JPH02159065A - コンタクト電極の形成方法 - Google Patents
コンタクト電極の形成方法Info
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- JPH02159065A JPH02159065A JP31402988A JP31402988A JPH02159065A JP H02159065 A JPH02159065 A JP H02159065A JP 31402988 A JP31402988 A JP 31402988A JP 31402988 A JP31402988 A JP 31402988A JP H02159065 A JPH02159065 A JP H02159065A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 8
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Si半導体製造分野の半導体素子と金属配線
とのコンタクトの形成方法に関するものである。
とのコンタクトの形成方法に関するものである。
従来の技術
従来の半導体素子と金属配線との接合の一例を、第4図
に示す。1は、半導体素子を形成する為のSi基板であ
る。2は、拡散層である。3は、半導体素子と、金属配
線の間をコンタクト領域以外で絶縁する為の眉間絶縁膜
である。4は、金属配線として用いられているSiを含
んだAl膜であり、例としてAl−8iあるいはAl−
8i −Cuなとである。
に示す。1は、半導体素子を形成する為のSi基板であ
る。2は、拡散層である。3は、半導体素子と、金属配
線の間をコンタクト領域以外で絶縁する為の眉間絶縁膜
である。4は、金属配線として用いられているSiを含
んだAl膜であり、例としてAl−8iあるいはAl−
8i −Cuなとである。
以上のように構成された従来のコンタクト電極において
は、Siを含んだAl膜として、Al中に通常0.5〜
2%程度のSiを添加しである。
は、Siを含んだAl膜として、Al中に通常0.5〜
2%程度のSiを添加しである。
このSi添加によりAl膜堆積後の熱処理(シンター)
によるAIスパイクを押えている。すなわちAIスパイ
クによる拡散層の接合破壊をおこさないように配慮しで
ある。
によるAIスパイクを押えている。すなわちAIスパイ
クによる拡散層の接合破壊をおこさないように配慮しで
ある。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では、第5図に示す様に
A1膜中に溶解度以上のSiを添加してある為、Siを
含んだAI膜堆積後の熱処理によりコンタクトホール内
にSiが析出する。コンタクトホールの径が1.0μm
以下と小さ(なるに従い、析出Siがコンタクトホール
を埋めつ(してしまう為、コンタクト抵抗が太き(なっ
てしまうという問題点を有していた。特に、n+拡散層
上では、析出Si中にAIを含み、析出Siがp型にな
る為、コンタクト抵抗が非常に太き(なるという問題点
を有していた。
A1膜中に溶解度以上のSiを添加してある為、Siを
含んだAI膜堆積後の熱処理によりコンタクトホール内
にSiが析出する。コンタクトホールの径が1.0μm
以下と小さ(なるに従い、析出Siがコンタクトホール
を埋めつ(してしまう為、コンタクト抵抗が太き(なっ
てしまうという問題点を有していた。特に、n+拡散層
上では、析出Si中にAIを含み、析出Siがp型にな
る為、コンタクト抵抗が非常に太き(なるという問題点
を有していた。
本発明は、かかる点に鑑み、コンタクトホール中に析出
するSiの量を極力おさえる為のコンタクト電極の形成
方法を提供することを目的とする。
するSiの量を極力おさえる為のコンタクト電極の形成
方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、コンタクトホールのコンタクト部に、Siを
含むAI膜とSiを含まないA1膜との組み合わせで、
2層以上堆積した、コンタクト電極の形成方法である。
含むAI膜とSiを含まないA1膜との組み合わせで、
2層以上堆積した、コンタクト電極の形成方法である。
作 用
本発明は、前記した構成により、コンタクト形成後の熱
処理(シンター)を行い、Siを含むAI模膜中過剰S
iをSlを含まないAI膜に拡散させることによって、
コンタクトホール内のSiの析出を押さえる。又、拡散
層へのA1スパイクの発生も押さえられる。
処理(シンター)を行い、Siを含むAI模膜中過剰S
iをSlを含まないAI膜に拡散させることによって、
コンタクトホール内のSiの析出を押さえる。又、拡散
層へのA1スパイクの発生も押さえられる。
実施例
第1図は、本発明の第1の実施例における、オーミック
コンタクトの製造方法を示す断面図である。第2図は、
完成後の断面図である。第1図において、■は、半導体
素子を形成する為のSi基板(例えばp基板)である。
コンタクトの製造方法を示す断面図である。第2図は、
完成後の断面図である。第1図において、■は、半導体
素子を形成する為のSi基板(例えばp基板)である。
2は、拡散層(例えばn+拡散層)である。3は、半導
体素子と、金属配線の間をコンタクト領域以外で絶縁す
る為の層間絶縁膜である。4は、拡散層中にA1スパイ
クを押える為のSiを含んだA1膜である。又6は、S
i析出を押える為のSiを含まないAI膜である。コン
タクトの製造方法としては、第1図(a)に示す様に、
1に示すSi基基土上3の層間絶縁膜を形成する。次に
(b)に示す様に、フォトリソ工程を行った後、眉間絶
縁膜をエツチングし、コンタクトホールを開孔する。そ
の後、金属配線堆積前の洗浄を行った後、(3)に示す
様に、AlSi合金膜を堆積する。最後に(4)に示す
様に純AIIJIを堆積し、配線をパターニングする。
体素子と、金属配線の間をコンタクト領域以外で絶縁す
る為の層間絶縁膜である。4は、拡散層中にA1スパイ
クを押える為のSiを含んだA1膜である。又6は、S
i析出を押える為のSiを含まないAI膜である。コン
タクトの製造方法としては、第1図(a)に示す様に、
1に示すSi基基土上3の層間絶縁膜を形成する。次に
(b)に示す様に、フォトリソ工程を行った後、眉間絶
縁膜をエツチングし、コンタクトホールを開孔する。そ
の後、金属配線堆積前の洗浄を行った後、(3)に示す
様に、AlSi合金膜を堆積する。最後に(4)に示す
様に純AIIJIを堆積し、配線をパターニングする。
その後、熱処理〈シンター)を行いコンタクトを形成す
る。第2図は形成後の断面図である。
る。第2図は形成後の断面図である。
以上のように構成された本実施例の、コンタクトの製造
方法について、以下その有効性を説明する。
方法について、以下その有効性を説明する。
第2図に示す様に、コンタクトホールのコンタクト部に
Al−Si合金膜を薄く堆積し、その上部に純At膜を
堆積した2層構造を有することにより、熱処理(シンタ
ー)中にSi析出として問題となる過剰Siが、純At
膜へ拡散する。この過剰Stの純A1膜への拡散の為、
従来例の様に、コンタクトホールを覆う様な、大きなS
i析出を防ぐことができる。
Al−Si合金膜を薄く堆積し、その上部に純At膜を
堆積した2層構造を有することにより、熱処理(シンタ
ー)中にSi析出として問題となる過剰Siが、純At
膜へ拡散する。この過剰Stの純A1膜への拡散の為、
従来例の様に、コンタクトホールを覆う様な、大きなS
i析出を防ぐことができる。
以上のように、本実施例によれば、コンタクト部にAl
−Si合金膜を薄(堆積し、その上部に純At膜を堆積
した2層構造を有することにより、Si析出によるコン
タクト抵抗の増大を防ぐことが可能となる。
−Si合金膜を薄(堆積し、その上部に純At膜を堆積
した2層構造を有することにより、Si析出によるコン
タクト抵抗の増大を防ぐことが可能となる。
第3図は、本発明の第2の実施例を示すコンタクトの断
面図であ・る。同図において1はSi基板、2は拡散層
、3は層間絶縁膜で、以上は第2図の構成と同様なもの
である。第2図の構成と異なるのは、4のAl−Si合
金膜と6の純At膜とを入れかえた点である。
面図であ・る。同図において1はSi基板、2は拡散層
、3は層間絶縁膜で、以上は第2図の構成と同様なもの
である。第2図の構成と異なるのは、4のAl−Si合
金膜と6の純At膜とを入れかえた点である。
前記のように構成された第2の実施例のコンタクトにつ
いて以下その有効性について説明する。
いて以下その有効性について説明する。
第3図に示す様に、コンタクト部に純At膜を堆積し、
その上部にAl−Si合金膜を堆積し、2層構造とする
ことにより、熱処理(シンター)を行うと、純Al中に
上層のAl−Si合金膜からの過剰Siが拡散し、n+
拡散層からのSiの拡散が押えられる。すなわちAtス
パイクが押えられる。又、Al−3t層内の過剰Stが
純A1膜へ拡散する為、Al−8t合金膜のSi濃度が
減少しSi析出量を小さくできる。
その上部にAl−Si合金膜を堆積し、2層構造とする
ことにより、熱処理(シンター)を行うと、純Al中に
上層のAl−Si合金膜からの過剰Siが拡散し、n+
拡散層からのSiの拡散が押えられる。すなわちAtス
パイクが押えられる。又、Al−3t層内の過剰Stが
純A1膜へ拡散する為、Al−8t合金膜のSi濃度が
減少しSi析出量を小さくできる。
以上のように本実施例によれば、コンタクト部に純At
膜を堆積し、その上部にAl−Si合金膜を堆積した2
層構造を有することにより、Si析出によるコンタクト
抵抗の増大を防ぐことが可能となる。又、Atスパイク
による接合破壊もおこさない。
膜を堆積し、その上部にAl−Si合金膜を堆積した2
層構造を有することにより、Si析出によるコンタクト
抵抗の増大を防ぐことが可能となる。又、Atスパイク
による接合破壊もおこさない。
なお、第1の実施例、第2の実施例、において、4はA
l−Si合金膜、6は純At膜としたが、それぞれ鋼を
含むAl−8i−Cu合金膜、Al−Cu合金膜として
もよい。
l−Si合金膜、6は純At膜としたが、それぞれ鋼を
含むAl−8i−Cu合金膜、Al−Cu合金膜として
もよい。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、コンタクトホール
内のSi析出を極力押えることができ、又、拡散層への
Atスパイクの発生も少な(、その実用的効果は大きい
。
内のSi析出を極力押えることができ、又、拡散層への
Atスパイクの発生も少な(、その実用的効果は大きい
。
第1図は、本発明における一実施例のコンタクトの製造
方法を示す工程断面図、第2図は、完成後の断面図、第
3図は、本発明の他の実施例のコンタクトの断面図、第
4図、第5図は、各々従来のコンタクトの断面図である
。 1・・・・・・Si基板、2・・・・・・拡散層、3・
・・・・・層間絶縁膜、4・・・・・・Al−Si合金
膜、5・・・・・・析出Si、6・・・・・・純At膜
。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名r−s:
暮 糎 2−m−弘 散 層 3− 層A11l絶ル護 箔 図 Si K 伝 t 敢 1 層間絶N膚 1−5i含主須 純AI頑 第 図 1□
方法を示す工程断面図、第2図は、完成後の断面図、第
3図は、本発明の他の実施例のコンタクトの断面図、第
4図、第5図は、各々従来のコンタクトの断面図である
。 1・・・・・・Si基板、2・・・・・・拡散層、3・
・・・・・層間絶縁膜、4・・・・・・Al−Si合金
膜、5・・・・・・析出Si、6・・・・・・純At膜
。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名r−s:
暮 糎 2−m−弘 散 層 3− 層A11l絶ル護 箔 図 Si K 伝 t 敢 1 層間絶N膚 1−5i含主須 純AI頑 第 図 1□
Claims (3)
- (1)コンタクトホールのコンタクト部に、Siを含む
Al膜とSiを含まないAl膜との組み合わせで、2層
以上堆積したことを特徴とするコンタクト電極の形成方
法。 - (2)コンタクトホールのコンタクト部にSiを含むA
l膜を堆積し、その上部にSiを含まないAl膜を堆積
した2層構造を有するコンタクト電極の形成方法。 - (3)コンタクトホールのコンタクト部にSiを含まな
いAl膜を堆積し、その上部にSiを含むAl膜を堆積
した2層構造を有するコンタクト電極の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31402988A JPH02159065A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | コンタクト電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31402988A JPH02159065A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | コンタクト電極の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02159065A true JPH02159065A (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=18048357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31402988A Pending JPH02159065A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | コンタクト電極の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02159065A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0476429A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
US5266521A (en) * | 1991-03-20 | 1993-11-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming a planarized composite metal layer in a semiconductor device |
US5569961A (en) * | 1992-12-30 | 1996-10-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device having a multi-layer metallization structure |
US5843842A (en) * | 1991-07-08 | 1998-12-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device having a wiring layer without producing silicon precipitates |
DE4342047B4 (de) * | 1992-12-10 | 2004-12-09 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Halbleiterbauelement mit einer Diffusionsbarrierenschichtanordnung und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
1988
- 1988-12-13 JP JP31402988A patent/JPH02159065A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0476429A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
US5266521A (en) * | 1991-03-20 | 1993-11-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming a planarized composite metal layer in a semiconductor device |
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DE4222142B4 (de) * | 1991-07-08 | 2006-08-03 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Halbleiterbauelement mit einer Verdrahtungsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE4342047B4 (de) * | 1992-12-10 | 2004-12-09 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Halbleiterbauelement mit einer Diffusionsbarrierenschichtanordnung und Verfahren zu seiner Herstellung |
US5569961A (en) * | 1992-12-30 | 1996-10-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device having a multi-layer metallization structure |
US5851917A (en) * | 1992-12-30 | 1998-12-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a multi-layer wiring structure of a semiconductor device |
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