KR20070111061A - 백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070111061A
KR20070111061A KR1020060043915A KR20060043915A KR20070111061A KR 20070111061 A KR20070111061 A KR 20070111061A KR 1020060043915 A KR1020060043915 A KR 1020060043915A KR 20060043915 A KR20060043915 A KR 20060043915A KR 20070111061 A KR20070111061 A KR 20070111061A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electrode
white
forming
unit color
Prior art date
Application number
KR1020060043915A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100825384B1 (ko
Inventor
고삼일
성연주
유병욱
이승현
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020060043915A priority Critical patent/KR100825384B1/ko
Publication of KR20070111061A publication Critical patent/KR20070111061A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100825384B1 publication Critical patent/KR100825384B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 백색 유기 전계 발광 소자의 발광 효율 및 수명을 증가시키기 위해 각각의 서브 픽셀 영역 내에 각각의 서브 픽셀의 색을 발광하는 유기 발광층을 더 포함하는 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
백색 발광, 단위 화소, 유기 전계 발광 소자

Description

백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법{White organic electroluminescence device and method for fabricating the same}
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 백색 유기 전계 발광 표시 장치의 실시 예들을 나타내는 단면도들이다.
도 2a는 본 발명의 발광층 구조의 일실시 예를 나타내는 단면도이고, 도 2b는 본 발명의 단위색층 구조의 일실시 예를 나타내는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일실시 예에 따른 백색 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 공정을 나타내는 단면도들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
140,340 : 제1전극 150,350 : 발광층
155,355 : 제2전극 165,365 : 컬러필터
170,370 : 광차단막
본 발명은 백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 백색을 발광하는 백색층, 각각의 RGB를 발광하는 단위색층 및 이들의 색순도를 높이는 컬러필터를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치를 제공함으로써 발광 효율이 우수하고 수명이 긴 백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근에 음극선관(cathode ray tube)과 같이 무겁고, 크기가 크다는 종래의 표시 장치의 단점을 해결하는 액정 표시 장치(liquid crystal display device), 유기 전계 발광 표시 장치(organic electroluminescence display device) 또는 PDP(plasma display plane) 등과 같은 평판형 표시 장치(flat panel display device)가 주목 받고 있다.
이때, 상기 액정 표시 장치는 자체 발광 소자가 아니라 수광 소자이기 때문에 밝기, 콘트라스트, 시야각 및 대면적화 등에 한계가 있고, 상기 PDP는 자체 발광 소자이기는 하지만, 다른 평판형 표시 장치에 비해 무게가 무겁고, 소비 전력이 높을 뿐만 아니라 제조 방법이 복잡하다는 문제점이 있다.
이에 반하여, 상기 유기 전계 발광 표시 장치는 자체 발광 소자이기 때문에 시야각, 콘트라스트 등이 우수하고, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아니라 제조 방법이 단순하고 저렴하다는 장점을 가지고 있다.
상기 유기 전계 발광 표시 장치는 천연색을 표현하기 위한 하나의 단위 픽셀(unit pixel)은 R(적색), G(녹색) 및 B(파란색)의 서브 픽셀(sub-pixel)로 구성됨으로서 이루어진다. 또한, 상기 각각의 서브 픽셀은 일반적으로 애노드(anode)/백색 발광층(white EML)/캐소드(cathode)/컬러 필터(color filter)와 같은 구조로 이루어져 있다.
그러나, 상기의 백색 유기 전계 발광 표시 장치의 백색 발광층들은 유기막으로 형성되어 있고, 이러한 유기막의 수명 특성 또는 발광 효율에 따라 상기 백색 유기 전계 발광 표시 장치의 수명과 발광 효율이 결정되어진다는 문제점이 있다. 예컨데, 백색 발광층이 R 발광층, G 발광층 및 B 발광층으로 이루어져 있는데, 상기 각각의 발광층 중 하나 이상의 발광층의 수명 특성 또는 발광 효율이 나빠지게 되면, 상기 유기 발광층의 색좌표 및 발광 특성은 급격히 나빠지게 되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 하나의 서브 픽셀 내에 백색층에 R, G 및 B 중 어느 하나의 단위색층을 더 포함하여 수명 특성과 발광 효율이 높은 백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 기판; 상기 기판상에 위치한 제1전극과 제2전극; 상기 제1전극과 제2전극 사이에 위치하고, 백색층, 단위색층 및 상기 백색 층과 단위색층 사이에 위치한 전하발생층을 포함하는 발광층; 및 상기 제1전극 하부 또는 상기 제2전극 상부에 위치하는 컬러필터로 이루어진 백색 유기 전계 발광 표시 장치에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 기판을 준비하고, 상기 기판상에 제1전극을 형성하고, 상기 제1전극상에 백색층, 전하발생층 및 단위색층을 형성하고, 상기 단위색층상에 제2전극을 형성하고, 상기 제2전극이 형성된 기판상에 컬러필터를 형성하는 것으로 이루어진 백색 유기 전계 발광 표시 장치 제조 방법에 의해서도 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 기판을 준비하고, 상기 기판상에 컬러필터를 형성하고, 상기 컬러펄터가 형성된 기판상에 제1전극을 형성하고, 상기 제1전극상에 백색층, 전하발생층 및 단위색층을 형성하고, 상기 단위색층상에 제2전극을 형성하는 것으로 이루어진 백색 유기 전계 발광 표시 장치 제조 방법에 의해서도 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 백색 유기 전계 발광 표시 장치의 실시 예들을 나타내는 단면도들이다.
도 1a를 참조하여 설명하면, 유리 또는 플라스틱과 같은 투명한 절연 기판(100)상에 버퍼층(105)이 위치한다.
이때, 상기 버퍼층(105)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 복층 중 어느 하나로 이루어져 있다.
이때, 상기 버퍼층(105)은 하부 기판에서 발생하는 수분 또는 불순물의 확산을 방지하거나, 결정화시 열의 전달의 속도를 조절함으로서, 반도체층의 결정화가 잘 이루어질 수 있도록 하는 역활을 한다.
그리고, 상기 버퍼층(105)상의 일정 영역상에 소오스/드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 반도체층(110)이 위치하고, 상기 반도체층(110)상에 게이트 절연막(115)이 위치한다.
또한, 상기 반도체층(110)의 채널 영역에 대응하는 상기 게이트 절연막(115)상에 게이트 전극(120)이 위치하고, 상기 게이트 전극(120)을 덮는 층간절연막(125)이 상기 기판상에 위치한다.
또한, 상기 층간절연막(125) 및 게이트 절연막(115)의 일정 영역을 관통하고, 상기 반도체층(110)의 소오스/드레인 영역을 노출시키는 콘택홀을 통해 상기 소오스/드레인 영역과 콘택하는 소오스/드레인 전극(130)이 상기 층간절연막(125)상에 위치한다.
또한, 상기 반도체층(110), 게이트 절연막(115), 게이트 전극(120), 층간절연막(125) 및 소오스/드레인 전극(130) 등과 같은 하부 소자를 보호하거나 하부 소자에 의해 발생하는 단차를 제거하기 위한 평탄화막(135)이 상기 하부 소자들상에 위치한다.
이때, 상기 소오스/드레인 전극(130)과 상기 평탄화막(135) 사이에 상기 소오스/드레인 전극(130)을 보호하기 위한 패시베이션막(도시 안함)이 더 포함될 수 있다.
이때, 상기 패시베이션막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 복층 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
또한, 상기 평탄화막(135)의 일정 영역을 관통하여 상기 소오스/드레인 전극(130)의 일정 영역을 노출시키는 비아홀을 통해 상기 소오스/드레인 전극(130)과 콘택하는 제1전극(140)이 상기 평탄화막(135)상에 위치한다.
또한, 상기 제1전극(140)의 일부를 노출시키는 화소정의막(145)이 상기 제1전극(140)과 평탄화막(135)상에 위치한다.
이때, 상기 제1전극(140)은 ITO, IZO, ATO 및 ZnO 등과 같은 투명하고, 일함수가 높은 도전체로 이루어져 있을 수 있다. 또한, 도에 도시하지 않았지만, 상기 제1전극(140)과 상기 평탄화막(135) 사이에는 반사막이 더 포함되어 있을 수 있다.
또한, 상기 화소정의막(145)에 의해 노출된 제1전극(140)상에 발광층(150)이 위치한다.
이때, 상기 발광층(150)은 도 2a에 도시된 바와 같이 백색층(210), 단위색층(220) 및 상기 백색 층(210)과 단위색층(220) 사이에 위치한 전하발생층(230)으로 이루어져 있다.
이때, 상기 백색층(210)은 단층발광형, 다층발광형 및 소자적층형 등으로 이 루어질 수 있다. 상기 단층발광형 또한 다층발광형은 하나 또는 두세 개의 층으로 백색광을 구현하는 것이고, 상기 소자적층형은 둘 이상의 단위색층으로 백색광을 구현하는 것이다. 이때, 상기 백색층(210)은 200 내지 300Å의 두께로 형성하는 것이 바람직한데, 이는 전하분포도가 균일하게 하기 위해서이다.
이때, 상기 단위색층(220)은 도 2b에 도시된 바와 같이 정공주입층(221), 정공수송층(223), 유기발광층(225), 전하수송층(227) 및 전하주입층(229)으로 구성될 수 있다. 이때, 상기 정공주입층(221), 정공수송층(223), 전하수송층(227) 및 전하주입층(229)은 필요한 경우 생략할 수 있다. 이때, 상기 단색층(220)은 100 내지 300Å의 두께로 형성하는 것이 바람직한데, 이는 전하분포도가 균일하게 하기 위해서이다.
이때, 상기 전하발생층(230)은 V2O5로 이루어지거나, 금속막/산화막/금속막의 구조로 이루어질 수 있고, 상기 금속막의 두께는 1 내지 2nm이고, 상기 산화막은 WO3로 이루어지고, 두께는 1 내지 2nm인 것이 바람직하며, 양쪽에 위치한 백색층(210)과 단위색층(220)에 각각 전자 또는 전하를 생성하여 공급하는 역할을 하게 된다.
이때, 도 2a에서는 백색층(210)/전하발생층(230)/단위색층(220) 순으로 적층되어 있는 것을 도시하고 있으나, 단위색층(220)/전하발생층(230)/백색층(210) 순으로 적층되어 있어도 무방하다.
또한, 상기 화소정의막(145) 및 발광층(150)상에는 제2전극(155)이 위치하고 있다.
이때, 상기 제2전극(155)은 Mg, Ag, Ca, Al, Li, Cu 또는 이들의 합금 중 어느 하나로 이루어져 있을 수 있다.
또한, 상기 제2전극(155)상에는 상기 제2전극(155) 등과 같은 하부의 소자들을 보호하기 위한 보호막(160)이 위치하고 있다.
또한, 상기 보호막(160)상에는 상기 발광층(150)에 대응하는 컬러필터(165)와 상기 발광층(150) 이외의 영역과 대응하는 차광막(170)이 위치한다.
이때, 상기 컬러필터(165)는 상기 발광층(150)으로 부터 나오는 광을 필터링하여 원하는 광만을 통과시키는 역할을 함으로서 상기 발광층(150)에서 추출되는 광의 순도를 높이는 역할을 하게 된다.
상기 차광막(170)은 상기 컬러필터(165) 이외의 영역에 위치하고, 외부에서 입사되는 외부광을 차단하는 광차단막(170)이 위치할 수 있다.
이때, 상기 도 1a에서 상술한 구조는 반도체층(110)의 소오스/드레인 영역이 P형으로 도핑된 P형의 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터의 소오스/드레인 전극(130)과 연결된 제1전극(140)의 일함수가 제2전극(155) 보다 큰 노멀(normal) 구조이나, 소오스/드레인 영역이 N형으로 도핑되고, 상기 제1전극(140)의 일함수가 제2전극(155) 보다 큰 인버티드(inverted) 구조일 수도 있다.
즉, 상기 제1전극(140)은 반사 특성이 우수한 일반적인 도전체로 형성하고, 제2전극(155)이 ITO, IZO, ATO 및 ZnO 등과 같은 투명하고, 일함수가 높은 도전체로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 발광층(150)은 상기 도 1a에서 설명한 구조의 역 순으로 적층되어 질 수 있다.
이와 같은 인버티브 구조는 제1전극(155)이 일함수가 낮은 물질로 사용하여도 무방함으로 선택의 폭이 넓을 뿐만 아니라 전면 발광형 소자인 경우에 제2전극이 ITO, IZO, ATO 및 ZnO 등과 같은 투명한 도전체로 형성됨으로 광투과율이 우수하다는 장점이 있다.
따라서, 상기 제1전극(140), 발광층(백색층(210)/전하생성층(230)/단위색층(220) 또는 단위색층(220)/전하생성층(230)/백색층(210)), 제2전극(155) 및 컬러필터(165)와 같은 구조로 형성됨으로서 백색층(210)의 특정 색을 발광하는 물질의 발광 효율의 저하 또는 수명이 떨어지더라도 상기 단위색층에서 보완할 수 있게 된다.
예컨데, 상기 발광층에 사용되는 물질은 크게 단분자 유기물과 고분자 유기물로 나눌 수 있는데, 상기 단분자 유기물로는 안드라센(Anthracene), 알루니 키노륨 복합체(Alq3) 및, 시클로 펜타디엔 유도체들이 주종을 이루며, 이러한 단분자 유기물들은 낮은 구동 전압과 얇은 박막으로 제조 가능하다는 장점을 가지고 있으나, 높은 열에 대한 안전성과 전압공급 시 저항열 발생에 의한 분자 재배열 등의 문제점이 있고, 상기 고분자 유기물로는 PPP(poly<p-phenylene>) 또는 PPV(poly<p-phenylen vinylene>) 등이 사용되며, 이러한 고분자 유기물들은 열 안전성 및 낮은 구동 전압의 장점을 가지나, 짧은 수명과 광효율이 나쁘다는 단점 등을 가지고 있다. 상기와 같은 장단점을 이용하여 고분자 유기물인 백색층(210)과 단분자 유기물인 단위색층(220)을 형성하거나, 단분자 유기물인 백색층(210)과 고분자 유기물인 단위색층(220)을 형성하여 발광층을 형성함으로서 서로의 단점을 보안하여 발광 효율이 우수하고 수명이 긴 백색 유기 전계 발광 표시 장치를 얻을 수 있을 것이다.
즉, 상기 발광층(150)이 R, G 및 B의 서브픽셀 중 B 서브픽셀로 이용되는 경우, 상기 발광층(150)을 포함하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치를 장시간 사용하게 되면, 백색층(210)에서 B의 광이 발광 효율이 점점 낮아져 백색 유기 전계 발광 표시 장치의 수명이 짧아지게 된다. 이때, 본원 발명에서와 같이 B의 광을 보충해줄 수 있는 상기 단위색층(220)이 존재하게 되면, 이러한 백색층(210)의 발광 효율의 저하를 보완하게 되고, 결국 백색 유기 전계 발광 표시 장치의 발광 효율과 수명을 연장하는 효과를 보이게 된다.
도 1b를 참조하여 설명하면, 도 1b에서 도시된 본 발명의 일실시 예는 상기 도 1a와 동일하게 버퍼층(105), 반도체층(110), 게이트 절연막(115), 게이트 전극(120), 층간절연막(125), 소오스/드레인 전극(130), 평탄화막(135), 제1전극(140), 화소정의막(145), 발광층(150) 및 제2전극(155)이 구성되나, 상기 제2전극(155)상에 보호막(160)은 존재하지 않고, 상기 컬러필터(165)는 상기 발광층(150)과 대응하는 위치에 위치한다는 점에서 차이가 있다.
물론, 도에서는 도시하지 않았지만, 상기 제2전극(155)상에 상기 컬러필터(165)가 위치하지 않은 영역에는 광차단막이 위치할 수 있다.
도 1c를 참조하여 설명하면, 도 1c에서 도시된 본 발명의 일실시 예는 상기 도 1a와 동일하게 버퍼층(105), 반도체층(110), 게이트 절연막(115), 게이트 전극(120), 층간절연막(125), 소오스/드레인 전극(130), 평탄화막(135), 제1전 극(140), 화소정의막(145), 발광층(150) 및 제2전극(155)이 구성되나, 상기 제2전극(155)상에 보호막(160)은 위치하지 않는 점과 컬러필터(165)와 광차단막(170)이 상기 기판(100)을 봉지하는 봉지 기판(190)상에 위치하고 있는 것이 차이가 있다.
도 1d를 참조하여 설명하면, 상기 도 1a에서와 동일하게 버퍼층(105), 반도체층(110), 게이트 절연막(115), 게이트 전극(120), 층간절연막(125) 및 소오스/드레인 전극(130)이 위치하고, 상기 소오스/드레인 전극(130)이 위치한 기판 전면상에 패시베이션막(180)이 위치하고, 상기 패시베이션막(180)상에 상기 소오스/드레인 전극(130)과 연결된 제1전극(140)이, 상기 제1전극(140)의 소정 영역을 노출시키는 화소정의막(145)이 위치하고 있다.
그리고, 상기 제1전극(140)상에 상기 도 2a 및 도 2b에서 상술한 발광층(150)이 위치하고 있고, 상기 발광층(150)상에 제2전극(155)이 위치하고 있다.
이때, 상기 도 1d에서는 상기 발광층(150)에 대응하고, 상기 제1전극(140)과 패시베이션막(180) 사이에 위치하는 컬러필터(165)를 도시하고 있으나 필요하다면, 버퍼층(105)과 게이트 절연막(115), 게이트 절연막(115)과 층간절연막(125) 또는 층간절연막(125)과 패시베이션막(180)사이에 컬러필터(165)가 위치할 수 있다.
도 1e를 참조하여 설명하면, 상기 도 1d와 유사한데, 상기 컬러필터(165)가 상기 제1전극(140)과 패시베이션막(180)사이에 위치하는 것이 아니라 상기 기판(100)과 버퍼층(105)사이에 위치하고, 상기 컬러필터(165)가 위치하는 영역 이외에는 광차단막(170)이 존재하고 있는 것이 상이할 뿐이다.
이때, 상기 도 1a 내지 도 1c에서 도시하고 있는 구조는 전면 발광형 소자를 도시하고 있는 반면, 상기 도 1d 및 도 1e에서는 배면 발광형 소자를 도시하고 있다.
상기 전면 발광형 소자는 상기 제1전극(140) 자체 또는 제1전극(140)의 하부에 반사막이 존재하고, 제2전극(155)이 투명한 전극이고, 상기 배면 발광형 소자는 제1전극(140)이 투명하고, 상기 제2전극(155) 자체 또는 제2전극(155)의 상부에 반사막이 존재하는 등의 차이가 있다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일실시 예에 따른 백색 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 공정을 나타내는 단면도들이다.
이때, 상기 도 3a 내지 도 3f에 도시된 제조 공정은 상기 도 1a에 도시된 실시 예의 제조 공정을 설명하고 있다.
도 3a를 참조하여 설명하면, 유리 또는 플라스틱과 같은 투명한 절연 기판(300)상에 버퍼층(305)을 형성한다.
이때, 상기 버퍼층(305)은 하부 기판에서 발생하는 수분 또는 불순물의 확산을 방지하거나, 결정화시 열의 전달의 속도를 조절함으로서, 반도체층의 결정화가 잘 이루어질 수 있도록 하는 역할을 한다.
상기 버퍼층(305)상에 비정질 실리콘층을 형성한 후, 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 다결정 또는 단결정 실리콘층을 형성하고, 패터닝하여 반도체층(310)을 형성한다.
이때 상기 비정질 실리콘은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition) 또는 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition)을 이용할 수 있다. 또한 상 기 비정질 실리콘을 형성할 때 또는 형성한 후에 탈수소처리하여 수소의 농도를 낮추는 공정을 진행할 수 있다.
상기 결정화법은 RTA법(Rapid Thermal Annealing), SPC법(Solid Phase Crystallization), ELA법(Excimer Laser Crystallization), MIC법(Metal Induced Crystallization), MILC법(Metal Induced Lateral Crystallization) 또는 SLS법(Sequential Lateral Solidification) 중 어느 하나 이상을 이용할 수 있다.
이어서, 상기 반도체층(310)이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막(315)을 형성하고, 상기 게이트 절연막상(315)에 게이트 전극 형성 물질을 형성한 후, 패터닝하여 게이트 전극(320)을 형성한다. 상기 게이트 전극(320)을 형성한 후, 상기 게이트 전극(320)을 마스크로 이용하여 불순물 이온 주입 공정을 진행하여 상기 반도체층에 소오스/드레인 영역 및 채널 영역을 정의하는 공정을 진행할 수 있다.
도 3b를 참조하여 설명하면, 상기 기판 전면에 층간절연막(325)을 형성하는데, 상기 층간절연막(325)은 하부에 형성된 소자들을 보호하는 역할 또는 전기적 절연을 위해 형성된다. 이때, 상기 버퍼층(305), 게이트 절연막(315) 및 층간절연막(325)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 산화막 또는 질화막을 이용하여 형성한다.
이어서, 상기 층간절연막(325)이 형성된 기판상에 상기 반도체층(310)에 형성된 소오스/드레인 영역이 노출되도록 콘택홀을 형성하고, 기판 전면에 소오스/드레인 전극 물질을 증착한 후, 패터닝하여 소오스/드레인 전극(330)을 형성하여 박막트랜지스터를 완성한다.
이어서, 상기 기판상에 하부의 소자들을 보호하거나, 하부 소자들에 의해 발생한 단차를 제거하기 위한 평탄화막(335)을 형성한다.
도 3c를 참조하여 설명하면, 상기 소오스/드레인 전극(330)의 일부를 노출하도록 상기 평탄화막(335)의 일부를 식각하여 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀이 형성된 기판상에 제1전극 물질을 증착한 후, 이를 패터닝하여 제1전극(340)을 형성한다.
이때, 상기 제1전극(340)은 ITO, IZO, ATO 및 ZnO 등과 같은 투명하고, 일함수가 높은 도전체로 이루어져 있고, 도에 도시하지 않았지만, 상기 제1전극(340)과 상기 평탄화막(335) 사이에는 반사막이 더 포함될 수 있다.
이어서, 상기 기판상에 상기 제1전극(340)의 일부를 노출시키는 화소정의막(345)을 형성하는 공정을 진행한다.
도 3d를 참조하여 설명하면, 상기 화소정의막(345)에 의해 노출된 제1전극(340)상에 발광층(350)을 형성한다.
이때, 상기 발광층(350)은 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이 백색층/전하발생층/단위색층 또는 단위색층/전하발생층/백색층으로 형성될 수 있고, 상기 백색층은 단일층, 둘 이상의 층이 적층된 복층 또는 R, G 및 B의 적층으로 형성될 수 있으며, 상기 단위색층은 R, G 및 B의 단위색 중 어느 하나를 발광하는 층으로 형성될 수 있다.
도 3e를 참조하여 설명하면, 상기 발광층(350)이 형성된 기판상에 제2전극(355)을 형성한다.
이어서, 상기 제2전극(355)상에 하부의 소자들을 보호하는 보호막(360)을 형성한다.
도 3f를 참조하여 설명하면, 상기 보호막(360)상에 상기 발광층(350)과 대응하는 위치에는 컬러필터(365)를 형성하고, 그 외에는 광차단막(370)을 형성하여 상기 도 1a에서 도시한 실시 예를 완성한다.
이때, 상기 도 1b 내지 도 1e에 도시된 실시 예들의 제조 공정은 상기 도 1a에 도시된 실시 예의 제조 공정과 유사하여 그 차이점만을 설명하면, 도 1b에 도시된 실시 예의 경우에는 상기 제2전극(도 3a 내지 도 3e에 도시)을 형성하는 공정까지 동일하고, 상기 제2전극상에 상기 발광층에 대응하는 위치에 컬러필터를 형성한다는 점에서 차이가 있다.
도 1c에 도시된 실시 예의 경우에는 기판상에 상기 컬러필터 및 광차단막을 형성하지 않고, 봉지 기판상에 컬러필터 및 광차단막을 형성한다는 점에서 차이가 있다.
도 1d에 도시된 실시 예의 경우에는 소오스/드레인 전극을 형성한 후, 기판 전면에 걸쳐 패시베이션막을 형성하고, 상기 패시베이션막상에, 제1전극, 화소정의막, 발광층 및 제2전극을 형성하되, 상기 버퍼층과 게이트 절연막, 게이트 절연막과 층간절연막, 층간절연막과 패시베이션막 또는 패시베이션막과 제1전극 사이에 발광층과 대응하는 위치에 컬러필터를 형성한다는 점에서 차이가 있다.
도 1e에 도시된 실시 예의 경우에는 소오스/드레인 전극을 형성한 후, 기판 전면에 걸쳐 패시베이션막을 형성하고, 상기 패시베이션막상에 제1전극, 화소정의 막, 발광층 및 제2전극을 형성을 형성하되, 상기 기판과 버퍼층 사이에 상기 발광층과 대응하는 위치에 컬러필터를 형성하고, 그 외 영역에는 광차단막을 형성한다는 점에서 차이가 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 백색 유기 전계 발광 표시 장치는 백색을 발광하는 백색층과 상기 백색층에 백색층의 발광 효율 및 수명을 증가시키는 R, G 또는 B를 발광하는 단위색층 및 이들의 색순도를 높이는 컬러필터를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치를 제공함으로써 발광 효율이 우수하고 수명이 긴 백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

Claims (15)

  1. 기판;
    상기 기판상에 위치한 제1전극과 제2전극;
    상기 제1전극과 제2전극 사이에 위치하고, 백색층, 단위색층 및 상기 백색 층과 단위색층 사이에 위치한 전하발생층을 포함하는 발광층; 및
    상기 제1전극 하부 또는 상기 제2전극 상부에 위치하는 컬러필터
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1전극은 ITO, IZO, ATO 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1전극의 하부에 반사막을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2전극은 Mg, Ag, Ca, Al, Li, Cu 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2전극은 ITO, IZO, ATO 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광층의 백색층과 단위색층은 상기 제1전극상에 백색층/단위색층 또는 단위색층/백색층으로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 단위색층은 R, G 및 B 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전하발생층은 금속/산화물/금속의 구조로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 전하발생층은 Y2O5로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치.
  10. 기판을 준비하고,
    상기 기판상에 제1전극을 형성하고,
    상기 제1전극상에 백색층, 전하발생층 및 단위색층을 형성하고,
    상기 단위색층상에 제2전극을 형성하고,
    상기 제2전극이 형성된 기판상에 컬러필터를 형성하는 것
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1전극상에 백색층, 전하발생층 및 단위색층을 형성하는 것은
    상기 제1전극상에 백색층을 형성하고,
    상기 백색층상에 전하발생층을 형성하고,
    상기 전하발생층상에 단위색층을 형성하는 것임을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1전극상에 백색층, 전하발생층 및 단위색층을 형성하는 것은
    상기 제1전극상에 단위색층을 형성하고,
    상기 단위색층상에 전하발생층을 형성하고,
    상기 전하발생층상에 백색층을 형성하는 것임을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치 제조 방법.
  13. 기판을 준비하고,
    상기 기판상에 컬러필터를 형성하고,
    상기 컬러펄터가 형성된 기판상에 제1전극을 형성하고,
    상기 제1전극상에 백색층, 전하발생층 및 단위색층을 형성하고,
    상기 단위색층상에 제2전극을 형성하는 것
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1전극상에 백색층, 전하발생층 및 단위색층을 형성하는 것은
    상기 제1전극상에 백색층을 형성하고,
    상기 백색층상에 전하발생층을 형성하고,
    상기 전하발생층상에 단위색층을 형성하는 것임을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치 제조 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1전극상에 백색층, 전하발생층 및 단위색층을 형성하는 것은
    상기 제1전극상에 단위색층을 형성하고,
    상기 단위색층상에 전하발생층을 형성하고,
    상기 전하발생층상에 백색층을 형성하는 것임을 특징으로 하는 백색 유기 전계 발광 표시 장치 제조 방법.
KR1020060043915A 2006-05-16 2006-05-16 백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 KR100825384B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060043915A KR100825384B1 (ko) 2006-05-16 2006-05-16 백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060043915A KR100825384B1 (ko) 2006-05-16 2006-05-16 백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070111061A true KR20070111061A (ko) 2007-11-21
KR100825384B1 KR100825384B1 (ko) 2008-04-29

Family

ID=39090070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060043915A KR100825384B1 (ko) 2006-05-16 2006-05-16 백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100825384B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8829542B2 (en) 2009-12-04 2014-09-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode device
CN114883452A (zh) * 2022-06-08 2022-08-09 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 选择性制备tco膜层异质结太阳能电池的制造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102040069B1 (ko) 2013-07-09 2019-11-05 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치의 제조 방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4276109B2 (ja) * 2004-03-01 2009-06-10 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8829542B2 (en) 2009-12-04 2014-09-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode device
CN114883452A (zh) * 2022-06-08 2022-08-09 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 选择性制备tco膜层异质结太阳能电池的制造方法
CN114883452B (zh) * 2022-06-08 2023-09-01 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 选择性制备tco膜层异质结太阳能电池的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100825384B1 (ko) 2008-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101961190B1 (ko) 유기전압 발광소자 및 이의 제조방법
US8093585B2 (en) Organic electro-luminescent display apparatus
JP4058440B2 (ja) 有機電界発光表示装置およびその製造方法
TWI500144B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
US8587499B2 (en) Organic light emitting diode display
TWI591816B (zh) 有機發光二極體顯示器及其製造方法
TWI248322B (en) Organic electro luminescence device and fabrication method thereof
KR101677264B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20050212003A1 (en) Organic light-emitting display device
CN102082164A (zh) 有机发光二极管显示设备及其制造方法
KR20140136785A (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR20100081772A (ko) 유기 발광 표시 장치
US6927536B2 (en) Organic electroluminescent display device with insulating layer patterns and method of fabricating the same
KR20080048339A (ko) 유기전계 발광소자의 홀 주입층 형성방법과 이를 포함한유기전계 발광소자의 제조방법
KR20050098596A (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
JP2004101948A (ja) 表示装置およびその製造方法
KR101560233B1 (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20140084603A (ko) 양 방향 표시형 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR20160056705A (ko) 백색 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100825384B1 (ko) 백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5908671B2 (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
KR100625994B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR20080059804A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
JP2009070621A (ja) 表示装置
KR100669708B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치와, 이를 제조하기 위한 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130329

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140401

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160329

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180403

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190401

Year of fee payment: 12