JP2006005190A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 97
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 95
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 90
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 7
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 17
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 17
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004035 construction material Substances 0.000 abstract 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 70
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 66
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 17
- -1 copper nitride Chemical class 0.000 description 13
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- XQMTUIZTZJXUFM-UHFFFAOYSA-N tetraethoxy silicate Chemical compound CCOO[Si](OOCC)(OOCC)OOCC XQMTUIZTZJXUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008482 TiSiN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008807 WSiN Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/5329—Insulating materials
- H01L23/53295—Stacked insulating layers
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/7682—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing the dielectric comprising air gaps
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- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
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- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
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- H01L21/76807—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures
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- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
- H01L21/76832—Multiple layers
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- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
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- H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
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Abstract
【解決手段】 半導体基板上の絶縁膜上に形成される多層配線構造において、主構成材料が銅からなる第1の配線の上面に接するように、下から順にバリア性が高く、かつ圧縮応力を有する第1の絶縁膜、引張応力を有する第2の絶縁膜、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜よりも誘電率の低い第3の絶縁膜が少なくとも積層されており、前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜、および前記第3の絶縁膜を貫通し前記第1の配線に接するようにビアホールが設けられている配線構造とする。
【選択図】 図1
Description
さらに、例えば、特開2003−257979号公報には、配線用の銅中に不純物原子を添加する技術が開示されている(銅配線のストレスマイグレーションを防止する技術)。
上記において、好ましくは、前記第1の絶縁膜のヤング率が前記第2の絶縁膜のヤング率よりも大きく、なおかつ前記第1の絶縁膜の膜厚が、前記第2の絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする。
上記において、好ましくは、前記第2の絶縁膜がバリア性の高い絶縁膜であることを特徴とする。
上記において、好ましくは、前記第1の絶縁膜が少なくとも窒素原子を含む絶縁膜からなることを特徴とする。
上記において、好ましくは、前記第3の絶縁膜が引張応力を有する低誘電率絶縁膜であることを特徴とする。
本発明によれば、銅を主構成材料とした金属膜からなる配線において、ビアホール底部付近の応力勾配を低減することができ、これによりストレスマイグレーションによるボイドの発生を抑制できるため、信頼性の高い半導体装置が提供される。
まず、本発明における第1の実施形態を図1により説明する。本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を図1に示す。
前記ゲート絶縁膜3、ゲート電極4、シリサイド7の側壁には酸化シリコンや窒化シリコン等からなるサイドウォール6が形成されている。
さらに、前記第1の層間絶縁膜14の上面には、第2の層間絶縁膜15が形成されている。
ここで、前記第2の線間絶縁膜16は、前記第1の線間絶縁膜9と同様に、例えば低誘電絶縁膜(SiOC、SiOFもしくはSiOCやSiO2のポーラス材料等)やBPSG膜やSOG膜、TEOS膜、あるいは化学気相蒸着法やスパッタ法で形成したシリコン酸化膜や窒化膜等からなる。あるいは、これらの積層構造からなる。絶縁膜であれば、これに限定されるものではない。
ここで、ビア19とは、銅配線20の一部からなり、銅配線20と下層の銅配線12とを電気的に接続するための部分である。
その後、所望の工程により、半導体装置が完成される。
本発明による配線構造は多層配線構造内において、少なくとも一層に使用されていればよく必ずしも全層に用いる必要はない。
次に、本発明における第2の実施形態を図2により説明する。図2は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第1の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
次に、本発明における第3の実施形態を図3により説明する。図3は本実施形態3による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第1の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
次に、本発明における第4の実施形態を図4により説明する。図4は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第1の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
次に、本発明における第5の実施形態を図5により説明する。図5は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第1の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
ただし、ビアと配線のコンタクト抵抗低減という観点では、前記第1の銅配線12と前記拡散防止絶縁膜13の界面にのみ、窒化銅層28が設けられた場合の方が好ましい。
次に、本発明における第7の実施形態を図7により説明する。図7は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第2の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
ただし、ビアと配線のコンタクト抵抗低減という観点では、前記第1の銅配線12と前記拡散防止絶縁膜13の界面にのみ、窒化銅層21が設けられた場合の方が好ましい。
次に、本発明における第8の実施形態を図8により説明する。図8は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第2の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
また、層間絶縁膜の少なくとも一部に空間部29を設けることにより、配線間容量をさらに低減する効果も得られる。
次に、本発明における第9の実施形態を図9により説明する。図9は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第8の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
また、第1の層間絶縁膜14にも空間部29を設けることにより、配線間容量を第8の実施形態よりもさらに低減する効果が得られる。
次に、本発明における第10の実施形態を図10により説明する。図10は本実施形態10による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第8の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
次に、本発明における第11の実施形態を図11により説明する。図11は本実施形態11による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第10の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
また、本実施形態においては、絶縁膜24を省略することにより、工程数を減少できるという効果も得られる。
次に、本発明における第12の実施形態を図12により説明する。図12は本実施形態12による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第11の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
次に、本発明における第13の実施形態を図13により説明する。図13は本実施形態による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第8の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
また、空間部29がビアホール17bに隣接した構造とすることにより、配線間容量をさらに低減する効果が得られる。
次に、本発明における第14の実施形態を図14により説明する。図14は本実施形態14による半導体装置の主要部の断面構造を示しており、第1の実施形態と共通の部分には同一の符号を付している。
なお、その他の実施形態においても、デュアルダマシン銅配線構造の場合についてしめしたが、シングルダマシン銅配線構造とした場合でも同様の効果が得られる。
Claims (13)
- 半導体基板上に絶縁膜を介在して設けられ、主構成材料が銅からなる第1の配線と、
前記第1の配線上に設けられ、前記第1の配線の銅に対してバリア性を持つ第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記第1の絶縁膜の膜応力に対して逆符号の応力を持つ第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に設けられた第3の絶縁膜と、
前記第3乃至第1の絶縁膜を貫通して前記第1の配線上に設けられたビアと、
前記ビアを介して前記第1の配線に接続された第2の配線とを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の絶縁膜は、圧縮応力を有し、
前記第2の絶縁膜は、引張応力を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の絶縁膜は、引張応力を有し、
前記第2の絶縁膜は、圧縮応力を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の絶縁膜の膜厚は、前記第2の絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜よりもヤング率が大きく、前記第2の絶縁膜よりも膜厚が小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第2の絶縁膜は、前記第1の配線の銅に対して酸化シリコン膜よりもバリア性が高い絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第3の絶縁膜は、前記第1及び第2の絶縁膜よりも誘電率が低い絶縁膜からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2又は請求項3に記載の半導体装置において、
前記第1の絶縁膜は、少なくとも窒素原子を含む絶縁膜からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2又は請求項3に記載の半導体装置において、
前記第3の絶縁膜は、引張応力を有する低誘電率絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の配線と前記第1の絶縁膜との間に、少なくとも一部が窒化された銅からなる層を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項10に記載の半導体装置において、
前記少なくとも一部が窒化された銅からなる層の厚さは、前記第1の絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第3の絶縁膜の少なくとも一部に空間部が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項12に記載の半導体装置において、
前記空間部は、前記ビアの側壁に隣接することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004180455A JP2006005190A (ja) | 2004-06-18 | 2004-06-18 | 半導体装置 |
TW094113466A TWI260067B (en) | 2004-06-18 | 2005-04-27 | Semiconductor device |
CNB2005100780184A CN100397637C (zh) | 2004-06-18 | 2005-06-10 | 半导体器件 |
US11/155,272 US7459786B2 (en) | 2004-06-18 | 2005-06-17 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004180455A JP2006005190A (ja) | 2004-06-18 | 2004-06-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006005190A true JP2006005190A (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=35540457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004180455A Pending JP2006005190A (ja) | 2004-06-18 | 2004-06-18 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7459786B2 (ja) |
JP (1) | JP2006005190A (ja) |
CN (1) | CN100397637C (ja) |
TW (1) | TWI260067B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008047675A (ja) * | 2006-08-15 | 2008-02-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2008047886A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2008066678A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法 |
WO2008117582A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Tokyo Electron Limited | カルボニル原料を使った金属膜の成膜方法、多層配線構造の形成方法、半導体装置の製造方法、成膜装置 |
JP2009027061A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007194469A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR20080008562A (ko) * | 2006-07-20 | 2008-01-24 | 삼성전자주식회사 | 어레이 기판의 제조방법, 어레이 기판 및 이를 갖는표시장치 |
TW200814156A (en) | 2006-07-21 | 2008-03-16 | Toshiba Kk | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
US8178436B2 (en) * | 2006-12-21 | 2012-05-15 | Intel Corporation | Adhesion and electromigration performance at an interface between a dielectric and metal |
FR2911432A1 (fr) * | 2007-01-11 | 2008-07-18 | Stmicroelectronics Crolles Sas | Interconnexions d'un circuit electronique integre |
US8154107B2 (en) * | 2007-02-07 | 2012-04-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and a method of fabricating the device |
US7858532B2 (en) * | 2007-08-06 | 2010-12-28 | United Microelectronics Corp. | Dielectric layer structure and manufacturing method thereof |
US8049305B1 (en) * | 2008-10-16 | 2011-11-01 | Intermolecular, Inc. | Stress-engineered resistance-change memory device |
CN102760684A (zh) * | 2011-04-26 | 2012-10-31 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 金属互连方法 |
US8723392B2 (en) * | 2011-07-15 | 2014-05-13 | International Business Machines Corporation | Saw filter having planar barrier layer and method of making |
US9142507B1 (en) | 2014-02-28 | 2015-09-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Stress migration mitigation utilizing induced stress effects in metal trace of integrated circuit device |
US9455220B2 (en) | 2014-05-31 | 2016-09-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Apparatus and method for placing stressors on interconnects within an integrated circuit device to manage electromigration failures |
US9466569B2 (en) | 2014-11-12 | 2016-10-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Though-substrate vias (TSVs) and method therefor |
CN109192737B (zh) * | 2018-09-10 | 2021-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板 |
JP7321730B2 (ja) * | 2019-03-14 | 2023-08-07 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN112599483B (zh) * | 2020-12-11 | 2024-02-27 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 半导体器件及其制作方法、芯片 |
KR20230125384A (ko) * | 2022-02-21 | 2023-08-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004158832A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-06-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08306780A (ja) * | 1995-05-11 | 1996-11-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2836542B2 (ja) * | 1995-10-17 | 1998-12-14 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH09307106A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-11-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6219125B1 (en) * | 1996-07-26 | 2001-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode plate, process for producing the plate, for an LCD having a laminated electrode with a metal nitride layer |
JP3676185B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2005-07-27 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
JP4535629B2 (ja) * | 2001-02-21 | 2010-09-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2003257979A (ja) | 2001-12-25 | 2003-09-12 | Nec Electronics Corp | 銅配線構造およびその製造方法 |
JP2003303880A (ja) | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Nec Corp | 積層層間絶縁膜構造を利用した配線構造およびその製造方法 |
CN100352036C (zh) * | 2002-10-17 | 2007-11-28 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体器件及其制造方法 |
JP4454242B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2010-04-21 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置およびその製造方法 |
US7138332B2 (en) * | 2003-07-09 | 2006-11-21 | Asm Japan K.K. | Method of forming silicon carbide films |
-
2004
- 2004-06-18 JP JP2004180455A patent/JP2006005190A/ja active Pending
-
2005
- 2005-04-27 TW TW094113466A patent/TWI260067B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-06-10 CN CNB2005100780184A patent/CN100397637C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-17 US US11/155,272 patent/US7459786B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004158832A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-06-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008047886A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP4498391B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2010-07-07 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2008047675A (ja) * | 2006-08-15 | 2008-02-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4634977B2 (ja) * | 2006-08-15 | 2011-02-16 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2008066678A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法 |
WO2008117582A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Tokyo Electron Limited | カルボニル原料を使った金属膜の成膜方法、多層配線構造の形成方法、半導体装置の製造方法、成膜装置 |
JP2008244298A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 金属膜の成膜方法、多層配線構造の形成方法、半導体装置の製造方法、成膜装置 |
KR101188503B1 (ko) | 2007-03-28 | 2012-10-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 카보닐 원료를 사용한 금속막의 성막 방법, 다층 배선 구조의 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 성막 장치 |
JP2009027061A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100397637C (zh) | 2008-06-25 |
US20060006543A1 (en) | 2006-01-12 |
US7459786B2 (en) | 2008-12-02 |
CN1716589A (zh) | 2006-01-04 |
TWI260067B (en) | 2006-08-11 |
TW200601495A (en) | 2006-01-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061010 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
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