JPH01255249A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH01255249A JPH01255249A JP8334588A JP8334588A JPH01255249A JP H01255249 A JPH01255249 A JP H01255249A JP 8334588 A JP8334588 A JP 8334588A JP 8334588 A JP8334588 A JP 8334588A JP H01255249 A JPH01255249 A JP H01255249A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特に金属配線間に
絶縁膜を設けて形成される多層配線を有する半導体集積
回路装置に関する。
絶縁膜を設けて形成される多層配線を有する半導体集積
回路装置に関する。
従来、この種の半導体集積回路装置の多層配線には、ア
ルミニウム合金が主に用いられていたが、このアルミニ
ウム合金では耐エレクトロマイグレーション性や熱処理
によりできるアルミニウム合金の突起物いわゆるヒロッ
ク等が問題となってくるため、アルミニウム合金と高融
点金属あるいは高融点金属化合物との積層描造により配
線を形成することでこの問題点を解決することが行なわ
れている。特に形成が容易で効果が大きい方法としてア
ルミニウム合金の上層に高融点金属あるいは高融点金属
化合物を被着した２層構造が金属配線に用いられていた
。
ルミニウム合金が主に用いられていたが、このアルミニ
ウム合金では耐エレクトロマイグレーション性や熱処理
によりできるアルミニウム合金の突起物いわゆるヒロッ
ク等が問題となってくるため、アルミニウム合金と高融
点金属あるいは高融点金属化合物との積層描造により配
線を形成することでこの問題点を解決することが行なわ
れている。特に形成が容易で効果が大きい方法としてア
ルミニウム合金の上層に高融点金属あるいは高融点金属
化合物を被着した２層構造が金属配線に用いられていた
。
この従来の半導体集積回路装置の断面図を第３図に示す
。表面がシリコン酸化膜２２で覆われ所定の位置に開口
部を設けたシリコン基板２１上に、アルミニウム合金２
３とチタンシリサイド２４の２層で一層目金属配線を形
成した後、ＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜２５
に一層目金属配線に達する開口部を設けた後、アルミニ
ウム合金２６で二層目金属配線を形成している。
。表面がシリコン酸化膜２２で覆われ所定の位置に開口
部を設けたシリコン基板２１上に、アルミニウム合金２
３とチタンシリサイド２４の２層で一層目金属配線を形
成した後、ＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜２５
に一層目金属配線に達する開口部を設けた後、アルミニ
ウム合金２６で二層目金属配線を形成している。
上述した従来の半導体集積回路装置では、−層目のアル
ミニウム合金２３と二層目のアルミニウム合金２６の間
に高融点金属あるいは高融点金属化合物、実施例ではチ
タンシリサイド２４があるため、配線層間を接続する抵
抗が高くなってしまうという欠点を有する。
ミニウム合金２３と二層目のアルミニウム合金２６の間
に高融点金属あるいは高融点金属化合物、実施例ではチ
タンシリサイド２４があるため、配線層間を接続する抵
抗が高くなってしまうという欠点を有する。
本発明の半導体集積回路装置は、少なくとも第１のアル
ミニウム合金配線の上層が高融点金属あるいは高融点金
属化合物で構成されるアルミニウム合金多層配線を有す
る半導体集積回路装置において、各配線層間の接続部に
はこの高融点金属あるいは、高融点金属化合物が無いこ
とを特徴としている。
ミニウム合金配線の上層が高融点金属あるいは高融点金
属化合物で構成されるアルミニウム合金多層配線を有す
る半導体集積回路装置において、各配線層間の接続部に
はこの高融点金属あるいは、高融点金属化合物が無いこ
とを特徴としている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。−層目金属
配線をアルミニウム合金３と窒化チタンで、二層目金属
配線をアルミニウム合金６と窒化チタン７で、層間絶縁
膜をプラズマＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜つ
まりプラズマ酸化膜５で形成している。
配線をアルミニウム合金３と窒化チタンで、二層目金属
配線をアルミニウム合金６と窒化チタン７で、層間絶縁
膜をプラズマＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜つ
まりプラズマ酸化膜５で形成している。
まず、表面がシリコン酸化膜２で覆われ所定の位置に開
口部を設けたシリコン基板１上にアルミニウム合金３を
０．５μｍ、窒化チタン４を０．１μｍの厚さにスパッ
タ法により順次被着し一層目金属配線を形成する。次に
プラズマ酸化膜５を１．０μｍの厚さに被着した後、こ
のプラズマ酸化膜５にリソグラフィ技術を用い窒化チタ
ン４に達する開口部を選択的に設けた後、さらに開口部
内の窒化チタン４を除去する。次にアルミニウム合金６
と窒化チタン７をスパッタリング法によりそれぞれ１．
０μｍと０．１μｍの厚さに被着し、二層目金属配線を
形成する。
口部を設けたシリコン基板１上にアルミニウム合金３を
０．５μｍ、窒化チタン４を０．１μｍの厚さにスパッ
タ法により順次被着し一層目金属配線を形成する。次に
プラズマ酸化膜５を１．０μｍの厚さに被着した後、こ
のプラズマ酸化膜５にリソグラフィ技術を用い窒化チタ
ン４に達する開口部を選択的に設けた後、さらに開口部
内の窒化チタン４を除去する。次にアルミニウム合金６
と窒化チタン７をスパッタリング法によりそれぞれ１．
０μｍと０．１μｍの厚さに被着し、二層目金属配線を
形成する。
第２図は本発明の他の実施例の断面図である。
まず表面がシリコン酸化膜１２で覆われ所定の位置に開
口部を設けたシリコン基板１１上にアルミニウム合金１
３により一層目金属配線を形成した後、−層目金属配線
と二層目金属配線をつなぐ場所にフォトレジス）１４を
設け、六弗化タングステンを用いたＣＶＤ法により、ア
ルミニウム合金１３の表面にのみ選択的にタングステン
１５を０、１μｍの厚さに成長する（第２図（Ａ））。
口部を設けたシリコン基板１１上にアルミニウム合金１
３により一層目金属配線を形成した後、−層目金属配線
と二層目金属配線をつなぐ場所にフォトレジス）１４を
設け、六弗化タングステンを用いたＣＶＤ法により、ア
ルミニウム合金１３の表面にのみ選択的にタングステン
１５を０、１μｍの厚さに成長する（第２図（Ａ））。
フォトレジスト１４を除去した後プラズマ窒化膜１６ヲ
１．０μｍの厚さに被着し、アルミニウム合金４１３に
達する開口部を形成する。次にアルミニウム合金１７に
より二層目金属配線を形成し、アルミニウム合金による
２層配線を有する半導体集積回路装置を完成する（第２
図（Ｂ））。本実施例では上記一実施例と異なり一層目
金属配線の端部にもタングステン１５が形成されている
。
１．０μｍの厚さに被着し、アルミニウム合金４１３に
達する開口部を形成する。次にアルミニウム合金１７に
より二層目金属配線を形成し、アルミニウム合金による
２層配線を有する半導体集積回路装置を完成する（第２
図（Ｂ））。本実施例では上記一実施例と異なり一層目
金属配線の端部にもタングステン１５が形成されている
。
以上説明したように本発明は、少なくとも第１のアルミ
ニウム合金配線の上層が高融点金属あるいは高融点金属
化合物で覆われているが各配線層間の接続部には高融点
金属あるいは高融点金属化合物が無いため、配線層間は
アルミニウム合金とアルミニウム合金で接続されており
、接続抵抗は十分低くできるという効果を有する。
ニウム合金配線の上層が高融点金属あるいは高融点金属
化合物で覆われているが各配線層間の接続部には高融点
金属あるいは高融点金属化合物が無いため、配線層間は
アルミニウム合金とアルミニウム合金で接続されており
、接続抵抗は十分低くできるという効果を有する。
したがって本発明により耐エレクトロマイグレーション
性が強く、ヒロックなどのない高信頼度の、さらに低抵
抗の多層配線を有する半導体集積回路装置を形成するこ
とが可能である。
性が強く、ヒロックなどのない高信頼度の、さらに低抵
抗の多層配線を有する半導体集積回路装置を形成するこ
とが可能である。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は本発明
の他の実施例の主要工程順の縦断面図、第３図は従来の
半導体集積回路装置の縦断面図である。 １．１１．２１・・・・・・シリコン基板、２，１２゜
２２・・・・・・シリコン酸化膜、３，６，１３，１７
゜２３．２６・・・・・・アルミニウム合金、４． ７
・・・・・・窒化チタン、５・・・・・・プラズマ酸化
膜、１４・・・・・・フォトレジスト、１５・・・・・
・タングステン、１６・・・・・・プラズマ窒化膜、２
４・・・・・・チタンシリサイド、２５・・・・・・Ｃ
ＶＤ酸化膜。 代理人 弁理士 内 原 音
の他の実施例の主要工程順の縦断面図、第３図は従来の
半導体集積回路装置の縦断面図である。 １．１１．２１・・・・・・シリコン基板、２，１２゜
２２・・・・・・シリコン酸化膜、３，６，１３，１７
゜２３．２６・・・・・・アルミニウム合金、４． ７
・・・・・・窒化チタン、５・・・・・・プラズマ酸化
膜、１４・・・・・・フォトレジスト、１５・・・・・
・タングステン、１６・・・・・・プラズマ窒化膜、２
４・・・・・・チタンシリサイド、２５・・・・・・Ｃ
ＶＤ酸化膜。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 少なくとも第１のアルミニウム合金配線の上層が高融
点金属あるいは高融点金属化合物で構成されるアルミニ
ウム合金多層配線を有する半導体集積回路装置において
、各配線層間接続部には前記高融点金属あるいは高融点
金属化合物が無いことを特徴とする半導体集積回路装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8334588A JPH01255249A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8334588A JPH01255249A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01255249A true JPH01255249A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13799850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8334588A Pending JPH01255249A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01255249A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0287555A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US5500560A (en) * | 1991-11-12 | 1996-03-19 | Nec Corporation | Semiconductor device having low resistance values at connection points of conductor layers |
| WO1997022995A1 (en) * | 1995-12-18 | 1997-06-26 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device containing two or more metallic wiring layers and method for manufacturing the same |
| KR100303221B1 (ko) * | 1992-10-02 | 2001-11-30 | 사와무라 시코 | 반도체 장치 |
-
1988
- 1988-04-04 JP JP8334588A patent/JPH01255249A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0287555A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US5500560A (en) * | 1991-11-12 | 1996-03-19 | Nec Corporation | Semiconductor device having low resistance values at connection points of conductor layers |
| KR100303221B1 (ko) * | 1992-10-02 | 2001-11-30 | 사와무라 시코 | 반도체 장치 |
| WO1997022995A1 (en) * | 1995-12-18 | 1997-06-26 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device containing two or more metallic wiring layers and method for manufacturing the same |
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