JPS62241373A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS62241373A
JPS62241373A JP8471986A JP8471986A JPS62241373A JP S62241373 A JPS62241373 A JP S62241373A JP 8471986 A JP8471986 A JP 8471986A JP 8471986 A JP8471986 A JP 8471986A JP S62241373 A JPS62241373 A JP S62241373A
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JP
Japan
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film
aluminum alloy
wiring
semiconductor device
contact hole
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Pending
Application number
JP8471986A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Saito
健二 斉藤
Isao Furuta
古田 勲
Katsuhiro Hirata
勝弘 平田
Junichi Arima
純一 有馬
Eisuke Tanaka
英祐 田中
Hidefumi Kuroki
黒木 秀文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS62241373A publication Critical patent/JPS62241373A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置に関し、特にアルミ合金からな
る配線に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図(al〜(d)は従来の半導体装置を製造する方
法を示し、第2図(d)は従来の半導体装置を示す。
図において、1はシリコン基板、2は絶縁膜、3はアル
ミ合金膜、3aはアルミ合金からなる配線、4はフォト
レジストパターン、7はn+Hである。
次に、その製造方法について説明する。まず、シリコン
基板1上にホスホシリケートグラス膜(PSG膜)やボ
ロホスホシリケートグラス膜(BPSG膜)等(71m
@2をCVD法等で堆積し、これに熱処理を施して平坦
化した後、写真製版、エツチングにより、上記シリコン
基板1上へ達するコンタクト孔を形成する(第2図(a
))、次にアルミ合金膜3をスパッタ法等で堆積しく第
2図山))、この上にフォトレジストを塗布し、写真製
版により配線用のフォトレジストパターン4を形成する
(第2図(C))、そして、該パターン4をマスクとし
てアルミ合金からなる配線3aを形成する(第2図(d
))e 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
絶縁膜の影響によりコンタクト孔上にSiが析出するこ
とによりコンタクト抵抗が不安定となったり、エレクト
ロ・マイグレーションによる劣化が生じたりするなどの
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解゛消するためになさ
れたもので、Siの析出により生じるコンタクト抵抗の
不安定化やエレクトロマイグレーションによる劣化を防
止することのできる半導体装置を得ることを目的とする
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、コンタクト孔内に形成さ
れる配線を、高融点金属シリサイド膜(Rメタルシリサ
イド膜)、チタン・タングステン膜(T i−W膜)、
アルミ合金膜からなる三層構造としたものである。
〔作用〕
この発明においては、配線をRメタルシリサイド膜、T
i−W膜、アルミ合金膜からなる三層構造としたので、
配線と基板のコンタクト抵抗の不安定化やエレクトロマ
イグレーションによる劣化をTi−W膜により防止でき
、さらにTi−W膜のみではアルミ合金膜とn1liと
の間、すなわち配線とn“層との間でリーク電流が増加
するおそれがあり、これをRメタルシリサイド膜により
防止できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図(a)〜ff)は、この発明の一実施例による半
導体装置を製造する方法を示し、第1図([1はこの発
明の一実施例による半導体装置である。図において、1
〜4,7は第2図と同じものを示し、5はRメタルシリ
サイド膜、6はTi−Wli、8は配線である。
次に、その製造方法について説明する。まず従来と同様
にシリコン基板l上に絶縁膜2及び該絶縁II!2にコ
ンタクト孔を形成する(第1図(a))。
次に、この上にRメタルシリサイド膜5、Ti −W膜
6、アルミ合金膜3をそれぞれスパッタ法等で堆積する
(第1図(b) Ic) (d) ) 、そして、フォ
トレジストを塗布し、これを写真製版して配線用のフォ
トレジストパターン4を形成しく第1図(e))、該パ
ターン4をマスクとしてアルミ合金膜3、Ti−W膜6
、Rメタルシリサイド膜5からなる三層膜をエツチング
して配線8を形成する(第1図(f))# このようにして得られた半導体装置では、配線と基板の
コンタクト抵抗の不安定化やエレクトロマイグレーショ
ンによる劣化をTi−W膜により防止でき、さらに、T
i−W膜のみでは生じるおそれのある配線とnJiとの
間のリーク電流の増加をRメタルシリサイド膜により防
止できる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明の半導体装置によれば、コンタ
クト孔内に形成される配線を高融点金属シリサイド膜、
チタン・タングステン膜、アルミ合金膜からなる三層構
造としたので、配線とn”層との間のリーク電流を増加
させることなく、コンタクト抵抗の不安定化、エレクト
ロマイグレーションによる劣化を防止できる効果がある
【図面の簡単な説明】
第1図<a>〜(f)はこの発明の一実施例による半導
体装置を製造する方法を示す工程別断面図、第2図(a
)〜(dlは従来の半導体装置を製造する方法を示す工
程別断面図である。 図において、1はシリコン基板、2は絶縁膜、3はアル
ミ合金膜、3aは配線、4はフォトレジストパターン、
5はRメタルシリサイド膜、6はT i−W膜、7はn
十層、8は配線である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上の絶縁膜にコンタクト孔が設けられ、該コ
    ンタクト孔内に配線が形成されてなる半導体装置におい
    て、 上記配線が高融点金属シリサイド膜、チタン・タングス
    テン膜、アルミ合金膜からなる三層構造のものであるこ
    とを特徴とする半導体装置。
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