JPH0341732A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0341732A JPH0341732A JP17626389A JP17626389A JPH0341732A JP H0341732 A JPH0341732 A JP H0341732A JP 17626389 A JP17626389 A JP 17626389A JP 17626389 A JP17626389 A JP 17626389A JP H0341732 A JPH0341732 A JP H0341732A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の配線の製造方法に関１［従来の
技術］ 従来の半導体装置の配線は、一般的に第３図に示すよう
にアルミニウムーシリコン合金でできていた。このとき
、アルミニウムーシリコン合金は加工性がよく、 ＰＧ
的なドライエツチング技術で比較的寸法精度良く配線化
することができていた。
技術］ 従来の半導体装置の配線は、一般的に第３図に示すよう
にアルミニウムーシリコン合金でできていた。このとき
、アルミニウムーシリコン合金は加工性がよく、 ＰＧ
的なドライエツチング技術で比較的寸法精度良く配線化
することができていた。
しかしながら近年の半導体集積回路の高集積化にともな
い、アルミニウムーシリコン合金よりも低抵抗で、しか
もマイグレーション耐性の強い配線材料が望まれるよう
になってきた。
い、アルミニウムーシリコン合金よりも低抵抗で、しか
もマイグレーション耐性の強い配線材料が望まれるよう
になってきた。
［発明が解決しようとする課題］
アルミニウム合金よりも低抵抗で、マイグレーション耐
性の強い配線材料として、銅などが挙げられるが、これ
らの金属はいれも加工性が悪く、既存ドライエツチング
技術では容易にエツチングできず、配線化することが非
常に困難であった。
性の強い配線材料として、銅などが挙げられるが、これ
らの金属はいれも加工性が悪く、既存ドライエツチング
技術では容易にエツチングできず、配線化することが非
常に困難であった。
そこで本発明は、このような課題を解決しようとするも
ので、アルミニウム合金よりも低抵抗で、マイグレーシ
ョン耐性の強い配線材料である銅などを容易に配線化す
る事ができる半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
ので、アルミニウム合金よりも低抵抗で、マイグレーシ
ョン耐性の強い配線材料である銅などを容易に配線化す
る事ができる半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体製造装置は、半導体基板上方に形成され
た第一の絶縁膜上の全面に第一の導電膜を形成する工程
、前記第一の導電膜上の予め設計された領域に第二の絶
縁膜を形成する工程、前記第一の導電膜上の前記第二の
絶縁膜におおわれていない領域に第二の導電膜を選択的
に形成する工程、前記第二の絶縁膜を除去する工程、前
記第二の導電膜に覆われていない領域の前記第一の導電
膜のみを選択的に酸化して絶縁膜にする工程より成るこ
とを特徴とする。
た第一の絶縁膜上の全面に第一の導電膜を形成する工程
、前記第一の導電膜上の予め設計された領域に第二の絶
縁膜を形成する工程、前記第一の導電膜上の前記第二の
絶縁膜におおわれていない領域に第二の導電膜を選択的
に形成する工程、前記第二の絶縁膜を除去する工程、前
記第二の導電膜に覆われていない領域の前記第一の導電
膜のみを選択的に酸化して絶縁膜にする工程より成るこ
とを特徴とする。
［実施例］
第１図は、本発明の半導体装置の製造方法により製造さ
れた半導体装置の構造を示す断面図である。すなわち、
本発明により得られるチタン１０３と銅１０５の二層よ
り成る構造を有する配線を示している。
れた半導体装置の構造を示す断面図である。すなわち、
本発明により得られるチタン１０３と銅１０５の二層よ
り成る構造を有する配線を示している。
第２図は本発明の半導体装置の製造方法の実施例を示す
工程断面図である。以下、工程順に詳細に説明していく
。
工程断面図である。以下、工程順に詳細に説明していく
。
最初に、第２図（ａ）に示すように、半導体基板１０１
上方に形成されている酸化珪素膜１０２上の全面に第一
の導電膜としてチタン１０３をスパッタリングにより１
０００人形成する。
上方に形成されている酸化珪素膜１０２上の全面に第一
の導電膜としてチタン１０３をスパッタリングにより１
０００人形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、チタン１０３上の配
線とはならない領域にのみ第二の絶縁膜として、フォト
レジストレジスト１０４を１００００人形成する。この
とき配線とならない領域にのみ絶縁膜を形成するには、
チタン１０３上に全面的にフォトレジスト１０４を塗布
し、フォトリソ技術により配線となるように設計された
領域のフォトレジストだけを除去すればよい。
線とはならない領域にのみ第二の絶縁膜として、フォト
レジストレジスト１０４を１００００人形成する。この
とき配線とならない領域にのみ絶縁膜を形成するには、
チタン１０３上に全面的にフォトレジスト１０４を塗布
し、フォトリソ技術により配線となるように設計された
領域のフォトレジストだけを除去すればよい。
次に、第２図（Ｃ）に示すように、フォトレジスト１０
４でおおわれていない領域、すなわち、配線となるよう
に設計された領域のチタン１０３上にのみ選択的に第二
の導電膜としてｆ１１０５を形成する。このとき銅１０
５は鍍金技術によりチタン１０３合金上にのみ選択的に
形成した。このときの鋼１０５の膜厚は６０００人であ
った。
４でおおわれていない領域、すなわち、配線となるよう
に設計された領域のチタン１０３上にのみ選択的に第二
の導電膜としてｆ１１０５を形成する。このとき銅１０
５は鍍金技術によりチタン１０３合金上にのみ選択的に
形成した。このときの鋼１０５の膜厚は６０００人であ
った。
銅の比抵抗はアルミニウムの比抵抗の約６０％なので、
同−線幅の配線で同じ電流容量を得ようとする場合には
膜厚はアルミニウムの場合の６０％でよい。
同−線幅の配線で同じ電流容量を得ようとする場合には
膜厚はアルミニウムの場合の６０％でよい。
次に、第２図（ｄ）に示すように、フォトレジスト１０
４を除去する。
４を除去する。
最後に、第２図（ｅ）に示すように、酸化雰囲気中で熱
処理する事により、銅１０５に覆われていない領域のチ
タン１０３のみを絶縁膜である酸化チタン１０６に変質
させる。
処理する事により、銅１０５に覆われていない領域のチ
タン１０３のみを絶縁膜である酸化チタン１０６に変質
させる。
なお、本実施例では第一の導電膜としてチタンを用いて
いるが、酸化することで絶縁膜となる導電膜ならなんで
もよく、例えば、タンタル、タングステン、モリブデン
、窒化チタン、チタンタングステンなどの高融点金属あ
るいは高融点金属化合物や多結晶シリコンを用いてもよ
い。さらに、本実Ｔｉｆ’Ａでは、第一の導電膜は単層
となっているが、上述の導’ＪＩＵのいくつかの組み合
せによる多層膜であってもよい。
いるが、酸化することで絶縁膜となる導電膜ならなんで
もよく、例えば、タンタル、タングステン、モリブデン
、窒化チタン、チタンタングステンなどの高融点金属あ
るいは高融点金属化合物や多結晶シリコンを用いてもよ
い。さらに、本実Ｔｉｆ’Ａでは、第一の導電膜は単層
となっているが、上述の導’ＪＩＵのいくつかの組み合
せによる多層膜であってもよい。
また、第二の導電膜は第一の導電膜上に選択的に成長さ
せられる導電体であれば何でもよく、銅以外に、例えば
、金、クロム、ニッケルなどが考えられる。
せられる導電体であれば何でもよく、銅以外に、例えば
、金、クロム、ニッケルなどが考えられる。
また、第二の絶縁膜としては、フォトレジストの代わり
に酸化珪素膜、窒化膜などの無機物を用いてもよい。
に酸化珪素膜、窒化膜などの無機物を用いてもよい。
［発明の効果］
以上述べたように、本発明によれば、酸化珪素謹上に全
面的に形成された酸化することにより容易に絶縁膜とな
るチタン上の予め設計された領域にのみエツチングが困
難な銅を選択的に形成し、銅の形成されていない領域の
チタンを酸化して絶縁膜にすることにより、エツチング
で除去することが困難な銅を有する多層構造の配線を容
易に得ることができ、従来のアルミニウムーシリコン合
金単層の配線よりも、低抵抗で、しかもマイグレーショ
ンに強い配線が容易に形成できるようになり、高信頼性
の半導体装置を高歩留まりで製造できるという効果を有
する。
面的に形成された酸化することにより容易に絶縁膜とな
るチタン上の予め設計された領域にのみエツチングが困
難な銅を選択的に形成し、銅の形成されていない領域の
チタンを酸化して絶縁膜にすることにより、エツチング
で除去することが困難な銅を有する多層構造の配線を容
易に得ることができ、従来のアルミニウムーシリコン合
金単層の配線よりも、低抵抗で、しかもマイグレーショ
ンに強い配線が容易に形成できるようになり、高信頼性
の半導体装置を高歩留まりで製造できるという効果を有
する。
第１図は、本発明の半導体装置の製造方法により得られ
る半導体装置の構造を示す断面図。 第２図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の半導体装置の製造方
法の実施例を示す工程断面図。 第３図は、従来の半導体装置の構造を示す断面図。 １０１、３０１ １０２、３０２ ０３ ０４ ０５ 半導体基板 酸化珪素膜 チタン フォトレジスト 鋼 ０６ 酸化チタン ０３ アルミニウムーシリコン合金 以上
る半導体装置の構造を示す断面図。 第２図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の半導体装置の製造方
法の実施例を示す工程断面図。 第３図は、従来の半導体装置の構造を示す断面図。 １０１、３０１ １０２、３０２ ０３ ０４ ０５ 半導体基板 酸化珪素膜 チタン フォトレジスト 鋼 ０６ 酸化チタン ０３ アルミニウムーシリコン合金 以上
Claims (1)
- 半導体基板上方に形成された第一の絶縁膜上の全面に第
一の導電膜を形成する工程、前記第一の導電膜上の予め
設計された領域に第二の絶縁膜を形成する工程、前記第
一の導電膜上の前記第二の絶縁膜におおわれていない領
域に第二の導電膜を選択的に形成する工程、前記第二の
絶縁膜を除去する工程、前記第二の導電膜に覆われてい
ない領域の前記第一の導電膜のみを選択的に酸化して絶
縁膜にする工程より成ることを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17626389A JPH0341732A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17626389A JPH0341732A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341732A true JPH0341732A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16010514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17626389A Pending JPH0341732A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0341732A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005093813A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor |
| JP2005311335A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタの作製方法 |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP17626389A patent/JPH0341732A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005093813A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor |
| JP2005311335A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタの作製方法 |
| US7476572B2 (en) | 2004-03-25 | 2009-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor |
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