JPH06310512A - Ｃｕ配線およびその形成方法 - Google Patents
Ｃｕ配線およびその形成方法Info
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- JPH06310512A JPH06310512A JP9996393A JP9996393A JPH06310512A JP H06310512 A JPH06310512 A JP H06310512A JP 9996393 A JP9996393 A JP 9996393A JP 9996393 A JP9996393 A JP 9996393A JP H06310512 A JPH06310512 A JP H06310512A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 下地膜との良好な密着性を持つＣｕ配線およ
びその形成方法を提供する。 【構成】 ＡｒガスとＮ2 ガスを同時に供給し、ＳｉＯ
2 膜２０上に反応性スパッタ法によりＣｕx Ｎ1-x 膜３
０を１〜１０ｎｍ堆積する。次にＮ2 ガスの供給を停止
し、Ａｒガスのみを供給し、Ｃｕx Ｎ1-x 膜３０上にＣ
ｕ膜４０をスパッタ法により５０〜２００ｎｍ堆積す
る。
びその形成方法を提供する。 【構成】 ＡｒガスとＮ2 ガスを同時に供給し、ＳｉＯ
2 膜２０上に反応性スパッタ法によりＣｕx Ｎ1-x 膜３
０を１〜１０ｎｍ堆積する。次にＮ2 ガスの供給を停止
し、Ａｒガスのみを供給し、Ｃｕx Ｎ1-x 膜３０上にＣ
ｕ膜４０をスパッタ法により５０〜２００ｎｍ堆積す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子作成プロセス
の一つであるＣｕ配線およびその形成方法に関するもの
である。
の一つであるＣｕ配線およびその形成方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来ＬＳＩの配線材料にはＡｌあるいは
Ａｌ合金が用いられていたが、今後の微細化にはＡｌあ
るいはＡｌ合金では抵抗値の高さによる信号伝達速度の
遅れ、マイグレーション耐性の低さによる信頼性の低下
が問題となる。Ｃｕは低抵抗、高マイグレーション耐性
からＡｌに代わる配線材料として期待されている。Ｃｕ
配線を実用化するにあたっては加工、拡散、パッシベー
ション、密着性などが問題となる。
Ａｌ合金が用いられていたが、今後の微細化にはＡｌあ
るいはＡｌ合金では抵抗値の高さによる信号伝達速度の
遅れ、マイグレーション耐性の低さによる信頼性の低下
が問題となる。Ｃｕは低抵抗、高マイグレーション耐性
からＡｌに代わる配線材料として期待されている。Ｃｕ
配線を実用化するにあたっては加工、拡散、パッシベー
ション、密着性などが問題となる。
【０００３】密着性の向上には、加熱により界面に下地
との合金層を作る、あるいはイオン注入により界面での
結合の強化等の方法が考えられているが、これらは基板
中へのＣｕの拡散、ダメージ層形成等の点で問題が残
る。そこで現在は、Ｃｕの下地に合金層を用い拡散防止
と密着性向上を図る方法が主流となっている。
との合金層を作る、あるいはイオン注入により界面での
結合の強化等の方法が考えられているが、これらは基板
中へのＣｕの拡散、ダメージ層形成等の点で問題が残
る。そこで現在は、Ｃｕの下地に合金層を用い拡散防止
と密着性向上を図る方法が主流となっている。
【０００４】またＣｕの堆積方法は、下地をスパッタ法
あるいはＣＶＤ法で堆積した後にＣｕをスパッタ法ある
いはＣＶＤ法で堆積する。このとき下地とＣｕのミキシ
ングによる配線の高抵抗化を防ぐため、下地の堆積とＣ
ｕの堆積を別の装置で行うことが多い。
あるいはＣＶＤ法で堆積した後にＣｕをスパッタ法ある
いはＣＶＤ法で堆積する。このとき下地とＣｕのミキシ
ングによる配線の高抵抗化を防ぐため、下地の堆積とＣ
ｕの堆積を別の装置で行うことが多い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ｃｕ配線の作成法は下
地絶縁膜上あるいは下地合金層を形成した後、下地層形
成とは異なる装置で下地膜上にスパッタ法によりＣｕ配
線を形成している。その場合、Ｃｕ配線と下地層との密
着性が弱いこと、別の装置に移動する際に下地層表面に
不純物が吸着し密着性を更に低下させるために剥がれが
生じ、ＬＳＩの信頼性を低下させることが問題となって
いる。
地絶縁膜上あるいは下地合金層を形成した後、下地層形
成とは異なる装置で下地膜上にスパッタ法によりＣｕ配
線を形成している。その場合、Ｃｕ配線と下地層との密
着性が弱いこと、別の装置に移動する際に下地層表面に
不純物が吸着し密着性を更に低下させるために剥がれが
生じ、ＬＳＩの信頼性を低下させることが問題となって
いる。
【０００６】本発明の目的は上記の問題を克服し密着性
の良いＣｕ配線およびその形成方法を提供することにあ
る。
の良いＣｕ配線およびその形成方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＣｕ配線は、半
導体基板上に形成された下地膜上と、この下地膜上に設
けられたＣｕx Ｎ1-x 膜と、このＣｕx Ｎ1-x 膜上に形
成されたＣｕ膜とを、有することを特徴とする。
導体基板上に形成された下地膜上と、この下地膜上に設
けられたＣｕx Ｎ1-x 膜と、このＣｕx Ｎ1-x 膜上に形
成されたＣｕ膜とを、有することを特徴とする。
【０００８】本発明のＣｕ配線の形成方法は、半導体基
板上に形成された下地膜上に、ＡｒガスとＮ2 ガスを同
時に導入し反応性スパッタ法によりＣｕx Ｎ1-x 層を形
成する工程と、Ｃｕx Ｎ1-x 形成後、Ｎ2 ガスを導入し
スパッタ法によりＣｕ層を形成する工程と、を含むこと
を特徴とする。
板上に形成された下地膜上に、ＡｒガスとＮ2 ガスを同
時に導入し反応性スパッタ法によりＣｕx Ｎ1-x 層を形
成する工程と、Ｃｕx Ｎ1-x 形成後、Ｎ2 ガスを導入し
スパッタ法によりＣｕ層を形成する工程と、を含むこと
を特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明においては、Ｃｕ層と下地層との間にＣ
ｕx Ｎ1-x 層が存在する構造が形成される。下地層の成
分元素とＣｕがＮを介して結合することが可能となる。
その結果、界面での結合力が強くなり密着性が向上す
る。また真空を維持したままの連続堆積が可能であり、
密着性，抵抗率に影響を及ぼすＯ等の不純物の混入を防
ぐことが出来る。
ｕx Ｎ1-x 層が存在する構造が形成される。下地層の成
分元素とＣｕがＮを介して結合することが可能となる。
その結果、界面での結合力が強くなり密着性が向上す
る。また真空を維持したままの連続堆積が可能であり、
密着性，抵抗率に影響を及ぼすＯ等の不純物の混入を防
ぐことが出来る。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１１】（実施例１）図１は、本発明の一実施例を
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
【００１２】まず図１（ａ）に示すように、Ａｒガスと
Ｎ2 ガスをそれぞれ０．１〜６ｍＴｏｒｒ同時に供給
し、Ｓｉ基板１０上に形成されたＳｉＯ2 膜２０上に反
応性スパッタ法によりＣｕx Ｎ1-x 膜を１〜５０ｎｍ堆
積する。
Ｎ2 ガスをそれぞれ０．１〜６ｍＴｏｒｒ同時に供給
し、Ｓｉ基板１０上に形成されたＳｉＯ2 膜２０上に反
応性スパッタ法によりＣｕx Ｎ1-x 膜を１〜５０ｎｍ堆
積する。
【００１３】次に図１（ｂ）に示すように、Ｎ2 ガスの
供給を停止し、Ａｒガスのみを０．１〜６ｍＴｏｒｒ供
給し、Ｃｕx Ｎ1-x 膜３０上にＣｕ膜４０をスパッタ法
により５０〜４００ｎｍ堆積する。
供給を停止し、Ａｒガスのみを０．１〜６ｍＴｏｒｒ供
給し、Ｃｕx Ｎ1-x 膜３０上にＣｕ膜４０をスパッタ法
により５０〜４００ｎｍ堆積する。
【００１４】Ｃｕx Ｎ1-x 膜堆積時のＡｒガス圧を１．
５ｍＴｏｒｒ、Ｎ2 ガス圧を１．５ｍＴｏｒｒとし、Ｃ
ｕ膜堆積時のＡｒガス圧３ｍＴｏｒｒとしたとき、Ｃｕ
x Ｎ1-x 膜３０の有無による密着度の差をスクラッチテ
スタにより評価した結果を表１に示す。
５ｍＴｏｒｒ、Ｎ2 ガス圧を１．５ｍＴｏｒｒとし、Ｃ
ｕ膜堆積時のＡｒガス圧３ｍＴｏｒｒとしたとき、Ｃｕ
x Ｎ1-x 膜３０の有無による密着度の差をスクラッチテ
スタにより評価した結果を表１に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】ＳｉＯ2 膜上にＣｕ膜を直接堆積した場合
に比べ、Ｃｕx Ｎ1-x 膜を挿入した場合に密着力の向上
がみられている。
に比べ、Ｃｕx Ｎ1-x 膜を挿入した場合に密着力の向上
がみられている。
【００１７】以上の結果は、ＳｉＯ2 膜でなくＳｉＮx
膜でも得られ全ての絶縁体に適用可能である。またＳｉ
基板でなく、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板等あらゆる半導
体基板で同様の結果が得られる。
膜でも得られ全ての絶縁体に適用可能である。またＳｉ
基板でなく、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板等あらゆる半導
体基板で同様の結果が得られる。
【００１８】（実施例２）図２は、本発明の他の実施例
を説明するための工程順に示した半導体チップの断面図
である。
を説明するための工程順に示した半導体チップの断面図
である。
【００１９】まず図２（ａ）に示すＳｉ基板１０上のＳ
ｉＯ2 膜２０上に１〜１０ｎｍ堆積されたＴｉ膜５０上
に、図２（ｂ）に示すように、ＡｒガスとＮ2 ガスをそ
れぞれ０．１〜６ｍＴｏｒｒ同時に供給し、基板温度１
００〜４００℃で反応性スパッタ法によりＣｕx Ｎ1-x
膜３０を１〜５０ｎｍ堆積する。このときＴｉ膜５０は
窒化されＴｉＮ膜６０が１〜１０ｎｍ形成される。
ｉＯ2 膜２０上に１〜１０ｎｍ堆積されたＴｉ膜５０上
に、図２（ｂ）に示すように、ＡｒガスとＮ2 ガスをそ
れぞれ０．１〜６ｍＴｏｒｒ同時に供給し、基板温度１
００〜４００℃で反応性スパッタ法によりＣｕx Ｎ1-x
膜３０を１〜５０ｎｍ堆積する。このときＴｉ膜５０は
窒化されＴｉＮ膜６０が１〜１０ｎｍ形成される。
【００２０】次に図２（ｃ）に示すように、Ｎ2 ガスの
供給を停止し、Ａｒガスのみを０．１〜６ｍＴｏｒｒ供
給し、Ｃｕx Ｎ1-x 膜３０上にＣｕ膜４０をスパッタ法
により５０〜４００ｎｍ堆積する。
供給を停止し、Ａｒガスのみを０．１〜６ｍＴｏｒｒ供
給し、Ｃｕx Ｎ1-x 膜３０上にＣｕ膜４０をスパッタ法
により５０〜４００ｎｍ堆積する。
【００２１】以上の結果は、ＳｉＯ2 膜でなくＳｉＮx
膜でも得られ全ての絶縁体に適用可能である。
膜でも得られ全ての絶縁体に適用可能である。
【００２２】またＴｉ膜でなく他の金属あるいは合金で
も同様の結果が得られる。さらにＳｉ基板でなくＧａＡ
ｓ基板、ＩｎＰ基板等全ての半導体基板で同様の結果が
得られる。
も同様の結果が得られる。さらにＳｉ基板でなくＧａＡ
ｓ基板、ＩｎＰ基板等全ての半導体基板で同様の結果が
得られる。
【００２３】（実施例３）図３は本発明の他の実施例を
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
【００２４】まず図３（ａ）に示すＳｉ基板１０上に１
〜１０ｎｍ堆積されたＴｉ膜５０上に、図３（ｂ）に示
すように、ＡｒガスとＮ2 ガスをそれぞれ０．１〜６ｍ
Ｔｏｒｒ同時に供給し、基板温度１００〜４００℃で反
応性スパッタ法によりＣｕxＮ1-x 膜３０を１〜５０ｎ
ｍ堆積する。このときＴｉ膜の表面は窒化されＴｉＮ膜
６０が０．５〜１０ｎｍ形成され、Ｔｉ膜の基板側表面
はシリサイド化しＴｉＳｉ2 層７０が０．５〜１０ｎｍ
形成される。
〜１０ｎｍ堆積されたＴｉ膜５０上に、図３（ｂ）に示
すように、ＡｒガスとＮ2 ガスをそれぞれ０．１〜６ｍ
Ｔｏｒｒ同時に供給し、基板温度１００〜４００℃で反
応性スパッタ法によりＣｕxＮ1-x 膜３０を１〜５０ｎ
ｍ堆積する。このときＴｉ膜の表面は窒化されＴｉＮ膜
６０が０．５〜１０ｎｍ形成され、Ｔｉ膜の基板側表面
はシリサイド化しＴｉＳｉ2 層７０が０．５〜１０ｎｍ
形成される。
【００２５】次に図３（ｃ）に示すように、Ｎ2 ガスの
供給を停止し、Ａｒガスのみを０．１〜６ｍＴｏｒｒ供
給し、Ｃｕx Ｎ1-x 膜３０上にＣｕ膜４０をスパッタ法
により５０〜４００ｎｍ堆積する。
供給を停止し、Ａｒガスのみを０．１〜６ｍＴｏｒｒ供
給し、Ｃｕx Ｎ1-x 膜３０上にＣｕ膜４０をスパッタ法
により５０〜４００ｎｍ堆積する。
【００２６】以上の結果は、Ｔｉ膜に限らず他の金属で
も同様の結果が得られる。
も同様の結果が得られる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、下
地膜との良好な密着性を持つＣｕ配線およびその形成方
法を提供することができる。
地膜との良好な密着性を持つＣｕ配線およびその形成方
法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】ＳｉＯ2 膜上にＴｉを形成した基板を用いた場
合の例を示す断面図である。
合の例を示す断面図である。
【図３】Ｓｉ膜上にＴｉを形成した基板を用いた場合の
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
１０ Ｓｉ基板 ２０ ＳｉＯ2 ３０ Ｃｕx Ｎ1-x ４０ Ｃｕ ５０ Ｔｉ ６０ ＴｉＮ ７０ ＴｉＳｉ２
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｓ 7376−4Ｍ
Claims (4)
- 【請求項１】半導体基板上に形成された下地膜上と、 この下地膜上に設けられたＣｕx Ｎ1-x 膜と、 このＣｕx Ｎ1-x 膜上に形成されたＣｕ膜とを、 有することを特徴とするＣｕ配線。
- 【請求項２】半導体基板上に形成された下地膜上に、Ａ
ｒガスとＮ2 ガスを同時に導入し反応性スパッタ法によ
りＣｕx Ｎ1-x 層を形成する工程と、 Ｃｕx Ｎ1-x 形成後、Ｎ2 ガスを導入しスパッタ法によ
りＣｕ層を形成する工程と、 を含むことを特徴とするＣｕ配線の形成方法。 - 【請求項３】前記下地膜が、ＳｉＯ2 あるいはＳｉＮx
あるいはＴｉであることを特徴とする請求項２記載のＣ
ｕ配線の形成方法。 - 【請求項４】前記下地膜がＴｉであるときに、前記Ｃｕ
x Ｎ1-x 堆積時の基板温度を１００〜４００℃とするこ
とを特徴とする請求項３記載のＣｕ配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5099963A JP2606548B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Ｃｕ配線およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5099963A JP2606548B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Ｃｕ配線およびその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310512A true JPH06310512A (ja) | 1994-11-04 |
| JP2606548B2 JP2606548B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=14261337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5099963A Expired - Fee Related JP2606548B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Ｃｕ配線およびその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2606548B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000165002A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Furontekku:Kk | 電子機器用基板及びその製造方法と電子機器 |
| US6219125B1 (en) | 1996-07-26 | 2001-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode plate, process for producing the plate, for an LCD having a laminated electrode with a metal nitride layer |
| JP2008066680A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法 |
| JPWO2008044757A1 (ja) * | 2006-10-12 | 2010-02-18 | 株式会社アルバック | 導電膜形成方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ付パネル、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2010258347A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Kobe Steel Ltd | 表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜 |
| JP2011530835A (ja) * | 2008-08-13 | 2011-12-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 金属相互接続のための共形接着促進材ライナ |
| JP2015072750A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-16 | 株式会社カネカ | 導電性フィルム基板およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6312138A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-19 | Fujitsu Ltd | 銅のパタ−ニング方法 |
| JPH02301907A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-14 | Hitachi Ltd | 金属配線およびその製造方法 |
| JPH0355844A (ja) * | 1989-07-25 | 1991-03-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP5099963A patent/JP2606548B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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Cited By (8)
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| JP2008066680A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法 |
| JPWO2008044757A1 (ja) * | 2006-10-12 | 2010-02-18 | 株式会社アルバック | 導電膜形成方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ付パネル、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2011530835A (ja) * | 2008-08-13 | 2011-12-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 金属相互接続のための共形接着促進材ライナ |
| JP2014140078A (ja) * | 2008-08-13 | 2014-07-31 | International Business Maschines Corporation | 金属相互接続構造体及び金属相互接続構造体の形成方法 |
| JP2010258347A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Kobe Steel Ltd | 表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜 |
| JP2015072750A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-16 | 株式会社カネカ | 導電性フィルム基板およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2606548B2 (ja) | 1997-05-07 |
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