KR102466445B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 표시영역과 비 표시영역 간의 저항 차이를 감소시키면서도 내로우 베젤(Narrow Bezel)을 구현할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것으로, 화소들이 배치된 표시영역, 및 표시영역을 둘러싸는 비 표시영역을 포함하는 제1 기판, 제1 기판 상에 교차하도록 배치되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인, 화소 영역에 배치된 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 상에 배치되는 유기발광소자를 포함하며, 데이터 라인은 제1 기판의 비 표시영역에서 이중으로 중첩된다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.

정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마 표시 장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기 발광 표시 장치(OLED: Organic Light Emitting Display)와 같은 여러 가지 표시 장치가 활용되고 있다.

표시 장치들 중에서 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형으로서, 액정 표시 장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력이 유리한 장점이 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 특히 제조비용이 저렴한 장점이 있다.

이러한 유기 발광 표시 장치는 화상을 표시하는 표시영역과 화상을 표시하지 않는 비 표시영역을 가진다. 표시영역에는 화소가 형성되는데, 화소는 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결되며 정공(hole)을 주입하는 양극(anode)과 전자(electron)를 주입하는 음극(cathode) 사이에 발광층을 포함하는 유기 발광 소자가 구비된 구조를 가진다. 유기 발광 표시 장치는 음극에서 발생된 전자 및 양극에서 발생된 정공이 발광층 내부로 주입되면 주입된 전자 및 정공이 결합하여 액시톤(exciton)이 생성되고, 생성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광하는 원리를 이용한 표시 장치이다.

이와 같은 유기 발광 표시 장치는 해상도가 높아지는 추세에 따라 표시영역에 화소가 증가하면서, 화소가 형성되는 표시영역과 화소가 형성되지 않는 비 표시영역 간의 저항 차이가 발생할 수 있다. 표시영역과 비 표시영역 간의 저항 차이가 발생하는 경우, 표시영역 내의 휘도 균일도가 감소하며 소비전력이 흔들리는 현상이 발생할 수 있다.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 표시영역과 비 표시영역 간의 저항 차이를 감소시키면서도 내로우 베젤(Narrow Bezel)을 구현할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은 화소들이 배치된 표시영역, 및 표시영역을 둘러싸는 비 표시영역을 포함하는 제1 기판, 제1 기판 상에 교차하도록 배치되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인, 화소 영역에 배치된 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 상에 배치되는 유기발광소자를 포함하며, 데이터 라인은 제1 기판의 비 표시영역에서 이중으로 중첩된 유기 발광 표시 장치를 제공한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 데이터 라인의 끝 단이 비 표시영역까지 연장되어 형성됨으로써, 표시영역과 비 표시영역 간의 저항 차이를 감소시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 데이터 라인의 끝 단이 이중으로 중첩되며, 구부러진 형태를 가짐으로써, 데이터 라인을 비 표시영역 밖으로 길게 연장하여 형성하면서도 내로우 베젤(Narrow Bezel)을 구현할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 내부 댐 및 외부 댐이 데이터 라인의 단면을 덮도록 형성됨으로써, 데이터 라인의 단면이 노출되는 것을 방지하며, 데이터 라인의 단면을 타고 산소 또는 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 제1 기판, 게이트 구동부, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.
도 3은 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일 측을 개략적으로 보여주는 단면도로서, 도 1의 I-I'의 단면도이다.
도 4는 일 예에 따른 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로서, 도 4의 II-II'의 단면도이다.
도 6는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로서, 도 4의 II-II'의 단면도이다.

본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. "적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다. "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.

이하에서는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 바람직한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 제1 기판, 게이트 구동부, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 표시패널(11), 게이트 구동부(12), 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함)(13), 연성필름(14), 회로보드(15), 및 타이밍 제어부(16)를 포함한다.

상기 표시패널(11)은 제1 기판(S1)과 제2 기판(S2)을 포함한다. 제2 기판(S2)은 봉지 기판일 수 있다. 제1 기판(S1)과 제2 기판(S2)은 플라스틱 또는 유리(glass)일 수 있다.

상기 제2 기판(S2)과 마주보는 제1 기판(S1)의 일면 상에는 게이트 라인(GL)들, 데이터 라인(DL)들, 및 화소(P)들이 형성된다. 화소(P)들은 게이트 라인(GL)들과 데이터 라인(DL)들의 교차 구조에 의해 정의되는 영역에 마련된다.

화소(P)들 각각은 박막 트랜지스터와 애노드 전극, 유기 발광층, 및 캐소드 전극을 구비하는 유기발광소자를 포함할 수 있다. 화소(P)들 각각은 박막 트랜지스터를 이용하여 게이트 라인(GL)으로부터 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인(DL)의 데이터 전압에 따라 유기발광소자에 소정의 전류를 공급한다. 이로 인해, 화소(P)들 각각의 유기발광소자는 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다. 화소(P)들 각각의 구조에 대한 자세한 설명은 도 5 및 도 6에서 후술한다.

표시패널(11)은 도 2와 같이 화소(P)들이 형성되어 화상을 표시하는 표시영역(DA)과 화상을 표시하지 않는 비 표시영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시영역(DA)에는 게이트 라인(GL)들, 데이터 라인(DL)들, 및 화소(P)들이 형성될 수 있다. 비 표시영역(NDA)에는 게이트 구동부(12)와 패드들이 형성될 수 있다.

상기 게이트 구동부(12)는 타이밍 제어부(16)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 게이트 라인(GL)들에 게이트 신호들을 공급한다. 게이트 구동부(12)는 표시패널(11)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비 표시영역(NDA)에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성될 수 있다. 또는, 게이트 구동부(12)는 구동 칩으로 제작되어 연성필름에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 표시패널(11)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비 표시영역(NDA)에 부착될 수도 있다.

상기 소스 드라이브 IC(13)는 타이밍 제어부(16)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력 받는다. 소스 드라이브 IC(13)는 소스 제어신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터전압들로 변환하여 데이터 라인(DL)들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(13)가 구동 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성필름(14)에 실장될 수 있다.

표시패널(11)의 비 표시영역(NDA)에는 데이터 패드들과 같은 패드들이 형성될 수 있다. 연성필름(14)에는 패드들과 소스 드라이브 IC(13)를 연결하는 배선들, 패드들과 회로보드(15)의 배선들을 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성필름(14)은 이방성 도전 필름(anisotropic conducting film)을 이용하여 패드들 상에 부착되며, 이로 인해 패드들과 연성필름(14)의 배선들이 연결될 수 있다.

상기 회로보드(15)는 연성필름(14)들에 부착될 수 있다. 회로보드(15)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로보드(15)에는 타이밍 제어부(16)가 실장될 수 있다. 회로보드(15)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.

상기 타이밍 제어부(16)는 회로보드(15)의 케이블을 통해 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력 받는다. 타이밍 제어부(16)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 드라이브 IC(13)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(16)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부(12)에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 드라이브 IC(13)들에 공급한다.

도 3은 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일 측을 개략적으로 보여주는 단면도로서, 도 1의 I-I'의 단면도이다.

도 3을 참조하면, 표시패널(11)은 제1 기판(S1), 제2 기판(S2), 제1 및 제2 기판들(S1, S2) 사이에 배치된 박막 트랜지스터층(100), 유기발광소자층(200), 및 봉지층(300)을 포함할 수 있다.

상기 제1 기판(S1)은 플라스틱 필름 또는 유리 기판일 수 있다.

제1 기판(S1) 상에는 상기 박막 트랜지스터층(100)이 배치된다. 박막 트랜지스터층(100)은 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터들 각각은 게이트 전극, 반도체층, 소스 및 드레인 전극들을 포함한다. 게이트 구동부가 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성되는 경우, 게이트 구동부는 박막 트랜지스터층(100)과 함께 형성될 수 있다.

박막 트랜지스터층(100) 상에는 상기 유기발광소자층(200)이 배치된다. 유기발광소자층(200)은 애노드 전극, 유기 발광층, 캐소드 전극, 및 뱅크를 포함한다. 유기 발광층들 각각은 정공 수송층(hole transporting layer), 발광층(organic light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 애노드 전극과 캐소드 전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 유기발광소자층(200)이 배치된 영역에는 화소들이 마련되므로, 유기발광소자층(200)이 배치된 영역은 표시영역으로 정의될 수 있다. 표시영역의 주변 영역은 비 표시영역으로 정의될 수 있다.

유기발광소자층(200) 상에는 상기 봉지층(300)이 배치된다. 봉지층(300)은 유기발광소자층(200)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 봉지층(300)은 적어도 하나의 유기막 및 무기막을 포함할 수 있다.

이하에서는 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 보다 구체적으로 설명하도록 한다.

도 4는 일 예에 따른 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로서, 도 4의 II-II'의 단면도이다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 제1 기판(S1)은 표시영역(DA)과 비 표시영역(NDA)으로 구분되며, 비 표시영역(NDA)에는 댐(DAM)이 형성될 수 있다.

상기 제1 기판(S1)의 표시영역(DA)에는 박막 트랜지스터층(100), 유기발광소자층(200), 및 봉지층(300)이 형성된다.

상기 박막 트랜지스터층(100)은 박막 트랜지스터(120)들, 게이트 절연막(130), 층간 절연막(140), 및 평탄화막(150)을 포함한다.

제1 기판(S1)의 일면 상에는 버퍼막(110)이 배치된다. 상기 버퍼막(110)은 투습에 취약한 제1 기판(S1)을 통해 침투하는 수분으로부터 박막 트랜지스터(120)들과 유기발광소자(210)들을 보호하기 위해 제1 기판(S1)의 일면 상에 배치된다. 제1 기판(S1)의 일면은 제2 기판(S2)과 마주보는 면일 수 있다. 버퍼막(110)은 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼막(110)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), SiON 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 버퍼막(110)은 생략될 수 있다.

버퍼막(110) 상에는 상기 박막 트랜지스터(120)가 배치된다. 박막 트랜지스터(120)는 액티브층(121), 게이트 전극(122), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 포함한다. 도 5에서는 박막 트랜지스터(120)가 게이트 전극(122)이 액티브층(121)의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 방식으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 박막 트랜지스터(120)들은 게이트 전극(122)이 액티브층(121)의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 방식 또는 게이트 전극(122)이 액티브층(121)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 방식으로 형성될 수 있다.

버퍼막(110) 상에는 상기 액티브층(121)이 배치된다. 액티브층(121)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다. 버퍼막(110)과 액티브층(121) 사이에는 액티브층(121)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 배치될 수 있다.

액티브층(121) 상에는 상기 게이트 절연막(130)이 배치될 수 있다. 게이트 절연막(130)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.

게이트 절연막(130) 상에는 상기 게이트 전극(122)과 게이트 라인(미도시)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(122)과 게이트 라인(미도시)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.

게이트 전극(122)과 게이트 라인(미도시) 상에는 상기 층간 절연막(140)이 배치될 수 있다. 층간 절연막(140)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.

층간 절연막(140) 상에는 상기 소스 전극(123), 드레인 전극(124), 및 데이터 라인(DL)이 배치될 수 있다. 즉, 본 발명의 제1 실시예에 따른 데이터 라인(DL)은 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 동일한 층에 배치된다.

소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 각각은 게이트 절연막(130)과 층간 절연막(140)을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층(121)에 접속될 수 있다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.

일 예에 따른 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 소스 및 드레인 전극(123, 124)의 표면에 마련되는 외부 소스 및 드레인 라인(123a, 124a)들, 및 상기 외부 소스 및 드레인 라인(123a, 124a)들의 사이에 마련되는 내부 소스 및 드레인 라인(123b, 124b)으로 이루어질 수 있다.

상기 외부 소스 및 드레인 라인(123a, 124a)들은 층간 절연막(140)과 내부 소스 및 드레인 라인(123b, 124b) 사이에 형성되어 층간 절연막(140)과 내부 소스 및 드레인 라인(123b, 124b) 사이의 접착력을 증진시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 외부 소스 및 드레인 라인(123a, 124a)들은 내부 소스 및 드레인 라인(123b, 124b)의 하면 및 상면을 보호함으로써 내부 소스 및 드레인 라인(123b, 124b)의 하면 및 상면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 외부 소스 및 드레인 라인(123a, 124a)들의 산화도는 내부 소스 및 드레인 라인(123b, 124b)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 외부 소스 및 드레인 라인(123a, 124a)들을 이루는 물질이 내부 소스 및 드레인 라인(123b, 124b)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 외부 소스 및 드레인 라인(123a, 124a)들은 접착력 증진층 또는 부식 방지층의 역할을 수행하는 것으로서, 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi) 또는 티타늄(Ti)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.

상기 내부 소스 및 드레인 라인(123b, 124b)은 외부 소스 및 드레인 라인(123a, 124a)들 사이에 형성된다. 내부 소스 및 드레인 라인(123b, 124b)은 저항이 낮은 금속인 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 내부 소스 및 드레인 라인(123b, 124b)은 외부 소스 및 드레인 라인(123a, 124a)들에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 소스 전극(123)의 전체 저항을 줄이기 위해서 내부 소스 및 드레인 라인(123b, 124b)의 두께는 외부 소스 및 드레인 라인(123a, 124a)들의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.

본 발명의 제1 실시예에 따른 데이터 라인(DL)은 데이터 라인(DL)의 표면에 마련되는 외부 데이터 라인(125a)들, 및 상기 외부 데이터 라인(125a)들의 사이에 마련되는 내부 데이터 라인(125b)으로 이루어질 수 있다.

상기 외부 데이터 라인(125a)은 층간 절연막(140)과 내부 데이터 라인(125b) 사이에 형성되어 층간 절연막(140)과 내부 데이터 라인(125b) 사이의 접착력을 증진시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 외부 데이터 라인(125a)은 내부 데이터 라인(125b)의 하면 및 상면을 보호함으로써 내부 데이터 라인(125b)의 하면 및 상면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 외부 데이터 라인(125a)의 산화도는 내부 데이터 라인(125b)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 외부 데이터 라인(125a)을 이루는 물질이 내부 데이터 라인(125b)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 외부 데이터 라인(125a)은 접착력 증진층 또는 부식 방지층의 역할을 수행하는 것으로서, 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi) 또는 티타늄(Ti)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.

상기 내부 데이터 라인(125b)은 외부 데이터 라인(125a)들 사이에 형성된다. 내부 데이터 라인(125b)은 저항이 낮은 금속인 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 내부 데이터 라인(125b)은 외부 데이터 라인(125a)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 소스 전극(123)의 전체 저항을 줄이기 위해서 내부 데이터 라인(125b)의 두께는 외부 데이터 라인(125a)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.

이러한, 데이터 라인(DL)은 소스 및 드레인 전극(123, 124)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 데이터 라인(DL)과 소스 및 드레인 전극(123, 124)을 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다.

이와 같은 유기 발광 표시 장치는 해상도가 높아지는 추세에 따라 표시영역(DA)에 화소(P)가 증가하면서, 화소(P)가 형성되는 표시영역(DA)과 화소(P)가 형성되지 않는 비 표시영역(NDA) 간의 저항 차이가 발생하는 문제점이 있었다. 표시영역(DA)과 비 표시영역(NDA) 간의 저항 차이가 발생하는 경우, 표시영역(DA) 내의 휘도 균일도가 감소하며 소비전력이 흔들리는 현상이 발생할 수 있다.

이와 같은 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 데이터 라인(DL)이 제1 기판(S1)의 비 표시영역(NDA)까지 연장되고, 끝 단이 이중으로 중첩되어 구부러진 형태를 가진다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 데이터 라인(DL)은 끝 단이 비 표시영역(NDA)까지 연장되어 형성됨으로써, 유기 발광 표시 장치의 표시영역(DA)과 비 표시영역(NDA) 간의 저항 차이를 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 데이터 라인(DL)은 끝 단이 이중으로 중첩되며 구부러진 형태를 가짐으로써, 데이터 라인(DL)을 비 표시영역(NDA) 밖으로 길게 연장하여 형성하면서도 내로우 베젤(Narrow Bezel)을 구현할 수 있다.

보다 구체적으로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 데이터 라인(DL)은 제1 데이터 라인(DL1), 제2 데이터 라인(DL2), 데이터 연결부(DLL), 및 데이터 절연막(126)을 포함한다.

상기 제1 데이터 라인(DL1)은 층간 절연막(140) 상에 배치된다. 제1 데이터 라인(DL1)은 비 표시영역(NDA)까지 연장되며, 끝 단이 후술되는 댐(DAM)과 중첩된다.

상기 제2 데이터 라인(DL2)은 제1 데이터 라인(DL1) 상에 배치된다. 제2 데이터 라인(DL2)은 상기 데이터 연결부(DLL)에 의해서 제1 데이터 라인(DL1)과 연결된다. 제2 데이터 라인(DL2)은 비 표시영역(NDA)에만 마련될 수 있다.

상기 데이터 절연막(126)은 제1 데이터 라인(DL1)과 제2 데이터 라인(DL2) 사이에 배치된다. 데이터 절연막(126)은 제1 데이터 라인(DL1)과 제2 데이터 라인(DL2)을 절연시켜, 데이터 라인(DL)의 길이가 연장되도록 한다. 데이터 절연막(126)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.

이와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 데이터 라인(DL)은 제1 데이터 라인(DL1) 상에 제2 데이터 라인(DL2)을 배치하여 데이터 라인(DL)의 길이를 연장시킴으로써, 유기 발광 표시 장치의 표시영역(DA)과 비 표시영역(NDA) 간의 저항 차이를 감소시킬 수 있으며, 따라서, 표시영역 내의 휘도 균일도가 감소하며 소비전력이 흔들리는 현상을 방지할 수 있다.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 데이터 라인(DL)은 제1 데이터 라인(DL1) 상에 제2 데이터 라인(DL2)을 배치하여 데이터 라인(DL)의 끝 단이 이중으로 중첩되어 구부러진 형태를 가짐으로써, 데이터 라인(DL)을 비 표시영역(NDA) 밖으로 길게 연장하여 형성하면서도 내로우 베젤(Narrow Bezel)을 구현할 수 있다.

소스 전극(123), 드레인 전극(124), 및 데이터 라인(DL) 상에는 박막 트랜지스터(120)를 절연하기 위한 보호막(미도시)이 배치될 수 있다. 보호막은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다. 보호막은 생략될 수 있다.

층간 절연막(140) 상에는 박막 트랜지스터(120)로 인한 단차를 평탄하게 하기 위한 상기 평탄화막(150)이 배치될 수 있다. 평탄화막(150)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.

박막 트랜지스터층(100) 상에는 상기 유기발광소자층(200)이 배치된다. 유기발광소자층(200)은 유기발광소자(210) 및 뱅크(220)를 포함한다.

상기 유기발광소자(210)와 뱅크(220)는 박막 트랜지스터(120) 및 평탄화막(150) 상에 배치된다. 유기발광소자(210)는 애노드 전극(211), 유기 발광층(212), 및 캐소드 전극(213)을 포함한다.

상기 애노드 전극(211)은 평탄화막(150) 상에 배치될 수 있다. 본 발명의 일 예에 따른 애노드 전극(211)은 표시영역(DA)에 배치되는 제1 애노드 전극(211a) 및 상기 제1 애노드 전극(211a)과 이격되어 비 표시영역(NDA)에 배치되는 제2 애노드 전극(211b)을 포함할 수 있다.

상기 제1 애노드 전극(211a)은 평탄화막(150)을 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)에 접속된다. 제1 애노드 전극(211a)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.

상기 제2 애노드 전극(211b)은 제1 애노드 전극(211a)으로부터 이격되어 평탄화막(150) 끝 단 상부에 배치되며, 데이터 라인(DL) 상부까지 연장된다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 제2 애노드 전극(211b)은 제2 데이터 라인(DL2)의 끝 단을 덮도록 배치된다. 보다 구체적으로, 제2 애노드 전극(211b)은 제1 데이터 라인(DL1) 상부에서 제2 데이터 라인(D2)의 측면 및 상면까지 연장되어 배치된다. 따라서, 제2 애노드 전극(211b)은 데이터 라인(DL)의 단면이 노출되는 것을 방지하며, 데이터 라인(DL)의 단면을 타고 수분이 침투하는 투습 경로가 되는 것을 방지할 수 있다. 제2 애노드 전극(211b)은 제1 애노드 전극(211a)과 동일한 재질로 이루어진다.

상기 뱅크(220)는 평탄화막(150) 및 애노드 전극(211) 상에 배치될 수 있다. 뱅크(220)는 화소(P)들을 구획하기 위해 평탄화막(150) 상에서 애노드 전극(211)의 가장자리를 덮도록 배치될 수 있다. 즉, 뱅크(220)는 화소(P)들을 정의하는 화소(P) 정의막으로서 역할을 한다. 뱅크(220)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.

애노드 전극(211)과 뱅크(220) 상에는 상기 유기 발광층(212)이 배치된다. 유기 발광층(212)은 정공 수송층(hole transporting layer), 적어도 하나의 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 애노드 전극(211)과 캐소드 전극(213)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.

유기 발광층(212)은 백색 광을 발광하는 백색 발광층으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 유기 발광층(212)은 제1 애노드 전극(211a)과 뱅크(220)를 덮도록 배치될 수 있다. 또한, 제2 기판(S2) 상에는 컬러 필터(미도시)가 배치될 수 있다.

또는, 유기 발광층(212)은 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 또는 청색 광을 발광하는 청색 발광층으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 유기 발광층(212)는 애노드 전극(211)에 대응되는 영역에 배치될 수 있으며, 제2 기판(S2) 상에는 컬러 필터가 배치되지 않을 수 있다.

상기 캐소드 전극(213)은 유기 발광층(212) 상에 배치된다. 유기 발광 표시 장치가 상부 발광(top emission) 구조로 형성되는 경우, 캐소드 전극(213)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 캐소드 전극(213) 상에는 캡핑층(capping layer)이 배치될 수 있다.

유기발광소자층(200) 상에는 상기 봉지층(300)이 제1 기판(S1)의 표시영역(DA)은 물론 비 표시영역(NDA)까지 연장되어 배치될 수 있다. 본 발명의 일 예에 따른 봉지층(300)은 봉지막(310), 댐(DAM), 들뜸 방지막(320), 및 격벽(PW)을 포함한다.

상기 봉지막(310)은 뱅크(220) 상에 배치되며 표시영역(DA)을 덮도록 배치되어, 유기 발광층(212)과 캐소드 전극(213)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지막(310)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 봉지막(310)은 제1 무기막(311), 유기막(312), 및 제2 무기막(313)을 포함할 수 있다.

캐소드 전극(213) 상에는 상기 제1 무기막(311)이 배치될 수 있다. 제1 무기막(311)은 캐소드 전극(213)을 덮도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 무기막(311)은 표시영역(DA)에서 캐소드 전극(262) 및 뱅크(220)를 덮으며, 비 표시영역(NDA)까지 연장되어 제2 애노드 전극(211b), 댐(DAM), 및 층간 절연막(140)을 덮도록 배치될 수 있다. 이러한 제1 무기막(311)은 끝 단이 층간 절연막(140) 상에 배치되며, 공정에 의해 끝 단의 두께가 다소 얇게 형성될 수 있다. 또한, 제1 무기막(311)은 하부에 배치되는 구성을 따라 단차가 발생할 수 있으며, 단차에 의해 결함(defect)이 발생할 수도 있다.

제1 무기막(311)에서 발생할 수 있는 결함 및 단차를 보상하기 위해서, 제1 무기막(311) 상에는 상기 유기막(312)이 배치된다. 유기막(312)은 이물들(particles)이 제1 무기막(311)을 뚫고 유기 발광층(212)과 캐소드 전극(213)에 투입되는 것을 방지하며, 단차를 보상하기 위해서 충분한 두께로 형성될 수 있다. 유기막(312)은 잉크젯(inkjet) 공정을 통해서 액상 형태로 기판 상에 도포된 후 경화 공정을 거쳐 형성될 수 있다.

유기막(312) 상에는 상기 제2 무기막(313)이 배치될 수 있다. 제2 무기막(313)은 유기막(312)을 덮도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 제2 무기막(313)은 표시영역(DA)에서 유기막(312)을 덮으며, 비 표시영역(NDA)까지 연장되어 댐(DAM) 및 제1 무기막(311)을 덮도록 배치될 수 있다. 제2 무기막(313)은 하부에 배치되는 유기막(312)에 의해서 결함(defect) 또는 단차가 발생하지 않으며, 따라서 외부의 수분이 장치 내부로 투습되는 경로가 형성되지 않아 유기 발광 표시 장치(10)의 신뢰성 및 품질 저하되는 것을 방지할 수 있다. 이러한 제2 무기막(313)은 끝 단이 층간 절연막(140) 상에 배치되며, 공정에 의해 끝 단의 두께가 다소 얇게 형성될 수 있다.

제1 및 제2 무기막들(311, 313) 각각은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 유기막(312)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있다.

상기 댐(DAM)은 비 표시영역(NDA)에 배치되어 봉지막(310)을 구성하는 유기막(312)의 흐름을 차단한다. 보다 구체적으로, 댐(DAM)은 표시영역(DA)의 외곽을 둘러싸도록 배치되어 봉지막(310)을 구성하는 유기막(312)의 흐름을 차단할 수 있다. 또한, 댐(DAM)은 비 표시영역(NDA)에 배치되어 봉지막(310)을 구성하는 유기막(312)이 콘택홀에 의해 노출된 패드(미도시)로 침범하지 못하도록 유기막(312)의 흐름을 차단할 수 있다. 이를 통해, 댐(DAM)은 유기막(312)이 표시장치의 외부로 노출되거나 패드로 침범하는 것을 방지할 수 있다.

이러한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 댐(DAM)은 층간 절연막(140) 상에 배치되며, 데이터 라인(DL)의 데이터 연결부(DLL)를 덮도록 배치된다. 따라서, 댐(DAM)은 데이터 라인(DL)의 단면이 노출되는 것을 방지하며, 데이터 라인(DL)의 단면을 타고 산소 또는 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

이와 같은, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 데이터 라인(DL)의 끝 단이 비 표시영역(NDA)까지 연장되어 형성됨으로써, 표시영역(DA)과 비 표시영역(NDA) 간의 저항 차이를 감소시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 데이터 라인(DL)의 끝 단이 이중으로 중첩되어 구부러진 형태를 가짐으로써, 데이터 라인(DL)을 비 표시영역(NDA) 밖으로 길게 연장하여 형성하면서도 내로우 베젤(Narrow Bezel)을 구현할 수 있다.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로서, 도 4의 II-II'의 단면도이다.

도 6에 도시된 유기 발광 표시 장치는 댐(DAM)을 제외하고, 전술한 도 5 및 도 6에서 설명한 유기 발광 표시 장치와 동일하다. 이에 따라, 이하의 설명에서는 댐(DAM)에 대해서만 설명하고, 동일한 구성에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 댐(DAM)은 내부 댐(ID) 및 외부 댐(OD)을 포함한다.

상기 내부 댐(ID)은 표시영역(DA)에 인접하여 배치되며, 표시영역(DA)의 외곽을 둘러싸도록 배치된다. 내부 댐(ID)은 봉지막(310)을 구성하는 유기막(312)의 흐름을 1차적으로 차단할 수 있다. 또한, 내부 댐(ID)은 표시영역(DA)과 패드영역(PA) 사이에 배치되어 노출된 패드(미도시)에 유기막(312)이 침범하지 못하도록 유기막(312)의 흐름을 1차적으로 차단할 수 있다.

이러한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 내부 댐(ID)은 제2 데이터 라인(DL2)의 끝 단을 덮도록 배치된다. 따라서, 내부 댐(ID)은 데이터 라인(DL)의 단면이 노출되는 것을 방지하며, 데이터 라인(DL)의 단면을 타고 수분이 침투하는 투습 경로가 되는 것을 방지할 수 있다.

상기 외부 댐(OD)은 내부 댐(ID)의 외곽을 둘러싸도록 배치되며, 내부 댐(ID)과 서로 이격되어 나란히 배치된다. 이때, 외부 댐(OD)과 내부 댐(ID) 사이의 간격은 약 30~40um 정도로 매우 좁은 간격을 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 외부 댐(OD)은 내부 댐(ID)의 외곽으로 흘러 넘치는 유기막(312)을 2차적으로 차단할 수 있다. 또한, 외부 댐(OD)의 높이는 내부 댐(ID)의 높이보다 높게 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 이를 통해, 내부 댐(ID) 및 외부 댐(OD)은 유기막(312)이 유기 발광 표시 장치(10)의 외부로 노출되거나 노출된 패드를 침범하는 것을 보다 효과적으로 차단할 수 있다.

이러한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 외부 댐(OD)은 층간 절연막(140) 상에 배치되며, 데이터 라인(DL)의 데이터 연결부(DLL)를 덮도록 배치된다. 따라서, 외부 댐(OD)은 데이터 라인(DL)의 단면이 노출되는 것을 방지하며, 데이터 라인(DL)의 단면을 타고 산소 또는 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 내부 댐(ID)은 데이터 라인(DL) 상에 배치되는 제1 내부 댐(ID1), 및 상기 제1 내부 댐(ID1) 상에 배치되는 제2 내부 댐(ID2)을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 외부 댐(OD)은 층간 절연막(140) 상에 배치되는 제1 외부 댐(OD1) 및 상기 제1 외부 댐(OD1) 상에 배치되는 제2 외부 댐(OD2)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 내부 댐(ID1) 및 제1 외부 댐(OD1)은 평탄화막(150)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 또한, 제2 내부 댐(ID2) 및 제2 외부 댐(OD2)은 동일한 재질을 가지며, 뱅크(220)와 동일한 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 댐(DAM)은 평탄화막(150), 뱅크(220), 및 스페이서를 형성할 때 동시에 형성될 수 있으며, 별도의 추가 공정 없이 형성될 수 있다.

이와 같은, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 내부 댐(ID) 및 외부 댐(OD)이 데이터 라인(DL)의 단면을 덮도록 형성됨으로써, 데이터 라인(DL)의 단면이 노출되는 것을 방지하며, 데이터 라인(DL)의 단면을 타고 산소 또는 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 데이터 라인(DL)의 끝 단이 비 표시영역(NDA)까지 연장되어 형성됨으로써, 표시영역(DA)과 비 표시영역(NDA) 간의 저항 차이를 감소시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 데이터 라인(DL)의 끝 단이 이중으로 중첩되어 구부러진 형태를 가짐으로써, 데이터 라인(DL)을 비 표시영역(NDA) 밖으로 길게 연장하여 형성하면서도 내로우 베젤(Narrow Bezel)을 구현할 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

10: 유기 발광 표시 장치 11: 표시패널
S1: 제1 기판 S2: 제2 기판
12: 게이트 구동부 13: 소스 드라이브 IC
14: 연성필름 15: 회로보드
16: 타이밍 제어부 100: 박막 트랜지스터층
110: 버퍼막 120: 박막 트랜지스터
121: 액티브층 122: 게이트 전극
123: 소스 전극 124: 드레인 전극
130: 게이트 절연막 140: 층간 절연막
150: 평탄화막 200: 유기발광소자층
210: 유기발광소자 211: 애노드 전극
212: 유기 발광층 213: 캐소드 전극
220: 뱅크 300: 봉지층
310: 봉지막 311: 제1 무기막
312: 유기막 313: 제2 무기막
DAM: 댐 ID: 내부 댐
OD: 외부 댐 DL: 데이터 라인

Claims (11)

1. 화소들이 배치된 표시영역, 및 상기 표시영역을 둘러싸는 비 표시영역을 포함하는 제1 기판;
   상기 제1 기판 상에 교차하도록 배치되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인;
   상기 화소 영역에 배치된 박막 트랜지스터; 및
   상기 박막 트랜지스터 상에 배치되는 유기발광소자를 포함하며,
   상기 데이터 라인은 상기 제1 기판의 비 표시영역에서 이중으로 중첩된 유기 발광 표시 장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 제1 기판의 비 표시영역에서, 상기 데이터 라인의 끝단은 상기 데이터 라인의 상부 방향으로 구부러진 유기 발광 표시 장치.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 제1 기판 상에 층간 절연막이 더 포함되며,
   상기 데이터 라인은 상기 층간 절연막 상에 배치되는 제1 데이터 라인;
   상기 제1 데이터 라인 상에 배치되는 제2 데이터 라인; 및
   상기 제1 데이터 라인 및 상기 제2 데이터 라인을 연결하는 데이터 연결부를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 제1 데이터 라인과 상기 제2 데이터 라인 사이에 데이터 절연막이 더 배치되는 유기 발광 표시 장치.
5. 제 3 항에 있어서,
   상기 제1 기판의 표시영역을 둘러싸도록 배치되는 외부 댐을 더 포함하고,
   상기 외부 댐은 상기 데이터 연결부를 덮는 유기 발광 표시 장치.
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 외부 댐은,
   상기 층간 절연막 상에 배치되며 상기 데이터 연결부의 측면을 덮는 제1 외부 댐; 및
   상기 제1 외부 댐 상에 배치되는 제2 외부 댐을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
7. 제 3 항에 있어서,
   상기 유기발광소자는 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 애노드 전극을 포함하고,
   상기 제1 애노드 전극과 이격되어 배치되는 제2 애노드 전극을 더 포함하며,
   상기 제2 애노드 전극은 상기 제2 데이터 라인의 끝 단을 덮는 유기 발광 표시 장치.
8. 제 5 항에 있어서,
   상기 제1 기판의 표시영역을 둘러싸도록 배치되며, 상기 외부 댐의 안쪽에 배치되는 내부 댐을 더 포함하고,
   상기 내부 댐은 상기 제2 데이터 라인의 끝 단을 덮는 유기 발광 표시 장치.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 내부 댐은,
   상기 데이터 라인 상에 배치되며 상기 제2 데이터 라인의 측면을 덮는 제1 내부 댐; 및
   상기 제1 내부 댐 상에 배치되는 제2 내부 댐을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
10. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터 라인은,
    상기 데이터 라인의 표면에 마련되는 외부 데이터 라인들, 및 상기 외부 데이터 라인들의 사이에 마련되는 내부 데이터 라인으로 이루어진 유기 발광 표시 장치.
11. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는,
    제1 기판 상에 배치되는 액티브층;
    상기 액티브층과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며,
    상기 데이터 라인은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일한 층에 배치되는 유기 발광 표시 장치.

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