１３０ 半導体層
１４０ ゲート絶縁膜
１５０ ゲート電極
１６０ 層間絶縁膜
１７０ ソース／ドレイン電極
１８１ 保護膜
１８２ 平坦化膜
１８３ 画素定義膜
１９０ 電極電源供給ライン
２００ 有機発光素子
２１０ 画素電極
２２０ 中間層
２３０ 対向電極
３００ 密封部材
１１０ 基板
１２０ バッファ層
１３０ 半導体層
１４０ ゲート絶縁膜
１５０ ゲート電極
１６０ 層間絶縁膜
１７０ ソース／ドレイン電極
１８１ 保護膜
１８２ 平坦化膜
１８３ 画素定義膜
１９０ 電極電源供給ライン
２００ 有機発光素子
２１０ 画素電極
２２０ 中間層
２３０ 対向電極
３００ 密封部材
Claims (37)
- ディスプレイ領域を持つ基板と、
前記基板のディスプレイ領域に配された薄膜トランジスタと、
前記基板のディスプレイ領域の外側に配された電極電源供給ラインと、
前記薄膜トランジスタを覆い、前記電極電源供給ラインの一部または全部を露出させる第１端部面を持つ第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に配され、前記第１絶縁膜の第１端部面を露出させる第２端部面を持ち、前記電極電源供給ラインと接触しない第２絶縁膜と、を備えることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置。 - 前記第１絶縁膜は、保護膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第２絶縁膜は、下部の屈曲にもかかわらず上面が平坦な平坦化膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記基板のディスプレイ領域に配され、前記第２絶縁膜上に配され、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された画素電極と、
前記第２絶縁膜上に配され、前記第１絶縁膜の第１端部面を露出させる第３端部面を持って前記電極電源供給ラインと接触せず、前記画素電極の一部または全部を露出させる第３絶縁膜と、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記第１絶縁膜は、複数の第１端部面を備え、
前記有機発光ディスプレイ装置は、
前記基板のディスプレイ領域に配され、前記第２絶縁膜上に配され、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された画素電極と、
前記第１絶縁膜の複数の第１端部面のうち一部により露出された前記電極電源供給ラインを覆うように配され、前記画素電極の一部または全部を露出させる第３絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の複数の第１端部面のうち、前記一部により露出された前記電極電源供給ラインと前記第３絶縁膜との間に介されて、前記第３絶縁膜と前記電極電源供給ラインとを接触させない補助導電層と、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記補助導電層は、前記画素電極と同じ物質で形成されたことを特徴とする請求項５に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記基板のディスプレイ領域に配され、前記第２絶縁膜上に配され、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された画素電極と、
前記第１絶縁膜により露出された前記電極電源供給ラインを覆うように配され、前記画素電極の一部または全部を露出させる第３絶縁膜と、
前記第１絶縁膜により露出された前記電極電源供給ラインと前記第３絶縁膜との間に介されて、前記第３絶縁膜と前記電極電源供給ラインとを接触させない補助導電層と、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記補助導電層は、前記画素電極と同じ物質で形成されたことを特徴とする請求項７に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第２絶縁膜は、有機物で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第２絶縁膜は、アクリル、ＢＣＢまたはフォトアクリルで形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第３絶縁膜は、有機物で形成されたことを特徴とする請求項４に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第３絶縁膜は、ポリイミドで形成されたことを特徴とする請求項４に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記基板のディスプレイ領域に配され、前記第１絶縁膜上に配され、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された画素電極をさらに備え、
前記第２絶縁膜は、前記画素電極の一部または全部を露出させる画素定義膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記第２絶縁膜は、有機物で形成されたことを特徴とする請求項１３に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第２絶縁膜は、ポリイミドで形成されたことを特徴とする請求項１３に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第１絶縁膜は、無機物で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第１絶縁膜は、窒化シリコン、酸化シリコンまたは酸窒化シリコンで形成されたことを特徴とする請求項１６に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記電極電源供給ラインは、有機物との反応性が大きい物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記電極電源供給ラインは、銅、銀またはアルミニウムで形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記薄膜トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を備え、前記電極電源供給ラインは、前記ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極のうち、少なくともいずれか一つと同じ物質で同一層に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記電極電源供給ラインに接触し、前記基板のディスプレイ領域の上部に配された対向電極をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- ディスプレイ領域を持つ基板と、
前記基板のディスプレイ領域に配された薄膜トランジスタと、
前記基板のディスプレイ領域の外側に配された電極電源供給ラインと、
前記薄膜トランジスタを覆い、前記電極電源供給ラインの一部または全部を露出させる複数の第１端部面を持つ第１絶縁膜と、
前記基板のディスプレイ領域に配され、前記第１絶縁膜上に配され、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された画素電極と、
前記第１絶縁膜の複数の第１端部面のうち、一部により露出された前記電極電源供給ラインを覆うように配され、前記画素電極の一部または全部を露出させる第２絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の複数の第１端部面のうち、前記一部により露出された前記電極電源供給ラインと前記第２絶縁膜との間に介されて、前記第２絶縁膜と前記電極電源供給ラインとを接触させない補助導電層と、を備えることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置。 - 前記補助導電層は、前記画素電極と同じ物質で形成されたことを特徴とする請求項２２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第１絶縁膜は、無機物で形成されたことを特徴とする請求項２２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第１絶縁膜は、窒化シリコン、酸化シリコンまたは酸窒化シリコンで形成されたことを特徴とする請求項２４に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記電極電源供給ラインは、有機物との反応性が大きい物質で形成されたことを特徴とする請求項２２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記電極電源供給ラインは、銅、銀またはアルミニウムで形成されたことを特徴とする請求項２２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記薄膜トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を備え、前記電極電源供給ラインは、前記ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極のうち、少なくともいずれか一つと同じ物質で同一層に形成されたことを特徴とする請求項２２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記電極電源供給ラインに接触し、前記基板のディスプレイ領域の上部に配された対向電極をさらに備えることを特徴とする請求項２２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- ディスプレイ領域を持つ基板と、
前記基板のディスプレイ領域に配された薄膜トランジスタと、
前記基板のディスプレイ領域の外側に配された電極電源供給ラインと、
前記薄膜トランジスタを覆い、前記電極電源供給ラインの一部または全部を露出させる第１端部面を持つ第１絶縁膜と、
前記基板のディスプレイ領域に配され、前記第１絶縁膜上に配され、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された画素電極と、
前記第１絶縁膜により露出された前記電極電源供給ラインを覆うように配され、前記画素電極の一部または全部を露出させる第３絶縁膜と、
前記第１絶縁膜により露出された前記電極電源供給ラインと前記第２絶縁膜との間に介されて、前記第２絶縁膜と前記電極電源供給ラインとを接触させない補助導電層と、を備えることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置。 - 前記補助導電層は、前記画素電極と同じ物質で形成されたことを特徴とする請求項３０に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第１絶縁膜は、無機物で形成されたことを特徴とする請求項３０に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第１絶縁膜は、窒化シリコン、酸化シリコンまたは酸窒化シリコンで形成されたことを特徴とする請求項３２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記電極電源供給ラインは、有機物との反応性が大きい物質で形成されたことを特徴とする請求項３０に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記電極電源供給ラインは、銅、銀またはアルミニウムで形成されたことを特徴とする請求項３０に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記薄膜トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を備え、前記電極電源供給ラインは、前記ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極のうち、少なくともいずれか一つと同じ物質で同一層に形成されたことを特徴とする請求項３０に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記電極電源供給ラインに接触し、前記基板のディスプレイ領域の上部に配された対向電極をさらに備えることを特徴とする請求項３０に記載の有機発光ディスプレイ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070089067A KR100875102B1 (ko) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR10-2007-0089067 | 2007-09-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009059701A true JP2009059701A (ja) | 2009-03-19 |
| JP4772840B2 JP4772840B2 (ja) | 2011-09-14 |
Family
ID=39876497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008222437A Active JP4772840B2 (ja) | 2007-09-03 | 2008-08-29 | 有機発光ディスプレイ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8022618B2 (ja) |
| EP (1) | EP2031658B1 (ja) |
| JP (1) | JP4772840B2 (ja) |
| KR (1) | KR100875102B1 (ja) |
| CN (2) | CN101383374B (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101383374B (zh) | 2016-02-17 |
| EP2031658A3 (en) | 2009-06-24 |
| CN105679797A (zh) | 2016-06-15 |
| KR100875102B1 (ko) | 2008-12-19 |
| CN101383374A (zh) | 2009-03-11 |
| US8022618B2 (en) | 2011-09-20 |
| EP2031658A2 (en) | 2009-03-04 |
| EP2031658B1 (en) | 2017-05-03 |
| CN105679797B (zh) | 2019-01-08 |
| JP4772840B2 (ja) | 2011-09-14 |
| US20090058280A1 (en) | 2009-03-05 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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