JPH10133597A

JPH10133597A - 配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法

Info

Publication number: JPH10133597A
Application number: JP20063497A
Authority: JP
Inventors: Atsumichi Ishikura; 淳理石倉; Makoto Kameyama; 誠亀山; Toshiaki Yoshikawa; 俊明吉川; Hiroyuki Tokunaga; 博之徳永
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-07-26
Filing date: 1997-07-25
Publication date: 1998-05-22

Abstract

(57)【要約】【課題】金属電極とガラス基板との密着性の向上と、
金属電極の酸化による腐食を防止する。【解決手段】ガラス基板２上に、窒素含有率が０．１
〜５０ａｔ％、より好ましくは１〜１０ａｔ％の窒化銅
からなる金属電極３を配線パターンして形成し、金属電
極３間にＵＶ硬化樹脂４を埋め込んで平坦化して配線基
板１を形成したことにより、金属電極３とガラス基板２
との密着性がよくなり、かつ金属電極３の酸化による腐
食が防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に電極を形
成した配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を
備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＴＮ（Twisted Nematic ）やＳＴＮ（Su
per Twisted Nematic ）型等の液晶素子では、従来よ
り、ガラス基板上に形成される透明電極にはＩＴＯ（In
dium Tin0xide）などが一般に用いられている。

【０００３】上述した従来の透明電極（ＩＴＯ）は抵抗
率が大きいため、最近のように表示面積の大型化、高精
細化に伴い、印加される電圧波形の遅延が問題になって
きた。特に、強誘電性液晶を用いた液晶素子では基板ギ
ャップ（液晶層の厚さ）がより狭いため（例えば、１．
０〜２．０μｍ程度）、電圧波形の遅延が顕著であっ
た。また、抵抗低減のために透明電極の膜厚を厚く形成
することも考えられるが、膜厚を厚くすると透過率が低
くなり、また、ガラス基板への密着性が悪くなり、成膜
にも長時間を要し、且つコストも高くなる等の問題点が
あった。

【０００４】このため、このような問題点を解決するた
めに、従来、アルミニウム等からなる低抵抗の金属電極
をガラス基板上に形成し、その上にＩＴＯ等の透明電極
を電気的に接するようにして形成された配線基板を備え
た液晶素子があるが、近年、液晶素子の高開口率化や高
速応答性等の要求によりさらに低抵抗の銅からなる金属
電極を有する配線基板が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに、アルミニウムより抵抗率の小さい銅を金属電極と
して用いた場合には、高開口率化や高速応答性等は向上
するが、ガラス基板との密着性や、銅の酸化による腐食
の問題があった。

【０００６】また、上述したように、配線パターンされ
た銅からなる金属電極間に、ＵＶ硬化樹脂等をロール等
でプレスして埋め込んで平坦化する場合、従来、金属電
極の上面に樹脂が僅かに残ってしまい、後の工程でこの
金属電極上に形成されるＩＴＯなどの透明電極とこの金
属電極間での良好な導通が得られない問題があった。

【０００７】そこで、本発明は、銅からなる金属電極の
酸化を防止し、且つ基板との密着性をよくし、また、樹
脂で埋め込まれる銅からなる金属電極が、この金属電極
上に形成されるＩＴＯなどの透明電極と良好な導通が得
られるようにした配線基板、該配線基板の製造方法、該
配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法を
提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、透光性基板上に、複数の第１
電極と該第１電極のそれぞれと電気的に接続した複数の
第２電極とを有する配線基板において、前記第１電極は
金属窒化物を含む電極であり、前記第２電極は透明電極
であることを特徴としている。

【０００９】また、透光性基板上に、複数の第１電極と
該第１電極のそれぞれと電気的に接続した複数の第２電
極とを有する配線基板の製造方法において、前記第１電
極を金属窒化物を含有させて形成し、前記第２電極を透
明電極で形成することを特徴としている。

【００１０】また、互いに対向するように配置された一
対の配線基板間に液晶を挟持してなる液晶素子におい
て、前記一対の配線基板の少なくとも一方は、光を透過
する透光性基板と、該透光性基板上に複数の第１電極
と、該第１電極のそれぞれと電気的に接続した複数の第
２電極とを備え、前記第１電極は金属窒化物を含む電極
であり、前記第２電極は透明電極であることを特徴とし
ている。

【００１１】また、互いに対向するように配置され電極
群を有する一対の配線基板間に液晶を挟持してなる液晶
素子の製造方法において、前記一対の配線基板の少なく
とも一方の前記電極を、透光性基板上に複数の第１電極
を金属窒化物を含有させて形成し、前記第１電極に電気
的に接続するようにして複数の第２電極を透明電極で形
成することを特徴としている。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態について説明する。

【００１３】図１〜図５は、本発明の実施の形態に係る
配線基板を示す模式的な概略断面図である。また、ま
た、図６は、本発明の実施の形態に係る液晶素子を示す
模式的な概略断面図である。

【００１４】本発明において、透光性基板（例えば、ガ
ラス基板）上に形成されるそれぞれの金属電極（第１電
極）は、金属窒化物を含有している。該金属電極は、Ｃ
ｕを含有する主導電層からなる単層構造の電極であって
もよい。また、少なくとも一層の主導電層を有する積層
構造の電極であってもよい。

【００１５】このような積層構造の例としては、以下の
ようなものが挙げられる。即ち、透光性基板（ガラス基
板）上に、（１）密着層と主導電層、（２）主導電層と
保護層、（３）密着層と主導電層と保護層、をそれぞれ
この順に積層した構造である。密着層と主導電層の間に
は、密着層を形成する材料と主導電層を形成する材料と
からなる混合層を設けてもよい。同様に、主導電層と保
護層との間には、主導電層を形成する材料と保護層を形
成する材料とからなる混合層を設けてもよい。

【００１６】図１〜図５に、上述したような構造を持つ
金属電極を有する配線基板１ａ〜１ｅを示す。

【００１７】図１〜図５において、それぞれの配線基板
１ａ〜１ｅは、ガラス基板２、ガラス基板２上に間隔を
おいて設けられた複数の金属電極（第１電極）３、該間
隔に設けられた高分子材料（例えば、ＵＶ硬化樹脂）か
らなる層４、金属電極３と高分子材料４上に、それぞれ
対応する金属電極３と電気的に接続するように設けられ
た複数の透明電極（例えば、ＩＴＯからなる電極）５を
有する。

【００１８】金属電極３は、図１に示すように主導電層
からなる単層構造であってもよく、図２〜図５に示すよ
うに積層構造であってもよい。積層構造の例としては、
密着層１１と主導電層１２からなるもの（図３参照）、
主導電層１２と保護層１３からなるもの（図４参照）、
密着層１１、主導電層１２、及び保護層１３からなるも
の（図２参照）、密着層１１、混合層１４、主導電層１
２、及び保護層１３からなるもの（図５参照）が挙げら
れる。

【００１９】金属電極３においても、密着層１１は、Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇからなる
群から選ばれる金属もしくは合金を含有することが好ま
しい。ガラス基板２と金属電極３との密着性を高めるた
めに、密着層１１の厚さは０．０１〜０．３μｍとする
ことが好ましい。厚さを０．０１μｍよりも薄くする
と、期待される密着性の向上が得られない可能性があ
る。また、厚さを０．３μｍより大きくすることも可能
ではあるが、コストが高くなるのであまり好ましくな
い。混合層１４中に窒素を含有させることにより、密着
性をさらに向上させることができる。

【００２０】主導電層１２は、銅からなる層、もしくは
銅と窒素とならなる層である。主導電層１２の少なくと
も一部を窒化銅で形成することにより、ガラス基板２と
金属電極３との密着性を高めることができる。主導電層
１２の厚さは０．５〜３．０μｍとすることが好まし
い。主導電層１２に窒素を添加する場合、窒素は均一に
添加されていても、局所的に添加されていてもよい。

【００２１】本発明において、主導電層１２と密着層１
１との界面近傍に窒素を偏在させることが、主導電層１
２の抵抗率を低く抑えつつ密着性を高められる点で好ま
しい。保護層１３を設けない場合、主導電層１２の表面
を窒化しておくと、実質的に保護層と同様の役割を果た
すことができるので好ましい。

【００２２】保護層１３は、、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃ
ｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｇからなる群から選ばれる金属もしく
は合金を含有することが好ましい。保護層１３の厚さは
０．０１〜０．３μｍとすることが、銅（主導電層１
２）の酸化を防止するという観点から好ましい。厚さを
０．３μｍより大きくすることも可能ではあるが、コス
トが高くなるのであまり好ましくはない。

【００２３】高分子材料４を用いない場合、主導電層１
２の表面が露出しないように、主導電層１２を覆うよう
に保護層１３を設けることが好ましい。保護層１３中に
窒素を含有させることにより、金属電極３の表面粗さを
大きくすることが可能である。金属電極３の表面粗さを
大きくすることによって、たとえ金属電極３上に高分子
材料４などの絶縁物が存在したとしても、金属電極３と
透明電極５との導通を確保することができる。

【００２４】混合層１４は密着層１１を形成する材料と
主導電層１２を形成する材料とからなることが好まし
い。混合層１４は窒素を含有していてもよい。混合層１
４の厚さは０．００５〜０．３μｍであることが好まし
い。

【００２５】上述した金属電極３を構成する層１１〜１
４はスパッタリング法などの通常の成膜法を用いて形成
することができる。その際、混合層１４は密着層１１を
形成する材料と主導電層１２を形成する材料との同時ス
パッタリングによって形成することができる。

【００２６】本発明において、窒素を含有する層中に
は、均一に窒素を存在していてもよく、窒素は偏在して
いてもよい。更に、窒素濃度（原子％：ａｔ％）に勾配
をもうけてもよい。

【００２７】窒素を含有する層を形成する際には、窒素
密度（ａｔ％）は、例えばスパッタリングプロセスにお
ける窒素ガス流量によってコントロールすることができ
る。窒素密度は、層構成、材料などに応じて調整するこ
とができるが、０．１〜５０ａｔ％とすることが好まし
く、０．１〜１０ａｔ％とすることがさらに好ましい。
窒素濃度が５０ａｔ％を越えると、層の強度が低下する
恐れがある。

【００２８】図６は、本発明に係る液晶素子の一例を示
す模式的な概略断面図である。

【００２９】図６に示す液晶素子１００は、一対の配線
基板１ａａ，１ａｂを有しており、該一対の配線基板１
ａａ，１ａｂは、予め定められた間隙（例えば１．０〜
２．５μｍ）を隔てて対向している。該間隙には液晶
（好ましくはカイラルスメクチック液晶）１７が充填さ
れている。そして、配線基板１ａａ，１ａｂの周辺近傍
はシール材（不図示）によってシールされている。これ
らの配線基板１ａａ，１ａｂの外側（液晶と反対側）に
は、偏向板１６ａ，１６ｂが、例えば互いにその透過軸
が直交するよう（クロスニコル）に配置されている。

【００３０】それぞれの配線基板１ａａ，１ａｂのいず
れか一方もしくは両方は、互いに独立に、図１〜図５に
示した配線基板１ａ〜１ｅと同様のものとすることがで
きる。配線基板１ａａ（１ａｂ）は、ガラス基板２ａ
（２ｂ）と、ガラス基板２ａ（２ｂ）上に互いに間隙に
設けられた絶縁性のＵＶ硬化樹脂層４ａ（４ｂ）と、金
属電極３ａ（３ｂ）と接続するように設けられた複数の
ＩＴＯからなる透明電極５ａ（５ｂ）と、を有してい
る。

【００３１】本発明においては、配線基板１ａａ，１ａ
ｂのいずれか一方のみを本発明の配線基板（例えば、図
１〜図５に示す配線基板１ａ〜１ｅ）とすればよく、い
ずれかを配線を有さない基板とすることも可能である。

【００３２】透明電極５ａ（５ｂ）上には、配向膜１５
ａ（１５ｂ）が形成されている。配向膜１５ａ（１５
ｂ）としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリシ
ロキサンなどを用いることができる。配向膜１５ａ，１
５ｂは互いに同一の材料からなっていても、異なる材料
からなっていてもよいが、少なくとも一方の配向膜１５
ａ（１５ｂ）にはラビング処理なその一軸配向処理を施
すことが好ましい。

【００３３】透明電極５ａと５ｂ（及び金属電極３ａと
３ｂ）は互いに直交してマトリックスを形成しているこ
とが好ましい。

【００３４】以下、具体的な実施例を用いて本発明を説
明する。

【００３５】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
係る配線基板の一例を示す概略断面図である。図１に示
す本発明の配線基板１ａにおいて、２はガラス基板、３
は所定の配線パターンに形成された金属電極（第１電
極）、４は金属電極３を埋め込んだＵＶ（紫外線）硬化
樹脂、５はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）からなる透明
電極である。

【００３６】金属電極３の全体は、ガラス基板２上に窒
素が含有された銅（窒化銅）で形成されており、金属電
極３の厚みは１μｍである。

【００３７】次に、上述した配線基板１ａの製造方法
を、図７、図８、図９を参照して説明する。

【００３８】先ず、３００×３４０ｍｍ、厚さ１．１ｍ
ｍのガラス基板２の表面にスパッタリング法により、金
属電極を構成する窒素が含有された銅（窒化銅）層１９
を１μｍの厚みで成膜した（図７（ａ）参照）。この
際、銅に含有される窒素の含有率が０〜２０ａｔ％とな
るようにそれぞれスパッタリングを行って成膜し、窒素
含有率の異なる銅層からなる７個の金属電極３を形成し
た。尚、上記ａｔ％は、全体（銅と窒素）の原子数のう
ち窒素の原子数が何％かを示している。

【００３９】この時の成膜条件は、基板温度３００℃、
成膜圧力５ｍｔｏｒｒで、アルゴンガス流量１００ｓｃ
ｃｍに対して窒素ガス流量を０，１，５，１０，１２，
１５，２０ｓｃｃｍとし、この２種のガスを混合した。
そして、これらの成膜条件で作製された窒素含有率の異
なる各銅（窒化銅）層１９について、体積抵抗率、応力
の測定、クロスカットテープ試験を行った。表１はこれ
らの結果を示したものである。

【００４０】

【表１】尚、体積抵抗率の測定は、定電流電源を用いて電極の長
手方向に電流を流し、その電流が流れている２点間の電
圧を測定して、その結果から体積抵抗率を求めた（４端
子法）測定時の温度は２２℃、湿度は４５％である。ク
ロスカットテープ試験は、膜に５ｍｍ間隔の切れ目を縦
に５本、横に６本入れ、その上にセロファンテープ（ニ
チバン社製）を貼り、垂直に一気に剥して、セロファン
テープと一緒に剥れた格子の数で評価した。また、窒素
含有率はＷＤＸ（波長分散型Ｘ線マイクロアナライザ
ー）で評価した。

【００４１】膜の応力（σ）は、フィゾー干渉計（Ｚｙ
ｇｏ（社）製のマークＩＩＩ）を用いて、成膜前のガラ
ス基板の干渉縞と成膜後のガラス基板の干渉縞とを測定
し、そのデータから膜の応力により変形したガラス基板
の反り量（曲率半径Ｒ）を求め、この反り量（曲率半径
Ｒ）を次式に代入することにより求めた。

【００４２】 σ＝Ｅ・Ｄ² ／（６・（１−μ）・ｄ・Ｒ）ここで、Ｅ（Ｎ／ｍ² ）：ガラス基板のヤング率、μ：
ガラス基板のポアソン比、Ｄ（ｍ）：ガラス基板の厚
さ、ｄ（ｍ）：膜厚である。

【００４３】この結果から明らかなように、窒素含有率
が０．１〜１０ａｔ％、より好ましくは１．０〜１０ａ
ｔ％の銅層５の場合、ガラス基板２との密着性がよく、
クロスカットテープ試験でも２０個の格子の剥れは少な
かった。また、窒素含有率が０．１〜１０ａｔ％の範囲
では、体積抵抗率も窒素含有率が０ａｔ％の時とほぼ同
様の値であった。尚、窒素流量が１２ｓｃｃｍ以上で応
力は低減しているが、これは銅層１９とガラス基板２の
密着力が向上したためと考えられる。但し、窒素含有率
が１２ａｔ％以上では銅がもろくなり、粉々になって剥
離してしまった。

【００４４】次に、上述した窒素含有率が０．１〜１０
ａｔ％の銅層１９を成膜したガラス基板２上にフォトレ
ジスト（東京応化工業（株）社製；商品名：ＯＦＰＲ−
８００）６をスピンコート法により２μｍの厚みで塗布
し、配線パターンが描かれているのフォトマスク７を通
して露光した後、このフォトレジスト６を現像、ポスト
ベークしてエッチングパターン８を形成する（図７
（ｂ），（ｃ）参照）。

【００４５】次に、ガラス基板２上に成膜された銅（窒
化銅）層１９をエッチング液であるＦｅＣｌ₃ 溶液でエ
ッチング処理を行い、その後、エッチングパターン８を
剥離して、ガラス基板２上に窒素が含有された銅からな
る金属電極３を形成した（図７（ｄ）参照）。この金属
電極３は、幅８μｍでピッチ３２０μｍのストライプ状
にパターンニングされている。

【００４６】次に、平滑板１０の表面上に、ＵＶ硬化樹
脂４をディスペンサー２１で所定量滴下し（図８（ａ）
参照）、ＵＶ硬化樹脂４が滴下された平滑板１０に対し
て、上述したガラス基板２の配線パターンされた金属電
極３側を接触させてＵＶ硬化樹脂４を挟んだ（図８
（ｂ）参照）。

【００４７】次に、平滑板１０とガラス基板２とでＵＶ
硬化樹脂４を挟んだ一体物をプレス機の上・下プレス板
２２ａ，２２ｂ内に入れて、プレス圧Ｐにより平滑板１
０とガラス基板２とを密着させた（図８（ｃ）参照）。
この時、ＵＶ硬化樹脂４を金属電極３の表面上から排除
するか、又は該表面の一部に極薄く樹脂が残る程度にな
るように、平滑板１０とガラス基板２とを強く、しかも
基板全面に均一に密着させるようにした。

【００４８】次に、このＵＶ硬化樹脂４を硬化させるた
めに、平滑板１０とガラス基板２の一体物を上・下プレ
ス板２２ａ，２２ｂ内から取り出し、ガラス基板２側か
らＵＶ光２３を照射（１００Ｗの４本の高圧水銀ランプ
で２分間）してＵＶ硬化樹脂４を硬化させた（図８
（ｄ）参照）。次に、離型装置（図示省略）により平滑
板１０からガラス基板２を剥離することにより（図８
（ｅ）参照）、図１に示した金属電極３間にＵＶ硬化樹
脂４を埋め込んで平坦化した透明電極が形成されていな
い配線基板を得た。

【００４９】そして、作製されたこの配線基板で温度６
０℃、湿度９０％で５００時間の高温高湿試験を行い、
目視で酸化の有無を調べた結果、金属電極３の露出して
いる上面及びＵＶ硬化樹脂４で埋め込まれている側面と
も酸化は認められなかった。

【００５０】次に、金属電極３ａとＵＶ硬化樹脂４ａ上
に透明電極を構成するＩＴＯ層３０を、スパッタリング
法により７００Åの厚みで形成した（図９（ａ）参
照）。

【００５１】次に、このＩＴＯ層３０上にフォトレジス
ト３１をスピンコート法により２μｍの厚みで塗布し、
配線パターンが描かれているフォトマスク３２を通して
露光した後、フォトレジスト３１を現像、ポストベーク
してエッチングパターン３３を形成した（図９（ｂ）、
（ｃ）参照）。

【００５２】次に、エッチングパターン３３が形成され
たガラス基板２ａをエッチング液であるヨウ化水素酸に
浸して、エッチングパターン３３で覆われていない部分
のＩＴＯ層３０をエッチングし、その後エッチングパタ
ーン３３を剥離して透明電極５ａを配線パターンニング
して、図１に示した配線基板１ａを得た（図９（ｄ）参
照）。

【００５３】次に、透明電極５ａ上にポリアミド酸（日
立化成（株）社製；商品名：ＬＱ１８００）をＮＭＰ／
ｎＢＣ＝１／１液で１．５ｗｔ％に希釈した溶液をスピ
ンコートで２０００ｒｐｍ、２０ｓｅｃの条件で塗布
し、その後２７０℃で約１時間加熱焼成処理を施して、
厚さ２００Å程度の配向膜１５ａを形成した（図９
（ｅ）参照）。そして、この配向膜１５ａに対してラビ
ング処理を施した。

【００５４】このように、窒素を０．１〜１０ａｔ％含
有した銅によって金属電極３を形成したことにより、ガ
ラス基板２との密着性が向上し、且つ表面に不動態膜が
形成されて金属電極３の酸化を防止することができた。
更に、金属電極３の体積抵抗率の低下も防止することが
できた。

【００５５】（実施例２）本実施例では、図２に示すよ
うに、ガラス基板２上に形成される金属電極３を、ガラ
ス基板２と密着する窒素が含有された銅（窒化銅）から
なる密着層（下地層）１１と、銅からなる主導電層１２
と、主導電層１２表面の酸化を防止する窒素が含有され
た銅（窒化銅）からなる保護層（酸化防止層）１３の多
層膜構造で構成した。密着層（下地層）１１の好ましい
厚みの範囲は０．０１〜０．３μｍ、主導電層１２の好
ましい厚みの範囲は０．５〜３μｍ、保護層（酸化防止
層）１３の好ましい厚みの範囲は０．０１〜０．３μｍ
である。これらの数値は以下の各実施例においても同様
である。

【００５６】この金属電極３の製造方法は、ガラス基板
２の表面にスパッタリング法により、密着層１１である
窒素が含有された窒化銅層を５００Åの厚みで成膜した
後、その上に主導電層１２である銅層を１μｍの厚みで
成膜し、更にその上に保護層１３である窒素が含有され
た窒化銅層を１０００Åの厚みで成膜した。この際、密
着層１１、保護層１３である銅（窒化銅）層に含有され
る窒素の含有率が０〜７０ａｔ％となるようにそれぞれ
スパッタリングを行って成膜し、窒素含有率の異なる密
着層１１、保護層１３を有する７個の金属電極を形成し
た。

【００５７】尚、それぞれの金属電極で、密着層（窒化
銅層）１１中の窒素含有率と保護層（窒化銅層）１３中
の窒素含有率は同一とした。

【００５８】この時の窒素が含有された密着層（窒化銅
層）１１と保護層（窒化銅層）１３の成膜条件は、基板
温度３００℃、成膜圧力５ｍｔｏｒｒで、アルゴンガス
流量１００ｓｃｃｍに対して窒素ガス流量を０，７，１
０，２０，５０，６０，７０ｓｃｃｍとし、この２種の
ガスを混合して窒素含有率の異なる窒化銅層１１、１３
をそれぞれ成膜した。また、主導電層（銅層）１２の成
膜条件は、基板温度３００℃、成膜圧力５ｍｔｏｒｒ
で、アルゴンガス流量１００ｓｃｃｍとした。そして、
これらの成膜条件で作製された窒素含有率の異なる密着
層（窒化銅層）１１と保護層（窒化銅層）１３につい
て、体積抵抗率、応力の測定、クロスカットテープ試験
を行った。表２はこれらの結果を示したものである。

【００５９】

【表２】尚、体積抵抗率、応力の測定、クロスカットテープ試験
の方法は実施例１と同様である。

【００６０】この結果から明らかなように、窒素含有率
が５〜４０ａｔ％の密着層（窒化銅層）１１の場合、ガ
ラス基板２との密着性がよく、クロスカットテープ試験
でも２０個の格子の剥れは少なかった。

【００６１】次に、この密着層（窒化銅層）１１、主導
電層（銅層）１２、保護層（窒化銅層）１３のエッチン
グ処理を、実施例１と同様の方法で行って、金属電極３
を得た。この金属電極３は、幅８μｍでピッチ３２０μ
ｍのストライプ状にパターンニングされている。

【００６２】そして、実施例１と同様の方法で、金属電
極３間にＵＶ硬化樹脂４を埋め込んで平坦化した配線基
板を得た。

【００６３】そして、作製されたこの配線基板１ｂで温
度６０℃、湿度９０％で５００時間の高温高湿試験を行
った結果、金属電極３の保護層１３で保護されている主
導電層１２の上面及びＵＶ硬化樹脂４で埋め込まれてい
る側面とも酸化は認められなかった。

【００６４】そして、実施例１と同様の方法で透明電極
５を形成し、図２に示す配線基板１ｂを得た。

【００６５】このように、金属電極３を、窒素が含有さ
れた銅（窒化銅）からなる密着層１１と、銅からなる主
導電層１２と、窒素が含有された銅（窒化銅）からなる
保護層（酸化防止層）１３の多層膜構造とし、密着層１
１と保護層１３を窒素を５〜４０ａｔ％含有した銅によ
って形成したことにより、ガラス基板２との密着性が向
上し、且つ銅からなる主導電層２１の酸化を防止するこ
とができた。

【００６６】（実施例３）本実施例では、ガラス基板２
上に形成される銅からなる金属電極３のガラス基板２側
と上面側をグラディエントに窒化して構成した。

【００６７】この金属電極３の製造方法は、図２に示す
ように、先ず、ガラス基板２の表面にスパッタリング法
により、金属電極を構成するガラス基板２側と上面側を
グラディエントに窒化した窒化銅層を１μｍ程度の厚み
で成膜した。

【００６８】この時の窒化銅層の成膜条件は、先ず、基
板温度３００℃、成膜圧力５ｍｔｏｒｒで、アルゴンガ
スを流量１００ｓｃｃｍで固定し、窒素ガスを流量２０
ｓｃｃｍで流し始め、２００秒で窒素ガスの流量が０に
なるようにマスフローでプログラムを組むことでガス流
量を制御した。このとき、グラディエントに窒化された
ガラス基板２側の層１１の膜厚は１５００Å程度であっ
た。そして、窒素ガス流量が０になった状態で１０００
秒間で、７０００Å程度の膜厚で層１２を成膜し、その
後、連続して窒素ガスの流量を０〜２０ｓｃｃｍまで２
００秒かけて増加させて、この層１２上にグラディエン
トに窒化された膜厚１５００Å程度の層１３を成膜し
た。

【００６９】そして、窒素ガスの流量を２０ｓｃｃｍだ
けでなく、０，３，７，１０，３０，５０ｓｃｃｍと窒
素流量を変化させてガラス基板２側と上面側がグラディ
エントにそれぞれ窒化された窒化銅層を有する７個の金
属電極３を形成し、これらの成膜条件で形成された窒素
ガス流量の異なる窒化銅層について、体積抵抗率、応力
の測定、クロスカットテープ試験を行った。表３はこれ
らの結果を示したものである。

【００７０】

【表３】尚、体積抵抗率、応力の測定、クロスカットテープ試験
の方法は実施例１と同様である。ガラス基板２界面近傍
での窒素含有率はＳＩＭＳで測定した。

【００７１】この結果から明らかなように、窒素流量を
３〜３０ｓｃｃｍにして銅からなる金属電極３のガラス
基板２側と上面側をグラディエントに窒化した場合、ガ
ラス基板２との密着性がよく、クロスカットテープ試験
でも２０個の格子の剥れは少なかった。

【００７２】以下、実施例１と同様の方法で透明電極を
形成し、図２に示すような配線基板を得た。

【００７３】そして、作製されたこの配線基板で前記同
様に、温度６０℃、湿度９０％で５００時間の高温高湿
試験を行った結果、ガラス基板２側と上面側をグラディ
エントに窒化されている銅からなる金属電極３の上面及
びＵＶ硬化樹脂で埋め込まれている側面とも酸化は認め
られなかった。

【００７４】（実施例４）本実施例では、図２に示すよ
うに、ガラス基板２上に形成される金属電極３を、ガラ
ス基板２と密着するモリブデンからなる密着層１１と、
窒素が含有された銅（窒化銅）からなる主導電層１２
と、主導電層１２表面の酸化を防止するモリブデンから
なる保護層（酸化防止層）１３の多層膜構造で構成し
た。

【００７５】この金属電極３の製造方法は、ガラス基板
２の表面にスパッタリング法により、密着層１１である
モリブデン層を３００Åの厚みで成膜した後、その上に
主導電層１２である窒素が含有された銅（窒化銅）層を
２μｍの厚みで成膜し、更にその上に保護層１３である
モリブデン層を３００Åの厚みで成膜した。この際、主
導電層（窒化銅）層１２に含有される窒素の含有率が０
〜５０ａｔ％となるようにそれぞれスパッタリングを行
って成膜し、窒素含有率の異なる主導電層（窒化銅）層
１２を有する７個の金属電極を形成した。

【００７６】この時のモリブデン層の成膜条件は、基板
温度３００℃、成膜圧力５ｍｔｏｒｒで、アルゴンガス
流量１００ｓｃｃｍである。また、窒素が含有された銅
（窒化銅）層の成膜条件は、基板温度３００℃、成膜圧
力５ｍｔｏｒｒで、アルゴンガス流量１００ｓｃｃｍに
対して窒素ガス流量を０，５，１０，２０，５０，６
０，７０ｃｃｍとし、この２種のガスを混合して窒素含
有率の異なる銅（窒化銅）層をそれぞれ成膜した。そし
て、これらの成膜条件で形成された各銅（窒化銅）層に
ついて、体積抵抗率、応力の測定、クロスカットテープ
試験を行った。表４はこれらの結果を示したものであ
る。但し、体積抵抗率測定用、ＷＤＸによる窒素含有率
測定は、保護層１３であるモリブデン層をＨＣｌ，ＨＮ
Ｏ₃ ，ＣＨ₃ＣＯＯＨの混合液（ＣＨＣｌ＝ＨＮＯ₃ ：
ＣＨ₃ ＣＯＯＨ：Ｈ₂ Ｏ＝１：１：０．１：５（体積
比））でエッチングすることで、窒素が含有された主導
電層（窒化銅層）１２を露出させて行った。

【００７７】

【表４】尚、体積抵抗率、応力の測定、クロスカットテープ試験
の方法は実施例１と同様である。

【００７８】この結果から明らかなように、密着層１１
としてモリブデン層を形成したことにより、ガラス基板
２との密着性がよくなった。また、主導電層１２である
窒素が含有された銅（窒化銅）層は、その厚みが２μｍ
と厚いために応力が大きくなり、窒素が含有が０ａｔ％
の銅層の場合に剥離が生じたが、窒素含有率が５〜４０
ａｔ％の範囲では、テープ試験で２０個の格子の剥がれ
は確認されなかった。

【００７９】これは、主導電層１２である銅（窒化銅）
層に窒素が添加されたことで、応力が減少したためであ
る。また、窒素含有率が５〜４０ａｔ％の範囲では体積
低効率は、窒素が含有が０ａｔ％の主導電層１２の場合
と同程度であった。

【００８０】次に、この密着層１１であるモリブデン
層、主導電層１２である窒素が含有された銅（窒化銅）
層、保護層１３であるモリブデン層のエッチング処理
を、実施例１と同様にして行った。尚、このとき使用し
たエッチング液（モリブデン層用）は、ＨＣｌ，ＨＮＯ
₃ ，ＣＨ₃ ＣＯＯＨの混合液である。

【００８１】以下、実施例１と同様の方法で透明電極を
形成し、図２に示すような配線基板を得た。

【００８２】そして、作製されたこの配線基板で前記同
様に、温度６０℃、湿度９０％で５００時間の高温高湿
試験を行った結果、金属電極３の保護層１３で保護され
ている主導電層１２の上面及びＵＶ硬化樹脂で埋め込ま
れている側面とも酸化は認められなかった。

【００８３】（実施例５）本実施例では、図２に示すよ
うに、ガラス基板２上に形成される金属電極３を、ガラ
ス基板２と密着する窒素が含有されたニッケルからなる
密着層１１と、窒素が含有された銅（窒化銅）からなる
主導電層１２と、主導電層１２表面の酸化を防止する窒
素が含有されたニッケルからなる保護層（酸化防止層）
１３の多層膜構造で構成した。

【００８４】この金属電極３の製造方法は、ガラス基板
２の表面にスパッタリング法により、密着層１１である
窒素が含有されたニッケル層を３００Åの厚みで成膜し
た後、その上に主導電層１２である窒素が含有された銅
層を２μｍの厚みで成膜し、更にその上に保護層１３で
ある窒素が含有されたニッケル層を３００Åの厚みで成
膜した。この際、密着層（ニッケル層）１１、主導電層
（銅窒化銅）層１２、保護層（ニッケル層）１３に含有
される窒素の含有率が０〜６０ａｔ％となるようにそれ
ぞれスパッタリングを行って成膜し、窒素含有率の異な
る密着層（ニッケル層）１１、主導電層（銅窒化銅）層
１２、保護層（ニッケル層）１３を有する７個の金属電
極を形成した。

【００８５】この時の密着層（ニッケル層）１１、主導
電層（銅窒化銅）層１２、保護層（ニッケル層）１３の
成膜条件は、基板温度３００℃、成膜圧力５ｍｔｏｒｒ
で、アルゴンガス流量１００ｓｃｃｍに対して窒素ガス
流量を０，５，１０，２０，５０，６０，７０ｓｃｃｍ
とし、この２種のガスを混合して窒素含有率の異なる密
着層（ニッケル層）１１、主導電層（銅窒化銅）層１
２、保護層（ニッケル層）１３をそれぞれ成膜した。そ
して、これらの成膜条件で作製された窒素が含有された
金属電極３について、体積抵抗率、応力の測定、クロス
カットテープ試験を行った。表５はこれらの結果を示し
たものである。但し、体積抵抗率測定用、ＷＤＸによる
窒素含有率測定は、保護層１３であるニッケル層をＦｅ
Ｃｌ₃ 溶液でエッチングすることで、窒素が含有された
主導電層（銅窒化銅）層１２を露出させて行った。

【００８６】

【表５】尚、体積抵抗率、応力の測定、クロスカットテープ試験
の方法は実施例１と同様である。

【００８７】この結果から明らかなように、窒素含有率
が５〜４０ａｔ％の密着層１１であるニッケル層の場
合、ガラス基板２との密着性がよく、クロスカットテー
プ試験でも２０個の格子の剥れは確認されなかった。

【００８８】以下、実施例１と同様の方法で透明電極を
形成し、図２に示すような配線基板を得た。

【００８９】そして、作製されたこの配線基板で前記同
様に、温度６０℃、湿度９０％で５００時間の高温高湿
試験を行った結果、金属電極３の保護層１３で保護され
ている主導電層１２の上面及びＵＶ硬化樹脂で埋め込ま
れている側面とも酸化は認められなかった。

【００９０】（実施例６）本実施例では、図３に示すよ
うに、ガラス基板２上に形成される金属電極３を、ガラ
ス基板２と密着するニッケル−モリブデン合金（モリブ
デン率１５％）からなる密着層１１と、窒素が含有され
た銅（窒化銅）からなる主導電層１２の多層膜構造で構
成した。

【００９１】この金属電極３の製造方法は、先ず、ガラ
ス基板２の表面にスパッタリング法（３００℃、５ｍｔ
ｏｒｒ、Ａｒガス流量：１００ｓｃｃｍ）により、密着
層１１であるニッケル−モリブデン合金（モリブデン率
１５％）層を３００Åの厚みで成膜した後、その上に主
導電層１２である銅層を１μｍの厚みで成膜した。

【００９２】次に、密着層（ニッケル−モリブデン合金
層）１１と主導電層（窒化銅層）１２が成膜されたガラ
ス基板２を窒素雰囲気中のチャンバー内でアニールし
た。この時アニール条件は、窒素圧力１０ｔｏｒｒ、ア
ニール温度３００℃、アニール時間３ｈである。

【００９３】そして、このように密着層（ニッケル−モ
リブデン合金層）１１と主導電層（窒化銅層）１２をＳ
ＩＭＳで分析したところ、主導電層（窒化銅層）１２の
表面から２０００Å程度の深さまで窒化銅が形成されて
いた。また、テープ剥離試験では剥離は確認されなかっ
た。また、プローブ間距離を小さくすることにより表面
近傍の体積抵抗率を測定したところ、６．２×１０Ｅ−
６（Ωｃｍ）であった。更に、窒化された主導電層（窒
化銅層）１２の表面から２０００Å程度の深さまでＦｅ
Ｃｌ₃ 溶液でエッチングして体積抵抗率を測定したとこ
ろ、２．１×１０Ｅ−６（Ωｃｍ）であった。また、電
極全体の体積抵抗率も２．１×１０Ｅ−６（Ωｃｍ）で
あった。更に、窒化された主導電層（窒化銅層）１２
（表面近傍）中の窒素含有率をＷＤＸによって測定した
ところ２５ａｔ％であった。

【００９４】以下、実施例１と同様の方法で透明電極５
を配線パターンニングして、図３に示す配線基板１ｃを
得た。

【００９５】そして、作製されたこの配線基板１ｃで前
記同様に、温度６０℃、湿度９０％で５００時間の高温
高湿試験を行った結果、金属電極３の主導電層１２の上
面及びＵＶ硬化樹脂４で埋め込まれている側面とも酸化
は認められなかった。

【００９６】（実施例７）本実施例では、図４に示すよ
うに、ガラス基板２上に形成される金属電極３を、銅か
らなる主導電層１２と、主導電層１２表面の酸化を防止
する窒素が含有されたモリブデンからなる保護層（酸化
防止層）１３の多層膜構造で構成した。

【００９７】この金属電極３の製造方法は、先ず、ガラ
ス基板２の表面にスパッタリング法により、主導電層１
２である銅層を１μｍの厚みで成膜した後、その上に保
護層１３である窒素が含有されたモリブデン層を３００
Åの厚みで成膜した。

【００９８】この時の主導電層（銅層）１２の成膜条件
は、基板温度２００℃、成膜圧力３ｍｔｏｒｒ、投入パ
ワー７ｋｗ、成膜時間１２ｍｉｎ、アルゴンガス流量１
００ｓｃｃｍである。また、窒素が含有された保護層
（モリブデン層）１３の成膜条件は、基板温度２００
℃、成膜圧力３ｍｔｏｒｒ、投入パワー７ｋｗ、成膜時
間１２ｍｉｎ、アルゴンガス流量１００ｓｃｃｍ、窒素
ガス流量３ｓｃｃｍとした。そして、このように成膜さ
れた保護層（モリブデン層）１３を、ＷＤＸ及びＳＩＭ
Ｓによって窒素含有率を測定したところ１．２ａｔ％で
あった。

【００９９】次に、主導電層１２である銅層、保護層１
３である窒素が含有されたモリブデン層のエッチング処
理を、実施例１と同様の方法で行って金属電極３を得
た。この金属電極３は、幅１８μｍでピッチ３２０μｍ
のストライプ状にパターンニングされている。尚、この
とき、保護層（モリブデン層）１３を、Ｋ₃ ［Ｆｅ（Ｃ
Ｎ）₆ ］：３００ｇ、ＮａＯＨ：５０ｇ、Ｈ₂ Ｏ：１リ
ットルの混合液でエッチングし、このエッチングで露出
した主導電層（銅層）１２の表面の酸化膜をＨＣｌで洗
浄した後、主導電層（銅層）１２をＣｕＣｌ₃ （２０％
溶液）溶液でエッチングした。

【０１００】次に、実施例１と同様の方法で、金属電極
３間にＵＶ硬化樹脂４を埋め込んで平坦化した配線基板
を得た。そして、この配線基板の平坦化された金属電極
３の保護層１３とＵＶ硬化樹脂４上に、透明電極を構成
するＩＴＯ層をスパッタリング法で成膜し、フォトリソ
・エッチング法により透明電極５を７００Å程度の厚み
で形成して、図４に示す配線基板１ｄを得た。

【０１０１】そして、本実施例で得られた配線基板１ｄ
との比較のために、上述したスパッタ時に、保護層であ
るモリブデンをスパッタせずに（密着層（モリブデン
層）はあり）、主導電層である銅を窒素を含有させるこ
となく（窒素ドープなし）、基板温度（成膜温度）２０
０℃と４５０℃でそれぞれ成膜し、その後は同様にして
２つの比較用の配線基板を作製した。尚、成膜時の基板
温度以外は、上述した成膜条件と同様である。

【０１０２】そして、本実施例で得られた配線基板１ｄ
と、２つの比較用の配線基板（基板温度２００℃で窒素
ドープなし、基板温度４５０℃で窒素ドープなし）につ
いて、金属電極と透明電極（本実施例では金属電極３と
透明電極５）との導通をライン方向で測定したところ、
図１０に示すような結果が得られた。この測定方法は、
配線ライン（幅１８μｍ、長さ３０ｃｍ）に電流を流
し、基点から５ｃｍ間隔で基点と測定ポイント間の電圧
を測定した。尚、この図において、黒三角は、基板温度
２００℃で窒素ドープなしで形成した比較用の配線基
板、白丸は、本実施例の基板温度２００℃で窒素をドー
プして形成した配線基板１ｄと、基板温度４５０℃で窒
素ドープなしで形成した比較用の配線基板であり、この
２つは略同様の測定値であった。

【０１０３】この測定結果から明らかなように、本実施
例の配線基板１ｄは、配線長に比例して抵抗値が大きく
なり、ライン全体の抵抗値も５００Ω程度であり計算値
と略一値する。一方、基板温度２００℃で窒素ドープな
しで形成した比較用の配線基板は、配線長と抵抗値に比
例関係が見られず、抵抗値も高いところでは５ｋΩ程度
と高い値を示している。

【０１０４】また、下記に示す表６は、上述したエッチ
ング処理で形成された本実施例の金属電極３と、２つの
比較用の金属電極（基板温度２００℃で窒素ドープな
し、基板温度４５０℃で窒素ドープなし）の表面粗さの
測定結果を示したものである。前記表面粗さの測定は、
ＴＥＮＣＯＲｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製のＡＬＰＨＡ
ＳＴＥＰ５００を使用した。

【０１０５】

【表６】この測定結果から明らかなように、本実施例の金属電極
３は表面粗さが５００Å程度で最も粗かった。また、基
板温度４５０℃で窒素ドープなしでエッチング処理した
比較用の金属電極は表面粗さが４００Å程度であり、基
板温度２００℃で窒素ドープなしで形成した比較用の金
属電極は表面粗さが５０Å程度であった。

【０１０６】また、窒素をドープした金属電極３の表面
粗さを１００〜６００Å程度した場合においても、図１
０に示したように配線長と抵抗値は比例関係となり、金
属電極３と透明電極５間の良好な導通が得られた。

【０１０７】更に、作製されたこの配線基板１ｄで前記
同様に、温度６０℃、湿度９０％で５００時間の高温高
湿試験を行った結果、保護層１３で保護されている主導
電層１２の上面及びＵＶ硬化樹脂で埋め込まれている側
面とも酸化は認められなかった。

【０１０８】このように、金属電極３を、銅からなる主
導電層１２と、窒素が含有されたモリブデンからなる保
護層（酸化防止層）１３の多層膜構造としたことによ
り、銅からなる主導電層１２の酸化を防止することがで
きる。

【０１０９】また、本実施例に係る金属電極３は、保護
層１３の表面が粗く形成されることにより、金属電極３
間をＵＶ硬化樹脂４等の樹脂で埋め込んだ際に、金属電
極３の表面の一部に極薄に樹脂が残っていても、金属電
極３の尖って粗い表面はこの樹脂上に露出することによ
って、金属電極３上に形成される透明電極５とが確実に
電気的に接続され、良好な導通を得ることができる。

【０１１０】更に、金属電極３の製造時のスパッタリン
グによる成膜を２００℃と低温で行うことにより、ガラ
ス基板２上にカラーフィルター、樹脂ブラックマトリッ
クス等を形成した場合でも高温に晒されることがないの
で、カラーフィルター、樹脂ブラックマトリックス等へ
の影響を防止することができる。

【０１１１】（実施例８）本実施例では、図４に示すよ
うに、ガラス基板２上に形成される金属電極３を、銅か
らなる主導電層１２と、主導電層１２表面の酸化を防止
する窒素が含有された銅（窒化銅）からなる保護層（酸
化防止層）１３の多層膜構造で構成した。

【０１１２】この金属電極３の製造方法は、ガラス基板
２の表面にスパッタリング法により、主導電層１２であ
る銅層を９５００Åの厚みで成膜し、その上に保護層１
３である窒素が含有された銅層を５００Åの厚みで成膜
した。

【０１１３】この時の主導電層（銅層）１２の成膜条件
は、基板温度２００℃、成膜圧力３ｍｔｏｒｒ、投入パ
ワー７ｋｗ、成膜時間１１．５ｍｉｎ、アルゴンガス流
量１００ｓｃｃｍである。また、窒素が含有された保護
層（銅層）１３の成膜条件は、基板温度２００℃、成膜
圧力５ｍｔｏｒｒ、投入パワー７ｋｗ、成膜時間３０ｓ
ｅｃ、アルゴンガス流量１００ｓｃｃｍ、窒素ガス流量
３ｓｃｃｍとした。そして、このように成膜された窒素
が含有された保護層（銅層）１３をＷＤＸ及びＳＩＭＳ
によって窒素含有率を測定したところ１．７ａｔ％であ
った。

【０１１４】次に、主導電層（銅層）１２、保護層（銅
層）１３のエッチング処理を、実施１と同様の方法で行
って金属電極３を得た。この金属電極３は、幅１８μｍ
でピッチ３２０μｍのストライプ状にパターンニングさ
れている。尚、このときの使用したエッチング液はＦｅ
Ｃｌ₃ （９％溶液）である。

【０１１５】次に、実施例１と同様にして、透明電極５
を形成した図４に示すような配線基板１ｄを得た。

【０１１６】そして、本実施例で得られた配線基板１ｄ
との比較のために、上述したスパッタ時に、保護層であ
る窒素を含有した銅をスパッタせず（基板温度２００℃
で窒素ドープなし）に、主導電層である銅だけを成膜
し、その後は同様にして比較用の配線基板を作製した。
尚、成膜条件は同様である。

【０１１７】そして、本実施例で得られた配線基板１ｄ
と、比較用の配線基板（窒素ドープなし）について、実
施例７と同様の方法で、金属電極と透明電極（本実施例
では金属電極３と透明電極５）との導通をライン方向で
測定したところ、図１１に示すような結果が得られた。
この図において、黒三角は比較例用の配線基板、白丸は
本実施例の配線基板であり、本実施例の配線基板では、
配線長と抵抗値はほぼ比例している。

【０１１８】また、下記に示す表７は、上述したエッチ
ング処理で形成された本実施の形態の金属電極３と、比
較用の金属電極（基板温度２００℃で窒素ドープなし）
の表面粗さの測定結果を示したものである。

【０１１９】

【表７】この測定結果から明らかなように、本実施例の金属電極
３は表面粗さが４００Å程度と粗かった。また、基板温
度２００℃で窒素ドープなしで形成した比較用の金属電
極は表面粗さが５０Å程度であった。

【０１２０】（実施例９）本実施例では、図４に示すよ
うに、ガラス基板２上に形成される金属電極３を、銅か
らなる主導電層１２と、主導電層１２表面の酸化を防止
するニッケルからなる保護層（酸化防止層）１３の多層
膜構造で構成した。

【０１２１】この金属電極３の製造方法は、ガラス基板
２の表面にスパッタリング法により、主導電層（銅層）
１３を１μｍの厚みで成膜し、その上に保護層（ニッケ
ル層）１３を３００Åの厚みで成膜した。

【０１２２】このときの主導電層（銅層）１３の成膜条
件は、基板温度２００℃、成膜圧力３ｍｔｏｒｒ、投入
パワー７ｋｗ、成膜時間１２ｍｉｎ、アルゴンガス流量
１００ｓｃｃｍである。また、保護層（ニッケル層）１
３の成膜条件は、基板温度２００℃、成膜圧力３ｍｔｏ
ｒｒ、投入パワー２ｋｗ、成膜時間３０ｓｅｃ、アルゴ
ンガス流量１００ｓｃｃｍとした。

【０１２３】次に、主導電層（銅層）１３と保護層（ニ
ッケル層）１３が成膜されたガラス基板２を、窒素雰囲
気中のチャンバー内でアニールした。このときのアニー
ル条件は、窒素圧力１０ｔｏｒｒ、アニール温度２００
℃、アニール時間２ｈとした。そして、このようにアニ
ールされた主導電層（銅層）１３と保護層（ニッケル
層）１３をＥＳＣＡで分析したところ、表面から１００
０Å程度の深さまで窒素がドーピングされていた。ま
た、主導電層（銅層）１３と保護層（ニッケル層）１３
中の窒素含有率をＷＤＸ及びＳＩＭＳによって測定した
ところ２．０ａｔ％であった。

【０１２４】次に、この窒素雰囲気中でアニールされた
主導電層（銅層）１３、保護層（ニッケル層）１３のエ
ッチング処理を、実施例１と同様の方法で行って金属電
極３を得た。尚、この時の使用したエッチング液はＦｅ
Ｃｌ₃ （９％溶液）である。

【０１２５】次に、実施例７と同様にして、透明電極５
を形成した図４に示すような配線基板１ｄを得た。

【０１２６】そして、本実施例で得られた配線基板１ｄ
と、比較用の配線基板（成膜後に窒素雰囲気中でアニー
ルなし）について、実施例７と同様の方法で、金属電極
と透明電極（本実施例では金属電極３と透明電極５）と
の導通をライン方向で測定したところ、図１２に示すよ
うな結果が得られた。この図において、黒三角は比較例
用の配線基板、白丸は本実施例の配線基板であり、本実
施例の配線基板では、配線長と抵抗値はほぼ比例してい
る。

【０１２７】また、下記に示す表８は、成膜後に窒素雰
囲気中でアニールして形成された本実施例の金属電極３
と、比較用の金属電極（窒素ドープなし）の表面粗さの
測定結果を示したものである。

【０１２８】

【表８】この測定結果から明らかなように、本実施例の金属電極
３は表面粗さが５００Å程度と粗かった。また、基板温
度２００℃で窒素ドープなし（窒素雰囲気中でアニール
なし）で形成した比較用の金属電極は表面粗さが８０Å
程度であった。また、本実施例における成膜条件で作製
された窒素含有率の異なる金属電極３について、表面粗
さ、ＩＴＯとの導通、耐久試験（変色の有無）、体積抵
抗率を評価した。表９はこれらの結果を示したものであ
る。表面粗さ、体積抵抗率の評価は前記同様にして行っ
た。また、ＩＴＯとの導通の評価は、配線長と抵抗が略
比例しているか否かでＩＴＯとの導通の良し悪しで行っ
た。

【０１２９】

【表９】この結果から明らかなように、窒素含有率が２〜６０ａ
ｔ％の場合、ガラス基板２との密着性、ＩＴＯとの導通
性、耐久性ともよかった。また、窒素含有率が２〜６０
ａｔ％の場合、表面粗さが５００〜１０００Åであり、
体積抵抗率も窒素含有率が０ａｔ％のときと同様の値で
あった。

【０１３０】（実施例１０）本実施例では、図５に示す
ように、ガラス基板２上に形成される金属電極３を、ガ
ラス基板２と密着する窒素が含有されたニッケル−モリ
ブデン（モリブデン率１５％）からなる密着層１１と、
銅からなる主導電層１２と、主導電層１２表面の酸化を
防止する窒素が含有されたニッケル−モリブデン（モリ
ブデン率１５％）からなる保護層（酸化防止層）１３
と、密着層１１と主導電層１２間に設けた窒素が含有さ
れたニッケル−モリブデン（モリブデン率１５％）と銅
からなる混合層（ミックス層）１４の多層膜構造で構成
した。混合層（ミックス層）１４の好ましい厚みの範囲
は、０．００５〜０．３μｍである。

【０１３１】この金属電極３の製造方法は、ガラス基板
２の表面にスパッタリング法により、密着層１１である
窒素が含有されたニッケル−モリブデン（モリブデン率
１５％）を３００Åの厚みで成膜し、その上に混合層
（ミックス層）１４である窒素が含有されたニッケル−
モリブデン（モリブデン率１５％）と銅を１５０Åの厚
みで成膜し、その上に主導電層１２である銅層を１μｍ
の厚みで成膜し、更にその上に保護層１３である窒素が
含有されたニッケル−モリブデン（モリブデン率１５
％）層を３００Åの厚みで成膜した。成膜条件は実施例
１と同様である。

【０１３２】次に、密着層（ニッケル−モリブデン層）
１１、主導電層（銅層）１２、保護層（ニッケル−モリ
ブデン層）１３、混合層（ニッケル−モリブデンと銅の
ミックス層）１４のエッチング処理を、実施例１と同様
の方法で行って金属電極３を得た。

【０１３３】次に、実施例１と同様にして、透明電極５
を形成した図５に示すような配線基板１ｅを得た。

【０１３４】そして、これらの成膜条件で作製された窒
素含有率の異なる金属電極３について、テープ試験剥離
数、表面粗さ、ＩＴＯとの導通、耐久試験（変色の有
無）、体積抵抗率を評価した。表１０はこれらの結果を
示したものである。テープ試験剥離数、表面粗さ、ＩＴ
Ｏとの導通、体積抵抗率の評価は前記同様にして行っ
た。

【０１３５】

【表１０】この結果から明らかなように、窒素含有率が５〜６０ａ
ｔ％の場合、ガラス基板２との密着性、ＩＴＯとの導通
性、耐久性ともよかった。また、窒素含有率が５〜６０
ａｔ％の場合、表面粗さが５００〜１２００Åであり、
体積抵抗率も窒素含有率が０ａｔ％のときと同様の値で
あった。

【０１３６】（実施例１１）本実施例は、図５に示すよ
うに、ガラス基板２上に形成される金属電極３を、ガラ
ス基板２と密着するニッケル−モリブデン（モリブデン
率１５％）からなる密着層１１と、銅からなる主導電層
１２と、主導電層１２表面の酸化を防止するニッケル−
モリブデン（モリブデン率１５％）からなる保護層（酸
化防止層）１３と、密着層１１と主導電層１２間に設け
たニッケル−モリブデン（モリブデン率１５％）と銅か
らなる混合層（ミックス層）１４の多層膜構造で構成し
た。

【０１３７】この金属電極３の製造方法は、ガラス基板
２の表面にスパッタリング法により、密着層１１である
ニッケル−モリブデン（モリブデン率１５％）を３００
Åの厚みで成膜し、その上に混合層（ミックス層）１４
としてニッケル−モリブデン（モリブデン率１５％）と
銅を１５０Åの厚みで成膜し、その上に主導電層１２で
ある銅層を１μｍの厚みで成膜し、更にその上に保護層
１３であるニッケル−モリブデン（モリブデン率１５
％）層を３００Åの厚みで成膜した。成膜条件は実施例
１と同様である。

【０１３８】次に、実施例６と同様の条件で、アニール
法で窒素を保護層１３からガラス基板２へ２０００Åド
ープした。

【０１３９】以下、実施例１と同様にして、透明電極５
を形成した配線基板を得た。

【０１４０】そして、これらの成膜条件で作製された窒
素含有率の異なる金属電極３について、テープ試験剥離
数、表面粗さ、ＩＴＯとの導通、耐久試験（変色の有
無）、体積抵抗率を評価した。表１１はこれらの結果を
示したものである。テープ試験剥離数、表面粗さ、体積
抵抗率の評価は前記同様にして行った。

【０１４１】

【表１１】この結果から明らかなように、窒素含有率が５〜６０ａ
ｔ％の場合、ガラス基板２との密着性、ＩＴＯとの導通
性、耐久性ともよかった。また、窒素含有率が５〜６０
ａｔ％の場合、表面粗さが５００〜１２００Åであり、
体積抵抗率も窒素含有率が０ａｔ％のときと同様の値で
あった。

【０１４２】（実施例１２）本実施例では、図２に示す
ように、ガラス基板２上に形成される金属電極３を、ガ
ラス基板２と密着する窒素が含有されたモリブデンから
なる密着層１１と、銅からなる主導電層１２と、主導電
層１２表面の酸化を防止する窒素が含有されたモリブデ
ンからなる保護層（酸化防止層）１３の多層膜構造で構
成した。

【０１４３】この金属電極３の製造方法は、実施例４と
同様にして行った。そして、実施例１と同様の条件で、
透明電極５を形成した配線基板を得た。

【０１４４】そして、これらの成膜条件で作製された窒
素含有率の異なる金属電極３について、テープ試験剥離
数、表面粗さ、ＩＴＯとの導通、耐久試験（変色の有
無）、体積抵抗率を評価した。表１２はこれらの結果を
示したものである。テープ試験剥離数、表面粗さ、体積
抵抗率の評価は前記同様にして行った。

【０１４５】

【表１２】この結果から明らかなように、窒素含有率が５〜６０ａ
ｔ％の場合、ガラス基板２との密着性、ＩＴＯとの導通
性、耐久性ともよかった。また、窒素含有率が５〜６０
ａｔ％の場合、表面粗さが５００〜１２００Åであり、
体積抵抗率も窒素含有率が０ａｔ％のときと同様の値で
あった。

【０１４６】（実施例１３）本実施例では、図３に示す
ように、ガラス基板２上に形成される金属電極３を、ガ
ラス基板２と密着する窒素が含有されたニッケルからな
る密着層１１と、銅からなる主導電層１２の多層膜構造
で構成した。

【０１４７】この金属電極３の製造方法は、ガラス基板
２の表面にスパッタリング法により、密着層１１である
窒素が含有されたニッケルを３００Åの厚みで成膜し、
その上に主導電層１２である銅層を１μｍの厚みで成膜
した。成膜条件は実施例１と同様である。

【０１４８】次に、密着層（ニッケル層）１１と主導電
層（銅層）１２のエッチング処理を、実施例１と同様の
方法で行って金属電極３を得た。

【０１４９】次に、実施例１と同様の条件で、透明電極
５を形成した配線基板を得た。

【０１５０】そして、これらの成膜条件で作製された窒
素含有率の異なる金属電極３について、テープ試験剥離
数、体積抵抗率を評価した。表１３はこれらの結果を示
したものである。テープ試験剥離数、体積抵抗率の評価
は前記同様にして行った。

【０１５１】

【表１３】この結果から明らかなように、窒素含有率が５〜６０ａ
ｔ％の場合、ガラス基板２との密着性がよかった。ま
た、窒素含有率が５〜６０ａｔ％の場合、体積抵抗率は
窒素含有率が０ａｔ％のときと同様の値であった。

【０１５２】（実施例１４）本実施例では、図３に示す
ように、ガラス基板２上に形成される金属電極３を、ガ
ラス基板２と密着する窒素が含有されたモリブデンから
なる密着層１１と、銅からなる主導電層１２の多層膜構
造で構成した。

【０１５３】この金属電極３の製造方法は、ガラス基板
２の表面にスパッタリング法により、密着層１１である
窒素が含有されたモリブデンを３００Åの厚みで成膜
し、その上に主導電層１２である銅層を１μｍの厚みで
成膜した。成膜条件は実施例１と同様である。

【０１５４】次に、密着層（モリブデン層）１１と主導
電層（銅層）１２のエッチング処理を、実施例１と同様
の方法で行って金属電極３を得た。

【０１５５】次に、実施例１と同様の条件で、透明電極
５を形成した配線基板を得た。

【０１５６】そして、これらの成膜条件で作製された窒
素含有率の異なる金属電極３について、テープ試験剥離
数、体積抵抗率を評価した。表１４はこれらの結果を示
したものである。テープ試験剥離数、体積抵抗率の評価
は前記同様にして行った。

【０１５７】

【表１４】この結果から明らかなように、窒素含有率が５〜６０ａ
ｔ％の場合、ガラス基板２との密着性がよかった。ま
た、窒素含有率が５〜６０ａｔ％の場合、体積抵抗率は
窒素含有率が０ａｔ％のときと同様の値であった。

【０１５８】（実施例１５）本実施例では、ガラス基板
上に形成される金属電極を、ガラス基板と密着する窒素
が含有されたクロムからなる密着層と、窒素が含有され
たクロムと銅を混合した混合層（ミックス層）と、銅か
らなる主導電層の多層膜構造で構成した（本実施例は、
図５に示した実施例１０おける金属電極３の保護層１３
がないものと同様の構成である）。

【０１５９】この金属電極の製造方法は、ガラス基板の
表面にスパッタリング法により、密着層である窒素が含
有されたクロムを３００Åの厚みで成膜し、その上に混
合層（ミックス層）として窒素が含有されたクロムと銅
を１５０Åの厚みで成膜し、その上に主導電層である銅
を１μｍの厚みで成膜した。成膜条件は実施例１と同様
の構成である。

【０１６０】次に、密着層（クロム層）と、混合層（ク
ロムと銅のミックス層）と、主導電層（銅層）のエッチ
ング処理を実施例１と同様の方法で行った。そして、実
施例１と同様の条件で、透明電極を形成した配線基板を
得た。

【０１６１】そして、これらの成膜条件で作製された窒
素含有率の異なる金属電極について、テープ試験剥離
数、体積抵抗率を評価した。表１５はこれらの結果を示
したものである。テープ試験剥離数、体積抵抗率の評価
は前記同様にして行った。

【０１６２】

【表１５】この結果から明らかなように、窒素含有率が５〜６０ａ
ｔ％の場合、ガラス基板２との密着性がよかった。ま
た、窒素含有率が５〜６０ａｔ％の場合、体積抵抗率は
窒素含有率が０ａｔ％のときと同様の値であった。

【０１６３】（実施例１６）本実施例では、ガラス基板
上に形成される金属電極を、ガラス基板と密着する窒素
が含有されたアルミニュウムからなる密着層と、窒素が
含有されたアルミニュウムと銅を混合した混合層（ミッ
クス層）と、銅からなる主導電層の多層膜構造で構成し
た（本実施例は、図５に示した実施例１０おける金属電
極３の保護層１３がないものと同様の構成である）。

【０１６４】この金属電極の製造方法は、ガラス基板の
表面にスパッタリング法により、密着層である窒素が含
有されたアルミニュウムを３００Åの厚みで成膜し、そ
の上に混合層（ミックス層）として窒素が含有されたア
ルミニュウムと銅を１５０Åの厚みで成膜し、その上に
主導電層である銅を１μｍの厚みで成膜した。成膜条件
は実施例１と同様である。

【０１６５】次に、密着層（クロム層）と、混合層（ク
ロムと銅のミックス層）と、主導電層（銅層）のエッチ
ング処理を実施例１と同様の方法で行った。そして、実
施例１と同様の条件で、透明電極を形成した配線基板を
得た。

【０１６６】そして、これらの成膜条件で作製された窒
素含有率の異なる金属電極について、テープ試験剥離
数、体積抵抗率を評価した。表１６はこれらの結果を示
したものである。テープ試験剥離数、体積抵抗率の評価
は前記同様にして行った。

【０１６７】

【表１６】この結果から明らかなように、窒素含有率が５〜６０ａ
ｔ％の場合、ガラス基板２との密着性がよかった。ま
た、窒素含有率が５〜６０ａｔ％の場合、体積抵抗率は
窒素含有率が０ａｔ％のときと同様の値であった。

【０１６８】図６は、上述した配線基板を備えた本発明
に係る液晶素子の一例を示す概略断面図である。

【０１６９】この液晶素子１００は、偏光板１６ａ，１
６ｂの間に対向して配置された一対の配線基板１ａａ，
１ａｂを備えており、配線基板１ａａ，１ａｂは球状の
スペーサビーズ１８により所定の基板ギャップ（好まし
くは１．０〜２．５μｍ）で保持され、この基板ギャッ
プ間にカイラルスメクチック液晶１７が挟持されてい
る。

【０１７０】配線基板１ａａ，１ａｂは、図１に示した
配線基板１と同様の構成からなり、ガラス基板２ａ，２
ｂ上には金属電極３ａ，３ｂがそれぞれ配線パターンさ
れ、金属電極３ａ，３ｂ間に充填した絶縁層であるＵＶ
硬化樹脂４ａ，４ｂで平坦化されている。金属電極３
ａ，３ｂは、図１に示した配線基板１と同様、窒素を
０．１〜１０ａｔ％含有した銅（窒化銅）で１μｍの厚
みで形成されている。配線基板１ａａ，１ａｂとして
は、図２〜図５に示した配線基板も用いることができ
る。また、配線基板１ａａ，１ａｂのいずれか一方のみ
を本発明の配線基板としてもよい。

【０１７１】また、金属電極３ａ，３ｂとＵＶ硬化樹脂
４ａ，４ｂの表面上には、金属電極３ａ，３ｂと電気的
に接するようにしてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からな
る透明電極５ａ，５ｂが形成され、更にその上に配向膜
１５ａ，１５ｂが形成されており、透明電極５ａ，５ｂ
は金属電極３ａ，３ｂに合わせてストライプ状にそれぞ
れ形成され、互いに９０°の角度で交差したマトリック
ス電極が構成されている。

【０１７２】このように、本発明に係る液晶素子１００
は、金属電極３ａ，３ｂを窒素を含有した金属で形成し
たことによって、ガラス基板２ａ，２ｂとの密着性が向
上し、且つ金属電極３ａ，３ｂの酸化を防止することが
できる。

【０１７３】また、透明電極５ａ，５ｂの下に低抵抗の
金属電極３ａ，３ｂを併設した構成により、電圧波形の
遅延を抑制してカイラルスメクチック液晶１７を安定し
て駆動することができるので、表示品位の向上を図るこ
とができる。

【０１７４】次に、上述した液晶素子１００の製造方法
について説明する。

【０１７５】配線基板１ａａ，１ａｂの製造方法のうち
透明電極５ａ，５ｂの形成までの工程は、実施例１に示
した配線基板１の製造方法と同様であり、ここでは省略
する。

【０１７６】次に、透明電極５ａ上にポリアミド酸（日
立化成（株）社製；商品名：ＬＱ１８００）をＮＭＰ／
ｎＢＣ＝１／１液で１．５ｗｔ％に希釈した溶液をスピ
ンコートで２０００ｒｐｍ、２０ｓｅｃの条件で塗布
し、その後２７０℃で約１時間加熱焼成処理を施して、
厚さ２００Å程度の配向膜１５ａを形成した。そして、
この配向膜１５ａに対してラビング処理を施した。ガラ
ス基板２ｂ側の配向膜１５ｂも同様にして形成される。
尚、配向膜１５ａ，１５ｂは互いに同一材料で形成して
も、異なる材料で形成してもよい。更に、一方の配向膜
のみにラビング処理を施してもよい。

【０１７７】次に、一方の配線基板１ａａ（又は１ａ
ｂ）の表面に球状のスペーサビーズ１８を配置して、他
方の配線基板１ａｂ（又は１ａａ）の表面周縁にエポキ
シ樹脂等のシール材（図示省略）をフレキソ印刷法によ
り塗布し、配向膜１５ａ，１５ｂのラビング方向が平
行、且つ同方向になるようにして配線基板１ａａ，１ａ
ｂを所定の基板ギャップ（例えば、１．５μｍ）で貼り
合わせ、この基板ギャップ間にカイラルスメクチック液
晶１７を注入することにより、図６に示した液晶素子１
００を得た。

【０１７８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る配線
基板は、金属電極の酸化による腐食を防止することがで
き、且つ、金属電極と基板との密着性の向上を図ること
ができる。

【０１７９】また、本発明に係る配線基板の製造方法に
よれば、基板との密着性がよく、酸化による腐食の生じ
ない金属電極を形成することができる。

【０１８０】また、本発明に係る配線基板を備えた液晶
素子は、金属電極の酸化による腐食を防止することがで
き、且つ、金属電極と基板との密着性の向上を図ること
ができるので、電圧波形の遅延や鈍りを防止することが
できる。また、金属電極の少なくとも表面側に窒素を添
加して表面を粗くしたことにより、金属電極と透明電極
間の良好な導通を得ることができる。

【０１８１】また、本発明に係る液晶素子の製造方法に
よれば、基板との密着性がよく、酸化による腐食の生じ
ない金属電極を形成することができるので、電圧波形の
遅延や鈍りのない液晶素子を提供することができる。ま
た、金属電極の少なくとも表面側に窒素を添加して表面
を粗く形成することにより、金属電極と透明電極間の良
好な導通を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係る配線基板を示す概略断
面図。

【図２】本発明の実施例２に係る配線基板を示す概略断
面図。

【図３】本発明の実施例６に係る配線基板を示す概略断
面図。

【図４】本発明の実施例７に係る配線基板を示す概略断
面図。

【図５】本発明の実施例１０に係る配線基板を示す概略
断面図。

【図６】本発明に係る配線基板を備えた液晶素子を示す
概略断面図。

【図７】本発明の実施例１に係る配線基板の製造方法を
説明するための図で、（ａ）は窒素が含有された銅層の
成膜工程を示す図、（ｂ）はフォトレジストへの露光工
程を示す図、（ｃ）は金属電極のエッチングパターンの
形成工程を示す図、（ｄ）はエッチングされて形成され
た金属電極を示す図。

【図８】本発明に係る配線基板の製造方法を説明するた
めの図で、（ａ）は平滑板にＵＶ硬化樹脂を滴下した状
態を示す図、（ｂ）は金属電極を形成した配線基板とＵ
Ｖ硬化樹脂が滴下された平滑板を接触させた状態を示す
図、（ｃ）はガラス基板の金属電極間にＵＶ硬化樹脂を
プレス圧で埋め込んでいる状態を示す図、（ｄ）はＵＶ
光でＵＶ硬化樹脂を硬化している状態を示す図、（ｅ）
は平滑板をＵＶ硬化樹脂内に埋め込んだ金属電極上から
剥した状態を示す図。

【図９】本発明に係る配線基板の製造工程を示す図で、
（ａ）は金属電極とＵＶ硬化樹脂上にＩＴＯ層を成膜す
る工程を示す図、（ｂ）はフォトレジストへの露光工程
を示す図、（ｃ）は透明電極のエッチングパターンの形
成工程を示す図、（ｄ）はエッチングされた透明電極を
示す図、（ｅ）は配向膜の形成工程を示す図。

【図１０】窒素を含有した金属配線と、窒素を含有して
いない金属配線と透明電極との導通性の測定結果を示す
図。

【図１１】窒素を含有した金属配線と、窒素を含有して
いない金属配線と透明電極との導通性の測定結果を示す
図。

【図１２】アニールにより窒素を含有した金属配線と、
窒素を含有していない金属配線と透明電極との導通性の
測定結果を示す図。

【符号の説明】

１、１ａ〜１ｅ、１ａａ，１ａｂ配線基板２、２ａ，２ｂガラス基板（透光性基板）３、３ａ，３ｂ金属電極（第１電極）４、４ａ，４ｂＵＶ硬化樹脂（高分子材料）５、５ａ，５ｂ透明電極（第２電極）１１密着層（第１層）１２主導電層（第２層）１３保護層（第３層）１４混合層１５ａ，１５ｂ配向膜１７カイラルスメクチック液晶（液晶）１００液晶素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者徳永博之東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性基板上に、複数の第１電極と該第
１電極のそれぞれと電気的に接続した複数の第２電極と
を有する配線基板において、前記第１電極は金属窒化物を含む電極であり、前記第２
電極は透明電極である、ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】前記第１電極が、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃ
ｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇのいずれかを含む第１層と、
Ｃｕを含む第２層とを有する、請求項１記載の配線基板。
【請求項３】前記第１電極が、Ｃｕを含む第１層と、
Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇのいず
れかを含む第２層とを有する、請求項１記載の配線基板。
【請求項４】前記第１層が窒素を含有する、請求項２または３記載の配線基板。
【請求項５】前記第２層が窒素を含有する、請求項２または３記載の配線基板。
【請求項６】前記第１層と前記第２層との間に、前記
第１層の構成元素と前記第２層の構成元素とを含有する
混合層を有する、請求項２記載の配線基板。
【請求項７】前記混合層が窒素を含有する、請求項６記載の配線基板。
【請求項８】前記第２層上に、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃ
ｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｇのいずれかを含む第３層を有する、請求項２記載の配線基板。
【請求項９】前記第３層が窒素を含有する、請求項８記載の配線基板。
【請求項１０】前記第１電極相互の間隙に高分子材料
が配置されている、請求項１記載の配線基板。
【請求項１１】前記高分子材料が紫外線硬化樹脂であ
る、請求項１０記載の配線基板。
【請求項１２】透光性基板上に、複数の第１電極と該
第１電極のそれぞれと電気的に接続した複数の第２電極
とを有する配線基板の製造方法において、前記第１電極を金属窒化物を含有させて形成し、前記第
２電極を透明電極で形成する、ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１３】前記第１電極が、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｏ，
Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇのいずれかを含む第１層
と、Ｃｕを含む第２層とで形成される、請求項１２記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】前記第１電極が、Ｃｕを含む第１層
と、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇの
いずれかを含む第２層とで形成される、請求項１２記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】前記第１層に窒素を含有させて窒化す
る、請求項１３または１４記載の配線基板の製造方法。
【請求項１６】前記第２層に窒素を含有させて窒化す
る、請求項１３または１４記載の配線基板の製造方法。
【請求項１７】前記第１層と前記第２層との間に、前
記第１層の構成元素と前記第２層の構成元素とを含有す
る混合層を形成する、請求項１３記載の配線基板の製造方法。
【請求項１８】前記混合層に窒素を含有させて窒化す
る、請求項１７記載の配線基板の製造方法。
【請求項１９】前記第２層上に、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｏ，
Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｇのいずれかを含む第３層を形成す
る、請求項１３記載の配線基板の製造方法。
【請求項２０】前記第３層に窒素を含有させて窒化す
る、請求項１９記載の配線基板の製造方法。
【請求項２１】前記第１電極相互の間隙に高分子材料
を配置する、請求項１２記載の配線基板の製造方法。
【請求項２２】前記高分子材料が紫外線硬化樹脂であ
る、請求項２１記載の配線基板の製造方法。
【請求項２３】互いに対向するように配置された一対
の配線基板間に液晶を挟持してなる液晶素子において、前記一対の配線基板の少なくとも一方は、光を透過する透光性基板と、該透光性基板上に複数の第
１電極と、該第１電極のそれぞれと電気的に接続した複
数の第２電極とを備え、前記第１電極は金属窒化物を含む電極であり、前記第２
電極は透明電極であることを特徴とする液晶素子。
【請求項２４】前記第１電極が、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｏ，
Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇのいずれかを含む第１層
と、Ｃｕを含む第２層とを有する、請求項２３記載の液晶素子。
【請求項２５】前記第１電極が、Ｃｕを含む第１層
と、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇの
いずれかを含む第２層とを有する、請求項２３記載の液晶素子。
【請求項２６】前記第１層が窒素を含有する、請求項２４または２５記載の液晶素子。
【請求項２７】前記第２層が窒素を含有する、請求項２４または２５記載の液晶素子。
【請求項２８】前記第１層と前記第２層との間に、前
記第１層の構成元素と前記第２層の構成元素とを含有す
る混合層を有する、請求項２４記載の液晶素子。
【請求項２９】前記混合層が窒素を含有する、請求項２８記載の液晶素子。
【請求項３０】前記第２層上に、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｏ，
Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｇのいずれかを含む第３層を有す
る、請求項２４記載の液晶素子。
【請求項３１】前記第３層が窒素を含有する、請求項３０記載の液晶素子。
【請求項３２】前記第１電極相互の間隙に高分子材料
が配置されている、請求項２３記載の液晶素子。
【請求項３３】前記高分子材料が紫外線硬化樹脂であ
る、請求項３２記載の液晶素子。
【請求項３４】互いに対向するように配置され電極群
を有する一対の配線基板間に液晶を挟持してなる液晶素
子の製造方法において、前記一対の配線基板の少なくとも一方の前記電極を、透
光性基板上に複数の第１電極を金属窒化物を含有させて
形成し、前記第１電極に電気的に接続するようにして複
数の第２電極を透明電極で形成する、ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
【請求項３５】前記第１電極が、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｏ，
Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇのいずれかを含む第１層
と、Ｃｕを含む第２層とで形成される、請求項３４記載の液晶素子の製造方法。
【請求項３６】前記第１電極が、Ｃｕを含む第１層
と、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ，Ａｇの
いずれかを含む第２層とで形成される、請求項３４記載の液晶素子の製造方法。
【請求項３７】前記第１層に窒素を含有させて窒化す
る、請求項３５または３６記載の液晶素子の製造方法。
【請求項３８】前記第２層に窒素を含有させて窒化す
る、請求項３５または３６記載の液晶素子の製造方法。
【請求項３９】前記第１層と前記第２層との間に、前
記第１層の構成元素と前記第２層の構成元素とを含有す
る混合層を形成する、請求項３５記載の液晶素子の製造方法。
【請求項４０】前記混合層に窒素を含有させて窒化す
る、請求項３９記載の液晶素子の製造方法。
【請求項４１】前記第２層上に、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｏ，
Ｃｒ，Ｗ，Ｔａ，Ａｇのいずれかを含む第３層を形成す
る、請求項３５記載の液晶素子の製造方法。
【請求項４２】前記第３層に窒素を含有させて窒化す
る、請求項４１記載の液晶素子の製造方法。
【請求項４３】前記第１電極相互の間隙に高分子材料
を配置する、請求項３４記載の液晶素子の製造方法。
【請求項４４】前記高分子材料が紫外線硬化樹脂であ
る、請求項４３記載の液晶素子の製造方法。