TWI591816B - 有機發光二極體顯示器及其製造方法 - Google Patents

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朴鐘賢
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Description

有機發光二極體顯示器及其製造方法
本發明是有關於一種有機發光二極體顯示器及其製造方法。
有機發光二極體顯示器是一種自發光的顯示器，影像是使用可發光的有機發光二極體來進行顯示。由於有機發光二極體顯示器並不像液晶顯示器需要額外的獨立光源，它的厚度可以更薄、重量可以更輕。此外，由於有機發光二極體具有高品質的特性，例如低功率消耗、高亮度、反應時間短等等，因此它成為下一代最受注目的顯示裝置。
有鑑於此，本發明提供了一種有機發光二極體顯示器及其製造方法。
本發明特徵之一在於，提供一種具有相對簡單結構的有機發光二極體顯示器。
本發明另一特徵在於，提供一種有機發光二極體顯示器之簡單化的製造方法。
上述之特徵可以經由提供一種有機發光二極體顯示器來達成。此有機發光二極體顯示器包括一基底主體、一多晶矽半導體層、一閘極絕緣層以及一閘極電極與一像素電極。多晶矽半導體層位於該基底主體上。閘極絕緣層覆蓋該半導體層。閘極電極及像素電極位於該閘極絕緣層上，每一該閘極及像素電極包括一透明導電層部份，且該透明導電層部份上具有一閘極金屬層部份，而該像素電極包括一具有該透明導電層部份之發光區域及一同時具有該透明導電層部份及該閘極金屬層部份之非發光區域。
該閘極電極係位於該半導體層上，該閘極電極之透明導電層部份係位於該閘極電極之該閘極金屬層部份及該半導體層之間，且該半導體層包括一與該閘極電極重疊之通道區、以及在該通道區相對側之源極與汲極區。
該有機發光二極體顯示器更包括一層間絕緣層及一源極電極與一汲極電極。層間絕緣層位於該閘極電極及該像素電極上，該層間絕緣層具有一開口，該開口至少部份曝露該像素電極之發光區域。源極電極及汲極電極係位於該層間絕緣層上。
該源極電極係連接至該半導體層之該源極區。該汲極電極分別連接至該半導體層之該汲極區及該像素電極之該非發光區域，並與該像素電極之該閘極金屬層部份接觸。
該源極電極、汲極電極及該閘極電極之該閘極金屬層部份係由相同材料所形成。
上述之有機發光二極體顯示器更包括一第二電容電極，具有一閘極金屬層部份，其中該源極電極、該汲極電極、該第二電容電極之該閘極金屬層部份、以及該閘極電極之該閘極金屬層部份係由相同材料所形成。
每一該源極電極、汲極電極以及該閘極電極之閘極金屬層部份係一多層結構，該多層結構包括一銅或鋁金屬層、以及一鉬金屬層。
上述有機發光二極體顯示器更包括一第一電容電極及一第二電容電極。第一電容電極在與該多晶矽半導體層相同層上具有一多晶矽層。第二電容電極位於該第一電容電極上，具位於與該閘極電極相同層上。
該第二電容電極具有一閘極金屬層部份。該第二電容電極之該閘極金屬層部份、該閘極電極之該閘極金屬層部份、以及該像素電極之該閘極金屬層部份係由相同材料所形成。
本發明上述之特徵亦可以經由提供一種有機發光二極體顯示器之製造方法來達成。此方法包括以下步驟：在一基底主體上形成一多晶矽半導體層；形成一覆蓋該半導體層之一閘極絕緣層；以及在該閘極絕緣層上形成一閘極電極及一像素電極，每一該閘極及像素電極包括一透明導電層部份，且該透明導電層部份上具有一閘極金屬層部份，而該像素電極包括一具有該透明導電層部份之發光區域及一同時具有該透明導電層部份及該閘極金屬層部份之非發光區域。
形成該閘極電極及該像素電極之步驟包括：依序在該閘極絕緣層上形成一透明導電層及一閘極金屬層；以及將該透明導電層及該閘極金屬層圖案化，以形成該閘極電極及一準像素電極，該準像素電極具有一包括一透明導電層部份及一閘極金屬層部份的多層結構。而該方法更包括以下步驟：在該準像素電極及閘極電極上形成一層間絕緣層；在該層間絕緣層中形成一開口，該開口部份曝露該準像素電極；在該層間絕緣層上形成一資料金屬層；將該資料 金屬層圖案化，以形成一源極電極及汲極電極；以及將該準像素電極之該閘極金屬層經由該層間絕緣層之該開口而曝露之部份移除。
經由該層間絕緣層之該開口而曝露之該閘極金屬層部份以及該資料金屬層係藉由同樣的蝕刻步驟而同時被蝕刻並移除。
該半導體層係位於該基底主體及該閘極絕緣層之間。
該半導體層包括一與該閘極電極重疊之通道區、以及在該通道區相對側之源極與汲極區。
部份曝露該半導體層樂該源極區及汲極區以及該準像素電極之該非發光區域之接觸孔，係在該層間絕緣層中該開口形成時所形成。
該源極電極連結至該半導體層之源極區，該汲極電極分別連結至該半導體層之該汲極區以及該像素電極之非發光區域。
該閘極金屬層及該資料金屬層係由相同材料所形成。
每一該源極電極、汲極電極以及該閘極電極之閘極金屬層部份係一多層結構，該多層結構包括一銅或鋁金屬層以及一鉬金屬層。
上述之有機發光二極體顯示器製造方法更包括以下步驟：在該源極電極及汲極電極上形成一像素定義層，該像素定義層具有一開口曝露該像素電極之該發光區域；在經由該像素定義層曝露之該像素電極之發光區域上形成一有機發光層；以及在該有機發光層上形成一共通電極。
上述之有機發光二極體顯示器製造方法更包括以下步驟：在與該半導體層之同層上形成一由多晶矽構成之第一電容電極；以及在與該閘極電極之同層上形成一由與該閘極電極相同材料所構成之第二電容電極。
10、20‧‧‧薄膜電晶體
101‧‧‧有機發光二極體顯示器
111‧‧‧基底本體
120‧‧‧緩衝層
135‧‧‧半導體層
138、158‧‧‧電容電極
1355‧‧‧通道區
1357‧‧‧源極區
1356‧‧‧汲極區
140‧‧‧閘極絕緣層
151‧‧‧閘極線
152‧‧‧電容線
155‧‧‧閘極電極
1551、1581、711‧‧‧透明導電層部份
1552、1582、712‧‧‧閘極金屬層部份
160‧‧‧層間絕緣層
1605‧‧‧開口
1601、1606、1607‧‧‧接觸孔
171‧‧‧資料線
172‧‧‧共通電源線
176‧‧‧汲極電極
177‧‧‧源極電極
1700‧‧‧資料金屬層
190‧‧‧像素定義層
1905‧‧‧開口
210‧‧‧封包層
70‧‧‧有機發光二極體
710‧‧‧像素電極
720‧‧‧有機發光層
730‧‧‧共通電極
7100‧‧‧準像素電極
80‧‧‧電容
810、820‧‧‧驅動電路
DA‧‧‧顯示區域
NA‧‧‧非顯示區域
PE‧‧‧像素
第1圖 顯示了本發明一實施例中之有機發光二極體顯示器結構之上視圖；第2圖 顯示了第1圖中之有機發光二極體顯示器像素電路之電路方塊圖；第3圖 顯示了第1圖中之有機發光二極體顯示器之部皆剖面圖；第4至8圖 顯示了第3圖中有機發光二極體顯示器製造方法各階段中的剖面圖。
以下將配合圖示詳細說明本發明之實施例。然而，這些實施例可以包含於不同的形式中，且不應被解釋為用以限制本發明。這些實施例之提供係為使本發明之揭露完整與完全，熟知此技術之人將能經由該些實施例了解本發明之範疇。
在圖示中，材料層與區域之尺寸可能被放大以利清楚說明。讀者應了解的是，當一材料層或元件被指稱係位於另一材料層或基底「之上」時，該材料層可以是直接位於另一材料層或基底之上，或是其中還存在有層間層。此外，當一材料層被指稱是位於另一材料層「之下」時，該材料層可以是直接位於另一材料層或基底之下，或是其中還存在有層間層。當一材料層被指稱是位於另兩材料層「之間」時，該材料層可以是此兩材料層之間唯一的材料層，或是其中還存在有一個或一個以上的層間層。所有圖示中相同的標號係參照到相同的元件。
以下將配合第1至3圖說明本發明第一實施例中之有機發光二極體顯示器101。
請參閱第1圖，有機發光二極體顯示器101可包括一基底本體111。基底本體111可具有一顯示區域DA及一非顯示區域NA。基底本體111可以是位在有機發光二極體顯示器101之顯示側，使用一底部發光結構。基底本體111之顯示區域DA可以具有多個像素PE以顯示影像。非顯示區域NA可以具有一個或一個以上的驅動電路810及820。
請參閱第2圖，其顯示了本發明一實施例，其具有二電晶體一電容(2T1C)之結構，其中一個像素包括一個有機發光二極體70、兩個薄膜電晶體10及20、以及一個電容80。在另一個實施例中，一個有機發光二極體顯示器101之像素可以具有三個或三個以上薄膜電晶體及兩個或兩個以上的電容，且可能藉由加入了其他額外元件而具有各種不同的結構。舉例來說，薄膜電晶體及電容可以額外被提供以形成一補償電路。
補償電路可以改善在有機發光二極體70中每一個像素PE所產生的光均勻度，並消除畫面品質的不一。補償電路可以包括，例如兩個至八個薄膜電晶體。
此外，形成於基底本體111之非顯示區域NA的驅動電路810及820(第1圖所顯示)可以包括額外的薄膜電晶體。
有機發光二極體70之陽極可以做為一電洞注入電極，而陰極可以做為電子注入電極，並更包括一在陰極與陽極間的有機發光層。
在本發明一實施例中，一個像素PE包括了一第一薄膜電晶體10及一第二薄膜電晶體20。
每一個第一薄膜電晶體10及第二薄膜電晶體20包括一閘極電極、一半導體層、一源極電極以及一汲極電極。第一及第二薄膜電晶體10及20之一或兩者可以包括一由多晶矽所構成之半導體層。因此，第一及第二薄膜電晶體10及20之一或兩者都可以是多晶矽薄膜電晶體。
第2圖顯示了一條閘極線151、一條資料線171、一條共通電源線172、以及一條電容線152。在本發明另一實施例中，電容線152可以被省略。
第一薄膜電晶體10之源極電極可被連接至資料線171，而第一薄膜電晶體10之閘極電極可以被連接至閘極線151。第一薄膜電晶體10之汲極電極可以經由電容80而被耦合至電容線152。在第一薄膜電晶體10之汲極電極與電容80之間可以有一節點，其被連接至第二薄膜電晶體20之閘極電極。共通電源線172可以被連接至第二薄膜電晶體20之源極電極，而有機發光二極體70之陽極可以連接至其汲極電極。
第一薄膜電晶體10可以被做為開關元件使用，以選擇發光的像素PE。當第一薄膜電晶體10被導通時，電容80會被充電。電荷量會與經由資料線171所施加之電壓成正比。當第一薄膜電晶體被關閉時，若在每一個畫面時間增加電壓之信號被送至電容線152上，相對於電容80之充電電位，第二薄膜電晶體20之閘極電位會隨著電容線152所施加電壓電位的增加而提高。此外，當閘極電位超過一臨限電壓時，第二薄膜電晶體20會被導通。接著，施加於共通電源線172上之電壓會經由第二薄膜電晶體20而被施加至有機發光二極體70上，使得有機發光二極體70發光。
以下將配合第3圖，依有機發光二極體70、第二薄膜電晶體20及電容80結構之發光時序來說明有機發光二極體顯示器101。
基底本體111可以是，例如，一由玻璃、石英、陶姿、塑膠等所構成之絕緣基底。基底本體111可以是透明的。
一緩衝層120可以形成於基底本體111。緩衝層120可以是透明的。舉例來說，緩衝層120可以具有一氮化矽(SiNx)之單層結構，或氮化矽(SiNx)之多層結構及氧化矽(SiO2)。緩衝層120可以避免不必要元件之穿入，例如雜質粒子或濕氣，並可有助於表面的平坦。緩衝層120也可以被省略，端視基底本體111之類型與製程條件。
一半導體層135及一第一電容電極138可以形成於緩衝層120上。半導體層135及第一電容電極138可以形成於同一層上。在一種實施方式中，半導體層135及第一電容電極138可以直接形成於緩衝層120上。半導體層135及第一電容電極138可以由同一種材料所構成，例如多矽晶薄膜。
半導體層135可以具有一通道區1355、以及形成於通道區1355兩側之源極與汲極區1357及1356。半導體層135之通道區1355可以是沒有摻入雜質之多晶矽薄膜，意即一純半導體。半導體層135源極區1357及汲極區1356可以是摻有雜質之多晶矽薄膜。
在半導體層135之源極區1357及汲極區1356中所摻入之雜質可以是，舉例來說，P型雜質或是N型雜質。雜質之型式會依據薄膜電晶體20之型式而改變。
一閘極絕緣層140可以形成於半導體層135及第一電容電極138上。閘極絕緣層140可以是透明的。閘極絕緣層140可以包括一個或一個以上的四乙基矽酸鹽(TEOS)、氮化矽(SiNx)及氧化矽(SiO2)。舉例來說，閘極絕緣層140 可以是由包含厚度為40nm之氮化矽層及依序加疊於上、厚度為80nm之四乙基矽酸鹽層所組成的雙層結構。
閘極電極155、像素電極710及第二電容電極158可以形成於閘極絕緣層140上。每一個閘極電極155、像素電極710及第二電容電極158可以位於同一層。第二電容電極158可以自電容線152(第2圖所顯示)分支出來。在另一個實施例中，電容線152的一部可以做為第二電容電極158使用。
閘極電極155可以形成於半導體層135上而與半導體層135的通道區1355重疊。閘極電極155可以被做為植入遮罩使用，以防止通道區1355在半導體層135之源極區1357及汲極區1356進行雜質滲入時被摻入雜質。
第二電容電極158可以形成於第一電容電極138上。電容80可以包括在第一電容電極138上形成的第二電容電極158，以及形成於其間的閘極絕緣層140。
閘極電極155、像素電極710及第二電容電極158可以具有同樣的多層結構，其中包括一透明導電層部份(1551、711及1581)以及一閘極金屬層部份(1552、712及1582)，均依序疊加於閘極絕緣層140上。
透明導電層部份(1551、711及1581)可以由一透明導電材料所構成，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)。在一種實施方式中，透明導電層部份(1551、711及1581)可以直接形成於閘極絕緣層140上。
閘極金屬層部份(1552、712及1582)可以形成自一種具有低電阻之金屬。閘極金屬層部份(1552、712及1582)可以形成為一種多層結構。此多層結 構可包括，例如，一銅或鋁金屬層以及一鉬金屬層。舉例來說，閘極金屬層可以是一種鉬/鋁/鉬之三層結構，或是鉬/銅/鉬之三層結構。
像素電極710可以包括一發光區域及一非發光區域。發光區域僅由透明導電層711所構成，意即透明區域，而非發光區域具有透明導電層部份711及疊加於上之閘極金屬層部份712，意即一黑暗區域。像素電極710之發光區域會自有機發光層發出光線。
層間絕緣層160可以形成於像素電極710、閘極電極155及第二電容電極158上。層間絕緣層160可以由一有機薄膜所構成。在另一實施方式中，層間絕緣層160可以由一無機薄膜所構成，例如與形成閘極絕緣層140之相同材料所構成。
層間絕緣層160可以具有一開口1605，將一部份的像素電極710曝露。層間絕緣層160之開口1605可以曝露部份或全部的像素電極710之發光區域。像素電極710之透明導電層部份711可以經由層間絕緣層160之開口1605曝露。在一實施方式中，如第3圖所示，像素電極710之閘極金屬層部份712可以以一種圍繞層間絕緣層160之開口1605的下切形狀來形成。
層間絕緣層160也可以具有接觸孔1607、1606及1601，這些孔分別部份曝露了半導體層135之源極區1357、汲極區1356以及像素電極710之非發光區域(意即，閘極金屬層部份712)。源極電極177及汲極電極176可以形成於層間絕緣層160上。源極電極177可以經由接觸孔1607被連接至半導體層135之源極區1357，而汲極電極176可以分別被連接至(意即連接至每一個)汲極區1356及像素電極710之非發光區域。因此，汲極電極176可以被連接至像素電極710之閘極金屬層部份712。
每一個源極電極177及汲極電極176可以是由與閘極電極155之閘極金屬層1552相同之材料所構成。舉例來說，源極電極177及汲極電極176可以是一種多層結構，此多層結構可包括，例如，一銅或鋁金屬層或一鉬金屬層。
一像素定義層190可以形成於源極電極177及汲極電極176上。像素定義層190可以由，例如，一有機材料所構成。像素定義層190可以具有一開口1905，曝露像素電極710之發光區域。像素定義層190之開口1905可以較相對的層間絕緣層160之開口1605為小或是同樣大。
一有機發光層720可以形成於像素定義層190之開口中、像素電極710之發光區域(意即透明導電層711)上。
有機發光層720可以包括一發光層。在一種實施方式中，有機發光層720可以是一種多層結構，包括有機發光層及一個或一個以上的電洞注入層(HIL)、一電洞傳輸層(HTL)、一電子傳輸層(ETL)以及一電子注入層(EIL)。舉例來說，有機發光層720可以包括所有上述的材料層，像素電極710可以做為一個陽極使用，電洞注入層被設置於像素電極710上，而電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層可以依序疊加於上。在其他的實施方式中，有機發光層720可以更包括其他的材料層。其中一種實施方式是，除發光層以外之材料層可以形成於像素定義層190以及像素電極710上。
一共通電極730可以形成於有機發光層720上。共通電極730可以由可有效反射光線並具有良好低電阻特性之金屬構成。舉例來說，共通電極730可以是由一個或一個以上的金屬所構成，例如鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)、鋁(Al)、或這些金屬的合金等等。
自有機發光層720所產生的光線會通過像素電極710之透明導電層部份711，而被向外射出以顯示一影像。因此，有機發光二極體顯示器101會具有一底部發光結構。在另一種實施方式中，基底本體111會是一種由不銹鋼等材料構成的金屬性基底，而共通電極730是由一種透明導電材料所構成，並使用上部發光結構。
一封包層210可以設置於共通電極730上。封包層210可以黏著並密封至基底本體111，以保護有機發光二極體70與薄膜電晶體20。封包層210可以經由沿封包層210邊緣的密封劑(圖未顯示)來黏著並密封於基底本體111。封包層210可以是由一種由玻璃、石英、陶瓷、塑膠等等所構成的透明絕緣基底。在另一種實施方式中，一種金屬上蓋或封包薄膜層、或是多層結構都可以做為封包層210使用。
如上述，本發明實施例中的有機發光二極體顯示器101具有相對簡單的結構。像素電極710可以由與薄膜電晶體20之閘極電極155相同材料所構成，並位於相同層上。因此，像素電極710不需要在不同層上以不同材料來形成，簡化了整個有機發光二極體顯示器101之結構，也簡化了其製程。此外，有機發光二極體顯示器101可以輕易地使用一種底部發光結構來實現，並將像素電電極710形成於與閘極電極155相同層上。
以下將配合第4至8圖說明本發明實施例中之有機發光二極體顯示器101之製造方法。
請參閱第4圖，緩衝層120形成於基底本體111上。緩衝層120可以經由在基底本體111上使用如電漿增強化學氣相沉積(PECVD)法在基底本體111上沉積一無機絕緣材料，如氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiO2)來形成。
接著，在緩衝層120上形成多晶矽薄膜。多晶矽薄膜可以經由先形成一非晶矽薄膜後再使其進行結晶之步驟來形成。非晶矽薄膜可以經由如PECVD法來沉積。有很多不同的方法可以使非晶矽薄膜結晶，如使用熱、雷射、焦耳熱能、電場、催化金屬等等。此外，用以自非晶矽薄膜中移除氫原子之除氫製程可以在結晶步驟前執行。
再來，非晶矽薄膜可以經由微影製程而被圖案化，以形成半導體層135及第一電容電極138。
再者，閘極絕緣層140可以形成在半導體層135及第一電容電極138上。閘極絕緣層140可以包括一個或一個以上的無機材料薄膜，例如一厚度40nm的氮化矽層以及形成於其上、厚度80nm的四乙基矽酸鹽層。這些無機材料薄膜可以使用如PECVD法來沉積。
接著，在閘極絕緣層140上可依序形成一透明導電層及閘極金屬層。透明導電層可以是由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)所構成。在一實施方式中，閘極金屬層可以具有多層結構，此多層結構可包括，一銅或鋁金屬層以及一鉬金屬層。舉例來說，閘極金屬層可以是一種鉬/鋁/鉬之三層結構，或是鉬/銅/鉬之三層結構。
再來，透明導電層及閘極金屬層可以經由微影製程進行圖案化，以形成閘極電極155、第二電容電極158及準像素電極7100。每一個閘極電極155、像素電極170及第二電容電極158可以具有多層結構，其包括依序疊加之透明導電層部份(1551、711及1581)以及一閘極金屬層部份(1552、712及1582)。
接下來，對半導體層135進行摻入雜質之步驟，此步驟定義出了在通道區1355兩側之源極區1357以及汲極區1356。通道區1355可以是沒有摻入 任何雜質的純半導體，而源極區1357與汲極區1356可以是摻有雜質的非純半導體。閘極電極155可以阻擋雜質之植入，以防止通道區1355在源極區1357與汲極區1356之雜質摻入步驟中被摻入雜質。
然後，如第5圖所示，在準像素電極7100、閘極電極155及第二電容電極158上形成層間絕緣層160。無機材料薄膜或有機材料薄膜都可做為層間絕緣層160使用。
接著，經由微影製程在層間絕緣層160上形成開口1605以及接觸孔1601、1606及1607。層間絕緣層160之開口1605會使準像素電極7100一部被曝露。層間絕緣層160之接觸孔可以包括像素接觸孔1601、源極接觸孔1607及汲極接觸孔1606。像素接觸孔1601會使準像素電極7100的另一部份被曝露，而源極接觸孔1607及汲極接觸孔1606則分別曝露半導體層135之源極區1357與汲極區1356。源極接觸孔1607及汲極接觸孔1356可以經由移除閘極絕緣層140及層間絕緣層160來形成。
再者，如第6圖所示，資料金屬層1700形成於層間絕緣層160上。資料金屬層1700可以是一種多層結構，包括由銅或鋁所構成的金屬層以及由鉬所構成的金屬層，其方式與閘極金屬層部份(1552、1582及712)相同，意即，可以是一種鉬/鋁/鉬的三層結構，或是鉬/銅/鉬的三層結構。資料金屬層1700可以經由層間絕緣層160之像素接觸孔1601而與準像素電極7100之閘極金屬層712接觸。資料金屬層1700也可以位於開口1605中準像素電極7100上。資料金屬層1700也可以分別經由源極接觸孔1607及汲極接觸孔1606與半導體層135之源極區1357與汲極區1356接觸。
然後，如第7圖所示，資料金屬層1700(第6圖所顯示)可以經由微影製程進行圖案化，以形成源極電極177及汲極電極176。經由層間絕緣層160之開口1695而被曝露的準像素電極7100之閘極金屬層部份712會被移除而形成像素電極710。像素電極710可以包括發光區域(可以僅由透明導電層部份711所形成)以及非發光區域(可以由透明導電層部份711及閘極金屬層部份712所形成)。
在一種實施方式中，資料金屬層1700及閘極金屬層部份712可以由相同材料所構成。因此，可以在層間絕緣層160開口1605中依序形成而相互接觸的資料金屬層1700及閘極金屬層部份712可以經由單一個使用相同蝕刻劑的蝕刻製程而被同時移除。在此步驟中，位於閘極金屬層部份712下方之透明導電層部份711，因為與金屬層具有不同的蝕刻選擇率而會被保留下來。
像素電極710可以經由形成源極電極177與汲極電極176之單一蝕刻步驟並移除位於層間絕緣層160開口1605中的閘極金屬層部份712而被形成。因此，有機發光二極體顯示器101的整個製程步驟會被簡化。
在一種實施方式中，保留於非發光區域的閘極金屬層部份712可以沿層間絕緣層160開口1605之週圍進行下切。在另一種實施方式中，閘極金屬層部份712也可能因蝕刻方式的不同而沒有被下切。
接著，如第8圖所示，像素定義層190會形成於源極電極177及汲極電極176上。像素定義層190可以具有開口1950，曝露了發光區域，意即曝露了像素電極710之透明導電層部份711。像素定義層190之開口1905可以與層間絕緣層開口有相同的大小或較小。像素定義層190可以由有機材料薄膜所形成。
再者，如第3圖所示，有機發光層720可以形成於經由像素定義層190開口1905而被曝露的像素電極710上。然後，共通電極730可以形成於有機發光層720上，以完成一個完整的有機發光二極體70。
如上述，本發明實施例中之有機發光二極體顯示器之製造方法是簡單的。具有像素電極710、閘極電極155及第二電容電極158之閘極線可以使用單一個光罩來製成。此外，具有底部發光結構的有機發光二極體顯示器101，可以因為僅使用一個光罩就完成像素電極710及閘極電極155之製作而使其可以輕易地被製造。因此，無論是有機發光二極體顯示器或其製造方法都是被簡化的。這個特點，在對適當大面積薄膜製程需求不斷增加的情況下，是非常重要的。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
20‧‧‧薄膜電晶體
101‧‧‧有機發光二極體顯示器
111‧‧‧基底本體
120‧‧‧緩衝層
135‧‧‧半導體層
138、158‧‧‧電容電極
1355‧‧‧通道區
1356‧‧‧汲極區
1357‧‧‧源極區
140‧‧‧閘極絕緣層
155‧‧‧閘極電極
1551、1581、711‧‧‧透明導電層部份
1552、1582、712‧‧‧閘極金屬層部份
160‧‧‧層間絕緣層
1605‧‧‧開口
1601、1606、1607‧‧‧接觸孔
176‧‧‧汲極電極
177‧‧‧源極電極
190‧‧‧像素定義層
1905‧‧‧開口
210‧‧‧封包層
70‧‧‧有機發光二極體
710‧‧‧像素電極
720‧‧‧有機發光層
730‧‧‧共通電極
80‧‧‧電容

Claims (8)

  1. 一種有機發光二極體顯示器之製造方法，包括以下步驟：在一基底主體上形成一多晶矽半導體層；形成一覆蓋該半導體層之一閘極絕緣層；以及在該閘極絕緣層上形成一閘極電極及一像素電極，每一該閘極及像素電極包括一透明導電層部份，且該透明導電層部份上具有一閘極金屬層部份，而該像素電極包括一具有該透明導電層部份之發光區域及一同時具有該透明導電層部份及該閘極金屬層部份之非發光區域，其中形成該閘極電極及該像素電極之步驟包括：依序在該閘極絕緣層上形成一透明導電層及一閘極金屬層；以及將該透明導電層及該閘極金屬層圖案化，以形成該閘極電極及一準像素電極，該準像素電極具有一包括一透明導電層部份及一閘極金屬層部份的多層結構；該方法更包括以下步驟：在該準像素電極及閘極電極上形成一層間絕緣層；在該層間絕緣層中形成一開口，該開口部份曝露該準像素電極；在該層間絕緣層上形成一資料金屬層；將該資料金屬層圖案化，以形成一源極電極及汲極電極；以及 將該準像素電極之該閘極金屬層經由該層間絕緣層之該開口而曝露之部份移除，其中經由該層間絕緣層之該開口而曝露之該閘極金屬層部份以及該資料金屬層係藉由同樣的蝕刻步驟而同時被蝕刻並移除，其中該源極電極連結至該半導體層之源極區；且該汲極電極分別連結至該半導體層之汲極區以及該像素電極之非發光區域，並與該像素電極之該閘極金屬層部份接觸，但不接觸該像素電極之該透明導電層部份。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，其中該半導體層係位於該基底主體及該閘極絕緣層之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，其中該半導體層包括一與該閘極電極重疊之通道區、以及在該通道區相對側之源極與汲極區。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，其中部份曝露該半導體層之該源極區及汲極區以及該準像素電極之該非發光區域之接觸孔，係在該層間絕緣層中該開口形成時所形成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，其中該閘極金屬層及該資料金屬層係由相同材料所形成。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，其中每一該源極電極、汲極電極以及該閘極電極之閘極金屬層部份係形成一多層結構，該多層結構包括：一銅或鋁金屬層；以及 一鉬金屬層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，更包括以下步驟：在該源極電極及汲極電極上形成一像素定義層，該像素定義層具有一開口曝露該像素電極之該發光區域；在經由該像素定義層曝露之該像素電極之發光區域上形成一有機發光層；以及在該有機發光層上形成一共通電極。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法，更包括以下步驟：在與該半導體層之同層上形成一由多晶矽構成之第一電容電極；以及在與該閘極電極之同層上形成一由與該閘極電極相同材料所構成之第二電容電極。
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