KR20150034054A

KR20150034054A - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Info

Publication number: KR20150034054A
Application number: KR20130114133A
Authority: KR
Inventors: 유춘기
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2013-09-25
Filing date: 2013-09-25
Publication date: 2015-04-02
Also published as: US20150084009A1

Abstract

본 발명의 일 실시예는 기판 상에 배치된 화소 전극; 상기 화소 전극 상에 배치된 환경성 요소; 상기 화소 전극과 상기 환경성 요소 사이에 배치되며, 상기 화소 전극 상의 상기 환경성 요소에 대응되는 영역에 배치된 보호 절연막; 상기 화소 전극에 대향되도록 배치된 대향 전극; 및 상기 화소 전극과 상기 대향 전극 사이에 배치되며, 유기 발광층을 포함하는 중간층;을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{Organic light-emitting display apparatus and method for manufacturing the same}

본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 표시 장치이다.

자발광형 표시 장치인 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 시야각, 콘트라스트(contrast), 응답 속도 등의 특성이 우수하기 때문에 MP3 플레이어나 휴대폰 등과 같은 개인용 휴대기기에서 텔레비전(TV)에 이르기까지 응용 범위가 확대되고 있다.

본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.

본 실시예에 있어서, 상기 보호 절연막은 상기 환경성 요소와 실질적으로 동일한 너비를 갖을 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 보호 절연막은, 상기 화소 전극과 상기 중간층 사이에 배치될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 보호 절연막은, 폴리이미드(PI; polyimide), 실리콘 산화물, 및 실리콘 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 보호 절연막은, 700 Å 내지 1000 Å의 두께를 갖을 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 중간층 및 상기 대향 전극은 상기 환경성 요소에 의해 분리된 영역을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 화소 전극과 전기적으로 연결되며, 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 활성층과 상기 게이트 전극 사이에 배치된 제1 절연층, 및 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배치된 제2 절연층을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일층에 배치된 제1 패드층과, 상기 제1 패드층 상에 배치된 제2 패드층을 포함하는 패드 전극; 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극, 및 상기 패드 전극의 양쪽 가장자리를 덮으며, 상기 화소 전극이 배치되는 개구를 포함하는 제3 절연층; 및 상기 제3 절연층에 포함된 개구에 대응되는 위치에 형성된 개구를 포함하며, 상기 화소 전극의 양쪽 가장자리를 덮는 화소 정의막;을 더 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 활성층과 동일층에 배치된 제1 전극, 상기 게이트 전극과 동일층에 배치된 제2 전극, 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일층에 배치된 제3 전극을 포함하는 커패시터를 더 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 화소 전극은, 투명 도전성 산화물층 및 은(Ag) 또는 은 합금을 포함하는 반투과 금속층을 포함하며, 대향 전극은 반사 금속층을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제2 절연층은, 상기 제3 절연층에 포함된 개구에 대응되는 영역에 형성된 개구를 포함하며, 상기 제2 절연층에 포함된 개구, 상기 제3 절연층에 포함된 개구, 및 상기 화소 정의막에 포함된 개구는 중첩적으로 형성되며, 상기 제3 절연층에 포함된 개구는 상기 화소 정의막에 형성된 개구보다 넓고, 상기 제2 절연층에 형성된 개구보다 좁을 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 화소 전극의 단부는 상기 제3 절연층에 포함된 개구의 상단에 위치할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제3 절연층은, 상기 화소 전극을 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결시키는 콘택홀을 포함하며, 상기 콘택홀의 하부에는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결된 제1 콘택층과, 상기 제1 콘택층 상에 배치되며 상기 제2 패드층과 동일 물질을 포함하는 제2 콘택층이 배치되며, 상기 콘택홀 내에는 상기 화소 전극의 일부가 배치되며, 상기 화소 전극과 상기 제2 콘택층은 직접 연결될 수 있다.

본 발명의 다른 실시예는 기판 상에 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 화소 전극 상에 절연 물질을 형성하는 단계; 상기 절연 물질 상의 환경성 요소가 배치된 영역을 제외한, 상기 절연 물질의 나머지 영역을 제거하여 보호 절연막을 형성하는 단계; 상기 화소 전극 및 상기 환경성 요소 상에 중간층을 형성하는 단계; 및 상기 중간층 상에 대향 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 개시한다.

본 실시예에 있어서, 상기 화소 전극을 형성하는 단계 후에, 상기 화소 전극 상에 상기 화소 전극의 일부를 노출하는 개구를 포함하는 화소 정의막을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 절연 물질을 형성하는 단계는, 상기 화소 정의막 및 상기 화소 정의막에 의해 노출된 상기 화소 전극 상에 상기 절연 물질을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 절연 물질을 형성하는 단계는, 폴리이미드(PI; polyimide), 실리콘 산화물, 및 실리콘 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 상기 절연 물질을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 절연 물질을 형성하는 단계는, 상기 절연 물질을 700 Å 내지 1000 Å의 두께로 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 절연 물질을 형성하는 단계는, 프린팅법에 의해 상기 절연 물질을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 중간층 및 대향 전극을 형성하는 단계는, 기상 증착(vapor deposition)법에 의해 상기 중간층 및 대향 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 보호 절연막을 형성하는 단계는, 플라즈마 처리(plasma treatment)에 의해 상기 절연 물질을 제거하여 상기 보호 절연막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.

본 발명의 실시예들에 관한 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은, 암점이 발생되는 문제를 개선할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2 내지 도 7은 도 1의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 단계를 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110) 상에 배치된 화소 전극(131), 화소 전극(131) 상에 배치된 환경성 요소(160), 화소 전극(131)과 환경성 요소(160) 사이에 배치되며 화소 전극(131) 상의 환경성 요소(160)에 대응되는 영역에 배치된 보호 절연막(150), 화소 전극(131)에 대향되도록 배치된 대향 전극(133), 및 화소 전극(131)와 대향 전극(133) 사이에 배치되며 유기 발광층을 포함하는 중간층(132)을 포함한다.

상기 기판(110)과 화소 전극(131)의 사이에는 절연층(120)이 배치될 수 있다.

상기 화소 전극(131)은 중간층(132)에 포함된 유기 발광층에서 방출된 광을 투과시키는 투명 또는 반투명 전극으로 구성될 수 있으며, 인듐틴옥사이드(ITO: indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO: indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO: zinc oxide), 인듐옥사이드(In₂O₃: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO: indium galium oxide), 및 알루미늄징크옥사이드(AZO: aluminium zinc oxide)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.

화소 전극(131)은 상술한 투명 도전성 산화물 이외에 반투과 금속층을 더 포함할 수 있으며, 반투과 금속층은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, 및 Yb를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나일 수 있으며, 100Å 내지 300Å의 박막으로 형성될 수 있다.

상기 화소 전극(131)은 투명 전극, 반투과 금속층, 및 투명 전극이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.

화소 전극(131) 상에는 환경성 요소(160)가 배치될 수 있으며, 환경성 요소(160)는 유기 발광 표시 장치(100)를 형성할 때 필수 불가결하게 개입되는 불순물 입자로써, 예를 들면, 외부 환경으로부터 유입된 미세 입자(예를 들면, 먼지, 티끌 등), 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 설비로부터 유입된 미세 입자, 유기 발광 표시 장치(100)에 구비된 다른 층들(예를 들면, 기판, 절연층 등)로부터 유입된 미세 입자 등일 수 있다.

상기 환경성 요소(160)의 성분은 각종 유기물, 무기물, 유무기 복합체 등 매우 다양할 수 있다. 상기 환경성 요소(160)는 세정에 의해 제거되지 않으며, 이러한 환경성 요소(160)에 의해 암점이 발생할 수 있다. 이에 관해서는 후술한다.

도 1의 환경성 요소(160)는 편의상 구형 입자로 도시되었지만, 환경성 요소(160)의 형태는 이에 제한되지 않는다.

상기 중간층(132)은 유기 발광층(organic emission layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(HIL: hole injection layer), 정공 수송층(HTL: hole transport layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다. 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 중간층(132)은 유기 발광층을 구비하며, 기타 다양한 기능층을 더 구비할 수 있다.

상기 중간층(132)에 포함된 유기 발광층은, 적색, 녹색 또는 청색의 광을 방출하는 유기 물질을 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 유기 발광층은, 백색광을 방출할 수도 있다. 이 경우, 유기 발광층은 적색광을 방출하는 발광 물질, 녹색광을 방출하는 발광 물질 및 청색광을 방출하는 발광 물질의 적층된 구조를 포함할 수도 있으며, 적색광을 방출하는 발광 물질, 녹색광을 방출하는 발광 물질 및 청색광을 방출하는 발광 물질이 혼합된 구조를 포함할 수 있다.

상기 적색, 녹색 및 청색은 하나의 예시로서, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 백색의 광을 방출할 수 있다면 적색, 녹색 및 청색의 조합 외에 기타 다양한 색의 조합을 이용할 수 있음은 물론이다.

상기 대향 전극(133)은 반사 물질을 포함하는 반사 전극으로 구성될 수 있으며, Al, Mg, Li, Ca, LiF/Ca, 및 LiF/Al를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.

따라서, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)는, 중간층(132)에서 방출된 광이 대향 전극(133)에서 반사되어 화소 전극(131)을 투과하여 기판(110) 방향으로 방출되는 배면 발광형일 수 있다.

화소 전극(131)이 반투과 금속층을 포함하는 경우, 반투과 금속층은 대향 전극(133)과 함께 미세 공진 구조(microcavity)를 형성할 수 있으며, 이러한 구성을 통해 유기 발광 표시 장치(100)의 광효율 및 색순도를 향상시킬 수 있다.

본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)는, 화소 전극(131)과 환경성 요소(160) 사이에 배치된 보호 절연막(150)을 포함한다.

즉, 보호 절연막(150)은 화소 전극(131) 상의 환경성 요소(160)가 배치된 영역에만 배치될 수 있으며, 환경성 요소(160)의 너비(Wa)와 보호 절연막(150)의 너비(Wb)는 실질적으로 동일할 수 있다.

여기서, 환경성 요소(160)의 너비(Wa)는 환경성 요소(160)의 단면에서 가장 너비가 큰 영역의 너비를 의미한다. 예를 들면, 환경성 요소(160)를 구형으로 가정했을 때, 구의 지름이 환경성 요소(160)의 너비(Wa)일 수 있다.

상기 환경성 요소(160)는 5 μm 이하의 평균 입경을 갖는 입자, 예를 들면 1 μm 이상 5 μm 이하의 평균 입경을 갖는 입자일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

본 실시예의 보호 절연막(150)은 화소 전극(131) 상에 환경성 요소(160)가 개입된 경우, 화소 전극(131)과 대향 전극(133)이 접속하는 것을 방지할 수 있다.

보호 절연막(150)이 없는 경우, 중간층(132)보다 두꺼운 환경성 요소(160)가 화소 전극(131) 상에 개입되면 환경성 요소(160)가 중간층(132)에 의해 충분히 덮이지 못하며, 환경성 요소(160)에 의한 단차에 의해 중간층(132) 및 대향 전극(133)에 단절된 영역이 생길 수 있다.

알루미늄(Al) 등을 포함하는 대향 전극(133)은 단절된 영역에서 중간층(132) 및 화소 전극(131)으로 확산(diffusion)될 수 있다. 따라서, 화소 전극(131)과 대향 전극(133)이 단락(short)되어, 해당 서브 화소가 발광하지 않는 현상, 즉 암점(dark spot)이 발생될 수 있다.

그러나, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)는 보호 절연막(150)을 포함하며, 상기 보호 절연막(150)은 대향 전극(133)의 확산 경로를 차단하여 화소 전극(131)과 대향 전극(133)이 단락되지 않도록 할 수 있다. 따라서, 환경성 요소(160)에 의해 암점이 발생하는 현상을 개선할 수 있다.

상기 보호 절연막(150)은, 폴리이미드(PI: polyimide) 등의 유기물 또는 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물과 같은 무기물을 포함할 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 보호 절연막(150)은 수분에 강한 절연 물질이라면 어떠한 물질도 포함할 수 있다.

상기 보호 절연막(150)은, 700 Å 내지 1000 Å의 두께를 가질 수 있다. 보호 절연막(150)을 700 Å 보다 작게 형성하는 경우 대향 전극(133)의 확산 경로를 확실히 차단할 수 없으며, 1000 Å 보다 크게 형성하는 경우 단차가 너무 커질 수 있으며, 플라즈마 처리에 의한 제거가 용이하지 않을 수 있다.

본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)에 포함된 중간층(132) 및 대향 전극(133)은, 보호 절연막(150) 및 환경성 요소(160)에 의한 단차에 의해 단절된 영역 포함할 수 있다. 즉, 보호 절연막(150) 및 환경성 요소(160) 상에는 분리된 중간층(132)의 일 영역(132a) 및 대향 전극(133)의 일 영역(133a)이 배치될 수 있다.

따라서, 환경성 요소(160)가 배치된 영역의 대향 전극(133)의 일 영역(133a)에는 전압이 인가되지 않아, 이에 대응되는 중간층(132)의 일 영역(132a)에서는 발광이 이루어지지 않을 수 있다. 그러나, 발광이 이루어지지 않는 영역은 매우 좁은 영역이며 환경성 요소(160)가 배치되지 않은 영역은 정상적으로 작동하여 발광이 이루어지므로, 해당 서브 픽셀 전체가 발광하지 않는 현상이 발생하지 않는다.

도 2 내지 도 7은 도 1의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 단계를 순차적으로 나타낸 단면도이다.

도 2를 참조하면, 기판(110) 상에 절연층(120) 및 화소 전극(131)을 형성한다. 화소 전극(131)은 화소 전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 형성한 후, 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통해 패터닝함으로써 형성할 수 있다.

상기 화소 전극(131)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성될 수 있으며, 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있고, 대향 전극(도 1, 133)과 함께 미소 공진 구조(microcavity)를 형성하기 위한 반투과 금속층을 더 포함할 있다.

도 3을 참조하면, 화소 전극(131) 상에 화소 전극(131)의 일부를 노출하는 개구(C5)를 포함하며, 화소 전극(131)의 양쪽 단부를 덮는 화소 정의막(140)을 형성한다.

화소 정의막(140)은 광이 방출되는 화소 영역을 정의하는 역할을 하며, 유기 절연막으로 형성할 수 있다.

도 4를 참조하면, 화소 정의막(140) 및 화소 정의막(140)에 형성된 개구(C5)에 의해 노출된 화소 전극(131) 상에 보호 절연막(도 5, 150)을 형성하기 위한 절연 물질(150´)을 도포한다. 상기 절연 물질(150´)은 폴리이미드(PI: polyimide) 등의 유기물 또는 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물과 같은 무기물과 같은 수분에 강한 물질일 수 있다.

상기 절연 물질(150´)은 프린팅법에 의해 형성할 수 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며 절연 물질(150´)은 다른 통상의 방법에 의해 형성될 수도 있다.

상기 절연 물질(150´)은 700 Å 내지 1000 Å 의 두께로 형성될 수 있다.

상기 절연 물질(150´)을 형성한 후, 화소 전극(131) 및 절연 물질(150´) 등이 형성된 기판(110)은 분리, 면취(chamfering), 세정(washing), 및 경화(curing) 공정 등을 거치게 된다.

이러한 공정 등을 거치는 과정에서, 절연 물질(150´) 상에 환경성 요소(160)가 부착될 수 있다. 환경성 요소(160)는 세정(washing) 등에 의해 제거되지 않을 수 있다.

도 5를 참조하면, 절연 물질(150´) 중 환경성 요소(160)가 배치된 영역을 제외한 나머지 영역을 제거하여 보호 절연막(150)을 형성한다. 따라서, 환경성 요소(160)의 너비(Wa)와 보호 절연막(150)의 너비(Wb)는 공정 오차 범위내에서 실질적으로 동일할 수 있다.

상기 절연 물질(150´)은 플라즈마 처리(plasma treatment)에 의해 제거될 수 있다. 플라즈마 처리는 중간층(도 6, 132)을 형성하기 전에 통상적으로 수행하는 공정이므로, 본 실시예의 보호 절연막(150)을 제거하기 위하여 별도의 공정을 추가할 필요가 없어, 공정 과정을 간이화할 수 있다.

도 6을 참조하면, 화소 전극(131) 및 환경성 요소(160) 상에 중간층(132)을 형성한다.

중간층(132)은 기상 증착법(vapor deposition) 등에 의해 형성될 수 있으며, 환경성 요소(160)의 크기가 커서, 환경성 요소(160)가 배치된 영역과 환경성 요소(160)가 배치되지 않은 영역 사이의 단차가 너무 큰 경우, 중간층(132)은 단절된 영역을 포함할 수 있다.

즉, 분리된 중간층(132)의 일 영역(132a)은 환경성 요소(160) 상에 배치될 수 있다.

도 7을 참조하면, 중간층(132) 상에 대향 전극(133)을 형성한다.

대향 전극(133)은 기상 증착법(vapor deposition) 등에 의해 형성될 수 있으며, 중간층(132)과 마찬가지로, 단절된 영역을 포함할 수 있다. 이때, 분리된 대향 전극(133)의 일 영역(133a)은 분리된 중간층(132)의 일 영역(132a)을 덮도록 형성될 수 있다.

본 실시예의 유기 발광 표시 장치(100)는 보호 절연막(150)을 포함하며, 보호 절연막(150)은 대향 전극(133)에 포함된 물질이 중간층(132) 및 대향 전극(133)이 단절된 영역을 통해 확산되어 화소 전극(131)과 단락되는 경로를 차단함으로써 암점이 발생하는 현상을 방지할 수 있다.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도 8을 참조하면, 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 기판(210) 상에 배치된 화소 전극(231), 화소 전극(231) 상에 배치된 환경성 요소(261, 262), 화소 전극(231)과 환경성 요소(261, 262) 사이에 배치되며 화소 전극(231) 상의 환경성 요소(261, 262)에 대응되는 영역에 각각 배치된 보호 절연막(251, 252), 화소 전극(231)에 대향되도록 배치된 대향 전극(233), 및 화소 전극(231)와 대향 전극(233) 사이에 배치되며 유기 발광층을 포함하는 중간층(232)을 포함한다.

상기 기판(210)과 화소 전극(231)의 사이에는 절연층(220)이 배치될 수 있다.

화소 전극(231) 상에는 복수 개의 환경성 요소(261, 262)가 배치될 수 있다. 각각의 환경성 요소(261, 262)는 서로 다른 크기를 가질 수 있으며, 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.

화소 전극(231)과 각각의 환경성 요소(261, 262) 사이에는 보호 절연막(251, 252)이 배치될 수 있다.

보호 절연막(251, 252)은 각각의 보호 절연막(251, 252) 상에 배치된 환경성 요소(261, 262)와 동일한 너비를 가질 수 있다.

중간층(232) 및 대향 전극(233)은 단절된 영역을 포함할 수 있으며, 중간층(232)의 분리된 영역(232a) 및 대향 전극(233)의 분리된 영역(233a)는 환경성 요소(262) 상에 배치될 수 있다.

환경성 요소(261)의 크기가 작은 경우, 중간층(232) 및 대향 전극(233)은 환경성 요소(261)에 의해 단절되지 않을 수 있으며, 이 경우, 환경성 요소(261)가 배치된 영역에 대응되는 중간층(232)에서도 광이 방출될 수 있다.

다른 구성은 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)와 동일하므로, 설명을 생략한다.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도 9을 참조하면, 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)는 기판(310) 상에 배치된 화소 전극(331), 화소 전극(331) 상에 배치된 환경성 요소(360), 화소 전극(331)과 환경성 요소(360) 사이에 배치되며 화소 전극(331) 상의 환경성 요소(360)에 대응되는 영역에 배치된 보호 절연막(350), 화소 전극(331)에 대향되도록 배치된 대향 전극(333), 및 화소 전극(331)와 대향 전극(333) 사이에 배치되며 유기 발광층을 포함하는 중간층(332)을 포함한다.

상기 기판(310)과 화소 전극(331)의 사이에는 절연층(320)이 배치될 수 있다.

상기 화소 전극(331)은 중간층(332)에 포함된 유기 발광층에서 방출된 광을 반사시키는 반사 전극으로 구성될 수 있으며, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등을 포함하는 반사층과, 반사층 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 포함할 수 있다.

상기 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO: indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO: indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO: zinc oxide), 인듐옥사이드(In₂O₃: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO: indium galium oxide), 및 알루미늄징크옥사이드(AZO: aluminium zinc oxide) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

화소 전극(331) 상에는 환경성 요소(360)가 배치될 수 있으며, 환경성 요소(360)와 화소 전극(331) 사이에는 보호 절연막(350)이 배치될 수 있다.

상기 중간층(332)은 유기 발광층(organic emission layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(HIL: hole injection layer), 정공 수송층(HTL: hole transport layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다. 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 중간층(132)은 유기 발광층을 구비하며, 기타 다양한 기능층을 더 구비할 수 있다.

상기 대향 전극(333)은 반투과 전극으로 구성될 수 있으며, Ag, Al, Mg, Li, Ca, Cu, LiF/Ca, LiF/Al, MgAg 및 CaAg에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으며, 수 내지 수십 nm의 두께를 갖는 박막 형태로 형성될 수 있다.

따라서, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(300)는, 중간층(332)에서 방출된 광이 화소 전극(331)에서 반사되어 대향 전극(333) 방향으로 방출되는 전면 발광형일 수 있다.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도 10을 참조하면, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(400)는 기판(410) 상에 중간층(432)이 포함된 픽셀 영역(PXL), 적어도 하나의 박막 트랜지스터가 포함된 트랜지스터 영역(TR), 적어도 하나의 커패시터가 포함된 커패시터 영역(CAP) 및 패드 영역(PAD)을 포함한다.

기판(410)은 유리 기판 또는 투명한 플라스틱 기판 등일 수 있으며, 기판(410) 상에는 버퍼층(421)이 배치될 수 있다.

버퍼층(421) 상의 트랜지스터 영역(TR)에는 박막 트랜지스터의 활성층(212)이 배치된다. 활성층(212)은 다양한 물질을 함유하도록 형성할 수 있다. 예를 들면, 활성층(212)은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘과 같은 무기 반도체 물질을 함유할 수 있다. 이 경우, 활성층(212)은 채널 영역(212c)과, 채널 영역(212c) 양쪽 가장자리에 배치되며 이온 불순물이 도핑된 소스 영역(212a) 및 드레인 영역(212b)을 포함할 수 있다. 다른 예로서 활성층(212)은 산화물 반도체를 함유할 수 있다. 또 다른 예로서 활성층(212)은 유기 반도체 물질을 함유할 수 있다.

활성층(212) 상에는 게이트 절연막인 제1 절연층(423)을 사이에 두고 활성층(212)의 채널 영역(212c)에 대응되는 위치에 게이트 전극(215)이 배치된다. 게이트 전극(215)은, 예를 들어, 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속으로 단층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.

게이트 전극(215) 상에는 층간 절연막인 제2 절연층(426)을 사이에 두고 활성층(212)의 소스 영역(212a) 및 드레인 영역(212b)에 각각 접속하는 소스 전극(217a) 및 드레인 전극(217b)이 배치된다. 소스 전극(217a) 및 드레인 전극(217b)은, 전자 이동도가 다른 이종의 금속층이 2층 이상 형성된 것일 수 있다. 예를 들어, 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 이들의 합금 가운데 선택된 금속층이 2층 이상 형성된 것일 수 있다.

제2 절연층(426) 상에는 소스 전극(217a) 및 드레인 전극(217b)을 덮도록 제3 절연층(429)이 배치된다.

제1 절연층(423) 및 제2 절연층(426)은 단층 또는 복수층의 무기 절연막으로 구비될 수 있으며, 제3 절연층(429)은 유기 절연막으로 구비될 수 있다.

제3 절연층(429) 상에 화소 정의막(440)이 배치된다. 화소 정의막(440)은 유기 절연막으로 구비될 수 있다.

픽셀 영역(PXL)에는 기판(410) 상에 버퍼층(421) 및 제1 절연층(423)이 배치되며, 제1 절연층(423) 상에 화소 전극(431)이 배치된다.

화소 전극(431)은 제3 절연층(429)에 포함된 개구(C2)에 배치되며, 화소 전극(431)의 양쪽 가장자리에는, 제3 절연층(429)에 포함된 개구(C2)에 대응되는 위치에 형성된 개구(C5)를 포함하는 화소 정의막(440)이 배치된다.

또한, 제2 절연층(426)은 제3 절연층(429)에 포함된 개구(C2)에 대응되는 영역에 형성된 개구(C1)을 포함하며, 제2 절연층(426)에 포함된 개구(C1), 제3 절연층(429)에 포함된 개구(C2), 및 화소 정의막(440)에 포함된 개구(C5)는 중첩적으로 형성되며, 제3 절연층(429)에 포함된 개구(C2)는 화소 정의막(440)에 형성된 개구(C5)보다 넓고, 제2 절연층(426)에 형성된 개구(C1)보다 좁을 수 있다.

화소 전극(431)의 단부는 제3 절연층(429)에 포함된 개구(C2)의 상단에 위치하고, 화소 정의막(440)에 의해 커버되며, 화소 전극(431)의 일부는 화소 정의막(440)에 의해 노출된다.

제3 절연층(429)은 화소 전극(431)을 소스 전극(217a) 및 드레인 전극(217b) 중 하나와 전기적으로 연결시키는 콘택홀(C3)을 포함할 수 있다. 도 10의 실시예는, 화소 전극(431)이 드레인 전극(217b)과 전기적으로 연결된 경우를 예시한다.

즉, 콘택홀(C3)의 하부에는 드레인 전극(217b)에서 연장된 제1 콘택층(417)과, 제1 콘택층(417) 상에 배치된 제2 콘택층(418)이 배치되며, 콘택홀(C3) 내에 배치된 화소 전극(431)은 제2 콘택층(418)과 직접 연결되어 드레인 전극(217b)과 전기적으로 연결된다.

화소 전극(431)은 반투과 금속층(431b)을 포함할 수 있다. 또한, 화소 전극(431)은 반투과 금속층(431b)의 하부 및 상부에 각각 형성되어 반투과 금속층(431b)을 보호하는 투명 도전성 산화물층(431a, 431c)을 더 포함할 수 있다.

반투과 금속층(431b)은 은(Ag) 또는 은 합금으로 형성될 수 있으며, 반투과 금속층(431b)은 후술할 반사 전극인 대향 전극(433)과 함께 미세 공진 구조(microcavity)를 형성함으로써 유기 발광 표시 장치(400)의 광효율 및 색순도를 향상시킬 수 있다.

화소 정의막(440)이 형성된 개구(C5)에 의해 노출된 화소 전극(431) 상에는 환경성 요소(460)가 배치될 수 있다. 상기 환경성 요소(460)의 성분은 각종 유기물, 무기물, 유무기 복합체 등을 포함할 수 있다.

본 실시예의 유기 발광 표시 장치(400)는, 화소 전극(431)과 환경성 요소(460) 사이에 배치된 보호 절연막(450)을 포함한다.

즉, 보호 절연막(450)은 화소 전극(431) 상의 환경성 요소(460)가 배치된 영역에만 배치될 수 있으며, 환경성 요소(460)와 보호 절연막(450)의 너비는 서로 동일할 수 있다.

본 실시예의 보호 절연막(450)은 화소 전극(431) 상에 환경성 요소(460)가 개입된 경우, 화소 전극(431)과 대향 전극(433)이 단락되는 것을 방지할 수 있다.

보호 절연막(450)이 없는 경우, 중간층(432)보다 두꺼운 환경성 요소(460)가 개입된 경우, 환경성 요소(460)가 중간층(432)에 의해 충분히 덮이지 못하고, 중간층(432) 및 대향 전극(433)이 단절된 영역이 생길 수 있다.

알루미늄(Al) 등을 포함하는 대향 전극(433)은 단절된 영역에서 중간층(432) 및 화소 전극(431)으로 확산(diffusion)될 수 있다. 따라서, 화소 전극(431)과 대향 전극(433)이 단락(short)되어, 해당 서브 화소가 발광하지 않는 현상, 즉 암점(dark spot)이 발생될 수 있다.

그러나, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(400)는 보호 절연막(450)을 포함하며, 상기 보호 절연막(450)은 대향 전극(433)의 확산 경로를 차단하여 화소 전극(431)과 대향 전극(433)이 단락되지 않도록 할 수 있다. 따라서, 환경성 요소(460)에 의해 암점이 발생하는 현상을 개선할 수 있다.

상기 화소 전극(431) 및 환경성 요소(460) 상에는 중간층(432)이 배치될 수 있다. 중간층(432)은 유기 발광층(organic emission layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(HIL: hole injection layer), 정공 수송층(HTL: hole transport layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다. 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 중간층(132)은 유기 발광층을 구비하며, 기타 다양한 기능층을 더 구비할 수 있다.

도 10의 중간층(432)은 화소 정의막(440)에 형성된 개구(C5)의 바닥에만 위치하는 것으로 도시되었으나, 이는 설명의 편의를 위한 것이며 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 중간층(432)에 포함된 유기 발광층은 개구(C5)의 바닥뿐 아니라 화소 정의막(440)에 형성된 개구(C5)의 식각면을 따라 화소 정의막(440)의 상면까지 연장되어 형성될 수 있으며, 중간층(432)에 포함된 기능층들은 다른 픽셀까지 연장될 수 있다.

중간층(432) 상에는 대향 전극(433)이 배치될 수 있다.

상기 대향 전극(433)은 반사 물질을 포함하는 반사 전극으로 구성될 수 있으며, Al, Mg, Li, Ca, LiF/Ca, 및 LiF/Al를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.

따라서, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(400)는, 중간층(432)에서 방출된 광이 대향 전극(433)에서 반사되어 화소 전극(431)을 투과하여 기판(410) 방향으로 방출되는 배면 발광형일 수 있다.

상기 중간층(432) 및 대향 전극(433)은, 보호 절연막(450) 및 환경성 요소(460)에 의한 단차에 의해 단절된 영역을 포함할 수 있다. 즉, 보호 절연막(450) 및 환경성 요소(460) 상에는 분리된 중간층(432)의 일 영역(432a) 및 대향 전극(433)의 일 영역(433a)이 배치될 수 있다.

따라서, 환경성 요소(460)가 배치된 영역의 대향 전극(433)의 일 영역(433a)에는 전압이 인가되지 않아, 이에 대응되는 중간층(432)의 일 영역(432a)에서는 발광이 이루어지지 않을 수 있다. 그러나, 발광이 이루어지지 않는 영역은 매우 좁은 영역이며 환경성 요소(460)가 배치되지 않은 영역은 정상적으로 작동하여 발광이 이루어지므로, 해당 서브 픽셀 전체가 발광하지 않는 현상이 발생하지 않는다.

커패시터 영역(CAP)에는 기판(410) 상에 버퍼층(421)이 배치되며, 버퍼층(421) 상에 활성층(212)과 동일층에 배치된 제1 전극(312)과, 게이트 전극(215)과 동일층에 배치된 제2 전극(314)과, 소스 전극(217a) 및 드레인 전극(217b)과 동일층에 배치된 제3 전극(317)을 구비한 커패시터가 배치된다.

커패시터의 제1 전극(312)은 활성층(212)의 소스 영역(212a) 및 드레인 영역(212b)과 같이 이온 불순물이 도핑된 반도체로 형성될 수 있다.

커패시터의 제2 전극(314)은 비록 게이트 전극(215)과 동일하게 제1 절연층(423) 상에 위치하지만 그 재료는 상이하다. 제2 전극(314)의 재료는 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 투명한 제2 전극(314)을 통하여 제1 전극(312)에 이온 불순물을 도핑함으로써, 본 실시예의 커패시터를 MIM(Metal-insulator-Metal) 구조로 형성할 수 있다.

커패시터의 제3 전극(317)은 소스 전극(217a) 및 드레인 전극(217b)과 동일한 재료로 형성될 수 있다. 커패시터에 포함된 제1 전극(312), 제2 전극(314), 및 제3 전극(317)은 병렬 연결된 복수 개의 커패시터를 구성함으로써, 커패시터의 면적 증가 없이 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(400)의 정전 용량을 증가시킬 수 있다. 따라서, 증가된 정전 용량만큼 커패시터의 면적을 줄일 수 있으므로 개구율을 증가시킬 수 있다.

패드 영역(PAD)에는 제2 절연층(426) 상에 제1 패드층(517)과 제2 패드층(518)이 배치된다.

제1 패드층(517)은 소스 전극(217a) 및 드레인 전극(217b)과 마찬가지로 전자 이동도가 다른 복수의 금속층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 패드층(517)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속이 다층으로 형성될 수 있다.

제2 패드층(518)은 투명 도전성 산화물로 형성될 수 있으며, 제1 패드층(517)이 수분과 산소에 노출되는 것을 방지하여 패드의 신뢰성 저하를 방지할 수 있다. 제2 패드층(518)은 콘택홀(C3)의 하부에 배치된 제2 콘택층(418)과 동일층에 동일 재료로 형성될 수 있다.

제1 패드층(517)은 제3 절연층(429)에 형성된 개구(C4)에 배치되지만, 제1 패드층(517) 상부에 보호층인 제2 패드층(518)이 형성되어 있기 때문에, 화소 전극(431)을 에칭하는 동안 제1 패드층(517)이 에천트에 노출되지 않는다.

더욱이 수분이나 산소 등 외부 환경에 민감한 제1 패드층(517)의 단부가 제3 절연층(429)에 의해 덮여있기 때문에, 화소 전극(431)을 에칭하는 동안 제1 패드층(517)의 단부도 에천트에 노출되지 않는다.

한편, 도 10에는 도시되어 있지 않으나, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(400)는 픽셀 영역(PXL), 트랜지스터 영역(TR), 및 커패시터 영역(CAP)을 포함하는 표시 영역을 밀봉하는 봉지 부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 봉지 부재는 글라스재를 포함하는 기판, 금속 필름, 또는 유기 절연막 및 무기 절연막이 교번하여 배치된 봉지 박막 등으로 형성될 수 있다.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

100, 200, 300, 400: 유기 발광 표시 장치
110, 210, 310, 410: 기판 120, 220, 320: 절연층
131, 231, 331, 431: 화소 전극 132, 232, 332, 432: 중간층
133, 233, 333, 433: 대향 전극 140, 240, 340, 440: 화소 정의막
150, 251, 252, 350, 450: 보호 절연막
160, 261, 262, 360, 460: 환경성 요소
212: 활성층 215: 게이트 전극
217a: 소스 전극 217b: 드레인 전극
312: 제1 전극 314: 제2 전극
317: 제3 전극 417: 제1 콘택층
418: 제2 콘택층 421: 버퍼층
423: 제1 절연층 426: 제2 절연층
429: 제3 절연층 517: 제1 패드층
518: 제2 패드층

Claims

기판 상에 배치된 화소 전극;
상기 화소 전극 상에 배치된 환경성 요소;
상기 화소 전극과 상기 환경성 요소 사이에 배치되며, 상기 화소 전극 상의 상기 환경성 요소에 대응되는 영역에 배치된 보호 절연막;
상기 화소 전극에 대향되도록 배치된 대향 전극; 및
상기 화소 전극과 상기 대향 전극 사이에 배치되며, 유기 발광층을 포함하는 중간층;을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 보호 절연막은 상기 환경성 요소와 실질적으로 동일한 너비를 갖는 유기 발광 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 보호 절연막은, 상기 화소 전극과 상기 중간층 사이에 배치된 유기 발광 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 보호 절연막은, 폴리이미드(PI: polyimide), 실리콘 산화물, 및 실리콘 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 보호 절연막은, 700 Å 내지 1000 Å의 두께를 갖는 유기 발광 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 중간층 및 상기 대향 전극은 상기 환경성 요소에 의해 분리된 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 화소 전극과 전기적으로 연결되며, 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 활성층과 상기 게이트 전극 사이에 배치된 제1 절연층, 및 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배치된 제2 절연층을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일층에 배치된 제1 패드층과, 상기 제1 패드층 상에 배치된 제2 패드층을 포함하는 패드 전극;
상기 소스 전극과 상기 드레인 전극, 및 상기 패드 전극의 양쪽 가장자리를 덮으며, 상기 화소 전극이 배치되는 개구를 포함하는 제3 절연층; 및
상기 제3 절연층에 포함된 개구에 대응되는 위치에 형성된 개구를 포함하며, 상기 화소 전극의 양쪽 가장자리를 덮는 화소 정의막;을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
제7 항에 있어서,
상기 활성층과 동일층에 배치된 제1 전극, 상기 게이트 전극과 동일층에 배치된 제2 전극, 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일층에 배치된 제3 전극을 포함하는 커패시터를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
제7 항에 있어서,
상기 화소 전극은, 투명 도전성 산화물층 및 은(Ag) 또는 은 합금을 포함하는 반투과 금속층을 포함하며, 대향 전극은 반사 금속층을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
제7 항에 있어서,
상기 제2 절연층은, 상기 제3 절연층에 포함된 개구에 대응되는 영역에 형성된 개구를 포함하며, 상기 제2 절연층에 포함된 개구, 상기 제3 절연층에 포함된 개구, 및 상기 화소 정의막에 포함된 개구는 중첩적으로 형성되며,
상기 제3 절연층에 포함된 개구는 상기 화소 정의막에 형성된 개구보다 넓고, 상기 제2 절연층에 형성된 개구보다 좁은 유기 발광 표시 장치.
제10 항에 있어서,
상기 화소 전극의 단부는 상기 제3 절연층에 포함된 개구의 상단에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
제7 항에 있어서,
상기 제3 절연층은, 상기 화소 전극을 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결시키는 콘택홀을 포함하며, 상기 콘택홀의 하부에는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결된 제1 콘택층과, 상기 제1 콘택층 상에 배치되며 상기 제2 패드층과 동일 물질을 포함하는 제2 콘택층이 배치되며, 상기 콘택홀 내에는 상기 화소 전극의 일부가 배치되며, 상기 화소 전극과 상기 제2 콘택층은 직접 연결되는 유기 발광 표시 장치.
기판 상에 화소 전극을 형성하는 단계;
상기 화소 전극 상에 절연 물질을 형성하는 단계;
상기 절연 물질 상의 환경성 요소가 배치된 영역을 제외한, 상기 절연 물질의 나머지 영역을 제거하여 보호 절연막을 형성하는 단계;
상기 화소 전극 및 상기 환경성 요소 상에 중간층을 형성하는 단계; 및
상기 중간층 상에 대향 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
제13 항에 있어서,
상기 화소 전극을 형성하는 단계 후에, 상기 화소 전극 상에 상기 화소 전극의 일부를 노출하는 개구를 포함하는 화소 정의막을 형성하는 단계를 더 포함하며,
상기 절연 물질을 형성하는 단계는, 상기 화소 정의막 및 상기 화소 정의막에 의해 노출된 상기 화소 전극 상에 상기 절연 물질을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
제13 항에 있어서,
상기 절연 물질을 형성하는 단계는, 폴리이미드(PI; polyimide), 실리콘 산화물, 및 실리콘 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 상기 절연 물질을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
제13 항에 있어서,
상기 절연 물질을 형성하는 단계는, 상기 절연 물질을 700 Å 내지 1000 Å 의 두께로 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
제13 항에 있어서,
상기 절연 물질을 형성하는 단계는, 프린팅법에 의해 상기 절연 물질을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
제13 항에 있어서,
상기 중간층 및 대향 전극을 형성하는 단계는, 기상 증착법에 의해 상기 중간층 및 대향 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
제13 항에 있어서,
상기 보호 절연막을 형성하는 단계는, 플라즈마 처리(plasma treatment)에 의해 상기 절연 물질을 제거하여 상기 보호 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.