JPH09162187A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH09162187A JPH09162187A JP34451895A JP34451895A JPH09162187A JP H09162187 A JPH09162187 A JP H09162187A JP 34451895 A JP34451895 A JP 34451895A JP 34451895 A JP34451895 A JP 34451895A JP H09162187 A JPH09162187 A JP H09162187A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低抵抗でエレクトロマイグレーション耐性に
優れた微細な配線を得る。 【解決手段】 金属配線に高融点金属であるタングステ
ン膜３を用い、その側壁にアルミニウム合金膜５を形成
する。
優れた微細な配線を得る。 【解決手段】 金属配線に高融点金属であるタングステ
ン膜３を用い、その側壁にアルミニウム合金膜５を形成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特に半導体装置の配線及びその製造
方法に関する。
の製造方法に関し、特に半導体装置の配線及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の配線は、主にアルミニ
ウムを材料としてスパッタリングし、これをパターニン
グする方法、または、化学気相成長法によりタングステ
ン膜を形成し、これをパターニングする方法等により形
成されている。
ウムを材料としてスパッタリングし、これをパターニン
グする方法、または、化学気相成長法によりタングステ
ン膜を形成し、これをパターニングする方法等により形
成されている。
【０００３】以下、図３を参照しながら従来の配線形成
技術について説明する。図３（ａ）に示すように、ま
ず、基板２１上に層間絶縁膜としてシリコン酸化膜２２
を堆積する。次にスパッタ法によりシリコン（約１％程
度）と銅（約０．５％程度）とを含むアルミニウム合金
膜を成膜、または気相成長法によりタングステンを成膜
し、金属配線膜２３を形成する。この金属配線膜２３を
フォトレジスト（不図示）をマスクとしてドライエッチ
ングし、シリコンと銅を含むアルミニウム合金又はタン
グステンの金属配線膜２３をパターニングする。
技術について説明する。図３（ａ）に示すように、ま
ず、基板２１上に層間絶縁膜としてシリコン酸化膜２２
を堆積する。次にスパッタ法によりシリコン（約１％程
度）と銅（約０．５％程度）とを含むアルミニウム合金
膜を成膜、または気相成長法によりタングステンを成膜
し、金属配線膜２３を形成する。この金属配線膜２３を
フォトレジスト（不図示）をマスクとしてドライエッチ
ングし、シリコンと銅を含むアルミニウム合金又はタン
グステンの金属配線膜２３をパターニングする。
【０００４】なお、図３（ｂ）に示すように、シリコン
の析出またはアロイスパイク防止のために、ＴｉやＴｉ
Ｎ等の高融点のバリアメタル２４を金属配線膜２３とシ
リコン酸化膜２２との間に堆積させる場合もある。
の析出またはアロイスパイク防止のために、ＴｉやＴｉ
Ｎ等の高融点のバリアメタル２４を金属配線膜２３とシ
リコン酸化膜２２との間に堆積させる場合もある。
【０００５】また、特開平５−３０４１５２号公報に記
載されているように、金属配線にアルミニウム合金を用
い、その側壁や上部にタングステンを用いる場合もあ
る。
載されているように、金属配線にアルミニウム合金を用
い、その側壁や上部にタングステンを用いる場合もあ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体デバイスの高集
積化に伴い、金属配線幅が狭くなってきており、上記の
ようなアルミニウム合金の配線では、配線幅の減少に伴
って電流密度が増大し、エレクトロマイグレーションに
よる不良が問題になっている。
積化に伴い、金属配線幅が狭くなってきており、上記の
ようなアルミニウム合金の配線では、配線幅の減少に伴
って電流密度が増大し、エレクトロマイグレーションに
よる不良が問題になっている。
【０００７】この問題を解決するために、上記のように
金属配線材料としてタングステンを用いる方法がある
が、タングステンの抵抗は９μΩ・ｃｍでアルミニウム
合金の約３倍である。そのために、デバイス設計に規制
が生じたり、パターンの微細化の制約が生じる等の問題
がある。例えば、配線幅を微細化した場合に高抵抗とな
らないためには配線膜厚を厚くしなければならないた
め、厚膜のフォトレジスト（２μｍ程度）を使用する必
要があり、微細なレジストパターンを形成することが困
難となっている。
金属配線材料としてタングステンを用いる方法がある
が、タングステンの抵抗は９μΩ・ｃｍでアルミニウム
合金の約３倍である。そのために、デバイス設計に規制
が生じたり、パターンの微細化の制約が生じる等の問題
がある。例えば、配線幅を微細化した場合に高抵抗とな
らないためには配線膜厚を厚くしなければならないた
め、厚膜のフォトレジスト（２μｍ程度）を使用する必
要があり、微細なレジストパターンを形成することが困
難となっている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は、金属配線にタングステン等の高融点金
属を用い、その側壁や上部にアルミニウムを形成し、エ
レクトロマイグレーション耐性に優れた配線抵抗の低
い、微細な金属配線を有する半導体装置を提供するもの
である。
めに、本発明は、金属配線にタングステン等の高融点金
属を用い、その側壁や上部にアルミニウムを形成し、エ
レクトロマイグレーション耐性に優れた配線抵抗の低
い、微細な金属配線を有する半導体装置を提供するもの
である。
【０００９】また、上記問題点を解決するために、本発
明は、基板上に形成された絶縁膜上の一部に金属配線を
形成し、その絶縁膜及び金属配線を覆うようにスパッタ
法によりアルミニウム膜を形成し、このアルミニウム膜
を異方性エッチングにより少なくとも絶縁膜が露出する
までエッチングを行い、金属配線の側壁部と上部にアル
ミニウム膜を残置することにより、タングステン金属配
線の側壁部と上部にアルミニウム合金等を形成して、エ
レクトロマイグレーション耐性に優れた配線抵抗の低
い、微細な金属配線を形成する方法を提供するものであ
る。
明は、基板上に形成された絶縁膜上の一部に金属配線を
形成し、その絶縁膜及び金属配線を覆うようにスパッタ
法によりアルミニウム膜を形成し、このアルミニウム膜
を異方性エッチングにより少なくとも絶縁膜が露出する
までエッチングを行い、金属配線の側壁部と上部にアル
ミニウム膜を残置することにより、タングステン金属配
線の側壁部と上部にアルミニウム合金等を形成して、エ
レクトロマイグレーション耐性に優れた配線抵抗の低
い、微細な金属配線を形成する方法を提供するものであ
る。
【００１０】具体的には、本発明の半導体装置は、高融
点金属を主成分とし、絶縁膜上の所定領域に形成された
金属配線と、前記金属配線の側壁部及び上部の少なくと
もいずれかに形成されたアルミニウム合金膜とを有す
る。
点金属を主成分とし、絶縁膜上の所定領域に形成された
金属配線と、前記金属配線の側壁部及び上部の少なくと
もいずれかに形成されたアルミニウム合金膜とを有す
る。
【００１１】また、本発明の一態様においては、前記高
融点金属は、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、タン
タル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、及び、チタン（Ｔ
ｉ）からなる群より選択された少なくともいずれか一種
の金属を含む。
融点金属は、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、タン
タル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、及び、チタン（Ｔ
ｉ）からなる群より選択された少なくともいずれか一種
の金属を含む。
【００１２】本発明の半導体装置の製造方法は、基板上
に形成された絶縁膜上に第１の金属膜を形成する工程
と、前記第１の金属膜上に高融点金属を主成分とした第
２の金属膜を形成する工程と、前記第１の金属膜が露出
するまで前記第２の金属膜の一部をエッチングし、前記
第２の金属膜からなる金属配線を形成する工程と、前記
第１の金属膜及び前記金属配線の表面にスパッタリング
法によりアルミニウム合金膜を形成する工程と、前記ア
ルミニウム合金膜を異方性エッチングし、前記金属配線
の側壁部及び上部の少なくともいずれかに前記アルミニ
ウム合金膜を残存させるとともに、前記第１の金属膜を
露出させる工程と、前記金属配線及び前記アルミニウム
合金をマスクとしてエッチングを行い、前記第１の金属
配線の一部を除去する工程とを含む。
に形成された絶縁膜上に第１の金属膜を形成する工程
と、前記第１の金属膜上に高融点金属を主成分とした第
２の金属膜を形成する工程と、前記第１の金属膜が露出
するまで前記第２の金属膜の一部をエッチングし、前記
第２の金属膜からなる金属配線を形成する工程と、前記
第１の金属膜及び前記金属配線の表面にスパッタリング
法によりアルミニウム合金膜を形成する工程と、前記ア
ルミニウム合金膜を異方性エッチングし、前記金属配線
の側壁部及び上部の少なくともいずれかに前記アルミニ
ウム合金膜を残存させるとともに、前記第１の金属膜を
露出させる工程と、前記金属配線及び前記アルミニウム
合金をマスクとしてエッチングを行い、前記第１の金属
配線の一部を除去する工程とを含む。
【００１３】本発明の一態様においては、前記第１の金
属膜は、チタン（Ｔｉ）と窒化チタン（ＴｉＮ）との積
層膜、チタンタングステン（ＴｉＷ）膜、及び、チタン
（Ｔｉ）膜からなる群より選択された少なくともいずれ
か一種の膜であり、前記第２の金属膜は、モリブデン
（Ｍｏ）膜、白金（Ｐｔ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、タ
ングステン（Ｗ）膜、及び、チタン（Ｔｉ）膜からなる
群より選択された少なくともいずれか一種の膜を含む。
属膜は、チタン（Ｔｉ）と窒化チタン（ＴｉＮ）との積
層膜、チタンタングステン（ＴｉＷ）膜、及び、チタン
（Ｔｉ）膜からなる群より選択された少なくともいずれ
か一種の膜であり、前記第２の金属膜は、モリブデン
（Ｍｏ）膜、白金（Ｐｔ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、タ
ングステン（Ｗ）膜、及び、チタン（Ｔｉ）膜からなる
群より選択された少なくともいずれか一種の膜を含む。
【００１４】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
基板上に形成された絶縁膜上に高融点金属を含む金属配
線を形成する工程と、前記絶縁膜及び前記金属配線の表
面にスパッタリング法によりアルミニウム合金膜を形成
する工程と、前記アルミニウム合金膜を異方性エッチン
グし、前記金属配線の側壁部及び上部の少なくともいず
れかに前記アルミニウム合金膜を残存させるとともに、
前記絶縁膜を露出させる工程とを含む。
基板上に形成された絶縁膜上に高融点金属を含む金属配
線を形成する工程と、前記絶縁膜及び前記金属配線の表
面にスパッタリング法によりアルミニウム合金膜を形成
する工程と、前記アルミニウム合金膜を異方性エッチン
グし、前記金属配線の側壁部及び上部の少なくともいず
れかに前記アルミニウム合金膜を残存させるとともに、
前記絶縁膜を露出させる工程とを含む。
【００１５】
【作用】本発明は、金属配線にエレクトロマイグレーシ
ョン耐性に優れるタングステン等の高融点金属を用い、
その側壁や上部に低抵抗なアルミニウムを形成すること
により、金属配線にアルミニウム合金のみを用いた場合
や、金属配線にタングステンのみを用いた場合と比較し
て、低抵抗で、かつエレクトロマイグレーション耐性に
優れる二つの利点を合わせ持った特性の金属配線を得る
ことができる。
ョン耐性に優れるタングステン等の高融点金属を用い、
その側壁や上部に低抵抗なアルミニウムを形成すること
により、金属配線にアルミニウム合金のみを用いた場合
や、金属配線にタングステンのみを用いた場合と比較し
て、低抵抗で、かつエレクトロマイグレーション耐性に
優れる二つの利点を合わせ持った特性の金属配線を得る
ことができる。
【００１６】また、本発明により形成した金属配線はそ
の側壁部と上部とに抵抗の低いアルミニウムを形成する
ので、金属配線膜厚をタングステンのみの配線を用いた
場合に比べて薄くすることができ、それに伴ってフォト
レジスト膜厚も薄くすることができるので、より微細な
配線パターンを形成することが可能となる。
の側壁部と上部とに抵抗の低いアルミニウムを形成する
ので、金属配線膜厚をタングステンのみの配線を用いた
場合に比べて薄くすることができ、それに伴ってフォト
レジスト膜厚も薄くすることができるので、より微細な
配線パターンを形成することが可能となる。
【００１７】また、本発明により形成した金属配線はそ
の上部が丸みをおびた形状となるので、配線形成後に絶
縁膜を形成する際に配線間に隙間なく絶縁膜を埋めるた
めに適切な配線形状を得ることができる。
の上部が丸みをおびた形状となるので、配線形成後に絶
縁膜を形成する際に配線間に隙間なく絶縁膜を埋めるた
めに適切な配線形状を得ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を一実施形態につき
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１９】図１は本発明の一実施形態の半導体装置の
概略断面図である。図１において、基板１上にはシリコ
ン酸化膜２が形成されており、シリコン酸化膜２上には
チタン（Ｔｉ）と窒化チタン（ＴｉＮ）との積層膜４が
パターン形成されている。また、積層膜４上には、純度
９０％以上のタングステン膜３がパターン形成され、タ
ングステン膜３の側壁にはアルミニウム合金膜５が形成
されている。
概略断面図である。図１において、基板１上にはシリコ
ン酸化膜２が形成されており、シリコン酸化膜２上には
チタン（Ｔｉ）と窒化チタン（ＴｉＮ）との積層膜４が
パターン形成されている。また、積層膜４上には、純度
９０％以上のタングステン膜３がパターン形成され、タ
ングステン膜３の側壁にはアルミニウム合金膜５が形成
されている。
【００２０】チタン（Ｔｉ）と窒化チタン（ＴｉＮ）の
積層膜４は、タングステン膜３とシリコン酸化膜２との
密着性を向上させるためのものであり、タングステンの
堆積方法を適当に選択すればチタン（Ｔｉ）と窒化チタ
ン（ＴｉＮ）の積層膜４は不要な場合もある。
積層膜４は、タングステン膜３とシリコン酸化膜２との
密着性を向上させるためのものであり、タングステンの
堆積方法を適当に選択すればチタン（Ｔｉ）と窒化チタ
ン（ＴｉＮ）の積層膜４は不要な場合もある。
【００２１】なお、図１はタングステンの密着層として
チタン（Ｔｉ）と窒化チタン（ＴｉＮ）との積層膜４を
用いた場合の実施形態であるが、チタンタングステン
（ＴｉＮ）やチタン（Ｔｉ）を用いた場合も同様な効果
が得られる。
チタン（Ｔｉ）と窒化チタン（ＴｉＮ）との積層膜４を
用いた場合の実施形態であるが、チタンタングステン
（ＴｉＮ）やチタン（Ｔｉ）を用いた場合も同様な効果
が得られる。
【００２２】また、本実施形態では、高融点金属として
タングステン（Ｗ）を用いたがモリブデン（Ｍｏ）、白
金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）又は、
これらの合金を用いた場合も同様な効果が得られる。
タングステン（Ｗ）を用いたがモリブデン（Ｍｏ）、白
金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）又は、
これらの合金を用いた場合も同様な効果が得られる。
【００２３】次に、本実施形態の製造方法を図２に基づ
いて説明する。まず、図２（ａ）に示すように、基板１
上に形成されたシリコン酸化膜２上にスパッタ法により
チタン（Ｔｉ）と窒化チタン（ＴｉＮ）との積層膜４を
堆積した後に、ＣＶＤ法によりタングステン膜３を堆積
する。次に感光性樹脂であるフォトレジスト（図示せ
ず）を塗布し、所定のマスクを用いてフォトレジストの
パターニングを行う。このパターニングされたフォトレ
ジスト（図示せず）をマスクとしてチタン（Ｔｉ）と窒
化チタン（ＴｉＮ）との積層膜４の上層である窒化チタ
ン（ＴｉＮ）の表面が露出するまでタングステン膜３を
選択的にエッチングする。なお、上述のように積層膜４
を形成しなくてもよい場合がある。
いて説明する。まず、図２（ａ）に示すように、基板１
上に形成されたシリコン酸化膜２上にスパッタ法により
チタン（Ｔｉ）と窒化チタン（ＴｉＮ）との積層膜４を
堆積した後に、ＣＶＤ法によりタングステン膜３を堆積
する。次に感光性樹脂であるフォトレジスト（図示せ
ず）を塗布し、所定のマスクを用いてフォトレジストの
パターニングを行う。このパターニングされたフォトレ
ジスト（図示せず）をマスクとしてチタン（Ｔｉ）と窒
化チタン（ＴｉＮ）との積層膜４の上層である窒化チタ
ン（ＴｉＮ）の表面が露出するまでタングステン膜３を
選択的にエッチングする。なお、上述のように積層膜４
を形成しなくてもよい場合がある。
【００２４】次に、図２（ｂ）に示すように、スパッタ
法により従来例の説明で開示したものと同一のアルミニ
ウム合金膜５を全面に堆積する。
法により従来例の説明で開示したものと同一のアルミニ
ウム合金膜５を全面に堆積する。
【００２５】次に、図２（ｃ）に示すように、ＢＣｌ3
／Ｃｌ2 （４０：６０）を主成分とするガスを用いて、
アルミニウム合金膜５及びチタン（Ｔｉ）と窒化チタン
（ＴｉＮ）との積層膜４に異方性エッチングを施す。こ
れにより、隣接するタングステン膜３間のシリコン酸化
膜２を露出させ、タングステン膜３どうしを電気的に分
離された状態にする。
／Ｃｌ2 （４０：６０）を主成分とするガスを用いて、
アルミニウム合金膜５及びチタン（Ｔｉ）と窒化チタン
（ＴｉＮ）との積層膜４に異方性エッチングを施す。こ
れにより、隣接するタングステン膜３間のシリコン酸化
膜２を露出させ、タングステン膜３どうしを電気的に分
離された状態にする。
【００２６】なお、本実施形態は、タングステンの密着
層とし（Ｔｉ）と（ＴｉＮ）の積層膜４を用いた場合の
実施形態であるが、チタンタングステン（ＴｉＷ）やチ
タン（Ｔｉ）を用いた場合も同様な効果が得られる。
層とし（Ｔｉ）と（ＴｉＮ）の積層膜４を用いた場合の
実施形態であるが、チタンタングステン（ＴｉＷ）やチ
タン（Ｔｉ）を用いた場合も同様な効果が得られる。
【００２７】また、本実施形態ではタングステン膜３上
部のアルミニウム合金膜５をエッチングにより除去した
が、残した場合でも本発明の効果は得られる。
部のアルミニウム合金膜５をエッチングにより除去した
が、残した場合でも本発明の効果は得られる。
【００２８】また、アルミニウム合金膜５及びチタン
（Ｔｉ）と窒化チタン（ＴｉＮ）の積層膜４のエッチン
グガスにＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 （４０／６０）を主成分とす
るガスを用いたが、異方性のエッチングが行えれば、他
のエッチングガスを用いてもよい。
（Ｔｉ）と窒化チタン（ＴｉＮ）の積層膜４のエッチン
グガスにＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 （４０／６０）を主成分とす
るガスを用いたが、異方性のエッチングが行えれば、他
のエッチングガスを用いてもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、金
属配線にタングステン等のような高融点金属を用い、そ
の側壁や上部にアルミニウムを形成することにより、金
属配線にアルミニウム合金のみを用いた場合や、金属配
線にタングステンのみを用いた場合と比較して、側壁部
のアルミニウム合金が低抵抗であり、かつ中心部のタン
グステンがエレクトロマイグレーション耐性に優れてい
るという二つの利点を合わせ持った特性の金属配線を得
ることができる。
属配線にタングステン等のような高融点金属を用い、そ
の側壁や上部にアルミニウムを形成することにより、金
属配線にアルミニウム合金のみを用いた場合や、金属配
線にタングステンのみを用いた場合と比較して、側壁部
のアルミニウム合金が低抵抗であり、かつ中心部のタン
グステンがエレクトロマイグレーション耐性に優れてい
るという二つの利点を合わせ持った特性の金属配線を得
ることができる。
【００３０】また、本発明により形成した金属配線は金
属配線にアルミニウム合金を用い、その側壁や上部にタ
ングステンを用いた場合と比較して、より微細な孔に嵌
め込むことができる。
属配線にアルミニウム合金を用い、その側壁や上部にタ
ングステンを用いた場合と比較して、より微細な孔に嵌
め込むことができる。
【００３１】また、本発明により形成した金属配線はそ
の側壁部と上部とに抵抗の低いアルミニウムを形成する
ので、金属配線膜厚をタングステンのみの配線を用いた
場合に比べて薄くすることができ、それに伴ってフォト
レジスト膜厚も薄くすることができるので、より微細な
配線パターンを形成することが可能となる。
の側壁部と上部とに抵抗の低いアルミニウムを形成する
ので、金属配線膜厚をタングステンのみの配線を用いた
場合に比べて薄くすることができ、それに伴ってフォト
レジスト膜厚も薄くすることができるので、より微細な
配線パターンを形成することが可能となる。
【００３２】また、本発明により形成した金属配線はそ
の上部が丸みをおびた形状となるので、本配線形成後に
絶縁膜を形成する際に配線間に隙間なく絶縁膜を埋める
ために適切な配線形状を得ることができる。
の上部が丸みをおびた形状となるので、本配線形成後に
絶縁膜を形成する際に配線間に隙間なく絶縁膜を埋める
ために適切な配線形状を得ることができる。
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置の概略断面図
である。
である。
【図２】図１の半導体装置の製造工程を説明するための
断面図である。
断面図である。
【図３】従来の半導体装置の概略断面図である。
１ 基板 ２ シリコン酸化膜 ３ タングステン膜 ４ ＴｉとＴｉＮの積層膜 ５ アルミニウム合金膜
Claims (5)
- 【請求項１】 高融点金属を主成分とし、絶縁膜上の所
定領域に形成された金属配線と、 前記金属配線の側壁部及び上部の少なくともいずれかに
形成されたアルミニウム合金膜とを有することを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項２】 前記高融点金属は、モリブデン（Ｍ
ｏ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン
（Ｗ）、及び、チタン（Ｔｉ）からなる群より選択され
た少なくともいずれか一種の金属を含むことを特徴とす
る請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 基板上に形成された絶縁膜上に第１の金
属膜を形成する工程と、 前記第１の金属膜上に高融点金属を主成分とした第２の
金属膜を形成する工程と、 前記第１の金属膜が露出するまで前記第２の金属膜の一
部をエッチングし、前記第２の金属膜からなる金属配線
を形成する工程と、 前記第１の金属膜及び前記金属配線の表面にスパッタリ
ング法によりアルミニウム合金膜を形成する工程と、 前記アルミニウム合金膜を異方性エッチングし、前記金
属配線の側壁部及び上部の少なくともいずれかに前記ア
ルミニウム合金膜を残存させるとともに、前記第１の金
属膜を露出させる工程と、 前記金属配線及び前記アルミニウム合金をマスクとして
エッチングを行い、前記第１の金属配線の一部を除去す
る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項４】 前記第１の金属膜は、チタン（Ｔｉ）と
窒化チタン（ＴｉＮ）との積層膜、チタンタングステン
（ＴｉＷ）膜、及び、チタン（Ｔｉ）膜からなる群より
選択された少なくともいずれか一種の膜であり、前記第
２の金属膜は、モリブデン（Ｍｏ）膜、白金（Ｐｔ）
膜、タンタル（Ｔａ）膜、タングステン（Ｗ）膜、及
び、チタン（Ｔｉ）膜からなる群より選択された少なく
ともいずれか一種の膜を含むことを特徴とする請求項３
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 基板上に形成された絶縁膜上に高融点金
属を含む金属配線を形成する工程と、 前記絶縁膜及び前記金属配線の表面にスパッタリング法
によりアルミニウム合金膜を形成する工程と、 前記アルミニウム合金膜を異方性エッチングし、前記金
属配線の側壁部及び上部の少なくともいずれかに前記ア
ルミニウム合金膜を残存させるとともに、前記絶縁膜を
露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34451895A JPH09162187A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34451895A JPH09162187A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162187A true JPH09162187A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18369901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34451895A Withdrawn JPH09162187A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162187A (ja) |
-
1995
- 1995-12-05 JP JP34451895A patent/JPH09162187A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030304 |