JP2757797B2 - 配線層形成方法およびその装置 - Google Patents
配線層形成方法およびその装置Info
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- JP2757797B2 JP2757797B2 JP6300181A JP30018194A JP2757797B2 JP 2757797 B2 JP2757797 B2 JP 2757797B2 JP 6300181 A JP6300181 A JP 6300181A JP 30018194 A JP30018194 A JP 30018194A JP 2757797 B2 JP2757797 B2 JP 2757797B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、配線層形成方法および
そのための装置に関し、特にＣｕを主体とする配線層の
形成方法とそのための装置に関するものである。
そのための装置に関し、特にＣｕを主体とする配線層の
形成方法とそのための装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体集積回路装置の配線材料
にはＡｌあるいはＡｌ合金が用いられてきた。しかし、
今後微細化が一層進行した場合にはＡｌあるいはＡｌ合
金では抵抗値の高さによる信号伝達速度の遅れが問題と
なり、また、マイグレーション耐性が低いため信頼性の
低下が深刻化する。そこで、比抵抗がＡｌの２／３と低
くかつマイグレーション耐性の高いＣｕがＡｌに代わる
配線材料として期待されている。
にはＡｌあるいはＡｌ合金が用いられてきた。しかし、
今後微細化が一層進行した場合にはＡｌあるいはＡｌ合
金では抵抗値の高さによる信号伝達速度の遅れが問題と
なり、また、マイグレーション耐性が低いため信頼性の
低下が深刻化する。そこで、比抵抗がＡｌの２／３と低
くかつマイグレーション耐性の高いＣｕがＡｌに代わる
配線材料として期待されている。
【０００３】Ｃｕを配線材料として用いた従来の配線層
の構造は、下地に拡散防止膜を設けその上にＣｕ層を形
成するものであった。Ｃｕはシリコンに拡散しやすいの
で、Ｃｕ層が直接シリコンと接触している場合にはＣｕ
原子がシリコン基板内に拡散してデバイスの特性を劣化
させる。したがって、配線層をＣｕ系の材料により形成
する場合には、Ｃｕ層の下層に拡散防止膜を設けること
が必要となる。
の構造は、下地に拡散防止膜を設けその上にＣｕ層を形
成するものであった。Ｃｕはシリコンに拡散しやすいの
で、Ｃｕ層が直接シリコンと接触している場合にはＣｕ
原子がシリコン基板内に拡散してデバイスの特性を劣化
させる。したがって、配線層をＣｕ系の材料により形成
する場合には、Ｃｕ層の下層に拡散防止膜を設けること
が必要となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の配線構
造では、Ｃｕ層は拡散防止膜との間に高い付着力が得ら
れていないので、その後のエッチング工程や熱処理によ
り簡単に剥離してしまうという問題点があり、このこと
が実用化の障壁となっている。特に、従来は拡散防止膜
の成膜後、この膜が大気に曝されていたためその表面に
薄い酸化膜が形成されてしまい、この酸化膜のために付
着力は一段と低下していた。
造では、Ｃｕ層は拡散防止膜との間に高い付着力が得ら
れていないので、その後のエッチング工程や熱処理によ
り簡単に剥離してしまうという問題点があり、このこと
が実用化の障壁となっている。特に、従来は拡散防止膜
の成膜後、この膜が大気に曝されていたためその表面に
薄い酸化膜が形成されてしまい、この酸化膜のために付
着力は一段と低下していた。
【０００５】また、拡散防止膜上に形成された薄い酸化
膜は配線抵抗を増大させる。特に、コンタクトホール部
においては拡散防止膜上の酸化膜が直列抵抗となるた
め、コンタクトホールの微細化による配線抵抗への影響
は大きくなる。
膜は配線抵抗を増大させる。特に、コンタクトホール部
においては拡散防止膜上の酸化膜が直列抵抗となるた
め、コンタクトホールの微細化による配線抵抗への影響
は大きくなる。
【０００６】本発明はこの点に鑑みてなされたものであ
って、その目的は、第１に、Ｃｕを主体とする材料を用
いた配線において、基板中へのＣｕ原子の拡散を防止し
つつＣｕを主体とする材料層の付着力を向上させること
であり、第２に、配線抵抗をより低下させることであ
る。
って、その目的は、第１に、Ｃｕを主体とする材料を用
いた配線において、基板中へのＣｕ原子の拡散を防止し
つつＣｕを主体とする材料層の付着力を向上させること
であり、第２に、配線抵抗をより低下させることであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、半導体基板上に、Ｃｕに対する拡
散防止能力の高い材料からなる拡散防止膜、該拡散防止
膜およびＣｕに対する付着力の高い材料からなる付着
層、Ｃｕを主体とする材料からなる低抵抗金属層をこの
順に、若しくは、これらの拡散防止膜、付着層、低抵抗
金属層の外に酸化防止膜をこの順に堆積する配線層形成
方法であって、拡散防止膜、付着層、低抵抗金属層をそ
れぞれ異なる堆積室において成膜を行い、各膜の堆積工
程間において半導体基板を大気に曝すことなく成膜を続
けることを特徴とする配線層形成方法、が提供される。
め、本発明によれば、半導体基板上に、Ｃｕに対する拡
散防止能力の高い材料からなる拡散防止膜、該拡散防止
膜およびＣｕに対する付着力の高い材料からなる付着
層、Ｃｕを主体とする材料からなる低抵抗金属層をこの
順に、若しくは、これらの拡散防止膜、付着層、低抵抗
金属層の外に酸化防止膜をこの順に堆積する配線層形成
方法であって、拡散防止膜、付着層、低抵抗金属層をそ
れぞれ異なる堆積室において成膜を行い、各膜の堆積工
程間において半導体基板を大気に曝すことなく成膜を続
けることを特徴とする配線層形成方法、が提供される。
【０００８】ここで、低抵抗金属層は、Ｃｕ単独、ある
いは、ＣｕにＡｌ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｉ等の
金属類が１種または複数種微量に添加されたものにより
形成される。また、拡散防止膜はＴｉＷ、ＴａＩｒのよ
うな高融点金属間合金や、ＴｉＮ、ＴｉＷＮ、ＴａＩｒ
Ｓｉ、ＭｏＳｉ、ＷＳｉ等の高融点金属の窒化物または
珪化物により形成される。さらに、付着層は、５００℃
以下でＣｕと相互拡散しかつ酸素と結合して不動態皮膜
を形成しうる材料、すなわち、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａを用いて形成される。
いは、ＣｕにＡｌ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｉ等の
金属類が１種または複数種微量に添加されたものにより
形成される。また、拡散防止膜はＴｉＷ、ＴａＩｒのよ
うな高融点金属間合金や、ＴｉＮ、ＴｉＷＮ、ＴａＩｒ
Ｓｉ、ＭｏＳｉ、ＷＳｉ等の高融点金属の窒化物または
珪化物により形成される。さらに、付着層は、５００℃
以下でＣｕと相互拡散しかつ酸素と結合して不動態皮膜
を形成しうる材料、すなわち、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａを用いて形成される。
【０００９】また、本発明によれば、Ｃｕに対する拡散
防止能力の高い材料からなる拡散防止膜を堆積する拡散
防止膜堆積室と、前記拡散防止膜およびＣｕに対する付
着力の高い材料からなる付着層を堆積する付着層堆積室
と、Ｃｕを主体とする材料からなる低抵抗金属層を堆積
するＣｕ層堆積室と、がこの順に配置され、被処理基板
を、前記拡散防止膜堆積室と前記付着層堆積室との間お
よび前記付着層堆積室と前記Ｃｕ層堆積室との間を大気
に触れさせることなく移動させる手段を備えた配線層形
成装置、が提供される。
防止能力の高い材料からなる拡散防止膜を堆積する拡散
防止膜堆積室と、前記拡散防止膜およびＣｕに対する付
着力の高い材料からなる付着層を堆積する付着層堆積室
と、Ｃｕを主体とする材料からなる低抵抗金属層を堆積
するＣｕ層堆積室と、がこの順に配置され、被処理基板
を、前記拡散防止膜堆積室と前記付着層堆積室との間お
よび前記付着層堆積室と前記Ｃｕ層堆積室との間を大気
に触れさせることなく移動させる手段を備えた配線層形
成装置、が提供される。
【００１０】
【作用】本発明により形成された配線層では、Ｃｕ層と
拡散防止膜との間に両者に対し強い付着力を持つ材料を
挿入した構造となっている。付着力は界面での分子の結
合エネルギーと界面構造に強く依存するところ、Ｃｕ層
と付着層との界面では、分子間の結合エネルギーが高く
かつ両者が相互に拡散しあっているため、高い結合力が
得られる。また、付着層と拡散防止膜との界面において
も、Ｃｕと拡散防止膜との界面と異なって高い分子間結
合力が得られる。
拡散防止膜との間に両者に対し強い付着力を持つ材料を
挿入した構造となっている。付着力は界面での分子の結
合エネルギーと界面構造に強く依存するところ、Ｃｕ層
と付着層との界面では、分子間の結合エネルギーが高く
かつ両者が相互に拡散しあっているため、高い結合力が
得られる。また、付着層と拡散防止膜との界面において
も、Ｃｕと拡散防止膜との界面と異なって高い分子間結
合力が得られる。
【００１１】さらに、各膜の成膜後に半導体基板を真空
を破ることなく次の成膜装置内に搬送しているため、拡
散防止膜や付着層上に酸化膜が形成されない状態で次の
成膜を行うことができ、膜間に酸化膜が介在することに
よる付着力の低下を防止することができる。また、各膜
間に酸化膜が介在しなくなったことにより配線抵抗を一
層低下させることができるようになる。
を破ることなく次の成膜装置内に搬送しているため、拡
散防止膜や付着層上に酸化膜が形成されない状態で次の
成膜を行うことができ、膜間に酸化膜が介在することに
よる付着力の低下を防止することができる。また、各膜
間に酸化膜が介在しなくなったことにより配線抵抗を一
層低下させることができるようになる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 ［第１の実施例］図１は、本発明の第１の実施例におい
て用いられる成膜装置の概略構成図である。同図におい
て、２１は拡散防止膜堆積室、２２は付着層堆積室、２
３はＣｕ層堆積室であって、これらの各堆積室はスパッ
タリング装置により構成されている。３１、３２は、各
堆積室間に配置されたゲートバルブ、４１は、被処理基
板を搬送するための搬送棒である。
て説明する。 ［第１の実施例］図１は、本発明の第１の実施例におい
て用いられる成膜装置の概略構成図である。同図におい
て、２１は拡散防止膜堆積室、２２は付着層堆積室、２
３はＣｕ層堆積室であって、これらの各堆積室はスパッ
タリング装置により構成されている。３１、３２は、各
堆積室間に配置されたゲートバルブ、４１は、被処理基
板を搬送するための搬送棒である。
【００１３】図２は、本発明の第１の実施例により形成
された配線層の構造を示す断面図である。同図に示され
るように、シリコン基板１１上には熱酸化法あるいはＣ
ＶＤ法によりシリコン酸化膜１２が形成されている。こ
の半導体基板を搬送棒４１を介して拡散防止膜堆積室２
１内に搬入し、ＴｉＷをターゲットとするスパッタ法に
より、シリコン酸化膜１２上に拡散防止膜１３を成長さ
せる。
された配線層の構造を示す断面図である。同図に示され
るように、シリコン基板１１上には熱酸化法あるいはＣ
ＶＤ法によりシリコン酸化膜１２が形成されている。こ
の半導体基板を搬送棒４１を介して拡散防止膜堆積室２
１内に搬入し、ＴｉＷをターゲットとするスパッタ法に
より、シリコン酸化膜１２上に拡散防止膜１３を成長さ
せる。
【００１４】拡散防止膜１３の膜厚が３００Åになった
段階でスパッタを中止する。そしてゲートバルブ３１を
開いて搬送棒４１により半導体基板を付着層堆積室２２
内に搬入する。付着層堆積室２２において、Ａｌをスパ
ッタして、拡散防止膜１３上に付着層１４を堆積する。
膜厚１００Åに付着層１４を成長させた段階でスパッタ
を中止し、ゲートバルブ３２を開いて搬送棒４１により
半導体基板をＣｕ層堆積室２３内に搬入する。
段階でスパッタを中止する。そしてゲートバルブ３１を
開いて搬送棒４１により半導体基板を付着層堆積室２２
内に搬入する。付着層堆積室２２において、Ａｌをスパ
ッタして、拡散防止膜１３上に付着層１４を堆積する。
膜厚１００Åに付着層１４を成長させた段階でスパッタ
を中止し、ゲートバルブ３２を開いて搬送棒４１により
半導体基板をＣｕ層堆積室２３内に搬入する。
【００１５】Ｃｕ層堆積室内において、スパッタ法によ
り膜厚３０００ÅのＣｕ層１５を成長させる。その後、
再びゲートバルブ３１、３２を開き、搬送棒４１により
半導体基板を拡散防止膜堆積室２１に搬入する。そし
て、スパッタ法により膜厚１００ÅにＴｉＷを堆積して
酸化防止膜１６を形成する。
り膜厚３０００ÅのＣｕ層１５を成長させる。その後、
再びゲートバルブ３１、３２を開き、搬送棒４１により
半導体基板を拡散防止膜堆積室２１に搬入する。そし
て、スパッタ法により膜厚１００ÅにＴｉＷを堆積して
酸化防止膜１６を形成する。
【００１６】以上の成膜工程の終了後、、結晶性および
付着性向上のための熱処理を４００〜８００℃で１０分
〜１時間行い、付着層（Ａｌ）とＣｕ層との間に相互拡
散を生じさせて両者間の付着力を増大させるとともに付
着層（Ａｌ）と拡散防止膜（ＴｉＷ）との間の結合を強
化させる。その後、フォトリソグラフィ法およびドライ
エッチング法を適用して所望の形状にパターニングして
配線層を形成する。
付着性向上のための熱処理を４００〜８００℃で１０分
〜１時間行い、付着層（Ａｌ）とＣｕ層との間に相互拡
散を生じさせて両者間の付着力を増大させるとともに付
着層（Ａｌ）と拡散防止膜（ＴｉＷ）との間の結合を強
化させる。その後、フォトリソグラフィ法およびドライ
エッチング法を適用して所望の形状にパターニングして
配線層を形成する。
【００１７】以上のように、全成膜工程において真空が
破られることがなく、したがって、拡散防止膜１３、付
着層１４およびＣｕ層１５上に酸化膜が形成されること
はない。そのため、各膜間の密着性が高まり剥離が生じ
にくくなる。さらに、酸化膜が形成されることがなくな
ったため、配線抵抗およびコンタクト抵抗を低減化する
ことができる。
破られることがなく、したがって、拡散防止膜１３、付
着層１４およびＣｕ層１５上に酸化膜が形成されること
はない。そのため、各膜間の密着性が高まり剥離が生じ
にくくなる。さらに、酸化膜が形成されることがなくな
ったため、配線抵抗およびコンタクト抵抗を低減化する
ことができる。
【００１８】なお、本発明者の実験によれば、半導体基
板搬送中および成膜開始前の堆積室内の真空度は、１×
１０-3Ｐａよりよい真空度が維持されていれば、実用上
問題のない程度に酸化膜の形成を抑え得る。
板搬送中および成膜開始前の堆積室内の真空度は、１×
１０-3Ｐａよりよい真空度が維持されていれば、実用上
問題のない程度に酸化膜の形成を抑え得る。
【００１９】［第２の実施例］図３は、本発明の第２の
実施例において用いられる成膜装置の概略構成図であ
る。同図において、２１は拡散防止膜堆積室、２２は付
着層堆積室、２３はＣｕ層堆積室、５１は入口バッファ
室、５２は出口バッファ室、６１、６２は、半導体基板
を堆積室から他の堆積室へ移動させる搬送用ロボットを
内部に収容する搬送チャンバである。
実施例において用いられる成膜装置の概略構成図であ
る。同図において、２１は拡散防止膜堆積室、２２は付
着層堆積室、２３はＣｕ層堆積室、５１は入口バッファ
室、５２は出口バッファ室、６１、６２は、半導体基板
を堆積室から他の堆積室へ移動させる搬送用ロボットを
内部に収容する搬送チャンバである。
【００２０】図４は、本発明の第２の実施例により形成
された配線層の構造を示す断面図である。表面にシリコ
ン酸化膜１２が形成されたシリコン基板１１を、入口バ
ッファ室を通して拡散防止膜堆積室２１内に搬入する。
拡散防止膜堆積室２１内において、Ｔｉをターゲットと
する反応性スパッタ法により、シリコン酸化膜１２上に
ＴｉＮを４００Åの膜厚に堆積して拡散防止膜１３を形
成する。
された配線層の構造を示す断面図である。表面にシリコ
ン酸化膜１２が形成されたシリコン基板１１を、入口バ
ッファ室を通して拡散防止膜堆積室２１内に搬入する。
拡散防止膜堆積室２１内において、Ｔｉをターゲットと
する反応性スパッタ法により、シリコン酸化膜１２上に
ＴｉＮを４００Åの膜厚に堆積して拡散防止膜１３を形
成する。
【００２１】拡散防止膜１３の成膜が終了した後、搬送
チャンバ６１内の搬送用ロボットにより半導体基板を拡
散防止膜堆積室２１から付着層堆積室２２に移送する。
そして、付着層堆積室２２において、Ｔｉをスパッタし
て、拡散防止膜１３上に付着層１４を膜厚１００Åに堆
積する。付着層１４の成膜が終了した後、搬送チャンバ
６２内の搬送用ロボットにより半導体基板を付着層堆積
室２２からＣｕ層堆積室２３に移送する。Ｃｕ層堆積室
２３内において、スパッタ法により膜厚４０００ÅのＣ
ｕ層１５を成長させる。その後、出口バッファ室５２を
通して半導体基板を成膜装置外に搬出する。
チャンバ６１内の搬送用ロボットにより半導体基板を拡
散防止膜堆積室２１から付着層堆積室２２に移送する。
そして、付着層堆積室２２において、Ｔｉをスパッタし
て、拡散防止膜１３上に付着層１４を膜厚１００Åに堆
積する。付着層１４の成膜が終了した後、搬送チャンバ
６２内の搬送用ロボットにより半導体基板を付着層堆積
室２２からＣｕ層堆積室２３に移送する。Ｃｕ層堆積室
２３内において、スパッタ法により膜厚４０００ÅのＣ
ｕ層１５を成長させる。その後、出口バッファ室５２を
通して半導体基板を成膜装置外に搬出する。
【００２２】成膜工程の終了後、結晶性および付着性向
上のための熱処理を４００〜８００℃で１０分〜１時間
行い、付着層（Ｔｉ）とＣｕ層との間に相互拡散を生じ
させて両者間の付着力を増大させるとともに付着層（Ｔ
ｉ）と拡散防止膜（ＴｉＮ）との間の結合を強化させ
る。その後、フォトリソグラフィ法およびドライエッチ
ング法を適用して所望の形状にパターニングして配線層
を形成する。本実施例によれば、複数の半導体基板に対
して同時に並行して成膜を行うことができるため、第１
の実施例の場合よりもスループットを向上させることが
できる。以上により、付着力が強く、シリコン基板を拡
散によって汚染させることがないＬＳＩ用の配線構造を
得ることができる。
上のための熱処理を４００〜８００℃で１０分〜１時間
行い、付着層（Ｔｉ）とＣｕ層との間に相互拡散を生じ
させて両者間の付着力を増大させるとともに付着層（Ｔ
ｉ）と拡散防止膜（ＴｉＮ）との間の結合を強化させ
る。その後、フォトリソグラフィ法およびドライエッチ
ング法を適用して所望の形状にパターニングして配線層
を形成する。本実施例によれば、複数の半導体基板に対
して同時に並行して成膜を行うことができるため、第１
の実施例の場合よりもスループットを向上させることが
できる。以上により、付着力が強く、シリコン基板を拡
散によって汚染させることがないＬＳＩ用の配線構造を
得ることができる。
【００２３】なお、以上の実施例では、スパッタ法にて
各膜を成膜していたが、本発明は特定の成膜技術に限定
されるものではなく、ＣＶＤ法、蒸着法、イオンプレー
ティング法等他の成膜技術も適宜使用しうるものであ
る。
各膜を成膜していたが、本発明は特定の成膜技術に限定
されるものではなく、ＣＶＤ法、蒸着法、イオンプレー
ティング法等他の成膜技術も適宜使用しうるものであ
る。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、配線層
の主体となるＣｕ層とＣｕ原子の拡散を防止する拡散防
止膜との間に両者に対し強い結合力を持つ付着層を介在
させるものであり、そしてこれらの膜を真空を破ること
なく連続的に成膜するものであるので、本発明によれ
ば、各膜間に酸化膜が介在することがないようにするこ
とができ、各膜間の密着性が高くかつ高い拡散防止能力
をもつ低抵抗の配線を提供することができる。
の主体となるＣｕ層とＣｕ原子の拡散を防止する拡散防
止膜との間に両者に対し強い結合力を持つ付着層を介在
させるものであり、そしてこれらの膜を真空を破ること
なく連続的に成膜するものであるので、本発明によれ
ば、各膜間に酸化膜が介在することがないようにするこ
とができ、各膜間の密着性が高くかつ高い拡散防止能力
をもつ低抵抗の配線を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例において用いられる成膜
装置の概略構成図。
装置の概略構成図。
【図２】本発明の第１の実施例により形成された半導体
装置の断面図。
装置の断面図。
【図３】本発明の第２の実施例において用いられる成膜
装置の概略構成図。
装置の概略構成図。
【図４】本発明の第２の実施例により形成された半導体
装置の断面図。
装置の断面図。
１１ シリコン基板 １２ シリコン酸化膜 １３ 拡散防止膜 １４ 付着層 １５ Ｃｕ層 １６ 酸化防止膜 ２１ 拡散防止膜堆積室 ２２ 付着層堆積室 ２３ Ｃｕ層堆積室 ３１、３２ ゲートバルブ ４１ 搬送棒 ５１ 入口バッファ室 ５２ 出口バッファ室 ６１、６２ 搬送チャンバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/3205 H01L 21/3213 H01L 21/768 H01L 21/28 - 21/288 H01L 29/40 - 29/51
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上に、Ｃｕに対する拡散防止
能力の高い材料からなる拡散防止膜、該拡散防止膜およ
びＣｕに対する付着力の高い材料からなる付着層、Ｃｕ
を主体とする材料からなる低抵抗金属層をこの順に、若
しくは、これらの拡散防止膜、付着層、低抵抗金属層の
外に酸化防止膜をこの順に堆積する配線層形成方法にお
いて、拡散防止膜、付着層、低抵抗金属層をそれぞれ異
なる堆積室において成膜を行い、各膜の堆積工程間にお
いて半導体基板を大気に曝すことなく成膜を続けること
を特徴とする配線層形成方法。 - 【請求項２】 半導体基板の搬送中および成膜開始前の
堆積室での真空度が１×１０-3Ｐａより良い真空度に保
たれていることを特徴とする請求項１記載の配線層形成
方法。 - 【請求項３】 Ｃｕに対する拡散防止能力の高い材料か
らなる拡散防止膜を堆積する拡散防止膜堆積室と、前記
拡散防止膜およびＣｕに対する付着力の高い材料からな
る付着層を堆積する付着層堆積室と、Ｃｕを主体とする
材料からなる低抵抗金属層を堆積するＣｕ層堆積室と、
がこの順に配置され、被処理基板を、前記拡散防止膜堆
積室と前記付着層堆積室との間および前記付着層堆積室
と前記Ｃｕ層堆積室との間を大気に触れさせることなく
移動させる手段を備えたことを特徴とする配線層形成装
置。 - 【請求項４】 前記被処理基板を大気に触れさせること
なく堆積室間を移動させる手段が、堆積室間に配置され
た、搬送ロボットを内部に有する搬送チャンバであるこ
とを特徴とする請求項３記載の配線層形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6300181A JP2757797B2 (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 配線層形成方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6300181A JP2757797B2 (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 配線層形成方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139091A JPH08139091A (ja) | 1996-05-31 |
| JP2757797B2 true JP2757797B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=17881719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6300181A Expired - Fee Related JP2757797B2 (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 配線層形成方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2757797B2 (ja) |
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