JP2008066678A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 絶縁基板上に第１の方向に延長されたゲート線及び前記ゲート線に接続されたゲート電極を含むゲート配線を形成し、
   前記絶縁基板上に前記ゲート線と交差するように第２の方向に延長されたデータ線、前記データ線に接続されたソース電極及び前記ソース電極と離隔されて設けられるドレイン電極を含み、前記ゲート配線と絶縁されているデータ配線を形成し、
   前記ゲート配線と前記データ配線上に各画素毎に前記ドレイン電極と接続された画素電極を形成し、
   前記ゲート配線又は前記データ配線の形成は、
   下部構造物上にバリヤ膜を形成し、
   前記バリヤ膜が形成されている下部構造物上に銅又は銅合金を含む銅導電膜を形成し、
   前記銅導電膜上に銅窒化物を含む中間膜を形成し、
   前記中間膜上にＭｏ、ＭｏＮ、ＭｏＷ、ＭｏＴｉ、ＭｏＮｂ、ＭｏＺｒ、ＩＺＯ、ＩＴＯ、アモルファスＩＴＯ、又はこれらの組み合わせを含むキャッピング膜を形成し、
   前記キャッピング膜、前記中間膜及び前記銅導電膜をエッチングして下部の前記バリヤ膜を露出させ、
   前記バリヤ膜をエッチングすること、
   を含み、
   前記バリヤ膜は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｚｒ、Ｗ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ又はこれらの化合物を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
2. 前記中間膜の形成は、窒素を含む雰囲気下で銅をターゲットとしてスパッタリングすることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
3. 前記中間膜の形成は、前記銅導電膜の形成に連続して窒素を供給しながらｉｎ−ｓｉｔｕにおこなわれることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
4. 前記中間膜の厚さは、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
5. 前記中間膜は、０．００１ａｔｏｍ％以上５０ａｔｏｍ％以下の窒素を含有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
6. 前記キャッピング膜、前記中間膜及び前記銅導電膜のエッチングは、ウエットエッチングであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
7. 前記キャッピング膜、前記中間膜及び前記銅導電膜のエッチングは、前記キャッピング膜、前記中間膜及び前記銅導電膜を一括的にエッチングすることを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
8. 前記バリヤ膜のエッチングは、ＨＣｌ、Ｃｌ_２、Ｈ_２、Ｏ_２又はこれらの組み合わせを含むエッチングガスを使用してドライエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
9. 前記データ配線の形成の前記バリヤ膜のエッチング後に前記エッチングされたバリヤ膜下部のオーミックコンタクト層をエッチングして下部の半導体層を露出させることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
10. 前記オーミックコンタクト層のエッチングは、前記データ配線のバリヤ膜と連続的にエッチングすることを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。