JPS63302538A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63302538A JPS63302538A JP13850887A JP13850887A JPS63302538A JP S63302538 A JPS63302538 A JP S63302538A JP 13850887 A JP13850887 A JP 13850887A JP 13850887 A JP13850887 A JP 13850887A JP S63302538 A JPS63302538 A JP S63302538A
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- titanium
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に金を用いた配線上に
他の配線を形成し友多層電極構造に関する。
他の配線を形成し友多層電極構造に関する。
従来、下層配線に金電惚（例えばチタン−白金−金構造
電極）を用いた多層電極においては、最上層の金とその
上に設けた層間膜との密層性が悪いため、これを改善す
る方法として、チ′タンー白 ゛金−金−窃化チタンの
工うに構造が・本願の発明者により提案されている。
電極）を用いた多層電極においては、最上層の金とその
上に設けた層間膜との密層性が悪いため、これを改善す
る方法として、チ′タンー白 ゛金−金−窃化チタンの
工うに構造が・本願の発明者により提案されている。
第３図に、従来構造による金′１極２層配線の縦断面図
を示す。シリコン酸化膜１に開口部を形成し、その上へ
、チタン層２．白金層３．金層４゜窒化チタン層６の金
電臨を形５又する。この上へシリコン酸化膜、シリコン
窒化膜等の層間絶縁膜７全形成し、遺ルーホール形成後
、窒化チタン、１８゜アルミ電極９の第２層１！轡を形
成している。
を示す。シリコン酸化膜１に開口部を形成し、その上へ
、チタン層２．白金層３．金層４゜窒化チタン層６の金
電臨を形５又する。この上へシリコン酸化膜、シリコン
窒化膜等の層間絶縁膜７全形成し、遺ルーホール形成後
、窒化チタン、１８゜アルミ電極９の第２層１！轡を形
成している。
上述したチタン−白金−合一窒化チタンを下層電極に用
いた２層配線を行なう上で、金層４と窒化チタン層６と
の間で僧化チタンが剥離するという問題が発生した。
いた２層配線を行なう上で、金層４と窒化チタン層６と
の間で僧化チタンが剥離するという問題が発生した。
一方、窒化チタンと眉間絶縁膜であるシリコン窒化膜、
シリコン酸化膜等との密着性は非常に良好であり几。
シリコン酸化膜等との密着性は非常に良好であり几。
本発明に工れば、半導体基板上に形成された所定の開ロ
部ｔ−有する第１の絶縁膜と、この開口部及びこの第１
の絶縁膜上に形成された密着性の優れた第１の導電層と
、この第１の導電層上に形成された高導電率を有する第
２の導電層と、この第２の導電層上に形成された密着性
の優れた第３の導電層と、この第３の導電層上に形成さ
れた凹看性に優れるとともに拡散バリヤとなる第４の導
電層と、この第４の導電層上に形成され次第２の絶縁膜
とｔ−有する半導体装置が得られる。
部ｔ−有する第１の絶縁膜と、この開口部及びこの第１
の絶縁膜上に形成された密着性の優れた第１の導電層と
、この第１の導電層上に形成された高導電率を有する第
２の導電層と、この第２の導電層上に形成された密着性
の優れた第３の導電層と、この第３の導電層上に形成さ
れた凹看性に優れるとともに拡散バリヤとなる第４の導
電層と、この第４の導電層上に形成され次第２の絶縁膜
とｔ−有する半導体装置が得られる。
第１の４本７ｍにはチタン、第２の導電層には金。
第３の導（層にはチタン、クロム、タンタルのうちの少
なくとも一役の金属、第４の導電層に鉱窒化チタンがそ
れぞれ用いられろ。さらに第１の導電層であるチタンと
第２の導ＴＬ層である金との闇には相互の拡？を防ぐ几
め白金が用いられる。
なくとも一役の金属、第４の導電層に鉱窒化チタンがそ
れぞれ用いられろ。さらに第１の導電層であるチタンと
第２の導ＴＬ層である金との闇には相互の拡？を防ぐ几
め白金が用いられる。
次に１本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実ｈり１の縦断面旬である。
シリコンシｆＩ′、膿１に開口部を設け、第１層電極を
形成する。第１ｆｆｉ電極は、チタン、１２．白金層３
゜金層４．チタン層５．窒化チタンＮｔ６をスパッタ法
にてこの順で形成する。この鱗、フォトレジストをマス
クにしてイオンミリング去でエツチング加工することに
Ｌｖチタン−白金−・詮−チタン−窒化チタン層が形成
される。ここで、チタン層５は熱処理時に金と反応する
九め、できるだけ薄い地である。
形成する。第１ｆｆｉ電極は、チタン、１２．白金層３
゜金層４．チタン層５．窒化チタンＮｔ６をスパッタ法
にてこの順で形成する。この鱗、フォトレジストをマス
クにしてイオンミリング去でエツチング加工することに
Ｌｖチタン−白金−・詮−チタン−窒化チタン層が形成
される。ここで、チタン層５は熱処理時に金と反応する
九め、できるだけ薄い地である。
このあと、フォトレジストラミ余去し、シリコン酸化膜
からなる眉間膜７を形成し、スルーホールを形成した後
、第２層電極、窒化チタン８．アルミニウム９を形成す
ることにより２層電極構造が得られる。
からなる眉間膜７を形成し、スルーホールを形成した後
、第２層電極、窒化チタン８．アルミニウム９を形成す
ることにより２層電極構造が得られる。
第２図は１本発明の他の実施例の縦断面図である。第２
図においては一実施例のチタン層の替わりにクロム層１
０ｔ−用いたものである。即ち、第１層電極構造は、チ
タン−白金−金−クロム−窒化チタンの構造を有するＯ
Ｕｔこのクロム層１０に代えてタンタルを用いることも
できる。
図においては一実施例のチタン層の替わりにクロム層１
０ｔ−用いたものである。即ち、第１層電極構造は、チ
タン−白金−金−クロム−窒化チタンの構造を有するＯ
Ｕｔこのクロム層１０に代えてタンタルを用いることも
できる。
以上説明したように１本発明は、窒化チタン等のバリヤ
ー金属と金との間に、チタン、クロム等の密着性金属を
薄く付着させることにエフ、従来問題のあり友バリヤー
金縞と金との間の剥れを完全に無くすことができ友。こ
のようにして、信頼度の非常に高い金電４Ｉ！２層配＃
を得ることができ友。
ー金属と金との間に、チタン、クロム等の密着性金属を
薄く付着させることにエフ、従来問題のあり友バリヤー
金縞と金との間の剥れを完全に無くすことができ友。こ
のようにして、信頼度の非常に高い金電４Ｉ！２層配＃
を得ることができ友。
尚、実施例では素子電極を多層にし友が％集積回路の配
線の多層化にも不発明は適用できる。又。
線の多層化にも不発明は適用できる。又。
上層配ｍをアルミニウムの’ｔｔｔ＋にしたが、これは
チタン−白金−金構造の金電極でも構わない。またこの
上層配線として、下層がＴｉ、中間層がｐｔ、 。
チタン−白金−金構造の金電極でも構わない。またこの
上層配線として、下層がＴｉ、中間層がｐｔ、 。
上層が金である多層配置ｔ用いることができる。
第１図は、本発明の一実施例の縦断面図、第２図は同様
に本発明の他の実施例の縦断面図、＃！３図は、従来の
金電極を用いた２層配＃を示す縦断面図である。 ｌ・・・・・・シリコン酸化膜、２・・・・・・チタン
１−１３・・・・・・白金層、４・・・・・・金層、５
・・・・・・チタン層、６・・・・・・窒化チタン層、
７・・・・・・層間絶−膜、８・・・・・・窒化チタン
層、９・・・・・・アルミニウム電ｆｆｉ、１０・・・
・・・クロム層。 ５．゛
に本発明の他の実施例の縦断面図、＃！３図は、従来の
金電極を用いた２層配＃を示す縦断面図である。 ｌ・・・・・・シリコン酸化膜、２・・・・・・チタン
１−１３・・・・・・白金層、４・・・・・・金層、５
・・・・・・チタン層、６・・・・・・窒化チタン層、
７・・・・・・層間絶−膜、８・・・・・・窒化チタン
層、９・・・・・・アルミニウム電ｆｆｉ、１０・・・
・・・クロム層。 ５．゛
Claims (2)
- （１）半導体基板上に形成された所定の開口部を有する
第１の絶縁膜と、前記開口部及び前記第１の絶縁膜上に
形成された密着性の優れた第１の導電層と、前記第１の
導電層上に形成された高導電率を有する第２の導電層と
、前記第２の導電層上に形成された密着性の優れた第３
の導電層と、前記第３の導電層上に形成された密着性に
優れるとともに拡散バリヤとなる第４の導電層と、前記
第４の導電層上に形成された第２の絶縁膜とを有するこ
とを特徴とする半導体装置。 - （２）前記第１の導電層はチタン、前記第２の導電層は
金、前記第３の導電層はチタン、クロム、タンタルのう
ち少なくとも一種の金属を有する金属層、前記第４の導
電層は窒化チタンである特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13850887A JPS63302538A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13850887A JPS63302538A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63302538A true JPS63302538A (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=15223776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13850887A Pending JPS63302538A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63302538A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5027997A (en) * | 1990-04-05 | 1991-07-02 | Hughes Aircraft Company | Silicon chip metallization system |
| JPH08139090A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-05-31 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPH08139091A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-05-31 | Nec Corp | 配線層形成方法およびその装置 |
| US5600182A (en) * | 1995-01-24 | 1997-02-04 | Lsi Logic Corporation | Barrier metal technology for tungsten plug interconnection |
| US6103400A (en) * | 1998-01-16 | 2000-08-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electrode for dielectric-thin film device, and ultrasonic wave oscillator using the electrode |
-
1987
- 1987-06-01 JP JP13850887A patent/JPS63302538A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5027997A (en) * | 1990-04-05 | 1991-07-02 | Hughes Aircraft Company | Silicon chip metallization system |
| JPH08139090A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-05-31 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPH08139091A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-05-31 | Nec Corp | 配線層形成方法およびその装置 |
| US5600182A (en) * | 1995-01-24 | 1997-02-04 | Lsi Logic Corporation | Barrier metal technology for tungsten plug interconnection |
| US5827777A (en) * | 1995-01-24 | 1998-10-27 | Lsi Logic Corporation | Method of making a barrier metal technology for tungsten plug interconnection |
| US6103400A (en) * | 1998-01-16 | 2000-08-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electrode for dielectric-thin film device, and ultrasonic wave oscillator using the electrode |
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