JP2008066680A - 配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法が提供される。配線構造は下部構造物上に形成された銅窒化物を含むバリヤ膜及びバリヤ膜上に形成された銅または銅合金を含む銅導電膜を含む。
【選択図】図1
Description
22:ゲート線
24:ゲート終端
26:ゲート電極
27:蓄積電極
28:蓄積電極線
30:ゲート絶縁膜
40:半導体層
55、56:オーミックコンタクト層
62:データ線
65:ソース電極
66:ドレイン電極
67:ドレイン電極拡張部
68:データ終端
70:保護膜
82:画素電極
Claims (26)
- 下部構造物上に形成された銅窒化物を含むバリヤ膜と、
前記バリヤ膜上に形成された銅または銅合金を含む銅導電膜を含むことを特徴とする配線構造。 - 前記下部構造物とバリヤ膜との界面には銅窒化物が連続的または非連続的に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の配線構造。
- 前記バリヤ膜の厚さは5nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の配線構造。
- 前記バリヤ膜は0.001atom%以上50atom%以下の窒素を含むことを特徴とする請求項1に記載の配線構造。
- 前記銅導電膜の上部に形成されたモリブデンまたはモリブデン合金を含むキャッピング膜をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の配線構造。
- 前記下部構造物は絶縁基板、半導体層または絶縁膜であることを特徴とする請求項1に記載の配線構造。
- 下部構造物上に銅窒化物を含むバリヤ膜を形成し、
前記バリヤ膜が形成されている下部構造物上に銅または銅合金を含む銅導電膜を形成し、
前記銅導電膜上にモリブデンまたはモリブデン合金を含むキャッピング膜を形成すし、
配線を定義するフォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記キャッピング膜、銅導電膜及びバリヤ膜をパターニングすることを特徴とする配線形成方法。 - 前記バリヤ膜の形成は前記下部構造物と前記バリヤ膜との界面に銅窒化物を連続的または非連続的に形成することを含むことを特徴とする請求項7に記載の配線形成方法。
- 前記バリヤ膜の形成は窒素を含む雰囲気下で銅または銅合金をターゲットにしたスパッタリングによって行うことを特徴とする請求項7に記載の配線形成方法。
- 前記銅導電膜の形成は前記バリヤ膜の形成に続いて窒素供給を中断してin−situで行われることを特徴とする請求項9に記載の配線形成方法。
- 前記キャッピング膜、前記銅導電膜及び前記バリヤ膜のパターニングは前記キャッピング膜、前記銅導電膜及び前記バリヤ膜を一括してエッチングすることを特徴とする請求項7に記載の配線形成方法。
- 前記バリヤ膜の厚さは5nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項7に記載の配線形成方法。
- 前記バリヤ膜は0.001atom%ないし50atom%の窒素を含むことを特徴とする請求項7に記載の配線形成方法。
- 前記下部構造物は絶縁基板、半導体層または絶縁膜であることを特徴とする請求項7に記載の配線形成方法。
- 絶縁基板上に形成されて第1方向に延長されたゲート線及び前記ゲート線に接続されたゲート電極を含むゲート配線と、
前記絶縁基板上に前記ゲート配線と絶縁されて形成されて、前記ゲート線と交差するように第2方向に延長されたデータ線、前記データ線に接続されたソース電極及び前記ソース電極と離隔されて位置するドレイン電極を含むデータ配線と、
前記ゲート配線と前記データ配線上に各画素毎に形成されて前記ドレイン電極と接続された画素電極とを含み、
前記ゲート配線または前記データ配線は下部構造物上に形成された銅窒化物を含むバリヤ膜と、
前記バリヤ膜上に形成された銅または銅合金を含む銅導電膜とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。 - 前記下部構造物とバリヤ膜との界面には銅窒化物が連続的または非連続的に形成されていることを特徴とする請求項15に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記バリヤ膜の厚さは5nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項15に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記バリヤ膜は0.001atom%ないし50atom%の窒素を含むことを特徴とする請求項15に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記銅導電膜の上部に形成されたモリブデンまたはモリブデン合金を含むキャッピング膜をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 絶縁基板上に第1方向に延長されたゲート線及び前記ゲート線に接続されたゲート電極を含むゲート配線を形成し、
前記絶縁基板上に前記ゲート線と交差するように2方向に延長されたデータ線、前記データ線に接続されたソース電極及び前記ソース電極と離隔されて位置するドレイン電極を含み、前記ゲート配線と絶縁されているデータ配線を形成し、
前記ゲート配線と前記データ配線上に各画素毎に前記ドレイン電極と接続された画素電極を形成し、
前記ゲート配線または前記データ配線の形成は、
下部構造物上に銅窒化物を含むバリヤ膜を形成し、
前記バリヤ膜が形成されている下部構造物上に銅または銅合金を含む銅導電膜を形成し、
前記銅導電膜上にモリブデンまたはモリブデン合金を含むキャッピング膜を形成し、
前記配線を定義するフォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記キャッピング膜、前記銅導電膜及び前記バリヤ膜をパターニングすることを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記バリヤ膜の形成は前記下部構造物と前記バリヤ膜との界面に銅窒化物を連続的または非連続的に形成することを特徴とする請求項20に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記バリヤ膜の形成は窒素を含む雰囲気下で銅または銅合金をターゲットにしたスパッタリングによって行うことを特徴とする請求項20に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記銅導電膜の形成は前記バリヤ膜の形成に続いて窒素供給を中断してin−situで行われる段階であることを特徴とする請求項22に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記キャッピング膜、前記銅導電膜及び前記バリヤ膜のパターニングは前記キャッピング膜、前記銅導電膜及び前記バリヤ膜を一括してエッチングすることを特徴とする請求項20に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記バリヤ膜の厚さは5nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項20に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記バリヤ膜は0.001atom%ないし50atom%の窒素を含むことを特徴とする請求項20に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
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