JPS63302538A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63302538A JPS63302538A JP13850887A JP13850887A JPS63302538A JP S63302538 A JPS63302538 A JP S63302538A JP 13850887 A JP13850887 A JP 13850887A JP 13850887 A JP13850887 A JP 13850887A JP S63302538 A JPS63302538 A JP S63302538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- layer
- titanium
- gold
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- FHUGMWWUMCDXBC-UHFFFAOYSA-N gold platinum titanium Chemical compound [Ti][Pt][Au] FHUGMWWUMCDXBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000132456 Haplocarpha Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-(5-methylfuran-2-yl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)C(CN)C1=CC=C(C)O1 KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFJGVOANJPFPDE-UHFFFAOYSA-N platinum titanium Chemical compound [Ti].[Ti].[Ti].[Pt] ZFJGVOANJPFPDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- -1 titanium-platinum-gold-chromium-titanium Chemical compound 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に金を用いた配線上に
他の配線を形成し友多層電極構造に関する。
他の配線を形成し友多層電極構造に関する。
従来、下層配線に金電惚(例えばチタン−白金−金構造
電極)を用いた多層電極においては、最上層の金とその
上に設けた層間膜との密層性が悪いため、これを改善す
る方法として、チ′タンー白 ゛金−金−窃化チタンの
工うに構造が・本願の発明者により提案されている。
電極)を用いた多層電極においては、最上層の金とその
上に設けた層間膜との密層性が悪いため、これを改善す
る方法として、チ′タンー白 ゛金−金−窃化チタンの
工うに構造が・本願の発明者により提案されている。
第3図に、従来構造による金′1極2層配線の縦断面図
を示す。シリコン酸化膜1に開口部を形成し、その上へ
、チタン層2.白金層3.金層4゜窒化チタン層6の金
電臨を形5又する。この上へシリコン酸化膜、シリコン
窒化膜等の層間絶縁膜7全形成し、遺ルーホール形成後
、窒化チタン、18゜アルミ電極9の第2層1!轡を形
成している。
を示す。シリコン酸化膜1に開口部を形成し、その上へ
、チタン層2.白金層3.金層4゜窒化チタン層6の金
電臨を形5又する。この上へシリコン酸化膜、シリコン
窒化膜等の層間絶縁膜7全形成し、遺ルーホール形成後
、窒化チタン、18゜アルミ電極9の第2層1!轡を形
成している。
上述したチタン−白金−合一窒化チタンを下層電極に用
いた2層配線を行なう上で、金層4と窒化チタン層6と
の間で僧化チタンが剥離するという問題が発生した。
いた2層配線を行なう上で、金層4と窒化チタン層6と
の間で僧化チタンが剥離するという問題が発生した。
一方、窒化チタンと眉間絶縁膜であるシリコン窒化膜、
シリコン酸化膜等との密着性は非常に良好であり几。
シリコン酸化膜等との密着性は非常に良好であり几。
本発明に工れば、半導体基板上に形成された所定の開ロ
部t−有する第1の絶縁膜と、この開口部及びこの第1
の絶縁膜上に形成された密着性の優れた第1の導電層と
、この第1の導電層上に形成された高導電率を有する第
2の導電層と、この第2の導電層上に形成された密着性
の優れた第3の導電層と、この第3の導電層上に形成さ
れた凹看性に優れるとともに拡散バリヤとなる第4の導
電層と、この第4の導電層上に形成され次第2の絶縁膜
とt−有する半導体装置が得られる。
部t−有する第1の絶縁膜と、この開口部及びこの第1
の絶縁膜上に形成された密着性の優れた第1の導電層と
、この第1の導電層上に形成された高導電率を有する第
2の導電層と、この第2の導電層上に形成された密着性
の優れた第3の導電層と、この第3の導電層上に形成さ
れた凹看性に優れるとともに拡散バリヤとなる第4の導
電層と、この第4の導電層上に形成され次第2の絶縁膜
とt−有する半導体装置が得られる。
第1の4本7mにはチタン、第2の導電層には金。
第3の導(層にはチタン、クロム、タンタルのうちの少
なくとも一役の金属、第4の導電層に鉱窒化チタンがそ
れぞれ用いられろ。さらに第1の導電層であるチタンと
第2の導TL層である金との闇には相互の拡?を防ぐ几
め白金が用いられる。
なくとも一役の金属、第4の導電層に鉱窒化チタンがそ
れぞれ用いられろ。さらに第1の導電層であるチタンと
第2の導TL層である金との闇には相互の拡?を防ぐ几
め白金が用いられる。
次に1本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実hり1の縦断面旬である。
シリコンシfI′、膿1に開口部を設け、第1層電極を
形成する。第1ffi電極は、チタン、12.白金層3
゜金層4.チタン層5.窒化チタンNt6をスパッタ法
にてこの順で形成する。この鱗、フォトレジストをマス
クにしてイオンミリング去でエツチング加工することに
Lvチタン−白金−・詮−チタン−窒化チタン層が形成
される。ここで、チタン層5は熱処理時に金と反応する
九め、できるだけ薄い地である。
形成する。第1ffi電極は、チタン、12.白金層3
゜金層4.チタン層5.窒化チタンNt6をスパッタ法
にてこの順で形成する。この鱗、フォトレジストをマス
クにしてイオンミリング去でエツチング加工することに
Lvチタン−白金−・詮−チタン−窒化チタン層が形成
される。ここで、チタン層5は熱処理時に金と反応する
九め、できるだけ薄い地である。
このあと、フォトレジストラミ余去し、シリコン酸化膜
からなる眉間膜7を形成し、スルーホールを形成した後
、第2層電極、窒化チタン8.アルミニウム9を形成す
ることにより2層電極構造が得られる。
からなる眉間膜7を形成し、スルーホールを形成した後
、第2層電極、窒化チタン8.アルミニウム9を形成す
ることにより2層電極構造が得られる。
第2図は1本発明の他の実施例の縦断面図である。第2
図においては一実施例のチタン層の替わりにクロム層1
0t−用いたものである。即ち、第1層電極構造は、チ
タン−白金−金−クロム−窒化チタンの構造を有するO
Utこのクロム層10に代えてタンタルを用いることも
できる。
図においては一実施例のチタン層の替わりにクロム層1
0t−用いたものである。即ち、第1層電極構造は、チ
タン−白金−金−クロム−窒化チタンの構造を有するO
Utこのクロム層10に代えてタンタルを用いることも
できる。
以上説明したように1本発明は、窒化チタン等のバリヤ
ー金属と金との間に、チタン、クロム等の密着性金属を
薄く付着させることにエフ、従来問題のあり友バリヤー
金縞と金との間の剥れを完全に無くすことができ友。こ
のようにして、信頼度の非常に高い金電4I!2層配#
を得ることができ友。
ー金属と金との間に、チタン、クロム等の密着性金属を
薄く付着させることにエフ、従来問題のあり友バリヤー
金縞と金との間の剥れを完全に無くすことができ友。こ
のようにして、信頼度の非常に高い金電4I!2層配#
を得ることができ友。
尚、実施例では素子電極を多層にし友が%集積回路の配
線の多層化にも不発明は適用できる。又。
線の多層化にも不発明は適用できる。又。
上層配mをアルミニウムの’ttt+にしたが、これは
チタン−白金−金構造の金電極でも構わない。またこの
上層配線として、下層がTi、中間層がpt、 。
チタン−白金−金構造の金電極でも構わない。またこの
上層配線として、下層がTi、中間層がpt、 。
上層が金である多層配置t用いることができる。
第1図は、本発明の一実施例の縦断面図、第2図は同様
に本発明の他の実施例の縦断面図、#!3図は、従来の
金電極を用いた2層配#を示す縦断面図である。 l・・・・・・シリコン酸化膜、2・・・・・・チタン
1−13・・・・・・白金層、4・・・・・・金層、5
・・・・・・チタン層、6・・・・・・窒化チタン層、
7・・・・・・層間絶−膜、8・・・・・・窒化チタン
層、9・・・・・・アルミニウム電ffi、10・・・
・・・クロム層。 5.゛
に本発明の他の実施例の縦断面図、#!3図は、従来の
金電極を用いた2層配#を示す縦断面図である。 l・・・・・・シリコン酸化膜、2・・・・・・チタン
1−13・・・・・・白金層、4・・・・・・金層、5
・・・・・・チタン層、6・・・・・・窒化チタン層、
7・・・・・・層間絶−膜、8・・・・・・窒化チタン
層、9・・・・・・アルミニウム電ffi、10・・・
・・・クロム層。 5.゛
Claims (2)
- (1)半導体基板上に形成された所定の開口部を有する
第1の絶縁膜と、前記開口部及び前記第1の絶縁膜上に
形成された密着性の優れた第1の導電層と、前記第1の
導電層上に形成された高導電率を有する第2の導電層と
、前記第2の導電層上に形成された密着性の優れた第3
の導電層と、前記第3の導電層上に形成された密着性に
優れるとともに拡散バリヤとなる第4の導電層と、前記
第4の導電層上に形成された第2の絶縁膜とを有するこ
とを特徴とする半導体装置。 - (2)前記第1の導電層はチタン、前記第2の導電層は
金、前記第3の導電層はチタン、クロム、タンタルのう
ち少なくとも一種の金属を有する金属層、前記第4の導
電層は窒化チタンである特許請求の範囲第1項記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13850887A JPS63302538A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13850887A JPS63302538A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63302538A true JPS63302538A (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=15223776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13850887A Pending JPS63302538A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63302538A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5027997A (en) * | 1990-04-05 | 1991-07-02 | Hughes Aircraft Company | Silicon chip metallization system |
JPH08139090A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-05-31 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH08139091A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-05-31 | Nec Corp | 配線層形成方法およびその装置 |
US5600182A (en) * | 1995-01-24 | 1997-02-04 | Lsi Logic Corporation | Barrier metal technology for tungsten plug interconnection |
US6103400A (en) * | 1998-01-16 | 2000-08-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electrode for dielectric-thin film device, and ultrasonic wave oscillator using the electrode |
-
1987
- 1987-06-01 JP JP13850887A patent/JPS63302538A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5027997A (en) * | 1990-04-05 | 1991-07-02 | Hughes Aircraft Company | Silicon chip metallization system |
JPH08139090A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-05-31 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH08139091A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-05-31 | Nec Corp | 配線層形成方法およびその装置 |
US5600182A (en) * | 1995-01-24 | 1997-02-04 | Lsi Logic Corporation | Barrier metal technology for tungsten plug interconnection |
US5827777A (en) * | 1995-01-24 | 1998-10-27 | Lsi Logic Corporation | Method of making a barrier metal technology for tungsten plug interconnection |
US6103400A (en) * | 1998-01-16 | 2000-08-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electrode for dielectric-thin film device, and ultrasonic wave oscillator using the electrode |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4687552A (en) | Rhodium capped gold IC metallization | |
JP3838827B2 (ja) | 薄膜コンデンサ素子及びプリント回路基板の製造方法 | |
KR940006179A (ko) | 반도체 장치와 그 제작방법 | |
KR970063592A (ko) | 다층 패드를 구비하는 반도체장치 및 그 제조방법 | |
JPS63302538A (ja) | 半導体装置 | |
US20050056939A1 (en) | Thin-film capacitor and method of producing the capacitor | |
JPH1074838A (ja) | 多層配線半導体装置とその製造方法 | |
JPS61242039A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0247862A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH02159065A (ja) | コンタクト電極の形成方法 | |
JPH04278542A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS603796B2 (ja) | 超電導回路用コンタクト | |
JPH0612789B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0233929A (ja) | 半導体装置 | |
JP2959186B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH02183536A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0618239B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS6347952A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04307757A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS63299143A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JPH02172259A (ja) | 半導体装置 | |
JPS60142544A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0267730A (ja) | 半導体装置 | |
JPS60210871A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH03165037A (ja) | 半導体装置 |