JP5412026B2 - 配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法 - Google Patents
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Description
22:ゲート線
24:ゲート端部
26:ゲート電極
27:ストレージ電極
28:ストレージ電極線
30:ゲート絶縁膜
40:半導体層
55、56:オーミックコンタクト層
62:データ線
65:ソース電極
66:ドレイン電極
67:ドレイン電極拡張部
68:データ端部
70:保護膜
82:画素電極
Claims (10)
- 絶縁基板上に第1の方向に延長されたゲート線及び前記ゲート線に接続されたゲート電極を含むゲート配線を形成し、
前記絶縁基板上に前記ゲート線と交差するように第2の方向に延長されたデータ線、前記データ線に接続されたソース電極及び前記ソース電極と離隔されて設けられるドレイン電極を含み、前記ゲート配線と絶縁されているデータ配線を形成し、
前記ゲート配線と前記データ線及び前記データ線に接続されたソース電極を含むデータ配線との上に各画素毎に前記ドレイン電極と接続された画素電極を形成し、
前記ゲート配線又は前記データ配線の形成は、
バリヤ膜を形成し、
前記バリヤ膜上に銅又は銅合金を含む銅導電膜を形成し、
前記銅導電膜上に銅窒化物を含む中間膜を形成し、
前記中間膜上にIZO、ITO、アモルファスITO、又はこれらの組み合わせを含むキャッピング膜を形成し、
前記キャッピング膜、前記中間膜及び前記銅導電膜をエッチングして下部の前記バリヤ膜を露出させ、
前記バリヤ膜をエッチングすること、
を含み、
前記バリヤ膜は、Ta、V、Zr、Nb、Co、Ni、Pd、Pt又はこれらの化合物を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記中間膜の形成は、窒素を含む雰囲気下で銅をターゲットとしてスパッタリングすることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記中間膜の形成は、前記銅導電膜の形成に連続して窒素を供給しながらin−situにおこなわれることを特徴とする請求項2に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記中間膜の厚さは、5nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記中間膜は、0.001atom%以上50atom%以下の窒素を含有することを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記キャッピング膜、前記中間膜及び前記銅導電膜のエッチングは、ウエットエッチングであることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記キャッピング膜、前記中間膜及び前記銅導電膜のエッチングは、前記キャッピング膜、前記中間膜及び前記銅導電膜を一括的にエッチングすることを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記バリヤ膜のエッチングは、HCl、Cl2、H2、O2又はこれらの組み合わせを含むエッチングガスを使用してドライエッチングすることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記データ配線の形成の前記バリヤ膜のエッチング後に前記エッチングされたバリヤ膜下部のオーミックコンタクト層をエッチングして下部の半導体層を露出させることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記オーミックコンタクト層のエッチングは、前記データ配線のバリヤ膜と連続的にエッチングすることを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
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